Jabarkan Teknik produksi dari Transistor sambungan dwikutub

Berbagai motoda untuk memproduksi transistor pertemuan dwikutub telah dikembangkan.

Transistor pertemuan tumbuh, teknik pertama untuk memproduksi transistor pertemuan dwikutub. Diciptakan oleh William Shockley di Bell Labs pada 23 Juni 1948. Hak paten didapatkan pada 26 Juni 1948.

Transistor pertemuan, butiran paduan emitor dan kolektor dilelehkan ke basis. Dikembangkan oleh General Electric dan RCA in 1951.

Transistor paduan mikro, tipe kecepatan tinggi dari transistor pertemuan paduan. Dikembangkan oleh Philco.

Transistor paduan mikro terdifusi, tipe kecepatan tinggi dari transistor pertemuan paduan. Dikembangkan oleh Philco.

Transistor paduan terdifusi tonggak, tipe kecepatan tinggi dari transistor pertemuan paduan. Dikembangkan oleh Philips.

Transistor tetroda, varian kecepatan tinggi dari transistor pertemuan tumbuh atau transistor pertemuan paduan dengan dua sambungan ke basis.

Transistor penghalang permukaan, transistor penghalang logam kecepatan tinggi. Dikembangkan oleh Philco in 1953.

Transistor medan-alir, transistor pertemuan dwikutub kecepatan tinggi. Diciptakan oleh Herbert Kroemer di Central Bureau of Telecommunications Technology of the German Postal Service pada tahun 1953.

Transistor difusi, transistor pertemuan dwikutub tipe modern. Prototip dikembangkan di Bell Labs pada tahun 1954.

Transistor basis terdifusi, implementasi pertama dari transistor difusi.

Transistor Mesa, dikembangkan oleh Texas Instruments pada tahun 1957.

Transistor planar, teknik produksi yang memungkinkan produksi sirkuit terpadu monolitik secara massal. Dikembangkan oleh Dr. Jean Hoerni di Fairchild Semiconductor pada tahun 1959.

Transistor epitaksial, transistor pertemuan dwikutub yang dibuat menggunakan deposisi fase uap epitaksi. Memungkinkan pengendalian tingkat pengotoran dan gradien secara teliti.