hotchpotch/wikipedia-multilingual-ir-pairs huggingface dataset:
MOSFET 모스펫의 우수성
모스펫은 대부분의 디지털 회로에서 트랜지스터로 꾸준히 쓰이지만 아날로그 회로에서 여전히 우위를 차지하지 못한다. 접합형 트랜지스터는 높은 트랜스컨덕턴스와 독특한 특징들 때문에 전통적으로 아날로그 설계자의 선택을 받았다. 그럼에도 불구하고 모스펫은 아날로그 목적을 위해 널리 사용된다. 아날로그 회로의 특징과 성능은 모스펫의 크기(길이와 넓이)를 변화시켜 설계할 수 있다. 어떤 특정한 이중극 회로(bipolar circuit)에서만 이중극 소자의 크기가 영향을 미친다. 모스펫의 어떤 장점은 양의 온도계수때문에 발열로부터 접합형 트랜지스터가 한것처럼 고생하지 않아도 된다. 선형 영역은 정확한 저항처럼 사용하는 것이 가능하여 접합형 트랜지스터보다 훨씬 더 큰 제어 저항값을 가지고 있다. 또한 축전기를 형성할 수 있고 특별화된 회로는 인덕터처럼 보이는 op-amp를 가능하게 하여 전체의 모스펫으로 만들어서 다이오드를 제외하고 모든 일반 아날로그 소자를 가능하게 한다. (그리하여 모스펫보다 더 작게 만들 수 있다.) 이는 더좁은 공간으로 실리콘 칩 위에서 만들어지는 완벽한 아날로그 회로를 가능하게 한다. 어떤 집적회로는 하나의 칩 위에 아날로그와 디지털 모스펫 소자를 조합하여 필요한 기판 공간을 더 작게 만들었다. 이것은 칩 단계에서 아날로그 회로와 디지털 회로를 격리할 필요로 만들어서 격리링과 절연체 위의 실리콘 (Silicon-On-Insulator, SOI)이 사용되는 계기가 된다. 아날로그 설계 과정에서 접합형 트랜지스터 대 모스펫의 주요한 이점은 좁은 공간에서 대용량 전류를 처리하는 접합형 트랜지스터의 능력이다. 제조공정은 접합형 트랜지스터와 모스펫을 하나의 소자로 통합하는게 존재하며, 이런 혼합된 트랜지스터 소자가 하나의 BJT-FET를 포함하는 경우에는 양극성 장효과 트랜지스터 (Bipolar-FET, Bi-FET)라고 부르며 상보성 BJT-FET를 포함하는 경우에는 양극성 시모스(Biplar-CMOS, BiCMOS)라고 부른다. 이 소자는 절연체 게이트와 고밀도 전류라는 이점을 모두 제공한다.
MOSFET 모스펫의 우수성
접합형 트랜지스터는 어떤 디지털 회로에서는 모스펫을 뛰어넘는 장점이 있다. 접합형 트랜지스터는 디지털 동작에서 적어도 두 가지 일을 더 잘한다. 첫 번째는 고속 스위칭이다. 왜냐하면 게이트에 "큰" 전기용량을 가지고 있지 않아서 채널의 저항과 곱하면 작은 고유 시간상수(T=RC)를 주기 때문이다. 고주파 신호를 차단하기 때문에 고유 시간상수는 모스펫이 동작하는 속도의 한계를 정한다. 채널을 넓히면 채널의 저항이 줄어들지만 정확히 동일한 양만큼 전기용량이 커진다. 채널 너비의 감소는 저항이 커지고 동일한 양만큼 전기용량이 작아진다. R*C=Tc1, 0.5R*2C=Tc1, 2R*0.5C=Tc1. 어떤 과정에서 고유 시간상수를 줄이는 방법은 없다. 채널 폭, 채널 높이, 게이트 두께, 재료를 다르게 하는 다른 과정은 고유 시간상수가 다르다. 접합형 트랜지스터는 게이트가 없기 때문에 이런 대부분의 문제가 없다. 두 번째 동작은 첫 번째로부터 유래된다. 여러 개의 다른 게이트를 작동시키는 것을 부채질(팬아웃, fanout)이라고 부르는데, 이때 모스펫의 저항은 다른 장효과 트랜지스터의 게이트 전기용량과 직렬 연결되어 2차 시간상수를 준다. 지연 회로에서 훨씬 큰 다른 시모스 소자에 신호를 보내는 작은 시모스 소자를 사용하여 셋 신호 지연을 생성하는 데 이 사실을 이용한다. 인가하는 장효과 트랜지스터의 채널 폭을 증가시켜 저항을 줄이고, 인가되는 장효과 트랜지스터의 채널 폭을 줄여서 전기용량을 감소시킴으로써 2차 시간상수를 최소화할 수 있다. 이것은 인가하는 장효과 트랜지스터의 전기용량을 증가시키고 인가되는 장효과 트랜지스터의 저항을 증가시키는 단점이 있지만 일반적으로 이런 단점은 타이밍 문제와 비교했을 때 작은 문제이다. 접합형 트랜지스터는 다른 게이트를 인가하는 것이 좋다. 왜냐하면 모스펫보다 더 큰 전류를 출력할 수 있어서 장효과 트랜지스터에 빠르게 전하를 인가하는 것이 가능하기 때문이다. 많은 칩은 모스펫 입력과 양극성 시모스 (한절위 참조)출력을 사용한다.
MOSFET 모스펫 축소
지난 수십 년간 모스펫의 크기가 지속적으로 감소되었다; 일반적으로 모스펫 채널 길이는 한 몇 마이크로미터였지만 현대의 집적 회로는 0.1 마이크로미터보다 더 작은 채널길이를 갖는 모스펫이 쓰인다. 실제로 인텔은 2006년에 65 nm 최소 배선폭 (심지어 채널은 더 짧음)을 지니는 공정의 생산을 시작했다. 1990년대 후반까지 이 크기 축소는 단점없이 모스펫 동작을 크게 개선하게 되었다. 역사적으로 모스펫 크기를 줄이는 데에 어려움은 반도체소자 제조 공정과 관련되었다.
MOSFET 모스펫 축소
소형 모스펫은 몇 가지 이유로 매력적이다. 첫째로 소형 모스펫은 넓이 치수가 짧아져서 더 많은 전류가 통하는 것을 가능하게 한다; 개념상으로 모스펫은 온상태에 있는 저항기와 같고 짧아진 저항기는 더 적은 저항값을 지닌다; 그렇지만 그들은 좁은 폭을 가지고 있어서 비율적으로 더 큰 저항값을 가지게 되는데 진짜 문제점은 단위면적당 저항을 줄이는 것이다. 두 번째로 소형 모스펫은 게이트 영역이 작고 따라서 게이트 전기용량이 작다. 축소된 모스펫은 얇은 게이트 유전체이여서 온상태 단위면적당 저항을 감소시키지만 단위면적당 게이트 전기용량은 커진다; 그럼에도 불구하고 이런 효과는 여전히 좋은 방향으로 간다. 첫 번째 두가지 요소는 짧은 스위칭 시간에 기여하여 빠른 처리 속도와 스위칭당 저전력 특징을 갖는다. 축소된 모스펫에서 세 번째 이유는 면적을 감소시켜서 비용을 감소시킨다. 소형 모스펫은 고밀도 패킹이 가능하여 소형칩이나 동일한 크기에서 계산능력이 뛰어난 칩이 된다. 반도체 웨이퍼에서 제조비용은 상대적으로 고정돼 있기 때문에 집적 회로당 비용은 웨이퍼당 생산할 수 있는 칩의 수와 주로 관련된다. 그러므로 소형 집적회로는 웨이퍼당 더많은 칩을 생산할 수 있어서 칩단가를 감소시킨다.
MOSFET 모스펫 축소
마이크로미터보다 작은 채널길이를 갖는 모스펫의 생산은 도전이었고, 반도체 소자 제조에서의 문제점은 항상 집적회로 기술을 발전시키는 데 제한 요소이다. 최근에 모스펫이 작아져서 동작문제를 발생시켰다.
모스펫이 작기 때문에, 신뢰도를 유지하기 위해 게이트에 인가될 수 있는 전압은 확실히 감소하여야 한다. 성능을 향상시키기 위해서 모스펫의 문턱전압도 또한 감소되어야 한다. 문턱전압이 감소되면 트랜지스터는 완벽하게 차단하지 못한다; 즉 트랜지스터는 미약한 역 형태(inversion mode)로 소스와 드레인사이에서 문턱아래 (누설)이나 문턱아래 전도처럼 동작한다. 과거에 무시되었던 문턱아래 전도가 이제는 고성능 VLSI 칩의 총 소비전력의 반이상을 차지할 수 있다.
어떤 저전력 아날로그 회로는 문턱아래 전도를 이용하도록 설계한다; 미약한 역 영역의 동작에 의하여 이런 회로에 있는 모스펫은 가능한 가장높은 트랜스컨덕턱스-전류 비율을 전송한다.
MOSFET 모스펫 축소
전통적으로 스위칭 시간은 게이트의 게이트 전기용량과 대충 비례한다. 그러나 트랜지스터가 점점 작아지고 더 많은 트랜지스터가 칩위에 배치되면서, 상호연결 전기용량 (칩의 다른 부분을 연결하는 전선의 커패시턴스)은 전기용랑에서 큰 비중을 차지하게 되었다. 신호는 상호연결을 통하여 전송되기 때문에 지연 증가와 성능 감소를 발생시킨다.
집적회로위에 모스펫의 밀도가 계속 증가되어 회로동작을 손상시킬 수 있는 거대한 발열의 문제를 발생시킨다. 회로는 고온에서 느리게 동작하여 신뢰성을 떨어뜨리고 수명을 단축한다. 방열판과 다른 냉각 방법은 이제 마이크로프로세서를 포함하여 많은 집적회로에 필요하다.
전력 모스펫은 열폭주의 위험이 있다. 온상태 저항이 온도에 따라 증가함에 따라, 부하가 근사적으로 일정 전류를 소비하면 전력손실이 증가하고 따라서 더 많은 열을 발생시킨다. 방열판이 온도를 충분히 낮게 유지할 수 없으면 접합부 온도는 제어할 수 없을만큼 빠르게 상승하여 소자를 파괴시킨다.
MOSFET 모스펫 축소
게이트와 채널사이에서 절연체 역할을 하는 게이트 산화막은 가능한 얇게 만들어야 하는데, 그것은 트랜지스터가 온일 때 채널 전도도와 성능을 향상시키고, 차단일때는 문턱아래 누설을 감소시키기 위해서이다. 그러나 1.2 nm 근처의 두께 (실리콘에서 ~5 원자 두께)를 가진 현재의 게이트 산화막에서는 게이트와 채널사이에 전자 투과라는 양자역학적 현상으로 인해 전력소비가 증가된다.
이산화 실리콘보다 더 큰 유전체 상수를 가진 절연체 (높은 k 유전체를 가리킴)가, 예를 들면 하프늄, 지르코늄 규산염 또는 산화물같은 그룹 IVb 금속 규산염이, 게이트 손실을 줄이기 위해 앞으로 사용될 것이다. 산화막 게이트 물질의 유전체 상수를 증가시키는 것은 높은 전기용량을 가졌지만 두꺼운 층을 가능하게 한다. 큰 두께는 게이트와 채널사이의 투과전류를 감소시킨다. 새로운 게이트 산화물의 장벽 높이를 중요하게 고려해야 한다; 반도체와 산화막사이의 전도띠 에너지 차이 (그리고 원자가띠에서 대응하는 에너지 차이)는 누설 전류 수준에도 영향을 미칠것이다. 전통적인 게이트 산화물 즉 이산화 실리콘의 장벽은 약 8 eV이다. 많은 대체 유전체의 장벽은 현저히 낮아서 높은 유전체 상수의 이점을 상쇄한다.
모스펫이 소형화되면서 다양한 트랜지스터 특징을 만들어내는 실리콘 원자의 수는 적어졌다. 칩을 제조하는 동안 일어나는 무작위의 공정 변이는 트랜지스터의 크기에 영향을 미칠 수 있는데, 트랜지스터가 소형화되면서 트랜지스터 전체 크기의 상당부분을 차지한다. 트랜지스터 특성이 덜 결정적으로 되고 더 통계적으로 된다. 이 통계적 변이는 설계의 어려움을 증가시킨다.
MOSFET 모스펫 구성
게이트 금속의 첫 번째 기준은 좋은 전도이다. 고농도 도핑된 폴리실리콘은 수용가능하지만 확실히 이상적인 전도체는 아니고 이것 역시 표준 게이트 물질의 역할에서 약간의 기술적 결함으로 힘들다. 그럼에도 불구하고 게이트 재료로 폴리실리콘의 사용은 몇 가지 좋은 이유가 있다:
문턱전압 (과 동시에 드레인-소스 온전류)은 게이트 물질과 채널 물질사이의 일 함수 차이에 의하여 조정된다. 왜냐하면 폴리실리콘은 반도체이고 이것의 일 함수는 도핑의 형태와 수준을 조정해서 변형될 수 있기 때문이다. 더욱 폴리실리콘은 기본적인 실리콘 채널과 동일한 띠틈이고 일 함수를 조정하는 꽤 직접적인 방법이여서 엔모스와 피모스 소자에게 문턱전압을 낮게 한다. 상대적으로 금속의 일 함수는 쉽게 조정되지 않아서 낮은 문턱전압을 얻기 위해 일 함수를 조정하는 것은 중요한 도전이 된다. 추가로 피모스와 엔모스 소자에서 낮은 문턱소자를 얻는 것은 추가적인 복잡한 제조 공정을 포함하여 각 소자형태에 다른 금속의 사용을 요구할 것이다.
MOSFET 모스펫 구성
폴리실리콘 게이트가 지난 20년간 사실상 표준인 동안에 몇 가지 단점이 있어서 금속 게이트나 미래의 다른 물질로 대체할 수 있다. 이런 단점은 다음과 같다:
폴리실리콘은 좋은 전도체가 아니어서(대략 금속보다 1000배 더 큰 저항) 물질을 통과하는 신호의 전파속도를 감소시킨다. 저항값은 도핑의 단계를 증가시켜서 낮출 수 있지만 도핑된 폴리실리콘은 대부분의 금속처럼 전도되는 것은 아니다. 더 전도력을 향상시키기 위해 가끔씩 텅스텐, 티타늄, 코발트, 최근에는 니켈같은 고온금속은 폴리실리콘의 상위막으로 합금된다. 이렇게 혼합된 물질은 규화물이라고 부른다. 규화 폴리실리콘의 조합은 단독 폴리실리콘보다 전기적특성이 좋고 여전히 수반하는 공정에서 녹지 않는다. 또한 문턱전압은 단독 폴리실리콘보다 특별히 높지 않는다. 왜냐하면 규소 화합물은 채널 근처에 없기 때문이다. 공정에서 질화물 (실리사이드)는 게이트 전극과 소스를 형성하는 것이고 드레인 영역은 살리사이드(self-aligned silicide, salicide)라고 부른다.
MOSFET 모스펫 구성
트랜지스터가 극도하게 작아졌을 때 게이트 전극막을 최첨단 기술을 사용해서 1 nm 근처로 매우 작게 만들 필요가 있다. 여기서 관찰된 현상은 폴리 공핍이라고 부르며 공핍막은 게이트 유전층 옆에 게이트 폴리실리콘에서 트랜지스터가 반전되었을 때 형성된다. 이 문제를 해결하기 위해서 금속 게이트가 요구된다. 탄탈, 텅스텐, 질화 탄탈, 질화 텅스텐같은 다양한 금속 게이트는 일반적으로 높은 k 유전체와 결합됐다. 대안은 완전한 규화 폴리실리콘 게이트를 사용하는 것이고 공정은 FUSI를 뜻한다.
MOSFET 다른 모스펫 종류
이중 게이트 모스펫은 사극관 환경을 지녀서 소자에서 전류를 양쪽 게이트로 제어한다. 라디오 주파수 응용에서 소신호 소자에 일반적으로 사용돼서 두 번째 게이트는 일반적으로 증폭값 제어나 혼합과 주파수 변환에 사용된다.
"공핍형" 모스펫 소자가 있어서 이미 설명한 표준 "확장형" 소자보다 일반적으로 덜 사용된다. 이것들은 도핑된 모스펫 소자이여서 게이트에 어떤 전압을 인가하지 않아도 채널이 존재한다. 채널을 제어하기 위해서 음의 전압이 게이트에 걸리면 공핍된 채널은 감소되어 전류가 소자에 흐른다. 실제로 공핍형 소자는 일반적으로 닫힌 스위치와 동일하며 확장형 소자는 일반적으로 열린 스위치와 동일하다. 보관됨 2007-03-11 - 웨이백 머신
N채널 모스펫은 P채널 모스펫보다 작고 실리콘 기판에서 생산된 모스펫의 한가지 형태는 저렴하고 기술적으로 간단하다. 이것들은 N채널 모스펫을 한정적으로 사용한 엔모스 논리 설계의 강력한 원리이다. 그러나 시모스 논리와 다르게 엔모스 논리는 스위칭이 일어나지 않을때도 전력을 소비한다. 기술적으로 진보된 시모스 논리는 디지털 칩에 접합한 공정이 되기 위해 1980년대의 엔모스 논리를 대체했다.
MOSFET 다른 모스펫 종류
전력 MOSFET은 위에 보인 것보다 다른 구조를 가지고 있다. 모든 전력소자의 구조는 수직이고 평판이 아니다. 수직구조를 사용한 이것은 차단되 고전압과 고전류를 유지하는게 가능한 트랜지스터이다. 트랜지스터의 전압등급은 도핑과 N에픽택시막 (단면 부분을 보세요) 두께의 기능이고 전류등급은 채널폭 (넓은 채널은 고전류)의 기능이다. 평판 구조에서 전류와 항복전압 등급은 "실리콘 재산"의 비효율적 사용으로인한 채널면적 (채널의 폭과 길이 각각)의 기능이다. 수직주조에서 소자면적은 유지할 수 있는 전류에 대충 비례하고 소자두께 (실제로는 N에픽택시막 두께)는 항복전압에 비례한다.
측면의 구조가 존재하는 전력 모스펫은 특별히 가치있다. 이것은 최상급 오디오 증폭기에 주로 사용된다. 장점은 포화영역 (접합형 트랜지스터의 선형영역과 일치됨)에서 수직형 모스펫보다 좋은 특성이다. 수직형 모스펫은 스위칭 응용에 설계되어서 통과와 차단상태에만 사용된다.
디모스는 이중으로 확산된 금속 산화막 반도체 (double-Diffused Metal Oxide Semiconductor)의 줄인말이다. 대부분의 전력 MOSFET은 이 기술을 이용하여 만든다.
MOSFET 모스펫 아날로그 스위치
모스펫 아날로그 스위치는 온일 때 아날로그 신호를 통과시키는 낮은저항 스위치같이 모스펫 채널을 사용하고 차단일 때 높은 임피던스같이 모스펫 채널을 사용한다. 신호는 모스펫 스위치를 교차하여 양쪽 방향으로 흐른다. 이 응용에서 모스펫의 드레인과 소스는 게이트와 비교한 각 전극의 전압에 따라서 위치를 서로 교환한다. 집적 다이오드가 존재하지 않는 간단한 모스펫에서 소스는 엔모스에서 좀 더 음의 측이고 피모스에서 좀 더 양의 측이다. 모든 이런 스위치는 게이트-소스, 게이트-드레인, 소스-드레인 전압에 의하여 어떤신호가 통과할지 차단할지가 제한되다; 초과된 제한전압은 잠재적으로 스위치를 손상시킬 것이다.
MOSFET 모스펫 아날로그 스위치
아날로그 스위치는 N형이나 P형의 사단자의 단순한 모스펫을 사용한다. N형 스위치의 경우 보디는 가장 낮은 전원 (일반적으로 그라운드)에 연결되고 게이트는 스위치 제어로 사용된다. 게이트 전압이 문턱전압이상 소스전압을 초과할 때마다 모스펫은 전도된다. 더 높은 전압은 모스펫이 더욱 전도되게 한다. 엔모스는 (Vgate-Vtn)보다 낮은 모든전압은 통과할 것이다. 스위치가 전도되면 일반적으로 선형영역으로 동작된다. 왜냐하면 소스와 드레인 전압은 일반적으로 거의 비슷하기 때문이다.
피모스의 경우에 보디는 가장 높은 전압에에 연결되고 게이트는 낮은 전압이 스위치를 열게 한다. 피모스 스위치는 (Vgate+Vtp)보다 높은 모든전압은 통과한다.
피모스 스위치는 동일한 면적의 엔모스 소자 저항의 약 3배정도이다. 왜냐하면 전자는 실리콘에서 양공의 3배 이동도를 갖기 때문이다.
MOSFET 모스펫 아날로그 스위치
스위치의 이 "상보성"이나 시모스형은 한가지형 스위치의 제한을 보완하기 위해 하나의 피모스와 하나의 엔모스 장효과 트랜지스터를 사용한다. 장효과 트랜지스터는 병렬로 연결된 드레인과 소스가 있으며 피모스의 보디는 고전압 (VDD)에 연결되어 있고 엔모스의 보디는 저전압 (GND)에 연결되어 있다. 피모스의 게이트에서 채널을 온하는 것은 저전압을 인가하는 것이고 엔모스의 게이트는 고전압을 인가하는 것이다. (VDD-Vtn)과 (Gnd+Vtp) 사이 전압의 모든 장효과 트랜지스터는 신호를 전도하여 (Gnd+Vtp)보다 낮은 전압의 엔모스는 양공으로 전도되고 (VDD-Vtn)보다 높은 전압의 피모스는 양공으로 전도된다.
오직 이 스위치에서 제한은 모든 장효과 트랜지스터에서 게이트-소스, 게이트-드레인, 소스-드레인 전압 제한이다. 또한 피모스는 일반적으로 엔모스의 3배 폭이여서 스위치는 안정될 것이다.
세가지 상태 논리는 낮은 저항에서 제공하는 출력, 높은 저항일 때 완전한 범위 출력, 차단일 때 중간급 신호에 가끔 시모스 모스펫 스위치로 통합된다.
광주군 선거구
광주군은 과거 대한민국에 존재했던 국회의원 선거구이다.
사카모토 료마
사카모토 료마(일본어: 坂 (さか)本 (もと) 龍 (りょう)馬 (ま), 덴포 6년 음력 11월 15일(1836년 1월 3일) ~ 게이오 3년 음력 11월 15일(1867년 12월 10일))는 도사번 고시(鄕士) 계급 출신으로, 일본의 무사(武士) 겸 사업가이다. 료마는 탈번하여 지사(志士)로서 활동하면서 무역회사와 정치조직을 겸한 가메야마 조합을 세웠고, 이 회사는 훗날 개칭해 가이엔타이가 되었다. 그리고 삿초 동맹의 알선, 대정봉환의 성립 등을 위해 노력하여 에도 막부 타도 및 메이지 유신에 영향을 주었다. 대정봉환 1개월 후, 교토의 여관 오미야에서 료마는 암살당했다. 이러한 업적을 남긴 료마는 시바 료타로의 소설 《료마가 간다》의 주인공으로 등장한 이후, 지명도가 비약적으로 성장하여 에도 막부 말기의 풍운아로서 일본 국민의 인기를 얻었다. 쇄국과 개화의 갈림길에서 과감한 결단으로 역사를 개척한 료마의 드라마틱한 모습은 오늘날 일본인들에게 많은 영감을 주고 있다.
사카모토 료마 생애
료마는 덴포 6년(1835년) 11월 15일(음력), 도사번(오늘날의 고치현 고치) 하급 무사인 고시(鄕士) 계급의 사카모토 가문에서 아버지 사카모토 나오타리와 어머니 사카모토 고 사이에서 차남으로 태어났다. 형과 3명의 누나가 있었다.
사카모토 가문은 전당포, 주조업, 포목상을 영위하는 호상 사이다니야(才谷屋)의 분가로, 고조부 나오마스(直益)의 장남 나오미(直海)가 번으로부터 고시 어용인(御用人)으로 등용되어 사카모토 가문을 일으켰다. 도사번의 무사 계급은 상사(上士)와 하사(下士)로 나뉘어 양자 간에는 차별이 존재하여, 하사는 오랫동안 여러 면에서 억압되어 왔다. 상인 출신의 사카모토 가문은 하사였지만, 분가 사이타니야로부터 많은 재산을 분여받아 매우 유복하였다.
사카모토 료마 생애
료마가 열두 살이 되는 해인 1846년, 어머니 고가 향년 49세에 병사했다. 당시 쉰 살 이었던 아버지 나오타리는 후처인 이요를 맞이한다. 료마는 그 뒤 새어머니 이요의 손에서 자랐는데, 이요는 료마의 교육에 매우 엄격했다. 사카모토 가를 방문한 사람의 목격담에 따르면 "예절이 밝지 못하다는 이유로 료마에게 반성을 요구하며 객실에 무릎을 꿇어 앉혀놓은 채 끼니도 굶길 정도로 엄격했다"라고 한다. 이렇게 교육은 엄격했지만 료마는 새 어머니와 사이가 좋았다고 한다.
료마는 14살 때부터 히네노 벤지(日根野弁治)가 가르치는 히네노 도장에 다녔다. 그러다가 19살이었던 1853년 3월, 료마는 히네노에게서 《오구리 류 야와라 병법사 목록》(小栗流和兵法事目録)을 하사받았다.
병법사 목록을 받자 료마는 더욱 심도있게 검술을 연마하기 위해 1853년 에도로 유학했다. 료마는 북진일도류(北辰一刀流) 지바 도장에서 검술을 배우면서, 한편으로는 에도의 존왕양이론자들과 사귀었으며 그 해 말에는 사쿠마 쇼잔의 사숙에서 공부했다. 같은 해 페리 제독이 흑선을 타고 내항했고, 무사계급에서는 서양 세력에 대해 개항하려는 막부에 대한 반감이 커지고 있었다.
사카모토 료마 생애
1854년 6월 23일 료마가 고향으로 돌아오자 히네노는 료마에게 《오구리 류 야와라 병법 12개조와 25개조》를 하사했다. 료마가 처음 받았던 병법사 목록은 면허의 초전(初傳)임에 반해, 12개조와 25개조는 면허 중전(中傳)으로서 이는 료마가 에도에서 수련하여 솜씨가 늘었다고 인정받았음을 알 수 있다. 이 해 겨울, 료마는 유학자이자 화가인 가와다 쇼료로부터 서양에 대해 배웠다. 료마는 쇼료에게서 외국 배를 구입해 동지를 모아 운송업을 하며 배에 드는 비용을 조달하고 항해 기술을 터득하라는 충고를 들었고, 이는 훗날 료마가 걷게 될 해운의 길에 발을 내딛는 계기가 되었다.
그 다음해인 1855년 12월 4일, 아버지 나오타리가 사망하자 세달 뒤인 1856년 2월 2일, 형 곤페이가 집안의 대를 이었다. 그러곤 료마는 그 해 다시 에도로 가 지바 도장에서 2년간 수련을 하며 1858년 1월에는 료마는 지바 도장에서 스승 지바 사다키치(千葉定吉)에게 《북진일도류 장도 병법목록》(北辰一刀流長刀兵法目録) 1권을 받았고, 그 해 9월 검술 수행을 마치고 귀국했다.
사카모토 료마 생애
료마는 1861년 9월 경, 다케치 즈이잔이 주도한 도사 근왕당의 《도사 근왕당 혈맹자 성명 사본》에 아홉 번째로 서명함으로써 도사 근왕당에 가입했다. 그러나 료마는 평소 다케치와 친분이 있었지만 이런 정치적 결집은 몹시 기꺼워했으며, 다케치가 주장한 일번근왕(一藩勤王)은 따르지 않았다.
가입 직후인 10월 1일, 료마는 히네노 벤지로부터 《오구리 류 야와라 병법 3개조 목록》(小栗流和兵法三箇條)을 수여받았다. 이는 오구리 류의 면허 개전(皆傳)으로서, 오구리 류의 모든 것을 전수받았다고 볼 수 있다. 그 후 료마는 검술수행을 하러 마루가메 번의 도장에 간다는 명목으로 여행 허가를 얻어 여행을 떠났다. 이러한 여행 도중 료마는 하기에서 존왕양이파를 대표했던 인물 중 하나인 구사카 겐즈이를 만나 번을 초월한 일본의 통합을 호소하며 대화를 나누었다.
1862년 2월 말, 료마가 여행에서 돌아오자 도사 근왕당은 번의 중신 요시다 도요를 암살하려는 분위기가 팽배하였다. 하지만 료마는 암살에 가담하지 않고 3월 24일 같은 도사 근왕당 소속인 사와무라 소노조와 함께 탈번하여 낭인으로서 에도로 향했는데, 당시 탈번은 사형에 처해지는 중죄였다.
사카모토 료마 생애
료마가 왜 탈번했는지 그 이유는 분명치 않지만, 이러한 도사 근왕당의 과격한 정세를 싫어한 것이 탈번의 이유중 하나였다. 또 다른 이유는, 요시무라 도라타로(吉村虎太郞)의 설득 때문이었다. 요시무라와 함께 탈번한 소노조는, 요시무라와 상의한 끝에 이미 탈번한 상황에서 시모노세키에서 고치로 되돌아가 료마를 데리고 다시 번을 빠져나왔다. 소노조는 더 많은 사람을 데리고 나가려 했지만 다케치가 허락하지 않아 료마만을 데리고 나오게 되었다.
료마가 탈번한 해 1862년, 료마는 개화파이자 군함 부교 나미(軍艦奉行並) 직책에 있던 가쓰 가이슈를 만나고 그의 견식에 감복해 그 자리에서 그의 제자가 된다. 가쓰로부터 서양 문물을 배운 료마는 양이에서 개화로 생각이 크게 바뀌며, 번이라는 작은 나라가 아니라 일본국으로서 미래를 준비해야 한다는 생각을 가지게 되었다.
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가쓰는 다음 해 2월 25일, 도사 번 번주였던 야마우치 도요시게를 만나 료마의 탈번의 죄를 사면받았다. 그 다음해인 1863년, 료마는 가쓰를 도와 고베 해군 훈련소 설립에 힘썼다. 가쓰는 4월 21일 오사카에 도착한 쇼군 이에모치를 모시고 이튿날 효고 방면을 안내한 뒤, 고베에 가서 그곳에 해군 훈련소를 설치하고 싶다고 직접 담판을 하여 허가를 받아내었다. 해군훈련소는 막부의 정식 기관으로서 막부로부터 필요한 경비를 제공받았고 이와 별도로 가쓰는 고베에 사설학교를 세워도 된다는 허가도 받아내었다. 하지만 이는 사비로 운영해야 했기 때문에 번창시키기 위해서는 자금이 부족했다. 그러나 막부의 지원만으로는 자금이 부족했기에 료마는 해군 훈련소 설립 자금 조달을 위해 가쓰의 사신으로서 에치젠국 후쿠이번의 번주였던 마쓰다이라 슌가쿠를 찾아가 천냥을 빌렸다.
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료마가 해군 훈련소 설립으로 바쁘던 이 해 4월, 도사 번의 정세가 변하고 다케치 즈이잔이 번의 정권을 주도하고 있던 것에 불만을 품은 도요시게는 다시 실권을 되찾기 위해 요시다 도요 암살의 하수인을 조사하도록 명령하고, 도사 근왕당 숙청에 나섰다. 또한 5월 경, 조슈 번의 존왕양이파가 시모노세키에서 양이를 결행하는 사건도 발생했다. 그 후 9월 21일, 결국 다케치 즈이잔을 포함한 주요 당원이 투옥되고 2년 뒤인 1865년 음력 5월 11일, 다케치가 할복함으로써 도사 근왕당은 해체된다.
료마는 1863년 10월 료마는 고베 해군 훈련소의 책임자가 되었다. 이 무렵, 야마우치의 도사 근왕당 탄압이 심해지자 료마 등 도사 번 출신들에게 귀국 명령이 내려진다. 하지만 당시 료마는 해군 훈련소 업무 수행에 힘쓰고 있어서 12월 경 가쓰는 손수 탄원서를 써 료마의 귀국 명령을 취소해 달라고 탄원했다. 그런데도 가쓰의 탄원서는 받아들여지지 않고 료마는 다시 탈번하는 신세가 되었다.
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그 다음해 1864년 1월 경, 천황과 조정을 개항 노선으로 전환시키기 위하여 산요회의가 시작되었다. 그리고 2월 경, 프랑스의 군함이 작년 조슈 번의 양이에 대한 보복으로 조슈의 시모노세키를 공격할 조짐을 보였다. 그러자 당시 산요회의에 참석하고 있던 가쓰에게 도쿠가와 요시노부가 공격을 저지하라는 명령을 내리고, 가쓰는 2월 10일 료마를 비롯한 열네 명의 문하생을 이끌고 중재를 위해 출발했다. 그리고 2월 14일, 구마모토에 도착하자 가쓰는 료마를 요코이 쇼난에게 사신으로 보냈다. 료마에게 해군 훈련소에 대한 이야기를 듣고 쇼난은 해군 문답서를 적어 나가사키에 있던 가쓰에게 보냈고, 다음 해 1865년 가쓰는 다시 료마를 쇼난에게 보내, 쇼난의 조카 두 명을 해군 훈련소에서 교육시키기 위해 데려오게 했다.
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해군 문답서에서 쇼난은 총독관에게 해군의 전권을 위임해 막부의 각료가 간섭하지 못하게 하고 신분이 아닌 능력 위주로 지휘자로 선발하게 하도록 하는 등 가쓰의 구상을 뛰어넘는 다소 파격적인 구상을 제시했다. 하지만, 조카를 맡은 뒤 료마와 가쓰가 돌아오자 떠날 때 와의 상황과 딴 판이 되어있었다. 산요회의는 해체되고, 조정과 막부는 양이 노선으로 되돌아가 요코하마 쇄항에 합의하는 등 흐름은 쇄국정책의 노선으로 가고 있었다. 이에 따라 산요회의의 연장선에서 구상된 해군 문답서는 한낱 꿈이 되었고, 가쓰의 해군 구상도 그 가치가 하락되어버렸다.
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5월 4일, 오사카 수군이 폐지되어 고베 해군 훈련소에 들어가고 5월 14일 고베 해군 훈련소가 발족되었다. 료마가 평생의 동반자 나라사키 료를 만난 것도 이 무렵이다. 발족과 동시에 가쓰는 군함 부교 나미에서 군함 부교로 승진하여 해군의 총 책임자가 되었다. 6월 2일경, 료마는 급한 용무가 있어 교토에서 에도로 떠난다. 그리고 바로 3일 뒤, 신센구미(新選組)가 조슈의 존왕양이파를 습격한 ‘이케다야 사건’이 발생했다. 에도에 간 료마는 6월 17일 시모다항에 도착해 가쓰에게 홋카이도 개발에 대한 구상을 털어놓았다. 그러나 이 무렵까지도 료마와 가쓰는 이케다야 사건의 발발에 대해 모르고 있었다. 한달 뒤 7월 19일 저녁, 교토에서 세력을 잃은 조슈 번의 존왕양이파가 세력 회복을 위해 교토로 병사를 이끌고 진격한 ‘금문의 변’이 발생했다. 이 변은 다음날 새벽 조슈 번의 패배로 끝났고, 조슈 번은 조정의 적으로 낙인이 찍혔다. 가쓰는 20일 조정의 요청을 받고 간코마루 호를 타고 출발했지만 료마는 승선하지 않았다. 료마는 당시 홋카이도를 개발하자고 역설한 뒤 고큐마루 호에 타고 있었다. 그러다가 에도로 돌아와서야 비로소 이케다야 사건에 대해 알게되었다. 그리고 에도로 돌아온 8월 초순, 료마와 료는 곤조지(金倉寺) 본당에서 소박하게 혼례를 올렸다. 또한 이 무렵 가쓰는 료마를 사이고 다카모리에게 소개해주었다.
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사이고와 료마가 대면한 날을 전후해 가쓰는 로주 아베 마사토를 여러번 만났다. 아베는 교토 조정에 양이가 불가능하다고 뚜렷하게 말한 최초의 로주였다. 기존의 로주들이 실현 불가능한 양이를 약속하는데 진저리가 났던 가쓰는 아베를 높이 평가해 사이고 등에게도 추천하여 사쓰마 번과 에치젠 번도 교토에서 아베와 접촉했다. 이들 앞에서 막부는 강력한 번들과 연합하여 정치를 해나가야 한다는 주장을 한 가쓰를 막부 독채를 관철해야 한다는 사상을 가진 아베는 크게 반대하였고, 가쓰는 이 일을 계기로 에도로 소환되어 11월 10일, 군함 부교직을 파면당했다. 이로 인해 가쓰는 더 이상 해군 훈련소를 이끌어 나갈 수 없게되어 얼마 뒤 문을 닫게되었다. 그리고 료마 일행은 사쓰마 번의 보호를 받게 되었다.
이후 가쓰가 물러나고 훈련소가 문을 닫자, 료마는 사쓰마 번의 원조를 받고 '가메야마사츄'라는 무역회사를 세웠다. 이 조합은 상업활동 등에 종사하는 현대의 기업과 유사한 성격을 가진 회사였다. 가메야마 조합은 당시 상인들이 모여있던 고조네 이시로의 집을 근거지로, 시모노세키의 이토 스케다유(伊藤助太夫)의 집과 교토의 식초가게에 사무실을 설치했다.
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조슈 번은 1864년 12월에 다카스기 신사쿠가 군사를 일으켜 온건파의 정권을 장악해 다시 존왕양이파가 정권을 차지하고 있었다. (고잔지 거병) 가메야마 조합의 목적은 상업 활동의 이익으로 이윤을 얻는 것 이외에, 당시 물과 불처럼 사이가 나빴던 사쓰마와 조슈 양 번의 화해 도모도 포함되어 있었고, 이는 후에 ‘삿초 동맹’의 성립에 기여하게 된다.
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막부 세력으로부터 한 차례 타격을 받은 조슈 번은 그들을 교토 정치로부터 몰아낸 중심 세력에 있던 사쓰마 번과 아이즈번에 뿌리깊은 반감을 갖게 되었고, 일부 번사들은 이들과는 하늘아래 함께 살 수 없다고 맹세하며 '살적회간'(薩賊會奸) ('사쓰마는 도적이고 아이즈는 간사한 자이다') 라는 네 글자를 나막신 바닥에 써놓고 짓밟으며 울분을 토할 정도였다. 이러한 분위기 속에서도 도사 번의 탈번 지사 나카오카 신타로와 그의 동지 히지가타 히사모토(土方久元)는 사쓰마와 조슈 같은 세력이 강대한 번의 동맹을 촉구해, 이를 통해 무력 막부의 토벌을 바라고 있었다. 료마는 히젠의 오무라번 지사인 와타나베 노보루를 만나, 삿초 동맹의 필요성을 역설했다. 와타나베는 원래 연병관(練兵館)의 우두머리로, 조슈 번의 중신 기도 다카요시나 다카스기 신사쿠 등과 막역한 사이였기 때문에, 료마는 와타나베에게 조슈 번에 로비를 의뢰했다. 와타나베는 이 일을 맡아 조슈 번에 가서 삿초 동맹의 필요성을 알리고, 나가사키에서 다카요시와 료마의 만남을 주선했다. 1865년 5월, 먼저 히지가타와 료마가 협동해 다카요시를 설득하고 시모노세키에서 사쓰마 번의 사이고 다카모리와의 회담을 승낙시킨 동시에, 나카오카는 사쓰마로 향해 사이고에게 회담을 승낙시키도록 했다. 같은 해 5월 21일, 료마와 다카요시는 시모노세키에서 사이고가 나타나기를 기다렸고, 나카오카는 어선을 타고 사이고와 함께 다카요시를 만나러 오고있었다. 사이고는 시모노세키를 향하고 있었지만, 도중에 조정의 의견이 막부의 조슈의 재정벌로 기우는 것을 저지하기 위해 급히 교토로 향해버렸다. 다카요시는 격분했고 화해의 진전은 불가능 해 보였지만, 료마와 나카오카는 사쓰마와 조슈의 화해를 포기하지 않았다.
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막부 타도의 선봉장에 있던 조슈 번에 대해, 막부는 외국 세력에 조슈 번과의 무기나 탄약 류의 거래를 전면적으로 금지하자, 조슈 번은 근대 무기의 도입이 어려워지고 있었다. 한편, 사쓰마 번은 군량미의 조달을 고심하고 있었다. 여기서 료마는 사쓰마 번의 명의로 무기를 조달해 은밀히 조슈 번에 되팔고, 그 대신에 조슈로부터 사쓰마 번에 부족하던 쌀을 공급하는 방안을 제안했다. 거래의 실행과 화물의 운송은 가메야마 조합이 담당했다. 이 계책에 의해 양 번의 일촉즉발의 분위기가 해결되었고, 양 번 모두 자연히 수긍했다.
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이것이 가메야마 조합의 첫 실적이 되어, 당시 외국인이 많이 모이던 나가사키에서 외국인과 접촉할 기회가 늘어남에 따라 료마는 영어와 네덜란드어 공부를 시작했다. 그리고 8월엔 나가사키의 토머스 블레이크 글러버가 운영하던 '글로버 상회'(일본어: グラバー商會)로부터 미니에 총(일본어: ミニエー銃) 4,300정, 게벨 총(일본어: ゲベール銃) 3,000정을 사쓰마 번의 명의로 조슈 번에의 매입 알선에 성공했다. 이것은 동시에 사쓰마와 조슈의 화해의 계기가 되었다. 또, 곤도 조지로(近藤長次郎)의 활동으로 사쓰마 번의 명의로 영국제 증기 군함 유니온 호(일본어: ユニオン號)（사쓰마 명 '사쿠라지마 마루'(櫻島丸), 조슈 명 '잇쵸 마루'(乙丑丸))의 구입에 성공하였고, 소유권을 둘러싼 분쟁은 있었지만 10월과 12월에 조슈 번과 사쿠라지마 조약을 체결, 선박의 운항은 가메야마 조합이 맡게 되었다.
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9월에는 조슈 재 정벌의 칙령에 대해 사쓰마 번은 따르지 않겠다는 의미가 담긴, '의롭지 않은 칙령은 칙령이 아니다'(일본어: 非義勅命は勅命にあらず)라는 문구로 유명한 오쿠보 도시미치의 서간을 조슈 번 중신 히로사와 사네오미(廣澤眞臣)에게 전달하는 중대한 임무를 오쿠보와 사이고가 료마에게 맡겼다.
도막의 중심은 사쓰마번(가고시마현)과 조슈번(야마구치현)이었다. 사쓰마 번은 조정과 손을 잡아 막부를 일으켜 세워야 한다는 중도파였음에 반해, 조슈 번은 막부를 타도하고 왕정을 부활시켜야 한다는 급진파로서 두 번 대립하며 사이가 매우 나빴다. 료마는 동향인 나카오카 신타로와 함께, 두 번을 중재하여 1866년 삿초 동맹(사쓰마와 조슈 동맹)을 결성하는 데 공헌했다. 삿초 동맹이 체결된 바로 다음날, 료마를 포함한 지사들이 모여있던 데라다야 여관에서 료마 일행을 암살하려는 사건(데라다야 사건)이 발생한다. 암살범은 밝혀지지 않았지만, 삿초 동맹에 위협을 느낀 막부의 소행이라는 설이 있다.
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1867년 4월, 료마는 2번째 탈번했던 죄를 용서받고 가메야마 조합의 대장이 되어 도사 번 부속 외곽기관으로써 가메야마 조합의 이름을 가이엔타이(海援隊)로 개칭한다. 가이엔타이 창립 후, 료마는 이로하마루(일본어: 以呂波丸) 호 라는 전함을 직접 이끌고 항해에 나서게 된다. 하지만 운 나쁘게도 기슈번(紀州藩)의 메이코마루(明光丸) 호와 충돌하여 이로하마루 호는 바다속으로 가라앉는다.(이로하마루 사건) 이 사건의 배상 교섭에 나선 료마와 고토 쇼지로(後藤象二郞)는 기슈 번 대표에게 거액의 배상금을 지불하겠다는 약속을 받아냈다. 이것을 담보로 사용하면 당장이라도 거대한 함선을 구입하여 무역에 나설 수 있었지만, 료마는 그 길을 택하지 않고 고토의 의견에 따라 도사 번의 배로 고토와 함께 상경하여 대정봉환을 성사시키기 위해 본격적으로 움직이게 된다.
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1867년 교토로 가는 배에서 료마는 대정봉환 등의 구상을 담은 선중팔책을 입안했다. (이 선중팔책은 훗날 신정부강령팔책(新政府綱領八策)이라는 메이지 정부의 기본 이념이 된다.) 대정봉환의 구상은 료마가 속했던 도사번의 번주인 야마우치 도요시게가 도쿠가와 요시노부(德川慶喜)에게 건의하여 채택되었다. 이후 천황이 이를 받아들여 실제로 대정봉환이 이뤄졌고, 정권은 막부에서 천황 중심의 조정으로 평화적으로 넘어갔다. 이 사건으로 일본은 봉건시대를 종식하고 메이지 유신을 통한 중앙집권적 근대국가로 발전하게 된다.
대정봉환 한달 후 료마는 나카오카와 함께 교토에 머물다가 음력 11월 15일 오미야 여관에서 습격을 받고 피살됐다.(오미야 사건) 누구의 소행인지는 밝혀지지 않았다. 막부측 미마와리구미의 소행이라는 설이 유력한 가운데, 신센구미, 아군인 사쓰마 번 음모설 등 여러 설이 있다. 료마는 머리에 상처를 입었고 천천히 죽어갔다. 그의 죽음에 관해서는 당시 같이 습격당했던 나카오카가 중태인 가운데서도 3일간 생존했기 때문에 그에 의해 소상히 전해질 수 있었다.
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다이쇼 시대가 된 전 미마와리구미 대사였던 이마이 노부오, 와타나베 아쓰시의 구술로, 사사키 다다사부로 등이 실행범이라고 증언하고 있다. 또한 가쓰 가이슈는 막부 상층부의 지시라고 추측하고 있다. 이 미마와리구미 설이 통설이 되었으며, 여기에 의문을 나타내는 역사학자는 없다. 하지만, 이마이나 와타나베의 구술에 어긋나는 부분（자객의 인원 구성, 현장에 두고 간 칼집의 소유자 등）이 있어서, 주로 작가를 중심으로 여러 가지 이설이 나오는 상황이다. 또한 현장에 달려가서 나카오카 신타로를 문병한 다니 다테키는 교토 미마와리구미 설을 믿지 않았다고 한다.
이마이 노부오는 증언 당시에는 자신이 망보기 역할이었을 뿐이라고 했으나, 장년~노년에 이르러서는 자식들에게 자신이 료마를 죽였다고 말하며 그때 썼다는 무기(칼,창)를 보여주며 당시의 상황을 세세하게 설명해주었다고 한다.
와타나베 아쓰시는 젊었을 적 이름이 이치로였다고도 하고 실제 료마를 암살한 미마와리구미의 와타나베 이치로와는 다른 인물이라고도 한다. 그가 료마 암살에 대해 증언한 것은 거의 죽기 직전에 할 말이 있다며 가족들을 모았을 때라고 한다. 평소 과거 이야기를 하지 않던 노인이 가족들을 불러서 한 얘기는 자신이 바로 료마 암살의 진범이라는 얘기였다. 이는 당시 신문에 기사로까지 나오며 유명해졌다. 그러나 고령의 나이로 인한 것인지 그의 얘기는 군데군데 아귀가 맞지 않는 부분이 많았고 사건의 당사자만이 알고 있는 세부적인 내용이 전무, 역사적 사료로서의 가치는 없다고 한다.
당시는 료마 암살로부터 시간이 많이 흘러 사건의 진상 또한 어느 정도는 밝혀졌기 때문에 일반인이 전혀 모를 정도는 아니었다고 한다. 무엇보다 유일한 증언자인 이마이 노부오 등도 죽어 더 이상 사건에 대해 진술할 만한 미마와리구미 대원도 없었다. 즉, 이 와타나베 아쓰시는 실제 실행범이 아니며 단지 '료마를 죽인 자'라는 자신의 이름을 팔기 위해 연극을 했다는 설도 있다.
료마 암살 당시 현장에 남아있던 칼집 등의 물증이나, 3일후에 암살된 이토 가시타로의 동지（고료에시(御陵衛士)）등의 증언에서 신센구미의 하라다 사노스케에 의해서라고 믿어졌지만, 베인 상처로 보면 왼손잡이에 의해서라는 설도 있다. 이 설을 채용하면 왼손잡이에다가 호쿠신잇토류(北辰一刀流)의 달인인 료마를 살해할 정도로 실력이 있는 인물, 사이토 하지메라는 설도 있다.（사이토의 신센구미 복귀 시기는 여러 가지 설이 있지만, 아사다 지로의 『칼에 지다』중에서는 고료에시（高臺寺黨）로써의 사이토 설을 주장하고 있다. 하지만 사이토가 왼손잡이라는 설 자체가 역사적 사실일 가능성은 낮다. 문학적 상상력에 의해 만들어진 설정이며, 그가 실제 왼손잡이였다는 뚜렷한 증거는 없다.）
사건 후, 11월 26일에 막부에서 조사를 받은 신센구미 국장 곤도 이사미는 진술에서 '우리는 프로다. 만약 우리가 했다면 나카오카씨도 살아남지 못했을 것이다. (실제로 같이 참변을 당했던 나카오카 신타로는 이틀 정도 더 생존해 사건을 증언함)'라며 관여 된 것을 부정하였다. 곤도와 같이 체포되어 조사를 받은 오이시 쿠와지로도 이 사건만큼은 부정했다. 그는 이토 가시타로를 암살한, 신센구미 내에서도 손꼽는 검객이었다. 료마가 속해있던 토사번 지사들이 신센구미 설을 확신에 가깝게 믿고 있었던 당시에는 그들의 주장을 관철시키기 위해 오이시에게 무수한 고문을 했다. 이를 견디지 못한 오이시가 억지로 인정을 한 적이 있지만 이내 부정하면서 '사건 이후 곤도 국장이 미마와리구미의 이마이, 와타나베가 료마씨를 해치운 것은 회자될 만한 일이다 라고 말하는 것만을 들었을 뿐' 이라며 일축했다. 곤도와 오이시 둘다 료마 암살 혐의 때문에 참수되었지만 이는 토사번 지사들의 복수심에 가까운 맹렬한 주장에 의한 것으로 실질적인 증거 없이 억지로 몰아 붙인 결과에 지나지 않았다.
당시 료마는 지금과 같은 인지도는 없었지만 이름난 지사였다. 따라서 막부 순찰대가 그를 해치운 것은 큰 공로이므로 자랑을 하면 했지 숨길 일은 아니었던 것이다. 그러나 신센구미는 암살 당시부터 한결 같이 혐의를 부정했다.
현재는, 신센구미 설을 지지하는 연구자는 거의 없다.
대정봉환 이후, 료마는 막부에 대하는 태도가 부드러워지며, 도쿠가와 요시노부를 포함한 제후 회의에 의한 신정부 설립에 기울였다고한다. 무력 도막을 지지했던 사이고 다카모리, 오쿠보 도시미치등이, 이런 료마의 움직임을 간과할 수 없었고, 고의로 막부측에 료마의 소재지를 누설했다는 설.
요시노부의 처우를 둘러싸고, 사이고와 료마의 의견이 서로 달랐다는 것은 확실하다. 무력 도막파에 의한 대정봉환파의 암살설은, 사사키 다몬의 서한이나 오우미야 종업원들의 증언 등의 자료를 근거로 두고 있다. 하지만 이 설은 대정봉환 노선과 무력 도막노선의 대립을 필요 이상으로 너무 강조되었으며, 양자는 서로 받아들일 수 없는 노선은 아니었다는 학설을 전혀 고려하지 않은 점이 최대 문제로, 그 점에서 근거가 약하다. 이 설에는 일부 열광적인 지지자가 있기 때문에 역사학계에서는 거의 상대하지 않는 실정이다.
사카모토 료마 관련 작품
《다시 만나자고 료마는 말했다》(また逢おうと龍馬は言った) : 1992년 · 1995년 · 2000년 · 2010년 / 연극단 캬라멜박스(演劇集團キャラメルボックス) / 료마 : 가와하라 가즈히사(川原和久) (1992년) · 가미가와 다카야(上川隆也) (1995년) · 오카다 다쓰야(岡田達也) (2000년 · 2010년) · 오우치 아쓰오(大內厚雄) (2010년)
주름상어
주름상어 (Chlamydoselachus anguineus) 또는 라브카(일본어: ラブカ 라부카[*])는 심해성 상어의 일종으로, 주름상어과에 속하는 유일한 어종이다. 원시적인 상어의 모습을 잘 보존하고 있어서 살아 있는 화석이라고도 불린다.
몸 길이는 2m, 색은 어두운 갈색이며 등지느러미는 하나, 아가미 덮개는 6장이 있다. 덮개가 마치 프릴처럼 보여서 영어권에서는 Frilled shark라고 부른다. 입은 크고, 이빨은 앞이 날카롭다. 보통 상어는 코끝이 날카롭지만, 주름상어는 거의 항시 입을 벌리고 있기 때문에 얼굴 모양이 특이해졌다.
주름상어
주름상어 중 두 종류는 대서양과 태평양 지역에 분포하며, 주로 상어가 생태계의 생물학적으로 생산적인 해저 근처인 바깥쪽 대륙붕과 상부 대륙 경사면에서 산다.          주름상어는 밤에 바다 표면에서 주식인 두족류, 작은 상어, 경골어류 등을 먹기위해     주야 수직 이동(동물성 플랑크톤, 크릴이나 작은 오징어, 물고기 따위에 이르는 조그만 해양동물들이 낮에는 포식자를 피해 다소 깊은 곳에 있다가 밤에는 식물성 플랑크톤이나 식물성 플랑크톤을 먹는 원생생물과 무척추동물을 먹기 위해 이동하는 현상)을 실천한다. 주름상어가 사냥을 할 땐, 300개의 바늘같이 구부러진 바늘같은 이빨들이 갖춰진 유연한 턱으로 먹이 전체를 잡고 삼키기 위해 뱀장어처럼 꼬리를 바위에 말고 몸을 구부리고 돌진한다. 주로 작은 물고기나 오징어, 심해 낙지 등을 먹이로 삼는다.
생식적으로, 주름상어의 두 종류인  남방아프리카주름상어 (Chlamydoselachus africana) 와 주름상어는 (C. anguineus) 어미상어의 태반이 없는 상태의 알에서 태어난 난태생이며, 난자 캡슐에서, 배아 상어는 어미 상어의 몸에서 발달한다. 태어날 때, 아기 상어는 어미 상어의 자궁에 있는 난자 캡슐에서 나온다. 뚜렷한 번식기는 없지만, 임신 기간은 3.5년까지 길어질 수 있으며, 1번 출산할 때마다 2~15마리의 새끼를 낳는다.주로 상업적인 혼획에서, 주름상어는 고기와 어분으로써 경제적인 가치가 있다.
1880년대에 사가미만에서 발견된 적이 있다. 스루가만에서 이것이 많이 잡히는데, 대부분이 지나치게 특이한 얼굴로 인해 그대로 버려진다.
주름상어 분류학과 계통발생학
동물학자 Ludwig Döderlein은 처음으로 주름상어를 별개의 종 상어로써 식별, 설명, 분류를 했다. 일본에서 해양 연구를 3년 동안 한 후 (1879–1881), Döderlein은 두 마리의 견본 상어를 빈으로 가져갔지만, 연구의 분류학 원고를 잃어버렸다. 3년 후 Bulletin of the Essex Institute (vol. XVI, 1884) 에서 생물학자 사무엘 가먼 (Samuel Garman)은    일본 스루가만에서 발견된 1.5 미터 길이의 암컷 상어를 그의 관찰, 측정 및 설명이 기반으로 된 첫 주름상어 분류법을 게시했다. "An Extraordinary Shark" 라는 기사에서  가먼은 새로운 종류의 상어를 그것의 속과 과로 분류하여 Chlamydoselachus anguineus (뱀장어와 같은 주름달린 상어) 라고 명명했다. 주름상어의 그레코-라틴 명명법은 그리스어 chlamy (주름), selachus (상어)와 라틴어 anguineus (뱀장어와 같은)에서 파생되었다. 일반적인 이름 외에도, 주름상어는 "도마뱀 상어" 그리고 "비계 상어"                                                         로도 알려져 있다.
주름상어 분류학과 계통발생학
주름상어는 '살아있는 화석'으로 여겨지는데, 그 이유는 그것의 가족 혈통 시기가 석탄기까지 거슬러 올라가기 때문이다. 처음에 해양 과학자들은 주름상어를 살아있는 멸종된 판새류 (가오리, 상어, 홍어, 톱가오리) 그룹의 진화적 대표라고 여겼었다. 왜냐하면 상어의 몸은 긴 턱에 삼지창 모양,  다중 교두 이빨;amphistyly (양주형), 눈 뒤에 한 지점에서 턱과 두개골의 직접적인 관절과 불분명한 척추뼈로 구성된 준연골 척삭 (원시 척추 기둥) 등 원시 해부학적 특성들을 가지고 있기 때문이다. 그 해부학으로부터 가먼은 주름상어가 고생대 (541-251 mya: million years ago)의 데본기 (419-359 mya)에 존재했던 Cladoselache 속의 cladodont (여러 교두 또는 뾰족한 이빨이 있는)상어와 관련있다고 제안했다. Theodore Gill과 고생물학자 에드워드 드링커 코프는 주름상어의 진화 나무가    중생대 (252-66 mya) 동안 지배적인 상어 종인 히보두스 (hybodonts) 와의 관계를 표시한다고 주장했고, 코프는 Chlamydoselachus anguineus 종을 데본기 후기부터 중생대의 트라이아스기 말기까지 존재했던 화석 속 Xenacanthus 유전자로 분류했다.
주름상어 분류학과 계통발생학
신체, 근육 및 골격의 해부학적 특성은 계통 발생학적으로 Hexanchiformes에 따른 신락상어과와 관련있는 신생상어 (현대 상어 또는 가오리) 계통군으로 관련이 있다. 또한 2016년에 연구자들에 의해 실시된 유전자 분석은 이 종이 Hexanchiformes의 일부임을 암시하기도 했다.                  그럼에도 불구하고, 계통분류학 생물학자인 Shigeru Shirai는 C. anguinesis 그리고 C. africana species 종의 주름상어들만 주름상어목 (Chlamydoselachiformes) 으로 독점적으로 제안했다. 해양 동물로서 주름상어는 백악기 후기 (c. 95 mya) 와 쥐라기 후기 (150 mya)의 원시바다에서 처음으로 등장한 이래로 상대적으로 변하지 않은 해부학적 구조와 체격으로 인해 살아있는 화석이다. 진화론적인 용어로, 주름상어는 지구의 박물학에서 최근에 발생한 종이다; 가장 초기의 화석화된 이빨의 발견은 주름상어 (Chlamydoselachus anguineus) 상어 종의 자료는 초기 플라이스토세 (2.58–0.0117 mya) 시대 때이다. 2009년 때, 해양 생물학자들은 앙골라 남부와 나미비아 남부의 대서양 해역에 서식하는 Chlamydoselachus africana (남방아프리카주름상어)를 1884년에 식별된 Chlamydoselachus anguineus 종과는 다른 주름상어 종이라고 식별, 설명 및 분류했다.
태평양 벨트
태평양 벨트 또는 다이헤이요 벨트(일본어: 太平洋/たいへいよう ベルト 다이헤이요 베루토[*])는 일본의 미나미칸토 지방에서 기타큐슈 지방까지를 연결한 일련의 공업지역을 말한다.
미나미칸토에서 키타큐슈까지 도쿄도 구 지역·가와사키시·요코하마시·시즈오카시·하마마쓰시·나고야시·교토시·오사카시·고베시·오카야마시·히로시마시·기타큐슈시·후쿠오카시 등을 중심으로, 공업·상업면에서 대·중형급 도시가 늘어서 있으므로, 미나미칸토에서 기타큐슈에 걸친 도시군(메갈로폴리스)을 총칭해 가리키는 경우도 있다.
1960년의 소득배증계획 책정을 위한 경제심의회 산업입지소위원회의 보고에서, 기존의 게이힌 공업지대·주쿄 공업지대·한신 공업지대·기타큐슈 공업지대의 4대 공업지대에 병목 현상이 발생하자 세토 내해 연안과 시즈오카현 등의 중간 지역에 새로운 공업지대를 형성해, 띠 위에 태평양 연안 지역 전체를 공업 지대의 핵심으로 하는 일명 ‘태평양 벨트 지대 구상’을 제창한 것에서 유래되었다.