Patterned Silicon nanowires p doped by AI induced crystallization for photovoltaic applications nanowire;silicon; aluminum induced crystallization; nanosphere lithography; nanowire based solar cell; Gibbs energy; Focused Electron Beam Induced Deposition; epitaxial growth; radial pn junction; dot patterns Zwei physikalische Prozesse sind betrachtet: (i) das Wachstum von gepatternten Si Nanodrähten (NWs) via Vapor Liquid Solid Mechanismus durch chemische Gasabscheidung mit Silan und (ii) der Kristallisationprozess von Si induziert von Al (AIC). Diese Prozesse sind für die Herstellung einer NW basierten Solarzelle kombiniert. Die epitaktische kristalline Si NWs sind von gepatterten Au Dots katalysiert so dass die Position und der Durchmesser (der die Dotierung beeinflusst) der NWs bestimmt werden. Die Au Katalysatoren sind einzeln durch die von einer fokussierten Elektronenstrahl (FEB) induzierte Abscheidung oder großflächig via Nanokügelchen Lithographie hergestellt. Die NWs können n dotiert werden. Die Dotierung der p Seite der untersuchten Solarzelle erfolgt durch den AIC Prozess der thermodynamisch beschrieben wird und experimentell erlaubt eine epitaktische p Si Schicht um jeden Draht zu erhalten und damit eine NW basierten Solarzelle herzustellen die charakterisiert wird. Nanodraht; Silizium; Aluminium induzierter Kristallisationsprozess; Nanokügelchen Lithographie; Nanodrähten basierte Solarzelle; Gibbsenergie; von fokussiertem Elektronenstrahle induzierte Abscheidung; epitaktisches Wachstum; radiale p n Übergang; Dot patterns