Jelaskan Penemuan dari MOSFET

Pada akhir 1950-an, Mohamed M. Atalla sedang mengurus masalah permukaan keadaan di Bell Labs. Dia menemukan pekerjaan Frosch mengenai oksidasi, berusaha mempasivasi permukaan silikon melalui pembentukan lapisan oksida di atasnya. Dia berpikir bahwa menumbukan secara termal SO2 berkualitas tinggi yang sangat tipis di atas wafer silikon yang bersih akan menetralkan keadaan permukaan sehingga transistor efek-medan dapat bekerja secara praktis. Dia menuliskan penemuannya dalam memonya pada tahun 1957, sebelum mempresentasikannya di sebuah pertemuan Electrochemical Society pada tahun 1958. Ini merupakan perkembangan penting yang memungkinkan teknologi MOS dan cip sirkuit terpadu (IC) silikon. Pada tahun berikutnya, John L. Moll menjelaskan kapasitor MOS di Universitas Stanford. Rekan kerja Atalla, J.R. Ligenza dan W.G. Spitzer, yang mempelajari mekanisme oksida yang ditumbuhkan secara termal, berhasil memfabrikasi sebuah tumpukan Si/SiO2 berkualitas tinggi, dengan Atalla dan Kahng menggunakan penemuan mereka untuk membantu membuat MOSFET yang pertama.

MOSFET diciptakan oleh Mohamed Atalla dan Dawon Kahng di Bell Labs, di mana mereka berhasil memfabrikasi perangkat MOSFET pertama pada November 1959. Perangkat tersebut dicakup oleh dua paten, masing-masing diajukan secara terpisah oleh Atalla dan Kahng pada Maret 1960. Mereka menerbitkan hasil mereka pada Juni 1960, di Solid-State Device Conference yang digelar di Universitas Carnegie Mellon. Pada tahun yang sama, Atalla mengusulkan agar MOSFET digunakan untuk membuat cip sirkuit terpadu MOS (MOS IC), dengan alasan mudahnya fabrikasi MOSFET.