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에디온 역사
2012년, 베스트덴키는 야마다덴키와 자본 및 사업 제휴를 체결하였다. 12월 10일 공정거래위원회는 두 회사 이외에 점포가 없는 10개 지역 가운데 8개 지역 점포를 제3자에 양도하는 조건으로 합병을 승인하였다. 같은 해 9월부터 11월 사이, 에디온은 야마다덴키와 베스트덴키로부터 지치부, 아사쿠라, 가라쓰, 시마바라, 이사하야, 히토요시에 위치한 6개 점포를 인수하였다. 또한 2013년 10월 16일에는 가고시마현에서 베스트덴키의 가맹점이었던 카코이 일렉트로(カコイエレクトロ)를 인수하였으며, 10월 25일에는 베스트덴키의 17개 점포가 “에디온 가고시마”로 재개장하였다.
2013년 8월 26일 에디온은 리크실 그룹과 자본 및 사업 제휴를 발표하였다. 동시에 제3자 배정 증자가 실시되어, 9월 11일 기준 리크실 그룹은 8.00%의 지분을 보유한 최대주주(현재는 2대 주주)가 되었고, 에디온은 주택 리모델링 사업에 참여하게 되었다.
2022년 4월 27일 에디온은 니토리 홀딩스와 자본 및 사업 제휴를 체결하였다. 이어서 5월 13일, 리크실은 시장에서 취득한 지분을 포함하여 에디온 주식 10%를 보유하게 되었다. 같은 해 10월에는 일부 점포에서 니토리 제품이 판매될 것임이 발표되었다.
2024년 3월 27일 에디온은 2025년 4월 산큐를 흡수합병할 것임을 발표하였다.
유기 전자공학
유기 전자공학(영어: Organic electronics)은 바람직한 전도성과 같은 전자적 특성을 나타내는 유기 분자 또는 고분자의 설계, 합성, 특성화 및 응용에 관한 재료과학 분야이다. 기존의 무기 도체 및 반도체와 달리, 유기 전자 재료는 유기화학 및 고분자화학의 맥락에서 개발된 합성 전략을 사용하여 유기(탄소 기반) 분자 또는 고분자로 구성된다.
유기 전자공학의 장점 중 하나는 기존 전자공학에 비해 잠재적으로 낮은 비용이다. 고분자 도체의 매력적인 특성에는 전기 전도성(도펀트 농도에 따라 달라질 수 있음)과 비교적 높은 기계적 유연성이 포함된다. 유기 전자 재료 구현의 과제는 열악한 열 안정성, 높은 비용 및 다양한 제조 문제이다.
유기 전자공학 역사
전통적인 전도성 재료는 무기물, 특히 구리 및 알루미늄과 같은 금속과 많은 합금이다.
1862년 헨리 레더비는 나중에 전기 전도성을 나타내는 것으로 밝혀진 폴리아닐린을 기술했다. 다른 고분자 유기 재료에 대한 연구는 1960년대에 본격적으로 시작되었다. 예를 들어 1963년에 테트라아이오도피롤 유도체가 1 S/cm (S = 지멘스)의 전도성을 나타내는 것으로 밝혀졌다. 1977년에는 산화가 폴리아세틸렌의 전도성을 향상시키는 것으로 발견되었다. 2000년 노벨 화학상은 앨런 J. 히거, 앨런 맥더미드, 그리고 시라카와 히데키에게 폴리아세틸렌 및 관련 전도성 고분자에 대한 연구로 공동 수여되었다. 폴리티오펜, 폴리페닐렌 설파이드 및 기타를 포함하여 많은 전기 전도성 고분자가 확인되었다.
유기 전자공학 역사
줄리어스 에드거 릴리엔펠트는 1930년에 처음으로 장효과 트랜지스터를 제안했지만, 첫 OFET는 1987년에 고에즈카 등이 극도로 높은 전도성을 보이는 폴리티오펜을 사용하여 제작했을 때까지 보고되지 않았다. 다른 전도성 고분자는 반도체 역할을 하는 것으로 밝혀졌으며, 새로 합성 및 특성화된 화합물은 주요 연구 저널에 매주 보고되고 있다. 이러한 재료의 개발을 문서화하는 많은 리뷰 기사가 존재한다.
1987년, 이스트먼 코닥에서 탕칭원과 스티븐 반 슬라이크에 의해 최초의 유기 다이오드가 생산되었다.
1950년대에 유기 분자가 전기 전도성을 나타내는 것으로 밝혀졌다. 특히, 유기 화합물 파이렌은 할로젠과 함께 반도체 전하 이동 복합 염을 형성하는 것으로 밝혀졌다. 1972년에 연구원들은 전하 이동 복합체 TTF-TCNQ에서 금속 전도성(금속과 유사한 전도성)을 발견했다.
앙드레 베르나노스는 유기 재료에서 전기발광을 처음 관찰한 사람이다. 탕칭원과 스티븐 반 슬라이크는 1987년에 최초의 실용적인 OLED 소자 제작을 보고했다. OLED 소자는 구리 프탈로시아닌과 페릴렌 테트라카복실산 이무수물의 유도체로 구성된 이중층 구조 모티프를 통합했다.
유기 전자공학 역사
1990년에 브래들리, 버로우스, 프렌드에 의해 고분자 발광 다이오드가 시연되었다. 분자 재료에서 거대분자 재료로 이동하면서 이전에 유기막의 장기 안정성에서 발생했던 문제가 해결되었고, 고품질 막을 쉽게 생산할 수 있게 되었다. 1990년대 후반에 고효율 전기발광 도펀트가 OLED의 발광 효율을 극적으로 증가시키는 것으로 나타났다. 이러한 결과는 전기발광 재료가 기존의 백열등 조명을 대체할 수 있음을 시사했다. 이후 연구를 통해 다층 고분자와 플라스틱 전자공학이라는 새로운 분야, 그리고 유기 발광 다이오드 (OLED) 연구 및 장치 생산이 빠르게 성장했다.
유기 전자공학 전도성 유기 재료
유기 전도성 재료는 고분자와 전도성 분자 고체 및 염의 두 가지 주요 범주로 나눌 수 있다. 다환 방향족 화합물(예: 펜타센 및 루브렌)은 부분적으로 산화될 때 종종 반도체 재료를 형성한다.
전도성 고분자는 종종 본질적으로 전도성이 있거나 적어도 반도체이다. 때로는 기존 유기 고분자와 유사한 기계적 특성을 나타내기도 한다. 유기화학 합성 및 고급 분산 기술 모두 일반적인 무기 도체와 달리 전도성 고분자의 전기적 특성을 조절하는 데 사용될 수 있다. 잘 연구된 전도성 고분자 종류에는 폴리아세틸렌, 폴리피롤, 폴리티오펜, 폴리아닐린이 있다. 폴리파라페닐렌 비닐렌과 그 유도체는 전기발광 반도체 고분자이다. 폴리(3-알킬티오펜)은 태양 전지 및 트랜지스터의 프로토타입에 통합되었다.
유기 전자공학 유기 발광 다이오드
OLED는 전류에 의해 자극을 받아 빛을 방출하는 유기 물질의 박막으로 구성된다. 일반적인 OLED는 양극, 음극, OLED 유기 재료 및 전도성 층으로 구성된다.
OLED 유기 재료는 크게 두 가지 종류로 나눌 수 있다: 소분자 기반 및 고분자 기반. 소분자 OLED (SM-OLED)에는 Alq3 형광 및 인광 염료와 공액 덴드리머가 포함된다. 형광 염료는 원하는 방사 파장 범위에 따라 선택할 수 있다; 페릴렌 및 루브렌과 같은 화합물이 자주 사용된다. 소분자 기반 소자는 일반적으로 진공 하의 열 증발을 통해 제작된다. 이 방법은 잘 제어된 균질 박막의 형성을 가능하게 하지만, 높은 비용과 제한된 확장성으로 인해 어려움을 겪는다.
 고분자 발광 다이오드(PLED)는 일반적으로 SM-OLED보다 효율적이다. PLED에 사용되는 일반적인 고분자에는 폴리(p-페닐렌 비닐렌)의 유도체와 폴리플루오렌이 포함된다. 방출되는 색은 고분자의 구조에 따라 결정된다. 열 증발과 비교할 때 용액 기반 방법은 대형 박막을 만드는 데 더 적합하다.
유기 전자공학 유기 전계효과 트랜지스터
OFET는 유기 분자 또는 고분자를 활성 반도체 층으로 활용하는 장효과 트랜지스터이다. FET는 전기장을 이용하여 한 종류의 전하 운반체 채널의 모양을 제어하여 전도성을 변경하는 모든 반도체 재료이다. FET는 운반되는 전하 유형에 따라 n형 및 p형 반도체의 두 가지 주요 종류로 분류된다. 유기 FET(OFET)의 경우, p형 OFET 화합물은 산화 손상에 대한 후자의 민감성 때문에 일반적으로 n형보다 더 안정적이다.
OLED와 마찬가지로 일부 OFET는 분자 기반이며 일부는 고분자 기반 시스템이다. 루브렌 기반 OFET는 20~40 cm2/(V·s)의 높은 캐리어 이동도를 나타낸다. 또 다른 인기 있는 OFET 재료는 펜타센이다. 대부분의 유기 용매에 용해도가 낮아 기존 스핀 코팅 또는 딥 코팅 방법으로 펜타센 자체에서 TFT를 제작하기 어렵지만, 이 장애물은 TIPS-펜타센 유도체를 사용하여 극복할 수 있다.
유기 전자공학 유기 전자 장치
유기 태양 전지는 기존 태양 전지 제조에 비해 태양광 발전 비용을 절감할 수 있다. 유연한 기판에 실리콘 박막 태양 전지를 사용하면 다음과 같은 여러 가지 이유로 대면적 태양광 발전 비용을 크게 절감할 수 있다.
PET 또는 PC와 같은 저렴한 고분자 기판은 태양광 발전 비용을 추가로 절감할 잠재력을 가지고 있다. 원형(Protomorphous) 태양 전지는 대면적 생산 및 소형 이동형 응용 분야를 위한 저렴하고 유연한 기판에 효율적이고 저렴한 태양광 발전을 위한 유망한 개념임을 입증한다.
유기 전자공학 유기 전자 장치
인쇄전자의 장점 중 하나는 서로 다른 전기 및 전자 부품을 서로 겹쳐 인쇄할 수 있어 공간을 절약하고 신뢰성을 높이며 때로는 모두 투명하게 만들 수 있다는 점이다. 한 잉크가 다른 잉크를 손상시키지 않아야 하며, 종이 및 플라스틱 필름과 같은 저비용 유연 재료를 사용하려면 저온 열처리가 필수적이다. 여기에는 iTi, Pixdro, Asahi Kasei, Merck & Co.|Merck, BASF, HC Starck, Sunew, Hitachi Chemical 및 Frontier Carbon Corporation과 같은 선두 기업과 함께 많은 정교한 엔지니어링 및 화학이 포함된다.
유기 화합물 기반 전자 장치는 현재 널리 사용되고 있으며 많은 신제품이 개발 중이다. 소니그룹은 순전히 유기 재료로 만든 세계 최초의 풀 컬러, 비디오 속도, 유연한 플라스틱 디스플레이를 보고했다. OLED 재료 기반 텔레비전 화면; 유기 화합물 기반 생분해성 전자공학 및 저비용 유기 태양 전지도 사용할 수 있다.
유기 전자공학 유기 전자 장치
소분자 반도체는 종종 불용성이어서 진공 승화를 통해 석출해야 한다. 전도성 고분자 기반 장치는 용액 처리 방법으로 제조할 수 있다. 용액 처리 및 진공 기반 방법 모두 다양한 무질서도를 가진 비정질 및 다결정 박막을 생산한다. "습식" 코팅 기술은 고분자를 휘발성 용매에 용해시키고, 여과한 다음 기판 위에 증착해야 한다. 용매 기반 코팅 기술의 일반적인 예로는 드롭 캐스팅, 스핀 코팅, 닥터 블레이딩, 잉크젯 프린팅 및 실크 스크린이 있다. 스핀 코팅은 작은 면적의 박막 생산에 널리 사용되는 기술이다. 이는 높은 수준의 재료 손실을 초래할 수 있다. 닥터 블레이드 기술은 최소한의 재료 손실을 초래하며 주로 넓은 면적의 박막 생산을 위해 개발되었다. 소분자의 진공 기반 열 증착은 뜨거운 소스에서 분자를 증발시키는 것을 필요로 한다. 그런 다음 분자는 진공을 통해 기판으로 운반된다. 기판 표면에 이러한 분자를 응축시키는 과정은 박막 형성을 초래한다. 습식 코팅 기술은 용해도에 따라 일부 경우 소분자에 적용될 수 있다.
유기 전자공학 유기 전자 장치
유기 반도체 다이오드는 빛을 전기로 변환한다. 오른쪽 그림은 일반적으로 사용되는 다섯 가지 유기 태양광 재료를 보여준다. 이러한 유기 분자의 전자는 비편재화된 π 궤도에 대응하는 π* 반결합 궤도와 함께 비편재화될 수 있다. π 궤도 또는 최고 점유 분자 궤도(HOMO)와 π* 궤도 또는 최저 비점유 분자 궤도(LUMO) 사이의 에너지 차이를 유기 태양광 재료의 띠틈이라고 한다. 일반적으로 띠틈은 1-4eV 범위에 있다.
유기 태양광 재료의 띠틈 차이는 유기 태양 전지의 다양한 화학 구조와 형태를 초래한다. 다양한 형태의 태양 전지에는 단층 유기 태양광 전지, 이중층 유기 태양광 전지 및 이종 접합 태양광 전지가 포함된다. 그러나 이 세 가지 유형의 태양 전지 모두 유기 전자층을 두 금속 도체, 일반적으로 인듐 주석 산화물 사이에 끼워 넣는 접근 방식을 공유한다.
유기 전계효과 트랜지스터는 소스, 드레인, 게이트의 세 단자 소자이다. 전하 캐리어는 소스와 드레인 사이를 이동하며, 게이트는 경로의 전도성을 제어하는 역할을 한다. 유기 전계효과 트랜지스터는 주로 반도체 층의 전하 수송에 따라 p형(예: 다이나프토[2,3-b:2′,3′-f]티에노[3,2-b]티오펜, DNTT) 및 n형(예: 페닐 C61 부티르산 메틸 에스테르, PCBM)의 두 가지 유형이 있다. 특정 유기 반도체는 p형 및 n형(즉, 양극성) 특성을 모두 나타낼 수도 있다.
이러한 기술은 대면적, 유연하고 저비용의 전자 장치 제작을 가능하게 한다. 주요 장점 중 하나는 CMOS에 비해 저온 공정이므로 다양한 유형의 재료를 활용할 수 있다는 것이다. 이는 다시 센싱에 훌륭한 후보가 된다.
유기 전자공학 특징
전도성 고분자는 무기 도체보다 가볍고 유연하며 저렴하다. 이는 많은 응용 분야에서 바람직한 대안이 된다. 또한 구리나 실리콘으로는 불가능했던 새로운 응용 가능성을 창출한다.
유기 전자공학은 유기 반도체뿐만 아니라 유기 유전체, 도체 및 발광체를 포함한다.
새로운 응용 분야에는 스마트 창문과 전자종이가 포함된다. 전도성 고분자는 새로운 분자 컴퓨터 과학에서 중요한 역할을 할 것으로 예상된다.
유기 전자공학 더 읽을거리
Baracus, B. A.; Weiss, D. E. (1963). 《Electronic Conduction in Polymers. II. The Electrochemical Reduction of Polypyrrole at Controlled Potential》. 《Aust. J. Chem.》 16. 1076–1089쪽. doi:10.1071/CH9631076.
Bolto, B. A.; McNeill, R.; Weiss, D. E. (1963). 《Electronic Conduction in Polymers. III. Electronic Properties of Polypyrrole》. 《Aust. J. Chem.》 16. 1090–1103쪽. doi:10.1071/CH9631090.
Hush, Noel S. (2003). 《An Overview of the First Half-Century of Molecular Electronics》. 《Ann. N.Y. Acad. Sci.》 1006. 1–20쪽. Bibcode:2003NYASA1006....1H. doi:10.1196/annals.1292.016. PMID 14976006. S2CID 24968273.
2024년 아리마 기념
2024년 아리마 기념은 중앙경마의 G1급 중상경주 아리마 기념의 69번째 대회로, 2024년 12월 22일에 나카야마 경마장에서 개최되었다.
레갈레이라가 샤흐리야르 등을 제치고 우승했다.
2024년 아리마 기념 경주 전
2024년 추계 천황상에서 우승한 두 듀스는 본 대회에도 출전, 은퇴식을 가질 예정이었으나, 출전을 앞두고 오른쪽 앞다리에 파행이 발생해 출전이 취소되었다.
페릴렌
페릴렌(영어: Perylene, 또는 perilene으로 표기)은 갈색 고체로 존재하는 화학식 C20H12를 갖는 여러 고리 방향족 탄화수소이다. 페릴렌 또는 그 유도체는 발암물질일 수 있으며, 유해한 오염원으로 간주된다. 세포막 세포화학에서 페릴렌은 형광 지질 탐침으로 사용된다. 이것은 릴렌 염료 계열의 모화합물이다.
페릴렌 반응
다른 여러 고리 방향족 화합물과 마찬가지로, 페릴렌은 알칼리 금속에 의해 환원되어 짙은 색의 라디칼 음이온과 이중 음이온을 생성한다. 이러한 염의 다이글라임 용매화물은 엑스선결정학으로 특성화되었다.
페릴렌 방출
페릴렌은 청색 형광을 나타낸다. 순수 또는 치환된 형태로 OLED에서 청색 방출 도펀트 물질로 사용된다. 페릴렌은 유기 광도전체로도 사용될 수 있다. 434 nm에서 최대 흡수율을 가지며, 모든 여러 고리 방향족 화합물과 마찬가지로 낮은 수용해도(1.2 x 10−5 mmol/L)를 갖는다. 페릴렌은 435.7 nm에서 38,500 M−1cm−1의 몰 흡광 계수를 갖는다.
페릴렌 구조
페릴렌 분자는 두 나프탈렌 분자가 양쪽 분자의 1번과 8번 위치에서 탄소-탄소 결합으로 연결되어 있다. 페릴렌의 모든 탄소 원자는 sp2 혼성 궤도를 갖는다. 페릴렌의 구조는 엑스선결정학에 의해 광범위하게 연구되었다.
페릴렌 생물학
자연 발생 페릴렌 퀴논은 이끼 라우레라 상귀나리아 말메(Laurera sanguinaria Malme)와 그라피스 헤마티테스 피(Graphis haematites Fée)에서 확인되었다.(블루 앰버 문서를 참조).
AARP: 더 매거진
《AARP: 더 매거진》(영어: AARP: The Magazine)은 미국에서 발행되는 격월간 잡지로, AARP에서 발행하며 노년 및 고령층과 관련된 주제를 다루고 있다.
AARP: 더 매거진 역사 및 운영
1958년, AARP는 《모던 머추리티》(Modern Maturity)라는 이름의 잡지를 발간하기 시작했다. 이후 《모던 머추리티》는 59세에서 65세 사이의 회원을 대상으로 한 판과 65세 이상 회원을 대상으로 한 판으로 나뉘어 발행되었다. 2001년 봄에는 더 젊은 베이비붐 세대를 겨냥한 《마이 제너레이션》(My Generation)을 발간하기 시작했다. 2002년, AARP는 두 잡지의 인력과 재원을 통합해 연 6회 발간하는 《AARP: 더 매거진》으로 재편했다.
2020년 9월 기준 편집장은 로버트 러브가 맡고 있으며, 러브는 2013년부터 해당 직을 수행하고 있다. 러브는 AARP에 합류하기 이전에 《더 위크》, 《리더스 다이제스트》, 《베스트 라이프》, 《플레이보이》, 《롤링 스톤》, 《뉴욕》 등의 잡지에서 편집과 관련된 일을 했다.
AARP: 더 매거진 역사 및 운영
1990년대 후반, AARP는 미국 노년층에 대한 인식을 바꾸려는 시도 중 하나로 자신들이 발행하는 월간 잡지 이름을 변경하고, 편집 내용 역시 여전히 삶의 전성기를 누리는 활동적인 시니어층에 초점을 맞췄다. 표지 모델도 당시 77세였던 베티 화이트에서 당시 52세였던 수전 서랜던으로 교체했다. 이후 브루스 스프링스틴, 샐리 필드, 밸러리 버티넬리, 메흐메트 오즈, 데니스 퀘이드 등이 표지를 장식했다.
현재 이 잡지는 연 6회 약 52쪽 분량의 편집 기사를 발행하며, 50~59세, 60~69세, 70세 이상 독자를 위한 세 가지 별도 판으로 나뉘어 제공된다.
AARP: 더 매거진 홍보 및 발행 부수
《AARP: 더 매거진》은 2002년 당시 발행 부수 1,710만 부인 《모던 머추리티》와 발행 부수 400만 부인 《마이제너레이션》을 합쳐 창간되었다.
이 잡지는 모든 AARP 회원에게 발송되며, 이로 인해 미국에서 가장 많은 발행 부수를 기록하는 잡지가 되었다. 2015년 12월 기준 발행 부수는 23,428,878부였다.
2010년 2분기, 《AARP: 더 매거진》은 광고 매출로 미화 2,390만 달러를 기록했는데, 이는 전년도 같은 기간보다 14.5% 증가한 수치였다. 2017년에는 전면 광고 1쪽의 단가가 667,800달러로, 5년 전보다 18% 상승했다.
2017년 발행 부수는 2,250만 부였으며, 같은 해 조사로 집계된 독자 수는 처음으로 3,700만 명을 넘어섰다.
전기 저항률과 전도도
전기 저항률(영어: Electrical resistivity, 부피 비저항(영어: volume resistivity) 또는 비전기 저항(영어: specific electrical resistance)이라고도 함)은 재료의 전기 저항 또는 전류에 얼마나 강하게 저항하는지를 측정하는 재료의 근본적인 고유 특성이다. 낮은 비저항은 전류를 쉽게 흐르게 하는 재료를 나타낸다. 비저항은 일반적으로 그리스 문자ρ (Rho)로 표시된다. 전기 비저항의 SI 단위는 옴-미터 (Ω⋅m)이다. 예를 들어, 1 m3의 고체 큐브 재료가 두 개의 마주보는 면에 시트 접촉부를 가지고 있고, 이 접촉부 사이의 전기 저항이 1 Ω라면, 재료의 비저항은 1 Ω.m이다.
전기 저항률과 전도도
전기 전도도(영어: Electrical conductivity, 또는 비전도도(영어: specific conductance))는 전기 비저항의 역수이다. 이는 재료가 전류를 전도하는 능력을 나타낸다. 일반적으로 그리스 문자 σ (시그마)로 표시되지만, 카파 (특히 전기 공학에서)와 감마가 때때로 사용된다. 전기 전도도의 SI 단위는 지멘스 매 미터 (S/m)이다. 비저항과 전도도는 재료의 세기 성질로, 표준 재료 큐브가 전류에 저항하는 정도를 나타낸다. 전기 저항과 전도도는 특정 물체가 전류에 저항하는 정도를 나타내는 해당 크기 성질이다.
전기 저항률과 전도도 정의
이상적인 경우, 검사된 재료의 단면과 물리적 구성은 샘플 전체에 걸쳐 균일하며, 전기장과 전류 밀도는 모두 평행하고 모든 곳에서 일정하다. 많은 저항기와 전기 전도체는 실제로 균일한 단면을 가지며 균일한 전류 흐름을 보이고 단일 재료로 만들어져 있기 때문에 이것은 좋은 모델이다. (인접 다이어그램 참조) 이 경우, 도체의 저항은 그 길이에 직접 비례하고 단면적에 반비례하며, 여기서 전기 비저항 ρ (그리스어: Rho)는 비례 상수이다. 이것은 다음과 같이 표현된다.
여기서
비저항은 SI 단위 옴 미터 (Ω⋅m)—즉, 제곱 미터(단면적)로 곱한 옴을 미터(길이)로 나눈 값—를 사용하여 표현할 수 있다.
저항과 비저항 모두 재료를 통해 전류가 흐르기 어려운 정도를 나타내지만, 저항과는 달리 비저항은 고유 특성이며 재료의 기하학적 특성에 의존하지 않는다. 이는 모든 순수 구리 (Cu) 선(결정 구조의 왜곡 등이 없는 경우)은 모양과 크기에 관계없이 동일한 비저항을 갖지만, 길고 가는 구리선은 두껍고 짧은 구리선보다 훨씬 더 큰 저항을 갖는다는 것을 의미한다. 모든 재료는 고유의 특성 비저항을 갖는다. 예를 들어 고무는 구리보다 훨씬 큰 비저항을 갖는다.
전기 저항률과 전도도 정의
수력학적 비유에서 높은 비저항 재료를 통해 전류를 통과시키는 것은 모래로 가득 찬 파이프를 통해 물을 밀어 넣는 것과 같으며, 낮은 비저항 재료를 통해 전류를 통과시키는 것은 빈 파이프를 통해 물을 밀어 넣는 것과 같다. 파이프가 같은 크기와 모양이면, 모래로 가득 찬 파이프가 흐름에 대한 저항이 더 크다. 그러나 저항은 모래의 유무에 전적으로 결정되는 것은 아니다. 그것은 또한 파이프의 길이와 폭에 따라 달라진다. 짧거나 넓은 파이프는 좁거나 긴 파이프보다 저항이 낮다.
위의 방정식은 푸이예의 법칙 (클로드 푸이예의 이름을 따서 명명됨)을 얻기 위해 전치될 수 있다.
주어진 요소의 저항은 길이에 비례하지만, 단면적에 반비례한다. 예를 들어, A = 1 m2,  = 1 m (마주보는 면에 완벽하게 전도성 있는 접촉부를 가진 큐브를 형성)이면, 이 요소의 옴 단위 저항은 그것이 만들어진 재료의 Ω⋅m 단위 비저항과 수치적으로 동일하다.
전도도 σ는 비저항의 역수이다.
전도도의 SI 단위는 지멘스 매 미터 (S/m)이다.
전도도 는 에 직접 비례한다.
전기 저항률과 전도도 정의
여기서  = 전자 농도,  = 양공 농도,  = 전자 이동도,  = 양공 이동도이다.
기하학적 구조가 더 복잡하거나 재료 내에서 비저항이 지점마다 다른 경우, 전류와 전기장은 위치의 함수가 된다. 이때는 특정 지점의 비저항을 그 지점에서 생성되는 전기장과 전류 밀도의 비율로 정의하는 더 일반적인 표현을 사용해야 한다.
여기서
전류 밀도는 전기장에 반드시 평행하다.
전도도는 비저항의 역수이다. 여기서는 다음과 같이 주어진다.
예를 들어, 고무는 ρ가 크고 σ가 작은 재료이다 — 고무에 매우 큰 전기장을 가해도 거의 전류가 흐르지 않기 때문이다. 반면에 구리는 ρ가 작고 σ가 큰 재료이다 — 작은 전기장만 가해도 많은 전류가 흐르기 때문이다.
이 표현은 재료 내에서 비저항이 일정하고 기하학적 구조가 균일한 단면을 가질 때 위 "이상적인 경우"에서 주어진 공식으로 단순화된다. 이 경우 전기장과 전류 밀도는 일정하고 평행하다.
전기 저항률과 전도도 정의
재료의 비저항이 방향 성분을 가질 때, 비저항의 가장 일반적인 정의를 사용해야 한다. 이는 재료 내부의 전기장과 전류 흐름을 연결하는 옴의 법칙의 텐서-벡터 형태에서 시작된다. 이 방정식은 완전히 일반적이며, 위에서 언급된 경우를 포함한 모든 경우에 유효하다. 그러나 이 정의는 가장 복잡하므로, 더 간단한 정의를 적용할 수 없는 비등방성 경우에만 직접 사용된다. 재료가 등방성이라면, 텐서-벡터 정의를 무시하고 더 간단한 표현을 사용하는 것이 안전하다.
여기서 비등방성은 재료가 다른 방향에서 다른 특성을 갖는다는 것을 의미한다. 예를 들어, 흑연 결정은 미시적으로 시트 더미로 구성되어 있으며, 각 시트를 통해 전류가 매우 쉽게 흐르지만, 한 시트에서 인접한 시트로 흐르는 것은 훨씬 덜 쉽다. 이러한 경우, 전류는 전기장과 정확히 같은 방향으로 흐르지 않는다. 따라서 적절한 방정식은 3차원 텐서 형태로 일반화된다.
전기 저항률과 전도도 정의
여기서 전도도 σ와 비저항 ρ는 랭크-2 텐서이고, 전기장 E와 전류 밀도 J는 벡터이다. 이 텐서들은 3×3 행렬로, 벡터들은 3×1 행렬로 나타낼 수 있으며, 이 방정식의 오른쪽에는 행렬 곱셈이 사용된다. 행렬 형식으로 비저항 관계는 다음과 같이 주어진다.
여기서
동등하게, 비저항은 더 간결한 아인슈타인 표기법으로 주어질 수 있다.
어느 경우든, 각 전기장 성분에 대한 결과 표현은 다음과 같다.
좌표계의 선택은 자유롭기 때문에, 전류 방향과 평행한 x-축을 선택하여 표현을 단순화하는 것이 일반적인 관례이다. 따라서 Jy = Jz = 0이 된다. 그러면 다음이 남는다.
전도도는 비슷하게 정의된다.
또는
둘 다 다음을 초래한다.
두 표현을 보면 와 는 서로 역행렬이다. 그러나 가장 일반적인 경우, 개별 행렬 요소가 반드시 서로의 역수가 되는 것은 아니다. 예를 들어, σxx는 1/ρxx와 같지 않을 수 있다. 이것은 가 0이 아닌 홀 효과에서 볼 수 있다. 홀 효과에서 z-축에 대한 회전 불변성으로 인해  및 이므로, 비저항과 전도도 간의 관계는 다음과 같이 단순화된다.
전기장이 인가된 전류와 평행하면 와 는 0이다. 이들이 0일 때, 하나의 숫자 만으로 전기 비저항을 설명하기에 충분하다. 그러면 단순히 로 표기되며, 이는 더 간단한 표현으로 줄어든다.
전기 저항률과 전도도 전도성의 원인
전류는 전기적으로 대전된 입자의 정렬된 움직임이다. 구체적으로, 전류 밀도와 대전된 입자 속도 사이의 관계는 방정식 에 의해 지배되는데, 여기서 는 전류 밀도이고, 는 전하의 전하이며, 은 입자의 밀도이고, 는 그들의 표류 속도이며, 이는 장기적인 움직임의 시간 평균 측정치이다.
기본적인 양자역학에 따르면, 원자나 결정 내의 전자는 특정한 정밀한 에너지 준위만을 가질 수 있으며, 이 준위들 사이의 에너지는 불가능하다. 많은 수의 허용된 준위들이 밀접하게 배치된 에너지 값, 즉 미미하게만 다른 에너지를 가질 때, 이 밀접한 에너지 준위들의 조합을 "에너지 띠"라고 부른다. 재료 내에는 구성 원자의 원자 번호와 결정 내 분포에 따라 이러한 에너지 띠가 많을 수 있다.
전기 저항률과 전도도 전도성의 원인
재료의 전자들은 낮은 에너지 상태로 정착함으로써 재료 내의 총 에너지를 최소화하려고 한다. 그러나 파울리 배타 원리는 그러한 각 상태에 오직 하나의 전자만 존재할 수 있음을 의미한다. 그래서 전자들은 바닥부터 띠 구조를 "채운다". 전자들이 채운 특성 에너지 준위를 페르미 준위라고 부른다. 띠 구조에 대한 페르미 준위의 위치는 전기 전도에 매우 중요하다. 페르미 준위 근처 또는 그 이상의 에너지 준위에 있는 전자만이 더 넓은 재료 구조 내에서 자유롭게 움직일 수 있는데, 이는 전자들이 그 영역의 부분적으로 채워진 상태들 사이를 쉽게 뛰어넘을 수 있기 때문이다. 대조적으로, 낮은 에너지 상태는 항상 고정된 수의 전자로 완전히 채워져 있고, 높은 에너지 상태는 항상 전자로 비어 있다.
전류는 전자의 흐름으로 구성된다. 금속에는 페르미 준위 근처에 많은 전자 에너지 준위가 있으므로, 움직일 수 있는 많은 전자가 있다. 이것이 금속의 높은 전자 전도도의 원인이다.
전기 저항률과 전도도 전도성의 원인
띠 이론의 중요한 부분은 금지된 에너지 띠, 즉 에너지 준위가 없는 에너지 간격이 있을 수 있다는 점이다. 절연체와 반도체에서는 전자의 수가 특정 정수 개의 낮은 에너지 띠를 정확히 경계까지 채우기에 적절한 양이다. 이 경우 페르미 준위는 띠틈 내에 놓인다. 페르미 준위 근처에 이용 가능한 상태가 없고 전자가 자유롭게 움직일 수 없으므로 전자 전도도는 매우 낮다.
전기 저항률과 전도도 전도성의 원인
금속은 격자를 구성하는 원자들로 이루어져 있으며, 각 원자는 외부 전자 껍질을 가지고 있어 모원자로부터 자유롭게 떨어져 격자를 통해 이동한다. 이것은 양이온성 격자라고도 알려져 있다. 이 '떨어져나올 수 있는 전자들의 바다'는 금속이 전류를 전도할 수 있게 한다. 금속에 전기적인 전위차(전압)가 가해지면, 그 결과로 생기는 전기장은 전자들이 양극 단자를 향해 이동하도록 한다. 전자의 실제 표류 속도는 일반적으로 시간당 미터 단위로 작다. 그러나 엄청난 수의 움직이는 전자들 때문에 느린 표류 속도조차도 큰 전류 밀도를 초래한다. 이 메커니즘은 뉴턴의 요람에서 공들의 운동량 전달과 유사하지만, 전선을 따라 전기 에너지가 빠르게 전파되는 것은 기계적인 힘 때문이 아니라 전선에 의해 유도되는 에너지 운반 전자기장의 전파 때문이다.
전기 저항률과 전도도 전도성의 원인
대부분의 금속은 전기 저항을 가지고 있다. 더 간단한 모델(비양자 역학적 모델)에서는 전자와 결정 격자를 파동과 같은 구조로 대체하여 이를 설명할 수 있다. 전자파가 격자를 통과할 때, 파동은 간섭하여 저항을 일으킨다. 격자가 규칙적일수록 방해가 적게 발생하고 따라서 저항도 적다. 따라서 저항의 양은 주로 두 가지 요인에 의해 발생한다. 첫째, 온도와 그에 따른 결정 격자의 진동량에 의해 발생한다. 온도가 높을수록 더 큰 진동이 발생하여 격자의 불규칙성으로 작용한다. 둘째, 다른 이온의 혼합물도 불규칙성이므로 금속의 순도가 중요하다. 순수 금속이 녹을 때 전도도가 약간 감소하는 것은 장거리 결정질 질서의 손실 때문이다. 단거리 질서는 유지되며, 이온 위치 간의 강한 상관 관계는 인접 이온에 의해 회절된 파동들 사이의 일관성을 초래한다.
전기 저항률과 전도도 전도성의 원인
금속에서는 페르미 준위가 전도띠에 놓여 (위의 띠 이론 참조) 자유 전도 전자가 생성된다. 그러나 반도체에서는 페르미 준위의 위치가 띠틈 내에 있으며, 전도띠 최소값(채워지지 않은 전자 에너지 준위의 첫 번째 띠의 바닥)과 원자가띠 최대값(전도띠 아래의 채워진 전자 에너지 준위 띠의 상단)의 거의 중간에 위치한다. 이는 진성(비도핑) 반도체에 해당된다. 이는 절대 영도 온도에서는 자유 전도 전자가 없으며 저항이 무한하다는 것을 의미한다. 그러나 전도띠의 전하 운반자 밀도 (즉, 더 이상의 복잡한 설명 없이 전자의 밀도)가 증가함에 따라 저항은 감소한다. 불순물(도핑) 반도체에서는 도펀트 원자가 전도띠에 전자를 기부하거나 원자가띠에 양공을 생성하여 주전하 운반자 농도를 증가시킨다. ("양공"은 전자가 없는 위치를 의미하며, 이러한 양공은 전자와 유사하게 행동할 수 있다.) 두 가지 유형의 도너 또는 억셉터 원자 모두에서 도펀트 밀도를 증가시키면 저항이 감소한다. 따라서 고도로 도핑된 반도체는 금속처럼 행동한다. 매우 높은 온도에서는 열적으로 생성된 운반자의 기여가 도펀트 원자의 기여보다 우세하게 되며, 저항은 온도에 따라 지수적으로 감소한다.
전기 저항률과 전도도 전도성의 원인
전해질에서는 전기 전도가 띠 전자나 양공이 아닌, 각기 전하를 띠고 이동하는 완전한 원자 종(이온)에 의해 일어난다. 이온 용액(전해질)의 비저항은 농도에 따라 엄청나게 달라진다. 증류수는 거의 절연체이지만, 소금물은 상당한 전기 전도체이다. 이온성 액체에서의 전도도 역시 이온의 움직임에 의해 제어되지만, 여기서는 용매화된 이온보다는 용융염에 대해 이야기한다. 세포막에서는 이온성 염에 의해 전류가 운반된다. 세포막의 작은 구멍인 이온 통로는 특정 이온에 선택적이며 막 저항을 결정한다.
액체(예: 수용액) 내 이온 농도는 용해된 물질의 해리도에 따라 달라지며, 이는 해리 계수 로 특징지어지는데, 이는 이온 농도 과 용해된 물질 분자의 농도 의 비율이다.
용액의 비전기 전도도()는 다음과 같다.
여기서 : 이온 전하의 크기, 와 : 양전하 및 음전하 이온의 이동도, : 용해된 물질 분자의 농도, : 해리 계수.
전기 저항률과 전도도 전도성의 원인
금속성 도체의 전기 비저항은 온도가 낮아질수록 점차 감소한다. 구리나 은과 같은 일반(즉, 비초전도) 도체에서는 이러한 감소가 불순물 및 기타 결함에 의해 제한된다. 심지어 절대 영도에 가까운 온도에서도 일반 도체의 실제 샘플은 약간의 저항을 보인다. 초전도체에서는 재료가 임계 온도 이하로 냉각되면 저항이 갑자기 0으로 떨어진다. 일반 도체에서는 전류가 전압 기울기에 의해 구동되지만, 초전도체에서는 전압 기울기가 없으며 전류는 대신 초전도 질서 매개변수의 위상 기울기와 관련된다. 이로 인해 초전도 선 루프를 흐르는 전류는 전원 없이 무한히 지속될 수 있다.
모든 알려진 고온 초전도체를 포함하는 제2종 초전도체로 알려진 초전도체 종류에서는, 전기 전류가 강한 자기장과 함께 가해질 때 (이는 전기 전류에 의해 야기될 수 있음), 명목상 초전도 전이 온도보다 그리 멀지 않은 온도에서 극도로 낮지만 0이 아닌 비저항이 나타난다. 이는 전자 초유체 내 아브리코소브 소용돌이의 움직임 때문이며, 이는 전류가 운반하는 에너지의 일부를 소산시킨다. 이 효과로 인한 저항은 비초전도 물질의 저항에 비해 매우 작지만, 민감한 실험에서는 고려되어야 한다. 그러나 온도가 명목상 초전도 전이 온도보다 충분히 낮아지면, 이러한 소용돌이가 고정되어 물질의 저항이 진정으로 0이 될 수 있다.
플라즈마는 매우 우수한 전도체이며 전위는 중요한 역할을 한다.
대전된 입자들 사이의 공간에 평균적으로 존재하는 전위는 측정 방법과 관계없이 플라즈마 전위, 또는 공간 전위라고 불린다. 전극이 플라즈마에 삽입되면, 그 전위는 일반적으로 디바이 차폐 때문에 플라즈마 전위보다 상당히 낮다. 플라즈마의 우수한 전기 전도성은 그들의 전기장을 매우 작게 만든다. 이는 준중성성이라는 중요한 개념으로 이어지는데, 이는 플라즈마의 큰 부피( ne = ⟨Z⟩ > ni)에 걸쳐 음전하 밀도가 양전하 밀도와 거의 같다는 것을 의미하지만, 디바이 길이의 규모에서는 전하 불균형이 있을 수 있다. 이중층이 형성되는 특별한 경우에는 전하 분리가 수십 디바이 길이까지 확장될 수 있다.
전위와 전기장의 크기는 단순히 순 전하 밀도를 찾는 것 외의 다른 수단을 통해 결정되어야 한다. 흔한 예는 전자가 볼츠만 관계를 만족한다고 가정하는 것이다.
이 관계를 미분하면 밀도로부터 전기장을 계산하는 수단을 제공한다.
(∇는 벡터 기울기 연산자이다. 자세한 내용은 나블라 기호와 기울기 (벡터)를 참조)
준중성이 아닌 플라즈마를 생성하는 것도 가능하다. 예를 들어, 전자빔은 음전하만 가지고 있다. 비중성 플라즈마의 밀도는 일반적으로 매우 낮거나, 매우 작아야 한다. 그렇지 않으면, 반발적인 정전기력이 이를 소멸시킨다.
천체물리학적 플라즈마에서, 디바이 차폐는 전기장이 디바이 길이보다 큰 장거리에서 플라즈마에 직접적으로 영향을 미치는 것을 막는다. 그러나 대전 입자의 존재는 플라즈마가 자기장을 생성하고 그 영향을 받게 한다. 이는 플라즈마 이중층과 같이 수십 디바이 길이에 걸쳐 전하를 분리하는 객체를 생성하는 것과 같은 극도로 복잡한 행동을 유발할 수 있으며 실제로 유발한다. 외부 및 자체 생성 자기장과 상호작용하는 플라즈마의 역학은 자기 유체 역학 학문 분야에서 연구된다.
플라즈마는 종종 고체, 액체, 기체 다음의 네 번째 물질의 상태라고 불린다. 이는 다른 저에너지 물질의 상태와 구별된다. 형태나 부피가 정해져 있지 않다는 점에서 기체상과 밀접하게 관련되어 있지만, 다음과 같은 여러 면에서 다르다.
전기 저항률과 전도도 다양한 재료의 비저항 및 전도도
반도체 도핑의 정도는 전도도에 큰 차이를 만든다. 어느 정도까지는 더 많은 도핑이 더 높은 전도도로 이어진다. 물/수용액 용액의 전도도는 용해된 염 및 용액에서 이온화되는 다른 화학종의 농도에 크게 의존한다. 물 샘플의 전기 전도도는 샘플이 얼마나 염분, 이온 또는 불순물이 없는지를 나타내는 지표로 사용된다. 물이 순수할수록 전도도가 낮아진다(비저항이 높아진다). 물에서의 전도도 측정은 종종 25 °C에서의 순수한 물의 전도도와 비교하여 비전도도로 보고된다. 용액의 전도도를 측정하기 위해 일반적으로 EC 측정기가 사용된다. 간략한 요약은 다음과 같다.
이 표는 20 °C (68 °F; 293 K)에서의 다양한 재료의 비저항(ρ), 전도도 및 온도 계수를 보여준다.
유효 온도 계수는 재료의 온도와 순도 수준에 따라 달라진다. 20 °C 값은 다른 온도에서 사용될 때 단지 근사치일 뿐이다. 예를 들어, 구리의 경우 온도가 높을수록 계수가 낮아지며, 0.00427 값은 일반적으로 0 °C에서 명시된다.
전기 저항률과 전도도 다양한 재료의 비저항 및 전도도
은의 극히 낮은 비저항 (높은 전도도)은 금속의 특징이다. 조지 가모프는 그의 대중 과학 서적인 하나, 둘, 셋... 무한 (1947)에서 금속이 전자와 다루는 방식을 이렇게 요약했다.
금속 물질은 원자의 외부 껍질이 상당히 느슨하게 결합되어 있고 종종 전자를 하나 자유롭게 내보낸다는 사실에서 다른 모든 물질과 다르다. 따라서 금속 내부는 갈 곳 없는 사람들 무리처럼 목적 없이 돌아다니는 수많은 붙잡히지 않은 전자들로 채워져 있다. 금속 선의 양 끝에 전기적인 힘이 가해지면, 이 자유 전자들은 그 힘의 방향으로 돌진하여 우리가 전류라고 부르는 것을 형성한다.
더 기술적으로 말하면 자유 전자 모형은 금속에서 전자의 흐름에 대한 기본적인 설명을 제공한다.
목재는 매우 우수한 절연체로 널리 알려져 있지만, 그 비저항은 수분 함량에 민감하게 의존하며, 습한 목재는 오븐 건조 목재보다 최소 1010배 더 나쁜 절연체이다. 어떤 경우든, 낙뢰나 일부 고전압 송전선과 같이 충분히 높은 전압은 겉으로는 건조해 보이는 목재에서도 절연 파괴와 감전 위험을 초래할 수 있다.
전기 저항률과 전도도 온도 의존성
대부분의 재료의 전기 비저항은 온도에 따라 변한다. 온도 T가 너무 많이 변하지 않는다면, 일반적으로 선형 근사가 사용된다.
여기서 는 비저항의 온도 계수라고 불리며, 는 고정된 기준 온도(보통 실온)이고, 는 온도 에서의 비저항이다. 매개변수 는 측정 데이터에서 얻은 경험적 매개변수이다. 선형 근사는 단지 근사치이기 때문에 는 기준 온도에 따라 다르다. 이러한 이유로 가 측정된 온도를 와 같이 접미사로 지정하는 것이 일반적이며, 관계는 기준 온도 주변의 온도 범위에서만 유효하다. 온도가 넓은 온도 범위에서 변하는 경우, 선형 근사는 부적절하며 더 자세한 분석과 이해가 필요하다.
일반적으로 금속의 전기 비저항은 온도가 증가함에 따라 증가한다. 전자-포논 상호작용이 중요한 역할을 할 수 있다. 고온에서는 금속의 저항이 온도에 선형적으로 증가한다. 금속의 온도가 감소함에 따라, 비저항의 온도 의존성은 온도의 거듭제곱 함수를 따른다. 수학적으로 금속의 비저항 ρ의 온도 의존성은 블로흐-그뤼나이젠 공식으로 근사화할 수 있다.
전기 저항률과 전도도 온도 의존성
여기서 는 결함 산란으로 인한 잔류 비저항이고, A는 페르미 표면에서의 전자의 속도, 디바이 반경 및 금속 내 전자의 개수밀도에 따라 달라지는 상수이다. 은 비저항 측정에서 얻은 디바이 온도이며, 비열 측정에서 얻은 디바이 온도 값과 매우 밀접하게 일치한다. n은 상호작용의 본질에 따라 달라지는 정수이다.
블로흐-그뤼나이젠 공식은 연구된 금속이 첫 번째 브릴루앙 영역 내에 내접하는 구형 페르미 표면과 디바이 포논 스펙트럼을 가진다고 가정한 근사치이다.
하나 이상의 산란원이 동시에 존재할 경우, (1860년대에 아우구스투스 마티센이 처음으로 공식화한) 마티센 법칙은 총 저항을 적절한 n 값을 가진 여러 다른 항을 더하여 근사할 수 있다고 명시한다.
금속의 온도가 충분히 낮아지면(모든 포논을 '동결'시키기 위해) 비저항은 보통 잔류 비저항이라는 일정한 값에 도달한다. 이 값은 금속의 종류뿐만 아니라 그 순도와 열처리 이력에 따라 달라진다. 금속의 잔류 비저항 값은 불순물 농도에 의해 결정된다. 일부 재료는 초전도 현상으로 알려진 효과로 인해 충분히 낮은 온도에서 모든 전기 비저항을 잃는다.
전기 저항률과 전도도 온도 의존성
금속의 저온 비저항에 대한 연구는 1911년 초전도 현상의 발견으로 이어진 헤이커 카메를링 오너스의 실험의 동기가 되었다. 자세한 내용은 초전도 현상의 역사를 참조하라.
비데만-프란츠 법칙은 열 및 전하 수송이 전자에 의해 지배되는 물질의 경우, 열 전도도와 전기 전도도의 비율이 온도에 비례한다고 명시한다.
여기서 는 열 전도도이고, 는 볼츠만 상수이며, 는 전자 전하이고, 는 온도이며, 는 전기 전도도이다. 우변의 비율을 로렌츠 수라고 한다.
일반적으로 진성 반도체 비저항은 온도가 증가함에 따라 감소한다. 전자들은 열에너지에 의해 전도띠로 밀려나 자유롭게 흐르고, 그 과정에서 원자가띠에 양공을 남기는데, 이 또한 자유롭게 흐른다. 전형적인 진성 (비도핑) 반도체의 전기 저항은 아레니우스 모형을 따라 온도에 따라 지수적으로 감소한다.
반도체 비저항의 온도 의존성에 대한 더 나은 근사치는 스타인하트-하트 방정식으로 주어진다.
여기서 A, B, C는 소위 스타인하트-하트 계수이다.
이 방정식은 서미스터를 보정하는 데 사용된다.
전기 저항률과 전도도 온도 의존성
불순물(도핑된) 반도체는 훨씬 더 복잡한 온도 프로파일을 갖는다. 절대 영도에서 온도가 증가하기 시작하면, 운반자가 도너 또는 억셉터에서 떨어져 나오면서 저항이 급격히 감소한다. 대부분의 도너 또는 억셉터가 운반자를 잃은 후에는, 운반자의 이동성이 감소하여(금속과 유사하게) 저항이 다시 약간 증가하기 시작한다. 더 높은 온도에서는 도너/억셉터에서 나오는 운반자가 열적으로 생성된 운반자에 비해 중요하지 않게 되므로 진성 반도체처럼 행동한다.
비정질 반도체에서는 전하가 한 국부화된 사이트에서 다른 사이트로 양자 터널링을 통해 전도될 수 있다. 이는 가변 범위 호핑으로 알려져 있으며, 시스템의 차원에 따라 의 특징적인 형태를 갖는다.
여기서 n = 2, 3, 4이다.
콘도 절연체는 비저항이 다음 공식을 따르는 물질이다.
여기서 , ,  및 는 상수 매개변수이고, 는 잔류 비저항,  는 페르미 액체 기여, 는 격자 진동 항, 그리고 는 곤도 효과이다.
전기 저항률과 전도도 복소 비저항 및 전도도
유전체 분광법과 같이 교류 전기장(유전체 분광법)에 대한 물질의 반응을 분석할 때 전기 임피던스 단층촬영과 같은 응용 분야에서는 비저항을 임피던스라고 불리는 복소수 양으로 대체하는 것이 편리하다(이는 온저항에 비유된다). 임피던스는 실성분인 비저항과 허수성분인 반응도(이는 리액턴스에 비유된다)의 합이다. 임피던스의 크기는 비저항과 반응도의 크기 제곱의 합의 제곱근이다.
반대로, 이러한 경우 전도도는 복소수 (또는 비등방성 재료의 경우 복소수 행렬)로 표현되어야 하며 이를 어드미턴스라고 부른다. 어드미턴스는 전도도라고 불리는 실성분과 서셉턴스라고 불리는 허수성분의 합이다.
교류 전류에 대한 응답의 대체 설명은 실제(그러나 주파수 의존적인) 전도도와 실제 유전율을 사용한다. 전도도가 클수록 교류 신호가 재료에 더 빨리 흡수된다(즉, 재료가 더 불투명해진다). 자세한 내용은 불투명도의 수학적 설명을 참조.
전기 저항률과 전도도 복잡한 기하학적 구조에서의 저항 대 비저항
재료의 비저항이 알려져 있더라도, 그것으로 만들어진 어떤 것의 저항을 계산하는 것은 위 공식 보다 훨씬 복잡할 수 있다. 한 가지 예는 확산 저항 프로파일링인데, 재료가 불균일하고(다른 위치에서 다른 비저항을 가짐) 전류 흐름의 정확한 경로가 명확하지 않다.
이러한 경우, 방정식
는 다음으로 대체되어야 한다.
여기서 E와 J는 이제 벡터장이다. 이 방정식은 J에 대한 연속 방정식과 E에 대한 푸아송 방정식과 함께 편미분 방정식 집합을 형성한다. 특별한 경우에는 이러한 방정식에 대한 정확하거나 근사적인 해를 손으로 구할 수 있지만, 복잡한 경우에 매우 정확한 답을 얻으려면 유한 요소 해석과 같은 컴퓨터 방법이 필요할 수 있다.
전기 저항률과 전도도 비저항-밀도 곱
물품의 무게가 매우 중요한 일부 응용 분야에서는 절대적으로 낮은 비저항보다 비저항과 밀도의 곱이 더 중요하다. 비저항이 더 높더라도 도체를 더 두껍게 만들어 보상하는 것이 종종 가능하며, 이때 낮은 비저항-밀도 곱(또는 동등하게 높은 전도도/밀도 비율)을 가진 재료가 바람직하다. 예를 들어, 장거리 송전선의 경우, 같은 전도도에 대해 더 가볍기 때문에 구리(Cu) 대신 알루미늄이 자주 사용된다.
은은 알려진 가장 저항이 낮은 금속이지만, 밀도가 높고 이 측정에서는 구리와 유사하게 작동하지만 훨씬 더 비싸다. 칼슘과 알칼리 금속은 최고의 비저항-밀도 곱을 가지지만, 물과 산소에 대한 높은 반응성과 물리적 강도 부족 때문에 도체로 거의 사용되지 않는다. 알루미늄은 훨씬 더 안정적이다. 독성 때문에 베릴륨은 선택에서 제외된다. 순수 베릴륨은 또한 부서지기 쉽다. 따라서 도체의 무게나 비용이 주요 고려 사항일 때 알루미늄이 일반적으로 선택되는 금속이다.
전기 저항률과 전도도 역사
1774년 네덜란드 태생의 영국 과학자 얀 잉엔하우스에게 보낸 편지에서, 벤저민 프랭클린은 또 다른 영국 과학자 존 월시의 실험에 대해 언급하는데, 이는 놀라운 사실을 보여주었다고 한다. 즉, 희박한 공기는 일반 공기보다 전기를 더 잘 전도하지만, 진공은 전기를 전혀 전도하지 않는다는 것이다.
월시 씨는... 전기 분야에서 흥미로운 발견을 막 했습니다. 아시다시피, 희박한 공기에서는 조밀한 공기보다 전기가 더 자유롭게 흐르고 더 넓은 공간을 통과한다는 것을 우리는 알고 있습니다. 그래서 완벽한 진공에서는 최소한의 방해도 없이 어떤 거리든 통과할 것이라고 결론 내렸습니다. 그러나 긴 토리첼리 구부러진 튜브에 끓인 수은을 사용하여 완벽한 진공을 만든 후, 그 끝을 수은으로 가득 찬 컵에 담그자, 그는 진공이 전기를 전혀 전도하지 않고 전기 유체의 통과를 절대적으로 저항한다는 것을 발견했습니다.
전기 저항률과 전도도 역사
그러나 이 진술에는 해당 편지를 호스팅하는 웹 페이지의 편집자들(미국 철학회 및 예일 대학교)이 현대 지식을 바탕으로 추가한 각주가 있다.
월시의 발견에 뭔가 문제가 있었다고밖에 생각할 수 없습니다. ... 기체의 전도도는 진공에 가까워질수록 특정 지점까지 증가했다가 감소하지만, 그 지점은 설명된 기술로는 도달할 수 없을 정도로 훨씬 넘어섭니다. 끓이는 과정은 공기를 수은 증기로 대체했고, 이것이 냉각되면서 생성된 진공은 증기의 전도도를 감소시키기는커녕 제거할 수 있을 만큼 완벽하지 못했을 것입니다.
발로우의 법칙은 1825년에 발표되었고 옴의 법칙은 1827년에 발표되었다. 둘 다 측정 데이터에 대한 경험적 적합이었다. 전자가 왜 이런 식으로 행동하는지에 대한 최초의 과학적 설명은 1900년에 처음 제안된 드루드 모형이다.
뮤트 (TV 시리즈)
《뮤트》(스페인어: El silencio→침묵)는 2023년 넷플릭스에서 공개된 스페인의 심리 스릴러 미니시리즈이다.
뮤트 (TV 시리즈) 개요
세르히오는 미성년자였을 때 부모님을 살해한 뒤 철저히 침묵을 지키며 수사에 전혀 협조하지 않았다. 6년 후 세르히오가 풀려나자 정신과의 아나는 그가 여전히 사회에 위협이 된다고 생각하며 비밀리에 그를 밤낮으로 지켜본다.
주영국
주영국(朱永國, 1970년 ~ )은 대한민국의 소방공무원이다. 대한민국육군에서 특전부사관으로 복무하였으며 1995년 구조 분야 경력경쟁채용으로 입직한 이후 중앙과 지방을 두루 거쳐 소방청 장비총괄과장, 보건안전담당관, 국립소방병원건립추진단장 등을 역임했고, 2024년 12월 31일부터 제19대 제주특별자치도 소방안전본부장을 지냈다. 2025년 9월 19일 소방감으로 승진하여 전라남도 소방본부장에 임명되었다.
주영국 생애
충청북도 청원군 오창면(현 청주시 청원구 오창읍에서 태어났다. 1995년 구조 분야 경력경쟁채용으로 소방공무원에 입직했다. 중앙부처와 광역본부에서 대응‧예방, 장비, 보건안전 업무를 담당했으며, 2019년 1월 취임 진천소방서장으로 취임하였었다.
2017년에는 충주에서 개최된 ‘2018 세계소방관경기대회’준비를 위해 충주세계소방관경기대회 추진단장을 맡아 대회 준비를 총괄했다.
시라세 노부
시라세 노부(일본어: 白 (しら)瀬 (せ) 矗 (のぶ), 분큐 원년 6월 13일(1861년 7월 20일) ~ 1946년 9월 4일)는 일본 제국 육군의 장교이자 남극 탐험가이다. 일본 최초로 남극점 도달을 시도하여 도달 장소를 "야마토 유키하라"로 명명했다.
전하 운반자 밀도
전하 운반자 밀도(영어: Charge carrier density), 또는 캐리어 농도(영어: carrier concentration)는 부피당 전하 운반자의 수를 나타낸다. SI 단위계에서는 m-3으로 측정된다. 다른 밀도와 마찬가지로 원칙적으로 위치에 따라 달라질 수 있다. 그러나 일반적으로 운반자 농도는 단일 숫자로 주어지며, 전체 재료에 대한 평균 운반자 밀도를 나타낸다.
전하 운반자 밀도는 도전율에 관한 방정식, 열전도율과 같은 관련 현상, 공유 결합과 같은 화학 결합을 포함한다.
전하 운반자 밀도 계산
운반자 밀도는 일반적으로 재료의 전하 운반자 에너지 범위에 걸쳐 상태 밀도를 적분하여 이론적으로 얻어진다(예: 전자의 경우 전도띠에 걸쳐 적분, 정공의 경우 원자가띠에 걸쳐 적분).
총 전하 운반자 수가 알려져 있으면 단순히 부피로 나누어 운반자 밀도를 구할 수 있다. 이를 수학적으로 나타내면, 전하 운반자 밀도는 입자 밀도이므로, 부피 에 걸쳐 이를 적분하면 해당 부피 내 전하 운반자 수 이 된다.
여기서 은 위치에 따라 달라지는 전하 운반자 밀도이다.
밀도가 위치에 의존하지 않고 상수 과 같으면 이 방정식은 다음과 같이 단순화된다.