hpprc/llmjp-kaken huggingface dataset:
病気を理由に学校を長期欠席している児童生徒の学びの支援システム開発に関する研究

日本特殊教育学会第53回大会にて、「病気の子供の療育と学びを支えるICT活用」をテーマに自主シンポジウムを企画し実施した。日本育療学会第19回学術集会にて、「病気の子どもの学びを支えるためのICT活用の意義」を演題に講演した。日本育療学会第19回学術集会にて、研究成果の一部を連名により発表した。本研究は、病気のある児童生徒の教育支援の方略として、ICTを活用した授業形態の有効性と課題を明らかにすることを目的とした。特に、病気による自宅療養のための学校という場に出向くことができない長期欠席することになる児童生徒への、病院にある学校の教師による教育支援におけるICTの活用について検討を行った。その結果、カメラ画像だけでなく、同時に文書、動画、ホワイトボード等の共有が可能となるインターネットによるWEB会議システムでの遠隔授業は、学力の補完だけではなく、自宅療養中の基本的生活習慣にも好影響を及ぼすなど、新たな学びの支援システムとなることが明らかとなった。自宅療養を必要とする児童生徒の実態把握にかかる調査に関して、関係学校や保護者への質問紙調査の実施の了解は得てえているものの、調査の実施が遅れており、結果として、研究全体のスケジュールの遅れにつながっている。特別支援教育病気のある児童生徒および保護者への質問紙調査を行い、継続して特別支援学校(病弱)と連携して、病気の子供へのICTを活用した遠隔授業を実施し、効果と課題を明らかとしていきたい。さらに、病弱教育を専門とする研究者,文部科学省初等中等教育局特別支援教育調査官等の協力を得て、病気を理由に学校を長期欠席している児童生徒への教育支援の方略に関する研究協議会を開催する予定である。また、最終報告書を作成するとともに,学会発表等によって本研究の成果の普及を図る。本年度は,1自宅療養を必要とする児童生徒の実態把握に向けた先行研究の検討,2調査項目と評価方法の設定,3実態把握調査の実施,4韓国の健康障害教育に関する文献研究を行うことを目的とした。124については、順調に研究活動を進めることができた。しかしながら、本年度は所属の変更により、研究活動に十分なエフォートをかけることができず、3の実施までには至らなかった。研究代表者、研究分担者ともに、本研究初年度に所属の変更が生じたことにより、本研究へのエフォートが研究計画通りとならず、2年目の本年度は改善はしたものの、研究全体の進捗状況は遅れている。このことにより、次年度使用額が生じることとなった。本年度に実施を予定していた、自宅療養を必要とする児童生徒の実態把握を、次年度の早い時期に実施したい。さらに、研究計画に沿って具体的な学びの支援システムの検討を行うとともに、病気療養中の児童生徒への遠隔授業を試行を開始することとする。最終年度となる次年度は、これまでの当該年度に予定していた調査を早急に実施するとともに、最終年度の研究計画に基づき研究活動を行いたい。
現代政治経済体制の起源1955-65-政党の役割に関する日欧比較

本研究の課題は、「現代政治経済体制」の「形成過程」を1955年から1965年の10年間に想定し、その過程において、政党が国家や団体といかなる関係を結び、いかなる役割を果たしたのかを明らかにすることであった。研究を通じて、日本についての2本の報告書とフランス・ドイツについての報告書を得ることができた。中北は、政治経済体制としての「1955年体制」の成立過程を明らかにした。彼によれば、「1955年体制」の政治的側面とは、朝鮮戦争とインドシナ戦争の休戦後に課題となった非軍事化と対米自立を、対米協調の枠内で実現するために必要な政治力を強化することであり、その経済的側面とは、アメリカを中心とする開放的国際経済体制に対応するための経済力強化であった。空井は、日本政治における「1960年の転換」を明らかにした。彼によれば、1960年を境に、与党自由民主党においては政権運営のスタイルが、野党日本社会党においてはその政権獲得構想が大きく変化し、その後の日本政治はかなりの程度その「転換」によって規定された。中山は、フランス第五共和制の成立初期の政治経済体制をテーマとした。なぜそこでは政党主導の穏健な近代化政策に代わって、国家主導の急進的な近代化政策が採用されたのかが明らかにされた。飯田は、「西ドイツにおける利益団体統合問題」をテーマとした。「連邦経済協議会」構想の変質と「編成社会」構想の登場と消滅を通じて、ドイツ史に伝統的な国家による「利益団体統合」構想が廃れ、新たな統合主体として政党が「発見」されていく過程を明らかにした。平成10年度は、本研究の3年間の研究期間の初年度であった。今年度の研究課題は、本研究計画への参加者が各自の研究対象国への先行研究と網羅的に検討し、それをふまえて、「政治経済体制の統合拠点の位置」という観点から、日本とヨーロッパ諸国を類型化し、各国の特徴がけを行うことであった。各国の位置づけそのものに関しては、当初の仮説を大きくつき崩す結果は生じなかったが、この作業を通じて、次のような具体的な研究の方向性が明確になったことは有益であった。それは研究参加者の共通認識であり、次年度に予定されている本研究の中心的課題である。歴史過程の分析につながる成果であった。第1に、体制統合拠点としての政党は、国家や社会(国体)との関係を個別・静能的に定位させて考えるのではなく、国家-社会関係の変容(国家による社会の嚮尊機能の弱化と社会から国家への意思表出の強化)と関連づけて分析する必要があること。第2に、その国家-社会関係の変容が生じた時期は各国ごとに異なるが、特に焦点となるのは高度経済成長期であること。第3に、その変容の様態は、各政策領域においても異なるが、政党の拡充にとって重要な領域に注目するだけでなく、諸政策領域を統合する政治的機能を政党がいかに果たしえたか(果たしえなかったか)に注目する必要があること。これらの点を前提に、高度経済成長が各国の政治社会に引き起こした諸変化を改めて検討し、その諸変化に対して、各国の主要政党が組織と政策の上でいかに対応し、いかなる自己変革を遂げていったか、という問題に、次年度の研究課題の中心が据えられることになった。本年度の研究活動を通じて,研究代表者および研究分担者は,「現代政治経済体制」の形成の「画期」たる時期の歴史分析にとりくんだ。飯田は,ドイツの「大連合」形成前史を政党・団体・官僚の力学変化に注目して跡づけた。中山は,フランス第五共和政初期の経済成長路線の戦術転換(ハードランディング)を,争点の連動に注目して分析した。

空井は,複数の政策領域の微視的分析を通じて自民党一党優位体制の基底部の形成を明らかにしようとしたが,とくに後半にはイタリアとの比較を加味した。中北は,財界の動向と労使関係の変化に焦点をあて,その政党領域への作用をも視野に入れつつ,<55年体制>の成立期・成立局面を分析した。次年度は,以上の研究を続行・深化させる。本研究の課題は、「現代政治経済体制」の「形成過程」を1955年から1965年の10年間に想定し、その過程において、政党が国家や団体といかなる関係を結び、いかなる役割を果たしたのかを明らかにすることであった。最終年度である本年度は、報告書の作成を活動の中心においた。その結果、日本についての2本の報告書とフランス・ドイツについての報告書を得ることができた。中北は、政治経済体制としての「1955年体制」の成立過程を明らかにした。彼によれば、「1955年体制」の政治的側面とは、朝鮮戦争とインドシナ戦争の休戦後に課題となった非軍事化と対米自立を、対米協調の枠内で実現するために必要な政治力を強化することであり、その経済的側面とは、アメリカを中心とする開放的国際経済体制に対応するための経済力強化であった。空井は、日本政治における「1960年の転換」を明らかにした。彼によれば、1960年を境に、与党自由民主党においては政権運営のスタイルが、野党日本社会党においてはその政権獲得構想が大きく変化し、その後の日本政治はかなりの程度その「転換」によって規定された。中山は、フランス第五共和制の成立初期の政治経済体制をテーマとした。なぜそこでは政党主導の穏健な近代化政策に代わって、国家主導の急進的な近代化政策が採用されたのかが明らかにされた。飯田は、「西ドイツにおける利益団体統合問題」をテーマとした。「連邦経済協議会」構想の変質と「編成社会」構想の登場と消滅を通じて、ドイツ史に伝統的な国家による「利益団体統合」構想が廃れ、新たな統合主体として政党が「発見」されていく過程を明らかにした。
表面再構成制御成長法を用いたSi上InSb系超高速・超低消費電力デバイスの作製

超高速・超低消費電力デバイスへの応用が期待されているInSbを用いたFETを実現するため、Si基板上に非常に薄いInSbを表面再構成制御成長法を用いて成長し、その上にAl2O3絶縁膜を1030nm堆積された、新しい擬似整合量子井戸型の電界効果トランジスタを作製し、評価した。その結果、InSb層の膜厚が15nm、ゲート長5μm、ゲート幅40μmのデバイスにおいて、相互コンダクタンスが63mS/mmという比較的良好な特性が得られた。我々はこれまで、Si(111)表面上のIn誘起表面再構成構造に1原子層程度のSbを吸着させることにより形成されるInSb単分子層を介して高品質なInSb薄膜をエピタキシャル成長させる、表面再構成制御成長法を提案してきた。今年度は、Si基板上InSb薄膜の更なる高移動度化のため、InSb単分子層形成時のIn吸着量及び二段階成長のうち1層目の成長条件に着目し最適化を試みた。初期のIn吸着量、1層目の基板温度、蒸着量、蒸着レートを様々な条件で変化させて試料を作製し評価した結果、初期のIn吸着量を1.5MLに、また、これまでよりも基板温度を高く、蒸着量を少なく、蒸着レートを遅くすることで蒸着条件を最適化できた。この結果、膜厚1μmの試料において室温の電子移動度がこれまでの最高24,000cm^2/Vsから39,600cm^2/Vsにまで大きく向上した。得られたInSb薄膜の成長方向における移動度分布を調査するため、クエン酸系の溶液による一定膜厚のエッチングと測定を繰り返した。これにより、計算によってエッチングされた部分の移動度が得られる。その結果、移動度の向上が、界面付近の低移動度層の減少に起因し、薄膜表面付近の移動度が61,000cm^2/Vsに達することが分かった。Si基板上におけるInSbを用いたFET実現に向け、InSb-MOSダイオードの試作とC-V特性の評価を行った。得られた高移動度InSb薄膜上に、絶縁層として界面準位の少ない薄膜成長が期待できる原子層成長(ALD)法を用いて、基板温度250°Cで厚さ30nmのAl_2O_3薄膜を堆積させた。今回はノンアロイオーミック電極を用いたが、界面準位が多く、またInSbのバンドギャップが狭いため、キャリアの生成-再結合速度が速く、0V付近の容量の変化量が予想される値よりも小さく(予想では40%だが10%程度)、また正孔の注入が逆バイアス印加時に起こるため、高周波特性においても逆バイアス印加時に容量の増加が見られた。しかし、これらの結果より特性としては不十分ではあるものの、ゲート電圧によりフェルミレベルを伝導帯から価電子帯まで制御できていることが分かった。今年度は、初期In被覆量を0.33、0.75、1.2、1.5、2.OMLと変化させ、それ以外の成長条件を昨年と同一として試料を作製し、その電子移動度の評価を行った。その結果、初期のIn被覆量が0.33MLから1.5MLまで電子移動度が増加し、それ以降は減少した。よって初期In被覆量の最適地は1.5MLであることが分かった。1.5MLまではInが不足しており、1.5ML以降については、過剰なInが凝集し、それぞれ転位等の発生原因となっていると考えられる。この結果を用いて、AlInSb薄膜の成長を行った。InSb単分子層とAlInSb薄膜との間にInSb薄膜を挿入し、その膜厚変化によって、AlInSbの結晶性・表面性がどのように影響を受けるか調査した。その結果、InSb薄膜の膜厚画厚いほど転位密度が減少し、表面性が向上した。しかし、電気的特性に関しては移動度の高いInSbの影響を受け、InSbの膜厚が厚いとAlInSbのみの電気的特性の分離が難しいという結果となった。Al2O3/InSb/SiMOSFETの作製と評価を行った。InSb薄膜の膜厚を6、10、15、25nmと変化させ、その上にALDを用いて10nmのA12O3絶縁膜を堆積させる。電極にはn型オーミックとしてSn/Au/Ni/Ti/Auを用いた。作製したFETのId-Vd特性は良好なトランジスタ特性を示し、相互コンダクタンスは60mS/mmであった。また、電界効果移動度は最も良好な特性を示したInSbの膜厚が10nmの資料で1100cm2/Vsという値となった。これにより、厚いバッファ層を必要とせず、非常に薄いInSb薄膜を成長するだけで、良好な特性のトランジスタが作成できるようになった。GaAs基板上へのInSbナノワイヤーの作製について、金触媒の規則的配置を目指すため、ナノスフィアリソグラフィー技術を用いた。

直径200nmのポリスチレン球をGaAs基板上の1層のみ細密配列し、その上に金を蒸着してリフトオフすることで、金の規則的配置を行った。金触媒を規則配列させた基板上にInSbを蒸着したところ、ナノワイヤーの成長は確認できなかったものの、規則的に配列した結晶が観察された。我々はこれまで、Si(111)表面上のIn誘起表面再構成構造に1原子層程度のSbを吸着させることにより形成されるInSb単分子層を介して高品質なInSb薄膜をエピタキシャル成長させる、表面再構成制御成長法を提案してきた。今年度は、MOSFETの高性能化の検討を行った。特に、昨年度にn型オーミック電極としてSn/Au/Ni/Ti/Auを用いたが、ALDプロセス中にAuがInSb膜膜中に滲み出し、InとAuの合金が形成されるというトラブルが起こったため、オーミック電極の構成を変更し、滲み出しのない、低抵抗名オーミックコンタクトが得られるよう条件だしを行った。Sn/Ti/Auという構成に変更することで、長時間のALDプロセスによっても滲み出しのないコンタクトが得られるようになった。様々な膜厚野InSb薄膜を用いて、デバイスを作製したところ、ゲート長tμmのもので、相互コンダクタンスが62mS/mmという良好な特性が得られた。この値は、ゲート長1μmで考えると300mS/mm相当であり、昨年度よりも大幅に性能が向上した。また、基板へのリーク電流計現を目的とした、SOI基板上へのInSb薄膜の成長も試みた。Si基板上と同様の手順でSOI基板上にInSb薄膜を成長させたところ、移動度が12,000cm2/Vs程度とSi基板上と比較して1/3程度の薄膜しか得られなかった。この原因を明らかにするため、基板の表面処理について着目し、基板導入前の基板洗浄プロセスで使用する薬品、及び、基板導入後の清浄表面を得るために行う、フラッシュアニーリングプロセスの有無により、InSb薄膜の移動度にどのような影響があるか調査した。その結果、フラッシュアニーリングプロセスを行わない試料では、他の試料と比較して高い移動度が得られた。Si基板上に厚いInSb薄膜を介してではあるが、転位密度の小さなAlInSbの成長ができた。また、これまでに例を見ない、Si基板上に直接成長させた非常に薄いInSb薄膜を用いて良好な特性を持つMOSFETの作製ができた。しかし、QW-FETの実現ににむけて、更なるAlInSB中の転位密度の低減が必要である。ナノワイヤーの成長に関しては、金触媒の規則配列技術が確立したが、これを介したナノワイヤーは確認できなかった。24年度が最終年度であるため、記入しない。MOSFETの作製及び評価II関しては、特性向上を目指し、構造や電極材料及びプロセスの最適化を目指す。AlInSb薄膜の転位密度低減については、超格子やグレーデッドバッファ層等の挿入を検討し、QW-FET構造の試作を試みる。表面再構成構造の特性を利用した立体構造の形成を試みる。
早期に目的地に到着した神経細胞の発生分化が遅れる要因に関する研究

ウサギ嗅球を抗原として得られた抗体11-4G12を用いて,幼若ウサギ小脳,ウサギ胎児小脳の切片において,免疫組織化学的検索を行なった.1.生後間もない幼若ウサギでは,抗体4G12に対して,虫部前葉プルキンエ細胞が一番強く反応したのに対して,虫部後葉プルキンエ細胞は弱い反応しか示さなかった.2.虫部前葉プルキンエ細胞は形態的に,非常に未熟であるのに対して,虫部後葉プルキンエ細胞は形態的分化が進んでいた.したがって,幼若ウサギの小脳は,形態的にも,物質的な面でも,小脳内の部位による差があることが判った.また,早期に到着した半球部のプルキンエ細胞は,未分化のままで,休眠していることが確認された.次に,抗体4G12に対する抗原の経時的変化について調べた.1.抗体4G12に対する抗原は,胎生19日の小脳プルキンエ細胞に発現されており,胎生25日には,染色性が増強した.抗原分子が増量した結果と考えられる.2.胎生25日の前葉プルキンエ細胞の染色性の増強により,小脳の部位的差が明確となった.しかし,この時期の後葉プルキンエ細胞は形態的に未熟であり,部位的差はなかった.3.その後,後葉のプルキンエ細胞は前葉のプルキンエ細胞より速く分化が進み,生後1日目には,前葉と後葉のプルキンエ細胞の形態的差は明確となる.しかし,染色性の部位的差は,生後5日目まで保たれている.4.ウェスタンブロットを行ない,抗体4G12が認識する抗原分子の分子量は26kdであることが判った.以上の結果から,抗体4G12に対する抗原分子は,小脳では,胎生半ばより発現し,胎生25日には,前葉プルキンエ細胞に豊富に存在するが,後葉プルキンエ細胞には,わずかに存在する程度であることが判った.ウサギ嗅球を抗原として得られた抗体11-4G12を用いて,幼若ウサギ小脳,ウサギ胎児小脳の切片において,免疫組織化学的検索を行なった.1.生後間もない幼若ウサギでは,抗体4G12に対して,虫部前葉プルキンエ細胞が一番強く反応したのに対して,虫部後葉プルキンエ細胞は弱い反応しか示さなかった.2.虫部前葉プルキンエ細胞は形態的に,非常に未熟であるのに対して,虫部後葉プルキンエ細胞は形態的分化が進んでいた.したがって,幼若ウサギの小脳は,形態的にも,物質的な面でも,小脳内の部位による差があることが判った.また,早期に到着した半球部のプルキンエ細胞は,未分化のままで,休眠していることが確認された.次に,抗体4G12に対する抗原の経時的変化について調べた.1.抗体4G12に対する抗原は,胎生19日の小脳プルキンエ細胞に発現されており,胎生25日には,染色性が増強した.抗原分子が増量した結果と考えられる.2.胎生25日の前葉プルキンエ細胞の染色性の増強により,小脳の部位的差が明確となった.しかし,この時期の後葉プルキンエ細胞は形態的に未熟であり,部位的差はなかった.3.その後,後葉のプルキンエ細胞は前葉のプルキンエ細胞より速く分化が進み,生後1日目には,前葉と後葉のプルキンエ細胞の形態的差は明確となる.しかし,染色性の部位的差は,生後5日目まで保たれている.4.ウェスタンブロットを行ない,抗体4G12が認識する抗原分子の分子量は26kdであることが判った.以上の結果から,抗体4G12に対する抗原分子は,小脳では,胎生半ばより発現し,胎生25日には,前葉プルキンエ細胞に豊富に存在するが,後葉プルキンエ細胞には,わずかに存在する程度であることが判った.本研究にて申請した顕微鏡として、ニコンマイクロフォトFXを選定し、FX本体部を購入し、従来より用いていたニコンフルフォトの部品を加えて使用した。本研究では、ウサギ小脳を免疫組織化学的に検索し、購入された顕微鏡を用いて、検鏡及び、写真撮影を行った。ウサギ嗅球を抗原として得られた抗体11-4G12を用いた。生後間もないウサギ小脳を固定し、凍結切片を作製し、FITC標識の二次抗体を用いて、間接蛍光法を行った。1.免疫反応の部位的特長(1).虫部前葉のプルキンエ細胞が一番強く反応した。(2).虫部後葉のプルキンエ細胞は弱い反応を示した。(3).皮質前葉のプルキンエ細胞は(1).(2)の中間であった。2.部位による形態的特長(3).皮質のプルキンエ細胞はperisomatic dendrite stageであるが、正中から離れるにしたがって、円形で、neuriteの分化が遅れていた。部位による形態的特長はラットより得られた先人の結果と一致するように見えるが、ラットと比べると、部位的差が著しいことが判った。また早期に到着した皮質のプルキンエ細胞は、未分化のままで、休眠していることが確認された。免疫反応の部位的差は、11-4G12に対する抗原分子の量を反映していると思われるが、プルキンエ細胞の分化度と関係があるかどうかは不明である。この問題を解決するためには、経時的な検索が必要であることが判った。
Ｌ１０合金／ホイスラー合金積層電極を用いた高出力・低消費電力磁気抵抗素子の創製

L10規則構造を有するMn系垂直磁化薄膜を作製し,高磁気異方性と低磁気緩和定数を兼ね備える強磁性体薄膜を得ることに成功した.さらに,得られたMn系垂直磁化薄膜と極薄の強磁性薄膜およびホイスラー合金を積層した電極を用いたトンネル磁気抵抗素子を作製した.その結果,Mn系垂直磁化薄膜を用いたトンネル磁気抵抗素子において世界で初めての磁気抵抗効果の観測に成功した.また,ホイスラー合金を電極としたCPP-GMR素子を作製し,室温で80%の世界最高の磁気抵抗比を観測することに成功した.さらに,スピン注入磁化反転の観測にも成功し,開発した磁気抵抗素子の有用性を明らかにした.L10規則構造を有するMn系垂直磁化薄膜を作製し,高磁気異方性と低磁気緩和定数を兼ね備える強磁性体薄膜を得ることに成功した.さらに,得られたMn系垂直磁化薄膜と極薄の強磁性薄膜およびホイスラー合金を積層した電極を用いたトンネル磁気抵抗素子を作製した.その結果,Mn系垂直磁化薄膜を用いたトンネル磁気抵抗素子において世界で初めての磁気抵抗効果の観測に成功した.また,ホイスラー合金を電極としたCPP-GMR素子を作製し,室温で80%の世界最高の磁気抵抗比を観測することに成功した.さらに,スピン注入磁化反転の観測にも成功し,開発した磁気抵抗素子の有用性を明らかにした.今年度は、MnAl層の磁気特性および表面平坦性の改善を目的として、組成、基板温度(Ts)、熱処理温度の最適化を行った。その結果、最適条件はArガス圧0.5 Pa、Mn組成56.9 at%、Ts = 250°Cであることが分かった。最適条件下において、MnAl層の飽和磁化Ms = 530 emu/cm3、磁気異方性エネルギーKu =約10 Merg/cm3、表面平均粗さRa = 0.21 nmであり、前年度よりもさらに良質な薄膜を得ることに成功した。さらに、最適化したMnAlの作製条件を用い、またMnAl/MgO界面に極薄強磁性体(X)を挿入したMnAl/X/MgO/CoFe構造の強磁性トンネル接合素子(MTJ)においてTMR効果を観測することに成功した。MnAlを電極に用いたMTJでTMR効果を観測したのは本研究が世界初である。TMR比は室温において約8%であったが、MTJ素子において磁気抵抗効果が観測されたことから、CPP-GMR素子への応用が可能であることが明らかとなった。CPP-GMR素子については、今年度はホイスラー合金層の組成依存性について調査を行った。Co2MnSi, Co2(Fe0.4Mn0.6)Si, Co2FeSi,Co2Fe(Al0.5Si0.5)組成の電極を用いたCPP-GMR素子を作製し、磁気抵抗比を評価した。その結果、Co2(Fe0.4Mn0.6)Si組成において最大の磁気抵抗比が得られることが分かった。この組成で磁気抵抗比が大きかった要因は、ハーフメタル特性が優れていることによると考えられる。また、この組成は磁気緩和定数が0.003と非常に小さく、最終目標であるスピン注入磁化反転の実現に対しても非常にアドバンテージが大きい。さらに今年度は、Co2(Fe0.4Mn0.6)Siを良好な磁気特性を保持したまま、2 nmまで薄膜化することに成功した。L10-MnAl合金薄膜を作製し、薄膜作製時の基板温度および成膜後の熱処理温度を系統的に変化させて構造解析、磁気特性、表面平坦性の評価を行った。MnAl薄膜は超高真空マグネトロンスパッタ法にて作製した。また、薄膜作製用のターゲットとして、焼結、溶融の二種類の方法で作製したものを用いた。焼結ターゲットを用いた場合、基板温度300°C以上において1×107erg/cc程度の垂直磁気特性を有するMnAl薄膜を得ることができた。しかし、表面ラフネスは2nm以上と大きかった。一方、溶融ターゲットで作製した場合、基板温度を200°Cまで低減しても垂直磁気特性を有するMnAl薄膜が得られた。基板温度250°Cにおいて、当初目標としていた、1×107erg/cc程度の垂直磁気異方性と0.2nm程度の表面ラフネスを兼ね備えたMnAl薄膜が得られた。また、得られたMnAl薄膜を用いてポンプローブ法による磁気緩和測定を試みたが、十分なS/N比が得られず、磁気緩和定数を評価することは出来なかった。しかし、強磁性共鳴(FMR)法を用いて磁気緩和を評価することに成功し、0.006という小さな磁気緩和定数が得られた。また、第一原理計算の結果からMnAl薄膜の磁気緩和定数は0.005程度であり、実験結果と良い整合性が得られた。CPP-GMR素子については、今年度前半は微細加工プロセスの確立を目指して実験を行った。その結果、GMR素子中の下部強磁性層までArエッチングを行うことで、安定な素子特性が得られ、歩留まりが劇的に改善された。さらに、熱処理温度,膜厚などの条件を最適化したCo2MnSi電極CPP-GMR素子において、室温で80%の磁気抵抗比が得られ、当初の目標を達成することができた。

今年度は、Mn系垂直材料とCo1-xFex合金、CoFeB合金、Heusler合金の積層構造電極を作製し、磁気抵抗効果の増大を目指して研究を行った。MnAl or MnGa/Co1-xFex積層膜については、CoリッチのCoFe合金を積層することでMn系垂直合金と磁化が反平行結合する新しい現象を見出した。また、反平行結合により垂直磁気特性が改善することが分かった。MnAl/Co積層膜のTEM観察の結果から、MnAl層にCoが固溶してL10規則構造を有する(MnCo)Al合金となっていることが分かった。この合金化が垂直磁気特性の改善につながったと考えられる。この結果を受けて、MnをCoで10%程度置換した(Mn42Co4)Al54組成の薄膜作製を行った。その結果、L10規則度が高く、かつ、良好な垂直磁気特性を有する新しい高磁気異方性垂直磁化膜の創成ができた。また、開発したそれぞれの積層電極を用いたトンネル磁気抵抗素子を作製して磁気抵抗比の評価を行った。その結果、MnAl/CoFeB積層電極で16%, MnGa/CoFe積層電極で80%の磁気抵抗比が室温において観測された。当初の目標であった100%には届かなかったが、それに近い値を達成することができ、開発した材料系の有用性が示された。また、MnGa/Heusler合金積層膜については、種々のホイスラー合金を積層させた結果、Co2MnSi合金を積層させた場合に最も優れた垂直磁気特性が得られ、またホイスラー合金層を1 nm程度まで薄膜化してもその特性を維持することができた。CPP-GMR素子については、前年度までにCo2FeMnSi電極素子において得られた80%の磁気抵抗比を超える値は観測できなかったが、Co2MnSi/Cu/Co2MnSi素子において、スピン注入磁化反転の観測に成功した。反転電流密度は2.1×106A/cm2であり、当初の目標であった1×106A/cm2に迫る値を得ることに成功した。26年度が最終年度であるため、記入しない。応用物理26年度が最終年度であるため、記入しない。L10-MnAl合金薄膜の作製については、系統的な実験によってほぼ最適条件に近づけたと考えている。また、最適化したMnAl電極を用いた強磁性トンネル接合において、世界で始めた磁気抵抗効果を観測することに成功した。これは、MnAl膜の高品質化によるものである。この成果については、論文発表を行い、また招待講演などでも広くアピールすることができた。今後、磁気抵抗素子においてさらに良好な特性を得るための、積層界面制御が残された課題である。CPP-GMR素子については、ハーフメタルホイスラー合金層の組成に関して詳細に調査を行った。その結果、磁気抵抗効果は組成に対して大きく変化し、従来から良く知られているCo2MnSiホイスラー合金にFeをドープした、Co2(Fe0.4Mn0.6)Siホイスラー合金において大きな磁気抵抗効果が得られることが明らかとなった。この研究発表の後、他グループからも同様の実験結果が報告されており、この組成のホイスラー合金材料が高磁気抵抗比を得るのに極めて有用であることが証明されている。また、Co2(FeMn)Siホイスラー合金は磁気緩和定数の評価結果により、その値が0.003と非常に小さく、また薄膜化に対しても有用性の高い材料であることが明らかとなった。以上のことから、最終目標であるMnAl/Co2(Fe0.4Mn0.4)Si積層電極を用いた磁気抵抗素子の創成に向けて非常に有望な結果が得られており、研究は順調に進んでいるといえる。
アレルギー疾患におけるロイコトリエンC4の意義についての遺伝子学的解析

LTC4は喘息を含めたアレルギー疾患の病態の発現に最も重要なメディエーターであると考えられており,その合成酵素の活性が遺伝子のレベルで規定されていることが近年明らかにされた.我々は小児アレルギー疾患の患者(喘息,アトピー性皮膚炎)をスクリーニングし,LTC4合成酵素(LTC4 synthase ; LTC4syn)およびそのレセプター異常を遺伝子レベルで解明することを目的として研究をおこなった.アレルギー疾患を有する小児群と正常コントロール群でLTCsynのプローモーター領域においてtranslation開始部位の-444base上流の多型(A-C transversion)の頻度を検討した.アレルギー疾患小児40人中C/C型(homo)は10%でA/C型(hetero)は60%であるのに対して,コントロール群ではC/C型(homo)は0%でA/C型(hetero)は27.3%であった.このことは,LTCsynのプローモーター領域における-444baseの多型がLTC4synの酵素活性に関与している可能性が存在することを示唆するものである.したがってLTC4活性の制御がアレルギー疾患の治療に有用であることを示す.我々はこの研究と並行してLTC4synの酵素活性に影響をおよぼす可能性のある薬物のスクリーニングをおこなった.その結果,Magno1olおよび(9-[4-acetyl-3-hydroxy-2-n-propylphenoxy] methyl)-3-(1H-tetrazol-5-yl)-4H-pyrido [1,2-a] pyrimidin-4-one)という2つの活性物質を見いだし,その機序とともに報告した.また,小児の喘息患者においてLTC4合成に必須の酵素である5-lipoxygenaseおよびLTCsynの活性がmRNAレベルで亢進していることを発見し報告したLTC4は喘息を含めたアレルギー疾患の病態の発現に最も重要なメディエーターであると考えられており,その合成酵素の活性が遺伝子のレベルで規定されていることが近年明らかにされた.我々は小児アレルギー疾患の患者(喘息,アトピー性皮膚炎)をスクリーニングし,LTC4合成酵素(LTC4 synthase ; LTC4syn)およびそのレセプター異常を遺伝子レベルで解明することを目的として研究をおこなった.アレルギー疾患を有する小児群と正常コントロール群でLTCsynのプローモーター領域においてtranslation開始部位の-444base上流の多型(A-C transversion)の頻度を検討した.アレルギー疾患小児40人中C/C型(homo)は10%でA/C型(hetero)は60%であるのに対して,コントロール群ではC/C型(homo)は0%でA/C型(hetero)は27.3%であった.このことは,LTCsynのプローモーター領域における-444baseの多型がLTC4synの酵素活性に関与している可能性が存在することを示唆するものである.したがってLTC4活性の制御がアレルギー疾患の治療に有用であることを示す.我々はこの研究と並行してLTC4synの酵素活性に影響をおよぼす可能性のある薬物のスクリーニングをおこなった.その結果,Magno1olおよび(9-[4-acetyl-3-hydroxy-2-n-propylphenoxy] methyl)-3-(1H-tetrazol-5-yl)-4H-pyrido [1,2-a] pyrimidin-4-one)という2つの活性物質を見いだし,その機序とともに報告した.また,小児の喘息患者においてLTC4合成に必須の酵素である5-lipoxygenaseおよびLTCsynの活性がmRNAレベルで亢進していることを発見し報告したロイコトリエンC4(LTC4)の遺伝子異常がアスピリン喘息の発症に関与しているとの報告がなされている.しかしこれは人種差が指摘されており,日本人での報告は確実なものはない.LTC4は喘息を含めたアレルギー疾患の病態の発現に最も重要なメディエーターであると考えられており,その合成酵素の活性が遺伝子のレベルで規定されているということが事実であれば,これらの報告はきわめて重要な発見である.我々は小児アレルギー疾患の患者(喘息,アトピー性皮膚炎)をスクリーニングし,LTC4合成酵素(LTC4 synthase;LTC4syn)およびそのレセプター異常を遺伝子レベルで解明することを目的として研究を進めている.今年度はアレルギー疾患を有する小児群と正常コントロール群でLTCsynのプローモーター領域においてtranslation開始部位の-444base上流の多型(A-C transversion)の頻度を検討した.アレルギー疾患小児40人中C/C型(homo)は10%でA/C型(hetero)は60%であるのに対して,コントロール群ではC/C型(homo)は0%でA/C型(hetero)は27.3%であった.

このことは,LTCsynのプローモーター領域における-444baseの多型がLTC4synの酵素活性に関与している可能性が日本人でも存在することを示唆するものであり,今後さらに詳しい検討が必要であることを示す.ところで,上記のごとく,LTC4活性の制御はアレルギー疾患の治療に有用であると考えられるため,我々はこの研究と並行してLTC4synの酵素活性に影響をおよぼす可能性のある薬物のスクリーニングをおこなっておいる.今年度はMagnololおよび(9-[4-acetyl-3-hydroxy-2-n-propylphenoxy)methyl]-3-(1H-tetrazol-5-yl)-4H-pyrido[1,2-a]pyrimidin-4-one)という2つの活性物質を見いだし,その機序とともに報告した.LTC4は喘息を含めたアレルギー疾患の病態の発現に最も重要なメディエーターであると考えられており,その合成酵素の活性が遺伝子のレベルで規定されていることが近年明らかにされた.我々は小児アレルギー疾患の患者(喘息,アトピー性皮膚炎)をスクリーニングし,LTC4合成酵素(LTC4 synthase ; LTC4syn)およびそのレセプター異常を遺伝子レベルで解明することを目的として研究をおこなった.アレルギー疾患を有する小児群と正常コントロール群でLTCsynのブローモーター領域においてtranslation開始部位の-444base上流の多型(A-C transversion)の頻度を検討した.アレルギー疾患小児40人中C/C型(homo)は10%でA/C型(hetero)は60%であるのに対して,コントロール群ではC/C型(homo)は0%でA/C型(hetero)は27.3%であった.このことは,LTCsynのブローモーター領域における-444bascの多型がLTC4synの酵素活性に関与している可能性が存在することを示唆するものである.したがってLTC4活性の制御がアレルギー疾患の治療に有用であることを示す.我々はこの研究と並行してLTC4synの酵素活性に影響をおよぼす可能性のある薬物のスクリーニングをおこなった.その結果,Magnololおよび(9-[4-acetyl-3-hydroxy-2-n-propylphcnoxy]methyl)-3-(1H-tetrazo1-5-yl)-4H-pyrido[1,2-a]pyrimidin-4-one)という2つの活性物質を見いだし,その機序とともに報告した.また,小児の喘息患者においてLTC4合成に必須の酵素である5-lipoxygenaseおよびLTCsynの活性がmRNAレベルで亢進していることを発見し報告した
熱処理を必要としないアノード酸化法による高結晶性TiO2メソポーラス薄膜の創製

本研究では、450°C以上の高温での熱処理を必要としない高結晶性酸化チタンメソポーラス薄膜を、リン酸塩含有グリセリン電解液中160°Cでのアノード酸化という電気化学プロセスにより合成することを目的とした。アノード酸化の際に二電極系から三電極系にすることで、より精密に印加電圧の制御を行った。また動電位で合成することで、電解液の塩基性度が高いほど成膜速度が向上し、薄膜中に少量含まれるリン酸種が結晶化に寄与していることが明らかとなった。これらの知見をもとに、弱塩基性電解液中において20 V以上の高電位アノード酸化を行うことによって、結晶性が向上することを明らかにした。酸化チタンは防汚・浄化技術や、色素増感太陽電池、化学センサーなど様々な分野に応用されているが、その多くは結晶化や焼結のために450°C程度での熱処理が必要である。これに対し、申請者はこれまで熱処理を必要としないリン酸含有高温グリセリン溶液中でのチタン基板のアノード酸化により、アナターゼ型結晶を含む酸化チタンメソポーラス薄膜(TMP薄膜)の合成に成功している。しかしアモルファスも多く含んでおり、更なる高結晶化が必要なのが現状である。そこで本研究では、結晶化を支配する要因を解明し、熱処理を必要としない高結晶性酸化チタンメソポーラス薄膜の合成を目的とする。初年度は、「アノード酸化法を利用したTMP薄膜合成における結晶化支配要因の解明」を中心に研究を進めた。これまで二電極系で行われていたアノード酸化に対して、三電極系を導入した。三電極系を導入することで、これまで考慮できていなかった溶液抵抗による電位ロスが軽減され、精密なアノード酸化が行えるようになった。またアノード酸化を動電位に変えて行うことで、溶液中の酸素種の拡散がTMP薄膜生成の律速過程になっていることを見出した。アノード酸化によるポーラス薄膜生成において、このような反応過程が律速になることは珍しく、これがTMP薄膜の特異的構造形成の一因であると考えられる。次にTMP薄膜中に少量混在する不純物が与える結晶化の影響を評価するために、アノード酸化用の新たな塩について検討した。その結果、新たに水酸化カリウムのみでもアノード酸化できることを見出した。これにより、薄膜中にリン酸イオンや炭酸イオンといった不純物を一切含まない酸化チタン薄膜の合成に成功した。また、こうして得られた酸化チタン薄膜では、20 Vで成膜した際にも結晶化が全くおこらず、リン酸種が結晶化を引き起こしていることを明らかにした。酸化チタンは防汚・浄化技術や、色素増感太陽電池、化学センサーなど様々な分野に応用されているが、その多くは結晶化や焼結のために450oC程度での熱処理が必要である。前年度に引き続き、「アノード酸化法を利用したTMP薄膜合成における結晶化支配要因の解明」について研究を進めた。昨年度導入した三電極系により、広い電位領域での動電位アノード酸化を行った。その結果10 V以上で電流-電位曲線に変化が現れ、それと同時に結晶化することを明らかにした。またリン酸種が皮膜中に取り込まれる量は電位に依存して変化し、一定の値以上のリン酸種を取り込むことが結晶化を引き起こしていることが示唆された。また「TMP薄膜の結晶性の向上」について、アノード酸化時のプロトン濃度を上げることで、電流値の抑制を行い20 V以上でのアノード酸化による結晶化の促進を試みた。これにより、TMP薄膜の高結晶化に成功した。また80 V以上の電圧では、結晶化は促進されるものの膜の絶縁破壊が起き、利用できるTMP薄膜を合成するには80 V未満でのアノード酸化が重要であることを明らかにした。一方、他の塩の効果を明らかにするために、バリヤー皮膜において結晶化が報告されている硫酸塩添加でのアノード酸化も試みた。これにより、皮膜の溶解反応が促進されることを見出し、今後の結晶性皮膜の構造制御を行う上での新たな指針を得ることができた。光電気化学、材料化学本年度は予定していた「アノード酸化法を利用したTMP薄膜合成における結晶化支配要因の解明」を目的に研究を進めた。三電極系の導入によりアノード酸化における電位制御がより精密に行えるようになった。

また、動電位でのアノード酸化を行うことで、薄膜生成における成膜速度支配因子の解明にも成功した。一方、当初は三電極系アノード酸化を用いて、結晶化しやすいリン酸塩を用いた場合と、結晶化は進むもののリン酸塩に比べ結晶性が低くなる炭酸塩を用いた場合とを比較することで、不純物が与える結晶化への影響を検討する予定であった。これに対し新たに水酸化カリウムを用いることで、不純物となるアニオン(リン酸イオンや炭酸イオンなど)を一切含まない酸化チタン薄膜形成に成功し、より明確に不純物の影響を見ることができるようになった。こうして得られた膜は生成電圧20 Vにおいてもアモルファス構造を維持したことから、リン酸イオンが結晶化を引き起こす要因であることを明確に示すことができた。以上より、当初の予定通り、おおむね順調に進んでいると考えられる。前年度に引き続き、「アノード酸化法を利用したTMP薄膜合成における結晶化支配要因の解明」について研究を進める。動電位アノード酸化による膜の生成挙動のより詳細な解析を進めると同時に、リン酸塩の効果を明らかにするために、XPSやIRによるリン酸種の化学状態を調べる。また「TMP薄膜の結晶性の向上」についても検討を進める。これらリン酸塩含有高温グリセリン溶液を用いるアノード酸化では、アノード酸化時の電流値が非常に大きくなるため、印加する電圧は制限されてきた。しかし、これまでの研究によりプロトン濃度を上げることで、電流値の抑制が可能であることが示唆されている。そのため、プロトン濃度の調節することで電流値を下げ、より高い電圧を印加できるようにすることで、印加電圧の上昇による結晶性の向上を試みる。一方、前年度の研究において、水酸化カリウムを用いることで不純物を含まないTMP薄膜の合成が可能となったため、これらに硫酸塩やホウ酸塩を加え、結晶化を試みる。水溶液中でのアノード酸化によるバリヤー型酸化チタン薄膜の合成では、古くから結晶化が進行することが知られている。これらの知見をもとに、どういった塩が結晶化に有利に働くかを検討し、高結晶性TMP薄膜の合成を行う。当初予定に比べ、消耗品への使用額が軽減され予算に余裕が生まれた。平成26年度分と合算して、今後必要となる装置使用料や消耗品などへと使用する。
一品生産職場における熟練の構成要素とその変遷機序に関する研究

本研究は、一品生産職場における熟練を構成する要素を確定すること、及び技術革新など作業に影響を及ぼすとおぼしき外的要因が変遷したとき、上記要素がいかなる変容を遂げるか解明することを目的とする。対象は九州地方に立地、伝統的建造技術を用いて木造船を建造するX社および最新技術を用いて鋼船を建造するY社である。それぞれにおいて作業研究を実施した後、得たデータをMANOVAに供した。結果、以下に示す点が明らかになった。第一に、たしかに技術革新は発生していた。船殻材料や工法において幾度か技術革新を経験していることが文献から明らかになったし、作業者による作業時間配分から、技術革新が発生したことがうかがえた。こうした過程で、現業部門が担当する作業において稼働率が向上したことが観測された。第二、技術革新前後において作業者が示す行動は変化していなかった。技術革新前後いずれにおいても作業者が準備作業に相当な時間を費やしていることが観測された。また作業者による主作業および付随作業時間分布には、専門的にも統計的にも有意差が見いだされなかった。第三に、熟練作業者とは、担当する作業全体を設計・施工・管理できる人物であることが明らかになった。以上のことかち本研究は、作業者が有する熟練要素は技術革新という外的要因変動前後において変容しなかったことを明らかにした。こうした現象は、熟練要素が外的変動に影響を受けない固定要素と、影響を受ける変動要素とに分けられることから発生すると推測される。また、熟練要素がこうした特性を有することから、訓練制度変更は慎重に進めるべきであるし、変更するならば職務分析を実行しつつ、教育訓練によって付与する熟練要素が有する性質を検討してから実行するべきであるという結論を得た。本年度は、平成19年度に作成する研究成果を作成するために必要なデータを収集・構築するために、以下に示す3事業を実施した。1/3職場調査:伝統的工法を用いて木船を建造する造船所において職場観察を実行、作業上の勘所や作業時間配会について調査を実行した。なお、本調査が対象とする製品は建造が春期に集中し季節性が強いため調査進行ははかばかしくないが、成果製作は可能であろうと推測している。また、調査は現在も継続している。2/3比較対象に関する学会発表:かねてより調査を進めていた鋼船を建造する造船所における職場観察についてとりまとめた成果を学会報告した。コメンテータおよび司会諸氏による論評は意義深い者であった。3/3電話帳を用いたデータ収集:九州とりわけ長崎県における造船所分布を確定するために、各地県立図書館および国立国会図書館において雷話帳を用いた事業所数確定データを収集した。これは、各地県立図書館における欠本が相次ぎ、所期目標よりも推定精度が低下する可能性がある旨付記しておく。
幼児期における「心の理論」と自己発達の関連性について

従来,幼児の自己認知は「マークテスト」と呼ばれる鏡像認知課題によって測定されてきた。それに対して,本研究では遅延ビデオを用いた自己認知課題を実施し,時間的次元を含んだ自己認知の発達を検討した。1.35歳児を対象に,被験児に気づかれないように頭部にシールを装着し,その時のビデオ映像を約5分後に遅延提示した。その結果,ほぼ全員がビデオ映像を見て自己同定できたが,実際にシールを取ったのは4歳以降であった。ただし,課題達成した者の中には,過去の自己状態と現在の自己状態の時間的関係を理解していない者が含まれていた可能性が示唆された。2.そこで,自己ならびに他者がシールに気づいた時点に関する質問をあわせて行い,自己認知達成レベルを次の4つに区分した。レベル0:マークテスト不合格。レベル1:シールを発見するが,それに自分が気づいた時点を特定できない。レベル2:ビデオ映像を見て自分自身シールに気づいたことを自覚できるが,実験者の過去の認識状態を推測できない。レベル3:自己と実験者の過去における認識状態の相違を理解してシールを発見する。このうち,レベル2以上の者は遅延ビデオ映像を「ある特定の過去時点において自分に起こったこと」として認知していると考えられ,その基盤には時間的な視点取得能力の発達があると考察した。また,自他相互の視点取得を必要とする「心の理論」課題の成績もレベル2以上において高いことが明らかになった。3.上記の実験実施後1年経過した時点で,その時の出来事に関する再認テストを行った。その結果,自己認知達成レベル2の被験児は,レベル1以下の者に比べ,再認成績が良い傾向が見られた。この結果は,時間的連続性を備えた自己が発達することと自伝的記憶の発生の連関性を示唆するものであり,今後,時間的視点性と自他関係性の相互関連をとらえつつ自己発達について検討する手がかりとなるものである。3,4,5歳児を対象に,a)遅延ビデオを用いた自己認知課題とb)「心の理論」課題を実施した。a)の課題は,被験児に気づかれないように被験児の頭部にシールをつけ,その時のビデオ映像を約5分経過後に再生して,頭部のシールを発見して取るかどうかをみるものである。本研究では,この課題実施後,被験児自身がシールを発見した時点ならびに対面していた実験者がシールに気づいていた時点についても質問した。本研究より,以下のような結果が得られた。1.遅延ビデオ映像を見て,シールを見つける被験児は,3歳児の約30%であったのに対して,4,5歳児の約90%が課題を通過した。ただし,自他それぞれのシール発見時点を質問したところ,その理解の程度に差がみられ,次の4つの自己認知達成レベルが確認された。レベル0:シール発見課題不合格,レベル1:シールを発見するが,シールをつけた人物とそれに自分が気づいた時点を特定できない,レベル2:実験者がシールをつけたことならびにそれをビデオ映像を見て自分自身気づいたことを自覚できるが,実験者の過去の認識状態を推測できない,レベル3:自己と実験者の過去における認識状態の相違を理解してシールを発見する。2.自己認知達成レベル2以上の被験者は,自己映像を他者に見られることを忌避する傾向が強く,自己映像に自我感情を付与して"自分のこと"として受けとめていることが示唆された。3.レベル0および1と,レベル2および3の間で,「心の理論」課題の成績に有意な差があり,時間経過による自他の視点の相違を理解した上での自己認知と「心の理論」の発達に関連があると言える。

この結果は,時間的連続性を備えた自己が発達することと自伝的記憶の発生の連関性を示唆するものであり,今後,時間的視点性と自他関係性の相互関連をとらえつつ自己発達について検討する手がかりとなるものである。
アンジオテンシンII起因疾患と長期増強現象との関連を探るモデル細胞の樹立とその解析

1.神経細胞での長期増強現象と類似の現象が、アンジオテンシンII(AII)依存的に内分泌細胞でも観察されるかを調べるため、脳下垂体前葉由来の細胞株AtT20にヒト組換え型AII需要体タイプ1(AT1)を導入し、これを安定に発現する細胞株を樹立した。まずこの細胞株を用い、AIIによるアドレノコルチコトロピン(ACTH)分泌とAIIで誘導される細胞内情胞伝達経路の関連を詳細に解析した。その結果、(1)AIIで誘導されるホスホリパーゼCの活性化、電位依存性カルシウムチャンネルの活性化、アデニレートシクラーゼ(AC)活性抑制のうち、前者2経路がACTH分泌に関与することが明らかとなった。(2)ACTH分泌の主要因子であるCRFの作用はcAMP依存的であるが、AIIとCRF同時添加で、AIIはAC活性を抑制しcAMPを低下させたにもかかわらず、ACTH分泌に対して両者は協調的に働くことが分り、本細胞がカルシウム系とcAMP系の情報伝達経路のクロストロークを調べるのに適した細胞であることが示唆された。2.ACTH分泌を指標に、AII依存的な長期増強現象が観察されるか否かを検討するため、本細胞をカラムに充填した微小還流実験系の確立を試みた。しかし、ディッシュ上に細胞を培養する実験系に比べ、微小還流実験系ではAII非刺激時におけるACTH分泌のバックグランドが高く、安定したデータが得られなかった。現在ディッシュを用いた系に戻し、長期増強現象を観察できる条件を検討中である。強力な血管収縮因子アンジオテンシンII(AII)は、高血圧発症のみならず、最近では、心筋肥大、血管平滑筋肥大を起こす作用があることから、これらの原因あるいは進展因子としても注目されている。一方、神経細胞で見られる長期増強現象(神経細胞同士の接続点であるシナプスでの信号の伝達効率が、高頻度刺激により長時間に渡り促進される現象を言い、記憶の形成過程に重要とされている。)と類似の現象が、非神経細胞でも観察されるようになり、AIIに関しても、副腎皮質でのアルドステロン分泌促進作用が、AIIの反復刺激で増強される現象が確認されている。従来、AIIが関与する疾患は、全てAIIあるいはその受容体側の量的増加による機能亢進で生ずるとする考え方で研究が進められてきた。そこで本研究において申請者は、AIIの機能亢進による疾患が、未梢系での長期増強に類似した現象によっても起こり得るとの発想にたち、まずそのための解析に適した細胞株を樹立し、AIIによる疾患と長期増強現象との関連を追求する土台を築くことを目的とした。本年度は、AIIの生体での主要な標的組織である脳下垂体前葉に由来する細胞株AtT20(AIIの既知の全ての生理作用を担うタイプ1AII受容体(AT1)を欠損)に、AT1受容体遺伝子を導入しこれを安定に発現する細胞株の樹立に成功し、今後の解析の土台を築いた。また、以下のことも明かとなった。1.AIIが濃度依存的にACTH分泌を促進し、しかもコルチコトロピン放出因子のACTH分泌作用を強力に増強することから、ACTH調節因子として生理的に重要な因子であることが示唆された。2.樹立した細胞株は、AII刺激により電位依存性カルシウムチャンネルを開口することが分かり、従来から不明な点の多い開口までの経路を知るのに適している細胞であることがわかった。1.ヒト組換え型アンギオテンシンII(AII)受容体タイプ1(AT1)を安定に発現する脳下垂体前葉由来の細胞株AtT20を用い(平成5年度に樹立)、AII依存的アドレノコルチコトロピン(ACTH)分泌とAIIで誘導される細胞内情胞伝達経路の関連を詳細に解析した。その結果、(1)AIIで誘導されるホスホリパーゼCの活性化、電位依存性カルシウムチャンネルの活性化、アデニレートシクラーゼ活性の抑制のうち、前者

2経路がACTH分泌を担うことが明かとなった。(2)ACTH分泌の主要な因子であるCRFの作用はcAMP依存的であるが、AIIとCRF同時添加で、AIIはアデニレートシクラーゼ活性を抑制しcAMPを低下させたにもかかわらず、ACTH分泌に対して両者は協調的に働くことが分り、本細胞がカルシウム系とcAMP系の情報伝達経路のクロストークを調べるのに適した細胞であることが示唆された。2.本細胞においても、神経細胞での長期増強現象と類似の現象が観察されるかを調べるため、本細胞をカラムに充填した環流実験系の確立を試みた。ディッシュ上に細胞を培養する実験系に比べ、環流実験系ではAII非刺激時におけるACTH分泌のバックグランドが高く安定したデータが得られなかった。現在ディッシュを用いた系に戻し、長期増強現象を観察できる条件を検討中である。