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擔保隔夜融資利率 歷史
2017年6月，美國聯邦準備銀行的替代參照利率委員會，選定SOFR作為LIBOR的替代方案，主要考量該利率所依據的附買回市場具備良好的安定性。
紐約聯邦準備銀行自2018年4月開始公布該利率。
2018年8月，巴克萊銀行成為首家發行與利率掛鉤的商業票據的銀行，發行金額約為5億2,500萬美元的短期債務。房利美則早在2018年7月便已發行與SOFR掛鉤的60億美元有價證券，並於2018年10月再度發行50億美元的SOFR掛鉤證券。
擔保隔夜融資利率 技術
SOFR是以美國財政部證券（即美國國債）作為擔保，在進行隔夜借貸的附買回市場為基礎所計算出的利率。SOFR根據實際的附買回交易資料，由紐約聯邦準備銀行計算，並於營業翌日的上午8時（紐約時間）公布。
與LIBOR採用銀行主觀報價不同，SOFR係根據實際發生之附買回交易利率計算而成，具備較高之透明度與客觀性。然即便如此，SOFR仍存在一定程度之操縱風險。銀行可能於批發性融資市場中以偏離市場水準之利率進行隔夜交易，藉以影響SOFR水準，進而在掛鉤該利率之金融契約中獲利。為防範此類行為，部分建議主張應揭露個別銀行之實際借貸成本，以提高市場透明度並抑制潛在操縱行為。
國際結算銀行（BIS）作為各國中央銀行的「銀行」曾指出，一套萬能的替代方案或許並不實際也未必理想。儘管SOFR能夠解決合謀操縱利率的問題，但它無法有效反映全球資金市場的壓力，這也意味著SOFR未來有高可能性與其他利率共存。
普拉部·地伐
普拉部·地伐（Prabhu Deva，1973年4月3日—）是一位印度舞蹈编导、电影导演、制片人和演员，他參與多部泰米尔语、印地语和泰卢固语电影的制作，也曾在卡纳达语和马拉雅拉姆语电影中亮相。  他曾两次获得印度國家電影獎最佳编舞奖。2019年，他被授予莲花士勋章。
2025年達卡殲-7BGI戰鬥機墮毀事故
孟加拉標準時間2025年7月21日13時12分，一架隸屬孟加拉空軍的殲-7BGI戰鬥機因機械故障，在嘗試降落英雄AK·坎德克空軍基地時失事，墜落在首都達卡烏塔拉的里程碑學院校園內。當時校內學生正在上課。事件造成33人喪生，另有173人受傷。
2025年達卡殲-7BGI戰鬥機墮毀事故 背景
殲-7BGI是殲-7的教練機型，於2013年推出，由成都飛機工業公司專為孟加拉空軍研製。
這宗事故是自2008年一架殲-7戰鬥機在達卡墜毀、造成機師身亡以來，孟加拉發生的第二宗同型戰機墜機事件。
2025年達卡殲-7BGI戰鬥機墮毀事故 事故
孟加拉標準時間2025年7月21日13時06分，一架孟加拉空軍的殲-7BGI戰鬥機從英雄AK·坎德克空軍基地起飛。駕駛員、空軍中尉陶奇爾·伊斯蘭正進行他首次的單人飛行。起飛後不久，飛機即出現故障。機體失去反應並失速，他無法再操控飛行。控制塔曾指示他彈射逃生，但因高度過低，未能執行。根據三軍公共關係處的說法，他嘗試將機體引導至迪亞巴里一帶的空地，但未能成功。
一段閉路電視畫面記錄戰鬥機墜毀經過。飛機撞向里程碑學院海德爾·阿里大樓的正門，從一樓一側衝入，再從另一側穿出。他當時仍有生命跡象，隨即由直升機送往達卡綜合軍事醫院的心臟深切治療部，惟最終傷重不治。
2025年達卡殲-7BGI戰鬥機墮毀事故 事故
事故發生時，正值課堂時間，學校即將放假。戰鬥機首先撞上校內七層高的第7座大樓屋頂，隨後墜入海德爾·阿里大樓，當時樓內有逾百名中小學生。衝擊造成大門位置炸出巨洞，並引發火警。目擊者形容聽到巨響，現場冒出濃煙與大量灰燼。
孟加拉消防和民防部表示，其救援隊伍於13時22分抵達現場。當局出動9隊消防單位及6部救護車，並調派孟加拉邊防部隊2個排進行區域封鎖及協助搜救行動。一列達卡地鐵列車亦被臨時用作運送傷者前往醫院。有關部門亦在現場收集到多個學生的書包、鞋子及身份證。機體殘骸已於7月21日深夜前完成清除工作。
2025年達卡殲-7BGI戰鬥機墮毀事故 傷亡
事故已造成至少32人罹難，包括29名學生、2名教師及機師陶奇爾·伊斯蘭。有傳媒報道指實際死亡人數高達100至200人，但被有關方面隱瞞。為釐清實況，學校於7月23日成立一個六人調查委員會，統計死者、傷者及失蹤人數。里程碑學院校長哈蒂賈·阿赫特表示，家屬至今已通報有5人失蹤。
至少有173人正接受治療，當中多人燒傷，至少25人情況危殆。國家燒傷及整形外科研究所接收逾60名傷者，另有28人被送往達卡綜合軍事醫院。參與搜救的14名陸軍士兵、一名警員及一名消防員亦在行動中受傷。
一名教師多次衝入起火教室，成功救出逾20名學生，最終因嚴重燒傷於醫院不治身亡。
為進一步掌握學生、教職員及家長的傷亡情況，里程碑學院另設立一個七人調查小組。對6具身份無法確認的遺體，已進行DNA鑑定。
孟加拉空軍於7月22日在英雄AK·坎德克空軍基地為已故機師舉行軍事葬禮。儀式由陸軍參謀長瓦克爾·烏茲·扎曼上將、內政顧問賈漢吉爾·阿拉姆·喬杜里，以及海軍與空軍總司令出席。陶奇爾其後安葬於拉傑沙希，喪禮祈禱儀式則在解放紀念體育場舉行。
孟加拉國首席顧問穆罕默德·尤努斯宣佈，將預留烏塔拉12號市政墓園一部分土地，作為罹難者安葬地點。
2025年達卡殲-7BGI戰鬥機墮毀事故 調查
孟加拉三軍公共關係處發表聲明指，孟加拉空軍已成立高層調查委員會，釐清事故成因。聲明指出，墜機起因是機械故障，並強調機師在失事前「盡一切努力，試圖將飛機從人口密集區引導至人煙較稀疏地帶」以減少傷亡。
空軍參謀長哈桑·馬哈茂德·汗於7月22日會見傳媒時重申，事故源於技術問題，並否認有隱瞞真實死亡數字。他表示，空軍將持續支援所有傷者，直至其完全康復。
同日，高等法院亦要求政府成立一個專責技術事故調查的委員會。
2025年達卡殲-7BGI戰鬥機墮毀事故 反應
孟加拉政府將2025年7月22日定為全國哀悼日，並指示全國機構孟加拉國旗下半旗致哀。首席顧問穆罕默德·尤努斯透過Facebook發表視頻講話，對墜機事故表示深切哀悼，並承諾展開全面調查。政府同時設立專屬緊急熱線，供受害者及家屬查詢及求助。
多位政府顧問及政界人士，包括孟加拉國民族主義黨秘書長米爾扎·法赫魯爾·伊斯蘭·阿拉姆吉爾，前往國家燒傷及整形外科研究所探望傷者並致以慰問。全國公民黨亦取消原定於7月22日舉行的集會，多位高層領導隨即趕赴達卡應對事件。
孟加拉板球運動員沙基布·哈桑與塔米姆·伊克巴爾，以及巴基斯坦球星沙欣·阿夫里迪等多名體育界代表，均對事件深表關注與不安。本地多位文化與網絡名人，包括巴帕·馬祖姆德爾、阿什法克·尼普恩及薩爾曼·穆克塔迪爾等，亦在社交平台表達哀悼與悲痛之情。
2025年達卡殲-7BGI戰鬥機墮毀事故 反應
多國政府、元首及駐孟使館，包括阿塞拜疆、中華人民共和國、印度、日本、科威特、馬爾代夫、巴基斯坦、俄羅斯、瑞士、土耳其、阿聯酋、美國、英國、梵蒂岡、歐盟及聯合國，均對孟加拉墜機事故表示震驚，並向死傷者及其家屬致以深切慰問。
印度政府派出兩名燒傷專科醫生、一隊護士及醫療器材支援達卡的前線救治工作，新加坡亦派出一名醫生及兩名護士前往協助。中華人民共和國及日本政府則提出提供醫療援助，協助治療燒傷傷者。
2025年達卡殲-7BGI戰鬥機墮毀事故 爭議
多名航空專家及飛行員對軍方長期以來在高度密集的達卡上空進行訓練飛行表達強烈不滿與關注。航空評論員卡齊·瓦希杜勒·阿拉姆指出，此類訓練特別是在鄰近同時服務軍民航班的沙阿賈拉勒國際機場一帶，風險極高。他補充，飛行員經常需在起飛後急速爬升，以避開路線上的高樓林立，這已構成對航空安全規範的直接挑戰。孟加拉國民族主義黨領袖魯胡勒·卡比爾·里茲維質疑空軍在密集住宅區上空執行飛行操作的合理性與必要性。
對此，空軍元帥哈桑·馬哈茂德·汗回應稱，在首都達卡維持一個具實力的空軍基地，對國家安全屬關鍵戰略考量，並呼籲社會大眾切勿「被謠言動搖國防支柱——孟加拉空軍的地位」。
此外，外界亦質疑空軍持續沿用事故頻仍的殲-7型戰機。調查記者祖爾卡爾奈恩·薩爾·汗指出，出於經濟條件所限、既有設施兼容性，以及現代化戰機採購進展遲緩，空軍才不得不繼續依賴此過時型號。他亦點出，將軍營設於達卡市中心，連同在高風險航空路段設立大量建築物，反映城市規劃混亂，分區法規監管鬆散，亦助長風險累積。
2025年達卡殲-7BGI戰鬥機墮毀事故 爭議
在7月22日，達卡里程碑學院的學生在校內發起示威，抗議當局對墜機事件的處理手法，並指控事故發生逾12小時後，現場仍被封鎖，家長與記者無法靠近。學生列出多項訴求，包括公佈準確死傷名單、空軍就教師疑遭現場人員襲擊公開致歉、向罹難學生家屬提供賠償、淘汰老舊戰機並引入新機型，以及全面檢討訓練程序與飛行區域規劃。他們亦指當局隱瞞真正死亡人數，惟首席顧問穆罕默德·尤努斯否認相關指控。
當日下午，法律顧問阿西夫·納茲魯爾與教育顧問喬杜里·拉菲庫爾·阿布拉爾到場與學生對話，認為訴求合理，並就教師疑遭襲事件回應指「政府感到遺憾，將敦促軍方採取應對行動」。然而，在持續的抗議下，兩人一度被困校園六小時，最終在警方協助下從後門離開。他們的車隊後來遇上封路，被迫折返，再經協調後方能於傍晚安全離開。
2025年達卡殲-7BGI戰鬥機墮毀事故 爭議
學生其後將示威行動擴展至孟加拉國秘書處大樓，要求看守政府高層問責，並對處理失當表示不滿。當中包括要求教育顧問阿布拉爾與教育秘書西迪克·祖拜爾辭職，批評兩人無法保障學生權益，處理手法缺乏透明度。同日稍後，政府宣佈祖拜爾已被撤職。示威期間爆發與安全部隊的衝突，造成包括學生、軍人與警員在內共80人受傷，並有車輛遭破壞。抗議浪潮亦蔓延至吉大港、錫爾赫特、庫米拉、傑索爾及迪納傑布爾等地的教育局辦公室。
事故影響下，全國原訂於7月22日及24日舉行的高級中學證書考試宣佈延期，改至8月17日及19日舉行。
朱迪思·贾米森
朱迪思·安·贾米森(  1943年5月10日 - 2024年11月9日) 是美国舞蹈家和编舞家。她曾在费城舞蹈学院（现藝術大學）就讀。 贾米森曾多次前往欧洲巡演。 1999年，她获得肯尼迪中心荣誉奖，2001年获得国家艺术奖章。
社会主义者 (爱尔兰报纸)
《社会主义者》（英語：）是爱尔兰托洛茨基主义政党社会党的官方报纸。该报每月出版1期，也可在网上阅读。该报于1990年代初期创刊，起初为不定期发行。
张洋 (外交官)
张洋（1973年8月—），男，中华人民共和国外交官，现任中华人民共和国驻佛得角共和国特命全权大使。
张洋 (外交官) 生平
张洋1996年毕业于北京外国语大学英语系，进入中华人民共和国外交部工作，先后在外交部领事司和驻英国大使馆领事部任职，期间获日本东京政策研究院公共管理硕士学位。曾任外交部领事保护中心常务副主任、驻印度大使馆领事参赞和外交部领事司参赞，后升任副司长。2025年7月，出任中华人民共和国驻佛得角大使。
全尼泊尔民族自由学生联盟（联合社会主义者）
全尼泊尔民族自由学生联盟（尼泊爾語：，缩写为）是尼泊尔的一个共产主义学生组织。该组织成立于2021年，与尼泊尔共产党（联合社会主义者）有政治关联，总部位于加德满都。该组织自称是代表尼泊尔所有进步、民主和爱国学生的合法且独立的学生组织。
全尼泊尔妇女协会（社会主义者）
全尼泊尔妇女协会（社会主义者）（尼泊爾語：）是尼泊尔共产党（联合社会主义者）的妇女翼。该组织成立于2021年8月18日，总部位于加德满都，在尼泊尔各地设有委员会，有5000名成员。现任主席为杰央蒂·黛维·拉伊。
武定龙属
武定龙属（学名：Wudingloong）是种已灭绝的蜥脚形亚目恐龙，化石发现于中国云南早侏罗世的鱼坝村组。属下包括单一物种吴氏武定龙（Wudingloong wui），所知于一具带有颅骨的不完整骨骼。
武定龙属 发现与命名
2020年9月后某日从中国云南省武定县万德镇附近挖出恐龙化石，发掘地点为鱼坝村组的一处露头。此地出土的恐龙骨骼中，武定龙正模标本LFGT-YW002最先得到清修。该标本由一个受损的颅骨及下颌、全部十节颈椎、前七节背椎、几根背肋、右肩胛乌喙骨和包含大部分手掌的右前肢组成。
2025年，王娅明等人根据上述遗骸描述了早期蜥脚形亚目新属新种吴氏武定龙（Wudingloong wui）。属名由化石发现地武定县和汉语“龙”组成，种小名则致敬古生物学家吴肖春及其对云南化石研究的贡献。
武定龙是东亚已知最古老的蜥脚形亚目恐龙，也是该类群最早的亚洲成员。
武定龙属 分类
王娅明等人（2025年）在系统发育分析中将本属恢复为大脚类早期成员，与祖父板龙和吕勒龙共处同一进化支并充当后两者的姐妹群，如以下分支图所示：
尼泊尔工会统合中心
尼泊尔工会统合中心（尼泊爾語：）是尼泊尔的一个工会联盟，由20个全国性工会联合会组成。该组织成立于2021年，分裂自尼泊尔共产党（联合马列）的下属工会组织尼泊尔工会总联合会。该组织在政治上与尼泊尔共产党（联合社会主义者）有联系。该组织的总部位于加德满都，有25418名成员，是国际工会联合会的成员。
印度電子與半導體製造業
印度電子產業在二十一世紀初期經歷過顯著的成長，主要得益於多方面的共同推動。首先是外商直接投資 (FDI) 湧入，為產業注入急需的資金和技術，國際企業看到印度龐大的國內市場潛力及其不斷壯大的技術人才庫，其次是政府修改法規，簡化投資流程，降低營商成本，為電子製造業創造更友善的環境。此外再推出一系列獎勵措施和支持政策，例如鼓勵國內製造和出口的財政激勵，進一步刺激產業擴張。這些因素共同為印度電子產業的初期發展奠定堅實基礎，讓其在全球製造版圖上嶄露頭角。
然而在印度整個電子產業鏈中，半導體生產無疑是最為關鍵、也最為資源密集的領域。其重要性不言而喻，因為半導體被視為現代電子產品的"心臟"。從智慧型手機、電腦，到汽車電子、醫療設備，乃至於尖端國防系統，幾乎所有都離不開半導體晶片。印度的國內市場對半導體的需求正呈現爆炸性成長，涵蓋廣泛的垂直產業，包括：
印度電子與半導體製造業
雖說需求強勁，印度在半導體產業的發展卻面臨重大挑戰。截至2015年，由於國內存在嚴重的人才缺口，包括缺乏具備晶圓廠操作、晶片設計和封裝測試專業知識的工程師和技術人員，導致印度在這一區塊的進展相對緩慢，導致印度在當時有高達65%到70%的半導體需求仍嚴重依賴進口。這不僅造成龐大的進口成本，也使得印度在戰略性產業上存在供應鏈脆弱性。因此，印度在此產業的開展仍有待努力，以克服基礎設施不足、技術積累不夠以及更關鍵的人才培育等方面的挑戰。
印度電子與半導體製造業 印度電子產業
印度電子產業的產值規模位居世界前列，受到全球市場需求的推動，預計將從2012年的696億美元增長到2020年的4,000億美元，估計在此期間的複合年增長率將超過25%。印度在2013-14財政年度的電子產品有65%仰賴進口。根據全球性的成長諮詢公司Frost & Sullivan和印度電子與半導體協會（India Electronics and Semiconductor Association，簡稱IESA）合作，提供的數據分析顯示，電子產品總使用量中有60%由五個產品類別組成，為：桌上型電腦 (4.39%)、筆記型電腦 (5.54%)、行動電話 (38.85%)，以及平面顯示器 (7.91%) 。
印度電子與半導體製造業 印度電子產業
印度消費性電子產品和家電產業在2014年的銷售金額為97億美元，預計將以13.4%的複合年增長率成長，到2020年達到206億美元。其中機上盒預計將是消費性電子產品中增長最快的類別，預測在2014年至2020年間將有28.8%的年增長率。電視將有20%的年增長率，冰箱的為10%，洗衣機的為8-9%，空調機約6-7%。印度對資訊科技（IT）設備的需求在2013年預計將達到130億美元。印度航空航太與國防 (A&D) 電子產業的產值，預計到2029-30財政年度可能高達700億美元，其中550億美元來自平台中的電子產品，其餘170-180億美元則來自系統級別的整合專案。
印度電子與半導體製造業 印度電子產業
印度國內電子產品的總產值在2012-13、2013-14和2014-15三個財政年度分別為1,641.72億盧比、1,804.54億盧比和1,903.66億盧比。印度電子硬體製造業的電子產品產值預計將從2013-14財政年度的324.6億美元，增長到2020財政年度的1,040億美元。印度在2013財政年度生產全球1.6%的電子設備。在同期，印度電子產品總產量中以通訊和廣播設備的產值最高，佔比為31% ，其次是消費性電子產品，佔23%。印度在2015年4月至6月季度銷售的手機中，有24.8%是在印度組裝或製造的，高於前一季度的19.9%。
印度電子與半導體製造業 印度電子產業
印度在2015-16財政年度出貨的2.2億支手機中，有1.1億支是在印度本地製造或組裝，相較於前一年的6,000萬支有大幅增加。手機生產的價值在2015-16年度增長185%，從190億盧比達到540億盧比。一項由印度工商聯合會（ASSOCHAM）和安永會計師事務所（EY）合作進行的研究報告，標題為"讓『印度製造』倡議在電子和硬體領域實現" ，預測印度電子和硬體產業將在2013-18年間以13%-16%的複合年增長率發展，從2016財政年度的750億美元增長到2018財政年度的1,120億至1,300億美元。
印度國家轉型研究所 (NITI Aayog)在2016年5月發表的一份研究報告，指出印度電子產業對該國GDP的貢獻僅有1.7%，然而在台灣、韓國和中國，此種比例則各為15.5%、15.1%和12.7%。印度目前在全球電子製造業中所佔的比例不到5%，其大部分電子產品都以滿足國內市場需求為主。
印度電子與半導體製造業 印度電子產業
在2014年，由於在印度生產的液晶顯示器（LCD/LED）電視所需的面板、半導體和玻璃都仰賴進口，電視的在地化投入/附加價值僅約為25-30%。空調設備的在地化程度也僅約30%至40%，原因在於壓縮機、冷媒、馬達和線圈需要進口。機上盒所用的零組件中，約有35-40%由國內生產。至於冰箱和洗衣機，在地化的程度則約為70%。據稱印度於2016年，手機組裝的在地化附加價值比例僅有2-8%。
印度電子與半導體製造業 印度電子產業
位於北阿坎德邦德拉敦的兵工廠委員會所屬的光電工廠 (Opto Electronics Factory, OLF) 是該國的一個獨特設施，專門生產國防用的光電產品。位於清奈的Polymatech Electronics是另一個生產光電半導體晶片的設施。該公司於2020年5月27日與坦米爾那都邦政府簽署諒解備忘錄，備忘錄中提及的項目也獲得印度電子元件和半導體製造促進計畫 (Scheme for Promotion of Manufacturing of Electronic Components and Semiconductors，簡稱SPECS）的認可。印度總理納倫德拉·莫迪曾於2023年印度半導體展覽期間參訪過Polymatech Electronics。領先的韓國電子公司三星電子計劃於2024年開始在其位於印度諾伊達的工廠生產筆記型電腦。法國達利斯集團則與印度信實集團合資成立達利斯信實防務系統公司 (Thales Reliance Defence Systems) ，達利斯集團目前在全球生產機場導航輔助設備。而此集團與巴拉特電子公司合資，在邦加羅爾生產高科技產品，例如飆風戰鬥機電子戰套件的低頻接收器。2024年1月18日，西班牙的Grupo Antolin則在馬哈拉什特拉邦恰坎建立新廠，用於製造電子產品、人機界面系統和先進照明設備。Grupo Antolin為在印度的福斯汽車、Škoda、鈴木、豐田汽車、馬亨達 和塔塔汽車供應相關電子零件。
印度電子與半導體製造業 印度電子產業
聯想集團計劃擴大其在印度的製造業務，考慮在當地生產伺服器，以取得生產IT硬體的"生產連結獎勵計畫 (PLI)" 補助。三星電子也打算在2024年開始於其位於諾伊達的工廠生產筆記型電腦，相關準備工作已在進行中。英特爾在2024年的印度科技生態系統峰會（Tech Ecosystem Summit 2024）上展示一系列"印度製造"的筆記型電腦和IT產品，其中包括本地生產的伺服器。Google已指示其供應商在2024年第二季度前開始在印度生產Pixel系列的智慧型手機，其中高階的Pixel 8Pro的生產線將會率先準備就緒。印度大型電子代工廠Dixon Technologies公司也將在印度製造Google的Pixel 8智慧型手機。首批產品預計於2024年9月上市。Pixel智慧型手機的月產量預計將達到10萬台，其中25%到30%將用於出口。
蘋果公司計劃於2025年開始在印度生產AirPods。該公司已與位於浦那的捷普科技 (Jabil) 合作，開始試產AirPods無線充電盒的零件。目前捷普科技已在生產AirPods無線充電盒的零件，並供應到中國和越南。
印度電子與半導體製造業 印度電子產業
印度迄今是電子產品的淨進口國，其中大部分的進口來自中國。該國於2015年的電子產品進口價值超越黃金，成為僅次於原油的第二大進口商品。根據德里印度理工學院物理系榮譽教授Vikram Kumar在2019年發佈的研究報告，該國在半導體進口上的花費甚至已超過石油。印度商業和工業部發佈的一份報告，指出電子產業是該國六大產業之一，有望幫助印度在2030財政年度的1兆美元商品出口目標中享有超過70%的比例。
印度電子產品在2013財政年度的出口價值估計為76.6億美元，略低於2012財政年度的81.5億美元。但由於盧比貶值，同期以盧比計算的出口額有所增加，從4,400億盧比上升到4,630億盧比。印度在2013-14財年的電子產品出口主要由電信業主導，其次是電腦、消費性電子產品、儀器儀表和電子元件。據信海外對印度電子產品日益增長的需求，主要是受到技術進步和具成本效益的推動。印度電子設備的生產價值（以盧比衡量）從2009-10財政年度的10,994億盧比，到2013-14財政年度幾乎翻倍，達到19,610.3億盧比。然而印度電子產品出口在2014財年降至60億美元，僅佔全球電子貿易的0.28%。
印度電子與半導體製造業 印度電子產業
印度在2023-24財政年度的前九個月的電子產品出口有22.24%的增長，達成突破200億美元的里程碑。此期間（2023年4月至12月）的行動電話出口額達到105億美元，佔所有電子產品出口的52%。值得注意的是iPhone在此期間成為主要的出口引擎，佔所有電子產品出口的35%，並佔該國所有手機出口的70%。iPhone出口額僅在2023年12月就超過70億美元。手機出口額幾乎增長七倍，從2019財政年度的16億美元增長到2023財政年度的111億美元。同期的電子產品總出口額增長近三倍，從2019政年度的84億美元增長到2023財年的236億美元。
印度電子與半導體製造業 印度電子產業
印度企業如Havells、Dixon Technologies、Voltas和Blue Star在2023年12月的財報電話會議中皆表示，他們正在為向美國和歐洲等工業化國家出口電子/電機產品奠定基礎。Havells計劃在美國設立公司後，向當地市場供應空調設備。Dixon Technologies目前有約28%至30%的摩托羅拉智慧型手機產量銷往美國。土耳其家電零售商Arçelik在歐洲以Beko品牌銷售家電，已向Voltas下了無霜冰箱和洗碗機的出口訂單。印度電子產品在2023-24財政年度的出口額達291.2億美元，較前一年增長23.6%。美國、阿拉伯聯合大公國、荷蘭、英國和義大利是印度電子產品的前五大出口市場。印度在2024財政年度中的出口也擴展到新市場，包括土庫曼斯坦、宏都拉斯、薩爾瓦多、蒙古國、蒙特內哥羅和開曼群島。目前，塔塔電子位於邦加羅爾的研發中心所封裝的少量半導體晶片，正出口給美國、歐洲和日本的合作夥伴。這些封裝晶片目前仍處於試產階段。
印度電子與半導體製造業 印度電子產業
鴻海精密和Dixon Technologies為供應美國和歐洲市場， 將分別生產Pixel智慧型手機的Pro版和基本版，以及其他Google裝置。鴻海精密位於坦米爾那都邦斯里佩魯姆布杜爾的工廠已開始試產。預計將於2024年9月開始全面生產。
印度電子與半導體製造業 印度電子產業
印度在2012-13、2013-14和2014-15三個財政年度中，電子產品進口總額估計分別為1,790億盧比 (280億美元)、1,959億盧比 (310億美元) 和2,256億盧比 (370億美元) 。根據印度商業和工業部的數據，智慧手機進口額從2003-04財政年度的6.6547億美元急劇增長至2013-14財年的109億美元。同期，來自中國的智慧型手機進口額從6,461萬美元增至70億美元。在2013-14財政年度中，中國佔印度235億美元電子產品貿易逆差的67%。電子產品進口額從2011財政年度的約280億美元增長到2016財年的400億美元。印度本土電子產品生產從2016年開始增長，標誌著印度開始從出口低迷時期復甦。於2016年1月，電子產品出口增長7.8%，達到5億美元，而電子產品進口額則下降2.2%，降至32億美元，佔印度年度貿易逆差的27%。
印度電子與半導體製造業 印度電子產業
印度中央政府為促進整體經濟成長並創造就業機會（預計將吸1,000億美元投資，創造逾2,800萬個職位），已力求將國家電子產品在進口中的佔比從2014-15財政年度的65%降至2016年的50%，並逐步實現到2020年的電子貿易"淨零"目標。印度採行進口替代與出口鼓勵並行的雙管齊下策略，透過"印度製造"、數位印度、創業印度 和技能印度等倡議來推動。政府也依照國家電子政策和國家電信政策（ National Telecom Policy）的規劃，透過多種方式營造有利於外商直接投資 (FDI) 流入的環境。
印度中央政府轄下的政策智庫 - 印度國家轉型研究所 (NITI Aayog)，在一份報告草案中建議應採行一項政策，為投資達到10億美元或更多，且能創造20,000個工作機會的公司提供十年免稅期。這項報告暗示政策可能傾向《資訊科技協定-2》 (ITA-2) ，同時也建議印度應重新調整其針對自由貿易協定 (FTAs) 的防禦性政策，並積極推行出口導向政策，以利用這些FTA ，取得其FTA夥伴電子市場的免關稅准入。
印度政府於2024年2月3日啟動數位印度未來實驗室（Digital India futureLABS），以推動汽車、電腦、通訊、工業電子、戰略電子以及物聯網等領域的研發。資金將來自電子資訊科技部的研發經費。而高級運算發展中心 (Centre for Development of Advanced Computing, C-DAC) 將是制定這些領域新創公司及其他私營企業總體戰略、標準作業程序 (SOPs) 和指導方針的主要機構。
印度的電子產業在2000年4月至2016年3月期間共吸引16.36億美元的外商直接投資（僅限股本部分，此金額不包括透過印度儲備銀行（RBI）非居民印度人 (NRI) 計畫匯入的資金）。此金額佔同期該國獲得的外商直接投資總金額2,885.1億美中的0.57%。
印度電子與半導體協會（IESA）提出的報告中指出，印度政府在過去20個月內（截至2016年2月）已收到156份提案，投資承諾總額達1.14兆盧比，約合168億美元。.截至2016年5月，在195份（總計1.21兆盧比）的投資提案中，政府已批准74份，總額為1,730億盧比，同時有27個專案遭到駁回。截至2016年6月，預計印度電子產業在未來四年內將獲得560億美元的投資，以期達到在2020年超過800億美元的出口目標。在迄2016年8月的過去一年已有37家智慧型手機製造公司在印度投資，直接創造40,000個工作機會，並創造約125,000個間接工作機會。
緯創資通：這家台灣公司將在諾伊達的新工廠開始製造Blackberry（黑莓機）、宏達國際電子 (HTC) 和摩托羅拉品牌的手機。緯創是蘋果在印度的三家主要組裝廠之一，該公司董事會於2023年10月27日拍板，以1.25億美元將印度廠賣給印度塔塔集團，讓印度誕生首家本土iPhone組裝業者。但根據2024年4月的新聞報導，緯創並未退出"印度製造"，可能改而在當地進行筆電組裝。
位於清奈的Munoth Industries已與中國的Better Power建立技術合作夥伴關係，目標是在2022年前分三階段於安德拉邦蒂魯帕蒂設立印度首座鋰離子電池製造廠，總投資額為79.9億盧比。專案的第一階段預計在2019年完成，後續階段則在2022年完成。這座工廠預計將創造1,700個就業機會。該公司已為第一階段投資16.5億盧，其中將從中央政府的"印度製造"計畫中獲得2.5億盧比的資本投資。安德拉邦政府也將提供財政和營運獎勵，包括稅收和電力成本補貼。該公司計劃向印度國內的手機製造商和電池組製造商銷售鋰離子電池成品。
印度第一家商業化雙電層電容器生產設施已由喀拉拉邦立電子開發公司（KELTRON）在坎努爾建立。工廠於2024年10月1日正式揭幕。該公司一直與印度太空研究組織 (ISRO)、海軍材料研究實驗室和電子材料技術中心 (Centre for Materials for Electronics Technology)合作進行技術開發。這座生產設施的第一階段已投入1.8億盧比。預計總投資將達到4.2億盧比。生產能力約為每天2,000件。
印度電子與半導體製造業 半導體產業
隨著物聯網 (IoT)新時代來臨，新一代的互聯設備需具備智慧運算能力，印度半導體產業正蓄勢待發，準備經由穩定增長的方式以迎接光明前景，前提是印度能充分解決其固有的障礙，例如官僚作風、資金短缺和基礎設施不足等問題。
印度電子與半導體製造業 半導體產業
印度的電子系統設計製造 (electronics system design manufacturing，ESDM) 產業正在快速成長，根據電子資訊科技部，此種機構的數量已超過120家，印度每年約可設計出2,000個晶片，目前有超過20,000名工程師受僱從事積體電路 (IC) 設計與驗證的各個方面。根據位於邦加羅爾的市場調查及諮詢公司NOVONOUS Business Consulting Pvt. Ltd.提出的報告，印度所需的半導體（主要依賴進口）預計將以26.72%的複合年增長率 (CAGR)，從2013年的100.2億美元增長到2020年的525.8億美元。報告中估計，用於行動裝置的將在2013年至2020年間以33.4%的CAGR增長，讓行動裝置中所用半導體在總體使用中的佔比從2013年的35.4%上升到2020年的50.7%。此外，用於電信領域預計在2013-20年間也將以26.8%的CAGR增長。用在資訊科技和辦公自動化領域的在同一時期預計將以18.2%的CAGR增長。用於消費性電子產品領域中的預計在這七年內也將以18.8%" 的CAGR增長。用於汽車電子領域的預計從2013年到2020年將以30.5%的的CAGR增長。前述的增長也帶動ESDM產業的增長。目前，印度幾乎所有的半導體都由美國、日本和台灣等地進口。在半導體領域，印度擁有大量的人力資本，但缺乏端到端的製造基地，目前主要還是集中在設計方面。雖然如此，印度新興的電子系統設計製造 (ESDM) 產業仍展現出巨大潛力。這主要歸功於印度各地大學和研究機構在半導體製造的整個價值鏈上，例如晶片設計與測試、嵌入式系統、製程技術、電子設計自動化 (EDA)、微機電系統 (MEMS) 和感測器等領域，都進行卓有成效的本土研究，並已發表大量高質量的學術成果。
印度電子與半導體製造業 半導體產業
截至2016年，印度政府允許國外ESDM產業（包括代工生產（(OEMs)，整合元件製造廠（IDMs））透過FDI取得印度公司100%的股權，以吸引投資，以及將營運從其他國家遷至印度。此外，政府也為電子產業提供電子製造聚落計畫（EMC）、修訂版特殊獎勵計畫
（MIPS）和其他獎勵與計畫。
印度電子資訊科技部配合"技能印度" 倡議，啟動一項價值4.9億盧比的ESDM能力建設計畫。德國半導體公司英飛凌科技與印度國家技能發展公司 (NSDC) 於2015年10月展開合作，以提升該國半導體技術領域的技能和人力，促進印度ESDM生態系統發展。
印度電子與半導體製造業 半導體產業
印度電子與半導體協會 (IESA) 宣佈將加速並擴大其人才發展計畫。此計畫將透過與印度電子業技能委員會 (Electronics Sector Skills Council of India, ESSCI) 合作成立的卓越中心，以及與維斯瓦拉亞科技大學（VTU）和位於邦加羅爾的RV-VLSI設計中心簽署的合作備忘錄來實施，進行在ESDM領域培養人力資本。ESSCI已開發140多個跨14個子領域的資格包 (QP) 或國家職業標準 (NOS)，其中嵌入式系統設計和超大型積體電路 (VLSI) 設計兩項最能吸收工程師參與。ESSCI在同樣是位於邦加羅爾的BMS工程學院建立首個超大型積體電路和嵌入式系統設計卓越中心 (CoE) 。IESA與台灣區電機電子工業同業公會 (TEEMA) 簽署合作備忘錄，以鼓勵技術和知識轉移方面的合作，並取得後者對印度國內ESDM領域進行投資的承諾，這將使印度和台灣公司同時受益。此外，IESA也在2015年2月與新加坡半導體產業協會 ( Singapore Semiconductor Industry Association ，SSIA) 簽署合作備忘錄，以促進兩國電子和半導體產業之間的貿易和技術合作關係。
印度電子與半導體製造業 半導體產業
印度電子資訊科技部已設立一項由卡納拉銀行（或稱 CANBANK Venture Capital Funds，CVCFL) 管理的電子業發展基金 (Electronics Development Fund, EDF) 。此基金的目的在提供風險資本，並吸引創投基金、天使基金和種子基金，以孵化研發並促進該領域的創新環境。此外，根據IESA的說法，聯邦內閣批准設立的新創公司基金之基金(Fund of Funds for Start-ups, FFS) 將作為EDF的一部分，有助於ESDM領域的新創公司。該基金將投資於在印度證券交易委員會註冊的各種另類投資基金或子基金，並將依據印度政府於2016年1月公佈的新創印度行動計 (Start-up India Action Plan)，為新創公司提供資金支援。
印度電子與半導體製造業 半導體產業
印度政府為促進印度在ESDM領域的能力發展，已設立多個中心：位於坎普爾印度理工學院的國家柔性電子材料中心 (National Centre for Flexible Electronics, NCFlexE）、孟買印度理工學院的國家內部安全技術卓越中心 (National Centre for Excellence in Technology for Internal Security)，以及邦加羅爾印度國家軟體與服務公司協會的物聯網卓越中心 (Centre for Excellence for Internet of Things)。
總部位於海德拉巴的半導體晶片設計服務公司SoCtronics於2011年完成印度首個28奈米晶片的設計與開發。
總部位於邦加羅爾的印度公司Navika Electronics設計基於ARM架構處理器的衛星導航系統/全球定位系統（GPS） SoC (單晶片系統)晶片組，以自有品牌用於便攜式應用，例如接收/下變頻和放大GPS及伽利略定位系統的訊號。
印度電子與半導體製造業 半導體產業
於印度科學理工學院邦加羅爾校區的奈米科學與工程中心 (Centre for Nano Science and Engineering, CeNSE)與在邦加羅爾的電子製造公司KAS Tech合作，開發一款高度整合且便攜，名為Ocean的化學氣相沉積器。該設備能夠以簡單的即插即用 (plug and grow) 方式商業化生產各種二維材料，包括石墨烯，這在ESDM領域對學術界和工業界都具有各種新穎的應用。
印度電子與半導體製造業 半導體產業
ISRO和印度汽車研究協會 (ARAI) 共同利用ISRO最先進的電池技術，開發並通過測試驗證鋰離子電池原型，用於電動汽車。他們期待與汽車公司合作，透過大規模生產將這項技術商業化。目前，印度的鋰離子電池需求完全依賴進口，國內並未生產這類電池。印度用於製造電池的原材料仍需進口，但如果該專案能排除所有障礙，其餘的價值鏈可在國內以具競爭力的成本進行合成。印孟買度理工學院的研究人員與在昌迪加爾的ISRO的半導體實驗室 (Semi-Conductor Labs, SCL) 合作，開發出一種本土的雙極性接面電晶體 (Bipolar Junction Transistor, BJT)，其可與Bi-CMOS (雙極性互補式金屬氧化物半導體) 技術共同運作。基於各種數位Bi-CMOS技術並整合類比高頻BJT放大器的類比或混合晶片，對於物聯網和太空應用（如高頻通訊）都很重要，因為它們能減少外形尺寸、功耗、重量、尺寸和成本等。
印度電子與半導體製造業 半導體產業
電子資訊科技部在2024年數位印度未來實驗室會議期間將InTranSE計畫下的技術，包括基於CMOS的視覺處理系統、熱感智慧相機 (Thermal Smart Camera) 和車隊管理系統 (Fleet Management System)分配給12家企業。熱感智慧相機內建數位訊號處理器，可執行多種基於人工智慧（AI）的分析。其主要應用領域包括智慧城市、工業、國防和醫療保健。工業視覺感測器iVIS 10GigE是一款基於CMOS的視覺處理系統，配備強大的板載運算引擎，可滿足未來工業機器視覺應用的需求。車隊管理系統能夠追蹤車輛位置，並針對多種情況發送通知，包括危險駕駛、超速、啟動、怠速和停車。此外，運輸業者可運用動態排程決策支援工具來提高班次可靠性，而減少公車群聚現象，有助於提升公共交通服務的可靠性。
根據印度在2014年由所做IESA的預測，該國ESDM產業在未來兩年內預計將吸引價值100億盧比 (15億美元) 的投資提案，同時，IESA規劃的250個新創孵化中心中，將有五個獲得部分國家資助。
印度聯邦內閣於2014年2月批准，以設立這五座晶圓廠，並決定提供以下激勵措施：
印度電子與半導體製造業 半導體產業
印度政府從2022年1月1日起開始接受其晶片製造產業生態系統發展獎勵計畫的申請，預計未來幾年至少會有十幾家半導體製造商開始在印度設廠。
印度財政部已在2024年的聯邦預算中提議將資助晶片和電子產品製造的資金增加71%，達到1,310.45億盧比。
印度政府已於2024年批准在該國設立四家半導體製造單位，作為印度半導體計畫 (Semicon India Programme)中的一部分。此外，還有九個項目根據印度電子元件和半導體製造促進計畫  (SPECS)獲得批准。這些舉措預計將創造約15,710個就業機會，可顯著促進印度半導體和電子產業的發展。
北方邦政府正積極將該邦打造成半導體製造的重要樞紐。目前該邦已收到四到五項投資提案，總金額達4,000億盧比。北方邦政府推出此倡議時，恰逢印度即將舉行的為期三天的2024年印度半導體展 (Semicon India 2024) 活動，顯示該邦有決心提升其在半導體領域的製造能力。
截至2016年年中，印度尚無營運中的半導體晶圓廠。
印度電子與半導體製造業 半導體產業
位於孟買印度理工學院的奈米電子卓越中心 (Centre of Excellence in Nanoelectronics, CEN)，擁有一個由孟買印度理工學院和印度科學理工學院 (IISc Bangalore) 合作建立的實驗室級晶圓生產設施。該設施為印度各地學術界、產業和政府實驗室的研究人員，提供傳統CMOS奈米電子元件、新型材料元件 (III-V族化合物半導體元件、自旋電子學、光電學)、微機電系統 (MEMS)、奈米電機系統 (NEMS)生物微機電系統 (Bio-MEMS）、聚合物元件和太陽能光電的設計、製造和特性分析研究。該中心也透過印度奈米用戶計畫 (Indian Nano Users Program, INUP)提供使用精密設備的元件製造技術支援，並作為開發創新技術的關鍵，這些技術可調整並商業化，以刺激印度的奈米產業成長。
印度電子與半導體製造業 半導體產業
在邦加羅爾的印度科學理工學院 (IISc) 奈米科學與工程中心 (Centre for Nano Science and Engineering, CeNSE)，一個提議擴建現有氮化鎵電晶體生產設施的氮化鎵奈米材料晶圓廠，已獲得中央政府的初步批准，預計成本為30億盧。
預計古吉拉特邦薩伯爾甘塔縣於2017年底將會建立一座半導體晶圓製造廠。該廠將由主要合作夥伴印度斯坦半導體製造公司 (Hindustan Semiconductor Manufacturing Corporation, HSMC)，以及合作夥伴意法半導體和馬來西亞矽佳晶圓共同設立。這座工廠預計將雇用超過25,000名員工，其中包括4,000 名直接員工。合資公司將設立兩座製造單位，總成本超過290億盧比（約合45億美元），每座單位每月可生產20,000片晶圓。合資公司目前提議的技術節點在第一階段為90、65和45奈米，第二階段為45、28和22奈米。HSMC於2016年3月從孟買的私募股權基金Next Orbit Ventures (NOV)獲得專案價值7 億盧比的種子投資。
印度電子與半導體製造業 半導體產業
另一個由Jaypee Group（印度綜合企業集團）牽頭，並與IBM和以色列高塔半導體 合作的聯盟，曾提議在大諾伊達建設一座晶圓廠，預計花費將超過3,400億盧比，約合50億美元。工廠規劃每月生產40,000片300毫米直徑的晶圓，初期採用90、65和45奈米的先進CMOS技術節點，隨後階段將逐步轉向28奈米和22奈米的CMOS節點。截至2016年4月，由於Jaypee Group因債務纏身，以專案商業上不可行為由而退出，此專案的命運因此仍不明朗。在2022年，由總部位於阿布達比的Next Orbit Ventures和高塔半導體合資成立的國際半導體聯盟 (International Semiconductor Consortium, ISMC)宣佈，已與卡納塔卡邦政府簽署諒解備忘錄，將設立一座65奈米類比半導體製造廠。ISMC將投資30億美元以設立該廠。高塔半導體在2024年提出一項新的提案，擬投資80億美元建設晶片生產設施。馬哈拉什特拉邦政府於2024年9月5日批准一項價值8,394.7億盧比(100億美元) 的投資提案，用於高塔半導體與阿達尼集團（印度跨國綜合公司）的合資企業，該企業將在馬哈拉什特拉邦潘維爾設立晶片製造廠。該廠在第一階段的產能將為每月40,000片晶圓，並最終擴展到80,000片晶圓 。
印度跨國企業CG Power and Industrial Solutions已與日本電器投資的瑞薩電子美國公司 (Renesas Electronics America)及泰國的Stars Microelectronics合作，在印度設立半導體封裝與測試設施。CG Power、瑞薩和Stars將分一或多期投資，分別出資最高2.05億美元、1,500萬美元和200萬美元，各約佔股本的92.34%、6.76%和0.9%。這座工廠將生產用於消費、工業、汽車和電力應用的晶片 。
塔塔電子 (Tata Electronics)和台灣力積電計劃在古吉拉特邦杜萊拉 (Dholera) 建立一座半導體晶圓製造廠，成本為910億盧比。該廠預計每月可處理50,000片晶圓。這座設施將採用28奈米技術，生產電源管理IC、顯示驅動器、微控制器，以及用於AI、汽車、運算與資料儲存、無線通訊技術的高效能運算晶片。塔塔電子和新思科技將在杜萊拉的半導體晶圓製造廠合作。塔塔電子計劃利用新思科技的晶圓廠設計平台，加速為客戶客製化半導體產品的流程。兩家公司還將在資料分析、電腦輔助設計、工廠自動化、新思科技將提供給塔塔電子的產品設計套件，以及晶片廠智慧財產權的創建等領域展開合作。東京威力科創將為塔塔電子的員工提供設備和培訓，以確保該公司能按時達到其2026年的晶片製造目標。此合作夥伴關係涵蓋前端製造和後端封裝技術。此外，東京威力科創也將資助持續的研發和強化專案。ref>Aulakh, Gulveen. . mint. 2024-09-09  [2024-09-11]. </ref>
對於目前印度各地正在進行中的晶圓廠項目（處於不同概念階段），批評者和反對者對這些資本密集型項目成功的可能性抱持懷疑。。他們指出各種原因，例如：
然而對印度晶圓廠計畫的支持者，例如與HSMC合作在古吉拉特邦建設晶圓廠的AMD強調，將晶圓廠開發為印度端到端電子製造基地的一部分，有其戰略必要性，因為印度每年進口價值數十億美元的甚至90奈米及以上較低階半導體節點產品。
印度相關業內廠商一直在倡導中央政府應以長遠的戰略眼光投資於氮化鎵 (Gallium Nitride, GaN) 和碲化鎘汞 (Mercury Cadmium Telluride, HgCdTe) 基於非矽半導體鑄造和晶圓廠的革命性領域，因為它們用途廣泛，例如由GaN製成的高電子遷移率電晶體 (HEMT) 可用於民用和軍事應用的電力電子產品，能夠高速切換，處理高功率和高溫而無需冷卻。而基於HgCdTe的高品質感測器則適用於軍事太空需求。
阿莫斯·厄本·希尔克
阿莫斯·厄本·希爾克（英語：，约1890-1956年10月20日），美國商人、作家、百科全書的讀者。希爾克從事食品業，其著書《Marketing Through Food Brokers》於1939年透過麦格劳希尔出版。他發明了一種合成糖膠樹膠，並把維生素膠囊引入雜貨店。
希爾克也以大量閱讀聞名。他花了四年半把《大英百科全書第十一版》讀完，平均每晚閱讀三小時，每冊讀完則費時兩到六個月。1934年，他開始閱讀《大英百科全書第十四版》，評論與第十一版相比，該版有「大幅度改進」、且「重寫了大部分的內容」。希爾克也不限於閱讀大英百科全書，他也花了兩年把亨利·史密斯·威廉斯主編的《史家世界史》24冊讀完，費時兩年。此外，他還讀過大仲马、奥诺雷·德·巴尔扎克、以及查尔斯·狄更斯的著作全集除此之外，希爾克的興趣還有绘画和收藏錄音。
安青
安青（1970年8月—），女，北京人，中华人民共和国外交官，现任中华人民共和国驻刚果共和国特命全权大使。
安青 生平
安青毕业于外交学院法语专业、外交学专业。曾任外交部翻译司参赞，外派驻法国大使馆、驻阿尔及利亚大使馆工作，任驻阿尔及利亚大使馆政务参赞。2021年，任外交学院专职党委副书记兼中国外交培训学院副院长。2025年6月，出任中华人民共和国驻刚果共和国大使。
法祖格利王国
法祖格利王国是前殖民时期存在于今苏丹东南部与埃塞俄比亚西部交界地带的国家。口述传统称，该王国由努比亚王国阿勒底亚的难民建立，这些人在其首都索巴约1500年陷落于阿拉伯人或丰吉人之后南迁至此。该王国以青尼罗河沿岸的法祖格利山区为中心，在丰吉苏丹国与埃塞俄比亚帝国之间充当缓冲国，直至1685年被并入丰吉苏丹国。
法祖格利王国 历史
中世纪时，苏丹中部和南部的大片区域，包括毗邻埃塞俄比亚的法祖格利地区，均处于基督教努比亚王国阿勒底亚的控制之下。自12世纪起，阿勒底亚王国便走向衰落，至约1300年时其衰颓程度已相当深重。14世纪至15世纪，阿拉伯贝都因部落席卷苏丹大部分地区，其势力范围向南直抵阿巴岛。至15世纪下半叶，除青尼罗河与白尼罗河交汇处的首都索巴周边区域外，阿勒底亚全境几乎均被阿拉伯人占据。 索巴最终被阿拉伯人或非洲的丰吉人征服，苏丹史料记载该事件发生于希吉来历9世纪（约公元1396年—1494年）、15世纪末、1504年及1509年。丰吉人随后以森纳尔为都建立苏丹国，其疆域向北延伸至尼罗河第三瀑布。
法祖格利王国 历史
历史学家杰伊·斯波尔丁（）提出，阿勒底亚王国在索巴陷落后依然存续了一段时间。他认为，1523年犹太旅行者大卫·鲁本尼提及的“索巴王国”（）指的就是阿勒底亚王国，并推测其位于青尼罗河东岸某处。该“索巴王国”的领土范围相当于十日行程，且包含“阿尔加尔王国”（），后者被描述为附属于森纳尔苏丹阿马拉·敦卡斯。 “阿尔加尔”很可能指阿拉伯的贾阿林部落。斯波尔丁分析口述传统，进一步论证阿勒底亚人最终放弃其控制的青尼罗河下游河谷领土，撤退至南部的法祖格利山区，在此地重建王国。例如，一份19世纪收集的传统记载如此追述：
法祖格利的国王们曾统治延伸至森纳尔半岛（即杰济拉）的大部分地区，其都城之一曾是古老的索巴，最终却被迫在新来者面前退让……丰吉人……退守到他们的山区据点……在那里……他们维系着统治……[于是]法祖格利帝国从索巴王国的废墟中崛起。
法祖格利王国 历史
当地传统同样铭记阿勒底亚人向法祖格利的迁徙。约1870年编撰的《丰吉编年史》亦载该地为努比亚人流亡之所。近期研究将名为“杰贝尔马哈迪德传统”的考古文化归因于这些阿勒底亚难民，该文化以埃塞俄比亚西部夸拉地区的马哈迪德（）为核心，拥有与索巴出土类似的纪念性建筑与陶器。考古证据表明，他们早在14世纪就已开始迁入埃塞俄比亚—苏丹边境地带。这意味着其迁徙发生于阿勒底亚尚存却深陷衰颓之时。
需注意的是，将法祖格利与阿勒底亚相联系的传统记载可能并非史实，而是旨在为法祖格利诸王的统治提供合法性依据。
法祖格利王国地处森纳尔苏丹国与埃塞俄比亚帝国之间，在这两个国家之间充当缓冲地带。非洲学家亚历山德罗·特里乌尔齐对其大致疆域描述如下：
东至加拉巴特与青尼罗河间的古穆兹人聚居区，中心位于古巴；西抵布鲁人领地，核心为杰贝勒古莱（），其统治范围据称南达埃塞俄比亚南部的咖法；向南则主要涵盖图马特河谷（）黄金产区的贝尔塔人聚居地，延伸至奥罗莫人活动疆域边缘的法达西（）。
法祖格利王国 历史
王国疆域内居民主要使用东苏丹语族语言。根据斯波尔丁的观点，该国至少在统治阶层阿勒底亚精英集团中保持着基督教信仰。他认为，这批阿勒底亚精英后来被称为哈马杰人（），也有观点认为，构成哈马杰人主体的实为法祖格利的普通民众。
法祖格利王国 历史
法祖格利以盛产黄金闻名。1607年的葡萄牙史料记载该地拥有“大量优质黄金与良驹，与（埃塞俄比亚）帝国互通贸易”。1622年刊印的另一文献明确记载“……此乃确凿事实，人尽皆知，皇帝塞尔坦·卡格德（苏斯尼约斯）亦亲口告予，其疆域内最上乘之黄金，皆产自法祖格利王国”。正是黄金资源引发了邻国的觊觎，埃塞俄比亚与森纳尔屡次宣称法祖格利金矿归属各自版图，然此类主张多无实据。15世纪末至17世纪初的埃塞俄比亚—苏丹边境地带始终动荡不安，此态势体现于“杰贝尔马哈迪德传统”的聚落特征——它们不仅择险而筑，更增筑多重防御工事以自保。据载哈马杰人曾参与阿比西尼亚—阿达尔战争，并与埃塞俄比亚北部希雷地区（邻近卡萨拉）的势力结盟。森纳尔苏丹达金统治期间（1568年—1585年），据传曾远征阿布拉姆拉（），此地紧邻马哈迪德南部。达金兵败归国后，遭努比亚北部豪酋阿吉布（）挑战。阿吉布先获自治特权，继而架空丰吉苏丹，最终于1606年攻占杰济拉，迫使时任苏丹阿卜杜勒·卡迪尔二世流亡埃塞俄比亚。口述传统提及阿吉布曾在法祖格利境内兴建数座清真寺。若此说可信，则暗示该国可能介入阿吉布与森纳尔的权力斗争，甚或支持阿吉布一方。阿吉布势力虽短暂渗透法祖格利，但其影响亦属有限，未引持久变局。阿吉布最终于1611至1612年间战死。
据载法祖格利1615年被埃塞俄比亚皇帝苏斯尼约斯征服，斯波尔丁认为此事件标志其丧失独立地位。马哈迪德城可确证毁于16世纪或17世纪初，其破坏者可能为埃塞俄比亚军队或丰吉势力。埃塞俄比亚诸帝曾试图将法祖格利纳入疆域，然七十年间，随皇帝约翰尼斯一世的驾崩，埃塞俄比亚已丧失对该地的控制。随着帝国势力衰退，森纳尔苏丹国试图填补权力真空。至1685年，“法祖格利的哈马杰诸酋长”终向森纳尔臣服。
据记载，丰吉政权保留了法祖格利的现任统治者，未另派行省总督取而代之。作为森纳尔苏丹国的附庸，法祖格利统治者获“曼吉尔”（）头衔。斯波尔丁指出，哈马杰人在被征服后至少延续一代人的基督教信仰，但至18世纪中叶已改宗伊斯兰教。有记载称，直至18世纪70年代初，埃塞俄比亚—苏丹边境仍存在名为夏伊拉（）的基督教公国。青尼罗河上游地区事实上直至20世纪初仍存基督教渊源习俗。纳入森纳尔苏丹国后，哈马杰人逐渐成为其最具支配力的族群，而法祖格利连同南部的科尔多凡和阿莱斯（）两省，成为苏丹国最重要的省份之一，这主要归因于当地黄金资源对森纳尔经济的重要性。1761至1762年，出身法祖格利的军事指挥官穆罕默德·阿布·利凯利克（）集结了一支“由新阿勒底亚贵族、军阀、奴隶士兵、商人及宗教教师（）组成的混杂力量”，夺取森纳尔政权，开启哈马杰摄政时期，该体制持续至1821年图库—埃及入侵方告终结。
弗里曼特尔监狱
弗里曼特尔監獄（英語：）是一座前澳洲監獄，位於西澳大利亞州弗里曼特尔，現已被列入世界遺產名錄，其遺址包括牢房、門樓、圍牆、小屋和隧道。它最初用於關押從英國運送來的囚犯，但於1886年移交給殖民政府，用於關押當地被判刑的囚犯。1898年和1911年，皇家委員會舉行了調查，並推動了監獄系統的一些改革，但直到20世紀60年代才開始出現重大變化。負責管理監獄的政府部門在1970年代和1980年代經歷了幾次重組，但弗里曼特尔監獄的文化卻難以改變。囚犯日益增長的不滿最終導致了1988年的一場暴亂，獄警被劫持為人質，一場大火造成了180萬美元的損失。該監獄於1991年關閉，取而代之的是新的最高安全等級木麻黃監獄。
弗里曼特尔监狱
該監獄由一名監獄總長、治安官或監獄總監管理，他負責西澳大利亞州的整個囚犯或監獄系統，以及一名主管監獄本身的典獄長。監獄官員（獄吏/狱警）在嚴格的條件下工作，直到他們透過西澳大利亞監獄官員工會獲得代表權。最初送来此处服刑的囚犯多品行良好，有可能成為未來的殖民者，但最終也會有不太理想的囚犯被送到弗里曼特尔。作為一個地方管理的監獄，19世紀90年代以前羁押於此的受刑人大多是被判短期徒刑的白人，原住民很少。到了20世紀末，在此服刑的大多數囚犯刑期更長，其中不乏因暴力犯罪入狱者，原住民人數也有所增加。
弗里曼特尔监狱
弗里曼特尔的監獄生活受到嚴格管制。膳食是一天中的重要部分，在監獄運作期間，囚犯們都在牢房裡用餐。直到1911年左右，囚犯或囚犯的勞動都用於公共基礎設施建設；此後，狱方一般只允许受刑人在監獄內工作，但監獄內的工作量始終不足以讓他们充分休息。懲罰措施多年來各不相同，鞭笞、戴鐐銬等肉刑最終被延長刑期和剝奪探視權或娛樂活動时间所取代。该監獄曾執行40次絞刑，是1888年至1984年間西澳大利亞州唯一合法的處決場所。另外，该监狱也发生多次越狱事件，著名的越獄者包括19世紀的穆恩戴恩·喬、约翰·博伊尔·奥莱利和其他六名芬尼亞兄弟會成員，以及1989年的布倫登·阿博特。該監獄还曾發生過各種騷亂，其中1968年和1988年的重大騷亂造成了破壞。
1991年，弗里曼特尔監獄進行了多項修復工程，亦於2010年作为澳洲監獄遺址的一部分获列为世界文化遗产。監獄內的一些建築找到了新的用途，也成為了一個重要的旅遊景點。作為澳洲囚犯遺址申報世界遺產的一部分，該監獄申報世界遺產的過程側重於歷史解讀和保護工作，重點關注監獄的囚犯流放時代（1850年至1886年），而忽略了其近代歷史，包括關押在那裡的原住民囚徒。
弗里曼特尔监狱 建筑构造
弗里曼特尔监狱建在一塊約15公頃的土地上，石灰石是從現場開採的。一道4.6公尺高的圍牆環繞著監獄場地，西牆中央有一座門樓，面向狱外的馬路。其他圍繞該地點的道路包括北面的諾茨福德街、東面的漢普頓路和南面的福瑟吉爾街:7。監獄工作人員和官員的住所位於牆外門樓的兩側。在牆內，閱兵場位於門樓的東側。閱兵場後方是位於場地中心的主监舍區，裡面有兩座小教堂。主樓北面是新區，西面的西北角是前女子监狱，以前是廚房、麵包房和洗衣房。醫院建築位於東北角，舊工寮则位於東南角以及門樓的北面。為從含水層提供淡水而建造的隧道系統在場地東邊緣下方運作:2–3。
弗里曼特尔监狱 建筑构造
門房北側马路的2號、4號和6號建筑，为維多利亞風格的小屋，與其他房屋的佐治式風格形成鮮明對比。10號是一棟雙層房屋，最初建於1853年，供牧師居住，但於1878年被典獄長接管，後來被監獄管理部門使用。毗鄰的12號單層房屋建於1854年，是門衛的住所，位於門房的北側。門房南側的路旁16號是一棟雙層房屋，最初是典獄長居住的，後來是駐地治安官居住的。直到1970年代，它一直被用作獄警的住所。18號是路旁大樓最南端的房子，而8號是最初幾棟建築中最北端的房子，兩棟樓都設有兩間客廳、三間臥室和兩間更衣室，以及一間廚房、一個盥洗室和一個棚屋，但佈局相互呼應。其中，18號在19世紀90年代進行了擴建。
弗里曼特尔监狱 建筑构造
門樓和相關的入口建築群建於1854年至1855年間，由囚犯建造。它由皇家工兵部隊軍官兼監獄總長埃德蒙·亨德森設計，並用石灰石建造而成。門樓在狹窄的大門兩側各有一座塔樓，可令人聯想起13世紀英國城堡或城牆城市的塔樓。大門的製作材料是從沉船中打撈出來的鐵，而建築物頂部的時鐘則是從英國進口的:26。作為正門，門樓一直是監獄的重要特徵和地標；自監獄關閉以來，門樓內設有咖啡館和景点管委会辦公區。修復工作於2005年進行，保留了原始的石材立面，並去除了非原始建物的渲染。
弗里曼特尔监狱 建筑构造
主监區於19世紀50年代由囚犯建造，之後幾乎沒有改變，設計容納量高達1000名囚犯。中央四層樓高的监區兩端是大型宿舍病房，稱為「交流室」。在這裡，多達80名囚犯睡在吊床上，要么作為表現良好的獎勵，要么是因為他們即將獲得假釋的證明。相比之下，狹窄的牢房尺寸僅為2.52平方公尺。雖然每個牢房最初都配有接通自來水的水盆，但這種安裝是在S型彎管出現之前；由於管道中瀰漫的氣味，到19世紀60年代，管道被拆除。在皇家委員會的指導下，監獄拆除了兩個牢房之間的隔間牆，擴大了牢房面積。1920年代安裝了電燈，但從未配備廁所，因此在監獄運作期間，人們一直使用水桶代替马桶。自監獄關閉以來，管理者已修復了6間牢房，可向游客展示監獄歷史上不同時期不同的生活條件。主樓還設有絞刑架、單獨監禁牢房和一座聖公會教堂及天主教教堂:46。