hpprc/llmjp-kaken huggingface dataset:
二ホウカマグネシウム薄膜等の高電界超伝導加速空洞への応用研究

MgB_2は、酸化物高温超伝導体と比較して臨界温度、臨界磁場共に低いため、高温超伝導体発見時ほどには注目を浴びていないようであるが、酸化物高温超電導体にないいくつかの優れた特性を有し、超伝導加速空洞の素材として有望であることが明らかになってきた。我々はNbに続く超伝導加速空洞材料としてMgB_2が期待できると考え、加速空洞への応用に焦点を絞り、により、そのマイクロ波特性、特に表面抵抗の温度依存性、および電力(マイクロ波磁場)依存性を測定解析し応用可能性を評価しようとするものである。PLD法について我々は、酸化物高温超伝導体,特にYBaCuOにおける経験を基礎として、直径36φ円盤上に臨界温度が39K,16GHzにおける高周波表面抵抗が4.2Kで少なくとも0.1mΩ以下の、MgB_2薄膜を製作しその高周波電力依存性を測定し、高い加速電界達成の可能性を探っている。銅の基板を用いた基礎実験の結果とニオブ基板を用いた初歩的な結果をイタリヤで開かれた薄膜超伝導のワークショップで発表を行った。Nbに直接MgB2をPLDにより薄膜を生成し高周波特性の測定を行った。その結果MgB2薄膜による超伝導薄膜による超伝導体Nbに対する高周波電磁界のシールド効果を発見した。TM空洞に薄膜を付ける試験をおこなった。結果を中国で開かれた超伝導空洞のワークショップ(SRF2007)で発表した。今後高い電磁界の試験を進める必要がある。我々はNbに続く超伝導加速空洞材料としてMgB_2が期待できると考え、加速空洞への応用に焦点を絞り、(i)Pulsed LaserDeposition (PLD)により金属基盤上にMgB_2被膜を作製する方法により、そのマイクロ波特性、特に表面抵抗の温度依存性、および電力(マイクロ波磁場)依存性を測定解析レ応用可能性を評価しようとするものである。PLD法については我々は、酸化物高温超伝導体特にYBaCuOにおける経験を基礎として、直径36φ円盤上に臨界温度が39K,16GHzにおける高周波表面抵抗が42Kで少なくとも0.1mΩ以下の、MgB_2薄膜を製作しその高周波電力依存性を測定し、高い加速電界達成の可能性を探っている。結果をイタリヤで開かれた薄膜超伝導体の国際ワークショップで発表した。我々はNbに続く超伝導加速空洞材料としてMgB2が期待できると考え、加速空洞への応用に焦点を絞り、(i)Pulsed LaserDeposition(PLD)により金属基盤上にMgB_2被膜を作製する方法により、そのマイクロ波特性、特に表面抵抗の温度依存性、および電力(マイクロ波磁場)依存性を測定解析し応用可能性を評価しようとするものである。PLD法については我々は、酸化物高温超伝導体、特にYBaCuOにおける経験を基礎として、直径36φ円盤上に臨界温度が39K、16GHzにおける高周波表面抵抗が4.2Kで少なくとも0.1mΩ以下の、MgB_2薄膜を製作しその高周波電力依存性を測定し、高い加速電界達成の可能性を探っている。

Nbに直接MgB_2をPLDにより薄膜を生成し高周波特性の測定を行った。その結果MgB_2薄膜による超伝導薄膜による超伝導体Nbに対する高周波電磁界のシールド効果を発見した。TM空洞に薄膜を付ける試験をおこなった。結果を中国で開かれた超伝導空洞のワークショップ(SRF2007)で発表した。今後高い電磁界の試験を進める必要がある。
デフォーカスビームを用いた光磁気信号の再生方式

平成6年度は,微小反転磁区の信号再生が,デフォーカス法を用いることにより従来法に比較して有利になる場合があることの実験事実を,理論計算で裏付けすることができ,本方法の一般的検討を可能とする手立てを与えることができた.しかし,デフォーカスの条件などの広い範囲にわたっての検討までは至っておらず,デフォーカス法の最大能力までは明らかにできなかった.平成7年度は,デフォーカス量(レンズ後焦点面から媒体までの距離)に依存して,また,記録されている反転磁区の大きさの対ビーム径比に依存して,さらには,反転磁区の配置に依存して,従来法との比較を行った.再生光の収斂条件を一定とし,独立反転磁区の大きさに対する出力の信号対雑音比のデフォーカス量をパラメータとしての計算結果は,本方法が媒体の射出光の位相分布を検出している,すなわち,エッジ(磁壁)を検出していることを反映して,いずれのデフォーカス量においても再生に適した大きさのビットが存在することが示された.また,逆に,記録に用いられるビットの大きさが与えられたときに最適のデフォーカス量が定まることが明かとなった.一方,ランダムに並んだビット列の再生信号の評価では,独立反転磁区の場合においてデフォーカス法が従来法に比較して優位になるビットウエスト径の1/3の大きさの反転磁区単位に対して,従来法と同様にデフォーカス法の場合にも,波径等化しない場合には波径干渉のために源信号が再生できないなどの結果となった.デフォーカス法は光の回折を利用しているため,規則的なビット列に対して有利であるが,任意のビット列に対しては必ずしも有効ではない.符号の変調方式を定めての本方法の場合の波径等化法について検討を要する結果となった.平成6年度は,微小反転磁区の信号再生が,デフォーカス法を用いることにより従来法に比較して有利になる場合があることの実験事実を,理論計算で裏付けすることができ,本方法の一般的検討を可能とする手立てを与えることができた.しかし,デフォーカスの条件などの広い範囲にわたっての検討までは至っておらず,デフォーカス法の最大能力までは明らかにできなかった.平成7年度は,デフォーカス量(レンズ後焦点面から媒体までの距離)に依存して,また,記録されている反転磁区の大きさの対ビーム径比に依存して,さらには,反転磁区の配置に依存して,従来法との比較を行った.再生光の収斂条件を一定とし,独立反転磁区の大きさに対する出力の信号対雑音比のデフォーカス量をパラメータとしての計算結果は,本方法が媒体の射出光の位相分布を検出している,すなわち,エッジ(磁壁)を検出していることを反映して,いずれのデフォーカス量においても再生に適した大きさのビットが存在することが示された.また,逆に,記録に用いられるビットの大きさが与えられたときに最適のデフォーカス量が定まることが明かとなった.一方,ランダムに並んだビット列の再生信号の評価では,独立反転磁区の場合においてデフォーカス法が従来法に比較して優位になるビットウエスト径の1/3の大きさの反転磁区単位に対して,従来法と同様にデフォーカス法の場合にも,波径等化しない場合には波径干渉のために源信号が再生できないなどの結果となった.デフォーカス法は光の回折を利用しているため,規則的なビット列に対して有利であるが,任意のビット列に対しては必ずしも有効ではない.符号の変調方式を定めての本方法の場合の波径等化法について検討を要する結果となった.強度がガウス分布である円偏光を対物レンズへ入射させたときの,デフォーカス位置に置かれた媒体での反射,そしてフーリエ変換面に置かれた光検出器までの光の伝播を,たかだかフレネル近似が適用できる条件下で求め,検出器位置での光分布を導いた。数値計算により光強度分布プロファイルが求められ,酸化磁性材料を用いた拡大実験により,デフォーカス信号再生法の考え方および理論式が裏付けされ,その理論式を用いての本方式の検討が可能となった。デフォーカス量(レンズ後焦点面から媒体までの距離)をパラメータとし,媒体に反転磁区が孤立して存在すると仮定したとき,再生信号を信号対雑音比で評価すると,反転磁区がビームウエストの約3分の1以下において,直線偏光を用い焦点面で信号検出する従来法より改善されることが示された。また,孤立磁区ではなく,再生目的の磁区の両側に反転磁区が存在し,こりらの干渉を含めて計算を行った。多くの計算時間を要するため広範囲のパラメータについてり計算は完了しないが,非常に磁区が小さく整然と並んでいるときにデフォーカス法が優れていることが分かった。これは高密度の情報が周期的に記録されている場合であり,一般的な磁区配置の場合に本方法が有効であるとの計算結果は,選んだパラメータの中では得られなかった。設定パラメータを選び直しての計算を継続中である。一方,直線偏光を入射しての再生方式におけるフーリエ変換面での信号検出を考えるとき,回折により光振幅が分布するのに加えて偏光角の分布が導かれた。これを考慮することにより,従来より詳細な信号評価が行え,十分大きな検出器を用いるとき得られる信号はその置かれる位置には依存しないこと,小さな検出器の場合にはフーリエ変換面での信号検出が僅かながら有利であることが明かになった。

平成6年度は,微小反転磁区の信号再生が,デフォーカス法を用いることにより従来法に比較して有利になる場合があることの実験事実を,理論計算で裏付けすることができ,本方法の一般的検討を可能とする手立てを与えることができた.しかし,デフォーカスの条件などの広い範囲にわたっての検討までは至っておらず,デフォーカス法の最大能力までは明かにできなかった.平成7年度は,デフォーカス量(レンズ後焦点面から媒体までの距離)に依存して,また,記録されている反転磁区の大きさの対ビーム径比に依存して,さらには,反転磁区の並び方に依存して,従来法との比較を行った.再生光の収斂条件を一定とし,孤立反転磁区の大きさに対する出力の信号対雑音比のデフォーカス量をパラメータとしての計算結果は,本方法が媒体の射出光の位相分布を検出している,すなわち,エッジ(磁壁)を検出していることを反映して,いずれのデフォーカス量においても再生に適した大きさのビットが存在することが示された.また,逆に,記録に用いられるビットの大きさが与えられたときに最適のデフォーカス量が定まることが明かとなった.一方,ランダムに並んだビット列の再生信号の評価においては,孤立反転磁区の場合においてデフォーカス法が従来法に比較して優位になるビームウエスト径の1/3の大きさの反転磁区単位に対して,従来法と同様にデフォーカス法の場合にも,波形等化しない場合には波形干渉のために源信号が再生できないなどの結果となった.デフォーカス法は光の回折を利用しているため,規則的なビット列に対して大きな再生出力を与えるが,任意のビット列に対しては必ずしも有効ではない.符号の変調方式を定めてのデフォーカスの場合の波形等化法について検討を要する結果となった.
ラットスペルミジン合成酵素の基質結合部位の三次元構造の解明

1.ラットスペルミジン合成酵素の一次構造:DNA配列の解析で得られたマウスおよびヒト由来スペルミジン合成酵素のアミノ酸配列を参考にして,エドマン法では配列が決められない微量酵素試料を用いて,如何にして全配列に関する情報を得るかという方法論上の興味を含めて検討を行った.方法としては,限定分解,セミミクロHPLCによる生成ペプチドの分離,MALDI-TOF-MSによる分離ペプチドの質量測定からなっている.限定分解法としては,リジルエンドペプチダーゼとアルギニルエンドペプチダーゼを用いる酵素法,およびシステイン残基のN端側を選択的に切断する化学的方法を採用した.少なくとも3種の限定加水分解法の組合せは,DNAに基づくアミノ酸配列の妥当性を支持するために不可欠であった.検討の結果,ラットスペルミジン合成酵素のN末端はアセチル化されており,11番目のアミノ酸はマウスのDNA配列からのセリンではなく,ヒトのDNA配列からのプロリンであり,その他はマウスのアミノ酸配列と基本的に一致していることがわかった.2.活性部位に位置すると思われる遊離SH基の検索:基質である脱炭酸化S-アデノシルメチオニン(deAdoMet)の存在下あるいは非存在下で,市販のSH-試薬IAEDANSと酵素とを反応させると,deAdoMet非存在下で酵素が蛍光標識されることがわかり,deAdoMetの結合部位近辺に活性を現すために必要なSH基が存在すると思われた.IAEDANS標識酵素を限定加水分解して標識されたシステインを同定したところ,46個のシステインが標識されており,活性部位に複数のシステインの存在が想定された.3.タンパク質における遊離SH基周辺アミノ酸配列の空間的位置関係を調べるための基礎検討:X線回折やNMRを適用できない微量SHタンパク質を対象として,SH基と反応する官能基と光標識化が可能な官能基の両者を有する二機能性試薬AIABを合成し,その有用性を試す基礎検討を行った.1.ラットスペルミジン合成酵素の一次構造:DNA配列の解析で得られたマウスおよびヒト由来スペルミジン合成酵素のアミノ酸配列を参考にして,エドマン法では配列が決められない微量酵素試料を用いて,如何にして全配列に関する情報を得るかという方法論上の興味を含めて検討を行った.方法としては,限定分解,セミミクロHPLCによる生成ペプチドの分離,MALDI-TOF-MSによる分離ペプチドの質量測定からなっている.限定分解法としては,リジルエンドペプチダーゼとアルギニルエンドペプチダーゼを用いる酵素法,およびシステイン残基のN端側を選択的に切断する化学的方法を採用した.少なくとも3種の限定加水分解法の組合せは,DNAに基づくアミノ酸配列の妥当性を支持するために不可欠であった.検討の結果,ラットスペルミジン合成酵素のN末端はアセチル化されており,11番目のアミノ酸はマウスのDNA配列からのセリンではなく,ヒトのDNA配列からのプロリンであり,その他はマウスのアミノ酸配列と基本的に一致していることがわかった.2.活性部位に位置すると思われる遊離SH基の検索:基質である脱炭酸化S-アデノシルメチオニン(deAdoMet)の存在下あるいは非存在下で,市販のSH-試薬IAEDANSと酵素とを反応させると,deAdoMet非存在下で酵素が蛍光標識されることがわかり,deAdoMetの結合部位近辺に活性を現すために必要なSH基が存在すると思われた.IAEDANS標識酵素を限定加水分解して標識されたシステインを同定したところ,46個のシステインが標識されており,活性部位に複数のシステインの存在が想定された.3.タンパク質における遊離SH基周辺アミノ酸配列の空間的位置関係を調べるための基礎検討:X線回折やNMRを適用できない微量SHタンパク質を対象として,SH基と反応する官能基と光標識化が可能な官能基の両者を有する二機能性試薬AIABを合成し,その有用性を試す基礎検討を行った.1.ラットスペルミジン合成酵素のアミノ酸配列と活性部位に位置すると思われる遊離SH基の検索:主に市販の蛍光SH試薬N-(iodoacetylaminoethyl)-5-naphthyl-amine-1-sulfonic acid (IAEDANS)を用いて検討した.本酵素に基質の一つである脱炭酸化S-アデノシルメチオニン(deAdoMet)を加えてIAEDANSと反応させると,酵素はほとんど標識されなかったが,deAdoMet非存在下では強く標識されかつ失活も速やかであったことから,活性部位付近に存在するSH基との反応が考えられた.実際にdeAdoMetなしにIAEDANSで標識した酵素のSDS-PAGEの移動度から,凡そ56モル分のIAEDANSが結合したと考えられ,更に加水分解して得られたアミノ酸分析からも相応量のカルボキシメチルシステインの存在が確認された.そこで標識酵素をリジルエンドペプチダーゼで処理し,得られた標識ペプチドを調べてアミノ酸配列中のどのシステインが標識されたかを検討した.その結果,4ペプチド断片が確認され,少なくとも4個のシステインが同定され,cDNAから類推したヒトスペルミジン合成酵素と比較して,あと2個のシステインの標識が考えられた.得られた結果は上記IAEDANSの標識数ともよく一致しており,活性部位近辺には複数の遊離SH基が存在することを示唆している.2.タンパク質における遊離SH基周辺アミノ酸配列の空間的位置関係を調べるための基礎検討:分子内にSH基と反応する官能基及び光感受性

官能基の両者を同時に有する二機能性試薬として4-azido-iodoaceta-midobenzene (AIAB)を合成し,その結果について若干検討した.牛血清アルブミン中に1個存在する遊離のSH基とAIABとの反応性を調べた結果,反応時間が長引くとシステイン残基以外のアミノ酸残基ともAIABが反応することがわかった.1.ラットスペルミジン合成酵素のアミノ酸配列と活性部位に位置すると思われる遊離SH基の検索:最近,cDNANを用いてラット由来酵素の一次構造が報告されたが,N端側凡そ15アミノ酸残基がヒト,マウス由来酵素のそれと大幅に異なり,また,C端側の凡そ15残基も我々がエドマン法で得た結果と大幅に異なっていた.そのためエドマン法でのアミノ酸配列研究を続行し,N端側凡そ30残基を残して一次構造の概要を知ることができた.更にアミノ酸配列の全貌を知るために,新たに導入されたTOF-MASSも利用して鋭意検討中である.活性部位の遊離SH基の存在に関する新たな情報として,ジチオスレイトールを除き本酵素をインキュベートする失格条件下で,市販の蛍光SH試薬IAEDANSを用いて経時的に蛍光標識を行ったところ,失格と蛍光標識の減少との間に明瞭な相関が認められた.この蛍光標識の減少は,リジルエンドペプチダーゼ処理により得られるシステイン含有の5種類のペプチド断片全てに見られ,これら複数のSH基が本酵素活性発現に密接に関わっていることが示唆された.2.スペルミジン合成酵素の遊離SH基周辺アミノ酸配列の空間的位置関係を調べるための二機能性SH試薬:本酵素の活性部位に進入可能と考えられる4-azido-iodoacetamidobenzeneが,水に難溶性でかつSH基以外のアミノ酸残基とも反応するなどの欠点が認められ,新たな試薬のデザインが必要になった.活性部位内の複数のSH基を仮定して,それらのSH基間に橋渡しできるような二機能性試薬,例えば最も簡単な化合物として1,2-diiodoethane,も有用と考えられ,一連の化合物を各種市販品も含めて準備中である.また,それらの解析には今後TOF-MASSを十分に活用すべく予試験を行っている.1.ラットスペルミジン合成酵素のアミノ酸配列と活性部位に位置すると思われる遊離SH基の検索:ヒト,マウス,ラットについてcDNAに基づくスペルミジン合成酵素の一次構造が知られているが,ラット由来酵素のそれが他と大幅に違っていたため,実際の酵素タンパクを用いて一次構造を調べてきた.これまではリジルエンドペプチダーゼによる限定加水分解とエドマン法を組み合わせて行ってきたが,さらにアルギニルエンドペプチダーゼによる限定加水分解および2-ニトロー5-チオシアノ安息香酸を用いるシステイン残基のN端側での選択的な化学的開裂法とTOF-MASを組み合わせて,ほぼその全容を知ることができた.その結果,N末端はアセチル化されており,11番目のアミノ酸がプロリンであることを除けば,他の全ての配列がマウスのcDNAから得られたものと一致していることがほぼ判明した.なお,活性部位の遊離SH基に関する新たな情報は得られていないが,酵素の失活を防ぐためのジチオスレイトールの代わりに,SH基を持たない還元剤,トリス(2-カルボキシエチル)ホスフィン(TCEP)の利用が可能であった.これは今後種々のSH試薬と酵素との反応を直接調べるために大いに役立つと考えている.2.スペルミジン合成酵素の遊離SH基周辺アミノ酸配列の空間的位置関係を調べるための二機能性
免疫ネットワ-クの自律分散認識機講とその分散情報処理への応用

免疫機構が行う情報処理として特徴をまとめると以下の様になる。(1)相互認識;認識は相互認識ネットワ-クにより行う。(2)情報記憶;膨大なパタ-ンを記憶し識別する。(3)学習能力;パタ-ン認識能力は、学習により獲得する(遺伝ではなく、1世代で獲得)。(4)超多様性獲得;膨大なパタ-ン識別に必要な超多様性をコピ-(遺伝)によらずに、組合せ生成する。(5)論理パラドックス回避;自己/非自己認識を行う。これらのそれぞれの特徴に着目し、(1)相互認識ネットワ-クモデル(相互認識に着目)、(2)免疫学習モデル(情報記憶および免疫型学習に着目)を提案した。そのうち(1)の相互認識ネットワ-クモデルについては、そのニュ-ラルネットと同様な学習アルゴリズムを開発し「1」、その応用としてセンサ-ネットによるプロセス計装システムを開発した。プラントに付けられたセンサ-群は、相互に依存関係をもっている場合が多く、この依存関係を利用すれば、多くのテスト関系をもつネットワ-クが講成される。このセンサ-による自律分散処理は、多くのセンサ-情報が集中的に行われる前に、完全に自律分散的に行うところにその特徴がある。これは、センサ-に目としての機能にさらに、少しの情報処理機能(自律性)を加えたことにより可能となる。現在、セメントプラントの10箇所の温度センサについて、計算機シミュレ-ションによりこのセンサ-ネットワ-クのテストを行った。この10個の温度の間には、プロセスにおけるサイクロン間の物質および熱の流れからいくつかの制約関係が成立する。これを用いてセンサ-ネットを構成した「2」。同様な競合型の学習アルゴリズムを、回路のテストポイントの自動選択に適用した。これは、近くのテストポイントが相互に反発しあうような場を設計し、それによりテストポイントの一様な分散を行ったものである「3」。(2)のモデルについては、ニュ-ラルネットと同様にパタ-ン学習を行うモデルを開発した「4」。以上のモデルの他、超多様性のコピ-によらない獲得も情報の保存・転送をほとんどコピ-にたよっている情報システムに大いに発想の転換を与える情報モデルを与えてくれる。また論理パラドックス回避に着目した自己認識モデル「5」も、それが自己増殖など生物で使われている基本原理によっているので、生物的な情報システムを考えていく上で有用であると考える。最後に、これらの免疫型学習モデルと、他の生物系、経済系などの自律分散システムを参考に、これらの自律分散システムの情報処理に共通な特徴を探ってみた「6」。
分子プローブのデザイン・合成による細胞情報伝達に関わる蛋白質活性の可視化

生体分子の機能を生きたまま可視化する技術は、現在の生命科学・医学の分野で重要な役割を果たしている。MRIは、非侵襲的に生体を可視化する方法のひとつであり、放射線被爆がなく優れた組織コントラストで生体の断層画像が得られるという特徴を有している。しかしながら、個体レベルでの優れたイメージング法であるのにも関わらず、現在のところ、生体分子の機能を可視化するMRIプローブの開発は、ほとんどなされていない。本研究では、生体分子の機能を可視化するためにGd^3+錯体を利用したMRIプローブの設計を行った。Gd^3+錯体は、水分子の水素原子核の縦緩和時間を減少させることにより、T1強調画像においてGd^3+錯体の位置している部位のシグナルを増強させる。さらに、生体高分子との相互作用により、分子運動が低下し縦緩和時間をさらに減少させることが知られている。そこで、Gd^3+錯体と酵素反応部位及び生体高分子(アルブミン)との相互作用部位から構成されるプローブの設計を行った。アルブミン相互作用部位は、酵素反応が起こるまでアルブミンと相互作用しないように酵素反応部位によりマスクした。そして、酵素を遺伝子発現のレポーターとして用いられるβ-ガラクトシダーゼとして酵素反応部位を設計した。その結果、酵素反応によりプローブの反応部位が解離しアルブミン相互作用部位が露出し、プローブがアルブミンと相互作用し水分子の水素原子核の縦緩和時間を減少することが示された。このように、NMR現象を用いて遺伝子発現を可視化することのできるプローブの作製に成功し、in vivoイメージングへの基盤技術が確立された。本研究は生体内子を可視ヒするためにプローブ分子を作製して生体内情報変換を解析することを目的とする.このため,標的分子との認識あるいは酵素反応によって蛍光特性や磁気特性が変化し,生体内分子機能を読み取り可能な情報に変換できるプローブ分子をデザイン・合成する.現在,ポストゲノム時代における重要な研究課題として生体内に作用する分子の機能を,生きているその場で解明することが挙げられている.この点の解明には細胞や個体をばらばらにしないで,生きたまま機能を調べることができれば多くの情報が得られると考えられる.この結果,生きた状態における作用解析が可能となり,生命科学研究に寄与することができる.平成17年度までに蛍光プローブをデザイン・合成することにより,細胞内分子の動態を分子が機能しているその場で可視化することに成功してきた.本申請ではこの可視化の対象を細胞イメージングにとどまらず,個体レベルにおける可視化に広げる.さらに細胞内子をより高精度に捉えることができる時間分解蛍光測定用プローブを開発する.本申請ではランタノイド金属錯体を母核にし,生体内分子との反応を磁気情報あるいは光学情報のアウトプットとして引き出すためのスイッチ部分をデザインする.本年度は,光誘起電子移動(PeT)の原理を機能性ランタノイド(Eu^<3+>)錯体に組み込み,酵素反応や生体内分子と反応することで電子供与性が変化し,その結果長寿命蛍光強度が変化するプローブをデザイン・合成する.ランタノイド蛍光錯体の蛍光強度を変化させる機能性錯体はこれが初めての例である.この結果,幅広い分子に対して高精度のセンシングを行うことが可能となる.具体的な測定対象としては,細胞内情報伝達に関与する酵素活性についてモニタリングするプローブを作製した.生体分子の機能を生きたまま可視化する技術は、現在の生命科学・医学の分野で重要な役割を果たしている。
三次元空間光波位相の超高精度検出法とそれによる変位分布計測法やCT法の開発

本研究の目的は,CCDに記録された光情報(複素振幅)を用いて,光路上の任意の場所の光情報の変化を検出する新しい方法「三次元空間光波位相の超高精度検出法」を提案し,それを用いた新しい3次元CT法を開発する.具体的には,使用するレーザの波長の10000分の1程度の従来にない高精度な変位分布計測法を開発する.これによってその微分であるひずみ分布解析や,速度分布計測などの2次元,3次元の変化が計測できるようになる。これらに適用するための基礎研究として.本年度は次の研究を行った.1.実験装置の製作と実験による確認昨年度に引き続き光学装置を設計製作した.装置を精密にかつコンパクトにつくることで,光学系内で相対的振動がおこらないようにした.また,ピエゾ位相シフト装置つき光学装置を試作した.多重反射を用いた光学系を位相シフト装置に組み込むことにより,フィードバック機構のないピエゾステージを使っても位相シフトが行える装置が構築可能であることを確認した.フィードバック機構付きのピエゾステージは,応答性に限界があったが.これによって,高速度カメラを用いた位相シフトデジタルホログラフィの撮影が可能となる.また,計算速度を向上するために,並列計算システムを構築した.2.提案手法の適用範囲の拡大の検討高速振動現象の計測実験を行った.時間平均法に本手法を適用し,振動物体の振幅分布計測に適用した.従来の手法では,スペックルノイズにより等振幅線の位置を精度よく特定することが困難であったが,Windowed PSDHIを用いることにより,精度よく振幅分布を得ることができるようになった.本研究の目的は,CCDに記録された光情報(複素振幅)を用いて,光路上の任意の場所の光情報の変化を検出する新しい方法「三次元空間光波位相の超高精度検出法」を提案し,それを用いた新しい3次元CT法を開発することである.本年度は研究目的を達成するために,次の研究を行った.1.提案手法の原理確認本方法は,Windowed PSDHIのようにフレネル回折積分(フーリエ変換が入ってくる)を行わず,1画素ごと単独に,ホログラムから物体までの距離で決まる位相変化だけを計算する手法である.この原理をシミュレーションや実験により確認した.従来のフレネル変換を用いた計算ではなく,位相変化のみを積分することで再生像を得ることを実験的にゃこなった.その結果,再生像を得ることができたが,多くの計算時間が必要(240×240画素で19分程度)であるため,全画素に対して計算を行ったのではなく,一部分について再生の計算を行った.変位計測に適用した結果,どちらの手法もほぼ同様の分解能が得られることが確認された.さらに,Windowed PSDHIを適用した場合,64分割の窓関数を掛けた場合は,提案手法の方が標準偏差の値が半分以下になり,分解能よく計測できることがわかった.2.精度や適用限界の検証理論や実験やシミュレーションにより,フレネル変換を用いる計算法において,画素数と計算時間の関係,窓の数や大きさや平均化の重みの係数と精度の関係を調べ,適用限界を検証した.位相変化のみを積分する方法の検証は来年度に行い,それぞれ比較する.3.実験装置の製作と実験による確認コンパクトにで光学系内で相対的振動がおこらないような光学装置を設計製作した.本研究の目的は,CCDに記録された光情報(複素振幅)を用いて,光路上の任意の場所の光情報の変化を検出する新しい方法「三次元空間光波位相の超高精度検出法」を提案し,それを用いた新しい3次元CT法を開発する.具体的には,使用するレーザの波長の10000分の1程度の従来にない高精度な変位分布計測法を開発する.これによってその微分であるひずみ分布解析や,速度分布計測などの2次元,3次元の変化が計測できるようになる。これらに適用するための基礎研究として.本年度は次の研究を行った.1.実験装置の製作と実験による確認昨年度に引き続き光学装置を設計製作した.装置を精密にかつコンパクトにつくることで,光学系内で相対的振動がおこらないようにした.また,ピエゾ位相シフト装置つき光学装置を試作した.多重反射を用いた光学系を位相シフト装置に組み込むことにより,フィードバック機構のないピエゾステージを使っても位相シフトが行える装置が構築可能であることを確認した.フィードバック機構付きのピエゾステージは,応答性に限界があったが.これによって,高速度カメラを用いた位相シフトデジタルホログラフィの撮影が可能となる.また,計算速度を向上するために,並列計算システムを構築した.2.提案手法の適用範囲の拡大の検討高速振動現象の計測実験を行った.時間平均法に本手法を適用し,振動物体の振幅分布計測に適用した.従来の手法では,スペックルノイズにより等振幅線の位置を精度よく特定することが困難であったが,Windowed PSDHIを用いることにより,精度よく振幅分布を得ることができるようになった.
高不安者におけるマインドワンダリング

本研究では、高不安者におけるマインドワンダリングについて検討を行うことにより、なぜ内的に生成された思考である心配事に注意が移ってしまうのか検討することを目的としている。30年度は29年度に実施した研究2を継続して実施している。解析を行った。研究2では、高不安者の日常生活におけるマインドワンダリングの性質について、携帯端末を使用して検証を行っている。大学生65名を対象に7日間日常生活におけるマインドワンダリングと気分の測定を行った。現在はこのデータを解析し、日常生活におけるマインドワンダリングが気分の変動に及ぼす影響について検討している。30年度は、29年度に引き続き研究2におけるデータの取得を試みるつもりだったが、研究協力者の都合がつかなかったために、思うようにデータが集められなかった。研究2の実験データは現在解析中である。31年度はこの研究成果を学術雑誌や学会で公表できるように尽力していく。またそれと同時に、計画を変更した研究を滞りなく実施できるように準備を行い、実験を実施していく。当初の予定では、今年度は研究1として高不安者におけるマインドワンダリングの認知的な特性について検討を行う予定であった。研究1では、大学生を対象にマインドワンダリングと認知機能を実験室実験により測定し、マインドワンダリングの認知的な特性について検討を行う。しかし、実験場所を確保するための調整に想定よりも時間を要したために、本年度は研究2を先に実施した。研究2では、高不安者の日常生活におけるマインドワンダリングの性質について検討を行っている。大学生を対象に携帯端末を使用した調査により検証を行っている。参加者は、1日目に質問紙に回答し、携帯端末によるアンケートの説明を受けた。次の日から1週間参加者は日常生活中に携帯端末からの信号を合図に、1日8回アンケートに回答した。アンケートでは、直前に1マインドワンダリングを行っていたか、2前のアンケート回答からストレスイベントを経験したか、3現在の気分を回答させた。今年度はデモンストレーション用の端末を用いて、アンケートフォームのセットアップを行い、動作確認を行った。その後に、大学生39名を対象に日常生活におけるマインドワンダリングの測定を行った。現在は収集したデータの解析を行っている最中である。実験場所の調整が遅れてしまったため、当初の研究計画から研究を実施する順序を変更した。のちに予定した研究を先に実施しているものの、その進捗には問題はない。今後は今年度に実施できなかった研究を滞りなく行うように調整を行っていく。解析を行った。29年度に実施した実験データは現在解析中である。今年度はこの研究成果を学術雑誌や学会で公表できるように尽力していく。29年度は当初予定していた国内学会に参加しなかった。30年度は今年度の研究成果を国内外の学会で公表する予定である。また研究計画の変更から、一部の実験機器の購入を見送った。30年度は29年度に実施予定だった研究を行うため、これらの機器を購入する予定である。本務の都合上、学会発表ができなかったため旅費を使用しなかった。31年度に所属異動が生じるため、31年度に行う研究の準備を前倒しで行った。また、統計ソフトが新たに必要となったため、当初の予定よりも物品費がかさんだ。31年度は、学会や学術論文への公表を積極的に行い、計画的に経費を執行していく。
サブ原子層カーボンの媒介による緩和Ge薄膜と量子ドットの選択的形成とデバイス応用

機能融合デバイスの創生を目指し、サブ原子層カーボン(C)を媒介とした、Si基板上のGe量子ドットの形成技術を検討した。C-Si反応によるSi表面再構成とCを媒介した固相成長を用い、プロセスパラメータを最適化することによってGe量子ドットを形成できることを確認した。また、2つの手法における成長モードと形成メカニズムを解明した。さらに、Ge量子ドットの積層構造の形成を検討し、歪補償スペーサ層の導入によりドット径と密度を維持できることを確認した。本研究では、C(カーボン)を媒介した結晶成長モード制御により、緩和Ge薄膜とGe量子ドットを選択的に混載して形成する技術を確立する。本年度は3年計画の初年度として、C反応制御によるGe量子ドットの高密度化、結晶性向上、成長モード制御を検討した。C-Si反応による表面再構成を用いたGe量子ドットの形成において、C堆積量をSi表面のc(4×4)再構成に必要な量以上とすることで、Geドット形成時の成長モードが遷移することを見出した。C堆積量>0.5MLでは、成長モードがVWモードからSKモードに遷移し、さらにC堆積量を増加するとC堆積量>2MLで、成長モードが再びVWモードに遷移した。成長モード遷移のうち、VWモードからSKモードに変化する要因は、界面付近の未反応Cの残存とGeドット内でのC-Ge結合の形成による界面エネルギーの低下にあり、さらにはSKモードからVWモードに変化する要因は、過剰なCがGeドット内に編入したことによるバルクエネルギーの減少にあることを示した。Ge/Cの低温堆積により作製したGe/C/Si積層構造からの熱処理による固相成長を用いたGe量子ドットの形成において、堆積時のGeの結晶化度の影響を検討した。Ge堆積温度を150°Cから400°Cまで変えることで、堆積時のGe結晶化度はアモルファスから多結晶に変化した。堆積時がアモルファスGeの場合では、Ge量子ドットはVWモード的な成長形態となり、一方、堆積時が多結晶Geの場合では、Ge量子ドットはSKモード的な成長形態となった。成長形態の変化は、Ge結晶化度によるCのGe層内拡散の差異と界面付近でのC-Ge結合密度の相違によると考えている。これらの結果は、来年度以降に実施するGe量子ドット/Siスペーサ層の積層形成と多積層Ge量子ドットによる発光のための基盤技術であり、これらの知見が十二分に活かせると考えている。当初の予定通りにC反応制御によるGe量子ドットの高密度化と成長モード制御の検討、および成長メカニズムの解明を進め、C-Si反応による表面再構成とGe/C/Si積層構造から固相成長を用いたGe量子ドット形成において、成長モードの遷移を見出し、その成長メカニズムを概ね解明した。さらに、成長形態がSKモードではあるが、Ge量子ドット密度を約8e11/cm2にまで高めた。以上の事から、当初目的としたGe量子ドットの高密度化や成長モード制御において、十分な研究成果を達成した。本年度は3年計画の第2年度として、C媒介の結晶成長モードへの影響の明確化と、Ge量子ドット/Siスペーサ層の積層形成を検討した。Ge量子ドット形成において、c(4×4)表面再構成(SR)を用いる方法と、アモルファスGe/C積層からの固相成長(SPE)を用いる方法を比較し、C媒介による結晶成長モード制御メカニズムを明確化した。SR法においては、表面再構成で未反応の過剰CがSi基板上でC-Ge結合を形成し、VWモードからSKモードに成長モード遷移することを解明した。また、SPE法においては、C媒介でGe凝集が促進されVWモード成長するが、C-Ge結合がGe層内に形成されやすく、少量のCでSKモードに遷移することが分かった。これらの結果から、C堆積量を変えることでGe量子ドットの成長モードを制御できることを示した。Ge量子ドット/Siスペーサ層の積層形成において、積層化工程で生じるGe量子ドットの形状変化を抑圧する手法を検討し、Siスペーサ層からの歪み応力がGe量子ドットの形状変化に大きく影響することが分かった。形状変化を抑圧する手段として、Siスペーサ層上にCを堆積しC拡散を利用してGeドット表面で歪みを緩和する方法や、スペーサ層をSiC混晶として歪補償する方法を考案・検討し、これらの手法が有効であることを示した。また、Ge量子ドットを積層する際の熱処理を比較的低温化できるSPE法を用いる方が形成条件を広くできるという知見を得た。以上示したように、来年度に実施するGe量子ドット/Siスペーサ層の多積層形成と多積層Ge量子ドットによる発光のための基盤技術はほぼ確立できた。これらの知見を活かして目標達成に向けて進める。当初の予定通りにC媒介の結晶成長モード制御への影響の明確化と、Ge量子ドットの発光効率向上に向けたGe量子ドット/Siスペーサ層の積層形成の検討を進め、C-Si反応による表面再構成とGe/C/Si積層構造から固相成長を用いたGe量子ドット形成において、成長モードが遷移するメカニズムを解明し、C媒介によって成長モードを制御できることを示した。さらに、スペーサ層形成や熱処理によるGe量子ドットの形状変化を抑制する手法を検討し、ドット表面での歪緩和や歪補償層をスペーサ層とすることの有効性を示し、積層化の目処を得た。以上の事から、当初目的としたGe量子ドットの成長モード制御とGe量子ドット/Siスペーサ層の積層形成において、十分な研究成果を達成した。

本研究では、C(カーボン)を媒介した結晶成長モード制御により、緩和Ge薄膜とGe量子ドットを選択的に混載して形成する技術を確立する。本年度は3年計画の最終年度として、Ge量子ドットを均質に多積層する形成法として、(1)Siスペーサ層上に積層毎にCを堆積し歪緩和制御する方法と、(2)SiC混晶をスペーサ層として歪補償する方法を検討した。Siスペーサ層上のC媒介によるGe量子ドットの多積層形成において、C量が少ない場合Ge量子ドット内部の圧縮歪が大きくなり、Siスペーサ層の凹部でもGeが核成長し、量子ドットが山脈状に繋がり肥大化することが分かった。この課題はC媒介量の最適化により回避でき、ほぼ100%緩和のGe量子ドットをSiスペーサ層凸部に形成(Ge量子ドットの直上形成)できることを確認した。ここで、各Siスペーサ層の歪評価において、Ge量子ドットの多積層形成には積層毎に0.05%程度の圧縮歪をSiスペーサに導入することが有効であるという知見を得た。SiC混晶をスペーサ層としたGe量子ドットの多積層形成において、C含有量が1%程度の場合にGe量子ドットの緩和率が向上することが分かった。これはSiスペーサに比べて格子定数が短いSiCスペーサによりGe量子ドットに伸張応力を印加した作用によるものである。また、SiCスペーサ上にCを0.1ML程度堆積することによって、平均粒径20nm程度の均質なGe量子ドットを高密度に積層形成できることが分かった。なお、スペーサ層の歪評価により、SiCの場合は積層毎の歪導入が不要であることが分かった。これはSiCスペーサ層自体がSiスペーサ層と同等の応力導入として作用するためであることを確認した。これらの結果は、Ge量子ドットを必要な発光強度に応じて自在に積層形成するための基盤技術であり、今後の技術の展開に大いに活用できると考えている。機能融合デバイスの創生を目指し、サブ原子層カーボン(C)を媒介とした、Si基板上のGe量子ドットの形成技術を検討した。C-Si反応によるSi表面再構成とCを媒介した固相成長を用い、プロセスパラメータを最適化することによってGe量子ドットを形成できることを確認した。また、2つの手法における成長モードと形成メカニズムを解明した。さらに、Ge量子ドットの積層構造の形成を検討し、歪補償スペーサ層の導入によりドット径と密度を維持できることを確認した。C媒介の結晶成長モード制御への影響の明確化と、Ge量子ドットの発光効率向上に向けて、Ge量子ドット/Siスペーサ層の積層形成と、多積層Ge量子ドットによる発光を検討する。Ge量子ドット/Siスペーサ層の積層形成では、C反応制御による転位閉じ込め技術を用いて、Ge量子ドットとSiスペーサ層のペアを積層する。この積層に際して、Siスペーサ層の内部応力の蓄積は、その上部に形成するGe量子ドットに影響する。そこで、「転位閉じ込め」サイクルを複数回繰り返しながら、C原子のGe層内への残留を考慮し、積層へのC被覆率の影響を検討する。
嗅上皮基底細胞は神経幹細胞となりうるのか?

嗅上皮に存在している嗅神経細胞は多くの神経組織に分化しうる神経幹細胞を含んでいることが示唆されている。しかし現時点では嗅神経細胞、基底細胞の経代培養ならびに再生を目的とした神経組織への移殖は確立されていない。我々はmatrix metalloproteinase-2(MMP-2)が嗅上皮基底細胞から未熟な嗅細胞に発現していることを初めて報告した。MMPsは間質を分解する酵素機能以外に細胞の分化、増殖などに関与していることが明らかにされつつある酵素である。このMMP-2の嗅上皮での発現を遺伝子レベルで明らかにする為、In situ hybridizationにてmRNAの組織での局在を、RT-PCRにて嗅神経細胞の変性と再生時におけるMMP-2のmRNAの定量的変化を観察した。その結果、mRNAも蛋白と同様の局在と変化を示すことがわかった。また近年クローニングされた接着因子であるSgIGSFが嗅上皮にも発現していることを発見した。SgIGSFはImmunoglobulin-Superfamilyの一つとして2001年にみつかった接着因子でありNCAMとの類似性からneuriteの進展やシナプスの可塑性に関与している可能性がある。SgIGSFはMMP-2と同様、未熟な嗅神経細胞から基底細胞に発現していた。嗅神経細胞に変性と再生を起こすモデルではSgIGSFは再生の時期に増加し、これはMMP-2と反対の動きであった。培養嗅細胞でのMMP-2の発現を観察すべく当教室にて細胞培養系を立ち上げた。上記の実験に加えてLipopolysaccaride(LPS)刺激による嗅上皮の変化をin vivoで観察した。LPS点鼻連続14日間刺激によりラット嗅上皮はその厚さは変化しないものの、アポトーシスが誘導された。その変化は可逆的で点鼻終了後1日目が最も多くのアポトーシスにおちいった細胞を認め、7日目には対照のレベルにまで回復していた。Bax、bcl-2の免疫染色、Caspase-3の免疫染色でLPS点鼻後は陽性細胞が対照より増加しており、アポトーシスはこれらの系を介することが明らかとなった。我々はmatrix metalloproteinase-2 (MMP-2)が嗅上皮基底細胞から未熟な嗅細胞に発現していることを初めて報告した。本年度はこのMMP-2の嗅上皮での発現を遺伝子レベルで明らかにする為、In situ hybridizationにてmRNAの組織での局在を、RT-PCRにて嗅神経細胞の変性と再生時におけるMMP-2のmRNAの定量的変化を観察した。また近年クローニングされた接着因子であるSgIGSFが喚上皮にも発現していることを発見した。SgIGSFはImmunoglobulin Superfamilyの一つとして2001年にみつかった接着因子でありNCAMとの類似性からneuriteの進展やシナプスの可塑性に関与している可能性がある。

その変化は可逆的で点鼻終了後1日目が最も多くのアポトーシスにおちいった細胞を認め、7日目には対照のレベルにまで回復していた。Bax、bcl-2の免疫染色、Caspase-3の免疫染色でLPS点鼻後は陽性細胞が対照より増加しており、アポトーシスはこれらの系を介することが明らかとなった。
サイズ選別分子クラスター中の励起状態電子移動

超音速ジェット(自由噴流)中では、化合物は極低温・孤立分子状態で存在する。そのため、溶液中とは異なるその分子特有の性質を示す。また、溶液中では生成しにくい分子クラスターや、一定の分子を核とした溶媒分子クラスターを生成する。本研究では、超音速ジェット中の分子内水素結合系化合物における励起状態電子移動の一つとして、励起状態プロトン移動とこれに対する溶媒分子クラスターの効果を検討した。その結果、分子内励起状態プロトン移動を起こす系においては、水素結合性溶媒分子を加えても分子間では励起状態プロトン移動は起こらないことが明かとなった。また、分子クラスターの構造を限定する目的で、メチテン鎖末端に電子供与体と受容体を持つ化合物について、超音速ジェット中で励起状態電子移動・電荷移動錯体(エクサイプレックス)の生成とその振動エネルギー依存性を検討した。とくに、蛍光のホールバーニング分光により、基底状態に複数この構造異性体の存在が明かとなり、その構造異性により励起状態電子移動・エクサイプレックス生成の振動エネルギーに著しい違いのあることがはじめて明かとなった。さらに、分子内エクサイプレックス蛍光を示す励起状態電子移動においては、溶媒分子クラスターをつくると、エクサイプレックス蛍光を示さなくなることが明かとなった。本研究は、超音速ジェット中を生成する芳香族分子クラスター中の励起状態電子移動及びプロトン移動のダイナミクスを、蛍光分光により明らかにすることを目的とする。特に本年度は、メチレン鎖末端に電子供与体・受容体をもつ分子内電子移動系について、分子内励起状態電荷移動錯体生成のダイナミックスをナノ秒ピコ秒蛍光及びホールバーニング分光により検討した。即ち、トリメチレン鎖の両末端にアントラセンとp-N,N-ジメチルアニリンを持つ分子内電子供与体・受容体を持つ化合物は、超音速ジェット中でトリメチレン鎖の構造異性体の存在することを見いだした。さらにその構造により、電子移動のダイナミックスに著しい違いのあることを蛍光のホールバーニング分光明らかにした。そして、トリメチレン鎖には、C-Cにtrans,gauche構造があり、その構造の違いにより励起状態電子移動のダイナミックスに著しい相違の現れることを明確にした。しかもtrans,gauche構造の存在をAM1分子軌道計算により明らかにするとともに、電子移動のダイナミックスの違いは、分子内振動エネルギー移動速度の違いによるものであることを明確にした。また、meta-N,N-ジメチルアニリンを持つ分子内EDA系では、メチレンのtrans構造であっても、基底状態で2種類の構造のある事をホールバーニング分光により明らかにした。そして、この2種の構造異性体での分子内電子移動のダイナミックに大きな相違のあることを見いだした。一方、励起状態プロトン移動については、内外の研究者の間で長年問題となっていた3-ヒドロキシフラボンとアルコールとの分子クラスターでのプロトン移動では、クラスター中では励起状態分子間プロトン移動の起こらないことを明確にした。「平成5年度」分子内励起状態プロトン移動とその溶媒クラスターの効果を検討した。即ち、無極性溶媒中で分子内励起状態プロトン移動の観測される化合物としての3-hydroxychromone(3-HC),3-hydroxyflavone(3-HF),3-Hydroxy-2-naphthylchromone(2-NHC)は、それぞれの化合物により励起状態プロトン移動速度が著しく異なることを、筆者は以前報告した。しかし、その原因について世界的に議論され、さらにプロトン移動の速度にたいする分子間水素結合の効果が問題となってきた。そのため、本研究では超音速ジェット中これらの化合物の励起状態プロトン移動を検討した。即ち、これらの化合物では2位に置換基の性質によりプロトン移動速度が、ピコ秒以下から10ピコ秒程度まで変化することが明かとなった。本研究で水分子やアルコール分子とのクラスターを生成し、プロトン移動を検討した結果、分子間では励起状態プロトン移動が全く起こらないことが証明された。「平成6年度」メチレン鎖末端にアントラセンとp-N,N-ジメチルアミノフェニル基をもつ分子内EDA化合物は、超音速ジェット中で分子内励起状態電荷移動錯体(エクサイプレックス)を生成する。

本研究では、種々の分子内EDA系について検討した結果、振動エネルギー依存性はアントラセンの置換位置およびp-N,N-ジアルキル基により著しく異なることが明らかとなった。また、meta-N,N-ジメチルフェニル基をもつ分子内EDA系では、基底状態で二種類の構造異性体が存在することが、蛍光のホールバーニング分光により明かとなった。これらの構造異性体からのエクサイプレックス生成の振動エネルギー依存性が著しく異なることが明かとなった。
英語科教職過程における英語教授力の養成に関する実証的研究

2004年度は、教育委員会を対象とした「教員採用で重視される項目の分析調査」、教育実習校対象の「教育実習の受け入れ側の意識に関する調査」、主にウエブによる「英語科教員採用試験の募集内容に関する調査」を行うとともに、調査の一環として2005年2月に台湾、3月に韓国への調査旅行をそれぞれ4泊5日の日程で実施した。2005年度は、以下のような課題に取り組んだ。1.英語科教育実習の実態と今後の教職課程に関する調査研究1)目的:英語科教育実習の実態を明らかにし、英語科教職課程の課題を把握すること。2)方法:a)調査の時期:2005年5月8月b)調査対象:全国の教育実習の現場指導教員2.シンガポール、マレーシアの教員養成に関する調査調査日程:2005年9月13日18日調査内容:英語教育の現状、英語教員養成の理念とシステムの全体像、教育実習の理念とシステムの全体像3.大会発表1)第14回国際応用言語学会AILA Madison 2005での発表日程:2005年7月24目30日会場:アメリカウイスコンシン洲マデイスン2)大学英語教育学会全国大会での発表日時:2005年9月9日会場:玉川大学発表題目:「英語科教育実習の実態と今後の教職課程の課題」上述の研究成果を11.の研究発表に記載した報告書としてまとめた。「英語教員採用で重視される項目の分析調査」と「英語科教員採用試験の募集内容の実態調査」と「英語教育実習の受け入れ側の意識に関する調査」を行なった。「英語教員採用で重視される項目の分析調査」は、採用にふさわしい英語教員像についての項目分析である。教員採用を実施する全国60の都道府県および政令都市の教育委員会の英語科教員採用担当指導主事に「新任英語科教員に求める資質・能力」に関するアンケート調査を行なった。回答者は21名であった。調査項目は、1.人物について、2.教職として必要な資質・能力、3.授業場面で必要な資質・能力、4.英語教授に関する知識について、5.国際理解教育に関する知識と教養について、6.英語力について、7.英語教員採用の際に重視する項目についてであった。「英語科教員採用試験の募集内容の実態調査」は、教員採用を実施する全国60の都道府県および政令都市の教育委員会のホームページに掲載された募集要領を調査した。調査項目は、1.出願資格、2.試験の種類と内容であった。「英語教育実習の受け入れ側の意識に関する調査」は、教育実習をあづかる現場の指導教員の意識の調査である。教育実習に行く学生に、調査用紙を配付し、実習担当教員に手渡し、研究会に直接返送を依頼した。回答数は、中学校教員32名(13都道県)と高等学校教員46名(都県)であった。調査項目は、1.実習生の受け入れ理由、2.実習生の受け入れ条件、3.実習生の事前準備、4.実習生指導に関する大学への要望、5.実習生に求められる英語力、6.授業における英語、日本語の使用範囲、7.実習生の実習時間であった。詳細は報告書に記載した。2004年度は、教育委員会を対象とした「教員採用で重視される項目の分析調査」、教育実習校対象の「教育実習の受け入れ側の意識に関する調査」、主にウェブによる「英語科教員採用試験の募集内容に関する調査」を行うとともに、調査の一環として2005年2月に台湾、3月に韓国への調査旅行をそれぞれ4泊5日の日程で実施した。本年度は、以下のような課題に取り組んだ。1.英語科教育実習の実態と今後の教職課程の課題に関する調査研究1)目的:英語科教育実習の実態を明らかにし、英語科教職課程の課題を把握すること。2)方法:調査の時期:2005年5月8月調査対象:全国の教育実習の現場指導教員2.シンガポール、マレーシアの教員養成に関する調査調査日程:2005年9月13-18日(火)調査内容:英語教育の現状、教員養成の理念とシステムの全体像、教育実習の理念とシステムの全体像4.大会発表日程:2005年7月24日(日)30日(土)

会場:アメリカウィスコンシン州マディソン2)大学英語教育学会全国大会での発表日時:2005年9月9日(金)会場:玉川大学発表題目:「英語科教育実習の実態と今後の教職課程の課題」上述の本年度すべての研究成果を「平成17年度科学研究費補助金基盤研究(C)研究成果報告書英語科教職課程における英語教授力の養成に関する実証的研究」にまとめ、2006年3月末に発行の予定である。6.研究会開催記録2005年4月2006年2月現在、14回の研究会を開催した。開催場所は主に早稲田大学9号館9階共同研究室およびJACET事務所で、参加者は平均8-9名であった。