Integration von nanoskaligen III V Halbleiterstrukturen auf Silizium für die solare Energiekonversion Tandem Absorberstrukturen bestehend aus ternären III V Halbleiter Nanodrähten (ND) als obere Teilzellen und Si als untere Teilzelle besitzen ein hohes Potential für kostengünstige hocheffiziente Photovoltaik und solare Wasserspaltung. Ziel dieser Arbeit ist es den Weg zu einem solchem Tandem zu ebnen wobei GaP als Pufferschicht zum Si(111) Substrat und die metallorganische Gasphasenepitaxie (MOVPE) als Präparationsmethode dient. Dafür soll ein detailliertes Verständnis hierbei erforderlicher Prozessschritte auf möglichst atomarer Skala geschaffen werden um somit die Kontrolle über jeden einzelnen dieser Präparationsschritte zu erlangen. Es zeigte sich dass die Si(111) Oberfläche sich in der H2 Atmosphäre des MOVPE Reaktors wesentlich anders verhält als während der etablierten Präparation in Ultrahochvakuum: So ist diese nach thermischer Deoxidation (1×1) rekonstruiert und Monohydrid terminiert. Reflexionsanisotropie Spektroskopie erweist sich als geeignet die thermische Deoxidation fehlorientierter Substrate in situ zu beobachten. Senkrechtes geradliniges Wachstum von ND erfordert B polare GaP(111) Pufferschichten auf Si. Epitaxie von GaP auf H terminiertem Si(111) resultierte jedoch in A Typ Polarität. Mit Hilfe einer vorangehenden As Terminierung der Si(111) Oberfläche gelingt es die Polarität zu GaP(111)B umzukehren. Die Verwendung geeigneter Si Substrate und Nukleationsbedingungen erlaubte es die Dichte an Rotationszwillingengrenzen (RZGs) deutlich zu reduzieren und somit den Anteil senkrechter ND auf über 97% zu steigern. Denn wie sich zeigte wirken sich RZGs nachteilig auf anschließendes ND Wachstum aus indem sie es entweder vollständig unterdrücken diagonal zur Substratoberfläche oder horizontal entlang der RZG verlaufen lassen. Verlässt ein horizontaler ND die RZG entscheidet die Gitterfehlanpassung über die weitere Wachstumsrichtung: homoepitaktische ND setzen ihre Wachstum in die Senkrechte fort während heteroepitaktische ND horizontal bleiben. Zum Verständnis dieser Phänomenologie wird ein quantitatives kinetisches Nukleationsmodell entwickelt. Unabhängig vom Auftreten von RZGs vermag dieses Modell das horizontale ND Wachstum in gitterfehlangepassten Systemen zu erklären. Außerdem gelingt es erstmals verdünnt Stickstoff haltige ND Strukturen via MOVPE zu präparieren. Zwei Ansätze sind erfolgreich: N Einbau während des vapor liquid solid Wachstums; und N Einbau in eine Hülle. Darüber hinaus wird die Dotierung von Nanodrähten mittels eines Vierspitzen Rastertunnelmikroskops untersucht. Hiermit werden Widerstandsprofile freistehender ND bestimmt was eine anschließende Anpassung der Wachstumsparameter an gewünschte Dotierprofile erlaubt.