Gw mau tau , dari MOSFET

dimana ID0 = arus pada  dan faktor landaian n didapat dari

dengan  = kapasitansi dari lapisan pemiskinan dan  = kapasitansi dari lapisan oksida.

Beberapa sirkuit daya-mikro didesain untuk mengambil keuntungan dari bocoran praambang. Dengan menggunakan daerah inversi-lemah, MOSFET pada sirkuit tersebut memberikan perbandingan transkonduktansi terhadap arus yang tertinggi (), hampir seperti transistor dwikutub. Sayangnya lebar-jalur rendah dikarenakan arus penggerak yang rendah.