Jabarkan Kristal semi isolasi dari Galium arsenida

Dengan adanya arsenik berlebih, boule GaAs ditumbuhkan dengan kecacatan kristalografi; khususnya, cacat antisit arsenik (sebuah atom arsenik di dalam sebuah situs atom galium dalam kisi kristal). Sifat elektronik dari kecacatan ini (berinteraksi dengan kisi lainnya) menyebabkan level Fermi disematkan di dekat pusat celah pita, sehingga kristal GaAs ini memiliki konsentrasi elektron dan lubang yang sangat rendah. Konsentrasi pembawa rendah ini mirip dengan kristal intrinsik (tidak terdadah sempurna), tetapi jauh lebih mudah dicapai dalam praktiknya. Kristal ini disebut "semiisolasi", yang mencerminkan resistivitas tinggi dari 107-109 Ω·cm (yang cukup tinggi untuk semikonduktor, tapi masih jauh lebih rendah dari isolator sesungguhnya seperti kaca).