Silikon–germanium

SiGe, atau silikon–germanium, merupakan paduan dengan rasio molar silikon dan germanium berapa pun, yaitu dengan rumus molekul berbentuk Si1−xGex. Ini biasanya digunakan sebagai bahan semikonduktor dalam sirkuit terpadu (IC) untuk transistor bipolar heterojungsi atau sebagai lapisan penginduksi regangan untuk transistor CMOS. IBM memperkenalkan teknologi ini ke dalam manufaktur arus utama pada tahun 1989. Teknologi yang relatif baru ini menawarkan peluang dalam desain dan manufaktur sirkuit sinyal campuran dan sirkuit analog. SiGe juga digunakan sebagai bahan termoelektrik untuk aplikasi suhu tinggi.