Single ion impact detection & scanning probe aligned ion implantation for quantum bit formation Daten und Informationsverarbeitung via Quantencomputer ist ein viel versprechender Ansatz um die klassische Art und Weise via Digitalrechner welche sich fundamentalen physikalischen Grenzen annähern zu ersetzen. Anstelle von klassischen Bits werden Quantenbits (Qubits) für Rechenoperationen verwendet. Aufgrund quantenmechanischer Phänomene wie Superposition und Verschränkung wird die Informationsverarbeitung in einer ganz anderen Art und Weise umgesetzt und eine Leistungssteigerung für bestimmte Aufgabenstellungen erreicht. Es gibt verschiedene Vorschläge zur technischen Umsetzung von Quanten Bits. Unter ihnen sind Elektronen oder Kernspins von Defektstellen in Festkörpern. Zwei solche Kandidaten mit Spinfreiheitsgraden sind einzelne Donatoren in Silizium und Stickstoff Fehlstellen (NV) Zentren in Diamant. Beide Qubit Kandidaten besitzen aussergewöhnliche Eigenschaften welche sie zu vielversprechenden Bausteinen machen. Neben gewissen Vorteilen verbindet die beiden Qubits auch die Notwendigkeit diese präzise in ihren Trägermaterialien und Bauelementstrukturen zu platzieren. Eine häufig verwendete Methode die Fremdatome in die Substratmaterialien einzubringen ist die Ionenimplantation. Hierfür können fokussierte Ionenstrahl Systeme verwendet werden oder Kollimationstechniken wie in dieser Arbeit. Ein ausgedehnter Ionenstrahl trifft die Rückseite einer Rastersondenmikroskopspitze mit integrierten Öffnungen. Das Rastersondenmikroskop ermöglichen die zerstörungsfreie und hochauflösende Abbildung von Bauteilstrukturen und die Platzierung der Rastersondenmikroskopspitze und damit des kollimierten Ionenstrahls um ausgewählte Regionen zu implantieren. In der vorgelegten Arbeit wird diese Technik angewendet und weiterentwickelt um notwendige Präzisionskriterien zu erfüllen. Die Platzierung des Ionenstrahls auf Bauelementstrukturen welche empfindsam auf Ionenbombardement reagieren und damit Detektoren darstellen wurde demonstriert. Die gleiche Technik wird auch zur Anordnung von NV Zentren in Diamantsubstraten verwendet. Des weiteren werden einzelne Ioneneinschläge in Siliziumbauteilen erfasst wodurch das gezielte Dotieren Ion für Ion ermöglicht wird.