Real time investigations of energy dissipation processes at interfaces between semiconductors and thin metallic films Die elektronischen Eigenschaften von Grenzflächen zwischen Halbleitern und metallischen Filmen spielen im Zusammenspiel mit ihrer chemischen und strukturellen Beschaffenheit eine wichtige Rolle in einer Vielzahl wissenschaftlicher Fragestellungen. In dieser Arbeit werden Systeme bestehend aus GaAs und ultradünnen Platinschichten mittels XPS SPM und statischen sowie zeitaufgelösten nichtlinearen optischen Methoden (second harmonic generation SHG) untersucht. Die Qualität der Schnittstellen wird in Abhängigkeit verschiedener Prozessparameter charakterisiert und deren starker Einfluss auf die elektronischen Eigenschaften der Raumladungszone und dadurch auf das SHG Signal wird gezeigt. Zeitaufgelöste Messungen demonstrieren den großen Einfluss der Metallabscheidung auf die Dynamiken innerhalb dieses oberflächennahen Probenbereichs sowohl im Hinblick auf Ladungsträgerprozesses als auch auf kohärente Gitterschwingungen. <dt.> The electronic chemical and structural properties of interfaces between semiconductors and metallic films play an important role in many scientifically interesting topics. In this work systems composed of GaAs and ultra thin platinum films are investigated using techniques like XPS SPM and static as well as time resolved nonlinear optical methods (second harmonic generation SHG). The process parameter dependency of the interface quality is investigated and its influence on the electronic properties within the space charge region is shown. Time resolved experiments reveal the strong impact of the metal deposition onto the charge carrier dynamics and of coherent lattice oscillations in this near surface regions of the investigated samples. <engl.>