Aluminium galium arsenida

Aluminium galium arsenida (AlxGa1−xAs) adalah sebuah bahan semikonduktor dengan konstanta kisi yang hampir sama dengan GaAs, tetapi dengan celah pita yang lebih besar. x dalam rumus di atas adalah angka antara 0 dan 1 - ini menunjukkan adanya paduan arbitrer antara GaAs dan AlAs. Rumus kimia AlGaAs harus dianggap sebagai bentuk singkatan di atas, daripada rasio tertentu. Celah pitanya bervariasi antara 1,42 eV (GaAs) dan 2,16 eV (AlAs). Untuk x < 0,4, celah pitanya langsung. Indeks biasnya memiliki kaitan dengan celah pita melalui hubungan Kramers–Kronig dan bervariasi antara 2,9 dan 3,5. Hal ini memungkinkan konstruksi cermin Bragg yang digunakan dalam VCSEL, RCLED, dan pelapis kristalin yang ditransfer substrat. Aluminium galium arsenida digunakan sebagai bahan penghalang dalam perangkat heterostruktur berbasis GaAs. Lapisan AlGaAs membatasi elektron ke wilayah galium arsenida. Salah satu contoh perangkat semacam itu adalah fotodetektor inframerah sumur kuantum (QWIP). Ia umumnya digunakan dalam dioda laser heterostruktur-ganda yang memancarkan merah dan inframerah-dekat (700–1100 nm) berbasis GaAs.