Ionenstrahlinduzierte Synthese von Gruppen IV Nanokristallen in Siliziumkarbid Die Implantation einer hohen Dosis Ge Ionen in Siliziumkarbid und nachfolgende Temperung führt unter bestimmten Bedingungen zur Formierung von Ge reichen kristallinen Ausscheidungen mit Abmessungen im Nanometerbereich. Solche Nanokristalle sind von besonderem Interesse für Anwendungen in der Optoelektronik. Vorliegende Arbeit beschreibt die Struktur der SiC Matrix die Formierung der Nanokristalle und deren Eigenschaften in Abhängigkeit von den Implantations und Temperparametern mittels Verfahren der Ionenstrahlanalytik Elektronenmikroskopie und Röntgenbeugung. Es zeigt sich daß bei Implantationstemperaturen um 875 .̤ 975 K ein partieller Einbau der implantierten Fremdatome in das SiC Gitter erfolgt. Nachfolgende Temperung bei 1875 K führt zu einer lokalen Ge Umverteilung und zur Bildung Ge reicher Nanokristalle. Der Umverteilungsprozess ist bereits nach 30 s nahezu abgeschlossen die Menge des umverteilten Ge nimmt mit steigender Ausheiltemperatur deutlich zu. Die Nanokristalle stehen unter Kompressionsspannung und weisen einen mittleren Ge Anteil von 80 % auf. Ihre Größe kann über die Temperparameter beeinflußt werden. Eine mit den Nanokristallen korrelierte Photolumineszenz konnte bislang noch nicht nachgewiesen werden.