hpprc/llmjp-kaken huggingface dataset:
VNTRについてのPCR-直接塩基配列決定による個人識別法の開発

PCR法による単一遺伝子座位VNTRの多型性の検出について、Richardらの報告した第4染色体の繰返し配列(YNZ32)およビScharfらの報告したhumanretinoblastoma geneに存在する繰返し配列について検討を行った。YNZ32領域についてRichardらの原法をもとに、反応液の組成(MgCl_2濃度、gela-tin濃度、genomic template量)・アニーリング温度を、human retino-blastoma gene内の繰返し配列の増幅については主にgenomic template量・増幅回数を検討し、増幅に適する条件を設定した。この2領域の日本人集団における多型性の検討を行う予定である。日本人集団について有用であるMCT118領域のPCR法について、Poly-acrylamide gelとNusieveagarose gelによる泳動結果を比較し、両者に泳動のずれが生じる場合があることを確認した。目下、サイズマーカー、泳動温度等について検討を加えている。ヒトinsulin遺伝子、ヒトalha globin遺伝子近傍に存在する高多型性領域のPCR法による検出について検討を試みた。ヒトinsulin遺伝子の3'flanking領域および第16染色体に存在するヒトalha globin遺伝子のzeta-psizeta intergenic領域に存在する繰返し配列による多型性を検出することを目的とし、この領域を挟むプライマーを各数種類ずつ設計・合成しPCR法を行ったが、増幅産物の泳動像はラダー状を呈し、より特異的なプライマーの設計や反応条件等の検討が必要である。PCR法により増幅した多型性部位の塩基配列決定は、従来のRIを用いる方法に較べ、螢光色素を用いる方法が簡便であり、多検体を同時に処理できる利点がある。現在、DNAシーケンサーを用いた塩基配列決定法について、VNTR多型・STR多型を中心に検討を始めている。
ショウジョウバエを用いた拡張型アポトーシスと組織修復の関係

ショウジョウバエのT-box転写因子であるoptomotor-blind(omb)の突然変異体では、翅原基と呼ばれる組織において広範囲に及ぶアポトーシスが観察される。これまでに、1)このアポトーシスはストレス応答性キナーゼJNK民の活性化に依存すること、2)このアポトーシスの拡張因子としてTNFαのショウジョウバエ・ホモログであるEiger(Egr)が働いていること、3)JNK活性化とEgr発現は、相互誘導の関係にあることを明らかにしてきた。特に、JNK活性化によって発現が誘導されたEgrタンパク質が、JNKを活性化した細胞の隣接細胞において観察されたことから、JNK活性化とEgr発現の相互誘導の関係は、アポトーシスを広げる働きを有していることが考えられた。本年度の研究では、JNKとEgrの相互誘導機構の解明を目指し、JNK活性化によって誘導されるEgr発現が、JNK活性化細胞に由来するものか、もしくは、隣接細胞に由来するものかどうかを検証した。egr遺伝子の突然変異をホモ接合で持つ細胞においてJNKの活性化を誘導したところ、隣接細胞においてEgrタンパク質が観察された。また、Egrタンパク質の拡散性を検証したところ、Egrは拡散しないことが推察される結果を得られた。以上より、JNK活性化によって誘導されるEgr発現は、JNKを活性化した隣接細胞に由来するものであることが示唆された。本年度の研究によって、JNK活性化が、隣接細胞に作用しEgr発現を誘導する機構を明らかにした。これは拡張型アポトーシス誘導機構の解明に貢献する成果である。しかし、この作用を媒介する因子が特定されていないことや、omb突然変異体で見られるアポトーシスは広範囲に及ぶため、JNKとEgrの相互誘導のほかに大きな要因があると考えられるが、その特定には至っていないことなどさらなる研究が必要である。モルフォゲンは、その濃度に応じたシグナルを未分化な細胞に位置情報として伝え、正常な分化を誘導する。モルフォゲン・シグナル異常は形態形成不全や腫瘍形成を引き起こすが、正常発生過程においては、モルフォゲン・シグナル異常を起こした細胞はアポトーシスによって除去される。しかし、その機構は十分には解析されてきていない。本研究は、ショウジョウバエの代表的なモルフォゲンであるDppのシグナル不全がもたらすアポトーシスの誘導・作用機構の解明を目指している。Dpp標的遺伝子であるT-box転写因子Ombの突然変異体は、翅原基と呼ばれる幼虫時の組織においてアポトーシスを起こす。このアポトーシスはストレス応答性キナーゼJNKに依存的であると考えられるが、その範囲はJNK活性化領域よりも広いことから、拡張性を持っていることがわかり、私達はその拡張因子としてTNFαのショウジョウバエホモログであるEgrが働いていることを明らかにしてきた。本年度の研究によって、JNKが活性化しない条件下では、Omb変異体におけるアポトーシスは観察されなかったことから、この拡張型アポトーシスはJNK依存的であることが確認された。また、翅特異的かつ恒常的にJNKを活性化させる突然変異体では、翅を失う表現型を見せるが、Egr突然変異体との二重突然変異体ではその表現型は抑制された。さらに、翅原基においてJNKの上流因子Hepの恒常活性化型のUAS系統を用いてFlip-out法によるモザイク解析を行った結果、JNK活性化細胞の隣接細胞にEgrが抗体免疫染色法によって観察された。これらの結果とEgrはJNK活性化を介してアポトーシスを誘導するという報告より、JNKとEgrには互いに誘導し合うポジティブ・フィードバックの関係があることがわかった。
一般化されたスピン密度汎関数法の開発とノンコリニア分子磁性への応用

本研究の目的は、一般化されたスピン軌道(GSO)に基づく密度汎関数理論(DFT)の開発と応用の両面から成る。GSO-DFTは、固体物理の分野では比較的古く(1980年代後半)から用いられており、γ-鉄やMn_3Sn等二次元スピン構造を持つヘリカルスピン系への適用がなされて来た。一方我々は、昨年度までに局所スピン密度近似(LSDA)、一般化された密度勾配近似(GGA)、自己相互作用補正といったDFTの各種近似をGSOに拡張すると共に、単純なモデル系の計算から、分子構造の対称性の高いT_dやO_hの点で三次元スピン構造が安定化され、又、酸素分子の解離過程に於いてもスピン傾斜を伴う事を指摘し、新たな応用領域を開拓してきた。本年度も同様に、理論応用の両面でGSO-DFTを展開した。理論に関しては、現在分子系のDFT計算ではもっとも一般的に用いられている、B3LYP, B2LYPといった、Hartree-Fock理論とLSDA, GGAのいわゆるHybrid近似をGSOに拡張した。応用面では、光合成酸素発生サイトのモデル分子でもあるマンガン酸素四核に適用し、(i)三次元スピン構造が安定となる事、(ii)その安定性が架橋酸素アニオンの供給する遍歴電子による事、(iii)最安定解が一般化された磁性群の観点から見るとスピン軌道相互作用も含んだハミルトニアンに許容な構造を持つ事を指摘し、又、酸素の解離過程でヘリカルスピン状態があらわれる事もあわせその三次元スピン構造が含意する化学反応における機能性にふれた。さらに鉄と酸素(FeO)の結合についてもスピン傾斜が伴う基底状態のポテンシャルが存在する事を明らかにし、酸素やFeOの化学結合解離には軌道自由度を考慮した際にはスピンフラストレーション系となる領域が存在する事を指摘した。さらに現在、並列・グリッドコンピューテイングに適したGSO-DFTのプログラムの開発を行い、GSOベースのMD計算を目指している。本研究は一般化されたスピン軌道(GSO)密度汎関数理論(DFT)の開発と応用の両面から成る。これまで行われてこなかったab initio線形ガウス型軌道(LCGTO)基底をもちいたDFT法につき、我々は定式化も含め独自に種々のDFTもしくはポストDFTの理論をGSOに拡張し開発した。具体的には一般化された密度勾配近似(GGA)、グリーン関数法に基づくGW法、自己相互作用補正(SIC)法の開発である。SIC法の補助的な停留値条件の拡張ならびにGSO-SIC-KS方程式を導出し、その停留値条件を満たすための方程式の解法にBoysの局在軌道法が適した方法である事を示した。このスキームを単純なノンコリニア磁性を有する水素クラスターに応用し、次の結論を得た。まず凝集エネルギーは交換項のみを考慮した場合のLSDAがもっともFull CIに近い結果をしめす。しかしながら乖離極限での全エネルギー差からこれはほとんど自己相互作用誤差によるものであり、実際SICを適用する事でrepulsiveな結果を与えたHartree-Fockと近い結果となるという妥当な結果となった。一方交換・相関項ともに考慮した場合GSO-SIC-GGA法がFull CIに最も合致する結果を与え、ノンコリニア磁性の場合でも、コリニア磁性で論じられて来たようにSICを含めたGGAもしくはその代替法であるHybrid-DFT法等がよりよい方法であることを示した。応用面では、多中心ラジカル系のスピン縮重状態およびラジカル反応のスピン反転過程というこれまで第一原理計算では扱われてこなかった主題をあつかって来た。前者に関しては、分子骨格の対称性がT_dやO_hといった高い対称性の点で従来のコリニア磁性状態が縮退し、二次元や三次元のスピン構造が安定化される事を明らかにした。これは、水素クラスターでもクロム四核クラスターでも共通の結果となった。又、高次元のスピン相関関数の計算からはスピン密度のベクトル積であらわされるような古典的なスピン相関項ではない、非古典的なスピン相関項が増す領域で上記のような高次元スピン構造の安定化がおこる事が分かった。又、後者については三重項酸素分子の三重項酸素原子二つへの乖離をあつかった。通常この例では酸素分子の三重項と一重項の乖離曲線が交叉し、結合側では三重項が乖離側では一重項が安定となるのであるが、GSO-LSDA、GSO-GGAを用いると、途中スピンが傾斜し連続的なポテンシャルを描く事になる。これはGSOの交換相関ポテンシャル項がスピンの非対角項にもあらわれるためで、それがスピン軌道相互作用や外部磁場等の効果をシミュレートしていると考えられる。高い対称性近傍の構造を持つ金属多核クラスターと酸化反応はともに生物酵素の活性中心でしばしば見られる構造・反応であり、酵素反応の中で本質的な役割を担っていると考えられる。この点からも本研究をさらに発展させる事によって今後より重要な結果が得られる事が期待できる。

一方我々は、昨年度までに局所スピン密度近似(LSDA)、一般化された密度勾配近似(GGA)、自己相互作用補正といったDFTの各種近似をGSOに拡張すると共に、単純なモデル系の計算から、分子構造の対称性の高いT_dやO_hの点で三次元スピン構造が安定化され、又、酸素分子の解離過程に於いてもスピン傾斜を伴う事を指摘し、新たな応用領域を開拓してきた。本年度も同様に、理論応用の両面でGSO-DFTを展開した。理論に関しては、現在分子系のDFT計算ではもっとも一般的に用いられている、B3LYP, B2LYPといった、Hartree-Fock理論とLSDA, GGAのいわゆるHybrid近似をGSOに拡張した。応用面では、光合成酸素発生サイトのモデル分子でもあるマンガン酸素四核に適用し、(i)三次元スピン構造が安定となる事、(ii)その安定性が架橋酸素アニオンの供給する遍歴電子による事、(iii)最安定解が一般化された磁性群の観点から見るとスピン軌道相互作用も含んだハミルトニアンに許容な構造を持つ事を指摘し、又、酸素の解離過程でヘリカルスピン状態があらわれる事もあわせその三次元スピン構造が含意する化学反応における機能性にふれた。さらに鉄と酸素(FeO)の結合についてもスピン傾斜が伴う基底状態のポテンシャルが存在する事を明らかにし、酸素やFeOの化学結合解離には軌道自由度を考慮した際にはスピンフラストレーション系となる領域が存在する事を指摘した。さらに現在、並列・グリッドコンピューテイングに適したGSO-DFTのプログラムの開発を行い、GSOベースのMD計算を目指している。
特異点として尖点のみを持つ平面曲線の研究

複素射影平面上の代数曲線で特異点として局所的に既約なものだけを持つものを尖点平面曲線と呼ぶ。尖点平面曲線Cの特異点の極小埋め込み解消による曲線の固有変換をC'と書く。この研究ではまず種数が2で特異点を一つ持つ尖点平面曲線CについてC'の自己交点数に関するいくつかの結果を得た。次に特異点を二つ持つ有理尖点平面曲線CでC'の自己交点数がー1であるものを分類した。続いて特異点を3個以上持つ有理尖点平面曲線CについてC'の自己交点数の上界を与えた。さらに特異点を3個持つ有理尖点平面曲線CでC'の自己交点数が上界に等しいものを決定した。特異点として尖点のみを持つ平面代数曲線の中で特異点を一つだけ持つものを平面単尖点曲線と呼ぶ。平面単尖点曲線の中で重要なものの一つとして特異点における接線と一点だけで交わる平面曲線が挙げられる。曲線の非特異モデルの種数が0の場合は、平面単尖点曲線がこの性質を持つことと特異点の最小埋め込み解消を行ったとき、曲線の固有変換の自己交点数が2以上であることが同値であることが分かっている。一方曲線の非特異モデルの種数が1の場合は、平面単尖点曲線がこの性質を持つことと上記の自己交点数がちょうど6であることが同値であることが分かっている。そこで曲線の非特異モデルの種数が2の場合に同様の結果が得られないかどうかを考察した。曲線の特異点の最小埋め込み解消を行ったとき、曲線の固有変換の自己交点数が10以上であると仮定すると、特異点解消で得られた曲面から一般ファイバーが種数2の曲線であるファイブレーションを構成することができる。種数2のファイブレーションについては特異ファイバーの分類がすでになされている。そのこととファイブレーションの構成の仕方から次のことを示した。考察する平面曲線は上記のとおり種数2の平面単尖点曲線で、さらに2重点を一つ持つ4次曲線ではないと仮定する。このとき、このような平面曲線の特異点の最小埋め込み解消を行ったとき、曲線の固有変換の自己交点数が10であることとその平面曲線が特異点における接線と一点だけで交わることが同値であることを示した。1.種数が2の平面単尖点曲線について特異点として尖点のみを持つ平面代数曲線の中で特異点を一つだけ持つものを平面単尖点曲線と呼ぶ。今年度の研究では前年度に引き続いて種数が2の平面単尖点曲線を考察した。このような曲線の最小埋め込み特異点解消による固有変換の自己交点数は10以下である。さらに曲線が5次以上であればこの自己交点数が10であることと曲線が特異点における接線と一点だけで交わることが同値であることがわかっている。今年度の研究では自己交点数が10未満の曲線を考察した。その結果、自己交点数が9と8の曲線が存在しないことを証明した。さらに自己交点数がちょうど7の曲線の具体例を構成した。研究の際には曲線の特異点解消で得られた曲面から種数が2のファイブレーションを構成し、そのファイブレーションが持つ性質を利用した。2.特異点を二つ持つ有理尖点平面曲線について特異点として尖点のみを持つ有理平面代数曲線の中で特異点を二つ持つものを考察した。このような曲線の補集合の対数的小平次元は1以上であることが分かっている。さらに最小埋め込み特異点解消による曲線の固有変換の自己交点数は0以下でありちょうど0であることと曲線の補集合の対数的小平次元が1であることは同値である。本年度の研究では自己交点数が-1の曲線の分類を完成させた。分類結果にはこの分類によって得られた曲線の構成方法や特異点の数値的データなどが含まれる。分類の際には曲線の特異点解消で得られた曲面から特別なファイブレーションを構成し、そのファイブレーションが持つ性質を利用した。本年度の研究では複素射影平面上の代数曲線で特異点として局所的に既約なもの(尖点と呼ぶ)のみを持つ有理曲線を考察した。このような曲線を有理尖点平面曲線と呼ぶ。特異点を4個以上持つ有理尖点平面曲線の具体例は特異点を4個持つ1つの5次曲線しか知られていない。本年度の研究では特異点を4個持つ有理尖点平面曲線に注目した。以下Cを特異点を4個持つ有理尖点平面曲線とする。このときCの補集合の対数的小平次元は2であることがわかっている。まずCの特異点の極小埋め込み解消を行う。これはCの逆像が正規交差因子になる最短のブローアップの列の合成である。

この特異点解消によるCの固有変換をC'と書くことにする。本研究ではC'の自己交点数の上限を考察した。これまでの研究成果によりC'の自己交点数はー5以下であることがわかっている。前述の5次曲線の場合はこの値はー7である。本年度の研究ではC'の自己交点数がー5の曲線が存在するのかどうかを調べた。このような曲線Cが存在すると仮定するとCの補集合上に一般のファイバーが射影直線から8点または9点を除いたものであるファイブレーションがあることを証明した。次にこのファイブレーションの存在を仮定するとその構造から、いくつかの既約2次曲線と直線の特別な配置を射影平面上に構成できることを示した。この平面曲線の配置が存在しないことを示すことにより、特異点を4個持つ有理尖点平面曲線CでC'の自己交点数がー5のものが存在しないことを証明した。1.有理尖点平面曲線の特異点を解消したときの自己交点数について本年度の研究では複素射影平面上の代数曲線Cで特異点として局所的に既約なもの(尖点と呼ぶ)のみを持つ有理曲線を考察した。このような曲線を有理尖点平面曲線と呼ぶ。Cを有理尖点平面曲線としてCの特異点の最小埋め込み解消を行う。これはCの逆像が正規交差因子になる最短のブローアップの列の合成である。一般に有理尖点平面曲線C全体のなす集合を考えたときC'の自己交点数には上限が無いことが分かっている。しかしCの補集合の対数的小平次元が2で、特異点の数が2以下のときには上限があることが分かっている。本年度の研究では特異点の数が3以上のときにも上限があることを証明した。すなわち、Cをn個の特異点を持つ有理尖点平面曲線としたとき、もしnが3以上ならばC'の自己交点数は7ー3n以下であることを証明した。少なくとも3つの特異点を持つ有理尖点平面曲線の補集合の対数的小平次元は2であることが知られているので、有理尖点平面曲線Cの補集合の対数的小平次元が2であればC'の自己交点数には上限があることになる。2.特異点を3個持つ4次有理尖点平面曲線の特徴づけ特異点を3個持つ4次有理尖点平面曲線が存在する。この4次曲線CはC'の自己交点数が上記1の研究成果で得られた上限に等しい例になっている。この4次曲線に関して次のことを証明した。すなわちCを3個の特異点を持つ有理尖点平面曲線としたとき、C'の自己交点数がー2であることとCが特異点を3個持つ4次有理尖点平面曲線であることが同値であることを示した。本年度の研究では前年度に引き続いて特異点を4個持つ複素射影平面上の有理尖点平面曲線を考察した。ここで尖点平面曲線とは射影平面上の代数曲線で特異点として局所的に既約なもの(尖点と呼ぶ)のみを持つもののことである。以下Cを特異点を4個持つ有理尖点平面曲線とする。このような曲線の例は1つの5次曲線しか知られていない。まずCの特異点の極小埋め込み解消を行う。これまでの本研究の成果からC'の自己交点数がー4以上となるCが存在しないことが分かっている。前述の5次曲線の場合は自己交点数はー7である。前年度の研究ではC'の自己交点数がー5の曲線が存在しないことを証明した。本年度の研究ではC'の自己交点数がー6の曲線が存在するのかどうかを調べた。
大脳の働きの見地に立つ日本文入力作業の最適化

前年度までの研究で、日本文の入力作業を大脳半球の言語作業優位性と操作空間作業優位性の問題としてとらえることの妥当性を実験的に検証した。本年度は最終年度であるため、研究のとりまとめを中心とした。1.操作空間作業であるタイピング作業を操作空間的に学習させるTコード練習システムの有効性を、獲得したコードの打鍵誤りの分析から示した。これは、コードの記憶誤りが記憶の空間的な構造を反映して特異な偏りを示すことを説明できるものである。2.Tコードの練習過程におけるコードの獲得を含めた習得経過のモデル化と、モデルの適用による練習文の評価をおこなった。文字をみてコードを打鍵することの繰り返しがコードの獲得につながる。一般的に、肉体的あるいは認知的作業速度の上達は繰り返しの回数の定数乗に比例するという法則を満たすが、打鍵速度の上達も、個々の文字の打鍵について同じ法則を適用して説明できることを示した。ただし、短期記憶に保持されたコードが再利用されない場合に限られる。初期の練習ではその保持できる文字数が2であることが観測された。ここで、練習文に同じ文字や文字列パターンの繰り返しがあると、それらは短期記憶に貯められ、コード獲得には役立たないことが示唆される。3.上記のモデルから、濃密ではあるが短期記憶に保持できないパターンの練習文を設計した。この新しい練習文による打鍵実験を新たな被験者に対して行ない、モデルの検証を合せて行った。実験データーから、短期記憶の保持文字数が2ないし3であることの確認ができた。さらに、句読点の直後には、短期記憶の消去が伴いがちであること、すなわち、練習文の読み取りのために短期記憶が占有されてしまうことが確認できた。全年度までの研究において、英文タイプ作業時とコ-ド入力による日本文タイプ作業時のタイピストの情報処理機構に関するモデル(パイプラインモデルを)提唱した。パイプラインモデルは、入力処理部・交換部・実行部の三つの処理部を持ち、各処理部がパイプライン型の並列処理動作をするものである。さらにコ-ド入力による実験を通して次のことを明らかにしてきた。1.タイピストの先読み文字数は約4文字である。2.タイプ速度は、テキストを構成する文字の頻度や2文字組の頻度に影響を受け、構成される文字や2文字組が高頻度であるほどタイプ速度が速い。今年度は、上で述べた知見をさらに発展させるための実験を行なった。上記タイプ作業モデルの三つの処理部のうち、テキストの2文字組の頻度によって影響を受けるのはどの処理部であるかを定めるため以下に述べる二つの実験を行なった。1.入力部とそのあとの二つの処理部とに処理過程を切り分けるために、4文字からなる文字列を被験者に見せて覚えさせたのちに打鍵を行なわせた。結果はやはり2文字組の頻度によりタイプ速度が変化し、2文字組の頻度の影響は変換部か実行部のいずれかが受けているという結論を得た。2.さらに、そのどちらが2文字組の頻度の影響を受けているかを特定するために、実際の打鍵を行なう直前に心的に打鍵を行なわせるということを被験者に求めた。その実験では、タイプ速度は2文字組の頻度の影響を受けないことを見出した。すなわち、2文字組の頻度は、視覚情報をもとに運動の長期記憶から指の運動情報を引き出す交換部の処理に影響を与えると結論できる。本研究の今年度の成果・知見は以下の通り.1.カナ漢字変換のよる入力作業では,漢字の読みと打鍵が干渉し,本質的に作業能率が高くなりえないことを実験によって検証した.実験は,カナ漢字変換の職業タイピスト12人について,漢字かな交じり文と,それをかなに書き下した文の双方の打鍵について反復3回の打鍵速度・エラー率の向上を測定した.実験結果の解析では,かなに書き下したテキストの方が打鍵成績が良く,漢字の読みが打鍵に干渉に起こしていることが示された.2.カナ漢字変換による入力が,コード化入力によるものより入力作業の心理的負荷が大きいことを実験により確認した.実験は,それぞれの入力方式を日常利用している職業タイピスト12人ずつを被験者とし,タイプ作業と別の負荷作業を同時に実行させて,タイプ作業のみの打鍵速度との比較をする.実験では,カナ漢字変換による入力(ただし変換操作は省く)の方がコード化入力より有意な打鍵成績の劣化を示した.3.かな漢字変換もコード化入力も,コピータイプ作業において,処理の心的水準が意味に深く関わるレベルにまで達していないことを,実験により示した.実験は,前実験2と同じ24人の被験者について,心象の深さの異なる2字熟語のタキストスコープで投写したものをタイプさせ,その後その偶発記憶再生の度合いを測定するものである.過去の実験では,意味に関連する作業なら心象の深さ(3レベル)に従って記憶の再生の差が有意に現れるのであるが,本実験では両者ともレベル間の差が現れなかった.この結果から,職業タイピストは,熟語が表わす意味には深く関わらずにコピータイプ作業を進めていることが示された.前年度までの研究で、日本文の入力作業を大脳半球の言語作業優位性と操作空間作業優位性の問題としてとらえることの妥当性を実験的に検証した。

これは、コードの記憶誤りが記憶の空間的な構造を反映して特異な偏りを示すことを説明できるものである。2.Tコードの練習過程におけるコードの獲得を含めた習得経過のモデル化と、モデルの適用による練習文の評価をおこなった。文字をみてコードを打鍵することの繰り返しがコードの獲得につながる。一般的に、肉体的あるいは認知的作業速度の上達は繰り返しの回数の定数乗に比例するという法則を満たすが、打鍵速度の上達も、個々の文字の打鍵について同じ法則を適用して説明できることを示した。ただし、短期記憶に保持されたコードが再利用されない場合に限られる。初期の練習ではその保持できる文字数が2であることが観測された。ここで、練習文に同じ文字や文字列パターンの繰り返しがあると、それらは短期記憶に貯められ、コード獲得には役立たないことが示唆される。3.上記のモデルから、濃密ではあるが短期記憶に保持できないパターンの練習文を設計した。この新しい練習文による打鍵実験を新たな被験者に対して行ない、モデルの検証を合せて行った。実験データーから、短期記憶の保持文字数が2ないし3であることの確認ができた。さらに、句読点の直後には、短期記憶の消去が伴いがちであること、すなわち、練習文の読み取りのために短期記憶が占有されてしまうことが確認できた。
強誘電体／極性半導体構造の分極間相互作用を用いた量子構造素子の開発とその物性解析

本研究は強誘電体/極性半導体ヘテロ接合界面の分極間相互作用に着目し、自発分極により生じるキャリア誘起や電気伝導、電荷整合メカニズムを明らかにし、分極相互作用を利用した量子構造デバイスの開発指針を与えることを目的としている。今年度は組成により格子変調が可能な強誘電体Ba1-xCaxTiO3(BCT)を用い、極性半導体ZnOに格子整合するヘテロ接合構造の作製に取り組み、その電気伝導や電子状態に自発分極が生じる効果について調べた。パルスレーザー堆積法を用いてO極性ZnO基板上に製膜したBCTは(001)配向のみを示し、(111)成長しない結果を得た。そこでZnO表面の原子配列を変化させた再構成表面の利用を検討した。酸素雰囲気下での熱処理によりZnOの再構成表面を形成した後、BCT薄膜を製膜した結果、(111)成長しZnOに格子整合する方位関係での成長が確認でき、格子整合した強誘電体/極性半導体ヘテロ構造を作製に成功した。ZnOの自発分極が生じる効果を明らかにすべく、O面およびZn面ZnO基板上にBCT極薄膜(3nm)を製膜し、微小領域の電気伝導測定を調べた。両試料ともに負電圧印加時は電流応答が小さく、ZnOの空乏化が示唆された。一方で正電圧側では閾値電圧に違いが見られO面試料(1.0V)に対してZn面試料は大きな閾値電圧(1.8V)を有する結果を得た。電気伝導機構の解析の結果、両試料ともにFowler-Nordheimトンネリング伝導が支配的であり、その障壁高さはO面試料で0.84eV、Zn面試料では1.14eVである結果を得た。放射光(KEK、BL-27A)を用いたX線光電子分光測定からBCTはZnOに対して約1.0eV高い伝導帯を有することを確認した。以上からZnOの自発分極により界面のバンドオフセットが変化する可能性を見出した。本研究の成果は強誘電体/極性半導体ヘテロ構造の形成に関する新たな手法を提案するとともに分極間相互作用を利用したヘテロ界面の電荷整合メカニズムの解析に重要な知見を与えるものであると考えている。26年度が最終年度であるため、記入しない。本研究は巨大な分極を有する強誘電体と自発分極を有する半導体である極性半導体のヘテロ接合界面において分極が生じる電気的な効果に着目しており、分極間相互作用を利用した量子構造デバイスの開発指針を与えることを目的としている。当該年度では極性半導体ZnOと有機強誘電体ポリフッ化ビニリデン-三フッ化エチレン共重合体(P(VDF-TrFE))を用いたヘテロ構造を作製し、極性半導体の自発分極が電気的特性に生じる効果に着目し、研究を行った。ZnおよびO極性ZnO基板に対してスピンコート法によりP(VDF-TrFE)を積層し作製した試料は分極-電圧特性において強誘電分極の反転挙動が確認でき、P(VDF-TrFE)とZnOの自発分極が共存し、分極間相互作用の発現が期待できる。静電容量-電圧特性においてO面試料はZnOの空乏化に起因する静電容量の減少が確認できる一方で、Zn面試料では静電容量の減少がほとんど生じておらず、界面キャリアに変化を生じている可能性が示唆された。X線光電子分光法による界面バンド評価では極性による接合状態の変化は有意に見られなかったが、P(VDF-TrFE)とZnOは大きなバンドオフセットを有するType-II型のバンド構造を有することが明らかになった。さらに熱刺激電流測定からP(VDF=TrFE)界面には分極量に相当する多量の欠陥の存在が明らかとなり、電気特性の変化にはZnOの分極による電荷バランスの変化に特徴的なバンド界面、多量の欠陥が影響することで生じていることがわかった。以上の結果は異種分極界面において極性半導体の分極により界面の電荷バランスに変化を生じることを示唆しており、分極間相互作用を利用したヘテロ接合界面のキャリアダイナミクスの解明に進展に寄与するものであると考えている。

ZnOの自発分極が生じる効果を明らかにすべく、O面およびZn面ZnO基板上にBCT極薄膜(3nm)を製膜し、微小領域の電気伝導測定を調べた。両試料ともに負電圧印加時は電流応答が小さく、ZnOの空乏化が示唆された。一方で正電圧側では閾値電圧に違いが見られO面試料(1.0V)に対してZn面試料は大きな閾値電圧(1.8V)を有する結果を得た。電気伝導機構の解析の結果、両試料ともにFowler-Nordheimトンネリング伝導が支配的であり、その障壁高さはO面試料で0.84eV、Zn面試料では1.14eVである結果を得た。放射光(KEK、BL-27A)を用いたX線光電子分光測定からBCTはZnOに対して約1.0eV高い伝導帯を有することを確認した。以上からZnOの自発分極により界面のバンドオフセットが変化する可能性を見出した。本研究の成果は強誘電体/極性半導体ヘテロ構造の形成に関する新たな手法を提案するとともに分極間相互作用を利用したヘテロ界面の電荷整合メカニズムの解析に重要な知見を与えるものであると考えている。26年度が最終年度であるため、記入しない。熱相互拡散を低減し、良好な界面を形成するため強誘電体層として適応したP(VDF-TrFE)に多量の欠陥が存在し、これにより相互分極の効果が打ち消され、本質的な界面での分極間相互作用を確認するに至れなかった。今後は格子整合系のヘテロ接合構造の形成を行い、欠陥の寄与を低減することでより本質的な分極界面の相互作用効果を解明する。格子整合系の異種分極構造を形成し、欠陥の少ない界面を作製する。この構造の接合バンドや伝導特性、電気的特性から相互分極の効果を明らかにする。強誘電トンネリングなど近年強誘電体界面に対して報告される界面変調効果に着目し、分極により生じる界面のキャリアダイナミクスの解明を目指す。界面においては自発分極以外の寄与も大きく、分極の効果を詳細に議論するためには定量性を持った評価を行う必要がある。焦電性や圧電性を利用した強誘電特性評価と誘電特性、電気伝導特性など多面的なアプローチとそれを説明する理論的なアプローチが必要であると考えている。
水素とラマン分光を用いた薄膜型情報機器用ポリシリコンの高性能化

薄型情報端末用半導体として有望な薄膜トランジスタ(TFT)の材料としてポリシリコン薄膜を研究の対象とした。ポリシリコンTFTを水素化処理すると欠陥が終端され,素子特性が向上することが知られている。しかし水素と欠陥の関係は複雑で,ポリシリコンを単なる結晶の集まりと見なすと理解しがたいものがある。ここではアモルファスシリコンとレーザ結晶化ポリシリコンを比較しながら研究を進めた。水素化はプラズマ損傷のない触媒法で行った。これとは別に高圧水蒸気熱処理についてもその効果を調べた。評価は主にラマン分光で行った。用いたアモルファスシリコンが高純度であることを電気的特性により確認した。アモルファスシリコン中のダングリングボンド(DB)部での水素終端状態に応じてTOモード半値幅が増減することから,構造規則性が変化することが確認された。高圧水蒸気熱処理した場合は一部のDBのみが水素終端された。アモルファスシリコンが残留するポリシリコンに対しては,水素の取り込みにより結晶成分の構造規則性が向上するのが認められた。以上より,残留アモルファスシリコンが水素の取り込みにより構造緩和し,近傍の結晶成分に対しても構造規則性の向上を引き起こすことが分かった。十分に結晶化したポリシリコン膜に対して,水素が欠陥部のDBを終端する状態をセコエッチングにより調べた。エッチングは電気化学的課程を合むので,DBの荷電状態が反映される。水素化しないと粒界部が強く侵食され,同時に内部の応力が緩和する。これは粒内の欠陥を通してエッチング液が浸透し膜と下地の界面が剥離したためである。水素化すると粒界の侵食が見られず,膜が消滅するまで結晶粒の剥離が起こらない。エッチング速度も低下する。以上より,水素化は粒界のみならず粒内の欠陥部にあるDBも保護することが分かった。薄膜型情報機器用半導体として有望な薄膜トランジスタ(TFT)に着目し,その材料であるポリシリコンを研究の対象とした。ポリシリコンTFTを水素化処理すると欠陥が終端され,素子特性向上することが知られている。一方では水素が新たな欠陥を誘起する可能性がある。水素と欠陥の関係は,ポリシリコンを単なる結晶の集まりと見なすと理解しがたいものがある。ここではアモルファスとポリシリコンの特性を対比させながら研究することとした。試料として,レーザ結晶化ポリシリコン薄膜を加えて,化学気相堆積(CVD)法により堆積したアモルファスシリコン薄膜とポリシリコン薄膜を用いた。これら薄膜中の欠陥検出にはラマン分光法を用いた。水素化処理すると欠陥部にSi-H結合が形成され,局在振動子モードとして検出できることを利用したものである。また,試料にAl電極を蒸着形成し抵抗抗率を測定できるようにした。試料の一部に対しては,水素・酸素濃度と欠陥および電気的特性の相関を調べるために二次イオン質量分析を行った。高品質のCVDアモルファスシリコン膜の場合,ラマンスペクトルは2000cm^<-1>バンド(水素終端された点欠陥に相当)が支配的であり,水素量は欠陥に大きな影響を与えないという結果が得られた。しかし高濃度の酸素が取り込まれると、2100cm^<-1>バンド(ボイドに相当),O-SiHに相当すると思われる2150cm^<-1>バンドが検出され,あらたな欠陥が発生することがわかった。また抵抗率の増加が見られた。CVDポリシリコン膜の場合,光照射しながら水素化すると,アモルファスシリコンに見られるような光による欠陥増殖効果がわずかだが見られた。レーザ結晶化ポリシリコンの場合,水素化するとアモルファスシリコンと同様な2000cm^<-1>

バンドが明瞭に検出された。また,化学エッチングにより粒界を除去すると2000cm^<-1>バンドの強度が低下した。これは2000cm^<-1>バンドが粒界部のアモルファス的な構造に起因したものとの予測を裏付けている。今後,詳細な評価を行うことにより,検証を進める。薄型情報端末用半導体として有望な薄膜トランジスタ(TFT)の材料としてポリシリコン薄膜を研究の対象とした。ポリシリコンTFTを水素化処理すると欠陥が終端され,素子特性が向上することが知られている。しかし水素と欠陥の関係は複雑で,ポリシリコンを単なる結晶の集まりと見なすと理解しがたいものがある。ここではアモルファスシリコンとレーザ結晶化ポリシリコンを比較しながら研究を進めた。水素化はプラズマ損傷のない触媒法で行った。これとは別に高圧水蒸気熱処理についてもその効果を調べた。評価は主にラマン分光で行った。用いたアモルファスシリコンが高純度であることを電気的特性により確認した。アモルファスシリコン中のダングリングボンド(DB)部での水素終端状態に応じてTOモード半値幅が増減することから,構造規則性が変化することが確認された。高圧水蒸気熱処理した場合は一部のDBのみが水素終端された。アモルファスシリコンが残留するポリシリコンに対しては,水素の取り込みにより結晶成分の構造規則性が向上するのが認められた。以上より,残留アモルファスシリコンが水素の取り込みにより構造緩和し,近傍の結晶成分に対しても構造規則性の向上を引き起こすことが分かった。十分に結晶化したポリシリコン膜に対して,水素が欠陥部のDBを終端する状態をセコエッチングにより調べた。エッチングは電気化学的課程を含むので,DBの荷電状態が反映される。水素化しないと粒界部が強く侵食され,同時に内部の応力が緩和する。これは粒内の欠陥を通してエッチング液が浸透し膜と下地の界面が剥離したためである。水素化すると粒界の侵食が見られず,膜が消滅するまで結晶粒の剥離が起こらない。エッチング速度も低下する。以上より,水素化は粒界のみならず粒内の欠陥部にあるDBも保護することが分かった。
固有バレー法による量子トンネル現象の基礎理論の構築

本研究では固有バレー法を用いて、非対称二重井戸型ポテンシャルの一次元量子力学を調べた。この方法は、他の方法と異なり、虚時間経路積分法を用いるために、多自由度問題、特に場の量子論へ適用できるために、その性質等を簡単なモデルで詳細に調べることが特に意義がある。その結果以下の事が判明した。1.固有バレー方程式の解として、バウンスを含むバレーの存在が数値的、かつ解析的に示され,その性質が判明した。2.同様に、「バレー・インスタントン」がわかり、上に述べたバレー上の解がこの「バレー・インスタントン」の重ね合わせで近似できる。3.バレー・インスタントンを使って、エネルギー準位の計算を調べた結果,従来のいわゆる「摂動論的効果」と「非摂動論的効果」がバレー積分の解析接続によって分離・定義できる。4.非摂動論的効果を計算し、それから摂動論的効果の漸近的振舞い(ボレル特異性)を決定した。5.この漸近的振舞いを実際の摂動級数の200-300次計算によって検証した。6.非摂動的効果の特異性が消えるパラメータ領域を発見し,そこでは「N重超対称性」という新たな対称性が存在することを発見した。7.この「N重超対称性」のときに、非摂動的効果を数値的に検証した。
輸入米が国内のコメ流通に及ぼす影響に関する研究

今年度は、外食産業・食品加工産業における輸入米の利用実態について、業界団休、所管官庁、個別業者へのヒアリング調査及び資料収集を行い、整理・分析を行った。その結果、以下のようなことが明らかになった。MAにより、現時点で年間約70万トンのコメが輸入されているが、そのうち国内で流通するのは40万トン弱である。残りは、21万トンが援助用に、10万トン強が備蓄に回されている。国内流通分40万トンのうち、主食用として利用されているのはSBSで輸入されたものを中心にした約10万トンであり、この大部分が外食産業で使用されている。一方、残りの国内流通分30万トン弱は加工用であるが、そのうち10万トン弱は加工米飯等で用いられている。外食・食品加工産業全体のコメ使用量は233万トンと推計されており、輸入米の比率は1割弱である。このことから、食糧庁の見解では、輸入米は国内流通に影響を及ぼしていない、としているが、業者のヒアリング調査からは、国産低価格米(北海道、青森産米)を輸入米に切り換える実態が明らかになり、部分的ではあれ、国内流通に影響を及ぼしていることが明らかになった。更に、現在では国産低価格米の代替原料として輸入米を利用するのではなく、外国産地との契約により、有機栽培などの特別なコメを輸入し、積極的に消費者の需要を喚起する外食産業も現れてきており、国内流通への影響の範囲が拡大しつつある。今後、こうした影響が部分的なものから全面的なものに拡大するかどうかは、WTOでの農産物貿易交渉の結果、及び日本政府のコメ流通政策の動向によるが、現時点でのグローバル化、規制緩和の方向を考えれば、輸入米の位置付けは大きくなっていくことが推測される。今年度は、コメ流通業者の輸入米の仕入・販売実態及び大手量販店の輸入米の販売実態について、首都圏・近畿圏の大消費地を中心に行った。食糧法制定後、既存の商社に加え、新規に卸売業者、小売業者、その他様々な業者が新たに「登録商社」として認可され、米の輸入業務に参入した。その結果、輸入商社数は20社(1994年度)から34社(95年度、うち10社はSBS取引のみ)に急増し、その後も増え続け、2000年4月には49社(うち21社はSBS取引のみ)になった。それらの業者の目的は輸入業者(売り手)がその輸入米を買い入れる予定の卸売業者(買い手)と連名で入札するSBSへの参加を主たる目的としていた。そのことにより、事実上の輸入-国内流通の一元化を実現し、輸入商社→卸売業者→量販店の輸入米流通ルートが形成された。未だ、消費者段階で輸入米の購入が一般化しているわけではないが、一部の量販店では積極的に売り出しており、国産低価格米との競合が見受けられる。とりわけ、北海道・青森といった産地のコメがその影響を受け、価格が低迷している。一方で、輸入米も含めた低価格米と差別化した形で、ごく一部の高価格米の需要が確立されている。消費者が直接購入する家庭用米よりも、外食産業・食品加工産業等の業務用米の方が輸入米の使用は一般化しており、一部の業者は外国で品質認証を受けた有機米を輸入して、主なメニューに使用している。こうした外食産業・食品加工産業等における輸入米の実態、流通ルートについては次年度の研究で明らかにする。
循環器疾患感受性遺伝子の同定:2つの大規模前向き遺伝疫学的研究

本研究では、『循環器疾患(高血圧、虚血性心疾患、脳卒中)の原因遺伝子の同定』を目的とし、候補遺伝子アプローチにより原因遺伝子の同定を目指していた。都市部地域住民集団で実施中のコホート研究では、最終的に5,014人分のACE遺伝子多型が決定され、米国白人同様、日本人でもDD型が高血圧リスクとなることが示された(Circulation,2000)。一方、岩手県で実施中の農村部地域住民の大規模コホート研究では、東北大学倫理委員会の承認を得て、24時間血圧変動と関連する遺伝因子、高血圧に起因する合併症と関連する遺伝因子を検討中を行い、ラクナ梗塞や大脳MRIで示されたPVH(periventricular hyperintensity)とangiotensinogen,AT1遺伝子多型の関連を示唆する結果を得たほか、欧米で報告されたGNB3遺伝子多型は日本人ではリスクとならないことを報告した。さらに、Naチャンネル遺伝子のβサブユニットに同定した新たな多型に関する解析結果も報告した。一方、アンジオテンシノーゲン遺伝子(AGT)多型解析では、多型・血中濃度・高血圧リスクの関連を検討し、AGT/M235T多型と高血圧の関連には血中AGT濃度上昇が直接関与しないことを示した。さらに、薬剤反応性では、ACE/DDがACE阻害薬のPTCA後の再狭窄予防や降圧薬治療に対する抵抗性を増すことなども見いだした。さらに、これら大規模一般集団を用いた解析と、ケース・コントロール研究の利点・欠点についても言及し、高血圧等の生活習慣病感受性遺伝子解明を目指すポストゲノムプロジェクトの礎を築いた。1)吹田スタディー(荻原俊男、檜垣實男、勝谷友宏)平成10年度中に、新たに2,500人分の採血を完了し、最終的には文書にてインフォームドコンセントを得られた5,014人分のDNA解析用採血が実施された。採血時には、対象の既往歴、服薬状況、家族歴(両親の既往疾患、死亡年齢まで把握)、嗜好、生活習慣の詳細な問診を行うと共に、一般生化学検査、心電図、頚動脈エコーを実施した。候補遺伝子解析の手始めとして、1998年のCirculation誌に発表された欧米白人において男性特異的に相関を認めたACE(angiotensin converting enzyme)遺伝子のinsertion/deletion(I/D)多型の意義を検討した。ACE/DD型の頻度は、欧米白人(26.2%)の半分の13.1%に過ぎないにも関わらず、男性特異的に高血圧に対する感受性を増強し、ACE/DDを有する男性の高血圧に対するオッズ比(vs.II)は1.75に達した。ACE/DDは人種を越えた男性の高血圧リスクとなることを示す貴重な知見と考える。2)大迫スタディー(荻原俊男、三木哲郎、勝谷友宏)地域住民検診、出稼ぎ検診、MRI検診の機会に、吹田スタディーと同様のプロトコールにて、採血、間診、診察を行い、平成10年度中に2,000人のDNA採血を実施した。一部の対象者に対しては、さらに頭部MRl.75g糖負荷試験、頚部エコーも行った他、運動能に関与する因子を検討する為のサブスタディーも実施した。現在、これらデータの解析と候補遺伝子多型の解析が進行中である。本研究では、『循環器疾患(高血圧、虚血性心疾患、脳卒中)の原因遺伝子の同定』を目的とし、候補遺伝子アプローチにより原因遺伝子の同定を目指している。老年者高血圧における候補遺伝子多型の意義の検討では、高血圧との有意な相関は、若年者におけるangiotensinogen遺伝子のT235アリル、及び若年男性におけるangiotensin II-2型受容体遺伝子のA3123アリルのみで認められた。アポリポ蛋白プロモーター、αアデュシン遺伝子多型でも同様の傾向が認められたが、ACE、MTHFR、angiotensin II-1型受容体(AT1)の遺伝子多型、アポリポ蛋白Eのε

2,3,4多型では、高血圧に対するオッズ比に若年者・老年者間で違いが認められず、加齢による疾患感受性の変化は遺伝子多型により黙ることが示唆された。都市部地域住民集団で実施中のコホート研究では、最終的に5,014人分のACE遺伝子多型が決定され、米国白人同様、日本人でもDD型が高血圧リスクとなることが示された(Circulation,2000,in press)。一方、岩手県で実施中の農村部地域住民の大規模コホート研究では、東北大学倫理委員会の承認を得て、24時間血圧変動と関連する遺伝因子、高血圧に起因する合併症と関連する遺伝因子を検討中で、ラクナ梗塞や大脳MRIで示されたPVH(periventricular hyperintensity)とangiotensinogen,AT1遺伝子多型の関連を示唆する結果を得ており、現在論文投稿中である。本研究では、『循環器疾患(高血圧、虚血性心疾患、脳卒中)の原因遺伝子の同定』を目的とし、候補遺伝子アプローチにより原因遺伝子の同定を目指している。都市部地域住民集団で実施中のコホート研究では、最終的に5,014人分のACE遺伝子多型が決定され、米国白人同様、日本人でもDD型が高血圧リスクとなることが示された(Circulation,2000)。一方、岩手県で実施中の農村部地域住民の大規模コホート研究では、東北大学倫理委員会の承認を得て、24時間血圧変動と関連する遺伝因子、高血圧に起因する合併症と関連する遺伝因子を検討中で、ラクナ梗塞や大脳MRIで示されたPVH(periventricular hyperintensity)とangiotensinogen,AT1遺伝子多型の関連を示唆する結果を得たほか、欧米で報告されたGNB3遺伝子多型は日本人ではリスクとならないことを報告した。さらに、Naチャンネル遺伝子のβサブユニットに同定した新たな多型に関する解析結果も報告した。一方AGTのハプロタイプ解析では、多型・血中濃度・高血圧リスクの関連を検討し、AGT/M235T多型と高血圧の関連には血中AGT濃度上昇が直接関与しないことを示した。さらに、薬剤反応性では、ACE/DDがACE阻害薬のPTCA後の再狭窄予防や降圧薬治療に対する抵抗性を増すことなども見いだした。さらに、これら大規模一般集団を用いた解析と、ケース・コントロール研究の利点・欠点についても言及した。
メタ憲法学の基盤構築：憲法の基礎理論とその哲学的再構想

初年度にあたる2018年度には、全体研究会を4回開催し、研究計画全体の検討とスケジュール策定を行なったのち、ある程度見通しのついた部分から成果を参加メンバーで共有し、検討を深めることを試みた。第1回研究会では研究プロジェクトの趣旨を確認した上、各参加者の関心と全体計画の整合性について協議するとともに、研究成果の公表方法について検討し、出版社との交渉に入ることとなった。第2回研究会では研究分担者である谷口功一(首都大学東京)が宗教とナショナリズムの関係に焦点をあてた報告、味村祐作氏(弁護士、元外交官)がインドネシアの憲法状況に関する報告を行ない、第3回研究会における見市健氏(早稲田大学)のインドネシアの建国に関する経緯と現状に関する報告と合わせ、まずナショナリティに関する研究が遂行された。第4回研究会では研究代表者である大屋雄裕(慶應義塾大学)がグランド・デザインとしての憲法の位置付けに関する報告を行ない、メタ憲法学的概念からの憲法理解について一定の視座を設定することを試みた。これらの検討を踏まえ、参加メンバー間での検討を深めるために2019年8月に合宿を実施する計画を立て、その調整を進めた。これに並行し、研究成果の社会的還元と情報公開を目的として研究会のウェブサイトを設置し、基本的な情報と研究の進展状況を共有することを実現した。また、個々の研究テーマごとに関連する憲法学者・法哲学者を基本的なユニットとして個別の共同研究を進めている。これらの検討成果の一部は、民間シンクタンクによる研究プロジェクトの成果の一部にも反映され、公表されるとともに、社会的な注目を集めている。研究計画の全体的なフレームワークを策定し、メンバー全員で一定の問題意識を共有しつつ、可能なものから全体での検討を進めるというプロジェクト推進の基本方針は維持されており、全体研究会を通じて着実に進展している。共有された問題意識を反映した各メンバー個別の研究成果も発表されており、成果の社会的還元も進みつつある。ただし、プロジェクトとしての情報公開を進める体制は整ったものの現時点で論文集・シンポジウム開催など直接的な成果には結び付いていないため、上記の評価が適当と考える。全体的な研究フレームワークの範囲内で、個別テーマに関する憲法学者・法哲学者の共同研究を進めつつ、全体に成果が共有可能な段階に達したものから順次プロジェクト全体での検討に入るという手法を継続的に展開する。具体的には全体研究会を定期的に開催し、主としてメンバーによる報告を通じて情報と問題意識の共有を進めるが、8月の合宿において集中的な検討を進めることを予定している。また、7月に開催予定の法哲学社会哲学国際学会連合による学術大会にメンバーが参加し、情報の共有と、可能であればこれまでの研究成果の一部を公開することを予定している。
レトロウイルスの膵β細胞特異的発現に基づくI型糖尿病発症の分子機構とその制御

本研究は、インスリン依存型糖尿病(IDDM)の成因としてウイルスが関与しているか否かを明らかにするため、モデル動物NODマウスを用い、(1)膵β細胞に発現しているレトロウイルスのクローニング、および、(2)同ウイルスによる糖尿病発症機序の解明、を行った。まず、NODマウス脾より、mRNAおよびゲノムDNAを得た。タイプCレトロウイスルのうち既知のウイルスのgag領域の相同性の高い配列をプライマーとして用い、RT-PCR法によるホモロジークローニングを行った。その結果、NODマウスのみに発現し、これまで報告のないレトロウイルス配列を得た。さらに、NODマウスゲノムより、PCRクローニングにて本レトロウイルス(NODV)ゲノム全構造を明らかにした。NODVの全長は4.8kpbで、gag遺伝子領域は比較的保存されているものの、pol領域は短縮され、env領域は痕跡程度であった。この構造はマウスエイズウイルス(MAIDS)と非常に類似しており、replication defective virusと考えられた。NODマウスにおけるNODVmRNAの組織分布をみると、膵のみに発現していた。NODVのLTR領域は、ルシフェラーゼアッセイにより、膵内分泌細胞において転写活性を有していることが明らかになった。NODVmRNAのNODマウス膵における経時的発現をみると、膵島炎の開始する4週令において最も高発現で、6週、10週と発現が低下していた。以上、IDDMモデル動物NODマウスにおいて、膵に特異的に発現しているレトロウイルス(NODV)のクローニングに成功した。NODVの発現パターンより、本ウイルスがNODマウスの糖尿病発症に関与していることが示唆された。