Spectrally and spatially resolved photoluminescence : lateral fluctuations and depth profiles of Cu(In Ga)Se 2 absorbers Das Ziel der Arbeit ist die Entwicklung neuartiger bzw. verbesserter Methoden für Photolumineszenz(PL) Messungen an inhomogenen Absorbern um laterale Fluktuationen und tiefenabhängige Variationen spektroskopischer optischer und opto elektronischer Eigenschaften im submikroskopischen bzw. mikroskopischen Bereich zu identifizieren. Ein Konzept beschäftigt sich mit der PL Emission von der Vorder und der Rückseite eines Absorbers während ein anderer Ansatz die Analyse von PL Spektren die von der Vorderseite eines Absorbers emittiert werden für unterschiedliche Absorberschichtdicken verfolgt. Ein weiteres Verfahren zur Bestimmung von tiefenabhängigen Variationen bilden konfokale PL Messungen an Absorberbruchkanten. Der Schwerpunkt der letzten Methode ist die Untersuchung von lateralen Fluktuationen mit einem optischen Nahfeldmikroskop an speziell präparierten Absorbern. Die Realisierung dieser vier Strategien erfolgt an Cu(In Ga)Se2 basierte Dünnschichtsysteme. <dt.> The aim of this thesis is the development and refinement of photoluminescence (PL) methods for inhomogeneous absorbers to identify lateral fluctuations and depth dependent variations of spectroscopic optical and opto electronic properties in the submicron micron range. The first approach deals with the spectral investigation of PL emission from the front and the rear side of an absorber whereas the second idea is about the analysis of PL spectra from the front side of the absorber for different absorber thicknesses. Another technique for determination of depth dependent variations are confocal PL measurements at cross sections of absorbers. The last concept pursues the study of lateral fluctuations with an optical near field microscope on specially prepared absorbers. These four strategies are demonstrated with samples based on Cu(In Ga)Se2. <engl.>