In this task, you need to Translate Czech text to English.
--------
Question: Účelem zapojení je snížit jednoduchým  způsobem výkonovou ztrátu na regulačních  pracech stabilizátoru tak, aby bylo zcela  odstraněno rušení a byla poskytnuta možnost  nastaví různé doby sepnutí.  Uvedeného účelu se dosáhne spínáním  tyristorů v řízeném -můstkovém usměrňovači  v době, kdy je spínané napětí v nule, což  je realizováno pomocí startovacích impulzů  monostabilního klopného obvodu, odvozených  od průchodu nulou spínaného napětí a vypínáním  pomocí blokovacího vstupu monostabilního  klopného obvodu.  Zapojení může být použito všude tam,  kde je potřebné srážet střídavé napětí  na nižší hodnotu při velkých proudech.

Answer: The purpose of engagement is to reduce it by simple  in the manner of power loss on the regulating  stabilizer work to make it completely  interference has been eliminated and an option has been given  sets different switching times.  This purpose is achieved by switching  thyristors in a controlled bridge bridge rectifier  at a time when the switched voltage is zero, which  it is realized by starting pulses  monostable flip-flop, derived  from zero-voltage switching to switching-off  using a monostable blocking input  flip-flop.  Wiring can be used everywhere  where it is necessary to precipitate alternating voltage  to a lower value at high currents.


Question: Řešení se týká indukčního ohřívacího  zařízení, zejména pro kovárenský ohřev tenkých  prstenců. Podle řešení je k horní části  rámu stroje kyvně připojen dvojčinný silový  válec, k jehož pístnicí je připevněn ozub,  vybavený vodítkem, pohybujícím se v drážce  držáku, který· je připevněn k přední straně  silového válce a je vybaven ve své spodní  části nabíracím členem.

Answer: The solution relates to an induction heater  equipment, especially for thin-walled forging  rings. The solution is to the top  of the machine frame pivotally connected double-acting force  a cylinder to which a barb is attached,  equipped with a guide moving in the groove  holder that is attached to the front  power cylinder and is equipped in its bottom  by a loading member.


Question: Zpusob výroby izolovaných skupin mikroskopických kremíkových krystalu v tenké vrstve amorfního kremíku nanesené na kovové podložce probíhá za pomoci procesu krystalizace z pevné fáze indukované kovema podporené elektrickým polem (FE-MISPC). Tento zpusob je charakteristický tím, že se na vrstvu amorfního kremíku priloží nejméne jeden zahrocený kontakt z elektricky vodivého materiálu, nacež se indukuje pruchod elektrického proudu mezi tímto kontaktem a kovovou podložkou. Pritom se reguluje úroven procházejícího proudu a dávkování elektrické energie do vzorku. Takto lze dosáhnout kremíkových krystalu i menších než 100 nm, a to i pri bežné pokojové teplote.

Answer:
The method of producing isolated groups of microscopic silicon crystals in a thin layer of amorphous silicon deposited on a metal support is accomplished by a solid-phase-induced crystallization process supported by an electric field (FE-MISPC). This process is characterized in that at least one pointed contact of the electrically conductive material is applied to the layer of amorphous silicon, thereby causing the electrical current to flow between the contact and the metal substrate. In doing so, the current flow rate and the electric energy dosing into the sample are regulated. Thus silicon crystals of less than 100 nm can be achieved, even at room temperature.