hpprc/llmjp-kaken huggingface dataset:
毛包・脂腺系における神経ペプチドとS100タンパク質の相互作用の検討

S100遺伝子の配列、毛周期におけるS100遺伝子の発現変動、神経ペプチドsubslance Pとその前駆体ppt-Aおよびneutral endopeptidaseの毛包・脂腺系における蛋白レベルの局在(S100A3,A6との比較)につき検討した。加えて毛母腫におけるS100Aタンパク質の発現についても検討した。1.S100遺伝子の配列(マウス):S100A3遺伝子のゲノム上のマッピングを行うため、S100A3遺伝子を含むBACクローンのサザンブロット解析を行った。S100A3,S100A4およびS100A6プローブをハイブリダイズした結果、これら3つの遺伝子が同一BACクローン上に配列していることが判った。これらの結果に基づき、マウス第3染色体のS100遺伝子クラスターの制限酵素マップを得た。2.毛周期におけるS100遺伝子の発現変動:S100AmRNAに対するアンチセンスRNAプローブを用いて、毛周期におけるmRNA発現レベルにつきノザンブロット解析を行った結果、S100A3の発現は成長期に限局し、S100A4,A6は退行期・休止期・成長期(第1毛周期転換期)にも発現が認められた。3.毛母腫22例におけるS100A2,A4,A6タンパク質の発現につき免疫組織学的に検討し、本皮膚腫瘍の分化傾向につき、正常毛包における発現と比較した。毛母腫の構成細胞は部分的に異なるS100Aタンパク質の発現を示し、毛包形成に関与する分化能を依然有していることが明らかとなった。4.ICRマウス皮膚におけるsubstance Pおよびneutral endopeptidaseの免疫染色を行った結果、substance Pは毛包・脂腺系における発現はみられず、周囲結合織の神経線維に陽性を示した。一方neutral endopeptidaseは一部の毛包の外毛根鞘および脂腺辺縁細胞に陽性所見が認められた。S100A3は毛小皮細胞に強く染まり、毛皮質細胞にも弱い発現がみられた。さらにS100A6は主として内毛根鞘に陽性所見を示した。substance P・neutral endopeptidaseとS100A3,A4,A6各々の二重染色では、毛周期のいずれの時期においても両者の局在に同一性は認められなかった。S100A3,S100A4およびS100A6プロープをハイブリダイズした結果、これら3つの遺伝子が同一BACクローン上に配列していることが判った。2.毛周期におけるS100遺伝子の発現変動:S100AmRNAに対するアンチセンスRNA

プローブを用いて毛周期におけるmRNA発現レベルにつきノザンブロット解析を行った結果、S100A3の発現は成長期に限局し、S100A4,A6は退行期-休止期-成長期(第1毛周期転換期)にも発現が認められた。3.免疫染色:ICRマウス皮膚におけるSPおよびNEPの免疫染色を行った結果、SPは毛包・脂腺系における発現はみられず、周囲の神経線維に陽性を示した。一方NEPは一部の毛包の外毛根鞘および脂腺辺縁細胞に陽性所見が認められた。S100A3は毛小皮細胞に強く染まり、毛皮質細胞にも弱い発現がみられた。さらにS100A6は主として内毛根鞘に陽性所見を示した。SP・NEPとS100A3・A6各々の二重染色では、毛周期のいずれの時期においても両者の局在に同一性は認められなかった。S100遺伝子の配列、毛周期におけるS100遺伝子の発現変動、神経ペプチドsubstance Pとその前駆体ppt-Aおよびnentral endopeptidaseの毛包・脂腺系における蛋白レベルの局在(S100A3,A6との比較)につき検討した。加えて毛母腫におけるS100Aタンパク質の発現についても検討した。1.S100遺伝子の配列(マウス):S100A3遺伝子のゲノム上のマッピングを行うため、S100A3遺伝子を含むBACクローンのサザンブロット解析を行った。S100A3,S100A4およびS100A6プローブをハイブリダイズした結果、これら3つの遺伝子が同一BACクローン上に配列していることが判った。これらの結果に基づき、マウス第3染色体のS100遺伝子クラスターの制限酵素マップを得た。2.毛周期におけるS100遺伝子の発現変動:S100A mRNAに対するアンチセンスRNAプローブを用いて、毛周期におけるmRNA発現レベルにつきノザンブロット解析を行った結果、S100A3の発現は成長期に限局し、S100A4,A6は退行期・休止期・成長期(第1毛周期転換期)にも発現が認められた。3.毛母腫22例におけるS100A2,A4,A6タンパク質の発現につき免疫組織学的に検討し、本皮膚腫瘍の分化傾向につき、正常毛包における発現と比較した。毛母腫の構成細胞は部分的に異なるS100Aタンパク質の発現を示し、毛包形成に関与する分化能を依然有していることが明らかとなった。4.ICRマウス皮膚におけるsubstance Pおよびneutral endopeptidaseの免疫染色を行った結果、substance Pは毛包・脂腺系における発現はみられず、周囲結合織の神経線維に陽性を示した。一方neutral endopeptidaseは一部の毛包の外毛根鞘および脂腺辺縁細胞に陽性所見が認められた。substance P・neutral endopeptidaseとS100A3,A4,A6各々の二重染色では、毛周期のいずれの時期においても両者の局在に同一性は認められなかった。
炎症性腸疾患患者の寛解期維持に寄与する口腔保健管理についての臨床研究

炎症性腸疾患の患者数は増加の一途をたどり、厚生労働省の定める特定疾患(難病)の中で1位となった。急増した理由も根本原因に関しても依然として不明ではあるが、腸管免疫系に大きく影響する腸内細菌叢の「均衡破綻と多様性の消失;dysbiosis」の関与が有力視されている。近年では、腸内細菌叢のdysbiosisに口腔病原細菌の関与を示唆した研究が相次いで報告されており、「口腔細菌叢と腸内細菌叢との連関」に関心が高まっている。以上の背景から、炎症性腸疾患患者への歯科的介入(口腔保健管理)により、口腔・腸内細菌叢に及ぼす影響をメタゲノム解析により検証する。
ナノ表面インテグレート生体機能材料の創製とその生体内外評価

バイオマテリアルに関係するポリマー、セラミックス、金属研究者および医科・歯科関係研究者による医工連携体制を構築して、各分野の研究・開発動向調査および研究会企画を行うことで、ナノ表面インテグレート生体機能材料の創製とその生体内外評価のための新プロジェクトへの準備を進めたが、ポリマーおよびバイオメカニックス研究分野の研究・開発動向調査を充分なものとするために、当初研究分担者の他に両分野での精力的に活躍している研究者の協力も得て成果をまとめた。ポリマー、セラミックス、金属、バイオメカニックスおよび医学・歯学各分野での本企画調査研究主要研究分担者および協力者からの各分野での研究・開発動向に関する報告書、本企画調査研究主要研究分担者および協力者との情報交換および討論から今後展開すべき研究・開発内容に関し検討し次の結論にいたった。すなわち、各異分野研究者間の有機的な強固な連携を保って研究・開発を進めることで、異なる材料間の調和および材料と生体組織との調和を達成できる第5世代バイオマテリアルとも言える新しいバイオマテリアルの創生と学問体系の構築が可能であるとの結論に達した。このような第5世代バイオマテリアルを「ハーモニックバイオマテリアル」と命名し、その創生と学問体系を構築するためのポリマー、セラミックスおよび金属材料研究者、バイオニクス研究者および医学・歯学研究者からなる新たなプロジェクトを推し進めることが急務である。このことにより、これまで欧米に牛耳られてきた医療デバイス製品産業市場へ我が国が広く参入できるようになることが大いに期待される。なお、本企画調査研究を進める中で、第49回日本学術会議材料研究連合講演会(2005年9月15日-16日、京大会館)「インテグレート生体機能材料の創製」、日本金属学会・鉄鋼協会東海支部・関西支部、東海支部若手材料研究会共催学術討論会「若手生体材料研究者が目指す金属とセラミックス、高分子とのインテグレート生体多機能材料」(2006年1月20日、名古屋大学シンポジオンを本企画調査研究分担者が企画・運営しており、多くの発表・参加者を得ている。特に、若手生体材料研究者の参加者の参加が多くその育成が大切であることが明白となった。これらに続き、日本金属学会2006年春季大会(第138回)講演大会(2006年3月21日-23日、早稲田大学)での公募シンポジューム「ハーモニックバイオマテリアル」が開催されることになっており、その企画・運営も本企画調査研究分担者が担当している。
超高純度金属の低温酸化とナノ酸化膜のストイキオメトリー制御

ナノメートルオーダーの酸化膜は、例えばMRAM素子には絶縁膜として、また、ULSIにおいてはMOSFETのゲート絶縁膜として利用されている。ナノレベル酸化膜の安定化と特性制御を行うことは極めて重要と考えられ、そのためには金属の初期酸化機構の解明と、それに立脚したストイキオメトリー制御技術の開発が不可欠である。本研究の目的は、ナノレベル酸化物の特性制御法を確立することにある。まず、初期酸化機構に関する研究では、面方位の異なる、純度99.999%(5N)の銅単結晶および純度2N、4Nおよび6N多結晶を試料として用い、315378Kの温度範囲で0.1MPaの酸素雰囲気中で酸化させ、その進行を分光エリプソメトリーによりその場測定した。その結果、銅の初期酸化は、Cabrera-Motto則に従うこと、さらに、新しい知見として、試料方位および測定温度にかかわらず、酸化膜厚さが25nmを超えると2乗則に従うことを見出し、今後の展開が期待できる状況となった。一方、高純度化したターゲットを用い、イオンビームデポジション(IBD)法で作製したZr膜を200°Cにおいて酸化させることにより、ナノスケール厚さのZrO_2薄膜を作製し、膜の性状と電気特性を評価した。構造・紫外を変化させるために、IBD法による製膜中に負の基板バイアス(-50V)を印加させるとともに、ストイキオメトリー制御の目的で、酸化中にUV光を照射した。電気特性は、白金を電極としたMIMあるいはMOS構造を作製し、C-VおよびI-V測定を行った。結果として、不純物濃度、構造欠陥および固有欠陥濃度の低下により、誘電率の上昇とリーク電流の顕著な減少を観察することができ、酸化膜の特性制御に関する指針を得ることができた。本研究の目的は、ナノレベル酸化物の特性制御に不可欠なストイキオメトリー制御に関する指導指針を得ることにある。平成17年度の研究では、Cu、ZrおよびHfに着目し、高純度ターゲット作製および酸化実験に与える試料組織の影響を調べ、目的達成のための基礎となる知見を得た。以下に、その概要を示す。1)薄膜形成に必要な高純度ターゲット作製を目的として、水素プラズマ溶解によるHfおよびZrの高純度化を試みた。GDMS分析の結果、顕著な精製効果が認められた。2)高純度化されたHfおよびZrターゲットを用い、イオンビームデポジション法により薄膜形成を試み、不純物および膜組織に与える基板バイアスの影響を明らかにした。特に、基板バイアスの印加により膜組織の改善に加え、顕著な不純物濃度の減少が認められ、高純度ターゲットの使用と相俟って、高純度薄膜が作製可能であることが明らかとなった。3)Cu薄膜の自然酸化膜形成に対する膜組織の影響を調べた。製膜時に基板バイアスを-50V印加することで膜組織の著しい改善が認められ、その酸化速度は、ゼロバイアスで作製した時の1/2となり、膜組織が酸化にあたえる影響の大きいことが明らかとなった。

本研究の目的は、ナノレベル酸化物の特性制御に不可欠なストイキオメトリー制御に関する指導指針を得ることにある。平成18年度の研究では、17年度に作製した高純度ターゲットを用い、ZrおよびHfのイオンビームデポジションを行った。Zr薄膜にっいては、本研究の主目的である酸化実験を行い、酸化条件の最適化を行うと共に、18年度主要設備として購入した薄膜電気特性評価装置を用い、誘電特性および電気特性を評価し、金属薄膜形成時の基板バイアスおよび酸化字の紫外線照射の効果を明らかにした。以下に詳細を述べる。1)温度および時間を変え、酸素雰囲気中における薄膜の酸化実験を行い、SEM、EDX、XRDおよびTEMによる評価を行った。その結果、200°Cの低温で単相の酸化膜が得られ、従来の反応性スパッタでは完全な酸化のために700°Cのポストアニールが必要であるが、プロセス温度の大幅な低下を可能にした。2)基板バイアスOVおよび-50Vで作製したZr薄膜を同一条件で酸化した後、誘電率を測定した結果、基板バイアス-50Vで作製した膜の誘電率は大きく、これまでの報告を上回る値を得ることが出来た。このことは、金属薄膜の欠陥の有無が酸化膜の完全性に大きく影響することを示している。3)Pt/ZrO2/Pt/Si構造を作製し、酸化過程における紫外線照射の電気特性に及ぼす影響を調べた。その結果、基板バイアス-50Vで作製し、酸化中に紫外線を照射した揚合に、リーク電流は最も小さくなることを明らかにした。このことから、酸化中の紫外線照射はストイキオメトリーからのずれに起因する欠陥濃度の減少をもたらす可能性を有することを明らかにすることができた。ナノメートルオーダーの酸化膜は、例えばMRAM素子には絶縁膜として、また、ULSIにおいてはMOSFETのゲート絶縁膜として利用されている。ナノレベル酸化膜の安定化と特性制御を行うことは極めて重要と考えられ、そのためには金属の初期酸化構の解明と、それに立脚したストイキオメトリー制御技術の開発が不可欠である。本研究の目的は、ナノレベル酸化物の特性制御法を確立することにある。前年度の研究では、Zr薄膜について酸化実験を行い、酸化条件の最適化を行うと共に、誘電特性および電気特性を評価し、金属薄膜の欠陥のおよび不純物が酸化膜の完全性に大きく影響することを明らかにした。さらに、酸化中の紫外線照射により膜特性が向上し、酸化中に光照射を行うことで、ストイキオメトリーからのずれに起因する欠陥濃度を減少可能であることを明らかにした。19年度の研究では、前年度の研究をHfに拡張し、イオンビームデポジションにより高品位Hf薄膜の作製を可能にした。現在、Hfの酸化実験を行える状況となっている。また、HfおよびZrとは逆に、酸化物がp型半導体となる銅の低温初期酸化に関する研究を、面方位および純度の異なるバルク試料を用いて42-105°Cの温度範囲で行った。その結果として、銅の初期酸化は、Cabrera-Motto則に従うこと、さらに、新しい知見として、試料方位および測定温度にかかわらず、酸化膜厚さが25nmを超えると参加は2乗則に従うことを見出し、今後の展開が期待できる状況となった。
DNAシーケンサ用新規シリコンナノポア形成法の開発

ナノメートルサイズの微細孔(ナノポア)は、近年高性能DNAシーケンサ開発の際に重要な要素として注目されている。本研究では、新規ナノポア形成法を開発することを目的として、化学気相堆積法によりシリコン基板上へシリコンカーバイド薄膜を形成する際に導入される、{111}ファセットのピット形成に着目した。SOI基板裏面に異方性ウェットエッチングを施すことにより、基板の一部を薄膜化した表面にピットを導入することで、数10ナノメートルのナノポアが形成可能であることがわかった。ナノメートルサイズの微細孔であるナノポアは、近年高性能DNAシーケンサ開発の際に重要な要素として注目されている。本研究では、化学気相堆積法(CVD)によるSiC/Si(100)ヘテロエピタキシャル成長の際に導入される{111}ファセットのピット形成を応用した、シリコン半導体ナノボアの新しい形成技術の開発を目的としている。本年度はピットおよびナノボア密度のSiC成長条件依存性およびSOI基板裏面のエッチング加工に関する研究を行った。SiC成長にはパルスジェットCVD装置を用い、高純度モノメチルシランガスジェットをパルス幅100μsとし、周波数および照射数を変化させてSOI(100)基板表面へ照射した。基板温度900°Cにて照射した場合、いずれの条件においてもピットが確認され、密度はおよそ10^8/cm^2であることがわかった。またピット密度はパルス周波数が一定の場合、照射数依存性は見られずほぼ一定となるが、周波数が増加するとポア密度が減少することがわかった。ピット形成は、SiC形成時に基板Si原子の外方拡散によって生じるため、SiC成長初期の核生成密度に依存する。したがってパルス照射条件を変化させることにより核生成密度およびピット密度をコントロール可能であることがわかった。さらにバッファードフッ酸により、ピット先端より埋め込み酸化膜層除去しナノボアを形成した場合、ナノボア密度はおよそ10^6/cm^2となることがわかった。次にSOI基板裏面の表面酸化膜の一部を除去し、水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液にてエッチングした。走査型電子顕微鏡観察より{111}ファセットの異方性エッチングにより、先端付近を数μm数10μm角の領域での薄膜化を確認した。また一部薄膜化したSOI基板表面にSiC成長を行い、数10nmの貫通ナノボアの形成を確認した。ナノメートルサイズの微細孔(ナノボア)は、近年高性能DNAシーケンサ開発の際に重要な要素として注目されている。本研究では、CVD法によるSiC/Si(100)へテロエピタキシャル成長を利用したSOI基板上への新しいナノボア形成法を目指している。本年度は貫通ナノボアの形成ついて、基板裏面の異方性エッチングによる単結晶薄膜Si層の形成と、薄膜Si層上へのピット導入によるナノボア形成を行った。単結晶薄膜Si層の形成には、シリコンナイトライド薄膜を保護層として有するSIMOX(100)および熱酸化膜を形成した貼り合わせSOI(100)基板を用いた。シリコンナイトライド薄膜は、裏面のSi基板をTMAH溶液にてエッチングの途中で除去され、表面Si層がエッチングされることが問題となった。熱酸化膜を0.7μM程度に厚膜化することにより、長時間のエッチングが可能であることがわかった。貼り合わせSOI(100)基板の裏面にパターンニングおよびエッチングを施し、単結晶薄膜Si層を形成した試料について、CVD法により直接ピットを導入する直接的方法とピット導入後に埋め込み酸化膜層をバッファードフッ酸により除去する間接的方法を試みた。いずれの方法にてもピット形成を確認できたが、直接的方法ではポア径が数100nmであり、{111}ファセットが消失することがわかった。一方間接的方法では20nm程度のナノボアが形成されることがわかった。これはSiC成長時に発生する薄膜Si層からのSi原子の外方拡散について、{111}ピットが薄膜層を貫通した後は、直接的方法では外方拡散が継続してボアが粗大化するのに対し、間接的方法では埋め込み酸化膜層が存在するため、外方拡散が抑制されたと考えられる。本研究では、化学気相堆積法によるSiC/Si(100)ヘテロエピタキシャル成長を利用した新しいシリコンナノポア形成法を目指している。本年度はナノポア形成位置制御に関する研究を行った。はじめにSilicon on Insulator (SOI)基板裏面を異方性エッチングにより一部を除去した後、埋め込み酸化膜層を除去し、表面シリコン層のメンブレンを形成した。基板温度900°Cにてモノメチルシランパルスジェットを基板裏面より照射することで、SiC薄膜および{111}ファセットを有するピットを表面シリコン層へ選択的に成長させた。

走査型および透過型電子顕微鏡観察により、ポアは基板裏面にエッチングを施した部分のみに形成されており、基板裏面からのSiC成長によるポア形成位置制御が可能であることがわかった。しかしながら、SOI基板表面からCVD成長を行った際と同様に、ポア径が100nm程度に粗大化することがわかった。これは酸化膜層が存在しない場合、ピット先端が表面シリコン層を貫通した後も外方拡散が継続するためと考えられる。次に表面シリコン層上面の酸化膜を残した状態で、基板裏面および埋め込み酸化膜層をエッチングすることにより、酸化膜付き表面シリコン層のメンブレンを形成した。このSOI基板の裏面よりパルスジェット照射によりSiCおよびピット成長を行った後、表面シリコン層の酸化膜を除去した場合、50nm以下のナノポア形成が可能であることがわかった。以上の結果は、酸化膜によるシリコン原子の外方拡散抑制効果と基板裏面からのCVD成長を組み合わせることで、形成位置制御シリコンナノポアの形成が可能であることを示している。
放射光透過X線を用いた地球深部条件下での融解現象のイメージング

SPring-8において、高温高圧下での金の融解観察を透過X線とCCDカメラを利用しておこなった。圧力は圧力媒体として用いたMgO、NaClおよび試料の金は箔、塊、線状の金を用い、いずれが形態変化を捉え易いかを比較した。また、試料まわりの圧力媒体の材質も変化させ、最も観察し易いものを選択した。X線その場観察をおこなう前に、予備実験として愛媛大学の高圧装置を用い、急冷回収試料の融解に伴う形状変化を光学顕微鏡およびSEMを用いて観察した。透過X線その場観察において、最も融解が検出し易いのは上記のうち線状の試料であった。2次元、3次元のディメンジョンをもつ箔や塊状の試料は高圧セル中の温度勾配の影響を受け易く、融解にともなう形状変化は試料全体が融ける温度近くになって初めて可能であった。これに比べて1次元の線状の試料は、入射放射光に垂直に試料を置くことにより、その融解を瞬時に判断することができた。また、線状の試料の場合電気抵抗の同時測定が可能であり、その変化から融解を見積もることができる。上記のような手法を用いて、金の融解実験を約20GPa程度までの圧力範囲で数点おこない、融解曲線を制約することができた。これによると、金の融点は圧力上昇に伴い大きく上昇し、20GPaでは2000°C近くまで上昇する。このように、X線その場観察による物質の高圧下での融点の決定を試みるという当初の研究目的を達成することができ、更にこのようにして得られたデータと急冷実験の結果とを組み合わせて、研究成果を論文としてまとめつつある。また、同様の手法を用いた銀などの金属の高圧下での融点測定も試みつつある。本年度は放射光透過X線を使用した融解現象の観察のため、以下のような予備的実験をおこなった。1)金および白金の高温高圧下での急冷試料の組織変化観察による融点の決定これらの金属の箔を用いて、1020GPa領域下で融点の変化を圧力の関数として決定することを試みた。この結果融解にともなう箔の形状変化は周囲の媒体にも大きく影響され、NaCl等を使用すると良好な結果が得られることがわかった。このような手法を用いて決定したそれぞれの融点は金は従来の融解曲線とほぼ調和的であったが、白金の融点は大幅に低く、今後のX線その場観察による解明が期待される。2)放射光透過X線を用いた試料部形状変化の観察放射光を用いた上記の金属の融解現象観察の実験は平成13年4月以降のビームタイムで予定されており、それにむけた予備実験として、他の課題のX線その場観察実験においてCCDカメラを用いた試料部の詳細観察をおこない、コントラストの調整等によりどの程度の試料観察が可能かを試験した。これにより、本番の試料部構成等についての重要な情報が得られ、新しい試料部を用いた予備的高温高圧実験をおこなった。
古代の村落における土地利用形態の研究

874(貞観16)年の開聞岳噴火によって埋没した指宿市敷領遺跡の発掘調査により,条理制遺構と考えられる遺構の追求,それに関係すると見られる大畦の具体的な確認と土地利用状況の明確化をめざし,また噴火という災害に直面した古代の人々が噴火災害にどのような行動をとったかを明らかにし,生活誌を復元しようとした。2011年度から3年間にわたって進められてきた調査ではまず集落地の特定を目指したが、2011年度の十町地点では,遺構の検出には至らなかった。2012年度と13年度は,条里制遺構と考えられる大畦の具体的な確認をめざし、大畦の持つ意味と人々の復旧への取り組みを明らかにすることができた。2004年から科学研究費の特定領域研究「我が国の火山噴火罹災地における生活・文化環境の復元」の研究を継続して、指宿市の開聞岳噴火で罹災した敷領遺跡をフィールドとして発掘調査を進めてきた。2011年には2008年・9年に調査した中敷領地点での建物跡の検出に続き、もう1軒の建物跡を求めて敷領遺跡十町地点で発掘をした。発掘調査の実施に当たっては指宿市教育委員会・指宿市立考古博物館時遊館COCCOはしむれの協力を得た。この地点はすでにすぐ近くを指宿市教育委員会によって2008年に試掘が行われて畠の畝跡が検出されるとともに、成川式・土師器など多くの土器片が出土しており、周辺に居住域の存在することの示唆を得ている。我々の調査でも明瞭な遺構は得られなかったものの多量の土器片が出土し、同様の可能性を得たといえる。発掘地点は中世以降の撹乱が広く見られ、当初期待した建物跡は検出できず、遺構としてはわずかに樹木の植えられていたであろうと推測できる箇所があったのみである。また敷領遺跡内の2箇所、十町地点に隣接する空き地(2m×12m)と、敷領団地内の公園用空き地(9m×17m)で鹿児島大学所有の探査機によって地中レーダー探査を実施した。この探査については繰り越し分による経費で実施したが、いずれも明確な遺構は把握できず、前者では平安時代頃には水の流路が想定できる状況、後者は団地造成時の整地作業の確認ができたにとどまった。流路は十町地点の土器片の出土状況とつなげて考えることができるだろう。発掘調査の報告書はあと2回の発掘調査の結果を待ってまとめて作成する予定である。2012年は敷領遺跡下原地点で、レーダー探査でみられていた太い「畦」の確認を試み、以下のことが明らかになった。1ほぼ南北に走る太い「畦」の間は水田としての利用は見られたが畦の西側にはなかった。2西側の太い「畦」の下端外側に凹みの連なりがあり、柵のようなものの存在が想定される。3太い畦の上には噴火によって最初に飛んできたであろう礫の堆積がなく、この「畦」の両側にかたづけられていて、「畦」が火山の噴出物によって埋もれてしまわないように処置が施された可能性がある。4しかしその作業はその後の噴火によって妨げられ、結局「畦」は埋もれてしまった。5太い「畦」は土地の区画を示すものとして重要であって、これが埋まって存在がわからなくなってしまわないように火山灰の除去作業が行われた。畦の上の火山灰を除去した行為は、水田の復旧と言うよりは土地の区画の目印となる畦を明らかにしておくためのものであった。2008年と9年に発掘した中敷領地点における建物跡の周りでは、下原地点の畦の復旧途中で降り出した火山灰も含めて掘り返されている。この建物跡からは須恵器の皿の転用硯、墨書土器が出土しており、建物の使用者がやや特殊な地位にあることを予想させる。地境の目印の畦が埋もれてしまうほどの降灰が収まったあとでもこの建物の周辺の復旧作業は行われた。開聞岳は貞観噴火の11年後の仁和元年にも噴火をしている。「三代実録」巻48仁和元年の条にはこのときの噴火の「薩摩国言」の記録の前に「太宰府言上。管肥前国」の状況を示している。この二つをあわせて仁和元年の開聞岳噴火の影響が肥前国まで及んだとする見解があるが、敷領遺跡のこれまでの発掘地点のどこでも、貞観噴火の紫コラは一定の厚さを持って堆積しているが、仁和の火山灰は明確には認知できない。「薩摩国言」の記事と「太宰府言上。管肥前国」に始まる記事とは別のものとみるべきである。

2013年8月9月にかけて発掘調査をおこなった敷領遺跡下原地点は、前年度の調査ではレーダー探査で現れていた太い「畦」=大畦の確認を行ってこの畦および水田に関する、噴火に罹災した人々の災害への対応を確認した。2013年の調査は南北方向の大畦と東西方向の畦の交差点を3ヶ所発掘した。そのうちの一ヶ所は指宿市教育委員会によって発掘された。大学側の2ヶ所の調査区は5m×5mの大きさで設けた。どちらの区画においても昨年度とは異なる水田や畦の復旧の試みがみられた。土層を観察するとII層の中世の黒色土の下にIII層とした黄褐色土が広く堆積していて、これはこの地方で紫コラと通称している貞観の噴火により堆積した火山灰層に起源し、紫コラを攪拌することによって土壌化した層である。III層の下にV層と示した黄色スコリア層があり、この層は紫コラ層と噴火の際に最初に降ってきた礫層を掘って水田面直上まで見られた。紫コラにまで掘り込んで水田面を復旧させようとした行為の跡もみられ、ところによっては掘りすぎて畦の上面も削ってしまって畦と水田面との区別がなくなっていたところもあった。紫コラ層は非常に固く、現代のツルハシやスコップで上から掘削していくのも困難なほどである。にもかかわらず、これを掘り抜いてまで水田を復旧しようとした意志がここには感じられる。以上のように、敷領遺跡偽威喝していた人々の災害とそれへの対応をより深く知ることができ、またあらためて大畦の意義を確認することで、当時の土地利用における土地の区画の在り方の回目につながる研究ができた。なお繰り越しをした2014年度は主にこれまで3年間分の方向書作成にあてられ、「鹿児島県指宿市敷領遺跡(十町地点・下原地点)の調査」として、2014年10月に刊行した。26年度が最終年度であるため、記入しない。考古学26年度が最終年度であるため、記入しない。874(貞観16)年の開聞岳噴火によって埋没した鹿児島県指宿市・敷領遺跡の発掘調査により、埋没以前の古代地方村落の実態、すなわち生業がどのようなものであったか、また敷領遺跡が揖宿郡衙であり、条里制が施行されていたことを明らかにすることを第1の目的とする。さらに噴火災害に対応して、住民がどのような行動をとったかを明らかにすることを第2の目的とする、として研究を進め、今年度は「第2の目的」について手がけたが、建物跡や生産に関わる遺構は検出できず、また周辺の地中レーダー探査によっても遺構を見つけることができていない。しかし「生活の跡」を想定できる遺物である土器の出土はあるので、これを分析することにより手がかりとして生活の場を考えることを進めていきたい。3ヶ年の研究期間において、一定の広がりを持つ敷領遺跡の範囲内で、指宿市教育委員会と協力しながら居住地域、生産に関わる地域(畑・水田)を明らかにして土地利用形態の解明を試みてきた。その上で居住地域と生産地域との噴火災害に対する復旧活動の違いも見えてきている。2011年度は居住地域の広がりを探るために発掘調査地を選定したが建物跡を見つけられずに不発に終わり、そのためやや研究の遅れを感じていた。市街地における調査のため、発掘調査できる地点を探すことが困難となってきていた。そのために2012年度は、レーダー探査で存在の確認されていた水田の区画を示す畦の確認のための発掘調査を行ったが、その結果、畦には単に水田の区画の畦と土地そのものも区画を示す畦があることがわかり、それらに対する復旧活動の違いまで検討することができた。中敷領地点における建物跡付近の復旧工事の様子とあわせてこの地域の平安時代の人々の噴火災害に対する復旧活動の様子が復元できるようになってきており、単に土地利用形態の解明にとどまらず、災害と復旧の関係へと視野を広げることができている。敷領遺指宿市敷領遺跡の内部における土地利用の大まかな枠組みは、これまでの調査で明らかになった。
低次元量子多体系における相関効果の研究

還移金属化合物におけるスピン・電荷・軌道自由度に起因する現象を理解するするため、動的平均場近似、厳密対角化法、ゆらぎ交換近似などを用いた研究を展開した。1.モット絶縁体における軌道縮退効果:遷移金属酸化物のモット転移に対する軌道縮退の効果について動的平均場近似を用いて調べた。軌道選択型モット転移が実現することを示し、ストロンチウム酸化物でこれが生じている可能性を議論した。2.スピンギャップ相へのホールドープ:スピンギャップをもつ絶縁相である近藤絶縁体と直交ダイマースピン系へのホールドープ効果を調べた。特に量子臨界点近傍でのホールダイナミクスについて詳細な研究を行った。3.フラストレート格子系における電子相関:カゴメ格子上での電子系のフラストレーションと電子相関の関わり合いを、FLEX近似を用いて調べた。フラストレーションによって準粒子形成が安定化されることを明らかにした。4.スピンアイス系のフラストレーション効果:フラストレーション格子の典型例であるガーネット格子でのイジング模型をモンテカルロ法で調べ、大きな残留エントロピーを持つスピンアイス的な状態が実現することを明らかにした。また、双極子相互作用によって新奇な磁気秩序が安定化されることを示した。本研究の目的は、遷移金属酸化物の中で特に低次元相関電子系に焦点をあてて、量子相転移現象の系統的な研究を行うことである。本年度は以下のテーマに関して研究を行った。(1)直交ダイマースピン系:SrCu_2(BO_3)_2は、フラストレーションの強い準2次元の反強磁性ハイゼンベルク模型で記述される。この模型に従来から知られていた相以外に新たなスピンギャップ相が存在する可能性をクラスター展開の方法で示した。さらに、3次元性の効果も取り入れて量子相転移を議論した。(2)パイロクロア格子系:パイロクロア構造を持つ遷移金属化合物の中で特にフラストレーション効果の大きいY(Sc)Mn_2に関するスピン励起をクラスター展開を用いて調べた。この物質は、ダイマー相とプラケット相の競合する一次転移点付近に位置していることを指摘した。(3)1次元軌道縮退モント系:最近、遷移金属酸化物で軌道自由度の重要性が指摘されている。この効果を取り扱うモデルとして軌道縮退のある1次元電子模型を導入し、ボゾン化法を用いてNMR緩和率や光電子放出スペクトルの計算を行った。(4)遷移金属化合物の混合スピン系:大きさの違うスピンを含む低次元スピン系が実験的に注目されている。典型例としてNdを含むNi化合物は、交代磁場中の準1次元Haldane系として研究されている。この系での量子相転移を、Schwingerボゾン平均場で調べた。実験で観測されているスピンギャップの温度変化を定性的に説明できた。今後、フラストレーション効果の強い電子系に焦点をあてて研究を進める予定である。(1)強相関電子系におけるフラストレーション効果:LiV_2O_4やY(Sc)Mn_2は、金属であるにもかかわらず、特殊な格子構造に起因したスピンのフラストレーション効果が重要である。動的クラスタ近似を用いて、モット絶縁体に近い金属相での1粒子スペクトルや動的帯磁率を調べた。その結果、フラスレーションの効果によって重い準粒子が形成される傾向があることを示した。(2)準1次元スピン系のホールダイナミックス:銅酸化物を中心に1次元量子スピン系や梯子型の量子スピン系が精力的に研究されている。このような系にホールをドープした金属相の研究は、強相関電子系の理解に欠かせない。梯子型量子系のDMRGによる詳細な解析の結果、ホールドープにより特異な金属絶縁体転移(1次相転移)が誘起されること、さらにこれがフラストレーション効果に起因することを明らかにした。(3)2次元スピン系の量子相転移:プラケット構造、ダイマー構造などを持つ2次元量子スピン系が実験的に数多く見出されている。これらの系では競合する反強磁性相互作用のため、種々のスピンギャップ相や反強磁性秩序相が現れる。これに関する理論模型の量子相転移をクラスター展開法で調べ、絶対零度における相図を詳細に決定した。以上のように、当初の予定にだいたい沿って研究を進めることができた。特に、フラストレーション効果の強いスピン系や電子系の系統的な研究を進めることができた。(1)一次元モット絶縁体へのホールドープ効果:一次元の遷移金属酸化物に関して、これまで主に絶縁相に関する理論が展開されてきた。ここでは絶縁相へのホールドープ効果を扱い、電荷自由度とスピンフラストレーションの関わりあいによって絶縁相付近で超伝導相関が発達することを密度行列繰り込み群を用いて明かにした。(2)強相関電子系における軌道縮退効果:遷移金属酸化物では軌道縮退効果と電子相関効果があいまって多彩な物性が観測される。絶縁体に近い金属相における相関電子系の動力学的な性質を理解するため動的平均場近似に数値厳密対角化法とモンテカルロ法を組み合わせて光電子放出スペクトルや光学伝導度を計算し、準粒子の安定性について明らかにした。

(3)強相関電子系におけるフラストレーション効果:二次元スピンギャップ系ではフラストレーション効果が重要となっている。これまでのスピン系の取り扱いを電子系に拡張した。特に、三角格子とかごめ格子の金属相におけるフラストレーションと電子相関の関わり合いを動的平均場と揺らぎ交換近似を用いて調べた。還移金属化合物におけるスピン・電荷・軌道自由度に起因する現象を理解するするため、動的平均場近似、厳密対角化法、ゆらぎ交換近似などを用いた研究を展開した。1.モット絶縁体における軌道縮退効果:遷移金属酸化物のモット転移に対する軌道縮退の効果について動的平均場近似を用いて調べた。軌道選択型モット転移が実現することを示し、ストロンチウム酸化物でこれが生じている可能性を議論した。2.スピンギャップ相へのホールドープ:スピンギャップをもつ絶縁相である近藤絶縁体と直交ダイマースピン系へのホールドープ効果を調べた。特に量子臨界点近傍でのホールダイナミクスについて詳細な研究を行った。3.フラストレート格子系における電子相関:カゴメ格子上での電子系のフラストレーションと電子相関の関わり合いを、FLEX近似を用いて調べた。フラストレーションによって準粒子形成が安定化されることを明らかにした。4.スピンアイス系のフラストレーション効果:フラストレーション格子の典型例であるガーネット格子でのイジング模型をモンテカルロ法で調べ、大きな残留エントロピーを持つスピンアイス的な状態が実現することを明らかにした。また、双極子相互作用によって新奇な磁気秩序が安定化されることを示した。
人の属性の処分の法的メカニズム―名前・肖像をめぐって―

今年度は,人格権が主観的権利に当たるかという問題の検討に着手した。まず,主観的権利論については,サヴィニー(Savigny),イェーリング(Jhering)にさかのぼる対立からの展開を追い,現在においては通説ともいえるダバン(Dabin),ルービエ(Roubier),ゲスタン(Ghestin)とグボー(Goubeaux)に至るまでの各見解を概観するため,これらの論者の著作物に加え,これらの論者の見解を検討の対象とした諸論文も含めて,資料の収集及び分析を行った。そのために,収集した資料が予想外に膨大なものとなり,未消化の部分もある程度残ることになった。また,20世紀初頭から開始された人格権ないし非財産権の研究としては,ペロー(Perreau),ケゼール(Kayser),ネルソン(Nerson),アンセル(Ancel),フィリポン(Filippone)らの論文から,比較的最近のベニエ(Begnier),アンティパ(Antippas),サン=ポー(Saint-Pau)らの論文までを検討の対象とすべく,同様に資料の分析に着手した。既に一部を別の視点から検討したことのある手持ちの論文(ダバン,ネルソン,ペロー,ケゼール等)の文献の分析は国内で,今まで行ってきた分析を検証する形で行うことが可能であった。しかしながら,比較的最近の見解については,未だ分析の途中であり,さらにフランス国立図書館(BnF)を中心とした国外での収集作業を行う予定であったアンセルやフィリポン等の未刊行の学位論文については,諸事情から外国出張を行うことができなかったため,一部は今後の課題となった。資料の収集にやや困難を来しているため,当初の予定通りの進捗状況ではないが,検討の対象と定めた見解については一定の知見を得ることができたため。東京及びフランスへの出張が予定通りに行えなかったため,自ら一次資料に目を通して網羅的に資料収集を行うことができなかった。そこで,二次資料を利用し,資料の主要部分を特定した上で,図書館経由での複写依頼を活用することにより,上記の不足を補いたい。
情報受容伝達欠損株細胞による情報伝達機序の解明

G【H_3】細胞はラット下垂体腫瘍由来の株細胞であり、thyrotropine releasing hormone(TRH)刺激に応答して、プロラクチンを放出・産生する。この情報伝達は、細胞膜上の受容体を介して行われ、イノシトールリン脂質代謝回転の亢進、それに続く【Ca^(2+)】の動員、機能タンパク質のリン酸化、そして情報発現へと至る。申請者らは細胞膜上の受容体を介した情報伝達機序を解明するために、G【H_3】細胞を用い、各種薬剤(ネオマイシン,【Ca^(2+)】イオノフォア,【Ca^(2+)】アンタゴニスト,ホルボールエステル等)に耐性となった変異株を単離・確立した。得られた変異株のなかには、情報伝達機構に異常をもつものが数種、見出されたので、本年度は、これらの変異株が情報伝達過程(受容体→イノシトールリン脂質代謝→【Ca^(2+)】→タンパク質リン酸化)のどの部位に異常を生じているか明らかとすることを目標とした。1.受容体:【^3H】標識TRH結合アッセイを行ったところ、TRHが結合する機能的な受容体を欠損している変異株が見出された。2.イノシトールリン脂質代謝:1.の受容体欠損変異株では当然のことながらTRH刺激後に生じるイノシトールリン脂質代謝回転の亢進は観察されなかった。受容体を有するがイノシトールリン脂質代謝回転亢進を生じない変異株をスクリーニングするためにリン脂質組成を【^(32)P】標識無機リンを用いて調べた。イノシトールリン脂質代謝回転のトリッガー反応はホスファチジルイノシトール4,5,ビスホスフェイトの分解であると考えられているが、この脂質の含量が多い変異株が数種、単離された。これらの変異株はホスファチジルイノシトール4,モノホスフェイト,ホスファチジルイノシトール,ホスファチジン酸含量も高かった。さらにTRH刺激後のイノシトールリン脂質代謝も増強していた。3.【Ca^(2+)】:現在、蛍光色素Quin2を用いて細胞内【Ca^(2+)】動態に異常のある変異株を探索中である。
ストレスによる精神疾患発症における脳特異的転写因子ＮＰＡＳ４の役割

精神疾患の発症要因として、遺伝的脆弱性に加え心理社会的ストレスなどの環境的要因も重要である。我々は、ストレス刺激が神経シナプス形成に重要な転写因子NPAS4の発現を低下させることを見出し、本研究においてNPAS4発現低下メカニズムを追究した。その結果、NPAS4遺伝子プロモーター上に存在するグルココルチコイドレスポンスエレメントにグルココルチコイド受容体が結合することによって直接抑制されることが示唆された。また長期ストレス負荷によってNPAS4プロモーターの転写開始点付近のDNAメチル化レベルが亢進することも明らかとなり、このDNAメチル化亢進もNPAS4転写抑制機構の1つと考えられた。本研究は、神経保護や神経分化に関連する機能を持つ転写因子Neuronal PAS domain 4 (NPAS4)がストレスにより発現抑制するメカニズムを解明することを目的としている。NPAS4プロモーターには、転写開始点から12kb上流の付近にグルココルチコイド受容体(GR)が結合する配列であるグルココルチコイドレスポンスエレメント(GRE)が集中している。平成23年度にはNPAS4のプロモーター領域をルシフェラーゼcDNAの上流に組み込んだレポーターアッセイプラスミドを用いて、この領域の段階的な欠失でNPAS4プロモーターの活性が著しく上昇することを見出した。そこで平成24年度は、NPAS4の転写抑制についてさらに詳細に追究するため、この2kb上流付近の5つのGREsに部位特異的変異導入を行い、GRが結合する部位を特定した。さらに、マウス脳海馬においても拘束ストレス依存的にNPAS4プロモーターとGRとの結合が増大することをクロマチンIPアッセイによって確認し、ストレスがグルココルチコイドを介してNPAS4プロモーター活性を抑制することを示した。この成果は、Journal of Neurochemistryに掲載された。また、1330週齢のNPAS4遺伝子欠損(NPAS4-KO)マウスを用いて、行動量測定、オープンフィールド試験、Y迷路試験、新奇物体認知試験、恐怖条件付け記憶試験、社会性行動試験、高架式十字迷路試験、プレパルス抑制試験(PPI)の各試験を行った。NPAS4-KOマウスは、野生型マウスと比較して多動を示し、高架式十字迷路試験では、不安様行動の減少が示された。また、記憶能力の低下も恐怖記憶試験により示唆された。さらに、PPIの顕著な低下から、NPAS4-KOマウスでは感覚情報処理能力が障害されていることが示唆された。本研究は、神経保護や神経分化に関連する機能を持つ転写因子Neuronal PAS domain 4 (NPAS4)がストレスにより発現抑制するメカニズムを解明することを目的とした。平成24年度までに、NPAS4プロモーターの転写開始点から12kb上流の付近に集中するグルココルチコイドレスポンスエレメント(GRE)がNpas4プロモーターの転写活性を抑制することを明らかにし、クロマチンIPアッセイによってマウス脳海馬においても拘束ストレス依存的にNPAS4プロモーターとGRとの結合が増大することを示した。平成25年度はストレス負荷によるNpas4プロモーターのDNAメチル化亢進についてさらに詳しく解析し、3週間の拘束ストレスがNpas4プロモーターの転写開始点付近のCpGアイランドのDNAメチル化を亢進することを明らかにした。この領域に含まれる2つのCRE配列に部位特異的変異を導入するとNpas4プロモーター活性が低下したことから、これらのCRE配列がNpas4プロモーター活性に重要であり、ストレス負荷が誘発するDNAメチル化亢進がCRE配列を介したNpas4転写を抑制したことが示唆された。この成果は現在投稿中である。次に、ストレスによるNpas4の発現低下が脳神経機能に及ぼす影響を追究するために1330週齢のNPAS4遺伝子欠損(NPAS4-KO)マウスを用いて行動試験を行ったところ、NPAS4-KOマウスは野生型マウスと比較して多動、不安様行動の減少、記憶能力の低下などが示唆された。この様なフェノタイプを表す要因の候補として、NPAS4-KOマウスでは野生型マウスと比較してGABA受容体の発現が低下しているというデータを得た。平成23年度は、NPAS4の発現をグルココルチコイド(GC)が抑制することを見いだし、さらにプロモーターアッセイを用いてNPAS4プロモーターにおけるグルココルチコイド受容体(GR)の作用部位を調べた。3時間の拘束ストレス負荷時にGRアンタゴニストを腹腔投与したところ、NPAS

4発現低下が抑制されたことからストレス下で増加するGCがNPAS4発現を抑制することが示唆された。次に、NPAS4のプロモーター領域をルシフェラーゼcDNAの上流に組み込んだレポーターアッセイプラスミドを用いて、NPAS4プロモーター活性をGCが抑制するかどうかについて調べた。レポーターアッセイプラスミド導入後のNeuro2Aの培地にGRアンタゴニストを添加すると、濃度依存的にNPAS4プロモーター活性が上昇したことから、NPAS4プロモーター活性がGCにより抑制されることが明らかとなった。NPAS4プロモーターには、転写開始点から12kb上流の付近にGRが結合する配列であるグルココルチコイドレスポンスエレメント(GRE)が集中しており、この領域を段階的に欠失した変異プロモーターでは活性が著しく上昇した。さらに、クロマチンIPアッセイによってNPAS4プロモーターへのGRの結合も示されたことから、GCによる直接的なNPAS4プロモーター活性抑制が示唆された。以上の結果はストレスからNPAS4の発現抑制に至る機構の一端を明らかにするものであり、現在論文投稿中である。また、ストレス付加マウスの海馬でNPAS4プロモーターのメチル化が亢進していることを示唆するデータも得ている。平成24年度の目標は(1)NPAS4プロモーターの段階的欠失変異導入により確定した領域のGREに部位特異的変異導入を行い、レポーター発現解析によりグルココルチコイドがNPAS4プロモーター活性に影響を及ぼす部位をさらに詳細に解析する。またin vivoでのグルココルチコイドのNPAS4プロモーター抑制効果を検証するため、ストレス付加による生体内でのGRのNPASS4遺伝子への結合の変動について、マウス脳サンプルを用いてクロマチンIPアッセイを行い解析する。(2)ストレスによるNPAS4遺伝子メチル化上昇が、ストレス付加後どの程度の期間持続するのかについて解析する。また、ストレスが内分泌系を介してエピジェネティック制御を変動させる可能性について追究する。さらに、ストレス負荷動物にDNA脱メチル化剤や精神疾患治療薬を投与し、NPAS4プロモーター領域のDNAメチル化レベルの確認を行う。(3)NPAS4-KOマウスの行動試験を行うと共にNPAS4-KOマウスの神経系の発達を抗体染色法やゴルジ染色法で解析する。であったが、これまでの研究により(1)の目標は達成し、その成果は雑誌に掲載された。また行動解析により、NPAS4-KOマウスは野生型マウスと比較して多動、不安様行動の減少、記憶能力の低下、感覚情報処理能力障害が示唆された。NPAS4-KOマウスの神経系の異常の解析は現在進行中である。NPAS4遺伝子メチル化に関しては、ストレス負荷動物にDNA脱メチル化剤を投与しNPAS4発現に及ぼす影響を解析中である。平成23年度の目標は(1)NPAS
全反射型ピコ秒分光法による界面層の光ダイナミクスと光反応制御

サブ波長以下の界面近傍の光ダイナミクスを解明すると共に、界面近傍の化学的性質をレーザー光で可逆的に変化させ光化学反応を光制御する事を目的とし、以下の研究を行った。1.界面層の近赤外エバネッセント光誘起相転移可逆的に熱相転移するアクリルアミド系高分子を用いて近赤外エバネッセント光誘起相転移を試みると共に、全反射石英基板を疎水処理することにより界面層の高分子と基板表面との相互作用を、ピコ秒エバネッセント光誘起蛍光分光法により調べた。その結果、親水性基板では界面層の高分子の相転移が起こらないが疎水性基板では相転移が誘起させ、界面一層のみの化学的性質によって界面層の高分子の相転移を光で制御できることが明らかになった。さらに、高分子の相転移の緩和時間をレーザー光のスイッチングにより測定し、バルクに比べ界面層では非常に速く緩和するというマイクロ化学現象を見出した。この様なサブ波長領域の高分子の相転移現象は通常の熱源によって起こすことは不可能であり、近赤外レーザーのエバネッセント光を用いることによりはじめて可能となる。2.液晶界面層の光カーダイナミクス従来、光カー効果の研究はほとんどがバルクを対象としており、界面数十nm領域の光カー効果のダイナミクスは全くといって良いほど研究されていない。ここでは反射モードの偏光過渡回折格子分光法を用いることにより、界面層十nm領域のアゾベンゼン系液晶の光カー効果をフェムト秒の時間分解能で解明することができた。その結果、界面層の配向分極はバルクよりはやく緩和している事や界面近傍における液晶分子の再配向ダイナミクスの緩和時間は温度依存がほとんど見られない事などの新しい知見が得られた。この結果は温度依存性が顕著に現れるバルクの再配向ダイナミクスと対照的である。以上のように全反射分光法ないし反射型分光法を用いることにより、界面層に特有の光ダイナミクスが明らかになると共に、近赤外エバネッセント光を使って界面層の性質を光で制御出来るようになった。
韓国出土木簡よりみた新羅の地方社会に関する研究

本研究は、韓国で出土した木簡および金石文を検討対象として、朝鮮半島の古代国家の特質、特に、新羅の地方社会の実態を明らかにすることを目的としている。6世紀の金石文調査として、まず、蔚珍鳳坪碑について、現地の博物館で展示されている原碑を調査し、近年新たな解釈が提起されている箇所を中心に釈文を再検討した。また、2009年に新たに発見された新羅最古の碑文である浦項中城里碑について、現地踏査を行なって出土地点を確認して周辺環境を調査した。さらに、韓国国立中央博物館に展示されている精巧なレプリカを調査し、釈文の検討をおこなった。6世紀半ばの咸安城山山城木簡は、近年の発掘調査によって、咸安地域を新羅が占領した後、城山山城を築城する際に消費された穀物の荷札と考えられる。そこで、比較対象とするために、同時代の新羅の築城碑である明活山城碑および雁鴨池出土碑、南山新城碑を調査した。特に国立慶州博物館の特別展ではじめて南山新城碑の10碑全てが一同に展示されたため、これを調査することで相互に比較をおこない、新たな釈文を作成し、築城技術者の構成が碑ごとに異なることなどを明らかにした。また、朝鮮半島における木簡および文書行政の展開を明らかにするために、泰安半島沖の沈没船から出土した高麗木簡を、国立海洋文化財研究所において調査した。木簡の記載様式および書かれている物品の具体的内容について明らかにした。本研究は、韓国で出土した古代の木簡を検討することで、新羅の地方社会の実態を明らかにし、朝鮮の古代国家の特質に迫ることを目的としている。内容が断片的で難解な韓国木簡を理解するために、同時代の金石文や、高麗・朝鮮時代の古文書、日本で出土した木簡との比較検討を行なう。本年度は、まず、統一新羅時代の金石文である開仙寺石燈の現地調査をおこない、どのような場所に設置されたのか、また文字をどのように刻んでいるかを確認した。国立扶余博物館において双北里から出土した木簡の調査をおこなった。その結果、六月に官人たちに穀物を貸出し、秋の収穫後に利子を付けて回収した出納の状況を記録した木簡であることが分かった。これは古代日本における出挙制度と極めて類似した制度であり、百済においてこのような制度が存在していたことを示す初めての資料である。百済の社会・経済の実態を明らかにするための貴重な発見であるとともに、書式や用語などが日本の出挙木簡と共通することから、百済の文字文化、行政システムが古代日本に与えた影響が明らかとなった。また、百済や新羅の王京で出土した木簡と日本の木簡との比較を行なう基礎的作業として奈良文化財研究所において平城京で出土した木簡を調査した。本研究は、朝鮮半島の古代国家の特質に迫るために、主として韓国で出土した木簡を検討対象として、新羅の地方社会の実態を明らかにすることを目的としている。本年度は、まず韓国出土木簡の比較資料となる新羅金石文の調査をおこなった。城山山城木簡とほぼ同時期とされている丹陽赤城碑の調査を現地でおこない、釈文を再検討するとともに、立碑地域が河川に面した交通の要衝にあることを確認した。国立慶州博物館では、南山新城碑を中心に所蔵されている新羅金石文の調査を実施した。南山新城碑は、王京で山城を築く際に地方から民を徴発したことを物語る碑石であり、同じく山城を築く際に使用した穀物を輸送するためにつけられた荷札である城山山城木簡の比較資料になる。また、木簡そのものの研究として、まず韓国出土木簡の約半分を占める城山山城木簡の詳細な表面観察をもとに、木簡の製作技法を復元した。その結果、大部分の木簡は、細いマツの枝を縦に割って作成していることが分かった。これは、中国や日本の木簡とは異なる技法であり、韓国木簡の特色を明らかにするための手がかりになると考えられる。今後、他の新羅木簡や百済木簡の調査を積み重ねることで、より韓国木簡の特色を明らかにしうると期待される。国立扶余博物館で開催された「木の中の暗号木簡」特別展において、これまで韓国で出土した木簡を観覧した。また同時に開催された「古代の木簡、そして山城」に参加し、近年の韓国木簡の調査・研究の成果を学び、資料を入手した。

特に国立慶州博物館の特別展ではじめて南山新城碑の10碑全てが一同に展示されたため、これを調査することで相互に比較をおこない、新たな釈文を作成し、築城技術者の構成が碑ごとに異なることなどを明らかにした。また、朝鮮半島における木簡および文書行政の展開を明らかにするために、泰安半島沖の沈没船から出土した高麗木簡を、国立海洋文化財研究所において調査した。木簡の記載様式および書かれている物品の具体的内容について明らかにした。