峴帠嶲壛怽崬

第4回フォトリソグラフィー入門実践講座
レジスト材料およびリソグラフィープロセスの基礎と応用
趣旨 高度情報化社会において必要不可欠である半導体デバイスの発展は、これまでトランジスタや配線の寸法の縮小を実現する微細加工技術、特にフォトリソグラフィー技術の進展によって支えられてきました。当研究会は今年度も引き続き、企業の若手・中堅研究者や大学院生の方々を主な対象としたリソグラフィーのための入門講座を開催致します。
本講座においては、①リソグラフィー技術の基礎と歴史、②レジストの分子設計や発展の歴史、反応・物性の基礎、ならびに③プロセス条件の実際、物性の解析・評価法に関する動向、に関して具体的な実験例・応用例を交えて分かりやすく解説致します。高分子材料や感光剤など、化学に明るくない方々にも分子構造に基づき分かりやすく解説し、リソグラフィープロセスにおけるレジストの機能、パターン形成原理について理解を深めて頂くことを目的としています。
今回もこれまでご好評を頂きました講師の先生方に再び講義をお願い致しました。また、資料は予習をご希望される方のために、事前にご提供致します。
レジスト材料、フォトリソグラフィープロセスの基礎的知識・技術を身に付けたい方は、是非ご参加下さい。
主催 高分子学会　光反応･電子用材料研究会
協賛 応用物理学会　日本化学会
開催日 2010年10月13日　09:50～17:50
開催場所 東京理科大学　森戸記念館　第一フォーラム
新宿区神楽坂4-2-2
Tel：03-5225-1033
交通 JR総武線、地下鉄有楽町線、東西線、南北線飯田橋駅下車　徒歩10分
都営地下鉄　牛込神楽坂駅　徒歩10分
http://www.tus.ac.jp/info/access/kagcamp.html　参照
プログラム 講　演
9:50～10:00 　　開会の挨拶
（東芝）浅川　鋼児
10:00～11:00　　1) リソグラフィー技術の基礎と発展の歴史
（EUVA）岡崎　信次
11:00～12:00　　2) 通常型フォトレジストの基礎と応用
（JSR）鴨志田洋一
13:30～14:30　　3) 化学増幅型レジストの基礎と応用
（日立化成工業）上野　巧
14:30～15:30　　4) レジスト　－分子設計の思想－
（神奈川大工）西久保忠臣
15:45～16:45　　5) リソグラフィープロセスの基礎と実践
（東芝）大西　廉伸
16:45～17:45　　6) リソグラフィーシミュレーションの実際
（リソテックジャパン）関口　淳
17:45～17:50　　閉会の挨拶
（東京理科大工）山下　俊
受付期間 2010年06月18日～2010年10月12日
参加要領 1) 定員 80名
2) 参加費　企業13,650円、大学・官公庁5,250円、学生2,100円
名誉会員・終身会員・フェロー・ゴールド会員・シルバー会員　2,100円
(光反応･電子用材料研究会メンバー　企業10,500円、大学・官公庁4,200円)
3) 申込方法　WEBからお申込後、参加費を10月末日までにご送金ください。
参加証、請求書（希望者のみ）を順次配布いたします。
4)　振込先
銀行振込＜三菱東京UFJ銀行 銀座支店 (普通) 1126232 （社）高分子学会＞
郵便振替＜00110-6-111688　（社）高分子学会＞
振込手数料は振込人にてご負担くださいますようお願いいたします。
※プログラムは予告なく変更になる場合がございます。予めご了承ください。