Aluminiumnitrid Dünnschichtmembranen : Charakterisierung und technologische Integration in den MEMS Prozessfluss Diese Arbeit beschäftigt sich mit unterschiedlichen Aspekten des Materials Aluminiumnitrid (AlN) als Dünnschicht. Dabei wird ein Überblick zum aktuellen Stand der Technik auf Applikationsseite mit gleichzeitiger Abgrenzung zu den selbstragenden AlN Membranen gegeben. Die selbstragenden AlN Membranen stellen in dieser Arbeit die zentralen Elemente dar. Zudem werden wesentliche Membraneigenschaften wie der E Modul die intrinsische Verspannung und die thermische Leitfähigkeit anhand von membranbasierten Teststrukturen charakterisiert. Abschließend werden zwei Applikationsbeispiele nach den Regeln zur Prozessintegration umgesetzt und in ihrer Funktionalität demonstriert. Dies Regeln sind im Zuge der technologischen Versuche aufgestellt worden. Die bereits erwähnten AlN Dünnschichtmembranen werden in dieser Arbeit als neue Funktionselemente eingeführt. Deren Herstellung kann über eine sehr einfache Prozessfolge mit wenigen Prozessschritten erfolgen. Im Rahmen dieser Arbeit werden zudem erstmals die mechanisch stabilen selbsttragenden AlN Pyramidenmembranen vorgestellt. Dabei handelt es sich um neuartige dreidimensionale Membranelemente deren Herstellungsmöglichkeit aus den Untersuchungen zur technologischen Integration von AlN Dünnschichten hervorgeht. Die in dieser Arbeit eingesetzten Membranelemente basieren alle auf AlN Dünnschichten mit einer definierten kristallinen Struktur der c Achsentextur. Diese Struktur wird zum Einstieg in die Materialcharakterisierung näher betrachtet. Zudem werden die Parameter der Schichtabscheidung zum Erzielen dieser Struktur definiert. Zur Untersuchung der Membranelemente hinsichtlich ihrer mechanischen Eigenschaften werden Bulge Test Experimenten durchgeführt. Diese eröffnen die Möglichkeit Membran bzw. Schichtspannung und biaxialen Modul zu analysieren. Die Bestimmung der thermischen Leitfähigkeit der AlN Dünnschichten erfolgt ebenfalls auf Basis von Membranelementen. Dazu werden die entsprechend benötigten Heiz und Temperaturmessstrukturen auf den Membranen integriert. Den Abschluss dieser Arbeit bildet die Vorstellung zweier Funktionalisierungsbeispiele von AlN Membranen. Damit wird unterstrichen wie vielfältig die Möglichkeiten der technologischen Integration sind. Eines der Beispiele beschreibt eine thermomechanisch aktuierte AlN Membran. Das zweite Funktionalisierungsbeispiel befasst sich mit der Integration von Elektrodenkontakten auf den AlN Pyramidenmembranen welche die Möglichkeit zum Aufbau eines piezoelektrisch sensitiven Elementes aufzeigt.