In this task, you need to Translate Czech text to English.

Digitální signál v bipolérníni kódu  přicházející z vedení je převeden na  signál v unipolárním kódu s úrovní TTL.  Koincidencí signálů z prvního a druhého  vstupu hradla (B3) vzniknou ne jeho  výstupu úzké impulsy s úrovní log 0,  které přes oddělovací druhý odpor (R2)  budí rezonanční obvod tvořený druhým  kondenzátorem (02) a primárním vinutím  transformátoru (Tr). Změnou pátého odporu  (R5) v odporovém děliči se mění střída  obnoveného taktovacího signálu. Sekundární  vinutí transormátoru (Tr), třetí odpor  (R3) ε laditelný kondenzátor (C3) tvoří  fézovací článek pro jemné nastavení  optimální fáze obnoveného taktovacího  signálu. Otočení fáze se provádí přepnutím  přepínače (P).
Digital signal in bipolar code  coming from the line is converted to  signal in unipolar code with TTL level.  Coincidence of first and second signals  the gate entry (B3) is not its  output pulses with log 0,  which, through the separating second resistor (R2)  excites the resonant circuit formed by the other  condenser (02) and primary winding  transformer (Tr). Changing the fifth resistance  (R5) in the resistor divider changes the duty cycle  the reset signal. Secondary  transormator winding (Tr), third resistor  (R3) ε tunable capacitor (C3) forms  phasing element for fine adjustment  the optimal phase of the restored clock  signal. The phase is rotated by switching  switch (P).

Vynález se týká upínecího zařízení na  aretaci palet a jiných součástí, kde se paleta  fixuje na pevnou podložku. Vynález nově  řeší fixační prvky, u nichž je spojena konstrukční  jednoduchost s dobrou účinností.  Dva protilehlý, konstrukčně rozdílné fixační  prvky tvoří vynález, jehož podstata spočívá  v tom, že jeden fixační prvek tvoří klín a  druhým je kladka, uchycené čepem v čelisti,  přičemž v čelisti je vytvořen úkos, o nějž  se opírá kladka.
BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to a clamping device for use in the art  arresting pallets and other components where the pallet is  fixes on a solid support. New invention  it solves fixation elements, where the structural elements are connected  simplicity with good efficiency.  Two opposite, structurally different fixation  elements are the invention, the essence of which rests  in that one fixing element forms a wedge and  the other is a pulley, fixed by a pin in the jaw,  wherein a bevel is formed in the jaw about which  the pulley rests.

Vícevrstvá polovodicová epitaxní struktura s InAs/GaAs kvantovými teckami a GaAsSb krycí a pnutí redukující vrstvou zachovávající heteroprechod I. typu mezi InAs kvantovou teckou a GaAsSb vrstvou a umoznující emisi elektroluminiscencí na telekomunikacní vlnové délce 1300 nm. Zachování heteroprechodu I. typu pro tyto vlnové délky je dosazeno gradovaným slozením GaAs.sub.1-x.n.Sb.sub.x.n.vrstvy tak, aby ve GaAsSb vrstve byla nizsí koncentrace Sb (x=0,03-0,09) bezprostredne u kvantových tecek, (címz je zabezpecena dostatecná bariéra pro díry v InAs kvantových teckách a jejich lokalizace v kvantových teckách), ve smeru epitaxního rustu koncentrace antimonu v GaAsSb vzrustá k maximální koncentraci, která se pohybuje v rozmezí x=0,15-0,30. (Tím je dosazeno potrebné snízení pnutí uvnitr kvantových tecek a prodlouzení emitované vlnové délky). Strukturu lze realizovat se spojitou zmenou koncentrace antimonu nebo stupnovite pomocí dvou a více vrstev.

Multilayer semiconductor epitaxial structure with InAs / GaAs quantum dots and GaAsSb opaque and stress reducing layer retaining type I heteroprevention between InAs quantum dot and GaAsSb layer and allowing the emission of electroluminescence at 1300 nm telecommunication wavelength. The preservation of the type I heteroproduct for these wavelengths is achieved by the graded composition of GaAs.sub.1-xnSb.sub.xn layer so that in the GaAsSb layer there is a lower concentration of Sb (x = 0.03-0.09) immediately in the quantum tecek, (thus providing a sufficient barrier for holes in InAs quantum dots and their localization in quantum dots), in the direction of epitaxial growth of antimony concentration in GaAsSb rises to a maximum concentration ranging from x = 0.15-0.30. (This provides the necessary stress reduction within the quantum dots and the length of the emitted wavelength). The structure can be realized with a continual change in antimony concentration or gradation using two or more layers.