Atomic vapor depositions of Metal Insulator Metal capacitors : investigation development and integration Metall Isolator Metall (MIM) Kondensatoren gehören zu den wichtigsten passiven Komponenten in Hochfrequenzbauelementen und Schaltkreisen für Analog Mischsignale. Unabhängig von der Anwendung beanspruchen MIM Kondensatoren bis zu 50 % der Chipfläche. Dies unterstützt maßgeblich die Chipfläche zu reduzieren die stark die Kosten aber auch die Funktionalität und Leistung des Chip bestimmt. Eine Steigerung der Kapazität pro Fläche (Kapazitätsdichte) ist aus diesem Grund der Schwerpunkt bei der weiteren analogen Skalierung von Bauelementen. Weil die Kapazität eine direkte Funktion der Dielektrizitätskonstante des Isolators ist ist das Ersetzen des gegenwärtig genutzten Siliziumoxid oder Siliziumnitrid durch alternative Dielektrika mit höheren Dielektrizitätskonstanten ein vielversprechender Ansatz. Die vorliegende Arbeit ist hauptsächlich auf die Präparation und Charakterisierung solcher alternativer Dielektrika wie HfO2 Sr Ta O und Ti Ta O sowie dazugehöriger TiN Elektroden gerichtet. Die durchgeführten Untersuchungen zeigten dass diese Dielektrika aussichtsreiche Materialien für zukünftige siliziumbasierte Technologien darstellen können. <dt.>