Proses 10 nm

Dalam fabrikasi semikonduktor, International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) mendefinisikan " proses 10 nanometer " sebagai simpul teknologi MOSFET yang mengikuti simpul "14 nm". Setidaknya sejak tahun 1997, "node proses" diberi nama semata-mata atas dasar pemasaran, dan tidak ada hubungannya dengan dimensi pada sirkuit terpadu; baik panjang gerbang, jarak logam, atau jarak gerbang pada perangkat "10nm" adalah sepuluh nanometer. Misalnya, proses " 7 nm " GlobalFoundries secara dimensi mirip dengan proses "10 nm" Intel. Proses "10 nm" TSMC dan Samsung berada di antara proses "14 nm" dan "10 nm" Intel dalam kepadatan transistor. Kepadatan transistor lebih penting daripada ukuran transistor, karena transistor yang lebih kecil tidak lagi berarti peningkatan kinerja, atau peningkatan jumlah transistor. Semua proses produksi "10 nm" didasarkan pada teknologi FinFET, sejenis teknologi MOSFET multi-gerbang yang merupakan evolusi non-planar dari teknologi CMOS silikon planar. Samsung pertama kali memulai produksi chip "kelas 10 nm" pada tahun 2013 untuk chip memori flash multi-level cell (MLC), diikuti oleh SoC mereka yang menggunakan proses 10 nm pada tahun 2016. TSMC memulai produksi komersial chip "10 nm" pada tahun 2016, dan Intel kemudian memulai produksi chip "10 nm" pada tahun 2018.