Field emission scanning probe lithography on molecular resist Die lithographische Strukturerzeugung im Einzelnanometerbereich stellt einen der kritischsten technologischen Engpässe der Nanofabrikation dar. Als alternatives Verfahren zur etablierten Elektronenstrahllithographie (EBL) ist in dieser Arbeit eine Belichtung mit niederenergetischen Elektronen <100eV untersucht worden. Dabei wird ein Fowler Nordheim Feldemissionsprozess am Spitzenapex einer Rastersonde ausgenutzt um in molekularen Resistsystemen lithographisch nutzbare Reaktionen auszulösen. Die unikale Eigenschaftskombination von: (1) Aktiven Rastersonden welche eine direkte Abbildungs Rückkopplung erlauben; (2) Die direkte Anwendung von Elektronen mit Energien nahe den lithographisch relevanten Anregungen welche einen effizienteren und räumlich begrenzteren Belichtungsprozess bei gleichzeitig normalen Umgebungsbedingungen ermöglichen; und (3) Molekulare (Glass)resistsysteme u.a. Calixarene welche ein wohldefiniertes monodisperses System mit niedrigem Molekulargewicht darstellen bietet dabei neue vielversprechende Möglichkeiten. Im Rahmen dieser Arbeit ist erstmalig ein umfängliches Bild der komplex zusammenhängenden Wechselwirkungen und Reaktionen erarbeitet worden. Dabei sind die lithographisch nutzbaren Phänomene sowohl als Funktion der Belichtungsparameter bedingungen und des Resistmaterials experimentell untersucht als auch durch Modelle und Simulationen beschrieben worden. Als Folge der veränderten Belichtungsbedingungen in der Feldemissions Rastersondenlithographie (FE SPL) konnte erstmals gezeigt werden dass (i) die Belichtung mit niederenergetischen Elektronen in diesen Resisttypus eine höhere Sensitivität und Auflösung ermöglichen (ii) Proximity Effekte effektiv unterdrückt werden und (iii) das neuartige Reaktionstypen z. Bsp. in Form einer direkten Entfernung von Resistmaterial auslösbar sind. Dabei ist sowohl das maskenlose Schreiben im Negativ in Form einer Vernetzung als auch im positivem Tone in Form einer ablativen Reaktion möglich. Darüber hinaus zeigt die Überlagerung beider Reaktionstypen neuartige selbstausgerichtete Strukturformen. Die lithographische Strukturerzeugung im Bereich von sub 5nm Einzellinien 8nm Einzelpunkten und 7nm hp dichten Strukturen ist gezeigt worden. Aspekte bezüglich der Anwendbarkeit des Durchsatzes als auch des Strukturübertrages sind untersucht und durch entsprechende Strategien gelöst worden.