translate English to French: H01L 31 / 0376 . . . including amorphous semiconductors (H01L 31/0392 takes precedence) [5] 31 / 0384 . . . including other non-monocrystalline materials, e.g. semiconductor particles embedded in an insulating material (H01L 31/0392 takes precedence) [5] 31 / 0392 . . . including thin films deposited on metallic or insulating substrates [5] 31 / 04 . adapted as conversion devices [2] 31 / 042 . . including a panel or array of photoelectric cells, e.g. solar cells [5] 31 / 045 . . . collapsible or foldable [5] 31 / 048 . . . encapsulated or with housing [5] 31 / 05 . . . characterised by special interconnection means [5] 31 / 052 . . . with cooling, light-reflecting or lightconcentrating means [5] 31 / 055 . . . . where light is absorbed and re-emitted at a different wavelength by the concentrator, e.g. by using luminescent material [5] 31 / 058 . . . including means to utilise heat energy, e.g. hybrid systems, or a supplementary source of electric energy (using solar heat in general F24J 2/00) [5] 31 / 06 . . characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier [2] 31 / 062 . . . the potential barriers being only of the metalinsulator-semiconductor type [5] 31 / 065 . . . the potential barriers being only of the graded gap type [5] 31 / 068 . . . the potential barriers being only of the PN homojunction type [5] 31 / 07 . . . the potential barriers being only of the Schottky type [5] 31 / 072 . . . the potential barriers being only of the PN heterojunction type [5] 31 / 075 . . . the potential barriers being only of the PIN type [5] 31 / 078 . . . including potential barriers provided for in two or more of groups H01L 31/062 to H01L 31/075 [5] 31 / 08 . in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors [2] 31 / 09 . . Devices sensitive to infra-red, visible or ultraviolet radiation (H01L 31/101 takes precedence) [5] 31 / 10 . . characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors [2] 31 / 101 . . . Devices sensitive to infra-red, visible or ultraviolet radiation [5] 31 / 102 . . . . characterised by only one potential barrier or surface barrier [5] 31 / 103 . . . . . the potential barrier being of the PN homojunction type [5] 31 / 105 . . . . . the potential barrier being of the PIN type [5] 31 / 107 . . . . . the potential barrier working in avalanche mode, e.g. avalanche photodiode [5] 31 / 108 . . . . . the potential barrier being of the Schottky type [5] 31 / 109 . . . . . the potential barrier being of the PN heterojunction type [5] 31 / 11 . . . . characterised by two potential barriers or surface barriers, e.g. bipolar phototransistor [5] 31 / 111 . . . . characterised by at least three potential barriers, e.g. photothyristor [5] 31 / 112 31 / 113 . . . . characterised by field-effect operation, e.g. junction field-effect photo- transistor [5] . . . . . being of the conductor-insulatorsemiconductor type, e.g. metal- insulatorsemiconductor field-effect transistor [5] . . . Devices sensitive to very short wavelength, e.g. X-rays, gamma-rays or corpuscular radiation [5] . . . . of the bulk effect radiation detector type, e.g. Ge-Li compensated PIN gamma-ray detectors [5] . . . . of the surface barrier or shallow PN junction detector type, e.g. surface barrier alphaparticle detectors [5] . . . . characterised by field-effect operation, e.g. MIS type detectors [5] . structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto (semiconductor devices with at least one potential barrier or surface barrier specially adapted for light emission H01L 33/00; amplifiers using electroluminescent element and photocell H03F 17/00; electroluminescent light sources per se H05B 33/00) [2,5] . . the light source or sources being controlled by the semiconductor device sensitive to radiation, e.g. image converters, image amplifiers, image storage devices [2] . . . the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by at least one potential or surface barrier [5] . . . . formed in, or on, a common substrate [5] . . the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources [2] . . . the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by at least one potential or surface barrier [5] . . . . formed in, or on, a common substrate [5] . Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof (for manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof in general H01L 21/00) [2] . . such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor material [5] Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission, e.g. infra-red; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof (H01L 51/50 takes precedence; devices consisting of a plurality of components formed in or on a common substrate H01L 27/00; couplings of light guides with optoelectronic elements G02B 6/42; semiconductor lasers H01S 5/00; electroluminescent light sources per se H05B 33/00) [2,8]
H01L 31 / 167 . . . les sources de lumière et les dispositifs sensibles au rayonnement étant tous des dispositifs semi-conducteurs caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou de surface [5] . . . . formés dans, ou sur un substrat commun [5] . Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives (pour la fabrication ou le traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l’état solide, ou bien de leurs parties constitutives, en général H01L 21/00) [2] . . les dispositifs ou leurs parties constitutives comprenant un matériau semi-conducteur amorphe [5] Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l’émission de lumière, p.ex. de rayons infrarouges; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails (H01L 51/50 a priorité; dispositifs consistant en une pluralité de composants formés dans ou sur un substrat commun H01L 27/00; dispositifs de couplage de guides de lumière avec des éléments optoélectroniques G02B 6/42; lasers à semi-conducteurs H01S 5/00; sources de lumière électroluminescentes en soi H05B 33/00) [2,8] Dispositifs thermo-électriques comportant une jonction de matériaux différents, c. à d. présentant l’effet Seebeck ou l’effet Peltier, avec ou sans autres effets thermo-électriques ou thermomagnétiques; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails (dispositifs consistant en une pluralité de composants à l’état solide formés dans ou sur un substrat commun H01L 27/00; machines frigorifiques utilisant des effets électriques ou magnétiques F25B 21/00; mesure de la température basée sur l’utilisation d’éléments thermo-électriques ou thermomagnétiques G01K 7/00; obtention d’énergie à partir de sources radioactives G21H) [2] . Détails [2] . . Détails structurels de la jonction; Connexions des fils [2] . . . Jonctions amovibles, p.ex. utilisant un ressort [2] . . . Jonctions non amovibles, p.ex. obtenues par cémentation, frittage, soudage [2] . . . Connexions des fils [2] . Emploi d’un matériau spécifié pour les bras de la jonction [2] . . utilisant des compositions inorganiques [2] . . . comprenant du tellure, du sélénium, ou du soufre [2] . . . comprenant de l’arsenic, de l’antimoine, ou du bismuth (H01L 35/16 a priorité) [2] . . . comprenant des métaux uniquement (H01L 35/16, H01L 35/18 ont priorité) [2] . . . comprenant des composés contenant du bore, du carbone, de l’oxygène ou de l’azote [2] . . utilisant des compositions organiques [2] . . utilisant des compositions changeant de façon continue ou discontinue à l’intérieur du matériau [2] . fonctionnant exclusivement par effet Peltier ou effet Seebeck [2] 35 / 30 35 / 32 . . caractérisés par les moyens d’échange de chaleur à la jonction [2] . . caractérisés par la structure ou la configuration de la cellule ou du thermo-couple constituant le dispositif [2] . Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives (pour la fabrication ou le traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l’état solide, ou bien de leurs parties constitutives, en général H01L 21/00) [2] Dispositifs thermo-électriques sans jonction de matériaux différents; Dispositifs thermomagnétiques, p.ex. utilisant l’effet NernstEttinghausen; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives (dispositifs consistant en une pluralité de composants à l’état solide formés dans ou sur un substrat commun H01L 27/00; mesure de la température basée sur l’utilisation d’éléments thermo-électriques ou thermomagnétiques G01K 7/00; emploi de matériaux spécifiés pour la magnétographie, p.ex. pour l’écriture du point de Curie, G03G 5/00) [2] . utilisant le changement thermique de la constante diélectrique, p.ex. en opérant au-dessus et en-dessous du point de Curie [2] . utilisant le changement thermique de la perméabilité magnétique, p.ex. en opérant au-dessus et en-dessous du point de Curie [2] Dispositifs utilisant la supraconductivité ou l’hyperconductivité; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives (dispositifs consistant en une pluralité de composants à l’état solide formés dans ou sur un substrat commun H01L 27/00; supraconducteurs caractérisés par la technique de mise en forme des céramiques ou par leur composition céramique C04B 35/00; conducteurs, câbles ou lignes de transmission supraconducteurs ou hyperconducteurs H01B 12/00; bobines ou enroulements supraconducteurs H01F; amplificateurs utilisant la supraconductivité H03F 19/00) [2,4] . Détails [2] . . Conteneurs; Supports [2] . . caractérisés par le parcours du courant [2] . . caractérisés par la forme de l’élément [2] . . caractérisés par les moyens de commutation [2] . . caractérisés par le matériau [2] . Dispositifs à supraconductivité permanente [2] . Dispositifs commutables entre les états normal et supraconducteur [2] . . Cryotrons [2] . . . Cryotrons de puissance [2] . Dispositifs comportant une jonction de matériaux différents, p.ex. dispositifs à effet Josephson [2] . Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement des dispositifs couverts par H01L 39/00, ou de leurs parties constitutives (pour la fabrication ou le traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l’état solide, ou bien de leurs parties constitutives, en général H01L 21/00; séparation magnétique des matériaux supraconducteurs des autres matériaux, p.ex. utilisant l’effet Meissner, B03C 1/00) [2]