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스피콘 단자 디자인
스피콘 단자는 납땜 또는 나사 연결을 위해 설계된 잠금 시스템으로 설계된다. 라인 단자(보통 암컷, 래치 포함)는 패널 단자(보통 수컷)와 결합하며, 일반적으로 케이블의 양쪽 끝에는 동일한 단자가 있다. 케이블을 연결해야 하는 경우 커플러를 사용할 수 있다(기본적으로 플라스틱 튜브 끝에 장착된 두 개의 패널 단자로 구성됨). 이 디자인은 1987년에 고안되었다.
암컷 케이블 단자가 수컷 섀시 단자에 꽂히는 것처럼 보이기 때문에 많은 사용자들과 심지어 단자 공급업체들조차 어떤 것이 수컷 단자이고 어떤 것이 암컷 단자인지 혼란스러워한다는 점에 유의하라. 기억하기 가장 쉬운 방법은 Neutrik 부품 번호를 보는 것이다. 여기서 "F"는 암컷, "M"은 수컷을 나타낸다(예: "NL4FX"는 '일반적인' 케이블 단자(래치 포함)이다).
스피콘 단자는 스피커 케이블에 사용될 때 명확하도록 설계되었다. 1/4인치 스피커 잭과 XLR 연결의 경우, 사용자가 저전류 차폐 마이크 또는 악기 케이블을 고전류 스피커 애플리케이션에 잘못 사용할 수 있다. 스피콘 케이블은 고전류 오디오 애플리케이션에만 사용된다.
스피콘 단자 디자인
스피콘 단자는 두 개의 동심원 링으로 접점을 배열하며, 내부 접점은 +1, +2 등으로 명명되고, 외부 접점은 (4극 및 8극 버전에서만) -1, -2 등으로 명명된다. 위상 규약은 + 접점에 양의 전압이 가해지면 스피커에서 공기가 밀려나가는 것이다.
스피콘 단자는 2극, 4극 및 8극 구성으로 만들어진다. 2극 라인 단자는 4극 패널 단자와 결합하여 +1 및 -1에 연결되지만, 반대 조합은 작동하지 않는다. 8극 단자는 추가적인 극을 수용하기 위해 물리적으로 더 크다. 4극 단자는 두 개의 개별 케이블 없이도 바이앰핑(4개의 연결 중 2개는 고주파 신호용, 나머지 2개는 저주파 신호용)과 같은 것을 허용하기 때문에 기성 케이블의 가용성 측면에서 가장 흔하다. 마찬가지로, 8극 단자는 트라이앰핑(저, 중, 고주파수 각각에 대해 2개의 극, 2개는 미사용) 또는 쿼드앰핑(고, 중, 저, 서브 각각에 대해 2개의 극)에 사용할 수 있다.
스피콘 단자 디자인
4극 케이블의 또 다른 사용법은 앰프의 두 출력 채널에 연결된 '결합기' Y-케이블과 스피커에 신호를 전달하는 '분할기' Y-케이블을 사용하여 앰프에서 한 쌍의 스피커로 두 채널의 증폭된 신호를 전달하는 것이다. '결합기' 및 '분할기' Y-케이블은 동일하다. 한쪽 끝에 두 개의 2극 단자가 있고, 다른쪽 끝의 4극 라인 단자의 ±1 및 ±2 핀에 각각 연결된다. 일부 앰프 및 믹서 앰프는 '결합기' 없이도 이러한 작업을 수행하도록 구성되어 있다.
4극 케이블과 1/4″ 폰 플러그를 모두 수용할 수 있는 2극 "콤보" 수납 장치도 제공된다.
2019년에 제조사는 수컷 라인 단자와 암컷 패널 단자를 포함하는 STX 시리즈를 출시했다.
DE15
DE15, DE-15, DE.15, DE 15는 아래 뜻을 함의한다.
헤수스 아레야노
호세 데 헤수스 아레야노 알코세르(스페인어: José de Jesús Arellano Alcocer, 1973년 5월 8일 ~ )는 멕시코의 전직 프로 축구 선수로, 포지션은 윙어였으며 현재 수배 중인 인물이다.
아레야노는 선수 경력 대부분을 몬테레이에서 보냈으며, 클럽 역사상 두 번째로 많은 출장 기록을 보유하고 있다.
헤수스 아레야노 선수 경력
아레야노는 "엘 카브리토(스페인어: El Cabrito)"라는 별명으로 알려져 있으며, 빠른 스피드와 드리블, 패싱 능력으로 명성을 얻었다. 그는 멕시코 국가대표팀에서 오랜 기간 핵심적인 역할을 맡았으며, 여러 차례 국가에 승리를 안기는 데 기여했다. 특히 프랑스의 1998년 FIFA 월드컵 조별 리그에서 멕시코가 보여준 기복 있는 역전극의 주역 중 한 명이었다. "슈퍼 서브"로도 잘 알려진 그는 마누엘 라푸엔테 감독이 경기 후반 투입하는 전략적 교체 자원으로, 어려운 상황에서 멕시코를 무승부 또는 역전승으로 이끄는 데 중요한 역할을 했다.
CF 몬테레이에서 데뷔한 이후, 그는 1998년 가을 시즌에 "올 멕시칸 팀"으로 불리는 CD 과달라하라로 이적해 도전을 시도했지만, 진정한 성공은 다시 몬테레이로 복귀한 이후 찾아왔다. 그는 "라야도스 데 몬테레이" 소속으로 2003년 클라우수라 챔피언십에서 팀을 우승으로 이끌었다.
헤수스 아레야노 선수 경력
2002년 FIFA 월드컵에서는 교체 선수로서의 영향력이 다소 줄었으며, 세 경기에서 선발 출전하여 멕시코가 16강에 진출하는 데 기여했다. 그는 총 70경기에 출전해 7골을 기록했으며, 2006년 FIFA 월드컵에서는 리카르도 라볼페 감독의 선택을 받아 최종 엔트리 23인에 포함되었다. 당시 그는 앙골라 전에서 후반전에 교체 출전한 한 경기만 소화했다.
아레야노는 프랑스 월드컵 (1998년), 한일 월드컵 (2002년), 독일 월드컵 (2006년)에 출전한 일곱 번째 멕시코 선수이며, 몬테레이 출신 선수로는 최초로 세 차례 월드컵 무대에 오른 인물이다.
헤수스 아레야노 강간 혐의 및 체포
2017년 1월, 아레야노는 16세 조카를 강간한 혐의로 기소되었다. 미성년자는 당국에 증언을 제공하고 신체 검사를 받아 수사를 시작했다. 아레야노는 1년 넘게 도피 생활을 하다가 2019년 5월 4일, 몬테레이에 있는 자택에서 체포되었다. 아레야노는 5일 동안 감옥에 있다가 충분한 증거가 없어 판사로부터 석방 명령을 받았다. 2019년 12월 19일, 사건은 다시 열렸다.
2020년 12월, 아레야노는 변호사들만 법정에 출석하여 그를 대리하도록 했다. 당국은 다음 달 아레야노에 대해 체포 영장을 발부했다. 2022년 4월, 현재 그의 행방은 아직 알려지지 않았다.
2 nm 공정
반도체 제조에서 2 nm 공정은 3 nm 공정 노드 이후의 다음 MOSFET(금속 산화물 반도체 전계효과 트랜지스터) 다이 슈링크이다.
"2 나노미터" 또는 "20 옹스트롬(인텔이 사용하는 용어)"이라는 용어는 트랜지스터의 실제 물리적 특징(예: 게이트 길이, 금속 피치 또는 게이트 피치)과는 관련이 없다. 전기전자공학자협회(IEEE)가 발행한 장치 및 시스템을 위한 국제 로드맵(International Roadmap for Devices and Systems)의 2021년 업데이트에 포함된 예상에 따르면 "2.1 nm 노드 범위 레이블"은 45나노미터의 접촉된 게이트 피치와 20나노미터의 가장 좁은 금속 피치를 가질 것으로 예상된다.
2 nm 공정
따라서 2 nm는 주로 반도체 산업에서 이전 3 nm 노드 세대에 비해 트랜지스터 밀도 증가(고도의 소형화), 속도 향상, 전력 소비 감소 측면에서 새롭고 개선된 칩 세대를 지칭하는 마케팅 용어로 사용된다.
TSMC는 2024년 7월에 2 nm 공정의 리스크 생산을 시작했으며, 2025년 하반기에 양산을 계획하고 있고, 삼성전자는 2025년에 생산을 시작할 계획이다. 인텔은 당초 2024년에 생산을 예상했으나 2 nm 노드를 폐기하고 더 작은 18 옹스트롬(18A) 노드를 선택했다.
2 nm 공정 배경
2018년까지 FinFET을 대체할 여러 트랜지스터 아키텍처가 제안되었으며, 대부분은 GAAFET의 개념을 기반으로 한다. 수평 및 수직 나노와이어, 수평 나노시트 트랜지스터(삼성 MBCFET, 인텔 나노리본), 수직 FET(VFET) 및 기타 수직 트랜지스터, 상보형 FET(CFET), 스택형 FET, 나노링, 육각형 와이어, 사각형 와이어 및 원형 와이어 게이트 올 어라운드 트랜지스터와 같은 여러 종류의 수평 게이트 올 어라운드 트랜지스터 및 급진적으로 다른 재료를 사용하는 네거티브 커패시턴스 FET(NC-FET)이다.
2 nm 공정 배경
2018년 말, TSMC 회장 마크 리우(Mark Liu)는 칩 스케일링이 3 nm 및 2 nm 노드까지 계속될 것이라고 예측했다. 그러나 2019년 현재 다른 반도체 소자 전문가들은 3 nm를 초과하는 노드가 실현 가능할지 여부에 대해 결정하지 않았다. TSMC는 2019년에 2 nm 연구를 시작했으며, FinFET에서 GAAFET로 전환할 것으로 예상했다. 2021년 7월, TSMC는 2 nm 공장 건설에 대한 정부 승인을 받았다. 2020년 8월, 신주시에 2 nm 기술 연구 개발 연구소 건설을 시작했으며, 2021년까지 부분적으로 운영될 것으로 예상되었다. 2020년 9월, TSMC는 이를 확인하고 수요에 따라 타이중시에도 생산 시설을 설치할 수 있다고 밝혔다. 타이완 경제 일보(2020년)에 따르면, 2023년 말에 높은 수율의 리스크 생산이 예상되었다. 닛케이에 따르면, 당시 회사는 2023년까지 2 nm 생산 장비를 설치할 것으로 예상했다.
인텔의 2019년 로드맵은 2025년과 2027년에 각각 동등할 가능성이 있는 3 nm 및 2 nm 노드를 계획했으며, 2019년 12월에는 2029년에 1.4 nm 생산 계획을 발표했다.
2 nm 공정 배경
2020년 말, 17개 유럽 연합 국가들이 최대 2 nm의 공정 노드 개발과 맞춤형 프로세서 설계 및 제조를 포함한 전체 반도체 산업 개발을 위한 공동 선언에 서명하고 최대 1,450억 유로의 자금을 할당했다.
2021년 5월, IBM은 게이트 길이 12 nm의 세 개의 실리콘 층 나노시트를 사용하여 2 nm급 GAAFET 트랜지스터가 포함된 칩을 생산했다고 발표했다.
2021년 7월, 인텔은 2021년부터의 공정 노드 로드맵을 공개했다. 회사는 "Intel 20A"라고 불리는 2 nm 공정 노드를 확인했으며, "A"는 0.1 나노미터에 해당하는 단위인 옹스트롬을 나타낸다. 동시에 주요 경쟁업체의 유사한 명칭과 제품 이름을 일치시키는 새로운 공정 노드 명명 체계를 도입했다. 당시 인텔의 20A 노드는 FinFET에서 게이트 올 어라운드 트랜지스터(GAAFET)로 전환하는 첫 번째 노드가 될 것으로 예상되었으며, 인텔 버전은 'RibbonFET'으로 명명되었다. 2021년 로드맵은 20A 노드의 대량 생산을 2024년으로, 18A를 2025년으로 계획했다.
2 nm 공정 배경
2021년 10월, 삼성 파운드리 포럼 2021에서 삼성은 2025년에 MBCFET(멀티 브리지 채널 FET, GAAFET의 삼성 버전) 2 nm 공정으로 양산을 시작할 것이라고 발표했다.
2022년 4월, TSMC는 GAAFET N2 공정 기술이 2024년 말에 리스크 생산 단계에 진입하고 2025년에 생산 단계에 진입할 것이라고 발표했다. 2022년 7월, TSMC는 N2 공정 기술이 백사이드 파워 딜리버리(backside power delivery)를 특징으로 할 것으로 예상되며, 동일 전력에서 10~15% 더 높은 성능 또는 동일 성능에서 20~30% 더 낮은 전력, N3E 대비 20% 이상 더 높은 트랜지스터 밀도를 제공할 것으로 예상한다고 발표했다.
2 nm 공정 배경
2022년 7월, 삼성은 회사의 이전에 발표된 "2GAP"(2nm Gate All-around Production)이라는 공정 기술에 대해 여러 정보를 공개했다. 이 공정은 이전 계획대로 2025년에 대량 생산에 들어갈 예정이었다. 나노시트 수는 "3GAP"의 3개에서 4개로 증가할 것으로 예상되었다. 회사는 금속화 개선에 노력했으며, 특히 2GAP 이상에 계획된 저저항 비아를 위한 "단일 결정립 금속"과 직접 식각 금속 상호 연결에 노력했다.
2022년 8월, 일본 기업 컨소시엄은 정부 지원을 받아 2 nm 칩 제조를 위한 새로운 벤처인 라피더스에 자금을 지원했다. 라피더스는 2022년 12월에 IMEC 및 IBM과 계약을 체결했다.
2023년 4월, TSMC는 기술 심포지엄에서 2 nm 기술 플랫폼의 두 가지 공정을 더 소개했다. "N2P"는 후면 전력 공급을 특징으로 하며 2026년에 계획되어 있으며, "N2X"는 고성능 응용 프로그램을 위한 것이다. 또한 N2 공정에서 고성능 표준 라이브러리를 사용하여 제작된 ARM Cortex-A715 코어는 동일 전력에서 16.4% 더 빠르거나 동일 속도에서 37.2%의 전력을 절약하거나 3-2 핀 라이브러리를 사용하여 N3E에서 제작된 코어에 비해 동일 전압(0.8 V)에서 동시에 약 10% 더 빠르고 약 20%의 전력을 절약하는 것으로 밝혀졌다.
2024년 9월, 인텔은 더 이상 20A 공정 노드를 진행하지 않고 18A 개발에 집중할 것이라고 발표했다. 인텔은 20A의 생산을 피하면 5억 달러 이상을 절약할 수 있다고 예상했다. 인텔은 20A 공정에서 RibbonFET 게이트 올 어라운드(GAA) 아키텍처와 PowerVia 백사이드 파워 딜리버리(backside power delivery)를 성공적으로 구현하여 18A 개발을 가속화했다고 언급했다. 인텔 20A를 사용할 예정이었던 인텔의 애로우 레이크 프로세서 제품군은 대신 "외부 파트너"로부터 다이를 조달하고 인텔이 패키징할 예정이다.
2 nm 공정 2 nm 이상
2021년 7월, 인텔은 2025년에 18A 생산을 계획하고 있다고 보고했다. 인텔의 2022년 2월 로드맵에는 18A가 이전에 인텔 20A 대비 와트당 성능에서 10% 향상을 제공할 것으로 예상되었다고 추가되었다. 인텔의 2024년 8월 뉴스룸 발표에서는 18A 공정이 2025년 상반기에 제조 준비가 완료될 것이라고 추가적으로 나타났다.
2021년 12월, 수직 나노시트를 갖춘 수직 전송 FET(VTFET) CMOS 로직 트랜지스터 설계가 45 nm 미만의 게이트 피치로 시연되었다.
2022년 5월, IMEC는 2년마다 새로운 노드를 도입하고 제곱근 2 노드 명명 규칙을 2036년까지 확장하는 공정 기술 로드맵을 제시했다. 이 로드맵은 그 때까지 도입될 TSMC의 명명 체계와 유사하게 이름 붙여진 "A2"(2 옹스트롬 노드를 나타냄) 공정 노드로 끝난다.
2 nm 공정 2 nm 이상
예상되는 트랜지스터 구조 및 상호 연결 축소 외에 IMEC에서 예측한 혁신은 다음과 같다.
2022년 9월, 삼성전자는 2027년까지 1.4 nm를 대량 생산하겠다는 목표를 포함한 미래 사업 목표를 제시했다.
2023년 현재 인텔, TSMC, 삼성 모두 CFET 트랜지스터를 시연했다. 이 트랜지스터는 두 개의 쌓인 수평 나노시트 트랜지스터로 구성되며, 하나는 p형(pFET 트랜지스터), 다른 하나는 n형(nFET 트랜지스터)이다.
멀티게이트 소자
멀티게이트 소자, 멀티게이트 MOSFET 또는 멀티게이트 전계 효과 트랜지스터 (MuGFET)는 단일 트랜지스터에 하나 이상의 게이트가 있는 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)를 나타낸다. 다중 게이트는 단일 게이트 전극에 의해 제어될 수 있으며, 여기서 다중 게이트 표면은 전기적으로 단일 게이트 역할을 하거나, 독립적인 게이트 전극에 의해 제어될 수 있다. 독립적인 게이트 전극을 사용하는 멀티게이트 소자는 때때로 독립 다중 게이트 전계 효과 트랜지스터 (MIGFET)라고 불린다. 가장 널리 사용되는 멀티게이트 소자는 비평면 트랜지스터 또는 3D 트랜지스터인 핀 전계 효과 트랜지스터(FinFET) 및 GAAFET(게이트 올 어라운드 전계 효과 트랜지스터)이다.
멀티게이트 소자
멀티게이트 트랜지스터는 MOS 반도체 제조업체들이 더 작은 마이크로프로세서와 메모리 셀을 만들기 위해 개발하고 있는 여러 전략 중 하나이며, 구어적으로 무어의 법칙을 확장하는 것(밀도 스케일링에 관한 좁고 구체적인 버전이며, 데나드 스케일링과의 부주의한 역사적 혼동은 제외)이라고 한다. 멀티게이트 트랜지스터 개발 노력은 전기기술종합연구소, 도시바, 그르노블 INP, 히타치 제작소, IBM, TSMC, 캘리포니아 대학교 버클리, 인피니온 테크놀로지스, 인텔, 어드밴스트 마이크로 디바이시스, 삼성전자, 한국과학기술원, 프리스케일 세미컨덕터 등에서 보고되었으며, ITRS는 이러한 장치가 32 나노미터 이하 기술의 초석이 될 것이라고 정확하게 예측했다. 광범위한 구현의 주요 걸림돌은 제조 가능성이다. 평면 및 비평면 설계 모두 특히 리소그래피 및 패터닝과 관련하여 상당한 어려움을 겪기 때문이다. 소자 스케일링을 위한 다른 보완적인 전략에는 채널 스트레인 엔지니어링, 실리콘 온 인슐레이터 기반 기술, high-κ/금속 게이트 재료가 포함된다.
듀얼 게이트 MOSFET은 일반적으로 초단파 (VHF) 믹서 및 민감한 VHF 프런트 엔드 증폭기에 사용된다. 이들은 모토로라, NXP 반도체 및 히타치 제작소와 같은 제조업체에서 구할 수 있다.
멀티게이트 소자 유형
수십 가지의 멀티게이트 트랜지스터 변형이 문헌에서 발견될 수 있다. 일반적으로 이러한 변형은 아키텍처(평면 대 비평면 설계) 및 채널/게이트 수(2, 3 또는 4)로 구별하고 분류할 수 있다.
평면 이중 게이트 MOSFET (DGMOS)는 기존의 평면 (층별) 제조 공정을 사용하여 이중 게이트 MOSFET (금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터) 소자를 생성하여 비평면 수직 트랜지스터 구조와 관련된 보다 엄격한 리소그래피 요구 사항을 피한다. 평면 이중 게이트 트랜지스터에서 드레인-소스 채널은 독립적으로 제작된 두 개의 게이트/게이트 산화물 스택 사이에 끼워져 있다. 이러한 구조를 제작하는 데 주요 과제는 상부 및 하부 게이트 사이에서 만족스러운 자체 정렬을 달성하는 것이다.
멀티게이트 소자 유형
FlexFET는 다마신 금속 상부 게이트 MOSFET과 주입된 JFET 하부 게이트를 갖춘 평면의 독립적으로 이중 게이트 트랜지스터로, 게이트 트렌치에서 자체 정렬된다. 이 소자는 리소그래피 이하 채널 길이, 비주입된 초박형 소스 및 드레인 확장, 비에피라이즈된 소스 및 드레인 영역, 게이트 마지막 플로우로 인해 확장성이 높다. FlexFET는 (1) 상부 및 하부 게이트 모두 트랜지스터 작동을 제공하고, (2) 게이트 작동이 상부 게이트 작동이 하부 게이트 작동에 영향을 미치고 그 반대도 마찬가지인 방식으로 결합된다는 점에서 진정한 이중 게이트 트랜지스터이다. FlexFET는 American Semiconductor, Inc.에서 개발하고 제조한다.
멀티게이트 소자 FinFET
FinFET(핀 전계 효과 트랜지스터)는 비평면 트랜지스터 또는 "3D" 트랜지스터의 한 유형이다(3D 마이크로칩과 혼동하지 말 것). FinFET은 기판 위에 얇은 실리콘 "핀" 반전 채널이 존재하여 게이트가 핀의 좌우면에 두 개의 접촉점을 만들 수 있다는 점에서 전통적인 MOSFET과 차별화된다. 핀의 두께(소스에서 드레인 방향으로 측정)는 소자의 유효 채널 길이를 결정한다. 랩어라운드 게이트 구조는 채널에 대한 전기적 제어를 향상시켜 누설 전류를 줄이고 다른 단채널 효과를 극복하는 데 도움이 된다.
멀티게이트 소자 FinFET
최초의 FinFET 트랜지스터 유형은 "공핍형 린 채널 트랜지스터" 또는 "DELTA" 트랜지스터라고 불렸으며, 이는 1989년 히타치 중앙 연구소의 히사모토 디그, 카가 토루, 카와모토 요시후미, 다케다 에이지에 의해 처음 제조되었다. 1990년대 후반, 히사모토 디그는 TSMC의 후칭밍과 캘리포니아 대학교 버클리 연구팀(류쯔자이, 제프리 보커, 황쉬에주, 릴랜드 창, 닉 린더트, S. 아메드, 사이러스 태버리, 최양규, 푸쉬카 라나데, 스리람 발라수브라마니안, A. 아가르왈, M. 아민 포함)과 함께 DELTA 기술 개발을 위해 국제 연구팀과 협력하기 시작했다. 1998년, 이 팀은 최초의 N-채널 FinFET을 개발하고 17 nm 공정까지 성공적으로 소자를 제작했다. 이듬해에는 최초의 P-채널 FinFET을 개발했다. 그들은 2000년 12월 논문에서 "FinFET"(핀 전계 효과 트랜지스터)라는 용어를 만들었다.
멀티게이트 소자 FinFET
현재 사용되는 FinFET 용어는 덜 정확한 정의를 가지고 있다. 마이크로프로세서 제조업체 중 AMD, IBM, 프리스케일은 이중 게이트 개발 노력을 FinFET 개발이라고 설명하는 반면, 인텔은 밀접하게 관련된 삼중 게이트 아키텍처를 설명할 때 이 용어를 사용하는 것을 피한다. 기술 문헌에서 FinFET는 게이트 수에 관계없이 핀 기반 멀티게이트 트랜지스터 아키텍처를 일반적으로 설명하는 데 사용된다. 단일 FinFET 트랜지스터가 여러 개의 핀을 포함하는 것이 일반적이며, 이들은 나란히 배열되어 있고 모두 동일한 게이트로 덮여 있으며, 구동 강도와 성능을 높이기 위해 전기적으로 하나처럼 작동한다. 게이트는 핀의 전체를 덮을 수도 있다.
2002년 12월 TSMC (대만 반도체 제조 회사)는 0.7 볼트만으로 작동하는 25 nm 트랜지스터를 시연했다. "오메가 FinFET" 설계는 게이트가 소스/드레인 구조를 감싸는 모양과 그리스 문자 오메가 (Ω)의 유사성을 따서 명명되었다. N형 트랜지스터는 0.39 피코초 (ps), P형 트랜지스터는 0.88 ps의 게이트 지연을 갖는다.
멀티게이트 소자 FinFET
2004년, 삼성전자는 FinFET 소자 대량 생산을 가능하게 하는 "벌크 FinFET" 설계를 시연했다. 그들은 90 nm 벌크 FinFET 공정으로 제조된 동적 랜덤 액세스 메모리 (DRAM)를 시연했다. 2006년, 한국과학기술원(KAIST)과 국립나노팹센터의 한국 연구팀이 FinFET 기술을 기반으로 세계에서 가장 작은 나노일렉트로닉스 소자인 3 nm 트랜지스터를 개발했다. 2011년, 라이스 대학교 연구원 마수드 로스타미와 카르틱 모한람은 FinFET이 두 개의 전기적으로 독립적인 게이트를 가질 수 있으며, 이는 회로 설계자에게 효율적이고 저전력 게이트로 설계할 수 있는 더 많은 유연성을 제공한다는 것을 입증했다.
2012년, 인텔은 미래 상용 장치에 FinFET를 사용하기 시작했다. 유출된 정보에 따르면 인텔의 FinFET는 사각형이 아닌 삼각형의 특이한 모양을 가지고 있으며, 이는 삼각형이 더 높은 구조 강도를 가지고 더 안정적으로 제조될 수 있거나 삼각 기둥이 직사각형 기둥보다 더 높은 면적 대 부피 비율을 가지고 있어 스위칭 성능을 향상시키기 때문일 것으로 추측된다.
멀티게이트 소자 FinFET
2012년 9월, 글로벌파운드리스는 2014년에 FinFET 3D 트랜지스터를 특징으로 하는 14나노미터 공정 기술을 제공할 계획을 발표했다. 다음 달에 경쟁사인 TSMC는 2013년 11월에 16 nm FinFET의 초기 또는 "위험" 생산을 시작한다고 발표했다.
2014년 3월, TSMC는 여러 16 nm FinFET 다이 온 웨이퍼 제조 공정의 구현에 거의 도달했다고 발표했다.
AMD는 2016년 6월 폴라리스 칩 아키텍처를 사용하고 14 nm FinFET으로 만든 GPU를 출시했다. 이 회사는 그래픽, 게임, 가상 현실, 멀티미디어 애플리케이션을 위한 안정적인 프레임 속도를 제공하면서 "세대적 전력 효율성 도약"을 제공하는 설계를 생산하려 노력했다.
2017년 3월, 삼성과 eSilicon은 2.5D 패키지의 14 nm FinFET ASIC 생산을 위한 테이프아웃을 발표했다.
멀티게이트 소자 FinFET
트라이게이트 트랜지스터, 또는 삼중 게이트 트랜지스터는 세 면에 게이트가 있는 MOSFET의 한 유형이다. 삼중 게이트 트랜지스터는 1987년 도시바 연구팀인 K. 히에다, 후미오 호리구치, H. 와타나베에 의해 처음 시연되었다. 그들은 좁은 벌크 Si 기반 트랜지스터의 완전 공핍형(FD) 몸체가 몸체 바이어스 효과 감소로 인해 스위칭 개선에 도움이 된다는 것을 깨달았다. 1992년, IBM 연구원 Hon-Sum Wong이 삼중 게이트 MOSFET을 시연했다.
인텔은 2002년 9월 이 기술을 발표했다. 인텔은 "트랜지스터 스위칭 성능을 극대화하고 전력 낭비 누설을 줄이는" "트라이게이트 트랜지스터"를 발표했다. 1년 후인 2003년 9월, AMD는 국제 고체 장치 및 재료 학회에서 유사한 기술에 대해 연구하고 있다고 발표했다. 2011년 5월 인텔의 발표까지 이 기술에 대한 추가 발표는 없었지만, IDF 2011에서 그들은 IDF 2009에서 이 기술을 기반으로 한 작동 가능한 SRAM 칩을 시연했다고 밝혔다.
멀티게이트 소자 FinFET
2012년 4월 23일, 인텔은 트라이게이트 트랜지스터를 특징으로 하는 새로운 CPU 라인인 아이비 브리지를 출시했다. 인텔은 2002년부터 트라이게이트 아키텍처를 연구해왔지만, 대량 생산 문제를 해결하는 데는 2011년까지 걸렸다. 새로운 스타일의 트랜지스터는 2011년 5월 4일 샌프란시스코에서 설명되었다. 인텔 공장은 2011년과 2012년에 아이비 브리지 CPU를 제조할 수 있도록 업그레이드될 것으로 예상된다고 발표되었다. 새로운 트랜지스터는 저전력 장치용 아톰 칩에도 사용될 것이라고 발표되었다.
트라이게이트 제조는 인텔이 아이비 브리지, 하스웰, 스카이레이크 프로세서에 사용된 비평면 트랜지스터 아키텍처에 사용되었다. 이 트랜지스터는 두 개의 수직 게이트 위에 단일 게이트가 쌓여 있어(채널의 세 면을 감싼 단일 게이트) 전자가 이동할 수 있는 표면적이 사실상 세 배가 된다. 인텔은 트라이게이트 트랜지스터가 누설을 줄이고 이전 트랜지스터보다 훨씬 적은 전력을 소비한다고 보고한다. 이를 통해 이전 인텔 트랜지스터 유형보다 최대 37% 더 빠른 속도 또는 50% 미만의 전력 소비를 달성할 수 있다.
인텔은 "추가적인 제어는 트랜지스터가 '켜짐' 상태일 때 가능한 한 많은 트랜지스터 전류(성능을 위해)를 흐르게 하고, '꺼짐' 상태일 때 가능한 한 0에 가깝게(전력 최소화를 위해), 그리고 트랜지스터가 두 상태 사이에서 매우 빠르게 스위칭할 수 있도록 합니다(다시 한번, 성능을 위해)."라고 설명한다. 인텔은 샌디브리지 이후의 모든 제품이 이 설계를 기반으로 할 것이라고 밝혔다.
트라이게이트라는 용어는 때때로 세 개의 유효 게이트 또는 채널을 가진 모든 멀티게이트 FET를 통칭하는 데 사용된다.
멀티게이트 소자 게이트 올 어라운드 FET (GAAFET)
게이트 올 어라운드 FET(GAAFET)는 7 nm 이하 크기에서도 작동할 수 있어 FinFET의 후속 기술이다. IBM은 이를 사용하여 5 nm 공정 기술을 시연했다.
주변 게이트 트랜지스터(SGT)라고도 불리는 GAAFET는 게이트 재료가 모든 면에서 채널 영역을 둘러싸는 것을 제외하고 FinFET와 개념적으로 유사하다. 설계에 따라 게이트 올 어라운드 FET는 두 개 또는 네 개의 유효 게이트를 가질 수 있다. 게이트 올 어라운드 FET는 이론적으로나 실험적으로 성공적으로 특성화되었다. 또한 실리콘보다 전자 이동도가 높은 InGaAs의 나노와이어에 성공적으로 에칭되었다.
멀티게이트 소자 게이트 올 어라운드 FET (GAAFET)
게이트 올 어라운드(GAA) MOSFET은 1988년 마스오카 후지오, 히로시 다카토, 카즈마사 스노우치로 구성된 도시바 연구팀이 수직 나노와이어 GAAFET인 "주변 게이트 트랜지스터"(SGT)를 시연하면서 처음 시연되었다. 플래시 메모리 발명가로 가장 잘 알려진 마스오카는 나중에 도시바를 떠나 2004년 Unisantis Electronics를 설립하여 도호쿠 대학과 함께 주변 게이트 기술을 연구했다. 2006년, 한국과학기술원(KAIST)과 국립나노팹센터의 한국 연구팀이 게이트 올 어라운드(GAA) FinFET 기술을 기반으로 세계에서 가장 작은 나노일렉트로닉스 소자인 3 nm 트랜지스터를 개발했다. GAAFET 트랜지스터는 high-k/금속 게이트 재료를 사용할 수 있다. 최대 7개의 나노시트를 가진 GAAFET이 시연되었으며, 이는 개선된 성능 및 감소된 소자 풋프린트를 허용한다. GAAFET의 나노시트 폭은 제어 가능하여 소자 특성 조정을 더 쉽게 할 수 있다.
멀티게이트 소자 게이트 올 어라운드 FET (GAAFET)
2020년 현재 삼성과 인텔은 GAAFET 트랜지스터(특히 MBCFET 트랜지스터)를 대량 생산할 계획을 발표했으며, TSMC는 TSMC가 GAAFET 트랜지스터를 개발하고 있음에도 불구하고 3 nm 노드에서는 FinFET를 계속 사용할 것이라고 발표했다.
멀티 브리지 채널 FET(MBCFET)는 나노와이어 대신 나노시트를 사용한다는 점을 제외하고 GAAFET와 유사하다. MBCFET는 삼성전자가 미국에 등록한 워드마크(상표)이다. 삼성은 파운드리 고객을 위해 3 nm 노드에서 MBCFET 트랜지스터를 대량 생산할 계획이다. 인텔도 MBCFET "나노리본" 트랜지스터의 변형인 RibbonFET을 개발하고 있다. FinFET와 달리 시트의 폭과 수를 변경하여 구동 강도 또는 특정 전압에서 트랜지스터가 구동할 수 있는 전류량을 조정할 수 있다. 시트의 폭은 종종 8에서 50나노미터까지 다양하다. 나노시트의 폭은 Weff, 즉 유효 폭으로 알려져 있다.
멀티게이트 소자 산업적 요구
평면 트랜지스터는 수십 년 동안 집적 회로의 핵심이었으며, 그동안 개별 트랜지스터의 크기는 꾸준히 줄어들었다. 크기가 줄어들면서 평면 트랜지스터는 바람직하지 않은 단채널 효과, 특히 장치가 요구하는 유휴 전력을 증가시키는 "오프 상태" 누설 전류로 점점 더 고통받고 있다.
멀티게이트 소자에서 채널은 여러 표면에 걸쳐 여러 게이트로 둘러싸여 있다. 따라서 채널에 대한 전기적 제어가 향상되어 "오프 상태" 누설 전류를 보다 효과적으로 억제할 수 있다. 여러 게이트는 "켜짐" 상태의 전류, 즉 구동 전류를 향상시키기도 한다. 멀티게이트 트랜지스터는 또한 더 높은 고유 이득과 더 낮은 채널 길이 변조로 인해 더 나은 아날로그 성능을 제공한다. 이러한 장점은 낮은 전력 소비와 향상된 소자 성능으로 이어진다. 비평면 소자는 기존 평면 트랜지스터보다 더 소형이며, 이는 더 높은 트랜지스터 밀도를 가능하게 하여 전체 마이크로일렉트로닉스의 소형화를 이끈다.
비평면 멀티게이트 소자를 기존 반도체 제조 공정에 통합하는 주요 과제는 다음과 같다.
멀티게이트 소자 컴팩트 모델링
UC Berkeley BSIM 그룹이 2012년 3월 1일에 공식 출시한 BSIMCMG106.0.0는 FinFET의 첫 번째 표준 모델이다. BSIM-CMG는 Verilog-A로 구현된다. 물리적 표면 전위 기반 공식은 유한한 몸체 도핑을 갖는 내재적 및 외재적 모델 모두에 대해 도출된다. 소스 및 드레인 끝의 표면 전위는 폴리 공핍 및 양자 역학적 효과와 함께 해석적으로 해결된다. 유한한 몸체 도핑의 효과는 섭동 접근 방식을 통해 포착된다. 해석적 표면 전위 해는 2차원 소자 시뮬레이션 결과와 밀접하게 일치한다. 채널 도핑 농도가 무시할 수 있을 만큼 낮으면 특정 플래그(COREMOD = 1)를 설정하여 계산 효율성을 더욱 향상시킬 수 있다.
모든 중요한 멀티 게이트 (MG) 트랜지스터 동작은 이 모델에 의해 포착된다. 부피 반전은 푸아송 방정식의 해에 포함되므로 후속 I-V 공식은 부피 반전 효과를 자동으로 포착한다. MG MOSFET의 몸체에서 정전기 전위 분석은 단채널 효과 (SCE)에 대한 모델 방정식을 제공했다. 끝 게이트 (상/하 게이트) (삼중 또는 사중 게이트)의 추가적인 정전기 제어도 단채널 모델에 포착된다.
IMEC
인터유니버시티 마이크로일렉트로닉스 센터(Interuniversity Microelectronics Centre, IMEC, 공식적으로 imec로 표기)는 나노일렉트로닉스 및 디지털 기술 분야에서 활동하는 국제 연구개발 기관으로, 본부는 벨기에에 위치한다. 룩 반 덴 호브는 2009년부터 사장 겸 CEO로 재직하고 있다.
IMEC는 5,500명 이상의 직원과 연구원을 보유하고 있으며, 시스템 스케일링, 실리콘 포토닉스, 인공지능, 5G 이후 통신 및 센싱 기술을 포함한 첨단 반도체 연구 개발 활동을 수행한다. 2022년 IMEC의 매출(손익계산서)은 총 8억 4,600만 유로를 기록했다.
IMEC 개요
IMEC는 90개국 이상에서 온 5,500명 이상의 연구원을 고용하고 있으며, 반도체 공정을 위한 12,000 제곱미터의 청정실 용량을 포함하여 전 세계에 연구 개발 전용 시설을 다수 보유하고 있다. IMEC 본부는 뢰번에 위치한다.
1982년, 플람스 정부는 플란데런의 마이크로일렉트로닉스 산업을 강화하기 위한 프로그램을 수립했다. 이 프로그램에는 마이크로일렉트로닉스 첨단 연구소(IMEC), 반도체 파운드리(구 Alcatel Microelectronics, 현 ST마이크로일렉트로닉스 및 AMI Semiconductor,) 및 VLSI 설계 엔지니어 양성 프로그램이 포함되었다. 후자는 현재 IMEC 활동에 완전히 통합되었다.
IMEC는 1984년 로저 반 오버스트라텐 교수가 이끄는 비영리 단체로 설립되었다. IMEC라는 이름은 원래 전체 이름인 Interuniversitair Micro-Electronica Centrum VZW의 약어이다. 산업계, 플란데런 대학 및 플람스 정부 대표로 구성된 이사회의 감독을 받는다. 1984년부터 IMEC는 로저 반 오버스트라텐, 길버트 데클레르크(1999년 6월부터), 룩 반 덴 호브(2009년 7월부터)가 이끌었다.
IMEC 개요
2015년, IMEC는 화웨이 및 Semiconductor Manufacturing International Corporation과 합작 투자를 설립했다.
2016년 2월, IMEC가 플란데런 디지털 연구 센터인 iMinds와 합병될 것이라고 발표되었다. 합병은 2016년 9월 21일에 최종 완료되었다.
2024년 1월, IMEC가 스페인 말라가의 Andalusia Technology Park에 연구 개발 센터를 개소할 것이라고 발표되었다.
2024년 3월, 플람스 정부는 수출규제 우려로 인해 IMEC가 중국과의 파트너십을 "대폭 축소"할 것이라고 밝혔다.
IMEC는 회로 축소 및 나노기술의 새로운 산업 응용 분야에 대한 전문 지식으로 잘 알려져 있다. 2015년, 뉴욕 타임스는 IMEC가 세계에서 가장 작고 정교한 칩을 생산하는 기술을 개척하는 데 기여했으며 이 센터가 나노일렉트로닉스 연구 분야의 세계적 선두 주자로 여겨진다고 보도했다.
2022년 12월, IMEC는 새로운 일본 합작 회사인 라피더스와 2 nm 공정 반도체 칩 생산을 위한 협력 계약을 체결했다.
IMEC 개요
IMEC는 스마트 에너지 분야에서 연구를 수행하며, 스마트 그리드 네트워크를 능동적이고 비용 효율적으로 계획, 배포 및 관리하는 방법 개발부터 (태양) 에너지 효율성, 생산 및 저장 비용 개선에 이르기까지 다양한 분야를 다룬다. 태양 전지 및 고체 배터리 기술에서 상당한 발전이 이루어졌다.
뢰번 가톨릭 대학교, VITO, UHasselt와 함께 IMEC는 지속 가능한 에너지 및 지능형 에너지 시스템 연구를 수행하기 위한 별도의 R&D 허브를 설립했다. 이 프로젝트는 에너지빌(EnergyVille)이라고 명명되었으며, 태양광, 전기 및 열 저장, 전력 제어 및 변환, 전기 및 열 네트워크, 건물 및 지역, 전략 및 시장 등 여섯 가지 학제간 영역에 집중하는 400명의 연구원을 고용하고 있다.
IMEC는 인공지능에 대한 첨단 연구를 수행하며, 2019년 방위고등연구계획국의 머신러닝 대회에서 두 차례 75만 달러를 수상했다.
2017년 보고서에서 파이낸셜 타임스는 IMEC의 자가 학습 뉴로모픽 칩을 세상을 바꿀 50가지 아이디어 중 하나로 선정했으며, 컴퓨팅에 혁명을 일으킬 잠재력이 있다고 묘사했다.
IMEC 개요
2017년, 플람스 정부는 IMEC에 플란데런의 13개 주요 도시와 브뤼셀의 플란데런 커뮤니티를 스마트 도시로 전환하도록 지원하는 임무를 부여했다. IMEC는 또한 플람스 정부와 안트베르펜 시로부터 사물 인터넷 애플리케이션을 위한 유럽 최대 규모의 연구소를 설립하는 임무를 부여받았다.
2019년, 플로리다주는 IMEC와 협력하여 에버글레이즈 생태계에 영구적인 피해를 입히고 있는 외래종인 버마비단뱀과 바위비단뱀을 더 잘 탐지할 수 있는 초분광 기술을 개발할 것이라고 발표했다.
뉴로픽셀즈 프로브의 성능과 혁신적인 신경과학 실험 잠재력은 2017년 11월 9일 네이처에 발표된 논문에서 설명되었다. 2019년, 뉴욕 타임스는 IMEC의 뉴로픽셀즈 기술이 뇌 세포에서 데이터를 수집하는 가장 진보된 방법으로 널리 인정받고 있다고 보도했다.
IMEC 개요
2018년, IMEC는 뢰번 가톨릭 대학교, UZ Leuven, VIB와 함께 치매 해독을 목표로 하는 Mission Lucidity라는 연구 벤처 설립을 발표했다. IMEC는 인간 줄기 세포 조작을 자동화하고 소형화하는 인간 특이적 살아있는 뇌 모델인 '뇌-칩'을 개발하고, 단일 세포 정밀도로 프로그래밍 가능하고 계측 가능한 3D 뇌 모델을 생성하는 기술을 개발하고 있다. 이 프로젝트는 Chan Zuckerberg Initiative의 백만 달러 규모 협력 과학 상금으로 지원되었다.
IMEC의 생명 과학 기술 프로그램 책임자인 피터 퓨먼스는 miDiagnostics 설립을 도왔고 CTO로 임명되었다. 2019년, 미국 항공 우주국은 우주 건강 진단을 발전시키기 위해 무중력 환경에서 우주 비행사의 건강 상태를 모니터링하는 기술을 테스트하기 위해 miDiagnostics에 자금을 지원했다.
IMEC는 웨어러블 장치를 개발한다. IMEC 기술은 FDA 및 PMDA와 같은 규제 기관의 여러 승인을 받았으며, 적어도 하나의 출판된 연구에 기여했다.
IMEC 개요
IMEC는 스핀오프 회사인 블룸라이프를 통해 태아 건강 및 태아 움직임을 추적하는 임신 모니터링 기술을 개발하여 임산부와 의사에게 태아 발달에 대한 주요 정보에 대한 더 나은 접근성을 제공하는 것을 목표로 한다.
다른 응용 분야로는 소화 과정에서 발생하는 기계적, 전기적, 화학적 변화를 포착하여 이상 징후와 문제를 표시하고 맞춤형 영양 조언을 제공하는 소화 가능 장내 센서가 있다.
2020년, IMEC는 날숨으로 코로나바이러스감염증-19를 탐지하는 음주측정기 개발에 대한 대규모 연구 프로젝트를 시작했다. 기본 아이디어는 실리콘 기반 체 (도구)를 사용하여 폐 깊은 곳에서 나오는 극도로 작은 날숨 입자를 포착하여 감염 초기 단계에서 바이러스를 탐지하는 것이었다.
IMEC IMEC 말라가
스페인 총리는 2024년 10월 중순에 말라가에 "IMEC이 운영하는 과학 인프라 설계 및 구현을 위해" 첫 1억 유로가 할당되었다고 발표했다. 이 안달루시아 도시는 최근 몇 년 동안 기술, 분석 및 인공지능 분야에서 스페인의 중심지로 자리매김했다.
유럽 분자생물학 연구소
유럽 분자생물학 연구소(European Molecular Biology Laboratory, EMBL)는 분자생물학 연구를 위한 정부간 국제 기구로, 29개 회원국, 2개 예비 회원국, 1개 준회원국의 지원을 받고 있다. EMBL은 1974년에 설립되었으며 회원국의 공공 연구 자금으로 운영된다. EMBL의 연구는 110개 이상의 독립적인 연구 그룹과 서비스 팀이 분자생물학의 전 범위를 다루며 수행한다.
연구소는 6개 지역에서 운영된다: 하이델베르크 (독일)의 본부 연구소와 바르셀로나 (스페인), 그르노블 (프랑스), 함부르크 (독일), 힝스턴 (EBI, 영국), 로마 (이탈리아)의 지역 연구소들이 있다. EMBL 그룹 및 연구소는 분자생물학 및 분자 의학의 기초 연구를 수행하며 과학자, 학생 및 방문객을 교육한다. 이 조직은 회원국의 서비스, 새로운 기기 및 방법, 기술 개발을 돕는다. 이스라엘은 유럽 이외 지역에 위치한 유일한 정회원국이다.
유럽 분자생물학 연구소 역사
EMBL은 레오 실라드, 제임스 D. 왓슨과 존 켄드루의 아이디어에서 시작되었다. 그들의 목표는 유럽 입자 물리 연구소와 유사한 국제 연구 센터를 설립하여 미국이 주도하는 분자생물학 분야에 맞서는 것이었다. 켄드루는 1982년까지 EMBL의 초대 사무총장으로 재임했으며, 레너트 필립손이 뒤를 이었다. 1993년부터 2005년까지 포티스 카파토스가 소장으로 재임했고, 2005년부터 2018년까지 EMBL의 제4대 소장으로 이아인 매태이가 뒤를 이었다. 2019년 1월 에디스 허드가 EMBL의 제5대 소장이자 이 직책을 맡은 첫 여성이 되었다.
허드는 2022년 1월 19일 조직의 5개년 과학 프로그램인 Molecules to Ecosystems를 발표했다.
유럽 분자생물학 연구소 연구
각 EMBL 지역은 특정 연구 분야를 가지고 있다. EBI는 생물정보학 연구 및 서비스의 중심지이며, 수많은 과학 데이터베이스를 무료로 개발하고 유지 관리한다. 그르노블과 함부르크에서는 구조생물학에 중점을 둔 연구가 진행된다.
EMBL 로마 지역은 후성유전학 및 신경생물학 연구에 전념하고 있다. EMBL 바르셀로나의 과학자들은 건강과 질병 상태에서 조직과 장기가 어떻게 기능하고 발달하는지 탐구하고 있다. 하이델베르크 본부에는 세포생물학과 생물리학, 발생생물학, 유전체학, 구조생물학 및 전산생물학 분야의 연구팀이 있으며, 위에서 언급한 연구 분야를 보완하는 서비스 그룹도 있다.
EMBL에서는 많은 과학적 돌파구가 이루어졌다. 초파리 배아 발달의 첫 번째 체계적인 유전학적 분석은 EMBL에서 크리스티아네 뉘슬라인폴하르트와 에릭 비스하우스에 의해 수행되었으며, 그들은 1995년 노벨 생리학·의학상을 수상했다. 1980년대 초, 자크 뒤보셰와 그의 EMBL 팀은 생물학적 구조를 위한 저온전자현미경을 개발했다. 그들은 2017년 노벨 화학상을 수상했다.
유럽 분자생물학 연구소 과학 서비스
EMBL은 구조생물학, 이미징 및 시퀀싱 시설을 포함하여 5개 유럽 지역에서 외부 연구자들에게 첨단 실험 및 데이터 서비스를 제공하는 것을 핵심 임무 중 하나로 삼고 있다. 2021년, EMBL은 하이델베르크 본부에 고해상도 광학 및 전자 현미경을 위한 새로운 센터인 EMBL 이미징 센터를 완공했다. 이 센터는 전 세계 방문 과학자들에게 개방되어 있으며, 최신 이미징 기술과 전문 조언 및 다른 곳에서는 아직 이용할 수 없는 산업 선도 개발을 결합하여 생명 과학을 위한 독특한 서비스 시설을 제공한다.
유럽 분자생물학 연구소 교육
첨단 교육은 EMBL의 5가지 핵심 임무 중 하나이다. 수년 동안 연구소는 다양한 교육 활동을 구축했으며, 그중 EMBL 국제 박사 과정(EIPP)은 약 200명의 학생으로 구성된 대표적인 프로그램이다. 1997년부터 자체 학위를 수여할 권리를 얻었지만, 현재 학생들은 협력 대학에서 학위를 받고 있다. 다른 활동으로는 EMBL 학제 간 박사 후 과정(EIPOD) 및 방문 프로그램이 포함된 박사 후 과정 프로그램이 있다.
유럽 분자생물학 연구소 EMBL 첨단 교육 센터
2010년 3월, EMBL 첨단 교육 센터(ATC)가 하이델베르크 본부 캠퍼스에서 개관했다. 이 센터는 이중 나선형으로 형성되어, 과학 회의, 세미나, 교육 과정을 개최하고 교육 실험실 및 강의실에 대한 접근을 제공한다.
ATC는 또한 EMBL의 생명 과학을 위한 유럽 학습 연구소(ELLS) 를 주최하며, 이는 분자 생물학의 최신 개발에 대한 중등학교 교사들을 위한 교육을 제공하고 학생 홍보 프로그램을 운영한다.
유럽 분자생물학 연구소 과학과 사회
EMBL은 또한 활발한 과학 및 사회 프로그램을 운영하며, 일반 대중과 과학계에 생명 과학 연구의 현재 문제에 대한 활동 및 이벤트를 제공한다.
유럽 분자생물학 연구소 회원국
EMBL은 현재 29개 회원국, 1개 준회원국, 2개 예비 회원국의 지원을 받고 있다.
피코초
피코초(picosecond, 약자 ps)는 국제단위계의 시간의 단위로, 10−12 또는 1⁄1,000,000,000,000분의 1 초와 같다. 즉, 1조분의 1초, 백만분의 백만분의 1초, 또는 0.000 000 000 001초이다.
1 피코초가 1초에 해당하는 관계는 1초가 약 31,688.76년에 해당하는 관계와 같다.
여러 기술적 접근 방식은 한 자릿수 피코초 내에서 이미징을 달성한다. 예를 들어 스트릭 카메라나 강화 CCD (ICCD) 카메라는 빛의 움직임을 촬영할 수 있다.
1 피코초는 1000 펨토초 또는 1/1000 나노초와 같다. 다음 SI 단위가 1000배 크기 때문에, 10−11초와 10−10초의 측정값은 일반적으로 수십 또는 수백 피코초로 표현된다. 이 범위의 주목할 만한 측정값은 다음과 같다.
펨토초
펨토초(Femtosecond)는 국제단위계(SI)에서 10−15 또는 1⁄1 000 000 000 000 000 초에 해당하는 시간 단위이다. 즉, 1000조분의 1초 또는 10억분의 1의 100만분의 1초이다.
펨토초가 1초에 대해 갖는 비율은 1초가 약 3169만 년에 대해 갖는 비율과 같다.
예를 들어, 빛은 1 펨토초 동안 약 0.3 μm(마이크로미터)를 이동하는데, 이는 바이러스의 직경과 비슷한 거리이다. 펨토초 측정을 처음 수행한 사람은 이집트의 노벨상 수상자인 아메드 즈웨일이며, 그는 1999년에 이 공로로 노벨 화학상을 수상했다. 즈웨일 교수는 레이저를 사용하여 펨토초 규모에서 입자의 움직임을 측정했으며, 이를 통해 화학 반응을 최초로 관찰할 수 있게 되었다.
펨토초(femtosecond)라는 단어는 SI 접두어인 펨토(femto)와 SI 단위인 초(second)로 구성된다. 기호는 fs이다.
1 펨토초는 1000 아토초 또는 1/1000 피코초와 같다. 다음 상위 SI 단위는 1000배 크므로, 10−14초 및 10−13초의 시간은 일반적으로 수십 또는 수백 펨토초로 표현된다.
하이-Z 초신성 탐사팀
하이-Z 초신성 탐사팀(High-Z Supernova Search Team)은 우주론 국제 협력단으로, Ia형 초신성을 사용하여 우주의 팽창을 지도화했다. 이 팀은 1994년에 당시 하버드 대학교의 박사후 연구원이었던 브라이언 P. 슈밋과 칠레의 세로 톨로로 미주 천문대(CTIO)의 천문학자 니콜라스 B. 순체프에 의해 결성되었다. 원래 팀은 1994년 9월 29일에 '먼 Ia형 초신성을 찾기 위한 파일럿 프로젝트'라고 불리는 제안서를 CTIO에 제출했다. 첫 번째 관측 제안 팀은 다음으로 구성되었다: 니콜라스 순체프 (PI); 브라이언 슈밋 (Co-I); (다른 공동 연구원) R. 크리스 스미스, 로버트 쇼머, 마크 M. 필립스, 마리오 하무이, 로베르토 아빌레스, 호세 마사, 애덤 리스, 로버트 커쉬너, 제이슨 스파이로밀리오, 그리고 브루노 라이분드굿. 프로젝트는 1995년 2월 25일 밤과 1995년 3월 6일, 24일, 29일 밤에 CTIO 빅토르 M. 블랑코 망원경에서 4일 밤의 망원경 시간을 할당받았다. 이 파일럿 프로젝트는 초신성 SN1995Y의 발견으로 이어졌다. 1995년에 HZT는 팀을 관리하도록 오스트레일리아 국립 대학교의 일부인 마운트 스트롬로 천문대의 브라이언 P. 슈밋을 선출했다.
하이-Z 초신성 탐사팀
팀은 미국, 유럽, 오스트레일리아, 칠레에 위치한 약 20명의 천문학자로 확장되었다. 그들은 빅토르 M. 블랑코 망원경을 사용하여 z = 0.9의 적색편이까지의 Ia형 초신성을 발견하기 위해 빅토르 M. 블랑코 망원경을 사용했다. 발견은 주로 켁 천문대와 유럽 남방 천문대의 망원경에서 얻은 스펙트럼으로 검증되었다.
1998년 1월, 당시 하버드-스미스소니안 천체물리학 센터에서 일하고 있던 노터데임 대학교의 천체물리학자 피터 가너비치는 허블 우주망원경을 사용하여 높은 적색편이의 초신성 세 개를 연구한 하이-Z 팀의 출판물을 이끌었다. 이러한 결과는 우주가 팽창을 멈출 만큼 충분한 물질을 포함하지 않으며 우주가 영원히 팽창할 가능성이 높다는 것을 시사했다.
하이-Z 초신성 탐사팀
애덤 리스가 주도한 1998년 5월 연구에서, 하이-Z 팀은 우주의 팽창이 가속하고 있다는 증거를 최초로 발표했다. 이 팀은 나중에 하버드 대학교의 크리스토퍼 스텁스가 이끄는 프로젝트 ESSENCE와 2002년 존스 홉킨스 대학교와 우주망원경과학연구소의 애덤 리스가 이끄는 하이거-Z 팀을 파생시켰다.
2011년에 리스와 슈밋은 초신성 우주론 프로젝트의 솔 펄머터와 함께 이 연구로 노벨 물리학상을 받았다.
2025년 UEFA 슈퍼컵
2025년 UEFA 슈퍼컵(2025 UEFA Super Cup)은 2025년 8월 13일에 열린 50번째 UEFA 슈퍼컵 대회이다. 이탈리아 우디네에 위치한 스타디오 프리울리에서 단판 승부 형식으로 진행될 예정이며 2024-25년 UEFA 챔피언스리그 우승 팀인 파리 생제르맹 FC와 2024-25년 UEFA 유로파리그 우승 팀인 토트넘 홋스퍼 FC가 맞붙을 예정이다.
2025년 UEFA 슈퍼컵 개최지 선정
UEFA는 2024년 12월 16일에 스위스 로잔에서 열린 집행위원회 회의에서 2025년 UEFA 슈퍼컵 개최지를 이탈리아 우디네에 위치한 스타디오 프리울리로 선정했다.
2025년 UEFA 슈퍼컵 경기
챔피언스리그 우승팀은 행정적 목적으로 "홈"팀으로 처리될 것이다.
세계해사대학교
세계해사대학교(World Maritime University, WMU)는 스웨덴 말뫼에 위치한 해양 분야의 대학원 대학교로, 유엔의 전문 기구인 국제 해사 기구 (IMO)의 틀 내에서 설립되었다. 1983년 IMO 총회 결의에 따라 설립되었으며, WMU의 목표는 해양 및 해양 분야의 대학원 교육, 전문 훈련 및 연구 분야에서 세계 최고 수준의 센터가 되는 동시에 글로벌 역량을 구축하고 지속 가능한 개발을 촉진하는 것이다.
세계해사대학교 지위
WMU는 국제 대학으로 간주되며, 주최국인 스웨덴 정부로부터 유엔 기관의 지위를 부여받았다. 다양한 국적의 사람들이 교수 및 학습에 참여하는 중심지 역할을 한다. WMU는 국제 해양 문제를 해결하고 국제적 조치를 조정하기 위해 국제 협력을 장려한다. 제공되는 프로그램에는 해사학 박사 학위 및 석사 학위와 철학 석사 학위가 포함된다. 해상 보험법 및 실무, 해양 에너지, 해운 경영, 국제 해사법 분야의 대학원 디플로마 과정은 원격 교육을 통해 제공된다. 국제 해사법 법학 석사 과정도 원격 학습을 통해 이용할 수 있다. 맞춤형 최고 경영자 전문 개발 과정(EPDCs)과 국제 컨퍼런스 및 행사는 해운 전문 공동체를 대상으로 한다. 대학교는 해양 및 해양 관련 프로젝트를 포함하는 활발한 연구 포트폴리오를 보유하고 있다.