Jabarkan Pengoperasian dari EPROM

Pengembangan memori EPROM sel dimulai dengan penyelidikan faulty integrated circuits mana gerbang koneksi dari transistor yang telah rusak. Biaya tersimpan ini terisolasi gerbang mengubah sifat mereka. EPROM diciptakan oleh Dov Frohman dari Intel pada tahun 1971, yang dianugerahi paten 3660819 pada tahun 1968.

Setiap lokasi penyimpanan EPROM terdiri dari satu field-effect transistor. Masing-masing field-effect transistor terdiri dari saluran dalam semikonduktor tubuh perangkat. Sumber dan tiriskan kontak yang dibuat untuk daerah-daerah di ujung saluran. Isolasi lapisan oksida ini tumbuh di atas saluran, maka konduktif (silikon atau aluminium) gerbang elektrode disimpan, dan lebih tebal lapisan oksida ini diendapkan di atas elektrode gerbang. floating-gate elektrode tidak memiliki koneksi ke bagian lain dari sirkuit terpadu dan benar-benar terisolasi dengan lingkungan sekitarnya lapisan oksida. Kontrol elektrode gerbang disimpan dan selanjutnya oksida mencakup itu.

Untuk mengambil data dari EPROM, alamat diwakili oleh nilai-nilai di alamat pin dari EPROM ini diterjemahkan dan digunakan untuk menghubungkan satu kata (biasanya 8-bit byte) dari penyimpanan ke output buffer amplifier. Masing-masing bit dari word adalah 1 atau 0, tergantung pada penyimpanan transistor yang diaktifkan atau dimatikan, melakukan atau tidak melakukan.

Switching negara dari field-effect transistor dikendalikan oleh tegangan pada control gate dari transistor. Adanya tegangan pada gerbang ini menciptakan saluran konduktif dalam transistor, sehingga menyala. Akibatnya, muatan yang tersimpan pada floating gate memungkinkan tegangan dari transistor yang akan diprogram.

Menyimpan data dalam memori memerlukan memilih alamat yang diberikan dan menerapkan tegangan tinggi ke transistor. Hal ini menciptakan longsoran keluarnya elektron yang memiliki energi yang cukup untuk melewati isolasi lapisan oksida dan menumpuk pada elektrode gerbang. Ketika tegangan tinggi dihapus, elektron-elektron yang terperangkap pada elektrode. Karena nilai insulasi yang tinggi dari silikon oksida sekitar gerbang, muatan yang disimpan tidak mudah bocor dan data dapat dipertahankan selama puluhan tahun.

Proses pemrograman tidak elektrik reversibel. Untuk menghapus data yang tersimpan dalam array dari transistor, sinar ultraviolet diarahkan ke mati. Foton dari sinar UV menyebabkan ionisasi dalam silikon oksida, yang memungkinkan muatan yang tersimpan pada floating gate untuk berfoya-foya. Karena seluruh memori array yang terkena, semua memori akan terhapus pada saat yang sama. Proses ini memakan waktu beberapa menit untuk lampu UV dari ukuran yang nyaman; matahari akan menghapus chip di minggu, dan indoor lampu neon selama beberapa tahun. Umumnya, EPROMs harus dihapus dari peralatan yang akan dihapus, karena hal ini biasanya tidak praktis untuk membangun lampu UV untuk menghapus bagian-bagian di sirkuit. Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory (EEPROM) dikembangkan untuk menyediakan listrik menghapus fungsi dan kini sebagian besar mengungsi ultraviolet-terhapus bagian.