Characterization of industrially processed chalcopyrite solar cells with varied absorber composition In dieser Dissertation wurden Verlustmechanismen in industriell prozessierten Chalkopyrit Dünnschichtsolarzellen aufgebaut aus der ZnO:Al i ZnO CdS Cu(In Ga)(Se S)2 Mo Schichtstruktur untersucht. Die Ergebnisse wurden in zwei Projekten mit unterschiedlichen Industriepartnern erzielt die grundlegend verschiedene Prozessmethoden anwenden. In Proben aus dem (1) sequentiellen Abscheidungs Reaktion Prozess wurde der Schwefelanteil der Reaktionsatmosphäre variiert um einen zweifachen Bandlückenverlauf zu erzielen. (2) Zellen aus verschiedenen Koverdampfungskammern hergestellt unter nominell gleichen Prozessbedingungen zeigten große Abweichungen im Wirkungsgrad. Eine umfassende Charakterisierungsprozedur wurde durchgeführt um gezielt die Verlustmechanismen in den Solarzellen zu identifizieren. Diese zeigte dass das Verhalten von Proben beider Prozessmethoden primär durch die Details des Bandlückenverlaufs und die Konzentrationen von Bandlückenmittendefekten bestimmt wird. <dt.> In the present thesis by publication loss mechanisms in industrially processed chalcopyrite thin film solar cells of the conventional ZnO:Al i ZnO CdS Cu(In Ga)(Se S)2 Mo layer structure investigated. The results of this thesis were obtained within two independent projects with different industry partners each applying principally different processing technologies. In samples from (1) the sequential deposition reaction process the sulfur composition of the annealing atmosphere was varied in order to realize a double band gap grading. (2) Devices from different co evaporation chambers processed under nominal equal conditions yielded strong deviations in performance. A comprehensive characterization procedure was devised and applied in order to strategically identify the loss mechanisms in the solar cells. This procedure revealed that the performance in devices from both processing methods was determined by the specifics of the bandgap grading and the concentration of mid gap defects. <engl.>