Topological phase transitions of HgSe under uniaxial pressure Mittels ab initio Rechnungen wird der Einfluss von uniaxialem Druck auf die Bandstruktur des Zinkblende Halbmetalls Quecksilberselenid (HgSe) untersucht. Sowohl geringfügige Dehnung als auch Kompression entlang der [001] und [110] Richtungen öffnen eine Bandlücke in der Nähe des Gamma Punktes von bis zu 37 meV. Berechnungen der Z2 Invariante zeigen dass sich HgSe unter uniaxialer Kompression von etwa 5% in der Phase eines Topologischen Isolators befindet. Sowohl stärkere Kompression als auch Dehnung verursachen einen Übergang in die Phase eines gewöhnlichen Isolators. Rechnungen an einem HgSe Mehrschichtsystem zeigen Oberflächenzustände mit großer Ähnlichkeit zu Dirac Kegeln bekannter Topologischer Isolatoren. Die Arbeit gliedert sich eine überblick bietende Einleitung ein Kapitel zum Darstellen theoretischer Grundlagen einen Ergebnisteil sowie ein Abschlusskapitel für Schlussfolgerungen.