Konzepte siliziumbasierter MOS Bauelemente Unter den Konzepten für siliziumbasierte MOS Bauelemente finden sich neben dem klassischen Lateralkonzept Vertikal und Quasivertikalkonzepte. Das Buch widmet sich der Erörterung der (quasi)vertikalen MOS Bauelementkonzepte für Logikanwendungen (CMOS) Speicheranwendungen (DRAM SRAM EEPROM) und leistungselektronische Anwendungen. Der Autor stützt sich auf ein umfängliches Quellenmaterial das in den vergangenen 30 Jahren diskutiert wurde. Er beschreibt wie die einzelnen Konzepte technologisch umgesetzt wurden und geht auf die Vor und Nachteile der Konzepte ein. Er erläutert die Funktionsweise und Charakteristiken der elektronischen Bauelemente die mit dem jeweiligen Konzept realisiert wurden und untersucht die Relevanz die (quasi)vertikale Konzepte für die siliziumbasierte MOS Technologie erlangen können. Das Buch ist besonders geeignet für Ingenieure und Physiker die sich mit neuartigen bzw. alternativen Bauelementarchitekturen und deren Entwicklung beschäftigen. Logik und Speicherstrukturen und prinzipielles MOSFET Verhalten Konzepte der CMOS Logik und HF Technologie Auf vertikalen bzw. quasivertikalen Transistoren basierende Speicher Vertikal und Quasivertikalkonzepte Siliziumbasierter Leistungs MOSFETs.