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フランスおよびEUにおける企業買収法制の展開

フランスおよびEUにおける企業買収法制を検討し、その展開の理由と方向性を明らかにした。フランスの金融市場当局はこれまで、公開買付けの進行を妨げる防衛策を認めてこなかった。EUの企業買収に関するディレクティブを国内法化した2006年3月31日の法律は買収防衛策を定めているのであるが、実際にどのような運用がなされたのかが注目される。2008年度は、フランスおよびEUにおける企業買収法制の基礎になる立法資料の収集を行ない、さらに関連する文献の収集と検討を進めた。具体的にはとくに、企業買収に関する2004年4月21日の欧州共同体指令第2004-25号をフランスにおいて国内法化した2006年3月31日の法律第2006-387号に関して、その立法資料と関連文献により内容の検討を進めた。また、欧州共同体の内部において、フランスの法制度と比較する見地から、企業買収に関する2004年の欧州共同体指令が同様に国内法化されているドイツの法制度に関して、ドイツの文献の検討も進めている。ドイツとフランスとでは、欧州共同体指令が認めている選択肢のうち異なったものが採用されており、そのことにともなう具体的な差異と効果の検討を進めている。そのような構成国間の相違に着目して検討を進めることは、欧州共同体における企業買収法制の意義を考えるうえで有意義なものと考えている。あわせて副次的に、会社法の分野において欧州共同体構成国間の会社の合併(越境合併)、コーポレート・ガヴァナンス・コード、欧州協同会社(欧州協同組合)に関して、共同体法に対するフランス会社法の対応を一括して定めたフランスの「会社法を共同体法に適合させる各種の規定を定める2008年7月3日の法律第2008-649号」について、立法資料と関連文献によりその内容を検討した。その成果が近く立法紹介として、日仏法学25号(2009年、有斐閣)に公表される予定である。また、Paris第2大学のMichel Germain教授が2008年11月から12月にかけて東京に滞在された際に、フランス会社法について企業買収法制に関わる問題も含めて意見交換をしており、その成果は同教授による講演の翻訳という形で慶應法学(2009年)に近く公表される予定である。2009年度は、フランスおよびEUにおける企業買収法制の内容の検討を進めた。具体的には、企業買収に関する2004年4月21日の欧州共同体指令をフランスにおいて国内法化した2006年3月31日の法律に関するフランスの文献を検討し、あわせて、企業買収に関する2004年の欧州共同体指令が同様に国内法化されているドイツの法制度に関するドイツの文献の検討も進めた。ドイツとフランスとでは、欧州共同体指令が認めている選択肢のうち異なったものが採用されている。とりわけ、企業買収に関する2004年の欧州共同体指令9条が定める中立義務をフランスは国内法化しているのに対して、ドイツではそうした中立義務を企業が任意に導入する(opt-in)ことを認めるにとどまり、法律上そうした中立義務を定めることはしていない。そのような構成国間の相違に着目して、欧州共同体における企業買収法制の意義の検討を進めている。あわせて、会社法の分野において欧州共同体構成国間の会社の合併(越境合併)、コーポレート・ガヴァナンス・コードなどに関して、共同体法に対するフランス会社法の対応を一括して定めたフランスの「会社法を共同体法に適合させる各種の規定を定める2008年7月3日の法律第2008-649号」の内容を検討し、その成果を日仏法学25号(2009年)に公表した。また、Paris第2大学のMichel Germain教授が2008年11月から12月にかけて東京に滞在された際に企業買収法制に関わる問題も含めて意見交換をし、同教授による講演の翻訳を慶應法学15号(2010年)184頁以下に公表した。さらに、本研究にもとづくフランスの企業買収法制の内容の検討について、フランスの株式会社の機関構成の内容とあわせて、2010年3月12日に経済産業省で開かれた「企業法制の在り方に関する勉強会」において報告した。2010年度は、とくに企業買収法制の運用にかかわる実務の検討に重点をおいた。フランスでは公開買付けは資本市場の監督当局である「金融市場機構(AMF: Autorite des marches financiers)」の監視のもとに行なわれる。AMFの年次報告書において当該年度になされた公開買付けの内容を確認することができる。とくに、2004年5月にSanofis社がAventis社に対する敵対的な公開買付けを行なおうとした際にAventis社がとった防衛策は、同社の株主に対して一定の条件のもとで新株引受権を付与するものであり、AMFは同社の防衛策について、公開買付けの良好な展開を規律する諸原則に収まらないと考えるとする意見を公表している。

そのような買収防衛策に関するこれまでのAMFの運用を検討し、2004年4月21日の欧州共同体指令をフランスにおいて国内法化した2006年3月31日の法律が定めた企業買収法制の内容をそれに照らしあわせて確認することにより、法律制度とその運用からなる企業買収法制の動態を明らかにしようとした。とりわけ、2006年3月31日の法律の制定の際に認められた買収防衛策がAMFの買収防衛策にかかる運用のもとでどのように位置づけられるのかに注目した。現在、これまでの検討をまとめて順次発表していくための作業を進めている。あわせて、副次的にフランスにおける会社役員の報酬規制の内容を検討し、その成果は、拙稿「退任した元会長に対する株式会社の年金支給一株式会社カルフール(SA Carrefour)事件」国際商事法務39巻4号(2011年4月)、および、拙稿「会社役員の報酬規制とフランス会社法」奥島孝康先生古稀記念論文集(成文堂)として公表される。
南限の古代窯須恵器の生産と流通‐考古学的手法と自然科学分析の補完的研究‐

1平成31年2月3月に、須恵器窯跡としては南限に位置する南さつま市中岳山麓窯跡群荒平第2支群1号窯跡の第5次発掘調査を実施した。昨年度までの調査で、岩盤である砂岩層をくり抜いた地下式で直立型煙道を有し、焼成部床面は40度以上の傾斜角をもつ構造などが解明されていたが、今年度の調査によって、床面に設置された焼台の構造や、焚口付近から燃焼部床面下に土壙があり、最終焼成前にそれを埋めて床面としていた事など、窯構造の詳細が判明した。また、窯は傾斜面を利用して作られており、窯の前庭部は埋め土によって平坦面を形成している事などもわかり、地層や地形によって窯の選地がなされた可能性も出てきた。2中岳山麓窯跡群周辺の踏査も実施し、新たに1カ所の関連遺物の散布地を発見した。遺跡の範囲がさらに北側に広がる結果となった。3昨年度発掘調査でのサンプリング試料による鉱物学的分析をすすめた。須恵器に使用した粘土の組成や焼成温度について有効なデータが出されている。4昨年度までの発掘調査によって出土した遺物の整理作業をすすめた。5平成27年度にサンプリングした試料による熱ルミネッセンス分析と地磁気年代測定の結果を日本文化財科学会において発表した。また、発掘調査成果を含め、国際学会SEAAで中岳須恵器窯の特徴について発表を行った。6中岳山麓窯跡群の研究成果を一般向けに公開するため、発掘調査出土品を中心にミニ展示を実施した。南さつま市教育委員会との共催で、南さつま市歴史交流館金峰にて2月3月に実施した。また、発掘期間中には金峰中学校1年生の郷土の歴史に関する授業に協力し、発掘調査の見学と中岳山麓窯跡群の踏査を実施した。本年度の主要な事業としては、荒平第2支群の発掘調査であったが、1号窯跡は天井部以外良好に残存しており、詳細な窯構造が解明できる資料となった。また、窯跡内部には、天井片や窯壁片、焼台、須恵器片など多くの遺物が残されており、天井が崩れてはいるものの、原位置がある程度推定できるものが多かった。これらを焼成温度や焼成回数の解明に向けた自然科学分析のためのサンプリングも実施できたため、焼成技術についての良好なデータを得る事ができると期待される。また踏査の結果、新しい関連遺物の散布地も発見され、新たに窯跡群の範囲が広がる可能性が出てきた。自然科学分析では、今年度より材料や焼成温度に関する鉱物学的分析として、ポーランドARCHEAの研究者が参加した。これまでのところ、炭素年代測定、熱ルミネッセンス分析、古地磁気分析、中性子放射化分析、数種類の鉱物学的分析、植物同定など、年代測定や材料、焼成技術に関する検討を複合的に実施している段階である。今後の計画としては、荒平第2支群発掘調査の出土遺物の整理作業を実施し、出土須恵器の編年的位置付けを行う。また、窯体片・焼台についても分類・整理し、発掘調査で得られた1号窯跡のデータをもとに、窯構造について考古学的に解明する。出土須恵器や窯体片の自然科学分析結果とあわせて、生産技術について検討を行う。自然科学分析としては、熱ルミネッセンス法、地磁気分析、中性子放射化分析、鉱物学的分析、植物分析を複数実施しており、焼成温度や焼成回数、須恵器や窯体の材料、燃料の種類、など生産に関するものの他、消費地遺跡での中岳産須恵器の同定を実することによって、流通に関しても検討を行っている。なお、自然科学分析には、ドイツ・オーストリアなどのヨーロッパ研究者も参加している。研究成果は国内外の学会発表の他、発掘調査報告を含めた研究成果報告書を刊行する。また、南さつま市を中心に企画展などを実施し、研究成果の一般向け公開に努める。本年度の実績については以下の通りである。1中岳山麓窯跡群の範囲と規模を推定するため、遺跡の踏査を実施し、新しい散布地を複数地点確認した。また、荒平第2支群の発掘調査を実施していない範囲や、新しい散布地について地磁気探査を実施した結果、複数の窯跡存在の可能性が高まった。2中岳山麓窯跡群の窯構造把握のため、荒平第2支群1号窯跡を中心として発掘調査を実施したが、1号窯跡上面を検出し、その規模について確定する事ができた。また、1号窯跡に隣接して灰原を確認した。調査に際し、ドイツで研究打合せおよび窯跡調査に関する研究会を実施したほか、発掘調査には、日本人のほかドイツ人・オーストリア人の研究者や学生が10名参加し、国際共同調査となった。3中岳山麓窯跡群出土遺物や土壌・岩石について自然科学分析のためのサンプリングを行った。4消費地遺跡での中岳山麓窯跡産須恵器の資料調査とサンプリングを実施した。5中岳山麓窯跡群のこれまでの研究成果や出土品について、南さつま市歴史交流館金峰にて企画展を実施した。また、ブログ「中岳の麓から」を立ち上げ、本プロジェクトの内容や進捗状況について随時更新した。本年度の大きな事業としては、荒平第2支群の発掘調査を実施し、1号窯跡の上面を検出することができ、おおよその窯跡の規模を把握することができた。ただし、窯跡の内部の調査まではできなかったので、次年度の発掘調査の課題としたい。

また、消費地遺跡の資料調査を実施し、分析に必要な試料のサンプリングを行うことができた。本年度の研究実績は以下のとおりである。1中岳山麓窯跡群の範囲と規模を推定するため、遺跡の踏査を実施した。その結果、2カ所の新しい遺物散布地を発見し、関連遺物の散布地としては合計20カ所となった。このうち、窯体片など窯に関連する散布地は15カ所あり、窯跡が存在する支群としては15カ所が存在していると推定される。なお粘土採取地の可能性がある地点も中岳山麓内に2カ所、確認できた。2窯跡の構造把握のため、荒平第2支群1号窯跡の発掘調査を実施した。その結果、地下式構造である可能性が高くなるなど、窯跡の詳細な構造が明らかになった。1号窯跡に隣接する灰原の調査も実施したが、従来主要な器種と考えられていた甕壷等貯蔵具以外に、杯も一定量出土しており、食膳具も製作していた事が明らかになった。また、荒平第1支群の踏査によって採集された須恵器の中に硯片が確認でき、役所や寺院などへの供給も目的とされていた可能性がでてきた。3中岳山麓の地質調査を実施した。また、出土遺物や中岳山麓に分布する粘土等の中性子放射化分析や鉱物学的分析など自然科学分析を実施した。4中岳山麓窯跡群のこれまでの研究成果や昨年度の発掘調査出土遺物を中心に、南さつま市歴史交流館金峰にて南さつま市教育委員会と共催のミニ企画展「平安時代の窯跡を掘る!ー中岳山麓窯跡群の発掘調査ー」を実施した。また、発掘調査期間中に一般市民向けに遺跡説明会を実施した。本年度の主要な事業としては、荒平第2支群の発掘調査であったが、1号窯跡の内部とそれに関連する灰原の調査を実施した。ただし、窯跡床面までは達さず内部途中で調査期間終了となったため、次年度に継続した発掘調査を実施する予定である。また、昨年度の発掘調査出土遺物を中心に自然科学分析を実施した。また、今後に向けた分析用のサンプルも採取する事ができた。1窯構造の把握のため、荒平第2支群1号窯跡の発掘調査を実施した。その結果、遺構が良好な状態で残存していることが確認され、窯構造を解明する上で良好な情報を得ることができた。具体的には、地下式構造で、窯跡焼成部床面は40度以上傾斜し、窯尻には煙道部をもつ構造であることがわかった。床に設置された焼台や須恵器片などの窯が使用された状況を示す遺物も確認できた。焼台や焚口付近の窯壁の補修の状況から、少なくとも2回は製品を焼成したと考えられる。また1号窯跡と対面にある傾斜地の調査もすすめ、他窯跡の存在について検討を行った。さらに中岳山麓窯跡群の範囲と規模を推定するため、周辺の踏査を実施し、新たに2カ所の遺物散布地を発見した。このうち1カ所では同時期の土師器も確認でき、窯跡以外の性格の遺構が存在している可能性があり、生産地全体の構造を解明する上で、重要な地点となった。2昨年度の発掘調査でサンプリングした試料による中性子放射化分析と、地質学的分析をすすめた。中性子放射化分析では、本窯跡群内で須恵器胎土の化学的性質がいくつかのグループに分かれることが判明した。支群や消費地遺跡との関係等について検討中である。これらの分析については、中性子放射化分析をウィーン工科大学が、地質学的分析についてはボン大学で実施しており、分析結果をもとに、次の発掘調査でのサンプリングを検討するなど、順調な相互研究がすすんでいる。3中岳山麓窯跡群の研究成果を一般向けに公開するため、発掘調査出土品を中心にミニ展示を実施した。
宇宙放射線被ばくによる発がんリスクの推定：病理およびゲノム変異解析から

宇宙環境おいて、ヒトは常に宇宙放射線を被ばくするため、将来の長期滞在に向けて最も関心の高い人体影響は、宇宙放射線被ばくによる発がんと継世代影響である。宇宙滞在において被ばくする放射線の成分は地上と異なり、陽子線、中性子線に加えて、鉄イオンのような重粒子線が含まれるが、その発がんリスクのデータは不足している。我々は、B6C3F1マウスに鉄イオン、シリコンイオン、またはアルゴンイオンを照射した実験群の終生飼育を終了したサンプルについて解析を行った。本研究では、1病理解析を行い各臓器の発がんリスクを求め、さらに、2ゲノム変異解析を行うことでLETにより発がんメカニズムが異なるかを検討し、重粒子線(鉄イオン、シリコンイオン、アルゴンイオン)による、発がんリスクとゲノム変異メカニズムを新たに提示することを目的とする。昨年度は、重粒子線照射後に発生するがんの特徴として、異なる臓器のがんが同時に進行する多重が認められこれまでの自然誘発およびγ線またはX線照射後に発生するがんとは異なる特徴が明らかになった。本年度は、照射後に発生したリンパ腫の病理解析では、免疫染色によりリンパ腫のタイプ(Tリンパ腫またはBリンパ腫)を明らかにした。被ばく時年齢(1週齢、7週齢)と被ばく線量によりリンパ腫の発生率は異なることが明らかになった。特に1週齢被ばくでは、線量依存性にリンパ腫の発生リスクが減少し、固形がん発生のリスクが増加していることが明らかになった。一部のリンパ腫について全エクソーム解析を行い、自然誘発リンパ腫の解析結果との比較から、鉄イオン線照射で誘発されたリンパ腫で特徴的に変異している遺伝子が確認された。解析サンプルを増やして解析を継続している。以上の結果より、重粒子線照射後に発生するがんは病理学的およびゲノム変異の特徴が異なることが示唆された。29年度が最終年度であるため、記入しない。宇宙放射線の成分は地上と異なり、陽子線、中性子線に加えて、鉄イオンのような重粒子線が含まれるが、その発がんリスクのデータは不足している。我々は、これまでにB6C3F1マウスに鉄イオン、シリコンイオン、またはアルゴンイオンを照射した実験群の終生飼育を終了している。また、誘発された病変については、アーカイブサンプルとして、凍結サンプルと病理組織標本が保存されている。本年度は、特に照射後に発生した病変の病理標本について病理解析を進めた。重粒子線イオン線照射後に発生したマウスの病理切片(HE染色済み)をデジタル画像として保存した。このデータについて、病理専門家の指導の下、病変ががんであるかどうかを判定した。自然誘発がんに比べて特徴的な病理組織が観察される傾向が明らかになってきた。また、リンパ腫のタイプ(Tリンパ腫またはBリンパ腫)を同定するための免疫染色の系の確立をした。また、リンパ腫に関して、遺伝子変異解析の為のDNA抽出方法についても検討を開始した。その結果、肝細胞がん、肺がん、リンパ腫に加え、肺や肝臓に遠隔転移を示す骨肉腫や肺に転移した皮膚がんを認めた。また、肝細胞がんと皮膚の扁平上皮がんが同時に認められる二重がんや肝細胞がん、肺腺腫、卵巣の悪性顆粒膜細胞腫を認める三重がんを有する固体も観察された。また、一部のがんのサンプルについて、遺伝子解析の検討を開始した。

解析サンプルを増やして解析を継続している。以上の結果より、重粒子線照射後に発生するがんは病理学的およびゲノム変異の特徴が異なることが示唆された。今後、病理解析で明らかになったがんについて、遺伝子変異解析を進め、高LET放射線に被ばくした後発生したがんのゲノム変異の解析し、その特徴を調べる。29年度が最終年度であるため、記入しない。
EB-PVD法を用いた新規ボンドコート材用セラミックコーティングシステム開発

本研究では、我々の研究グループが開発したIr基合金のボンドコート材に最も適したトップコート用セラミック材を、EB-PVD法及び溶射法によって開発することを目的としていたが、一連の研究を通して、大気溶射法を用いてEB-PVDによって得られる皮膜と同等の特性を持つ縦割れ(セグメンテーションクラック)を導入したYSZ皮膜の作成に成功した。そこで本年度ではセグメンテーションクラック密度と皮膜特性との相関について詳しく検討した。基材温度を1100°C、表面温度を1200°Cとし、10分の加熱→5分の冷却を繰り返した熱衝撃試験を得られた皮膜に対して行った結果、セグメンテーションクラックを導入した試料は導入していない試料よりも遙かに長い熱衝撃寿命を持っていたことが明らかとなった。また、クラック密度が2.2mm^<-1>の場合に最も長寿命であった。さらに、このようなセグメンテーションクラックは溶射プロセス中に導入され、熱衝撃試験中には導入されないこと、従来のコーティングの剥離と異なり、セグメンテーションクラックを導入した皮膜ではセグメント内部から剥離が発生することを明らかにした。皮膜の密度が高いために熱伝導率に関しては従来法の皮膜よりも高い特性を持つが、Young率の減少には非常に有効であることも示している。本研究では、我々の研究グループが開発したIr基合金のボンドコート材に最も適したトップコート用セラミック材を、EB-PVD法及び溶射法によって開発することを目的としている。平成16年度では、コーティング基材としてのNi基単結晶合金を購入し、プラズマ大気溶射法を用いたトップコート被覆を行った。被膜の微細構造を制御すべくコーティングパラメータの最適化を図ったところ、基板温度および溶融液滴の冷却法がトップコートの組織構造を決定するのに重要な役割を担っていることが明らかとなった。例えば、大気溶射のTBCに於いて最も有望な構造である、セグメンテーションクラックの導入は、基板温度を850°Cに加熱した場合に成功し、この場合柱状晶組織を含む、クラック密度が2.6mm^<-1>の被膜が得られること、またこのセグメンテーションクラックのネットワークは、被覆後試料を1250°Cに加熱しても安定であることを明らかにした。さらに、水銀浸透法を用いて開口孔密度を測定したところ、基板を高温にして得られた被膜のほうが、低温で得られた被膜よりも低い密度であることがわかった、これは、マイクロクラックが高温で消滅するためだと考えられる。また、被覆後の高温加熱により粒子間の密着性も向上することを明らかにした。以上のようにして得られた被膜について、1100°C5分間加熱、3分で室温まで冷却を1サイクルとした熱サイクル試験を行ったところ、セグメンテーションクラックを導入した試料は熱サイクルによる寿命に格段の向上が見られた。来年度はIr基合金をボンドコートに用いた材料に上記セグメンテーションクラックを導入したTBCコーティングを施し、既存のボンドコートと比較する予定である本研究では、我々の研究グループが開発したIr基合金のボンドコート材に最も適したトップコート用セラミック材を、EB-PVD法及び溶射法によって開発することを目的としていたが、一連の研究を通して、大気溶射法を用いてEB-PVDによって得られる皮膜と同等の特性を持つ縦割れ(セグメンテーションクラック)を導入したYSZ皮膜の作成に成功した。
寄生虫感染における制御性T細胞と制御分子の役割の解明

感染時に免疫システムは病原体を排除しようとする正の応答と共にそれを抑制する負の応答も生じる。これまでは、正の排除システムに焦点が置かれており、負の制御システムに着目する研究は少なかった。本研究は、1.負の制御を担う制御性T細胞(Treg)とその分化に重要なTGFβ/Smadシグナル2.免疫賦活化を抑えるシグナル伝達分子STAT3の負の制御分子SOCS3、3. TLRシグナルめ活性化に重要なシグチル伝達分子TRAF6とその負の制御分子FLN29に着目し感染におけるこれらの病態生理学的役割め解明を試みた。1. L. major寄生虫感染モテルではTregが誘導され宿主の免疫応答強度が決定されるとの報告があるが、感染後のTregの経時的変動について調べたが大きな変化は認められなかった。しかし、T細胞特里的Smad2欠感損マウスへの感染やTGFβ中和抗体の投与でTreg誘導に大きな変化はないものの感染抵抗性が認められたことから、TGFβ/SmadシグナルがTreg誘導以外の機序で寄生虫感染を制御することが示唆された。2.これまでT細胞でSOCS3が欠損するとTregの誘導が亢進しL. major感染が増悪化することを見いだしたが、逆にT細胞でSOCS3を過剰発現させても感染は増悪化した。従って効果的な寄生虫排除にはT細胞でSOCS3め発現が適度に調節されることが不可欠である。この感染増悪化は、ヘルパーT細胞のIL-4産生が亢進しTh1応答によるマクロファージの活性化が抑制されるためであった。3. TRAF6がウイルス感染防御のシグナルを担うRIG-I-like Helicase/IPS-2経路の活性化に重要であり、TRAF6を欠損すると繊維芽細胞はINFβの発現が低下し水泡性口内炎ウイルス(VSV)に易感染性を示すことが明らかとなった。この経路ではTRAF6の下流は、既知のTAK1ではなく、MEKK1に担われていることが示された。一方、TRAF6の負の制御因子FLN29が欠損するとIFNβの産生が亢進しVSV感染に抵抗性を示した。TLRシグナルに機能する分子がウイルス感染防御のシグナルでも重要であることが明らかとなった。感染時において免疫システムは病原体を排除しようとする正の応答と同時にそれを抑制する負の応答も生じる。これまでの研究はいかに正の排除システムを機能させるかに焦点が置かれてきたが、負の制御システムに着目する研究は少なかった。本研究は、負の制御を担う制御性T細胞(Treg)、Tregを分化誘導する免疫抑制性サイトカインTGFβ、免疫賦活化を抑えるシグナル伝達分子STAT3とその負の制御分子SOCS3に着目し、これら免疫応答における負のファクターが原虫(L.major)感染にいかに影響を及ぼすのか明らかにする。これまでにT細胞でSOCS3が欠損すると抑制性Th3(Foxp3+Treg)細胞の誘導が亢進して免疫応答が低下し、L.major感染が増悪化することを見いだしているが、平成19年度は、逆にT細胞でSOCS3の発現が亢進しているTgマウスでL.major感染を試みたところ、予想外にも、このマウスでも感染の増悪化を認めた。これらの結果は、効果的なL.majorの排除には細胞内シグナル制御分子SOCS3が適度な量とタイミングで制御されていることが不可欠であることを示唆する。この感染の増悪化は感染後にヘルパーT細胞からのIL-4産生が上昇しTh1応答によるマクロファージ活性化が抑制されていることが原因だとわかったが、なぜSOCS3過剰発現T細胞はIL-4産生が亢進するのか、その分子機序は不明である。次年度は、その分子機構を解明する為に、SOCS3Tg-T細胞の様々なサイトカインに対する応答性とシグナル伝達分子の活性化を調べる。一方、L.major感染後のTregの経時的変動についてFoxp3を指標に調べたが、これまでの報告に反して、大きな変化は認められなかった。

この感染増悪化は、ヘルパーT細胞のIL-4産生が亢進しTh1応答によるマクロファージの活性化が抑制されるためであった。3. TRAF6がウイルス感染防御のシグナルを担うRIG-I-like Helicase/IPS-2経路の活性化に重要であり、TRAF6を欠損すると繊維芽細胞はINFβの発現が低下し水泡性口内炎ウイルス(VSV)に易感染性を示すことが明らかとなった。この経路ではTRAF6の下流は、既知のTAK1ではなく、MEKK1に担われていることが示された。一方、TRAF6の負の制御因子FLN29が欠損するとIFNβの産生が亢進しVSV感染に抵抗性を示した。TLRシグナルに機能する分子がウイルス感染防御のシグナルでも重要であることが明らかとなった。
光合成酸素発生中心の機能モデル:Mn_4O_4立方体錯体からの光化学的酸素発生機

UV光照射によりL_6Mn_4O_4立方体錯体(1)から[L_5Mn_4O_2]^+"Butterfly"型錯体への選択的な分子構造変換により酸素を発生する結果に着目して、この分子構造変換を利用した水の酸化触媒素子の開発、さらにこの素子を基本とした高分子触媒膜を創製する研究を実施した。錯体1はジクロロメタンにしか溶解せず、その飽和濃度も0.4mMの低いのが実験の大きな制約となっていた。また多くの高分子との親和性も課題となっていた。錯体1の溶解度、ならびに高分子との親和性を改善するために、ジフェニルスルホン酸のフェニル基にメチル基を導入した誘導体1aを合成した。メチル基を導入することにより、ジクロロメタンへの溶解度は約100倍増大し、アセトニトリルやジメチルホルムアミドなどの他の有機溶媒にも可能となった。1aとpolystyreneまたはpoly(methyl methacrylate)などの高分子との混合溶液から溶媒除去によ1a/高分子ハイブリッド膜を作成することに成功した。L_6Mn_4O_4錯体の比較化合物として[Mn_2^<III,IV>(μ-O)_2(terpy)_2(H_2O)_2]^<3+>(terpy=2,2':6',2"-terpyridine)錯体(2)を合成した。2の水の酸化触媒活性を明らかにするために、水溶液中で2とCe(IV)酸化剤との反応を調べたが、2は過マンガン酸イオンへ分解するのみで、全く酸素を発生しなかった。しかし、2をカオリン粘土に吸着させた場合には酸素が発生し、2が触媒として働くことを見出した。これまでのマンガンオキソ錯体による水の酸化反応に関する研究では、均一水溶液系で反応が試行されており、水からの酸素発生を実現するに至らなかった。本研究の結果は不均一な反応場を提供することにより、二核マンガン錯体が触媒として働くことを示した最初の例であり、錯体の均一溶液中での反応のみならず、不均一反応場での研究の重要性を示唆している。光合成酸素発生錯体(OEC)の構造はMn_4O_xC_<al>C_<ly>の組成であることが知られているが、その構造およぴ水からの酸素発生機構は充分に明らかにされていない。我々はOECの構造モデル錯体として,Mn_4O_4を有する四核マンガン錯体L_6Mn_4O_4(L=diphenylphosphinate)の合成に成功した。OEC機能のモデル反応を確立するために,L_6Mn_4O_4錯体の構造と反応特異性について研究した。L_6Mn_4O_4錯体のO→Mnの電荷移動吸収帯を紫外光励起することにより、Mn_4O_4核から選択的に酸素分子(0_2)とデオキシ錯体L_5Mn_40_2が生成することを見出した。これは四核マンガン錯体でOECを機能的にモデル化した最初の例であり、OECでの酸素発生機構の解明に重要な示唆を与える結果である。Mn_40_4立方体構造が光化学的酸素発生に特異的な幾何構造であるかどうかを明らかにするために,対照化合物としてMn(μ-0)_2Mn, Mn(μ-O)MnおよびMn(μ-O)_2Mn(μ-O)_2Mnの核構造を有する二核および三核マンガン錯体を合成し,同様の光酸素発生実験を行った。いずれの対照化合物の場合でも酸素は全く検出されず,Mn_40_4立方体構造のみから0_2が発生することが示された。対照化合物であるマンガン錯体は紫外光照射により(0_2を発生せずに)非選択的に分解することを明らかにし、L_6Mn_40_4錯体が光化学的酸素発生に対して特異的な構造であることを明らかにした。

2の水の酸化触媒活性を明らかにするために、水溶液中で2とCe(IV)酸化剤との反応を調べたが、2は過マンガン酸イオンへ分解するのみで、全く酸素を発生しなかった。しかし、2をカオリン粘土に吸着させた場合には酸素が発生し、2が触媒として働くことを見出した。これまでのマンガンオキソ錯体による水の酸化反応に関する研究では、均一水溶液系で反応が試行されており、水からの酸素発生を実現するに至らなかった。本研究の結果は不均一な反応場を提供することにより、二核マンガン錯体が触媒として働くことを示した最初の例であり、錯体の均一溶液中での反応のみならず、不均一反応場での研究の重要性を示唆している。
クロム肺癌症例における気管支・肺病変の遺伝子検索:経時的変化と剖検例の検索

クロム作業従事者と一般集団に発生した肺扁平上皮癌組織において、マイクロサテライトマーカーを用いたLOH検索と、細胞周期制御に関与する蛋白に対するマーカーを用いた免疫組織化学的検索を行った。LOH解析は、当院にて切除されたクロム従事者の扁平上皮癌(クロム肺癌)7例を対象として用いた。また、対照として年齢・性・喫煙指数を一致させた扁平上皮癌10切除例を用いた。材料は手術により切除された肺材料のホルマリン固定パラフィン切片で、マイクロダイセクションによってDNAを採取した。使用したマイクロサテライトマーカーはD3S1300,CI31107,D5S644,D9S171,mfd220,RBi2,TP53である。Informtiveであったのはクロム肺癌が6例、対照例が10例であった。D3S1300,C131107,D5S644ならびにRBi2においては、クロム肺癌と対照例との間にLOH陽性の頻度の明らかな差はみられなかった。TP53についてはクロム肺癌例では6例中3例(50%)に、対照例では10例中8例(80%)にそれぞれLOH陽性であった。また、mdf220については、対照例においてLOH陽性の頻度が高い傾向がみられた。細胞周期調節蛋白の発現異常については、クロム肺癌7例と対照例10例における病変部のホルマリン固定パラフィン切片に対しp53,MDM2,p14ARF, p21及びRb,サイクリンD1,p16の抗体を用いた免疫組織染色を行った。クロム肺癌における発現異常の頻度はP53,MDM2,p14ARFは各々71%,43%,0%、またp16,Rb,サイクリンD1は各々71%,0%,29%廿あった。これに対し、対照例の発現異常の頻度はp53,MDM2,p14ARFは各々80%,40%,10%、またp16,Rb,サイクリンD1は各々60%,20%,30%であり、クロム肺癌例と対照例に差はみられなかった。今回の免疫組織化学的検索から、クロム従事者における扁平上皮癌と一般集団発生の扁平上皮癌における細胞周期調節蛋白の発現には差がみられなかった。また、LOH解析に関しては、TP53、Rbi2について、クロム肺癌と一般扁平上皮癌に相違は検出されなかった。しかし、9qのLOHに関して、両者は異なった性質を示している可能性が示唆された。2年間の研究期間の初年度として本年は、症例の選択、肺内クロム定量結果の確認、パイロットスタディとして臨床経過の判明している症例のマイクロサテライトマーカーを用いたLOH検索を行った。

症例の選択として、当初は凍結材料の得られたものすべて(10例)、対照症例としては、年齢・性別をマッチさせた同期間の肺扁平上皮癌切除例20例を選ぶ予定であった。しかし、その後の検討で、対象例としてはより多くの材料が得られる肺癌切除検体を用いることとしたため、4例を選択した。まず、パイロットスタディとして、対象例のうち病理解剖の行われた1例について、埼玉県立がんセンター研究所病理部(土屋永寿部長)でのLOH検索の結果が得られた。本例では経時的に第1から第9番目の重複肺癌が観察されている。そのうち4病巣(第4から7癌)のLOH解析が行われた。なお、第4癌(高度異形成→癌→放射線治療後の扁平上皮化生)と第5癌(癌→放射線治療後扁平上皮化生)はそれぞれの病変を解析した。第4癌は、異形成が3pと17pでLOH(+)、癌が両方で(-)、扁平上皮化生が17q(-)であった。第5癌では、癌が3p、9q、17pでLOH(+)、扁平上皮化生が3p(+)、9q(-)、17p(-)で、かつ癌と扁平上皮化生では3pの欠失バンドが異なっていた。第6癌は、3pがLOH(-)、9qが(+)、第7癌は、3p、9q、17pでLOH(-)であった。解析した4病変すべてにおいてLOHパターンが異なり、さらに第4癌では異形成と癌ですらLOHが異なっていた。以上より、検索したクロム作業従事者の気管支は上皮全体にわたって発癌準備状態になっており、何らかの因子が加わることによって複数部位から多クローン性に癌が発生したものと考察された。今後は、他症例の手術材料を用いて同様の検素を試みる。2年間の研究期問の後半として、本年度はクロム作業従事者と一般集団に発生した肺扁平上皮癌組織において各種マイクロサテライトマーカーを用いたLOH検索と、細胞周期制御に関与するタンパクに対して各種マーカーを用いた免疫組織化学的検索を行った。まず、LOH解析は、当院にて切除されたクロム従事者の扁平上皮癌(クロム肺癌)が7例を対象として用いた。また、対照として年齢・性・喫煙指数を一致させた扁平上皮癌切除例10例を用いた。材料は手術により切除された肺材料のホルマリン固定パラフィン切片で、この切片からマイクロダイセクションによってDNAを採取し解析した。検索したマイクロサテライトマーカーはD3S1300,C131107,D5S644,D9S171,mfd220,RBi2,TP53である。Informativeであったのはクロム肺癌が4例、対照例が6例であった。用いたマイクロサテライトマーカーのうち、D3S1300,C131107,D5S644ならびにRBi2においては、クロム肺癌と対照例との間にLOH陽性の頻度の明らかな差はみられなかった。TP53についてはクロム肺癌例では3例中3例(100%)に、対照例では10例中8例(80%)にそれぞれLOH陽性であった。また、mdf220については、対照例においてLOH陽性の頻度が高かった。細胞周期調節蛋白の発現異常については、クロム肺癌6例と対照例10例における病変部のホルマリン固定パラフィン切片に対しp53,MDM2,p14ARF, p21及びRb, cyclin D1,p16の抗体を用いた免疫組織染色を行った。クロム肺癌における発現異常の頻度はP53,MDM2,p14ARFは各々71%,43%,0%、またp16,Rb, Cyclin D1は各々71%, 0%, 29%であった。これに対し、対照例の発現異常の頻度はP53,MDM2,p14ARFは各々80%,40%,10%、またp16,Rb, Cyclin D1は各々60%,20%,30%であり、クロム肺癌例と対照例に差はみられなかった。今回の免疫組織化学的検索から、クロム従事者における扁平上皮癌と一般集団発生の扁平上皮癌における細胞周期調節蛋白の発現には差がみられなかった。
高温超伝導体の磁気遮蔽性能解析

混合状態下にある高温超伝導体(HTS)の磁気遮蔽性能を数値的に調べた.MPMG-YBCO超伝導体がもつ臨界電流密度の結晶学的異方性を再現するため多薄層近似を導入すると,遮蔽電流密度の振る舞いはスカラ関数に関する微積分方程式(遮蔽電流密度方程式)とJ-E構成方程式で表される.本研究では,J-E構成方程式にflux flow creepモデルを採用し,臨界電流密度及びflow抵抗率の磁場依存性を考慮するため,Kimモデル及びBardeen-Stephanモデルを用いた.有限要素法とθ法を用いて同方程式の初期値・境界値問題を離散化すると,同問題は各時間ステップで非線形方程式G(s)=0を解く問題に帰着する.この非線形方程式の解法に減速Newton法と逐次代入法を適用すると,いずれの場合も収束解を得るのに莫大なCPU時間を必要とする.これは,収束性を保証するために時間刻みと不足緩和係数を十分小さく取らねばならないからである.この難点を克服するため,本研究では,残差ノルム‖G(s)‖が反復回数に関して単調減少する修正Newton法を開発した.同法を非線形方程式G(s)=0の解法に適用すれば,減速Newton法に比べて極めて少ない反復回数で収束解が得られる.修正Newton法を用いて遮蔽電流密度の時間発展を解析する数値シミュレーション・コードを開発し,同コードを用いて,混合状態下にあるHTS板の磁気シールド性能を調べた.その結果,高温超伝導板の磁気遮蔽性能は100Hz以下の低周波磁界に対しては時間依存性をもつのに対して,高周波磁界に対する遮蔽性能は時間依存性をもたないことが分かった.さらに,高温超伝導体は,たとえ混合状態下にある場合でも,100Hz程度の高周波磁界を遮蔽できることが判明した.混合状態下にある高温超伝導体(HTS)の磁気遮蔽性能を数値的に調べた.MPMG-YBCO超伝導体がもつ臨界電流密度の結晶学的異方性を再現するため多薄層近似を導入すると,遮蔽電流密度の振る舞いはスカラ関数に関する微積分方程式(遮蔽電流密度方程式)とJ-E構成方程式で表される.本研究では,J-E構成方程式にflux flow creepモデルを採用し,臨界電流密度及びflow抵抗率の磁場依存性を考慮するため,Kimモデル及びBardeen-Stephanモデルを用いた.有限要素法とθ法を用いて同方程式の初期値・境界値問題を離散化すると,同問題は各時間ステップで非線形方程式G(s)=0を解く問題に帰着する.この非線形方程式の解法に減速Newton法と逐次代入法を適用すると,いずれの場合も収束解を得るのに莫大なCPU時間を必要とする.これは,収束性を保証するために時間刻みと不足緩和係数を十分小さく取らねばならないからである.この難点を克服するため,本研究では,残差ノルム‖G(s)‖が反復回数に関して単調減少する修正Newton法を開発した.同法を非線形方程式G(s)=0の解法に適用すれば,減速Newton法に比べて極めて少ない反復回数で収束解が得られる.修正Newton法を用いて遮蔽電流密度の時間発展を解析する数値シミュレーション・コードを開発し,同コードを用いて,混合状態下にあるHTS板の磁気シールド性能を調べた.その結果,高温超伝導板の磁気遮蔽性能は100Hz以下の低周波磁界に対しては時間依存性をもつのに対して,高周波磁界に対する遮蔽性能は時間依存性をもたないことが分かった.さらに,高温超伝導体は,たとえ混合状態下にある場合でも,100Hz程度の高周波磁界を遮蔽できることが判明した.従来,高温超伝導体の磁気遮蔽性能は,完全超伝導状態を対象として実験的および数値的研究が行われてきた.しかしながら,高温超伝導体が第2種超伝導体であり,さらに,その上部臨界磁界が100T以上であることを考慮すれば,混合状態下での磁気遮蔽性能を積極的に工学分野において応用することが期待される.上記理由により,本研究では,混合状態下にある高温超伝導体の磁気遮蔽性能を数値的に調べた.高温超伝導体の結晶学的異方性を考慮すれば,超伝導板は複数の薄層からなる多層構造をもつと仮定できる.この仮定の下で,遮蔽電流密度の支配方程式はスカラー関数の微積分方程式として定式化することができる.この微積分方程式の初期値・境界値問題を解く数値シミュレーション・コードを開発し,同コードを用いて混合状態下にある高温超伝導体の磁気遮蔽性能を解析した.この際,混合状態を記述するJ-E構成方程式には,磁束フロー・磁束クリープ・モデルを採用し,同モデル中の臨界電流密度とフロー抵抗率は定数とした.解析結果から,高温超伝導板の磁気遮蔽性能は100Hz以下の低周波磁界に対しては時間依存性をもつのに対して,高周波磁界に対する遮蔽性能は時間依存性をもたないことが分かった.さらに,高温超伝導体は,たとえ混合状態下にある場合でも,100Hz程度の高周波磁界を遮蔽できることが判明した.上記の結果は,臨界電流密度とフロー抵抗率の磁界依存性を無視して得られたものである.この2つの物理量の磁界依存性を考慮した解析も本年度行われたが,印加磁界の位相がπの整数倍となる時刻で解が収束しなくなるという状況が生じている.これは,磁束フロー・磁束クリープ・モデルで磁束クリープから磁束フローへの遷移領域が微分不可能になっていることが原因である.この意味から,磁束フロー・磁束クリープ・モデルの修正が必要である.

磁気浮上システムや磁気シールド装置等,高温超伝導体(HTS)の応用に関する数値的研究には遮蔽電流密度の時間発展を調べることが必要不可欠である.それ故,遮蔽電流密度方程式の様々な数値解法がこれまで開発されてきた.本研究の目的は,遮蔽電流密度方程式の高速数値解法を開発し,同法を用いてHTS板の磁気遮蔽性能を評価することである.MPMG-YBCO超伝導体がもつ臨界電流密度の結晶学的異方性を再現するため,多薄層近似を導入すると,遮蔽電流密度の振る舞いはスカラ関数に関する微積分方程式(遮蔽電流密度方程式)とJ-E構成方程式で表される.本研究では,J-E構成方程式にflux flow creepモデルを採用し,臨界電流密度及びflow抵抗率の磁場依存性を考慮するため,Kimモデル及びBardeen-Stephanモデルを用いた.遮蔽電流密度方程式をJ-E構成方程式と共に初期条件,境界条件の下で解けば,遮蔽電流密度の時間発展を調べることができる.有限要素法とθ-法を用いて遮蔽電流密度方程式の初期値・境界値問題を離散化すると,同問題は各時間ステップで非線形方程式G(s)=0を解く問題に帰着する.しかし,同非線形方程式の解法に減速Newton法を適用した場合,不足緩和係数を減少させても必ずしも収束解が得られるとは限らない.この難点を克服するため,本研究では,残差ノルム‖G(s)‖が反復回数に関して単調減少する修正Newton法を開発した.同法を非線形方程式G(s)=0の解法に適用すれば,減速Newton法に比べて極めて少ない反復回数で収束解が得られる.本研究では修正Newton法を用いて遮蔽電流密度の時間発展を解析し,その結果を基にしてHTS板の磁気シールド性能を調べた.本研究を通して得られた結論は以下のようになる.(1)印加磁束磁場強度の増加に伴い遮蔽係数σの時間依存性は一旦強くなった後,σ=1に漸近してゆく.(2)印加磁束密度の周波数の増加に伴い,HTS板の磁気シールド性能は向上する.
軽度知的障害のある高等部生徒のキャリアプラン作成のための情報端末利用型面談

(研究目的)軽度知的障害のある生徒が自らキャリアプランを作成することで、主体的な学習関与が促進されると報告されている(芝山, 2011)。しかし、知的障害者は実行制御の困難さを有しており(葉石ら, 2010)、計画したプランの実行に困難が生じやすい。本研究では情報端末利用型面談を導入し、キャリアプランの計画・実行を試みた。目的はその効果を検証し、キャリアプランの実行性を高める要件や面談の有用性をについて知見を得ることである。(研究方法)対象者は特別支援学校(知的障害)高等部3年次に在籍する生徒8名であった。先行研究を基に開発したキャリアプラン・シート(A4版,縦使用)に、対象者は自ら決めた目標や方略を記入した。計画されたプランの実行にあたり、目標意識化なし条件(課題解決場面は自由選択、実行時の支援なし)、あり条件(課題解決場面は作業学習に限定、対象者は作業学習担当者へ「目標の自己申告」と「評価依頼」を実施)の2条件が設定された。プランの計画・実行段階で画像や図表等をタブレット型情報端末で視覚的に提示しつつ面談を行った。(1)計画されたプランの実行状況、(2)面談時の発話内容を中心に各条件間で比較検討した。(研究成果)目標意識化なし条件では計画されたプランを実行可能な者が2名であったが、目標意識化あり条件では8名全員が実行可能であったと評価された。また、目標意識化あり条件後は、自ら設定した目標について成長したと言及する対象者が増え、発話内容もより自律性が高い動機づけタイプに変容した。結果から、軽度知的障害のある生徒がプランの実行段階で自らの目標を言語化して他者に伝え、直接的かつ継続的なフィードバックを得ることは、実行制御にかかる負荷を減らし、実行性を向上させる可能性が示唆された。情報端末利用型面談は、対象者の動機づけの評価において特に有用であった。
非線型・方程式の定性解析

数理現象の忠実な数式表現をしようとすると、通常は非線形な方程式が対応する.その場合、知りたい事柄の情報をふくむ解は、方程式の非線形性に応じて様々な様相を示し、数学的な議論を行うには方程式が固有にもつ性質を十分見定めた上で、解析の仕方も各々の場合について適切な工夫をすることが必要となる.楕円型方程式では、Laplace方程式やPoisson方程式の研究が基礎となり、極小曲面、H-surface、capillarityなど多くの方程式が扱われている.ここではそれらに関連して表面が弾力性を持つpendent drop的な膜の方程式をモデルに考え、大きな変形を伴うときの状況を非線形な固有値問題と認識して、その数学的な仕組を明かにすることを課題とした.以前より数理物理の古典理論において膜の変位が微小な場合の線形的な解析については比較的よく知られている.しかし、膜の大きな変位をみようとすると、非線形要素を無視することができず、方程式の取扱いが微妙となり数学的な難さを伴う.その解決の糸口を得るために簡単なモデルで理論的な枠組みの設定を試みた結果、特に問題を1次元化して考えた弾性弦のモデルに対する変分問題に対してsmall solutionとlarge solutionの存在を導き、定性的な解析を行うことができた.また、曲面モデルについての解析は、分岐論的なとらえ方を検討した結果を現在整理中である.今後さらに現実性のある問題が幅広く議論されることを願っている.数理現象の忠実な数式表現をしようとすると、通常は非線形な方程式が対応する.その場合、知りたい事柄の情報をふくむ解は、方程式の非線形性に応じて様々な様相を示し、数学的な議論を行うには方程式が固有にもつ性質を十分見定めた上で、解析の仕方も各々の場合について適切な工夫をすることが必要となる.楕円型方程式では、Laplace方程式やPoisson方程式の研究が基礎となり、極小曲面、H-surface、capillarityなど多くの方程式が扱われている.ここではそれらに関連して表面が弾力性を持つpendent drop的な膜の方程式をモデルに考え、大きな変形を伴うときの状況を非線形な固有値問題と認識して、その数学的な仕組を明かにすることを課題とした.以前より数理物理の古典理論において膜の変位が微小な場合の線形的な解析については比較的よく知られている.しかし、膜の大きな変位をみようとすると、非線形要素を無視することができず、方程式の取扱いが微妙となり数学的な難さを伴う.その解決の糸口を得るために簡単なモデルで理論的な枠組みの設定を試みた結果、特に問題を1次元化して考えた弾性弦のモデルに対する変分問題に対してsmall solutionとlarge solutionの存在を導き、定性的な解析を行うことができた.また、曲面モデルについての解析は、分岐論的なとらえ方を検討した結果を現在整理中である.今後さらに現実性のある問題が幅広く議論されることを願っている.
積層強誘電体の理論モデルの構築

積層強誘電体の分域構造、異物質間・異相間の界面の構造を知るため、それぞれ半無限の2つの異なる物質(たとえば、強誘電体1と強誘電体2、強誘電体と常誘電体)が接合面で、双1次の相互作用することを仮定して、連続体のランダウ型自由エネルギーを離散化した1次元モデルをつくり、解析した。より現実的な1次相転移する強誘電体について、界面近傍での分極分布、界面エネルギーを求めた。まず、各物質での分極の空間分布(分極プロファイル)を表わす厳密解析解を得た。次に界面での相互作用係数をλとすると、λが小さいときは、独立な物質を2つ並置したにすぎず、界面における分極のギャップが大きく、界面エネルギーが小さいこと、λが大きい時は界面分極のギャップが小さく、誘電的にソフトな物質の界面分極がハードな物質の分極の方に引きずられること、界面エネルギーは特定のλのとき最大になることなどを示した。また遷移層の厚さは、両物質それぞれの特性長によってきまることを確認した。このモデルを使えば、Tilley-Zeksの薄膜モデルにおいて、a prioriに仮定されている外挿長が、エネルギー的に自然に導かれる。すなわち、相手の物質の界面分極が自分の分極より小さければ、相互作用によつて小さい方に引きずられるので正の外挿長が得られ、大きければ大きい方に引きずられて負の外挿長が得られる。っまり、外挿長は物質固有の物理量ではなく、組み合わせの相手次第で正にも負にもなりうることを示した。また、このようなヘテロ積層強誘電体の履歴曲線について詳細に調べた。両物質とも半無限系であるので、示量変数(分極)に対する界面の影響は少ないが、示強変数である電場、この場合は抗電場が界面を通しての両物質の相互作用に敏感に依存し、interface-aided polarization reversalが起り、単一物質では見られないような新しい形の履歴曲線が得られることが示された。積層強誘電体の分域構造、異物質間、異相間の界面の構造を知るため、それぞれ半無限の2つの異なる物質(たとえば、強誘電体1と強誘電体2、強誘電体と常誘電体)が接合面で、双1次の相互作用することを仮定して、連続体のランダウ型自由エネルギーを離散化した1次元モデルをつくり、解析した。すなわち、相手の物質の界面分極が自分の分極より小さければ、相互作用によって小さい方に引きずられるので正の外挿長が得られ、大きければ大きい方に引きずられて負の外挿長が得られる。

つまり、外挿長は物質固有の物理量ではなく、組み合わせの相手次第で正にも負にもなりうることを示した。積層強誘電体の分域構造、異物質間、異相間の界面の構造を知るため、それぞれ半無限の2つの異なる物質(たとえば、強誘電体1と強誘電体2、強誘電体と常誘電体)が接合面で、双1次の相互作用することを仮定して、連続体のランダウ型自由エネルギーを離散化した1次元モデルをつくり、解析した。より現実的な1次相転移する強誘電体について、界面近傍での分極分布、界面エネルギーを求めた。まず、各物質での分極の空間分布(分極プロファイル)を表わす厳密解析解を得た。次に界面での相互作用係数をλとすると、λが小さいときは、独立な物質を2つ並置したにすぎず、界面における分極のギャップが大きく、界面エネルギーが小さいこと、λが大きい時は界面分極のギャップが小さく、誘電的にソフトな物質の界面分極がハードな物質の分極の方に引きずられること、界面エネルギーは特定のλのとき最大になることなどを示した。また遷移層の厚さは、両物質それぞれの特性長によってきまることを確認した。このモデルを使えば、Tilley-Zeksの薄膜モデルにおいて、a prioriに仮定されている外挿長が、エネルギー的に自然に導かれる。すなわち、相手の物質の界面分極が自分の分極より小さければ、相互作用によって小さい方に引きずられるので正の外挿長が得られ、大きければ大きい方に引きずられて負の外挿長が得られる。また、このようなヘテロ積層強誘電体の履歴曲線について詳細に調べた。両物質とも半無限系であるので、示量変数(分極)に対する界面の影響は少ないが、示強変数である電場、この場合は抗電場が界面を通しての両物質の相互作用に敏感に依存し、interface-aided polarization reversalが起り、単一物質では見られないような新しい形の履歴曲線が得られることが示された。