hpprc/llmjp-kaken huggingface dataset:
プラズマエッチングにおけるナノメートル層ダメージ形成の機構解明と制御

デバイスの微細化に伴い、プラズマエッチングの際に生じる数ナノメートル程度のダメージの存在がデバイス特性を劣化させるものとして無視できないものとなっており、これからの微細化プロセスの開発はダメージ形成機構も解明する必要がある。プラズマエッチング起因するダメージは様々なものがあるが、半導体材料であるSiおよび磁性体材料であるCoおよびFe表面に形成されるダメージ層は素子特性劣化の原因となる。本研究では、イオンビーム装置を用いてフラックスおよびエネルギーを制御したイオンビーム照射を行ない、エッチングイールド、反応生成物測定および表面分析を通して、イオン照射時に表面で起きている反応(主にダメージ生成に関する反応)を明らかにした。プラズマエッチングにおけるSi表面のダメージ生成に関しては、水素イオンビーム照射実験の結果から、水素イオン照射によるダメージ層の深さは、入射角度に依存せず、Si結晶の奥深くまでダメージが形成されることを明らかにした。また、SiFx^+照射によるSiのエッチングイールド測定から、入射イオンに含まれるハロゲン原子の数が多いほど高いイールドを示し、また、Siイオンのみ照射によりSi表面に堆積が起きることから、入射イオンに含まれるSi原子がSi表面にデポジションすることでイールドが低下することを明らかにした。CH_3OHプラズマ中の活性種(CO^+イオン)照射による磁性材料(Co, Ni)のエッチング特性および酸化反応メカニズムの解明に関しては、物理的スパッタによりエッチングが進行していることを明らかにした。以上のような材料種や反応種毎のエッチングイールドやイオンビーム照射による表面分析の詳細な基礎データを取得は、プラズマと固体表面の反応の理解に必要不可欠であり、エッチング形状シミュレーションやダメージ低減プロセスの開発への提言が可能になると考えられる。(抄録なし)デバイスの微細化に伴い、プラズマエッチングの際に生じる数ナノメートル程度のダメージ層の存在がデバイス特性を劣化させるものとして無視できないものとなっており、これからの微細化プロセスの開発には、エッチングメカニズムとダメージ形成のメカニズムの双方を理解して開発していく必要がある。プラズマエッチング起因するダメージは様々なものがあるが、本研究では、半導体材料であるSiおよび磁性体材料であるCoおよびFe表面に形成されるダメージ層に着目し、イオンビーム装置を用いてフラックスおよびエネルギーを制御したイオンビーム照射を行ない、エッチングイールド、反応生成物測定および表面分析を通して、イオン照射時に表面で起きている反応(主にダメージ生成に関する反応)を明らかにした。(1)ハロゲンプラズマ照射におけるSi含んだエッチング生成物(SiClx^+)のSi表面へのダメージハロゲンプラズマを用いたsiエッチングの際に生じるSiを含んだエッチング生成物(SiClx)がSi表面へ与える影響を評価することを目的とし、Si表面に、SiClx^+を照射し、エッチングイールドおよび生成物測定を行った。エッチングイールド測定から、入射イオンに含まれるCl原子の数が多いほど高いイールドを示し、入射イオンに含まれるSi原子がSi表面にデポジションすることでイールドが低下することが明らかとなった。CH_3OHプラズマ中の活性種(特にCO^+イオン)の照射による磁性材料(Fe, CoおよびFeCoB合金)のエッチング特性と酸化膜形成メカニズムの解明を目的とし、CO^+イオンビーム照射実験を行った。その結果CH_3OHプラズマエッチングにおいて、FeCoBの膜の組成により、エッチング反応および酸化膜の形成が異なることが明らかとなった。初年度は、イオンビーム照射による磁性体材料(Fe, Co)および半導体材料(Si)表面におけるダメージ生成について、どちらのテーマについても当初の予定に近い形でイオンビーム実験を遂行できたと言える。これらの結果は、国際会議および国内会議で公表しており、おおむね順調に研究が進展していると言える。本年度は、イオンビームとプラズマエッチングにおける被エッチング材料との表面反応(特にダメージ生成に関する反応)についてのデータの取得を行ってきた。プラズマエッチングプロセスにおいて、被エッチング材料とマスク材料との選択比の向上も重要なパラメーターである。

そのため、今後、マスク材料として用いられるSiN, SiO_2,およびTa等の材料に関するイオンビーム照射実験を検討し、表面反応のデータ取得を行いたい。(抄録なし)
加速器中性子源設計に関連した重陽子入射反応核データの研究

加速器中性子源の候補であるLiに対する100MeVまでの重陽子入射反応の理論模型解析を行った。弾性分解過程に連続状態離散化チャネル結合法、核子ストリッピング過程にグラウバー模型、前平衡・蒸発過程に運動源模型を用いた計算手法を提案した。前方角へ放出される核子スペクトルの実験データに見られる特徴的なバンプ構造を良く再現でき、核子ストリッピング過程が主要な反応機構であることを明らかにした。本研究では、高強度連続スペクトル中性子源反応としてLi(d、n)反応を取り上げ、連続状態離散化チャネル結合法(CDCC法)を用いた理論解析により、中性子生成に大きな寄与が予想される重陽子分解過程を含む核反応機構を解明する。まず、主要反応チャネルである弾性散乱に着目した。CDCC計算に必要な陽子と中性子それぞれと標的核間の光学ポテンシャルを、過去の陽子や中性子散乱実験データや^6Liの中性子光学ポテンシャルに基づいた解析により決定した。このポテンシャルを用いた光学模型計算は、5MeV50MeV入射エネルギー領域における弾性散乱微分断面積、中性子全断面積、反応断面積をよく再現した。Li(d、d)弾性散乱のCDCC計算を行い、断面積の大きな前方角放出に対して50MeVまでの領域の実験データを良好に再現できた。重陽子分解過程が弾性散乱に与える影響を調査し、前方角より後方角放出に影響があり、それを考慮することで実験値との一致が改善できることを示した。次に、(d、pn)重陽子分解反応のCDCC計算を行い、40MeV入射のLi(d、xn)反応実験結果と比較した。前方角放出の中性子エネルギー分布の形状は計算でよく説明できるが、絶対値は大きく過小評価することがわかった。現行CDCC計算の核組では、入射重陽子が核力やクーロン場で分解し、陽子と中性子が放出されて標的核の状態は基底状態に残される反応(弾性分解反応)しか取り扱えていない。陽子ストリッピング反応による中性子放出成分が考慮できていないことが不一致の原因の1つと考え、この成分を予測するためにグラーバー理論による計算を行った。その結果、陽子ストリッピング反応による中性子生成断面積が全中性子生成断面積の約2/3を占め、主要な反応過程であることを見出し、CDCC計算の実験との不一致の原因を特定することができた。本研究では、重陽子ビームを用いた加速器中性子源の核設計に不可欠な重陽子入射核反応機構として、重陽子分解反応やストリッピング反応による中性子生成反応に着目した理論解析を行った。主要な中性子源反応であるLi(d, n)反応に対して、重陽子の弾性分解反応過程を記述する連続状態離散化チャネル結合法(CDCC法)とストリッピング反応を記述するグラウバー理論による計算を実施し、40MeV入射のLi(d, n)反応二重微分断面積データと比較した。計算に必要な核子光学ポテンシャルは昨年度の研究で導出したものを使用した。計算結果は、前方角で観測される分解・ストリッピング反応に起因する中性子スペクトル上のバンプ構造を良好に再現できることがわかった。さらに、100MeV入射のBe(d, p)反応解析にも同様な計算手法を適用し、同程度に前方角での実験値を再現できることを確認した。これらの解析を通じて、弾性分解反応に比べてストリッピング反応の方が中性子生成の寄与が大きく、100MeVまでの重陽子入射による前方方向への中性子生成における重要な核反応機構であることがわかった。次に、放出中性子二重微分断面積を用いて、厚い標的からの中性子生成量(TTY)を計算するための簡易計算コードを開発した。計算コードの妥当性の検証のために、分解・ストリッピング反応に対して解析的な式が与えられるザーバーモデルを適用し、複合核過程による低エネルギー中性子放出には統計理論に基づく計算を行い、40MeV重陽子入射に対するAl, Fe, TaのTTY実験データと比較した。その結果、最前方の0度放出を除いて放出中性子スペクトルをほぼ再現できることがわかった。また、0度の過小評価問題は、より現実的なグラウバー理論計算で解消できる可能性を見出した。主要な中性子源反応であるLi(d, n)反応に対して、重陽子の弾性分解反応過程を記述する連続状態離散化チャネル結合法(CDCC法)とストリッピング反応を記述するグラウバー理論による計算を実施し、25および40MeV入射のLi(d, n)反応二重微分断面積データと比較した。計算に必要な核子光学ポテンシャルは19年度の研究で導出したものを使用した。さらに、反応機構の入射エネルギー依存性の調査を行った。40MeV以上の領域でLi(d, n)反応の実験データは皆無であったために、標的核の広い質量数範囲に亘る実験データが存在する100MeV(d, p)反応の解析に同様な計算手法を適用した。

軽い標的核であるBeとCに対しては、Li(d, n)反応の解析結果と同程度に20度より前方角への放出陽子スペクトルの形状と絶対値を良好に再現できることを確認した。しかし、Al以上の中重核ではクーロン分解反応の影響が大きくなり、このクーロン分解を考慮したCDCC計算が必要となること、さらにクーロン場のためにグラウバー理論のアイコナール近似の精度が悪化し、入射粒子軌道の修正が必要となることを見出した。以上の理論解析を通じて、100MeVまでの重陽子入射核子生成反応では、弾性分解過程に比べてストリッピング反応過程の方が相対的に重要な寄与を示し、前方方向への核子生成における主要な反応機構であることを明らかにした。
ｐ進体上のＤ加群とｐ進Ｈｏｄｇｅ理論

p進perverse層のp進Hodge理論およびp進Simpson対応を研究した.前者では単純正規交叉因子に伴うstratificationをもつp進perverse層や対応する数論的D加群のコホモロジーの各stratum上の張り合せデータを用いた記述を与え,その間の比較写像を構成した.後者ではHiggs isocrystalのコホモロジー論を確立し,局所p進Simpson対応の圏同値の証明を与えた.p進perverse層のp進Hodge理論の研究.平成24年度までの研究により,単純正規交叉因子から定まるstratificationに沿って特異点をもつp進エタールperverse層についてのcrystalline層の概念とfiltration Frobeniusつき数論的D加群の圏への忠実充満関手についての理論は完成していた.この理論はlogつきの各stratum上の局所系についての理論の「張り合せ」により構成された.今年度はperverse層と数論的D加群の大域的コホモロジーの各stratum上の局所系の言葉による記述方法を確立した.当初の計画では,D加群のコホモロジーのsimplicialな被覆を用いた議論は困難と思われ別のアプローチを考えていたが,局所系の言葉による記述を得たことで,この問題が解消された.p進Simpson対応の研究:平成24年度までの研究成果である過収束Higgs isocrystalに対応するFaltings site上の層の構成とそれらのコホモロジーの比較に関する論文を完成させた.その過程においてA. AbbesとM. Grosの変形torsorを用いた別のアプローチとの比較も完成させた.過収束Higgs isocrystalに対応する一般化表現の特徴付けについてもSenの理論の一般化を用いて研究した.本科研費により平成25年9月にフランスのIHESを訪問した際,これらの問題についてA. Abbes,M. Grosと研究討論を行った.p進perverse層のp進Hodge理論およびp進Simpson対応を研究した.前者では単純正規交叉因子に伴うstratificationをもつp進perverse層や対応する数論的D加群のコホモロジーの各stratum上の張り合せデータを用いた記述を与え,その間の比較写像を構成した.後者ではHiggs isocrystalのコホモロジー論を確立し,局所p進Simpson対応の圏同値の証明を与えた.1. p進整数環上のスムース・スキーム上でのp進エタールperverse層と数論的D加群の対応についての研究.単純正規交叉因子から定まるstratificationについてのエタールperverse層が, logエタールperverse層の理論を導入することにより簡明に捉えられることを示した.特にBeilinsonのpreverse層の張り合わせの手法の類似がlogエタール層で行えることを示した.Beilinsonの手法では因子の定義方程式を大域的にとる必要があるが,logエタール層は因子の方程式の取り方によらない概念であるため,大域的な議論が可能となった.2. p進Simpson対応の研究.Faltingsのp進Simpson対応を,考えている代数多様体のある種の持ち上げの存在や取り方によらない形で記述する1つの方法として, Higgs crystalの概念を数年前に導入した.平成24年度はその過収束性のsiteの理論を用いた定式化やコホモロジー論を構築した.Higgs crystalの概念の定義に用いたsiteではPoincareの補題が成り立たず良いコホモロジーが得られない.Poincareの補題を成り立たせるため,多項式環の弱完備化をとらえるようなレベル付きHiggs envelopeの概念を新たに導入し,この問題を克服した.また過収束Higgs crystalにp進Simpson対応で対応する一般化表現のFaltingsコホモロジーとの比較定理も証明した.平成26年度は前年度に引き続き, p進整数環上のスムース・スキーム上のp進エタールperverse層と数論的D加群,およびp進Simpson対応について研究した.単純正規交叉因子から定まるstratificationに沿って特異性をもつ場合に, crystalline p進perverse層の概念とそれに伴う数論的D加群(filtration, Frobenius付き)の構成がこれまでの研究により得られていた.平成26年度はそれらのコホモロジーの間の比較写像の構成に成功した. p進Simpson対応については, p進整数環上半安定な還元をもつアフィンスキーム上の有理係数のFaltingsの局所p進Simpson対応が,「小さな」Higgsベクトル束の圏から「小さな」一般化表現の圏への圏同値を与えていることを証明した.この事実はFaltingsの原論文で主張され,曲線の場合の証明が与えられていたが.Ahmed Abbes氏とMichel Gros氏によりその証明のギャップが指摘されていた.Senの理論の一般化とp進Simpson対応の周期環を用いた別の手法により証明した.本科研費による研究により,単純正規交叉因子から定まるstratificationについてのエタールperverse層やそのコホモロジーを各stratum上のlogエタールperverse層を通して(多様体上大域的に)系統的に捉える方法を確立した.Frobenius, filtration付きの数論的D加群についての自身による同様の研究と融合することにより,コホモロジーの比較写像の構成も完成し,p進Hodge理論の基本定理の一つである局所系の場合のクリスタリン予想の上述のp進perverse層への一般化への主な困難はすべて解決した.p進Simpson対応については,多様体の持ち上げの存在やその選択によらない,より自然な形の理論を確立し,また有理係数の局所理論について最後に残されていた圏同値の問題を解決した.数論幾何学

平成25年度の研究計画にあった悪い退化をもつ場合のp進Hodge理論の研究に進展はなかったが,一方でp進Simpson対応に関しては平成26年でに計画されていたコホモロジーの比較や関連する問題について計画以上に研究が進展している.p進perverse層のp進Hodge理論の研究について.当初の計画では数論的D加群のコホモロジーにsimplicialな被覆を用いた議論を適用することは困難と考えていたが,数論的D加群のコホモロジーを定義するde Rham複体の張り合せデータを用いた記述を考察することにより,この困難が克服された.これは当初の予想を超える進展であるといえる.さらにcrystalline perverse層と数論的D加群の対応を通して,上記の記述のperverse層における類似を考察することにより,perverse層でも同種の結果を得ることに成功し,コホモロジーの比較の研究の主たる困難は克服できた.p進Simpson対応の研究について.過収束Higgs isocrystalに一般化表現(Fatlings site上の層)を対応させる忠実充満関手やコホモロジーの比較は完成していたが,この関手の像を決定するという基本的問題が未解決である.Faltingsの論文にこの像の決定について述べられているが,その証明にはギャップがある.Abbes, Grosの論文では,ある仮定がみたされれば曲線上の場合に像が決定できるという,弱い結果が述べられている.9月のIHES滞在中のAbbes氏との研究連絡をきっかけとして,Faltingsの論法,Senの理論の一般化,周期環を用いた関手の構成をうまく組み合わせることにより,このギャップを埋めるアイデアを発見したことは大きな進展である.p進perverse層のp進Hodge理論の研究.p進体上の良い還元をもつ完備スムースな代数多様体上で,正規交叉因子に沿って「特異性」をもつcrystalline perverse層とそれに伴うfiltration, Frobenius付き数論的D加群について,コホモロジーの局所的な比較の研究する計画であった.前年度までの研究ではperverse層のはりあわせを複体レベルで行っていたため,従来の局所系の理論をはり合わせる上で困難が生じた.このためlogエタールperverse層の理論を導入し,Beilinsonのperverse層のはりあわせの手法をlogエタールperverse層の圏で行うという前年度までと異なるアプローチで研究を進め,はりあわせのより簡明な構成を与えることに成功した.コホモロジーの研究の基礎が進展したといえる.Higgs crystalの研究.当初の計画通りHiggs crystalのコホモロジーを完成させることに成功した.また計画よりさらに研究を進め,平成26年度の研究計画に記載されていたHiggs crystalのコホモロジーとp進Simpson対応により対応するFaltings site上のベクトル束のコホモロジーの比較定理も証明した.
感染症数理モデルを用いた無線ＬＡＮマルチホップ放送型情報配送方式の最適設計

ネットワーク上の全ての端末に同じ情報を送信する放送型情報配送方式では,一般に,パケットを受信した全ての端末が通信可能な範囲へ中継転送を行う"フラッディング"と呼ばれる手法が用いられている.本研究課題では,無線LANを用いたマルチホップ・ネットワーク内において,情報が配送された端末割合(情報到達率)を,時間の関数として表現することを目的とする.情報到達率とホップ数の関係,ホップ数と経過時間の関係を,感染症数理モデルの基づいたモデルを構築し,ネットワークシミュレータQualNetによる評価の結果,端末密度と転送確率の積が2以上で有れば,不安定ながら一定の精度を得ることを示した.ネットワーク上の全ての端末に同じ情報を送信する放送型情報配送方式は,無線LAN端末を用いたアドホックネットワーク等で使われている.一般的な放送型情報配送方式では,パケットを受信した全ての端末が通信可能な範囲へ中継転送を行う"フラッディング"と呼ばれる手法が用いられている.平成25年度では,感染症モデルに基づいて,確率的に転送を行う確率的フラッディングにおける情報の拡散率に関して前年度までに構築したモデルの精密化を行い,その精度を計算機シミュレーションにより評価した.特に,パケットを受信する端末の位置が,ネットワーク内を環状に伝搬すると仮定し,伝播面積を求める.この際には,端末密度および転送確率により定義される関数を用いた基準距離の概念を導入した.前年度では,端末密度と転送確率の積を引数とする指数関数を用いたが,平成25年度では,精度を向上させるために,Gompertz関数,シグモイド関数,arctan関数を用いてモデルを修正した.各々の関数を使用した基準距離を用いた場合に対する計算機シミュレーションの結果,Gompertz関数を利用することにより,従前の指数関数を利用した場合よりも精度を向上させることが可能であることがわかった.しかしながら,端末密度と転送確率の積が小さい場合では,まだ十分な精度を得ることができないため,更なるモデルの改善が必要である.ネットワーク上の全ての端末に同じ情報を送信する放送型情報配送方式は,無線LAN端末を用いたアドホックネットワーク等で使われている.一般的な放送型情報配送方式では,パケットを受信した全ての端末が通信可能な範囲へ中継転送を行う"フラッディング"と呼ばれる手法が用いられている.平成25年度では,感染症モデルに基づいて,確率的に転送を行う確率的フラッディングにおける情報の拡散率(メッセージ到達率)に関して前年度までに構築したモデルの精密化を行い,その精度を計算機シミュレーションにより評価した.特に,Gompertz関数を利用することにより,従前の指数関数を利用した場合よりも精度を向上させることが可能であることがわかった.しかしながら,端末密度と転送確率の積が小さい場合では,まだ十分な精度を得ることができないため,更なるモデルの改善が必要である.平成26年度では,MAC層プロトコルとして,無線LANあるいはセンサーネットワーク等において広く利用されているCSMA/CAによる影響(受信端末におけるパケット衝突によって,送受信端末間の距離が送信距離以下であっても正しく受信できないなど)を考慮できるように,平成25年度までに構築したモデルを拡張した.また,その精度を,平成25年度に本助成により購入したネットワークシミュレータQualNetを用いて検証した.端末密度と転送確率の積が2以上で有れば,不安定ながら一定の精度を得ることができた.しかしながら,精度に関しては必ずしも十分なものではなく,また,パケット長などのパラメータに対して安定的な結果を得ることができなかった.ネットワーク上の全ての端末に同じ情報を送信する放送型情報配送方式は,無線LAN端末を用いたアドホックネットワーク等で使われている.一般的な放送型情報配送方式では,パケットを受信した全ての端末が通信可能な範囲へ中継転送を行う"フラッディング"と呼ばれる手法が用いられている.平成27年度では,感染症モデルに基づいて,確率的に転送を行う確率的フラッディングにおける情報の拡散率(メッセージ到達率)に関して,前年度までに構築したモデルの精密化を行い,ホップ数と情報到達率の関係を計算機シミュレーションにより評価した.MAC層プロトコルとして,無線LANあるいはセンサーネットワーク等において広く利用されているCSMA/CAによる影響(受信端末におけるパケット衝突によって,送受信端末間の距離が送信距離以下であっても正しく受信できないなど)を考慮できるようにした.今年度は,前年度まではホップ数を情報到達率の関係に着目していたが,これを情報が発信端末から送信されてからの経過時間と情報到達率の関係に変換できるよう,ホップ数と経過時間の関係に関する検討を行った.ネットワークシミュレータQualNetを用いた検証結果より,各中継端末におけるランダムなバックオフ時間の影響が非常に大きく,これにより経過時間の分散が増大し,ホップ数と経過時間の関連の評価に多大なる影響を及ぼすことを明らかにした.ネットワーク上の全ての端末に同じ情報を送信する放送型情報配送方式では,一般に,パケットを受信した全ての端末が通信可能な範囲へ中継転送を行う"フラッディング"と呼ばれる手法が用いられている.本研究課題では,無線LANを用いたマルチホップ・ネットワーク内において,情報が配送された端末割合(情報到達率)を,時間の関数として表現することを目的とする.情報到達率とホップ数の関係,ホップ数と経過時間の関係を,感染症数理モデルの基づいたモデルを構築し,ネットワークシミュレータQualNetによる評価の結果,端末密度と転送確率の積が2以上で有れば,不安定ながら一定の精度を得ることを示した.平成25年度では,MAC層プロトコルを考慮せず,送受信端末間の距離が送信距離以下であれば,正しくパケットを受信することができるという条件の下で,モデルの精度を評価し,端末密度と転送確率の積が2以上であれば,Gompertz関数を利用した基準距離の使用が最も精度の向上を得ることができることを明らかにした.

平成26年度では,MAC層プロトコルとして,無線LANあるいはセンサーネットワーク等において広く利用されているCSMA/CAによる影響(受信端末におけるパケット衝突によって,送受信端末間の距離が送信距離以下であっても正しく受信できないなど)を考慮できるように,平成25年度に構築したモデルを拡張し,平成25年度に本助成により購入したネットワークシミュレータQualNetを用いて検証した.検証の結果,CSMA/CAを考慮しないモデルに対しても,パラメータを調整することにより,ホップ数対メッセージ到達率の関係を,ある程度の精度で表現できることを示した.しかしながら,ネットワークシミュレータQualNetの設定およびデータ収集に,想定以上の時間を費やしたため,当初に予定していた無線センサネットワーク評価キットを用いた評価を完了できていない点でやや遅れていると自己評価する.通信・ネットワーク工学今後は,本研究課題の目的であるメッセージ到達率を時間関数として表現できるように,構築したモデルの変換を行う.また,ネットワークシミュレータQualNetによる結果を利用して,CSMA/CAパラメータに対してモデルが有する精度の不安定さを緩和するような方策を考案する.また,無線センサネットワーク評価キットを用いた評価を行う.MAC層プロトコルを考慮せず,送受信端末間の距離が送信距離以下であれば,正しくパケットを受信することができるという条件の下で,モデルの精度を評価し,平成25年度に試みたいくつかの関数の中で,端末密度と転送確率の積が2以上であれば,Gompertz関数を利用した基準距離の使用が最も精度の向上を得ることができることを明らかにすることができた.今後は,MAC層プロトコルとして,無線LANあるいはセンサーネットワーク等において広く利用されているCSMA/CAによる影響(受信端末におけるパケット衝突によって,送受信端末間の距離が送信距離以下であっても正しく受信できないなど)を考慮できるように,平成25年度までに構築したモデルを拡張する.また,その精度を,平成25年度に本助成により購入したネットワークシミュレータQualNetを用いて検証する.
反応性ルテナサイクル中間体を経由する触媒的新規機能性有機分子の創製

新しい有機材料を創製することは、社会的に常に強く期待、要請されている重要な研究課題であり、最も有力な手段の一つは、新しい概念に基づく高選択的炭素骨格形成新反応を利用した新しい型の機能性有機分子(モノマー)の合成である。本研究では、まず、従来の有機金属化学において錯体レベルでの研究が主であったメタラサイクル錯体、特に反応性ルテナサイクル錯体を触媒的新規機能性有機分子の合成反応に利用することを試みた。ルテニウム錯体触媒は、アルコールの酸化反応やアルコールを用いるアミンのN-アルキル化反応等、アルコール水酸基の活性化を経る水素移動反応に高い触媒活性を示すことが知られている。これらの反応では一般に、アルコール水酸基のルテニウム活性種への酸化的付加、続くβ-水素脱離反応により、ケトンあるいはアルデヒドが生成するが、我々はβ-水素脱離反応が進行しない1,1-二置換アリルアルコール類の酸化的環化カルボニル化反応、および1,1-二置換ホモアリルアルコール類の触媒的炭素-炭素結合切断反応を開発し報告している。本研究では、さちに炭素鎖を一つ延ばした1,1-二置換4-ペンテン-1-オール類を基質に選び、ルテニウム錯体触媒を用いる新規変換反応の開発を行った。その結果、酢酸アリルおよび炭酸カリウム共存下、一酸化炭素加圧下において、Ru_3(CO)_<12>/PPh_3触媒系を用いる1,1-二置換4-ペンテン-1-オール類の酸化的環化反応が良好に進行し、対応する2,3-ジヒドロフラン誘導体が高収率で得られた。本反応では、まず、ルテニウム活性種への酢酸アリルの酸化的付加が起こり、(π-アリル)ルテニウム中間体が生成、続いてアセトキシル配位子と4-ペンテン-1-オールの水酸基との間の配位子交換反応により、(アルコキシ)(π-アリル)ルテニウム中間体が生成する。この段階ではβ-水素原子が存在しないため、O-[Ru]結合への二重結合の分子内挿入が起こり、続くβ-水素脱離、異性化反応を経て、2,3-ジヒドロフラン誘導体が得られる機構が考えられる。一方Cp^*RuCl(cod) [Cp^*= pentamethylcyclopentadienyl;cod = 1.5-cyclooctadiene]錯体触媒存在下、2分子の末端アルキンと1分子のアセチレンジカルボン酸ジメチルとの交差[2+2+2]付加環化反応によるσ-フタル酸エステル誘導体の高効率合成法を見出した。通常、アルキンとアセチレンジカルボン酸エステルとの交差[2+2+2]付加環化反応では、1:2付加物である1,2,3,4-ベンゼンテトラカルボン酸エステル誘導体が主生成物として得られるが、本反応では、2:1付加物であるo-フタル酸エステル誘導体のみが良好な収率で得られる点が興味深い。本反応は、アルキン1分子とアセチレンジカルボン酸ジエステル1分子とのルテニウム上での酸化的環化反応によるルテナシクロペンタジエン中間体を経由して進行していると考えられる。新しい有機材料を創製することは、社会的に常に強く期待、要請されている重要な研究課題であり、最も有力な手段の一つは、新しい概念に基づく高選択的炭素骨格形成新反応による新しい型の機能性有機分子(モノマー)の合成である。本研究では、従来の有機金属化学において、錯体レベルでの研究が主であったメタラサイクル錯体を、触媒的新規機能性有機分子の合成反応に利用することを試みた。本年度は、まず、ルテニウム錯体触媒(Ru_3(CO)_<12>/Et_3N触媒系)を用いる「シクロプロペノン」類の炭素-炭素結合切断/炭素骨格再構築反応による新規開環カルボニル化/二量化反応、およびアルキンとの交差カルボニル化反応による機能性有機分子「ピラノピランジオン」誘導体の触媒的新合成法を確立した。新規化合物「ピラノピランジオン」は、同一分子内に不飽和結合と2つのエステル基を有する芳香族性を有する化合物であり、その物性および高分子材料モノマーとしての利用が期待される。^<13>COを用いるラベル実験により、ルテナシクロブテノン、マレオイルルテニウム錯体といった反応性ルテナサイクル錯体、およびビスケテンルテニウム錯体が本反応の鍵中間体であることが明らかとなった。さらに、ルテニウム錯体触媒、特にCp*RuCl(cod) / PPh_3[Cp*= pentamethylcyclopenta-dienyl, cod = 1,5-cyclooctadiene]触媒系を用い、アリルアルコール類とアセチレンジカルボン酸ジメチルに代表される電子求引性アセチレン類との新規[2+2+2]環化芳香族化反応を開発した。遷移金属錯体触媒を用いるアルケンとアルキンとの[2+2+2]付加環化反応では、一般に1,3-シクロヘキサジエン誘導体が得られるが、本反応ではアリルアルコールの水酸基が、反応性ルテナシクロペンテン中間体生成のための重要な配向基として、かつ有効な脱離基として作用するため、容易に芳香族化反応が進行し、ベンゼンテトラカルボン酸誘導体が高収率で得られたと考えられる。新しい有機材料を創製することは、社会的に常に強く期待、要請されている重要な研究課題であり、最も有力な手段の一つは、新しい概念に基づく高選択的炭素骨格形成

新反応を利用した新しい型の機能性有機分子(モノマー)の合成である。本研究では、まず、従来の有機金属化学において錯体レベルでの研究が主であったメタラサイクル錯体、特に反応性ルテナサイクル錯体を触媒的新規機能性有機分子の合成反応に利用することを試みた。ルテニウム錯体触媒は、アルコールの酸化反応やアルコールを用いるアミンのN-アルキル化反応等、アルコール水酸基の活性化を経る水素移動反応に高い触媒活性を示すことが知られている。これらの反応では一般に、アルコール水酸基のルテニウム活性種への酸化的付加、続くβ-水素脱離反応により、ケトンあるいはアルデヒドが生成するが、我々はβ-水素脱離反応が進行しない1,1-二置換アリルアルコール類の酸化的環化カルボニル化反応、および1,1-二置換ホモアリルアルコール類の触媒的炭素-炭素結合切断反応を開発し報告している。本研究では、さちに炭素鎖を一つ延ばした1,1-二置換4-ペンテン-1-オール類を基質に選び、ルテニウム錯体触媒を用いる新規変換反応の開発を行った。その結果、酢酸アリルおよび炭酸カリウム共存下、一酸化炭素加圧下において、Ru_3(CO)_<12>/PPh_3触媒系を用いる1,1-二置換4-ペンテン-1-オール類の酸化的環化反応が良好に進行し、対応する2,3-ジヒドロフラン誘導体が高収率で得られた。本反応では、まず、ルテニウム活性種への酢酸アリルの酸化的付加が起こり、(π-アリル)ルテニウム中間体が生成、続いてアセトキシル配位子と4-ペンテン-1-オールの水酸基との間の配位子交換反応により、(アルコキシ)(π-アリル)ルテニウム中間体が生成する。この段階ではβ-水素原子が存在しないため、O-[Ru]結合への二重結合の分子内挿入が起こり、続くβ-水素脱離、異性化反応を経て、2,3-ジヒドロフラン誘導体が得られる機構が考えられる。一方Cp^*RuCl(cod) [Cp^*= pentamethylcyclopentadienyl;cod = 1.5-cyclooctadiene]錯体触媒存在下、2分子の末端アルキンと1分子のアセチレンジカルボン酸ジメチルとの交差[2+2+2]付加環化反応によるσ-フタル酸エステル誘導体の高効率合成法を見出した。通常、アルキンとアセチレンジカルボン酸エステルとの交差[2+2+2]付加環化反応では、1:2付加物である1,2,3,4-ベンゼンテトラカルボン酸エステル誘導体が主生成物として得られるが、本反応では、2:1付加物であるo-フタル酸エステル誘導体のみが良好な収率で得られる点が興味深い。本反応は、アルキン1分子とアセチレンジカルボン酸ジエステル1分子とのルテニウム上での酸化的環化反応によるルテナシクロペンタジエン中間体を経由して進行していると考えられる。
現代日本における「性差別意識」の構造的解明にむけての社会学的一研究

すでに計画調書に明記したように,本研究は「性差別意識」の構造的解明への第一歩を踏み出す試みであった.昭和61年度には,女性社会学,帰属理論,情緒社会学,世代論等,性差別意識や性別役割分業にかかわる理論的・実証的文献研究の成果をふまえて,アンケート調査およびインタヴュー調査を実施した.これを受けて昭和62年度には,補足アンケート調査およびインタヴュー調査を遂行するとともに,収集した調査資料の分析を行なった.ここで得られた知見の主要なものは,以下のとおりである.1.国際的規模での性役割の流動化を背景に,日本の大学生のあいだでは,古典的な意味での性差別意識を持つ層は,もはや少数派となっており,女性の社会進出も,少くとも一般論の事柄にとどまる限りにおいては肯定的に受けとめられている.2.しかし,性別役割分業意識は依然として根強く,しかも性役割の不均等配分が性差別としては意識されにくいという状況が現出している.3.上述の不均等な性役割の配分は,旧来の男尊女卑思想やストレートな生物学的決定論に依拠することによってではなく,能力や効率性,好き・きらいといった選好など,性別以外の要因に帰属させることによって合理化・正当化され,結果的に性差別が容認されていく.4.社会一般の事象という水準では着々と進みつつあるかにみえる性役割の流動化も,問題設定が被調査者にとってより身近なレベルに及ぶにしたがってその度合が減じる.今回の調査結果から,両性の日常的関係性にまでおよぶ性別役割分業の変容には,さらにかなりの時間がかかることが予測される.すでに計画調書に明記したように,本研究は「性差別意識」の構造的解明への第一歩を踏み出す試みであった.昭和61年度には,女性社会学,帰属理論,情緒社会学,世代論等,性差別意識や性別役割分業にかかわる理論的・実証的文献研究の成果をふまえて,アンケート調査およびインタヴュー調査を実施した.これを受けて昭和62年度には,補足アンケート調査およびインタヴュー調査を遂行するとともに,収集した調査資料の分析を行なった.ここで得られた知見の主要なものは,以下のとおりである.1.国際的規模での性役割の流動化を背景に,日本の大学生のあいだでは,古典的な意味での性差別意識を持つ層は,もはや少数派となっており,女性の社会進出も,少くとも一般論の事柄にとどまる限りにおいては肯定的に受けとめられている.2.しかし,性別役割分業意識は依然として根強く,しかも性役割の不均等配分が性差別としては意識されにくいという状況が現出している.3.上述の不均等な性役割の配分は,旧来の男尊女卑思想やストレートな生物学的決定論に依拠することによってではなく,能力や効率性,好き・きらいといった選好など,性別以外の要因に帰属させることによって合理化・正当化され,結果的に性差別が容認されていく.4.社会一般の事象という水準では着々と進みつつあるかにみえる性役割の流動化も,問題設定が被調査者にとってより身近なレベルに及ぶにしたがってその度合が減じる.今回の調査結果から,両性の日常的関係性にまでおよぶ性別役割分業の変容には,さらにかなりの時間がかかることが予測される.現代若者の性差別を容認する態度と性別役割分業意識の相互関連に最大の焦点をあてつつ、現代日本における性差別意識の構造的解明へ向けての研究会活動および調査研究活動を遂行した。今年度行なった作業の内容をより具体的に述べれば、差別問題・差別意識・社会意識研究に携わっている研究者からの専門的知識の提供および大学生・大学院生からの労力的補助を受けながら、1.差別意識・性役割研究にかかわる理論的文献および性差別意識・性別役割分業意識に関する先行調査研究資料の検討、2.インタヴュー調査手順の確定およびインタヴュー調査の実施、3.自由記述式調査の実施、4.アンケート調査のための枠組の作成およびアンケート調査の実施、等である。これらの作業を遂行するにあたっては、インタヴュー調査の発見的機能および深層意識の抽出機能の両側面に着目しつつ、アンケート調査との有機的・相互補完的連携をはかることを試みた。以上で収集した調査資料の分析は昭和62年度の課題となるが、アンケート調査の結果からは主に性差別意識の類型化およびそれを規定している要因の明確化を行なう予定である。また、昭和61年度に実施したインタヴュー調査の結果および昭和62年度に追加実施を予定している帰属理論および情緒社会学の観点を取り入れたインタヴュー調査の結果の分析を通じて、「なぜ性差別はなくならないのか」というプロブレマティックの解明に迫る研究活動を展開したいと考えている。
分子系統解析の成果を形態形質(生殖構造の形質)で評価する―キキョウ目(キク目)を例にして

分子系統解析の成果が続々と発表され、その結果従来の分類システムに大きな変革を求めつつある。そこでこの研究課題では、それらの分子系統解析の結果を、形態形質、進化上保存性の高い生殖形質をもとに、妥当であるかどうか、特にキク目の植物群を対象に検討した。さらに近年の急速な情報の変化に鑑み、キク目植物群の他、トウダイグサ科のCrotonoideaeと、その中に含まれると考えられていたハツバキ連、分類学的所属の不明であったSetchellanthus、マダガスカルから再発見されたTakhtajania(シキミモドキ科)なども研究に加えた。研究結果は以下のようにまとめられる。Crotonoideaeの中の6属(Adenocline他)は他の属と異なり、維管束をもたない薄い内珠皮をもち、外群との比較の結果、進化の基部に位置する群であることが示唆され、この結果は分子系統解析の結果と一致した。またハツバキ連は、その特徴のうちfibrous exotegmen、endothelium、厚い内珠皮を持つという点から、コカノキ科やヒルギ科などと一致し、分子系統解析の結果とも一致した。Setchellanthusはメキシコ固有属で、種子の構造が分子系統解析の結果と一致して、core Capparalesの基部に位置する科として結論された。ミツガシワ科(キク目)の珠皮の発生と構造を調べ、その厚い珠皮はキク科、クサトベラ科、カリケラ科と共通の祖先で獲得されたものと推定した。アルゴフィルム科のArgophyllumとCorokiaは、エスカロニア科あるいはミズキ科に入れられてきたが、1珠皮性のtenuinucellate ovule、endothelium、haustorial endospermをもつなどの点でキク目に一致することが明らかになった。しかし、それらの正確な類縁関係は、Escalloniaの研究が必要であることが示唆された。平成9年度の研究計画は、Alseousmiaceae、ミツガシワ科の生殖構造の研究である。Alseousmiaceaeについては、Alseousmiaの雌雄生殖器官の若い時期から成熟期まで、更に受精後の種子の完成まで、通常のパラフィン法による切片を大量に作り、現在なお観察中である。これまでの観察によれば、Alseousmiaは胚珠の形態、胚のうの発生様式、胚乳の形成様式において、キキョウ目(キク目)の特徴を共有していることが確認できている。しかし、いわゆるterminal endospermというキキョウ目(キク目)に特有の特徴については、まだ十分の確認がとれず、もう少し補足のパラフィン切片による観察が必要と考えられる。ミツガシワ科については、日本産のミツガシワ、イワイチョウ、ガガブタの3属3種について、特にこれまでデータの欠けていた、珠皮の厚さについて観察した。そのため、これらの材料の採集し、花のパラフィン切片を作製した。その結果、いづれの属、種でも、6細胞層以上の厚さのある珠皮をもつことが初めて観察された。例えばミツガシワでは、15-25細胞層にもなる。このことから、キキョウ目(キク目)の中では、厚い珠皮の獲得は、クサトベラ科とキク科の祖先ではなく、さらに遡ってミツガシワ科その共通の祖先のところで進化したことが明らかになった。更に、今年度は、ArgophyllaceaeのArgophyllum montanumとPhellinaceaeのPhelline lucidaとP.comosaを入手し、現在それらの観察を始めたところである。平成10年度はAlseuosmiaceae、Argophyllaceae、Carpodetaceaeの3つの科のembryologyとキキョウ科の種子構造の研究を計画した。

これまで、AlseuosmiaceaeとArgophyllaceaeの研究はほとんど終わった。AlseuosimiaceaeについてはAlseuosmia macrophylla 1種、ArgophyllaceaeについてはArgophyllum montanumとA.nullumenseの2種に基づいて研究が行われた。embryologyの形質の特徴は2科ともほんと同じであった。即ち、胚珠は1枚の珠皮をもち、tenuinucellateで、endothelium、ab initio Cellular typeの内乳、豊富な内乳をもった成熟種子、endospermhaustoriumなどの特徴をもつ。これらの特徴の組み合わせにより、この2つの科がAsterid IIIないしAsterid Iの特徴とほぼ一致することが明らかになった。しかし、Asterid IとIIIの中でも最も進化した狭義のキク目(ミツガシワ科、カリケラ科、クサトベラ科、キク科)とは一致しない。従ってembryologyのデータはAlseuosmiaceaeとArgophyllaceaeが少なくともAsteridIとIIIの中の原始的位置を占めるとする分子系統の解析結果と矛盾しない。従来Alseuosmiaceaeはバラ目に、ArgophyllaceaeはEscalloniaceaeあるいはツバキ目に分類されてきたが、この研究の成果を分子系統の研究成果と合わせることで、この2つの科がキク目やキキョウ目に近縁がグループであることがほぼ証明されたと考えられる。AlseuosmiaceaeとArgophyllaceaeのembryologyの研究成果は世界で最初のデータであり、論文原稿としてまとめつつある。
口腔扁平上皮癌細胞株へのケモカイン遺伝子導入による抗腫瘍効果の検討

口腔扁平上皮癌に対する抗腫瘍免疫誘導による治療法の開発を目的に,ケモカイン遺伝子導入による抗腫瘍治療効果の検討を,検討して以下の成果を得た。CCケモカインのうち,Macrophage inflammatory protein-1α(MIP-1α)遺伝子導入発現ベクターを作製し,ヒト口腔扁平上皮癌細胞株HSC2,3および4に導入して,MIP-1αmRNA発現細胞株HSC-2/MIP-1α,HSC-3/MIP-1αおよびHSC-2/MIP-1αを樹立した。これらの導入クローンから,ノーザンブロット法により,MIP-1αmRNA高発現細胞株HSC-3 /MIP-1αC7を選別した。この細胞株の産生するMIP-1α蛋白量を,培養上清からELISA法で定量した。HSC-3/MIP-1αC7細胞から産生されたMIP-1αの蛋白を用いてMac-1陽性の好中球やマクロファージの遊走能を測定した結果,HSC-3/MIP-1αC7細胞が産生したMIP-1αは細胞遊走能を持つ機能蛋白であることを確認した。ついで,抗腫瘍活性を検討するために,HSC-3/MIP-1αC7細胞をヌードマウスの皮下へ移植して,経日的に観察した結果,移値後10日以降で有意な腫瘍増殖抑制効果を認めた。形成された腫瘍の組織学的検討では,腫瘍胞巣はMac-1陽性の好中球やマクロファージの著明な浸潤により,崩壊・壊死していた。対照群と比較し,これらの細胞数は明らかに多く,腫瘍増殖抑制に寄与していると考えられた。以上の結果から,MIP-1α遺伝子を口腔扁平上皮癌細胞へ導入し,好中球やマクロファージを腫瘍胞巣局所へ積極的に誘導し活性化することで,有意な腫瘍増殖抑制効果が得られることを明らかにした。発表第9回日本癌病態治療研究会;口腔扁平上皮癌へのMIP-1α遺伝子導入による抗腫瘍効果の検討第45回口腔外科学会;マウス肺ガン細胞株へのCCケモカイン遺伝子の導入第48回JADR総会;口腔扁平上皮癌に対するMIP-1α遺伝子導入の治療の検討口腔扁平上皮癌に対する抗腫瘍免疫誘導による治療法の開発を目的に,ケモカイン遺伝子導入による抗腫瘍治療効果の検討を,検討して以下の成果を得た。発表第9回日本癌病態治療研究会;口腔扁平上皮癌へのMIP-1α遺伝子導入による抗腫瘍効果の検討第45回口腔外科学会;マウス肺ガン細胞株へのCCケモカイン遺伝子の導入第48回JADR総会;口腔扁平上皮癌に対するMIP-1α遺伝子導入の治療の検討口腔癌は、高齢化社会の到来とともに、近年増加しつつある。口腔癌の治療は、従来は手術一辺倒であったが、機能回復や社会復帰など患者のクオリーテイーオブライフを考えると、外科的侵襲の少ない治療法の開発や、効果的な治療の組み合わせが望まれる。我々は、CCケモカインファミリーのメンバーとして見い出されたMIP-1αタンパクをコードする遺伝子を、ヒト扁平上皮癌細胞に導入し、口腔癌遺伝子治療の基礎的検討を行う目的で以下の実験をおこなった。1)MIP-1α遺伝子の単離、精製、動物細胞発現様ベクターへの組み込みLPSでマウス脾細胞を刺激し、mRNAを回収、cDNAライブラリーを作製。PCRによりMIP-1α遺伝子を増幅、さらにpCR2.1ベクターに組み込み精製、シークエンスを行い確認後、さらに動物細胞発現様ベクターへ組み込みMIP-1αタンパク発現ベクターを開発した。

2)ヒト口腔扁平上皮癌への組み込みベクターへ組み込んだMIP-1α遺伝子をさらに、ヒト扁平上皮癌細胞株HSC-2N,-3N,-4Nへそれぞれリポフェクション法により導入し、MIP-1α遺伝子発現ヒト扁平上皮癌細胞クローンを得た。今回は最も効率良く導入されたHSC-3を用いて以下の実験を行った。この細胞を用いて、MIP-1αタンパクの機能解析を行い、CD11b陽性細胞に対する遊走活性を確認し、宿主細胞生免疫を誘導することを明らかにした。3)抗腫瘍効果の検討ヌードマウスヘMIP-1α遺伝子発現ヒト扁平上皮癌細胞へ移植し、腫瘍抑制効果を確認した。今後は腫瘍抑制効果を増大するサイトカインなどの検討を加え、治療モデルを確立していく。本研究では,ヒト口腔扁平上皮癌細胞株にCCケモカインMIP-1α遺伝子を導入し腫瘍増殖抑制効果について検討した。MIP-1α遺伝子発現ベクター作製し,口腔扁平上皮癌細胞株HSC-2,3および4に導入してMIP-1α発現癌細胞株HSC-2/MIP-1α,HSC-3/MIP-1αおよびHSC-4/MIP-1αを樹立した。このうち,ノーザンブロットによりMIP-1αmRNA高発現細胞株HSC-3/MIP-1αC7を選別した。培養上清中のMIP-1α蛋白量を測定し,MIP-1α蛋白の産生を確認した。また,培養上清中のMIP-1α蛋白量でMac-1陽性である好中球およびマクロファージが遊走活性を持つことを確認した。これより,HSC-3/MIP-1αC7が機能的なMIP-1α蛋白を産生しえると考えられた。遺伝子導入による細胞増殖能への影響はない事を確認した。HSC-3/MIP-1αC7をヌードマウスの皮下へ移植し,有意な腫瘍増殖抑制を認めた。形成された腫瘍の組織学的検討では,胞巣は崩壊して壊死組織となり,多量のMac-1陽性細胞が胞巣周囲および胞巣内に誘導されていることを確認した。以上の結果から,MIP-1α遺伝子をヒト口腔扁平上皮癌細胞に導入し,好中球およびマクロファージを腫瘍局所へ積極的に誘導して活性化することで,有意な腫瘍増殖の抑制効果が得られることを明らかにした。口頭発表・第9回日本癌病態治療研究会口腔扁平上皮癌へのMIP-1α遺伝子導入による抗腫瘍効果の検討・第25回日本頭頸部腫瘍学会・第45回日本口腔外科学会・マウス肺癌細胞株へのケモカイン(MDC)遺伝子の導入・第48回JADR総会口腔扁平上皮癌に対するMIP-1α遺伝子治療の検討
フェロおよびフェリ分子磁性体の混合による傾斜的磁性制御

我々は、これまでに強磁性的相互作用(J>0)と反強磁性的相互作用(J<0)を混合する(フェロ-フェリ混合磁性)という方法論で三元系CN架橋金属錯体を合成し、自発磁化、キューリ-温度、ワイス温度、保磁力などの強磁性体(磁石)の各種磁気特性の制御に成功している。本年度では、このようなフェロ-フェリ混合分子磁性体の傾斜化を目的として、電気化学的に磁性薄膜を得ることができた。これは、透明な磁性薄膜で、混合比と電位により磁気特性や膜の色を制御することができた。この磁性薄膜のフェロ磁性とフェリ磁性の組成を、原子レべルで空間的に傾斜化することにより、均一系では実現できなかった磁気特性の制御について検討した。フェロ磁性体のFeII1.5[CrIII(CN)6]は黄褐色、フェリ磁性体のCrII1.5[CrIII(CN)6]はほぼ透明な2mm程度の膜であった。これらの膜が形成される際の還元電位はFeII1.5[CrIII(CN)6]膜が0-1.0V(vsSCE)、CrII1.5[CrIII(CN)6]膜が-0.84-1.0Vであったことから、まず、電位を-0.84Vに固定して混合膜の合成を行った。その結果、得られた膜の吸収スペクトル、IRスペクトル、粉末X線回折の測定を行ったところ、FeII1.5CrIII(CN)6とCrII1.5CrIII(CN)6の間の物性を示していることから、FeIIとCrIIが原子レベルで混合した(FeIIxCrII1-x)1.5[Cr(CN)6]膜であることがわかった。薄膜の色は、FeII1.5[CrIII(CN)6]か黄色透明(lmax=454nm)、CrII1.5[CrIII(CN)6]が無色透明である。混合膜の色は混合比に応じて変化し、x=0.17付近では紫色、x=0.41付近では赤色を示した。吸収スペクトルからも、吸収極大が混合比により連続的にシフトしていることがわかった。飽和磁化は、x=0.11でほぼゼロになった。また、膜の保磁力はx=0(Hc=80G)、x=1(Hc=200G)に比べて数十倍の値(Hc=3600G)を示した。さらに、磁化vs温度曲線(10G)からx=0.110.13の問で負の磁化を示した。これらの磁気特性は、これまで我々が報告してきた最近接問の超交換相互作用だけを考慮すれば良いフェロ-フェリ混合磁性体特有の磁気的物性と合致している。また電位を制御することでxを変化させることができ、電位制御でも磁気的物性および光学的物性を制御できることがわかった。従って、成膜中に電位を変化させることで、多層化および傾斜化した磁性薄膜を極めて容易に得ることができる。そこで、電位を-0.84Vから-0.94Vまで変化させて膜作成を行ったところ、傾斜組成の磁性薄膜が得られることがIR、UV-visスペクトルなどの結果からわかった。

飽和磁化は、x=0.11でほぼゼロになった。また、膜の保磁力はx=0(Hc=80G)、x=1(Hc=200G)に比べて数十倍の値(Hc=3600G)を示した。さらに、磁化vs温度曲線(10G)からx=0.110.13の問で負の磁化を示した。これらの磁気特性は、これまで我々が報告してきた最近接問の超交換相互作用だけを考慮すれば良いフェロ-フェリ混合磁性体特有の磁気的物性と合致している。また電位を制御することでxを変化させることができ、電位制御でも磁気的物性および光学的物性を制御できることがわかった。従って、成膜中に電位を変化させることで、多層化および傾斜化した磁性薄膜を極めて容易に得ることができる。そこで、電位を-0.84Vから-0.94Vまで変化させて膜作成を行ったところ、傾斜組成の磁性薄膜が得られることがIR、UV-visスペクトルなどの結果からわかった。