Galium indium arsenida antimonida fosfida

Galium indium arsenida antimonida fosfida adalah sebuah bahan semikonduktor. Penelitian telah menunjukkan bahwa GaInAsSbP dapat digunakan dalam pembuatan dioda pemancar cahaya inframerah menengah dan sel termofotovoltaik. Lapisan GaInAsSbP dapat ditumbuhkan dengan heteroepitaksi pada indium arsenida, galium antimonida, dan bahan lainnya. Komposisi yang tepat dapat disetel agar kisi-kisinya serasi. Kehadiran lima unsur dalam paduan ini memungkinkan derajat kebebasan ekstra, sehingga memungkinkan untuk memperbaiki konstanta kisinya sambil memvariasikan celah pitanya. Misalnya, Ga0,92In0,08P0,05As0,08Sb0,87 adalah kisi yang cocok dengan InAs.