Fast dynamic effects in super junction power devices investigated with the TLP method Als Hauptschalter in einem breiten Spektrum an elektronischen Anwendungen muss der Super Junction MOS Transistor den Lawinendurchbruch (Avalanche breakdown) standhalten. Mit der klassischen Bewertungsmethode für Avalanche Festigkeit wurden zwei Erstörungsgrenzen identifiziert die Thermische und die Stromdichtengrenze. Allerdings gibt es kein vollständiges Verständnis der strominduzierten Ausfallmechanismen wegen Systemparasiten und Transistorschaltung während Messungen. Diese Arbeit verfolgt drei Hauptziele: Entwicklung einer zuverlässigen reproduzierbaren Bewertungsmethodik für Lawinenstromfestigkeit das Verständnis der Physik strominduzierter Ausfälle und Optimierung der Avalanchefestigkeit. Erstens wurde die Hochleistung Transmission Line Pulse (TLP) System benutzt um die Bauteile zu der strominduzierten Avalanche Ausfallgrenze zu treiben. Die TLP Methode ist von Vorteil da hierbei der Einfluss von parasitären Elementen oder Transistor Schaltverhalten vermieden wird. Außerdem tritt dank der kurzen Pulsdauer keine Selbsterwärmung des Transistors auf weshalb der strominduzierte Ausfall einfach reproduziert und genauer analysiert werden kann. Zweitens gewährt die Verbindung der TLP Methode mit Emissionsmikroskopie (EMMI) einen Einblick in die strominduzierten Ausfallmechanismen. Die neu entwickelte Einzelpuls EMMI TLP Methode ermöglicht zum ersten Mal den Zugriff zu einem Zwischenzustand zwischen quasistatischen Avalanche und Zerstörung wobei das Auftreten mehrerer Stromfilamente zu beobachten ist. Es ist bemerkungswert dass schwache Zellen im Design nicht zerstörend entdeckt werden können. Es werden zwei Interpretationen der Filament Formung vorgestellt die auf lokalinjiziertem zusätzlichem Löcherstrom basieren. Der gemeinsame Nenner der Ausfallmechanismen ist die TRApped Plasma Avalanche Triggered Transit (TRAPATT) Oszillation weshalb deren Eliminierung die Bauteilfestigkeit erhöht. Die übliche Methode für TRAPATT Entfernen ist die Herstellung einer hohen elektrischen Feldspitze die die Oszillationen dämpft die aber zu erhöhtem Widerstand führt. Der letzte Teil dieser Arbeit beschäftigt sich mit dem Design von Multi Profil Bauelementen mit optimierter Festigkeit. Das neue Design erlaubt die Modulation von lateralen elektrischen Feldern und dadurch einen neuen Freiheitsgrad. Es wird ein einfaches Model für das Design von solchen Profilen vorgeschlagen. Durch das Design wird eine aktive Dämpfung der TRAPATT Oszillationen erreicht welche durch die destruktive Interferenz von Plasmawellen erklärt werden kann. Somit kann die elektrische Feldspitze vermieden der Widerstand verringert werden und zugleich wird eine hohe Festigkeit erreicht.