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妖怪 參考文獻
Folklore studies（民俗學=folkloristics）研究folklore（民俗）。folklore（民俗）包含culture（文化）和傳統故事（ traditional stories）或關於傳統的故事。culture（文化）包含妖怪文化⋯⋯等文化種類；傳統故事（ traditional stories）或關於傳統的故事包含鬼故事（Ghost story）、傳說（Legend）和都市傳說（Urban legend）和口述傳統（Oral tradition，口述傳統使得口傳文學（＝民間文學，oral literature）可以一代傳一代，口傳文學又包含鬼怪傳說和民間故事（英語：folktale, folk story）。民俗學者使用田野調查的方法論紀錄口傳文學和文化，包含妖怪故事和妖怪文化⋯⋯等口傳故事和文化，台灣一直到了到了日治時期，才出現針對臺灣民俗做出豐富詳實的系統性研究。例如池田敏雄主編的《民俗臺灣》、《臺灣風俗誌》、日本人類學者、民俗學者伊能嘉矩的代表作《臺灣文化志》、《臺灣民間文學集》⋯⋯等民俗學作品，譬如金魅第一次出現在文獻紀錄上就是在《民俗臺灣》之中。
妖怪 參考文獻
中研院民族學研究所研究員林美容在《魔神仔的人類學想像》中有以下的結論:魔神仔是一種精怪，就比較民俗學而言是台灣版的矮人，類似福建的魔神仔、日本的妖怪與神隱現象和跨民族的矮人傳說。（台灣原住民的矮人傳說、太平洋島嶼的矮人傳說和歐美的矮人童話）（參考博客來書目：https://www.books.com.tw/products/0010630696 （页面存档备份，存于）　）林老師其他的民俗學研究還有鬼的民俗學 （页面存档备份，存于）
妖怪 延伸阅读
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《欽定古今圖書集成·博物彙編·神異典·妖怪部》，出自陈梦雷《古今圖書集成》
CSI犯罪現場：邁阿密
《CSI犯罪現場：邁阿密》（英語：）是哥倫比亞廣播公司電視劇《CSI犯罪現場》（）的衍生影集。與原CSI影集一樣，《CSI犯罪現場：邁阿密》是一齣關於一群鑑識科學家的刑事電視影集。故事背景是設定在今日美國佛羅里達州的邁阿密。在北美平均每一集約有2千萬個觀眾收看，使得它成為星期一收視第一的影集，也是最多人收看的影集。這個系列影集在全世界幾十個國家都有播出，它是由亞特蘭提斯同盟（）行銷至國際間。影集於2002年9月23日首播。
小組成員調查神秘與不尋常的死因，以判定是誰以及如何殺了他們。成員們也會解決一些其他的重罪，例如強姦罪的採證，但這個系列影集的主題仍以謀殺案件為主。
2012年5月13日，CBS宣布取消本片，《犯罪现场调查：迈阿密》将只有十季。
CSI犯罪現場：邁阿密 劇集介紹
邁阿密篇和CSI犯罪現場的職業定位有所區別，CSI犯罪現場的角色是屬於刑事鑑證的科学家，而邁阿密篇和紐約篇的角色均隸屬於警察部門，而邁阿密篇的角色職業是屬於縣警察與科學家混搭的職業設定，所以與紐約篇的角色一樣能夠持有槍械。本作的角色與其他兩個係列不同，可以穿便服而不需要穿上鑑證人員的制服背心在現場搜證。拍攝手法充斥着晴天和陽光的城市風格，明亮且昏黃的鏡頭比較明顯；故事中海岸線、海嘯案件多次被描寫到，汽車追逐、槍戰、爆炸等場面經常出現。
第8季的交錯劇情是第七集「Bone Voyage」，它的下集是《CSI犯罪現場：紐約》第6季的第七集「Hammer Down」，直到《CSI犯罪現場》第10季的第七集The Lost Girls方暫告一段落，案件涉及一個龐大的黑幫組織在全美綁架女孩，用於賣淫、代理孕母和摘取器官的慘忍犯罪，多名女孩無辜被殺，但三集過後本案並未解決。這次的交錯劇情主要在介紹CSI犯罪現場的新主角雷蒙·藍斯頓。
CSI犯罪現場：邁阿密 角色介紹
是邁阿密戴德郡犯罪實驗室的主管，曾經是炸彈拆除小組的警官，現在是鑑識分析師。他致力於保護善良百姓，尤其是對於婦女及小孩，部分影迷們開玩笑地稱他為「全美婦孺之友」。他的招牌動作是戴上與拿下他的太陽眼鏡（該副太陽眼鏡是艾瑞克當警察前送給何瑞修的禮物）每一集都會表演很多次。 有人因為他淡出鏡頭的動作稱他為 「何公飄」，甚至金凱瑞也曾經在電視上模仿過。在前三季裡，何瑞修的背景故事（關於他弟弟的）慢慢地被揭露。在第四季裡，在先前這條故事線結束後，另外一部份關於他的過去也開始被揭露。在編號408的「」這一集裡，肯恩發現紐約的一個地方檢察官開始調查他與殺母兇手被謀殺這件事之間的關聯。第四季中何瑞修和艾瑞克的姊姊瑪莉索有感情的發展，但兩人短暫的姻緣隨著瑪莉索遭到槍殺而結束。而在第六季亦揭明過往他化名擔任臥底時，曾經與一名護士發生感情，並生下一子凱爾，但凱爾卻因為犯罪而在第六季的第一集被逮捕，整個第六季的劇情都是伴隨他跟凱爾及其母親的關係和凱爾所犯的案件展開。
CSI犯罪現場：邁阿密 角色介紹
彈道學專家，出生於路易西安那州達尼爾（），西班牙語十分流利，曾在圖蘭大學（）獲得物理學學士學位。在紐奧爾良警察局工作的時候，她有個綽號叫「子彈女孩」，後來調到邁阿密警局。父親是個多次戒酒失敗的酗酒律師，母親據信應該還住在路易西安那。跟父親感情很好，她爸爸叫她的小名是"Lamb"。第七季在办案中遭遇突发火灾，生命遇险，幸好在医院得到Alexx的抢救脱险。第九季則因演員艾蜜莉·波克特本人懷孕待產，而多數鏡頭都是坐著，避開肚子。
CSI犯罪現場：邁阿密 角色介紹
指紋與藥品辨識專家，何瑞修的小舅子，土生土長於邁阿密，曾在邁阿密大學獲得化學學士學位。母親古巴人，所以西班牙語和俄語都很流利。是劇情設定中唯一有正式潛水資格的組員，當情況需要時，達可在小組裡通常是扮演蛙人的角色。在集數編號410「」這一集裡，達可被控藏匿毒品因而危害了他的工作。不過後來證實他買這些藥是為了幫助他重病的姊姊Marisol減少癌症的疼痛。他在第五季中差點因恐怖分子槍擊而身亡，最後在危急關頭被一劑強心劑救回。而第七季的劇情也揭露出他的父親乃是一名黑道大豪，並雇傭殺手要將他除掉，直到第八季為止這些事情才告一段落，同時也讓艾瑞克心生對短暫生命的無奈，而退出CSI行列。但在第八季客串部份演出，最後幾集更是密集現身，於最後一集（24集）向何瑞修提出重回CSI的要求，何瑞修接受請求，艾瑞克重回CSI。
CSI犯罪現場：邁阿密 角色介紹
是一個想進入實際鑑識工作的基層巡邏員警。何瑞修僱用他以遞補已殉職的史畢的位置，因為他不僅有足夠的技術，而且他平時有注意保養他的配槍——史畢就是忽略了這個防備措施才殉職的。他瞭解到自己永遠無法取代史畢的地位，只能盡力地成為小組的一員。沃夫首次出現在「」這一集，不過直到「」這一集之後才變成常態演出。在集數編號408的「」這一集裡，雷恩的右眼眼角被釘槍射中，傷勢初期對他造成了某種程度的影響，但在就醫治療後已無大礙。沃夫在新一季，第五季第22集因為賭博而被開除了，第六季又重新歸隊。
第四季才加入實驗室的拉丁美洲裔DNA分析員，主要任務為分析關於懸案以及舊案的DNA證據。由於她的聯邦僱約的限制，所以只能處理非熱門案件或是懸案。在第五季中已被扶正。曾經有過一次因家暴而結束的婚姻，而和艾瑞克也有一段曖昧的關係，而在第四季末也證實她原是檢察官辦公室所安排的眼線。第五季角色更加重要，成為正式的鑑識人員，已不是配角了。第一次跟何瑞修見面是在1997年，何瑞修到FBI要求進行PCR實驗時。
CSI犯罪現場：邁阿密 角色介紹
在第八季第三集出場，夜班的犯罪現場攝影師，在Travers出庭當專家證人的時候就身兼數職，調往日班和何瑞修·肯恩的小組一起工作。
重案組探員。前幾季偶爾出現，在第四季變成常態出現的角色。已婚，但妻子為了和他離婚而暗中請人去誘惑他好獲得對自己有利的證據，被艾瑞克查到此事時而大表不滿，最後與妻子離婚。在調查古巴偷渡客遭地雷炸死案件時誤踩埋設的地雷，但最後被防爆小組成功拆除地雷而獲救。
實驗室技師，專長是多媒體分析。
第2季開始出現，內務部警官，何瑞修的死對頭。後來他與椰莉娜交往，不過她在第3季結尾時與她丈夫一起離開。他對肯恩相當不友善，據信是因為後者取代他晉陞為組長的挫敗感使然。他認為肯恩一定是搞了一些「小動作」才獲得這個職位的。在第八季23集被證實是警方的內鬼，不斷偷竊各種扣銷的證物變賣牟獲暴利。
分析師，第2季開始出現。在第3季因把性侵被害者資料輸入系統而被停職，於第4季再度出現。
第2季開始出現，美國特勤局經濟犯罪部門的探員。在實驗室檢驗犯罪現場所查扣的鈔票真偽時會登場，並協助檢驗。
第2季開始出現，實驗室技師。
第3季開始出現，實驗室技師。
CSI犯罪現場：邁阿密 角色介紹
第4季開始出現，新來的影音分析師，於第六季第四集時使用已過世史畢的信用卡，觸犯法律，因而離開實驗室，并对卡莉怀恨于心，制作针对卡莉的恶意网站，公布她的个人信息并导致卡莉被坏人绑架。
只在402、404、410這三集裡出現過，負責檢查槍械和子彈，三集裡都只有和卡莉有對手戲，是一個很懶散的人，因為常常把證物放著而不進行檢驗而被卡莉教訓，還曾經認為「毒販槍殺了毒販，這是沒有受害人的案件」，在沒有他出現的一些集數中，從小組的對話中得知他經常請假或不見人影，要讓其他人來代替他的工作，410之後應該是被調走了（410中卡莉曾提過可以把他調走）。另外，演員Joshua Leonard也曾參演CSI:NY的105，飾演其中一個嫌疑犯。
出現在第1季前11集。曾經擔任何瑞修現在的職位，在哀悼完喪夫之痛後回到工作崗位之後降級成為一個調查員，但是之後還是因為受不了喪夫之痛所造成的壓力而離職。她的角色在第1季第11集之後離開的原因，主要是因為她和卡羅素之間合作默契不夠，缺少共同語言。
CSI犯罪現場：邁阿密 角色介紹
出現在前兩季。證據追蹤與壓痕專家，出生於紐約州西拉鳩斯市（），曾在哥倫比亞大學獲得生物學學位。史畢在第3季第1集「」一開始就在任務中陣亡，劇中他的武器在槍戰時故障。他的角色離開的原因是因為本人的請求。寇克蘭希望可以發展他的電影事業，而且他不是很喜歡影集冗長的拍攝行程。在604當中重返，飾演因戴可第五季中腦部受傷，而產生的史畢的幻覺。
出現在第2、3季。一個常常跟一起調查的重案組探員，也是何瑞修弟弟雷蒙的遺孀。她後來與何瑞修的死對頭，內務部的警官瑞克·史特勒（）交往。在第3季最後發現她的丈夫雷蒙其實並沒有死，為了確保他的安全，她帶著兒子與他一起前往巴西躲藏。在巴西發生事情後，回到邁阿密當起私家偵探。
邁阿密達德郡的驗屍官。艾利絲的醫生生涯從當一名實習醫師開始，後來她離開紐約來到邁阿密擔任驗屍官。她有一個古怪的習慣就是在驗屍的時候跟屍體講話，通常是想要讓死者死後可以更為安詳。已婚，育有一子一女。在第六季19集，由於兒子陷入兇殺案，而退出實驗室。在退出實驗室後他成為醫院義工，在後來的不少劇情中皆有出場為人員手術治療的戲份。
為艾瑞克·戴可（Eric Delko）的姊姊，四季12集中因為購買海洛因被捕，在何瑞修幫忙下脫罪劇末瑪麗莎邀請何瑞修共進晚餐，兩人開始正式交往，四季23集中和何瑞修結婚步入禮堂，在四季24集中遭Antonio Riaz的手下Memmo Fierro槍殺身亡，五季一集中何瑞修和艾瑞克一路追殺到巴西，在直昇機停機坪旁何瑞修正當防衛下殺了Antonio Riaz。
第1至3季中出現，重案組探員，有情緒與心理方面的問題。他與卡莉在第2季曾經交往一段短暫的時間。在第3季結尾的時候，他先是在办案现场悄悄用抢指卡莉的头并拉下擊錘，最后在卡莉進行扳机聲音甄別實驗的彈道實驗室舉槍自殺，當時卡莉也在場。
第1季中出現，拉丁美洲裔的重案組探員，常常跟小組一起出任務。她大約演出了10集。
1973年6月18日生於加利福尼亞州Burbank，在第八季第一集中艾瑞克·戴可從沼澤區脫險後，以回顧的方式登場，傑西因為妻子被其外遇對象Tony Enright謀殺，在偵辦該謀殺案中的關鍵證物遺失，背負上不名譽的罪名而請調洛杉磯，同時推薦了聖皮特分局的提姆·史畢。劇中第八季第二集中又調回邁阿密，第八季第十六集才在何瑞修·肯恩的幫助下恢復聲譽。在第九季第一集中，因實驗室被放入毒氣，雖然其他人平安無事，但唯有他因吸入過多毒氣昏迷並撞擊到頭部而死。
CSI犯罪現場：邁阿密 集名列表
每集的故事大綱請見CSI犯罪現場：邁阿密章節列表。
CSI犯罪現場：邁阿密 各地播映情形
A&E Network電視網每週日晚上重播。這家電視網早在第一季播映時就已經以一集一百萬美金的價格買下了重播權。
2006年3月29日日食
2006年3月29日日食是一次日全食，發生於2006年3月29日。新月當天（即朔日），地球上觀測到月球和太阳的角距離極小，此時月球如果恰好在月球交點附近，穿過太阳和地球之間，與地球、太阳接近一直線，則會出現日食。月球本影接觸地表而使該區域完全得不到陽光，就會形成日全食，同時在本影兩側數千公里的半影範圍內遮擋部分陽光，形成日偏食。此次日全食經過了巴西、加纳、科特迪瓦、贝宁、多哥、奈及利亞、尼日尔、乍得、利比亚、埃及、希腊、土耳其、格鲁吉亚、俄罗斯、哈萨克斯坦、蒙古，日偏食則覆蓋了西至南美洲東部、東至东亚中西部、北至北冰洋、南至南部非洲的廣大地區。多國科學家均對此次日全食做了觀測研究，全食帶經過的許多國家也都出現了遊客高峰，其中少數國家，例如利比亚，還一度改變了原先遊客稀少的局面。
2006年3月29日日食 日食概況
巴西東北角在日出時最先看到日全食，月球本影于8:36在那里第一次接触到地表。當地正處在晨昏圈上，此時月球本影在地表覆蓋的轨迹宽度是129公里，轨迹中心處的全食持续时间约为1分53.5秒。隨後本影以9公里/秒的速度快速离开巴西，并在接下来的半小时里不接触任何陆地直接穿过大西洋。穿过赤道以后，本影进入几内亚湾，并于9:08在加纳海岸登陸非洲。这时太阳位于东方地平线以上44°，全食持续时间为3分24秒。全食轨迹宽度此时已扩展到184公里，相对地面移动速度减慢到0.958公里/秒。然後本影向東北穿過非洲大陸，在利比亚邁爾祖格省南部達到最大食分，太阳在地平線上的高度也達到最大的67°，全食軌跡寬度增至184公里，相對地面移動的速度減至0.697公里/秒。此後本影又從利比亚與埃及海岸交界處進入地中海，覆蓋土耳其海岸的希腊島嶼並斜貫土耳其，穿過黑海東南部後在格鲁吉亚再次登陸，不久後進入俄罗斯，並擦過裏海北端，向東穿越哈萨克斯坦，第二次進入俄罗斯。最後本影短暫劃過蒙古境內，於當地日落時分11:48離開地表。全過程中，本影完全覆蓋了兩個首都——加纳阿克拉和哈萨克斯坦阿斯塔納，此外多哥洛美位於全食帶南緣，其西北郊能看到日全食。欧洲最高峰厄爾布魯士山也被全食帶完全覆蓋。
2006年3月29日日食 日食概況
本影覆蓋了全球表面0.41%的面積，在地表總長14500公里，其中陸地包括：
土耳其：安塔利亚省除東西兩側外的大部、穆拉省極東南角、布爾杜爾省東南部、伊斯帕爾塔省南部、科尼亚省東部和南部、卡拉曼省西北部、尼代省西北部、阿克萨赖省、安卡拉省東南部、克爾謝希爾省除西北側外的大部、內夫謝希爾省、開塞利省西北部、約茲加特省除西端外的大部、喬魯姆省東南部、阿马西亚省東南半部、托卡特省、錫瓦斯省西北部、薩姆松省東部、奧爾杜省、吉雷松省中北部、居米什哈內省西北部、特拉布宗省西部；
俄羅斯：第一次入境經過北高加索聯邦管區的卡拉恰伊-切尔克斯共和国東南半部、卡巴爾達-巴爾卡爾共和國、北奥塞梯-阿兰共和国西北部、印古什共和国北部、斯塔夫罗波尔边疆区東南部、车臣共和国西北部、达吉斯坦共和国北部，南部聯邦管區的卡尔梅克共和国東南部、阿斯特拉罕州南部，第二次入境經過西伯利亚联邦管区的阿尔泰边疆区東南部、阿尔泰共和国西北部、科麦罗沃州東南角、哈卡斯共和國南部、克拉斯諾亞爾斯克邊疆區南端、图瓦共和国中部；
2006年3月29日日食 日食概況
除了狹窄的全食帶內能看見日全食之外，月球半影覆蓋範圍內都能看到日偏食，包括巴西東部、法屬圭亞那東半部、除東南部分區域外的非洲大部、格陵兰東部、除冰岛西北部外的幾乎整個欧洲、西伯利亚西部、西亚、中亚、南亚北部、中國西部、蒙古中西部、缅甸北部。
2006年3月29日日食 觀測
地球繞太阳、月球繞地球公转及月球交點的移動均有規律，只要數據足夠準確，就能夠精確計算出過去及將來的日食，也能為日食觀測提前做準備。日全食發生時，在月球本影區域內，月球完全遮蔽了太阳的光球部分，在短暫的時間內出現類似黑夜的景象。比光球暗得多、平時無法看見的色球、日冕和日珥都在此時出現，在日冕儀發明之前，這是研究太陽大氣的唯一機會。而在本影以外數千公里的半影區域內，月球只遮擋了部分陽光，發生日偏食，並未形成類似黑夜的景象，能看到的只是太阳形狀有所殘缺，色球、日冕和日珥等光球以外的部分仍然無法看到。
2006年3月29日日食 觀測
巴黎天文台派了一支由學生和協調員組成的觀測隊前往贝宁薩瓦盧，當地的全食階段開始於9:18:27（UTC），觀測隊拍攝到了清晰的日冕照片。而靠近土耳其海岸的希腊卡斯泰洛里佐岛是歐盟境內唯一能看到日全食的地方，當地的全食階段開始於約10:53（UTC），共持續約3分鐘。威廉姆斯学院在當地做了多項實驗，並拍攝了日冕照片。太陽和太陽風層探測器同時做了輔助觀測，以對比太空和地面拍攝的太阳照片。另一研究項目是在考慮多重散射的情況下，用三維模型來模擬全食帶內的光強，實驗中用了蒙地卡羅方法來預測天空顏色和明暗程度，此外也研究了日冕直接照射產生的影響。該項目的目的是計劃並優化此後的日射量研究。而俄罗斯科學家在北高加索一處雪山環繞的巴克桑河峽谷觀測了日全食，當地海拔1800米，距離海拔5642米的俄罗斯最高峰、亦是欧洲最高峰厄爾布魯士山25公里，科學家做了日冕偏振現象等多項研究。
當時穆阿迈尔·卡扎菲領導的利比亚曾因洛克比空難受到制裁，且有嚴格的禁酒令，是地中海沿岸遊客最少的地區。為了推動旅游業，利比亚政府動員5家國營旅遊公司應對大量遊客，並在位於撒哈拉沙漠內部、觀測條件極佳的瓦烏納穆斯地區搭建了能容納7000人的帳篷村，但只對天文學家開放，普通遊客則被引導至該國與埃及邊界附近的巴坦。而儘管利比亚有意吸引各國遊客，以色列人仍被拒絕入境。美国国家航空航天局科學家也與利比亚科學家聯合進行了觀測和研究活動，拍攝了照片及視訊影像。
中國天文學會組織的20人觀測隊前往埃及塞盧姆做了觀測，當地與相鄰的利比亚觀測條件均很好，觀測隊順利看到並拍攝了贝利珠、日冕、日珥等。而當時的埃及總統穆罕默德·胡斯尼·穆巴拉克、國防部長穆罕默德·侯赛因·坦塔维等官員也乘直升機到達當地，與科學家及遊客共同觀看了日全食。
2006年3月29日日食 社會影響
在中部安那托利亞地區的一些偏遠村莊，有傳言稱日食後的幾天內會有大地震，一些研究人員也做出類似預測。而1999年8月17日的伊茲密特地震發生於1999年8月11日日食後僅6天，那次日全食也經過了土耳其，這加劇了民眾的恐慌。儘管政府試圖消除這種恐慌，尼克薩爾部分村莊居民仍要求在日全食後2個月內離開原居住地，改住帳篷。
日全食次日，澳大利亚和新西兰的卫星电视中斷了13小時，共約55萬觀眾受到影響。運營公司天空電視台（Sky Television）稱，由於電信公司的Optus B1衛星發生故障之前處於月球陰影區，需要先對電池充電，而信號無法同步恢復。但有天文學家指出這只是荒謬的藉口，衛星僅在月球陰影中停留了4分鐘，而所謂的「停電」發生於日食之後21小時。
2006年3月29日日食 相關的日食
月球交替位於相對的月球交點時，以半個交點年（食年），即約177天又4小時間隔出現下列日食。
沙羅周期長度為18年11天。本次日食屬於沙羅周期139，共包含71次日食，依次為1501年5月17日至1609年7月30日的7次日偏食、1627年8月11日至1825年12月9日的12次全環食（亦稱混合食）、1843年12月21日至2601年3月26日的43次日全食、2619年4月6日至2763年7月3日的9次日偏食，總共歷時1262.11年。其中最長的全食為本周期第39次日食，發生於2186年7月16日，共持續7分29秒，是公元前4000年至公元6000年間持續時間最長的日全食。
下表列舉了1901年至2200年間發生的屬於該周期的日食，是第24至39次：
霍英東
霍英東，大紫荊勳賢（英語：，1923年5月10日（一说生于1922年11月21日）—2006年10月28日），香港富商，中华人民共和国政治人物，原副国级领导人。原名霍官泰，谱名霍好钊，原籍广东番禺练溪村（今广州市番禺区），出身香港蜑家水上人。霍英东集团前董事长，曾任全国政协副主席、全国人大常委，首创房地产“卖楼花”制度。
霍英東 生平
霍英東是蜑家艇戶出身，在家中排行第四，祖父霍達潮擁有風帆來往港澳間運輸貨物，父親霍耀容繼承祖業。1930年一次風災中兩名哥哥水難身亡，其後父親患癌身故，霍母帶同霍英東、一姐和一妹上岸生活，在灣仔石水渠街居住。霍英東小時就讀於駱克道194號香港帆船總會義學，後轉往敦梅學校，12歲時考入皇仁書院，為圖報國，取名「英東」即英武地屹立在世界的東方；二戰日军攻陷香港期間被迫停學並從事苦力等工作謀生；戰後霍家湊足第一桶金，在灣仔鵝頸橋開辦「有如雜貨鋪」向軍民買賣各種物資，並獲得可觀利潤。
霍英東大半生均於港英治下度過。1950年代朝鲜战争爆發，港英政府據聯合國決議對中國大陸實行禁運。美国商务部的官员指出“凡是一個兵可以用的东西，都不许运往共产中国”。而在日本、台湾、东南亚的第一島鏈中，香港和澳门是最后的缺口。香港當時作為英國殖民地严格地执行全面禁运令；当时的香港报纸上，经常可以看到英国海军军舰追击走私船只的报道。
霍英東 生平
1950年至1953年间，霍英东甘冒被港英政府追捕的风险，组织船队向中华人民共和国售卖、运送禁运物资。期间，霍英东不仅承担了在港澳和中國大陸间走私军用物资的主要任务，还组织了精密的侦察队伍，监控港英当局的缉私艇的动向；他的船队每天半夜都从英国皇家海军的军舰旁悄悄绕过，驶向公海；而为了摆脱当局的监视，他甚至一天之内换了三个不同的辦公地点，作为整个运输系统的“指挥部”。霍英东提供大量战略物资给中国大陆，帮助中华人民共和国抗美援朝，惹来英美政府的不满并導致其一直受到港英政府的非难，不過亦因此受到了北京政府的信任，后来荣居全国政协副主席，被誉为“红顶巨贾”。
霍英东依靠走私获得第一桶金后，转向投資地產。于1953年創辦霍興業堂置業有限公司，次年再開設立信置業有限公司及有榮有限公司，在灣仔及銅鑼灣一帶發展住宅樓宇，包括蟾宮大廈、香港大廈、海誠大廈等，更首創樓花制度，容許買家在大廈未落成前預先訂購，當時引起市民猜疑，但此法令樓市活躍起來，地產商紛紛效法，影響至今，他亦身家暴漲。
霍英東 生平
霍英東因其在朝鲜战争时期倾向中国大陆的立场及行动，而與英美及港英殖民地政府結怨。韓戰結束後他與何鴻燊、何添、關明及鍾明輝等人合組九龍置業公司於1962年開始在尖沙咀興建九龍商業大廈，但大廈落成招租後美國駐港領事即對其實行嚴厲制裁，嚴禁任何大廈租客買賣美國貨。
1965年，霍英东牽頭成立香港地產建設商會，並獲推舉為首任會長。1967年5月六七暴動前夕，霍英东离开香港避風頭，至12月暴亂平息後才回港。
受“走私”前科影响，英資大東電報局控制的香港電話公司對大廈租戶之電話線申請百般刁難，宣稱「星光行的租戶申請電話線可能遙遙無期」，導致大批租戶連按金都棄若敝屣。最後，霍在大廈乏人承租的窘境之下被迫將其賤賣英资企业置地公司，後者其後再將其改為現名「星光行」。
1970年代石油危機後，霍英东在香港經營東方石油公司，售賣在中國出產的石油產品。1981年董浩雲逝世，東方海外交予董建華打理。1985年，東方海外瀕臨破產，霍英東在1986年注資近九億四千萬元使其渡過難關 。
霍英東 生平
另外，香港政府在1960年代末期推出葵青貨櫃碼頭分別四個碼頭項目，霍英東個人獨力投得最大的一號碼頭，但港英政府卻无理要求霍擔保每年至少要有20萬個貨櫃在碼頭停泊，而當時全港的貨櫃箱總數都沒有20萬個，霍英東找「船王」董浩雲（前任香港行政長官董建華父親）商量後，認為沒有把握，最後只好將經營權拱手相讓予英資太古集團旗下的現代貨箱碼頭有限公司承辦。
1961年10月，霍英東與何鴻燊、葉德利及葉漢合組財團，以316.7萬元在澳門奪得賭牌、获得澳門賭場經營權，並在1962年元旦開設首間賭場新花園娛樂場，同年澳門旅遊娛樂有限公司正式註冊，他同時成為澳娛最大股東，多年來雄霸澳門博彩業。在1960年代，建立「東方蒙地卡羅」王國，並獲得豐厚財富。
霍英東 生平
澳娛的股權分佈，外界所知不多，霍英東亦曾承認公司股份的很複雜。他憶述澳娛成立時，股東包括何鴻燊、葉漢、新馬師曾和葉德利等，但他直指澳娛帳目無人說得清，過去亦有分紅不均的情形。其中澳娛每年淨賺10多億元，佔三分一股權的霍英東卻只分得1億。2001年，澳娛另一名股東何婉琪傳出欠債事件，及後更因何婉琪欲將旗下澳娛股權轉到兒子麥舜銘名下，引發與何鴻燊就澳娛派息政策展開罵戰及法律。
在股東內閧之際，霍英東2002年4月1日宣布把他在澳娛的27.7%股權（共22,654股）全數捐贈同年6月28日成立的澳門霍英東基金會，另再捐贈2,000萬元澳門幣至其中，估計基金管有資產達60至100億元。但是，當時只有何鴻燊表示有意收購他手上的股份，雙方仍未能就價錢問題作出結論。霍指出自己「四十年沒看過賭場盤數，二十年沒去過澳門」，創辦澳娛只想行善而非牟利。
霍英東 生平
在放棄股權時，霍英東對何鴻燊的批評亦引起外界猜測兩人不和。霍英東在基金會成立時曾發表演說，批評何鴻燊好勝：「1962年向他借40萬元，爭奪澳門賭權。」他又翻舊帳指1967年遭英美政府封殺時，尖沙咀星光行被斷水、斷電及斷電話線，結果何鴻燊把原本值30億元的大樓，以3,000萬元「賤售」。何鴻燊後來說：「幾十年朋友，他開玩笑，講講故事而已，我晚晚都唔輸得（不可以輸）。」
霍英東會議上演講，自稱是「第一批響應返回祖國發展旅遊事業興建賓館」。1983年2月6日，考慮過北京或上海後，霍英東的白天鵝賓館正式在廣州開業，成為改革「樣板」，開業初造成轟動，甚至受到时任最高领导人鄧小平的关注。
1980年8月25日政協第五屆全國委員會常務委員會中被選為全國政協委员，1988年當選為第七屆全國人大常委會委員。
霍英東 生平
有中國傳媒報道，鄧小平曾三度到訪白天鵝，1984年1月31日的行程包括參觀總統套房，及到酒店內的“絲綢之路餐厅”進餐；1985年的2月19日是農曆大除夕，鄧小平更在酒店內發表拜年講話；4日後（同年2月23日）鄧再到酒店，並自掏腰包買麵包，邊吃麵包邊說：等他回到上海時，就會宣佈再開放沿海14個城市。當時在場的霍英東說，一個小小的麵包，就能使鄧小平有這麼大的啟發，促進中國改革開放。
霍英東更提出自行設計、施工及管理，當年投資額達5000萬美元，由霍的維昌發展有限公司與廣東省旅遊局簽訂協議，以中外合作的方式，經營期為15年，到97年再將協議延長至2003年。目前霍英東集團涉足沙業、地產、科技園開發。
1993年3月27日，在政协第八届全国委员会第一次会议上，安子介和霍英东当选为全国政协副主席，成为首批躋身黨和國家領導人的香港人。
1996年及2000年兩次旗幟鮮明支持董建華任香港行政長官，但隨著董建華下台，霍英東亦淡出政壇，并因年紀問題，鮮有公開露面。
2006年，《福布斯》杂志将霍英东列为全球富豪排行榜第181名，香港富豪排行榜第7名，身价37亿美元。
霍英東 生平
1987年霍英东第一次踏足南沙，南沙属于其祖籍番禺县辖地，但当时南沙尚未开发，尽是荒芜滩涂和小山。但霍英东沿江踏勘所见，南沙距离广州约50公里，到香港、澳门约30多海里的地理位置，加上珠三角的密集人口与珠江深水水道，认为此地是发展现代化交运港口的绝佳地点，具备巨大潜在价值。自此以后，霍英东拉开了投资南沙的帷幕。
1988年3月，霍英东在香港召集会议考虑开发“两沙”（沙滘岛、南沙镇），并成立了“两沙开发领导小组”，由霍英东任组长。1991年5月，霍英东主张并投资建设的现代化交运港口：虎门汽车轮渡落成，该港口码头采用双层桥式汽车快速轮渡码头设计，籍此开通了南沙-虎门的双层汽车快速轮渡航线，航程只有15分钟。快速轮渡航线的开通，使得深圳到广州、东莞到番禺的车程缩短了40至120公里。此后，霍英东又投资近40亿元，建成南沙港客运码头、大楼等，开通了南沙-香港的航线。
霍英東 生平
1993年5月12日，在霍英东倡议推动下，中国国务院批复设立南沙經濟技術開發區。1996年10月，在霍英东的指挥下，一艘大型铝合金四引擎高速喷射客船建成下水，被命名为“南沙38号”，并开启了第二艘高性能船的制造计划。1998年5月，更高要求、高水准的“南沙68号”客船下水，时任中共中央政治局委员、广东省委书记的李长春亦曾参观该船试航。但“南沙68号”下水一年多后，当地政府表示为“防止恶性竞争”，一直未准予开航营业。並突然要求繳付逾百萬元的「堤圍費」，事件擾攘近一年，後來由他捐款1000萬元興建的洛溪大橋亦發生收費風波，當地政府聲稱無收過捐款，要向市民徵過路費償還銀行貸款，事件最後鬧大，番禺政府才肯讓步。
1997年6月9日，霍英東當時與多個財團捐款建造虎門大橋，使江門一帶往東的行程縮短近102公里，毋須繞道廣州，之後又興建客運碼頭，使香港至南沙的航程只需1小時15分鐘。
霍英東 生平
自1998年開始，霍英東與香港科技大學合作發展佔地250公頃的南沙資訊科技園，首期由霍英東出資3億元發展，吸引多家大型公司如豐田車廠進駐。2005年霍英東進一步向科大捐款8億元，當中5億元為配合南沙科技園發展，科大已在南沙覓地開設教研院，取錄約600名研究生，加強科研工作。
霍英東熱愛體育，尤其足球，早年組織有「榮小足球隊」及「卓然隊」，更親自落場在灣仔修頓球場與其他小型球隊比賽。及後更成立東昇足球隊加入香港甲組足球聯賽，亦曾長時間擔任香港左派球會愉園體育會會長一職。1970年出任香港足球總會會長，成為首位華人會長。霍英東亦喜愛羽毛球、網球與象棋，曾獲得兩屆全港網球雙打冠軍。也是香港象棋總會的榮譽會長。
1958年8月19日，中華人民共和國鑑於不少國際體育組織均視中華民國為代表中國的合法政府，與國際奧委會斷絕關係，同時北京方面也極力反對國際上將臺灣視爲獨立國家，繼而在其他國際單項體育組織失去會員席位。隨著中華人民共和國和其他西方國家的外交關係恢復正常化，霍英東在1970年代遊說中國大陸再踏國際體育的門檻，其後中華人民共和國取代中華民國並以中國的名義取得會籍，並協助中國重返國際體壇。
1978年，羽毛球方面，他聯同其他亞洲和非洲國家成立世界羽聯，以自己位於中環畢打街的公司作總部；世界羽聯和國際羽聯其後在印度尼西亞、香港、日本談判，霍英東亦有參與。在1979年中國重返國際奧委會、1984年由許海峰擊落中國的奧運「第一金」后，霍英東在1984年10月以一億港圓成立「霍英東體育基金會」，並以此名義捐贈金质纪念奖牌和奖金予中國奧運獲獎運動員、或興建不同的運動設施。其中最著名的是北京亞運村裡面的「英東游泳館」。1992年中國申辦2000年奧運会，但最後於1993年9月不敵澳大利亞的悉尼，當時有人甚至擔心霍英東會自尋短見。霍英东投资兴建的“英東游泳館”在2008年奥运会时是重要的比赛场馆，负责水球的全部比赛以及现代五项的游泳部分。
早於1983年，霍英東曾證實患有淋巴癌，2003年癌病復發。
身兼全國政協副主席的霍英東，病逝前多次傳出重病消息。2006年7月21日，有傳媒指霍英東癌症第二次復發，病情一度危殆，靠儀器維持生命；中央派出專機及醫療組來港，接他到北京301医院接受治療。霍英東家人對病情三緘其口，因此外界一直所知不多；其後病情曾轉好，霍震寰更於8月15日表示病情無大礙，並快將回港。
病逝前一週數度傳出彌留狀態；2006年10月28日19時30分於北京協和醫院病逝，10月31日，其子霍震霆护送遗体回香港。11月7日，霍英东以国家领导人的最高规格举殡，是香港第二位榮受“國葬”儀式的人；遺體安葬在位於柴灣歌連臣角道的香港佛教聯合會柴灣佛教墳場。
新華社至10月29日下午5時許發表訃告，评价霍英東是「傑出的社會活動家，著名的愛國人士，香港知名實業家，中國共產黨的親密朋友，中國人民政治協商會議第八、九、十屆全國委員會副主席，香港中華總商會永遠名譽會長」。
霍英東 個人生活
霍英東有一妻（呂燕妮）二妾（馮堅妮、林淑端），兩位妾侍皆為根據當時香港華人社會仍然沿用的《大清律例》合法納得。下有十子三女，其孫皆在英國接受教育。
霍英東元配夫人為呂燕妮（1926年1月25日—2020年9月1日），在他母親安排之下於1943年結婚，誕下三子霍震霆、霍震寰、霍震宇及三女霍麗萍、霍麗娜、霍麗勵，其中長子霍震霆為港協暨奧委會會長，次子霍震寰為香港中華總商會主席，幼子霍震宇主力打理南沙業務。霍震霆的太太為1977年香港小姐冠軍朱玲玲，兩人現已離婚。
霍英東的二太太馮堅妮（1938年—）是他的初戀情人，兩人於1954年認識，並於1958年結婚。婚後她經常陪伴霍老出席公開活動，二人育有霍文芳、霍文斌、霍文遜等三名兒子。霍、馮傳說是韓戰時的生意拍檔，1977年8月霍母病逝，霍英東在報上的訃聞印有馮及其兒子們的名字，正式承認馮堅妮的身分。霍文芳之前妻為新馬師曾遺孀洪金梅之十一妹洪國華。
霍英東 個人生活
霍英東與三太太林淑端（2011年12月9日逝世）於1968年結婚，育有霍顯旋、霍顯光、霍顯強、霍顯楊四子，但為人低調，較少曝光，喜愛粵曲，是紅線女的歌迷。
霍家的生活往往成為傳媒追訪的新聞。其中霍震霆1978年9月迎娶港姐朱玲玲成為當時轟動的新聞，但2000年以離異告終。霍英東次子霍震寰太太則是藝人陳琪琪，成為一時佳話。
2004年，霍啟剛與郭晶晶被傳媒拍下親密照；另一孫兒霍啟山亦在2004年被傳媒拍下在派對上與章子怡跳舞。另一名孫兒霍啟中2004年因藏有大麻及吸食大麻用具，判罰款1500元及留案底，霍英東當時表示孫兒需要教訓，認為懲罰恰當。
霍英東 紀念
全国各地设有多个以霍英东命名的建筑、街道，由以霍英東曾大力投资的广州市南沙区为甚。2023年12月霍英东诞辰100周年之际，霍英东纪念馆在南沙大角山开馆。
霍英東 慈善事業
1977年，霍英东成立的香港霍英東基金有限公司一直以捐獻與非牟利投資形式在香港策劃多個項目；1986年成立霍英東教育基金會獎勵國內對教育、科研、社會科學等領域有貢獻之學生及教師；2002年成立澳門霍英東基金會致力於推動澳門教育、醫療、體育、文化及公共事業。
霍英東的慈善捐款總額有150億，但自稱之為「大海裏的一滴水」。其捐贈範圍有醫院、學校、橋梁、道路等，在奧運「水立方」捐贈金額有2億；霍氏旗下一基金會向廣醫第一醫院呼研所的重症監護室捐贈1000萬港元改善設備，於SARS期間，霍英東另外再捐贈800萬港元給廣醫第一醫院呼研所；他名下的「霍英東教育基金會」下有設立一個「青年教師基金」，資助青年學者出國留學後回國任教，另有設立「青年教師獎」，來獎勵教學有成果的青年教師，1988年的首屆「青年教師獎」是在北京人民大會堂舉行，而且當時的國家主席楊尚昆有出席頒獎。最後一筆捐款，是在2013年捐贈500萬港元給廣東省中醫院的「鄧鐵濤中醫藥人才培養基金」。
闪存
快閃記憶體（英語：）是一种像一样的存储器，允许對資料進行多次的刪除、加入或改写。這種記憶體廣泛用於記憶卡、隨身碟之中，因其可迅速改寫的特性非常適合手機、筆記本電腦、遊戲主機、掌機之間的檔案轉移，也曾經是數位相機、數位隨身聽和PDA的主要資料轉移方式。
早期的快閃記憶體只要進行一次刪除就會連帶清除掉所有的資料，但目前已可以精確到對指定的資料進行單個刪除。與傳統的硬碟相比，快閃記憶體有更佳的動態抗震性，不會因為劇烈晃動而造成資料丟失；快閃記憶體在被做成記憶卡時非常堅固牢靠，可以浸在水中，也可抵抗高壓力和極端溫度；並且快閃記憶體屬於“非揮發性固態儲存”，非揮發性指的是在保存檔案時不需要消耗電力。基於以上這些優點，使得快閃記憶體非常適用於需要遊歷各種場所並需要隨時存檔的電子設備，因此在小型的可移動電子設備中大放異彩。快閃記憶體的出現迅速取代了造價高昂的普通EEPROM。
闪存
快閃記憶體在分類上屬於“EEPROM”的一種，但一般業界所講的EEPROM指的是那種“非快閃式”的普通EEPROM，並不是指它。快閃記憶體以“大區塊抹除”的方式改寫其體內的資料，因為這種大區塊的特性導致它的“写入速度”往往慢于“读取速度”，但也導致它的成本遠遠低於“以位元組為單位寫入”的普通EEPROM。由於普通EEPROM需要一個一個位元的刪除已有資料，這讓其傳輸速度極其緩慢，相較之下快閃記體直接使用“大區塊抹除”則會快得多，在會多次用到高清畫面、高品質音樂的情況下尤為明顯。
快閃記憶體又分為NOR與NAND兩型，闪存最常见的封装方式是TSOP48和BGA，在逻辑接口上的标准则由于厂商阵营而区分为两种：ONFI （页面存档备份，存于）和Toggle。手机上的闪存常常以eMMC、UFS和NVME（特用于苹果设备中的闪存）的方式存在。
闪存 历史
快閃記憶體（無論是NOR型或NAND型）是舛岡富士雄博士1980年申请了一个叫做simultaneously erasable EEPROM的专利。然而，東芝公司的论资排辈却让这项划时代的发明石沉大海，直到4年之后。“我终于被提拔了，可以不要批准就去工厂，让工人们帮忙做出样品了”，富士雄说。 據東芝表示快閃記憶體之所以命名為“Flash”是由舛岡博士的同事有泉正二建議，因為這種記憶體的抹除流程讓他想起了相機的閃光燈。舛岡博士在1984年的加州舊金山IEEE國際電子元件會議（International Electron Devices Meeting, IEDM）上發表了這項發明。Intel看到了這項發明的巨大潛力，並於1988年推出第一款商業性的NOR Flash晶片。
闪存 历史
NOR Flash需要很長的時間進行抹寫，但是它提供完整的定址與資料匯流排，並允許隨機存取記憶體上的任何區域，這使的它非常適合取代老式的ROM晶片。當時ROM晶片主要用來儲存幾乎不需更新的程式碼，例如電腦的BIOS或機上盒（Set-top Box）的韌體。NOR Flash可以承受一萬到一百萬次抹寫循環，它同時也是早期的可移除式快閃儲存媒體的基礎。CompactFlash本來便是以NOR Flash為基礎的，雖然它之後跳槽到成本較低的NAND Flash。
闪存 历史
舛岡富士雄没有停止追求，在1986年发明了NAND Flash，大大降低了制造成本。由于他的贡献，东芝奖励了他一笔几百美金的奖金和一个位置很高却悠闲的职位。做为一个工程师，他忍受不了这种待遇，不得不辞职进入大学继续科研。東芝在1989年的国际固态电路会议（ISSCC）上發表了NAND Flash。NAND Flash具有較快的抹寫時間，而且每個儲存單元的面積也較小，這讓NAND Flash相較於NOR Flash具有較高的儲存密度與較低的每位元成本。同時它的可抹除次數也高出NOR Flash十倍。然而NAND Flash的I/O介面並沒有隨機存取外部位址匯流排，它必須以區塊性的方式進行讀取，NAND Flash典型的區塊大小是數百至數千位元。
因為多數微處理器與微控制器要求位元組等級的隨機存取，所以NAND Flash不適合取代那些用以裝載程式的ROM。從這樣的角度看來，NAND Flash比較像光碟、硬碟這類的次級儲存裝置。NAND Flash非常適合用於記憶卡之類的大量儲存裝置。第一款建立在NAND Flash基礎上的可移除式儲存媒體是SmartMedia，此後許多儲存媒體也跟著採用NAND Flash，包括MultiMediaCard、Secure Digital、Memory Stick與xD卡。
在很长一段时间，东芝公司甚至不承认NOR flash是舛岡富士雄发明的，宣称是Intel发明的。直到IEEE在1997年颁给舛岡富士雄特殊贡献奖后才改口。舛岡富士雄觉得自己的贡献被东芝公司抹杀了，于2006年起诉了东芝公司，并索要10亿日元的补偿，最后和东芝公司达成和解，得到8700万日元（合758,000美元）。
闪存 運作原理
快閃記憶體將資料儲存在由浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管組成的記憶單元陣列內，在單層儲存單元（Single-level cell, SLC）裝置中，每個單元只儲存1位元的資訊。而多層儲存單元（Multi-level cell, MLC）裝置則利用多種電荷值的控制讓每個單元可以儲存1位元以上的資料，这样提升了容量，降低价格，但是减少了寿命，性能下降，存储稳定性下降。目前已经量产TLC（Trinary-Level Cell）还有QLC产品，目前TLC还是主要使用的技术。
闪存 運作原理
快閃記憶體的每個儲存單元與標準MOSFET類似，不同的是快閃記憶體的電晶體有兩個而并非一個閘極。在頂部的是控制（Control Gate, CG），如同其他MOS電晶體。但是它下方則是一個以氧化物層與週遭絕緣的（Floating Gate, FG）。這個FG放在CG與MOSFET通道之間。由於這個FG在電氣上是受絕緣層獨立的，所以進入的電子會被困在裡面。在一般的條件下電荷經過多年都不會逸散。當FG抓到電荷時，它部分屏蔽掉來自CG的電場，並改變這個單元的閾值電壓（VT）。在讀出期間。利用向CG的電壓，MOSFET通道會變的導電或保持絕緣。這視乎該單元的VT而定（而該單元的VT受到FG上的電荷控制）。這股電流流過MOSFET通道，並以二進位碼的方式讀出、再現儲存的資料。在每單元儲存1位元以上的資料的MLC裝置中，為了能夠更精確的測定FG中的電荷位準，則是以感應電流的量（而非單純的有或無）達成的。
邏輯上，單層NOR Flash單元在預設狀態代表二進位碼中的“1”值，因為在以特定的電壓值控制閘極時，電流會流經通道。經由以下流程，NOR Flash單元可以被設定為二進位碼中的“0”值：
闪存 運作原理
由於汲極與CG間有一個大的、相反的極性電壓，藉由量子穿隧效應可以將電子拉出FG，所以能夠地用這個特性抹除NOR Flash單元（將其重設為“1”狀態）。現代的NOR Flash晶片被分為若干抹除片段（常稱為區扇（Blocks or sectors）)，抹除操作只能以這些區塊為基礎進行；所有區塊內的記憶單元都會被一起抹除。不過一般而言，寫入NOR Flash單元的動作卻可以單一位元組的方式進行。
雖然抹寫都需要高電壓才能進行，不過實際上現今所有快閃記憶體晶片是藉由晶片內的產生足夠的電壓，所以只需要一個單一的電壓供應即可。
NOR Flash可以製作成立體結構，但尚未量產。
与非门闪存（閘快取記憶體）利用穿隧注入寫入，以及穿隧釋放（）抹除。在隨身碟、記憶卡與固態硬碟上都可看到。
将NAND闪存在垂直方向进行堆叠和互联，藉以提高單位面積的記憶體容量。3D NAND会提高产品容量还有稳定性。
闪存 存储单元电位阶数划分
通过对闪存内最小的物理存储单元的电位划分不同的阶数，可以在一个存储单元内存储一至多个二进制位数。常见的一至四层存储单元为SLC、MLC、TLC和QLC。
傳統上，每個儲存單元內儲存1個資訊位元，稱為單層儲存單元（Single-Level Cell, SLC），使用這種儲存單元的快閃記憶體也稱為單層儲存單元快閃記憶體（SLC flash memory），或簡稱SLC快閃記憶體。SLC快閃記憶體的優點是傳輸速度更快，功率消耗更低和儲存單元的壽命更長。然而，由於每個儲存單元包含的資訊較少，其每百萬位元組需花費較高的成本來生產，大多數用在企業上，很少有消費型SLC儲存裝置拿來販賣，富士通生產的FSX系列是首款使用SLC晶片消費型固態硬碟，在2014販售。
闪存 存储单元电位阶数划分
多層儲存單元（Multi-Level Cell, MLC）可以在每個儲存單元內儲存2個以上的資訊位元，其“多階”指的是電荷充電有多個能階（即多個電壓值），如此便能儲存多個位元的值於每個儲存單元中。藉由每個儲存單元可儲存更多的位元，MLC快閃記憶體可降低生產成本，但比起SLC快閃記憶體，其傳輸速度較慢，功率消耗較高和儲存單元的壽命較低，因此MLC快閃記憶體技術會用在標準型的記憶卡，也用在最常見的消費型固態硬碟和隨身碟上。另外，如飛索半導體的MirrorBit®技術，也是屬於這一類技術。
三层储存单元（Triple-Level Cell, TLC），这种架构的原理与MLC类似，但可以在每个储存单元内储存3个資訊位元。TLC的写入速度比SLC和MLC慢，寿命也比SLC和MLC短（使用LDPC的話，約有1500次），大约1000次。在使用3D技術取代微縮後，TLC(3D-TLC)成為市場主流。
四层储存单元（Quad-Level Cell, QLC），每個儲存單元有4個bits的格式，壽命为四者之中最短，大约只有500次。
在假设低电位表示二进制的0，高电位表示二进制的1时，SLC、MLC、TLC和QLC的电位及二进制值对比表。
在表中可以清楚的看到SLC、MLC、TLC和QLC技术分别将单个存储单元划分为2/4/8/16阶，拿来存储1/2/3/4个二进制位数。
闪存 不足之处
快閃記憶體的一種限制在於即使它可以單一位元組的方式讀或寫入，但是抹除一定是一整個區塊。一般來說都是設定某一區中的所有位元為“1”，剛開始區塊內的所有部分都可以寫入，然而當有任何一個位元被設為“0”時，就只能藉由清除整個區塊來回復“1”的狀態。換句話說快閃記憶體（特別是NOR Flash）能提供隨機讀取與寫入操作，卻無法提供任意的隨機覆寫。不過其上的區塊可以寫入與既存的“0”值一樣長的訊息（新值的0位元是舊值的0位元的超集）。例如：有一小區塊的值已抹除為1111，然後寫入1110的訊息。接下來這個區塊還可以依序寫入1010、0010，最後則是0000。可是實际上少有演算法可以從這種連續寫入相容性得到好處，一般來說還是整塊抹除再重寫。儘管快閃記憶體的資料結構不能完全以一般的方式做更新，但這允許它以“標記為不可用”的方式刪除訊息。這種技巧在每單元儲存大於1位元資料的MLC裝置中必須稍微做點修改。
闪存 不足之处
另一項快閃記憶體的限制是它有抹寫循環的次數限制（大多商業性SLC快閃記憶體保證“0”區有十萬次的抹寫能力，但因为制造精度问题其他區塊不保證，有可能还会出现完全无法使用的出厂坏块）。這個結果部分地被某些韌體或檔案系統為了在相異區塊間分散寫入操作而進行的計算寫入次數與動態重映射所抵銷；這種技巧稱為耗損平衡（wear leveling）。另一種處理方法稱為壞區管理（Bad Block Management, BBM）。這種方法是在寫入時做驗證並進行動態重測，如果有驗證失敗的區塊就加以剔除。對多數行動裝置而言，這些磨損管理技術可以延長其內部快閃記憶體的壽命（甚至超出這些裝置的使用年限）。此外，遺失部分資料在這些裝置上或許是可接受的。至於會進行大量資料讀寫循環的高可靠性資料儲存應用則不建議使用快閃記憶體。不過這種限制不適用於路由器與瘦客戶端（Thin clients）等唯讀式應用，這些裝置往往在使用年限內也只會寫入一次或少數幾次而已。
闪存 不足之处
所使用的快閃記憶體讀取方式隨著時間的推移會導致在同一區塊中相近的記憶單元內容改變（變成寫入動作）。這即是所謂的讀取干擾。會導致讀取干擾現象的讀取次數門檻介於區塊被抹除間，通常為100,000次。假如連續從一個記憶單元讀取，此記憶單元將不會受損，而受損卻是接下來被讀取的周圍記憶單元。為避免讀取干擾問題，快閃記憶體控制器通常會計算從上次抹除動作後的區塊讀取動作總次數。當計數值超過所設定的目標值門檻時，受影響的區塊會被複製到一個新的區塊，然後將原區塊抹除後釋放到區塊回收區中。原區塊在抹除動作後就會像新的一樣。若是快閃記憶體控制器沒有即時介入時，讀取干擾錯誤就會發生，如果錯誤太多而無法被ECC機制修復時就會伴隨著可能的資料遺失。
寫入干擾（編程干擾）是指當對頁（page）進行寫入時，由於阈值電壓接近的關係，相鄰的位（bit）也被升高，從而造成相鄰的位出錯。快閃記憶體電荷非常不穩定，相鄰存儲電荷的懸浮門間會相互干擾，造成相鄰懸浮門間的bit錯誤，MLC由於存在4組接近的電壓，與SLC相比更容易受到干擾。现在的主控固件已经支持使用异或的方式尽可能的将数据打乱到尽量每个bit之间是互相反转的方式来尽可能减少这种情况对数据存储稳定性的干扰
闪存 低階存取
快閃記憶體晶片的低階介面通常與透過支援外界的定址匯流排行隨機存取的DRAM、ROM、EEPROM等記憶體不同。NOR Flash本身為讀取操作（支援隨機存取）提供外部定址匯流排；至於解鎖、抹除與寫入則須以區塊-區塊（Block-by-block）的方式進行，典型的區塊大小為64、128或256位元組。NAND Flash所有的動作都必須以區塊性基礎（Block-wise fashion）執行，包含讀、寫、解鎖與抹除。
從NOR Flash讀取資料的方式與從RAM讀取資料相近，只要提供資料的位址，資料匯流排就可以正確的匯出資料。基於以上原因，多數微處理器可以將NOR Flash當作原地執行（Execute in place, XIP）記憶體使用，這意味著儲存在NOR Flash上的程式不需複製到RAM就可以直接執行。
闪存 低階存取
由於NOR Flash沒有原生壞區管理，所以一旦儲存區塊發生毀損，軟體或驅動程式必須接手這個問題，否則可能會導致裝置發生異常。在解鎖、抹除或寫入NOR Flash區塊時，特殊的指令會先寫入已繪測的記憶區的第一頁（Page）。接著快閃記憶晶片會提供可用的指令清單給實體驅動程式，而這些指令是由通用快閃記憶體介面（Common Flash memory Interface, CFI）所界定的。與用於隨機存取的ROM不同，NOR Flash也可以用在儲存裝置上；不過與NAND Flash相比，NOR Flash的寫入速度一般來說會慢很多。NOR Flash最常見用途之一就是BIOS ROM晶片。
東芝在1989年發表了NAND Flash架構，這種記憶體的存取方式類似硬碟、記憶卡之類的區塊性儲存裝置，每個區塊由数個頁所構成。一般來說這些頁的大小為512或2048或4096位元組。在各個頁之間彼此的連接區域會有幾個位元組（一般而言是資料大小的1/32），這些空間用於儲存錯誤修正碼的校驗和。以下是一些典型的區塊大小：
闪存 低階存取
讀取與寫入動作可以以“頁”為單位偏移量進行，抹除動作只能以“區塊”為單位偏移量進行。NAND Flash還有一項限制就是區塊內的資料只能序列性的寫入。
操作次數（Number of Operations, NOPs）則代表“頁”可以被寫入的次數。目前MLC的NOPs是1；而SLC則是4。
NAND Flash也需要由裝置驅動程式軟體或分離的控制器晶片來進行壞區管理，例如SD卡內部便包含實行壞區管理與耗損平衡的電路。當一個邏輯區被高階軟體存取時，邏輯區對應到實體區的工作則由驅動程式或控制器進行。
開放式NAND型快閃記憶體介面工作小組（Open NAND Flash Interface Working Group (ONFI))已為快閃記憶體晶片開發完成一份標準化低階存取介面規格書。這份規格允許並確認了來自不同供應商的快閃記憶體元件間的互通性。《開放式快閃記憶體介面規格書版本1.0》於2006年12月28日釋出。規定著：
支援ONFI小組的主要快閃記憶體製造商包含有：海力士、英特爾、美光科技與恆憶，也有與快閃記憶體晶片結合元件的主要製造商。
一群供應商，包含英特爾、戴爾與微軟成立非揮發性記憶體主控制器介面(Non-Volatile Memory Host Controller Interface (NVMHCI))工作小組。此小組的目的是提供標準的非揮發性記憶體軟硬體程式設計介面，包含有連接到PCI Express匯流排的"快閃快取"（flash cache）元件。
闪存 NOR型與NAND型快閃記憶體的差異
NOR型與NAND型快閃記憶體最主要的兩個差異點如下：
以上兩點是相關的NAND型快閃記憶體研發所做出的設計抉擇。NAND型快閃記憶體發展的一個目標是為了減少所需的晶片面積來實現給定的快閃記憶體容量，從而降低每位元的成本，並推升晶片最大容量，如此就可與磁性儲存設備相互競爭，如硬碟。
NOR和NAND型快閃記憶體由記憶單元間的內部連接結構而得名。NOR型快閃記憶體內部記憶單元以平行方式連接到位元線，允許個別讀取與程式化記憶單元。這種記憶單元的平行連接類似於CMOS NOR閘中的電晶體平行連接。NAND型快閃記憶體內部記憶單元以順序方式連接，類似於NAND閘。順序連接方式所占空間較平行連接方式為小，降低了NAND型快閃記憶體的成本。
闪存 NOR型與NAND型快閃記憶體的差異
NOR型快閃記憶體面世後，成為比現有的EPROM與EEPROM記憶體更經濟、更方便的複寫型唯讀記憶體。因此，隨機存取的讀取電路是需要的。然而，NOR型快閃記憶體當成唯讀記憶體使用時的讀取次數在預期上通常遠大於寫入次數，所以其內含的寫入電路是相當慢的，並且只提供區塊抹除功能。另一方面，使用快閃記憶體的應用，如取代硬碟，無需字元組層級的位址線，因為字元組層級的位址線只會增加無謂的複雜度與成本。
因為採用順序連接方式及去除字元組的接觸點，NAND型快閃記憶體記憶單元的大型閘格所占面積只有NOR型記憶單元的60%（假設採用相同的CMOS製程，如130nm、90nm或65nm）。NAND型記憶體的設計者理解到快閃記憶體的面積，在移除外部位址線及資料匯流排電路後，將可進一步縮小。取而代之的是，外部裝置可使用順序存取命令與資料暫存器與NAND型快閃記憶體溝通，由記憶體內部取得所需資料並將其輸出。選擇這種設計方式使得NAND型快閃記憶體無法隨機存取，但是NAND型快閃記憶體的主要目標是取代硬碟，而不是唯讀記憶體。
闪存 NOR型與NAND型快閃記憶體的差異
NOR型快閃記憶體SLC浮閘的寫入續航力通常大於或等於NAND型快閃記憶體，然而MLC NOR型與NAND型快閃記憶體有著相近的續航能力。
NAND型與NOR型快閃記憶體規格書所提供的寫入續航週期速率如下：
以上数据只是大概的标称数值，实际写入寿命与不同厂商的产品技术及定位有关。使用更细微化的制程，可以提高产品读写性能和容量，但同时在写入寿命方面可能会面临更大的挑战。使用如記憶損耗調節及写入放大的特定演算法及設計範例，可以用來調節儲存系統的續航率來符合特定的需求。损耗平衡是闪存产品使用寿命的必要保证，在U盘和固態硬碟等产品中，均有相关支持。
闪存 快閃記憶體檔案系統
因為快閃記憶體的獨特特性，最好使用一個額外的控制器來實行記憶耗損平衡與錯誤修正（目前绝大多数SSD的主控自带闪存寿命磨损均衡功能和管理ECC纠错区域）或是一個特別設計的快閃記憶體檔案系統，來將對媒體的寫入動作與NOR快閃記憶體區塊的長抹除時間的處理動作分開。快閃記憶體檔案系統的背景觀念如下：當快閃記憶體的儲存內容被更新時，主控將欲改變的資料寫入一個新的區塊，创建地址对应，然後找時間抹除舊有的标记删除的區塊（现在支持TRIM指令的SSD可以使用TRIM指令整理已经标记删除的块）。
特別的是，快閃記憶體檔案系統只使用於MTDs（memory technology devices），此設備具有內嵌式快閃記憶體，但沒有控制器。可攜式快閃記憶卡與隨身碟均有內建控制器來實行記憶耗損平衡與錯誤修正，所以使用特別的快閃記憶體檔案系統並不會增加任何的好處。
多数情况下，闪存与计算机间存在一个中间层（大多数为主控芯片），将闪存模拟成磁盘使用。对于上层软件和使用者来说，并不需要关心闪存的实际细节。
闪存 容量
一般採用多顆快閃記憶體晶片組成陣列的方式來達到增高容量的目的，這種方式使用於消費性電子產品中，如多媒體撥放器或全球定位系統中。因為快閃記憶體属于積體電路，所以快閃記憶體晶片的容量通常遵循摩爾定律。闪存可以通过工艺的进化和3D IC多层堆叠的方式获得更高的容量。但是闪存工艺到16nm以下时会出现严重漏电，导致内部短路或者写入时干扰其它块，所以目前的闪存工艺大部分是16nm到24nm之间以防止过高的漏电。而在市售的闪存封装产品中，可以通过包含多个闪存晶体（称为多管芯）来获得更高的容量。控制器可以通过不同的CE信号，选择不同的管芯进行操作。
闪存 容量
消費性快閃記憶體儲存裝置一般使用2的整数次幂（2、4、8等等）來標示可使用的容量大小，而最終以百萬位元組（MB）或十億位元組（GB）來表示，例如：512MB，8GB。然而如欲取代傳統硬碟（HDD）的固態硬碟（SSD）裝置則是使用10的整數倍數來表示容量大小，如1,000,000位元組與1,000,000,000位元組，這是因為傳統硬碟標示容量大小即是使用10進制詞頭。因此，固態硬碟上標示"64GB"，則表示實際上至少有64×1,0003位元組（64GB），通常更大一些。大部分使用者則會感到容量稍少於他們的檔案，這是因為主控的固件信息和坏块使用了一些空間。同时，一些操作系统容量标记的标记与生产商的标记方式不同也造成了此问题（混淆MB和MiB）。
快閃記憶體晶片內部的容量大小是以2進位倍數計算，但並非所有實際容量空間均能被驅動器介面所使用。快閃記憶體晶片實際的容量會大於出厂可用容量，或者说，可用容量会小于芯片容量，這是為了存放寫入的闪存寿命磨损均衡表（FTL）（記憶損耗平衡）、出厂预留空间、分区表、錯誤修正碼、及裝置內部韌體程式運算所需要的其他中繼資料。
闪存 容量
2005年，東芝與新帝公司使用多層儲存單元（multi-level cell，MLC）技術開發出可儲存1GB資料量的NAND型快閃記憶體晶片，MLC擁有在最小記憶單元中儲存兩個位元資料的能力。2005年9月，三星電子宣布開發出世界上第一顆2GB快閃記憶體晶片。
2006年3月，三星電子宣布開發出容量為4GB的固態硬碟機，比膝上型電腦所使用的同樣容量硬碟還要來的小。2006年9月，三星電子宣布使用40奈米製程量產8GB快閃記憶體晶片。
2008年1月，新帝公司宣布16GB的MicroSDHC與32GB的SDHC Plus記憶卡開始販售。
2012年後的快閃記憶體儲存裝置有了較大的容量，如64、128及256GB。一些更大容量的固態硬碟，根據容量大小，能被使用來當作整個電腦的備份硬碟。
仍有小容量的快閃記憶體晶片生產以供BIOS-ROM與嵌入式應用使用，容量大小約為1MB或以下。