Zur ab initio Beschreibung der optischen Eigenschaften von Halbleitern insbesondere von SiC Polytypen In dieser Arbeit werden parameterfreie Berechnungen der linearen und nichtlinearen optischen Eigenschaften von kubischen und hexagonalen Halbleitern durchgeführt. Die zugrundeliegenden atomaren und elektronischen Strukturen der Halbleitermaterialien werden ab initio mittels der Dichtefunktionaltheorie in Lokaldichtenäherung (DFT LDA) unter Verwendung einer Ebene Wellen Pseudopotential Methode berechnet. Die Beschreibung der optischen Eigenschaften basiert auf der Näherung unabhängiger Quasiteilchen; Vielteicheneffekte werden im Rahmen der GW Aproximation einbezogen. An den linearen optischen Eigenschaften der kubischen Gruppe IV Materialien Silizium Diamant und Siliziumkarbid (SiC) werden allgemeine Aspekter der Beschreibung optischer Eigenschaften diskutiert wie z.B. der Einfluß nichtlokaler Beiträge zum optischen Übergangsoperator die Frage der Eichinvarianz und der Einfluß von Quasiteilchenkorrekturen. Anhand verschiedener Polytypen der SiC wird der Einfluß der atomaren und elektronischen Struktur auf die linearen und nichtlinearen optischen Eigenschaften untersucht. Die SHG Suszebtibilität wird darüberhinaus für eine Reihe kubischer III V Halbleiter berechnet; Die Einflüsse der virtuellen Loch Therme sowie des Bindungscharakters (Millersche Regel) werden diskutiert. Alle Resultate werden mit verfügbaren experimentellen und anderen theoretischen Ergebnissen verglichen.