Opto electronic characterization of polycrystalline CuInS 2 and Cu(In Ga)S 2 absorber layers by photoluminescence Photolumineszenz (PL) hat sich als Charakterisierungsmethode für Absorber von Solarzellen etabliert durch die Formulierung vom verallgemeinertem Planckschen Strahlungsgesetz lässt sich prinzipiell die Aufspaltung der quasi Fermi Niveaus sowie die Absorption einer Solarzelle noch vor ihrer Fertigstellung bestimmen. Für großflächige Messungen (mm cm Skala) gilt dies jedoch vornehmlich für homogene Absorberschichten auf die Analyse polykristalliner Halbleiter lässt sich dieser Ansatz aufgrund der lateral variierenden opto elektronischen und strukturellen Eigenschaften nicht eins zu eins übertragen. In dieser Arbeit werden durch die lateral und spektral aufgelöste Messung der PL mit sub Mikrometer Auflösung sowie den Übergang zur makroskopischen Messung die lateralen Fluktuationen in den Eigenschaften des polykristallinen Halbleiters Cu(In Ga)S2 quantifiziert und hinsichtlich ihres Anregungszustandes und ihrer Absorption untersucht. <dt.>