Growth and characterisation of lead iodide single crystals Zusammenfassung: Die vorliegende Arbeit befasst sich mit der Züchtung und Charakterisierung von Bleiiodid Einkristallen. Das Halbleitermaterial Bleiiodid (PbI2) eignet sich für die Anwendung als Röntgen bzw. Gammastrahlendetektor bei Raumtemperatur. Es besitzt gegenüber anderen Materialien wie HgI2 CdTe Si GaAs entscheidende Vorteile: aufgrund einer Bandlückenenergie von 2.32 eV einer hervorragenden Absorptionsfähigkeit sowie eines hohen spezifischen Widerstandes stellt PbI2 eine vielversprechende Alternative zur Herstellung von rauscharmen Detektoren dar die ohne zusätzliche Kühlung auskommen. Eine besondere Herausforderung in der Anwendung von PbI2 als Detektormaterial bedeutet jedoch die Züchtung und Präparation von chemisch und strukturell hochqualitativen Einkristallen. Vor diesem Hintergrund wurden die Effektivität der Zonenreinigung des für die Züchtung verwendeten PbI2 spektroskopisch bestätigt sowie technologische Aspekte während der Weiterverarbeitung von gereinigtem PbI2 untersucht. Anhand von thermischen Analysen konnte ein Zusammenhang zwischen dem Grad der Einwirkung von Luftsauerstoff auf das Quellmaterial und der strukturellen Qualität der resultierenden Kristalle gefunden werden. Der Einsatz von Wasserstoffgas als effektive Methode zur Beseitigung oxidischer Verunreinigungen wurde auf PbI2 übertragen und führte zu einer signifikanten Reduzierung struktureller Defekte wie polykristallinem Wachstum oder Spannungsrissen. Die Züchtung von PbI2 Einkristallen erfolgte u. a. nach der Bridgman Stockbarger Methode wobei hier besonders die Einflüsse von Ampullendesign und vorbereitung untersucht wurden