Abscheidung und Zersetzung von Selten Erd Oxid Precursorn auf der H terminierten Si(111) und der SiO2 Oberfläche In this work the known methods for the wet chemical preparation of the H terminated Si(111) surface and those for preparation of the Si(111) 7x7 reconstruction of the surface in the UHV were reproduced. By using different application methods namely drop cast dip coating and liquid injection precursor deposition a solution of a precursor material was applied onto the H terminated Si(111) and the SiO2 surface. Using well defined heating conditions for the sample under UHV conditions the precursor decomposed leaving a thin film consisting of La2O3 on the surface. This film was analyzed using XPS STM AFM and TEM techniques. The analysis done by STM showed the formation of islands on the surface. The analysis by using XPS indicated the appearence of an interfacial layer between the substrate und the La2O3. Furthermore it was possible to determine the thickness of the thin film deposited on the substrate by means of angle resolved XPS. A special focus was put on the production of TEM lamellas by means of a FIB System and on the ex situ lift out with a micromanipulator. <engl.> In der Arbeit wurden bekannte Verfahren zur nasschemischen Präparation der H terminierten Si(111) Oberfläche und zur Präparation der Si(111) 7x7 Rekonstruktion im Ultrahochvakuum erfolgreich reproduziert. Eine Precursorlösung wurde über die Applikationsmethoden drop cast dip coating und liquid injection precursor deposition auf die H terminierte Si(111) und die SiO2 Oberfläche dosiert. Über definiertes Heizen der Probe im UHV und auch unter Schutzgas fand eine Thermolyse des Precursors statt sodass eine dünne Schicht aus La2O3 auf der Oberfläche zurück blieb. Diese Schicht wurden mit den Methoden der Röntgenphotoelektronenspektroskopie (XPS) der Rastertunnel und der Rasterkraftmikroskopie sowie der Transmissionselektronenmikroskopie untersucht. Über XPS wurden Hinweise auf die Bildung einer Zwischenschicht zwischen dem Substrat und dem La2O3 gefunden. Über winkelabhängige XPS Messungen konnte die Dicke der abgeschiedenen Schicht bestimmt werden. Die Präparation einer TEM Lamelle mit Hilfe des fokussierten Ionenstrahls und der ex situ lift out der Lamelle wird beschrieben. <dt.>