Parameterextraktion bei Halbleiterbauelementen : Simulation mit PSPICE Ergänzend zu Vorlesung zu Rechenübungen und insbesondere zum Laborpraktikum im Lehrfach Elektronik werden Analyseverfahren zur Extraktion von SPICE Modellparametern ausgewählter Halbleiterbauelemente vorgestellt. Für Bauelemente aus der DEMO Version des Programms OrCAD PSPICE wird aufgezeigt wie man deren statische und dynamische elektrische Modellparameter mit SPICE Analysen wieder zurück gewinnen kann. Diese Parameterermittlung wird vorgestellt für Schaltdiode Kapazitätsdiode Z Diode npn Bipolartransistor N Kanal Sperrschicht Feldeffekttransistor CMOS Array Transistoren Operationsverstärker und Optokoppler. Der Inhalt Halbleiterdioden – Bipolartransistoren – Sperrschicht Feldeffekttransistoren – Mos Feldeffekttransisotoren – Leistungs Mos Feldeffekttransistor – Operationsverstärker – Optokoppler Die Zielgruppen Studierende der Studiengänge Elektrotechnik sowie Technische und Angewandte Physik an Fachhochschulen und Technischen Universitäten Ingenieure und Physiker in der Praxis Der Autor Prof. Dr. Ing. habil. Peter Baumann ist Lehrbeauftragter für das Modul Elektronik an der Hochschule Bremen. Halbleiterdioden Bipolartransistoren Sperrschicht Feldeffekttransistoren Mos Feldeffekttransisotoren Leistungs Mos Feldeffekttransistor Operationsverstärker Optokoppler.