Pengendapan uap kimia

Pengendapan uap kimia adalah proses kimia untuk memberi lapisan tipis pada permukaan wafer yang digunakan dalam pembuatan microsystem. Dalam proses ini, komponen gas bereaksi di permukaan wafer dan membentuk lapisan tipis. CVD merupakan metode pengendapan vakum yang digunakan untuk menghasilkan bahan padat berkualitas tinggi dan berperforma tinggi. Proses ini sering digunakan dalam industri semikonduktor untuk menghasilkan film tipis. Pada CVD, wafer (substrat) akan terpapar pada satu atau lebih prekursor yang mudah menguap, yang bereaksi dan/atau terurai pada permukaan substrat untuk menghasilkan endapan yang diinginkan. Seringkali, produk sampingan yang mudah menguap juga diproduksi, yang kemudian dihilangkan oleh aliran gas melalui ruang reaksi. Proses microfabrication banyak menggunakan CVD untuk menyimpan material dalam berbagai bentuk, antara lain: monokristalin, polikristalin, amorf, dan epitaksi. Material-material tersebut seperti: silikon, karbon, fluorokarbon, filamen, tungsten, titanium nitrida, dan berbagai dielektrik κ tinggi. Istilah pengendapan uap kimia ditemukan pada tahun 1960 oleh John M. Blocher, Jr. dengan tujuan membedakan dari pengendapan uap fisik (PVD). Energi yang digunakan untuk pemecahan dan eksitasi molekul antara lain: Panas: Thermal CVD
Plasma: Plasma Enhanced CVD (PECVD)
Radiasi: Radiation Enhanced CVD