Graphen epitaktisches Wachstum Charakterisierung und nicht klassische elektrische Bauelementekonzepte In der vorliegenden Dissertation wurden die Schwerpunkte des Wachstums auf semi isolierendem 6H SiC der Schicht als auch der Bauelementecharakterisierung auf Basis von epitaktischem Graphen behandelt. Die Schichten wurden mittels REM AFM LEED XPS und ARPES untersucht. Anhand von REM Aufnahmen wurde durch einen neuartigen Ansatz die Qualität der Schichten über die Bildentropie mit den Wachstumsparametern korreliert. Für die Bestimmung der Schichtdicke mit Hilfe von XPS wurden (a )symmetrische Fit Funktionen und ihr Fehler bei der Dickenbestimmung betrachtet. Der zweite Schwerpunkt befasst sich mit der Charakterisierung der hergestellten Schichten durch Raman und FTIR Spektroskopie. Die Einflüsse von Verspannung Fermi Niveau und Lagenzahl auf das Raman Spektrum des Graphen wurden klassifiziert und quantifiziert. Uniaxiale konnte von biaxialer Dehnung anhand des Unterschieds in der G 2D Dispersion unterschieden werden die Asymmetrie der G Mode wird dabei maßgeblich von uniaxialer Dehnung der Lage des Fermi Niveaus als auch durch Transferdotierung bei Anwesenheit von Adsorbaten beeinflusst. Zunehmende Lagenzahl verursachte eine Blauverschiebung der 2D Mode bei zunehmender Halbwertbreite. Mittels FTIR wurden Änderung des Reststrahlenbands des SiCs in Abhängigkeit des Wachstums durch Anregung eines Oberflächenplasmon Polaritons im Graphen untersucht. Eine Auswertemethode wurde entwickelt um die sich im Divisionsspektrum der Reflektivitäten ausbildende Fano Resonanz zu beschreiben. Die Intensität der resultierenden Fano Resonanz wird dabei maßgeblich von der Verschiebung der Modell Oszillatoren zueinander beeinflusst. Der dritte Schwerpunkt befasst sich mit der Strukturierung und Charakterisierung von vollständig aus Graphen bestehenden Three Terminal Junctions (TTJ) und Side Gate Transistoren (SG FET). Für die Vermessung kleinster Strukturbreiten anhand von REM Aufnahmen wurden Methoden zur Schwingungskorrektur und der Breitenbestimmung nahe unterhalb der Auflösungsgrenze des REMs hergeleitet. Es konnte gezeigt werden dass TTJs einen Gleichrichtungseffekt mit hoher Gleichrichtungseffizienz aufweisen. Des Weiteren wurden die auftretenden Stromverstärkungseffekte untersucht. Die realisierten SG FETs zeigen vergleichbar gute Eigenschaften wie konventionelle Top Gate Transistoren auf bei Minimierung parasitärer Einflüsse.