Theoretische Untersuchung von Monovakanzen in SiC Polytypen Im Rahmen der Dichtefunktionaltheorie (DFT) werden Leerstellen (Vakanzen) in Gruppe IV Halbleitern untersucht wobei die Austausch Korrelations Wechselwirkung der Elektronen sowohl in Lokaler Dichte Approximation (LDA) als auch in Lokaler Spindichte Approximation (LSDA) behandelt wird. Strukturelle Effekte wie atomare Relaxationen oder symmetriereduzierende Jahn Teller Verzerrungen werden auf Grundlage des Hellmann Feynman Theorems berücksichtigt. Hierbei werden die ionischen Wechselwirkungen durch Nicht Normerhaltende Pseudopotentiale beschrieben. Als Basis dienen ebene Wellen. Zur Modellierung einer einzelnen Vakanz wird die Superzellenmethode mit Zellen bis zu 216 Atomen angewandt. Untersucht werden die Halbleitermaterialien Si C und SiC (kubisch und hexagonal). Die Ergebnisse über den Einfluss von Vakanzen auf die atomaren und elektronischen Eigenschaften dieser Materialien werden mit experimentellen Daten und anderen theoretischen Untersuchungen verglichen.