Integrierte Digitale Schaltungen : Vom Transistor zur optimierten Logikschaltung Diese dritte Auflage bietet einen vollständig überarbeiteten Blick auf alle Aspekte der integrierten digitalen Schaltungstechnik. Aufbauend auf der Halbleiterphysik moderner CMOS Transistoren und deren Herstellung werden digitale und wenn nötig analoge Grundschaltungen behandelt. Weiter werden Funktionsblöcke wie Speicherschaltungen Addierer und Multiplizierer besprochen. Als neuer Schwerpunkt der dritten Auflage ziehen sich die Auswirkungen der zeitlichen und örtlichen Schwankungen der Versorgungsspannungen und der Temperatur sowie die Einflüsse der herstellungsbedingten Schwankungen der Transistorparameter wie ein roter Faden durch alle Kapitel. Methoden zur Minimierung der Verlustleistung bilden einen weiteren neuen Schwerpunkt des Buches. Es wird wie in den bisherigen Auflagen die technologieorientierte und die systemorientierte Schaltungstechnik gemeinsam und zusammenhängend dargestellt. Die Autoren Professor Dr. Ing. Heinrich Klar erlangte in den Jahren 1972 und 1976 die Titel Dipl. Ing. beziehungsweise Dr. Ing. an der Technischen Universität München. 1976 trat er in das Forschungslabor der Siemens AG ein. Am 1.10.1989 wechselte er an die Technische Universität Berlin. Dort war er als Professor am Institut für Mikroelektronik bis zu seiner Pensionierung am 1. 10. 2012 tätig. Seine Forschungsschwerpunkte waren integrierte digitale Schaltungen für die Signalverarbeitung insbesondere für spike verarbeitende neuronale Netze. Im analogen Bereich arbeitete er an RF (Radio Frequenz ) Schaltungen für die drahtlose Kommunikation an hochauflösenden und breitbandigen A D Wandlern und an Gigabit Schaltkreisen. Im analogen Bereich arbeitete er an RF (Radio Frequenz ) Schaltungen für die drahtlose Kommunikation an hochauflösenden und breitbandigen A D Wandlern und an Gigabit Schaltkreisen. Im analogen Bereich arbeitete er an RF (Radio Frequenz ) Schaltungen für die drahtlose Kommunikation an hochauflösenden und breitbandigen A D Wandlern und an Gigabit Schaltkreisen. Professor Dr. Ing. Tobias G. Noll studierte Elektrotechnik an der Fachhochschule Koblenz sowie an der Tech­ni­schen Universität München und promovierte im Jahre 1989 an der Ruhr Universität Bochum zum Dr. Ing. Nach Tätigkeiten am Max Planck Institut für Radio Astronomie in Bonn und im Be­reich Bauelemente sowie im Forschungslabor der Siemens AG München folgte er im Jahre 1992 einem Ruf auf eine Professur an der RWTH Aachen. Dort lehrt und forscht er am Lehr­stuhl für Allgemeine Elektrotechnik und Datenverarbeitungssysteme auf dem Gebiet des tech­no­logienahen Architektur und Schaltungsentwurfs von zuverlässigen flächen und energie­effi­zienten digitalen CMOS Schaltungen für hochratige Anwendungen der digitalen Signal­ver­ar­beitung. Schwerpunkte sind dabei der Entwurf für nanoskalige CMOS Technologien und die quantitative Cross Layer Optimierung über alle Entwurfsebenen von der algorithmischen Sys­temebene bis zur physikalischen Implementierungsebene. Einleitung Physik und Herstellung von MOS Transistoren Leitungen Grundschaltungen Takte Halbleiterspeicher Arithmetische Module VLSI Entwurfsmethoden Anhang für Kapitel 3 Literaturverzeichnis Sachverzeichnis.