Jabarkan \mathit{dan} dari Silikon nitrida

3 SiO_{(g)}{} + 2N2_{(g)}{} + 3CO_{(g)} -> Si3N4_{(s)}{} + 3CO2_{(g)}

3SiO_{(g)}{} + 2N2_{(g)}{} + 3C_{(s)} -> Si3N4_{(s)}{} + 3CO_{(g)}

Silikon nitrida sulit diproduksi sebagai material curah—ia tidak dapat dipanaskan di atas 1850 °C, yang jauh di bawah titik lebur, karena disosiasi dengan silikon dan nitrogen. Oleh karena itu, penerapan teknik pelengketan tekanan panas konvensional bermasalah. Ikatan bubuk silikon nitrida dapat dicapai pada suhu yang lebih rendah dengan menambahkan bahan tambahan (zat pelengket atau "pengikat") yang biasanya menginduksi tingkat sintering fase cair. Alternatif yang lebih bersih adalah dengan menggunakan sintering percikan plasma di mana pemanasan dilakukan dengan sangat cepat (hitungan detik) dengan melewatkan pulsa arus listrik melalui bubuk yang dipadatkan. Silikon nitrida padat telah diperoleh dengan teknik ini pada suhu 1500-1700 °C.