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農村医療に対する経済政策-長野県農村医療実態調査をふまえて-

農村医療の実態を調査するため,長野県の下伊那群喬木村・上村,南安曇群堀金村,木曽群開田村,南佐久群八千穂村,下高井群木島平村などを中心として農家に聴取りにまわった.この実態調査結果を分析し,どのような経済政策を実施するならば,農村医療は改善され,豊かな安定した農村生活がおくれるかを考察した.農村医療に対する経済政策でるあから,農村の環境改善,生活様式の改良,建物構造の改良,病院・医師の充実,農作業の改良,レジャーのすすめなどが,農村に多い病名ごとに考えていかなくてはならない.この研究成果を掲げると次のようになる.1.癌系統,結核系統にかかりやすい生活要因として,農作業の過重,心身のストレスの積みかさね,早期発見がなされにくい理由の病院・医師の不足,現金持合せ不足などがわかった.この改善政策としては,機械化による農作業の合理化・肉体労働の軽減,心身とものレジャーのすすめ,農村に健全なレジャー施設の設置,病院・診療所の増設,医師の定着とくに新進気鋭の苦い医師の定住化,日光の入る家屋構造への改善,バランスのとれた栄養のある食生活の普及をなすことが必要である.2.農村医療で問題になるのは,医療の手遅れである.この原因には,がまん型と,気づかず型とがある.このためには厳しい自己管理による定期検診が必要であるとともに,地方自治体で農村生活にマッチした検診精度を確立していくことが大切である.3.高血圧症,低血圧症,脳卒中は長野県農山村に多い.遺伝的体質上の要因もあるが,寒暖の差が大きく,塩気の多い食生活にも原因がある.したがって市町村役場に保健婦とともに栄養士を常駐させる制度があるとよい. 4.農村における寝たきり老人や独り暮らし老人の生活はみじめである.これについては,今後の計画として,農村老人医療に対する経済政策の研究を考えている.国の内外ともに比較的少ない研究テーマであるから今後も研究したい.農村医療の実態を調査するため,長野県の下伊那群喬木村・上村,南安曇群堀金村,木曽群開田村,南佐久群八千穂村,下高井群木島平村などを中心として農家に聴取りにまわった.この実態調査結果を分析し,どのような経済政策を実施するならば,農村医療は改善され,豊かな安定した農村生活がおくれるかを考察した.農村医療に対する経済政策でるあから,農村の環境改善,生活様式の改良,建物構造の改良,病院・医師の充実,農作業の改良,レジャーのすすめなどが,農村に多い病名ごとに考えていかなくてはならない.この研究成果を掲げると次のようになる.1.癌系統,結核系統にかかりやすい生活要因として,農作業の過重,心身のストレスの積みかさね,早期発見がなされにくい理由の病院・医師の不足,現金持合せ不足などがわかった.この改善政策としては,機械化による農作業の合理化・肉体労働の軽減,心身とものレジャーのすすめ,農村に健全なレジャー施設の設置,病院・診療所の増設,医師の定着とくに新進気鋭の苦い医師の定住化,日光の入る家屋構造への改善,バランスのとれた栄養のある食生活の普及をなすことが必要である.2.農村医療で問題になるのは,医療の手遅れである.この原因には,がまん型と,気づかず型とがある.このためには厳しい自己管理による定期検診が必要であるとともに,地方自治体で農村生活にマッチした検診精度を確立していくことが大切である.3.高血圧症,低血圧症,脳卒中は長野県農山村に多い.遺伝的体質上の要因もあるが,寒暖の差が大きく,塩気の多い食生活にも原因がある.したがって市町村役場に保健婦とともに栄養士を常駐させる制度があるとよい. 4.農村における寝たきり老人や独り暮らし老人の生活はみじめである.これについては,今後の計画として,農村老人医療に対する経済政策の研究を考えている.国の内外ともに比較的少ない研究テーマであるから今後も研究したい.
ランダムメディア上の情報伝播問題に関する基礎的考察

本研究では、対象量(オブシェクト、一般に物理量とは限らない)の伝播媒体(メディア)の有する空間的な不規則変動特性を確率場によって数学的にモデル化し、メディア上のオブジェクトの時間・空間変動を記述する確率微分方程式に対する基礎的な考察、および本モデルの工学上の諸問題への適用可能性についての考察を行った。本研究を通じて得られた主な結果は以下の通りである。1.ランダムメディア上のオブジェクトの変動を記述する方程式としては、(a)特殊な形の確率常微分方程式、(b)非因果的境界条件が付加される確率偏微分方程式、の2種類が考えられることをまず明らかとした。本研究では、タイプ(b)の解を通常の因果的な確率微分方程式の解を基に構築する手法を新たに提案した。2.この手法を、確率場を係数関数として持つStrum-Liouville型境界値問題に適用し、その有効性を確認すると共に、実用面への応用を考慮して解析的な近似解を与える簡易手法を構築し、計算機シミュレーションを通じてその近似精度が良好であることを検証した。また、高層建築物中の地震波によるせん断波の不規則伝播問題への応用を試みた。3.考察の対象となるオブシェクトを抽象的に定式化できる点に着目し、地震波の伝播、構造物の耐震応答、経済市場における投資情報の空間伝播など種々の実用的問題に理論的に応用し得ることを明らかとした。4.オブジェクトに関する不確実位を広い意味での情報と考えることにより、上述のタイプ(b)確率偏微分方程式の解の構成が論理的な矛盾を含まないことを明らかとした。なお、このような情報はShannonの提唱した情報とは別個のものとして取り扱うべきものと考えられる。
IV-VI族希薄磁性半導体複合構造におけるスピン制御に関する研究

IV-VI族GeTeベース希薄磁性半導体およびその積層構造において、(1)新規希薄磁性半導体の合成、(2)アモルファスから結晶への相転移を利用した強磁性微細構造の作製、(3)磁気特性制御および伝導特性の検討、について研究を行い以下の成果を得た。1.GeTeベース新規希薄磁性半導体の合成ほぼ同組成(x0.15)の種々の3d遷移金属をドープした薄膜を作製し、磁気特性を調べた結果、Mnに加え、CrおよびFeドープ薄膜において強磁性が得られた。このとき他の強磁性膜に比べ、キャリア濃度の低い、Feドープ膜において最も高いキュリー温度100Kが得られた。2.相転移による強磁性微細構造の作製光学顕微鏡に組み込まれた半導体レーザによりa-Ge_<0.7>Mn_<0.3>Te薄膜中への結晶細線の作製を試み、スポット径(1.2μm^2)と同程度の1.0μm幅の結晶細線が得られた。磁化曲線および磁気抵抗曲線から、結晶領域は強磁性となっており、相転移により強磁性結晶構造を作製できることを明らかにした。3.磁気特性制御および伝導特性の検討Ge_<1-x>Mn_xTe上へMnTeを成長させることで強磁性半導体層の保磁力の制御を試みた結果、Ge_<0.7>Mn_<0.3>Te/GeTe/Ge_<0.7>Mn_<0.3>Te/MnTe積層膜において選択的磁化反転を示す2段のヒステリシスループを観測した。積層膜における磁気抵抗効果比(電流:膜面内)は、単層膜(0.37%)と比べ、4.9%と1桁大きな値であった。また、同Mn組成でキャリア濃度が10^<19>10^<21>cm^<-3>と大きく変化した試料において、キャリア濃度の増加に伴い自発磁化の大きさが増加し、保磁力が低減することを明らかにし、キャリア制御による選択的磁化反転への可能性が得られた。磁気輸送特性から磁気転移について検討を行った結果、臨界指数は平均場近似よりもハイゼンベルグ型に近いことを明かにした。本年度は、新規IV-VI族希薄磁性半導体の合成、クラスタイオンビーム法によるGeMnTe薄膜作製における結晶性のイオン化加速条件依存性および積層構造の作製を行い以下の知見を得た。(1)Cr、Co等の3d遷移金属をドープし、強磁性を示す新規IV-VI族希薄磁性半導体としてGeFeTeおよびGeCrTeの合成に成功した。特に、GeFeTeにおいてはGeMnTeに比べ、大きな磁性イオンとキャリア間の交換相互作用定数を得ており、その結果、Fe組成0.18で100Kと同組成のGeMnTeに比べ高いキュリー温度が得られた。(2)積層構造を有するスピン依存型デバイスの作製において重要な界面の平坦性を改善するために、GeMnTe薄膜の結晶性についてイオン化加速条件依存性を調べた。その結果、GeTeクラスタのイオン化・加速により結晶性および膜表面の平坦性を改善できた。

化学量論的組成を変化させることで、同Mn組成を持ちキャリア濃度が10^<19>10^<21>cm^<-3>と大きく変化している試料の作製に成功し、キャリア濃度の増加によって自発磁化の大きさが増加すること、および、それに伴って保磁力が低減することを明らかにし、キャリア制御による選択的磁化反転への可能性が得られた。(3)GeTe/GeMnTe/GeTe/GeMnTe積層膜を作製し、磁気輸送特性を調べた。その結果、膜面内に電流を流す構造(CIP構造)においてはバッファー層の改善が必要であることがわかった。そこで、バッファー層としてPbSを検討し、GeTeバッファー層に比べ、高抵抗かつより平坦性のよい膜が得られることがわかった。また、電流を垂直方向に流す構造(CPP構造)を作製した。現在、磁気輸送特性について検討中である。本年度は、高速電子デバイス材料として用いられているIII-V族半導体基板上へのGe_<1-x>Mn_xTe薄膜成長、MnTeとの積層構造作製による磁気特性の制御およびGe_<1-x>Mn_xTeの磁気相転移について検討を行い、以下の知見を得た。(1)これまでGeTeより格子定数の大きなBaF_2(111)基板を用いてきたが、Mn濃度が高くなるにつれGe_<1-x>Mn_xTeの格子定数が小さくなることから、GeTeより格子定数の小さなGaAs(100)およびInP(100)基板上へクラスタイオンビーム法によるGe_<1-x>Mn_xTe薄膜のヘテロエピタキシャル成長を試みた。その結果、GaAs基板に比べ、より格子定数がGe_<1-x>Mn_xTe(Mn組成x=0.4の場合)に近いInP基板で、比較的良好な平坦性をもつ膜が得られた。しかしながら、InP基板において、Ge_<1-x>Mn_xTeは(111)に配向しており、良好な結晶性を得るためにはさらなる改善が必要である。(2)積層膜における磁気抵抗効果をセンサー等に利用するには、各磁性層間の磁化の平行および反平行状態の実現が不可欠である。そこでGe_<1-x>Mn_xTe上へMnTeを成長させることによってGe_<1-x>Mn_xTe層の保磁力の制御を試みた結果、すべて半導体からなるGe_<1-x>Mn_xTe/GeTe/Ge_<1-x>Mn_xTe/MnTeスピンバルブ積層膜において、2段のヒステリシスループを観測した。(3)キュリー温度近傍における磁気相転移について詳細な検討を行った結果、臨界指数が平均場近似よりもハイゼンベルグ型に近いことを明らかにした。その短距離秩序の起源としては、抵抗の温度依存性等の実験結果から、磁気ポーラロンにより生じていると推測された。(1)Fe蒸着源としてFe、FeTeおよびFeTe_2を用いた作製を試みた結果、FeTeおよびFeTe_2を用いた場合は低Fe濃度(2%以下)の膜しか得られず、高Fe濃度の膜を作製するのは困難であることがわかった。Feを蒸着源としたFeドープGeTe薄膜においてはFe濃度20%の薄膜を得ることができた。Fe濃度の増加につれて結晶性は劣化した。現在、作製条件のさらなる最適化を行っている。(3)Ge_<1-x>Mn_xTe薄膜において、磁界の印加方向を変えながら磁気抵抗を測定した結果、磁界振幅が小さな場合、磁気抵抗の印加磁場角度依存性はピーク値の異なる非対称な振る舞いを示した。
J.S.ミル大衆商業社会認識と自由主義

本研究はミルの商業社会認識の変化が,彼の自由主義思想をどのように深化させたかを,統治論を中心に考察してきた。ミルの商業社会認識とそれに基づく統治論の変遷は,次の4つの段階に区分することができる。第一段階は,ベンタム派伝道時代であり,理性への限りない信頼に立脚した代議制民衆政を主張していた段階である。第二段階は,商業社会における道徳的腐敗を認識した段階である。そして,そのことによって旧社会の解体が新社会の成立条件を自ずとつくりえないと考えるに至り,社会成立の必要条件として権威を強調することになった。この段階でミルは,権威を否定し自らの理性に従うように説くリベラリズムにきわめて批判的となり,真の代議制民衆政と偽りの代議制民衆政との区別を強調するようになる。後者が「民衆自身の一致した意見」による統治であるのに対して,「民衆が自分達自身で統治するのではなく,民衆が自らの統治者を選択する」ことを真の民衆政と位置づけた。しかし,この段階では,民衆が最も賢明な人々の意見に自ずと従うことに楽観的な展望をもっていたのであるが,この展望は激烈な競争の下での個人の埋没という認識によって崩れていく。さらに,ミルは大衆的商業者会の下では,世論が積極的に少数者を抑圧すると認識するに至る。この第四段階でミルは,デモクラシーの真の弊害が,「無政府状態」を生み出すことではなく,「中国的停滞と不動性」にあると認めるようになる。こうした認識が,対立する諸原理の均衡と統一を希求するという,一見すると矛盾した外観をもつ,ミルの自由主義を支えることになったのである。以上のように,本研究は,ミルの自由主義の深化を彼の社会認識の発展と関わらせて明らかにしたものである。
頭頸部癌におけるシクロオキシゲナーゼ-2発現とその阻害剤による腫瘍増殖抑制効果

本研究は,頭頸部癌におけるシクロオキシゲナーゼ(COX)-2発現を免疫組織化学的ならびに分子生物学的に検索し,腫瘍増殖および悪性度におけるCOX-2の関与とCOX-2阻害剤による腫瘍増殖抑制効果を明らかにすることを目的としている.本研究において得られた成果を以下に述べる.1.頭頸部扁平上皮癌および唾液腺癌において,いずれの癌にもCOX-2発現を認めたが,唾液腺癌で高発現する割合が高かった.扁平上皮癌では,分化度の低いものほど発現が高く,未分化癌では全てに高発現がみられた.扁平上皮癌のみならず,上皮過形成,上皮異形成症,上皮内癌においても悪性化に応じてCOX-2発現の増強を認めた.2.扁平上皮癌におけるCOX-2発現とトポイソメラーゼIIα発現は正の相関を示し,ともに高発現している扁平上皮癌患者の予後は不良であった.3.口腔扁平上皮癌の転移巣は原発巣に比べて有意にCOX-2発現の増加がみられた.また,原発巣,転移巣いずれにおいても,腫瘍の分化度の低下に伴い,COX-2発現は増強する傾向を示した.4.頭頸部扁平上皮癌細胞であるKB, SCC25,唾液腺癌細胞であるHSG, HSYに,COX-1およびCOX-2阻害剤であるスリンダク,選択的COX-2阻害剤であるエトドラク,セレコキシブを作用させると,アポトーシスを介して細胞増殖は濃度依存性に抑制されたが,SCC25とHSGでより著明であった。また,セレコキシブのIC_<50>はエトドラクの1/5,スリンダクの1/10であった.5.SCC25細胞は多量のPGE_2を産生していたが,KB, HSG, HSYではわずかであった.SCC25,HSGにPGE_2を作用させると,SCC25では増殖が促進されたが,HSGでは促進されなかった.またセレコキシブにより,PGE_2産生とCOX-2蛋白発現は効率よく抑制された.6.細胞毒性のないあるいは軽度毒性のある濃度のセレコキシブと抗癌剤を併用してSCC25,HSGを処理した場合,アドリアマイシン,ビンクリスチン,ブレオマイシンにおいて210倍の効果増強がみられた.この増強効果は,アポトーシス誘導の程度とおおむね一致していた.7.ジメチルペンツアントラセン塗布によるハムスター頬嚢発癌実験系において,スリンダクおよびセレコキシブ経口投与により,発癌率は抑制されなかったが,発癌時期,腫瘍増殖,腫瘍死が遅延した.以上の結果より,COX-2が頭頸部扁平上皮癌の増殖,転移,悪性度に関与すること,選択的COX-2阻害剤により腫瘍細胞増殖PGE_2産生,COX-2蛋白発現力が効率よく抑制されること,COX-2阻害剤は坑癌剤との併用によりアポトーシスを介して細胞増殖抑制効果を増強することが示された.本研究は,頭頸部癌におけるシクロオキシゲナーゼ(COX)-2発現を免疫組織化学的ならびに分子生物学的に検索し,腫瘍増殖および悪性度におけるCOX-2の関与とCOX-2阻害剤による腫瘍増殖抑制効果を明らかにすることを目的としている.本研究において得られた成果を以下に述べる.1.頭頸部扁平上皮癌および唾液腺癌において,いずれの癌にもCOX-2発現を認めたが,唾液腺癌で高発現する割合が高かった.扁平上皮癌では,分化度の低いものほど発現が高く,未分化癌では全てに高発現がみられた.扁平上皮癌のみならず,上皮過形成,上皮異形成症,上皮内癌においても悪性化に応じてCOX-2発現の増強を認めた.2.扁平上皮癌におけるCOX-2発現とトポイソメラーゼIIα発現は正の相関を示し,ともに高発現している扁平上皮癌患者の予後は不良であった.3.口腔扁平上皮癌の転移巣は原発巣に比べて有意にCOX-2発現の増加がみられた.また,原発巣,転移巣いずれにおいても,腫瘍の分化度の低下に伴い,COX-2発現は増強する傾向を示した.4.頭頸部扁平上皮癌細胞であるKB, SCC25,唾液腺癌細胞であるHSG, HSYに,COX-1およびCOX-2阻害剤であるスリンダク,選択的COX-2阻害剤であるエトドラク,セレコキシブを作用させると,アポトーシスを介して細胞増殖は濃度依存性に抑制されたが,SCC25とHSGでより著明であった。また,セレコキシブのIC_<50>はエトドラクの1/5,スリンダクの1/10であった.5.SCC25細胞は多量のPGE_2を産生していたが,KB, HSG, HSYではわずかであった.SCC25,HSGにPGE_2を作用させると,SCC25では増殖が促進されたが,HSGでは促進されなかった.またセレコキシブにより,PGE_2産生とCOX-2蛋白発現は効率よく抑制された.6.細胞毒性のないあるいは軽度毒性のある濃度のセレコキシブと抗癌剤を併用してSCC25,HSGを処理した場合,アドリアマイシン,ビンクリスチン,ブレオマイシンにおいて210倍の効果増強がみられた.この増強効果は,アポトーシス誘導の程度とおおむね一致していた.

7.ジメチルペンツアントラセン塗布によるハムスター頬嚢発癌実験系において,スリンダクおよびセレコキシブ経口投与により,発癌率は抑制されなかったが,発癌時期,腫瘍増殖,腫瘍死が遅延した.以上の結果より,COX-2が頭頸部扁平上皮癌の増殖,転移,悪性度に関与すること,選択的COX-2阻害剤により腫瘍細胞増殖PGE_2産生,COX-2蛋白発現力が効率よく抑制されること,COX-2阻害剤は坑癌剤との併用によりアポトーシスを介して細胞増殖抑制効果を増強することが示された.本研究は,頭頸部癌におけるシクロオキシゲナーゼ(COX)-2発現を免疫組織化学的ならびに分子生物学的に検索し,COX-2阻害剤による腫瘍増殖抑制効果および細胞増殖抑制機序を明らかにすることを目的としている.初年度である平成12年度に得られた成果を以下に述べる.1.抗ヒトCOX-2家兎血清(IBL,群馬)を用いたSABC法により,頭頸部扁平上皮癌および唾液腺癌におけるCOX-2発現を免疫組織化学的に調べた.その結果,いずれの癌にもCOX-2発現を認めたが,唾液腺癌で高発現する割合が高かった.扁平上皮癌では,分化度の低いものほど発現が高く,未分化癌では全てに高発現がみられた.2.扁平上皮癌培養細胞(KB,SCCKN)および唾液腺癌培養細胞(HSG,HSY)について,免疫細胞化学染色を行ったところ,HSGはHSYより,KBはSCCKNより高いCOX-2発現を示した.3.COX-1とCOX-2阻害剤であるスリンダクおよびCOX-2の特異的阻害剤であるエトドラクは濃度依存的に細胞増殖を抑制したが,エトドラクはスリンダクより有効であった.また,COX-2高発現のKBとHSGは,低発現のSCCKNとHSYより高感受性であった.4.COX-2高発現のHSGと低発現のSCCKNについて,PGE_2合成におけるCOX-2阻害剤の影響を調べたところ,HSGのPGE_2合成はエトドラクにより著明に抑えられたが,スリンダクでは軽微であった.SCCKNではいずれの阻害剤ともPGE_2合成を抑えなかった.5.COX-2阻害剤による細胞増殖抑制にアポトーシスが関与しているか調べた結果,エトドラクはスリンダクより強いDNA断裂を引き起こし,またHSGはSCCKNより高いアポトーシス指数を示した.本研究は,頭頸部癌におけるシクロオキシゲナーゼ(COX)-2発現を免疫組織化学的ならびに分子生物学的に検索し,腫瘍増殖および悪性度におけるCOX-2の関与とCOX-2阻害剤による腫瘍増殖抑制効果を明らかにすることを目的としている.平成13年度に得られた成果を以下に述べる.1.抗ヒトCOX-2家兎血清(IBL,群馬)を用いたSABC法により,頭頸部扁平上皮癌のみならず,上皮過形成,前癌病変である上皮異形成症,上皮内癌においてもCOX-2の発現を認めた.細胞増殖マーカーとしてトポイソメラーゼIIα発現を同時に調べたところ,上皮異形成症,上皮内癌では発現が上昇していたが,上皮過形成では発現は低かった.2.扁平上皮癌におけるCOX-2発現とトポイソメラーゼIIα発現は正の相関を示し,ともに高発現している扁平上皮癌患者の予後は不良であった.3.COX-1とCOX-2阻害剤であるスリンダク,COX-2の特異的阻害剤であるエトドラクとセレコキシブは濃度依存的に細胞増殖を抑制したが,セレコキシブがもっとも低濃度で抑制を示した.4.ジメチルベンツアントラセン塗布によるハムスター頬嚢発癌実験系において,スリンダクおよびセレコキシブ経口投与により,発癌率は抑制されなかったが,発癌時期が遅延した.5.スリンダクおよびセレコキシブは細胞毒性のない濃度において,ビンクリスチンやシスプラチンなどの殺細胞効果を増強した.本研究は,頭頸部癌におけるシクロオキシゲナーゼ(COX)-2発現を免疫組織化学的ならびに分子生物学的に検索し,腫瘍増殖および悪性度におけるCOX-2の関与とCOX-2阻害剤による腫瘍増殖抑制効果を明らかにすることを目的としている.
クラブ衝突によるレーザーコンプトン散乱のルミノシティ増大に関する研究

本研究は電子ビームとレーザーの衝突であるレーザーコンプトン散乱(LCS)においてクラブ衝突と呼ばれる衝突手法を導入することで、衝突角に開きがあってもルミノシティを補償し、生成X線の増大を図り、小型高輝度LCS-X線源の実現へ向けた要素技術を開発する新奇な研究である。クラブ衝突では電子ビームに傾きを付与することで擬似的な正面衝突を実現しルミノシティを補償する。高強度・超短パルスなレーザーとして薄ディスク媒質を用いた再生増幅器を構築してきた。今年度においてはチャープパルス増幅の最終段階として透過型回折格子対を用いたパルス圧縮器を設置し、約1ピコ秒のパルス幅の実現に成功した。空間的なサイズとしては27マイクロメートルまで絞ることができており、高品質なレーザー生成ができている裏付けである。またLCS実験のための真空チャンバーを設計、開発した。ビーム収束用の磁気レンズから衝突点までの距離をなるべく離さないためにコンパクトなものにしつつ、30度、45度、90度の3つの衝突角で実験を実施できるものを作成できた。これらの開発を経て、クラブ衝突によるルミノシティ増大を実証すべくLCS実験を実施した。電子ビームはSバンド1.6セルのフォトカソードRFガンで生成し、衝突用レーザーは45度で入射させ、LCS実験を行った。電子ビームとレーザーの相対的なタイミングを走査することでLCS-X線のピークを取得することに成功した。レーザーを水平方向、鉛直方向に走査することでもピークを確認できている。しかしながらこの度の試験では、クラブ衝突の優位性を見出すことはできなかった。レーザーと加速器を想定通りに同期させられず、安定したレーザー供給ができていないためである。今後はレーザーシステムのアップグレードとしてリング型の共振器を持つ再生増幅器開発を行い、クラブ衝突LCSの実証へとつなげていく予定である。平成30年度が最終年度であるため、記入しない。電子ビームによってレーザー光子を散乱させることでX線光子ビームを発生させるレーザーコンプトン散乱において、電子ビームに傾きを付与することで擬似的な正面衝突を再現できるクラブ衝突レーザーコンプトン散乱の原理実証を目指している。当該年度としては衝突用レーザーシステムの構築に取り組み、クラブ衝突の効果を最大化すべく高パルスエネルギー・超短パルスなレーザー開発に従事した。発振器としてはYbファイバーレーザーを使い、非線形偏波回転に基づくモード同期で1ピコ秒のレーザーパルス生成に成功している。発振器の下流にはYbファイバー前置増幅器、回折格子を用いたパルスストレッチャーを構築し、300mW、150ピコ秒のパルス生成を確認している。メインアンプであるThin-disk再生増幅器に関しては知見が少なかったこともあり試験を精力的に行い、試験的なセットアップながらサブミリジュールのパルス生成に成功している。再生増幅を示すビルドアップ波形(各ラウンドトリップで波形が増幅される様子)の取得もできている。またThin-diskで問題となりえる曲率半径の変化に関してもデータを取得し、共振器設計にフィードバックしている。これらの成果から、励起モジュールや励起光源をアップグレードすることで10ミリジュール以上、フェムト秒のパルス生成が実現可能との見通しを得ることができた。加速器システムに組み込む事を鑑み、比較的コンパクトな光学台に収めていることも特徴である。今後はアップグレードを早急に済ませてパルスコンプレッサーを構築、強度とパルス幅の評価を済ませた後にレーザーコンプトン散乱によるX線発生を行う。計画では既に衝突用レーザーシステムの完成を目論んでいたが、Thin-disk再生増幅器に関して試験的な段階に留まっている。しかしながら見通しの良い実験結果を得ることに成功し、ノウハウを培うこともできたため早急にレーザーシステムの完成ができるものと考えている。

今後はレーザーシステムのアップグレードとしてリング型の共振器を持つ再生増幅器開発を行い、クラブ衝突LCSの実証へとつなげていく予定である。高パルスエネルギー・超短パルスのレーザーシステムの完成をすべく、試験的なセットアップに留まっているところをアップグレードする。具体的には励起モジュール、励起光源をより高品質なものに置き換え、評価を行う。昨年度に培われた経験からよりスピード感を持って研究を遂行することが可能と考えている。加速器側もぬかりなく準備をし、レーザーシステムが完成し次第マッチアップさせ、レーザーコンプトンX線発生を実施する。X線生成の確認後はクラブ衝突を実施し、X線強度の変化データを取得する。平成30年度が最終年度であるため、記入しない。
高効率発光材料としてのリン光性有機遷移金属錯体の分子設計と合成

1.ルテニウム錯体を触媒として用いるアリールピリジンの簡便な合成法を開発した.すなわち,2-フェニルピリジンと様々なアリールブロマイドを触媒量の2価のルテニウム-トリフェニルホスフィン錯体と炭酸カリウムの存在下に反応させると,ピリジンのオルト位が選択的にアリール化された生成物,すなわち2-(2'-アリールフェニル)ピリジンが高収率で生成することを見出した.2.2-(2'-アリールフェニル)ピリジンを配位子とする白金錯体を合成し,その発光特性の評価を行った.その結果,2,6-ジメチルフェニル基の導入により錯体同士のスタッキングが抑制され,これらの平面錯体で問題になっていた多量体エキシマーの形成による長波長領域での発光を抑えることに成功した.3.塩化白金酸カリウム(2)と過剰量のN-フェニルピラゾールを炭酸カリウムの存在下に170200°Cで20時間程度反応させると,アリールピラゾールが配位した白金錯体が50%程度の収率で合成できることを見出した.この方法は従来法に比べ,1段階で目的生成物を簡便に合成できる点が特長である.得られた錯体は低温でリン光発光することが確認された.4.アリールピリジンを配位子とする新しい金(III)錯体の合成法を開発し,様々な金錯体を合成した.これらの錯体の発光特性を評価し,アリールピリジンとアルキン類が配位した錯体が可視領域で発光することを見い出した.5.NHCカルベン錯体が配位した白金錯体を合成し,その発光特性を評価した.得られた錯体の蛍光を測定した結果,ビスアセチリド錯体において,弱いながらも450nmに極大を持つ発光が観測された.1.ルテニウム錯体を触媒として用いるアリールピリジンの簡便な合成法を開発した.すなわち,2-フェニルピリジンと様々なアリールブロマイドを触媒量の2価のルテニウム-トリフェニルホスフィン錯体と炭酸カリウムの存在下に反応させると,ピリジンのオルト位が選択的にアリール化された生成物,すなわち2-(2'-アリールフェニル)ピリジンが高収率で生成することを見出した.2.2-(2'-アリールフェニル)ピリジンを配位子とする白金錯体を合成し,その発光特性の評価を行った.その結果,2,6-ジメチルフェニル基の導入により錯体同士のスタッキングが抑制され,これらの平面錯体で問題になっていた多量体エキシマーの形成による長波長領域での発光を抑えることに成功した.3.塩化白金酸カリウム(2)と過剰量のN-フェニルピラゾールを炭酸カリウムの存在下に170200°Cで20時間程度反応させると,アリールピラゾールが配位した白金錯体が50%程度の収率で合成できることを見出した.この方法は従来法に比べ,1段階で目的生成物を簡便に合成できる点が特長である.得られた錯体は低温でリン光発光することが確認された.4.アリールピリジンを配位子とする新しい金(III)錯体の合成法を開発し,様々な金錯体を合成した.これらの錯体の発光特性を評価し,アリールピリジンとアルキン類が配位した錯体が可視領域で発光することを見い出した.5.NHCカルベン錯体が配位した白金錯体を合成し,その発光特性を評価した.得られた錯体の蛍光を測定した結果,ビスアセチリド錯体において,弱いながらも450nmに極大を持つ発光が観測された.ルテニウム錯体を触媒として用いるアリールピリジンの簡便な合成法を開発した.すなわち,2-フェニルピリジンと様々なアリールブロマイドを触媒量の2価のルテニウム-トリフェニルポスフィン錯体と炭酸カリウムの存在下にN-メチルピロリジノン溶媒中で120度において反応させると,ピリジンのオルト位が選択的にアリール化された生成物,すなわち2-(2'-アリールフェニル)ピリジンが高収率で生成することを見出した.次に,イリジウム,ロジウム,白金を中心金属とし,上記の方法で合成した様々なアリールピリジンを配位子とする有機金属錯体の合成を行った.イリジウム、ロジウム錯体の合成は,これらの金属の3価の塩化物と様々なアリールピリジンを反応させ,塩素架橋ダイマー錯体を合成した.これらのダイマー錯体とさらにもう一分子のアリールピリジンを反応させ,3つのアリールピリジンを配位子として有する6配位錯体を合成した.また,ダイマー錯体とアセチルアセトン,2-ピコリン酸などの二座のアニオン性配位子を塩基性条件下で反応させ,2つのアリールピリジンを有する有機金属錯体を合成した.白金錯体の場合は,塩化第一白金と様々なアリールピリジンの反応により,ビス(アリールピリジン)クロロ白金錯体を合成した.その後,この白金錯体とアセチルアセトンを塩基性条件下で反応させ,アリールピリジンとアセチルアセトンを配位子として有する錯体を合成した.これらの錯体の発光挙動に関する検討は現在行っているところであるが,白金の2-(2'-(2",6"-ジメチルフェニル)フェニル)ピリジン錯体は2,6-ジメチルフェニル基の導入により錯体同士のスタッキングが抑制され,これらの平面錯体で問題になっていた多量体エキシマーの形成による長波長領域での発光を抑えることに成功した.

ルテニウム錯体を触媒として用いるオルトアリール置換フェニルピラゾール類の簡便な合成法を開発した.すなわち,N-フェニルピラゾールと様々なアリールブロマイドを触媒量の2価のルテニウム-トリフェニルホスフィン錯体と炭酸カリウムの存在下にN-メチルピロリジノン溶媒中で120度において反応させると,フェニル基のオルト位が選択的にアリール化された生成物,すなわちN-(2'-アリールフェニル)ピラゾールが高収率で生成することを見出した.従来の報告ではC,N-キレート型フェニルピリジン白金錯体に関するリン光発光の例が多くあるが,ピラゾールなどの5員環複素環が配位した白金錯体の発光例はほとんどない.そこで,上記の方法により合成したフェニルピラゾール類を用いてビス-C,N-キレート型の白金錯体の合成法を検討した.その結果,塩化白金酸カリウム(II)と過剰量のN-フェニルピラゾールを炭酸カリウムの存在下に170200°Cで20時間程度反応させると,目的のビス-C,N-キレート型の白金錯体が50%程度の収率で合成できることを見出した.この方法は従来法に比べ,1段階で目的生成物を簡便に合成できる点が特長である.得られた錯体は低温でリン光発光することが確認されたため,有機EL素子の試作を行ったところ,高い効率で発光することを確認した.発光波長は490nmから600nmの範囲であった.現在,次年度に向けて,N-フェニルピラゾールと塩化イリジウム,塩化ロジウムより,対応するイリジウム錯体,ロジウム錯体の合成法を検討している.近年,NHCカルベンが配位したイリジウム錯体が,400450nmという短波長で発光することが見い出され,青色発光材料として注目されている.そこで,本年度はNHCカルベン錯体が配位した白金錯体を合成し,その発光特性を調べることにした.まず,1-フェニル-3-メチルイミダゾリウムヨーダイドと酸化銀を塩化メチレン中で反応させ,銀のカルベン錯体を調製した.続いて調製した銀カルベン錯体と塩化白金を,テトラブチルアンモニウムクロリドと炭酸ナトリウムの存在下,ジオキサン中で加熱することにより,ジクロロビス(1-フェニル-3-メチルイミダゾリン-2-イリデン)白金錯体が収率良く得られた.また,得られたビスカルベン錯体は単結晶X線構造解析により,その構造を確認した.その結果ふたつのカルベン配位子は,白金錯体の平面に対して直交しており,また,ふたつのカルベンはトランス配置であることがわかった.続いて,得られたビスカルベン錯体のアニオン部の交換を行った.ヨウ化銅(I)とアミンの存在下,フェニルアセチレンと反応させることにより,ビスアセチリド錯体が収率良く得られた.また,ジクロロ錯体をヘキサフルオロリン酸銀で処理した後,加熱することにより,一方のカルベン配位子のフェニル基がオルト位で白金に結合したメタラサイクル錯体が得られた.さらに加熱時間を延長したが,錯体が分解するのみで,ビスメタラサイクル錯体を得ることはできなかった.得られた錯体の蛍光を測定した結果,ビスアセチリド錯体において,弱いながらも450nmに極大を持つ発光が観測された.
役割理論を適用した日本語現象の語用論的分析および著書作成

今年度においては2項目について研究を行った。一つ目は、敬語を使用した「アイロニー」についてであるが、この分野は英語に関してはかなり研究されてきたが、敬語に関してはまったく数が限られており、アイロニーの要素がある文脈で敬語を使用した際に、敬語は「敬意」を表すというよりもアイロニーを強調するという結論しか見られなかった。ドラマを中心に人間関係や文脈の在り方を調べることにより、アイロニーが見られない発話内容であっても、敬語を使用することでアイロニーとなる場合もあったり、相手の言葉を繰り返すことで自敬表現となり、それがアイロニーを作り出す場合もあることが分かった。さらに敬語が適切であっても過去の出来事をリマインダーとして発言した場合にもアイロニーは作り出されることが分かった。そして、敬語使用のアイロニーの現象は、従来、「命題」があって(つまり、話者の意図が発話の意味と異なるという前提)その矛盾がアイロニーを生むと言われてきたのであるが、敬語を使用した現象は、そういう命題がなくともアイロニーを生む可能性があるというのは新しい発見である。11月の学会でこれを発表し、現在これについて論文を執筆中である。もう一つは、日本語のポライトネスについて著書を仕上げつつある。Routledge出版社には学習者向けの著書を提出したのであるが、refereesの意見を取り入れ、また編集者からの助言により、理論的な著書に変更することになった。それに至るまで1年近くかかったが、2月にRoutledgeと出版に向けて契約を交わすまでに至った。内容は、従来のポライトネス研究に言及しながらも、日本語にある特徴を明らかにし、日本語のポライトネスの全貌が理解できるように工夫されている。来年度中には仕上げて出版する予定となっている。データ収集がまだ充分でない。インタビューを行う予定であったが、健康上の問題や本の執筆などで、行う時期を逸した。それから12つぐらい適切なドラマあるいは映画を選んでそれもデータにするつもりであったが、購入したドラマは分析に足りる量がなかったため、新たに収集するつもりである。執筆中の著書を仕上げること。アイロニーに関しては、現在執筆中の論文が終了すれば、さらに12本目指したい。現在「呼称」については文献の閲覧を続けているが、データ収集及び論文の執筆に向けてどのような方向性を持たせるかについては、海外研究協力者と話し合うつもりである。当該研究に向けての新しいデータ収集が行われていない。インタビューを行うはずであったが、他のデータ処理や著書の件などで時間が取れず、次年度に持ち越されることになった。またデータとして適切なドラマやスクリプトの購入もするべきであったが、それも次年度に持ち越されることになった(DVDは書き起こしを業者に頼む予定であった)。
高レムナント血症が介在するアポトーシスと動脈硬化発現機構の研究

アポ蛋白Eのアイソフォームにて確認したIII型高脂血症患者血清から超遠心法にてVLDL(d>1.006g/ml)を採取。この分画を20mlのモノクローナル抗ヒトアポAl・アポB-100抗体イムノアフィニティカラムに添加し、非結合分画としてのレムナント粒子を採取した。同レムナント粒子はカラム結合分画に比して、アポEに富み、コレステロール/蛋白比は約2倍であった。また、培養マウス腹腔マクロファージへのコレステロールオリエ-トの取り込みを有意に増加した。培養動脈壁細胞としてHUVECを用い、同レムナント粒子と共に培養した。培養液中のレムナント粒子の濃度は(0,1,2,4mg/ml、粒子中コレステロール濃度)の4段階に調整した。培養時間は2、4、6時間の3段階とした。培養終了後HUVECを集め、固定し、PAP法にてM-ELAM,ICAM-1などの接着因子の発現を観察したが、レムナント粒子の濃度による変化、培養時間による有意な変化は認めなかった。また、各培養終了後に培養液を回収し、培養液中のIL-1,TNF,TGF-betaを測定した結果、IL-1の増加が得られた。今後、培養細胞をHUVECからHCAECに換え、同様の実験を用意している。また、マウス腹腔マクロファージを採取し、前実験と同様の条件下(培養液中のレムナント量、培養時間)にてc-myc,c-fos,c-jun遺伝子のinductionを観察したが、これら早期反応遺伝子の増幅は得られなかった。これら培養実験に供した細胞の一部をそれぞれpropidiumiodine染色し、フローサイトメトリーにてアポトーシスを観察したが、培養液中のレムナント濃度の変化に伴うアポトーシスの増強を支持する明瞭な結果は得られなかった。方法を変えて再試する予定である。
脊髄侵害受容ニューロンのC線維反応の修飾-抗神経ペプチド抗体等の脊髄局所潅流の効果

本研究は,NK-1レセプターアンタゴニスト(CP-96345)脊髄局所投与後における麻酔下ラット脊髄後角侵害受容ニューロン(特異的侵害受容ニューロン;NS,広作動域侵害受容ニューロン;WDR)の末梢刺激応答、特にC線維入力によると考えられる長潜時発射、の変化を調べた。その結果、かなりおおきな抑制をうけるニューロンが多く存在する反面、全く抑制を受けないニューロンも相当数あることがわかった。このような抑制効果の違いが、ニューロンの投射の有無、ニューロンの記録部位、長潜時発射の反応パターン、末梢受容野の部位と関連があるかどうかについて検討を行った結果、上脊髄部位への投射ニューロンは投射しないニューロンに比べサブスタンスP拮抗薬による抑制をうけにくい傾向があるという知見をえた。非ペプタイド性サブスタンスP拮抗薬の脊髄局所投与によりAδ成分の潜時の遅い部分が若干の減少傾向を示したのにたいし、C線維応答では顕著な抑制がみられた。投射ニューロンにおいては、非投射ニューロンに比べて、抑制を受けないニューロンが多く、抑制をうけたニューロンの抑制率も小さいという傾向が明らかであった。このことは、サブスタンスPによる侵害情報伝達の痛みの弁別的側面や情動面への関与が相対的に少ないことを示唆し、脊髄レベルの反射等に大きく関与するという従来からのインビトロの結果を支持するものではないかと考える。以上の結果は、侵害受容ニューロンでの神経伝達/調節に一部のニューロンではSPが関与していることを示すものと考えられる。
ラジカル殺菌によるインプラント周囲炎治療法のPOC取得のための検証的臨床試験

本研究では、研究代表者らが開発してきた過酸化水素の光分解反応を応用したラジカル殺菌技術をインプラント周囲炎の治療で用いるためにin vivoおよびin vitro試験を実施した。in vivo試験では、イヌに埋入したインプラントで周囲炎を発症させラジカル殺菌処理を行った。しかしながら、対照群と比較して有意な骨の再生は認められなかった。そこで、in vitro試験で処理条件の詳細な検討を行ったところ、ラジカル殺菌技術によって細菌汚染されたチタン表面が清浄化され、骨芽細胞が増殖できる環境を構築できることが分かった。今後、in vivoで効果を得るためのさらなる条件探索が必要であることが示唆された。平成27年度は当初の計画に従って、動物試験を開始した。本動物試験は、東北大学の動物実験専門委員会の承認(2015歯動-054)を得て東北大学大学院医学系研究科附属動物実験施設にて実施した。被験動物の6頭のTOYOビーグル犬を1週間の訓化飼育を行った後に実験を開始した。被験動物にドミトール(0.1 mg/kg)とミダゾラム(0.3 mg/kg)を筋注して、全身麻酔をかけ、キシロカインによる局所麻酔を併用して両側下顎第二、第三、第四小臼歯を抜歯後、抜歯窩の治癒のために3ヵ月の治癒期間を設けた。抜歯後は、術後感染を予防する目的で術後3日間ジスロマックを経口投与した。抜歯後に治癒不全などの異常所見は認められなかった。抜歯窩の治癒後に、上記と同様に全身麻酔および局所麻酔を行い、フラップを開いてインプラント(Straumann Bone Level Implant;直径3.3 mm、長さ8 mm)を片顎当たり3本埋入した(6本/頭×6頭=36本)。インプラント埋入は、通法に従ってラウンドバーを用いた埋入部位のマーキング、ツイストドリルを用いたインプラント床の形成、プレタッピング、インプラント埋入の順序で行った。埋入後、術後感染予防の目的でジスロマックを3日間経口投与し、オッセオインテグレーションの獲得のため3ヵ月の治癒期間を設けた。平成28年度は動物試験を引き続き行い、インプラント周囲炎を実験的に惹起させた後に我々の開発してきた過酸化水素光分解殺菌技術を応用した治療器を用いて治療を行い治療効果を評価する。当初の計画通り、イヌの動物試験を開始することができた。抜歯後の治癒やインプラント埋入後のオッセオインテグレーションの獲得に時間を要するが、おおむね計画通り進んでいる。平成28年度には平成27年度から開始したイヌを用いた動物試験を継続して実施した(東北大学動物実験専門委員会承認番号2015歯動-054)。コットンリガチャーをインプラント周囲のポケットに挿入して実験的にインプラント周囲炎を発症させた。リガチャーは23週間に一度の間隔で交換し、合計で22週間にわたってインプラント周囲炎を惹起した。その後、リガチャーを除去し急性炎症を消退させる目的で4週間の期間を空けてから治療を行った。治療群は次の4群とした;Group 1:3%過酸化水素+波長365nmLED照射、Group 2:3%過酸化水素、Group 3:波長365nmLED照射、Group 4:水。Blocked randomizationで下顎の片側ごと(3本のインプラント)に治療法の無作為割付を行った。治療はフラップをあけて、プラスチックキュレットで肉芽組織を除去し、その後プラスチックスケーラーチップを用いた超音波スケーリングと上記の治療併用し、インプラント1本あたり5分間の治療を行った。治療後治癒期間を12週間設定し、ペントバルビタールの過剰投与で実験動物を犠牲死させ、10%ホルマリンで還流固定後、下顎の生検を採取した。採取した生検を10%ホルマリンで浸漬固定し、精密切断機でインプラントごとのブロックを切り出した。切り出したインプラント周囲の骨の状態を評価するために、マイクロX線CT撮影を行い、その後通法に従った脱水、レジン包埋を行った。今後、マイクロX線CTの画像解析および組織標本を用いた新生骨によるRe-osseointegrationの獲得の有無について分析を行う。当初の計画よりもイヌのインプラント周囲炎を発症させるのに時間を要したが、概ね計画通りに進んでいる。ただし、臨床研究の実施については、イヌの実験が終了してから、有効性および安全性が十分に確認された状態で計画および倫理委員会申請を実施することとした。平成29年度には、平成28年度から引き続きイヌを用いた動物試験(東北大学動物実験専門委員会承認番号2015歯動ー054)の標本作製および分析を行った。マイクロX線CTの画像解析の結果、超音波スケーリング後にラジカル殺菌処理をしたインプラント周囲と対照治療として行った超音波スケーリングのみの群で、骨欠損の回復状態に差は認められなかった。また、動物実験とは別に、ラジカル殺菌処理がチタン表面に及ぼす影響を光干渉非接触表面粗さ計、原子間力顕微鏡、X線回折分析装置、接触角計測装置、X線光電子分光測定装置などを用いて評価した。分析の結果、ラジカル殺菌処理はチタン表面に物理的変化(表面粗さの増加や結晶構造の変化)をもたらさないことが分かった。一方、チタン表面に経時的に蓄積した炭素汚染を減少させる効果があり、表面の親水性の清浄を回復することができることが分かった。次にラジカル殺菌処理をしたチタン表面での骨芽細胞(MC3T3-E1)の付着および増殖を評価した。

炭素汚染をラジカル殺菌処理で清浄化することで、骨芽細胞の増殖が促進されることが分かった。さらに、チタン表面でインプラント周囲炎の原因菌の一つであるAggregatibacter actinomycetemcomitansのバイオフィルムを形成し、それを超音波スケーリングとラジカル殺菌処理で処理することで骨芽細胞が増殖できる環境を回復できることが分かった。このように、in vitroの試験はラジカル殺菌処理がインプラント周囲炎の治療に応用できる可能性を示唆している。従って、in vivoで用いるための治療器の高性能化および詳細な治療条件のさらなる探索が必要となることが示唆された。本研究では、研究代表者らが開発してきた過酸化水素の光分解反応を応用したラジカル殺菌技術をインプラント周囲炎の治療で用いるためにin vivoおよびin vitro試験を実施した。in vivo試験では、イヌに埋入したインプラントで周囲炎を発症させラジカル殺菌処理を行った。しかしながら、対照群と比較して有意な骨の再生は認められなかった。そこで、in vitro試験で処理条件の詳細な検討を行ったところ、ラジカル殺菌技術によって細菌汚染されたチタン表面が清浄化され、骨芽細胞が増殖できる環境を構築できることが分かった。今後、in vivoで効果を得るためのさらなる条件探索が必要であることが示唆された。計画通り、イヌの動物試験を継続して行う。動物試験終了後は、速やかに組織標本の作製を行い組織学的分析を行う。動物試験を通して、問題点や課題が見つかった場合には、治療器の改良を併せて行う。必要に応じて一部再試験の実施を検討する。また、動物試験後に実施予定の臨床研究についても準備を開始し、動物試験結果をもとに治療条件の設定を行う。動物実験の結果を解析するとともに、細菌汚染されたチタン表面におけるオッセオインテグレーションの獲得についてin vitroおよびin vivoでより詳細な知見を得るための実験を実施する。29年度が最終年度であるため、記入しない。歯科補綴学29年度が最終年度であるため、記入しない。
ATMによりリン酸化を受ける新規タンパク質の同定と解析

DNA損傷のうちもっとも危機的な衝撃を与えるものとして、DNA二本鎖切断損傷(DSBs)がある。DSBsの認識・修復に関わるATMは、自己やその下流にある基質をリン酸化し、それらを活性化することでシグナル伝達を行い、細胞周期の制御やDNA修復を行っている。このATMによりリン酸化される新たなタンパク質を同定することを目的として、2つのアプローチを用いた。ATMによりリン酸化を受けるタンパク質には、リン酸化部位特異的配列が存在する。一つは、(1)この配列を帰いて、リン酸化抗体を作製鉱その抗体が認識するタンパク質を同定するという方法である。他方は、(2)タンパク質二次元電気泳動(2DE)を用いたプロテオーム解析を用いて、ATM欠損細胞と野生型組胞とを比べることによりATM依存的リン酸化反応を示すタンパク質を同定する方法である。(1)の結果、SDS-PAGEで分離すると75kDa付近に存在するタンパク質(仮称P75)を得た。このP75はDSBs特異的にリン酸化を受け,その反応は早期で、また低線量でも引き起こされる。このp75の同定を行ってきたが、同定には[至らなかった源因として、リン薩力奮精製していくと共に外れやすいことがあげられる.今後はこの原因を除去する方法を考えながら、精製、同定を行っていきたい。(2)の結果、今年度はp53の有無により変化するAnnexinファミリーの一つを同定した。このタンパク質はp53がないとスポットが2つになり、あると4つになる。このスポットの違いを検討したが、リン酸化ではなかった。今後このスポットの違いがどのような修飾によるものかを検討する。また、今年度は新たにDSBsでのATMの活性化とDSB修復で活性化するKu70/80二量体との関連性を検討した。近年、IR照射後にATM依存性でATRが活性化することが言われてきているが、このATM依存性ATRの活性化にKu70/80が必要であることを今回明らかにした。DNA損傷のうちもっとも危機的な衝撃を与えるDNA二本鎖切断損傷(DSBs)がある。DSBsの認識・修復に関わるATMは、自己やその下流にある基質をリン酸化し、それらを活性化することでシグナル伝達を行い、細胞周期の制御やDNA修復を行なっている。このATMによってリン酸化される新たなタンパク質を同定することを目的として、2つのアプローチを用いた。一つが、ATMによりリン酸化を受けるタンパク質には、リン酸化部位特異的配列が存在する。この配列を用いて、リン酸化抗体を作製し、その抗体が認識するタンパク質を同定するという方法(1)である。他方はタンパク質二次元電気泳動(2DE)を用いたプロテオーム解析を用いて、ATM欠損細胞と、野生型細胞とを比べることによりATM依存的リン酸化反応を示すタンパク質を同定する方法(2)を用いた。(1)の結果、SDS-PAGEで分離すると75kDa付近に存在するタンパク質(仮称p75)を得た。このp75はATM依存的に放射線誘導性のリン酸化反応を受けた。このp75タンパク質の精製し、質量分析を行った結果、6種類の候補を得た。現在、その候補タンパク質のcDNAを発現ベクターに挿入し、これらを細胞に強制発現することで、p75であるのかどうかを検討している。また、p75のリン酸化をES細胞を用いて解析したところ、この抗体の反応が非常に弱いことがわかった。また未分化なES細胞と分化誘導を行った細胞を比較すると後者の方が、リン酸化反応を起こしていたことが明らかになり、p75がDSBsのみならず、分化に関わるタンパク質であると考えられた。(2)の結果、タンパク質の2DEを用いて、ATM依存的にリン酸化を受ける、Crmpというタンパク質を同定した。Crmpは微小管と関連して細胞分裂に働いていることがわかっている。このCrmpを強制発現させ、細胞内におけるCrmpの機能解析を行っている。また、Crmpに存在するATMにリン酸化をうけるであろう部位に変異を起こさせ、リン酸化反応の消失が細胞内においてどのように影響するのかどうかを検討している。一つは、この配列を用いて、リン酸化抗体を作製し、その抗体が認識するタンパク質を同定するという方法(1)である。他方は、タンパク質二次元電気泳動(2DE)を用いたプロテオーム解析を用いて、ATM欠損細胞と野生型細胞とを比べることによりATM依存的リン酸化反応を示すタンパクを同定する方法(2)である。このp75はDSBs特異的にリン酸化を受け,S期特異的に損傷を作るCamptothecinによる損傷でもリン酸化を示した。NativePAGE法により高次構造を保ったままタンパク質の分離を行い抗体によってその性質を調べたところ、その分子量からなんらかのタンパク質と複合体を形成していることがわかった。