Wachstum und Charakterisierung von InSb Nanodrahtstrukturen III V Halbleiter; Nanodrähte; Vapor Liquid Solid (VLS); Vapor Solid Solid (VSS); epitaktisches Wachstum; Chemikalienstrahlepitaxie (CBE); Elektronenmikroskopie; Heterostrukturen III V semiconductors; nanowires; Vapor Liquid Solid (VLS); Vapor Solid Solid (VSS); epitaxial growth; Chemical Beam Epitaxy (CBE); electron microscopy; heterostructures Die vorliegende Arbeit beschäftigt sich mit dem Wachstum von InSb Nanodrähten mithilfe der Chemikalienstrahlepitaxie (CBE). Unter Benutzung eines selbst entwickelten Wachstumssystems wird zunächst das Wachstumsverhalten der InSb Nanodrähte bestimmt um anschließend die gezüchteten Strukturen auf deren Morphologie strukturellen Aufbau und physikalische Eigenschaften hin zu untersuchen. Die synthetisierten Nanodrähte wurden mithilfe von Rasterelektronenmikroskopie (SEM) Transmissionselektronenmikroskopie (TEM) und Röntgenbeugung (XRD) charakterisiert. Essentielle Ergebnisse der Untersuchungen sind: i) Die planare Defektdichte innerhalb der Nanodrähte kann über die Wachstumstemperatur beeinflusst werden. ii) Die Änderung des Massenflussverhältnisses der Vorläufermaterialien unterdrückt das parasitäre Schichtwachstum sowie das radiale Wachstum der Nanodrähte. iii) Durch die Verwendung geeigneter Wachstumsparameter wurden radiale InSb GaSb Heterostrukturen erzeugt und charakterisiert. vi) Es wurden sowohl einzelne Nanodrähte als auch großflächig geordnete Nanodrahtfelder mithilfe lithographischer Prozesse kontaktiert und elektrisch vermessen.