Siliziumcarbid Bildung auf Silizium unter den Bedingungen der Molekularstrahlepitaxie In dieser Arbeit wurden erstmalig umfassend die ersten Stadien der Wechselwirkung des Kohlenstoffs mit Si(100) und Si(111) mit einem einheitlichen Instrumentarium untersucht. Die während der Interaktion mit Kohlenstoff auf den beiden Si Oberflächen auftretenden Rekonstruktionen wurden systematisch untersucht. In Phasendiagrammen sind die Existenzgebiete der Oberflächenrekonstruktionen zusammengefaßt worden. Der Oberflächendiffusionskoeffizient des Kohlenstoffs konnte erstmalig während der Ausbildung der Kohlenstoff induzierten Si(111)Wurzel 3 C und der Si(100) c(4x4) C Rekonstruktion experimentell ermittelt werden. Mit einem detailierten Modell der Keimbildung mit klassischen Ansätzen konnte sowohl die Größe des kritischen Keimes für die SiC Bildung auf den beiden Si Oberflächen als auch die Art des weiteren Wachstums der SiC Keime für den Parameterraum beschrieben werden. Es konnte hier zwischen dem mononuklearen und dem polynuklearen Wachstum unterschieden werden. In Abhängigkeit von dem Wachstumstyp ergaben sich Zusammenhänge zur Keimgröße zur Keimdichte und zur Morphologie der Keime. Desweiteren konnte der Existenzbereich der zweidimensionalen und der dreidimensionalen Keimbildung für den Bereich niedriger Temperaturen bestimmt werden. Die Kenntnis der Keimbildung ist eine wesentliche technologische Voraussetzung für folgende Anwendungen: Die zweidimensionale SiC Keimbildung ist prinzipiell für die Herstellung von Antidot Strukturen geeignet die mit lithographischen Methoden nur schwer zu erzeugen sind. Für das dreidimensionale SiC Wachstum liegt in der Nanotechnologie ebenfalls eine mögliche Verwendung vor. Mit 3D SiC Keimen könnten Nanokathoden hergestellt werden. Die Beherrschung der Initialstadien bei der Wechselwirkung von Kohlenstoff ist außerdem notwendig für die Ausbildung defektarmer Grenzflächen und einkristallinem Wachstum. Mit einem otimierten SiC Initialwachstum auf Si lassen sich SiC Schichten herstellen die als Pseudosubstrat für eine GaN Abscheidung geeignet sind. Damit ist die Basis geschaffen für die Integration von Breitbandhalbleitern für die Optoelektronik auf Si. Für spezielle Anwendungen in der Sensorik wird die SiC Schicht direkt als aktive Schicht benutzt. Der große Vorteil bei diesen Bauelementen ist die mögliche Integration in die Si Elektronik. Für die Auswertung und Simulation von Beugungsbildern die auf Elektronenbeugung basieren muß das mittlere innere Potential (MIP) bekannt sein. Das MIP für Silizium und für 6H SiC wurde daher experimentell bestimmt und mit theoretischen Werten verglichen. Neben der experimentellen Auswertung von RHEED Bildern wurde durch entsprechende Simulationen eine Strukturaufklärung durchgeführt. Die Struktur der kohlenstoffinduzierten Rekonstruktionen auf Silizium ist derzeit noch nicht bekannt. Es wurden daher unterschiedliche Strukturmodelle mit RHEED verifiziert. Bei der Si(111) Wurzel 3 C Rekonstruktion lieferte die S5 Positionierung des Kohlenstoffs die beste Übereinstimmung zu dem experimentellen RHEED Bild. Für die Si(100) c(4x4) C Rekonstruktion ist mit Kohlenstoff in exponierter Lage in Form von C Dimeren eine gute Übereinstimmung zwischen Experiment und Simulation erreicht worden. Für die kontrollierte Abscheidung von SiC Schichten in der Nanotechnologie ist die Kenntnis des Einflußbereiches der Polarität auf die RHEED Untersuchungen notwendig. Mit RHEED Simulationen konnte der Zusammenhang zwischen der Eindringtiefe des Elektronenstrahles und der Bestimmbarkeit der Polarität mittels RHEED Bild aufgezeigt werden. Die unterschiedlichen elektronischen Strukturen der einzelnen SiC Polytype ermöglichen prinzipiell die Schaffung von chemisch homogenen Hetero und niedrigdimensionalen Strukturen. Dies könnte für die Entwicklung von neuartigen Quantenbauelementen unter Ausnutzung von unterschiedlich großen Bandabständen genutzt werden. Dies setzt die in situ Steuerung des Wachstums und die Detektierbarkeit der SiC Polytype voraus. Zu diesem Zweck wurden die RHEED Beungungsbilder der SiC Polytype sowohl für den Fall der dreidimensionalen als auch der zweidimensionalen Beugung untersucht. Bei der zweidimensionalen Beugung konnte erstmalig die Möglichkeit der Detektion der hexagonalen Polytype 4H und 6H SiC mittels Simulation nachgewiesen werden.