translate English to French: Crystal structure, threshold voltage, saturation brightness, and memory margin of the B–V characteristics have been studied as a function of the deposition rate of dopant material relative to ZnS.
La structure cristalline, le voltage de seuil, la brillance de saturation et la marge de mémoire des caractéristiques B–V ont été étudiés en fonction de la vitesse de déposition du matériel dopant relativement à ZnS.