translate English to French: The Schottky-barrier heights, which generally depend on the gallium fraction, x, and the thickness of the strained GaxIn1−xP layer, increase and are in the range of 0.56–0.65 eV in different contact schemes.
La haureur de barrière Schottky, qui dépend de la fraction x de Ga et de lépaisseur du GaxIn1−xP déposé, augmente à 0,56–0,65 eV avec divers types de contacts Schottky.