hpprc/llmjp-kaken huggingface dataset:
ヒトセントロメア蛋白質CENP-Aの機能解析

ヒト細胞染色体におけるセントロメア領域の機能が高頻度反復配列(αサテライトDNA)と一連のセントロメア蛋白質(コアヒストン、CENP-A、CENP-B等)との複合体を基礎とする繰返し構造にある可能性を追求している。本研究計画においては特にCENP-Aの機能解析に焦点を絞り解析を行っている。最近CENP-A遺伝子がクローン化されその塩基配列からヒストンH3に類似であることが予想された。我々はHeLa細胞由来ヒストンH2A、H2B、H3、H4およびCENP-Aを高純度に精製しヌクレオソーム構造再構成系を確率し、CENP-AがヒストンH3としてのヌクレオソーム形成活性を持つことを示した(論文準備中)。故にCENP-Aは遺伝子構造及び機能的にセントロメア特異的ヒストンH3であるとう事ができる。出芽酵母の系では染色体の分離分配に必須なヒストンH3類似の遺伝子(CSE4)が単離された。これらの知見はセントロメア領域にセントロメア機能を規定する特異的なヌクレオソーム構造の存在を示唆している。以上の知見を基礎に本年度はDNAと蛋白質との相互作用の観点から解析を行うために必須であるCENP-A抗体の作製を行った。大腸菌を用いた融合蛋白発現系によりCENP-Aタンパク質を発現し精製した。CENP-Aペプチドを数種類マウスマウスに免疫し、そのうちのいくつかがCENP-A抗体を産生することを確認した。今後モノクローン抗体を作製する予定である。
加工環境制御による極限加工システムの開発

本研究では,将来の超精密加工のニーズ,並びに次世代超精密工作機械の構造構成についてより詳細に検討を行い,具体的な加工システムの開発を行った。その結果,(1)加工空間全体を完全閉鎖空間とすること,(2)加工対象に適合した加工雰囲気を創出可能なこと,(3)ナノメートルオーダの超精密ダイヤモンド切削加工を実現可能なこと,(4)コンパクトな工作機械構造を実現すること,等の厳しい条件を合理的に満足することのできる新たなカプセル構造を有する加工環境制御超精密加工システムを構築した。一方,無人化を前提とする次世代超精密加工環境を実現するための熟練技能者の経験と勘を代替可能であると考えられる超精密加工状態認識技術についても検討を行い,新たなセンシング機能を具備した工具・工作物のインタフェース近傍の状態を反映する効率的な情報獲得とそのセンサーフュージョン原理に基づく加工状態の認識方法を提案することができた。ここで提案した認識方法を用いることにより,ダイヤモンド工具の摩耗状態,取り付け状態,切り屑の排出状態,工具欠損等をインプロセス認識可能であることを明らかにした。更に,開発したカプセル構造加工環境制御超精密加工システムの性能を最大限に活用することによって,従来ダイヤモンド切削の観点からほとんど検討が行われていなかった代表的な難削材のひとつであるチタン及びチタン合金を対象に,天然単結晶ダイヤモンド工具を用いた超精密加工について種々の切削条件下で詳細な検討を行った。その結果,チタン及びチタン合金の冷却切削の有効性を明らかにすると共に,超精密加工において積極的な加工環境制御が有効であることについても示唆することができた。平成3年度においては,加工空間全体を完全閉鎖空間とすること,加工対象に適合した加工雰囲気を創成すること,更に,その雰囲気及び環境条件を能動的に制御すること,を満足すると共にナノメ-トルオ-ダの超精密・高能率加工を実現することのできる,加工環境制御による極限加工システムの実現を目的として,具体的構築のための基礎研究を実施した。まず,極限加工の中でも特に重要であると考えられる,チタン合金やセラミックスに代表される難削材の超精密加工を対象に,各種の加工物の物性と現時点において最適と考えられている具体的な加工方法について調査,分析し,それらの結果を体系化した。その結果,加工環境制御という観点からの検討は何等行なわれていないことが明らかになった。加工環境制御を実現する上で必要となる,人間の感覚機能及び神経系を合理的に実現すると共に代替可能であると考えられる,加工状態のインプロセス認識方法について調査分析及び具体的な検討を行なった。その結果,現時点において超精密加工において実用に供することのできるセンシングメカニズムは皆無に等しいことが明らかになったため,新たなセンシング機能について検討を行なった結果,加工点近傍の熱流束のモニタリングが超精密加工におけるダイヤモンド工具の微小摩耗,微細な切り屑の排出状態,微小な工作物取り付け状態の変化,微小な工具折損等の状態認識において有効な認識方法であることが実際の超精密切削加工実験により明らかになった。更に,具体的な加工環境制御システムの構成について構造設計面から検討を行なった結果,新たな閉鎖形カプセル構造工作機械の構造概念と具体的設計案を完成することができた。その結果,次年度に開発する加工環境制御極限加工システムの具体的構築のための基礎が確立された。前年度迄に得られた研究成果を基に平成4年度においては,将来の超精密加工のニーズ及び次世代超精密工作機械の構造構成についてより詳細に検討を行い,具体的な加工システムの開発を行った.その結果,(1)加工空間全体を完全閉鎖空間とすること,(2)加工対象に適合した加工雰囲気を創出可能なこと,(3)ナノメートルオーダの超精密ダイヤモンド切削加工を実現可能なこと,(4)コンパクトな工作機械構造を実現すること,等の厳しい条件を合理的に満足することのできる新たなカプセル構造を有する加工環境制御超精密加工システムを構築することができた.

一方,無人化を前提とする次世代超精密加工環境を実現するための熟練技能者の経験と勘を代替可能であると考えられる超精密加工状態認識技術について検討を行い,新たなセンシング機能を具備した工具・工作物のインタフェース近傍の状態を反映する効率的な情報獲得とそのセンサーフュージョン原理に基づく加工状態の認識方法を提案することができた.ここで提案した認識方法を用いることにより,ダイヤモンド工具の摩耗状態,取り付け状態,切り屑の排出状態,工具欠損等をインプロセス認識可能であることを明らかにした.更に,開発したカプセル構造加工環境制御超精密加工システムの性能を最大限に活用することによって,従来ダイヤモンド切削の観点からほとんど検討が行われていなかった代表的な難削材のひとつであるチタン及びチタン合金を対象に,天然単結晶ダイヤモンど工具を用いた超精密加工について種々の切削条件下で詳細な検討を行った.その結果,チタン及びチタン合金の冷却切削の有効性を明らかにすると共に,超精密加工において積極的な加工環境制御が有効であることを示像することができた.
超小型電源の実現に向けた腸管内微小階層構造を模した新規バイオ有機電子素子の開発

バイオ燃料電池の小型化にともない限定される電極上の空間の効率的な利用を目指し,酵素電極への微小構造の付与を行った。酵素固定化担体には電解重合により作製したポリチオフェン誘導体膜を用いた。膜の作製条件の検討により,ナノ繊維から形成された粒状構造やサブミクロンサイズの絨毛状構造,ナノ繊維の網目状構造の作製に成功した。ナノ構造の付与による表面積の拡大およびマイクロ構造が担う反応物質の効率的な拡散が酵素触媒電流の増大には重要であった。平成28年度は,微小階層構造を付与した酵素電極の作製および単槽型バイオ燃料電池の基礎検討を行った。(1)繊維状構造を有する酵素電極の作製と評価:ポリチオフェン誘導体の電解重合条件(重合溶媒,重合電圧およびモノマー濃度)を検討し,これまで重合時の通過電荷量を大きくすることでのみ得られていた直径50-100 nmの繊維状構造が重合電圧を3.0 Vまで上昇させることにより短時間で形成できることがわかった。また,各条件で作製した膜を用いて酵素電極の性能評価から,繊維状構造の付与が酵素触媒電流を増大することがわかった。さらに超高分解能電界放射型電子顕微鏡による重合膜の観察により,これまで塊状であると認識していた構造体が直径20 nm程度のナノ繊維で形成されていることが新たにわかった。(2)単槽型バイオ燃料電池の基本情報の取得:微小階層構造を付与していない酵素電極を用いて単槽型バイオ燃料電池の構成の検討およびその性能評価を行った。燃料酸化極には果糖脱水素酵素を固定したポリアニリンもしくはポリチオフェン誘導体膜を用いた。いずれもナノ繊維状の微細構造を有しているが階層構造は形成していない。酸素還元極にはラッカーゼを固定した同様のポリチオフェン誘導体膜を用いた。これらの電極を用いて単槽型バイオ燃料電池の性能評価を行い,果糖を燃料として出力を得ることに成功した。また,得られた知見をもとに,次年度に作製を開始する計画であった電池セルの設計・作製を開始した。(3)テンプレートを利用した多孔質電極の作製:電子顕微鏡観察の結果から,ポリスチレン球によるオパール状構造およびそれをテンプレートとしたポリチオフェン誘導体膜の多孔構造が形成できることを確認した。また,それを用いて酵素電極を作製し,酵素触媒電流が得られることを確認した。使用する物品の入手時期の都合により,当初の計画とは着手する順序が異なってしまったものの,研究の効率的な進行を目指し,次年度に取り組む計画であった課題(単槽型バイオ燃料電池に関する基本情報の取得)を前倒しすることで,全体として滞りなく研究は進行している。H29年度はポリスチレン(PS)粒子をテンプレートとして用いた多孔構造を持つ導電性高分子膜の作製およびそれらを用いた酵素電極について検討を行った。(1) PS粒子を用いた微細構造の付与:PS粒子をキャストした電極を用いてポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)(PEDOT)膜を形成した結果,粒子の隙間がPEDOTにより埋まり,六角形が隙間なく敷き詰められた構造が得られた。しかしながら,PEDOTによりPS粒子を完全に被覆した場合,その後の粒子の溶解が困難であった。そのため,電極上に単層で粒子を敷き詰め,電極面から粒子の半径程度の厚さまでPEDOT膜を形成することとした。この手法により形成された膜は使用したPS粒子の直径程度の開口部および半径程度の高さの半球状のくぼみを敷き詰めた形状となった。この結果は,形状に乱れが見られたが,粒径が1 μmの粒子を用いた場合にも同様に得られた。(2) PS粒子を用いて微細構造を付与した酵素電極の性能評価:PS粒子を用いて微細構造を付与した膜を用いて作製した酵素固定化電極により生成される酵素触媒電流は,粒径が5 μmのPS粒子を使用した場合,使用しない場合と比較して1.3倍程度に増加した。単純に半球状の構造が付与されたと考えただけでも表面積は平滑な場合と比較して2倍であり,実際の表面積差はさらに大きくなるはずである。それにもかかわらず,電流増加量が1.3倍程度であった理由は,粒子を使用しないで作製したPEDOT膜も多孔構造を示すため,面積増加の利得の割合が小さくなったためと考えられる。また,粒径1 μmのPS粒子を使用した場合には,膜質の低下が原因となり,酵素触媒電流は粒子を使用しない場合と比較して1/6程度に低下した。本研究課題の主題となる微小階層構造の形成に関しては,一階層目の形成および電極として機能することを確認しており,引き続き細孔のサイズの調整と細孔サイズの影響を比較しやすい膜の形成条件を明らかにすることに取り組む。また,電子顕微鏡観察により得られた新たな知見から,階層構造の形成に当初計画していた二段階電解重合が必要ない(一段階で形成可能である)可能性が示唆されたため,本研究に適用可能であるか検討する。

バイオ燃料電池の評価に係る基礎データはすでに取得済みであるため,酵素電極として性能が確認され次第,電池性能の評価を行い,微小階層構造の付与の効果について検討する。生物電気化学
4配位平面形フタロシアニン鉄錯体における結合性。メスバウア分光による置換基効果の研究

〔目的〕ヘム蛋白のモデル錯体として、アザポルフィリンであるフタロシアニン誘導体の鉄錯体について電子状態を調べた。平面配位子と鉄との間の固有の結合性について研究するために、6配位八面体形鉄錯体ではなく、4配位平面形錯体を扱う。メスバウアスペクトルの異性体シフトδおよび四極子分裂△Ε_Qから、配位子と鉄原子との間のσおよびπ結合性を表わすパラメタΣおよびΠを決める。〔方法〕1.右上に示す構造図のR_1R_4で種々の書換基をもつ、フタロシアニンの4配位平面形、中間スピン鉄(II)錯体を合成した。2これらの錯体のメスバウアスペクトルを、室温、液体窒素温度および液体ヘリウム温度で測定した。3液体ヘリウム温度(基底電子状態)における異性体シフトδおよび四極子分裂△Ε_Qから、平面配位子(フタロシアニン誘導体)のσおよびπ結合性を表わすパラメタΣおよびΠを決めた。〔結果・考察〕ΣおよびΠはそれぞれ配位子のσおよびπ結合性の尺度で、電子供与/受容性が大きい/小さいほど大きい。既に考えついていた方法で、これらのパラメタを決めると、図のようになった。114は異なる錯体に付けた番号、Σσはハメットの置換基定数の和で、三角がΣ、菱形がΠに対応する。この結果は、置換基の誘起および共役効果を表わしているものと解釈できる。
有機金属気相成長法による1.3μm帯面発光レーザの実現

波長131.5μm帯のGaInNAs面発光レーザが,高速・低消費電力動作,シリカファイバへの整合性,大規模アレー動作,優れた生産性などの卓抜した利点から強く期待されている.本研究は,その重要性を確信し,「波長1.3μm帯面発光レーザのためのMOCVD法によるGaInNAsレーザの確立」を目的に遂行した.GaInNAsでは結晶の高い非混和性が知られている.これに伴う相分離の抑制が高品質結晶を制作する上での課題と考え,表面マイグレーション制御の観点から成長温度,V/III比,成長速度について検討した.低温,高As/III比のとき高効率発光することを実験的に明らかにした.表面マイグレーションの低減が相分離を弱め,発光特性の改善に寄与した可能性があることを指摘した.量子構造ポテンシャルを制御して,N組成を提言する構造を検討した.GaInNAs量子井戸の両側へのGaInAsおよびGaInNAs中間層の挿入を提案した.これらの中間層により,井戸の量子化エネルギーを低減して発光波長が長くなることを実証し,また,中間層構造が発光効率を高める上で有効であることを示した.端面出射形レーザを製作し,特性を評価した.N組成を01.3%に変えたレーザにおいて,波長1.161.34μmで発振を得た.製作したデバイスのしきい値電流密度は0.130.9kA/cm^2であった.これらの値は,従来型のレーザと同等の水準であるとともに,面発光レーザに十分に適応可能な水準である.以上より,MOCVD法で製作したGaInNAs材料が面発光レーザに十分適応可能であることを示した.本研究の目的である,有機金属気相成長法による1.3μm帯GalnNAs面発光レーザ実現に重要な結晶品質をさらに増すために,歪補償について検討した.現在GaInNAs量子井戸を23%の高歪条件で製作しており,歪補償構造により結晶品質を向上できる可能性がある.また,量子井戸活性層数を増し,デバイス設計の自由度を広げることも期待できる.圧縮歪GalnNAs量子井戸を歪補償するためには,GaAs基板に対し伸張歪となる材料が必要となる.補償層材料として,GaAsP, GaInP, GaNAsなどが候補として挙げられる.今回は,組成,界面制御が比較的容易で高品質な膜が期待できるGaAsPについて検討した.発光は,歪補償量を増すと強くなった.一方GaInNAsとGaAsPが接すると(GaAs層が間にないと)発光が得られなかった.リアクタに残留したPが影響したと考えられ,GaInNAs/GaAsP歪補償量子井戸においては,フローシーケンス制御が重要である.PL強度はP組成を増して歪補償量を増やすと共に強くなった.P組成最大の23%のとき,残留歪はおよそ1.3%である.つぎに,歪補償による量子井戸数の増加について検討した.井戸数を19に変えた試料を成長し,歪補償有りと無しでPL強度を比較した.井戸層の歪量は2.3%である.歪補償無しの井戸では井戸数を1から3に増すとPL強度は大きく低下した.一方歪補償有りでは,無しにくらべ井戸数を増した際の強度の低下が小さく,井戸数5までは無しよりも2倍程度強い発光が得られた.井戸数を9に増やしたところ,歪補償有りの井戸からの発光も,無しと同程度となった.井戸数5程度までの,歪補償によるGaInNAs多重量子井戸高品質化の可能性を示した.波長131.5μm帯のGaInNAs面発光レーザが,高速・低消費電力動作,シリカファイバへの整合性,大規模アレー動作,優れた生産性などの卓抜した利点から強く期待されている.本研究は,その重要性を確信し,「波長1.3μm帯面発光レーザのためのMOCVD法によるGaInNAsレーザの確立」を目的に遂行した.GaInNAsでは結晶の高い非混和性が知られている.これに伴う相分離の抑制が高品質結晶を制作する上での課題と考え,表面マイグレーション制御の観点から成長温度,V/III比,成長速度について検討した.低温,高As/III比のとき高効率発光することを実験的に明らかにした.表面マイグレーションの低減が相分離を弱め,発光特性の改善に寄与した可能性があることを指摘した.量子構造ポテンシャルを制御して,N組成を提言する構造を検討した.GaInNAs量子井戸の両側へのGaInAsおよびGaInNAs中間層の挿入を提案した.これらの中間層により,井戸の量子化エネルギーを低減して発光波長が長くなることを実証し,また,中間層構造が発光効率を高める上で有効であることを示した.端面出射形レーザを製作し,特性を評価した.N組成を01.3%に変えたレーザにおいて,波長1.161.34μmで発振を得た.製作したデバイスのしきい値電流密度は0.130.9kA/cm^2であった.これらの値は,従来型のレーザと同等の水準であるとともに,面発光レーザに十分に適応可能な水準である.以上より,MOCVD法で製作したGaInNAs材料が面発光レーザに十分適応可能であることを示した.
X線励起電流測定による大気中での表面分析

本研究では以下の3つの課題に取り組んだ。2)、3)は大気中におけるX線励起電流の機構を明らかにするためであり、実験結果を基に電流強度の理論的解釈、分析深さについての検討を行った。1)X線励起電流測定用、試料ホルダーの作成2)X線励起電流の気圧依存性測定大気圧から0.1torr程度までの真空を実現できるチャンバー(既存)を利用して、X線励起電流の気圧依存性を測定した。3)X線または印加電圧の変調によるキャリアの移動度評価チョッパーによる入射X線の強度変調を行い、2位相ロックインアンプを用いてX線励起電流の応答を調べる。変調に対して電流が追従できなくなる周波数、位相遅れからキャリアの移動度、質量の評価を行った。これらの結果をもとにSi表面に蒸着した金薄膜についてX線励起電流検出のXAFS測定を行い、その有用性を確認した。
自己組織化量子ドットの全体配列化メカニズムと電子物性

将来のナノエレクトロニクスデバイスにおいて、高密度でサイズが均一な量子ドットが必要とされている。GaAs高指数面基板上のInGaAs量子ドットは、整列性、均一性に優れた自己組織化過程を経て形成される。このとき、InGaAsドット表面は相分離によりInAs-richになっていることを明らかにし、ドット間には斥力が働くことでドット同士の合体が抑制され、また高密度化することが分かった。次に、GaAs(311)B基板上のIn_<0.4>Ga_<0.6>Asドット群の中で、円対称性に優れた単一ドットの量子エネルギー状態を低温プローブ顕微鏡を用いて調べた。InGaAs/GaAs自己組織化量子ドットの場合、ドット層の上に薄いスペーサ層を介して次のドット層を成長させると、下層のドットの直上に次のドットが形成される性質に着目して、最表面のドット層をナノマーカーおよびナノエミッタとして用い、探針プローブからトンネル障壁層のスペーサ層を介して、直下に埋め込まれた単一ドットに電子を理想的には一つずつ注入することを試みた。任意に選択した単一ドットに対して制御性良く単電子の注入ができるように装置の改良を行った結果、量子ドットの人工原子的な振る舞いを精度よく測定できるようになり、特有の殻構造が形成されることを明らかにした。さらに、隣接したドット間に弱く結合が生じている場合は、ドット間のトンネル障壁層中にまで電子の波動関数がしみだしているため、電流が流れやすい状態になっており、人工分子的性質が期待できることを明らかにした。以上のことはまた量子ビットなどへの応用が期待される。GaAs(311)B基板上の量子ドット群は、(001)面上のドットと比べて整列性、均一性に優れ、高密度に自己組織化成長する。またドット列の全体配列化が生じる。本年度は、導電性プローブ法等を用いてドット表面の状態について評価し、次に量子ドット内に形成される量子準位を介した電子のトンネル物性について研究した。(001)基板上のドット表面の場合、その形状像および電流像から、ドット上では同じような電流電圧特性を示すが、ウェット層ではほとんど電流が流れない。これは、ドットの上部はInGaAsで覆われているためその特性が見られるが、ウェット層では下地のGaAs層の影響が強く現れているためである。一方、GaAs(311)B基板上に成長させた量子ドットの場合、基板全体にわたってほぼ均一に電流が流れることが分かった。したがって(311)B基板上に高密度に形成されたドット表面では、表面ポテンシャルがどの位置においてもほぼ同じになっている。次に、GaAs(311)B基板上In_<0.4>Ga_<0.6>Asドット群の中で、クリーンでかつ対称性に優れた単一ドットの量子準位とそのトンネル特性を調べた。InGaAs/GaAs自己組織化ドットの場合、ドット層の上に薄いスペーサ層を介して次のドット層を成長させると、下層のドットの直上に次のドットが形成される。また相分離によりInAs-richになっているドット表面とプローブ間のショットキー障壁は小さく、オーミック接触が容易に形成されやすくなっているため、コンタクトモードの測定では、印加バイアスにより試料内部のポテンシャル変調が可能である。このように最表面のドット層をナノマーカーおよびナノエミッタとして用いることで、探針からトンネル障壁層のスペーサ層を介して、直下に埋め込まれた単一ドットに少数電子の注入することができる。その結果、単一ドットが人工原子的な振る舞いを示し、ドットの電子状態として殻構造を成していることを明らかにした。GaAs(311)B基板上の量子ドット群は、整列性、均一性に優れ、また高密度に自己組織化成長する。本年度は、GaAs(311)B基板上In_<0.4>Ga_<0.6>Asドット群の中で、クリーンでかつ対称性に優れた単一ドットの量子エネルギー状態とそのトンネル特性を調べた。InGaAs/GaAs

自己組織化ドットの場合、ドット層の上に薄いスペーサを介して次のドット層を成長させると、下層のドットの直上に次のドットが形成される。また相分離によりInAs-richになっているドット表面とプローブ間のショットキー障壁は小さく、オーミック接触が容易に形成されやすくなっているため、コンタクトモードの測定では、印加バイアスにより試料内部のポテンシャル変調が可能である。このように最表面のドット層をナノマーカーおよびナノエミッタとして用いることで、探針からトンネル障壁層のスペーサ層を介して、直下に埋め込まれた単一ドットに少数電子の注入することができる。このような状態を利用して、任意に選択した単一ドットに対して一つずつ電子を入れていったところ、量子ドットが人工原子的な振る舞いを示し、ドットの電子状態として殻構造を成していることを明らかにした。さらに、隣接したドットが弱く結合している場合は、ドット間のトンネル障壁層中にまで電子の波動関数がしみ込んでいるため、電流が流れやすい状態になっていることを明らかにした。将来のナノエレクトロニクスデバイスにおいて、高密度のサイズが均一な量子ドットが必要とされているGaAs高指数面基板上のInGaAs量子ドットは、整列性、均一性に優れた自己組織化過程を経て形成される。このとき、InGaAsドット表面は相分離によりInAs-richになっていることを明らかにし、ドット間には斥力が働くことでドット同士の合体が抑制され、また高密度化することが分かった。次に、前年度に引き続きGaAs(311)B基板上のIn_<0.4>Ga_<0.6>Asドット群の中で,円対称性に優れた単一ドットの量子エネルギー状態を低温プローブ顕微鏡を用いて調べた。InGaAs/GaAs自己組織化量子ドットの場合,ドット層の上に薄いスペーサ層を介して次のドット層を成長させると,下層のドットの直上に次のドットが形成される性質に着目して,最表面のドット層をナノマーカーおよびナノエミッタとして用い,探針プローブからトンネル障壁層のスペーサ層を介して,直下に埋め込まれた単一ドットに電子を理想的には一つずつ注入することを試みた。当該年度はまず測定環境の改良を行い,任意に選択した単一ドットに対して制御性良く単電子の注入ができるようにした。量子ドットの人工原子的な振る舞いを精度よく測定することを可能とし,特有の殻構造が形成されることを明らかにした。さらに,隣接したドット間に弱く結合が生じている場合は,ドット間のトンネル障壁層中にまで電子の波動関数がしみだしているため,電流が流れやすい状態になっており,人工分子的性質が期待できることを明らかにした。このことはまた量子ビットなどへの応用が期待される。
携帯型口内法X線装置等における放射線防護体系構築に資する研究

携帯型口内法X線装置の取扱いに対しては近年ガイドラインがとりまとめられており、本ガイドラインには安全利用の為の放射線防護に係る項目が挙げられている。しかし、これらの項目を遵守することによりどの程度放射線量が低減されるのかが不明であるため、各医療機関等が本ガイドラインに沿ったそれぞれの使用状況に応じた適切な放射線防護体系を構築しにくい現状となっている。そこで本研究では各項目における放射線減弱効果を解明し、総覧的にまとめて広く公表することにより、各医療機関が携帯型口内法X線装置に対する放射線防護体系を簡便に構築し、当該装置をガイドラインに沿って安全に利用できるようになることを目的としている。
全ゲノムシークエンス法による放射線のマウス精原細胞に及ぼす遺伝的影響評価

生殖細胞への放射線照射がゲノムワイドにどのような影響があるかを知ることは重要である。しかしながら、放射線の遺伝影響についてゲノムワイドに調べた解析は限られている。我々は、父親への被曝による放射線の影響を調べるために、父親マウス(精原細胞)への放射線照射後に産まれたF1マウスについての全ゲノムシーケンス法による検討を行った。新規に生じたSNV変異、indel変異、multisite変異の数を照射前に産まれたF1と照射後に産まれたF1で比較した。新規indel変異の数は照射後に産まれたF1で増加していた。精原細胞への放射線照射により、indel型変異が生じる頻度が上昇することが示唆された。ヒトにおける放射線の遺伝的影響の評価は、その多くをマウスの特定遺伝子座テスト(SLT)に負っている。これは7遺伝子座に関するもので、遺伝子間の感受性差が大きいため、ゲノム全体の感受性に関しては未解明である。個体当たり1,000部位における変異検出を行う2次元電気泳動法により、4Gy照射された精原細胞に由来する500匹のマウスF1の中に検出された欠失変異はわずか5個であった。これはSLTの結果から推定される頻度より1桁低い。210万プローブから成るアレイ(プローブ間隔は平均1kb)を用いたCGH法を用いて同様の検索を行ったが、上記のF1マウス100匹中に5個の欠失変異しか検出されなかった。これはSLTの結果から推定される頻度よりも2桁以上低い。これらの食い違いは、感受性の低い遺伝子では塩基置換や数10bpレベルの欠失が多いためかも知れない。本研究では、原爆被爆者における男性被曝のモデルとして上記の研究で用いた、精原細胞への4Gyガンマ線照射後に産まれたF1マウスについての全ゲノムシークエンスを行い、塩基置換や小さなサイズの欠失などのF1に生じた新規突然変異について検討することを目的とした。雄のC57BL/6マウスへ4Gyのガンマ線を照射する前に雌マウスC3Hと交配させて産まれたF1マウス6匹と雄マウスに照射8週後に別の雌マウスC3Hとの交配に産まれたF1マウス6匹、ならびに父マウス1匹と母マウス2匹の合計15匹について150bpのペアエンド法による全ゲノムシークエンスを実施した。得られたデータを、産業技術総合研究所との共同研究により、国立遺伝学研究所のスーパーコンピューターを利用して解析を行った。父マウスと母マウスには検出されず、F1マウスにのみ検出される塩基置換と欠失・挿入の突然変異候補を複数得た。今後は、突然変異候補についてのサンガー法による検証を行っていく。雄のC57BL/6マウスへ4Gyのガンマ線を照射する前に雌マウスC3Hと交配させて産まれたF1マウス6匹と雄マウスに照射8週後に別の雌マウスC3Hとの交配に産まれたF1マウス6匹、ならびに親マウス(父マウス1匹と母マウス2匹)の合計15匹について150bpのペアエンド法による全ゲノムシークエンスを実施した。得られたシークエンスデータを、産業技術総合研究所との共同研究により、国立遺伝学研究所のスーパーコンピューターシステムを利用することで解析した。個体当たり210万部位を解析できるアレイ(プローブ間隔は平均1kb)を用いたCGH法により4Gy照射された精原細胞に由来するF1に生じた突然変異の検索を行ったが、照射群のF1マウス100匹中に5個、対照群に1個の欠失変異しか検出されなかった。この食い違いは、塩基対置換や数10bpレベルの欠失が多いためかも知れない。本研究では、原爆被爆者における男性被曝のモデルとして上記の研究で用いた、精原細胞への4Gyガンマ線照射後に産まれたF1マウスについての全ゲノムシークエンスを行い、塩基置換や小さなサイズの欠失などの突然変異について検討することを目的とした。得られたシークエンスデータを、産業技術総合研究所との共同研究により、国立遺伝学研究所のスーパーコンピューターシステムを利用して解析を行った。両親ならびに他の兄弟マウスには検出されず、個別のF1マウスにのみ検出される塩基置換型と欠失・挿入型の突然変異候補を複数得た。欠失・挿入型の変異についてサンガー法による検証を行い、照射後に産まれたF1マウスにおいて照射前のF1マウスよりもこれらの変異が増加していることを確認した。

雄のC57BL/6マウスへ4Gyのガンマ線を照射する前に雌マウスC3Hと交配させて産まれたF1マウス6匹と雄マウスに照射8週後に別の雌マウスC3Hとの交配により産まれたF1マウス6匹(これにより、精原細胞の時期に照射された細胞由来のF1を検査していることになる)、ならびに親マウス(父マウス1匹と母マウス2匹)の合計15匹について150bpのペアエンド法による全ゲノムシークエンスを実施した。得られたシークエンスデータを、産業技術総合研究所との共同研究により、国立遺伝学研究所のスーパーコンピューターシステムを利用することで解析した。両親ならびに他の兄弟マウスには検出されず、個別のF1マウスにのみ検出される塩基置換型と欠失・挿入型の突然変異候補を複数得た。欠失・挿入型の変異についてサンガー法による検証を行い、照射後に産まれたF1マウスにおいて照射前のF1マウスよりもこれらの変異が増加していることを確認した。放射線の遺伝的影響の評価は、その多くをマウスの特定遺伝子座テスト(SLT)に負っている。これは7遺伝子座に関するもので、遺伝子間の感受性差が大きく、ゲノム全体の感受性に関しては未解明である。個体当たり210万部位を解析できるCGH法により4Gy照射された精原細胞に由来するF1に生じた突然変異の検索を行ったが、照射群のF1マウス100匹中に5個、対照群に1個の欠失変異しか検出されなかった。これはSLTの結果から推定される頻度よりも2桁以上低い。この食い違いは、塩基対置換や数10bpレベルの欠失が多いためかも知れない。本研究では、原爆被爆者における男性被曝のモデルとして、精原細胞への放射線照射後に産まれたF1マウスについての全ゲノムシークエンスを行い、塩基置換や小さなサイズの欠失などの突然変異について検討することを目的とした。雄のC57BL/6マウスへ4Gyのガンマ線を照射する前に雌C3Hマウスと交配させて産まれたF1と雄マウスに照射後に別の雌マウスC3Hとの交配に産まれたF1について全ゲノムシークエンスを実施した。両親にはなく、F1にのみ検出される数bp10数bpの欠失・挿入型の突然変異が、照射前のF1で合計40個、照射後のF1で合計95個得られた。これらのうち、44個をサンガー法により確認したところ、全て親にはなく、F1にのみ確認される変異であった。これらの欠失・挿入のうち、同じ塩基が繰り返し存在する領域(シンプルリピート領域)以外の領域に存在する欠失・挿入では、照射後のF1で照射前のF1の5倍以上に変異の数が増加する傾向が見られた。この増加分には照射前の交配と照射後の交配の間の期間による加齢の影響が含まれるけれども、ヒトで知られている欠失・挿入型変異の加齢の影響を考慮に入れても、加齢の寄与は大きくないと考えられ、放射線の影響による増加が観察されているものと思われる。生殖細胞への放射線照射がゲノムワイドにどのような影響があるかを知ることは重要である。しかしながら、放射線の遺伝影響についてゲノムワイドに調べた解析は限られている。我々は、父親への被曝による放射線の影響を調べるために、父親マウス(精原細胞)への放射線照射後に産まれたF1マウスについての全ゲノムシーケンス法による検討を行った。新規に生じたSNV変異、indel変異、multisite変異の数を照射前に産まれたF1と照射後に産まれたF1で比較した。新規indel変異の数は照射後に産まれたF1で増加していた。精原細胞への放射線照射により、indel型変異が生じる頻度が上昇することが示唆された。父マウスと母マウスには検出されず、F1マウスにのみ検出される突然変異候補について、サンガー法による検証を行っていく。
植物の背丈伸長を制御するペプチドリガンド－受容体ペアのシグナル伝達と特異性の解析

本研究の目的は、分子発生遺伝学手法とペプチド合成技術を用いて、EPFファミリーペプチドホルモンとERECTAファミリー受容体の、植物の発生と成長への役割と作用機序に迫ることである。研究期間を通じ、プロモータースワップ法とペプチド合成によるシロイヌナズナEPF/EPFLファミリー間の機能相補性と特異性の解析を試みた。さらには、EPFL2は、ERECTAファミリー受容体に直接結合するリガンドとして働き、植物ホルモンオーキシンとのフィードバック介して葉の鋸歯形成を制御することを明らかにした。さらに、ERECTAファミリー受容体は、植物の木質バイオマス生産のタイミングを調節することを示した。プロモータースワップによるEPFファミリーペプチドの機能解析シロイヌナズナゲノムには11のEPF/EPFLファミリー遺伝子が存在することがわかっている。これら11種類のメンバーの、(1)気孔のパターン形成;(2)背丈の伸長へ及ぼす効果を総合的に解析した。そのため、全EPFペプチド遺伝子を、気孔系譜および、茎の内皮で発現させたプロモータースワップコンストラクトを22種類作成し、シロイヌナズナepf2突然変異体(気孔系譜が過剰にできる変異体)およびepfl4 epfl6二重突然変異体(背丈が短くなる変異体)へ導入した。その結果、EPF/EPFLファミリー遺伝子は、どの遺伝子でも大小の差はあれ、EPFL4/6の機能を一部相補することが示された。EPFL7では、背丈が野生型以上に高くなるという予備データが出ており、このペプチドは活性がより高い可能性がある。現在、各EPF/EPFL遺伝子の気孔系譜を抑制する活性に関して解析中である。EPFファミリー遺伝子の発現部位と機能の解析EPF/EPF-LIKEペプチドファミリーのうち、5つの遺伝子の機能はまだ解っていない。本年度は、それら5つのプロモーターの制御下でレポーターGUS遺伝子を発現させた形質転換体における発現部位の解析を行なった。その結果、茎頂分裂組織で強く発現するもの、維管束に特異的に発現するものなどが見出され、EPF/EPFLペプチドは、幅広い器官・組織で発生と形態形成に関わるシグナルとして機能することが示唆された。多細胞体の発生と分化は細胞間の密なコミュニケーションを介して起こる。特に、高等植物の細胞は細胞壁に囲まれており、自在に移動・変形することが出来ない。そのため、発生途中の細胞群が情報因子をやりとりし適切なタイミングで異なる組織へと分化していくことが重要である。近年、植物の発生におけるペプチドホルモン因子の重要性がクローズアップされてきた。シロイヌナズナEPIDERMALPATTERNINGFACTOR (PEF)/EPF-LIKE (EPFL)ペプチドファミリーの各メンバーは、広く発現するERECTA受容体を介して、表皮における気孔系譜と隣接細胞との協調による気孔の密度と分布の制御、そして内皮と篩部とのコミュニケーションによる背丈の伸長という、どちらも植物の生長と生存に必須な発生現象を担うことが解ってきた。これら2つの発生現象におけるリガンド-受容体ペアの生体内での特異性を明らかにするため、ペアの組み合わせを変えて内皮ー篩部に発現させ効果を調べている。また、申請者が所属する名古屋大ITbMの強みであるペプチドライゲーションの最先端技術を駆使して、無数のEPF様キメラペプチドを合成し、背丈伸長と気孔発生に異なった活性を有するペプチドを同定する。さらには質量分析を用いて、ERECTA受容体のin vivoでのリン酸化部位の同定および(以前からERECTA受容体と複合体を作り気孔の発生を調節することが知られているTMMとBAK1/SERKs以外の)受容体候補を同定した。本研究はおおむね順調に進行しているが、もう少し進展が期待されるべきだと思う。所属機関(WPI-ITbM)おいて期待されている有力な外国人博士研究員の採用に苦戦していることが理由としてあげられる。H27年度の間に一連のプロモータースワップ実験のための形質転換植物の作成が完了した。中でも、EPFLペプチドファミリーメンバーの新しい機能を発見したことは言及に値する。また、共同研究を通してプロテオミクスのデータも出そろってきたため、その解析から最終年度への成果につなげたい。シロイヌナズナEPIDERMALPATTERNINGFACTOR (PEF)/EPF-LIKE (EPFL)ペプチドファミリーの各メンバーは、背丈の伸長や気孔の分化という異なる発生現象を、同一の受容体を介して制御する。では一体、植物体内を交叉する複数の類似シグナルは、同一受容体によってどのように選別・認識されているのだろうか。本研究では、生化学、分子発生遺伝学、ペプチド合成技術を用いて、EPFファミリーペプチドホルモンとERECTAファミリー受容体の機能を明らかにし、リガンドー受容体ペアの細胞組織特異的な作用機作に迫る。研究期間を通じ、プロモータースワップ法によるシロイヌナズナEPF/EPFLファミリー間の機能相補性および特異性の解析を行った。さらには、機能未知であったEPFLファミリーメンバーのうち、EPFL2は、葉のギザギザ(鋸歯)の形成に必要なペプチドホルモンであることを明らかにした。シロイヌナズナには11のEPF/EPFLペプチドホルモンが存在する。

機能未知なものに関しては、ゲノム編集法によるノックアウト変異体の作成を試みた。本研究の目的は、分子発生遺伝学手法とペプチド合成技術を用いて、EPFファミリーペプチドホルモンとERECTAファミリー受容体の、植物の発生と成長への役割と作用機序に迫ることである。研究期間を通じ、プロモータースワップ法とペプチド合成によるシロイヌナズナEPF/EPFLファミリー間の機能相補性と特異性の解析を試みた。さらには、EPFL2は、ERECTAファミリー受容体に直接結合するリガンドとして働き、植物ホルモンオーキシンとのフィードバック介して葉の鋸歯形成を制御することを明らかにした。さらに、ERECTAファミリー受容体は、植物の木質バイオマス生産のタイミングを調節することを示した。WPIの研究組織である本研究所(ITbM)では、一定数の外国人ポスドク・スタッフを採用する事が期待されている。本基盤B研究の推進には、採用された外国人ポスドクが中心的な役割を果たしている。言葉の壁による部分もあり研究進展に遅延が生じていた。しかしながら、「研究実績の概要」に示したように、今年度の解析からは今後につながる成果が着実に生み出されつつある。今後も引き続き、定期的な研究進行状況報告と密なコミュニケーションを行なうことにより研究を着実に進行させたい。また、ワシントン大の研究者の招聘や共同研究等も積極的に行なうことにより、本年度は研究計画の予定通りの遂行と成果へつなげたい。H27年度に、プロモータスワップの手法を用いて11種類すべてのEPF/EPFLペプチド遺伝子を、(1)気孔系譜;(2)茎の内皮に発現する形質転換体を作出した。それらの表現型の解析することにより、どのEPF/EPFL遺伝子がERECTA受容体を介した気孔の発生抑制と茎伸長を促進する生理活性を持つかを明らかにする。レポーター遺伝子を導入し11のEPF/EPFLペプチドの発現部位を明確にするとともに、ゲノム編集技術によるノックアウト表現型を解析する。さらにはリン酸化プロテオミクスにより同定されたERECTA受容体のin vivoリン酸化部位の中で、気孔の発生と茎伸長に特異的に関わる部位がないかどうかを探索する予定である。そのため、リン酸化部位のアミノ酸をアラニン(非リン酸化)、アスパラギン酸(リン酸模倣)に置換させたERECTA受容体を植物体に導入し、気孔の発生と茎の伸長へ及ぼす効果を解析する。28年度が最終年度であるため、記入しない。植物発生遺伝学本年度はプロモータースワップによるEPF/EPFLファミリー遺伝子のカタログ化を完了する。また、これらペプチドが、ERECTAファミリー受容体を介して作用するかどうか遺伝学的および生化学的に解析する。その為に、残るEPF/EPFLペプチドを合成もしくは大腸菌を用いて産生し、受容体との直接結合および解離定数を解析する。
ラクトコッカス属乳酸菌の線毛先端タンパク質の構造と細胞相互作用の解析

1)Lactococcus lactis G50の線毛先端タンパク質YhgDのうち、G50に特異的なC末端側半分の約600アミノ酸の組換えタンパク質(His-tag付き)を得て、抗体作成を行った。His-tagにも応答したため、His-tagペプチドを合成し、これに結合する抗体を除く処理を行った。抗体作成に用いた600アミノ酸ペプチドにも反応しないため、再検討が必要と考える。YhgD全長および抗体作成を行ったC末端ドメインについて結晶化を行ったが、分解能は4.5Aと低いためさらに結晶化から検討を行う。2)Lactococcus lactis G50の細胞表層タンパク質YwfGについては、構造予測からN末端側のL型レクチンドメイン、続いてムチン結合ドメインが4つ連なり、病原因子として知られているListeriaのinternalinと類似の構造が予測された。C末端側にはSortaseによる輸送・アンカーシグナルであるLPXTGmotifを有しているが、興味深いことに、切断されるはずのLPSTG以降のアミノ酸配列もTOFMSで検出されている。このことは、YwfGはSortaseによるアンカリングなしに細胞壁に局在していることを示している。3)大腸菌の発現系を用いてYwfGのN末端側のL型レクチンドメインからムチン結合ドメインのうち1つを含む28ー511残基のタンパク質を発現し結晶化を行った結果、2.6Aの分解能でほぼ構造予測通りの結晶構造が得られた。L型レクチンドメインに関しては糖鎖アレイ解析に供してレクチンとして結合する糖鎖の解析を行ったが、結合活性は認められなかった。4)YhgDおよびYwfGの発現時期を調べるため、6、12、24、48時間のサンプルについてtotal RNAを調製した。cDNAからのPCRを行った結果、いずれ時期でも発現が認められた。1)YwfGについては構造予測通りの結晶構造が得られた。L型レクチンドメイン構造を持つが糖鎖への結合活性がないことが明らかになり、その結合する分子の解明に興味がもたれるが、その特定が難しい。2)アミノ酸配列としてLPSTG以降の配列が確認されたことから、YwfGはLPXTGmotifを持つにも関わらずSortaseによるアンカリングなしに細胞壁に局在していることが明らかになった。細胞表層への結合様式についても再検討が必要となる。3)今年度作成したYhgDのC末端ペプチドを認識する抗体は当該ペプチドを認識しなかった。結晶化においても不安定であり、組換えタンパク質自体の不安定性が抗体がうまく出来なかった要因と考えられる。1)YhgDに対する抗体作成を再度検討する。大腸菌による長鎖長のペプチドでは不安定性が予測されるため、短いペプチドを合成し、キャリアコンジュゲーションなどの手法で抗体作成を行う。2)YwfGについては各ドメインの組換えタンパク質が得られているので、これをマクロファージへの添加実験に使用する。蛍光ビーズに結合させそれぞれのドメインの貪食やサイトカイン産生への影響を調べる。3)L型レクチンドメインに結合するタンパク質を細胞抽出液などから探索する。Lactococcus lactis6株のゲノムデータ(MiSeq)についてGalaxyを用いて解析した結果、L. lactis subsp. lactis C59とDRC2はQ14タイプの線毛遺伝子をもつが、4株は線毛遺伝子をもたないと推定された。畜産研究部門保有のL. lactis 39株についてPCRでyhgD-E領域の有無を調べた結果、20株でyhgD-E領域が増幅された。yhgDの配列を用いて系統解析を行った結果G50を含む3株が同じクラスターに属し、残り17株は異なるクラスターに分かれた。G50のyhgDの発現解析の結果、yhgDの遺伝子発現が確認され、培養16時間よりも23時間の方が発現量が多かった。G50菌体に対して作成した抗体を用いてG50の細胞壁タンパク質のウェスタンブロットを行った。抗体と強く反応する120 kDaのバンドについてMALDI TOFMS及びMascotサーチを用いて解析した結果、細胞壁タンパク質(以下YwfG)と同定された。線毛タンパク質YhgDは抗G50抗体では検出されなかった。YwfGは1107アミノ酸からなり、N末端側にL-型レクチンドメイン、続いてムチン結合ドメインが連なり、C末端側に細胞壁アンカードメインであるLPXTGモチーフを有していた。エピトープになったことから、宿主と何らかの相互作用が期待されるため、YwfGも本課題で合わせて解析を進めることにする。マーカーを含まないyhgD及びywfGデリーション用のプラスミドを作成した。ywfGについてはデリーション株を数株取得し、抗G50抗体と反応するYwfGに相当する120 kDaのバンドは検出されないことを確認した。J774.1に添加した時のTNFαの誘導活性は株によって異なり、G50株より有意に下がる株は1株のみだった。1)ゲノム解析の結果からの線毛クラスター保有株の選抜と発現解析は順調に進捗している。大腸菌での発現は高度解析センターの協力によりYhgDの組換えタンパク質が得られている。2)PCRによる線毛クラスター保有株の選抜と発現解析も順調に進捗している。

当初線毛タンパク質に対する抗体作成を計画していたが、過去に作成したG50菌体に対する抗体を用いたウェスタンブロット及びMALDI TOFMSにより抗体に強く反応する細胞壁タンパク質YwfGを見出したため、このタンパク質についても本課題で合わせて解析を進めることにする。3)線毛発現の有無によるマクロファージに添加時のサイトカイン誘導能の検証についても実験を進めている。特にYwfGのデリーション株についてのデータが得られたが、株によって応答が異なるためさらに検証が必要と思われる。4)線毛クラスターの発現系の構築(L. lactis導入用プラスミド)及びその改変については、まだ着手していないが、デリーション株の作出を先行したため乳酸菌の組換え等の技術的な問題は解決した。1)Lactococcus lactis G50の線毛先端タンパク質YhgDのうち、G50に特異的なC末端側半分の約600アミノ酸の組換えタンパク質(His-tag付き)を得て、抗体作成を行った。His-tagにも応答したため、His-tagペプチドを合成し、これに結合する抗体を除く処理を行った。抗体作成に用いた600アミノ酸ペプチドにも反応しないため、再検討が必要と考える。YhgD全長および抗体作成を行ったC末端ドメインについて結晶化を行ったが、分解能は4.5Aと低いためさらに結晶化から検討を行う。2)Lactococcus lactis G50の細胞表層タンパク質YwfGについては、構造予測からN末端側のL型レクチンドメイン、続いてムチン結合ドメインが4つ連なり、病原因子として知られているListeriaのinternalinと類似の構造が予測された。C末端側にはSortaseによる輸送・アンカーシグナルであるLPXTGmotifを有しているが、興味深いことに、切断されるはずのLPSTG以降のアミノ酸配列もTOFMSで検出されている。このことは、YwfGはSortaseによるアンカリングなしに細胞壁に局在していることを示している。3)大腸菌の発現系を用いてYwfGのN末端側のL型レクチンドメインからムチン結合ドメインのうち1つを含む28ー511残基のタンパク質を発現し結晶化を行った結果、2.6Aの分解能でほぼ構造予測通りの結晶構造が得られた。L型レクチンドメインに関しては糖鎖アレイ解析に供してレクチンとして結合する糖鎖の解析を行ったが、結合活性は認められなかった。4)YhgDおよびYwfGの発現時期を調べるため、6、12、24、48時間のサンプルについてtotal RNAを調製した。cDNAからのPCRを行った結果、いずれ時期でも発現が認められた。1)YwfGについては構造予測通りの結晶構造が得られた。L型レクチンドメイン構造を持つが糖鎖への結合活性がないことが明らかになり、その結合する分子の解明に興味がもたれるが、その特定が難しい。2)アミノ酸配列としてLPSTG以降の配列が確認されたことから、YwfGはLPXTGmotifを持つにも関わらずSortaseによるアンカリングなしに細胞壁に局在していることが明らかになった。細胞表層への結合様式についても再検討が必要となる。3)今年度作成したYhgDのC末端ペプチドを認識する抗体は当該ペプチドを認識しなかった。
援助の経済成長に与える効果:ケース・スタディによる分析

アフリカ(ケニア、ボツワナ、ガーナ、アフリカ開発銀行)を訪問し、それぞれの国の経済成長における援助の果たした役割についてヒアリングを行った。また、援助供与国の中で最も優れていると言われるデンマークの援助庁も訪問し援助方針についてヒアリングを行った。OECDも訪問し、援助データの詳細について議論をおこなった。これらの内容を踏まえて分析を行っている。その結果、経済成長に関し援助の果たす役割は決定的ではないものの、効果的に利用することは可能であることが判明した。この論文では,アフリカの成功ケースとしてボツワナを取り上げ,経済発展において援助の果たした役割について分析した。その結論は,発展の初期段階において援助の貢献は認められるというものである。また,ボツワナの経済発展には良い「統治」が果たした役割も大きいことが確認された。2月には,援助供与国であるデンマークの外務省,NGOおよびOECDに出張し,ヒアリングを行った。デンマークは世界で最も援助政策の評価が高い国であるが,その援助政策の考え方,具体的政策について調査を行った。その結果は現在取りまとめ中である。この他にも途上国の統治指標としてドイツのシンクタンクが発表しているベルテルスマン改革指標について調査分析し,大学の紀要に「ベルテルスマン改革指標(BTI)について」として発表を行った。近年,開発援助が効果的であるためには受け入れ国の良い統治が必要との主張が数多く見受けられるが,各国の統治を指標化したものは数多くあり,その内容についても作成方法や問題点などが知られないままに実証研究などに使用されている。この論文では,当該指標の作成方法やその問題点を明らかにした。2008年度は6月・7月にアフリカのチュニジアおよびガーナへ出張を行った。チュニジアへの出張の目的は、アフリカ開発銀行を訪問し、アフリカ諸国への援助の現状、今後の援助計画などについてヒアリングを行うことであった。ガーナの出張の目的は、ガーナ政府および在ガーナ日本大使館を訪問し、ガーナの経済状況及び、援助が経済成長に与える影響についてヒアリングを行うことであった。また、ガーナでは地方都市クマシを訪問し、産業集積が経済成長につながる過程も見学し、援助と産業集積の関係についても考察を行った。これらのヒアリングの内容は、昨年度のケニア、ボツワナのヒアリング内容とともに現在論文にまとめているところである。論文の内容としては、個別のケース・スタディを詳細に記述し、それを踏まえ若干の統計的分析も含んだものとする予定である。