Controlling Si(111) and Si(100) surfaces for subsequent GaP heteroepitaxy in CVD ambient Die Integration von III V Unterzellen auf einem kostengünstigen aktiven Si Substrat hat das Potential Mehrfach Solarzellen mit einem hohen Konversionswirkungsgrad zu ermöglichen. Das Wachstum von III V Materialien mit niedriger Defektdichte auf Si ist schwierig aufgrund der unterschiedlichen Kristallstrukturen. Dank der geringen Gitterfehlanpassung kann eine GaP Nukleationsschicht die auf dem Si Substrat aufgewachsen wird den Übergang von Si zu anderen III V Materialien erleichtern. Solche pseudomorphen GaP Si Quasisubstrate ermöglichen die anschließende Integration planarer oder Nanodraht (ND) basierter III V Strukturen. Die planaren Strukturen werden für gewöhnlich in [100] Orientierung gewachsen wohingegen ND Strukturen bevorzugt entlang der [111] Richtung wachsen. Die vorliegende Arbeit untersucht die Präparation der Si Unterzelle und der pseudomorphen GaP Si Quasisubstrate mittels metallorganischer chemischer Gasphasenabscheidung (MOCVD). Auf der Si(100) Oberfläche verursachen Einfachstufen beim heteroepitaktischen Wachstum von III V Schichten die Entstehung von Antiphasendomänen wohingegen bei Si(111) Substraten die Kontrolle der Polarität der GaP Schichten entscheidend ist um das senkrechte Wachstum von ND zu erreichen. MOCVD Wachstumsprozesse sind sehr komplex aufgrund der Anwesenheit von metallorganischen Ausgangsstoffen des Prozessgases (H2) welches einen starken Einfluss auf die Stufenformation des Si hat und wegen des allgegenwertigen Wechselspiels zwischen energetischen und kinetischen Prozessen. Um die präzise Präparation der Si Oberfläche kontrollieren zu können verwenden wir in situ Reflexions Anisotropie Spektroskopie (RAS) und korrelieren Signale welche an entscheidenden Prozessschritten auftreten mit Ultrahochvakuum (UHV) basierten Oberflächen empfindlichen Methoden. Beide Si Oberflächen wechselwirken stark mit dem H2 Prozessgas was zu einer Terminierung der Oberflächen mit Monohydrid führt. Der Kollektor in Si(100) und Si(111) wird durch Tempern unter TBP oder TBAs Precursor gebildet welches zu einer Diffusion von P oder As in Si führt. Nach der Kollektor Bildung weiteres Tempern in H2 ist notwendig um für die GaP Nukleation wieder eine glatte Oberfläche (epiready) zu generieren. Um GaP(111) mit B Typ Polarität zu erzielen was für vertikales III V ND Wachstum notwendig ist ist eine Modifizierung der H terminierten Si Oberfläche nötig. Durch eine gezielte Terminierung der Si Oberfläche mit As oder H2 lässt sich die Polarität des GaP Films kontrollieren. Im Falle von Si(100) 6° kann mittels in situ RAS die Dimer Ausrichtung der Majoritätsdomäne auf der Oberfläche in Abhängigkeit der As Quelle (Asx oder TBAs) und der Abkühlprozedur kontrolliert werden. Dies erlaubt die gezielte Einstellung der Untergitterausrichtung der nachfolgend gewachsenen eindomänigen GaP Si(100) Schicht. Somit können sowohl für planare als auch für ND basierte photovoltaische Mehrfachabsorber Strukturen geeignete GaP Si Quasisubstrate mit wohldefinierten Grenzflächen und einem p n Übergang im Si kontrolliert in der MOCVD präpariert werden.