Jelaskan Produksi dari FinFET

Transistor 25 nanometer pertama di industri yang beroperasi hanya pada 0,7 volt didemonstrasikan pada Desember 2002 oleh TSMC. Desain "Omega FinFET", dinamai berdasarkan kesamaan antara huruf Yunani "Omega" dan bentuk di mana gerbang membungkus struktur sumber/kuras, memiliki jeda gerbang hanya 0,39 pikodetik (picosecond, ps) untuk transistor tipe N dan 0,88 ps untuk transistor tipe P.

Pada tahun 2004, Samsung mendemonstrasikan desain "Bulk FinFET" (FinFET Massal), yang memungkinkan untuk memproduksi perangkat FinFET secara massal. Mereka mendemonstrasikan memori akses acak dinamis (DRAM) yang diproduksi dengan proses Bulk FinFET 90 nm.

Pada tahun 2011, Intel mendemonstrasikan transistor tri-gerbang, di mana gerbang mengelilingi saluran di tiga sisi, memungkinkan peningkatan efisiensi energi dan penundaan gerbang yang lebih rendah, dan dengan demikian kinerja yang lebih besar dibandingkan transistor planar.

Chip yang diproduksi secara komersial pada 22 nm kebawah umumnya telah menggunakan desain gerbang FinFET (tetapi proses planar memang ada hingga 18 nm, dengan 12 nm dalam pengembangan). Varian tri-gerbang Intel diumumkan pada 22 nm pada tahun 2011 untuk mikroarsitektur Ivy Bridge. Perangkat tersebut dikirimkan mulai tahun 2012 dan seterusnya. Mulai tahun 2014 dan seterusnya, pengecor silikon besar (TSMC, Samsung, GlobalFoundries) menggunakan desain FinFET pada 14 nm (atau 16 nm).

Pada tahun 2013, SK Hynix memulai produksi massal komersial proses 16 nm, TSMC memulai produksi proses FinFET 16 nm, dan Samsung Electronics memulai produksi proses 10 nm. TSMC memulai produksi proses 7 nm pada tahun 2017, dan Samsung memulai produksi proses 5 nm pada tahun 2018. Pada tahun 2019, Samsung mengumumkan rencana untuk produksi komersial proses GAAFET 3 nm pada tahun 2021.

Produksi komersial memori semikonduktor FinFET nanoelektronik dimulai pada 2010-an. Pada tahun 2013, SK Hynix memulai produksi massal memori kilat NAND 16 nm, dan Samsung Electronics memulai produksi memori kilat NAND sel multi-tingkat (multi-level cell, MLC) 10 nm. Pada tahun 2017, TSMC memulai produksi memori SRAM menggunakan proses 7 nm.