In this task, you need to Translate Czech text to English.

[EX Q]: Kuchynský strojek s váhou obsahuje alespon zpracovací ústrojí s nádobou na zpracovávaný materiál a vážící zarízení, pricemž nádoba na zpracovávaný materiál je provedena jako vážící mísa (11), která je stále nebo volitelne oprena o alespon jeden vážící snímac (12), uložený v kuchynském strojku (10).
[EX A]: The kitchen appliance includes at least a processing device with a material container and a weighing device, wherein the material container is designed as a weighing pan (11) which is still or optionally supported on at least one weighing sensor (12) housed in a kitchen appliance (10).

[EX Q]: Koapozlcla pre povrstvenle textilii  s nu tavltetnýal reolog!cký·I vlastnosta1»  I a regulovate(nýa režlaoa xuíenla, ktoré  haotnostne na 100 dlelov polyaérnej  zložky obsahuje 1 až 70 dlelov aktívnej  zložky, ktori je koablněclou 1,2- propéndlolu  a/alebo 1,3- propéndollu a alualnos1l1kétu  typu Al^Oj.ASIO^.óH^O natrlflkovaného  5 až 12 X haot. bezvodého Na^COj,  v haotnostnoa poaere 1:10 až 10:1.
[EX A]: Koapozlcla pre povrstvenle textilie  s nu tavltetnýal rheologist!  I and the regulator (and the director who is  haotnostne per 100 dlla polya  the component contains 1 to 70 active ingredients  a component which is a 1,2-propenol  and / or 1,3-propenol and alualosilicate  of type Al 2 O 3 .ASO 4 .H 2 O 4 O 4 O 4  5 to 12 X haot. anhydrous Na ^ CO3,  at 1:10 to 10: 1.

[EX Q]: fiešení se týká způsobu výroby PN  přechodu v křemíkových deskách zvláště  pak vrstvy vodivosti typu P pod emitorem  N+ difúzí ve vakuované křemenné ampuli,  pomocí difuzantu jmenovité vodivosti a  typu. Jedná se o proces, při kterém se  využívá Si prášek dotovaný na požadovanou  úroveň nečistot.  Zdrojem difuzantu je práškový křemík  jmenovité zrnitosti 60 až 500 mesch, který  se naleguje některou ze známých legur,  například galiem, borem nebo fosforem při  teplotě 900 až 1230 °C na povrchovou koncentraci  1.101? až 1.1021 atomů/cm3.
[EX A]:
the solution relates to a method of manufacturing PN  transition in silicon wafers in particular  then a P-type conductivity layer under the emitter  N + by diffusion in a vacuum quartz ampoule  by means of the nominal conductivity diffuser a  type. It is a process in which to  it uses Si powder doped to the desired  impurity level.  The source of the diffuser is silicon powder  a nominal grain size of 60 to 500 mesch, which  it is mounted on one of the well-known leggings,  for example with gallium, boron or phosphorus at  at 900 to 1230 ° C to surface concentration  1.101? up to 1.1021 atoms / cm 3.