Rückwärts leitfähiger IGBT mit nahezu von der Gate Emitter Spannung unabhängiger Diodencharakteristik In dieser Dissertation wird ein neuartiges RC IGBT Konzept bezeichnet als RC GID IGBT vorgeschlagen. Diese neue RC IGBT Struktur ermöglicht den Betrieb mit einem konventionellen IGBT Gate Treiber und hat im Diodenmodus eine so geringe Reverse Recovery Ladung wie eine State of the Art Freilaufdiode. Dies wird durch die Einführung dedizierter Bereiche für den Diodenmodus sowie eines Hilfs Schottky Emitters in den IGBT Bereich erreicht ohne negative elektrische Auswirkungen auf den IGBT Modus zu erzeugen. Dadurch kann der neuartige RC GID IGBT den thermischen Vorteil vollständig ausnutzen.<ger> In this dissertation a novel Trench RC IGBT concept called RC GID IGBT is proposed. This new RC IGBT structure allows operation with a conventional IGBT gate drive and has reverse recovery charge in diode operating mode as low as a state of the art freewheeling diodes. This is achieved by introducing dedicated areas for the diode operation as well as an auxiliary schottky emitter into the IGBT chip without generating negative electrical effects on the IGBT mode. As a result the novel RC GID IGBT can take full advantage of the thermal benefit.<eng>