translate English to French: ISAS has developed a radiation-hardened static random access memory (SRAM) by means of a commercial 0.2-micron silicon on insulator (SOI) process, in collaboration with Mitsubishi Heavy Industries Ltd.
L'ISAS, en collaboration avec Mitsubishi Heavy Industries Ltd, a mis au point au moyen d'un procédé silicium sur isolant (SSI) de 0,2 microns d'épaisseur une mémoire SRAM résistante au rayonnement.