translate English to French: Using the Hall-effect measurements, the resistance changes in Si-doped (5 × 1017 cm−3), 1 μm thick epilayers of InGaAs and in InP/InGaAs pin structures were studied as functions of multiple-energy oxygen ion dose, implant temperature (−196 and 18 °C), and rapid thermal-anneal (RTA) temperatures.
Des mesures utilisant l'effet Hall permettent d'étudier les variations de résistance dans des structures pin constituées de couches épitaxiales de 1 μm de InGaAs et de InP/InGaAs dopées au Si (5 × 1017 cm3), en fonction de la dose d'ions oxygène, de la température d'implantation (198 et 18 °C) et des températures de recuit rapide (RTA).