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ギリシア教父におけるプラトン「洞窟の比喩」の受容史研究

具体的には、本研究によって考察された全テキストについて、「洞窟」と「太陽」という二つの鍵概念(及びその派生概念)の相互連関とそれが見出される文脈、さらにはトポロジカルな「上昇」「下降」という思考類型が果たす理念的働きが、ギリシア哲学からギリシア教父思想に至る過程でどのように変移していったかが克明に跡付けられた。4以上のすべての研究成果に基づき纏められた私の英語論文が高く評価され、平成27年度にBrill社から刊行された各国を代表する専門研究者による英文論文集に掲載された。その結果、本研究の成果を広く海外の多くの研究者に提供することができた。本研究の成果としては、プラトンの主著『国家』篇の中でも特によく知られている「洞窟の比喩」の主要モチーフが、アリストテレスからヘレニズム期を経て、初期キリスト教思想にどのような影響を与え、同時にどのような変容を被ったかを、ギリシア哲学とギリシア教父の双方の文献において具体的に検証・考察し得たこと、とりわけ哲人王統治という政治的な文脈で解釈されてきた「洞窟」への帰還(下降)というモチーフが、キリストによる救済論・経綸(オイコノミア)論へと変容していく経緯を詳細に跡付けられたこと、またそれらの成果を国内外において広く公表し得たことが挙げられる。平成26年度の研究目的の達成度に関して、おおむね順調に進展しているという自己評価は以下の理由による。1アレクサンドリア学派における「洞窟の比喩」の受容史研究に関しては、25年度に開催された中世哲学会のシンポジウムに関する報告を26年度刊行の雑誌論文に纏めるための調査・研究の一環として進めることができ、また、その関連で同学会のオリゲネス研究者やフィロン研究者から多くの助言をいただけた。2新プラトン主義関係のテキスト読解に関しては、私が会長を務める新プラトン主義協会に所属する多くの研究者から非常に有益な資料情報や助言をいただき、さらにテキスト読解上の諸疑問の多くに適切な示唆を与えてもらうことができた。326年度に開催されたアジア太平洋教父学会(APECSS)において、各国から集まった多くのギリシア教父研究者たちから、有益かつ生産的な教示を受けた。とりわけ、本研究への各研究者からの反応が非常によいものであったため、これまでの研究方針の正しさを確信することができた。4本科研費の補助により同学会のために来日していたブロンウェン・ニール博士による学術講演とセミナーを開催することができた。そこでの議論は非常に有意義なものであり、本研究の進展にも大きく役立つものであった。以上4点が、本研究が順調な進展を遂げていると自己評価できた理由である。哲学・思想史次年度は以下の4種の研究活動を行う予定である。1カッパドキア教父における「洞窟の比喩」の受容の実態を、前年度までの成果を踏まえたテキスト研究において跡付ける。2ニュッサのグレゴリオスにおける「太陽=神の洞窟への降下」という「洞窟の比喩」の書き換えを、当該テキストにおいて正確に跡付け、その多角的な解釈を試みる。
有機金属化学気相法を用いたZnTe系材料の作製と高輝度純緑色発光デバイスへの応用

本研究では、ZnTe純緑色発光デバイスのキャリア閉じ込め材料ZnMgTeの物性制御を試み、高輝度化を目指した。本年度の得られた成果の概要は以下の通りである。低抵抗率p形ZnMgTe基板結晶の作製と物性評価:前年度と同様にブリッジマン法によりバルク結晶を作製した後、エピタキシャル成長用の基板化を実施した。ロッキングカーブの半値幅50arcsecと結晶性の良い基板が得られた。また、この結晶はバンド端発光が支配する室温フォトルミネッセンススペクトルを示し、10^<17>cm^<-3>台の高いキャリア密度であった。結晶中に微小なTe析出物が含まれているので、これを除去することを試み、透明度の高い結晶とすることができ、LED基板作製の目的を果たせた。高輝度発光デバイス作製のためのZnTeベース多層膜の形成と物性評価:有機金属化学気相成長法におけるPドープZnMgTeのエピタキシャル成長条件を探求した。ZnMgTeエピタキシャル膜中のMg含有量は基板温度、Te原料供給量、総ガス流量を調整することにより良好な表面を府する条件を決定し、さらに成長後にアニールすることにより低抵抗率化に成功している。前年度と異なり、深い準位による発光が軽減化できた。平滑に研磨された低抵抗率p形(100)面ZnMgTe基板上にZnMgTe/ZnTeの多層エピタキシャル膜を成長させ、主として結晶性を明らかにした。発光デバイスの作製と特性評価:基本的には前年度と同じ手法をとったが、PドープZnTeエピタキシャル膜を発光層としたホモ接合、シングルヘテロ接合、ダブルヘテロ接合のLED構造について発光スペクトル,発光効率,輝度等を測定し、成長条件にフィールドバックさせた。具体的にはAl熱拡散法により、pn接合を形成して発光デバイス化するが、PドープZnTeエピタキシャル膜の電気的性質、室温のフォトルミネッセンス強度とLEDの発光特性との関係を明らかにした。・低抵抗率p形ZnMgTe基板結晶の作製と物性評価:ブリッジマン法によりバルク結晶を作製した後、エピタキシャル成長用の基板化を実施した。低温フォトルミネッセンススペクトルの測定結果から、Pアクセプタに関係した発光(エキシトン発光とアクセプタ準位と伝導帯の間発光)が主となり、深い準位からの発光が小さく光学的に良好な結晶が得られた。また、これと符合して、パウ法測定により、10^<17>cm^<-3>台の高いキャリア密度が得られた。結晶中の析出物は非常に少なく良好であり、発光デバイス用の基板として有効であることを明らかにした。・低抵抗率p形ZnMgTeエピタキシャル膜の形成と物性評価:有機金属化学気相成長法におけるZnMgTeのエピタキシャル成長条件を探求した。ZnMgTeエピタキシャル膜中のMg含有量はTe原料供給量、総ガス流量に強く依存することを発見した。そのデータに基づき、Mg含有量の制御に有用な成長条件を決定した。ZnMgTeエピタキシャル膜の低抵抗率化のため、Pの有機金属を用いたドーピングを試みた。

パウ法測定による測定により、低抵抗率化は達成できたが、低温フォトルミネッセンススペクトル中に深い準位による発光が認められ、上記のバルク結晶に比べキャリア密度は一桁程小さく、現在ドーピング条件の最適化を進めている。・ZnMgTe上のZnTeエピタキシャル膜の形成と評価:上と平行して別の有機金属化学気相成長装置を用いて、平滑に研磨された低抵抗率p形(100)面ZnMgTe基板上にZnTeエピタキシャル膜を成長させた。これにAl熱拡散させ、pn接合を形成し、発光デバイス化して、発光特性を調べることにより、適切なMg組成を決定した。本研究では、ZnTe純緑色発光デバイスのキャリア閉じ込め材料ZnMgTeの物性制御を試み、高輝度化を目指した。本年度の得られた成果の概要は以下の通りである。低抵抗率p形ZnMgTe基板結晶の作製と物性評価:前年度と同様にブリッジマン法によりバルク結晶を作製した後、エピタキシャル成長用の基板化を実施した。ロッキングカーブの半値幅50arcsecと結晶性の良い基板が得られた。また、この結晶はバンド端発光が支配する室温フォトルミネッセンススペクトルを示し、10^<17>cm^<-3>台の高いキャリア密度であった。結晶中に微小なTe析出物が含まれているので、これを除去することを試み、透明度の高い結晶とすることができ、LED基板作製の目的を果たせた。高輝度発光デバイス作製のためのZnTeベース多層膜の形成と物性評価:有機金属化学気相成長法におけるPドープZnMgTeのエピタキシャル成長条件を探求した。ZnMgTeエピタキシャル膜中のMg含有量は基板温度、Te原料供給量、総ガス流量を調整することにより良好な表面を有する条件を決定し、さらに成長後にアニールすることにより低抵抗率化に成功している。前年度と異なり、深い準位による発光が軽減化できた。平滑に研磨された低抵抗率p形(100)面ZnMgTe基板上にZnMgTe/ZnTeの多層エピタキシャル膜を成長させ、主として結晶性を明らかにした。発光デバイスの作製と特性評価:基本的には前年度と同じ手法をとったが、PドープZnTeエピタキシャル膜を発光層としたホモ接合、シングルヘテロ接合、ダブルヘテロ接合のLED構造について発光スペクトル,発光効率,輝度等を測定し、成長条件にフィールドバックさせた。具体的にはAl熱拡散法により、pn接合を形成して発光デバイス化するが、PドープZnTeエピタキシャル膜の電気的性質、室温のフォトルミネッセンス強度とLEDの発光特性との関係を明らかにした。
細胞分化におけるトポイソメラーゼとトポロジー変化により制御される遺伝子とその機能

超螺旋構造を持つクロマチンDNAのトポロジーをDNAトポイソメラーゼ(I,II)の阻害剤により変化させ,初期に変化する遺伝子を検索し,二つの遺伝子が特異的に減少することを明かにした.一つは,hnRNPA1であり,mRNAのプロセッシングに関わるタンパクhnRNPA1をコードしていた.もう一つは新規の遺伝子であり,トポイソメラーゼ阻害剤により特異的に抑えられることからTISと命名した.本遺伝子の構造を明かにし,唾液腺癌細胞(HSG)をトポイソメラーゼ阻害剤や,レチノイン酸(tRA),ジブチリルcAMP(bt2cAMP)によりそれぞれ異なった細胞群に分化させ,その過程での本遺伝子の機能について解析した.tRAによりトポイソメラーゼIのmRNAの発現は抑制され,トポイソメラーゼIタンパクはわずかな減少がみられた.bt2cAMPではそのmRNA,タンパクの発現には大きな変化は見られなかった.トポイソメラーゼIIαのmRNAの減少とタンパクの減少がみられ,特にtRAの処理により顕著にみられた(図2).分化誘導剤によるこの酵素の減少は,増殖抑制と分化のトリガーとなるとも考えられる.トポイソメラーゼIIβはタンパクレベルでは検出できず,mRNAの発現も極めて低く,その機能はトポイソメラーゼIIαに比べて明かではなかった.TIS遺伝子の発現は分化誘導剤により初期に抑制され,非常に初期の遺伝子発現の制御に関与していることが示唆された.HSGは多分化能を有する細胞であるが,均一に全ての細胞が分化していくのではなく,分化初期の変動遺伝子を今回のような方法で確認するにいは難しい細胞系といわざるを得ない.そのため,トポイソメラーゼIIβやTISの変動が明確に観察されなかったのではないかと考えている.今後は均一な細胞系で,分化マーカーの確立細胞系を試料としたトポロジーの変化と分化との関連性を明かにする必要があると考える.今回は、トポイソメラーゼの阻害とアポトーシスとの関わりが示唆され,その際の新規なPKCδアイソホームを確認することができ,その機能の解析の重要性が示唆された.超螺旋構造を持つクロマチンDNAのトポロジーをDNAトポイソメラーゼ(I,II)の阻害剤により変化させ,初期に変化する遺伝子を検索し,二つの遺伝子が特異的に減少することを明かにした.一つは,hnRNPA1であり,mRNAのプロセッシングに関わるタンパクhnRNPA1をコードしていた.もう一つは新規の遺伝子であり,トポイソメラーゼ阻害剤により特異的に抑えられることからTISと命名した.本遺伝子の構造を明かにし,唾液腺癌細胞(HSG)をトポイソメラーゼ阻害剤や,レチノイン酸(tRA),ジブチリルcAMP(bt2cAMP)によりそれぞれ異なった細胞群に分化させ,その過程での本遺伝子の機能について解析した.tRAによりトポイソメラーゼIのmRNAの発現は抑制され,トポイソメラーゼIタンパクはわずかな減少がみられた.bt2cAMPではそのmRNA,タンパクの発現には大きな変化は見られなかった.トポイソメラーゼIIαのmRNAの減少とタンパクの減少がみられ,特にtRAの処理により顕著にみられた(図2).分化誘導剤によるこの酵素の減少は,増殖抑制と分化のトリガーとなるとも考えられる.トポイソメラーゼIIβはタンパクレベルでは検出できず,mRNAの発現も極めて低く,その機能はトポイソメラーゼIIαに比べて明かではなかった.TIS遺伝子の発現は分化誘導剤により初期に抑制され,非常に初期の遺伝子発現の制御に関与していることが示唆された.HSGは多分化能を有する細胞であるが,均一に全ての細胞が分化していくのではなく,分化初期の変動遺伝子を今回のような方法で確認するにいは難しい細胞系といわざるを得ない.そのため,トポイソメラーゼIIβやTISの変動が明確に観察されなかったのではないかと考えている.今後は均一な細胞系で,分化マーカーの確立細胞系を試料としたトポロジーの変化と分化との関連性を明かにする必要があると考える.今回は、トポイソメラーゼの阻害とアポトーシスとの関わりが示唆され,その際の新規なPKCδアイソホームを確認することができ,その機能の解析の重要性が示唆された.細胞は様々なシグナルに応答し、転写因子の制御をともなった分化、増殖、アポトーシスなどの反応を行う。転写調節には単に転写調節因子の量的、あるいは質的な制御だけでなく、DNAのトポロジーの制御が重要である。このトポロジーの制御はトポイソメラーゼよって行われる。トポイソメラーゼの阻害は未分化細胞に分化誘導したり、また、免疫系細胞、血球系腫瘍細胞、唾液腺癌細胞ではアポトーシスを引き起こし、その際にRNAのスプライシングに関与するhnRNPA1と機能未知の新規遺伝子TISの発現が減少する。そこで、今年度はこの2つの遺伝子を中心に解析を行った。その結果、1.マウスでの組織分布はノザン解析の結果、両遺伝子産物とも心臓、脳、脾臓、肺、肝臓、筋、腎臓、精巣で確認された。また、TIS mRNAは精巣で2種確認された。2.胚発生においてTISは一様に発現しているが、hnRNP A1は胎齢11日目に一過性の上昇を示した。3.TIS遺伝子の構造決定をした結果、上流にトポイソメラーゼIの予想される結合領域が確認され、TIS mRNAの発現はトポイソメラーゼ1の阻害剤であるカンプトテシンにより強く抑制された。

4.TISの予想されるアミノ酸配列には核移行シグナル様の配列があるが、COS細胞で強制発現させたところ細胞質内に存在した。5.未分化細胞株であるF9でのhnRNPA1とTISの強制発現はレチノイン酸やdibutyryl cAMPによる分化誘導には形態学的な変化はもたらさなかった。これらの遺伝子産物の細胞分化における分子レベルでの解析をおこなう(F9およびヒト唾液腺癌細胞)とともに、トポイソメラーゼの解析を進めることが次の課題と考えられた。細胞が様々なシグナルに応答して起きる転写因子の制御を伴った分化、増殖、アポトーシスなどにはトポイソメラーゼによるDNAのトポロジーの制御が重要である。トポイソメラーゼの阻害は未分化細胞に分化を誘導したり、また、免疫系細胞、血球系腫瘍細胞、唾液腺癌細胞ではアポトーシスを引き起こす。我々はリンパ腫細胞RVCをトポイソメラーゼIの阻害剤であるカンプトテシンで処理すると、アポトーシスの誘導とともにRNAのスプライシングに関与するhnRNPA1と機能未知の新規遺伝子TISの発現が減少する事を明らかにした。今年度はTIS遺伝子の生理的機能を明らかにするため、分化に伴う発現の変化について解析を行った。多分化能を有するF9およびヒト唾液腺癌細胞HSGをレチノイン酸やdibutyry1 cAMPで処理し、トポイソメラーゼはウェスタンブロットで、TIS遺伝子の発現はRT-PCRで解析した。その結果、F9、HSGともに1.トポイソメラーゼIIαは分化誘導に伴う表現形の出現とともにタンパク質の発現量が減少した。2.トポイソメラーゼIは分化誘導に伴う変化を示さなかった。また、3.HSGにおけるTISのmRNA RT-PCRでの解析のため、ヒトTIS cDNAを増幅するプライマーを設計し、ヒト及びマウスTIS mRNAのリアルタイムRT-PCRによる定量法を確立した。また、4.ヒト血球系腫瘍細胞であるJurkat、U937、HL-60においても、カンプトテシン処理によりアポトーシスが誘導されるとともにTIS遺伝子の発現が減少した。5.これらの細胞ではホルボールエステルによる分化誘導では、TIS遺伝子の発現に変化は見られなかった。細胞分化は多様な分化誘導因子によるシグナルがそれら固有の伝達系を介して転写因子を制御することによりなされている.しかし,転写調節には単に転写因子の量的,あるいは質的な制御だけでなく,DNAのトポロジー制御が重要である.ヒト唾液腺腫瘍細胞(HSG)は様々な分化誘導剤での処理により,様々な細胞に分化し,増殖および造腫瘍性が低下することが知られている.トポイソメラーゼ(Topo I,Topo IIα,β)およびトポイソメラーゼにより発現が制御されているTIS/Pdcd4/H731の分化におけるはたらきについてウェスタンブロッティングおよびリアルタイムRT-PCRによりその発現を解析した.HSGはRT-PCRの結果よりTopo I,Topo IIα,βを発現していた。タンパク質レベルではTopo IIβは検出できなかったが,Topo IIα(22倍)>Topo I(4倍)>Topo IIβ(1倍)の順にmRNAの発現量が多いことがリアルタイムRT-PCR解析により明らかになった。通常,Topo IIaは増殖の盛んな細胞で発現し,Topo IIβはconstitutiveに発現しているので,腫瘍細胞であるHSGにおいても同様である考えられる.
日本に自生するレンプクソウの分子生物学的手法を用いた進入経路の解明について

1研究目的レンプクソウは、北半球の温帯地方に広く分布する多年草の植物である。日本での分布は、これまで近畿地方より東から北海道に自生し、北方系の植物として氷河期に千島列島を経て日本に進入してきたと考えられていた。ところが1985年に九州の熊本でレンプクソウの自生が発見されたことにより、北海道から九州まで自生することが明らかとなった。本研究は、日本に自生するレンプクソウがどのような経路で日本に進入したのかを、分子生物学的手法を用いて明らかにすることを目的としている。2研究の方法(1)供試材料:熊本県3カ所、宮崎県1カ所、岡山県1カ所、広島県1カ所、愛知県1カ所、東京都2カ所、長野県3カ所、福井県1カ所、北海道2カ所の合計15カ所(各カ所2個体)(2)RAPD分析法:RAPD-プライマー:オペロンバイオテクノロジーカスタムDNA(120種)PCR反応:熱変性:95°Cで60秒45サイクル:熱変性95°Cで60秒、アニーリング43°Cで30秒、伸長反応72°Cで90秒反応停止:72°Cで7分保存:4°C(3)ITS領域によるPCR-RFLP分析法:制限酵素:12種PCR反応:熱変性:94°Cで180秒35サイクル:熱変性94°Cで60秒、アニーリング55°Cで60秒、伸長反応72°Cで90秒反応停止:72°Cで7分保存:4°C3研究成果(1)RAPD分析オペロン社製RAPDプライマー120種を用いRAPD分析を行った結果、35種のプライマーから149の多型バンドを検出した。得られたバンドをもとに最短距離法、標準ユークリッドによるクラスター分析を行い、系統樹の作成を行った。その結果、系統樹をユークリッド距離17.0で切断した場合大きく2群に分けられた。1群は北海道産2カ所の4個体による群、もう1群は本州・九州13カ所26個体の群である。本州産の個体と九州産の個体との明確な差異は認められなかった。12種の制限酵素を用いて実験を行ったが、自生地を明確に区別するバンドは得られなかった。
スピンギャップ系の光散乱

スピン・パイエルス(SP)系の光散乱、光反射から、磁性不純物置換効果と磁場効果を研究した。SP相のラマンスペクトルには格子が倍周期化による折り返しモードや、SPギャップを反映した磁気ラマン・スペクトルが観測される。不純物置換系ではSPギャップモードが観測される。我々はNi置換試料のSP相での折り返しモードと磁気ラマン・スペクトルの詳細な温度依存性を測定し、LT22(8月Helsinki工科大)と日本物理学会(9月岩手大学)で報告した。SP相の零磁場での測定においてはNi置換系でもZn、Mg、Siなどの非磁性不純物置換系と同様な折り返しモードの強度の減少や、SP長距離秩序が不純物置換に伴いSP短距離秩序になることが明らかになった。SPギャップはNi置換系では小さくなるが、絶対零度でのSPギャップの大きさ△_0と相転移温度T_<sp>の間にはhΔ_0/k_BT_<SP>=1.61の関係があるごとが明らかになった。また、9.5Tまでの磁場下でのラマン散乱測定を行い、結果を日本物理学会で報告した。(3月関西大学)磁場下ではNi^<2+>イオンの周囲の局所的な磁化の様子が変化するため、SPギャップ・モードの強度が小さくなる。低温でSP長距離秩序が観測されるNi置換試料では、室温で幅広いルミネッセンス・スペクトルが観測される。このスペクトルのカット・オフエネルギー(14,000cm^<-1>)はCuのd-d遷移に対応するエネルギーである。Mn置換系は1%程度の置換でSP相が抑制されるのが特徴である。この試料は結晶の色が変化しているので、電子系の変化が期待される。可視光領域の吸収スペクトルには20,000cm^<-1>付近に新たな吸収帯が観測された。Mn置換系のラマン散乱、光吸収の測定から、フォノン系に大きな変化が無いこと、0.81%Mn置換試料でSP転移が起きていることが確認された。この結果は日本物理学会(3月関西大学)で報告された。スピン・ギャップ系の光散乱、光反射の研究を行った。スピン・パイエルス(SP)系ではSP相で格子が倍周期化し、非磁性な基底状態が出現する。又、不純物置換により低温に新しい反強磁性相(AF相)が出現する。近年Mg置換試料のAF相が静的な格子歪みを伴うD-AF相と静的な格子歪みを伴わないU-AF相の二種類に分類され、両者の間に量子相転移が起こる事が報告された。我々はSP系の置換効果を研究するため、CU_<1-x>Zn_xGeO_3及びCuGe_<1-y>Si_yO_3のラマン・スペクトルを測定した。低温で新たに観測された折返しフォノンによるラマン・スペクトルが長距離秩序によるシャープなLorentz曲線の項と揺らぎによるフォノンの状態密度を反映した項とに分離できる事を示し、Mg置換試料に報告された量子相転移がZn、Si置換試料でも起きている事を明らかにした。これらの結果をphonons98(7月Lancaster大)で発表し、現在論文を投稿中である。又、Cu_<1-z>Mg_zGeO_3(z=0.081)において、フォノン・カスケード・プロセスによるルミネッセンスを新たに観測した事をphonons98で報告した。34Kで電荷移動転移を起こすα′-NaV_2O_5のラマン散乱測定から、この物質のフォノン励起、磁気励起、電子励起を研究し論文に発表した。この系で観測されるFano効果の温度依存性、Na欠損量依存性をphonons98及び日本物理学会(9月琉球国際大)で報告した。近年スピン二重鎖を持つKCuCl_3系、特に低温での磁化曲線にプラトーが観測されるNH_4CuCl_3が注目を集めている。我々はNH_4CuCl_3のラマン散乱、反射スペクトルを測定し、NH_4分子の回転が磁性に与える影響を研究している。これらの結果を日本物理学会(3月広島大)で発表する。

低温でSP長距離秩序が観測されるNi置換試料では、室温で幅広いルミネッセンス・スペクトルが観測される。このスペクトルのカット・オフエネルギー(14,000cm^<-1>)はCuのd-d遷移に対応するエネルギーである。Mn置換系は1%程度の置換でSP相が抑制されるのが特徴である。この試料は結晶の色が変化しているので、電子系の変化が期待される。可視光領域の吸収スペクトルには20,000cm^<-1>付近に新たな吸収帯が観測された。Mn置換系のラマン散乱、光吸収の測定から、フォノン系に大きな変化が無いこと、0.81%Mn置換試料でSP転移が起きていることが確認された。この結果は日本物理学会(3月関西大学)で報告された。
乳化重合法によるポリアミノ酸ビーズの設計と生体材料としての応用

まずはじめに乳化重合法を用いて高分子量のポリアミノ酸粒子を定量的に得る条件を確立するために、グルタミン酸γ-メチルエステルNCA、グルタミン酸γ-ベンジルエステルNCA、ロイシンNCAの有機溶剤溶液と種々の界面活性剤を組み合わせ、それぞれに対して種々の反応条件において乳化重合を試みた。その結果、有機溶媒にジクロロエタン、界面活性剤にポリエチレングリコール(分子量200)を用いた場合に共重合体微粒子が得られ、走査型電子顕微鏡による観察により数十マイクロメートルオーダーの球状の微粒子の存在が確認された。反応系に添加するモノマー量、界面活性剤の液量や量比を変えてさらに検討を行った結果。走査型電子顕微鏡観察において粒径が100200ナノメートルオーダーの微粒子を安定して得ることに成功した。次にこの微粒子を酵素の固定化用担体として利用するためにリパーゼを選び、水溶性カルボジイミド法を用いて固定化を行った。得られた固定化酵素粒子の保存安定性を調べるため種々のpHの水溶液中に37°Cで保持したところ、酸性条件においてはフリーの酵素は数時間で失活したのに対し、固定化酵素粒子は80%以上の活性を保持していた。耐熱性についても固定化酵素粒子は広範囲のpH条件下で著しい効果を示し、80°Cにおいても常温の20%の活性を保持していた。また極端に高いpHにおいても活性の低下は全く見られなかった。これらの要因としては保存、加熱、pH変化などにおいてみられる酵素分子のコンホメーション変化が固定化することにより抑制され、また微粒子が微生物などによる劣化の障壁として機能している可能性が示唆された。今年度は乳化重合法により定量的に高分子量のポリアミノ酸粒子を得る条件を確立するためにグルタミン酸γ-メチルエステルNCA、グルタミン酸γ-ベンジルエステルNCA、ロイシンNCAの有機溶剤溶液と界面活性剤の組み合わせに対し、乳化重合を試みた。あらかじめグルタミン酸γ-ベンジルエステルNCAのジオキサン溶液に対し、トリエチルアミンを開始剤とした通常の重合反応により分子量16万以上のポリγ-ベンジル-L-グルタミン酸が合成できることを確認したのちに界面活性剤を含んだ純水に開始剤を含んだモノマー溶液を滴下することにより、乳化重合を試みた。その結果、Tween20を界面活性剤として用いた場合、分子量3万以上の重合体が得られた。この実験系を基礎として、グルタミン酸γ-メチルエステルNCA、ロイシンNCAについてTween20、Triton X405、Brij35など種々の界面活性剤について粒子状の重合体を得ようと試みた。今後は反応系に添加するモノマー、界面活性剤の液量や量比を変えて反応を行い、得られたポリアミノ酸粒子の収量、分子量の測定、形状などの光学顕微鏡、電子顕微鏡などの観察から粒子化に最適の条件を明らかにする予定である。また得られた微粒子を次に酵素の固定化用担体として利用するための基礎として医療応用に関連するヒドロラーゼ類からリパーゼを選び、乳化重合の検討過程で得られたポリアミノ酸に吸着固定化し、酵素機能に与える安定化効果についての基礎的知見を得た。今年度は前年度に引き続き乳化重合法により定量的かつ大量に高分子量のポリアミノ酸粒子を得る条件を確立するために前年度に有効であったグルタミン酸γ-メチルエステルNCA、ロイシンNCAについてさらなる検討を行った。

前年度に明らかにした有機溶媒、ジクロロエタンと界面活性剤、ポリエチレングリコール(分子量200)について重合時の条件を種々検討した結果、走査型電子顕微鏡観察において粒径が100200ナノメートルオーダーの微粒子を安定して得ることに成功した。次にこの微粒子を酵素の固定化用担体として利用するために医療応用に関連するヒドロラーゼ類からリパーゼを選び、水溶性カルボジイミド法を用いて固定化を行った。得られた固定化酵素粒子の保存安定性を調べるため種々のpHの水溶液中に37°Cで保持したところ、酸性条件においてはフリーの酵素は数時間で失活したのに対し、固定化酵素粒子は80%以上の活性を保持して板。耐熱性についても固定化酵素粒子は広範囲のpH条件下で著しい効果を示し、80°Cにおいても常温の20%の活性を保持していた。また極端に高いpHにおいても活性の低下は全く見られなかった。これらの要因としては保存、加熱、pH変化などにおいてみられる酵素分子のコンホメーション変化が固定化することにより抑制され、また微粒子が微生物白どによる劣化の障壁として機能している可能性が実験的に示唆された。本微粒子を固定化用坦体として用いることにより注射により容易に生体内に導入できる固定化酵素微粒子の作成の可能性が期待される。
高度寡占産業における市場支配力のコントロール-情報通信産業を中心に

本研究の目的は、市場支配的地位にある企業が存在する市場の実態と、それに対する独禁法及び各産業分野の事業法による規制のあり方を調査研究することであった。研究の結論として、第一に、個別事業法上の規制と独禁法がともに同一対象に適用されることもあり得ること、第二に、行為規制で不十分な場合は、構造規制を検討すべきであること、第三に、市場支配地位の濫用に対する規制を立法化すべきことが明らかにされた。本研究組織(「東京経済法研究会」)による本研究は,高度寡占産業における市場支配力が不当に濫用され,競争を制限または阻害し,又は消費者の利益を不当に侵害することを防止できるような規制システムのあり方を検討するものである。研究の具体的な素材としては,情報通信産業を中心にし,本年度では,NTT各社,携帯電話会社,及び規制行政庁・有識者などからヒアリングを行った。これらの市場では,国際的な関係も組み込まれているということから,欧米における電気通信事業産業における本問題への取り組みを現地調査を含め実施し,また,広義の情報産業に属するマイクロソフト社のOSに関する市場支配力の濫用の問題につき,今回は特にEUにおける同社のEC条約違反問題を研究対象とした。さらに,上記の情報通信産業以外に,前年度までの研究対象であった電気産業についての市場支配力規制問題について,本共同研究の成果を雑誌に連載の形で公表した。これらの高度寡占産業においては,従来公益事業規制を受けていた既存事業者や,当該市場において布場支配力を長く保持してきたマイクロソフト社などが,その市場力を背景に新規参入者を排除し,又は取引の相手方に対し不当に不利益な取引条件を押しっけようとする事例が見られ,それへの規制が独占禁止法及び各事業法などによって行われ,又は試みるべきであるとの主張がなされている。法制度・政策としては,従来から独禁法理論において用いられている,構造規制・行為規制・成果規制の区別が有益であり,電気通信事業に対する接続規制は,構造規制を基礎とし,これに若干の行為規制で補足するものであり,これに対し,電気事業規制については,欧米と異なって日本では逆に,行為規制を主として組み立てられている。その他,競争の促進と効率性・セキュリティの関係,濫用規制の有効性・妥当性なども,国際比較の中で今後検討すべき論点である本研究組織(「東京経済法研究会」)による本研究は、高度寡占産業における市場支配力が不当に濫用され、競争を制限または阻害し、又は消費者の利益を不当に侵害することを防止できるような規制システムのあり方を検討するものである。研究の具体的な素材としては、情報通信産業を中心にし、本年度も、電気通信事業者、及び規制行政庁・有識者などからヒアリングを行った。これらの市場では、国際的な関係も組み込まれているということから、欧米における電気通信事業産業における本問題への取り組みを現地調査を含め実施し、また、広義の情報産業に属するマイクロソフト社のOSに関する市場支配力の濫用の問題についても、昨年度に引き続き研究対象とした。さらに、前年度までの研究対象であった電気産業についての市場支配力規制問題についても、研究を継続して行った。これらの高度寡占産業においては、従来公益事業規制を受けていた既存事業者や、当該市場において市場支配力を長く保持してきたマイクロソフト社などが、その市場力を背景に新規参入者を排除し、又は取引の相手方に対し不当に不利益な取引条件を押しつけようとする事例が見られ、これは先進諸国でも同様である。法制度・政策の個別論点としては、本年度は、特に「不公正な取引方法」と消費者保護に焦点を当てて、共同研究メンバーによる報告及び識者からのヒアリングと、それらに基づく共同討議を行った。本研究組織(「東京経済法研究会」)による本研究は、市場支配的地位にある企業が存在する市場の実態と、それに対する独禁法及び各産業分野の事業法による規制のあり方を、同様な状況が認められる諸外国との比較研究を含めて調査研究することを目的として行った。情報通信分野を中心としたIT革命が多様な形で、市場競争を国際的規模で、かつ質的にも変化させつつあるという状況の下で、特に競争を制限するような市場支配的地位にある企業の出現、あるいは大企業による市場支配地位の濫用をどのように抑止し、公正かつ自由な競争を維持・促進していくかを検討した。具体的には,独禁法の各規定を上記の実態に照らしてどのように解釈・適用するか、立法論として検討すべきことは何かを対象とし、個別ケースでは、電気通信・電力産業、日米のマイクロソフト事件などを取り上げて検討した。
細胞のキラリティの初代細胞培養系を用いた検出と形成機構の解析

研究代表者は、ショウジョウバエの生体内の細胞がキラリティを示すことを明らかにしていた。しかし、生体内の細胞ではライブイメージング解析が困難であるため、その形成機構は不明である。この問題を解決するため、幼虫のヘモサイトを培養し、中心体の挙動をライブ観察した。その結果、核を中心とする中心体の回転方向を指標として、細胞キラリティを検出することに成功した。本研究の成果を利用することで、今後、細胞キラリティの分子レベルの実態を明らかにできると考えられる。細胞の極性は組織や器官の機能に必要であり、その破綻はヒト疾患の原因となる。研究代表者は、新規な細胞極性として、細胞キラリティ(左右に歪んだ細胞形態がその鏡像と重ならない)の存在を明らかにしている。この発見の発端となったのは、ショウジョウバエ胚の消化管が、上皮細胞の頂端面(内腔側)の形態が左右非対称になることで、左右非対称な形態をとることである。他のグループの研究によって、細胞のキラリティは脊椎動物の培養細胞においても認められることがわかった。しかし、細胞キラリティが形成される機構の関しては、アクチン細胞骨格の構造の関与が示唆されている以外は、ほとんど理解されていない。そこで、本研究では、ショウジョウバエ胚由来の細胞でキラリティを検出し、このシステムを用いて細胞キラリティの形成機構を明らかにすることを目的とする。平成26年度の研究では、ショウジョウバエ蛹の体液から得たヘモサイトを培養し、それが細胞キラリティを示すことを明らかにした。GAL4/UASシステムを用いて、ヘモサイトの中心体をUASp-GFP-centrosomine1、核をUAS-RedStingerを発現させることで可視化して、シャーレの下からのタイムラプス撮影によって中心体と核の位置の関係の経時的変化を計測した。核の中心と中心体を結んだ直線とy軸、中心体を通りy軸と直行する直線をx軸とする、二次元座標を設定した。ヘモサイトを培養し、任意の時間でxy座標を設定し(中心体の位置は(0,0))、1時間後の中心体の位置をzy座標上にプロットした。その結果、中心体は、右上か左下に位置することがわかった。細胞の上下を考慮すると、この中心体の移動パターンはキラリティを示す。本研究によって、ショウジョウバエ培養細胞がキラリティを示すことが初めて明らかになった。この発見の発端となったのは、ショウジョウバエ胚の消化管において、上皮細胞の頂端面(内腔側)の形態が左右非対称になることであった。上皮細胞が頂底極性をもつことを合わせて考えると、この細胞の形態はキラリティ(細胞キラリティ)を示すことになる。そこで、本研究では、遺伝的改変が容易なショウジョウバエに由来する、培養可能な細胞でキラリティを検出し、このシステムを用いて細胞キラリティの形成機構を明らかにすることを目的とする。平成27年度の研究では、平成26年度の研究で見出したショウジョウバエ幼虫のヘモサイトの細胞キラリティの性質について解析した。ヘモサイトの中心体をGFP-centrosomine1、核をRedStingerでそれぞれ標識し、核の中心を回転中心としたときの中心体の移動角度を経時的に計測した。その結果、野生型のヘモサイの中心体は、細胞を下から見て右回りに回転することがわかった。これまでの研究から、ショウジョウバエMyosin31DF(Myo31DF)の突然変異では、色々な器官の左右非対称性と細胞キラリティが鏡像化することがわかっていた。Myo31DF突然変異から得たヘモサイトでは、中心体の回転方向が逆転(左回り)することを明らかにした。本研究によって、ショウジョウバエの細胞キラリティがMyo31DFによって決められていることがわかった。本研究の目的は、ショウジョウバエの培養細胞系で細胞キラリティを検出し、細胞培養系の利点をいかして、細胞キラリティが形成される機構を明らかにすることである。平成26年度の研究では、目的達成のための第一段階として、ショウジョウバエ蛹の体液から得たヘモサイトを培養し、中心体の移動を指標として細胞キラリティを検出することに成功した。さらに、GAL4/UASシステムを用いて、UAS-LifeActをヘモサイトで強制発現させ、これを培養してアクチン細胞骨格をライブで可視化することに成功した。これによって、ヘモサイトにおけるアクチン細胞骨格の動態のキラリティについて、今度検討することが可能となった。

したがって、本年度の主要な目標を達成できたと考えている。一方、当初の計画では、ショウジョウバエ胚由来の初代細胞培養系で細胞キラリティを検出するはずであった。しかし、すでに報告されている、初代細胞培養系を樹立する方法を用いても、効率的に初代培養系を得ることができなかった。同時に実施していた、ヘモサイトを用いる方法によって、細胞キラリティを検出することができたので、初代培養系を用いる方法を中止することとした。当初の計画では、細胞のキラリティを、二つの異なる方法を用いて検出するはずであった。一つは、上で述べたように、中心体の移動を指標とする方法であり、これによって細胞のキラリティを検出することに成功した。二つめは、左右非対称なマイクロ・パターンで、細胞の接着基質を培養皿にコーティングし、接着の選択性を指標に、細胞キラリティを解析する方法である。平成26年度の研究におい二つめの方法も試みた。しかし、ショウジョウバエ細胞が強く接着する基質をコーティングすることが予想以上に困難で、現在、その条件を検討している。細胞生物学平成27年度の研究においては、平成26年度の研究で確立した方法を用いて、細胞キラリティの形成機構を明らかにしていく。研究代表者の研究によって、ショウジョウバエMyosin31DF(Myo31DF)がin vivo細胞キラリティを鏡像化する機能をもっていることが明らかになっている。Myo31DFは、I型ミオシン(ミオシンID)をコードしている。Myo31DF突然変異ホモ接合体では、細胞キラリティが鏡像化していることがわかっている。そこで、その蛹からヘモサイトを得て培養し、すでに確立している、中心体と核の位置を指標とした方法によって、細胞キラキティを調べる。野生型とMyo31DF突然変異ホモ接合体のヘモサイトでは、細胞キラリティが鏡像関係にあると予測される。脊椎動物細胞において、細胞キラリティは、アクチン細胞骨格の構造や移動として検出される。平成26年度の研究によって、ショウジョウバエ蛹から得たヘモサイトのアクチン細胞骨格の挙動を、ライブ観察できるようになった。平成27年度の研究では、統計的手法を用いることで、アクチン細胞骨格の構造、動態のキラリティを検出する試みを行う。研究代表者や、その他のグルーのこれまでの研究によって、細胞キラリティの形成には、正常なアクチン細胞骨格の機能が必要であることがわかっている。GAL4/UASシステムを用いることで、ヘモサイトにおいて、遺伝子強制発現や、RNA干渉法によるノックダウンを容易に行うことができる。RhoファミリーGTPアーゼ、Rock、各種RhoGEFなど、色々なアクチン細胞骨格制御因子をコードする遺伝子の強制発現やノックダウンを行い、ヘモサイトの細胞キラリティへの影響を調べる。これらの結果から、細胞キラリティの形成に必要なアクチン細胞骨格制御系を明らかにしていく計画である。
Si基板上A1Nテンプレートを用いたHVPE法による厚膜GaNバルク結晶の作製

前年度までに、Si基板を用いてGaN厚膜単結晶の成長を試み、200nm程度のAlN中間層を介してHVPEによりGaN結晶成長を行うと、Si基板のメルトバックエッチングを抑制することが可能であることを見出した。その結果100μm以上の厚膜GaNを得ることに成功している。しかしながら長時間成長においては基板界面からGaNへ向かい変質層が確認された。変質層には20%を超えるSiが含まれ、依然として耐性が完全ではなく、ゆっくりではあるがメルトバックエッチングが起きていることが分かった。昨年度は、AlNテンプレートの成長条件の検討しメルトバックエッチングの抑制を図った。今年度この結果を用い、HVPE成長条件及び選択成長改善により更なるメルトバックエッチングの抑制を試みた。成長用基板にはSi(111)を用い、MOVPE法により150nmのAlN上に200nmのGaN薄膜を成長させた。この基板上へSiO_2をマスクとした3/3μmのドットパターンを形成した。この基板をテンプレートとして、HVPE-GaNを成長した。まず、HVPE成長温度を10001100°Cと変化させ成長を行った。1100°Cの場合、マスクの有無に関わらず全面がメルトバックエッチングをおこしていた。成長温度を10251075°C程度の領域では、マスク無ではメルトバックを起こしていたが、マスクが有る場合メルトバックはほとんど起きなかった。1000°Cの場合、どちらの場合もメルトバックエッチングは起こらなかった。これらの結果から、メルトバックの反応は温度に対して非常に敏感であり1000°C付近で急激に抑制できること、選択成長がメルトバック抑制に効果的であることが確認された。以上の実験を踏まえて、厚膜の作製を試みた。選択成長用マスクを施した基板を成長用基板し、1000°Cにて5時間行った。得られた結晶は400μm程度の膜厚があり、基板として利用可能な膜厚を満たしていた。そこで、フッ硝酸にてSiをエッチングすることでGaN自立基板を得ることに成功した。XRDにより(0004)のロッキングカーブを測定した結果、半値幅は390arcsecであり、同時に成長したサファイア基板の240arcsecと比較してもそれほど変わらずC軸配向性は良好であった。本研究ではSi基板のAlN結晶品質、HVPEの成長長条件の改善により初めてSi基板を持ちいてGaN自立基板を作製することを可能とした。Si基板上へのGaN結晶成長において、界面に存在する欠陥に起因するマイクロクラックが存在する。この欠陥のために、Si-Gaの形成が促進され結晶成長中にGaNおよびSi基板が融解することが問題となっており、Si基板を用いたGaN結晶成長の問題である。我々は、MOVPE法を用いSi基板上へAlN薄膜を作製し、HVPE法によるGaN結晶成長を試みている。この結果、AlN層が保護膜として働きGa-Si反応を抑制することが分っているが、完全に融解反応を抑制させるには不十分であった。本研究では、AlNの膜厚を45nm,65nm,190nm,340nmと変化し1050°CにてGaNの結晶成長を行った。AlNの膜厚が増えるにつれて、Si-Ga反応に起因するGaNの融解は劇的に改善され、膜厚190nmの場合、5%程度の領域で融解は存在するもののほぼ均一なGaN結晶が得られた。電子線励起による発光を調べた結果、AlN膜厚の増加に伴い発光強度も増加し、GaNの結晶品質が向上したことが明らかとなった。しかしながら、AlN膜厚が340nmの場合、MOVPE成長後にAlN保護層自体にSi基板との熱膨張係数差によるクラックが生じ、良好な結果を得ることは出来なかった。これらの結果から、AlN厚膜を高品質に作製する必要性があり更なる研究が必要である。次に、AlN膜厚が190nmの場合に、GaNの成長温度を1000°Cに変化しHVPE結晶成長を試みた。1050°Cの場合、わずかにGa-Siの反応がみられたが、1000°Cの場合Ga-Siの反応は全く見られず、基板全面で高品質なGaN単結晶が得られた。成長速度は35μm/hであり、GaNの厚膜化を期待できる結果を得た。前年度Si基板を用いてGaN厚膜単結晶の成長を試みた。その結果200nm以上のAlN中間層を介して成長を行うことで、Si基板のメルトバックエッチングを抑制することが可能であることを見出し100μm以上の厚膜GaNを得ることに成功した。変質層には20%を超えるSiが含まれ、依然として耐性が完全ではなくゆっくりではあるがメルトバックエッチングが起きていることが示唆された。そこで本年度は、AlNテンプレートの成長条件の検討しメルトバックエッチングの抑制を図った。成長用基板にはSi(111)を用い、MOVPE法によりAlNを成長行った後、HVPE反応管に導入しGaNを成長した。まず成長圧力の検討を行った。100torr常圧においてAlN成長を行った結果、300torr以上では3次元的な島状成長をしたのに対し、300torr以下において2次元的なAlN膜が得られ、メルトバックエッチングに対する耐性を向上することが可能であった。

また、V/III比を100から5000と変化した結果、同様にV/III比が小さい場合に良い結果が得られることが分かった。これらの結果から原料のTMAとNH3の中間反応を防ぐことがAlNの結晶性向上において重要であることが明らかとなった。次にAlNの成長温度について検討を行った。AlN成長温度を9001250°Cと変化した場合、900°CにおいてはAlNにクラックが発生した。一方1000°C以上ではAlNの均一な成長が可能であった。均一に成長したAlNテンプレートを用いた場合はHVPE成長においては耐性に明らかな差は認められなかった。以上の結果から、AlNテンプレートの成長条件として、減圧成長、低V/III比、高温成長が必要であることが明らかとなった。このようにして作製したテンプレートを用いた結果、50nmのAlNを用いた場合でもメルトバックエッチングをほぼ抑制可能であった。来年以降この結果を用い、長時間成長を試みる、300μ程度のGaN単結晶の作製を試みる。前年度までに、Si基板を用いてGaN厚膜単結晶の成長を試み、200nm程度のAlN中間層を介してHVPEによりGaN結晶成長を行うと、Si基板のメルトバックエッチングを抑制することが可能であることを見出した。その結果100μm以上の厚膜GaNを得ることに成功している。しかしながら長時間成長においては基板界面からGaNへ向かい変質層が確認された。変質層には20%を超えるSiが含まれ、依然として耐性が完全ではなく、ゆっくりではあるがメルトバックエッチングが起きていることが分かった。昨年度は、AlNテンプレートの成長条件の検討しメルトバックエッチングの抑制を図った。今年度この結果を用い、HVPE成長条件及び選択成長改善により更なるメルトバックエッチングの抑制を試みた。成長用基板にはSi(111)を用い、MOVPE法により150nmのAlN上に200nmのGaN薄膜を成長させた。この基板上へSiO_2をマスクとした3/3μmのドットパターンを形成した。この基板をテンプレートとして、HVPE-GaNを成長した。まず、HVPE成長温度を10001100°Cと変化させ成長を行った。1100°Cの場合、マスクの有無に関わらず全面がメルトバックエッチングをおこしていた。成長温度を10251075°C程度の領域では、マスク無ではメルトバックを起こしていたが、マスクが有る場合メルトバックはほとんど起きなかった。1000°Cの場合、どちらの場合もメルトバックエッチングは起こらなかった。これらの結果から、メルトバックの反応は温度に対して非常に敏感であり1000°C付近で急激に抑制できること、選択成長がメルトバック抑制に効果的であることが確認された。以上の実験を踏まえて、厚膜の作製を試みた。選択成長用マスクを施した基板を成長用基板し、1000°Cにて5時間行った。得られた結晶は400μm程度の膜厚があり、基板として利用可能な膜厚を満たしていた。そこで、フッ硝酸にてSiをエッチングすることでGaN自立基板を得ることに成功した。XRDにより(0004)のロッキングカーブを測定した結果、半値幅は390arcsecであり、同時に成長したサファイア基板の240arcsecと比較してもそれほど変わらずC軸配向性は良好であった。
不育症における自己抗体を介したカリクレイン―キニン系の破綻に関する研究

近年抗リン脂質抗体と血栓症、反復流産との関係が注目を浴びている。抗リン脂質抗体の多くはリン脂質そのものではなく、リン脂質結合蛋白を認識することが明らかになったが、中でも電気的中性のリン脂質であるフォスファチジルエタノールアミン(PE)に対する抗体の事実上の目標抗原としてキニノーゲンが報告されている。キニノーゲンは第XII因子、プレカリクレインと同様、カリクレイン-キニン系の蛋白であり、utero-placental unitに存在して妊娠維持に重要な役割を果たしていることが最近になって明らかになってきた。第XII因子もキニノーゲン同様、カリクレイン-キニン系の一員として凝固線溶系や妊娠維持に重要な役割を演じており、最近第XII因子欠乏と反復流産、血栓症との関係も明らかになりつつある。さらに第XII因子欠乏の原因として第XII因子に対する自己抗体の存在が疑われている。今回我々は、第XII因子欠乏不育症患者について抗第XII因子抗体の存在をWestern blotおよび表面プラズモン共鳴を応用したBiomolecular Interaction Analysisにより検討したところ、第XII因子活性低下不育症患者の中には、抗第XII因子抗体を持つ症例のあることが明らかになった。さらに、ELISAにより患者血清中の抗第XII因子抗体を測定した。第XII因子欠乏不育症患者43人中、23人(53.5%)が抗第XII因子抗体陽性(p<0.001、オッズ比36.8)、第XII因子活性正常不育症患者40人中では、10人(25.0%)が陽性であり(P=0.02、オッズ比10.7)、それぞれ正常対照群(33人中1人陽性)と比較して統計学的に有意に頻度が高かった。以上の結果より、第XII因子に対する自己抗体が不育症患者の第XII活性を低下させており、キニノーゲンを認識する抗PE抗体同様不育症のrisk factorである可能性が示唆された。さらに第XII因子欠乏の原因として第・因子に対する自己抗体の存在が疑われている。今回我々は、第XII因子欠乏不育症患者について抗第XII因子抗体の存在を検討した。当院不育症外来の患者に対して、インフォームドコンセントのもとで第XII因子の活性を第XII因子欠損患者血漿を用いたaPTTにより測定した。さらに、Western blotおよび表面プラズモン共鳴を応用したBiomolecular lnteraction Analysisにより患者血清中の抗第XII因子I抗体を測定した。第XII因子活性低下不育症患者の中には、抗第XII因子抗体を持つ症例のあることが明らかになった。第XII因子に対する自己抗体が、キニノーゲンを認識する抗PE抗体同様不育症のrisk factorである可能性が示唆された。最近第XII因子欠乏と反復流産、血栓症との関係が注目されている。

第XII因子はキニノーゲン、プレカリクレインと同様、カリクレイン-キニン系の蛋白であり、utero-placental unitに存在して血液凝固線溶系や妊娠維持に重要な役割を果たしていることが最近になって明らかになってきた。我々は既に、不育症患者において第XII因子欠乏症が高頻度に存在する事、さらには不育症患者における第XII因子に対する自己抗体の存在を報告した。今回我々は、不育症患者について第XII因子に対する自己抗体の陽性頻度を検討した。当院不育症外来の患者に対して、インフォームドコンセントのもとで第XII因子の活性を第XII因子欠損患者血漿を用いたaPTTにより測定した。さらに、既に確立したELISAにより患者血清中の抗第XII因子抗体を測定した。第XII因子欠乏不育症患者43人中、23人(53.5%)が抗第XII因子抗体陽性(P<0.001、オッズ比36.8)、第XII因子活性正常不育症患者40人中では、10人(25.0%)が陽性であり(P=0.02、オッズ比10.7)、それぞれ正常対照群(33人中1人陽性)と比較して統計学的に有意に頻度が高かった。また、不育症患者において抗第XII因子抗体の存在と第XII因子欠乏の関係は、統計学的に有意であった(P=0.008、オッズ比3.45)。興味深い事に、多くの抗第XII因子抗体はintactの第XII因子ではなく、活性化第XII因子を認識した。以上の結果より、第XII因子に対する自己抗体が不育症患者の第XII活性を低下させており、不育症のrisk factorである可能性が示唆された。