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노 킹스 시위 미국 주별 시위
노 킹스 시위는 래피드시티, 스피어피시 (사우스다코타주), 피어 (사우스다코타주), 챔벌레인 (사우스다코타주), 워터타운 (사우스다코타주), 브루킹스 (사우스다코타주), 수폴스에서 열렸다.
내슈빌에 최소 1만 명의 사람들이 모였으며, 총기를 휘두른 반대 시위자 단 한 명만이 체포되었다. 트라이시티스, 멤피스 (테네시주), 채터누가, 클라크스빌 (테네시주), 모리스타운 (테네시주), 녹스빌에서도 시위가 열렸다. 녹스빌 시위에는 약 7,500명이 참석했다.
오스틴 (텍사스주)와 휴스턴에서 시위가 계획되었다. 그레이터휴스턴의 다른 지역에서는 콘로 (텍사스주), 사이프러스 (텍사스주), 케이티 (텍사스주), 킹우드 (휴스턴), 리그시티, 슈거랜드 (텍사스주), 더우들랜즈에서 시위가 계획되었다. 텍사스 동부에서도 시위가 계획되었다. 애벗 주지사는 만일의 사태에 대비하여 주 전역에 약 5,000명의 텍사스 주 방위군과 2,000명의 주 경찰을 배치했다.
텍사스 북부에는 알링턴 (텍사스주), 벌레슨 (텍사스주), 캐럴턴 (텍사스주), 콜린군, 댈러스, 덴턴 (텍사스주), 플라워 마운드 (텍사스주), 포트워스, 프리스코 (텍사스주), 그린빌 (텍사스주), 코프먼군, 매키니 (텍사스주), 상어 (텍사스주), 셔먼 (텍사스주), 웨더퍼드 (텍사스주)를 포함하여 약 15개의 시위가 계획되었다. 수천 명의 사람들이 텍사스 북부 시위에 참여했다.
텍사스 중앙에서는 록하트 (텍사스주), 드립핑 스프링스 (텍사스주), 프레더릭스버그 (텍사스주)와 같은 도시에서 시위가 계획되었고, 배스트롭 (텍사스주), 플러거빌 (텍사스주), 테일러 (텍사스주)에서 개최되었다.
휴스턴 시내에는 15,000명의 시위대가 모였으며, 샌안토니오에서는 수천 명이 행진했다. 매캘런, 애머릴로, 러벅 (텍사스주), 러레이도, 엘패소에서도 시위가 있었다.
솔트레이크시티, 로건 (유타주), 오그던 (유타주), 프로보, 히버 시티, 파크시티 (유타주), 에프라임 (유타주), 프라이스 (유타주), 모압 (유타주), 볼더 (유타주), 시더시티, 세인트조지 (유타주), 캐나브에서 시위가 열렸다.
저녁에는 솔트레이크시티 파이어니어 공원 (솔트레이크시티)에 1만 명 이상의 사람들이 모여 집회를 연 후 시내를 행진했다. 행진 중 시위의 "평화유지팀" 자원봉사자가 아르투로 감보아를 총격하여 부상시키고, 구경꾼 아파 아 루를 맞혔다. 아 루는 나중에 부상으로 사망했다. 총격범은 퇴역 군인으로, 감보아가 "돌격형" 소총을 들고 군중을 향해 달려왔다고 증언했다. 그러나 이 증언은 영상이 감보아가 소총을 아래로 향하고 있었고, 감보아가 도망치려 하기 전에 첫 발이 발사된 것을 보여주면서 의문이 제기되었다. 감보아는 살인 혐의로 체포되었지만, 경찰은 수사가 진행 중이며 아직 기소된 혐의는 없다고 밝혔다. 감보아와 아 루를 총격한 자원봉사자는 아직 구금되지 않았다.
스토 (버몬트주)에서 버니 샌더스 상원의원이 500명 이상의 '노 킹스 데이' 시위에 동참했다. 벌링턴 (버몬트주)에서는 16,000명 이상이 시위에 참석했다. 세인트 존스베리에서 인디비저블이 조직한 집회에는 수백 명이 참석했다. 주최측에 따르면 베닝턴의 약 1,000명이 "노 킹스!"라는 인간 표지판을 만들기 위해 모였다.
주 내에서 약 50개의 시위가 계획되었으며, 샬러츠빌, 루이자 (버지니아주), 버지니아비치, 피터스버그 (버지니아주), 스톤턴 (버지니아주), 리치먼드 (버지니아주), 윌리엄스버그 (버지니아주)와 같은 도시가 포함된다. 체서피크 (버지니아주), 린치버그 (버지니아주), 로어노크 (버지니아주)에는 수백 명이 모였다.
컬페퍼군에서 한 남성이 군중 속으로 차를 몰고 돌진했다.
수천 명의 사람들이 알렉산드리아의 올드 타운에서 시위를 벌였다. 시위는 알링턴, 페어팩스, 폴스 처치, 리즈버그, 매너서스에서도 발생했다.
시애틀에서는 70,000명이 넘는 시위대가 캐피틀 힐에서 시애틀 다운타운을 거쳐 시애틀 센터까지 행진했는데, 이는 도시 역사상 가장 큰 시위 중 하나였다. 시애틀–베인브리지 아일랜드 페리의 MV 칼리턴에서도 제이 인즐리 전 주지사가 연설자로 나선 가운데 시위가 열렸다. 올림피아의 주의사당 밖에서는 5,000명이 넘는 사람들이 시위를 벌였다. 교외의 피어스, 스노호미시, 킹 카운티에서도 시위가 열렸는데, 에버렛의 브로드웨이를 따라 대규모 시위와 터코마의 피플스 파크에서 시위가 포함되었다. 유니언 갭에서는 2,200명이 넘는 사람들이 붐비는 교차로에 줄을 서서 "경적-흔들기" 형태의 시위에 참여했다. 벨링햄에서는 수천 명의 사람들이 시청 앞에서 시위에 참여했다.
시위는 밴쿠버, 스포캔뿐만 아니라 왓컴 및 스캐짓 카운티에서도 예정되었다.
시위는 버클리 스프링스, 블루필드, 버캐넌, 찰스턴, 엘킨스, 헌팅턴, 모건타운, 마틴즈버그, 루이스버그, 롬니, 셰퍼드스타운, 그리고 휠링에서 계획되었다.
밀워키에서는 수천 명, 매디슨에서는 15,000명이 넘는 사람들이 위스콘신 대학교 매디슨 캠퍼스에 모여 위스콘신주 의사당까지 행진했다.
캐스퍼에서는 약 600명이 시위를 벌였고, 잭슨의 타운 스퀘어에서는 225명에서 300명 사이의 사람들이 집회에 참석했다. 알파인에서는 60명 이상이 모였다. 다른 시위는 버펄로, 샤이엔, 코디, 질레트, 랜더, 래러미, 파인데일, 록스프링스, 셰리든, 그리고 월랜드에서 계획되었다.
노 킹스 시위 미국 속령에서의 시위
환경 및 문화 직접행동 단체인 프루테히 과한(Prutehi Guåhan)이 조직한 괌에서의 시위는 데데도의 마이크로네시아 몰 근처 주요 교차로에서 열렸다. 괌 의원을 역임하고 현재 공공 감사관인 BJ 크루즈는 시위에 대한 성명을 발표하며 미국 국경 내 군대 배치는 위헌이라고 말했다. 북마리아나 제도 사이판에서도 시위가 계획되었다. 푸에르토리코에서는 비에호 산후안에서 노 킹스 시위가 조직되었다. 미국령 버진아일랜드에서도 세인트 토머스와 세인트 존을 포함하여 다양한 시위가 일어났다. 세인트 존 주최자들은 인디비저블 무브먼트와 협력했다.
노 킹스 시위 국제 시위
미국 밖에서도 많은 시위가 조직되었는데, 어떤 경우에는 반군주제의 인상을 피하기 위해 다른 이름으로 진행되었다.
캐나다에서는 밴쿠버에서 시위가 발생했다. 오타와의 주캐나다 미국 대사관 앞에서는 "폭군 반대(No Tyrants)"라는 이름으로 또 다른 시위가 열렸다.
코스타리카의 산호세에서는 미국 대사관 앞에서 시위가 일어났는데, 주로 도시 내 미국 디아스포라로 구성되었다.
일본에서는 도쿄 시부야에서 시위가 발생했다. 이 시위에는 현지 일본인과 미국 이민자 모두 참여했으며, "왕관 금지! 왕 금지!"라고 불렸다. 시위는 해외 거주 민주당원(Democrats Abroad)에 의해 조직되었다.
멕시코에서는 여러 시위가 있었다. 멕시코시티에서의 시위는 콜로니아 로마의 플라자 루이스 카브레라에서 시작하여 수백 명의 사람들이 참여한 가운데 파세오 데 라 레포르마 애비뉴에 있는 멕시코시티 미국 대사관까지 이어졌다. 최소 80명이 참여한 시위가 멕시코 도시 엔세나다에서도 일어났으며, 또 다른 시위는 로사리토에서 열렸다.
노 킹스 시위 국제 시위
말라위의 릴롱궤 47구역에서 시위가 일어났다.
남아프리카에서도 시위가 있었다.
유럽에서는 주로 해외 거주 민주당원(Democrats Abroad)에 의해 많은 시위가 조직되었다.
벨기에 브뤼셀의 미국 대사관 앞에서 해외 거주 민주당원이 최소 100명이 참여하는 시위를 조직했다.
체코 공화국에서는 프라하의 얀 팔라흐 광장에 약 200명이 모였다. 시위는 해외 거주 민주당원과 프라하 국제 유니테리언 교회가 조직했다. 시위의 명칭은 "폭군 반대 시위"였다. 현지 대학의 롬인 심리학 학생인 로빈 발로그(Robin Balog)는 단상에 올라 롬인들이 겪었던 억압의 역사적 경험과 "인간성보다 권력과 이익을 우선하는 시스템에 대한 단합된 저항"을 언급하며, 트럼프 2기 행정부를 비판했다. 그는 또한 대규모 추방을 비판하고 트랜스젠더 인권과 여성 인권을 지지했다. 그의 연설은 지역 뉴스에 보도되었다.
노 킹스 시위 국제 시위
덴마크에서는 코펜하겐의 콩엔스 뉘토르브에서 시위가 발생하여 미국 대사관 앞으로 이동했으며, 최대 300명의 시위대가 거리로 나왔다. 시위의 구호는 반군주제주의자와의 혼동을 피하기 위해 "왕은 없다(No Kings)" 대신 "폭군은 없다(No Tyrants)"로 변경되었다. 시위는 해외 거주 민주당원(Democrats Abroad)이 조직했다.
핀란드에서는 "해외 거주 민주당원(Democrats Abroad)"이 헬싱키 시민 광장에서 시위를 계획했다.
프랑스에서는 파리에서 수백 명이 행진했고, 니스에서는 약 100명이 행진했다.
독일에서는 베를린과 함부르크에서 여러 시위가 계획되었고, 프랑크푸르트에서는 200명이 오페른플라츠에 모였다.
이탈리아에서는 피렌체의 비아 데이 곤디와 토리노의 카리냐노 광장에서 시위가 열렸다. 이 시위는 해외 거주 민주당원(Democrats Abroad)이 조직했다.
아일랜드에서는 더블린의 미국 대사관 밖에서 시위가 열렸다.
네덜란드에서는 해외 거주 민주당원이 조직한 시위가 암스테르담의 미국 영사관 밖에서 열렸다. 이 시위는 반군주제주의의 인상을 피하기 위해 "폭군은 없다(No Tyrants)"로 명명되었다.
노 킹스 시위 국제 시위
노르웨이에서는 오슬로에서 독재자 반대(No Dictators) 시위가 열렸다.
포르투갈에서는 해외 거주 민주당원(Democrats Abroad)이 조직한 시위가 리스본의 헤스타우라도르스 광장에서 열렸다. 주로 포르투갈에 거주하는 미국 이민자들을 중심으로 최소 100명이 참여했다. 포르투의 폰테 도스 레오스에서도 시위가 계획되었다.
스페인에서는 해외 거주 민주당원이 조직한 시위가 바르셀로나 시청에서 열렸다. 이 시위는 반군주제주의와 혼동되지 않도록 "독재자 반대: 저항의 날"이라는 이름으로 진행되었다. 이 행사의 참석자 수는 근처 팔레스타인 지지 시위의 영향으로 다소 제한적이었다는 점은 주목할 만하다.
스웨덴에서는 스톡홀름, 우메오 그리고 말뫼에서 해외 거주 민주당원(Democrats Abroad)과 스코네 협회(Skåne Association)가 조직한 시위가 있었다. 점심 시간까지 약 80명의 미국인들이 말뫼의 스토르토리에트에 모였다.
노 킹스 시위 국제 시위
스위스에서는 "해외 거주 민주당원(Democrats Abroad)"이 제네바와 취리히에서 "왕은 없다 시위(No Kings protests)"라는 이름으로 시위를 조직했으며, 취리히에서는 취리히 페미니스트 파업(Zürich Feministicher Streik)이라는 이름으로도 시위가 진행되었다.
영국에서도 해외 거주 민주당원(Democrats Abroad)이 조직한 시위가 있었다. 잉글랜드 런던에서는 반군주제주의자와의 잠재적인 혼동을 피하기 위해 "폭군은 없다(No Tyrants)"와 "광대는 없다(No Clowns)"라는 이름으로 시위가 열렸는데, 특히 이날이 찰스 3세 국왕의 공식 생일이었고 시위 장소 근처에서 퍼레이드가 열리고 있었기 때문이었다. 이 시위에는 수백 명의 사람들이 참여했다. 스코틀랜드 에든버러에서는 미국 영사관 밖에서 시위가 열렸다.
팔보산 혁명공묘
팔보산 혁명공묘(八宝山革命公墓)는 베이징시 스징산구 팔보산가도에 있는 국립 묘지로 중화인민공화국 정권에 의해 중요한 인물로 간주되거나 영향력이 큰 인물들이 매장되어 있다. 외국인도 매장되어 있다.
메모리 셀
메모리 셀(memory cell)은 주기억장치의 기본적인 구성 요소이다. 메모리 셀은 1비트의 이진 정보를 저장하는 전자 회로이며, 논리 1(높은 전압 레벨)을 저장하도록 설정하고 논리 0(낮은 전압 레벨)을 저장하도록 재설정해야 한다. 그 값은 설정/재설정 프로세스에 의해 변경될 때까지 유지/저장된다. 메모리 셀의 값은 읽기를 통해 접근할 수 있다.
컴퓨터 역사를 통틀어 코어 메모리와 버블 메모리를 포함한 다양한 메모리 셀 아키텍처가 사용되었다. 오늘날 가장 일반적인 메모리 셀 아키텍처는 MOS 메모리이며, 이는 금속 산화물 반도체(MOS) 메모리 셀로 구성된다. 현대의 랜덤 액세스 메모리(RAM)는 MOS 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)를 플립플롭으로 사용하며, 특정 유형의 RAM에는 MOS 축전기를 사용한다.
메모리 셀
SRAM(정적 RAM) 메모리 셀은 일반적으로 MOSFET을 사용하여 구현되는 일종의 플립플롭 회로이다. 이들은 접근하지 않을 때 저장된 값을 유지하는 데 매우 낮은 전력을 필요로 한다. 두 번째 유형인 DRAM(동적 RAM)은 MOS 축전기를 기반으로 한다. 축전기를 충전 및 방전하여 셀에 '1' 또는 '0'을 저장할 수 있다. 그러나 축전기의 전하가 천천히 소산되기 때문에 주기적으로 새로 고쳐야 한다. 이러한 리프레시 프로세스로 인해 DRAM은 더 많은 전력을 소비하지만 더 높은 저장 밀도를 달성할 수 있다.
반면, 대부분의 비휘발성 메모리(NVM)는 플로팅 게이트 메모리 셀 아키텍처를 기반으로 한다. EPROM, EEPROM, 플래시 메모리와 같은 비휘발성 메모리 기술은 플로팅 게이트 MOSFET 트랜지스터에 의존하는 플로팅 게이트 메모리 셀을 활용한다.
메모리 셀 설명
메모리 셀은 메모리의 기본 구성 요소이다. 이는 바이폴라, MOS 및 기타 반도체 소자와 같은 다양한 기술을 사용하여 구현할 수 있다. 또한 자기 재료(예: 페라이트 코어 또는 자기 버블)로도 만들 수 있다. 사용된 구현 기술에 관계없이 이진 메모리 셀의 목적은 항상 동일하다. 이는 셀을 읽어서 접근할 수 있는 1비트의 이진 정보를 저장하며, 1을 저장하도록 설정하고 0을 저장하도록 재설정해야 한다.
메모리 셀 중요성
메모리 셀이 없는 논리 회로를 조합 논리라고 하며, 출력은 현재 입력에만 의존한다. 그러나 메모리는 디지털 시스템의 핵심 요소이다. 컴퓨터에서는 프로그램과 데이터를 모두 저장할 수 있으며, 메모리 셀은 나중에 디지털 시스템에서 사용될 조합 회로의 출력을 임시로 저장하는 데도 사용된다. 메모리 셀을 사용하는 논리 회로를 순차 회로라고 하며, 출력은 현재 입력뿐만 아니라 과거 입력의 기록에도 의존한다. 과거 입력 기록에 대한 이러한 의존성은 이러한 회로를 상태성으로 만들며, 이 상태를 저장하는 것은 메모리 셀이다. 이러한 회로는 작동을 위해 타이밍 생성기 또는 클록이 필요하다.
메모리 셀 중요성
대부분의 현대 컴퓨터 시스템에 사용되는 컴퓨터 메모리는 주로 DRAM 셀로 구성된다. 레이아웃이 SRAM보다 훨씬 작기 때문에 더 조밀하게 집적되어 더 저렴하고 용량이 더 큰 메모리를 생산할 수 있다. DRAM 메모리 셀은 축전기의 전하로 값을 저장하며, 전류 누설 문제가 있기 때문에 그 값을 지속적으로 다시 써야 한다. 이것이 DRAM 셀이 더 큰 SRAM(정적 RAM) 셀보다 느린 이유 중 하나이다. SRAM 셀은 그 값이 항상 사용 가능하다. 이것이 SRAM 메모리가 현대 마이크로프로세서 칩에 포함된 온-칩 캐시에 사용되는 이유이다.
메모리 셀 역사
1946년 12월 11일, 프레디 윌리엄스는 128개의 40비트 워드를 저장하는 자신의 음극선관(CRT) 저장 장치(윌리엄스관)에 대한 특허를 출원했다. 이 장치는 1947년에 작동되었으며, 랜덤 액세스 메모리(RAM)의 최초의 실용적인 구현으로 간주된다. 같은 해, 자기코어 메모리에 대한 최초의 특허 출원이 프레데릭 비헤에 의해 제출되었다. 실용적인 자기코어 메모리는 1948년 왕안에 의해 개발되었고, 1950년대 초반 제이 포레스터와 얀 A. 라이크만에 의해 개선된 후, 1953년 Whirlwind 컴퓨터와 함께 상용화되었다. 켄 올슨 또한 그 개발에 기여했다.
반도체 메모리는 1960년대 초반 바이폴라 트랜지스터로 만들어진 바이폴라 메모리 셀로 시작되었다. 성능은 향상되었지만 자기코어 메모리의 낮은 가격과 경쟁할 수 없었다.
메모리 셀 역사
1957년, 프로쉬와 데릭은 벨 연구소에서 최초의 이산화규소 전계 효과 트랜지스터를 제조할 수 있었는데, 이는 드레인과 소스가 표면에 인접한 최초의 트랜지스터였다. 이후 1960년 벨 연구소에서 한 팀이 작동하는 MOSFET을 시연했다. MOSFET의 발명은 이전에 자기 코어가 수행하던 기능인 금속 산화물 반도체(MOS) 트랜지스터를 메모리 셀 저장 요소로 실용적으로 사용할 수 있게 했다.
최초의 현대 메모리 셀은 1964년 존 슈미트가 최초의 64비트 p-채널 MOS(PMOS) 정적 RAM(SRAM)을 설계하면서 도입되었다.
메모리 셀 역사
SRAM은 일반적으로 6개의 트랜지스터 셀을 가지는 반면, DRAM(동적 랜덤 액세스 메모리)은 일반적으로 단일 트랜지스터 셀을 가진다. 1965년, 도시바의 Toscal BC-1411 전자 계산기는 저마늄 바이폴라 트랜지스터와 콘덴서로 구성된 개별 메모리 셀에 180비트 데이터를 저장하는 형태의 정전식 바이폴라 DRAM을 사용했다. MOS 기술은 현대 DRAM의 기반이다. 1966년, 로버트 H. 데나드는 IBM 토머스 J. 왓슨 연구 센터에서 MOS 메모리 연구를 진행하고 있었다. MOS 기술의 특성을 조사하던 중, 그는 MOS 기술이 축전기를 만들 수 있으며, MOS 축전기에 전하를 저장하거나 저장하지 않는 것이 비트의 1과 0을 나타낼 수 있고, MOS 트랜지스터가 축전기에 전하를 쓰는 것을 제어할 수 있음을 발견했다. 이는 그가 단일 트랜지스터 DRAM 메모리 셀을 개발하게 된 계기가 되었다. 1967년, 데나드는 MOS 기술을 기반으로 한 단일 트랜지스터 DRAM 메모리 셀에 대한 특허를 출원했다.
메모리 셀 역사
최초의 상업용 바이폴라 64비트 SRAM은 1969년 인텔에 의해 3101 쇼트키 TTL과 함께 출시되었다. 1년 후, MOS 기술을 기반으로 한 최초의 DRAM 집적 회로 칩인 인텔 1103을 출시했다. 1972년까지 반도체 메모리 판매에서 이전 기록을 깼다. 1970년대 초 DRAM 칩은 3개 트랜지스터 셀을 사용했으며, 1970년대 중반부터 단일 트랜지스터 셀이 표준이 되었다.
RCA는 1968년 288비트 CMOS SRAM 메모리 칩을 출시하여 CMOS 메모리를 상용화했다. CMOS 메모리는 처음에는 1970년대 컴퓨터에서 더 널리 사용되던 NMOS 메모리보다 느렸다. 1978년 히타치는 3 µm 공정으로 제조된 HM6147(4 kb SRAM) 메모리 칩과 함께 트윈웰 CMOS 공정을 도입했다. HM6147 칩은 당시 가장 빠른 NMOS 메모리 칩과 성능을 맞출 수 있었으며, HM6147은 또한 훨씬 적은 전력을 소비했다. 비슷한 성능과 훨씬 적은 전력 소비로 트윈웰 CMOS 공정은 1980년대 컴퓨터 메모리에서 가장 일반적인 반도체 제조 공정으로 NMOS를 결국 추월했다.
메모리 셀 역사
1980년대 이후 가장 흔한 두 가지 유형의 DRAM 메모리 셀은 트렌치-커패시터 셀과 스택드-커패시터 셀이었다. 트렌치-커패시터 셀은 실리콘 기판에 구멍(트렌치)을 만들고, 그 측벽이 메모리 셀로 사용되는 반면, 스택드-커패시터 셀은 3차원 셀 구조에서 메모리 셀이 수직으로 쌓이는 가장 초기 형태의 3차원 메모리(3D 메모리)이다. 둘 다 1984년 히타치가 트렌치-커패시터 메모리를, 후지쯔가 스택드-커패시터 메모리를 도입하면서 처음 등장했다.
플로팅 게이트 MOSFET(FGMOS)은 1967년 강대원과 사이먼 쩌가 벨 연구소에서 발명했다. 그들은 FGMOS 트랜지스터를 사용하여 재프로그래밍 가능한 ROM(읽기 전용 메모리)을 만들 수 있는 플로팅 게이트 메모리 셀 개념을 제안했다. 플로팅 게이트 메모리 셀은 나중에 EPROM(지울 수 있는 프로그래밍 가능 ROM), EEPROM(전기적으로 지울 수 있는 프로그래밍 가능 ROM) 및 플래시 메모리를 포함한 비휘발성 메모리(NVM) 기술의 기반이 되었다.
플래시 메모리는 1980년 도시바의 마스오카 후지오에 의해 발명되었다. 마스오카와 그의 동료들은 1984년 NOR 플래시의 발명을 발표했고, 이어서 1987년 NAND 플래시를 발표했다. 다중 레벨 셀(MLC) 플래시 메모리는 NEC가 1996년 64Mb 플래시 칩에 셀당 2비트를 저장하는 쿼드 레벨 셀을 시연하면서 도입되었다. 플래시 메모리 셀이 3D 전하 트랩 플래시(CTP) 기술을 사용하여 수직으로 쌓이는 3D V-NAND는 2007년 도시바에 의해 처음 발표되었고, 2013년 삼성전자에 의해 처음 상업적으로 제조되었다.
메모리 셀 구현
다음 회로도는 메모리 셀에 가장 많이 사용되는 세 가지 구현 방식을 자세히 설명한다.
메모리 셀 동작
DRAM 메모리 셀의 저장 요소는 위 다이어그램에서 (4)로 표시된 축전기이다. 축전기에 저장된 전하는 시간이 지남에 따라 저하되므로 그 값은 주기적으로 새로 고쳐져야 한다(읽고 다시 쓰기). nMOS 트랜지스터 (3)은 열렸을 때 읽기 또는 쓰기를 허용하고 닫혔을 때 저장하는 게이트 역할을 한다.
읽기를 위해 워드 라인(2)은 nMOS 트랜지스터(3)의 게이트에 논리 1(높은 전압)을 인가하여 전도성이 되게 하고, 축전기(4)에 저장된 전하는 비트 라인(1)으로 전송된다. 비트 라인은 기생 용량(5)을 가지며, 이는 전하의 일부를 소모시키고 읽기 프로세스를 늦출 것이다. 비트 라인의 용량은 저장 축전기(4)의 필요한 크기를 결정할 것이다. 이것은 트레이드오프이다. 저장 축전기가 너무 작으면 비트 라인의 전압이 너무 많은 시간을 들여 상승하거나 비트 라인 끝의 증폭기가 필요로 하는 임계값을 넘지 못할 수도 있다. 읽기 프로세스는 저장 축전기(4)의 전하를 저하시키므로 각 읽기 후 그 값은 다시 쓰인다.
메모리 셀 동작
쓰기 프로세스는 가장 쉽다. 원하는 값인 논리 1(높은 전압) 또는 논리 0(낮은 전압)이 비트 라인으로 구동된다. 워드 라인은 nMOS 트랜지스터(3)를 활성화하여 저장 축전기(4)에 연결한다. 유일한 문제는 nMOS 트랜지스터(3)를 끄기 전에 축전기가 완전히 충전되거나 방전되도록 충분한 시간 동안 열어두는 것이다.
SRAM 메모리 셀의 작동 원리는 트랜지스터 M1에서 M4를 논리 게이트로 그리면 더 쉽게 이해할 수 있다. 이렇게 하면 셀 저장이 두 개의 교차 연결된 인버터를 사용하여 구축된다는 것이 분명하다. 이 간단한 루프는 양안정 회로를 생성한다. 첫 번째 인버터 입력의 논리 1은 그 출력에서 0이 되고, 이 0은 두 번째 인버터로 전달되어 이 논리 0을 다시 논리 1로 변환하여 첫 번째 인버터의 입력으로 동일한 값을 다시 피드백한다. 이는 시간이 지나도 변하지 않는 안정적인 상태를 생성한다. 마찬가지로 회로의 다른 안정적인 상태는 첫 번째 인버터 입력에 논리 0을 가지는 것이다. 두 번 반전된 후에도 동일한 값을 다시 피드백할 것이다.
따라서 회로가 존재할 수 있는 안정적인 상태는 단 두 가지이다.
 = 0 및    = 1
 = 1 및    = 0
메모리 셀 동작
루프에 저장된 메모리 셀의 내용을 읽으려면 트랜지스터 M5와 M6을 켜야 한다. 워드 라인()에서 게이트에 전압을 받으면 전도성이 되어 와    값은 비트 라인()과 그 보수()로 전송된다. 마지막으로 이 값들은 비트 라인 끝에서 증폭된다.
쓰기 프로세스는 유사하다. 차이점은 이제 메모리 셀에 저장될 새로운 값이 비트 라인()으로 구동되고, 그 반전된 값은 그 보수()로 구동된다는 것이다. 다음으로 트랜지스터 M5와 M6은 워드 라인()에 논리 1(높은 전압)을 구동하여 열린다. 이는 비트 라인을 안정적인 인버터 루프에 효과적으로 연결한다. 두 가지 가능한 경우가 있다.
루프의 값이 구동되는 새로운 값과 동일하면 변경이 없다.
루프의 값이 구동되는 새로운 값과 다르면 두 가지 상충되는 값이 있다. 비트 라인의 전압이 인버터의 출력을 덮어쓰려면 M5와 M6 트랜지스터의 크기가 M1-M4 트랜지스터보다 커야 한다. 이는 첫 번째 트랜지스터를 통해 더 많은 전류가 흐르게 하여 전압을 새로운 값의 방향으로 기울게 하며, 특정 시점에서 루프는 이 중간 값을 전체 전압으로 증폭한다.
메모리 셀 동작
플립플롭은 다양한 구현 방식을 가지고 있으며, 그 저장 요소는 일반적으로 NAND 게이트 루프 또는 NOR 게이트 루프와 클록킹을 구현하는 데 사용되는 추가 게이트로 구성된 래치이다. 그 값은 항상 출력으로 읽을 수 있다. 값은 설정 또는 재설정 프로세스를 통해 변경될 때까지 저장된 상태로 유지된다. 플립플롭은 일반적으로 MOSFET을 사용하여 구현된다.
플로팅 게이트 메모리 셀은 플로팅 게이트 MOSFET을 기반으로 하며, EPROM, EEPROM, 플래시 메모리를 포함한 대부분의 비휘발성 메모리(NVM) 기술에 사용된다. R. Bez와 A. Pirovano에 따르면 다음과 같다.
플로팅 게이트 메모리 셀은 기본적으로 MOS 트랜지스터로, 게이트는 유전체로 완전히 둘러싸여 있으며(그림 1.2), 플로팅 게이트(FG)는 용량성 결합 제어 게이트(CG)에 의해 전기적으로 제어된다. 전기적으로 격리되어 있으므로 FG는 셀 장치의 저장 전극 역할을 한다. FG에 주입된 전하는 그곳에 유지되어 셀 트랜지스터의 '겉보기' 문턱 전압(즉, CG에서 본 VT)을 조절할 수 있다.
쓰기 버퍼
쓰기 버퍼(write buffer, 라이트 버퍼)는 CPU 캐시에서 주기억장치 또는 메모리 계층 구조의 다음 캐시로 기록되는 자료를 보유하는 데 사용될 수 있는 데이터 버퍼의 한 유형으로, 성능을 향상시키고 레이턴시를 줄인다. 인텔의 x86 및 AMD64와 같은 특정 CPU 캐시 아키텍처에서 사용된다. 다중 코어 시스템에서 쓰기 버퍼는 순차 일관성을 파괴한다. C11의 데이터 경쟁 없음과 같은 일부 소프트웨어 규율은 메모리의 순차적 일관된 보기를 다시 얻기에 충분하다.
쓰루 라이트 캐싱의 변형은 버퍼드 쓰루 라이트라고 불린다.
쓰기 버퍼
이러한 방식으로 쓰기 버퍼를 사용하면 쓰기가 진행되는 동안 캐시가 읽기 요청을 처리할 수 있다. 이는 매우 느린 주기억장치에 특히 유용하며, 후속 읽기가 긴 주기억장치 레이턴시를 기다리지 않고 진행될 수 있게 한다. 쓰기 버퍼가 가득 차면(즉, 모든 버퍼 항목이 점유되면) 후속 쓰기는 슬롯이 비워질 때까지 기다려야 한다. 후속 읽기는 쓰기 버퍼에서 처리될 수 있다. 이러한 지연을 더욱 완화하기 위해 쓰기 버퍼 병합이라는 최적화가 구현될 수 있다. 쓰기 버퍼 병합은 연속된 대상 주소를 가진 쓰기를 하나의 버퍼 항목으로 결합한다. 그렇지 않으면 별도의 항목을 차지하여 파이프라인 지연의 가능성을 높인다.
피해 버퍼는 라이트백 캐시에서 더티하게 제거된 라인을 저장하는 쓰기 버퍼의 한 유형으로 주기억장치에 다시 기록되도록 한다. 단순 쓰기 버퍼처럼 더티 라인이 다시 쓰여질 때까지 기다리지 않아 파이프라인 지연을 줄이는 것 외에도, 피해 버퍼는 후속 캐시 접근이 국부성을 보일 때 임시 백업 저장소 역할을 할 수 있으며, 이는 최근에 제거되었지만 여전히 피해 버퍼에 있는 라인을 요청한다.
저장 버퍼는 1964년에서 1968년 사이에 IBM이 프로젝트 ACS 도중 발명했지만, 상업 제품에는 1990년대에 처음 구현되었다.
레제코
레제코 (Les Echos)는 1908년 로베르 세르방-슈라이버와 에밀 세르방-슈라이버 형제가 설립한 프랑스 최초의 일간 신문이다. LVMH가 소유하고 있으며, 경제적 자유주의적 입장을 취하고 "시장 경제가 경제 계획보다 우월하다는 생각을 옹호한다". 레제코는 경쟁사인 경제 신문 라 트리뷴의 주요 경쟁자이다.
레제코 역사와 개요
이 신문은 1908년 로베르 세르방-슈라이버와 에밀 세르방-슈라이버 형제가 레제코 드 렉스포르타시옹이라는 이름으로 4페이지짜리 월간지로 창간되었다.
1913년에 주간지가 된 레제코 드 렉스포르타시옹은 5,000부를 발행했다.
이 신문은 제1차 세계 대전 중에 발행을 중단했다. 전쟁이 끝난 후 레제코라는 이름으로 다시 발행되었다.
1928년, 레제코는 일간 신문이 되었다. 1937년에는 경제계의 권위 있는 신문이 되었다. 1939년에는 발행이 중단되었다.
레제코는 1945년에 섬유 및 기계와 같은 시사적인 주제를 다루며 활동을 재개했다.
1945년부터 1960년까지는 에밀의 아들인 장자크 (렉스프레스 창립자)와 로베르의 자녀인 마리-클레르, 장클로드가 참여한 "세르방-슈라이버 시대"로 묘사되었다. 그러나 1960년대 초부터 긴장이 고조되기 시작했다.
레제코 역사와 개요
르 몽드의 파스칼 상티는 "세르방-슈라이버 가문의 씨족 전쟁이 신문 매각으로 이어졌다"고 썼다. 레제코는 1963년 피에르와 자클린 베이투트에게 매각되었으며, 그들은 국제적인 시각을 가진 "진정한" 경제 일간지를 만드는 단 하나의 목표를 가지고 있었다. 레제코의 최고경영자인 자클린은 1966년부터 1989년까지 발행 이사를 겸했다.
1986년, 자클린은 손자 니콜라 베이투트를 편집장으로 임명했으며, 그는 2004년 9월에 르 피가로에서 같은 임무를 맡을 때까지 이 직책을 유지했다.
레제코는 발전했고 1990년대가 다가오면서 판매가 증가하여 프랑스 경제 부문의 기록 신문이 되었다. 이 기간 동안 수익은 6억 프랑스 프랑이었던 반면, 1962년에는 1천1백만 프랑이었다.
레제코 역사와 개요
영국 미디어 그룹 피어슨은 1988년 이 신문을 인수했다. 그러나 프랑스 정부는 자클린 베이투트가 레제코 그룹을 외국 그룹에 매각한 것을 좋게 보지 않았으며, 특히 경제재정부 장관 에두아르 발라뒤르는 1988년 초에 "피어슨 그룹의 공동체적 특성이 오늘날 지속적으로 확립되지 않았다"고 말하며 매각에 강력히 반대했다. 치열한 싸움 끝에 레제코 그룹의 67%가 8억 8천만 프랑에 매각되었고, 피어슨의 나머지 33% 인수는 1989년에 완료되었다. 자클린은 신문의 새 주주와 의견 충돌을 겪고 이듬해 사임했다.
이 신문은 파리에 본사를 두고 있으며, 1996년에 웹사이트가 개설되었다.
2003년 9월, 레제코는 타블로이드판에서 베를리너판으로 전환했다.
2004년, 이 신문은 EPICA 상을 수상했다.
2006년, 레제코의 매출액은 1억 2,620만 유로였다 (미화 2023년 기준 1억 6,750만 달러).
2007년, 프랑스 억만장자 베르나르 아르노가 이끄는 LVMH 그룹은 피어슨으로부터 레제코를 인수했다.
2010년, 레제코의 보도 범위는 과학, 기술, 녹색 성장, 의학 및 건강 분야의 혁신과 마케팅 및 광고, 경영, 교육, 전략 및 리더십, 법률 및 금융과 관련된 기술을 포함하도록 확장되었다.
2013년, 이 신문은 비즈니스 뉴스 집계 플랫폼인 LesEchos360이라는 프로젝트를 시작했다.
2023년 3월, 아르노는 레제코의 편집장 니콜라 바레를 해고했고, 이는 언론인들 사이에서 항의를 불러일으켰다. 바레는 프랑수아 비달로 교체되었다.
파이낸셜 타임스는 레제코를 "프랑스 최대의 경제 신문"으로 묘사했다. 이 신문은 조지프 스티글리츠와 케네스 로고프를 포함한 저명한 경제학자들의 경제 분석을 게재한다. LVMH가 소유한 레제코-르파리지앵 그룹은 이 신문을 발행한다.
레제코 편집 입장, 검열 및 정치적 입장
레제코는 경제적 자유주의적 입장을 취하며 평일에 발행된다. 전 경영 편집자 중 한 명인 자크 바라에 따르면, "이 저널의 방향은 본질적으로 경제적 자유주의적이다: 우리는 시장 경제가 경제 계획보다 우월하다는 생각을 옹호한다. 따라서 우리는 비록 유일한 수단은 아닐지라도 사기업이 가장 효과적인 도구라고 믿는다."
2017년, 레제코 언론인회는 좌파 정치인 프랑수아 뤼팽과의 인터뷰 검열에 대해 성명서로 항의했고, 이는 경영 편집자가 "합법적인 토론의 영역이 아닌, 체계적으로 풍자적인 용어로 그들의 신문을 폄하하는 사람에게 홍보 효과를 주고 싶지 않았다"고 주장하며 공개적으로 자신을 정당화하게 만들었다.
아르노는 2022년 1월 상원 미디어 집중 조사 위원회에서 심문을 받았다. 그는 이렇게 말했다: "만약 내일 레제코가 마르크스 경제학을 옹호한다면, 저는 매우 당황할 것입니다."
레제코는 2022년 프랑스 총선에서 좌파 연합에 반대했다.
레제코 발행 부수
2000년, 레제코는 프랑스에서 728,000부가 발행되어 6번째로 많이 팔린 신문이었다. 2009년 이 신문의 발행 부수는 127,000부였다. 2011년 7월부터 2012년 7월까지 이 신문의 발행 부수는 120,546부였다. 2020년, 이 신문의 총 발행 부수는 135,196부였다.
IOS 26
iOS 26은 애플의 아이폰용 iOS 운영 체제의 19번째이자 다음 주요 릴리스이다. 2025년 6월 9일, 애플의 WWDC에서 발표되었으며, 9월에 출시되었다.
이것은 iOS 18의 직접적인 후속작이다. 버전 번호가 26으로 상향 조정된 것은, 출시 다음 해를 기준으로 하는 애플 운영 체제의 통합 버전 번호 정책이 새로 발표되었기 때문이다(차량 모델 연도와 유사).
IOS 26 기능
iOS 26은 리퀴드 글래스로 알려진 새로운 통합 뉴모픽 디자인 언어를 모든 애플 플랫폼에 도입한다. VisionOS의 영향을 받은 이 디자인은 iOS 7에서 도입된 플랫 디자인 언어를 대체하여 "유리의 광학적 특성"(포함 굴절)을 가진 둥근 반투명 요소를 활용하며, 이는 움직임, 콘텐츠 및 입력에 반응한다. 또한 iOS 6 및 이전 버전의 스큐어모피즘과 유사하며, 카메라 앱의 새로운 아이콘(iOS 6 및 이전 버전의 아이콘과 유사)에서 가장 두드러진다. 여러 앱(카메라 및 사파리 포함)은 새로운 디자인 언어를 반영하여 사용자 인터페이스를 재설계했다.
잠금 화면의 위젯은 이제 시간 아래 상단에만 있는 것이 아니라 하단에도 배치할 수 있다. 잠금 화면에 표시되는 시간의 높이는 동적이며, 배경에서 인식되는 객체에 따라 하단 또는 상단에 있거나 아래에서 쌓이는 알림 스택에 따라 증가하거나 감소할 수 있다.
어둡게, 밝게, 착색 테마 외에도 iOS 26은 Liquid Glass로 도입된 유리 같은 효과를 사용하는 아이콘으로 홈 화면을 변경하는 "투명" 테마를 추가한다.
IOS 26 기능
잠금 화면을 사용자 정의할 때, 사용자는 홈 화면 배경화면에 3D 효과를 적용하여, 휴대폰을 움직일 때 피사체가 화면 밖으로 튀어나오는 것처럼 보이게 할 수 있다.
iOS 26은 새로운 애플 인텔리전스 기능을 도입한다. 애플 인텔리전스 모델은 더욱 효율적으로 만들어졌으며 추가 언어를 지원한다. 온디바이스 모델을 사용하여 음성 및 텍스트 대화의 실시간 번역을 지원하며, 이제 Genmoji는 프롬프트를 사용할 필요 없이 기존 이모티콘을 병합하도록 호출할 수 있다.
시각 지능(Visual Intelligence)과 이미지 놀이터(Image Playground)에는 추가 ChatGPT 통합 기능도 포함된다.
새로운 파운데이션 모델(Foundation Models) 프레임워크는 애플 인텔리전스 기능이 타사 앱에 통합될 수 있도록 허용한다. 애플은 스위프트 앱이 단 세 줄의 코드로 프레임워크를 구현할 수 있다고 밝혔다.
단어 철자: 이제 받아쓰기할 때 단어의 철자를 말할 수 있어 복잡하거나 인식되지 않는 단어에 유용하다.
IOS 26 기능
AOD용 배경화면 블러: 새로운 설정으로 사용자가 AOD의 배경화면 이미지에 블러 효과를 적용할 수 있다.
메시지 앱은 이제 사용자 지정 배경, 설문 조사 및 그룹 채팅에서 타이핑 중인 사용자 표시기(user indicator)를 지원한다. 또한 사용자는 전체 메시지 대신 메시지 텍스트의 일부를 선택하고 복사할 수 있다.
하단에 명령 모음이 있는 새로운 레이아웃이 있어 라이브러리, 컬렉션, 검색으로 빠르게 전환할 수 있다.
카메라 인터페이스는 이제 더 간단해졌으며, "사진"과 "비디오"라는 두 개의 주요 버튼이 처음부터 하단에 표시된다. 확장 가능하고 스크롤 가능한 명령 모음은 다른 촬영 모드를 보여준다. 메뉴도 더욱 직관적이다. 플래시, 타이머, 사진 형식과 같은 제어 기능에 접근하려면 스와이프 제스처 없이 도구 모음 상단의 격자 모양 버튼을 탭하기만 하면 된다.
렌즈 청소 힌트는 이미지 품질을 향상시키기 위해 카메라 렌즈를 청소해야 할 때 제안을 표시하는 새로운 설정이다.
IOS 26 기능
메모 앱은 통화를 메모로 녹음하고 필사할 수 있으며, 마크다운이 새로운 내보내기 옵션으로 추가되었다.
미리 알림 컨트롤을 제어 센터에 추가하여 거기서 바로 미리 알림을 빠르게 생성할 수 있다.
알람: "다시 알림" 시간을 1분에서 15분까지 조절할 수 있다. 알람 중지 또는 다시 알림 버튼은 잠에서 깰 때 쉽게 접근할 수 있도록 크게 표시된다.
수학 노트: 3변수 방정식 및 3D 그래프가 이제 지원된다.
다중 저널: 이제 하나의 저널 대신 여러 개의 저널을 만들 수 있다.
대화 향상: 음성을 강조하고 배경 소음 및 음악을 줄여 팟캐스트 오디오를 향상시키는 새로운 옵션이다. 팟캐스트 속도를 조절하기 위해 나타나는 메뉴에 있다.
홈은 iOS 16에서 도입된 재설계된 Apple Home 아키텍처만 지원하며 기존 아키텍처에 대한 지원은 종료한다.
새로운 게임 앱은 앱 스토어 및 애플 아케이드의 게임, 그리고 게임 센터 소셜 기능을 위한 인터페이스를 제공한다.
IOS 26 기능
애플 지갑 앱은 탑승권에 대한 추가 기능을 추가하며, 여기에는 해당 공항의 실내 지도와 실시간 비행 정보를 라이브 활동으로 표시하는 기능이 포함된다. 미국 사용자는 자신의 디지털 여권을 지갑에 추가할 수도 있다.
AI 동작: 새로운 동작을 통해 AI 기능을 활용하는 명령을 만들 수 있다. 이러한 명령은 클라우드(개인 클라우드 컴퓨팅), 온디바이스 또는 ChatGPT와 같은 AI 모델 또는 "엔진"을 선택하는 동작으로 시작한다.
개인 정보 및 보안 설정에 새로운 권한이 있어 휴대폰이 잠겨 있을 때 케이블로 연결된 액세서리 사용을 허용하거나 거부할 수 있다. 선택할 수 있는 옵션은 다음과 같다: 항상 묻기, 새 액세서리에 대해 묻기, 휴대폰 잠금 해제 시 자동으로 허용, 항상 허용.
개인 정보 및 보안 설정에 새로운 섹션이 있어, 자동으로 스팸으로 분류된 모든 알 수 없는 전화번호와 같이 다양한 앱에서 차단된 모든 연락처를 모아 보여준다.
IOS 26 지원 장치
iOS 26은 Apple A13 Bionic 프로세서 이상을 탑재한 기기가 필요하며, 이에 따라 아이폰 XS, XS Max, XR에 대한 지원이 중단된다. 애플 인텔리전스 기능은 Apple A17 Pro 프로세서 이상이 필요하다.
IOS 26 출시 역사
iOS 26의 첫 베타는 2025년 6월 9일 개발자들에게 출시되었으며, 첫 베타의 개정 빌드는 6월 13일 아이폰 15 시리즈와 아이폰 16 시리즈를 위해 출시되었다.
MacOS 타호
macOS 타호(macOS Tahoe, 버전 26)는 애플의 macOS 운영체제의 다가오는 22번째 주요 릴리스이다. macOS 세쿼이아(macOS 15)의 후속작으로, 2025년 6월 9일 WWDC 2025에서 처음 발표되었으며, 같은 날 첫 개발자 베타 버전이 출시되었다. 애플이 캘리포니아의 랜드마크 이름을 따서 macOS 릴리스의 이름을 짓는 관행에 따라, 캘리포니아와 네바다주의 경계에 걸쳐 있는 호수인 타호의 이름을 따서 명명되었다.
타호는 인텔 프로세서가 탑재된 맥을 지원하는 macOS의 마지막 버전이 될 것이며, 지원은 선택된 아이맥, 맥북 프로 및 맥 프로 모델로 더욱 제한될 것이다. 향후 모든 버전은 애플 실리콘만 지원할 것이다.
MacOS 타호 개발
macOS 타호는 애플의 소프트웨어 공학 담당 수석 부사장(SVP)인 크레이그 페데리히가 2025년 6월 9일 WWDC에서 발표했다. 첫 개발자 베타는 같은 날 출시되었다.
WWDC 기간 동안 애플은 운영체제의 버전 번호가 이제 통일되어 출시 연도(차량 모델 연도와 유사)를 따르고 모두 버전 26으로 전진할 것이라고 발표했다. 페데리히는 macOS 버전이 여전히 이전처럼 릴리스 이름(이 경우 "타호")을 사용하여 주로 마케팅될 것이라고 언급했는데, 이는 macOS가 버전 번호 이상의 것을 "요구한다"고 믿었기 때문이었다.
MacOS 타호 기능
macOS 타호는 주로 사용자 인터페이스에 중점을 둔 몇 가지 새로운 기능과 개선 사항을 도입한다.
UI는 MacOS 빅서 이후 처음으로 완전히 재설계되어 Aqua를 대체하는 리퀴드 글래스를 사용하여 애플의 다른 플랫폼과 일관성을 높였고, 다른 플랫폼도 이를 적용받는다. 메뉴바는 이제 완전히 투명하다. 커서는 재설계되어 더 둥근 모양을 갖게 되었다. 앱 아이콘은 IOS 및 IPadOS와 통합되었으며, iOS 18/iPadOS 18에서 도입된 어두운 색상 및 색조 변형 외에 새로운 투명 변형도 가질 수 있다.
맥 OS X 라이언에서 도입된 후 대부분 변경되지 않았던 런치패드는 제거되었고, IOS 14 이후 iOS에서, IPadOS 15 이후 iPadOS에서 사용되는 App Library와 유사한 애플리케이션 기능으로 대체되었다. 이는 스포트라이트 인터페이스에 통합된다. 아이폰 앱도 사용자의 아이폰에서 Continuity를 통해 애플리케이션 목록에 나타나며, 아이폰 미러링을 통해 실행된다.
MacOS 타호 지원 하드웨어
macOS 타호는 애플 실리콘이 탑재된 모든 Mac과 인텔의 9세대 Coffee Lake Refresh, 10세대 Ice Lake 및 Comet Lake, Cascade Lake-기반 Xeon-W 프로세서가 탑재된 일부 Mac을 지원하며, 다음을 포함한다.
WWDC 2025에서 Platforms State of the Union 행사 동안 애플은 macOS 타호가 인텔 기반 Mac을 지원하는 마지막 macOS 버전이 될 것이라고 발표했다. 타호가 지원하는 유일하게 남아있는 인텔 기반 Mac은 맥 프로 (2019), 맥북 프로 (16인치, 2019), 맥북 프로 (13인치, 2020, 썬더볼트 3 포트 4개) 및 아이맥 (2020)으로, 인텔 기반 맥북 에어 및 맥 미니 모델에 대한 지원이 종료된다.
리퀴드 글래스
리퀴드 글래스(Liquid Glass)는 애플이 자사의 운영체제 제품군 전반에 걸쳐 통일된 시각적 테마로 개발한 뉴모픽 그래픽 사용자 인터페이스 및 디자인 언어이다. 2025년 6월 9일 애플 세계 개발자 회의(WWDC)에서 처음 발표되었다. 리퀴드 글래스는 iOS 26, iPadOS 26, macOS Tahoe, tvOS 26, watchOS 26에서 도입된 더욱 유동적이고 유리 같은 인터페이스를 특징으로 한다.
리퀴드 글래스 원리
애플은 리퀴드 글래스를 "유리의 광학적 특성과 유동성을 결합한" 동적 재료로 설명한다. 애플의 업데이트된 휴먼 인터페이스 가이드라인(Human Interface Guidelines)에 따르면, 리퀴드 글래스로 만든 앱은 콘텐츠와 컨트롤 간의 계층 구조를 보여주어야 한다. 이 디자인 언어의 목표는 인터페이스 요소와 장치의 모양과 느낌을 통일하여 다양한 창 크기와 디스플레이에서 일관성을 유지하는 것이었다.
이 디자인은 빛을 반사하고 굴절시킴으로써 환경에 자동으로 적응하는 요소를 특징으로 한다. 디지털 요소는 투명하며, 모양의 바깥쪽 하이라이트와 대비를 이룬다. 테크레이더와의 인터뷰에서 애플의 소프트웨어 엔지니어링 수석 부사장인 크레이그 페데리히는 디자인 과정에서 애플의 디자이너들이 산업 디자인 스튜디오를 활용하여 다양한 투명도와 렌즈 특성을 가진 유리를 제작하고 인터페이스 특성을 실제 유리와 가깝게 맞추었다고 언급했다.
리퀴드 글래스 구현
리퀴드 글래스는 텍스트, 슬라이더, 토글, 경고 창, 패널, 사이드바, 그리고 전반적인 간유리 디자인과 같은 기존 iOS 인터페이스 구성 요소를 전면 개편한다. 또한 기본 앱, 홈 화면 및 타사 앱에도 통합된다. 디자인 변경 사항을 상세히 설명하는 블로그 게시물에서 애플은 이 언어가 macOS의 아쿠아 디자인 언어, iOS 7의 실시간 가우시안 블러, 아이폰 X의 동작, 아이폰 14 프로 및 이후 모델의 다이나믹 아일랜드, 그리고 VisionOS의 유리 같은 UI에 영향을 받았다고 밝혔다.
리퀴드 글래스 반응
일부 사용자들은 이 언어로 디자인된 운영체제의 미학을 칭찬했으며 유리의 굴절 및 렌즈 특성을 재현하는 효과에 감탄했다. 그러나 다른 사용자들은 특정 요소가 너무 투명하여 직사광선과 같은 저대비 환경에서 텍스트를 읽기 어렵게 만든다고 지적했다. 와이어드와의 인터뷰에서 디자이너들은 시각 효과가 앱 콘텐츠를 방해한다고 느꼈다. 한 디자이너는 또한 소규모 팀을 가진 개발자들이 새로운 인터페이스가 설정한 높은 시각적 기준을 충족시키기 어려울 수 있다고 우려했다.
이 디자인은 조너선 아이브가 대중화한 플랫 디자인 경향에서 벗어나 보다 표현적인 스큐어모피즘 요소로 이동하는 애플 디자인 언어의 전환점을 나타냈다. 많은 비평가와 소셜 미디어 사용자들은 윈도우 비스타가 대중화한 유리 같은 질감을 포함하여 윈도우 에어로와의 유사점을 지적했다.
크레이그 페데리히는 리퀴드 글래스에 필요한 추가적인 컴퓨팅 파워를 인정했으며, 이로 인해 일부에서는 애플이 계획적 구식화를 한다고 비난했다.
역 번호
역 번호는 몇 개의 문자와 숫자로 구성된 역 코드를 철도역에 할당하는 안내 체계이다. 이 체계의 목적은 라틴 문자와 아라비아 숫자와 같이 전 세계적으로 통용되는 문자를 사용함으로써 현지 언어에 익숙하지 않은 외국인 여행자들이 쉽게 길을 찾을 수 있도록 하는 것이다. 이 체계는 현재 대한민국, 일본, 중화인민공화국, 중화민국, 인도네시아, 싱가포르, 태국, 미국 등 전 세계 여러 철도 회사에서 사용되고 있다.
역 번호 역사
역 번호 체계는 1983년 서울 지하철 2호선의 일부 구간(을지로1가역~성수역) 개통과 함께 서울 도시철도에 의해 대한민국에서 처음 도입되었지만 크게 주목받지는 못했다.
일본에서 역 번호가 처음 사용된 것은 1984년 5월 나가사키 전기 궤도에서였다. 도쿄의 지하철 시스템은 2004년에 역 번호를 도입했다. 일본에서는 스포츠 행사가 역 번호 도입의 전환점이 되는 경우가 많다. 요코하마 시영 지하철은 2002년 FIFA 월드컵에 대비하여 역 번호를 도입했으며, 2020년 하계 올림픽을 앞두고는 대규모 역 번호 도입이 이루어졌다.
역 번호 구조
역 번호는 대개 두 부분으로 구성되는데, 노선 기호 부분은 노선 이름이나 번호의 첫 부분을 포함하고 (아래 참조), 역 기호 부분은 철도 노선 및 시작역 번호에 대한 역의 숫자 위치를 나타낸다(아래 예시 참조).
노선 기호 부분은 역이 속한 철도 노선을 나타내는 부분이다. 따라서 같은 철도 노선에 있는 모든 역은 동일한 노선 기호 부분을 공유한다.
대한민국이나 중화인민공화국 같이 철도 노선이 종종 숫자로 명명되는 국가(예: 수도권 전철 1호선, 상하이 지하철 15호선)에서는 철도 노선 이름에 사용된 숫자가 노선 기호로 사용된다.
역 번호 구조
일본과 같이 철도 노선이 숫자로 명명되지 않는 국가에서는 노선 기호 부분이 대개 한두 글자로 구성되며, 이는 종종 노선 이름의 로마자 표기의 약자, 그 중에서도 첫 글자인 경우가 많다. 그러나 같은 지역에 같은 첫 글자를 가진 두 개 이상의 노선이 있을 경우, 다른 회사 노선 간에도 노선 기호 중복을 피하기 위해 종종 변경된다(예: 도쿄 메트로 마루노우치선은 'M'을 사용하고, 도에이 지하철 미타선은 'I'를 사용하는데, 두 노선 이름 모두 M으로 시작함에도 불구하고 그러하다). 노선 기호 중복을 피하는 또 다른 방법은 약자와 상관없이 알파벳 순서(A부터 Z까지)로 할당하는 것이다.
역 번호 구조
대부분의 역 번호 시스템이 위에서 언급한 두 가지 스타일을 따르지만, 몇 가지 예외도 있다. 대한민국의 신분당선은 위에서 제시된 두 가지 일반적인 스타일을 따르지 않아도 될 만한 특별한 이유가 없음에도 불구하고 노선 기호로 문자 D를 사용하는데, 이는 운영사 네오트랜스의 디지털 기술 브랜딩 전략에 따른다. 이러한 예외의 또 다른 예는 일본의 세이부 철도가 운영하는 지선 중에도 있다. 그 중 하나가 세이부 이케부쿠로선인데, 노선 기호는 SI이다(노선 이름의 알파벳 약자). 세이부 사야마선은 세이부 이케부쿠로선에서 갈라지는 지선인데, 자체 알파벳 약자가 SI가 아님에도 불구하고 동일한 노선 기호 SI를 공유한다.
역 기호 부분은 하나의 전체 철도 노선 내에서 각 역을 식별하는 부분이다. 따라서 동일한 철도 노선 내에서는 역 기호가 중복되어서는 안 된다. 즉, 동일한 철도 노선에 두 개 이상의 역이 동일한 역 기호를 가져서는 안 된다.
대부분의 경우, 역 기호는 두 자리 숫자이다. 철도 노선의 시작역에는 주로 00(예: JR 도카이) 또는 01(예: 도쿄 메트로)이 할당되며, 노선을 따라 있는 역들은 순차적으로 오름차순 정수(즉, 시작역에 01이 할당되면, 시작역에서 바깥쪽으로 이동하는 사람이 처음 만나는 역에는 02가 할당되고, 그 다음 역에는 03이 할당되는 식)로 배정된다. 그러나 대한민국과 일본의 일부 철도 노선은 시작역 번호를 00 또는 01 외의 숫자로 할당한다. 이는 노선 연장 가능성에 대비하기 위한 것으로, 전체 노선을 옮기거나 다시 번호를 부여하는 대신 연장된 구간의 역 번호를 쉽게 매길 수 있도록 하기 위함이다(예: 수도권 전철 4호선의 상계역(410)에서 불암산역(409)까지의 연장).
본선에서 갈라지는 지선('Y'자형 궤도처럼)의 경우, 지선에 위치한 역에 번호를 부여하는 여러 가지 방법이 있다.
마찬가지로, 철도 노선 개통 후 신설된 역에 번호를 부여하는 여러 가지 방법이 있다. 아래 각 괄호 안에 적힌 숫자는 예를 들어 07번과 08번 역 사이에 두 개의 새로운 역이 추가되는 가상의 경우에 각 방법에 따라 새로운 역에 할당될 역 번호이다.