TASK DEFINITION: In this task, you need to Translate Czech text to English.
PROBLEM: Řešení se týká konstrukce čerpadla  pro bezztrátová dávkování kapalin. Čerpadlo  zaručuje dosažení minimálního rozmytí  zóny nadávkovaného vzorku a úplná využití  vzorku. Podstatou pístového čerpadla je  konstrukce dvojcestného rotačního ventilu  s rotorem a statorem, který uzavírá  dutinu komory pístu, přičemž píst s těsněním  v jedné krajní poloze dosedá po ee-'  lé ploše na plochu statoru. Pístové čerpadlo  může být použito v preparativní kapalinové  chromatografií při přípravě čistých  látek, zvláště toxickýoh a radioaktivních  a k dávkování toxických a radioaktivních  plynů.

SOLUTION: The solution relates to the construction of the pump  for lossless dosing of liquids. Pump  guarantees a minimum wash  the sample sample zone and full recovery  sample. The essence of the piston pump is  two-way rotary valve construction  with the rotor and stator it closes  piston chamber cavity, with piston with seal  in one extreme position abuts ee- '  area on the stator surface. Piston pump  can be used in preparative liquid  chromatography in the preparation of pure  substances, in particular toxic and radioactive  and for toxic and radioactive dosages  gases.

PROBLEM: Předmětem navrhovaného patentuje metoda přípravy  tenkých vrstev (2) „černého“ hliníku pomocí vakuové  techniky magnetronového naprašování, využití povlaku  (4) s vrstvou (3) drahého kovu pro ochranu a vylepšení  vlastností těchto vrstev a aplikace tohoto povlaku pro  tepelně absorpční pokrytí anod. Pro přípravu vrstev (2) je  využit jako zdrojový materiál terč čistého hliníku a  modifikace vlastností vrstev (3) je dosaženo vhodnou  kombinací depozičních podmínek. Vrstvy (2) černého  hliníku vykazují díky specifické nanostruktuře povrchu  vynikající absorpční vlastnosti v ultrafialové (UV),  viditelné a infračervené oblasti spektra  elektromagnetického záření. Zvolená metoda umožňuje  efektivně a levně připravovat tyto vrstvy na různé  substráty (např. sklo, ocel) a je vhodná i pro pokrývání velkých ploch. Překrytí vrstvy (2) „černého“ hliníku  tenkou vrstvou (3) drahého kovu umožňuje další  vylepšení zmiňovaných vlastností a navíc poskytuje její  ochranu.

SOLUTION: The object of the proposed patented method of preparation  thin layers (2) of "black" aluminum by vacuum  magnetron sputtering techniques, coating application  (4) with a precious metal layer (3) for protection and improvement  properties of these layers and the application of this coating to  heat absorbing anode coverage. For the preparation of layers (2) is  used as source material of pure aluminum target and  modifying the properties of the layers (3) is appropriate  combination of deposition conditions. Black Layers (2)  aluminum surface due to the specific nanostructure  excellent ultraviolet (UV) absorption properties  visible and infrared spectra  electromagnetic radiation. The chosen method allows  effectively and cheaply prepare these layers for different  substrates (eg glass, steel) and is also suitable for covering large areas. Overlaying layer (2) of "black" aluminum  a thin layer (3) of precious metal allows another  enhancement of the above-mentioned features and, moreover, provides its features  protection.

PROBLEM: Řešení se týká způsobu výroby vysokoohmové  vrstvy na nízkoohmovém polovodičovém  substrátu u polovodičových součástek.  Polovodičový substrát dotovaný mělkou příměsí  s rozdělovacím koeficientem menším  než IO“* např. indiem nebo vizmutem se v  definované atmosféře zahřeje na povrchu  pulsním zdrojem záření, tvořeným například  laserem CO2, neodymovým laserem YAG  nebo xenonovou výbojkou, na teplotu vyšší  než js teplota taní polovodičového  substrátu. Energie pulsu dodávaná povr- ?  chové vrstvě je v rozmezí 10 až 200 J/cm ,  délka pulsu 5 až 500 ůs a vlnová délka  záření je maximálně 10 pm.

SOLUTION:
The present invention relates to a process for the production of high ohmic  layers on a low ohmic semiconductor  substrate for semiconductor devices.  Semiconductor substrate doped with shallow admixture  with a partition coefficient smaller  than IO '* eg by indium or bismuth in v  defined atmosphere warms on the surface  a pulsed source of radiation, for example  CO2 laser, neodymium laser YAG  or a xenon lamp, to a higher temperature  than the melting temperature of the semiconductor  substrate. Pulse energy supplied by surface?  layer is between 10 and 200 J / cm,  pulse length from 5 to 500 s and wavelength  radiation is maximum 10 µm.