Strain field and strain engineering in semiconductor nanostructures: coherent X ray diffraction imaging and analytical studies Zusammenfassung: In speziellen magneto optischen elektronischen Materialien wie z. B. Ga1 xMnxAs werden die elektronischen und magnetischen Eigenschaften durch die Konzentration der Ladungsträ ger bestimmenden Komponente eingestellt hier durch das Mn. Allerdings führen Änderungen in der chemischen Zusammensetzung auch zu einer Änderung der Ordnung des Systems. Ein hervorragender Weg sich diesem Problem zu nähern ist der Einsatz externer elektrostatischer Felder um einen Dotierungseffekt ohne Änderung der Zusammensetzung zu erhalten. Dieser Ansatz erlaubt nicht nur eine Entwicklung neuartiger Bauelemente sondern kann auch zur Untersuchung von Quantenphänomenen verwendet werden da der Grundzustand in solchen Systemen kontrolliert eingestellt werden kann. Epitaktische Nanostrukturen sind geeignete Kandidaten da sie den erforderlichen Quanteneinschluss erlauben. Eine elastische Gitterver spannung aufgrund einer Gitterfehlanpassung kann dazu verwendet werden die beobachteten Quanteneffekte zu beeinflussen. Ga1 xMnxAs ist aktuell von großem Interesse für spintroni sche Bauelemente. Wegen seiner starken magnetischen Anisotropie kann die Spin Polarisation durch ein magnetisches Feld umgekehrt oder durch elektrische Auslöser geschaltet werden. Jedoch bewirkt die Anisotropie auch eine asymmetrische Ladungsträgerverteilung. Ga1 xMnxAs besitzt deshalb eine komplexe anisotrope Darstellungsfläche für die magnetische Energie und damit eine Vielzahl einfach zu magnetisierender Achsen