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트랜지스터 카운트 트랜지스터 수
2세대 컴퓨터는 개별 트랜지스터, 솔리드 스테이트 다이오드 및 자기 메모리 코어로 채워진 보드를 특징으로 하는 트랜지스터 컴퓨터였다. 맨체스터 대학교에서 개발된 실험적인 1953년 48비트 트랜지스터 컴퓨터는 전 세계에서 처음으로 작동한 트랜지스터 컴퓨터로 널리 알려져 있다(프로토타입은 92개의 점 접촉 트랜지스터와 550개의 다이오드를 가지고 있었다). 이후 1955년 버전은 총 250개의 접합형 트랜지스터와 1,300개의 점 접촉 다이오드를 사용했다. 이 컴퓨터는 또한 클럭 생성기에 소수의 진공관을 사용했기 때문에 최초의 완전 트랜지스터화된 컴퓨터는 아니었다. 일본전기시험소에서 1956년에 개발된 ETL Mark III는 프로그램 내장 방식을 사용한 최초의 트랜지스터 기반 전자 컴퓨터였을 수 있다. 이 컴퓨터는 "약 130개의 점 접촉 트랜지스터와 약 1,800개의 저마늄 다이오드가 논리 요소로 사용되었으며, 이들은 꽂고 뺄 수 있는 300개의 플러그인 패키지에 보관되었다." 1958년 십진 아키텍처 IBM 7070은 완전한 프로그래밍이 가능한 최초의 트랜지스터 컴퓨터였다. 이 컴퓨터는 약 14,000개의 표준 모듈형 시스템(SMS) 카드에 약 30,000개의 합금 접합 저마늄 트랜지스터와 22,000개의 저마늄 다이오드를 가지고 있었다. 1959년 "MOBIle DIgital Computer"의 약자인 MOBIDIC은 12,000파운드(약 5,443kg)의 무게로 세미 트레일러 트럭의 트레일러에 장착되었으며, 전장 데이터용 트랜지스터 컴퓨터였다.
트랜지스터 카운트 트랜지스터 수
3세대 컴퓨터는 집적 회로(IC)를 사용했다. 1962년 15비트 (패리티 포함 16비트) 아폴로 가이던스 컴퓨터는 약 12,000개의 트랜지스터와 32,000개의 저항을 위해 "약 4,000개의 '타입-G'(3입력 NOR 게이트) 회로"를 사용했다.

1964년 출시된 IBM 시스템/360은 하이브리드 회로 팩에 개별 트랜지스터를 사용했다. 1965년 12비트 PDP-8 CPU는 많은 카드에 1409개의 개별 트랜지스터와 10,000개 이상의 다이오드를 가지고 있었다. 1968년 PDP-8/I부터 시작된 이후 버전은 집적 회로를 사용했다. PDP-8은 나중에 마이크로프로세서인 인터실 6100으로 재구현되었다(아래 참조).
다음 세대 컴퓨터는 1971년 인텔 4004를 시작으로 MOS 트랜지스터를 사용한 마이크로컴퓨터였다. 이들은 가정용 컴퓨터 또는 개인용 컴퓨터(PC)에 사용되었다.
이 목록에는 1950년대와 1960년대의 초기 트랜지스터 컴퓨터(2세대) 및 IC 기반 컴퓨터(3세대)가 포함된다.
일반적인 논리 함수의 트랜지스터 개수는 정적 CMOS 구현을 기준으로 한다.
역사적으로 초기 병렬 시스템의 각 처리 요소는 —당시 모든 CPU와 마찬가지로— 여러 칩으로 구성된 직렬 컴퓨터였다. 칩당 트랜지스터 개수가 증가함에 따라 각 처리 요소는 더 적은 수의 칩으로 구성될 수 있었고, 나중에는 각 멀티 코어 칩에 더 많은 처리 요소가 포함될 수 있었다.
굿이어 MPP: (1983?) 칩당 8개의 픽셀 프로세서, 칩당 3,000 ~ 8,000개의 트랜지스터.
브루넬 대학교 스케이프 (단일 칩 어레이 처리 요소): (1983) 칩당 256개의 픽셀 프로세서, 칩당 120,000 ~ 140,000개의 트랜지스터.
셀 브로드밴드 엔진: (2006) 칩당 9개의 코어를 가졌고, 칩당 2억 3,400만 개의 트랜지스터를 가졌다.
트랜지스터 카운트 트랜지스터 밀도
트랜지스터 밀도는 단위 면적당 제조되는 트랜지스터의 수로, 일반적으로 제곱 밀리미터(mm2)당 트랜지스터 수로 측정된다. 트랜지스터 밀도는 일반적으로 게이트 길이에 비례하며, 반도체 공정(반도체 제조 공정이라고도 함)은 일반적으로 나노미터(nm) 단위로 측정된다. 2019년 10월 기준, 가장 높은 트랜지스터 밀도를 가진 반도체 공정은 TSMC의 5나노미터 공정으로, 제곱 밀리미터당 1억 7,130만 개의 트랜지스터를 가지고 있다(이는 트랜지스터 간 거리가 76.4 nm임을 의미하며, 상대적으로 무의미한 "5nm"보다 훨씬 크다).
트랜지스터 카운트 게이트 수
특정 응용 분야에서는 트랜지스터 수 대신 게이트 수라는 용어가 선호된다. 이는 설계를 구현하는 데 필요한 트랜지스터 및 기타 전자 장치로 구성된 논리 회로의 수를 나타낸다.
닮은모래가는납작벌레
닮은모래가는납작벌레 (학명: Psammoecus trimaculatus 프삼모이쿠스 트리마쿨라투스[*])는 아프로-동양구가 원 서식지이며 전 세계 여러 곳으로 유입된 가는납작벌레과의 곤충이다.
닮은모래가는납작벌레 분포
닮은모래가는납작벌레는 아시아 지역의 경우 인도, 스리랑카, 네팔, 부탄, 일본, 말레이시아에 서식하는 것으로 기록되어 있나. 파푸아 뉴기니와 오스트레일리아에도 분포한다는 일부 보고가 있다. 아프리카의 경우, 탄자니아, 우간다, 남아프리카공화국, 마다가스카르, 모리셔스, 레위니옹에서 발견된다. 그보다 멀리 떨어져 있는 브라질과 이탈리아에서도 발견된다. 2021~2024년 사이에 진행된 조사에 따르면, 대한민국의 제주도에서 미기록종으로 발견되었다.
닮은모래가는납작벌레 특징
평균 몸길이는 약 2.23~2.96mm이다. 딱지 날개 위에서 발견되는 길다란 봉합점이 있다. 앞가슴은 다른 근연종들과 비교해 볼 때 가로 폭이 덜하다. 앞가슴 기부 앞에 있는 가로 함몰 부위는 뚜렷하지 않다. 양 옆의 이는 넓다. 수컷의 경우, 수컷 생식기는 끝을 향해 있는 가운데 엽이 점점 좁아진다. 딱지날개에 있는 구멍 줄은 좁게 나 있다. 제9배판은 Y자형으로 뻗어 있으며 길쭉하다. 양 옆의 경판은 길쭉하고 막질이다.
닮은모래가는납작벌레 생태
성충은 보통 썩어가는 식물 기질·건초더미·메마른 자른 풀·잎 잔해에서 발견된다. 빛에 쉽게 이끌리는 성향이 있다.
도파민 베타-하이드록실화효소
도파민 β-하이드록실화효소(영어: dopamine β-hydroxylaseamination, DBH) (EC 1.14.17.1)는 사람에서 DBH 유전자에 의해 부호화되는 효소이다. 도파민 β-일산소화효소(영어: dopamine β-monooxygenase)라고도 한다. 도파민 β-하이드록실화효소는 도파민을 노르에피네프린으로 전환하는 과정을 촉매한다.
도파민 β-하이드록실화효소의 세 가지 기질은 도파민, 비타민 C(아스코르브산), O2이고, 생성물은 노르에피네프린, 디하이드로아스코르브산, H2O이다.
도파민 β-하이드록실화효소는 4개의 동일한 소단위체로 구성된 290 kDa의 구리 함유 산소화효소이며, 활성 시에는 보조 인자로 아스코르브산을 필요로 한다.
도파민 β-하이드록실화효소는 막에 결합된 저분자 신경전달물질의 합성에 관여하는 유일한 효소로, 소포 내부에서 합성되는 유일한 신경전달물질로 알려진 노르에피네프린을 만든다. 도파민 β-하이드록실화효소는 중추신경계의 노르아드레날린작동성 뉴런(청색반점)과 말초신경계(교감 신경절)에서 발현되며, 부신속질의 크롬친화성세포에서도 발현된다.
단채널 효과
일렉트로닉스에서 단채널 효과(short-channel effect, 쇼트 채널 이펙트)는 채널 길이가 소스 및 드레인 접합부의 공핍층 너비와 비슷한 MOSFET에서 발생한다. 이러한 효과에는 특히 드레인 유기 장벽 저하, 속도 포화, 양자 구속 및 고온 캐리어 열화가 포함된다.
기후변화 시나리오
기후변화 시나리오(climate change scenario)는 "주요 동인의 집합"을 기반으로 한 가상의 미래이다.:1812 시나리오는 기후변화 완화와 기후변화 적응의 장기적인 효과를 탐구한다.
시나리오는 미래가 어떻게 전개될지 이해하는 데 도움이 된다. 시나리오는 어떤 결정이 기후변화 완화와 기후변화 적응에 가장 의미 있는 영향을 미칠지 보여줄 수 있다.
기후변화 시나리오와 밀접하게 관련된 것은 더 구체적이고 행동 지향적인 경로이다. 그러나 문헌에서는 시나리오와 경로라는 용어가 종종 혼용된다.:9
많은 변수가 기후변화 시나리오에 영향을 미친다. 세 가지 중요한 변수는 인구 수(및 인구 증가), 경제 활동, 새로운 기술이다. 경제 모형 및 에너지 모델 (예: World3 및 POLES)은 이러한 변수의 효과를 정량화한다.
기후변화 시나리오
기후변화 시나리오는 국가, 지역 또는 전 세계적 규모로 존재한다. 각국은 결정을 더 잘 이해하기 위해 시나리오 연구를 사용한다. 이는 적응 계획 또는 국가별 결정 기여를 개발할 때 유용하다. 파리 협정과 같은 기후변화 완화를 위한 국제 목표는 이러한 시나리오 연구를 기반으로 한다. 예를 들어, IPCC의 지구 온난화 1.5°C 특별 보고서는 2018년 유엔 기후변화 회의에 "핵심적인 과학적 입력"이었다. 이 보고서에서는 지구 온난화 완화를 위한 시나리오를 설명하는 다양한 경로가 고려된다. 경로는 예를 들어 에너지 공급 및 이산화 탄소 제거 포트폴리오를 포함한다.
기후변화 시나리오 용어
IPCC 제6차 평가 보고서는 시나리오를 다음과 같이 정의한다: "주요 동인과 관계에 대한 일련의 가정에 기반하여 미래가 어떻게 발전할 수 있는지에 대한 그럴듯한 설명.":1812 일련의 시나리오는 가능한 미래의 범위를 보여준다.
시나리오는 예측이 아니다.:1812 시나리오는 의사 결정자가 특정 결정의 효과가 무엇인지 이해하는 데 도움이 된다.
경로의 개념은 밀접하게 관련되어 있다. 경로의 공식적인 정의는 다음과 같다: "미래 상태를 향한 자연 및 인간 시스템의 시간적 진화. [...] 경로 접근 방식은 [...] 다양한 규모에 걸쳐 다양한 역학, 목표 및 행위자를 포함한다.":1810
즉, 경로는 시나리오를 현실로 만들기 위해 취해야 할 행동을 나열한 로드맵이다. 의사 결정자는 경로를 사용하여 예를 들어 화석연료의 단계적 폐지 시기 또는 화석 연료 보조금 감소와 관련하여 계획을 세울 수 있다.
기후변화 시나리오 용어
경로는 시나리오에 비해 더 구체적이고 행동 지향적이다. 목표하는 기후 목표를 달성하기 위한 로드맵을 제공한다. 미래에 동일한 시나리오 종점을 달성하기 위한 여러 경로가 있을 수 있다.
문헌에서는 시나리오와 경로라는 용어가 종종 혼용된다.:9 IPCC의 물리 과학적 기반에 대한 출판물은 시나리오를 더 많이 사용하는 경향이 있는 반면, 완화에 대한 출판물은 모델링된 배출 및 완화 경로를 용어로 사용하는 경향이 있다.:9
기후변화 시나리오 유형
다음과 같은 유형의 시나리오가 있다::1813
기준 시나리오는 대안 시나리오, 예를 들어 완화 시나리오와 비교하기 위한 참조로 사용된다. 온실 기체 배출의 광범위한 정량적 예측이 도출되었다. "SRES" 시나리오는 "기준" 배출 시나리오(즉, 배출을 제한하려는 미래 노력이 이루어지지 않는다고 가정)이며, 과학 문헌에서 자주 사용되었다(자세한 내용은 배출 시나리오에 관한 특별 보고서 참조).
기후변화 시나리오 목적
기후변화 시나리오는 가능한 미래의 이야기로 생각할 수 있다. 이는 거버넌스, 사회 구조 및 제도와 같이 정량화하기 어려운 요소를 설명할 수 있게 해준다. 시나리오에는 지속 가능한 발전의 변형부터 사회, 경제, 환경 시스템의 붕괴에 이르기까지 상당한 다양성이 있다.
기후변화 시나리오 미래 온실가스 배출에 영향을 미치는 요인
다음 매개변수는 시나리오의 모습을 결정하는 데 영향을 미친다: 미래 인구 수준, 경제 활동, 거버넌스 구조, 사회적 가치 및 기술 변화 패턴. 경제 활동과 온실 가스 배출량 간의 관계에서는 강력한 패턴이 발견되지 않았다. 경제 성장은 온실 가스 배출량 증가 또는 감소와 양립할 수 있는 것으로 나타났다. 후자의 경우, 배출량 증가는 에너지 효율 증가, 비-화석연료 에너지원으로의 전환 및 탈산업 3차 산업 경제로의 전환에 의해 중재된다.
배출량 예측에 영향을 미치는 요인은 다음과 같다.
기후변화 시나리오 미래 온실가스 배출에 영향을 미치는 요인
에너지 사용: 에너지 시스템의 미래 변화는 미래 온실 가스 배출의 근본적인 결정 요인이다.
에너지 강도: 이는 GDP 단위당 총 1차 에너지 공급(TPES)이다. 모든 기준 시나리오 평가에서 에너지 강도는 21세기 동안 크게 개선될 것으로 예측되었다. 예측된 에너지 강도의 불확실성 범위는 컸다.
탄소 강도: 이는 TPES 단위당 CO2 배출량이다. Fisher 등(2007)은 다른 시나리오와 비교하여 탄소 강도가 기후 정책이 가정되지 않은 시나리오에서 더 일정하다고 밝혔다. 예측된 탄소 강도의 불확실성 범위는 컸다. 범위의 상단에서는 일부 시나리오가 기후 정책 없이 CO2 배출이 없는 에너지 기술이 경쟁력을 가질 것이라는 예측을 포함했다. 이러한 예측은 화석 연료 가격 상승과 탄소 없는 기술의 빠른 기술 발전이라는 가정에 기반을 두었다. 탄소 강도 개선이 낮은 시나리오는 대규모 화석 연료 기반, 석탄 소비에 대한 저항 감소 또는 화석 연료 없는 기술의 낮은 기술 개발 속도를 가진 시나리오와 일치했다.
시나리오를 생성할 때 중요한 고려 사항은 개발도상국에서 사회 및 경제 발전이 어떻게 진행될 것인가 하는 점이다. 예를 들어, 개발도상국이 현재의 산업 국가와 유사한 개발 경로를 따른다면, 배출량이 매우 크게 증가할 수 있다. 배출량은 경제 성장률에만 의존하지 않는다. 다른 요인으로는 생산 시스템의 구조적 변화, 에너지와 같은 부문의 기술 패턴, 인간 정착지 및 도시 구조의 지리적 분포(예: 교통 요구 사항에 영향), 소비 패턴(예: 주거 패턴, 여가 활동 등), 그리고 보호무역의 정도와 지역 무역 블록의 형성이 기술 가용성에 영향을 미칠 수 있다.
대부분의 연구에서 다음 관계가 발견되었다(그러나 인과 관계의 증거는 아니다):
온실 가스 배출량 예측 추세는 다양한 형식으로 표시된다.
기후변화 시나리오 완화 시나리오
기후변화 완화 시나리오는 화석 연료 이외의 에너지원으로의 포괄적인 전환과 같은 의도적인 조치를 통해 지구 온난화를 줄이는 가능한 미래를 의미한다. 이는 기후변화의 부정적인 결과를 제한하는 수준으로 대기 중 온실 가스 농도를 안정화하기 위해 배출량을 최소화하는 조치이다. 이러한 시나리오를 사용하여 다양한 수준의 전 세계적 열망 틀 내에서 경제에 미치는 다양한 탄소 가격의 영향을 검토할 수 있다.
파리 협정은 기후변화의 영향을 줄이기 위해 지구 온도 상승을 산업화 이전 수준보다 2 °C 미만, 가급적 1.5 °C 미만으로 유지하는 것을 목표로 한다. 일반적인 완화 시나리오는 이산화 탄소(CO2)의 목표 대기 농도와 같은 장기 목표를 선택하고, 그 목표에 맞춰 조치를 조정함으로써 구성된다. 예를 들어, 전 세계 및 국가별 온실 기체 순배출량에 상한선을 설정하는 방식이다.
기후변화 시나리오 완화 시나리오
지구를 냉각시키거나 따뜻하게 하는 기후변화에 대한 기여는 종종 복사강제력 또는 행성의 에너지 수지에 도입하는 불균형으로 설명된다. 현재와 미래에 인위적인 이산화 탄소는 이 강제력의 주요 구성 요소로 여겨지며, 다른 구성 요소의 기여는 종종 "백만분율 CO2e" (ppm CO2e) 또는 동일한 규모의 복사 강제력을 생성할 이산화 탄소 농도의 증감량으로 정량화된다.
IEA의 2008년 에너지 기술 전망 간행물에 나오는 BLUE 시나리오는 장기적으로 450ppm 농도에 도달하는 경로를 설명한다. 조지프 롬은 14가지 쐐기를 적용하여 이 목표를 달성하는 방법을 스케치했다.
기후변화 시나리오 완화 시나리오
위에서 언급된 2008년 세계 에너지 전망은 또한 "450 정책 시나리오"를 설명한다. 이 시나리오에서는 2030년까지 추가 에너지 투자가 기준 시나리오보다 미국 달러$9.3조 달러에 달한다. 이 시나리오는 또한 2020년 이후 OECD 및 유럽 연합 국가에서 처음 운영되는 전 세계 탄소 배출권 거래제에 중국 및 인도와 같은 주요 경제국들이 참여하는 것을 특징으로 한다. 또한 덜 보수적인 450ppm 시나리오는 광범위한 음의 배출, 즉 대기에서 CO2를 제거하는 것을 요구한다. 국제 에너지 기구(IEA)와 OECD에 따르면, "더 낮은 농도 목표(450ppm) 달성은 BECCS 사용에 크게 의존한다."
이것은 스턴 보고서에서 (상한선으로) 주장된 목표이다. 산업화 이전 시대에 비해 CO2 수준이 약 두 배가 되는 것은 기후 민감도의 통상적인 추정치에 따르면 약 3도 정도의 온도 상승을 의미한다. 파칼라와 소콜로프는 15개의 "쐐기"를 나열했는데, 이 중 7개만 조합해도 CO2 수준을 550ppm 미만으로 유지하기에 충분할 것이다.
국제 에너지 기구의 2008년 세계 에너지 전망 보고서는 세계 에너지 미래에 대한 "2008년 중반까지 이미 채택된 정부 정책 외에 새로운 정책이 없다고 가정하는" "기준 시나리오"와, 그 다음 "탄소 배출권 거래제도", 부문별 협정 및 국가적 조치의 혼합인 추가 정책이 채택되는 "550 정책 시나리오"를 설명한다. 기준 시나리오에서는 2006년에서 2030년 사이에 세계가 에너지 공급 인프라에 26.3조 달러를 투자한다. 550 정책 시나리오에서는 이 기간 동안 추가로 4.1조 달러가 투자되며, 대부분 효율성 증가에 사용되어 7조 달러 이상의 연료비 절감 효과를 가져온다.
기후변화 시나리오 일반적으로 사용되는 경로 설명
기후변화 시나리오와 밀접하게 관련된 것은 더 구체적이고 행동 지향적인 경로이다.
IPCC 평가 보고서는 다음 유형의 경로에 대해 언급한다::1810
기후변화 시나리오 국가 기후 (변화) 예측
광범위한 그럴듯한 기후 결과를 탐색하고 예측에 대한 신뢰도를 높이기 위해 국가 기후변화 예측은 종종 여러 대기 대순환 모형(GCM)에서 생성된다. 이러한 기후 앙상블은 교란 물리 앙상블(PPE), 다중 모델 앙상블(MME) 또는 초기 조건 앙상블(ICE)의 형태를 취할 수 있다. 기본 GCM의 공간 해상도는 일반적으로 상당히 거칠기 때문에, 예측은 지역 기후 모델(RCM)을 사용하여 동적으로 다운스케일링되거나 통계적으로 다운스케일링되는 경우가 많다. 일부 예측에는 국가 경계보다 큰 지역의 데이터가 포함되는데, 예를 들어 집수 구역의 초국경 하천을 더 완전히 평가하기 위함이다.
다양한 국가들은 이해관계자들과의 피드백 및 상호 작용을 통해 국가 기후 예측을 생산했다. 이러한 참여 노력은 지역 난방일수와 같은 부문별 기후 지표 제공을 포함하여 이해관계자의 요구에 맞춰 기후 정보를 맞춤화하는 데 도움이 되었다.
기후변화 시나리오 국가 기후 (변화) 예측
30개 이상의 국가가 기후변화에 관한 유엔 기본 협약에 가장 최근 제출한 자료에서 국가 기후 예측/시나리오를 보고했다. 많은 유럽 정부 또한 기후변화에 대한 국가 정보 포털에 자금을 지원했다.
자체 기후변화 예측을 개발할 자원이 부족한 국가를 위해 UNDP 또는 FAO와 같은 조직은 예측 및 국가 적응 프로그램(NAPA) 개발을 지원했다.
심각한 불확실성 하에서의 의사결정과 같은 의사결정 과정은 여러 기후 시나리오를 사용하여 다양한 잠재적 미래에서 취약성과 행동 기능을 평가할 수 있다.
비르트의 법칙
비르트의 법칙(Wirth's law)은 컴퓨터 성능에 대한 격언으로, 소프트웨어가 하드웨어가 빨라지는 것보다 더 빠르게 느려진다는 것을 말한다.
이 격언은 1995년 논문 "A Plea for Lean Software"에서 이 격언을 논의한 컴퓨터 과학자 니클라우스 비르트의 이름을 따서 명명되었다.
비르트의 법칙 역사
비르트는 이 말을 마르틴 라이저에게 돌렸는데, 라이저는 자신의 오베론 시스템에 대한 책 서문에서 다음과 같이 썼다. "하드웨어의 발전이 모든 소프트웨어 문제를 해결할 것이라는 희망이 있다. 그러나 비판적인 관찰자는 소프트웨어가 크기와 느려짐에서 하드웨어를 능가한다는 것을 관찰할 수 있다." 다른 관찰자들은 한동안 이 점을 주목했다. 실제로 이러한 추세는 1987년 일찍부터 명확해지고 있었다.
비르트의 법칙 역사
그는 끊임없이 성장하는 소프트웨어의 수용에 기여하는 두 가지 요인으로 "급속히 성장하는 하드웨어 성능"과 "필수적인 기능과 있으면 좋은 기능에 대한 고객의 무지"를 들었다. 사용자 편의성과 기능성 향상이 소프트웨어의 크기 증가를 정당화한다고 하지만, 비르트는 사람들이 복잡성을 정교함으로 오해하는 경향이 있으며, "이러한 세부 사항들은 보기에는 좋지만 필수적이지 않으며, 숨겨진 비용이 따른다"고 주장한다. 그 결과, 그는 "더 날씬한" 소프트웨어 개발을 촉구했으며, 하드웨어만을 기반으로 1986년에서 1989년 사이에 개발된 소프트웨어 시스템인 오베론의 개발을 선도했다. 그의 주요 목표는 유연성, 기능성 또는 사용자 편의성을 희생하지 않고 일반적으로 요구되는 메모리 용량과 프로세서 성능의 일부만으로 소프트웨어를 개발할 수 있음을 보여주는 것이었다.
비르트의 법칙 다른 이름
이 법칙은 2009년에 재정립되어 구글 공동 창립자 래리 페이지에게 귀속되었다. 이를 페이지의 법칙이라고 부른다. 이 이름의 첫 사용은 2009년 구글 I/O 콘퍼런스에서 구글 공동 창립자 세르게이 브린에게 귀속된다.
다른 일반적인 형태로는 1990년대 주요 하드웨어 및 소프트웨어 회사인 인텔과 마이크로소프트 또는 그 CEO인 앤디 그로브와 빌 게이츠의 이름을 사용한다. 예를 들어 "인텔이 준 것을 마이크로소프트가 빼앗는다"와 앤디와 빌의 법칙: "앤디가 준 것을 빌이 빼앗는다"가 있다.
게이츠의 법칙("소프트웨어의 속도는 18개월마다 절반으로 줄어든다")은 익명으로 만들어진 비르트의 법칙 변형으로, 그 이름은 마이크로소프트의 공동 창립자인 빌 게이츠를 지칭한다. 이는 상용 소프트웨어의 속도가 일반적으로 18개월마다 50% 느려져 무어의 법칙의 모든 이점을 상쇄한다는 관찰이다. 이는 다양한 이유로 발생할 수 있다. 피처 크리프, 코드 크러프트, 개발자의 게으름, 자금 부족, 강제 업데이트, 강제 포팅(더 새로운 OS 또는 새로운 기술 지원), 또는 이전 관리자의 설계 철학과 일치하지 않는 경영진 교체 등이 그 원인이다.
비르트의 법칙 다른 이름
데이비드 메이의 이름을 딴 메이의 법칙은 "소프트웨어 효율성은 18개월마다 절반으로 줄어들어 무어의 법칙을 상쇄한다"고 명시하는 변형이다.
1080
1080은 1000~1999의 범위에 있는 자연수의 하나다.
그 밖에도, 1080은 여러 뜻이 있다.
그래핀 나노리본
그래핀 나노리본(graphene nanoribbon, GNRs, 나노그래핀 리본 또는 나노흑연 리본)은 너비가 100 nm 미만인 그래핀 스트립이다. 그래핀 리본은 후지타 미쓰타카와 공동 저자들이 그래핀의 가장자리 및 나노스케일 크기 효과를 조사하기 위한 이론적 모델로 도입되었다. 합성 금속 분야의 전도성 중합체 영역 내에서 흑연 리본에 대한 일부 초기 연구에는 다나카 가즈요시, 야마베 도키오 및 공동 저자, 스티븐 키벨슨 및 더글러스 J. 클라인의 연구가 포함된다. 다나카, 야마베, 키벨슨은 흑연의 소위 지그재그 및 암체어 가장자리를 연구한 반면, 클라인은 종종 수염 가장자리(bearded edge)라고 불리는 다른 가장자리 기하학을 도입했다.
그래핀 나노리본 생산
대량의 너비 제어 GNR은 흑연 나노절개술을 통해 생산될 수 있다. 여기서 흑연에 날카로운 다이아몬드 칼을 적용하면 흑연 나노블록이 생성되며, 이는 비카스 베리가 보여주듯이 박리되어 GNR을 생성할 수 있다. GNR은 나노튜브를 "압축 해제(unzipping)"하거나 축 방향으로 절단하여도 생산할 수 있다. 한 가지 방법에서는 다중벽 탄소 나노튜브가 과망가니즈산 칼륨과 황산의 작용으로 용액에서 압축 해제되었다. 또 다른 방법에서는 중합체 필름에 부분적으로 내장된 나노튜브를 플라즈마 식각하여 GNR을 생산했다. 최근에는 이온 주입 후 진공 또는 레이저 어닐링을 사용하여 탄화 규소 (SiC) 기판 위에 그래핀 나노리본이 성장되었다. 후자의 기술은 5 nm 정밀도로 SiC 기판에 어떤 패턴이든 쓸 수 있도록 한다.
그래핀 나노리본 생산
GNR은 탄화규소 웨이퍼에 식각된 3차원 구조의 가장자리에 성장되었다. 웨이퍼가 약 1,000 °C (1,270 K; 1,830 °F)로 가열되면, 실리콘이 가장자리를 따라 우선적으로 제거되어 3차원 표면의 패턴에 따라 구조가 결정되는 나노리본을 형성한다. 이 리본들은 제작 공정에 의해 완벽하게 매끄러운 가장자리를 가졌다. 100만 이상을 초과하는 전자 이동도 측정값은 2차원 그래핀보다 두 자릿수 낮은 시트 저항 1 옴/제곱에 해당한다.
저마늄 웨이퍼에 성장된 10 nm 미만의 나노리본은 반도체처럼 작동하여 띠틈을 나타낸다. 반응 챔버 내에서 화학기상증착을 사용하여 메탄을 웨이퍼 표면에 탄화수소를 증착하는 데 사용하며, 이들은 서로 반응하여 길고 매끄러운 가장자리를 가진 리본을 생성한다. 이 리본은 시제품 트랜지스터를 만드는 데 사용되었다. 매우 느린 성장 속도에서 그래핀 결정은 특정 저마늄 결정면에 길고 가는 나노리본 형태로 자연스럽게 성장한다. 연구원들은 성장 속도와 성장 시간을 제어하여 나노리본 너비를 제어하는 데 성공했다.
그래핀 나노리본 생산
최근 중국과학원 산하 상하이 마이크로시스템 정보 기술 연구소(SIMIT) 연구원들은 유전체 육방정계 질화 붕소(h-BN) 기판에 제어된 너비와 매끄러운 가장자리를 가진 그래핀 나노리본을 직접 성장시키는 전략을 보고했다. 이 팀은 니켈 나노입자를 사용하여 h-BN에 단층 깊이의 나노미터 너비 트렌치를 식각하고, 이어서 화학기상증착을 사용하여 그래핀으로 채웠다. 식각 매개변수를 수정하여 트렌치 너비를 10 nm 미만으로 조절할 수 있으며, 결과적으로 10 nm 미만의 리본은 거의 0.5 eV의 띠틈을 나타낸다. 이러한 나노리본을 전계효과 트랜지스터 장치에 통합하면 실온에서 104보다 큰 온-오프 비율과 약 750 cm2 V−1 s−1의 높은 전하 캐리어 이동도를 보여준다.
상향식 접근법이 연구되었다. 2017년에는 건식 접촉 전달 방법을 사용하여 수소로 비활성화된 Si(100) 표면에 원자적으로 정밀한 그래핀 나노리본 분말이 코팅된 유리섬유 어플리케이터를 진공 상태에서 눌렀다. 115개의 GNR 중 80개가 평균 0.30 nm의 겉보기 높이로 기판 격자를 가시적으로 가렸다. GNR은 Si 격자와 정렬되지 않아 약한 결합을 나타낸다. 21개 GNR의 평균 띠틈은 2.85 eV였고 표준 편차는 0.13 eV였다.
이 방법은 의도치 않게 일부 나노리본을 겹치게 하여 다층 GNR 연구를 가능하게 했다. 이러한 겹침은 주사 터널링 현미경을 통한 조작으로 의도적으로 형성될 수 있다. 수소 비활성화는 띠틈을 남기지 않았다. Si 표면과 GNR 간의 공유 결합은 금속성 거동으로 이어진다. Si 표면 원자는 바깥쪽으로 이동하고, GNR은 평평한 상태에서 왜곡된 상태로 변형되며, 일부 C 원자는 Si 표면으로 이동한다.
그래핀 나노리본 전자 구조
GNR의 전자 상태는 가장자리 구조(암체어 또는 지그재그)에 크게 의존한다. 지그재그 가장자리에서는 각 연속적인 가장자리 세그먼트가 이전 세그먼트와 반대 각도를 이룬다. 암체어 가장자리에서는 각 쌍의 세그먼트가 이전 쌍의 120/-120도 회전이다. 아래 애니메이션은 둘 다를 시각적으로 설명한다. 지그재그 가장자리는 페르미 에너지 근처에 비결합 분자 궤도를 가진 가장자리 국소화 상태를 제공한다. 이들은 양자화로 인해 광학적 및 전자적 특성에 큰 변화가 있을 것으로 예상된다.
밀접 결합 근사 이론에 기반한 계산에 따르면 지그재그 GNR은 항상 금속성이지만 암체어 GNR은 너비에 따라 금속성 또는 반도체성이 될 수 있다. 그러나 밀도범함수 이론(DFT) 계산에 따르면 암체어 나노리본은 GNR 너비의 역수에 따라 스케일링되는 에너지 갭을 가진 반도체이다. 실험을 통해 에너지 갭이 GNR 너비가 감소함에 따라 증가한다는 것이 확인되었다. 제어된 가장자리 방향을 가진 그래핀 나노리본은 주사 터널링 현미경(STM) 리소그래피로 제작되었다. 2.5 nm 너비의 암체어 리본에서 최대 0.5 eV의 에너지 갭이 보고되었다.
그래핀 나노리본 전자 구조
암체어 나노리본은 금속성 또는 반도체성으로 스핀 분극된 가장자리를 나타낸다. 이들의 띠틈은 반대쪽 가장자리 탄소 원자의 자기 모멘트 사이의 특이한 반강자성 결합 덕분에 열린다. 이 띠틈 크기는 리본 너비에 반비례하며 그 동작은 가장자리 상태 파동 함수의 공간 분포 특성과 스핀 분극을 유발하는 교환 상호 작용의 주로 국소적 특성으로 거슬러 올라갈 수 있다. 따라서 지그재그 GNR의 양자 제한, 가장자리 간 초교환, 가장자리 내 직접 교환 상호 작용은 자기 및 띠틈에 중요하다. 지그재그 GNR의 가장자리 자기 모멘트와 띠틈은 전자/홀 농도에 역비례하며 알칼리 흡착원자에 의해 제어될 수 있다.
그들의 2D 구조, 높은 전기 및 열전도율 및 낮은 노이즈는 또한 GNR을 집적회로 상호연결을 위한 구리의 가능한 대안으로 만든다. 연구는 리본을 따라 특정 지점에서 GNR의 너비를 변경하여 양자 구속을 생성함으로써 양자점을 만드는 것을 탐구하고 있다. 단일 그래핀 나노리본 내부에 이종접합이 구현되었으며, 이들 중 터널 장벽으로 기능하는 것으로 밝혀진 구조도 있다.
그래핀 나노리본 전자 구조
그래핀 나노리본은 반도체 특성을 가지며, 실리콘 반도체의 기술적 대안이 될 수 있으며 1 THz에 가까운 클럭 속도를 유지할 수 있다. 10 nm 미만의 전계효과 트랜지스터는 GNR을 이용하여 – "GNRFET" – 실온에서 106 이상의 Ion/Ioff 비율로 제작되었다.
제어된 너비의 GNR TEM 미세사진: (a) w=15, (b) w=30, (c) w=40 (박리), (d) w=60 nm의 GNR이 400메시 레이스 탄소 그리드에 증착된 모습, (e) 600 nm 리본의 FESEM 미세사진. (f) 120 nm 그래핀 리본(FESEM), (g) 50 nm 정사각형 GQD(FESEM), (h,i) 25×100 nm2 직사각형 GQD(FESEM), (j) 8° 각도의 경사진 GNR (또는 삼각형 GQD)(FESEM)의 전자 현미경 이미지. 정사각형 및 직사각형 GQD의 높은 밀도(g)는 광범위한 접힘(흰색 화살표)을 보였다. 막대 크기=(a) 250 nm, (b,g,i) 50 nm, (c,d) 500 nm, (h) 1 μm.
그래핀 나노리본 전자 구조
정전기장이나 자기장과 같은 외부 필드에서의 전자적 특성은 광범위하게 연구되어 왔다. 이러한 연구를 위해 다양한 수준의 밀접 결합 모델뿐만 아니라 제일 원리 계산이 사용되었다.
지그재그 나노리본의 경우 외부 전기장 하에서 가장 흥미로운 효과는 반금속성 유도이다. 간단한 밀접 결합 모델에서 리본 너비에 걸쳐 적용되는 외부 면내 필드의 효과는 가장자리 상태 사이의 띠틈 개방이다. 그러나 제일 원리 스핀-분극 계산은 스핀 업 및 다운 종이 다르게 행동한다는 것을 보여준다. 한 스핀 투영은 띠틈을 닫는 반면 다른 하나는 증가시킨다. 결과적으로 특정 임계 필드 값에서 리본은 한 스핀 투영(업 또는 다운)에 대해 금속성이 되고 다른 스핀(다운 또는 업)에 대해 절연성이 된다. 이러한 방식으로 스핀트로닉스 응용에 유용할 수 있는 반금속성이 유도된다.
그래핀 나노리본 전자 구조
암체어 리본은 지그재그 형제들과는 다르게 행동한다. 일반적으로 외부 면내 전기장 하에서 닫히는 띠틈을 특징으로 한다. 필드의 특정 임계값에서 띠틈은 완전히 닫히고 디랙 콘 선형 교차를 형성한다 (참고의 그림 9d 참조). 이 흥미로운 결과는 밀도 범함수 이론 계산에 의해 입증되었고 단순화된 밀접 결합 모델에서 설명되었다. 이는 리본 가장자리의 화학적 조성에 의존하지 않으며, 예를 들어 일반적인 수소 대신 불소 및 염소 원자를 리본 가장자리 부동태화에 사용할 수 있다. 또한 이 효과는 화학적 공동 도핑, 즉 리본의 반대쪽에 질소 및 붕소 원자를 배치함으로써 유도될 수 있다. 모델적으로 이 효과는 리본 너비에 해당하는 거리에 배치되고 다른 게이트 전위가 가해지는 한 쌍의 시스-폴리아세틸렌 사슬로 설명할 수 있다.
클라인형 가장자리를 가진 수염 리본은 밀접 결합 모델 근사에서 지그재그 리본과 유사하게 행동한다. 즉, 가장자리 상태 사이에 띠틈이 열린다. 이러한 유형의 가장자리 구성은 화학적 불안정성으로 인해 일반적으로 간행물에서 제외된다. 지그재그 나노리본과 유사하게 외부 면내 필드에서 반금속성을 이론적으로라도 나타낼 수 있는지는 아직 명확하지 않다.
그래핀 나노리본 전자 구조
두 가장자리가 모두 유사한 위 리본들의 방대한 사촌군은 단일 리본에 비등가 가장자리 기하학을 결합하는 리본 종류이다. 가장 간단한 예 중 하나는 반수염 나노리본일 수 있다. 이러한 리본은 원칙적으로 두 수염 가장자리를 가진 나노리본보다 더 안정적일 수 있는데, 이는 지그재그 리본의 비대칭 수소화를 통해 구현될 수 있기 때문이다. 가장 가까운 이웃 밀접 결합 모델 및 비스핀 분극 밀도 범함수 이론 계산에서 이러한 리본은 카이랄 이상 구조를 나타낸다. 면내 외부 전기장을 받는 순수 반수염 나노리본의 완전 평탄 띠는 두 디랙 점 주변에서 반대 방향의 그룹 속도를 가진 단방향 선형 분산을 나타낸다. 고필드에서는 디랙 점 주변의 선형 띠가 물결 모양의 3차 함수와 같은 분산으로 변환된다. 이 비자명한 행동은 필드 조정 가능한 비소산 수송에 유리하다. 완전 평탄에서 선형, 그리고 3차 함수와 같은 띠로의 극적인 변환은 디랙 방정식을 기반으로 하는 연속체  모델 설명을 가능하게 한다. 적절한 경계 조건(반전/거울 대칭을 깨뜨리는)과 단일 필드 강도 매개변수가 보완된 디랙 방정식은 에어리(Airy) 함수와 같은 특수 함수를 사용하여 해석적 해를 허용한다.
그래핀 나노리본 기계적 특성
나노미터 스케일의 제한된 해상도로 인해 정확한 기하학적 구조를 가진 그래핀 나노리본을 준비하여 실제 인장 시험을 수행하기는 어렵지만, 가장 일반적인 두 가지 그래핀 나노리본(지그재그 및 암체어)의 기계적 특성은 밀도범함수 이론, 분자동역학 및 유한요소법을 사용한 전산 모델링으로 연구되었다. 강한 결합을 가진 2차원 그래핀 시트는 가장 단단한 재료 중 하나로 알려져 있으므로, 그래핀 나노리본의 영률 또한 1 TPa 이상의 값을 가진다.
그래핀 나노리본의 영률, 층밀림 탄성률 및 푸아송 비는 다양한 크기(길이와 너비가 다름)와 모양에 따라 달라진다. 이러한 기계적 특성은 이방성이며, 일반적으로 1차원 주기 방향에 평행하고 수직인 두 개의 면내 방향에서 논의된다. 여기에서 기계적 특성은 특히 그래핀 나노리본의 가장자리에서 독특한 기하학적 구조, 결합 길이 및 결합 강도 때문에 2차원 그래핀 시트와 약간 다를 것이다. 그래핀 나노리본 가장자리의 결합 환경을 변경하기 위해 추가적인 화학적 도핑을 통해 이러한 나노기계적 특성을 조절하는 것이 가능하다. 그래핀 나노리본의 너비가 증가함에 따라 기계적 특성은 그래핀 시트에서 측정된 값으로 수렴할 것이다.
그래핀 나노리본 기계적 특성
한 분석에서는 분자동역학 방법을 통해 암체어 그래핀 나노리본의 높은 영률이 약 1.24 TPa에 달할 것으로 예측했다. 또한 변형력-변형 곡선에서 고차 항이 있는 비선형 탄성 거동을 보였다. 고변형률 영역에서는 비선형 거동을 완전히 설명하기 위해 훨씬 더 높은 차수(>3)가 필요할 것이다. 다른 과학자들도 유한요소법을 통해 비선형 탄성을 보고했으며, 암체어 그래핀 나노리본의 영률, 인장 강도 및 연성이 모두 지그재그 그래핀 나노리본보다 크다는 것을 발견했다. 또 다른 보고서에서는 밀도범함수 이론 모델을 통해 지그재그 그래핀 나노리본에 대해 -0.02에서 0.02 사이의 변형률에 대한 선형 탄성을 예측했다. 선형 영역 내에서는 전자적 특성이 약간 변화하는 기하학적 구조에도 불구하고 상대적으로 안정적일 것이다. 에너지 갭은 -0.02에서 0.02 사이의 변형률에 대해 -0.02 eV에서 0.02 eV로 증가하며, 이는 미래 공학 응용을 위한 가능성을 제공한다.
그래핀 나노리본 기계적 특성
암체어 그래핀 나노리본의 인장 강도는 175 GPa이며, 30.26%의 높은 파괴 변형률을 가진다. 이는 단층 그래핀에서 실험적으로 측정된 130 GPa 및 25%의 값과 비교하여 더 우수한 기계적 특성을 보여준다. 예상대로, 더 작은 너비의 그래핀 나노리본은 더 빠르게 완전히 파손될 것인데, 이는 약한 가장자리 결합의 비율이 증가했기 때문이다. 그래핀 나노리본에 가해지는 인장 변형이 최대에 도달하면 C-C 결합이 끊어지기 시작하고 훨씬 더 큰 고리를 형성하여 파괴될 때까지 재료를 약하게 만든다.
그래핀 나노리본 광학적 특성
그래핀 나노리본의 광학적 특성에 대한 가장 초기 수치 결과는 2000년에 린과 쉬에 의해 얻어졌다. 암체어 및 지그재그 가장자리를 가진 그래핀 나노리본에서 광학 전이에 대한 서로 다른 선택 규칙이 보고되었다. 이러한 결과는 2007년 쉬와 라이클의 지그재그 나노리본과 단일벽 암체어 탄소 나노튜브에 대한 비교 연구로 보완되었다. 지그재그 리본의 선택 규칙이 탄소 나노튜브와 다르며, 지그재그 리본의 고유 상태는 대칭 또는 비대칭으로 분류될 수 있음이 입증되었다. 또한 가장자리 상태가 지그재그 나노리본의 광학 흡수에 중요한 역할을 할 것으로 예측되었다. 가장자리와 벌크 상태 사이의 광학 전이는 강한 흡수 피크에 의해 흡수 스펙트럼의 저에너지 영역( eV)을 풍부하게 해야 한다. 수치적으로 얻어진 선택 규칙의 분석적 유도는 2011년에 제시되었다. 지그재그 리본 축에 평행하게(종방향으로) 분극된 입사광에 대한 선택 규칙은 이 홀수라는 것이며, 여기서 과 는 에너지 밴드를 열거한다. 반면 수직 분극의 경우 는 짝수이다. 전도 또는 원자가 하위 밴드 사이의 인트라밴드(인터서브밴드) 전이 또한 가 짝수이면 평행 분극에서 허용된다. 수직 분극의 경우 전도 또는 원자가 하위 밴드 사이의 인트라밴드 전이는 가 홀수일 때 허용된다.
그래핀 나노리본 광학적 특성
암체어 가장자리를 가진 그래핀 나노리본의 경우 선택 규칙은 입사광의 수직 분극에 대해 가 홀수이고, 평행 분극에 대해 이다. 탄소 나노튜브와 유사하게 평행 분극에서 인터서브밴드 전이는 암체어 그래핀 나노리본에 대해 금지되어 있지만, 수직 분극 및 가 홀수인 경우에는 허용된다. 암체어 나노리본과 지그재그 탄소 나노튜브의 에너지 밴드가 정렬될 수 있기 때문에, 일 때, 여기서 와 은 각각 튜브와 리본의 단위 셀에 있는 원자 수이다, 평행 분극에 대한 선택 규칙은 이러한 두 가지 유형의 나노구조의 광학 흡수 피크 간에 정확한 상관 관계를 발생시킨다.
그래핀 나노리본 광학적 특성
단일벽 암체어 탄소 나노튜브와 지그재그 그래핀 나노리본의 다른 선택 규칙에도 불구하고, 벌크 상태에서 발생하는 흡수 피크의 숨겨진 상관 관계가 예측된다. 암체어 튜브와 지그재그 리본의 흡수 피크 상관 관계는 의 일치 조건이 충족될 때 발생하지만, 이러한 튜브와 리본의 에너지 밴드는 정확히 정렬되지 않는다. 수염 가장자리를 가진 암체어 나노튜브와 나노리본에 대해서도 유사한 벌크 흡수 피크 상관 관계를 얻을 수 있지만, 이 경우 일치 조건은 로 변경된다. 밀접 결합 모델의 최근접 이웃 근사 내에서 얻은 이러한 결과는 지그재그 나노리본과 암체어 튜브에 대한 교환 및 상관 효과를 고려한 제일 원리 밀도 범함수 이론 계산으로 입증되었다.
준입자 보정과 다체 효과를 포함한 제일원리 계산은 그래핀 기반 재료의 전자 및 광학 특성을 탐구했다. GW 계산을 통해 그래핀 나노리본을 포함한 그래핀 기반 재료의 특성이 정확하게 조사되었다. 가장자리 및 표면 기능화된 암체어 그래핀 나노리본 및 암체어 그래핀 나노리본의 스케일링 특성.
그래핀 나노리본 분석
그래핀 나노리본은 주사 터널링 현미경, 라만 분광법, 적외선 분광법, 및 X선 광전자 분광법으로 분석할 수 있다. 예를 들어, 지그재그 가장자리와 유사한 하나의 벤젠 고리의 하나의 C-H의 면외 굽힘 진동인 SOLO는 지그재그 GNR에서 899 cm−1에서 나타나는 것으로 보고되었으며, 암체어 가장자리와 유사한 하나의 벤젠 고리의 두 개의 C-H의 DUO는 암체어 GNR에서 계산된 IR 스펙트럼 결과로 814 cm−1에서 나타나는 것으로 보고되었다. 그러나 기판 위의 그래핀 나노리본 분석은 반사 흡수 분광법을 사용하더라도 적외선 분광법으로는 어렵다. 따라서 적외선 분광법 분석을 위해서는 대량의 그래핀 나노리본이 필요하다.
그래핀 나노리본 반응성
지그재그 가장자리는 암체어 가장자리보다 반응성이 더 높은 것으로 알려져 있으며, 이는 지그재그 가장자리를 가진 화합물(테트라센)과 암체어 가장자리를 가진 화합물(크리센) 사이의 탈수소화 반응성에서 관찰되었다. 또한, 지그재그 가장자리는 가스화 없이 암체어 가장자리보다 더 쉽게 산화되는 경향이 있다. 아센의 길이에 따른 반응성 의존성에서 볼 수 있듯이, 더 긴 길이를 가진 지그재그 가장자리는 더 반응성이 높을 수 있다.
그래핀 나노리본 응용
그래핀 나노리본과 그 산화된 형태인 그래핀 산화 나노리본은 고분자 나노복합재의 기계적 특성을 향상시키기 위한 나노필러로 연구되어 왔다. 그래핀 나노리본을 첨가했을 때 에폭시 복합재의 기계적 특성이 향상되는 것이 관찰되었다. 골 조직 공학 응용을 위해 제조된 산화 그래핀 나노리본을 낮은 중량비로 첨가하여 생분해성 폴리(프로필렌 푸마레이트) 고분자 나노복합재의 기계적 특성을 향상시켰다.
광음향(PA) 단층촬영(PAT) 및 열음향(TA) 단층촬영(TAT)과 같은 하이브리드 영상화 양식은 생체 영상 응용 분야를 위해 개발되었다. PAT/TAT는 순수 초음파 및 순수 광학 영상/무선주파수(RF)의 장점을 결합하여 우수한 공간 해상도, 뛰어난 침투 깊이 및 높은 연조직 대비를 제공한다. 단일벽 및 다중벽 탄소 나노튜브를 압축 해제하여 합성된 GNR은 광음향 및 열음향 영상 및 단층촬영술을 위한 조영제로 보고되었다.
그래핀 나노리본 응용
촉매작용에서 GNR은 촉매 또는 촉매 지지체로서 매력적인 몇 가지 장점을 제공한다. 첫째, 높은 표면적 대 부피 비율은 촉매 반응을 위한 풍부한 활성 부위를 제공한다. 이 향상된 표면적은 반응물 분자와의 효율적인 상호 작용을 가능하게 하여 촉매 성능을 향상시킨다.
둘째, GNR의 가장자리 구조는 촉매작용에서 중요한 역할을 한다. GNR의 지그재그 및 암체어 가장자리는 독특한 전자적 특성을 가지므로 특정 반응에 적합하다. 예를 들어, 가장자리에 불포화 탄소 원자가 존재하면 다양한 분자의 흡착 및 반응을 위한 활성 부위 역할을 할 수 있다.
또한, GNR은 이종원자로 기능화되거나 도핑되어 촉매 특성을 더욱 조절할 수 있다. 특정 그룹으로 기능화하거나 실리콘, 질소, 붕소 또는 전이 금속과 같은 원소로 도핑하면 추가적인 활성 부위를 도입하거나 전자 구조를 변경하여 선택적 촉매 변환을 가능하게 한다.
미국 경제학회
미국 경제학회(American Economic Association, AEA)는 약 23,000명의 회원을 가진 경제학 분야의 학회이다. 이 학회는 아메리칸 이코노믹 리뷰, 저널 오브 이코노믹 리터러처(Journal of Economic Literature), 저널 오브 이코노믹 퍼스펙티브스(Journal of Economic Perspectives)를 포함한 여러 동료 심사 저널을 발행한다.
미국 경제학회 역사와 헌법
AEA는 1885년 새러토가스프링스에서 독일 역사학파에서 훈련받은 젊은 진보 경제학자들에 의해 설립되었다. 공동 설립자 중 유일한 여성이었던 리처드 T. 엘리, 에드윈 로버트 앤더슨 셀리그먼, 캐서린 코먼 등이 포함된다.:989 1900년부터는 학자들이 통제하고 있다.
협회의 목적은 다음과 같다.
1) 경제 연구, 특히 산업 생활의 실제 조건에 대한 역사적 및 통계적 연구 장려;
2) 경제 문제에 대한 출판물 발행;
3) 경제 토론의 완전한 자유 장려. 협회는 당파적인 태도를 취하지 않으며, 회원들이 실용적인 경제 문제에 대해 어떤 입장도 취하도록 강요하지 않는다고 밝힌다. 협회는 경제학 학술지인 아메리칸 이코노믹 리뷰를 발행한다.
미국 경제학회 역사와 헌법
한때 주로 대학 경제학 교수들로 구성되었던 협회는 내슈빌에 본부를 두고 있으며, 현재는 비즈니스 및 전문직 단체로부터 점점 더 많은 회원을 유치하고 있다. 오늘날 협회는 약 23,000명의 회원을 보유하고 있으며, 절반 이상이 학계에 종사한다. 약 15%는 비즈니스 및 산업 분야에 고용되어 있으며, 나머지는 주로 연방, 주, 지방 정부 또는 기타 비영리 단체에 속해 있다.
AEA의 리더십은 하버드, MIT, 시카고, 컬럼비아, 스탠퍼드, 프린스턴의 6개 학술 기관의 학자들에 의해 주도되었다.
미국 경제학회 활동
AEA는 관련 분야의 50개 이상의 협회(Allied Social Science Associations)와 함께 1월에 3일간의 연례 회의를 개최하여 일반 경제 주제에 대한 논문을 발표한다. 연례 회의에는 약 500개의 학술 세션이 열린다. 고용주와 구직자를 돕기 위한 취업 서비스는 회의 하루 전부터 시작된다. 연례 회의 직후에는 평생 교육 프로그램이 진행된다. 주제는 매년 달라진다.
AEA는 아메리칸 이코노믹 리뷰, 저널 오브 이코노믹 리터러처, 저널 오브 이코노믹 퍼스펙티브스 세 가지 경제학 저널을 발행한다. 2009년에는 응용 경제학, 경제 정책, 거시 경제학, 미시 경제학을 다루는 네 가지 새로운 분야별 저널을 총칭하는 아메리칸 이코노믹 저널(American Economic Journal, AEJ)을 발행하기 시작했다. AEA는 매년 네 분야 각각에 출판된 논문에 대해 최우수 논문상을 수여한다.
미국 경제학회 활동
AEA는 또한 매년 5월에 AEA 회의에서 발표된 논문을 수록한 AEA Papers and Proceedings를 발행한다. 2017년까지 이 논문들은 아메리칸 이코노믹 리뷰 5월호에 실렸다.
AEA는 또한 AEA의 전자 참고 문헌인 EconLit을 제작한다. 이는 동료 심사를 거친 저널 기사, 서적, 서평, 단행본 기사, 워킹 페이퍼 및 학위 논문에 대한 포괄적인 색인이다. 검색 가능한 형식으로 편집 및 요약된 EconLit은 전 세계 경제 문헌 125년치를 색인한다. 이는 Journal of Economic Literature의 JEL 분류 코드를 따른다.
AEA는 구독 없이 일반 대중에게 제공되는 온라인 자료인 RFE: Resources for Economists on the Internet을 후원한다. 이는 약 97개의 섹션과 하위 섹션 아래 2,000개 이상의 인터넷 사이트를 분류하고 주석을 단다. RFE는 현재 매월 업데이트된다.
미국 경제학회 활동
AEA 자료인 Job Openings for Economists(JOE)는 1974년 10월에 시작되었으며, 경제학자들을 위한 일자리 정보를 제공한다. 이는 매월(1월과 7월 제외) 전자적으로 발행된다.
매년 AEA는 네 명의 저명한 경제학자를 석학회원으로 선출하여 평생 연구 기여를 인정한다. 협회는 또한 40세 미만의 학자에게 매년 경제학 분야의 뛰어난 연구 업적에 대해 존 베이츠 클라크 메달을 수여한다. 이는 많은 수상자들이 노벨상 수상자가 되기 때문에 종종 "베이비 노벨"이라고 불린다.
미국 경제학회 협회장
2025년 기준 현재 협회장은 로런스 F. 카츠이다. 2021년 기준 회장 중 18%는 동문이며 20%는 하버드 대학교 교수이다.
협회의 역대 회장들:
전류-전압 특성
전류-전압 특성(current–voltage characteristic) 또는 I-V 곡선(전류-전압 곡선)은 일반적으로 차트나 그래프로 표현되는, 회로, 장치 또는 재료를 통과하는 전류와 그에 상응하는 전압, 또는 전위차 사이의 관계이다.
전류-전압 특성 일렉트로닉스
일렉트로닉스에서 전자 장치를 통과하는 직류와 단자 간의 전압 사이의 관계를 장치의 전류-전압 특성이라고 한다. 전자공학 기술자들은 이 차트를 사용하여 장치의 기본 매개변수를 결정하고 전기 회로 내에서 장치의 동작을 모델링한다. 이 특성들은 전류와 전압의 표준 기호를 참조하여 I-V 곡선으로도 알려져 있다.
진공관 및 트랜지스터와 같이 두 개 이상의 단자를 가진 전자 부품에서는 한 쌍의 단자에서 전류-전압 관계가 세 번째 단자의 전류 또는 전압에 따라 달라질 수 있다. 이는 일반적으로 여러 곡선으로 이루어진 더 복잡한 전류-전압 그래프로 표시되며, 각 곡선은 세 번째 단자의 다른 전류 또는 전압 값에서의 전류-전압 관계를 나타낸다.
예를 들어, 오른쪽 그림은 과전압(VGS − Vth)을 매개변수로 하여 드레인 전압에 대한 MOSFET의 I-V 곡선 패밀리를 보여준다.
가장 간단한 I-V 곡선은 저항기의 곡선으로, 옴의 법칙에 따라 인가된 전압과 결과 전류 사이에 선형 관계를 나타낸다. 전류는 전압에 비례하므로 I-V 곡선은 양의 기울기를 가지며 원점을 통과하는 직선이다. 이 기울기의 곱셈 역원은 전기저항과 같다.
전류-전압 특성 일렉트로닉스
전기 부품의 I-V 곡선은 곡선 추적기라는 장비로 측정할 수 있다. 트랜스컨덕턴스와 얼리 효과는 장치의 I-V 곡선에서 전통적으로 측정되는 매개변수의 예이다.
전기 부품의 특성 곡선 형태는 작동 특성에 대해 많은 것을 알려준다. 여러 장치의 I-V 곡선은 다음과 같은 범주로 분류할 수 있다.
능동 vs 수동: I-V 평면의 첫 번째 및 세 번째 사분면에 한정되어 원점을 통과하는 I-V 곡선을 갖는 장치는 회로에서 전력을 소비하는 수동소자(부하)이다. 저항기, 전구 및 전동기가 그 예이다. 전통적인 전류는 항상 이 장치들을 통해 전기장의 방향으로, 양의 전압 단자에서 음의 전압 단자로 흐르므로, 전하는 장치 내에서 위치 에너지를 잃고 열 또는 다른 형태의 에너지로 변환된다.