Jelaskan Penyiapan dan sifat kimia dari Galium arsenida

Di dalam senyawa, galium memiliki tingkat oksidasi +3. Kristal tunggal Galium arsenida dapat disiapkan oleh tiga proses industri:

Proses pembekuan gradien vertikal (VGF) (kebanyakan wafer GaAs diproduksi menggunakan proses ini).

Pertumbuhan kristal menggunakan tungku zona horizontal dalam teknik Bridgman-Stockbarger, di mana galium dan arsenik bereaksi, dan molekul-molekul bebas mengendap pada biji kristal di ujung tungku yang lebih dingin.

Pertumbuhan Czochralski enkapsulasi cair (LEC) digunakan untuk menghasilkan kristal tunggal dengan kemurnian tinggi yang dapat menunjukkan karakteristik semi-isolasi (lihat di bawah).

Metode alternatif untuk memproduksi film GaAs meliputi:

Reaksi VPE dari gas logam galium dan arsenik triklorida: 2 Ga + 2  → 2 GaAs + 3

Reaksi MOCVD trimetilgalium dan arsina:  +  → GaAs + 3

Molekul balok epitaksi (MBE) dari galium dan arsenik: 4 Ga +  → 4 GaAs atau 2 Ga +  → 2 GaAs

Oksidasi GaAs terjadi di udara, menurunkan kinerja semikonduktor. Permukaan dapat dipasivasi dengan mendepositkan lapisan kubus sulfat galium (II) menggunakan senyawa tert-butil gallium sulfida seperti (.