Radiation effects and damage formation in semiconductors due to high energy ion irradiation Gegenstand dieser Arbeit war die Untersuchung ionenstrahlinduzierter Schädenbildung und ausheilung in kristallinem und konventionell vorgeschädigtem Ge GaAs un InP. Der zentrale Punkt der Untersuchung bestand in der Aufklärung des Einflusses verschiedener experimenteller Bedingungen auf die oben genannten Effekte.