hpprc/llmjp-kaken huggingface dataset:
腐朽菌と細菌類間の木材腐朽時における微生物相互作用メカニズムの解析

得られた9つのサンプルから抽出したGenomic DNAを鋳型として、PCR-DGGE解析を行った。その結果、全てのレーンから複数のバンドが検出された。このことから、堆積処理期間中の竹材オガコ中には、複数の細菌類が存在していることが示唆された。また、堆積4週目において、ゲル中のバンドパターンの変化が観察され、この変化は8週目以降で安定していた。従って、堆積4週目以降で細菌類の菌叢が変化したことが予想された。ゲル中のバンドの塩基配列を決定し、相同性検索を行ったところ、放線菌であるStreptomyces属が多く検出された。このことから、堆積処理によってStreptomyces属が竹材オガコ中の主要な細菌類に変化したことが推察された。そこで、本菌の定量を行ったところ、P. ostreatusの成長率と本菌の存在量に相関がみられた。堆積4週目において、次に、堆積処理期間の竹材の細胞壁成分の分析を行ったところ、次に、堆積処理期間の竹材の細胞壁成分の分析を行ったところ、抽出成分の微減と堆積4週目で、還元糖量が顕著に減少していた。一方、細胞壁の主要成分には変化はみられなかった。以上の結果は、細菌類が腐朽菌の生育環境に何らかの影響を与えたことで、腐朽菌による木材分解が促進された可能性を示すもので、本研究によって、腐朽菌と細菌類による新たな腐朽機構に関する知見を得ることに成功した。本年度は、サクラを題材として、腐朽菌の網羅的解析を行い、その成果を日本木材保存誌第39巻にて公表した。また、腐朽菌と細菌類の位置関係を解析するために、PNAプローブを用いたFISH解析法の構築を行い、木材中の菌糸の可視化に成功した。この成果は、Bioscience, Biotechnology, and Biochemistry, Vol.77に受理された。これらの腐朽菌の木材中における局在性に関する解析手法を構築し、細菌類との関連性を調査する研究もすでに実施している。以上のことから当該研究の進捗状況について「(2)おおむね順調に進展している」と評価した。最終年度では、竹材オガコ中の細菌類の菌叢解析を行い、主要な細菌類が放線菌Streptomyces属であることを明らかにした。本研究で得られた成果は、3件の学会年次大会にて発表した。また、学術雑誌に投稿するために論文を執筆中である。以上のことから当該研究の進捗状況について「2おおむね順調に進展している」と評価した。腐朽菌と同調的な細菌類を探索するため、異なる期間堆積処理した竹材のオガコ(0,2,4,6,8,12,16,20,24週間)をサンプルとして、細菌類と担子菌に特異的なプライマーを用いてPCRを行ったところ、増幅産物が検出されない週がみられた。このことから、堆積処理中に微生物叢に変化が生じたと考えられた。細菌類の菌叢解析では、4週目以降に新たなバンドが検出された。ゲル中のバンドを切り出し、精製した。本年度は、これらのサンプルの塩基配列を決定し、細菌類の同定を行う予定である。また、担子菌の菌叢解析も行う予定である。その結果から、担子菌と同調的な細菌類をリアルタイムPCR解析により探索し、両者の位置関係をFISH解析で明らかにする予定である。放線菌Streptomyces属によってP. ostreatusの成長が促進された要因として、細胞壁成分の構造の変化、または、Streptomyces属の生産する抗生物質による影響が推測される。
へガードフレアー理論を用いた結び目と写像類群の研究

3次元球面内の結び目に対してEkholm氏、Etnyre氏、Ng氏、Sullivan氏は余球面束を使ったフレアー理論を展開することにより、次数付き微分代数を構成し、結び目接触ホモロジー群を定義していた。さらにNg氏は結び目接触ホモロジー群の組み合わせ的な定義を与えていた。また結び目接触ホモロジー群の定義に結び目のメリディアンの情報を取り込むことにより3次元球面内の結び目に対する完全不変量を得られることがEkholm氏、Ng氏、Shende氏により示されていた。上記の不変量は3次元球面内の結び目に対する不変量であるが、同様の構成を4次元球面内の2次元結び目に対して拡張することを本研究で実行している。2次元結び目の表示方法の1つとして3次元球面への射影図を使う表示方法が知られている。この表示方法を使って、2次元結び目に対して次数付き微分代数を構成し、2次元結び目の異なる射影図をつなぐRoseman移動との関係について考察した。その結果、構成した次数付き微分代数はRoseman移動に関して安定同値と呼ばれる同値関係で不変であることが分かり、次数付き微分代数のホモロジー群は2次元結び目の不変量であることを証明できた。この表示方法を使った研究においては、鎖群の微分写像が3重点の周りで自然に4種類構成された。そのため次数付き微分代数も4種類構成されている。現在はこれら4種類の微分代数が異なる情報を持っていることを示すため具体例に対する計算を実行している。3次元球面への射影図を使った2次元結び目の表示方法を使うことにより2次元結び目のホモロジー群を構成することができた。3次元球面への射影図による2次元結び目の表示方法を使ったホモロジー群の構成において、3重点の周りで鎖群の微分写像が自然に4種類定義されている。自然な定義が4種類存在する理由についてフレアー理論の観点からと組み合わせ的な観点から考察する。余球面束を使ったLagrange交叉のフレアー理論を展開することにより、余次元2の結び目に対する不変量、結び目接触ホモロジー群、を定義することがEliashberg氏、Hofer氏らにより提唱され、Ekholm氏、Etnyre氏、Ng氏、Sullivan氏により3次元球面内の結び目に対して実行されていた。Ng氏はさらに3次元球面内の結び目に対する結び目接触ホモロジー群を組み合わせ的に定義することに成功していた。Ng氏による組み合わせ的な定義を拡張し、3次元球面内のハンドル体結び目、welded(溶接)結び目、仮想結び目、4次元球面内の2次元結び目に対しても結び目接触ホモロジー群の0次元部分を組み合わせ的に定義することができた。3次元球面内の結び目に対しては、結び目接触ホモロジー群を使って区別できないものはまだ見つかっていないので完全不変量ではないかと期待されている。しかし今回定義した4次元球面内の2次元結び目に対する結び目接触ホモロジー群は、スパン3葉結び目と2ツイストスパン3葉結び目を区別しないことが分かった。アレキサンダー多項式などでは区別できない仮想結び目の対としてKishino対と呼ばれるものが知られている。仮想結び目に対する結び目接触ホモロジー群はKishino対を区別することが分かった。種数2の自明なハンドル体結び目と区別することが難しい例として、鈴木のシータグラフと呼ばれるものに対応するハンドル体結び目が知られている。ハンドル体結び目に対する結び目接触ホモロジー群は、種数2の自明なハンドル体結び目と鈴木のシータグラフに対応するハンドル体結び目とを区別することが分かった。結び目接触ホモロジー群の0次元部分を3次元球面内のハンドル体結び目、溶接結び目、仮想結び目、4次元球面内の2次元結び目に対して定義することができた。3次元球面内の結び目に対してEkholm氏、Etnyre氏、Ng氏、Sullivan氏は余球面束を使ったフレアー理論を展開することにより、結び目接触ホモロジー群を定義していた。さらにNg氏は結び目接触ホモロジー群を組み合わせ的に定義することに成功していた。また結び目接触ホモロジー群の定義に結び目のメリディアンの情報を取り込むことにより3次元球面内の結び目に対する完全不変量が得られることがEkholm氏、Ng氏、Shende氏により証明された。上記の不変量は3次元球面内の結び目に対する不変量であるがこの不変量の構成を4次元球面内の2次元結び目に対して拡張することを本研究で実行している。昨年度はNg氏の組み合わせ的な定義を4次元球面内の2次元結び目に対して拡張し2次元結び目の表示方法の1つである3次元球面への射影図を使うことによりコード代数(結び目接触ホモロジー群の0次元部分)を構成した。この不変量はスパン三葉結び目と2ツイストスパン三葉結び目を区別しないという結果を昨年度に得ていたが、この結果は結び目接触ホモロジー群の高次元部分を定義するために必要であることが今年度分かった。またこの表示方法を使った1、2、3、4次元接触ホモロジー群の構成についての予想をたてることができた。4次元球面内の2次元結び目の表示方法の1つとして切り口を使った3次元球面内のグラフによる表示方法が知られている。この表示方法を使って2次元結び目の不変量、コード代数(結び目接触ホモロジー群の0次元部分)、を定義することができた。この不変量はスパン三葉結び目と2ツイストスパン三葉結び目を区別することが分かった。またこの表示方法を使った1、2次元の結び目接触ホモロジー群の構成についての予想をたてることができた。

3次元球面内のグラフによる2次元結び目の表示方法を使うことにより2次元結び目の不変量を構成することができた。この不変量はスパン三葉結び目と2ツイストスパン三葉結び目を区別できる程度に強い不変量であることが分かった。3次元球面内の結び目に対してEkholm氏、Etnyre氏、Ng氏、Sullivan氏は余球面束を使ったフレアー理論を展開することにより、結び目接触ホモロジー群を定義していた。さらにNg氏は結び目接触ホモロジー群を組み合わせ的に定義していた。また結び目接触ホモロジー群の定義に結び目のメリディアンの情報を取り込むことにより3次元球面内の結び目に対する完全不変量が得られることがEkholm氏、Ng氏、Shende氏により証明されていた。上記の不変量は3次元球面内の結び目に対する不変量であるが、同様の構成を4次元球面内の2次元結び目に対して拡張することを本研究で実行している。2次元結び目の表示方法の1つとして3次元球面への射影図を使った表示方法が知られている。この表示方法を使った研究について、3重点の周りで鎖群の境界写像の定義について考察し、ホモロジー群を構成するために必要な条件、境界写像を2回連続して実行すると消滅する、を満たす境界写像を構成することができた。現在はこの定義で不変量を構成できることを証明するためRoseman移動との関係について考察している。4次元球面内の2次元結び目の表示方法の1つとして切り口を使った3次元球面内のグラフによる表示方法が知られている。この表示方法を使った研究について0、1、2次元の結び目接触ホモロジー群を構成し、吉川移動との関係について考察した。その結果構成したホモロジー群は2次元結び目の不変量であることを証明できた。3次元球面内のグラフによる2次元結び目の表示方法を使うことにより2次元結び目のホモロジー不変量を構成することができた。3次元球面内の結び目に対してEkholm氏、Etnyre氏、Ng氏、Sullivan氏は余球面束を使ったフレアー理論を展開することにより、次数付き微分代数を構成し、結び目接触ホモロジー群を定義していた。さらにNg氏は結び目接触ホモロジー群の組み合わせ的な定義を与えていた。また結び目接触ホモロジー群の定義に結び目のメリディアンの情報を取り込むことにより3次元球面内の結び目に対する完全不変量を得られることがEkholm氏、Ng氏、Shende氏により示されていた。2次元結び目の表示方法の1つとして3次元球面への射影図を使う表示方法が知られている。この表示方法を使って、2次元結び目に対して次数付き微分代数を構成し、2次元結び目の異なる射影図をつなぐRoseman移動との関係について考察した。その結果、構成した次数付き微分代数はRoseman移動に関して安定同値と呼ばれる同値関係で不変であることが分かり、次数付き微分代数のホモロジー群は2次元結び目の不変量であることを証明できた。この表示方法を使った研究においては、鎖群の微分写像が3重点の周りで自然に4種類構成された。
シリコン上へのマクロポアの生成とその応用

フォトリソグラフィーによってプレパターンを形成したp型シリコン基板をフッ酸溶液中で陽極酸化することにより、4μmの孔径を有する規則的なマクロ孔配列を作製した。この試料を用いて、マクロ孔内への金属析出を試みた。0.1M硫酸銅水溶液中に浸漬するとシリコン上に置換めっきによって銅がマクロ孔壁上に析出する。一方、電解析出させると、孔底から析出が進行した。析出物断面観察の結果、やや欠陥が残っていた。電析条件を変えることにより、欠陥生成を避けることが可能と考えられ、本材料のテンプレートへの応用の可能性を示すものである。構造制御されたマクロ孔生成を実現するために、安定なマクロ孔構造が生成する条件を検討した。その結果、以下の知見を得た。フッ酸溶液の溶媒の種類が大きな影響を与える。ジメチルホルムアミドとジメチルスルホキシドでは1μm程度の孔径をもつランダムに配列したマクロ孔の形成が観察され、アセトニトリル溶液中からは縞麗なマクロ孔生成が得られない。マクロ孔構造は0.1Ωcm以上の抵抗率のシリコンで実現する。また、孔径と孔間隔は抵抗率の増大に伴い大きくなるが、陽極酸化電流密度に対する大きな依存性は見られない。低濃度のフッ酸溶液では多孔質層の化学溶解が顕著となりマクロ孔構造生成に適さない。また、作製したマクロ孔構造試料を用いて置換めっきによる銀析出を行い、孔壁への均一な析出を観察した。さらに、析出が価電子帯へのホール注入により進行することを明らかにした。
超臨界水を活用したGaNパワー素子の高信頼性化技術

近年,Siに代わるパワー半導体材料として窒化ガリウム(GaN)が期待されている.Siと比較すると,GaNのバンドギャップは約3倍,絶縁破壊電界は約10倍であり,高出力,高耐圧化が可能である.GaN MOS構造の問題点として絶縁膜中や絶縁膜/半導体界面に存在する電荷トラップが挙げられる.これまでの研究でSiO2/GaN MOS構造において,絶縁膜堆積後の熱処理として高温高圧の水蒸気を用いた高圧水蒸気処理(High Pressure Water Vapor Annealing, HPWVA)を施すことで電気特性が改善することが明らかになっている.しかしながら,その反応機構は未だに明らかになっていない.そこで本研究では,物性評価からSiO2膜およびSiO2/GaN界面に対するHPWVAの反応機構を検討した.その結果,SiO2膜中ではHPWVAにより膜中の酸素原子が高温高圧水蒸気中の酸素原子に置換され,Si-O-Si結合の歪みが緩和されることが明らかになった.これらの反応が酸素空孔の補填や歪みに起因するトラップを低減すると考えられる.SiO2/GaN界面では界面まで到達した高温高圧水蒸中の酸素原子が窒素空孔やGaの未結合手を補填することで界面欠陥を不活性化している可能性を示した. HPWVAのような高圧状態では他の熱処理より拡散速度が上がるため,低温での絶縁膜および絶縁膜/半導体界面の酸素欠損の改質にHPWVAは有効であるといえる.平成30年度が最終年度であるため、記入しない。平成30年度が最終年度であるため、記入しない。縦型GaNデバイス実現のためには、界面制御技術の確立が重要な課題となっている。そこで本研究では、400度程度の低温処理として高圧水蒸気処理(High-Pressure-Water-Vapor-Annealing, HPWVA)に着目した。水の臨界点付近の気相においてはラジカル反応が主体的となり、熱分解、再結合、脱水縮合、脱炭酸等の各反応が進行する。本研究ではSiO2/n-GaN縦型MOS構造に対してHPWVAの効果を検討した。MOSキャパシタの作製にはn-GaNホモエピタキシャル層(4 μm)を有するGaN自立基板を用いた。初めにn-GaN上にTEOSおよびO2を用いたプラズマCVD法によりSiO2を300度で約100 nm堆積した。絶縁膜堆積後に熱処理としてのHPWVA(400度、0.5 MPa、30 min)を行った。次に、上部および裏面電極を形成した。最後にフォーミングガスアニールを行いAl/SiO2/n-GaN縦型MOSキャパシタを作製した。また比較のため熱処理無し(as-depo.)試料およびO2anneal試料も同様に作製した。本研究では超臨界水処理によるSiO2/n-GaN縦型MOS構造に対する効果を検討するためにas-depo.、O2 anneal、高圧水蒸気処理を施したAl/SiO2/n-GaN縦型MOSキャパシタを作製し、電気的特性評価を行った。電圧電流特性評価より、HPWVAは高い絶縁破壊電界およびリーク電流の抑制、またトラップ凖位の改善を実現した。また容量電圧特性から、HPWVAはSiO2/n-GaN界面における窒素空孔由来の欠陥準位を酸素で不活性化し、約一桁のDit減少に効果があることが明らかになった。さらの超臨界水処理の設計を行い、納品され、性能評価を行っている。今年度は、昨年度試作した超臨界水処理(SCW)装置を用いて形成した2種類のMIS界面の電子物性を評価した。GaN表面をSCW装置により直接酸化した界面とさらにその上に堆積された絶縁膜との界面を観測した。GaN表面に直接、熱処理を施すことで、酸化ガリウム(Ga2O3)の形成を試みた。Ga2O3は、バンドギャップ4.6 4.9 eVを有するワイドギャップ半導体である。形成された酸化膜に対して、X線回折測定による結晶状態評価、原子間力顕微鏡による表面モフォロジー評価などのプロセスにおける基礎的な情報から、X線光電子分光による界面の化学結合評価、バンドオフセット評価などの物性に関わる情報を得ることで、GaN HEMTのゲート絶縁膜やパッシベーション膜として利用可能であるか評価を行った。また、SCW処理によって改質されたGaN表面にALD(原子層堆積法)法によって形成したAl2O3/GaN MIS構造の評価を行った。この界面準位密度を周波数分散、Terman法、コンダクタンス法によって算出した。本研究では、ALD法によるAl2O3をゲート絶縁膜として、採用する。これまでの我々の研究によって、TMA(Tri-methyl-aluminum)をプリカーサとしたプラズマ励起法によるAl2O3膜がゲート絶縁膜として有望であることを確認している。同様に、Al2O3絶縁膜に対する熱処理効果についても固定電荷密度の算出、リーク電流評価によって明らかにした。また、XPSによる深さ方向分析も実施し、界面の結合状態がどのように変化したか同定した。成果は以下に示すとおりである。(1)超臨界水処理を実施することで、GaN表面に酸化ガリウムを効率よく形成することができ、その結果を応用物理学会で発表した。

具体的には、400度、30MPaの超臨界水処理で、ストイキオメトリに近い酸化ガリウムの形成を確認した。通常の熱酸化(800から900度, 1から12 h)よりも低温かつ短時間(400度, 15 min)でGaOx層が形成された。(2)原子層堆積法(ALD)を用いて、GaN表面に高品質の酸化アルミニウムを形成することに成功し、応用物理学会で発表した。その酸化アルミニウムとGaNの界面に高圧水蒸気処理を施すことで、界面準位と炭固定電荷を低減することができた。この理由は、高圧水蒸気処理を施すことで、酸素欠陥を回復させ、炭素などの不純物を除去できたことが挙げられる。近年,Siに代わるパワー半導体材料として窒化ガリウム(GaN)が期待されている.Siと比較すると,GaNのバンドギャップは約3倍,絶縁破壊電界は約10倍であり,高出力,高耐圧化が可能である.GaN MOS構造の問題点として絶縁膜中や絶縁膜/半導体界面に存在する電荷トラップが挙げられる.これまでの研究でSiO2/GaN MOS構造において,絶縁膜堆積後の熱処理として高温高圧の水蒸気を用いた高圧水蒸気処理(High Pressure Water Vapor Annealing, HPWVA)を施すことで電気特性が改善することが明らかになっている.しかしながら,その反応機構は未だに明らかになっていない.そこで本研究では,物性評価からSiO2膜およびSiO2/GaN界面に対するHPWVAの反応機構を検討した.その結果,SiO2膜中ではHPWVAにより膜中の酸素原子が高温高圧水蒸気中の酸素原子に置換され,Si-O-Si結合の歪みが緩和されることが明らかになった.これらの反応が酸素空孔の補填や歪みに起因するトラップを低減すると考えられる.SiO2/GaN界面では界面まで到達した高温高圧水蒸中の酸素原子が窒素空孔やGaの未結合手を補填することで界面欠陥を不活性化している可能性を示した. HPWVAのような高圧状態では他の熱処理より拡散速度が上がるため,低温での絶縁膜および絶縁膜/半導体界面の酸素欠損の改質にHPWVAは有効であるといえる.本年度は、超臨界水処理を縦型MOS構造に対して行い、その効果を確認する予定である。電流電圧特性や容量電圧特性から、その効果を検証し、さらに絶縁膜と半導体界面の電子物性を光電子分光特性評価から、明らかにし、その劣化モデルを立案する。最終年度は共同研究先の福井大学の葛原研究室の指導を受けながら、GaN MIS-HEMTを作製し、実デバイスから超臨界水処理の有効性について評価する。また、本処理のデバイスプロセスにおける最適順序についても検討する。最終的には伝達特性から閾値電圧の不安定性や電流コラプス現象を解消し、耐圧1.7 kV、最大出力1.2 A/mmの高出力AlGaN/GaN HEMTの実現を目指す。作製された素子は、電気特性測定を中心に、界面の電子物性評価および信頼性評価を行い、本熱処理技術の効果を確認する。特に電流コラプスの評価には、過渡電流(Current-Transient Methodology)法を導入する。この方法は、ゲートに様々な周波数のパルスを加え、ドレイン電流減少時の時定数からトラップの深さを推定するものである。
書式に依存しない文字認識システムに関する研究開発

多様な書式から文字を自動的に切り出し,高速・高精度で活字及び手書き文字を認識するシステムの研究開発を行い,次のような成果を得た.1.自動文字切出文字画像の縦又は横方向のヒストグラムに基づいて,書式の大局的構造を把握し,その結果に基づく局所的構造解析によって分割・統合を行いながら,最終的には個々の文字を精度よく,かつ高速に切り出す手法を開発した.一方,認識結果を併用することにより,分離文字や接触した文字,ピッチの変動などに効果式に対処理する方法を考案した.今後は高速化のための並列処理とより高精度化に向けて研究を進める.2.活字認識手書き文字認識で考案した特徴量をより扱い易くした方向線素特徴量を見い出し,これに基づく連想整合法を活字認識に適用し高精度の大分類を実現する手法を開発した.さらに,大分類で選ばれた候補字種の正当性を特徴ベクトルのレベルで検証する簡易な構造解析法を考案し高速・高精度の活字認識を可能にした.この方法により,字体の若干異なる三社のワープロ活字の漢字(JIS第一水準)2965(字種)×2サンプル/(字種)×3=17790サンプルに対し大分類を行った結果, 3位までの累積認識率100%, 1位認識率99.88%を得た.更に上述の構造解析を適用し, 99.99%という高精度の1位認識率を得た.3.手書き文字認識第一段階の大分類を連想整合法で行い,第二段階の大分類にマルチテンプレート法を適用することにより,高精度で候補数を少数に絞る大分類の手法を開発した.特に,膨大な計算機実験により,マルチテンプレート法の性能を支配するクラスタリングについて,各種の手法の優劣を明らかにした.上述の2段階による大分類を,手書き漢字データベースETム9-Bの759(字種)×80サンプル/(字種)=60720サンプに適用し4位までの累積認識率99%以上を得た.多様な書式から文字を自動的に切り出し,高速・高精度で活字及び手書き文字を認識するシステムの研究開発を行い,次のような成果を得た.1.自動文字切出文字画像の縦又は横方向のヒストグラムに基づいて,書式の大局的構造を把握し,その結果に基づく局所的構造解析によって分割・統合を行いながら,最終的には個々の文字を精度よく,かつ高速に切り出す手法を開発した.一方,認識結果を併用することにより,分離文字や接触した文字,ピッチの変動などに効果式に対処理する方法を考案した.今後は高速化のための並列処理とより高精度化に向けて研究を進める.2.活字認識手書き文字認識で考案した特徴量をより扱い易くした方向線素特徴量を見い出し,これに基づく連想整合法を活字認識に適用し高精度の大分類を実現する手法を開発した.さらに,大分類で選ばれた候補字種の正当性を特徴ベクトルのレベルで検証する簡易な構造解析法を考案し高速・高精度の活字認識を可能にした.この方法により,字体の若干異なる三社のワープロ活字の漢字(JIS第一水準)2965(字種)×2サンプル/(字種)×3=17790サンプルに対し大分類を行った結果, 3位までの累積認識率100%, 1位認識率99.88%を得た.更に上述の構造解析を適用し, 99.99%という高精度の1位認識率を得た.3.手書き文字認識第一段階の大分類を連想整合法で行い,第二段階の大分類にマルチテンプレート法を適用することにより,高精度で候補数を少数に絞る大分類の手法を開発した.特に,膨大な計算機実験により,マルチテンプレート法の性能を支配するクラスタリングについて,各種の手法の優劣を明らかにした.上述の2段階による大分類を,手書き漢字データベースETム9-Bの759(字種)×80サンプル/(字種)=60720サンプに適用し4位までの累積認識率99%以上を得た.手書き及び活字の漢字を主体として、書式に依存しない文字認識システムについて研究した。本研究は昭和59年度及び60年度にわたって開発された「セル構造回路網に基づく手書き文字認識システム」を活用して行われたもので、その概要は次の通りである。(1)文字の自動切出紙面から文字を高速かつ精度よく切り出す方法について研究し、その基本部分を完成した。しかし、精度を上げるためには、認識部分で得られる情報を用いて修正することが必要であり、単語辞書による知識の活用を併せて次年度の検討課題のひとつになっている。(2)活字認識活字認識は手書文字に比して変形の度合いが著しく小さいので、高速認識が可能となる。このような観点から、偏、榜、構えなどの構造情報を積極的に活用する高速連想照合システムの構成と認識アルゴリズムを開発し、その有用性を実証するための認識実験を精力的に進めている。(3)手書き漢字認識1)手書き文字の場合、一字種に対して標準パターンを複数個用意すことが不可欠であり、試作した文字認識システムを用いて膨大な認識実験を行い、最適複数化の指針となる有用な知見を得た。2)文字認識用単語辞書を作成し、単語における文字間の連接情報を用いてパターンマッチングによる認識結果を修正するアルゴリズムを開発し、認識実験を行った。その結果、認識精度を一段と向上できる見透しを得た。文字切り出し、認識、単語辞書による修正(後処理)を有機的に統合して全体としての認識精度を挙げることが今後の大きな課題である。
風力発電所との衝突で死亡する可能性の有るコウモリ類の生息地の調査

ヨーロッパやアメリカでの研究より、風力発電所のファンとコウモリ類の衝突によるコウモリ類の死亡は、コウモリ類の移動の時期および場所と関係が深いことが明らかにされつつある。すなわち、風力発電所のファンの高度は、地上から40m150m程でこの範囲を飛行するコウモリ類が衝突の対象となると考えられること、衝突事故の起こりやすい時期が存在することなどが明らかにされている。さらに、ドイツでの研究から、ドイツ国内では風力発電所の数が極めて多いこともありコウモリ類の年間の衝突死数が、十数万頭になるとの推定値が報告されている。そして、これら衝突事故をより軽減するための対応方法についても研究が進んでいる。日本ではコウモリ類の季節的な移動時期や飛行ルート等については全く不明である。さらには、風力発電所での衝突死の調査がほとんどされておらず、一部で衝突の事実が確認されていても報告書による正式な報告がされていない。今回の研究に伴う野外調査では、長距離移動をして風力発電所のファンと衝突して死亡する可能性が高いと考えられるコウモリ類であるヤマコウモリ・ヒナコウモリ・ヒメヒナコウモリ・クビワコウモリなどが生息すると考えられる石川県の輪島沖の舳倉島及び長野県の北アルプス及び南アルプス、岐阜県藤橋村の旧徳山村地区、岐阜市内などで調査を実施した。これにより、今回及びこれまでの調査報告からコウモリ類の春と秋の移動時期は、5月から6月と8月10月に行われているものと考えられた。この時期に長距離移動を行うためにバットストライクが起こることが海外の報告より明らかにされている。ヨーロッパやアメリカで多くのコウモリが死んでいる風力発電所との衝突が日本では起きていないとするのはあり得ないことであることから、この時期に風力発電所周辺にどの程度のコウモリ類が飛行しているのかしていないのかの調査が極めて重要であると考えられる。別な言い方をすればこの時期の調査をせずに風力発電所の稼働はあり得ないともいえる。従ってこの時期に夜間のコウモリ類の調査を実施していない場所での風力発電の稼働は一旦中止することも必要と考えられた。また、コウモリ類の調査を実施し、安全性が確認されるまでは、稼働を止めるなど何らかの措置が早急に必要と考えられた。
異なる神経集団間の機能的結合の制御に関する細胞・回路機構：振動的神経活動の役割

神経伝達への振動的神経活動の関与を数理モデルを用いて検討した。具体的には、皮質脊髄シナプスに関して文献上のデータに基づいて短期可塑性のモデルのパラメータ推定を行った上で、皮質(視覚野)細胞モデルのシミュレーション結果から得られた発火時系列を用いて伝達度合いを解析し、皮質細胞の尖端樹状突起に加わる抑制性入力がβ周波数帯で集団的に振動している場合に、それ以外の周波数帯で振動するか非周期的な場合に比べて、前細胞の一発火当たりの伝達(シナプス後電位)の平均が小さくなる可能性などを示した。振動的神経活動が、異なる部位間の活動伝播にいかに関わり、どのような機能的意義を果たしているかに着目して、モデリング研究を進めている。シナプス前側の細胞から後側の細胞に活動がいかに伝わるかを考える上では、シナプス入力が後細胞に及ぼす効果(シナプス後電位)が、回数を重ねるにつれて促進ないし減弱するというシナプス短期可塑性が極めて重要となる。大脳皮質から脊髄への活動伝播について調べるため、他研究者による過去の研究(Jackson et al., 2006, J Physiol 573:107)で報告されていた生理学実験結果(論文の図から取得したもの)に基づいて、シナプス短期可塑性の数理モデル(Tsodyks & H. Markram, 1997, Proc Natl Acad Sci U S A 94:719およびMongillo et al., 2008, Science 319:1543によるもの)のパラメータ推定を行った。そして、大脳皮質錐体細胞の詳細なモデル(ただし運動野ではなく視覚野の細胞に基づいて過去に作られ報告されていたもの)のシミュレーション結果から得られた活動電位発生の時系列を用いてモデル解析を行い、脊髄のシナプス後細胞側に起こる応答が、前細胞の発火の時間パターン(を規定する前細胞への入力)によっていかに変わり得るかを調べた。その結果、シナプス短期可塑性の特性により、前細胞の尖端樹状突起に加わる抑制性入力がβ周波数帯で集団的に振動している場合には、抑制性入力がそれ以外の周波数帯で振動するか非周期的な場合に比べて、前細胞の活動電位一つあたりのシナプス後電位の平均が小さくなることなどが示唆された。そして、そうした細胞レベルで起こり得る現象が、運動開始に際して大脳皮質と筋肉におけるcoherentなβ律動が減弱するという既知の知見といかに関わりうるかを考察した。大脳皮質錐体細胞の数理モデルにおいて、樹状突起遠位部に、集団として振動する入力が加えらえた場合、いわゆる共振と考えらえる現象が起こることが、筆者を含めた共同研究により見出された。具体的には、興奮性入力と抑制性入力の両方が加えられた際に、抑制性入力がβ律動の帯域付近で集団として振動する場合に、錐体細胞の発火率に関して、抑制性入力による抑制効果があまり効かなくなり、抑制性入力が他の周波数で振動する場合や非同期的な場合と比べて相対的に発火率が増大するという現象が見出された。さらに、錐体細胞の発火パターンに関しては、そのようにβ律動の帯域付近で振動する抑制性入力が与えられた場合に、バースト発火が大きく減少し、入力と同程度の周波数で単発性の活動電位を発生するパターンに変化することが見出された。本研究では、そうした共振のメカニズム・性状の詳細な検討を行い、振動的現象が神経細胞間・集団間の情報伝達に及ぼす影響・機能的意義を探求することを目指している。共振のメカニズム・性状の詳細に関わるものとして、神経細胞において共振現象は膜電位の過分極に伴って陽イオンを透過させるチャネルを通した電流(h電流)の作用等によって引き起こされうることが指摘されており、上述のモデル研究においてもh電流をブロックすると共振が見られなくなることからh電流の関与が示唆されていた。そこで、h電流の時定数を様々に変化させた条件での結果を解析・検討したところ、元来の時定数の場合に共振が最も顕著に現れること、また共振の周波数がh電流の時定数に依存して変わることが見出され、h電流が大きく関わることが確認された。以上のほか、NMDA/Ca電流の関与や、時間変化する入力を与えた場合の結果等についての検討の結果、共振のメカニズム・性状についての理解が大きく進展し、振動的活動が情報伝達に及ぼす影響を探求するための基盤的知見が得られた。異なる部位間の活動伝播に振動的神経活動がいかに関わり、いかなる機能的意義を果たしているかに着目してモデリング研究を進めてきている。シナプス前側の細胞から後側の細胞への伝達には、シナプス短期可塑性、すなわち、シナプス前細胞が複数回発火した場合に、シナプス後細胞において生じるシナプス後電位が、回数を重ねるにつれて促進または減弱するという性質が大きく関わる。そこで、これまで、大脳皮質から脊髄への活動伝播に関して、他研究者による研究の結果に基づいてシナプス短期可塑性の数理モデルのパラメータ推定を行い、大脳皮質錐体細胞の詳細なモデルのシミュレーション結果から得られた活動電位発生の時系列を用いてモデル解析を行ってきた。そして、前細胞の尖端樹状突起に加わる抑制性入力がβ周波数帯で集団的に振動している場合には、抑制性入力がそれ以外の周波数帯で振動するか非周期的な場合に比べて、前細胞の活動電位一つあたりのシナプス後電位の平均が小さくなることなどが示唆され、そのような現象が運動開始に際して大脳皮質と筋肉におけるcoherentなβ律動が減弱するという既知の知見といかに関わりうるかを考察してきた。しかし、そこで考えられていた大脳皮質錐体細胞のモデルは、(脊髄に投射して運動制御に関わる細胞が多く存在する運動野を含む)

前頭葉の細胞に基づいて構築されたものではなく、視覚野の細胞に基づいて過去に作られ報告されていたものであった。そこで、同様の解析を前頭葉の細胞に基づくモデルに対しても行っていくために、前頭葉の細胞への入力の様態、特に集団的に振動するような入力としてどのようなものが考えられるかについて検討を進めた。異なる部位間の活動伝播およびその機能的意義に振動的神経活動がいかに関わっているかに着目して研究を進めてきた。特に、シナプス短期可塑性、すなわち、シナプス前細胞が複数回発火した場合に、シナプス後細胞において生じるシナプス後電位が、回数を重ねるにつれて促進ないし減弱するという性質によって、結合の機能的強度がいかにダイナミックに変化しうるか、また、それがどのように機能に関わるかに焦点を当て、シナプス短期可塑性が二変数(発火に伴うカルシウムの蓄積による伝達物質放出確率上昇等を想定した促進を記述する変数と、伝達物質の放出に伴う減少を想定した減弱を記述する変数)の微分方程式で表されたモデルを用いて解析を行ってきた。大脳皮質から脊髄への活動伝播に関して、文献上の知見に基づいてモデル・パラメータの推定を行い、大脳皮質錐体細胞の詳細なモデルのシミュレーション結果から得られた活動電位発生の時系列を用いて受け手側のインパクトを調べ、前細胞の尖端樹状突起に加わる抑制性入力の集団的振動による影響などを調べた。また、そうした影響が、大脳皮質と筋肉のcoherentなβ律動が運動開始に際して減弱するという知見といかに関わりうるかなどを、大脳皮質細胞への入力の様態(特に集団的に振動するような入力としてどのようなものが考えられるか)の考察も含めて検討した。最終年度はさらに、大脳皮質・基底核の回路・結合についての最新の知見を整理し、周期的な振動のみならず、カオス的な遍歴の機能的意義などについても考察を行った。神経伝達への振動的神経活動の関与を数理モデルを用いて検討した。具体的には、皮質脊髄シナプスに関して文献上のデータに基づいて短期可塑性のモデルのパラメータ推定を行った上で、皮質(視覚野)細胞モデルのシミュレーション結果から得られた発火時系列を用いて伝達度合いを解析し、皮質細胞の尖端樹状突起に加わる抑制性入力がβ周波数帯で集団的に振動している場合に、それ以外の周波数帯で振動するか非周期的な場合に比べて、前細胞の一発火当たりの伝達(シナプス後電位)の平均が小さくなる可能性などを示した。提出済みの期間延長承認申請書に記載したように、筆者の別の研究から、大脳皮質から大脳基底核線条体への伝達に関して新たな可能性が考えられたため、それを含めて研究を行うために当初予定から一年間の期間の延長を申請し、承認して頂いた。計算論的神経科学大脳皮質と脊髄および基底核との連絡における振動的神経活動の影響・関与およびそれらと脳認知機能との関わりについて統合的に検討・考察を行っていく考えである。大脳皮質から脊髄への伝播に関して、β周波数帯での振動的神経活動がいかなる影響を持ち得るかについて、「研究実績の概要」に記したように興味深い知見が得られてきている。大脳皮質におけるβ律動の帯域付近での共振現象のメカニズム・性状に関して、「研究実績の概要」に記したような綿密な検討の結果、詳細な知見が得られてきている。
3-D上皮細胞組織化モデルにおける動的細胞分化転換と形態制御の研究

本研究では、3-D培養における上皮組織化や浸潤性獲得の分子基盤を明らかにすることを主たる目的とした。研究全体を通して以下の成果を得た。1)乳腺上皮細胞のin vitro組織化において4倍体細胞の形成とその後の動態・増殖能を解析し、細胞増殖は核の倍数性に影響されないという結果を得た。2)腫瘍細胞の3-D浸潤には細胞膜のMT1-MMPによって活性化されるMMP-2が必要であること、3-D培養で選択的におこるMMP-2の活性化にはMT1-MMPの細胞膜局在の増加によって引き起こされることを明らかにした。MMP-2の発現制御はエピジェネテイックに制御されており、その分子機構と標的遺伝子群を明らかにした。3) Metの発現の有無によって、乳腺上皮細胞や悪性黒色腫の分化転換を検出できる示唆を得た。分化転換の動態やその分子機構を明らかにする基盤を得た。本研究では、3ーD培養における上皮組織化の利点を生かし、一過的・動的な浸潤性形質の獲得とその終息に着目し、このような個々の細胞群を可視化・標識化する手法と分子細胞生物学的手法を用いることで、組織形成の時空間的制御とその分子基盤を明らかにすることを主たる目的とした。本年度は、レンチウイルスベクターを用いてvimentinプロモーターによりGFPを発現するマウス乳腺上皮細胞を樹立し、この細胞の上皮形態形成過程における浸潤性(間葉系)分化転換細胞のGFPによる可視化を試みたが、vimentinプロモーターでは分化転換を反映できなかった。そこで乳腺幹細胞に発現すると考えられたMet受容体の抗体を用いたフローサイトメーターによる細胞分画を行い、ごく1部の細胞がMetを発現していることが分かった。転移性悪性黒色腫においてもMetの発現の有無によってがん細胞集団が分けられ、Met陰性細胞からMet陽性細胞が生じること、Met陽性細胞はコロニー形成能が高いことや、代謝経路が異なることが示唆された。今後、Metの発現の有無によって分けられるがん細胞集団の形質の違いを、マイクロアレイ等によって明らかにする計画である。研究期間全体を通じ以下の成果を得た。がん化につながる染色体の異数性や不安定性につながる4倍体細胞の出現とその動態に関する知見を得た。2) Metの発現の有無によって、乳腺上皮細胞や悪性黒色腫の分化転換を検出できる示唆を得た。3ーD培養における上皮細胞組織化は組織化・再生の制御機構を理解する上で好適なモデル系である。本年度は、1)マウス乳腺上皮細胞の上皮形態形成過程における浸潤性(間葉系)分化転換細胞のGFP標識化による細胞分化転換の可視化2)ヒト中皮腫細胞における3ーD浸潤性獲得の分子基盤の理解を試みた。その結果、1)乳腺上皮細胞のin vitro組織化において多倍体染色体を有する細胞の多くが間葉・幹細胞で発現される遺伝子を発現していることを観察した。さらに、4倍体細胞の形成とその後の動態・増殖能を解析した結果、意外にも自然発生した4倍体細胞が2倍体細胞と同等に多数回の分裂能を有することを見出した。この結果から細胞増殖は核の倍数性に影響されないことが示唆され、生体内ではがん細胞に特徴的な染色体の異数性や不安定性につながる4倍体細胞の出現そのものを低く抑える仕組みが機能していることが考えられた。2)中皮腫細胞の3ーD浸潤には腫瘍細胞膜のMT1-MMPによって活性化されるMMP-2が必要であること、3ーD培養で選択的におこるMMP-2の活性化にはMT1-MMPの細胞膜局在の増加によって引き起こされることを明らかにした。当初の研究計画はおおむね順調に進展しているが、若干の実験手技の見直しが必要であった。当初予想していなかった現象の観察から、当初の想定以上に研究が広がりつつある面もある。

昨年度予定していたレポーター遺伝子の発現系をレンチウイルスの発現系へ変更する必要が生じたので、計画に若干の遅れが生じた。この計画遅れの分を24年度に繰り越して行う。今後はマウス乳腺上皮細胞の上皮形態形成過程における浸潤性(間葉系)分化転換細胞のGFP標識化によって細胞分取を行いと、網羅的比較解析による分化転換制御因子群の同定を試みる。また、実験過程で得られた多倍体染色体を有する細胞の多くが間葉・幹細胞で発現される遺伝子を発現しているという観察から、4倍体細胞の形成に対する乳腺組織の細胞系譜(乳腺幹細胞、筋上皮細胞、管腔上皮細胞)の影響を解析している。主に計画の遂行に必要な実験試薬と消耗品、研究成果の発表のための論文投稿費に使用する。
ノルアドレナリンによるミクログリア活性化と退行性神経変性病態のメカニズム

著者らはストレスによるミクログリア活性化をビボモデルを用いて最初に報告した。そのメカニズムは不明のままである。本研究の目的はミクログリア活性化のメカニズムを解明することである。ストレスによるミクログリア活性化が生じた部位での、蛋白の増減を調べたところ、ノルアドレナリン合成酵素であるDopamine beta Hydroxylase (DBH)が、顕著に増加していた。レーザー顕微鏡で多重染色でも、DBH陽性ファイバーがミクログリア周辺を取り巻く所見が確認された。さらに、ノルアドレナリン受容体である、β1、β2 Adrenergic Receptor (AR)が、その細胞に陽性に染色された。今回行ったのは、慢性ストレスによる脳内免疫およびドーパミンニューロン変性への作用である。実験では正常ウィスターラットを用いた。拘束ストレスを負荷した。一日8時間、週5日間のストレスを最長16週間まで負荷した。慢性ストレス後、脳内ミクログリアの活性化が確認された。特に2週目、4週目あたりが強く、8週目、16週目では少し減弱を示した。脳の部位別では、黒質、海馬、視床下部、視床で強かった。今回明らかになったのは、黒質ドーパミンニューロン数の減少である。ドーパミンニューロン数は、4週以降に出現した。16週では、半数以上のドーパミンニューロンの消失が確認された。更に、今回明らかになったのは、青斑核でのノルアドレナリンニューロンの減少である。青斑核でのノルアドレナリンは、黒質よりやや遅れ、8週以降に減少を示した。黒質、青斑核でのニューロンロスおよびミクログリア活性化を明らかにした。現在、その因果関係およびメカニズムの解明を進めている。先の研究にて、ストレスによるミクログリア活性化をビボ・モデルを用いて初めて報告した。今回行ったのは、そのミクログリア活性化メカニズム解明の目的で、主に副腎ステロイドに焦点を当て、副腎ステロイドによるミクログリア活性化への影響を検討した。実験では、正常ラット、副腎摘除ラット、および副腎摘除+コルチコステロン経口投与ラットを用いた。これらのラットに拘束浸水ストレスを2時間負荷した。以下のような結果を得た。正常ラットにおいては、ストレス後、海馬、視床下部などでミクログリア活性化を確認した。前回の報告と一致する所見であった。更に今回明らかになった点であるが、副腎摘除ラットにおいて、海馬、視床下部いずれにおいても、ミクログリア活性化が顕著に増強していることを突き止めた。コルチコステロン経口投与ラットにおいては、これらの増強効果が有意に減少した。これらの結果は、副腎ステロイドは、ストレスによるミクログリア活性化を抑制していることを示唆する。以上より、副腎ステロイドはミクログリアおよび脳内の炎症反応を抑制しているという結論を得た。今年度の研究の目的は、慢性ストレス負荷によるドーパミン神経変性への影響を調べることであった。又同時に、それに伴うミクログリア活性化も検討した。成熟ラットを用いて、一日8時間の拘束ストレスを週5日、負荷した。それを2週間から16週間まで行い、中脳でのカテコラミン神経変性を免疫組織化学、In Situ Hybridization法、ウェスタンブロッティング法を用いて、カテコラミン合成酵素であるチロシン・ハイドロキシラーゼ(TH)陽性細胞をターゲットに定量した。その結果、拘束ストレス負荷によって、2週間以降に黒質、青斑核でのドーパミン・ノルアドレナリン神経の変性が起こっていた。また、ミクログリアは急性期には強い活性化を示したものの、慢性期には弱い活性化を示していた。更に、ペルオキシナイトライトによる酸化ストレスの指標としてニトロタイロシン(NT)を用いて、酸化ストレス・レベルを測定した。その結果、黒質、青斑核においてミクログリア由来にNT活性が上昇していた。これらの結果より、慢性ストレスによって、脳内のカテコラミン神経変性が生じる事、そして、その変性にはミクログリア由来の酸化ストレスが重要な役割を果たしている事が明らかになった。神経科学慢性ストレスによるドーパミン神経変性の作用を明らかにした。その事は当初の目的でもあり、実験はおおむね進展している。副腎ステロイドによるミクログリアへの作用を明らかにした。当初の目的である副腎ステロイドの作用を解明するという点においては、達成できている。活性化したミクログリアとドーパミン神経変性の因果関係を明らかにしていく。特に、ミクログリアから分泌されるサイトカイン、およびドーパミン神経上にあるサイトカイン受容体を明らかにしていく。今後の研究の方向性として、ストレスによって活性化したミクログリアの作用を検討すること。主に、慢性ストレスと退行性神経疾患、特に中脳黒質への影響を主眼に置き、その検討を進めて行く。次年度は、繰越金を用いて、神経変性の有無を組織化学的、生化学的に検討する方針である。
アメリカ社会学における逸脱理論の発展過程の研究

1920年代から20世紀末までの約80年間のアメリカ社会学における主要な逸脱理論の展開過程は以下の時期に区分される。20年代から30年代のシカゴ学派、40年代から50年代のアノミー論や機能分析、60年代のレイベリング論や闘争論、70年代から80年代の保守的な時代の実証主義、90年代から21世紀にかけての統合理論の時代である。この過程を理論的パースペクティブからみると、構造論・相互作用論・行為者論の基本モデル間の循環・組み換え・統合として捉えられる。また、方法論は、実証主義/解釈主義、分析的/ナラティブ、リアリズム/構築主義に区別されるが、これらも時代によって主流となる方法論は交代している。こうした理論の展開過程から知の創造性を活性化する条件として、知識社会学的に以下の点を読み取ることができる。1.新規な逸脱理論は突然生み出されるものではない。構造論・相互作用論・行為者論の基本的パースペクティブ間の循環や組み換え、さらに実証主義や解釈主義などの方法論の交代として生じる。2.逸脱理論の発展は対立する視点を互いに考慮して、自らの立場をより鮮明にしたり、逆に相手の立場を取り入れて互いが類似してくることによって生じる。アボットが指摘するよう、対立する視点から現象を捉える「フラクタルな思考」は、理論の創造性において重要な役割を果たしている。3.理論が基本的なパースペクティブ間の循環であるとすれば、学界で影響力を発揮するには、それが伝統的な理論の継承や再解釈に基づくものであることをアピールし、一定の正統性を引きだすのが効果的である。4.学界での影響力は、理論自体の妥当性以外に、学派内部でのコリンズのいう「相互作用儀礼」の活発度や大学の威信などによって左右される。5.理論の交代を促す要因は社会・時代の要請と関連している。時代にマッチした逸脱理論は人々の関心を得て支持され、現実の政策に反映され、研究資金も獲得しやすく、大学でのポストも得やすい。注目を集める理論・学派ほど、「雪だるま式」に勢力を拡大する。アメリカ社会学の逸脱研究史の中から本年度はシカゴ学派を取り上げた。シカゴ学派には逸脱研究の主要な3パラダイム(構造論・社会過程論・行為論)がすべて未分化な姿で含まれている。そのなかから構造論をクローズアップしたのが社会解体論であり、社会過程論は差異的接触論に、さらに行為論は抑止論や自己コントロールとして純化されていく。しかし、こうした純化はシカゴ学派が本来有していた逸脱研究の総合的な視点を弱める結果となっている。逸脱行為は単に社会構造の機能不全や、逸脱的な行動様式や価値観を有する人との相互作用によって生み出されるものでも、ネガティブサンクションを考慮して選択される功利的な行為だけではない。逸脱の理解には社会構造・社会過程・行為を統合した視点を必要としているが、初期シカゴ学派の具体的なモノグラフでは少なくともこうした立場から研究がなされていた。その典型的な研究はClifford R. Shawの非行率の地域的な差異の計量的な分析のみならずライフヒストリーを活用した一連の研究に見出される。彼はしばしば社会解体論と社会過程論の折衷だと批判されているが、彼こそ逸脱の研究には統合的な視点が重要であることを理解し、実践した人物である。彼がこうした視点を保ちえたのは、The Chicago Area Projectにかかわり、逸脱現象が単純なものではないことをよく知っていたことにもよる。

彼と異なってその後の研究が特定のモデルに偏っていったのは、なによりも特定の理論的視点を鮮明に主張することで、独自性をアピールしたかったためであると、知識社会学的には解釈される。この点はJames.Short教授とのシカゴ学派の逸脱研究についてのインタビューの証言からも裏付けられる。アメリカ社会学における逸脱理論は、社会構造・相互作用論・行為者論の3視点と、それらを総合した統合理論に集約される。基本的な3視点の揺藍期は1920-30年代の初期シカゴ学派にあるが、1940年代以降はそれらがそれぞれ洗練されることによって、独自の理論として生成してきた。現在は再びこれら洗練された3理論を再統合しようとする傾向も見られるが、依然として3理論が競合しているのが現状である。こうした理論の展開過程を辿るなかで明らかになった知識社会学的な知見は以下の点である。1.これら理論は経験的検証によって否定ないし支持されなくなった場合でも、姿を変えて再び登場してくるものが多い。社会解体論はコントロール理論として、さらにコミュニティの集合的効力の理論として再生してくる。あるいは差異的接触論は学習理論や再統合理論、さらにより一般化されて相互作用論として展開していく。2.こうした展開は社会構造論・相互作用論・行為者論のそれぞれにおいて起こるが、どれかひとつの分野で新たな理論的進展が集中的に見られると、別の分野でも生じてくる。レイベリング論の台頭はコントロールの発達や悪の魅惑論を生み出す背後になっている。3.逸脱理論の発展は社会状況や政治的環境の変化、さらに大学のおかれた状況によっても左右されるが、内在的には競合する理論の相互刺激を通じて促進されると仮定される。近接理論の内在的な競合が、理論展開の有力な動因となる。1920年代のシカゴ学派から20世紀末までの約80年間のアメリカ社会学における主要な逸脱研究の過程は、20年代から30年代のシカゴ学派、40年代から60年代のアノミー論や構造機能主義、60年代から70年代半ばまでの闘争・リベラル理論、70年代半ばから90年代の実証主義、90年代から現在までの統合理論に一応区分される。これらの時期を通じて、基本的に3つの逸脱理論が交代で台頭し、その対抗と循環を通じて、洗練されてきた。その過程は、理論の未分化状況から構造論・相互作用論・行為者論の分化→構造論の台頭→相互作用論→構造論・行為者論→構造・相互作用・行為者論の統合、としてパターン化できる。このパターンから、理論展開を左右する要因として、以下の知見が得られる。1.理論の進化は経験的妥当性の反証によってもたらされるものではなくて、アボットのいうフラクタルの原理、例えば実証主義の中から解釈主義の立場が生まれたり、解釈主義から実証主義の傾向が強まることで、対立的な方法論が乗り越えられることによって可能となる。2.理論のcreativityは限られた理論パースペクティブ(構造論・相互作用論・行為者論)中で、既存理論の再解釈が加えられ、その交代や統合として生じる。3.理論の交代を促す要因はそれぞれの政治・経済状況の変革期によって影響されるのみならず、学派間での闘争や個人間の競争によってもたらされ、理論の差異化が進む。