hpprc/llmjp-kaken huggingface dataset:
機能未知なるカオナシ遺伝子300個の網羅的解析

ヒトゲノム解読によって30億のDNA塩基配列から23,000余の遺伝子が同定された。しかし、機能が判明あるいは推定できるものは6割程度で残り4割の機能は不明である。ゲノムに潜む遺伝子の探索は未完成であくまでも暫定的であり、それらの中には機能を全く推定できない遺伝子が、我々の厳密な解析から1,000個以上存在することが判明した。申請者はこれら顔の見えない遺伝子を「カオナシ遺伝子」と命名しゲノムワイドに探索して300個を厳選し、ゲノム解読研究で培ったノウハウの総力を結集して、ゲノム構造の決定・mRNAトランスクリプトの確認・タンパク質構造の推定・比較ゲノム解析などを行った。特に、機能解析のきっかけを得るためにメダカをモデル生物として選択し、メダカWGSデータからメダカ型カオナシ遺伝子を同定した。メダカの発生過程は40ステージに分類されている。各ステージ毎に受精卵を1001000個採取し合成したcDNAを用いて発生過程におけるメダカカオナシ遺伝子の発現量の変化を観察した。その後にメダカの胚発生をモルフォリノアンチセンスオリゴでノックダウンし形態形成の異常を観察した。その結果、現在までに130個のメダカ型カオナシ遺伝子に関して発生過程における遺伝子発現パターンおよび形態形成への影響などを分類することができた。このうち、60個の遺伝子に関しては発生過程で形態形成異常が確認された。1:カオナシ遺伝子の発生初期ステージにおけるRT-PCRメダカの発生過程は標準的に40ステージに分類されている。各ステージごとに受精卵を1001000個採取、mRNAを抽出し、cDNAを合成した。また成体各組織からもmRNAを抽出しcDNA化した。これらの発生各ステージおよび成体各組織のcDNAパネルを鋳型にしてヒトカオナシ遺伝子及びコントロールとなる転写因子遺伝子のメダカオルソログのRT-PCR法を行ない、発現量情報を決定した。この方法に用いるPCRプライマーは、ヒト遺伝子の配列情報を用いてメダカホールゲノムショットガンのデータからメダカオルソログ配列を決定し、その情報に基づいて作製した。これらのメダカオルソログの配列や、RT-PCRから得られた情報などすべてをデータベース化した。2:ノックダウン法による機能解析ゲノム情報をもとに遺伝子機能探索を行う簡便な方法として、最近RNAiやモルフォリノオリゴを用いて機能低下を引き起こすノックダウン法が脚光を浴びている。メダカではモルフォリノオリゴによるノックダウンを有効に適用できる。本研究ではまずコントロールとなる既に報告がある転写因子遺伝子のノックダウンを行い基礎情報を得た。続いて発現解析の結果に基づき、初期発生時に発現量の多い遺伝子、発現に特徴のある遺伝子などを中心に100個の遺伝子を抽出し、モルフォリノオリゴによるノックダウン実験を行った。その結果、発生初期でのアポトーシス、発生遅延、形態形成異常、眼の形成異常、心臓の形成異常、心嚢の肥大、肝臓の逆位、胆嚢の逆位等の表現型に関与するカオナシ遺伝子を同定できた。1.カオナシデータベースの構築遺伝子データベース(DB)として標準的に用いられているRefseq geneとEnsembl geneのデータを独自に統合し、慶應遺伝子DBを構築した。このDBに以前から用いているカオナシDBを統合することで、発現解析やノックダウン解析の結果をwwwブラウザーを通して入力および検索が行えるシステムを構築した。2.カオナシ遺伝子の発生初期ステージにおける発現解析メダカの発生過程は標準的に40ステージに分類されている。また成体の各組織からもmRNAを抽出しcDNA化した。これらの発生ステージまたは成体組織のcDNAパネルを鋳型にしてヒトカオナシ遺伝子のメダカオルソログのRT-PCR法による発現解析を行った。3.ノックダウン法による機能解析モルフォリノオリゴを用いて、機能低下を引き起こすノックダウン解析を行なった。

昨年度までに、発生初期でのアポトーシス、発生遅延、形態形成異常、眼の形成異常、心臓の形成異常、心嚢の肥大、内蔵の逆位、脳室の拡大等の様々な表現型を示すカオナシ遺伝子を得ることができた。従って、1.で構築した慶應遺伝子DBから新規カオナシ遺伝子のデータマイニングを行ない、対象の遺伝子数を増やすとともに、転写因子やシグナル伝達に関わる遺伝子のメダカオルソログを選択し、比較対照実験として同様にノックダウン解析を行なった。現在これらの表現型のクラス分けを行なっている。4.ヒト培養細胞によるカオナシ遺伝子の細胞内局在解析ほ乳類、あるいは霊長類特異的なカオナシ遺伝子を1.で構築した慶應遺伝子DBから、特に膜貫通ドメインを持つと推定されたものを中心に100個のカオナシ遺伝子を抽出した。現在、ヒト培養細胞でGFP融合タンパク質として強制発現系の構築を行なっている。
固有名詞調査に基ヅクプルーストと芸術に関する基礎的研究

本研究は、さまざまな芸術がプルーストの『失われた時を求めて』にどのように表象され、どのような機能を果たしているかを総合的に解明するのを目的として、作家の書簡、初期作品、小説草稿などの資料をできるかぎり網羅的に調査してその芸術受容の実態を明らかにし、成果を研究集会で発表するとともに、Proust etl' artpictural(Champion)や『失われた時を求めて』の翻訳(岩波文庫)などに採り入れた。本研究は、フランスの作家プルーストが、その生涯においてどのような芸術をいかに受容していたかを網羅的に調査するとともに、受容された芸術が代表作『失われた時を求めて』にどのように取り込まれ、それが作中でどのような機能を果たしているかを総合的に解明するため、固有名詞調査に基づく基礎的研究をまとめることを目的とする。平成21年度には、プルーストと接点を有する同時代の芸術がどのような状況にあったかを解明するため、『プルースト書簡集総合索引』をはじめプルーストの各種刊本の索引を活用しつつ、当時の展覧会、演奏会、公演プログラムをはじめ、絵画・音楽・建築・演劇・バレエ・装飾芸術、写真などの諸芸術に関する書物や論文などをリストアップした。そのうえで作家の芸術受容の実態を明らかにできる専門書、雑誌論文、当時のカタログやプログラムなどの一部を収集・分析した。『失われた時を求めて』と関連作品、『プルースト書簡集』、プルーストの伝記や個別研究などの文献をあらためて読み直し、絵画、音楽などの芸術作品を作家がどのように受容し、評価をしていたかを調査した。さらにフランスからプルーストの専門研究者(Anne Simon)を招聘し、研究課題につき討議し、助言を求めた。とくに調査の進んだ分野を中心に、研究発表の項目に記した成果をえた。プルーストと画家ベノッツォ・ゴッツォリ、およびジュヌヴィエーヴ・ブラバン伝説に関する口頭発表、プルーストと絵画に関するフランス語による総合的著作(Proust etl'art pictural)などである。平成22年度には、プルーストと接点を有する同時代の芸術がどのような状況にあったかを解明するため、前年にひきつづき『プルースト書簡集総合索引』をはじめプルーストの各種刊本の索引を活用しつつ、当時の展覧会、演奏会、公演プログラムをはじめ、絵画・音楽・建築・演劇・バレエ・装飾芸術、写真などの諸芸術に関する書物や論文などを調査した。さらに作家の芸術受容の実態を明らかにできる専門書、雑誌論文、当時のカタログやプログラムなどで必要とされたものを収集・分析した。『失われた時を求めて』と関連作品、『プルースト書簡集』、プルーストの伝記や個別研究などの文献をあらためて読み直し、絵画、音楽などの芸術作品を作家がどのように受容・評価をしていたかを調査した。さらにパリでのプルーストをめぐる研究集会に参加し、研究課題につき助言を求めた。プルーストにおける芸術の独創性、絵画コレクター、スワンの美術趣味の生成などに関する論文や口頭発表である。調査研究の成果は『失われた時を求めて』の翻訳(岩波文庫)の訳注にも取り入れた。平成23年度には、プルーストと接点を有する同時代の芸術がどのような状況にあったかを解明するため、前年にひきつづき『プルースト書簡集総合索引』をはじめプルーストの各種刊本の索引を活用しつつ、当時の展覧会、演奏会、公演プログラムをはじめ、絵画・音楽・建築・演劇・バレエ・装飾芸術、写真などの諸芸術に関する書物や論文などを調査した。さらに2年間の調査結果の不備を補い、全体の成果を見直すとともに、新たに必要となった文献、とくに作家の芸術受容の実態を明らかにできる専門書、雑誌論文、当時のカタログやプログラムなどで必要となったものを補充・分析した。『失われた時を求めて』と関連作品、『プルースト書簡集』、プルーストの伝記や個別研究などの文献をあらためて読み直し、絵画、音楽などの芸術作品を作家がどのように受容・評価をしていたかをできるかぎり総合的に考察した。その際、作家の芸術受容と創作との関係をできるだけ実証的に明ら、かにすること、それにより文学史の革新の可能性を示すことに努めた。京都やパリやトルーヴィルでのプルーストをめぐる研究集会に参加し、研究成果の一部を発表するとともに、研究課題につき専門家の助言を求めた。

プルーストの芸術受容を草稿などの基礎資料にもとづき解明する口頭発表、論文、著作である。さらに調査研究の一部は『失われた時を求めて』の翻訳(岩波文庫)第2巻と第3巻の訳注にも取り入れた。
コプレーナ型シリコン結合超伝導3端子デバイス

(1)コプレーナ型シリコン結合超伝導三端子デバイスの動作原理と設計:弱結合部に流れる超伝導電流の大きさをDe Gennesの理論に基ずいて表し, MOS構造のゲート電極で,電界効果により超伝導電子密度を変調して,超伝導電子のコヒーレンス長を制御することによりジョセフソン電流を変化させるというモデルに従ってシリコン結合超伝導三端子デバイスの動作原理を明らかにし,弱結合部長が0.1μm以下でなければならないことを示した.(2)コプレーナ型シリコン結合超伝導デバイスのプロセス技術:電極間隔が約0.1μmの微細の寸法のプレーナ構造を形成するためには,凸凹のある表面にポリマーを塗布してエッチングすることにより平坦化を行うプロセスが有効であることを示した.2つのNb電極をほう素を縮退ドープしたSiで結合したコプレーナ型ジョセフソン素子を,この平坦化プロセスを用いて作製した.作製したSi結合コプレーナ型ジョセフソン素子の電流-電圧特性を,測定温度4.2Kにおいて測定し,電極間隔50nm,電極30μmの素子で,臨界電流110μA, IcRn積0.72mVの特性が得られた. Si結合コプレーナ型ジョセフソン素子について臨界電流の温度依存性を測定し,測定データと理論曲線とのfittingから,素子に用いたSi中での超伝導電子のコヒーレンス長として, 7.8K(素子の臨界温度)に於て23nmの値を得た.この値は,理論式から計算した値とよく一致した.(3)コプレーナ型シリコン結合三端子デバイス:本研究で確立した平坦化プロセスを基礎として,コプレーナ型素子を三端子化するために必要となる作製プロセスを検討し, Nbのソースドレイン電極を持つプレーナ型の短チャンネルMOSFETを試作した.室温で電流-電圧特性を測定し, FETとしての動作を確認した.(1)コプレーナ型シリコン結合超伝導三端子デバイスの動作原理と設計:弱結合部に流れる超伝導電流の大きさをDe Gennesの理論に基ずいて表し, MOS構造のゲート電極で,電界効果により超伝導電子密度を変調して,超伝導電子のコヒーレンス長を制御することによりジョセフソン電流を変化させるというモデルに従ってシリコン結合超伝導三端子デバイスの動作原理を明らかにし,弱結合部長が0.1μm以下でなければならないことを示した.(2)コプレーナ型シリコン結合超伝導デバイスのプロセス技術:電極間隔が約0.1μmの微細の寸法のプレーナ構造を形成するためには,凸凹のある表面にポリマーを塗布してエッチングすることにより平坦化を行うプロセスが有効であることを示した.2つのNb電極をほう素を縮退ドープしたSiで結合したコプレーナ型ジョセフソン素子を,この平坦化プロセスを用いて作製した.作製したSi結合コプレーナ型ジョセフソン素子の電流-電圧特性を,測定温度4.2Kにおいて測定し,電極間隔50nm,電極30μmの素子で,臨界電流110μA, IcRn積0.72mVの特性が得られた. Si結合コプレーナ型ジョセフソン素子について臨界電流の温度依存性を測定し,測定データと理論曲線とのfittingから,素子に用いたSi中での超伝導電子のコヒーレンス長として, 7.8K(素子の臨界温度)に於て23nmの値を得た.この値は,理論式から計算した値とよく一致した.(3)コプレーナ型シリコン結合三端子デバイス:本研究で確立した平坦化プロセスを基礎として,コプレーナ型素子を三端子化するために必要となる作製プロセスを検討し, Nbのソースドレイン電極を持つプレーナ型の短チャンネルMOSFETを試作した.室温で電流-電圧特性を測定し, FETとしての動作を確認した.コプレーナ型シリコン結合超伝導3端子デバイスの構造設計及びその製作用リソグラフィの研究を行い、実察にデバイスを試作することにより構造設計の妥当性及び本研究で開発したリソグラフィの有用性を確めた。1.コプレーナ型シリコン結合超伝導3端子デバイスの構造設計本デバイスはシリコンMOS電界効果トランジスタに類似した構造を有するが、そのソース、ドレインに相当する電極は超伝導体でなければならず、又チャネル長に相当する長さは超伝導電子のコヒーレンス長、即ち数百A°程度でなければならない。本研究ではデバイスのソース、ドレイン電極はニオビウムを使用することとし、且つプレーナ型で短いチャネル長を実現するためにソース、ドレイン電極としてはリセス構造を採用することとした。また本デバイスが動作する極低温でシリコン基板が絶縁物となることを避けるために、表面に硼素を窒化硼素を拡散源として熱拡散により添加し、厚さ約0.5μm硼素体積密度約【10^(20)】【cm^(-3)】の【p^+】層を形成した。2.コプレーナ型シリコン結合超伝導3端子デバイス用リソグラフィポリメチル・メタアクリレート(PMMA)をレジスト膜とし、電子線描画によりパターン形成を行った。電子線の加速電圧は25KVで線ドーズ量は216×【10^(-19)】クーロン/cmでパターンを形成し、その上にAlを蒸着しリフト・オフにより幅0.2μmのAl線を作成した。これをマスクにして【CF_4】ガスを用い、ガス圧4Pa,電力密度0.5w/【cm^2】で、0.2μmの深さにリセス構造を作成し、150nmのNb膜を電子線蒸着により堆積して、ソース、ドレインとした。

本方法によりチャネル長500A°のデバイスの作成に成功し、4、2Kにおいてジョセフソン特性を示し、IcRn積が0.71mV、10GHzで13シャピロ・ステップを観測した。
多孔質セラミックスの疲労損傷機構の力学的モデリング

1.多孔質炭化ケイ素の平滑材の4点曲げ試験において、モーメントと引張側および圧縮側のひずみとの間の関係は非線形となるが、これより引張側および圧縮側の真応力とひずみの関係を求めることが出来る。2.切欠き寸法が0.1mmの切欠きは破壊起点とならないが、0.2mm以上では破壊起点となり、材料の固有欠陥寸法は0.10.2mm程度で炭化ケイ素粒子の大きさとほぼ等しい。3.荷重と圧縮側のひずみのコンプライアンスより、き裂進展量を評価して、R曲線を求めた。R曲線は、切欠き深さにあまり依存せず、切欠き材の破壊を予測する手法として有力である。4.多孔質セラミックスの平滑材疲労寿命が2母数ワイブル分布で表された。また、疲労過程中には、永久たわみが蓄積する。5.切欠き材に関して、疲労の進行はコンプライアンスの変化としてとらえることができる。き裂は、おもにバインダー層を進展していく。6.遮熱セラミックスコーティングの変形においても、多孔体としての非線形挙動および層間すべりが重要な役割を果たしている。1.多孔質炭化ケイ素(気孔率37%)の平滑材を用いた4点曲げ試験において,モーメントと引張側および圧縮側のひずみとの間の関係は非線形となるが,これより引張側および圧縮側の真応力とひずみの関係を求めることに成功した.2.切欠き深さを0.1,0.2,0.4,0.8,1.6,2.8mmの6種類に変えた切欠き材の曲げ試験を行い,切欠き深さが破壊強度におよぼす影響を求めた.0.1mmの切欠きは破壊起点とはならないが,0.2mm以上では破壊起点となり,材料の固有欠陥寸法は0.10.2mm程度で炭化ケイ素粒子の大きさとほぼ等しい.3.荷重と圧縮側ひずみの関係より,曲げ中のき裂進展量を評価する手法を提案し,R曲線を得た.4. R曲線は切欠き深さにあまり依存せず,切欠き材の破壊挙動を予測する手法として有力である.5.繰返し疲労での損傷のパラメータとして,切欠き材ではコンプライアンスが適用できることが明らかとなった.1.多孔質炭化ケイ素の平滑材の4点曲げ試験において、モーメントと引張側および圧縮側のひずみとの間の関係は非線形となるが、これより引張側および圧縮側の真応力とひずみの関係を求めることが出来る。
セラミック技術を用いた高性能希土類磁性材料の創製

希土類金属間化合物は高性能永久磁石材料として注目されている反面、フェライトやアルニコ系磁石と比べ価格が極めて高く、通常このことが需要拡大の大きな妨げとなっている。そこで本研究では、最近開発されたSm_2Fe_<17>C_xN_y(x+y=3)に着目し、Sm金属と比べ安価なSm_2O_3から得られるSmC_2を出発原料とすることでSm_2Fe_<17>C_xN_yを効率よく合成すること目的とした。得られた成果は以下の通りである。まずマッフル炉および配管用機材を購入し、雰囲気置換型の反応装置を組み立て、SmC_2をSm_2O_3あるいはSmCl_3から効率的に合成するプロセスを確立した。これにより、Sm金属と比べ安価なSm_2O_3から得られるSmC_2を出発原料とすることでSm_2Fe_<17>C_xN_yの前駆体となるSm_2Fe_<17>C_x(x=1)を効率よく合成することに成功した。次に、この炭化物の窒化反応特性を系統的に調べ、Sm_2Fe_<17>C_xN_y相が生成する反応条件を明らかにした。また、この最適化した条件をもとにSm_2Fe_<17>C_xN_yを合成し、その磁化挙動を明らかにすることで、このセラミック技術を用いて得た試料と従来の治金学的手法によって得た試料との間で、磁気特性になんら差異がないことを明らかにした。
前立腺肥大症の発症病理ならびに薬物的治療に関する基礎的研究

性ホルモンー各種増殖因子系が上皮・間質相互作用を介して、前立腺肥大腺腫増殖に関与しているという仮説にそって研究を進めている。(1)間質増殖モデル(ラット精嚢)を用いての検討:女性ホルモンによる間質増殖機構におけるTGFβの反応性について検討した。3週令幼若去勢ラットに微量なエストロジェンを連続投与すると副性器、特に精嚢に顕著に間質増殖がおこり我々はこれを前立腺肥大腺腫の間質増殖モデルとして研究を進めてきた。エストロジェン投与後早期から間質(平滑筋細胞)・上皮にエストロジェンα受容体が出現する。エストロジェンによってエストロジェンα受容体を強く発現する上皮細胞は分泌機能を消失しており基底細胞としての性質(サイトケラチン34βE12抗体に陽性)を持って来る事を明らかにした。更にこの細胞は上皮細胞の大半を占めるようになりTGFβ1を強く発現するようになることを免疫組織学的手法を用いて明らかにした。即ちこのような条件下においてエストロジェンによって誘導されたTGFβが間質および上皮細胞各々に対してパラクリンおよびオートクリン的に作用している事を示唆する実験成績を得た[Tohoku J Exp Med 187,1999(in press)]。(2)ヒト前立腺肥大腺腫由来の上皮培養細胞での検討:近年発見が相次ぐ上皮・間質の増殖機構に深く関与すると思われる増殖因子の1つHB-EGFファミリーの性ホルモン反応性はアンドロジェン濃度低下に伴いHB-EGFが上昇するという興味深い結果を得た。一方同条件下では間質細胞のKGF産生を抑制しさらに上皮細胞の増殖抑制の強いTGFβを誘導すると思われる。加齢に伴う性ホルモン誘導反応特性解明にむけ前立腺間質培養細胞を用いてHB-EGFに焦点を当てつつ更に検討を進める。われわれは性ホルモン-各種増殖因子系がepithelialstromal interactionを介して肥大腺腫増殖に関与しているとのhypothesisのもとに研究を進めているが、当該年度に得られた研究実績は以下のごとくである。2)エストロジェン誘導間質増殖モデル(ラット精嚢)によるエストリジェン受容体(ER)-TGF-β系発現の検討:未熟去勢ラットにエストロジェンを投与すると副性器に顕著な間質増殖がおこる。当該年度には、この実験モデルにおいて、エストロジェン投与時に腺上皮の基底細胞化とERα蛋白、TGF-β蛋白の発現が強くおこることを免疫組織化学的手法をもちいて明らかにした。この結果は、性ホルモン-各種増殖因子系のなかで基底細胞が重要な役割を担っていることを示唆している。性ホルモン-各種増殖因子系が上皮・間質相互作用を介して、前立腺肥大腺腫増殖に関与しているという仮説にそって研究を進めている。更にこの細胞は上皮細胞の大半を占めるようになりTGF β1を強く発現するようになることを免疫組織学的手法を用いて明らかにした。

即ちこのような条件下においてエストロジェンによって誘導されたTGFβが間質および上皮細胞各々に対してパラクリンおよびオートクリン的に作用している事を示唆する実験成績を得た[Tohoku J Exp Med 187,1999(in press)]。(2)ヒト前立腺肥大腺腫由来の上皮培養細胞での検討:近年発見が相次ぐ上皮・間質の増殖機構に深く関与すると思われる増殖因子の1つHB-EGFファミリーの性ホルモン反応性はアンドロゲン濃度低下に伴いHB-EGFが上昇するという興味深い結果を得た。一方同条件下では間質細胞のKGF産生を抑制しさらに上皮細胞の増殖抑制の強いTGFβも誘導すると思われる。加齢に伴うアンドロゲン濃度低下におけるHB-EGFのホルモン誘導反応性を更に前立腺間質培養細胞で検討中である。
動物レクチンと糖鎖間の多価特異的相互作用の生物学的意義の解明

今日知られているレクチンのほとんどは複数の糖鎖結合部位を含み、複合糖質と多価の相互作用を行う。ここに生体制御タンパク質としてのレクチンを理解するための重要な鍵が隠されているので、動物の代表的レクチンであるガレクチンを主たる対象として取りあげ、多価特異的相互作用の原理の解析と解明を目指した。この目的には新しい有効な研究手段の開発が必須なので、高感度、迅速、精密な相互作用研究法としてわれわれがこれまでに発展させてきたフロンタルアフィニティークロマトグラフィー法、キャピラリー電気泳動法について、更に強力なものとするために改良を重ねた。これを用いて哺乳動物、線虫、カイメン等の各種動物由来のガレクチンをリコンビナントタンパク質として用意し、数十種類にのぼるさまざまな構造を持つ糖鎖との解離定数を系統的に調べ、各ガレクチンの糖結合特異性に関するプロファイルを作成した。この結果は、ガレクチンの細胞内外での機能、分子進化、その他多彩な点に関して多くの示唆を与えるものとなった。多価の相互作用に関しても多くの知見が得られ、ガレクチンが細胞表面等において集合体を形成することにより、多価の複合糖質との相互作用が劇的に影響を受ける可能性が示された。今日知られているほとんんどのレクチンは多価の糖鎖結合分子として働いている。そこに生体制御タンパク質としてのレクチンの重要な存在意義があると考えられるので、それを解明することを目的として、動物の代表的レクチンであるガレクチンを主たる対象として研究を行った。このような目的に適した研究手段が必須であるので、まずフロンタルアフィニティークロマトグラフィー法を強化して、簡便、迅速、高感度、高精度にレクチンの糖鎖との相互作用を解析できるシステムを作り上げた。これを利用することによって、種々の生物由来のガレクチン、あるいは部位特異的突然変異導入ガレクチン等について、多種類のオリゴ糖鎖との結合力、特異性を系統的に調べることが可能になった。ガレクチンのうちでも、われわれが発見した線虫C.Elegansの32-kDaガレクチンは、1分子内に2つの相同的な糖結合部位を持つという特徴を持つ。それでそれそれ片方の部位のみを含む半分子を遺伝子工学的に調製して糖結合特性を比較検討した。N末端側の半分子に較べC末端側の半分子の方が、一般にラクトース型糖鎖に対する結合力が強かったが、I型のA型糖鎖に対してはN末端側半分子が著しく強い結合力を示し、C末端側半分子はほとんど結合力を持たなかった。2つの結合部位間の明白な結合特性の差異の発見は画期的であり、われわれが従来より提唱していたヘテロ2価性架橋分子の概念を強く支持するものである。他の種々のガレクチンの糖結合特性についても、現在、効率的に興味深いデータを集積しつつある。この目的には新しい有効な研究手段の開発が必須なので、高感度、迅速、精密な相互作用研究法としてわれわれがこれまでに発展させてきたフロンタルアフィニテイークロマトグラフィー法、キャピラリー電気泳動法について、更に強力なものとするために改良を重ねた。
越境するアーティストたち ヒスパニック系のアーティストとアートシステムの関係をめぐる研究

欧米、ラテンアメリカの主要美術館及び、ベネチア・ビエンナーレ、ドクメンタ、マニフェスタ、サンパウロ・ビエンナーレ等の定評ある大規模な国際展覧会で、ヒスパニック系のアーティストについて調査研究を実施した。さらに、キューバ及びペルーでアーティストや美術関係者にインタビュー調査をおこない映像撮影をした。美術は西洋で生まれた文化システムの一つであるが、エキゾチックなものを馴化しつつ活性化し、地政学的にその領域を拡大してきている。かつてピカソはトロカデロ民族誌博物館のアフリカの仮面や彫像をみてインスピレーションを得たが、現在は第三世界出身や先住民のアーティストが現代美術の世界で活躍している。本研究では、このような状況のなかで、ラテンアメリカ出身のアーティストを中心に、アーティストにとって越境という行為がどのような意味をもつのかということを、アートシステムとの関係において検証した。さらにハイアート、フォークアート、ポピュラーアート、トゥーリスト・アートなどの分類を相対化した。人類学者ジェイムズ・クリフォードはルートという概念を提示し、旅する文化について論じている。グローバル化が進行し、人の移動が頻繁になるなか、個人が特定の地域、民族、国家に恒常的に帰属するかわりに、移動する個の存在が顕在化している。本研究では、アーティストの移動、旅するアーティストたちの経験とグローバル化の関係を調査研究した。この結果明らかになったのは以下の点である。1.第三世界のアーティストたちは、国際的に認知されキャリアを積むために、常に美術の中心(ヨーロッパやアメリカ合衆国等)へと旅し続けなければならないという旅の必然性。2.アーティストのホームとの関係性の変容。3.作品のコンテクスト性にみられるポストコロニアル状況の地政学。4.文化資源としてのローカリティと現代美術の世界への参入のためのアプロプリエーションの戦略。5年に一度ドイツのカッセルで開催される現代美術の国際展覧会ドクメンタに行き資料収集をした。あわせてヨーロッパの新進アーティストたちの国際展覧会マニフェスタ、メディア・アートの中心的な研究所であるZKMなどで資料収集をおこなった。また、ベルリン、ロンドン、パリで現代美術に関する資料の収集をおこなった。ドクメンタは開催以来はじめてヨーロッパではなく第三世界からナイジェリア出身のオクウィ・エンヴェゾーがディレクターとして選ばれた。このため、美術作品と文化の関係、現代美術の世界における欧米と欧米以外の地域の関係を考察するうえで重要であった。全体的な傾向として、民族紛争、植民地主義、マイノリティに対する抑圧、ジェンダー、暴力など世界が現在直面している問題をテーマとした作品が多かった。映像作品が多くなっているのも特徴である。しかし、そのなかには問題意識が先行していて、アート作品として昇華されているのかどうか疑問を感じるものも少なくなかった。また、扱うテーマによっては、作品と対峙するにはみる側がその社会・文化的背景を知らなければならないため、作品のコンテクスト性がより高まってしまうことが明白になった。このようなことから、今回のドクメンタは良い意味でも悪い意味でも現代美術の模索する過度期の様相を提示していた。本年度は現代美術の動向に関して基礎資料を収集するとともに、ヒスパニック系のアートに関しての文献研究をおこなった。日本でもラテンアメリカのアーティストの展覧会がいくつか開催されたので資料収集をおこなった。また、現在出版予定の『ペルーを知るための60章(仮題)』(明石書店)のなかで、国際的に評価が高まっているペルー出身の写真家マルティン・チャンビについて執筆した。ヒスパニック系のアートを中心に、民族的要素や文化的背景がアート表現及びアート市場とどのように関わっているかということについて資料収集及び、分析をおこなった。一口にヒスパニックといってもチカーノ、中南米からの移住者、キューバ系、カリブ海地域からの移住者の間で相違があり、また人種的要素もからんでくることがより明らかになった。

先駆者として、メキシコ出身で欧米の芸術家たちとも交流をもち、土着的文化に関心を抱きつつ独自の世界をつくりあげ、現在チカーノの女性運動においてシンボル的存在となっておりますます評価が高まっているフリーダ・カーロや、キューバ出身で人種的に様々な大陸の血が混血しており、ヨーロッパでシュールレアリストたちと交わりがあったヴィフレド・ラムについての資料等も収集した。さらに、対象作家をしぼっていく過程で、キューバ出身でアメリカに移住し、ニューヨークのアクティヴィストたちとも関わった女性の写真家アナ・メンディエタに注目し、関連資料を収集するとともにバイオグラフィー、作品、評価のあり方等について分析を進めている。これらと補完関係にある作業として、現代美術の動向と市場のあり方における民族文化という要素がもつ意味及び位置づけに関しては、理論的議論を中心に研究をおこなった。さらに昨年度のドクメンタに続き、大規模な国際展であるベネチア・ビエンナーレにて資料収集をおこなった。これにより、現代美術の世界においては言葉や概念がますます重きを得ていることが確認された。また、インディオの写真家マルティン・チャンビについて作品と軌跡を人種、文化のヘゲモニー関係、越境性という観点から分析し出版した。キューバ、メキシコ、ニューヨーク等で調査研究と資料収集をするとともに、ブラジルで開催されたラテンアメリカで最も重要な国際美術展サンパウロ・ビエンナーレで資料収集をした。キューバでは、キューバではヴィフレド・ラム・センターの学芸員にインタビューするとと同時に、タニア・ブルケラ、カルロス・ガライコア等、アメリカ合衆国と往復しながら数々の国際美術展に招待され作品を発表してきている著名なアーティストたちにインタビューをし、ビデオ撮影をした。社会主義政権下でアメリカの経済制裁をうけているキューバは、現代美術におけるローカリティとグローバル化の関係をみるうえで非常に興味深い事例を提供している。カストロ現政権は外貨獲得の手段として現代美術を利用しているが、他方で情報や物資の移動の制限をしている。こうした状況下で、アーティストたちはキューバ性と現代美術の国際的動きの狭間で模索していることが調査研究から明らかになった。また、国際展覧会ハバナ・ビエンナーレの開催は、国外にキューバのアーティストの存在を選別的に知らしめるとともに、国外の美術市場の動向を伝える役割を果たしてきていることが鮮明になった。さらに、ニューヨークで活躍していたキューバ系アーティストのアナ・メンディエタの来訪が、キューバのアーティストに現代美術の国際的な動向を伝える契機となったことも明らかになった。アナ・メンディエタに関してはニューヨークで回顧展が開催され資料収集をした。
オンチップ信号観測システムの自動生成によるSoCのデバッグ支援技術

本研究では、近年重要性が増しているSoCのシグナルインテグリティ、パワーインテグリティの問題について、プロトタイプの段階でのデバッグ支援を目的とするオンチップ信号観測システムを実現し、また、それを自動生成するシステムの構築を目的としている。SoC開発において、VLSIチップ上で発生する上記の現象を外部から観測することは困難であり、オンチップでの波形観測が求められているが、アプリケーションに応じたオンチップ信号観測システムを自動生成することを目的としている。今年度は、オンチップ信号観測システムのアーキテクチャ設定とオンチップ信号観測システムの要素回路設計と評価を行った。システム内の要素回路については、自動生成システムを実現することを目的としているため、基本的にはスタンダード・セルのみで実現可能な回路を検討し、また、与えられた仕様に応じて性能をカスタマイズできるような構成となるように回路内のパラメータを可変にできるように設計を行った。これらの検討をもとに、PLL, DLL, ADCなどの要素回路についての設計を行い、シミュレーションによる評価を行った。その際に、様々な仕様に対応できる回路であることを確認し、パラメータを変更することによって容易に仕様の異なる回路を実現できる構成を目指した。また、オンチップ信号観測システムの自動生成について、必要とされる仕様や性能、面積などの設計制約についての整理を行い、次年度以降の自動生成システム構築の準備を行った。オンチップ信号観測システムの要素回路として、PLL, ADC回路をスタンダード・セルのみを用いて構築することを目指し回路設計を行ってきたが、一部の回路についてはまだ設計途中である。また、実際にチップ試作を行って測定・評価を行っているが、実測とシミュレーションとの比較・検討についてこれから行う予定である。今年度の評価結果に基づき、PLL, DLL, ADCなどの要素回路についての設計を継続して行い、シミュレーションによる評価を行う。その際に、様々な仕様に対応できる回路であることを確認する。また、要素回路をVLSIチップとして実装し、実測による評価を行い、本研究の提案システムで利用できることを確認する。また、オンチップ信号観測システムとして与えられた仕様をもとに、上記の要素回路それぞれについての仕様や性能、面積などの設計制約を決定する自動生成システムの構築を行う。回路最適化のためには、厳密な最適化を行う手法、発見的手法を用いて最適化を行う手法の両者を検討する予定である。支払請求額に対して6,948円と少額であるが、次年度使用額が生じたが、試作チップ測定用の電子部品などの消耗品として次年度に使用する予定である。
シアル酸含有糖鎖抗原の免疫細胞化学的研究

シアル酸含有糖鎖抗原として代表的なものにSially Tn抗原がある。これはTn抗原、T抗原と共に最も代表的な癌胎児抗原であり、腫瘍組織並びに胎児組織にその発現が報告されている。Sially Tn抗原は癌組織における発現に関しては、今迄に数多くの報告が見られるが、ヒト胎児組織における本抗原の組織内分布を系統的に報告したものは見られない。この観点に立ち、ヒト胎児における本抗原の組織内分布を今回は消化管を中心に検索してみた。用いた組織はヒト胎児の胃19例、近位結腸30例、遠位結腸26例の合計75例である。妊娠週齢は6週から25週に及ぶ。これらヒト組織は組織保存の点でも、免疫組織化学染色の点でもすべてが良好というわけにはいかなかったが、検索したもののかなりの例に本抗原の組織内発現を認める事が出来た。その組織細胞内局在パターンは妊娠週齢の短いものでは細胞質が染色されるパターンをとるものが多く、妊娠週齢が進むと細胞表面の染色パターンをとるものが多い傾向を示した。免疫組織化学的染色で得られた本抗原の組織細胞内局在とシアル酸を認識するレクチンであるLFA,SNA,MAA等との対比を現在実行中であり、併せて他の糖鎖抗原であるTn,T抗原との対比も実験継続中である。この免疫組織化学的研究、レクチン染色の研究に加えてα2→3シアル酸転移酵素についてin situ hybridizationの実験を行なった。その結果0ーリンク型のα2→3グループでラット胃底腺の胃小窩域に強い標識を見出したが、Nーリンク型グループではα2→3 α2→6いずれもその標識を見なかった。これは従来のシアル酸糖蛋白質の組織化学的データに分布と一致するものと解釈された。さらに、シアル酸含有糖鎖抗原の組織化学的解析にカチオン化コロイド金を用いる方法を発展させ、この方法は光顕、電顕両レベルでその証明法に関してはほぼ完成域に達したと考えている。
超伝尊薄膜貫通磁束観察法の開発

本研究では走査電子顕微鏡を用いて第二種超伝導薄膜における貫通磁束の挙動をリアルタイムに観察することを目的としている。これは走査電子顕微鏡のType-I磁気コントラストを利用するものである。この研究により、超伝導電流に大きな影響を及ぼす磁束のピン留めを起こしている原因物質、資料構造、欠陥などについての重要な知見が得られる可能性がある。SEMは元々nmオーダーの空間分解能を持ち、磁性発現の原因を知るためのシステムとして適していると考えられる。本研究では、まず、試料の磁化構造(磁化の強さ、透磁率、磁区の三次元的構造)と、走査電子顕微鏡試料室内の構造(二次電子検出器の形状とその電位、検出器の位置)等に現実的な値を想定して、試料表面から放出される磁束、試料表面付近の電界を数値計算によって求めた。次に、この静磁界・静電界中に、試料表面からエネルギー分布および角度分布を持って放出される二次電子軌道を三次元座標によって計算した。本研究の実験に用いる走査電子顕微鏡試料室内の低温試料台の温度としては30Kまで到達し、試料の超伝導状態への転移は確認した。しかし、実験では現在までのところ計算で得られるようなコントラストを得るに至っていない。これは、試料表面から放出される二次電子のもつ角度分布、エネルギー分布による、原理的にこの測定法に含まれてしまうノイズによるものと考えられる。そこで、シミュレーションではこの大きさを定量化した。また、この場合の信号対ノイズの値を大きくとり、本方法での感度を向上させるための方策とその時に得られる感度を定量化した。予備的に行った一般的な磁性体薄膜の観察実験では、Type-I磁気コントラストの性質をシミュレーション結果と比較し計算の妥当性を確認した。現在までのところ、本研究で採用する、走査電子顕微鏡法におけるいわゆるType I磁気コントラストを用いて超伝導薄膜貫通磁束の定量分析や観察を行った例は報告されていない。本方法によるシステムを実現することによってリアルタイムでしかも厚い試料でも表面の磁束を観察することが可能となり、磁束量子のピン止めを起こしている原因物質、試料構造、欠陥などについての重要な知見が得られる可能性がある。そこで本研究では、まず、資料の磁化構造(磁化の強さ、透磁率、磁区の三次元的構造)と、走査電子顕微鏡試料室内の構造(二次電子検出器の形状とその電位、検出器の位置)等に現実的な値を想定して、試料表面から放出される磁束、試料表面付近の電界を数値計算によって求めた。この静磁界・静電界中に、試料表面からエネルギー分布および角度分布を持って放出される二次電子軌道を三次元座標によって計算した。このシミュレーションによって実際に装置を組み上げた状態で期待されるType I磁気コントラストの値を求めることができた。二次電子の検出器としては、現有の角度方向に4分割されたMicro-Channel Plateを用いた場合について計算を行ったが、磁化方向の検出には二次元位置検出を行うことによってどれだけの精度向上が期待されるかなどといった、磁気コントラスト取得の上での改善方法についても定量的な情報を得ることができた。また、設計製作した走査電子顕微鏡用の低温試料台については昨年12月に納入されたので、上述のシミュレーション結果を基にして走査電子顕微鏡観察実験を開始している段階である。現在までのところ、本研究で採用する、走査電子顕微鏡法におけるいわゆるType-I磁気コントラストを用いて超伝導薄膜貫通磁束の定量分析や観察を行った例は報告されていない。

本研究では、まず、試料の磁化構造(磁化の強さ、透磁率、磁区の三次元的構造)と、走査電子顕微鏡試料室内の構造(二次電子検出器の形状とその電位、検出器の位置)等に現実的な値を想定して、試料表面から放出される磁束、試料表面付近の電界を数値計算によって求めた。この静磁界・静電界中に、試料表面からエネルギー分布および角度分布を持って放出される二次電子軌道を三次元座標によって計算した。このシミュレーションによって実際に装置を組み上げた状態で期待されるType-I磁気コントラストの値を求めることができた。コントラストとして用いたのは二次電子の検出器表面上での到達位置分布を用いる。これにより、試料表面から放出されるときに二次電子の持つ角度分布、エネルギー分布を考慮して原理的にこの測定法に含まれてしまうノイズの大きさを定量化した。また、この場合の信号対ノイズの値を大きくとり本方法での感度を向上させるための方策とその時に得られる感度を定量化した。この様にシミュレーションによって得られた結果を基に高温超伝導薄膜の磁化情報を読みとることができるように現在実験を進めている。実験では、まず予備的に磁性体薄膜の観察を行い、Type-I磁気コントラストの性質をシミュレーション結果と比較し計算の妥当性を確認した。また、本研究の実験に用いる走査電子顕微鏡試料室内の低温試料台の温度としては30°Kまで到達することを確認した。本方法によるシステムによって、リアルタイムでしかも厚い試料の表面から漏れ出る磁束を観察することが可能となり、磁性体内で磁束をピン止めしている原因物質、試料構造、欠陥などについての重要な知見が得られる可能性がある。本年度は、昨年度に引き続いて、試料の磁化構造(磁化の強さ、透磁率、磁区の三次元的構造)と、走査電子顕微鏡試料室内の構造(二次電子検出器の形状とその電位、検出器の位置)等に現実的な値を想定して、試料表面から放出される磁束、試料表面付近の電界を数値計算によって求め、この静磁界・静電界中に、試料表面からエネルギー分布および角度分布を持って放出される二次電子軌道を三次元座標によって試算した。本年度は、より一般的な磁区の構成を考慮して、2.5周期5つの対面する磁束を持つ磁区が存在する薄膜を仮定した。この場合、全体は磁石を構成しておりその一端からほかの端に向かう磁束が存在する。本研究で提案している方法の特徴として挙げてきた、表面磁区からのもれ磁束の影響が大きく、遠くの磁束の影響は受けにくいという事柄を検証した。二次電子の検出器表面上での到着位置分布におけるこの磁束の影響を検討すると、例えば、磁化強度、磁化方向、磁壁の位置の決定には大きな影響を与えるものではないことを確認することができた。以上のようなシミュレーション結果を基に高温超伝導薄膜についての磁化情報を読みとることができる様、現在実験を進めている。実験では、高温超伝導薄膜が超伝導を示すのに必要とされる試料台の到達温度としては30°Kが得られており、十分低温であることが確認された。しかし、現在のところ本実験では十分のコントラストを得ることができなかった。
高齢者の口腔内プラーク付着に関する研究

本研究は、高齢者の口腔内における義歯などへのプラーク付着に関する、Candidaとmutans Streptococci(m.S.)がどの様な相互関係にあるのかを考察する目的で、調査的および実験的研究を行った。調査的研究においては、65歳以上の高齢者約100名の口腔内細菌を部位別に採取し、Candidaとm.S.のコロニー数、共存率、相関などを検索した。Candidaに関しては、義歯の装着状況との関連がみられた。義歯装着者は非装着に比べ明かにCandidaの検出率が高く、コロニー数も多い傾向にあった。しかし、義歯の清掃状態が良好の場合はコロニー数は少なく、検出率も低い傾向にあった。また、従来あまり注目されていない残存歯やクラスプ部分にもCandidaが多く検出され、これらの部分はm.S.との共存率も高く、両菌のコロニー数に正の相関が見られた。実験的研究においては、Candida albicansとStreptococcus mutans(S.m.)を混合培養し、レジン片に付着した菌塊を走査電子顕微鏡にて形態的に観察した。S.m.はショ糖の存在下で不溶性グルカンを産生するが、両菌は不溶性グルカンと共にレジン片に付着している像が観察された。しかし、両菌の菌体表面における接着像はあまりみられなかった。そこで、不溶性グルカンの産生能が低いS.m.の変異株とCandidaを混合培養したところ、両菌が菌体表面において接着している像が各所でみられた。以上、高齢者で口腔清掃状態があまりよくない場合、義歯、クラスプや残存歯などのプラークにはCandidaがm.S.と共存している場合が多く、実験的にも両菌の共存像がみられた。そこで、m.S.に対して抗菌作用が報告されている生薬である厚朴を高齢者のプラーク付着抑制に応用することを考え、厚朴のCandidaに対する抗菌作用の実験的研究も実施しつつあり、さらに検討していきたいと考えている。
ポリメタクリル酸メチルの希薄溶液での核生成・成長過程とコイルーグロビュール転移

ポリメタクリル酸メチル(PMMA)と酢酸イソプロピルの希薄溶液(系I)やPMMAと混合溶媒tert-ブタノール+水(2.5vol%)の希薄溶液(系II)では非常にゆっくりと相分離を生じる。この性質に着目して、コイルーグロビュウル転移と相分離の初期過程を静的光散乱実験により調べた。測定に用いた溶液の濃度(10^<-4>g/cm^3)は0.6-6.0の範囲にあった。分子量M_w=2.4x10^6と4.4x10^6の系Iでは急冷30分後に高分子鎖は収縮して平衡値に達した。分子量M_w=4.4x10^6と12.2x10^6の系Iを低温のグロビュウル領域に急冷したら、高分子鎖はゆっくりと収縮して、数百分から数千分後に平衡値に達した。この間は相分離は生じなかった。平衡値の膨張係数はBirshteinとPryamitsynの平均場理論と一致した。高分子鎖の収縮過程は時間の冪乗則で表わされ、単一の機構で説明できた。分子量M_w=2.4x10^6と4.4x10^6の系Iと、分子量M_w=1.57x10^6の系IIでは数時間から数百時間にわたって相分離過程の光散乱測定ができた。光散乱のデータはギニエプロットを用いて解析し、相分離初期過程で生じた高分子鎖の凝集体(クラスター)の重量平均分子量<M>_wとz-平均二乗半径<R^2>_zを時間の関数として決定した。両方の系で、ln<M>_wとIn<R^2>_zは共に時間に比例し、その傾きは濃度に比例した。ln<M>_wとln<R^2>^<1/2>_zのプロットはよい直線で表わされ、その傾きは系と分子量に依存したが、3に近い値であった。この相分離の初期過程の挙動は、衝突係数がi+jのSmolucbowskiの式で解析できた。系Iと系IIの遅い相分離過程は反応律速に起因している事が明らかとなった。高分子鎖間の反応はセグメント間の反応に直接関係しているので、高分子鎖のゆっくりした収縮過程も反応律速で説明できた。酢酸イソアミルに溶解したポリメタクリル酸メチル(PMMA)のコイル-グロビュール転移を光散乱強度の実験により調べた。PMMAとして、分子量M=8.4x10^6と12.2x10^6の分別試料を用いて、それぞれ0.8x10^<-4>-3.4x10^<-4>g/cm^3と0.6x10^<-4>-2.6x10^<-4>g/cm^3の濃度範囲にある四つの溶液を調整して光散乱の測定をした。分子量8.4x10^6の溶液の沈殿温度は47.0-50.5°Cの範囲に存在し、分子量12.2x10^6の溶液の沈殿温度は48.5-51.5°Cの範囲に存在した。光散乱測定は61.0(θ-温度)-20.0°Cの温度範囲で行い、PMMAの分子量と、平均二乗回転半径<s^2>をジムプロットを用いてデータから決定した。<s^2>は膨張係数α^2=<s^2>/<s^2>。に換算し、温度Tは還元温度τ=(1-θ/T)M^<1/2>に換算して、コイル-グロビュウル転移の解析をした。急冷30分後に得られたα^2をτに対してプロットしたら、コイル領域では分子量に依存しなかったが、グロビュウル領域では分子量による違いが現れた。さらに、|τ|の大きいところではα^2は|τ|と共に増大する傾向が見られた。この傾向は鎖状高分子の基本的な性質と矛盾している。この原因として、急冷30分後ではPMMA分子は完全に収縮していないことが考えられたので、30°Cに急冷後のα^2を長時間にわたって測定した。その結果、分子量8.4x10^6と12.2x10^6のPMMA鎖はゆっくりと収縮して、それぞれ600分後と2500分後に平衡値α^2_∞に達する事がわかった。鎖の収縮過程は、α^2と時間tminとの関係として、α^2=α^2_∞+{b/(t+c)}^pで表わされた。この式の中の係数は分子量にあまり依存せず、ほぼp0.50、b0.3、c0.4であった。収縮したPMMA鎖は昇温の際には直ちに膨張して平衡値に達した。これらの事から鎖の収縮は単一機構で起こる事が明らかになった。溶掖全体の相分離は鎖が完全に収縮した後に急速に進展した。

分子量M_w=2.4x10^6と4.4x10^6の系Iでは急冷30分後に高分子鎖は収縮して平衡値に達した。分子量M_w=4.4x10^6と12.2x10^6の系Iを低温のグロビュウル領域に急冷したら、高分子鎖はゆっくりと収縮して、数百分から数千分後に平衡値に達した。この間は相分離は生じなかった。平衡値の膨張係数はBirshteinとPryamitsynの平均場理論と一致した。高分子鎖の収縮過程は時間の冪乗則で表わされ、単一の機構で説明できた。分子量M_w=2.4x10^6と4.4x10^6の系Iと、分子量M_w=1.57x10^6の系IIでは数時間から数百時間にわたって相分離過程の光散乱測定ができた。光散乱のデータはギニエプロットを用いて解析し、相分離初期過程で生じた高分子鎖の凝集体(クラスター)の重量平均分子量<M>_wとz-平均二乗半径<R^2>_zを時間の関数として決定した。両方の系で、ln<M>_wとIn<R^2>_zは共に時間に比例し、その傾きは濃度に比例した。ln<M>_wとln<R^2>^<1/2>_zのプロットはよい直線で表わされ、その傾きは系と分子量に依存したが、3に近い値であった。この相分離の初期過程の挙動は、衝突係数がi+jのSmolucbowskiの式で解析できた。系Iと系IIの遅い相分離過程は反応律速に起因している事が明らかとなった。高分子鎖間の反応はセグメント間の反応に直接関係しているので、高分子鎖のゆっくりした収縮過程も反応律速で説明できた。ポリメタクリル酸メチル(PMMA)の希薄溶液の相分離初期過程を静的光散乱実験により調べた。測定では相分離が非常に遅い二つの溶液の系を用いた。一つは、分子量M_w=4.4×10^6のPMMAと酢酸イソプロピルの系(系I)で、もう一つは分子量M_w=1.57×10^6のPMMAと混合溶媒tertーブタノール+水(2.5 vol%)の系(系II)である。系Iでは、濃度(10^<-4>g/cm^3)が1.414、2.324、3.034、3.787の溶液を相分離温度(46°C)から30°Cに急冷して測定を行い、系IIでは、濃度(10^<-4>g/cm^3)が1.4,2.7、4.2、5.7の溶液を相分離温度(36°C)から25°Cに急冷して測定をした。光散乱のデータはギニエプロットを用いて解析し、相分離初期過程に生じた高分子鎖の凝集体(クラスター)の重量平均分子量<M>_wとz-平均二乗半径<R^2>_zを時間の関数として決定した。系Iでは急冷後最大2200分まで光散乱の測定ができた。Ln<M>_wとln<R^2>_zは共に時間に比例し、その傾きは濃度に比例した。系IIでは、急冷後最大10000分まで測定できた。Ln<M>_wとln<R^2>_zは急冷直後は時間に比例し、その傾きは濃度に比例した。Ln<M>_wとln<R^2>_z^<1/2>のプロットは直線で表わされ、その傾きDは系IではD=3.06±0.02、系IIではD=2.58±0.02であった。<M>_wと<R^2>_zの時間発展は、サイズiとjのクラスター同志の衝突係数をi+jとすると、Smoluchowskiの式で解析できた。D=3.06±0.02の大きい値は、クラスターのセグメント密度がそのサイズの増大とともに増大する事を反映していた。