hotchpotch/wikipedia-multilingual-ir-pairs huggingface dataset:
라데온 X1000 시리즈 아키텍처
코어의 다음 주요 변경 사항은 메모리 버스이다. R420 및 R300은 거의 동일한 메모리 컨트롤러 설계를 가졌으며, 전자는 더 높은 클록 속도를 위해 버그 수정된 버전이었다. R520의 메모리 버스는 "메모리 클라이언트"에 연결되는 중앙 컨트롤러(중재자)와 다르다. 칩 주변에는 DRAM 칩과 동일한 속도로 실행되지만 대기 시간을 줄이기 위해 반대 방향으로 실행되는 두 개의 256비트 링 버스가 있다. 이 링 버스를 따라 데이터가 링을 빠져나와 메모리 칩으로 들어가거나 나가는 4개의 "정지" 지점이 있다. PCI 익스프레스 인터페이스 및 비디오 입력을 위해 설계된 5번째로 훨씬 덜 복잡한 정지 지점이 있다. 이 설계는 신호가 GPU를 통해 이동해야 하는 거리가 짧아지고 DRAM당 뱅크 수가 증가함에 따라 메모리 액세스를 더 빠르게 만들 수 있다. 칩은 메모리 요청을 RAM 칩으로 더 빠르고 직접적으로 분산시킬 수 있다. ATI는 이전 설계보다 40%의 효율성 향상을 주장했다. RV515 및 RV530과 같은 작은 코어는 작고 저렴한 설계로 인해 축소되었다. 예를 들어, RV530은 대신 두 개의 내부 128비트 버스를 가지고 있다. 이 세대는 GDDR4를 포함한 모든 최신 메모리 유형을 지원한다. 링 버스 외에도 각 메모리 채널은 32비트의 세분성을 가지므로 작은 메모리 요청을 수행할 때 메모리 효율성이 향상된다.
라데온 X1000 시리즈 아키텍처
ATI의 이전 제품에서는 버텍스 셰이더 엔진이 이미 필요한 FP32 정밀도를 갖추고 있었다. SM3.0에 필요한 변경 사항에는 더 긴 명령어 길이, 분기, 루프 및 서브루틴이 있는 동적 흐름 제어 명령어, 더 큰 임시 레지스터 공간이 포함되었다. 픽셀 셰이더 엔진은 계산 레이아웃 측면에서 R420과 매우 유사하지만 90 나노미터 공정에서 높은 클록 속도에 도달하도록 크게 최적화되고 조정되었다. ATI는 이전 하드웨어용 드라이버에 고성능 셰이더 컴파일러를 개발하기 위해 수년간 노력해 왔으므로 호환 가능한 유사한 기본 설계를 유지하는 것이 명백한 비용 및 시간 절약을 제공했다.
파이프라인 끝에서 텍스처 주소 지정 프로세서는 픽셀 셰이더에서 분리되므로 사용하지 않는 텍스처링 유닛은 더 많은 텍스처 레이어가 필요한 픽셀에 동적으로 할당될 수 있다. 다른 개선 사항으로는 4096x4096 텍스처 지원 및 ATI의 3Dc 노멀 맵 압축이 특정 상황에서 압축률을 향상시켰다.
라데온 X1000 시리즈 아키텍처
R5xx 제품군은 더욱 진보된 온보드 모션 비디오 엔진을 도입했다. R100 이후의 라데온 카드와 마찬가지로 R5xx는 거의 전체 MPEG-1/2 비디오 파이프라인을 오프로드할 수 있다. R5xx는 또한 3D/파이프라인의 셰이더 유닛과 모션 비디오 엔진의 조합을 통해 마이크로소프트 WMV9/VC-1 및 MPEG H.264/AVC 디코딩을 지원할 수 있다. 벤치마크는 VC-1 및 H.264 재생 시 CPU 사용률이 미미하게 감소함을 보여준다.
출시와 함께 실시간 3D 데모 프로그램이 공개되었다. ATI의 "디지털 슈퍼스타" 루비의 개발은 새로운 데모인 어쌔신으로 계속되었다. 이 데모는 고동적 범위 조명(HDR)과 동적 부드러운 그림자가 있는 매우 복잡한 환경을 선보였다. 루비의 최신 경쟁 프로그램인 신은 12만 개의 폴리곤으로 구성되었다.
이 카드는 듀얼 링크 DVI 출력 및 HDCP를 지원한다. 그러나 HDCP를 사용하려면 외부 ROM이 설치되어야 하는데, 초기 비디오 카드 모델에는 사용할 수 없었다. RV515, RV530, RV535 코어는 단일 및 이중 DVI 링크를 포함하고, R520, RV560, RV570, R580, R580+ 코어는 두 개의 이중 DVI 링크를 포함한다.
AMD는 최종 라데온 R5xx 가속 문서를 공개했다.
라데온 X1000 시리즈 드라이버
X1000 시리즈를 공식적으로 지원하는 마지막 AMD 카탈리스트 버전은 10.2, 디스플레이 드라이버 버전 8.702이다.
라데온 X1000 시리즈 변형
이 시리즈는 X1000 시리즈의 보급형 솔루션이며 RV515 코어를 기반으로 한다. 칩은 이전 X300 – X600 카드와 유사하게 4개의 텍스처 유닛, 4개의 ROP, 4개의 픽셀 셰이더 및 2개의 버텍스 셰이더를 갖추고 있다. 이 칩들은 R520의 쿼드 중 하나를 사용하며, 더 빠른 보드는 이러한 쿼드를 더 많이 사용한다. 예를 들어, X1800은 4개의 쿼드를 사용한다. 이 모듈식 설계를 통해 ATI는 동일한 기술을 사용하여 "최고부터 최저까지" 라인업을 구축하여 연구, 개발 시간 및 비용을 절약할 수 있다. 더 작은 설계로 인해 이 카드들은 낮은 전력 요구량(30W)을 제공하므로 더 시원하게 작동하고 더 작은 케이스에 사용할 수 있다. 결국 ATI는 X1550을 만들고 X1300은 단종시켰다. X1050은 R300 코어를 기반으로 했으며 초저가 부품으로 판매되었다.
초기 모빌리티 라데온 X1300 ~ X1450은 RV515 코어를 기반으로 한다.
라데온 X1000 시리즈 변형
2006년부터 라데온 X1300 및 X1550 제품은 RV505 코어로 전환되었는데, 이는 이전 RV515 코어와 유사한 기능과 특징을 가졌지만 TSMC에서 80 나노미터 공정(RV515의 90 나노미터 공정에서 축소)으로 제조되었다.
X1600은 M56 코어를 사용하며 RV530 코어를 기반으로 한다. RV530 코어는 RV515와 유사하지만 다르다.
RV530은 픽셀 셰이더 대 텍스처 유닛 비율이 3:1이다. RV515의 4개의 텍스처 유닛과 4개의 ROP를 유지하면서 12개의 픽셀 셰이더를 가지고 있다. 또한 3개의 추가 버텍스 셰이더를 얻어 총 5개의 유닛이 된다. 칩의 단일 "쿼드"는 R580의 4개 쿼드 설계와 유사하게 파이프라인당 3개의 픽셀 셰이더 프로세서를 가지고 있다. 이는 RV530이 동일한 클록 속도에서 X1300과 동일한 텍스처링 기능을 가지지만, 12개의 픽셀 셰이더를 통해 셰이더 계산 성능에서 X1800과 동등하다는 것을 의미한다. 사용 가능한 게임의 프로그래밍 내용으로 인해 X1600은 텍스처링 성능 부족으로 인해 크게 방해받는다.
라데온 X1000 시리즈 변형
X1600은 ATI의 미드레인지 GPU로서 라데온 X600 및 라데온 X700을 대체하도록 포지셔닝되었다. 모빌리티 라데온 X1600 및 X1700도 RV530을 기반으로 한다.
X1650 시리즈는 두 가지 부품으로 구성된다. X1650 Pro는 RV535 코어(새로운 80 나노미터 공정으로 제조된 RV530 코어)를 사용하며 X1600보다 전력 소비량과 발열량이 모두 낮다. 다른 부품인 X1650XT/X1650GT는 새로운 RV570 코어(RV560으로도 알려짐)를 사용하지만 주 경쟁자인 엔비디아의 7600GT와 경쟁하기 위해 처리 능력이 낮다(완전히 장착된 RV570 코어는 고성능 카드인 X1950Pro에 동력을 공급한다). 또한 라데온 X1650도 있는데, 이는 기술적으로는 이전 세대 X1600에 속하며, 오래된 90nm RV530 코어를 사용하기 때문이다. 자세히 살펴보면, 기본적으로 DDR2 메모리를 탑재한 라데온 X1600 프로의 이름이 변경된 것이다.
라데온 X1000 시리즈 변형
원래 X1000 시리즈의 주력 모델이었던 X1800 시리즈는 롤링 릴리스와 당시 경쟁사였던 NVIDIA의 지포스 7 시리즈의 약진으로 인해 미미한 반응과 함께 출시되었다. 2005년 후반에 X1800이 시장에 출시되었을 때, 이는 90nm GPU를 탑재한 최초의 고성능 비디오 카드였다. ATI는 카드에 256 MB 또는 512MB의 온보드 메모리를 장착하기로 결정했다(미래에 계속 증가하는 로컬 메모리 크기에 대한 수요를 예측하여). X1800XT PE는 512MB 온보드 메모리에만 독점적으로 제공되었다. X1800은 R480 기반 라데온 X850을 ATI의 최상급 성능 GPU로 대체했다.
라데온 X1000 시리즈 변형
R520의 출시가 지연되면서 원래 예정된 봄/여름 출시보다 경쟁이 훨씬 더 인상적이었다. 전작인 X850과 마찬가지로 R520 칩은 4개의 "쿼드"를 탑재하고 있어 이전 모델 및 NVIDIA 6800 시리즈와 동일한 클록 속도에서 유사한 텍스처링 기능을 제공한다. X850과 달리 R520의 셰이더 유닛은 크게 개선되었다. 이들은 셰이더 모델 3을 지원하며, 셰이더 스레딩에서 일부 발전을 이루어 셰이더 유닛의 효율성을 크게 향상시킬 수 있다. X1900과 달리 X1800은 16개의 픽셀 셰이더 프로세서와 텍스처링 대 픽셀 셰이딩 기능의 동등한 비율을 가지고 있다. 이 칩은 또한 X800의 6개에서 8개로 버텍스 셰이더 수를 증가시킨다. 90nm low-K 제조 공정을 통해 이러한 고트랜지스터 칩은 여전히 매우 높은 주파수로 클록될 수 있어 X1800 시리즈가 24개의 파이프라인을 사용하는 NVIDIA 7800 및 7900 시리즈와 같이 파이프라인 수가 더 많지만 클록 속도가 낮은 GPU와 경쟁할 수 있다.
라데온 X1000 시리즈 변형
X1800은 출시 지연으로 인해 X1900으로 빠르게 대체되었다. X1900은 예정보다 뒤처지지 않았으며 항상 "봄 업데이트" 칩으로 계획되었다. 그러나 대량의 미사용 X1800 칩으로 인해 ATI는 픽셀 파이프라인의 한 쿼드를 중단하고 X1800GTO로 판매하기로 결정했다.
X1900 및 X1950 시리즈는 X1800 설계의 여러 결함을 수정하고 픽셀 셰이딩 성능을 크게 향상시켰다. R580 코어는 R520 PCB와 핀 호환이 가능하여 X1800 PCB의 재설계가 필요하지 않았다. 보드는 변형에 따라 256MB 또는 512MB의 온보드 GDDR3 메모리를 탑재한다. R580과 R520의 주요 차이점은 ATI가 픽셀 셰이더 프로세서 대 텍스처 프로세서 비율을 변경했다는 것이다. X1900 카드는 각 파이프라인에 하나 대신 세 개의 픽셀 셰이더를 가지고 있어 총 48개의 픽셀 셰이더 유닛을 제공한다. ATI는 미래의 3D 소프트웨어가 픽셀 셰이더 집약적일 것이라는 기대하에 이러한 조치를 취했다.
2006년 하반기에 ATI는 R580+라는 이름의 수정된 R580 GPU를 사용하는 그래픽 보드인 라데온 X1950 XTX를 출시했다. R580+는 R580과 동일하지만 클록당 전력 소비가 낮고 훨씬 더 높은 클록 속도 상한을 제공하는 새로운 그래픽 DRAM 기술인 GDDR4 메모리를 지원한다. X1950 XTX는 RAM을 1GHz(2GHz DDR)로 클록하여 64.0GB/s의 메모리 대역폭을 제공하며, X1900 XTX보다 29% 우위를 점한다. 이 카드는 2006년 8월 23일에 출시되었다.
X1950 Pro는 2006년 10월 17일에 출시되었으며, 경쟁이 심한 200달러 미만 시장에서 X1900GT를 대체할 목적으로 출시되었다. X1950 Pro GPU는 단 12개의 텍스처 유닛과 36개의 픽셀 셰이더를 가진 80nm RV570 코어를 기반으로 하며, 한 쌍의 내부 크로스파이어 커넥터를 통해 네이티브 크로스파이어 구현을 지원하는 최초의 ATI 카드이며, 이전 크로스파이어 시스템에서 발견되었던 번거로운 외부 동글이 필요 없게 된다.
라데온 X1000 시리즈 칩셋 표
ATI X1000 시리즈 카드(예: X1900)는 버텍스 텍스처 패치 기능이 없으므로 VS 3.0 모델을 완전히 준수하지 않는다. 대신 "Render to Vertex Buffer (R2VB)"라는 기능을 제공하여 대체 버텍스 텍스처 패치 기능을 제공한다.
1 픽셀 셰이더 : 버텍스 셰이더 : 텍스처 매핑 유닛 : 렌더 출력 장치.
1 버텍스 셰이더 : 픽셀 셰이더 : 텍스처 매핑 유닛 : 렌더 출력 장치.
라데온 300 시리즈
라데온 300 시리즈는 AMD가 개발한 그래픽 처리 장치 시리즈이다. 이 시리즈의 모든 GPU는 28나노 공정으로 생산되며 그래픽스 코어 넥스트(GCN) 마이크로아키텍처를 사용한다.
라데온 300 시리즈
이 시리즈에는 AMD의 GCN 3 또는 "볼캐닉 아일랜즈" 아키텍처를 기반으로 하는 피지 및 통가 GPU 다이가 포함되어 있는데, 이 아키텍처는 통가 기반(축소되었지만) R9 285에서 약간 더 일찍 도입되었다. 이 시리즈의 일부 카드에는 피지 기반 플래그십 AMD 라데온 R9 퓨리 X, 축소된 라데온 R9 퓨리, 소형 폼 팩터 라데온 R9 나노가 포함되어 있으며, 이들은 AMD가 SK하이닉스와 협력하여 공동 개발한 고대역 메모리(HBM) 기술을 최초로 적용한 GPU이다. HBM은 GDDR5 메모리보다 빠르고 전력 효율적이지만 더 비싸다. 그러나 통가 기반 R9 380 및 R9 380X를 제외한 나머지 GPU는 전 세대 GPU를 기반으로 전력 관리만 개선된 제품이므로 GDDR5 메모리만 탑재하고 있다(통가도 마찬가지). R9 390X를 포함한 라데온 300 시리즈 카드는 2015년 6월 18일에 출시되었다. 플래그십 장치인 라데온 R9 퓨리 X는 2015년 6월 24일에 출시되었으며, 듀얼 GPU 변형인 라데온 프로 듀오는 2016년 4월 26일에 출시되었다.
라데온 300 시리즈 마이크로아키텍처 및 명령어 집합
R9 380/X는 R9 퓨리 및 나노 시리즈와 함께 AMD의 GCN 명령어 집합 및 마이크로아키텍처의 세 번째 반복을 사용한 최초의 카드(이전 R9 285 이후)였다. 시리즈의 다른 카드들은 GCN의 1세대 및 2세대 반복을 특징으로 한다. 아래 표는 각 칩이 어떤 GCN 세대에 속하는지 자세히 설명한다.
라데온 300 시리즈 보조 ASIC
칩에 존재하는 모든 보조 ASIC는 핵심 아키텍처와 독립적으로 개발되고 있으며 자체적인 버전 명명 체계를 가지고 있다.
AMD 아이피니티 브랜드의 온-다이 디스플레이 컨트롤러는 2009년 9월 라데온 HD 5000 시리즈에서 도입되었으며 이후 모든 제품에 적용되었다.
AMD 트루오디오는 AMD 라데온 Rx 200 시리즈와 함께 도입되었지만 GCN 2세대 이후 제품의 다이에서만 찾을 수 있다.
비디오 가속을 위한 AMD의 반도체 IP 코어인 통합 비디오 디코더 및 비디오 코딩 엔진은 모든 GPU에 탑재되어 있으며 AMD 카탈리스트 및 오픈 소스 라데온 그래픽 드라이버에서 지원된다.
새로운 기능은 불필요한 프레임을 렌더링하지 않아 전력 소비를 줄일 수 있도록 한다. 사용자가 구성할 수 있다.
리퀴드VR은 가상 현실의 부드러움을 향상시키는 기술이다. 목표는 하드웨어가 사용자의 머리 움직임을 따라잡아 멀미를 없애도록 하드웨어 간의 지연 시간을 줄이는 것이다. 특히 듀얼 GPU 설정에 중점을 두어 각 GPU가 디스플레이의 한쪽 눈을 개별적으로 렌더링한다.
라데온 300 시리즈 보조 ASIC
이 기능은 이전 세대 R9 285 및 R9 290 시리즈 그래픽 카드와 함께 처음 도입되었으며, 사용자가 기본 해상도보다 높은 해상도로 프레임을 렌더링하여 더 높은 이미지 품질로 게임을 실행할 수 있도록 한다. 그런 다음 각 프레임은 기본 해상도로 다운샘플링된다. 이 프로세스는 모든 게임에서 지원되지 않는 슈퍼샘플링의 대안이다. 가상 초고해상도는 경쟁 엔비디아 그래픽 카드에서 사용할 수 있는 기능인 다이내믹 슈퍼 레졸루션(Dynamic Super Resolution)과 유사하지만, 유연성을 성능 향상과 맞바꾼다.
OpenCL은 많은 과학 소프트웨어 패키지를 CPU 대비 10배 또는 100배 이상 가속화한다. Open CL 1.0에서 1.2까지는 Terascale 및 GCN 아키텍처를 가진 모든 칩에서 지원된다. OpenCL 2.0은 GCN 2세대 이상에서 지원된다. OpenCL 2.1 및 2.2의 경우 OpenCL 2.0 준수 카드에는 드라이버 업데이트만 필요하다.
API 벌컨 1.0은 모든 GCN 아키텍처 카드에서 지원된다. 벌컨 1.2는 아드레날린 20.1 및 리눅스 메사 20.0 드라이버 이상과 함께 GCN 2세대 이상이 필요하다.
라데온 300 시리즈 그래픽 장치 드라이버
AMD 카탈리스트는 마이크로소프트 윈도우 및 리눅스용으로 개발되었다. 2014년 7월 현재 다른 운영 체제는 공식적으로 지원되지 않는다. 이는 동일한 하드웨어를 기반으로 하지만 OpenGL 인증 그래픽 장치 드라이버를 특징으로 하는 AMD 파이어프로 브랜드의 경우 다를 수 있다.
AMD 카탈리스트는 라데온 브랜드에 광고된 모든 기능을 지원한다.
자유 및 오픈 소스 드라이버는 주로 리눅스에서 개발되었고 이를 위해 개발되었지만 다른 운영 체제에도 이식되었다. 각 드라이버는 다섯 부분으로 구성된다:
자유 및 오픈 소스 radeon 커널 드라이버는 라데온 GPU 라인에 구현된 대부분의 기능을 지원한다.
radeon 커널 드라이버는 역공학된 것이 아니라 AMD가 공개한 문서를 기반으로 한다. 이 드라이버는 DRM 기능을 작동하는 데 독점 마이크로코드가 여전히 필요하며 일부 GPU는 사용 불가능할 경우 X 서버를 시작하지 못할 수 있다.
라데온 300 시리즈 그래픽 장치 드라이버
이 새로운 커널 드라이버는 AMD에 의해 직접 지원 및 개발된다. 다양한 리눅스 배포판에서 사용할 수 있으며 일부 다른 운영 체제에도 이식되었다. GCN GPU만 지원된다.
AMD의 이 새로운 드라이버는 2018년에도 개발 중이었지만, 이미 몇 가지 지원되는 리눅스 배포판(AMD는 우분투, RHEL/CentOS를 공식적으로 지원)에서 사용할 수 있었다. 이 드라이버는 실험적으로 아치리눅스 및 다른 배포판에 이식되었다. AMDGPU-PRO는 이전 AMD 카탈리스트 드라이버를 대체할 예정이며 자유 및 오픈 소스 amdgpu 커널 드라이버를 기반으로 한다. GCN 이전 GPU는 지원되지 않는다.
리브랜딩
리브랜딩(rebranding)은 기존 브랜드를 위해 새로운 이름, 용어, 상징, 디자인, 개념 또는 이들의 조합을 만드는 마케팅 전략으로, 소비자, 투자가, 경쟁자, 기타 이해관계자의 마음속에 새롭고 차별화된 정체성을 개발하려는 의도를 가진다. 종종 이는 브랜드의 로고, 이름, 법적 명칭, 이미지, 마케팅 전략, 광고 테마에 급진적인 변화를 수반한다. 이러한 변화는 일반적으로 브랜드/회사를 재포지셔닝하거나, 때로는 이전 브랜딩의 부정적인 함의에서 벗어나거나, 브랜드를 고급 시장으로 이동시키려는 목적을 가진다. 또한 새로운 이사회가 전달하고자 하는 새로운 메시지를 전달할 수도 있다.
리브랜딩은 신제품, 성숙 제품, 심지어 제품 개발 중인 제품에도 적용될 수 있다. 이 과정은 마케팅 전략의 변화 또는 챕터 11 기업 구조조정, 노조 파괴, 파산과 같은 다양한 상황에서 발생할 수 있다. 리브랜딩은 여러 하위 브랜드나 제품을 소유한 회사 또는 기업 브랜드의 변경을 의미한다.
리브랜딩 기업
리브랜딩은 2000년대 초반에 유행처럼 번졌으며, 일부 회사는 여러 차례 리브랜딩을 진행했다. 필립 모리스가 알트리아로 리브랜딩한 것은 회사가 부정적인 이미지를 벗는 데 도움이 되었다. 영국 우체국이 Consignia로 리브랜딩하려던 시도와 같은 다른 리브랜딩은 실패로 끝나 수백만 달러를 추가로 들여 원점으로 돌아가야 했다.
165건의 리브랜딩 사례 연구에서 뮤젤렉과 램킨(2006)은 리브랜딩이 기업 전략(예: M&A)에서 비롯되든 실제 마케팅 전략(기업 평판 변경)을 구성하든, 기업 브랜드 에쿼티를 강화하고, 되찾고, 이전하고, 그리고/또는 재창조하는 것을 목표로 한다는 것을 발견했다.
리브랜딩 기업
싱클레어(1999:13)에 따르면, 전 세계 기업들은 브랜드의 가치를 인정한다. "브랜드는 저작권 및 상표권, 컴퓨터 소프트웨어, 전문 노하우와 함께 이제 투자가들이 기업에 부여하는 무형 가치의 핵심이 된 것으로 보인다." 21세기 기업들은 소비자 및 변화하는 시장과의 관련성 측면에서 브랜드를 다시 살펴볼 필요가 있을 수 있다. 성공적인 리브랜딩 프로젝트는 이전보다 더 나은 브랜드를 만들어낼 수 있다. 마케팅은 고객의 기억 속에 인식을 형성하고 연관성을 개발하여 고객이 자신의 필요를 충족시킬 브랜드를 알고 (그리고 상기하도록) 한다. 일단 선두에 서면, 마케팅, 일관된 제품 또는 서비스 품질, 합리적인 가격 책정 및 효과적인 유통이 브랜드를 선두에 유지하고 소유자에게 가치를 제공할 것이다 (싱클레어, 1999:15).
기업은 외부 및 내부 문제에 대응하기 위해 종종 리브랜딩을 한다. 기업은 시대에 발맞추거나 경쟁에서 앞서기 위해 리브랜딩 주기를 갖는 것이 일반적이다. 또한 기업은 리브랜딩을 과거의 잘못된 관행을 숨기는 효과적인 마케팅 도구로 활용하여 수익성에 잠재적으로 영향을 미칠 수 있는 부정적인 함의를 벗어낸다.
리브랜딩 기업
씨티그룹, AOL, 아메리칸 익스프레스, 골드만삭스와 같은 기업들은 모두 브랜드 전략 및 기업 정체성 개발을 전문으로 하는 제3자 공급업체를 활용한다. 기업들은 리브랜딩과 제3자 공급업체에 귀중한 자원을 투자하는데, 이는 매우 경쟁적인 시장에서 고객에게 블랙리스트에 오르는 것을 방지하는 방법이기 때문이다. 브랜드 가치 평가 및 브랜드 에쿼티 실무의 세계적인 선두 전문가인 로저 싱클레어 박사는 "브랜드는 미래의 경제적 이익을 창출하는 기업이 취득한 자원이다"라고 말했다. 일단 브랜드에 부정적인 함의가 연결되면, 수익성 감소와 기업의 완전한 실패로 이어질 수 있을 뿐이다.
기업은 로고 변경부터 친환경 기업으로의 전환에 이르기까지 다양한 관행을 통해 경쟁자와 자신을 차별화한다. 경쟁자와의 차별화는 더 많은 고객을 유치하고 더 바람직한 직원을 유치하는 데 중요하며 효과적인 방법이다. 차별화의 필요성은 금융 서비스 산업과 같은 포화 시장에서 특히 두드러진다.
조직은 과거의 부정적인 이미지를 벗기 위해 의도적으로 리브랜딩을 할 수 있다. 연구에 따르면 "조직과 그 활동에 대한 외부 인식에 대한 우려"는 리브랜딩 활동의 주요 동인으로 작용할 수 있다.
리브랜딩 기업
기업 환경에서 경영자는 리브랜딩을 효과적인 마케팅 전략으로 활용하여 잘못된 관행을 숨기고 부정적인 함의와 수익성 감소를 피하거나 벗어날 수 있다. 필립 모리스 USA, 블랙워터, AIG와 같은 기업들은 부정적인 이미지를 벗기 위해 리브랜딩을 했다. 필립 모리스 USA는 담배 제품과 관련된 부정적인 함의가 크래프트 푸즈와 같은 다른 필립 모리스 브랜드의 수익성에 잠재적으로 영향을 미칠 수 있었기 때문에 2003년 1월 27일 알트리아로 이름과 로고를 리브랜딩했다.
리브랜딩 기업
2008년, AIG의 이미지는 세계 금융 위기 (2007년~2008년) 동안 연방 구제 금융이 필요하게 되면서 손상되었다. AIG는 미국 재무부가 AIG의 규모와 금융 거래상대방과의 복잡한 관계로 인해 너무 커서 실패할 수 없다고 선언했기 때문에 구제되었다. AIG 자체는 거대한 국제 기업이지만, AIG 퇴직연금 및 AIG 금융 자회사는 구제 금융으로 인해 부정적인 함의를 갖게 되었다. 그 결과, AIG 금융 어드바이저와 AIG 퇴직연금은 각각 Sagepoint Financial과 VALIC(Variable Annuity Life Insurance Company)으로 리브랜딩하여 AIG와 관련된 부정적인 이미지를 벗어냈다.
브랜드는 시장 점유율을 잃는 것에 대한 반응으로 종종 리브랜딩을 한다. 이러한 경우, 브랜드는 대상 고객에게 덜 의미 있게 되어 경쟁사에 점유율을 잃었다.
리브랜딩 기업
일부 경우, 기업들은 자신들의 브랜드에 여전히 존재한다고 믿는 인지된 에쿼티를 기반으로 하려 한다. 예를 들어, 라디오 셱은 2008년에 자신을 "더 셱(the Shack)"으로 리브랜딩했지만, 이 리브랜딩은 소매업에서 시장 점유율 증가로 이어지지 못했다. 2017년까지 라디오 셱은 1,000개 이상의 매장을 폐쇄하고 주로 온라인 소매 비즈니스 모델로 전환하면서 물리적인 소매점 존재를 크게 줄였다.
리브랜딩은 "챕터 11 기업 구조조정" 또는 "파산"과 같은 돌발 상황으로 인해 의도치 않게 발생할 수도 있다. 챕터 11은 주로 기업 채무자가 사용하는 재활 또는 재조직이다. 이는 기업 파산으로 더 흔히 알려져 있는데, 이는 기업이 부채를 갚는 동안 운영할 수 있도록 하는 기업 재정 재조직의 한 형태이다. 리먼 브라더스 홀딩스 Inc, 워싱턴 뮤추얼, 제너럴 모터스와 같은 기업들은 모두 챕터 11 파산 신청을 했다.
2009년 7월 1일 제너럴 모터스는 파산을 신청했고, 2009년 7월 10일에 완료되었다. 제너럴 모터스는 쉐보레, 뷰익, GMC, 캐딜락 자동차에 더 많이 투자함으로써 전체 구조를 리브랜딩하기로 결정했다. 또한, 사브 오토모빌을 매각하고 허머, 폰티액, 새턴 브랜드를 단종하기로 결정했다. 제너럴 모터스는 "더 적고, 더 강력한 브랜드. 더 적고, 더 강력한 모델. 더 큰 효율성, 더 나은 연비, 그리고 새로운 기술"을 통해 회사를 "더 뉴 GM"으로 재창조하고 재탄생시키겠다고 밝히며 리브랜딩했다. 제너럴 모터스의 재창조 광고는 또한 브랜드를 없애는 것이 "사업을 접는 것이 아니라, 사업을 시작하는 것"이라고 언급했다.
던킨 도너츠, 조앤 패브릭스, 웨이트 워처스와 같은 회사들은 자사 이름이 암시하는 것보다 더 넓은 제품군을 제안하기 위해 회사 이름의 일부를 제거하거나 축약했다. 이는 동일 산업의 다른 제품에 관심이 있을 수 있는 다양한 인구 통계를 만족시키기 위해서도 사용된다. 2018년 마케팅 활동에서, 팬케이크 식당 체인인 아이홉은 햄버거 제품군을 홍보하기 위해 "IHOb"로 리브랜딩을 발표했지만, 실제로 리브랜딩을 진행하지는 않았다.
기업은 (새로운) 고객 및 이해관계자에게 관련성을 유지하기 위해 리브랜딩을 선택할 수도 있다. 이는 기업의 사업이 변경되었을 때, 예를 들어 전략적 방향 및 산업 초점, 또는 브랜드가 (새로운) 고객 기반에 더 이상 맞지 않을 때 발생할 수 있다. 예를 들어, 기업은 새로운 시장에 진출할 때 문화적 또는 언어적 이유로 이름을 더 쉽게 발음할 수 있도록 리브랜딩 할 수 있다.
리브랜딩은 또한 이미지를 새로 고쳐 현대 고객 및 이해관계자에게 매력적으로 보이도록 하는 방법이다. 한때 신선하고 관련성 있어 보이던 것이 몇 년 후에는 더 이상 그렇지 않을 수도 있다.
리브랜딩 제품
제품 제공 측면에서는 여러 대상 시장에 개별적으로 마케팅될 때 이를 시장세분화라고 한다. 시장 세분화 전략의 일부가 각 시장에서 현저히 다른 제품을 제공하는 것을 포함할 때 이를 제품 차별화라고 한다. 이러한 시장 세분화/제품 차별화 프로세스는 리브랜딩의 한 형태로 볼 수 있다. 다른 형태의 리브랜딩과 구별되는 점은 이 프로세스가 원래 브랜드 이미지의 제거를 수반하지 않는다는 것이다. 이러한 방식으로 리브랜딩을 하면 최소한의 수정과 추가 비용으로 하나의 엔지니어링 및 QA 세트를 사용하여 여러 제품을 만들 수 있다. 제품 리브랜딩의 또 다른 형태는 다른 회사가 제조한 제품을 새로운 이름으로 판매하는 것이다. 원천 디자인 제조업자는 종종 운영 비용이 낮은 지역에서 제품을 제조하고, 나중에 다른 회사가 판매를 위해 브랜딩하는 회사이다.
리브랜딩 제품
합병 또는 인수가 있은 후, 기업들은 보통 새로 인수한 제품을 기존 제품군과 일관성을 유지하기 위해 리브랜딩한다. 예를 들어, 시만텍이 인수한 보안 및 유틸리티 소프트웨어를 자사의 노턴 브랜드(자체적으로 플래그십 제품인 노턴 안티바이러스의 분파)에 편입시키는 식이다. 이는 인수한 브랜드가 구매자보다 시장에서 더 넓은 브랜드 인지도를 가지고 있을 경우 역으로 발생할 수도 있다. 예를 들어, 케미컬 뱅크가 회사와의 합병 후 체이스 브랜딩을 채택한 경우가 그러하다.
리브랜딩 소규모 사업체
소규모 사업체는 대기업과는 다른 어려움에 직면하며 그에 따라 리브랜딩 전략을 조정해야 한다. 소규모 사업체는 변화를 점진적으로 구현하기보다는 단기간에 이미지를 리브랜딩하는 것이 더 나은 경우가 있다. 특히 기존 브랜드 인지도가 낮은 경우 더욱 그렇다. "전문적인 브랜드 디자인으로 새로운 고객에게 강렬한 첫인상을 남기는 것은 기존 고객에게 약한 브랜드 인지도를 가진 구식 또는 조악하게 디자인된 이미지를 종종 압도한다." 대기업의 이미지 변경은 비용이 많이 드는 결과(여러 위치의 간판 업데이트, 대량의 기존 자료, 많은 수의 직원과의 소통 등)를 초래할 수 있지만, 소규모 사업체는 더 많은 유연성을 누리고 변화를 더 빠르게 구현할 수 있다. 소규모 사업체는 전문적으로 디자인된 브랜드 이미지 없이도 성장을 경험할 수 있지만, "더 공격적인 시장으로 확장하고 더 확고한 브랜드 이미지를 가진 경쟁자와 맞설 때 리브랜딩은 기업이 진지하게 고려될 수 있는 중요한 단계가 된다."
리브랜딩 영향
회사/제품 브랜드가 모든 고객 접점에 편재되어 있다는 점은 리브랜딩을 기업에게 중대한 작업으로 만든다. 빙산 모델에 따르면, 영향의 80%는 숨겨져 있다. 브랜드를 변경하는 영향의 정도는 브랜드가 변경되는 정도에 따라 달라진다.
리브랜딩에서 변경될 수 있는 브랜드 요소는 이름, 로고, 법적 명칭, 그리고 코퍼레이트 아이덴티티(시각적 아이덴티티와 언어적 아이덴티티 포함)가 있다. 회사 로고만 변경하는 것은 영향이 가장 적고(로고 교체라고 부름), 이름, 법적 명칭 및 기타 아이덴티티 요소를 변경하는 것은 회사의 모든 부분에 영향을 미치며 대규모 복합 조직에 높은 비용과 영향을 미칠 수 있다.
리브랜딩은 마케팅 자료뿐만 아니라 디지털 채널, URL, 간판, 의류 및 서신에도 영향을 미친다.
라데온 400 시리즈
라데온 400 시리즈는 AMD가 개발한 그래픽 처리 장치 시리즈이다. 이 카드들은 새로운 14 nm FinFET 제조 공정을 사용하여 폴라리스 GPU를 최초로 탑재했으며, 삼성전자가 개발하고 글로벌파운드리스에 라이선스가 부여되었다. 폴라리스 제품군은 처음에는 그래픽스 코어 넥스트(GCN) 계열의 두 가지 새로운 칩(폴라리스 11 및 폴라리스 12)을 포함했다. 폴라리스는 그래픽스 코어 넥스트 명령어 집합의 4세대를 구현하며, 이전 GCN 마이크로아키텍처와 공통점을 공유한다.
라데온 400 시리즈 명명법
RX 접두사는 1.5테라플롭스 이상의 성능과 80GB/s의 메모리 처리량(메모리 압축 포함)을 제공하고, 도타 2 및 리그 오브 레전드와 같은 인기 게임에서 1080p 해상도로 최소 60FPS를 달성하는 카드에 사용된다. 그렇지 않으면 생략된다. 이전 세대와 마찬가지로, 숫자에서 첫 번째 숫자는 세대(이 경우 4)를 나타내고, 두 번째 숫자는 카드의 등급을 나타내며, 총 6개의 등급이 있다. 400 시리즈에서 가장 약한 등급인 4등급은 RX 접두사가 없으며 64비트 메모리 버스를 특징으로 한다. 5등급과 6등급은 RX 접두사가 붙은 카드와 붙지 않은 카드 모두를 가지며, 이들은 모두 128비트 메모리 버스를 특징으로 하고 1080p 게임을 목표로 하지만 후자는 1.5테라플롭스의 성능에 미치지 못함을 나타낸다. 7등급과 8등급은 각각 256비트 메모리 버스를 가지며 1440p 카드로서 마케팅된다. 가장 높은 등급인 9등급은 256비트 이상의 메모리 버스를 특징으로 하며 4K 게임을 목표로 한다. 마지막으로, 세 번째 숫자는 카드가 첫 번째 또는 두 번째 개정판인지 여부를 각각 0 또는 5로 나타낸다. 따라서 예를 들어 RX 460은 최소 1.5테라플롭스의 성능, 100 GB/s의 메모리 처리량, 128비트 메모리 버스를 가지며, 위에서 언급된 게임에서 1080p 해상도로 60FPS를 달성할 수 있음을 나타낸다.
라데온 400 시리즈 명명법
OpenCL은 GPU를 사용하여 고도로 병렬적인 수치 계산을 가능하게 하며, 많은 과학 소프트웨어 패키지의 속도를 CPU 대비 10배 또는 100배 이상 가속화한다. OpenCL 1.0부터 1.2까지는 테라스케일 또는 GCN 아키텍처를 사용하는 모든 칩에서 지원된다. OpenCL 2.0은 GCN 2세대 이상에서 지원된다. OpenCL 2.0을 준수하는 모든 카드는 드라이버 업데이트만으로 OpenCL 2.1 및 2.2 지원을 받을 수 있다.
API 벌컨 1.0은 모든 GCN 아키텍처 카드에서 지원된다. 벌컨 1.2는 Adrenalin 20.1 및 리눅스 Mesa 20.0 드라이버 및 이후 버전과 함께 GCN 2세대 이상이 필요하다.
라데온 400 시리즈 새로운 기능
이 시리즈는 4세대 GCN 아키텍처를 기반으로 한다. 여기에는 새로운 하드웨어 스케줄러, 새로운 프리미티브 폐기 가속기, 새로운 디스플레이 컨트롤러, 그리고 채널당 10비트 컬러로 4K 해상도에서 초당 60프레임으로 HEVC를 디코딩할 수 있는 업데이트된 UVD가 포함된다. 2016년 12월 8일, AMD는 GCN-GPU가 4K@60 Hz까지의 VP9 디코딩 가속을 지원하고 돌비 비전 및 HDR10 지원과 결합하는 Crimson ReLive 드라이버(버전 16.12.1)를 출시했다.
라데온 400 시리즈 칩
폴라리스 10은 36개의 컴퓨트 유닛(CU)에 걸쳐 2304개의 스트림 프로세서를 특징으로 하며, 256비트 메모리 인터페이스를 통해 최대 8GB의 GDDR5 메모리를 지원한다. 이 GPU는 라데온 M300 라인의 미드레인지 Tonga 세그먼트를 대체한다. AMD에 따르면, 폴라리스 설계의 주요 목표는 에너지 효율이었다. 폴라리스 10은 원래 RX 480에 탑재될 미드레인지 칩으로 계획되었으며, TDP는 이전 모델인 R9 380의 190W TDP에 비해 약 110-135W였다. 그럼에도 불구하고, 폴라리스 10 칩은 "해상도 1440p에서 안정적인 초당 60프레임으로" 최신 DirectX 12 게임을 실행할 것으로 예상된다.
반면 폴라리스 11은 다양한 저가형 및 중가형 카드에 전력을 공급하는 "큐라카오(Curacao)" GPU의 후속작이다. 이 GPU는 16개의 CU에 걸쳐 1024개의 스트림 프로세서를 특징으로 하며, 128비트 메모리 인터페이스를 통해 최대 4GB의 GDDR5 메모리와 결합된다. 폴라리스 11의 TDP는 75W이다.
라데온 400 시리즈 평가
많은 평론가들은 RX 480 8GB의 239달러 출시 가격을 고려했을 때 그 성능을 칭찬했다. The Tech Report는 RX 480이 출시 당시 200달러대에서 가장 빠른 카드라고 언급했다. HardOCP는 이 카드에 에디터스 초이스 실버 상을 수여했다. PC Perspective는 PC Perspective 골드 상을 수여했다.
라데온 400 시리즈 평가
일부 평론가들은 AMD 라데온 RX 480이 PCI 익스프레스 전력 소비 사양을 위반한다는 사실을 발견했다. PCI 익스프레스 슬롯에서 인가할 수 있는 최대 전력은 75와트(12v 핀에서 66와트)이다. 탐스 하드웨어의 크리스 안젤리니는 스트레스 테스트에서 이 카드가 슬롯에서 평균 90와트를, 일반적인 게임 부하에서는 86와트를 인가할 수 있다는 것을 확인했다. 게임 부하에서 최대 사용량은 162와트이며, 전원 공급 장치를 포함하면 총 300와트에 달할 수 있다. TechPowerUp은 이 카드가 6핀 PCI 익스프레스 전원 커넥터의 75와트 한도를 초과하여 전원 공급 장치에서 최대 166와트를 인가할 수 있다는 점을 언급하며 이러한 결과를 확인했다. PC Perspective의 라이언 슈라우트는 다른 보고서들을 검토한 후 후속 테스트를 수행했고, 그의 검토 샘플이 기본 속도에서 마더보드로부터 80-84와트를 인가하고, 그의 Asus ROG Rampage V Extreme 마더보드에서 다른 PCI 익스프레스 슬롯의 12볼트 전원 공급 핀이 부하 시 11.5볼트만 공급하고 있다는 사실을 발견했다. 그는 사양의 8% 전압 허용 오차로 인해 전압 강하에 대해 우려하지 않았지만, 다중 오버클럭된 RX 480 카드가 쿼드 크로스파이어로 실행되거나, 저가형 및 구형 모델과 같이 높은 전류를 견디도록 설계되지 않은 마더보드에서는 문제가 발생할 수 있다고 지적했다.
라데온 400 시리즈 평가
AMD는 전압 조정기 모듈을 재프로그래밍하여 마더보드에서 전력을 덜 인가하도록 하는 드라이버를 출시하여, 마더보드에서 인가되는 전력이 PCI 익스프레스 사양을 통과하도록 했다. 이로 인해 6핀 전원 커넥터의 과전류가 악화되지만, 이 커넥터는 전력 등급에 더 큰 안전 마진이 있으므로 큰 문제는 아니다. 커넥터에서 인가되는 전력량은 드라이버에 새로 도입된 "호환 모드"에 따라 달라진다. 호환 모드가 켜져 있으면 카드의 총 전력 소비량이 감소하여 두 전원 공급 장치가 정격에 더 가깝게 작동할 수 있다. 표준 모드는 기본적으로 변함없는 성능을 제공하는 반면, 호환 모드는 벤치마크 오차 범위 내에서 성능 저하를 초래한다. AMD 파트너사가 설계한 일부 RX 480 카드에는 재고 설계보다 더 많은 전력을 공급할 수 있는 8핀 전원 커넥터가 포함되어 있다.
라데온 500 시리즈
라데온 500 시리즈는 AMD가 개발한 그래픽 처리 장치 시리즈이다. 이 카드는 그래픽스 코어 넥스트 아키텍처의 4번째 반복을 기반으로 하며, 폴라리스 30, 폴라리스 20, 폴라리스 11, 폴라리스 12 칩을 기반으로 한 GPU를 특징으로 한다. 따라서 RX 500 시리즈는 이전 제품과 동일한 마이크로아키텍처와 명령어 집합을 사용하면서 제조 공정의 개선을 활용하여 더 높은 클럭 속도를 가능하게 한다.
3세대 GCN 칩은 28 nm CMOS 공정으로 생산된다. 폴라리스(4세대 GCN) 칩(폴라리스 30 제외)은 삼성전자가 개발하고 글로벌파운드리스에 라이선스된 14 nm 핀펫 공정으로 생산된다. 폴라리스 30 칩은 삼성과 글로벌파운드리스가 개발한 12 nm 핀펫 공정으로 생산된다.
라데온 500 시리즈 칩셋 표
이 시리즈는 디스플레이포트 1.4 HBR, HDMI 2.0b, HDR10 색상을 지원한다. 레퍼런스 카드에는 포트가 없지만, 최대 4096×2304 해상도의 듀얼 링크 DVI-D 및 DVI-I와 최대 2048x1536 해상도의 VGA도 지원하며, VGA 포트가 있는 카드는 주로 동아시아에서만 판매된다.
3 nm 공정
반도체 제조에서 3 nm 공정은 5 nm MOSFET(금속-산화물-반도체 전계효과 트랜지스터) 기술 노드 이후의 다이 슈링크이다. 대한민국 칩 제조업체 삼성은 2022년 중반에 3GAA라는 이름의 3 nm 게이트 올 어라운드(GAA) 공정을 출하하기 시작했다. 2022년 12월 29일, 대만 칩 제조업체 TSMC는 3 nm 반도체 노드(N3)를 사용한 양산이 양호한 수율로 진행 중이라고 발표했다. "N3E"라는 이름의 향상된 3 nm 칩 공정은 2023년에 생산을 시작했을 수 있다. 미국 제조업체 인텔은 2023년에 3 nm 생산을 시작할 계획이었다.
3 nm 공정
삼성의 3 nm 공정은 멀티게이트 MOSFET 기술의 한 유형인 GAAFET(게이트 올 어라운드 전계효과 트랜지스터) 기술을 기반으로 하는 반면, TSMC의 3 nm 공정은 TSMC가 GAAFET 트랜지스터를 개발했음에도 불구하고 여전히 FinFET(핀 전계효과 트랜지스터) 기술을 사용한다. 특히, 삼성은 MBCFET(멀티 브리지 채널 전계효과 트랜지스터)라고 불리는 GAAFET의 자체 변형을 사용할 계획이다. 인텔의 공정(접미사 "nm" 없이 "Intel 3"로 불림)은 이전 공정 노드에 비해 와트당 성능, 극자외선 리소그래피 사용, 전력 및 면적 개선 측면에서 FinFET 기술의 개선, 향상 및 최적화된 버전을 사용할 것이다.
"3 나노미터"라는 용어는 트랜지스터의 실제 물리적 특징(예: 게이트 길이, 금속 피치 또는 게이트 피치)과 직접적인 관련이 없다. IEEE 표준 협회 산업 연결에서 발표한 국제 장치 및 시스템 로드맵의 2021년 업데이트에 포함된 예측에 따르면, 3 nm 노드는 접촉 게이트 피치 48 나노미터와 가장 촘촘한 금속 피치 24 나노미터를 가질 것으로 예상된다.
3 nm 공정
그러나 실제 상업적 관행에서 3 nm는 주로 개별 마이크로칩 제조업체(파운드리)가 증가된 트랜지스터 밀도(즉, 더 높은 수준의 소형화), 향상된 속도 및 감소된 전력 소비 측면에서 새롭고 개선된 실리콘 반도체 칩 세대를 지칭하는 마케팅 용어로 사용된다. 3 nm 노드를 정의하는 숫자에 대해 다양한 제조업체 간에 산업 전반의 합의는 없다. 일반적으로 칩 제조업체는 비교를 위해 자체 이전 공정 노드(이 경우 5 nm 노드)를 참조한다. 예를 들어, TSMC는 3 nm FinFET 칩이 동일한 속도에서 전력 소비를 25~30% 줄이고, 동일한 전력량에서 속도를 10~15% 높이며, 이전 5 nm FinFET 칩에 비해 트랜지스터 밀도를 약 33% 증가시킬 것이라고 밝혔다. 반면, 삼성은 3 nm 공정이 이전 5 nm 공정에 비해 전력 소비를 45% 줄이고, 성능을 23% 향상시키며, 표면적을 16% 줄일 것이라고 밝혔다. EUV 리소그래피는 3 nm에서 멀티패터닝의 필수적인 사용으로 이어지는 새로운 도전에 직면한다.
3 nm 공정 역사
2003년, NEC의 연구팀은 PMOS 논리 및 NMOS 논리 공정을 사용하여 채널 길이 3 nm의 최초 MOSFET을 제작했다. 2006년, 한국과학기술원(KAIST)과 국립 나노팹 센터의 한 팀은 게이트 올 어라운드(GAAFET) 기술을 기반으로 한 세계에서 가장 작은 나노일렉트로닉스 장치인 3 nm 폭의 멀티게이트 MOSFET을 개발했다.
2016년 후반, TSMC는 약 157억 달러의 공동 투자를 통해 5 nm–3 nm 노드 파운드리를 건설할 계획을 발표했다.
2017년, TSMC는 대만의 타이난 과학 공원에 3 nm 파운드리 건설을 시작할 것이라고 발표했다. TSMC는 2023년에 3 nm 공정 노드의 양산을 시작할 계획이다.
2018년 초, IMEC와 케이던스는 극자외선 리소그래피(EUV)와 193 nm 액침 노광을 사용하여 3 nm 테스트 칩을 테이프 아웃했다고 밝혔다.
3 nm 공정 역사
2019년 초, 삼성은 나노시트를 사용하는 자체 MBCFET 트랜지스터 구조를 사용하여 2021년에 3 nm 노드에서 3 nm GAAFET(게이트 올 어라운드 장효과 트랜지스터)를 제조할 계획을 발표했다. 이는 7 nm에 비해 35%의 성능 향상, 50%의 전력 감소 및 45%의 면적 감소를 제공한다. 삼성의 반도체 제조 로드맵에는 8, 7, 6, 5, 4 nm 노드 제품도 포함되었다.
2019년 12월, 인텔은 2025년에 3 nm 생산을 계획한다고 발표했다.
2020년 1월, 삼성은 세계 최초의 3 nm GAAFET 공정 시제품 생산을 발표했으며, 2021년에 대량 생산을 목표로 한다고 밝혔다.
3 nm 공정 역사
2020년 8월, TSMC는 N5 공정을 개선한 것이 아니라 새로운 "N3" 공정의 세부 사항을 발표했다. N3 공정은 N5 공정에 비해 성능이 10~15%(1.10~1.15배) 증가하거나 전력 소비가 25~35%(1.25~1.35배) 감소하며, 논리 밀도는 1.7배 증가(스케일링 팩터 0.58), SRAM 셀 밀도는 20% 증가(스케일링 팩터 0.8), 아날로그 회로 밀도는 10% 증가할 것으로 예상된다. 많은 설계에 논리보다 훨씬 많은 SRAM(일반적인 비율은 SRAM 70%, 논리 30%)이 포함되어 있으므로, 다이 축소는 약 26%에 불과할 것으로 예상된다. TSMC는 2022년 하반기에 양산을 계획하고 있었다.
2021년 7월, 인텔은 새로운 공정 기술 로드맵을 발표했다. 이에 따르면 인텔 3 공정(이전에는 인텔 7+로 명명)은 회사의 두 번째 EUV 사용 노드이며, 인텔의 RibbonFET 트랜지스터 아키텍처로 전환하기 전 마지막 FinFET 사용 노드로, 2023년 하반기에 제품 제조 단계에 진입할 예정이다.
3 nm 공정 역사
2021년 10월, 삼성은 이전 계획을 조정하여 2022년 상반기에 3 nm 기반 칩 설계를 양산하기 시작할 예정이며, 3 nm의 2세대는 2023년에 나올 것으로 예상한다고 발표했다.
2022년 6월, TSMC 기술 심포지엄에서 회사는 2023년 하반기 양산 예정인 N3E 공정 기술의 세부 사항을 공개했다. 이는 TSMC N5 v1.0 공정 기술에 비해 1.6배 높은 논리 트랜지스터 밀도, 1.3배 높은 칩 트랜지스터 밀도, 동일 전력에서 10~15% 높은 성능 또는 동일 성능에서 30~35% 낮은 전력 소모, 그리고 블록 내에서 트랙 높이가 다른 라이브러리를 혼합할 수 있는 FinFLEX 기술 등을 제공한다. TSMC는 또한 3 nm 공정 제품군의 새로운 멤버인 고밀도 변형 N3S, 고성능 변형 N3P 및 N3X, RF 애플리케이션용 N3RF를 소개했다.
2022년 6월, 삼성은 GAA 아키텍처를 적용한 3 nm 공정 기술을 사용하여 저전력, 고성능 칩의 "초기" 생산을 시작했다. 산업 소식통에 따르면, 퀄컴은 삼성으로부터 3 nm 생산 능력의 일부를 예약했다.
3 nm 공정 역사
2022년 7월 25일, 삼성은 중국 암호화폐 채굴 회사 PanSemi에 3 nm GAA 칩의 첫 출하를 축하했다. 새로 도입된 3 nm MBCFET 공정 기술은 불특정 5 nm 공정 기술에 비해 16% 높은 트랜지스터 밀도, 23% 높은 성능 또는 45% 낮은 전력 소모를 제공하는 것으로 밝혀졌다. 2세대 3 nm 공정 기술의 목표는 최대 35% 높은 트랜지스터 밀도, 전력 소모를 최대 50%까지 추가로 줄이거나 성능을 30%까지 높이는 것이다.
2022년 12월 29일, TSMC는 3 nm 공정 기술 N3를 사용한 양산이 양호한 수율로 진행 중이라고 발표했다. 회사는 2023년 하반기에 N3E라고 불리는 개선된 3 nm 공정 기술을 사용하여 대량 생산을 시작할 계획이다.
3 nm 공정 역사
2022년 12월 IEDM 2022 콘퍼런스에서 TSMC는 3 nm 공정 기술에 대한 몇 가지 세부 사항을 공개했다. N3의 접촉 게이트 피치는 45 nm, N3E의 최소 금속 피치는 23 nm이며, SRAM 셀 면적은 N3의 경우 0.0199 μm2, N3E의 경우 0.021 μm2(N5와 동일)이다. N3E 공정의 경우, 설계에 사용된 셀의 핀 수에 따라 N5 2-2 핀 셀과 비교하여 면적 스케일링은 0.64배에서 0.85배까지, 성능 향상은 11%에서 32%까지, 에너지 절약은 12%에서 30%까지이다(수치는 Cortex-A72 코어를 기준으로 함). TSMC의 FinFlex 기술은 단일 칩 내에서 핀 수가 다른 셀을 혼합하여 사용할 수 있게 한다.
IEDM 2022에서 발표한 반도체 산업 전문가 딕 제임스는 TSMC의 3 nm 공정이 핀 높이, 게이트 길이 및 트랜지스터당 핀 수(단일 핀)에 한계에 도달했기 때문에 점진적인 개선만을 제공한다고 언급했다. 단일 확산 차단, 활성 게이트 위 접촉 및 FinFlex와 같은 기능이 구현된 후에는 FinFET 기반 공정 기술의 개선 여지가 없을 것이다.
2023년 4월, TSMC는 기술 심포지엄에서 이전에 도입했던 N3P 및 N3X 공정에 대한 세부 정보를 공개했다. N3P는 N3E에 비해 5% 더 빠른 속도 또는 5–10% 낮은 전력 및 1.04배 높은 "칩 밀도"를 제공하며, N3X는 N3P와 동일한 밀도를 유지하면서 약 3.5배 높은 누설 전류를 대가로 5% 속도 향상을 제공한다. N3P는 2024년 하반기에 양산에 들어갈 예정이며, N3X는 2025년에 뒤따를 것이다.
2023년 7월, 반도체 산업 연구 회사 테크인사이츠는 삼성의 3 nm GAA(게이트 올 어라운드) 공정이 중국 제조업체 마이크로비티의 암호화폐 채굴 ASIC(Whatsminer M56S++)에 적용된 것을 확인했다고 밝혔다.
2023년 9월 7일, 미디어텍과 TSMC는 미디어텍이 첫 3 nm 칩을 개발했으며, 2024년에 대량 생산을 시작할 예정이라고 발표했다.
2025년 5월 22일, 샤오미는 샤오미 15S Pro 폰과 샤오미 패드 7 울트라에 탑재된 자사의 첫 3 nm 칩 XRING O1을 발표했으며, 이는 TSMC N3E 공정으로 대량 생산될 예정이다.
3 nm 공정 더 읽어보기
Bae, Geumjong; Bae, D.-I.; Kang, M.; Hwang, S.M.; Kim, S.S.; Seo, B.; Kwon, T.Y.; Lee, T.J.; Moon, C.; Choi, Y.M.; Oikawa, K.; Masuoka, S.; Chun, K.Y.; Park, S.H.; Shin, H.J.; Kim, J.C.; Bhuwalka, K.K.; Kim, D.H.; Kim, W.J.; Yoo, J.; Jeon, H.Y.; Yang, M.S.; Chung, S.-J.; Kim, D.; Ham, B.H.; Park, K.J.; Kim, W.D.; Park, S.H.; Song, G.;  외. (December 2018). 《3nm GAA Technology featuring Multi-Bridge-Channel FET for Low Power and High Performance Applications》. 2018 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM). 28.7.1–28.7.4쪽. doi:10.1109/IEDM.2018.8614629. ISBN 978-1-7281-1987-8. S2CID 58673284.
10 nm 공정
반도체 제조에서 국제반도체기술 로드맵(ITRS)은 "10 나노미터 공정"을 "14 nm" 노드 다음의 MOSFET 기술 노드로 정의한다.
적어도 1997년 이후로 "공정 노드"는 순전히 마케팅 목적으로 명명되었으며, 집적 회로의 크기와는 아무런 관련이 없다. "10nm" 소자에서 게이트 길이, 금속 피치 또는 게이트 피치 어느 것도 10 나노미터가 아니다. 예를 들어, 글로벌파운드리스의 "7 nm" 공정은 인텔의 "10 nm" 공정과 치수적으로 유사하다. TSMC와 삼성의 "10 nm" 공정은 트랜지스터 밀도 면에서 인텔의 "14 nm" 공정과 "10 nm" 공정 사이에 있다. 트랜지스터 밀도(제곱 밀리미터당 트랜지스터 수)는 트랜지스터 크기보다 더 중요하다. 왜냐하면 더 작은 트랜지스터가 더 이상 반드시 성능 향상이나 트랜지스터 수 증가를 의미하지 않기 때문이다.