In this task, you need to Translate Czech text to English.

Input: Consider Input: Cílem řešení je zjednodušit zapojení  při potřebě malého množství součástek a  při menším požadavku qa přesnost polohy  signálu, který řídí kódování missingu při  kódování dat způsobem MFM, přičemž vnitřního  posuvného registru je použito i pro  kompenzace. Uvedeného cíle se dosáhne zapojenímvs  posuvným registrem a hradlovým  polem. Řešení lze použít v diskových pamětech,  zejména v diskových pamětech s  pružnými disky.

Output: The solution is to simplify engagement  if you need a small amount of components and  with less requirement for q and position accuracy  a signal that controls missing coding  coding the data by the MFM method, while internal  The shift register is also used for  compensation. The stated goal is achieved by engaging vs  shift register and gate  polem. The solution can be used in disk memories  especially in disk memories with  flexible discs.


Input: Consider Input: Řeěení ee týká křemíkového terčíku pro  elektronky typu vidikon ee soustavou avětlocltlivých  diod, vytvořenou na základním monokrystalickém  křemíku typu N a opatřeného  povrchovou svodovou vrstvou. Účelem řeěení je takové uspořádání  povrchové svodové vrstvy, které by umoSnilo  přesnější geometrii jejího rozčlenění a možnost  spolehlivější reprodukce při výrobě.  Uvedeného učelu ee dosáhne tím, že křemíkový  terčík podle vynálezu má na svém povrchu  ze atrany diod mříž, oddělující geometricky  každou diodu od ostatních, přičemž tato mříž  je ee stran podleptáne tak, ae povrchová  svodová vratva nanesená na celou ploehu terčíku  tvoří nad každou diodou ostrůvek, od  Okolí elektricky odizolovaný. Mříž může být  například z kysličníku křemičitého, z amorfního  nobo polykryetolického křemíku nebo  z borsilikátového skla. S

Output: Solution ee refers to the silicon target for  vidikon ee vacuum tubes with a system of viscous  diodes, formed on the basic monocrystalline  of type N silicon and coated  surface leakage layer. The purpose of the solution is such an arrangement  surface leakage layer that would allow  more precise geometry of its division and possibility  more reliable reproduction in production.  The aforementioned ee objective is achieved by having silicon  the target according to the invention has on its surface  from an atrane diode lattice separating geometrically  each diode from the other, taking this lattice  the ee of the sides is questioned, and it is superficial  leakage return applied to the entire surface of the target  forms an island above each diode, from  Surroundings electrically insulated. The grille can be  for example, silica, amorphous  or polycrystalline silicon or  of borsilicate glass. WITH


Input: Consider Input: Sulfonimidamidy obecn ho vzorce I, ve kter m alespo  jeden ze t°  substituent  R/1/, R/2/ a R/3/ je benzoylguanidin, vynikaj c  jako l  iva s · inkem na srdce a ob hov² syst m, nap° klad jako antiarytmick  prost°edky s kardioprotektivn  slo kou, k l  en  ischemicky vyvolan²ch po kozen  a tak  p°i opera n ch z kroc ch jako nap° klad p°i transplantaci org n .\


Output: In the present invention there are disclosed sulfonimidamides of the general formula I in which at least one of the three substituents R/1/, R/2/ and R/3/ is benzoylguanidine. These compounds are excellent medicaments exhibiting activity on heart and blood circulation system, for example as antiarrhythmic agents containing cardiovascular component and intended for treating ischemic induced lesions and also when carrying out operations, for example when transplanting organs.