Herstellung und Charakterisierung von (Ba Sr)O basierten MOS Dioden und ultradünnen Isolatorfilmen auf Si(001) BaO SrO Ba0.7Sr0.3O Isolatorepitaxie high K Oxide Temperaturstabilität Silikate MOS Dioden I V C V XPS EELS Grenzflächenzustandsdichte. Epitaxy of insulators high K oxides temperature stability silicates MOS diodes interface density of states