In this task, you need to Translate Czech text to English.
--------
Question: Motor je opatren horní nábehovou hranou (8), dolní nábehovou hranou (9) a dvema bocními nábehovými hranami (19). Motor (2) je osazen rotorem se 4 až 8 krídly (3) pevne spojeným s hrídelí (18) s ložisky a osazeným v pevném rámu (1), na kterém je pevne uchycen kryt (4) krídel sloužící jako pracovní cást motoru (2) uzavrená dvemi bocními stenami (10) kruhového tvaru. S rámem (1) je dále pevne spojený spodní kryt (5) proti odporu vetru krídel (3). Vetrná krídla (3) jsou na koncích prohnuta proti smeru otácení. Motor (2) je uchycen otocným cepem (13) mezi rámem (1) motoru (2) s držákem (14) motoru (2), pricemž je tento zatížen závažím (15). K rámu (1) je pripevnen držák (11) smerového kormidla a smerové kormidlo (12). Na konci hrídele (18) je osazena remenice (24), nebo prevodovka.

Answer: The motor is provided with an upper leading edge (8), a lower leading edge (9) and two lateral leading edges (19). The engine (2) is fitted with a rotor with 4 to 8 wings (3) firmly connected to the shaft (18) with bearings and mounted in a fixed frame (1), on which the wing cover (4) serving as a working part of the engine (2 ) closed by two circular side walls (10). Furthermore, the lower cover (5) is firmly connected to the frame (1) against the wind resistance of the wings (3). The wind wings (3) are bent at the ends against the direction of rotation. The motor (2) is fixed by a pivot pin (13) between the frame (1) of the motor (2) with the motor holder (14) (2), with the weight (15) being loaded. A rudder support (11) and a rudder (12) are attached to the frame (1). A pulley (24) or a gearbox is mounted on the shaft end (18).


Question: Dopravníkový zakladač je určen pro dopravu  a zakládání vyrubaného prostoru za mechanizovanou  výztuží při dobývání ploáe  uložených uhelných elojí se základkou.  Dopravníkový zakladač saetévá z dopravníkové  hřeblové tratě, odkloněné dovrchně  od roviny počvy, a jednotlivými hřebly  odklopenými ve směru shozu základkového  materiálu. Na trati dopravníkového za-  „ kledače jsou umístěny opěrné aktivační  čepy.

Answer: The conveyor stacker is designed for transport  and setting up excavated space behind mechanized  reinforcement during the mining of the plateau  deposited coal mines with a base.  The conveyor stacker is conveyorized  comb tracks, diverted upwards  from the plane of the ears, and the individual nails  folded in the direction of the base shoza  material. On the conveyor line  “The spacers are placed by the support activation  pins.


Question: Polovodicová soucástka je tvorena kruhovou destickou z monokrystalického polovodicového materiálu obsahující vrstvu (3) výchozího polovodicového materiálu, ke které priléhá z jedné strany první krajní polovodicová vrstva (4) opacného typu vodivosti. V ní je vytvorena první oblast (4a) s koncentrací aktivních prímesí vetší než 10.sup.17.n. cm.sup.-3.n. sahající do hloubky nejméne 40 .mi.m pod povrch, kterým první krajní polovodicová vrstva (4) priléhá k první elektrode (1) soucástky. Vrstvy (3) a (4) tvorí PN prechod. Z druhé strany priléhá k vrstve (3) výchozího polovodicového materiálu druhá krajní polovodicová vrstva (5) stejného typu vodivosti jako vrstva (3) výchozího polovodicového materiálu. V ní je vytvorena první oblast (5a) s koncentrací aktivních prímesí vetší než 10.sup.17.n. cm.sup.-3.n. sahající do hloubky nejméne 40 .mi.m pod povrch, kterým druhá krajní polovodicová vrstva (5) priléhá k druhé elektrode (2) soucástky. Soucet tlouštky krajních polovodicových vrstev (4) a (5) je vetší než polovina celkové tlouštky kruhové desticky monokrystalického polovodicového materiálu.

Answer:
The semiconductor component is comprised of a monocrystalline semiconductor material annular plate comprising a starting semiconductor material layer (3) to which the first outer semiconductor layer (4) of opposite conductivity type rests on one side. In it, the first region (4a) is formed with a concentration of active impurities greater than 10.sup.17.n. cm.sup.-3.n. extending to a depth of at least 40 microns below the surface through which the first outer semiconductor layer (4) abuts the first electrode (1) of the component. The layers (3) and (4) form the PN transition. On the other hand, the second semiconductor layer (5) of the same conductivity type as the starting semiconductor material layer (3) is adjacent to the starting semiconductor material layer (3). In it, the first region (5a) is formed with a concentration of active impurities greater than 10.sup.17.n. cm.sup.-3.n. extending to a depth of at least 40 microns below the surface through which the second outer semiconductor layer (5) abuts the second electrode (2) of the component. The sum of the thicknesses of the outer semiconductor layers (4) and (5) is greater than half of the total thickness of the annular, monocrystalline semiconductor material.