jeanflop/post_ocr_correction2 huggingface dataset:
de l'inhiber totalement. Nous montrons ici que la mesure de l'impédance électrochimique [6] de l'interface métal-dépôt de carbonate de calcium-électrolyte permet d'apprécier globalement, au moyen de la résistance haute fréquence, l'importance, l'adhérence et la compacité du dépôt de carbonate de calcium. La méthode a été appliquée à trois types de situation : — eaux carboniquement pures; — eaux minérales; — eau de Paris inhibée par addition d'un phosphonate. Dans ce cas, l'observation du dépôt de tartre par microscopie électronique à balayage (MEB) confirme les résultats de la CEG et des mesures d'impédance. RÉSULTATS EXPÉRIMENTAUX. — Le montage utilisé pour les mesures d'impédance a été décrit dans [7]. Le dépôt de carbonate de calcium dans l'eau considérée est effectué sur une électrode de platine (0,2 cm2) tournant à 1 000 rev min-1 et portée à un potentiel de -1 V par rapport à une électrode de référence au sulfate mercureux et sulfate de potassium saturé (ESS) ([4], [5]). Les observations par MEB ont été effectuées au moyen d'un microscope Cambridge Stereoscan 250. A. Eaux carboniquement pures ([4], [5]). Des eaux de dureté comprise entre 10 et 50°F (1°F = 4 mg l-1 de Ca2+) ont été préparées et ont servi à générer un dépôt de carbonate de calcium à 1 V/ESS pendant 150 min. Les diagrammes d'impédance correspondants sont représentés figure 1. Lorsque la dureté atteint 30°F il apparaît, sur le diagramme, une boucle caractéristique d'une limitation de la vitesse de la réduction électrochimique de l'oxygène dissous par un processus de diffusion de celui-ci à travers la couche de CaCO3. Fig. 1. — Diagrammes d'impédance de dépôts de CaCO3 obtenus à partir d'eaux carboniquement pures. La valeur de la résistance haute fréquence est indiquée sur chaque diagramme. Fig. 1. Impedance diagrams related to CaCO3 deposited from synthetic waters of increasing hardness. High frequency resistance value is indicated on each diagram. Fig. 2. Diagrammes d'impédance de dépôts de CaCO3 obtenus à partir de trois eaux minérales. La valeur de la résistance haute fréquence est indiquée sur chaque diagramme. Fig. 2. — Impedance diagrams related to CaCO3 deposited from mineral waters. Hardness in
générer un dépôt de carbonate de calcium à 1 V/ESS pendant 150 min. Les diagrammes d'impédance correspondants sont représentés figure 1. Lorsque la dureté atteint 30°F il apparaît, sur le diagramme, une boucle caractéristique d'une limitation de la vitesse de la réduction électrochimique de l'oxygène dissous par un processus de diffusion de celui-ci à travers la couche de CaCO3. Fig. 1. — Diagrammes d'impédance de dépôts de CaCO3 obtenus à partir d'eaux carboniquement pures. La valeur de la résistance haute fréquence est indiquée sur chaque diagramme. Fig. 1. Impedance diagrams related to CaCO3 deposited from synthetic waters of increasing hardness. High frequency resistance value is indicated on each diagram. Fig. 2. Diagrammes d'impédance de dépôts de CaCO3 obtenus à partir de trois eaux minérales. La valeur de la résistance haute fréquence est indiquée sur chaque diagramme. Fig. 2. — Impedance diagrams related to CaCO3 deposited from mineral waters. Hardness in French degrees and Rhf value are given for each diagram. On observe, dans le même temps, une augmentation du diamètre du demi-cercle qui représente une résistance à haute fréquence (Rhf), lorsque la dureté de l'eau augmente. Cette résistance Rhf peut être assimilée à une résistance de transfert de charge quand le taux de recouvrement de la surface de l'électrode par le carbonate de calcium est faible. Le dépôt de carbonate de calcium est évidemment d'autant moins abondant que la dureté de l'eau est plus faible et, dans la mesure où le contrôle de la réaction électrochimique reste le même, la valeur de Rhf peut être utilisée pour caractériser la compacité et l'adhérence des dépôts de CaCO3. On notera une modification de ce contrôle entre 20 et 30°F où l'on passe d'un contrôle purement cinétique à un contrôle par le transfert de masse. B. Eaux minérales. Elles ont des teneurs en calcium différentes et constituent des eaux de référence en raison de la constance de leur composition. Les diagrammes d'impédance des dépôts de tartre générés par trois eaux (Contrexéville, 117°F, Vittel 66°F, Volvic, 70°F) sont représentés figure 2. Le contrôle par le transfert de masse se observe pour les deux eaux
le taux de recouvrement de la surface de l'électrode par le carbonate de calcium est faible. Le dépôt de carbonate de calcium est évidemment d'autant moins abondant que la dureté de l'eau est plus faible et, dans la mesure où le contrôle de la réaction électrochimique reste le même, la valeur de Rhf peut être utilisée pour caractériser la compacité et l'adhérence des dépôts de CaCO3. On notera une modification de ce contrôle entre 20 et 30°F où l'on passe d'un contrôle purement cinétique à un contrôle par le transfert de masse. B. Eaux minérales. Elles ont des teneurs en calcium différentes et constituent des eaux de référence en raison de la constance de leur composition. Les diagrammes d'impédance des dépôts de tartre générés par trois eaux (Contrexéville, 117°F, Vittel 66°F, Volvic, 70°F) sont représentés figure 2. Le contrôle par le transfert de masse se observe pour les deux eaux dures qui donnent d'importantes quantités de tartre. Rsuit, en fonction de la dureté, le même type de variation que pour les eaux carboniquement pures. C. Inhibition de l'entartrage par un phosphonate [5]. Nous avons ajouté à l'eau de Paris (5e arrondissement) de l'acide aminotris (méthylénephosphonique) (ATMP) à teneur croissante de 0,1 à 0,6 mgl-1; puis, on a provoqué le dépôt de tartre de ces eaux sur une électrode de platine, par électrolyse à 1 V/ESS pendant 180 mn (ce qui est une durée largement suffisante, dans le cas de l'eau brute, pour recouvrir totalement l'électrode de CaCO3). On a alors tracé les diagrammes d'impédance du dépôt associé à chacune de ces eaux (fig. 3). Un contrôle par transfert de masse n'est observé que dans le cas de l'eau brute. Dès l'addition de 0,1 mgl-1 d'ATMP la branche diffusionnelle disparaît. Il ne subsiste que la boucle semi-circulaire dont le diamètre diminue régulièrement avec la concentration en ATMP (fig. 4). La surface de l'électrode a été examinée par microscopie électronique à balayage sous plusieurs grossissements (440, 1 100, 2150 et 4400). Les photographies obtenues aux grossissements 440 et 2 150 sont représentées pour l'eau brute et l'eau additionnée de 0,6 mgl-1 d'ATMP
0,1 à 0,6 mgl-1; puis, on a provoqué le dépôt de tartre de ces eaux sur une électrode de platine, par électrolyse à 1 V/ESS pendant 180 mn (ce qui est une durée largement suffisante, dans le cas de l'eau brute, pour recouvrir totalement l'électrode de CaCO3). On a alors tracé les diagrammes d'impédance du dépôt associé à chacune de ces eaux (fig. 3). Un contrôle par transfert de masse n'est observé que dans le cas de l'eau brute. Dès l'addition de 0,1 mgl-1 d'ATMP la branche diffusionnelle disparaît. Il ne subsiste que la boucle semi-circulaire dont le diamètre diminue régulièrement avec la concentration en ATMP (fig. 4). La surface de l'électrode a été examinée par microscopie électronique à balayage sous plusieurs grossissements (440, 1 100, 2150 et 4400). Les photographies obtenues aux grossissements 440 et 2 150 sont représentées pour l'eau brute et l'eau additionnée de 0,6 mgl-1 d'ATMP (photo. 1 à 4). Avec l'eau brute, l'électrode est entièrement recouverte d'un dépôt de CaCO3 dont le faciès indique qu'il s'agit de calcite avec une cristallisation classique en rhomboèdres enchevêtrés avec des arêtes vives, celle-ci étant particulièrement visible à fort grossissement. L'eau additionnée d'ATMP ne génère que des germes de carbonate de calcium infimes ayant un aspect amorphe, sans organisation. On ne relève aucune trace de cristallisation et on doit noter que la surface de l'électrode est quasi totalement nue; seules, de rares zones recouvertes de CaCO3 et de très faible surface peuvent être décelées lors de l'examen par MEB. CONCLUSION. L'impédancemétrie permet d'apprécier l'importance et la texture des dépôts de carbonate de calcium générés à partir d'eaux variées. Plus le dépôt est abondant et de structure compacte et adhérente et plus la résistance à haute fréquence Rw est grande. Le tracé des diagrammes d'impédance, dont l'exploitation conduit aux valeurs de Rw, apparaît comme une méthode fine d'étude de l'entartrage. Il confirme l'efficacité de l'action antitartre d'un phosphonate organique, l'ATMP, à faible concentration (0,6 mgl-1), le résultat obtenu étant corroboré par un examen de la surface de l'électrode par microscopie électronique à balayage. Note remise le 5 octobre 1992, acceptée
carbonate de calcium infimes ayant un aspect amorphe, sans organisation. On ne relève aucune trace de cristallisation et on doit noter que la surface de l'électrode est quasi totalement nue; seules, de rares zones recouvertes de CaCO3 et de très faible surface peuvent être décelées lors de l'examen par MEB. CONCLUSION. L'impédancemétrie permet d'apprécier l'importance et la texture des dépôts de carbonate de calcium générés à partir d'eaux variées. Plus le dépôt est abondant et de structure compacte et adhérente et plus la résistance à haute fréquence Rw est grande. Le tracé des diagrammes d'impédance, dont l'exploitation conduit aux valeurs de Rw, apparaît comme une méthode fine d'étude de l'entartrage. Il confirme l'efficacité de l'action antitartre d'un phosphonate organique, l'ATMP, à faible concentration (0,6 mgl-1), le résultat obtenu étant corroboré par un examen de la surface de l'électrode par microscopie électronique à balayage. Note remise le 5 octobre 1992, acceptée après révision le 19 novembre 1992. RÉFÉRENCES BIBLIOGRAPHIQUES [1] R. ROSSET, L'Actualité chimique, janvier-février 1992, p. 125-148. [2] W. LIN Thèse, Université Pierre-et-Marie-Curie, Paris, 1991. [3] W. LIN, C. COLIN et R. ROSSET, Techniques, Sciences, Méthodes L'eau, décembre 1990, p. 613-620. [4] A. KHALIL, P. SASSIAT, C. COLIN, C. MEIGNEN, C. GARNIER, C. GABRIELLI, M. KEDDAM et R. ROSSET, C. R. Acad. Sci. Paris, 314, série II, 1992, p. 145-149, et Techniques, Sciences, Méthodes L'eau, mai 1992, p. 259-263. [5] M. ZIDOUNE, A. KHALIL, P. SAKYA, C. COLIN et R. ROSSET, C. R. Acad. Sci. Paris, 315, série II, 1992, p. 795-799. [6] A. BARD et L. FAULKNER, Électrochimie. Principes, méthodes et applications, Chapitre IX, Masson, Paris, 1983. [7] C. GABRIELLI et M. KEDDAM, Electrochim. Acta, 19, 1974, p. 273-277. A. K., C. C. et R. R. : Laboratoire de Chimie analytique, U.A. n° 437, École supérieure de Physique et de Chimie de Paris, 10, rue Vauquelin, 75231 Paris Cedex 05; C. G. et M. K. : Laboratoire de Physique des Liquides et Électrochimie, U.P.R. n 15 du C.N.R.S., Université Pierre-et-Marie-Curie, 4, place Jussieu, 75252 Paris Cedex 05. Chimie de l'état solide / Solid State Chemistry Synthesis, crystal and electronic
C. GARNIER, C. GABRIELLI, M. KEDDAM et R. ROSSET, C. R. Acad. Sci. Paris, 314, série II, 1992, p. 145-149, et Techniques, Sciences, Méthodes L'eau, mai 1992, p. 259-263. [5] M. ZIDOUNE, A. KHALIL, P. SAKYA, C. COLIN et R. ROSSET, C. R. Acad. Sci. Paris, 315, série II, 1992, p. 795-799. [6] A. BARD et L. FAULKNER, Électrochimie. Principes, méthodes et applications, Chapitre IX, Masson, Paris, 1983. [7] C. GABRIELLI et M. KEDDAM, Electrochim. Acta, 19, 1974, p. 273-277. A. K., C. C. et R. R. : Laboratoire de Chimie analytique, U.A. n° 437, École supérieure de Physique et de Chimie de Paris, 10, rue Vauquelin, 75231 Paris Cedex 05; C. G. et M. K. : Laboratoire de Physique des Liquides et Électrochimie, U.P.R. n 15 du C.N.R.S., Université Pierre-et-Marie-Curie, 4, place Jussieu, 75252 Paris Cedex 05. Chimie de l'état solide / Solid State Chemistry Synthesis, crystal and electronic structure of a new ternary layered compound: Nb2SiTe4 Laure MONCONDUIT, Michel ÉVAIN, Raymond BREC, Jean ROUXEL and Enric CANADELL Abstract The new 2D Nb2SiTe4 was obtained by heating the elements. It crystallizes in the monoclinic symmetry, space group C2/c, with a = 1421.6(2) pm, b = 394.40 (8) pm, c = 633.62 (13) pm, β = 97.97(2)°, and Z=4. Diffuse superstructure streaks imply a doubling of the b parameter. The average structure was determined to R = 0.030. It is based upon a tellurium AA/BB stacking of trigonal prismatic slabs. Niobium atoms partially fill (50%) all trigonal prisms and silicon atoms partially occupy (50%) one third of their squared common faces. Charge balance does not infer anion to cation charge transfer, as shown by extended Hückel tight binding band structure calculations. Synthèse, structure cristalline et électronique du nouveau composé ternaire lamellaire Nb2SiTe4 Résumé — Le nouveau composé 2D Nb2SiTe4 a été obtenu par chauffage des éléments. Il cristallise en symétrie monoclinique, groupe d'espace C2/c, avec a = 1421,6(2) pm, b = 394,40 (8) pm, c = 633,62 (13) pm, β=97,97(2)° et Z=4. Des traînées inter-stratés diffuses impliquent un doublement du paramètre b. La structure moyenne a été déterminée jusqu'à R=0,030.
= 633.62 (13) pm, β = 97.97(2)°, and Z=4. Diffuse superstructure streaks imply a doubling of the b parameter. The average structure was determined to R = 0.030. It is based upon a tellurium AA/BB stacking of trigonal prismatic slabs. Niobium atoms partially fill (50%) all trigonal prisms and silicon atoms partially occupy (50%) one third of their squared common faces. Charge balance does not infer anion to cation charge transfer, as shown by extended Hückel tight binding band structure calculations. Synthèse, structure cristalline et électronique du nouveau composé ternaire lamellaire Nb2SiTe4 Résumé — Le nouveau composé 2D Nb2SiTe4 a été obtenu par chauffage des éléments. Il cristallise en symétrie monoclinique, groupe d'espace C2/c, avec a = 1421,6(2) pm, b = 394,40 (8) pm, c = 633,62 (13) pm, β=97,97(2)° et Z=4. Des traînées inter-stratés diffuses impliquent un doublement du paramètre b. La structure moyenne a été déterminée jusqu'à R=0,030. Elle est basée sur un empilement anionique AA/BB de couches de type trigonal prismatique. Les ions niobium remplissent statistiquement (50 %) tous les sites trigonaux, tandis que les ions silicium occupent statistiquement (50 %) un tiers de leurs faces carrées communes. L'équilibre de charge n'implique pas de transfert de charge, bien que des distances Te-Te courtes soient observées. Ceci est confirmé par des calculs de structures électroniques par la méthode de Hückel étendue. Version française abrégée — INTRODUCTION. — Pour démontrer le caractère général de la polymérisation du tellure mis en évidence dans les ditellurures de métaux de transition [1], de nouvelles synthèses ont été tentées dans les systèmes M-A-Te (M = Ta, Nb ou V et A = Si, Ge ou Sn). Une nouvelle famille a été découverte : M3ATe6 (M = Ta, Nb ou V et A = Si ou Ge) avec comme représentant Nb3Ge0,9Te6 [2]. Cette phase présente un empilement (AA/BB) d'atomes de tellure avec des sites vides entre les plans AB, une coordination inhabituelle, carrée, pour les atomes Ge2+ et deux types d'atomes Nb3+ (isolés et en paires) en site prismatique. De plus, des distances courtes Te-Te (autour de 350 pm) indiquent un transfert de charge
bien que des distances Te-Te courtes soient observées. Ceci est confirmé par des calculs de structures électroniques par la méthode de Hückel étendue. Version française abrégée — INTRODUCTION. — Pour démontrer le caractère général de la polymérisation du tellure mis en évidence dans les ditellurures de métaux de transition [1], de nouvelles synthèses ont été tentées dans les systèmes M-A-Te (M = Ta, Nb ou V et A = Si, Ge ou Sn). Une nouvelle famille a été découverte : M3ATe6 (M = Ta, Nb ou V et A = Si ou Ge) avec comme représentant Nb3Ge0,9Te6 [2]. Cette phase présente un empilement (AA/BB) d'atomes de tellure avec des sites vides entre les plans AB, une coordination inhabituelle, carrée, pour les atomes Ge2+ et deux types d'atomes Nb3+ (isolés et en paires) en site prismatique. De plus, des distances courtes Te-Te (autour de 350 pm) indiquent un transfert de charge avec un degré d'oxydation partiel pour les anions tellure (comme dans les ditellurures polymériques de type CdI2), ceci étant confirmé par des calculs de structure de bandes [3]. Ainsi, la tendance à la polymérisation du tellure s'est trouvée confirmée pour les phases ternaires. Une autre phase ternaire, Nb2SiTe4, a été synthétisée et étudiée. ÉTUDES SUR MONOCRISTAL. Des études préliminaires sur Weissenberg d'un monocristal de Nb2SiTe4 ont indiqué une symétrie monoclinique (C2/c ou Cc), avec des traînées de sur-structure diffuses doublant b et impliquant une absence d'ordre à longue distance. Les intensités des réflexions de la structure moyenne ont été mesurées sur un diffractomètre Enraf Nonius CAD4. Les paramètres de maille affinés à partir de 25 réflexions fortes sont : a = 1421,6 (2) pm, b = 394,40 (8) pm, c = 633,62 (13) pm et β = 97,97 (2)°. Les réflexions équivalentes ont été moyennées dans la symétrie de Laue 2/m, donnant 425 plans hkl indépendants avec I > 3 σ (I). Note présentée par Jean ROUXEL. 0764-4450/93/03160025 $ 2.00 e Académie des Sciences AFFINEMENT STRUCTURAL. — Tous les affinements de structure et les calculs ont été conduits avec la chaîne de programmes MOLEN [4] donnant un facteur de confiance
synthétisée et étudiée. ÉTUDES SUR MONOCRISTAL. Des études préliminaires sur Weissenberg d'un monocristal de Nb2SiTe4 ont indiqué une symétrie monoclinique (C2/c ou Cc), avec des traînées de sur-structure diffuses doublant b et impliquant une absence d'ordre à longue distance. Les intensités des réflexions de la structure moyenne ont été mesurées sur un diffractomètre Enraf Nonius CAD4. Les paramètres de maille affinés à partir de 25 réflexions fortes sont : a = 1421,6 (2) pm, b = 394,40 (8) pm, c = 633,62 (13) pm et β = 97,97 (2)°. Les réflexions équivalentes ont été moyennées dans la symétrie de Laue 2/m, donnant 425 plans hkl indépendants avec I > 3 σ (I). Note présentée par Jean ROUXEL. 0764-4450/93/03160025 $ 2.00 e Académie des Sciences AFFINEMENT STRUCTURAL. — Tous les affinements de structure et les calculs ont été conduits avec la chaîne de programmes MOLEN [4] donnant un facteur de confiance de R = 3,0 (Rw =3,4%) et une figure de mérite S = 1,3 (26 paramètres pour les 425 réflexions) (tableau I). Des Paramètres de Déplacement Atomique (PDA) anormalement élevés sont observés pour les atomes de tellure le long de l'axe c ~(U33~5x (UnouU22)), en relation avec le doublement de paramètre observé mais non pris en compte. Dans les tableaux II et III sont rassemblées les données sur les positions atomiques. Le tableau IV rappelle les principales distances. DESCRIPTION ET DISCUSSION DE LA STRUCTURE. — Le squelette de Nb2SiTe4 est basé sur l'empilement hexagonal anionique AA/BB de couches prismatiques très similaires à celui de Nb3Ge0,9Te6 [2]. Les cations remplissent les seules couches prismatiques (entre A et A, B et B), laissant vides les sites octaédriques et tétraédriques (entre A et B), ce qui, en l'absence de liaison tellure inter-couche, indique que la phase est vraiment bi-dimensionnelle. Les atomes de niobium sont dans les sites trigonaux prismatiques, tandis que le silicium est en site carré. Un remplissage rationnel et physiquement significatif des sites cationiques impliquerait un doublement du paramètre b, comme les films de Weissenberg le suggèrent, avec un ordre entre les prismes doubles enserrant les paires Nb2 et ceux comprenant
paramètre observé mais non pris en compte. Dans les tableaux II et III sont rassemblées les données sur les positions atomiques. Le tableau IV rappelle les principales distances. DESCRIPTION ET DISCUSSION DE LA STRUCTURE. — Le squelette de Nb2SiTe4 est basé sur l'empilement hexagonal anionique AA/BB de couches prismatiques très similaires à celui de Nb3Ge0,9Te6 [2]. Les cations remplissent les seules couches prismatiques (entre A et A, B et B), laissant vides les sites octaédriques et tétraédriques (entre A et B), ce qui, en l'absence de liaison tellure inter-couche, indique que la phase est vraiment bi-dimensionnelle. Les atomes de niobium sont dans les sites trigonaux prismatiques, tandis que le silicium est en site carré. Un remplissage rationnel et physiquement significatif des sites cationiques impliquerait un doublement du paramètre b, comme les films de Weissenberg le suggèrent, avec un ordre entre les prismes doubles enserrant les paires Nb2 et ceux comprenant les atomes de silicium (fig. 2). Comme cela avait été observé dans Nb3Ge0,9Te6, un tel ordre devrait alors conduire à un allongement des distances Te-Te dans la diagonale parallèle au feuillet des biprismes contenant le silicium, et un rétrécissement de ces mêmes distances diagonales pour les biprismes contenant les paires Nb2 (fig. 3). La prise en compte de la seule sous-structure conduit donc à moyenner les positions de tellure, comme cela est montré graphiquement sur la figure 4. Le caractère diffus des strates de surstructure des films de Weissenberg indique des défauts d'empilement correspondant à des glissements entre feuillets. Un équilibre de charge immédiat peut être donné pour la phase en considérant des anions Te-11 : Nb2 luSi+llTe4 Cependant, à cause de l'existence de contacts courts Te-Te, la question de liaisons inter-anioniques doit être posée. STRUCTURE ÉLECTRONIQUE. Les calculs de structure de bande par la méthode Hückel étendue [5] ont été effectués avec les paramètres et exposants donnés dans le tableau V. Les calculs ont été conduits en utilisant le feuillet décrit figure 2 (avec b' = 2 b). La structure de bande calculée pour un feuillet Nb2SiTe4 est donnée figure 5 a. Il existe un gap semiconducteur de 0,6
Nb2 (fig. 3). La prise en compte de la seule sous-structure conduit donc à moyenner les positions de tellure, comme cela est montré graphiquement sur la figure 4. Le caractère diffus des strates de surstructure des films de Weissenberg indique des défauts d'empilement correspondant à des glissements entre feuillets. Un équilibre de charge immédiat peut être donné pour la phase en considérant des anions Te-11 : Nb2 luSi+llTe4 Cependant, à cause de l'existence de contacts courts Te-Te, la question de liaisons inter-anioniques doit être posée. STRUCTURE ÉLECTRONIQUE. Les calculs de structure de bande par la méthode Hückel étendue [5] ont été effectués avec les paramètres et exposants donnés dans le tableau V. Les calculs ont été conduits en utilisant le feuillet décrit figure 2 (avec b' = 2 b). La structure de bande calculée pour un feuillet Nb2SiTe4 est donnée figure 5 a. Il existe un gap semiconducteur de 0,6 eV. L'analyse du caractère orbitalaire des bandes révèle que les niveaux largement de caractère 3d de Si se trouvent très en dessous du gap, tandis que ceux de caractère majoritaire 3p de Si sont très au-dessus. En conséquence, ceci indique que l'état d'oxydation approprié pour Si est + II. Quatre des bandes occupées de la figure 5 a sont construites principalement à partir des orbitales 4d du niobium. Puisqu'il y a quatre atomes de niobium par maille, l'état d'oxydation approprié pour Nb est + III. Le caractère orbitalaire principal de ces bandes est donné par les orbitales cr+ et e de la figure 5 b. La population de recouvrement associée aux distances courtes Te-Te est pratiquement nulle. Toutes ces conclusions sont les mêmes quand les interactions intercouches sont prises en considération. En conséquence se trouve ainsi confirmé le formalisme d'oxydation pour Nb2SiTe4 : (Nb + III)(Si + II)(Te - I). CONCLUSION. La structure de Nb2SiTe4 démontre donc de façon convaincante que l'existence de distances courtes Te-Te n'est pas suffisante pour conduire à une vraie liaison anionique et donc à un transfert anion → cation. Bien que considérablement plus courts que la somme des rayons de van der Waals, ces contacts,