Untersuchung tiefenabhangiger Defektprofile mittels eines monoenergetischen Positronenstrahlsystems bei simultanem Ionenbeschuss Positron; Positronen Annihilations Spektroskopie; Doppler Verbreiterungs Spektroskopie; S Parameter; Tiefenauflösung; Defektuntersuchung; Ionenstrahl Sputtern; Ionenimplantation In dieser Arbeit werden die monoenergetische Positronen Annihilations Spektroskopie (PAS) und die Ionenstrahltechnik simultan angewendet. Im ersten Teil der Arbeit werden Ar+ Ionen benutzt um die Probenoberfläche während der Positronen Annihilations Spektroskopie Messung abzutragen. Für die Doppler Verbreiterungs Spektroskopie werden dabei Positronenenergien zwischen 3 keV und 5keV gewählt was hochauflösende Defektuntersuchungen direkt unter der abgetragenen Oberfläche ermöglicht. Am Beispiel eines Au Cr Schichtsystems kann so eine signifikante verbesserte Tiefenauflösung von unter 100 nm gezeigt werden. Am Beispiel einer Cu(In Ga)Se2 Solarzelle kann gezeigt werden dass diese Methode sogar für dickere Proben anwendbar ist. Im zweiten Teil der Arbeit wird die Implantation von 30 keV He+ Ionen in Silizium und Aluminium genutzt um die zeitliche Entwicklung von Defektkonzentrationen mittels PAS in situ zu untersuchen. Eine Defektgeneration aufgrund der Ionenimplantation ist messbar nicht jedoch die zeitliche Entwicklung der Defektkonzentration. In this work the mono energetic positron annihilation spectroscopy (PAS) and the ionbeam technique are applied concurrently. In the first part Ar+ ions are used to remove the sample surface during the positron annihilation spectroscopy measurement. For Dopplerbroadening spectroscopy positron energies between 3 keV and 5 keV are chosen allowing for high resolution defect studies just below the sputtered surface. Using an Au Cr layered system a significantly improved depth resolution of less than 100 nm can be demonstrated. Using a Cu(In Ga)Se2 solar cell it is shown that this method is even applicable to thicker samples. In the second part the implantation of 30 keV He+ ions is used to investigate the temporal evolution of the defect concentration in situ using PAS. A defect generation due to the ion implantation is measurable but not the temporal evolution of the defect concentration. positron; positron annihilation spectroscopy; Doppler broadening spectroscopy; S parameter; depth resolution; defect study; ion beam sputtering; ion implantation