Ladungsträgertransport in Nanodrahtstrulturen Die Integration von III V Halbleitern mit der etablierten Silizium Technologie hat einen hohen Stellenwert bei der Weiterentwicklung vieler opto elektronischen Bauelemente. Da hierbei Materialien mit unterschiedlichen Kristallstrukturen und Gitterparameter kombiniert werden müssen entstehen Kristalldefekte welche die Leistung und Effizienz dieser Bauteile beeinträchtigen. Unter Verwendung von Nanodrahtstrukturen in denen mechanische Spannungen sehr effizient abgebaut werden können ist es möglich die Defektdichte zu reduzieren. Zudem kann von der Nanodrahtgeometrie mit ihren einzigartigen Eigenschaften profitiert werden. In dieser Arbeit wird ein ausgefeiltes Multi Spitzen Rastertunnelmikroskop (MT STM) eingesetzt um den Ladungsträgertransport in freistehenden Nanodrahtstrukturen eingehend zu untersuchen. Das Ziel dieser Dissertation ist es ein detailliertes Verständnis über den Dotierstoffeinbau die Leitungskanäle bei verschieden starker Dotierung sowie die Funktion ladungstrennender Kontakte in Nanodrähten zu entwickeln. In einem ersten Schritt werden die Ergebnisse des MT STMs mit denen konventioneller Transferlängenmessung verglichen und bewertet. Die gute Übereinstimmung der ermittelten spezifischen Leitfähigkeit und Dotierstoffkonzentration die hohe Ortsauflösung und die wenigen Prozessschritte bestätigen die Überlegenheit des MT STMs gegenüber konventionellen Methoden. Die Vermessung verschieden dotierter Nanodrähte ermöglicht es den Dotierstoffeinbau im Detail zu untersuchen. Der Vergleich der Leitfähigkeiten dieser Drähte unmittelbar nach dem UHV Transfer mit denen nach Oxidation an Luft ermöglicht zudem die Evaluation der Auswirkungen von Oberflächenterminierungen auf den Ladungsträgertransport. Die für opto elektronische Anwendung notwendigen ladungstrennenden Kontakte werden in axialer sowie radialer Ausführung untersucht. Hierbei ist die Ermittlung der exakten Dotierstoffprofile mit höchster räumlicher Auflösung besonders wichtig da abrupte Halbleiterkontakte beim sogenannten vapor liquid solid Wachstum kaum realisierbar sind. Die vorliegende Arbeit schafft die Voraussetzungen für ein detailliertes Verständnis des Ladungsträgertransports und zur präzisen Ermittlung von Dotierprofilen in Nanodrähten wodurch die Grundlage für die Verbesserung von Nanodraht Bauelemente geschaffen wird.