translate English to French: We report accurate measurements of the broadening of the phonon replica luminescence lines of excitons bound to P, B, Ga, As, and Bi impurities in silicon and formulate a theory of the lineshapes.
Nous rapportons des mesures précises de l'élargissement des raies de luminescence avec phonon des excitons liés à des impuretés P, B, Ga, As et Bi dans le silicium, et nous formulons une théorie du profil de ces raies.