Silizium Halbleitertechnologie : Grundlagen mikroelektronischer Integrationstechnik Das Lehrbuch behandelt die Grundlagen und die technische Durchführung der Einzelprozesse zur mikroelektronischen Schaltungsintegration in der Silizium Halbleitertechnologie. Die Integrationstechnik setzt sich aus einer Vielzahl von sich wiederholenden Einzelprozessen zusammen deren Durchführung und apparative Ausstattung extremen Anforderungen genügen müssen um die geforderten Strukturgrößen bis zu wenigen Nanometern gleichmäßig und reproduzierbar zu erzeugen. Das Zusammenspiel der Oxidationen Ätzschritte und Implantationen zur Herstellung von MOS und Bipolarschaltungen werden ausgehend vom Rohsilizium bis zur gekapselten integrierten Schaltung aus Sicht der Prozessführung erläutert. Moderne 3D Bauformen für Feldeffekttransistoren runden den Inhalt ab. Der Inhalt Herstellung von Siliziumscheiben Oxidation des dotierten Siliziums Lithografie Ätztechnik Dotiertechniken Depositionsverfahren Metallisierung und Kontakte Scheibenreinigung MOS Technologien zur Schaltungsintegration Erweiterungen zur Höchstintegration Transistoren mit Nanometer Abmessungen Bipolar Technologie Montage integrierter Schaltungen Die Zielgruppen Studierende der Fachrichtungen Elektronik Elektrotechnik Materialwissenschaften Mikrosystemtechnik Informatik und Physik Prozessingenieure aus der Halbleiterfertigung Mikrotechnologen und Schaltungsentwickler Der Autor Prof. Dr. Ing. Ulrich Hilleringmann leitet das Fachgebiet Sensorik an der Universität Paderborn und lehrt Halbleitertechnologie Mikrosystemtechnik Sensorik und Prozessmesstechnik. Herstellung von Siliziumscheiben Oxidation des dotierten Siliziums Lithografie Ätztechnik Dotiertechniken Depositionsverfahren Metallisierung und Kontakte Scheibenreinigung MOS Technologien zur Schaltungsintegration Erweiterungen zur Höchstintegration Transistoren mit Nanometer Abmessungen Bipolar Technologie Montage integrierter Schaltungen.