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密尔沃基 历史
儘管南北戰爭後德國人在密爾瓦基的勢力仍然很龐大，但其他團體也進入了這座城市。 其中最重要的是波蘭移民。波蘭人有許多離開家園的原因，主要是貧窮和政治壓迫。由於密爾瓦基為波蘭移民提供了大量低薪入門級工作，因此它成為美國最大的波蘭人定居點之一。
到1850年，密爾瓦基縣有75個波蘭人，美國人口普查顯示，他們有各式各樣的職業：雜貨店、鐵匠、酒館老闆、木桶匠，屠夫、掃帚工、製鞋匠、拖曳工人、工人和農民。密爾瓦沃基形成三個獨特的波蘭社區，其中大部分定居在格林菲爾德大街以南。密爾瓦基縣的波蘭人口在1890年達到30,000，到1915年增至100,000。波蘭人在歷史上具有很強的民族文化和社會認同感，並通過天主教得以維持。密爾瓦基南側天際線的景色充滿了這些波蘭移民建造的許多教堂的尖頂，這些教堂仍然是社區的重要中心。
對於許多居民來說，密爾瓦基的南側是波蘭社區的代名詞。 過去數十年這個群體一直是非常著名的，直到1950到1960年代，才比較多人家開始搬到到南部不同的郊區。
密尔沃基 历史
在密爾瓦基，聖斯坦尼斯瓦夫天主教堂（St. Stanislaus）和周邊社區是波蘭人生活的中心。隨著圍繞的波蘭社區的不斷擴長，米切爾街（Mitchell Street）也被稱為“波蘭大大道”（Polish Grand Avenue）。 隨著米切爾街變得越來越稠密，波蘭人開始向南遷移到林肯村（Lincoln Village）附近，那裡是聖約薩帕特大教堂（St. Josaphat）和科修斯科公園（Kosciuszko Park）的所在地。其他波蘭人社區也開始於密爾瓦基的東側。而瓊斯島（Jones Island）是主要的商業捕魚中心，主要由波羅的海周圍的波蘭人定居。
密爾瓦基市擁有在美國排名第五的波蘭人口（45,467），僅次於紐約（211,203）、芝加哥（165,784）、洛杉磯（60,316）和費城（52,648）。密爾瓦基市每年舉辦波蘭節日慶祝波蘭文化和美食。
除了德國人和波蘭人以外，密爾瓦基還從立陶宛，義大利，愛爾蘭，法國，俄羅斯，波西米亞和瑞典湧入了許多其他歐洲移民，當中有猶太人、路德教會和天主教徒。市中心的意大利裔美國人總數為16,992，但在整個密爾瓦基縣中有38,286人。該地區舉行了該地區最大的意大利裔美國人節日。到1910年，密爾沃基與紐約市的區別在於，在外國出生的外國居民比例最高。1910年，白人佔該市373,857為總人口的99.7％。密爾瓦基擁有強大的希臘東正教社群，其中許多人參加了密爾沃基西北側的希臘東正教教堂，其是由威斯康辛州出生的建築師弗蘭克·勞埃德·賴特（Frank Lloyd Wright）所設計的。密爾瓦基擁有大量的克羅地亞人口，擁有克羅地亞教堂和歷史悠久且成功的足球俱樂部克羅地亞老鷹隊。
在波斯尼亞和赫塞哥維納那戰爭後，20世紀後期也有大量的塞爾維亞人移入密爾瓦基，他們開塞式餐館、塞式 K-8 學校（幼稚園加小學）、塞式教堂以及美國塞式大廳。 密爾瓦基的美國塞式大廳以其周五的炸魚薯條（Friday fish fries）很受歡迎。 許多美國總統過去都參觀過密爾沃基的塞式大廳。
密尔沃基 地理
密爾沃基位於密西根湖沿岸，在三條河流的交匯處：梅諾莫尼河、金尼克尼河和密爾沃基河。
據美國人口普查局統計，該市總面積為96.80平方英里（250.71平方公里），其中陸地面積96.12平方英里（248.95平方公里），水域面積0.68平方英里（1.76平方公里）。
密尔沃基 地理
密尔沃基属溫帶大陸性濕潤氣候，四季分明。冬季寒冷而漫长，潮湿，日照少，日最高气温低于或等于0 °C（32 °F）的平均日数为50天，日最低气温低于或等于−15 °C（5 °F）的平均日数为13天，−20 °C（−4 °F）以下的有3.0天；夏季相对炎热潮湿，日最高气温达30 °C（86 °F）的日数年均有23天，35 °C（95 °F）以上的有1.8天。最冷月（1月）均温−4.4 °C（24.0 °F），极端最低气温−32 °C（−26 °F）（1996年2月3日与1982年1月17日）。最热月（7月）均温22.9 °C（73.3 °F），极端最高气温41 °C（105 °F）（1934年7月24日）。无霜期平均为182天（4月22日至10月22日）；可测量降雪平均期为11月14日至4月11日。年均降水量约878（34.57英寸），年极端最少降水量为475（18.69英寸）（1901年），最多为1,279（50.36英寸）（1876年）。年均降雪量为124（48.7英寸）；1884–85年的降雪量最少，积累降雪量只有29（11.3英寸），1885–86年的降雪量最多，积累降雪量为279（109.8英寸）。
密尔沃基 人口統計
在2002年，密爾瓦基都會區在《Jet Magazine》中被評為美國種族隔離最嚴重的地方。
這資訊來自1950年代中期發展並從1964年開始使用的隔離指數。根據人口統計學家 William H. Frey 的研究，使用相異指數法和2010年美國人口普查數據，在美國100大都市區中，密爾瓦基是黑白種族隔離最高的地方。這座城市仍試圖嘗試減輕種族之間的緊張局勢和種族隔離的速度。隨著白人搬離(white flight)而造成的人口變化，密爾瓦基的種族隔離目前主要集中在郊區，而不是市區。密爾瓦基在2015年被評為“對於非裔美國人最糟糕的城市”，根據就業和收入水平的種族差異。另外該市也擁有很高的黑人被監禁指數，和非常嚴重的教育成就差距。
2013年，《苗族研究雜誌》的編輯 Mark Pfeifer 表示，密爾瓦基的苗族最近搬到了密爾沃基的西北側。在歷史上，他們居住在密爾瓦基的北部和南部地區。苗族美國學院/國際學院是密爾沃基以苗族社區為中心的K-12學校系統，於2004年開始營業。
公冶姓
公冶姓，為漢字複姓。公冶姓出自姬姓，東周魯國有季孫氏，其中有一個人叫季冶，字公冶，古代人有以其祖先之字為姓之習慣，於是，季冶的子孫便以公冶為姓，成為公冶姓。
外籍配偶 (臺灣)
外籍配偶，在臺灣是指與中華民國國籍人士締結婚姻的非本國籍人士，內政部移民署指出，外籍配偶為外僑居留者持有效外僑居留證及永久居留證者。在中華民國內政部公開統計表中內政部統計月報，外籍是不包含港澳僑生的。而外籍新娘即台灣民間對女性外籍配偶之稱呼，該移民族群源自1970年代末期。
因「外籍新娘」字眼容易將該族群人士標籤化，台灣部分團體希望以新移民女性來替代官方之「外籍配偶」名稱或民間之外籍新娘俗稱。也就是將可泛指世界上所有女性移民者的新移民女性的名稱新移民女性作為統稱。
2017年，臺灣新外籍配偶已超過53萬人，下一代則有約40萬人， 稱為「新二代」。
2019年內政部統計通報 （页面存档备份，存于）國人結婚對數共計13萬4,524對，其中雙方均為我國籍者占84.2％，與非本國籍結婚者占15.8％。
外籍配偶 (臺灣) 定義
1990年代以後，台灣男人娶外籍女性人口暴增，外籍女性配偶通稱「外籍新娘」。台灣人以「外籍配偶」統稱，後來改以「新移民」統稱所有與台灣人有婚姻關係之男性與女性外籍人士，為防歧視之用字。
外籍配偶泛指與本國籍男士締結婚姻的外籍人士女性，通指嫁至台灣的東南亞及中國大陆的女性；實際上，嫁台灣男性的外籍女性，國籍非僅有來自東南亞或大陸的女性，但因其佔大多數，越南與大陸配偶女性便為一般台灣民眾印象中的外配代表。
部分台灣人士指外籍配偶為帶有歧視之意，他們認為同樣住在台灣的人，不應因為其原國籍而被冠上如此刻版化的稱呼，因此於2003年，婦女新知基金會曾舉辦「請叫我──，讓新移民女性說自己徵文活動」，以表達這些女性希望社會能稱呼她們為「新移民女性」的訴求。
外籍配偶 (臺灣) 現況
2006年，臺灣結婚登記共計142669對，其中在台外籍配偶（不含陸港澳人士）為9524人，較2005年略減4284人，而陸港澳的外籍配偶人數為14406人，較2005年減少213人。據中華民國內政部2007年1月《內政統計通報》得知，該減少原因，主要是為了「杜絕利用假結婚之名來臺工作或從事不法等」而於2003年9月全面施行「中國大陸外籍配偶面談制度與外籍配偶境外訪談措施」所致。
若以比例來看，2006年台灣總結婚對數中，配偶為外籍配偶占17％左右。此比例與2003年外籍配偶入境最高峰之三成一情況比較，2006年外籍配偶結婚登記人數的降幅高達15%。除此，與之前相同的，今台灣女性外籍配偶者佔總數七成以上。
截至2006年底止，台灣外籍配偶人數約達38.4萬人，已開始接近台灣原住民族整體的人數（約48萬人），約佔台灣總人口百分一點六，更佔15歲以上人口的百分之二以上。其中外籍配偶（含歸化取得中華民國國籍者）占34.9％，中華人民共和國籍配偶占65.1％。
外籍配偶 (臺灣) 現況
如果按照縣市來看，95年結婚登記之外籍配偶人數23,930人中，以臺北縣4,454人占18.61％最多，臺北市2,845人占11.89％次多，桃園縣2,499人占10.44％居第三；如就所占該縣結婚比率觀察，則以金門縣37.42％最高，連江縣34.67％次高，苗栗縣20.19％居第三。
以目前外籍配偶在各縣市來看，外籍配偶以新北市14,213人占總外籍配偶比率為18.73％最多，桃園縣7,226人占11.09％次多，臺北市5,736人居第三 。以外籍配偶的來源地來看，以中國大陆占66.91％最多，其餘依序為越南占18.97％，印尼占6.07％、泰國占1.79％、菲律賓占1.55％。
而如果以台灣內部各族群男性的外籍配偶來源，可以發現台灣福佬人比較傾向娶越南籍女性，台灣外省人比較傾向娶中国大陆女性，而台灣客家人比較傾向娶印尼籍華裔女性（因客家人是印尼華人主流）。印尼移民至台灣的新移民女性大多來自華裔客家人早期採礦和務農的坤甸、山口洋、邦加、勿里洞等地。
外籍配偶 (臺灣) 現況
另外在台灣，除了中國大陸和東南亞外，其他國家的外籍配偶就以日本和韓國為主，由於日韓兩地經濟比起中國大陸和東南亞要來的富庶，生活水平和飲食方面與台灣差距不大，對比後者常遭受莫名歧視或是騷擾相比，日韓配偶這方面的問題要來的輕微許多。
不過這些外籍配偶中，也衍生出不少實際上是郵購新娘（透過婚姻仲介）、假結婚（非真正以夫妻的身份生活）等問題。
相反的，成為他國人士配偶，並離開台灣與外籍配偶居住者也不在少數。以日本、韓國、美國等先進國家為主。
中行姓
中行（）姓，為漢字複姓。中行姓最早可以追溯到春秋時期晉國國卿——中行氏，距今已有二千多年歷史，今天此姓已不多見。
石硤尾體育會
石硤尾體育會（簡稱石硤尾；英文：Shek Kip Mei Sports Association）於1970年代加入香港足球聯賽，多年來均在乙丙組浮沉。2007年他們奪得乙組聯賽亞軍，獲得升上甲組資格，先後將的會籍借予華家堡及屯門普高，隨著屯門普高被取消參賽資格，石硤尾亦喪失會籍。
石硤尾體育會 球隊歷史
石硤尾在2005-06年度球季，獲得香港丙組(甲)足球聯賽亞軍，並且在接著的丙組聯賽總決賽中奪冠，取得升上乙組聯賽的資格。
在2006-07年度球季升上乙組聯賽後，前流浪及愉園班主林大輝入主石硤尾，並從港會羅致了多名主力球員，亦從香雪晨曦簽下前香港隊球員賴啟卓，獲得乙組聯賽亞軍，成功取得升上甲組聯賽的資格。惟林大輝卻退出石硤尾，改為入主沙田，令石硤尾升班的問題曾一度成疑。
在確定升上甲組後的初期，公民主席貝鈞奇暫為負責組軍工作，並吸引了物流業公司華家堡的冠名贊助。華家堡在甲組聯賽只得尾二，按例需要降班，球會主席林鶴齡只在甲組角逐一年便宣佈解散球隊，並將會籍交回石硤尾。
石硤尾體育會 球隊歷史
石硤尾將會籍借予前香港隊門將任煒雄成立的屯門普高足球會，以丙組甲球隊屯門足球會球員為班底，加上數名國援組成，實力較弱季初連場大敗。2009年3月31日聯賽對愉園，在完場前7分鐘內連失四球而以1-5落敗，爆出懷疑打假波事件，香港廉政公署介入調查。由於事件令香港足球聲譽蒙污，加上應屆丙組聯賽總冠軍屯門體育會主席胡丁有，於2009年7月去信香港足球總會，澄清該會的足球隊才是屯門區有代表性的球隊，質疑屯門普高的代表性，故此有香港足球總會董事局成員反對石硤尾在2009-10年度球季繼續以「屯門普高」名義參加甲組賽事。
隨著屯門普高因逾期未有購買勞工保險，遭香港足球總會取消參賽資格，石硤尾亦受連累喪失會籍退出。
闾丘姓
閭（）丘姓為漢字複姓，在《百家姓》中排名第438位。閭丘姓源自於古時邾國一個叫閭丘的地方，當地居民以其地名為氏，遂稱閭丘氏。明、清以後，許多人改姓為呂或邱者，但依舊有以閭丘氏為姓者。
闾丘姓 延伸阅读
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《百家姓》
《欽定古今圖書集成·明倫彙編·氏族典·閭丘姓部》，出自陈梦雷《古今圖書集成》
抚顺战犯管理所
撫順戰犯管理所，位於中國遼寧省撫順市新撫區寧遠街，佔地面積4萬多平方米。原址是日本侵華期間，於1936年修建的一所監獄，1950年6月中華人民共和國司法部根據毛澤東和周恩來指示，將其改為撫順戰犯管理所，關押中國抗日戰爭期間侵華日本戰犯共計982人、滿洲國戰犯71人和354名第二次國共內戰中被俘國軍將領的監獄。
1956年6月至1964年3月間，在撫順戰犯管理所關押的日本戰犯被分期分批全部釋放回國。1959年12月至1975年3月間，在此關押的滿洲國戰犯和第二次國共內戰中高級戰俘也被分期分批全部特赦。
1986年7月10日，經國務院批准，“同意撫順戰犯管理所修繕完工後，作為戰犯管理所舊址，對外開放」。
抚顺战犯管理所 被关押者
自1945年后，先后有982名日本战犯、71名满洲国战犯，以及354名中华民国国军高级战俘被关押在此。将日本战犯和抗日将领关押在一起，是这个战犯管理所一大特色，如：金子安次、土屋芳雄等。满洲国战犯中以溥仪最为著名，著名电影《末代皇帝》曾来此拍摄。
在這982 名戰犯中，日本軍隊系統的有司令官2名，師團長5名，旅團長14名，聯隊長8名，還有參謀長、大隊長、中隊長、分隊長以下武士600余名；有行政系統的總務長官、次長、參議、憲兵、特務等。
其中有到處建立無人區的日軍117師團中將師團長鈴木啟久，在冀东和河南浚县亲自下令集体屠杀平民。製造多次血腥慘案的日軍59師團中將師團長藤田茂，在山西安邑县屠杀180人。用毒气毒死400多人的船木健次郎和730部队支队长木神原秀夫。日本陆军中将，南京大屠杀的主犯之一佐佐木到一，1937年被编入华中派遣军第16师团步兵第三十旅团任旅团长，後任日軍第149師團中將師團長。参与了侵占上海的作战和參與指揮南京大屠殺。在南京大屠杀中進行百人斬的野田毅和向井敏明便是佐佐木到一手下。他指挥所属部队一次就屠杀中国军民3,000多人。师团长佐信之介、师团长齐藤美夫。
抚顺战犯管理所 被关押者
满洲国国务院总务长官武部六藏，滿洲國总务厅次长古海忠之，旧日本帝国的陆军中将，满洲国成立时的关东军参谋长，后任陆军次官、近卫师团师团长、满洲国参议府副议长桥本虎之助，參與殺害趙一曼的滿洲國警務指揮官大野泰治，謀殺趙尚志將軍的滿洲國員警署長田井久二郎。
戰爭紀念建築
戰爭紀念建築是用來紀念在戰爭中的死者或傷者的建築物、古蹟、雕像或其他的建築物。
戰爭紀念建築 發展
大部份人類歷史中的戰爭紀念建築都是為了紀念偉大的勝利而豎立的，紀念死者是次要目的。在拿破崙時期，屍體都是被大量地埋在沒有標記的墳墓中。巴黎凱旋門及納爾遜紀念碑上都沒有死者的名字。
現代的戰爭紀念建築不再是為了讚揚戰爭，而是為了向死者授予榮譽。
這種改變大半在第一次世界大戰時期，大量生命遭蹂躪時發生。對此很多牽涉在戰爭中的國內城市紛紛豎立起紀念建築，在小村莊和小市鎮的紀念建築通常會列出每個死去的當地士兵名字。大量紀念碑亦為了紀念那些被葬於沒有識別的戰爭墓地中的死者而建造，如位於伊普爾的門寧門。
很多第一次世界大戰的紀念建築後來都加上了當地在第二次世界大戰死者的名字。由那時起，西方在其他衝突如第二次世界大戰及越南戰爭的紀念建築上記錄了個人貢獻。在蘇聯、中國、日本及其他國家，紀念建築傾向地方自治主義，會列出死者名字的屬於非常罕有。
戰爭紀念建築 形式
戰爭紀念建築可以是一座建築物，當中通常有博物館或簡單的匾。很多戰爭紀念建築都以紀念碑或雕像形式出現，並用作紀念日會場。因此為了讓公眾能易於到達，它們通常座落於市中心附近或於公園或廣場之中。
許多戰爭紀念建築都會在匾上刻上戰役中死者的名字，因此有時列表會很長。有些戰爭紀念建築是為了某場戰役而設的，另一些則較一般性而且刻有戰爭條約的碑銘。
許多戰爭紀念建築都刻有與該戰役或戰爭有關的單位的墓誌銘。例如屬大英國協的墓地都以由Laurence Binyon所題的“The Ode”作墓誌銘：
They shall grow not old, as we that are left grow old.
Age shall not weary them, nor the years condemn.
At the going down of the sun and in the morning
We will remember them.
戰爭紀念建築 形式
為紀念在科希馬戰役中死去的盟友，第二次世界大戰的戰爭紀念建築刻有科希馬碑文：
When You Go Home, Tell Them Of Us And Say,
For Their Tomorrow, We Gave Our Today
許多由英聯邦戰爭公墓委員會管理的墓地都有著相同的戰爭紀念建築，由Reginald Blomfield設計的救贖十字架。它的大小視乎墓地大小而定，一般約4.5米至9米高。若葬禮超過一千次，這個大英國協的墓地將會放置一塊由Edwin Lutyens設計，刻有“THEIR NAME LIVETH FOR EVERMORE”（出自《便西拉智訓》）的紀念石碑「Stone of Remembrance」。所有紀念石碑都長3.5米，高1.5米並且有三級梯階。阿靈頓國家公墓有一個加拿大的救贖十字架，上面刻有所有於朝鮮戰爭及兩次世界大戰中，屬加拿大勢力並奮戰而死的美國公民的名字。
戰爭紀念建築 爭議
某些戰爭紀念建築會受到政治爭議。其中一個顯著的例子是位於日本的靖國神社，當中供奉了一些第二次世界大戰的甲級戰犯。
骁骑校尉
骁骑校尉是东汉末年出现的武官职位，正史上记载董卓曾授予曹操一人，但曹操受职后很快出逃，具体职权不明。
骁骑校尉的职名与汉制的“骁骑将军”及“越骑校尉”、“胡骑校尉”、“屯骑校尉”等相仿。骁骑将军曾授予西汉著名的“飞将军”李广。而其余的三个校尉则分别是东汉、西汉不同时期的常设军职。其中屯骑校尉东汉初年曾经一度改为骁骑校尉，但光武帝建武十五年（39年）即恢复原名。漢東京五校,典宿衛士。屯騎校尉於漢武帝初設時掌騎兵。
陳崇榮
陳崇榮（1979年—），台灣前童星，出生於台北，自1986年拍攝電影《好小子2》以後，顏正國、左孝虎與綽號小胖的陳崇榮所組成的「好小子」頓時成為台灣最知名的童星組合之一。之後的數年內陳崇榮仍與另兩位好小子搭檔接拍不少部賣座電影，但長大後完全淡出演藝圈，轉而投身電腦業從事電腦工程師，並且自己開了一家店。2013年，與顏正國共同演出微電影《人生》。
羹
羹，為一種黏稠濃湯。主要由肉、菜及勾芡調和，亦能加麵成為麵羹。另亦有甜如豆沙、糖等做成的甜食。
羹 歷史
羹的定義廣泛，做法簡單，因此其出現年代可以追溯至很久以前。歷史上也有不少關於羹的敘事，例如：
羹 肉湯的羹
臺灣的麵店或是夜市小吃店常見到羹，但店家常寫作俗字「焿」、「𥺧」。「羹」字則常使用在羊羹。極少數情況被誤寫作「粳」。
臺灣常見的羹類食物有肉羹、羊肉羹、浮水虱目魚羹、蝦仁羹、生炒花枝、魷魚羹及𩵚魠魚羹等，除了單純以羹湯為食外，另外亦常佐以麵條、米粉或粄條等，如加麵條則稱作「某某羹麵」，加米粉或粄條則依此類推。此外，臺灣臺中有一種利用外表像烏龍麵的黃麵做為材料的小吃，叫做「大麵羹」。
羹 甜食的羹
甜食的羹中，最常見的應該就是羊羹了，雖然現在羊羹看來和羹湯大異其趣。但有一種說法認為最初羊羹的確是一種加入羊肉煮成的羹湯，再冷卻成凍佐餐。但另一種說法認為羊羹原是中國的一種仿照羊的肝臟形狀制成的食品。傳至日本後，由於「肝」與「羹」兩字被混淆，久而久之就被稱之為羊羹。
甜食的羹也常成為風味小吃，例如臺灣的蘇澳羊羹。
羹 健康問題
羹因大量使用勾芡，加上調和料等提味。食材方面幾乎都是肉類，口味較重且熱量高，應注意常食用有增加代謝症候群的危險。
羹 延伸阅读
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《欽定古今圖書集成·經濟彙編·食貨典·羹部》，出自陈梦雷《古今圖書集成》
炕肉飯
炕肉飯（臺灣話: khòng bah pn̄g；客家語：khong ngiuk fan）也寫成爌肉飯或焢肉飯，在台灣許多餐廳、廣東潮汕亦稱為滷肉飯（臺灣話：，潮汕话：lou2 nêg8 bung7），是一種以白飯佐以燉煮豬肉的米食。配菜則以醃菜類（黃瓜、白蘿蔔等）及筍絲為主，米飯上面擺上炕肉。所謂的炕肉是指將大塊豬五花肉（彰化採用豬後腿肉）以醬油、糖及香料等材料，用小火煮至熟軟滷製而成的肉；其他部位的豬肉塊則有其他名稱（腿庫飯、腿仁飯等）（北部知名的“知高飯”，則是以該飯使用豬的上大腿肉命名，台語“豬腳圈”“豬跤箍（ti-kha-khoo）”的簡稱“豬箍（ti-khoo）”衍生出諧音“知高”）。
由於炕肉飯適合作為正餐食用，因此在臺灣，除了小吃店可常見到炕肉飯之外，在自助餐店及便當店內，炕肉飯亦是常見的主力套餐。舉例而言，目前臺灣外賣便當的種類中，炕肉便當往往和豬脚便當、排骨便當、鷄腿便當並列為店家最常供人選擇的種類。
炕肉飯 彰化的爌肉飯文化
彰化縣彰化市的爌肉飯是從早、中、晚餐、宵夜都能吃到的當地重點小吃之一。彰化縣政府曾舉辦「2011彰化焢肉飯節」。2012年12月14日中午，彰化美食節活動創造一碗重達647公斤的炕肉飯，打破金氏世界記錄；鄰近的秀水鄉與和美鎮，甚至是彰化市刺桐腳皆將沒有一塊肥肉只有碎肉稱作肉臊飯。
や
平假名や和片假名ヤ是日语的假名之一，由一个音节组成。在日语五十音图中排第8行第1个（や行あ段）的位置。
ゆ
平假名ゆ和片假名ユ是日语的假名之一，由一个音节组成。在日语五十音图中排第8行第3个（や行う段）的位置。
よ
平假名よ和片假名ヨ是日语的假名之一，由一个音节组成。在日语五十音图中排第8行第5个（や行お段）的位置。
わ
平假名わ和片假名ワ是日语的假名之一，由一个音节组成。在日语五十音图中排第10行第1个（わ行あ段）的位置。
を
平假名を和片假名ヲ是日语的假名之一，由一个音节组成。在日语五十音图中排第10行第5个（わ行お段）的位置。
構象改變
在分子生物學裡，一個蛋白質可能為了執行新的功能而改變去形狀；每一種可能的形狀被稱為构象，而在其之間的轉變即稱為构象改變（英語：）。
它通常會改變蛋白質的三級結構，而此結構正好是決定蛋白質功能的重要結構。
构象改變可能是由許多不同的因素所造成的，如溫度、酸鹼值或配體對一受器的鍵結。
雅基马太阳穹顶球馆
雅基马太阳穹顶球馆（英語：）位于华盛顿州的雅基马市，是一个应有6,195个固定座位的多功能综合性室内球馆。球馆建于1990年，作为华盛顿州中部的一些商品交易会的承办地用途，在交易会期间也有提供展览会服务，球馆也是美国大陆篮球协会球队雅克玛太阳王的主场。
太阳穹顶球馆最初名为皇后穹顶球馆（），他有一个姊妹球馆就是著名的西雅图圆顶体育场（）。
ひ
平假名ひ和片假名ヒ是日语的假名之一，由一个音节组成。在日语五十音图中排第6行第2个（は行い段）的位置。ひ（平假名）和ヒ（片假名）是清音，其對應的濁音為び（平假名）和ビ（片假名），半濁音為ぴ（平假名）和ピ（片假名）。
ふ
平假名ふ和片假名フ是日语的假名之一，由一个音节组成。在日语五十音图中排第6行第3个（は行う段）的位置。ふ（平假名）和フ（片假名）是清音，其對應的濁音為ぶ（平假名）和ブ（片假名），半濁音為ぷ（平假名）和プ（片假名）。
ふ／フ字面上所代表的音位是/hu͍/，然而由於發音部位的緣故，其實際發音通常為[ɸɯ] ⓘ。
美国开国元勋
美国开国元勋（英語：）是指签署《美國獨立宣言》和《美国宪法》的政治领导人以及参与美国革命的领袖，又譯作美国國父或美国建國先賢。他們是美國的奠基者。广义上是指发起美国革命反抗英国皇室权威及抵制作為北美十三殖民地的人。狭义上指在1776年签署独立宣言的人或者是参与起草宪法的1787年制宪会议諸代表。也可延伸至签署联邦条例的人。
一些历史学家把定义推广至更大的范围，不仅仅包含签署者，同时包括参与美国独立和建国的政治人物、法官、軍人、外交官、和普通市民。史学家 Richard B. Morris 在1973年指明开国元勋的七个关键人物：约翰·亚当斯、 本杰明·富兰克林、亚历山大·汉密尔顿、约翰·杰伊、托马斯·杰斐逊、詹姆斯·麦迪逊和乔治·华盛顿。其中，亚当斯、杰斐逊和富兰克林参与起草独立宣言；汉密尔顿、麦迪逊和杰伊是联邦党人文集的作者。
彩星集團
彩星集團有限公司（港交所：0635）是一家在香港交易所上市的玩具工業公司。主要業務是設計、發展及市場推廣玩具及家庭娛樂產品。於1966年創立。
公司位於在百慕達註冊，創辦人、主席兼行政總裁為陳俊豪於2017年榮休，現主席兼行政總裁為陳光輝。其公司旗下美國彩星玩具主要生產比較為人熟悉的忍者龜（中國大陸又譯忍者神龜）、金剛等品牌玩具產品，其中忍者龜更是八十年代早期在香港和美國大賣廣告發售的。
但在股東特別大會通過把旗下從事玩具業務的彩星玩具上市，目前只有地產業務，包括彩星集團大廈等。
へ
平假名和片假名是日语的假名之一，由一个音节组成。在日语五十音图中排第6行第4个（）的位置。（平假名）和（片假名）是清音，其對應的濁音為（平假名）和（片假名），半濁音為（平假名）和（片假名）。當助詞用時發音為「e」。
ほ
平假名ほ和片假名ホ是日语的假名之一，由一个音节组成。在日语五十音图中排第6行第5个（は行お段）的位置。ほ（平假名）和ホ（片假名）是清音，其對應的濁音為ぼ（平假名）和ボ（片假名），半濁音為ぽ（平假名）和ポ（片假名）。
亚美尼亚使徒教会
亞美尼亞使徒教會（亞美尼亞語：，羅馬化：Hay Aṙak'elakan Yekeghetsi）是世界上最古老的國教會以及最早被合法化的基督徒群體。亞美尼亞亦因此被稱為「世上第一個基督教國家」。
亚美尼亚使徒教会 歷史
在亞美尼亞的傳統中，最早將基督信仰帶入該地區的是宗徒達陡以及巴多羅買，這二人也被亞美尼亞教會奉为其主保圣人。此外，在優西比烏對埃德薩聖像傳說的紀載中，耶穌的十二門徒之一的埃德薩的達陡也曾在多默的派遣下帶著奇蹟複印了耶穌面容的聖像画到達埃德薩，治癒了埃德薩王阿布加爾五世的痲瘋病，並促進了國王的改宗。
公元301年，亚美尼亚王国国王梯里达底三世因為被他關押十三年的教士启蒙者格列高利而改宗基督教，結束了多年來的對基督徒迫害，並將之為國教，使得亞美尼亞成為世界上第一個基督教國家。
大約在302年，格列高利被梯里达底三世給予卡托利科斯這個稱號，任命他擔任亞美尼亞的國家教會領袖，並由其友人馬扎卡的該撒利亞主教利奧提烏斯（英語：）祝聖為主教，之後此職位的繼承者也被稱為亞美尼亞宗主教。做為建立者，格列高利的名字也被用來稱呼亞美尼亞教會。
亚美尼亚使徒教会 歷史
在梯里达底三世的王宮邊上，格列高利建起了亞美尼亞的第一座教堂──埃奇米阿津主教座堂，一千七百年來，王宮早已蕩然無存，而教堂卻一直是亞美尼亞宗主教的駐地，被稱作亞美尼亞的梵蒂岡。
公元405年，宗主教撒哈克一世委託司鐸梅斯羅布為亞美尼亞的人民創造了亞美尼亞字母，翻譯製作了亞美尼亞語聖經。
從5世紀中葉以來，亞美尼亞教會就一直保持獨立。直到現在，亞美尼亞教會依然獨立於基督宗教主流派以外。
亚美尼亚使徒教会 教義
亞美尼亞教會信奉基督合一性論，獨立於基督教主流派以外。
基督教的主流教義強調神的「三位一體」和「基督二性論」，即認為基督的本身具有兩種本性，即神性與人性，這兩種屬性相和而不相混。基督有兩種性質，「每種性質本身都很完善，彼此又有區別，二者卻完全結合在一個人的身上，這個人既是上帝，又是人。」 基督既是完全的神，又是完全的人。在451年，基督教迦克墩公會議上，這種「兩性說」獲得勝利，成為基督教的正統。
亞美尼亞教會並沒有追隨迦克墩公會議，不承認迦克墩公會議的合法性。亞美尼亞教會主張，基督的神性和人性兩種性質，聯合爲一種復合的性質，但与迦克墩公会议相同，亚美尼亚教会宣认，神與人不同的特性沒有分裂，沒有混合，也沒有變化，基于亞歷山大的區利羅的表述：「成肉身的神、道的一個性質」（古希臘語：，英語：）。
亞美尼亞教會的合一性论经常被認爲並稱作單一性论（），並因此受指責與非議，但合一性论者同樣谴责欧迪奇的單一性论爲異端。
與西方傳統所認為的12月25日聖誕節是耶穌誕辰不同，包括亞美尼亞教會在內的東方教會傳統將1月6日主顯節視作耶穌的誕辰。由於亞美尼亞教會使用儒略曆，他們的聖誕節在1月19日。
行动研究
行动研究（）是一种参与干预性的社会研究方法，研究者参与到行动中以规划、实施、监测行动的变化，并利用研究者的理论与经验服务于被研究对象。
金屬氧化物半導體場效電晶體
金屬氧化物半導體場效電晶體（英語：，縮寫：，簡稱金氧半場效電晶體），是一種可以廣泛使用在模拟電路與数字電路的場效電晶體。金屬氧化物半導體場效電晶體依照其通道極性的不同，可分為电子占多数的N通道型與空穴占多数的P通道型，通常被稱為N型金氧半場效電晶體（nMOSFET或NMOS）與P型金氧半場效電晶體（pMOSFET或PMOS）。
以金氧半場效電晶體（MOSFET）的命名來看，事實上會讓人得到錯誤的印象。因為MOSFET跟英文單字「metal（金屬）」的第一個字母M，在當下大部分同類的元件裡是不存在的。早期金氧半場效電晶體的閘極使用金屬作為材料，但由於多晶矽在製造工藝中更耐高溫等特點，許多金氧半場效電晶體閘極採用後者而非前者金屬。然而，隨著半導體特徵尺寸的不斷縮小，金屬作為閘極材料最近又再次得到了研究人員的注意。
金屬氧化物半導體場效電晶體
金氧半場效電晶體在概念上屬於絕緣閘極場效電晶體（Insulated-Gate Field Effect Transistor, IGFET）。而絕緣閘極場效電晶體的閘極絕緣層，有可能是其他物質，而非金氧半場效電晶體使用的氧化層。有些人在提到擁有多晶矽閘極的場效電晶體元件時比較喜歡用IGFET，但是這些IGFET多半指的是金氧半場效電晶體。
金氧半場效電晶體裡的氧化層位於其通道上方，依照其操作電壓的不同，這層氧化物的厚度僅有數十至數百埃（Å）不等，通常材料是二氧化硅（SiO2），不過有些新的進階製程已經可以使用如氮氧化硅（silicon oxynitride, SiON）做為氧化層之用。
今日半導體元件的材料通常以矽為首選，但是也有些半導體公司發展出使用其他半導體材料的製程，當中最著名的例如國際商業機器股份有限公司使用硅與鍺的混合物所發展的矽鍺製程（SiGe process）。而可惜的是很多擁有良好電性的半導體材料，如砷化鎵（GaAs），因為無法在表面長出品質夠好的氧化層，所以無法用來製造金氧半場效電晶體元件。
金屬氧化物半導體場效電晶體
當一個夠大的電位差施於金氧半場效電晶體的閘極與源極之間時，電場會在氧化層下方的半導體表面形成感應電荷，而這時就會形成反轉通道（inversion channel）。通道的極性與其汲極（drain）與源極相同，假設汲極和源極是n型，那麼通道也會是n型。通道形成後，金氧半場效電晶體即可讓電流通過，而依據施於閘極的電壓值不同，可由金氧半場效電晶體的通道流過的電流大小亦會受其控制而改變。
金屬氧化物半導體場效電晶體 電路符號
常用於金氧半場效電晶體的電路符號有多種形式，最常見的設計是以一條垂直線代表通道（Channel），兩條和通道平行的接線代表源極（Source）與汲極（Drain），左方和通道垂直的接線代表閘極（Gate），如下圖所示。有時也會將代表通道的直線以虛線代替，以區分增强型（enhancement mode，又稱增强式）金氧半場效電晶體或是耗尽型（depletion mode，又稱空乏式）金氧半場效電晶體。
金屬氧化物半導體場效電晶體 電路符號
由於集成電路晶片上的金氧半場效電晶體為四端元件，所以除了源極（S）、汲極（D）、閘極（G）外，尚有一基極（Bulk或是Body）。金氧半場效電晶體電路符號中，從通道往右延伸的箭號方向則可表示此元件為n型或是p型的金氧半場效電晶體。箭頭方向永遠從P端指向N端，所以箭頭從通道指向基極端的為p型的金氧半場效電晶體，或簡稱PMOS（代表此元件的通道為p型）；反之則代表基極為p型，而通道為n型，此元件為n型的金氧半場效電晶體，簡稱NMOS。在一般分散式金氧半場效電晶體元件中，通常把基極和源極接在一起，故分散式金氧半場效電晶體通常為三端元件。而在積體電路中的金氧半場效電晶體通常因為使用同一個基極（common bulk），所以不標示出基極的極性，而在PMOS的閘極端多加一個圓圈以示區別。
幾種常見的MOSFET電路符號，加上接面場效電晶體一起比較：
上圖中的金氧半場效電晶體符號中，基極端和源極端均接在一起，一般的MOSFET幾乎均如此，但在積體電路中的金氧半場效電晶體則並不一定是這樣連接。通常一顆積體電路晶片中相同通道的金氧半場效電晶體都共享同一個基極，故某些情況下的金氧半場效電晶體可能會使得源極和基極並非直接連在一起，例如串疊式電流源（cascode current source）電路中的部份NMOS就是如此。基極與源極沒有直接相連的金氧半場效電晶體會出現基板效應（body effect）而部份改變其操作特性，將在後面的章節中詳述。
金屬氧化物半導體場效電晶體 金氧半場效電晶體的操作原理
金氧半場效電晶體在結構上以一個金屬—氧化物層—半導體的電容為核心（現在的金氧半場效電晶體多半以多晶矽取代金屬作為其閘極材料），氧化層的材料多半是二氧化矽，其下是作為基極的矽，而其上則是作為閘極的多晶矽。這樣的結構正好等於一個電容器，氧化層為電容器中介電質，而電容值由氧化層的厚度與二氧化矽的介電係數來決定。閘極多晶矽與基極的矽則成為MOS電容的兩個端點。
當一個電壓施加在MOS電容的兩端時，半導體的電荷分佈也會跟著改變。
考慮一個p型的半導體（電洞濃度為NA）形成的MOS電容，当给电容器加负电压时，电荷增加（如C-V曲线左侧所示）。
相反，當一個正的電壓VGD施加在閘極與基極端（如圖）時，電洞的濃度會減少（称为耗尽，如C-V曲线中间所示），電子的濃度會增加。
當VGS夠強時，接近閘極端的電子濃度會超過電洞。這個在p-type半導體中，電子濃度（帶負電荷）超過電洞（帶正電荷）濃度的區域，便是所謂的反轉層（inversion layer），如C-V曲线右侧所示。
金屬氧化物半導體場效電晶體 金氧半場效電晶體的操作原理
MOS電容的特性決定了金氧半場效電晶體的操作特性，但是一個完整的金氧半場效電晶體結構還需要一個提供多數載子（majority carrier）的源極以及接受這些多數載子的汲極。
左圖是一個n-type金氧半場效電晶體（以下簡稱NMOS）的截面圖。如前所述，金氧半場效電晶體的核心是位於中央的MOS電容，而左右兩側則是它的源極與汲極。源極與汲極的特性必須同為n-type（即NMOS）或是同為p-type（即PMOS）。左圖NMOS的源極與汲極上標示的「N+」代表著兩個意義：（1）N代表摻雜（doped）在源極與汲極區域的雜質極性為N；（2）「+」代表這個區域為高摻雜濃度區域（heavily doped region），也就是此區的電子濃度遠高於其他區域。在源極與汲極之間被一個極性相反的區域隔開，也就是所謂的基極（或稱基體）區域。如果是NMOS，那麼其基體區的摻雜就是p-type。反之對PMOS而言，基體應該是n-type，而源極與汲極則為p-type（而且是重摻雜的P+）。基體的摻雜濃度不需要如源極或汲極那麼高，故在左圖中沒有「+」，作為通道用。
金屬氧化物半導體場效電晶體 金氧半場效電晶體的操作原理
對這個NMOS而言，真正用來作為通道、讓載子通過的只有MOS電容正下方半導體的表面區域。當一個正電壓施加在閘極上，帶負電的電子就會被吸引至表面，形成通道，讓n-type半導體的多數載子—電子可以從源極流向汲極。如果這個電壓被移除，或是放上一個負電壓，那麼通道就無法形成，載子也無法在源極與汲極之間流動，也就是可以透過閘極的電壓控制通道的開關。
假設操作的對象換成PMOS，那麼源極與汲極為p-type、基體則是n-type。在PMOS的閘極上施加負電壓，則半導體上的空穴會被吸引到表面形成通道，半導體的多數載子—空穴則可以從源極流向汲極。假設這個負電壓被移除，或是加上正電壓，那麼通道無法形成，一樣無法讓載子在源極和汲極間流動。
特別要說明的是，源極在金氧半場效電晶體裡的意思是「提供多數載子的來源」。對NMOS而言，多數載子是電子；對PMOS而言，多數載子是空穴。相對的，汲極就是接受多數載子的端點。
金屬氧化物半導體場效電晶體 金氧半場效電晶體的操作原理
依照在金氧半場效電晶體的閘極、源極，與汲極等三個端點施加的偏置（bias）不同，金氧半場效電晶體將有下列三種操作模式。下面将以一种简化代数模型来讨论。现代MOS管的特性比这里展示的代数模型更加复杂。
对于增强型N沟道MOS管来说，这3种工作模式分别为：
截止區（次臨界區或弱反轉區）（cutoff, subthreshold or weak-inversion mode）
當 |VGS| < |Vth| 时：
|VGS| 代表閘極到源極的偏壓差，|Vth| 为材料的臨界電壓。這個金氧半場效電晶體是處在截止（cut-off）的狀態，通道無法反轉，並沒有足夠的多數載子，電流無法流過這個金氧半場效電晶體，也就是這個金氧半場效電晶體不導通。
金屬氧化物半導體場效電晶體 金氧半場效電晶體的操作原理
但事實上，金氧半場效電晶體無電流通過的敘述和現實有些微小的差異。在真實的狀況下，因為載子的能量依循麦克斯韦-玻尔兹曼分布而有高低的差異。雖然金氧半場效電晶體的通道沒有形成，但仍然有些具有較高能量的載子可以從半導體表面流至汲極。而若是 |VGS| 略大於零，但小於 |Vth| 的情況下，還會有一個稱為弱反轉層（weak inversion layer）的區域在半導體表面出現，讓更多載子流過。透過弱反轉而從源極流至汲極的載子數量與 |VGS| 的大小之間呈指數的關係，此電流又稱為亚阈值电流（subthreshold current）。
在一些擁有大量金氧半場效電晶體的積體電路產品，如动态随机存取存储器（DRAM），次臨界電流往往會造成額外的能量或功率消耗。
線性區（三極區或歐姆區）（linear region, triode mode or ohmic mode）)）
當 VGS > Vth 且 VGD > Vth 时：
金屬氧化物半導體場效電晶體 金氧半場效電晶體的操作原理
此處VDS為NMOS汲極至源極的電壓，則這顆NMOS為導通的狀況，在氧化層下方的通道也已形成。此時這顆NMOS的行為類似一個壓控電阻（voltage-controlled resistor），而由汲極向源极流出的電流大小為：
μn是載子遷移率（carrier mobility）、W是金氧半場效電晶體的閘極寬度、L是金氧半場效電晶體的閘極長度，而Cox則是閘極氧化層的單位電容大小。在這個區域內，金氧半場效電晶體的電流—電壓關係有如一個線性方程式，因而稱為線性區。
飽和區（主動區）（saturation or active mode）
當 VGS > Vth 且 VGD < Vth 时：
這顆金氧半場效電晶體為導通的狀況，也形成了通道讓電流通過。但是隨著汲極電壓增加，超過閘極電壓時，會使得接近汲極區的反轉層電荷為零，此處的通道消失（如圖），這種狀況稱之為夾止（pinch-off）。在這種狀況下，由源極出發的載子經由通道到達夾止點時，會被注入汲極周圍的空間電荷區（space charge region），再被電場掃入汲極。此時通過金氧半場效電晶體的電流與其汲極—源極間的電壓VDS無關，只與閘極電壓有關，主要原因在於靠近汲極區的閘極電壓已經不足以讓通道反轉，而造成所能提供的載子有限，限制住了通道的電流大小，關係式如下：
上述的公式也是理想狀況下，金氧半場效電晶體在飽和區操作的電流與電壓關係式。事實上在飽和區的金氧半場效電晶體汲極電流會因為通道長度調變效應而改變，並非與VDS全然無關。考慮通道長度調變效應之後的飽和區電流—電壓關係式如下：
關於通道長度調變效應的成因與影響將在後面敘述。
一般而言，源極電壓與基板電壓兩者接在一起VSB＝0，但在實際上VSB＞0（對P型基板而言），此時基板與源極產生逆偏，使得空乏區電荷增加，因此使臨界電壓增加的現象稱為基板效應（Body Effect）。基板效應通常是負面的，臨界電壓之變化常會使類比電路或數位電路設計更加複雜。MOS受到基板效應影響，臨界電壓會有所改變，公式如下：
,
是基極與源極之間無電位差時的臨界電壓，是基板效應參數，則是與半導體能階相關的參數（禁带中线与费米能级的差值）。
金屬氧化物半導體場效電晶體 金氧半場效電晶體在電子電路上應用的優勢
金氧半場效電晶體在1960年由貝爾實驗室的D. Kahng和Martin Atalla首次實作成功，這種元件的操作原理和1947年蕭克利等人發明的雙載子接面電晶體截然不同，且因為製造成本低廉與使用面積較小、高整合度的優勢，在大型積體電路或是超大型積體電路的領域裡，重要性遠超過BJT。
近年來由於金氧半場效電晶體元件的性能逐漸提升，除了傳統上應用於諸如微處理器、微控制器等數位訊號處理的場合上，也有越來越多類比訊號處理的積體電路可以用金氧半場效電晶體來實現，以下分別介紹這些應用。
金屬氧化物半導體場效電晶體 金氧半場效電晶體在電子電路上應用的優勢
數位科技的進步，如微處理器運算效能不斷提升，帶給深入研發新一代金氧半場效電晶體更多的動力，這也使得金氧半場效電晶體本身的操作速度越來越快，幾乎成為各種半導體主動元件中最快的一種。金氧半場效電晶體在數位訊號處理上最主要的成功來自互補式金屬氧化物半導體邏輯電路的發明，這種結構最大的好處是理論上不會有靜態的功率損耗，只有在邏輯閘的切換動作時才有電流通過。互補式金屬氧化物半導體邏輯閘最基本的成員是互補式金屬氧化物半導體反相器，而所有互補式金屬氧化物半導體邏輯閘的基本操作都如同反相器一樣，同一時間內必定只有一種電晶體（NMOS或是PMOS）處在導通的狀態下，另一種必定是截止狀態，這使得從電源端到接地端不會有直接導通的路徑，大量節省了電流或功率的消耗，也降低了積體電路的發熱量。
金屬氧化物半導體場效電晶體 金氧半場效電晶體在電子電路上應用的優勢
金氧半場效電晶體在數位電路上應用的另外一大優勢是對直流訊號而言，金氧半場效電晶體的閘極端阻抗為無限大（等效於開路），也就是理論上不會有電流從金氧半場效電晶體的閘極端流向電路裡的接地點，而是完全由電壓控制閘極的形式。這讓金氧半場效電晶體和他們最主要的競爭對手BJT相較之下更為省電，而且也更易於驅動。在CMOS邏輯電路裡，除了負責驅動晶片外負載（off-chip load）的驅動器外，每一級的邏輯閘都只要面對同樣是金氧半場效電晶體的閘極，如此一來較不需考慮邏輯閘本身的驅動力。相較之下，BJT的邏輯電路（例如最常見的TTL）就沒有這些優勢。金氧半場效電晶體的閘極輸入電阻無限大對於電路設計工程師而言亦有其他優點，例如較不需考慮邏輯閘輸出端的負載效應（loading effect）。
金屬氧化物半導體場效電晶體 金氧半場效電晶體在電子電路上應用的優勢
有一段時間，金氧半場效電晶體並非類比電路設計工程師的首選，因為類比電路設計重視的性能參數，如電晶體的跨导或是電流的驅動力上，金氧半場效電晶體不如BJT來得適合類比電路的需求。但是隨著金氧半場效電晶體技術的不斷演進，今日的CMOS技術也已經可以符合很多類比電路的規格需求。再加上金氧半場效電晶體因為結構的關係，沒有BJT的一些致命缺點，如熱跑脫（thermal runaway）。另外，金氧半場效電晶體在線性區的壓控電阻特性亦可在積體電路裡用來取代傳統的多晶矽電阻（poly resistor），或是MOS電容本身可以用來取代常用的多晶矽—絕緣體—多晶矽電容（PIP capacitor），甚至在適當的電路控制下可以表現出電感（inductor）的特性，這些好處都是BJT很難提供的。也就是說，金氧半場效電晶體除了扮演原本電晶體的角色外，也可以用來作為類比電路中大量使用的被動元件（passive device）。這樣的優點讓採用金氧半場效電晶體實現類比電路不但可以滿足規格上的需求，還可以有效縮小晶片的面積，降低生產成本。
隨著半導體製造技術的進步，對於整合更多功能至單一晶片的需求也跟著大幅提升，此時用金氧半場效電晶體設計類比電路的另外一個優點也隨之浮現。為了減少在印刷電路板上使用的積體電路數量、減少封裝成本與縮小系統的體積，很多原本獨立的類比晶片與數位晶片被整合至同一個晶片內。金氧半場效電晶體原本在數位積體電路上就有很大的競爭優勢，在類比積體電路上也大量採用金氧半場效電晶體之後，把這兩種不同功能的電路整合起來的困難度也顯著的下降。另外像是某些混合訊號電路（Mixed-signal circuits），如類比數位轉換器，也得以利用金氧半場效電晶體技術設計出效能更好的產品。
近年來還有一種整合金氧半場效電晶體與BJT各自優點的製程技術：BiCMOS也越來越受歡迎。BJT元件在驅動大電流的能力上仍然比一般的CMOS優異，在可靠度方面也有一些優勢，例如不容易被靜電放電破壞。所以很多同時需要複雜訊號處理以及強大電流驅動能力的積體電路產品會使用BiCMOS技術來製作。
金屬氧化物半導體場效電晶體 金氧半場效電晶體的尺寸縮放
過去數十年來，金氧半場效電晶體的尺寸不斷地變小。早期的積體電路金氧半場效電晶體製程裡，通道長度約在幾個微米的等級。但是到了今日的積體電路製程，這個參數已經縮小到了幾十分之一甚至一百分之一。2008年初，Intel開始以45奈米的技術來製造新一代的微處理器，實際的元件通道長度可能比這個數字還小一些。至90年代末，金氧半場效電晶體尺寸不斷縮小，讓積體電路的效能大大提升，而從歷史的角度來看，這些技術上的突破和半導體製程的進步有著密不可分的關係。
基於以下幾個理由，金氧半場效電晶體的尺寸能越小越好。
雖然金氧半場效電晶體尺寸縮小可以帶來很多好處，但同時也有很多負面效應伴隨而來。
金氧半場效電晶體的尺寸縮小後出現的困難
把金氧半場效電晶體的尺寸縮小到一微米以下對於半導體製程而言是個挑戰，不過現在的新挑戰多半來自尺寸越來越小的金氧半場效電晶體元件所帶來過去不曾出現的物理效應。
次臨限傳導
金屬氧化物半導體場效電晶體 金氧半場效電晶體的尺寸縮放
由於金氧半場效電晶體閘極氧化層的厚度也不斷減少，所以閘極電壓的上限也隨之變少，以免過大的電壓造成閘極氧化層突崩潰（breakdown）。為了維持同樣的性能，金氧半場效電晶體的臨界電壓也必須降低，但是這也造成了金氧半場效電晶體越來越難以完全關閉。也就是說，足以造成金氧半場效電晶體通道區發生弱反轉的閘極電壓會比從前更低，於是所謂的亞閾值電流（subthreshold current）造成的問題會比過去更嚴重，特別是今日的積體電路晶片所含有的電晶體數量劇增，在某些超大型積體電路的晶片，次臨限傳導造成的功率消耗竟然佔了總功率消耗的一半以上。
不過反過來說，也有些電路設計會因為金氧半場效電晶體的次臨限傳導得到好處，例如需要較高的轉導／電流轉換比（transconductance-to-current ratio）的電路裡，利用次臨限傳導的金氧半場效電晶體來達成目的的設計也頗為常見。
晶片內部連接導線的寄生電容效應
金屬氧化物半導體場效電晶體 金氧半場效電晶體的尺寸縮放
傳統上，互補式金屬氧化物半導體邏輯閘的切換速度與其元件的閘極電容有關。但是當閘極電容隨著金氧半場效電晶體尺寸變小而減少，同樣大小的晶片上可容納更多電晶體時，連接這些電晶體的金屬導線間產生的寄生電容效應就開始主宰邏輯閘的切換速度。如何減少這些寄生電容，成了晶片效率能否向上突破的關鍵之一。
晶片發熱量增加
當晶片上的電晶體數量大幅增加後，有一個無法避免的問題也跟著發生了，那就是晶片的發熱量也大幅增加。一般的積體電路元件在高溫下操作可能會導致切換速度受到影響，或是導致可靠度與壽命的問題。在一些發熱量非常高的積體電路晶片如微處理器，目前需要使用外加的散熱系統來緩和這個問題。
在功率電晶體（Power金氧半場效電晶體）的領域裡，通道電阻常常會因為溫度升高而跟著增加，這樣也使得在元件中PN结（pn-junction）導致的功率損耗增加。假設外置的散熱系統無法讓功率電晶體的溫度保持在夠低的水準，很有可能讓這些功率電晶體遭到熱失控的命運。
閘極氧化層漏電流增加
金屬氧化物半導體場效電晶體 金氧半場效電晶體的尺寸縮放
閘極氧化層隨著金氧半場效電晶體尺寸變小而越來越薄，目前主流的半導體製程中，甚至已經做出厚度僅有1.2奈米的閘極氧化層，大約等於5個原子疊在一起的厚度而已。在這種尺度下，所有的物理現象都在量子力學所規範的世界內，例如電子的穿隧效應。因為穿隧效應，有些電子有機會越過氧化層所形成的位能障壁（potential barrier）而產生漏電流，這也是今日積體電路晶片功耗的來源之一。
為了解決這個問題，有一些介電係數比二氧化矽更高的物質被用在閘極氧化層中。例如鉿和鋯的金屬氧化物（二氧化鉿、二氧化鋯）等高介電係數的物質均能有效降低閘極漏電流。閘極氧化層的介電係數增加後，閘極的厚度便能增加而維持一樣的電容大小。而較厚的閘極氧化層又可以降低電子透過穿隧效應穿過氧化層的機率，進而降低漏電流。不過利用新材料製作的閘極氧化層也必須考慮其位能障壁的高度，因為這些新材料的傳導帶和價帶和半導體的傳導帶與價帶的差距比二氧化矽小（二氧化矽的傳導帶和矽之間的高度差約為8ev），所以仍然有可能導致閘極漏電流出現。
製程變異更難掌控
現代的半導體製程工序複雜而繁多，任何一道製程都有可能造成積體電路晶片上的元件產生些微變異。當金氧半場效電晶體等元件越做越小，這些變異所佔的比例就可能大幅提升，進而影響電路設計者所預期的效能，這樣的變異讓電路設計者的工作變得更為困難。
金屬氧化物半導體場效電晶體 金氧半場效電晶體的閘極材料
理論上金氧半場效電晶體的閘極應該儘可能選擇電性良好的導體，多晶矽在經過重摻雜之後的導電性可以用在金氧半場效電晶體的閘極上，但是並非完美的選擇。目前金氧半場效電晶體使用多晶矽作為的理由如下：
金氧半場效電晶體的臨界電壓（threshold voltage）主要由閘極與通道材料的功函數之間的差異來決定，而因為多晶矽本質上是半導體，所以可以藉由摻雜不同極性的雜質來改變其功函數。更重要的是，因為多晶矽和底下作為通道的矽之間能隙相同，因此在降低PMOS或是NMOS的臨界電壓時可以藉由直接調整多晶矽的功函數來達成需求。反過來說，金屬材料的功函數並不像半導體那麼易於改變，如此一來要降低金氧半場效電晶體的臨界電壓就變得比較困難。而且如果想要同時降低PMOS和NMOS的臨界電壓，將需要兩種不同的金屬分別做其閘極材料，對於製程又是一個很大的變數。
不過多晶矽雖然在過去20年是製造金氧半場效電晶體閘極的標準，但也有若干缺點使得未來仍然有部份金氧半場效電晶體可能使用金屬閘極，這些缺點如下：
金屬氧化物半導體場效電晶體 金氧半場效電晶體的閘極材料
多晶矽導電性不如金屬，限制了訊號傳遞的速度。雖然可以利用摻雜的方式改善其導電性，但成效仍然有限。目前有些融點比較高的金屬材料如：鎢、鈦、鈷或是鎳被用來和多晶矽製成合金。這類混合材料通常稱為金屬矽化物。加上了金屬矽化物的多晶矽閘極有著比較好的導電特性，而且又能夠耐受高溫製程。此外因為金屬矽化物的位置是在閘極表面，離通道區較遠，所以也不會對金氧半場效電晶體的臨界電壓造成太大影響。
當金氧半場效電晶體的尺寸縮的非常小、閘極氧化層也變得非常薄時，例如現在的製程可以把氧化層縮到一奈米左右的厚度，一種過去沒有發現的現象也隨之產生，這種現象稱為多晶矽空乏。當金氧半場效電晶體的反轉層形成時，有多晶矽空乏現象的金氧半場效電晶體閘極多晶矽靠近氧化層處，會出現一個空乏層（depletion layer），影響金氧半場效電晶體導通的特性。要解決這種問題，金屬閘極是最好的方案。目前可行的材料包括鉭、鎢、氮化鉭（Tantalum Nitride），或是氮化鈦（Titanium Nitride）。這些金屬閘極通常和高介電係數物質形成的氧化層一起構成MOS電容。另外一種解決方案是將多晶矽完全的合金化，稱為FUSI（FUlly-SIlicide polysilicon gate）製程。
金屬氧化物半導體場效電晶體 各種常見的金氧半場效電晶體技術
雙閘極（dual-gate）金氧半場效電晶體通常用在射頻積體電路中，這種金氧半場效電晶體的兩個閘極都可以控制電流大小。在射頻電路的應用上，雙閘極金氧半場效電晶體的第二個閘極大多數用來做增益、混頻器或是頻率轉換的控制。
一般而言，空乏式（depletion mode）金氧半場效電晶體比前述的加強式（enhancement mode）金氧半場效電晶體少見。空乏式金氧半場效電晶體在製造過程中改變摻雜到通道的雜質濃度，使得這種金氧半場效電晶體的閘極就算沒有加電壓，通道仍然存在。如果想要關閉通道，則必須在閘極施加負電壓（對NMOS而言）。空乏式金氧半場效電晶體是屬於「常閉型」（normally-closed，ON）的開關，而相對的，加強式金氧半場效電晶體則屬於「常斷型」（normally-open，OFF）的開關。
金屬氧化物半導體場效電晶體 各種常見的金氧半場效電晶體技術
同樣驅動能力的NMOS通常比PMOS所佔用的面積小，因此如果只在邏輯閘的設計上使用NMOS的話也能縮小晶片面積。不過NMOS邏輯雖然佔的面積小，卻無法像CMOS邏輯一樣做到不消耗靜態功率，因此在1980年代中期後已經漸漸退出市場，目前以CMOS為主流。
功率金氧半場效電晶體（Power MOSFET）和前述的金氧半場效電晶體元件在結構上就有著顯著的差異。一般積體電路裡的金氧半場效電晶體都是平面式（planar）的結構，電晶體內的各端點都離晶片表面只有幾個微米的距離。而所有的功率元件都是垂直式（vertical）的結構，讓元件可以同時承受高電壓與高電流的工作環境。一個功率金氧半場效電晶體能耐受的電壓是雜質摻雜濃度與n-type磊晶層（epitaxial layer）厚度的函數，而能通過的電流則和元件的通道寬度有關，通道越寬則能容納越多電流。對於一個平面結構的金氧半場效電晶體而言，能承受的電流以及崩潰電壓的多寡都和其通道的長寬大小有關。對垂直結構的金氧半場效電晶體來說，元件的面積和其能容納的電流大約成正比，磊晶層厚度則和其崩潰電壓成正比。
金屬氧化物半導體場效電晶體 各種常見的金氧半場效電晶體技術
值得一提的是採用平面式結構的功率金氧半場效電晶體也並非不存在，這類元件主要用在高級的音響放大器中。平面式的功率金氧半場效電晶體在飽和區的特性比垂直結構的對手更好。垂直式功率金氧半場效電晶體則多半用來做開關切換之用，取其導通電阻（turn-on resistance）非常小的優點。
DMOS是雙重擴散金氧半場效電晶體（Double-Diffused金氧半場效電晶體）的縮寫，大部分的功率金氧半場效電晶體都是採用這種製作方式完成的。
金屬氧化物半導體場效電晶體 以金氧半場效電晶體實現類比開關
金氧半場效電晶體在導通時的通道電阻低，而截止時的電阻近乎無限大，所以適合作為類比訊號的開關（訊號的能量不會因為開關的電阻而損失太多）。金氧半場效電晶體作為開關時，其源極與汲極的分別和其他的應用是不太相同的，因為訊號可以從金氧半場效電晶體閘極以外的任一端進出。對NMOS開關而言，電壓最負的一端就是源極，PMOS則正好相反，電壓最正的一端是源極。金氧半場效電晶體開關能傳輸的訊號會受到其閘極—源極、閘極—汲極，以及汲極到源極的電壓限制，如果超過了電壓的上限可能會導致金氧半場效電晶體燒毀。
金氧半場效電晶體開關的應用範圍很廣，舉凡需要用到取樣保持電路（sample-and-hold circuits）或是截波電路（chopper circuits）的設計，例如類比數位轉換器（A/D converter）或是切換電容濾波器（switch-capacitor filter）上都可以見到金氧半場效電晶體開關的蹤影。
金屬氧化物半導體場效電晶體 以金氧半場效電晶體實現類比開關
當NMOS用來做開關時，其源極接地，閘極為控制開關的端點。當閘極電壓減去源極電壓超過其導通的臨界電壓時，此開關的狀態為導通。閘極電壓繼續升高，則NMOS能通過的電流就更大。NMOS做開關時操作在線性區，因為源極與汲極的電壓在開關為導通時會趨向一致。
PMOS做開關時，其源極接至電路裡電位最高的地方，通常是電源。閘極的電壓比源極低、超過其臨界電壓時，PMOS開關會打開。
NMOS開關能容許通過的電壓上限為（Vgate-Vthn），而PMOS開關則為（Vgate+Vthp），這個值通常不是訊號原本的電壓振幅，也就是說單一金氧半場效電晶體開關會有讓訊號振幅變小、訊號失真的缺點。
金屬氧化物半導體場效電晶體 以金氧半場效電晶體實現類比開關
為了改善前述單一金氧半場效電晶體開關造成訊號失真的缺點，於是使用一個PMOS加上一個NMOS的CMOS開關（Transmission gate）成為目前最普遍的做法。CMOS開關將PMOS與NMOS的源極與汲極分別連接在一起，而基極的接法則和NMOS與PMOS的傳統接法相同（PMOS的基極接到最高電壓，即VDD；NMOS的基極接到最低電壓，即VSS或GND）。要令開關導通時，則把PMOS的閘極接低電位（VSS或GND），NMOS的閘極接高電位（VDD）。當輸入電壓在（VDD-Vthn）到（VSS+Vthp）時，PMOS與NMOS都導通，而輸入小於（VSS+Vthp）時，只有NMOS導通，輸入大於（VDD-Vthn）時只有PMOS導通，這樣做的好處是在大部分的輸入電壓下，PMOS與NMOS皆同時導通，如果任一邊的導通電阻上升，則另一邊的導通電阻就會下降，所以開關的電阻幾乎可以保持定值，減少訊號失真。