translate English to French: Typical devices have an ideality factor of 1.12, a parasitic capacitance of 10 fF, a zero-bias-junction capacitance of 20 fF, a series resistance of 2.5 Ω, and hence a figure of merit cutoff frequency of over 3 THz.
Les spécimens typiques ont un facteur d'idéalité de 1,12, une capacité parasite de 10 fF, une capacité de jonction à polarisation nulle de 20 fF et une résistance série de 2,5 Ω, ce qui donne comme facteur de mérite une fréquence de coupure dépassant 3 THz.