Jabarkan Hidrosililasi permukaan dari Hidrosililasi

Wafer silikon dapat digores dalam asam fluorida (HF) untuk menghilangkan oksida asli dan membentuk permukaan silikon yang diakhiri hidrogen. Permukaan yang diakhiri hidrogen mengalami hidrosilasi dengan senyawa tak jenuh (seperti alkena dan alkuna terminal), untuk membentuk lapisan tunggal yang stabil pada permukaan. Sebagai contoh:

Si-H + H2C=CH(CH2)7CH3 → Si-CH2CHH-(CH2)7CH3

Reaksi hidrosililasi dapat dimulai dengan sinar UV pada suhu kamar atau dengan panas (suhu reaksi khas 120-200 °C), di bawah kondisi bebas uap air dan oksigen. Lapisan tunggal yang dihasilkan, yang stabil dan lengai, menghambat oksidasi lapisan silikon dasar, yang relevan dengan berbagai aplikasi perangkat.