Tolong jelaskan mengenai 3. Pemanasan wafer dari Fotolitografi

Soft bake atau pemanasan awal permukaan wafer yang telah dilapisi photoresist akan menguapkan pelarut dari photoresist.

Penyinaran wafer dapat dilakukan dengan cara:

- Contact printing: meletakkan mask secara langsung di atas wafer

- Proximity printing: meletakkan mask sedikit di atas wafer

- Projection printing: memproyeksikan mask ke wafer menggunakan lensa atau cermin

5. Pemanasan pasca penyinaran (Post Exposure Bake/PEB)

PEB akan mengurangi gelombang berdiri pada photoresist. Jika PEB tidak dilakukan, maka profil dari photoresist akan bergelombang.

Photoresist akan menjadi asam jika terpancar cahaya (photoresist positif) dan sebaliknya pada photoresist negatif. Untuk menghilangkan photoresist yang menjadi asam, digunakan larutan basa seperti NaOH. Wafer diputar dan pada saat yang sama wafer disemprot dengan NaOH.

7. Pemanasan akhir (post bake)

Dilakukan untuk mengeraskan photoresist yang tersisa sehingga mengeras dan kuat menahan proses selanjutnya seperti etsa (etching) atau implantasi.

8. Membentuk pola dari mask

Proses membentuk pola dari mask dapat berupa penambahan (pengendapan/deposition), pengurangan (etsa/etching), dan pencampuran komponen (impurity).