Konzeption und Charakterisierung von Rippenwellenleiterlasern auf Si Substrat basierend auf dem gitterangepassten Ga(NAsP) (B)GaP Materialsystem Zusammenfassung: One of the key elements to realize CMOS compatible opto electronic integrated circuits is the development of lasers on silicon substrate. This will enable optical data communication on chip to chip level. One possible way to implement such lasers is to combine the classical silicon technology with the technology of III V compound semiconductors. In the context of this work semiconductor laser structures based on the novel Ga(NAsP) material system were analyzed. Stress optical and electrical material characteristics were studied by high resolution X ray diffraction Raman spectroscopy and spectroscopic ellipsometry. Based on these findings electrically pumped ridge waveguide lasers were realized on Si substrate with etched facets by photolithographic processing. After that the lasers were electro optically characterized. Waveguide simulations of these ridge waveguides concerning optical losses and thermal heating were employed to compare different laser structures Zusammenfassung: Eines der Schlüsselelemente zur Realisierung von CMOS kompatiblen opto elektronisch integrierten Schaltkreisen ist die Entwicklung eines Lasers auf Siliziumsubstrat der die optische Datenübertragung auf Chip zu Chip Ebene ermöglicht. Ein Weg einen solchen Laser umzusetzen ist die Kombination der klassischen Siliziumtechnologie mit der der III V Verbindungshalbleiter. Im Rahmen dieser Arbeit werden daher auf dem neuartigen Ga(NAsP) Materialsystem basierende Laserschichtfolgen analysiert. Optische und elektrische Materialeigenschaften der Halbleiterverbindungen BGaP und BGaAsP werden dabei mittels hochauflösender Röntgenbeugung Raman Spektroskopie und spektroskopischer Ellipsometrie untersucht. Darauf aufbauend werden elektrisch gepumpte Rippenwellenleiterlaser mit geätzten Spiegelfacetten auf Si Substrat mittels photolithographischer Prozessierung hergestellt und anschließend charakterisiert. Simulationen von Wellenleitereigenschaften der Rippenwellenleiter hinsichtlich optischer Verluste und thermischer Erwärmung dienen dabei dem Vergleich unterschiedlicher Laserschichtstrukturen