Jabarkan Panas: Thermal CVD dari Pengendapan uap kimia

Plasma: Plasma Enhanced CVD (PECVD)

CVD digunakan dalam berbagai cara. Proses ini umumnya berbeda dalam cara dimana reaksi kimia dimulai.

CVD tekanan atmosfer (APCVD) – CVD pada tekanan atmosfer.

CVD Tekanan Rendah (LPCVD) – CVD pada tekanan sub-atmosfer. Pengurangan tekanan cenderung mengurangi reaksi fase gas yang tidak diinginkan dan meningkatkan keseragaman film di seluruh wafer.

Ultrahigh vacuum CVD (UHVCVD) – CVD pada tekanan sangat rendah, biasanya di bawah 10−6 Pa (≈ 10−8 torr).

CVD sub-atmosfer (SACVD) – CVD pada tekanan sub-atmosfer. Menggunakan tetraetil ortosilikat (TEOS) dan ozon untuk mengisi struktur Si rasio aspek tinggi dengan silikon dioksida (SiO2).