translate English to French: The decay of photoconductivity following band gap radiation has been measured in the temperature range 180–300 K on p type zinc compensated silicon samples containing approximately 1016 cm−3 of As and having room temperature resistivities between 0.7 and 50 K Ω cm.
La décroissance de la photoconductivité consécutive au rayonnement de transition à travers la bande interdite a été mesurée, dans l'intervalle de température 180–300 K, pour des échantillons de silicium de type p compensés au zinc, contenant approximativement 1016 at. de As par cm3 et dont les résistivités à la température du laboratoire variaient entre 0.7 et 50 K Ω cm.