hpprc/llmjp-kaken huggingface dataset:
技術受容モデルに基づくネットワーク外部性を有する新製品の普及研究

本研究では,技術受容モデルとネットワーク外部性に関する研究展開を融合し、対人クチコミやネットクチコミといった消費者行動との関連等を概念モデルとして定式化した。そして、携帯型家庭用ゲーム機、スマートフォン、ブルーレイDVDレコーダー、電子書籍リーダーといった製品カテゴリーについて、購買者・非購買者対象の質問票調査を毎年実施し、大規模サンプルのデータによる仮説の検証を行い、理論的・実践的示唆を得た。本研究は,技術受容モデル(Technology Acceptance Model)を応用し,ネットワーク外部性を有する新製品の普及に関する概念モデルの構築と実証研究を行なうものである。具体的には,ネットワーク外部性の構成概念である直接的外部性(知覚された普及状況),間接的外部性(知覚された補完財の普及状況)と,技術受容モデルの主要な構成概念(知覚された有用性,使いやすさ)との相互関係,さらには消費者間のクチコミや相互観察といった消費者変数,企業によるプロモーションといったマーケティング変数,企業・製品ブランド等の変数を新たに導入し,より精緻なモデルを開発した上で,相互の因果関係を時系列的に収集した大規模サンプルで検証する。初年度である2008年度は,主にゲーム産業を中心に,据置型ゲーム機の普及要因について定性的・定量的な研究を行い,技術受容モデルの主要な構成概念(知覚された有用性,使いやすさ)との相互関係,消費者間のクチコミや相互観察といった消費者変数,企業によるプロモーションといったマーケティング変数を取り入れた概念モデルの構築を試みた。これと平行して,近接分野の文献サーベイを行い,クチコミのうち,伝統的なクチコミ(WOM)と電子的なWOM(e-WOM)のそれぞれを同時に概念モデルの中に取り込む可能性を探った。また,普及という概念について,製品を購買するだけでなく,購入した後の使用という次元に注目する必要があることを発見した。とりわけ,ネットワーク外部性を有する製品の場合,補完財を購入し続けることが製品システム全体の発展につながる。このことから,構成概念の中に購入後の使用という要素を入れることになった。2008年度の後半は,以上のような定性的・定量的な探索的研究と文献サーベイに基づき,海外共同研究者のマーク・E・パリー教授とも議論しながら,概念モデルの開発を行った。また,質問票調査の準備を行い,対象製品として,携帯型ゲーム機,携帯電話(スマートフォン),ブルーレイDVDの3つを選定した。その後,先行研究から既存の尺度を収集し,各製品に適切な表現に修正した後,パリー教授とともに日英の双方向翻訳を行ったうえで,研究分担者の岸谷,竹村がプレテストに参加し,尺度の精緻化を行った。そのうえで,今後3年かけて行なう時系列調査の第1回目として,消費者639名からデータを収集し,分析を行なった。その成果は,2009年5月の日本商業学会全国研究大会,同6月のINFORMS MarketingScienceに受理され,報告予定である。本研究は,技術受容モデルを応用し,ネットワーク外部性を有する新製品の普及に関する概念モデルの構築と実証研究を行なうものである。2010年3月には第2回目の質問票調査を実施し,前年と同様のスマートフォン,ブルーレイDVDに加え,新たな製品カテゴリーとして電子書籍リーダーを追加し,計3製品に関する消費者データを収集した。対象製品を変更したのは,家庭用ゲーム機の普及率が高まった結果,普及研究としては電子書籍リーダーがより適切と判断したためである。昨年の調査時には普及率がわずか5%程度であったスマートフォンはこの1年で急速に普及し始め,ブルーレイDVDもオリンピック需要期を迎えて普及率が高まった。以上の理由から,上記の3製品を対象とした。概念モデルに関しては,昨年度の調査結果に基づいてクチコミに関する変数を精緻化し,パーソナル・クチコミとバーチャル・クチコミの概念を明確に分けた。ネットワーク外部性についても,ローカルな採用率とネット上の採用率に関する認知を識別しモデルの改良を試みている。昨年度から導入しているブランドに関する概念も再検討し,ブランドがクチコミや外部性との関連についても新たな仮説を構築した。以上のように,2009年度には国内外の学会で研究成果を報告し,得られたコメントに基づいてモデルを改善し,時系列調査の第2回目を計画通り実施することができた。3年目である2010年度は,2年間で行ってきた研究成果をいったんとりまとめ、成果発表を行うことに注力するとともに、次の研究課題を明らかにした。さらに2011年2月には、アメリカ合衆国テキサス州オースティンで行われたマーケティング学会の世界最高峰American Marketing Association (AMA)において、クチコミが技術受容モデルとどう関わるかを分析した論文を発表した。この論文はレビュアーのコメントを基に修正し、2011年6月にオランダで行われるInternational Product Innovation Managementの年次大会で、欧州向けに再度、報告する予定である。以上のような成果発表に加え、2010年3月には第3回目の時系列調査を実施し,前年と同様、スマートフォン,ブルーレイDVD、電子書籍リーダーに関する消費者データを収集した。

この1年間でスマートフォンは爆発的に普及し、ブルーレイDVDは地上デジタル放送への切り替え需要があり、また電子書籍リーダーはiPadの発売等、昨年から注目していた製品は、いずれも興味深い現象の発生前後でのデータを得ることができた。これらのデータは、2011年度に詳細に分析し、さらに成果発表を続ける予定である。
膵内分泌細胞の分化調節機構の解明

1)膵共通前駆細胞に類似した性質をもつAR42J細胞をアクチビンAによって膵ポリペプチドを産生する内分泌細胞に分化させられること,さらにベータセルリンを作用させることによりインスリン産生細胞へと分化させられることを明らかにし,膵内分泌細胞の分化過程を検討するモデル系を確立した。2)このAR42J細胞を用いて,肝細胞増殖因子(HGF)にベータセルリンと同様の分化誘導作用があることを明らかにした。さらにHGFによく反応してインスリン産生細胞へと分化するサブクローンを確立した。3)アクチビンAが膵内分泌細胞において2つの独立した情報伝達系路を活性化することを明らかにした。4)膵AR42J細胞には,ベータセルリンの特異的な受容体があること,クロスリンク実験によりベータセルリンは分子量180KDaと190KDaの膜蛋白に結合すること,この180KDa蛋白はEGF受容体であるErbB1であるが,190KDa蛋白は既知の抗ErbB抗体によっては認識できない新たな蛋白であること,ベータセルリンによってErbB1,ErbB4とともに190KDa蛋白がチロシン燐酸化されること、ベータセルリンの作用はEGFで十分には再現されないことからおそらくErbB1とともに190KDa蛋白を介して分化シグナルが伝達されることなどを明らかにした。5)AR42J細胞においてHGFおよびベータセルリンはMAPキナーゼを活性化させること,MAPキナーゼを抑制するPD098059やMAPキナーゼフォスファターゼ遺伝子を導入することにより分化が抑制させること,構成的活性型のMAPキナーゼキナーゼ遺伝子を導入すると分化が観察されることなどを見出し,インスリンへ細胞の分化にMAPキナーゼ経路が重要であることを明らかにした。6)アクチビン作用をブロックする変異アクチビン受容体を過剰発現するトランスジェニックマウスを樹立した。このマウスにおいては膵内分泌細胞の分化が抑制されているだけでなく,外分泌細胞にも分化異常が認められ,アクチビンあるいは類似の因子が膵内分泌腺細胞,外分泌腺細胞の分化に重要であることを明らかにした。・膵内分泌細胞の分化誘導を検討する細胞系の確立膵内分泌細胞は膵導管に存在する共通前駆細胞から分化してくると考えられている。我々はこの共通前駆細胞からインスリン産生細胞への分化過程をin vitroで検討することができる培養細胞系の確立を目指してきた。その結果,ラット膵腺房由来の腫瘍細胞株AR42Jを用いることにより,分化過程が検討可能であることを見いだした。AR42J細胞はアミラーゼを産生・分泌する細胞であるが,同時にシナプトフィジンやニューロフィラメントなどの神経細胞マーカーを産生する点において膵共通前駆細胞に類似した性質をもつと考えられる。我々はこのAR42J細胞から2種類のサブクローンを取ることに成功した。そのうちの一つAR42J-B20細胞は分化誘導因子アクチビンとEGFファミリーに属する因子ベータセルリンとともに72時間培養するとインスリン産生細胞へと分化するのである。分化した細胞はGLUT2やグルコキナーゼ遺伝子を発現し,膵β細胞に特徴的なATP感受性Kチャネルを発現し,トルブタミドやGLP-1,カルバコールに反応してインスリン分泌が増加する。第二のサブクローンであるAR42J-B13細胞はアクチビンと肝細胞増殖因子(HGF)により同様にインスリン産生細胞へと分化する。分化したAR42J-

B13細胞も同様にしてトルブタミド,GLP-1,カルバコールに反応してインスリン分泌が増加する。こうしてインスリン産生細胞の分化過程を解析するよい実験系が確立されたことから,今後分化誘導機構の詳細を検討していくことが可能になった。a)ベータセルリン受容体の検討:AR42J細胞はベータセルリン(BTC)とアクチビンの作用によりインスリン産生細胞へと分化する。そこでBTCが作用する受容体の検討を行った。標識BTCの結合は非標識BTCにより抑制されたが,EGFによっては完全に抑制されなかった。BTCをクロスリンクするとErbB1が標識されたが同時に分子量190KDaの蛋白も標識され,これは抗ErbB抗体で認識されなかった。BTCによりErbB1,ErbB4および190KDa蛋白が燐酸化された。b)HGFの作用機構:AR42J細胞の分化は肝細胞増殖因子(HGF)によっても誘導される。HGFによって活性化される細胞内シグナル伝達系の関与を検討したところ,MAPキナーゼ経路の抑制薬により分化が抑制されることが明らかになった。またMAPKフォスタターゼcDNAを導入してMAPキナーゼ経路を抑制しても同様の結果が得られ,さらに構成的活性型のMAPKKcDNAの導入により分化が誘導されたことから,MAPキナーゼの活性化が必要十分であることが明らかになった。c)分化誘導因子により活性化される遺伝子:AR42J細胞が分化する際に発現する遺伝子をDifferential Display法により同定した。その結果アクチビン+BTCによって発現が増加する25個の遺伝子を同定した。このうち10個は新規の遺伝子で現在その機能などを検討中である。2)トランスジェニックマウスの検討アクチビン作用をブロックする変異受容体を発現するトランスジェニックマウスを作成した。このマウスでは膵内分泌細胞・外分泌細胞に分化異常が見られ,アクチビン作用が膵内分泌細胞分化に必須であることが明らかになった。
ファイバー結び目とケ-ブリング予想

結び目が本質的なタングル分解を持ち、2つのタングルが共に平行な紐の組を持たないとき、その結び目に沿ったデーン手術によって得られる3次元多様体は、本質的なラミネーションを含むことを証明した。特に、そのような結び目に関して、研究課題のケーブル予想を示すとともに、性質P予想をも証明することができた。ここで、ラミネーションとは部分的葉層のことであり、葉層とはファイバー空間の拡張概念である。また、ヘゴールトーラスに関する1橋結び目について、それがいつ自明な結び目であり、いつケーブル結び目であり、衛星結び目であるかを決定することができた。これは、より一般的に、このクラスの結び目の外部内の本質的曲面をヘゴールトーラスに関して「綺麗な」位置に持って行けるという結果を得たことの帰結である。現在、同様の手法により、このクラスの結び目に関してケーブル予想の証明を試みる研究を遂行中である。
膵B細胞の発生,分化因子 : Pax-4とインスリン非依存型糖尿病の発症との関係

糖尿病におけるインスリン分泌不全は、インスリン抵抗性とともに重要な因子であり、膵β細胞massの低下が原因の一つと考えられている。この膵β細胞のmassを規定する因子として、細胞死と分化、再生が重要である。近年膵β細胞は膵島の分化、成熟は胎生期のみならず成人以降の膵の恒常性を保つのに重要と考えられるようになった。膵の発生、分化成熟に関わるとされる転写因子の一つであるPax4に注目し、このRatのcDNAのCloningを行った。既知のmouse cDNAのSequenceよりのPrimerを作成し、λgt10RINm5F細胞cDNA libraryを用いPCRを施行し、ProductをpBluescript SK(-)にsubcloningし塩基配列を決定した。これを基にRINm5F細胞よりのRNAを用いRT-PCRによりcDNA全長の塩基配列を決定した。RatPax4cDNAはpaired domain(PD)とhomeodomain(HD)を1つずつ持ち、4種の異なった長さがあり、isoformと考えられた。RatPax4aはmouseと比較して塩基配列で93%、アミノ酸配列で91.7%のHomologyであった。Northern blotでは約2Kbのtranscriptが認められた。4つのisoformの発現についはRT-PCR後Northern blotを行いRINm5細胞に4種とも発現していると考えられた。一方膵β細胞の減少をきたすものとして細胞死・アポトーシスが重要である。2型糖尿病にみられるインスリン抵抗性にTNF-αの関与が示唆されており膵B細胞におけるTNF-αによるアポトーシスの可能性を検討した。培養膵B細胞株(MIN6)で、TNF-αreceptor 1(TNFR1)とそのシグナル伝達物質である,TNFR1-associated death domain protein(TRADD), Fas-associating protein with death domain(FADD), Receptor interacting protein(RIP), FADD-like Interleukin-1β-converting enzyme(FLICE)の発現を確認した。同細胞でTNF-αによりアポトーシスが誘導されることを確認した。TNF-αが、スフィンゴミエリナーゼ活性を促進し、スフィンゴミエリン代謝産物であるセラミドによりMIN6でアポトーシスが誘導されることを確認した。すなわち、TNFR1およびそのシグナル伝達物質であるTRADD, FADD, RIP, FLICEが発現していること、TNF-α単独で膵B細胞にアポトーシスを誘導することから、TNF-αは、膵B細胞のアポトーシス誘導に重要な1因子であることを確認した。またDNAの断片化、さらにヌクレオゾーム単位でのDNA断片化を確認した。Pax4は膵の分化発生に重要な役割を果たしている。ラットPax4をクローニングした。ラットPax4は4種のアイソフォームから成り、すべてが培養膵臓B細胞に発現していることがわかった。糖尿病におけるインスリン分泌不全は、インスリン低抗性とともに重要な因子であり、膵β細胞massの低下が原因の一つと考えられている。

近年膵β細胞は膵島の分化、成熟は胎生期のみならず成人以降の膵の恒常性を保つのに重要と考えられるようになった。膵の発生、分化成熟に関わるとされる転写因子の一つであるPax4に注目し、このRatのcDNAのCloningを行った。既知のmouse cDNAのSequenceよりのPrimerを作成し、λgt10RINm5F細胞cDNA libraryを用いPCRを施行し、ProductをpBluescript SK(-)にsubcloningし塩基配列を決定した。これを基にRINm5F細胞よりのRNAを用いRT-PCRによりcDNA全長の塩基配列を決定した。RatPax4cDNAはpaired domain(PD)とhomeodomain(HD)を1つずつ持ち、4種の異なった長さがあり、isoformと考えられた。Rat Pax4aはmouseと比較して塩基配列で93%、アミノ酸配列で91.7%のHomologyであった。Northern blotでは約2Kbのtranscriptが認められた。4つのisoformの発現についはRT-PCR後Nothern blotを行いRINm5細胞に4種とも発現していると考えられた。一方膵β細胞の減少をきたすものとして細胞死・アポトーシスが重要である。2型糖尿病にみられるインスリン低抗性にTNF-αの関与が示唆されており膵B細胞におけるTNF-αによるアポトーシスの可能性を検討した。培養膵B細胞株(MIN6)で、TNF-αreceptor 1(TNFR1)とそのシグナル伝達物質である,TNFR1-associated death domain protein (TRADD),Fas-associating protein with death domain (FADD),Receptor interacting protein(RIP),FADD-like Interleukin-1β-converting enzyme(FLICE)の発現を確認した。同細胞でTNF-αによりアポトーシスが誘導されることを確認した。TNF-αが、スフィンゴミエリナーゼ活性を促進し、スフィンゴミエリン代謝産物であるセラミドによりMIN6でアポトーシスが誘導されることを確認した。すなわち、TNFR1およびそのシグナル伝達物質であるTRADD,FADD,RIP,FLICEが発現していること、TNF-α単独で膵B網胞にアポトーシスを誘導することから、TNF-αは、膵B細胞のアポトーシス誘導に重要な1因子であることを確認した。
ハーフメタル・フルホイスラー合金の形成とそのスピン機能MOSFETへの応用

近年注目を集めている電子のスピンによる機能を有するMOSFET(スピンMOSFT)を実現する上で重要となるハーフメタルによるソース/ドレイン技術およびMOS反転層チャネルにおけるスピン注入/伝導の評価技術について研究を行い,スピンMOSFETに関する基盤技術を確立した.ハーフメタルによるソース/ドレイン技術ではホイスラー合金と呼ばれる特殊な強磁性体を,CMOSプロセスを用いて実現することを提案・実現した.特に今年度は,ラジカル酸窒化法で形成したSiO_xN_y膜をトンネル膜として用い,その上にホイスラー合金をRTAで形成することに成功した.この技術は,ハーフメタルをMOSFETのソース/ドレインに応用できる極めて重要な成果として注目を集めている.さらに,今年度は,MOS反転チャネルのスピン伝導について,新たな評価法を提案し,その効果をシミュレーションから実証した.半導体内のスピン伝導の評価方法はいくつかの方法が検討されているが,スピン伝導のダイナミクスを詳細に評価するにはどれも不十分な状況だったが,スピン伝導におけるHanle効果に着目し,これをMOS反転層チャネルで評価できる新構造デバイスを提案した.そして,このデバイスのスピン信号がMOS反転層チャネルにおける実効移動度のユニバーサルカーブを反映することを見いだし,この現象を用いたスピン伝導の評価法を提案・検証した.この方法を用いることで各種散乱過程におけるスピンライフタイム等のダイナミクスを詳細に検討することが可能となる.本研究課題では、スピン分極率100%のハーフメタル・フルホイスラー合金をソース・ドレインとして用いたスピンMOSFETの基盤技術の創出を目的とする。今年度は特にフルホイスラー合金薄膜の規則構造評価と、それを用いたスピン注入・検出用デバイスの設計/作製をおこなった。フルホイスラー合金薄膜は、完全に規則化したL2_1構造から、原子の入替などの不規則化が生じるとスピン分極率が低下し、ハーフメタル性は劣化する。そのため、不規則構造の評価は非常に重要となる。本年度ではフルホイスラー合金の不規則構造に、異なるモデルに基づいた2つの解析手法を用いてアプローチし、解析モデルの提案と実際の評価を行った。まず、規則度によって不規則構造を表すWebsterモデルを拡張し、フルホイスラー合金の規則度(L2_1規則度、B2規則度)を厳密に定義した。規則度は、Cu線源X線回折(XRD)超格子線強度を精密に測定し、評価した。その結果、本研究課題で形成したCo_2FeSi薄膜は、L2_1規則度83%、B2規則度97%の高い値を示し、バルク試料と同等の高い規則度を有していることを確認した。次に、拡張Websterモデルでは求めることのできないDO3ディスオーダーを、NRBBモデルを用いて評価した。DO3ディスオーダーは、スピン分極率を著しく劣化させるが、従来のCu線源XRDでは検出することができなかった。本研究では、Co線源XRDとCu線源XRDを組み合わせた定量評価手法を提案し、NRBBモデルを用いて解析した。規則度の最も高いCo_2FeSi薄膜で、DO3ディスオーダーパラメータは0.04となり、結晶中のDO3ディスオーダーは非常に少ないことがわかった。年度の後半では、スピン注入/検出用デバイスの設計を行い、作製した。このデバイスは、最近の研究結果を元に、当初計画していたデバイスから、界面構造・デバイス構造を変更してある。本研究課題は、スピン分極率100%のハーフメタル・フルホイスラー合金をソース・ドレインとして用いたスピンMOSFETの基盤技術の創出を目的とする。2年目である今年度は、RTAによるフルホイスラー合金の作製技術を様々な材料系で展開し、またスピンデバイスのシミュレーション・デバイスプロセスの確立をおこなった。フェルミレベルを制御しギャップの中央にそれを移動させることでハーフメタル性を高めたフルホイスラー合金Co_2FeAl_xSi_<1-x>をRTAによるシリサイド化反応で形成した。様々な初期構造を検討した結果、Co_2FeSiの場合と異なり、単体積層膜をSi-on-insulator(SOI)上に堆積(例えば、Al/Co/Fe/SOI等)するのではなく、予めSi以外を合金化したCo_2FeAl_xをSOI上に堆積した構造を用いることで、組成が均一なL2_1型Co_2FeAl_xSi_<1-x>薄膜を形成できることを明らかにした。また、高移動度Geチャネルに整合するスピンMOSFETのハーフメタル材料として期待されるCo_2FeGe薄膜をGe-on-insulator(GOI)を用いたRTAによるジャーマナイド化反応で形成し、得られた膜がエピタキシャル成長していることをX線回折(XRD)測定と透過型電子顕微鏡(TEM)観測によって明らかにした。さらに、ラジカル酸窒化によって形成した極薄SiON上に非晶質Si、Co、Feをこの順で堆積し、RTAを行うことで、L2_1型Co_2FeSi/極薄SiON/Si接合を形成し、ハーフメタル・トンネル接合を形成することに成功した。SiON膜をラジカル酸窒化反応で形成することで、CoやFeのSi基板への拡散をほぼ完全にブロックすることができた。規則度は、L2_1規則度72%、B2規則度92%の高い値を示した。スピン注入/検出デバイスの構造に関する電界シミュレーション解析も行い、従来広く用いられてきた非局所測定法で得られたスピンバルブシグナルが、スピン注入以外の効果と区別がつかないことを明らかにした。また、スピン注入/検出用のデバイスのプロセスも確立した。

近年注目を集めている電子のスピンによる機能を有するMOSFET(スピンMOSFT)を実現する上で重要となるハーフメタルによるソース/ドレイン技術およびMOS反転層チャネルにおけるスピン注入/伝導の評価技術について研究を行い,スピンMOSFETに関する基盤技術を確立した.ハーフメタルによるソース/ドレイン技術ではホイスラー合金と呼ばれる特殊な強磁性体を,CMOSプロセスを用いて実現することを提案・実現した.特に今年度は,ラジカル酸窒化法で形成したSiO_xN_y膜をトンネル膜として用い,その上にホイスラー合金をRTAで形成することに成功した.この技術は,ハーフメタルをMOSFETのソース/ドレインに応用できる極めて重要な成果として注目を集めている.さらに,今年度は,MOS反転チャネルのスピン伝導について,新たな評価法を提案し,その効果をシミュレーションから実証した.半導体内のスピン伝導の評価方法はいくつかの方法が検討されているが,スピン伝導のダイナミクスを詳細に評価するにはどれも不十分な状況だったが,スピン伝導におけるHanle効果に着目し,これをMOS反転層チャネルで評価できる新構造デバイスを提案した.そして,このデバイスのスピン信号がMOS反転層チャネルにおける実効移動度のユニバーサルカーブを反映することを見いだし,この現象を用いたスピン伝導の評価法を提案・検証した.この方法を用いることで各種散乱過程におけるスピンライフタイム等のダイナミクスを詳細に検討することが可能となる.
燃料電池用三相親和性触媒層の量子ビームによる精密設計

金属イオン水溶液は放射線照射により高い還元性を持つ水和電子、プロトンラジカルを生成し、それが金属イオンを金属に還元させる。さらに、イソプロピルアルコールを添加することで、酸化水素ラジカルが捕捉され、放射線の還元能力がさらに高められる。本研究では、白金錯体、高分子電解質、炭素担体およびイソプロピルアルコールを含む燃料電池触媒層組成物を放射線照射することで、白金錯体が白金微粒子に還元され、炭素担体表面に担持できたため、燃料電池触媒層の簡便なプロセスを確立することができた。また、触媒層の作製条件および白金微粒子の担持量に及ぼす燃料電池性能への影響について検討し、炭素担体としてのカーボンブラックとカーボンチュープを配合することで、0.1mg/cm^2の超低白金担持量でも、最大エネルギー密度が0.6W/cm^2に達することが分かった。本年度は、グラフト表面改質法と放射線還元法の融合による三相親和性界面の作製技術の確立を行った。そのため、まず、放射線グラフト重合による炭素担体表面改質を試みた。具体的には、つぎの3つの方法で行った。方法1は、高分子を溶液中炭素担体に物理吸着させる後、放射線照射による高分子グラフト型炭素担体を調製した。方法2は、モノマーと炭素を溶液中に共存させて放射線照射することでグラフト炭素材料を得た。さらに、方法3は、予め炭素を放射線照射することで炭素表面にラジカルを生成させ、次にモノマー溶液中でグラフト重合を行ってグラフト炭素材料を得た。上記の3つの方法の組み合わせで、電解質であるポリスチレンスルホン酸、導電性高分子であるポリアニリン、及び、疎水性高分子であるポリフッ化エチレンを単独又は同時に導入することにより10%のグラフト率を得た。グラフトした炭素材料の表面特性として、接触角を測定した。その結果、グラフトにより表面が親水性になり、接触角が90°以下であることがわかった。また、イオン伝導性と電子伝導性は、インピーダンススペクトル法を用いて測定した。その結果、炭素材料の電子伝導性が減少したが、イオン導電性は大幅に増加し、燃料電池の触媒層担体として有効であることがわかった。次に、放射線還元反応による白金微粒子の担持位置及びサイズ制御を行った。電解質高分子鎖がグラフトされた炭素担体表面には、スルホン酸などの酸性基があり、それをイオン交換反応により塩化白金錯体に置換した。その後、ガンマ線照射することで、生成した水和電子による還元反応により、グラフト炭素担体表面へ白金ナノ微粒子をその場生成させた。白金微粒子が炭素材料表面に形成したことが電子顕微鏡(SEM)によりで確認できた。本年度は、放射線グラフトと放射線還元による燃料電池用触媒層の合成条件の最適化を行った。金属イオン水溶液は放射線照射により高い還元性を持つ水和電子、プロトンラジカルを生成し、それが金属イオンを金属に高効率で還元することを確立すると共に、イソプロピルアルコールを添加することで、酸化水素ラジカルが捕捉され、放射線の還元能力がさらに高められる技術を見出した。そこで、高分子電解質グラフトされた炭素担体、塩化白金酸錯体、およびイソプロピルアルコールを含む混合物を放射線照射することで、塩化白金酸錯体が白金微粒子に還元され、炭素担体表面に担持することで、燃料電池触媒層の簡便なプロセスが確立できた。さらに、触媒層の作製条件および白金微粒子の担持量に及ぼす燃料電池性能への影響について詳細に検討した。作製した触媒電極について、放射線照射線量が30kGy以上になると、白金担持量は、触媒金属前駆体使用量から計算した値と一致した。このことから、30KGyの照射線量で白金微粒子の生成率が100%になることがわかった。また、白金担持量が25%以上の白金触媒層を合成できた。作製した触媒電極を透過型電子顕微鏡(TEM)及びX線回析装置(XRD)測定することにより、生成した白金微粒子が3nm以下、かつ、炭素担体に均一に分布されたことが分かった。また、作製した触媒層の燃料電池性能は、従来の1/4ほどの低白金担持量(0.1mg/cm^2)にもかかわらず、電流密度が2.0A/cm^2まで運転ができ、最大エネルギー密度は0.5W/cm^2以上に達した。さらに、触媒層にカーボンナノチュープを配合することで、電池性能が大幅に向上し、白金使用量はさらなる低減ができることが分かった。この結果は、低白金使用量で、市販電極以上の触媒活性があり、燃料電池のさらなる製造コストダウンに貢献できることがわかった。本年度は、引き続き放射線グラフトと放射線還元による燃料電池用触媒層の合成条件の最適化を行った。

さらに、触媒層の作製条件および白金微粒子の担持量及び炭素担体であるカーボンブラックとカーボンナノチューブの配合に及ぼす燃料電池性能への影響について詳細に検討した。また、白金の担持量の微量化と触媒性能の長寿命化のため、放射線還元反応による白金微粒子形成方法についても検討を進めた。特に、触媒性能の長寿命化については、グラフト高分子鎖の耐熱性などを考慮することで、耐久性の高い触媒層を構築した。開発された触媒層の作製法を基に、ガス拡散層であるカーボンペーパー上に触媒層を"その場"形成することで、簡便なプロセスで燃料電池用電極の作製法を見出した。すなわち、カーボンペーパーに、白金微粒子前駆体である塩化白金錯体化合物、高分子電解質水溶液及びカーボン担体の混合物を塗布した後、放射線を照射することにより、塩化白金錯体化合物を白金微粒子に還元し、カーボン担体に担持した。さらに、放射線グラフト重合を利用することで、触媒層の重要な組成物である高分子電解質をビニルモノマーから"その場"で合成することを検討した。その結果、グラフト重合された高分子電解質が白金微粒子をカーボン担体表面に固定され、燃料電池電気化学反応に必要な三相親和層を高効率的に形成することに成功した。このように作製した電極を用いて、高分子電解質膜・電極接合体(MEA)を作製し、燃料電池性能を評価したところ、低い白金担持量(0.1mg/cm^2)にもかかわらず、市販MEA(白金担持量0.4mg/cm^2以上)と同等、またはそれ以上の出力を実現できた。その結果を特許に出願した。
予算スラックが組織パフォーマンスに及ぼす影響に関する研究

本研究は、予算スラックが組織パフォーマンスに及ぼす影響を検証することを研究の目的としている。予算スラックが組織パフォーマンスに及ぼす影響については、正の影響と負の影響を含む3つの見解が示されている。そのうち、3つ目の見解はその他2つの見解を取り込んだ統合的な見方であり、予算スラックと組織パフォーマンスの関係を逆U字型として捉えている。一方、予算スラックの除去にかかるコストと予算スラックが存在することによって発生する非効率性のコスト間のトレードオフ関係に注目し、2つのコストを合わせたトータル・コスト曲線(U字型)を導き、トータル・コストが最小となるような予算スラックの許容レベルを模索するアプローチも見受けられる。そこで、本研究では、予算スラックと組織パフォーマンス間の逆U字型の関係を仮定するグラフと、予算スラックとトータル・コスト間のU字型の関係を仮定するグラフを重ね合わせ、2つの曲線の位置関係によって異なるいくつかのケースを導き、各々における予算スラックの最適レベルの検討を行った。日本企業については、これまで予算スラックが少ないことが特徴とされてきたが、予算スラックに最適レベルがあることを踏まえると、日本企業の持つ予算スラックの水準は最適レベルではない可能性が高いといえる。そのような場合、低水準にとどまる日本企業の予算スラックをいかに最適レベルにまで高めていくかが新たな課題となりうる。多くの学内業務に加え、海外の研究協力者との打ち合わせがスムーズに進まなかったことなどにより当該研究はやや遅れている。これまでの研究においては、予算スラックのポジティブな側面にも注目することで、予算スラックと組織パフォーマンス間の関係は逆U字型のグラフで表すことができることを示した。さらに、この逆U字型のグラフと、予算スラックとトータル・コスト間のU字型の関係を仮定するグラフを重ね合わせ、2つの曲線の位置関係によって異なるいくつかのケースを導くことで、予算スラックの最適レベルはケースによって異なることも明らかにした。また、本研究の課題として、予算編成と予算達成に責任を持つマネジャーのパーソナリティ要因の影響を検討すること、予算スラックと組織パフォーマンス間の関係をモデレートする経営戦略や組織文化の影響を研究フレームワークに含めること、客観的な予算スラックの測定尺度を開発し検証すること、などを示した。引き続き、予算スラックが組織パフォーマンスに及ぼす影響についてより深く分析していくことにしている。これまでの研究活動から、当該研究を深めていくためのいくつかの課題が示された。まず、狭義の予算スラックに加え、負のスラックをも分析に含める必要があることである。負のスラックの源泉の1つに、チャレンジ欲求ないし達成欲求があるが、このようなパーソナリティ要因の影響を検討することで研究モデルの説明力が高まることが期待される。次に、予算スラックが組織パフォーマンスに及ぼす影響を分析する際に、モデレータ変数として経営戦略や企業文化の影響を検討する必要がある。また、本研究によって明らかとなった予算スラックの最適レベルの存在を念頭に、予算スラックの少ない日本企業においては現状の予算スラックが最適レベルではない可能性が高いことを示し、予算スラックを最適レベルまで作り込んでいくための方策についても検討したいと考えている。さらに、客観的な測定尺度を開発すること、および開発された測定尺度の妥当性を検証することも課題である。客観的で妥当性の高い予算スラックの測定尺度が開発されれば、予算参加→予算スラック→組織パフォーマンスの因果関係が統合的なフレームワークの中で分析できる基盤が整うことになり、一層の研究の進展が期待できるからである。今後の研究においては、これらの課題の遂行可能性を検討することにしている。予算スラックは、企業行動論における組織スラックの概念から由来したものであるため、予算スラックの本質を理解するためには組織スラックに関する知識が前提となる。そこで、本研究では、組織スラック研究を中心に広範な文献レビューを行い、そこから予算スラック研究の方向性と課題を導いた。これまでの予算スラック研究では、予算は非効率の表れであり、組織パフォーマンスにネガティブな影響を及ぼすものとして扱われてきた。しかし、このような考え方は、組織スラックの意義を考慮した場合、必ずしも正しいものであるとは限らない。そのため、予算スラックを予算期間中の環境変化に対処するためのバッファーとして、あるいは革新的行動を促す触媒として捉えようとする考え方が現れた。近年、このような視点から予算スラックのポジティブな影響に注目した研究が報告されるようになったが、組織パフォーマンスへの影響を検証できるまでには至っていない。ただ、組織スラック研究のレビューからは、予算スラックに対する第3の見方が導かれ、予算スラック研究の新たな方向性を示している。それは、予算スラックの最適レベルを探求するという考え方である。すなわち、予算スラックは少なすぎても多すぎても組織の高パフォーマンスには結びつかず、予算スラックが最適レベルにある時にパフォーマンスは最大になるという考え方である。このような考え方の下では、予算スラックとパフォーマンスの関係は逆U字型になる。日本企業の予算管理に関するこれまでの研究から、日本企業には予算スラックを軽減させるメカニズムが働いており、予算スラックはほとんど形成されない傾向があることが示された。そのため、予算スラックをいかに適正レベルまで作り込んでいくかという新たな課題に取り組む必要がある。このような課題の認識と解決のためには予算スラックの測定問題を巡る議論をさらに進めていかなければならない。文献レビューをまとめ、論文として発表した。さらに、学会での報告に向けて準備中である。

予算編成にマネジャーを参加させることにより、マネジャーの予算目標に対するコミットメントとモチベーションを高めることができる反面、予算参加によって編成される予算には予算スラックが組み込まれる可能性が高まる。これまで、予算スラックの形成行動を説明すべく多くの関連研究が行われてきたが、調査方法や調査対象の相違などのため、一貫した結論が得られるまでには至っていない。しかし、予算スラックの形成に何らかの影響を及ぼす要因はかなりの程度特定できている。ただ、これまでの研究の大部分が、予算スラックを非効率的なものと見なす、予算スラックに関する1つ目の見解を暗黙的に仮定しており、予算スラックのポジティブな側面に注目した2つ目の見解を支持する研究は数少ない。さらに、予算スラックの最適レベルの存在を想定する3つ目の見解を取り入れた研究はさらに限られている(Yang et al., 2009)。予算スラックに関する2つ目の見解は、予算スラックが環境変化に対するバッファーとして、あるいは革新的行動を促す資源として機能するというものであった。そのため、予算スラックが組織パフォーマンスに及ぼす影響は、経営戦略や組織文化(革新志向か否か)、あるいは環境の不確実性(環境変化に対するバッファーの必要性が高いか否か)などによって影響されることが考えられる。これらのモデレータ変数を考慮しつつ、予算スラックがどのように組織パフォーマンスに影響を及ぼすのかを検証していかなければならない。このような観点から、経営戦略や組織文化と組織スラックとの関係に注目した文献を中心に広範なレビューを行い、経営戦略や組織文化が予算スラックと組織パフォーマンスとの関係に及ぼす影響について理解を深めることができた。今後、予算スラックが組織パフォーマンスに及ぼす影響が経営戦略や組織文化によってモデレートされるプロセスを明らかにしたい。予算スラック研究および経営戦略・組織文化に関する広範な文献レビューから、これまでの予算スラック研究では、予算スラックを組織にとって望ましくないものと見なし、それをどのように削減していくかに主な焦点が置かれていた反面、予算スラックが必ずしも組織パフォーマンスにとってネガティブな要因ではないこと、予算スラックを許容することで、マネジャーに予算目標以外の複数の目標の達成を促すポジティブな効果があることも確認することができた。また、予算スラックと組織パフォーマンスの間には逆U字型の関係があるという仮説も導かれ、具体的に、どのような状況のもとで予算スラックが組織パフォーマンスにポジティブな影響、あるいはネガティブな影響を及ぼすのかについて解明していく必要があることが示された。関連文献のレビュー、ならびに海外の共同研究者との打ち合わせ等を通じ、研究計画はほぼ順調に遂行された。本研究は、予算スラックが組織パフォーマンスに及ぼす影響を検証することを研究の目的としている。予算スラックが組織パフォーマンスに及ぼす影響については、正の影響と負の影響を含む3つの見解が示されている。
有機電界効果トランジスタのn型特性出現機構の解明とその高性能化に関する研究

平成17年度は有機FET特性の向上にはキャリア注入障壁を軽減させることが重要であることを指摘し、フルオレン系ポリマーやその他π共役ポリマーにおいて仕事関数の高いPt電極を用いることでp型有機FET特性の向上を例示した。さらに一般的な有機半導体にもこの考えを展開し、Ca電極を用いてp型有機半導体のambipolar輸送性を確認するなど優れた研究成果を得た。平成18年度はπ共役ポリマーを用いたambipolar有機FETの作製を目標とした。これらの有機半導体は溶液塗布からの薄膜形成が可能である等の利点があるが、大気中の酸素ドープによりp型特性を示すことが知られており、キャリア密度が増加しon/off電流比が悪くなるなどの欠点がある。そこで有機半導体を低酸素、低湿度のN_2グローブボックス内で脱ドープして、Ca電極ソース・ドレイン電極を形成し、測定をN_2グローブボックス内で行うことで、intrinsicな有機半導体の電子輸送性を確認した。その他、これまでに得られた知見をもとにユニポーラの高性能p型、n型新規有機半導体の開発も行った。材料としてはポリフェニレンビニレン(PPV)に代表されるフェニレンビニレン骨格を有する有機半導体に着目した。PPV前駆体水溶液から薄膜を形成し、PPVへの変換温度の最適化を行い、最も高い特性が得られる条件を見出した。次にその最適化を行った薄膜をN_2グローブボックス内で熱処理することで脱ドープしAuをソース・ドレイン電極とすることでp-channel、Caを電極とすることでn-channelのFET特性が得られPPVはambipolar性を有していることが実証できた。しかしPPVのambipolarFETは特性が悪いためフェニレンビニレン骨格を有するp型、n型有機半導体に特化した分子設計を行った。具体的には配向性を向上させるためオリゴマー化し、正孔輸送、電子輸送性に特化するため、末端に電子供与性のメチル基を付与、あるいは電子受容性のフルオロメチル基を付与し、正孔移動度0.1cm^2/Vs、電子移動度0.01cm^2/Vs、それぞれを有する材料の開発に成功した。現在までにp型と考えられてきた有機半導体(ペンタセン、CuPc)に電子注入に適したCa電極を用いて、電子、正孔輸送どちらのモードでも駆動する有機FETの作製に成功している。これまで様々な材料を同様の方法で探索する中で、p型と考えられていた材料でも高い電子輸送性を有する、全く電子輸送性を有しない等、結果は様々であった。本研究の目的は「p型有機半導体を用いた有機FETの電子輸送性の差は何に由来するのか」を解決し、さらにそのn型特性の向上を目指すことにある。今年度はambipolar輸送性を示す材料として金属フタロシアニンに注目した。前年度に用いたCuPcを代表として、金属フタロシアニンは中心金属を変えることで、そのHOMO-LUMOのエネルギーギャップが大きく変化する。そのため、正孔、電子両方の電荷注入が必要なambipolar有機FETの特性に大きく影響することが予想される。今年度は高性能のambipolar有機FETの作製を目指し、6種類のフタロシアニンを用いたFET特性を評価した。Ca電極を用いることで全てのM-Pc FETでn-channel、p-channel(ambipolar)駆動が可能であり、飽和電流より移動度を導出することが出来た。これまでp型有機半導体としてのみ評価されてきたM-Pc(H_2Pc、FePc、CuPc、ZnPc、PbPc、TiOPc)においても電子輸送性を有していることが分かった。一番バンドギャップが小さい(1.1eV)PbPc薄膜を用いたFET(Caソース・ドレイン電極)をグローブボックス内で12時間、100°Cでアニールしたところ、トランスファー特性がゲート0Vを軸にほぼ対称となるambipolar有機FET特性が得られた。その移動度は正孔1.8×10^<-3>cm^2/Vs、電子2.0×10^<-3>cm^2/Vsであり、両方の電荷移動度が10^<-3>cm^2/Vsを超える高性能ambipolar有機FETの作製に成功した。

次にその最適化を行った薄膜をN_2グローブボックス内で熱処理することで脱ドープしAuをソース・ドレイン電極とすることでp-channel、Caを電極とすることでn-channelのFET特性が得られPPVはambipolar性を有していることが実証できた。しかしPPVのambipolarFETは特性が悪いためフェニレンビニレン骨格を有するp型、n型有機半導体に特化した分子設計を行った。具体的には配向性を向上させるためオリゴマー化し、正孔輸送、電子輸送性に特化するため、末端に電子供与性のメチル基を付与、あるいは電子受容性のフルオロメチル基を付与し、正孔移動度0.1cm^2/Vs、電子移動度0.01cm^2/Vs、それぞれを有する材料の開発に成功した。
感染防御におけるNOの新規シグナル伝達機構の解明

一酸化窒素(NO)および活性酸素が、生体内で主要な感染防御因子として機能していることが知られているが、そのシグナル伝達メカニズムについては不明な点が多い。我々はごく最近、まったく新規な環状ヌクレオチドである8-nitroguanosine 3',5'-cyclic monophosphate(8-nitro-cGMP)が、NOによる感染防御メカニズムの重要なシグナル伝達物質であることを発見した(Nature Chem.Biol.,2,729-735,2007)。本研究では、サルモネラ感染における8-nitro-cGMPの感染防御シグナルを解析した。その結果、サルモネラ感染に伴い細胞内に顕著な8-nitro-cGMP生成が認められること、さらに8-nitro-cGMPがKeap1蛋白質のチオール基と反応してcGMp構造を付加(蛋白質S-グアニル化)して活性化し、下流の遺伝子であるヘムオキシゲナーゼ-1の発現が誘導されることがわかった。その結果、感染によるアポトーシスが抑制されるとともに、サルモネラのクリアランスが向上した(論文投稿中)。さらに蛋白質S-グアニル化の標的オルガネラとしてミトコンドリアを解析し、複数の蛋白質がS-グアニル化を受けていることが明らかとなった(投稿準備中)。以上の結果より、8-nitro-cGMPは、感染防御における重要なシグナル分子であり、そのシグナル伝達には蛋白質S-グアニル化によるレセプター分子の活性化が重要であることが示唆された。
エピジェネティック疫学の確立と疾病予防への応用

1.胃がんDNAのメチル化と生活習慣との関連の解析胃がん患者106例において、CDX2(ホメオドメインを持つ転写因子)、BMP-2(骨形成性タンパク質)、p16(細胞周期制御)、CACNA2D3(カルシウムチャンネル構成成分)、GATA-5(転写因子)、ER(estrogen receptor)各遺伝子のメチル化頻度と生活習慣との関連を解析した。その結果、CDX2とBMP-2のメチル化頻度は緑茶摂取量と負の相関を示した。一方、CACNA2D3のメチル化頻度は、運動量の少ない患者では高かった。また、GATA-5のメチル化頻度は、漬物摂取量の多い患者で高かった。以上より、メチル化頻度は一部の生活習慣と関連していることがわかった。また、CDX2、BMP-2、p16遺伝子のメチル化は互いに相関を示し、CACNA2D3、GATA-5、ERとは違う群であった。CDX2とp16のメチル化頻度は、未分化型胃がんで多いという共通性も示したが、2群に分類される原因は不明である。2.血球DNAのメチル化を生体指標としてがん発症前のリスク評価に応用する試みもし、血球DNAのメチル化の程度が各臓器のメチル化の程度を反映するとしたら、血球DNAのメチル化をがんリスクの生体指標として利用できる可能性が高い。100例ずつの胃がん患者とがんを発症していない人の血球DNAにおけるメチル化の程度を比較した結果、一部の遺伝子では、高齢化や喫煙量の増加に伴いメチル化の頻度が上がった。現在、各300例ずつの血球DNAで解析している。1.胃がんにおけるカルシウムチャンネル遺伝子CACNA2D3のメチル化胃がんにおいて、カルシウムチャンネルの遺伝子CACNA2D3のメチル化を解析した。CACNA2D3のメチル化は胃がん70例中19例(27.1%)で検出され、未分化型での頻度が分化型より高かった。また、メチル化陽性患者では陰性患者より生存期間が短かった。CACNA2D3遺伝子を培養細胞で強制発現させるとその増殖を抑え、p21やp27の発現量が増えた。以上より、メチル化によるCACNA2D3の発現低下は、胃のがん化に関与している可能性が示唆された。2.胃がんにおける接着関連遺伝子IQGAP2のメチル化IQGAP2のメチル化を胃がんで解析した結果、60例中28例(46.7%)で検出され、メチル化がある症例では、予後が有意に悪かった。細胞レベルでの解析で、IQGAP2の発現を抑えると、細胞の侵潤能が上がり、.予後との関連が示された。3.メチル化と生活習慣との関連の解析胃がん患者において、CDX2、GATA-5、Estrogen Receptor、CACNA2D3、BMP-2各遺伝子のメチル化頻度と生活習慣との関連を解析した。その結果、緑茶の摂取量が多いとCDX2とBMP-2のメチル化頻度が低いことがわかり、メチル化頻度は生活習慣により変化する可能性が示された。4.血球DNAのメチル化をバイオマーカーとして応用する試みもし、血球DNAのメチル化の程度が各臓器のメチル化の程度を反映するとしたら、血球DNAのメチル化をがんリスクのバイオマーカーとして利用できる可能性がある。いくつかの遺伝子では一部の血球DNAでもメチル化が見られたので胃がん患者とがんを発症していない人の血球DNAにおけるメチル化の程度を比較した。有意差は出なかったが、一部の遺伝子では、高齢化や喫煙量の増加に伴いメチル化の頻度が上がった。

1.胃がんDNAのメチル化と生活習慣との関連の解析胃がん患者106例において、CDX2(ホメオドメインを持つ転写因子)、BMP-2(骨形成性タンパク質)、p16(細胞周期制御),CACNA2D3(カルシウムチャンネル構成成分)、GATA-5(転写因子)、ER(estrogen receptor)各遺伝子のメチル化頻度と生活習慣との関連を解析した。その結果、CDX2とBMP-2のメチル化頻度は緑茶摂取量と負の相関を示した。一方、CACNA2D3のメチル化頻度は、運動量の少ない患者では高かった。また、GATA-5のメチル化頻度は、漬物摂取量の多い患者で高かった。以上より、メチル化頻度は一部の生活習慣と関連していることがわかった。また、CDX2、BMP-2、p16遺伝子のメチル化は互いに相関を示し、CACNA2D3、GATA-5、ERとは違う群であった。CDX2とp16のメチル化頻度は、未分化型胃がんで多いという共通性も示したが、2群に分類される原因は不明である。2.血球DNAのメチル化を生体指標としてがん発症前のリスク評価に応用する試みもし、血球DNAのメチル化の程度が各臓器のメチル化の程度を反映するとしたら、血球DNAのメチル化をがんリスクの生体指標として利用できる可能性が高い。100例ずつの胃がん患者とがんを発症していない人の血球DNAにおけるメチル化の程度を比較した結果、一部の遺伝子では、高齢化や喫煙量の増加に伴いメチル化の頻度が上がった。現在、各300例ずつの血球DNAで解析している。
低次元物質における非線形励起のダイナミクス

Bechgaard塩やMX鎖を記述するモデルとして、1次元2バンドハバ-ド模型をHartree-Fock近似したものが用いられることが多い。本研究では第1歩として1バンドモデルを採用した。第1に、2個のソリトンの衝突過程の研究をした。本研究代表者による1992年度の研究によると、正と負の電荷を帯びたソリトンを正面衝突させるとソリトン間に斥力、スピン反平行のソリトン対では引力、が働くことがわかっていた。今年度は、同種電荷のソリトン対、スピン平行のソリトン対、の衝突を調べ、いずれの場合にも斥力が働くことがわかった。第2に、2個のスピン・ポーラロンの衝突過程の研究をした。鎖間相互作用を外部磁場として取り入れた。同種電荷を帯びたスピン反平行のポーラロン対を衝突させると、バイポーラロン(2個のポーラロンの束縛状態)となる。ハバ-ド模型に隣接サイト間クーロン斥力Vを取り入れると、ポーラロン間相互作用は斥力になる。さらに、サイト非対角形の電子・格子結合lambdaを付け加えると、相互作用は再び引力となる。このポーラロン間相互作用は次のように解釈できる。ポーラロンの近傍では、局所的に、反強磁性秩序がへこみ、電荷密度波秩序が立つ。この電荷密度の様子がスピン上向きのポーラロンと下向きのポーラロンでは異なる。上向きスピンのポーラロンで奇数番サイトに電子密度が高いとすると、下向きでは偶数番サイトで高い。この特徴的な電荷分布のため、オンサイト斥力Uは殆ど効かないので、Uだけのモデルでは、反強磁性秩序のへこみを共有することからくる引力がポーラロン間に働く。逆に、この電荷分布では隣接サイト間斥力Vが大幅に効くので、Vは相互作用を斥力に変える。ポーラロン近傍に立つボンド次数波秩序は、ポーラロンが近づくに連れ協調的に増大する。ボンド次数波と結合しているlambdaは、電子系のエネルギーを下げることによりポーラロン間に引力を働かせる。計算の方法論という観点からは、鈴木により提唱されたフラクタル経路積分法(指数演算子の高次分解法)を時間依存HF方程式に適用し、その有用性を確かめた。