Nachweis mesoskopischer elektrischer Inhomogenitäten in undotiertem GaAs mittels Punktkontakt Verfahren Zur Charakterisierung mesoskopischer elektrischer Inhomogenitäten in undotiertem GaAs die meist eine zellulare Struktur mit hochohmigen Zellzentren und niederohmigen Zellwänden aufweisen wurde die Punktkontakt Technik weiterentwickelt mit der hochaufgelöste und quantitative Widerstandsmessungen möglich sind. Untersuchungen der I U Kennlinie des Punktkontakts zeigten daß sich letzterer näherungsweise durch einen Schottkykontakt mit hohem Serienwiderstand beschreiben läßt. Eine Kalibrierung des Punktkontakt Stromes (IPC) lieferte für Widerstände > 1E6 Ohmcm eine inverse Proportionalität zwischen IPC und Widerstand. Messungen ergaben daß die Widerstandsfluktuationen bei halbisolierenden Proben weniger als eine Größenordnung betragen. Dagegen wiesen Proben im hochohmigen Bereich (n = 1E10 cm ̂3) Unterschiede im Widerstand von bis zu 3 Größenordnungen auf.