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Nachfolgend wird auf den Bereichen der Passivierungsschicht (22), auf denen die strukturierte Metallisierung (30) gebildet werden soll, ein aktiviertes Dielektrikum (28) erzeugt.
An activated dielectric (28) is then produced on the areas of the passivation layer (22) where the structured metallization (30) is to be formed.

Das untere Ende der Kammer wird durch einen gasdurchlässigen Rost (4) gebildet.
The lower end of the chamber is formed by a gas-permeable grille (4).

Zeitintensive Zugriffe auf den Flachspeicher werden dadurch vermieden.

Time-intensive access to the flash memory is thus avoided.