Herstellung Charakterisierung und elektrische Eigenschaften von modifizierten SiO2 Sol Gel Schichten für die Elektrotechnik Elektronik Im Rahmen dieser Arbeit wurden durch Anwendung des Sol Gel Prozesses nanoskalierte Schichten mit spezifischen elektrischen Eigenschaften hergestellt die eine Anwendung als Funktionswerkstoffe in der Elektrotechnik Elektronik finden können. Da Sol Gel Schichten auf der Basis von Siliziumdioxid (SiO2) mit großer mechanischer und chemischer Beständigkeit einen hohen elektrischen Widerstand von >1015O·cm besitzen wurden erstmalig zur gezielten Herabsetzung des elektrischen Widerstandes dieser Schichten in der dielektrischen Matrix (SiO2) elektrisch leitende Partikel aus Kohlenstoff (Ruß) oder Rutheniumdioxid in einem weiten Konzentrationsbereich dispergiert. Die durch Hydrolyse von TEOS und MTEOS hergestellten Schichten wurden hinsichtlich ihrer Dicke Morphologie Struktur und Zusammensetzung charakterisiert. Die elektrischen Eigenschaften dieser neuartigen Sol Gel Schichten wurden untersucht und die Abhängigkeit des Widerstandes von der Füllstoffskonzentration der Frequenz und der Temperatur so wie das I V Verhalten ermittelt. Der elektrische Leitungsmechanismus wird im Rahmen der Perkolationstheorie und eines daraus abgeleiteten geometrischen Modells starrer elektrisch leitender Kugeln in einer isolierenden Matrix diskutiert. Mittels Siebdruck wurden erstmals SMD Widerstände hergestellt die aus einer kohlenstoffhaltigen Sol Gel Funktionsschicht und einer Sol Gel Passivierungsschicht bestehen. Die kohlenstoffhaltigen Schichten können darüber hinaus auch für regelbare Widerstände und Wegsensoren mit erhöhter Abriebfestigkeit und Temperaturbeständigkeit eingesetzt werden. Durch Dip coating wurden dünne RuO2 haltige Sol Gel Schichten für SMD Widerstände abgeschieden. Weiterhin können diese RuO2 haltigen Schichten in Feuchtsensoren verwendet werden.