Nasschemisches Verfahren zur Abscheidung von Diffusionsbarrieren für Kupfer in VIAs mit hohem Aspektverhältnis Die Herstellung einer Diffusionssperre zur Vermeidung von Migrationsvorgängen an Schichtgrenzen hat heutzutage für den Aufbau von 3D Strukturen beim Wafer Level Packaging immer mehr Bedeutung gewonnen. Herkömmliche Barriereschichten für Si Wafer wie SiO 2 Si 2N 4 werden üblicherweise durch Gasphasenreaktionen erzeugt. Sie genügen aber nicht mehr den heutigen Anforderungen. Nasschemisches Abscheideverfahren und neue Materialien haben in den letzten Jahren aufgrund der guten Kosteneffizienz und der vergleichbar guten Abscheidungsqualität ein besonderes Interesse der Industrie geweckt. Bei der Suche nach einem geeigneten Barrierematerial das sich außenstromlos abscheiden lässt werden amorphen Materialien aus Refraktär und Nichtmetallelementen vorgeschlagen. Insbesondere solche Materialien; die auf einer CoP basieren gelten als aussichtsreiche Kandidaten zur Unterbindung von Cu Diffusion. Das zweithöchstschmelzende Element das Re lässt sich außenstromlos mit vergleichbar hohem Anteil im Volumen der amorphen CoReP Schicht abscheiden. Durch solche Re Konzentration besitzt CoReP eine hohe thermische Stabilität und gilt daher als ein vielversprechender Kandidat für Barrierematerialien. Der stromlose CoReP Abscheidungsprozess besteht in der Regel aus mehreren Behandlungsschritten wie Hydrophilierung Silanisierung Aktivierung und Metallisierung. In der vorliegenden Arbeit werden die Schritte mit den herkömmlichen Charackterisierungsmethoden für die Si Waferoberfläche untersucht. Die Untersuchungsergebnisse liefern Erkenntnisse über die Zusammenhänge der einzelnen Parameter und die Möglichkeit zur Optimierung des Abscheidungsverfahrens. Darüber hinaus besteht Bedarf an einer Methode zur Untersuchung der Oberflächenchemie in VIAs. Eine auf Photovolumineszenz basierte Charackterisierungsmethode zur bildlichen Veranschaulichung der anwesenden funktionellen Gruppen im VIA sowie zur Untersuchung der Beleuchtungsdichte der Haftschichtvermittler wird deswegen entwickelt. Außerdem wird die Badformulierung bei den einzelnen Prozessschritten an das Ziel der Arbeit angepasst. Zur Verbesserung des Stofftransports wird bei der CoReP Abscheidung eine Stoßmethode eingesetzt. Dadurch erfolgt die CoReP Abscheidung bis in die Tiefe der VIAs. Die Arbeiten führen zu einer neuartigen Arbeitstechnik zur nasschemischen Abscheidung einer CoReP Legierung mit hohem Aspektverhältnis.