Jelaskan Aplikasi dari Galium

Aplikasi semikonduktor mendominasi permintaan komersial untuk galium, terhitung 98% dari total. Aplikasi utama berikutnya adalah untuk garnet gadolinium gallium.

Galium dengan kemurnian sangat tinggi (>99,9999%) tersedia secara komersial untuk melayani industri semikonduktor. Galium arsenida (GaAs) dan galium nitrida (GaN) yang digunakan dalam komponen elektronik mewakili sekitar 98% konsumsi galium di Amerika Serikat pada tahun 2007. Sekitar 66% galium semikonduktor digunakan di A.S. dalam sirkuit terpadu (kebanyakan galium arsenida), seperti pembuatan cip logika berkecepatan ultra tinggi dan MESFET untuk prapenguat gelombang mikro dengan derau-rendah pada ponsel. Sekitar 20% dari galium ini digunakan dalam optoelektronika.

Di seluruh dunia, galium arsenida menghasilkan 95% dari konsumsi galium global tahunan. Jumlahnya mencapai AS$7,5 miliar pada tahun 2016, dengan 53% berasal dari ponsel, 27% dari komunikasi nirkabel, dan sisanya dari aplikasi otomotif, konsumen, serat optik, dan militer. Peningkatan konsumsi GaAs baru-baru ini sebagian besar terkait dengan munculnya ponsel pintar 3G dan 4G, yang menggunakan GaAs 10 kali lebih banyak daripada model lama.

Galium arsenida dan galium nitrida juga dapat ditemukan di berbagai perangkat optoelektronik yang memiliki pangsa pasar sebesar AS$15,3 miliar pada tahun 2015 dan AS$18,5 miliar pada tahun 2016. Aluminium galium arsenida (AlGaAs) digunakan dalam dioda laser inframerah berdaya tinggi. Semikonduktor galium nitrida dan indium galium nitrida digunakan dalam perangkat optoelektronik biru dan ungu, kebanyakan dioda laser dan dioda pemancar cahaya. Misalnya, laser dioda galium nitrida 405 nm digunakan sebagai sumber cahaya ungu untuk cakram data padat Cakram Blu-ray berkepadatan lebih tinggi.

Aplikasi utama lain dari galium nitrida adalah transmisi televisi kabel, infrastruktur nirkabel komersial, elektronika daya, dan satelit. Pasar perangkat frekuensi radio GaN sendiri diperkirakan mencapai AS$370 juta pada tahun 2016 dan AS$420 juta pada tahun 2016.

Sel fotovoltaik multisambungan, yang dikembangkan untuk aplikasi daya satelit, dibuat dengan epitaksi berkas molekuler atau epitaksi fase-uap metalorganik dari film tipis galium arsenida, indium galium fosfida, atau indium galium arsenida. Mars Exploration Rover dan beberapa satelit menggunakan galium arsenida sambungan tripel pada sel germanium. Galium juga merupakan komponen dalam senyawa fotovoltaik (seperti tembaga indium galium selenium sulfida ) yang digunakan dalam panel surya sebagai alternatif hemat biaya untuk silikon kristalin.