Vierpunktmessungen an freistehenden Nanodrähten mit einem Multispitzen Rastertunnelmikroskop In dieser Arbeit wird die Schaffung der präparativen Voraussetzungen für das Nanodrahtwachstum die Inbetriebnahme des komplexen MTSTMs für Nanodraht Charakterisierung und erste Experimente mit anschließenden Analysen an ersten Proben vorgestellt. Zunächst wurden entsprechende Prozessparameter für Präparation von Si(111) und GaP(111) Substraten mittels metallorganischer Gasphasenabscheidung (MOCVD) Verfahren etabliert. Si(111) Substrate wurden durch Annealingsprozess komplett von Oxidschicht sowie allen anderen Verunreinigungen befreit und mit Wasserstoff terminiert. Mittels AFM Untersuchung wurde eine Verringerung der Rauheit durch nasschemische Vorbehandlung nachgewiesen. GaP(111) Substrate wurden ebenfalls mittels MOCVD präpariert um Oxide und Verunreinigungen zu entfernen. Mittels LEED Untersuchung ließ sich die Oberflächenpolarität von GaP(111) in A Typ mit (2x2) Oberflächenrekonstruktion und B Typ mit (1x1) unterscheiden. Mit sehr hohem V III Verhältnis niedriger Wachstumsrate und niedrigerer Temperatur konnte die Oberflächenrauheit von GaP(111)B der für Wachstum vertikaler Nanodrähte notwendig ist bei homoepitaktischem Wachstum stark gesenkt werden. Ein speziell angefertigtes Multispitzen Rastertunnelmikroskop (MTSTM) mit einem Rasterelektronenmikroskop wurde für diese Arbeit in Betrieb genommen. Mit MTSTM ist es möglich bis zur vier STM Spitzen in situ kontrolliert und kollisionsfrei an Nanostrukturen anzunähern und eine Anordnung für eine Vierpunktmessung zur Bestimmung des Widerstands zu realisieren. Die freistehenden Nanodrähte wurden im Ultrahochvakuum zerstörungsfrei mit hoher Auflösung und geringem Aufwand untersucht verglichen mit herkömmlicher lithografischer Methode. Erste Experimente an Proben mit freistehenden p dotierten GaAs Nanodrähten die im vapor liquid solid (VLS) Prozess mit konstanter Temperatur bzw. zwei Temperaturstufen in MOCVD mit ohne Push Leitung präpariert wurden wurden durchgeführt. Dabei wurden p GaAs Nanodrähte auf n GaP(111)B n GaAs(111)B sowie p GaAs(111)B Substrat zur elektrischen Charakterisierung untersucht und ausgewertet. Es wurde experimentell herausgefunden und nachgewiesen dass unzureichende Vorsättigung mit Dotierstoff eine ausgebreitete Verarmungszone im Sockelbereich des Nanodrahts verursachte die man sonst mit lithografisch kontaktierten Einzeldrähten so nicht ermittelt hätte. Darüber hinaus ist es zum ersten Mal gelungen die Leitfähigkeit freistehender porösen Si c Si Nanodrähte durch MTSTM zu untersuchen. Die festgestellte Diodencharakteristik über den porösen Si c Si Übergang stimmt mit dem Ergebnis an planarer Probe mit poröser Si Schicht auf c Si Substrat sehr gut überein.