Nanostrukturierte Ladungsträgergase für nicht klassische Bauelementekonzepte In der Forschung rücken neben der etablierten Siliziumtechnologie immer mehr auch alternative Bauelemente und Materialien in den Mittelpunkt die bestehenden Grenzen der Funktionalität überschreiten können. Die Arbeit beschäftigt sich mit diesen beiden Ansätzen. Zum einen wird AlGaN GaN als Beispiel für Heterosysteme vorgestellt. Es wird gezeigt wie ein zweidimensionales Ladungsträgergas an der AlGaN GaN Grenzfläche entsteht. Mit Hilfe von Simulationen wird der Einfluss von Parametern wie Aluminiumgehalt und Barrieredicke auf Ladungsträgerdichte und beweglichkeit untersucht. Der praktische Schwerpunkt dieser Arbeit liegt auf dem Entwurf und der Realisierung von AlGaN GaN basierten Nanostrukturen die durch nicht klassische Effekte eine Vielzahl von Anwendungsmöglichkeiten als Gleichrichter Seitengate Transistoren logischer Gatter und selektiven Schaltern eröffnen. Eine solche universelle Struktur ist das Three Terminal Junction (TTJ) Bauelement. Der von anderen Materialsystemen bekannte Aufbau wird auf AlGaN GaN überführt. Es wird gezeigt wie sich geometrische Anordnung (T und Y Aufbau) sowie strukturelle und externe Parameter (Kontaktbalkenbreite länge Temperatur) auf seine Funktion auswirken. Durch eine Fortentwicklung des T Aufbaus kann der Self Gating Effekt dieser Bauelementeart forciert werden. Darüber hinaus wurde in den hergestellten Strukturen erstmalig eine positive Gleichrichtung beobachtet. In der vorliegenden Arbeit wird auch dieser untersucht und die bestimmenden Effekte für sein Auftreten (physikalische Effekte sowie essentielle Strukturparameter) systematisch analysiert und erläutert. Aufgrund des Aufbaus und der Funktion kann man auch von T Gleichrichtbauelementen und Y Gleichrichtbauelementen sprechen. Darüber hinaus wird ein Ausblick auf weitere Bauelemente gegeben die sich in AlGaN GaN Heterosysteme überführen lassen und neue Anwendungsfelder eröffnen. Dabei werden Dioden vorgestellt die auf geometrischer Grundlage ohne Dotierstoff oder Materialübergang realisiert werden können und daher besonders für alle Arten von zweidimensionalen Materialien geeignet sind. Zudem lassen sich die TTJ Bauelemente durch leichte Veränderungen in Transistoren mit Seitengate Steuerung überführen. Diese Bauelemente wurden ebenfalls hergestellt und untersucht.