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Q: Nachfolgend wird auf den Bereichen der Passivierungsschicht (22), auf denen die strukturierte Metallisierung (30) gebildet werden soll, ein aktiviertes Dielektrikum (28) erzeugt.

A: An activated dielectric (28) is then produced on the areas of the passivation layer (22) where the structured metallization (30) is to be formed.
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Q: Der Konuswinkel (α) der Wand des Diffusors (8) in Bezug zu der zentralen Strömungsrichtung des Blutes in dem Transplantat (1', 1'', 1''') ist vorzugsweise 6° bis 7°.

A: The cone angle (α) of the wall of the diffuser (8) with respect to the central flow direction of the blood in the transplant (1', 1'', 1''') is preferably 6° to 7°.
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Q: Der Endstufentransistor (14) wird mittels eines impulsbreitenmodulierten Steuersignals (DF 1 ) angesteuert.

A:
The derived signal describes the duty cycle of the pulse width modulated signal.
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