Aluminum based PVD rear side metallization for front junction nPERT silicon solar cells Diese Arbeit befasst sich mit Al basierter physikalischer Gasphasenabscheidung als alternatives Herstellungsverfahren einer Rückseitenmetallisierung für nPERT Siliziumsolarzellen. Al basierte Metallisierungssysteme wie Al Al Si Legierung (1 at% Si) und Al Si Al Schichtstapel wurden in Bezug auf Al Spiking spezifischem Kontaktwiderstand und Rückseitenreflexion untersucht und verglichen. Bei Verwendung einer Al Einzelschichtmetallisierung kam es zur Bildung von Al Spikes. Wurde eine Al Si Legierung aufgebracht konnte das Al Spiking vermieden werden jedoch gleichzeitig mit einer Bildung von starkausgeprägten Si Präzipitaten. Deswegen wurde ein neuer Ansatz mit einem Al Si Al Schichtstapel statt Einzelschichtsystemen entwickelt. Mit diesem Ansatz und mit einer optimierten Dicke der Al Si Schicht konnten sowohl das Al Spiking als auch die Si Präzipitation deutlich reduziert werden. Der optimierte Al Si Al Schichtstapel zeigte zusätzlich einen ausreichend niedrigen spezifischen Kontaktwidestand und eine hohe Rückseitenreflexion und darüber hinaus eine deutlich höhere thermische Stabilität verglichen mit dem Al Einzelschichtmetallisierung.