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현대 아반떼 차명 논란
아반떼라는 차명이 아우디가 스테이션 왜건에 붙이는 아반트와 흡사하다는 지적을 받아 수출시에는 여전히 아반떼의 전신인 엘란트라로 판매되고 있다. 그러나 엘란트라라는 차명 역시 미쓰비시 마그나의 엘란테 트림 레벨, 로터스 엘란과의 이름이 유사하다는 지적 또한 받아 란트라로 수출되기도 하였다. 2000년이 되어서야 대한민국을 제외한 거의 대부분의 국가에서의 차명이 엘란트라로 통일되었다. 4세대(HD)는 베트남과 싱가포르에서 대한민국 내수명과 같은 아반떼로 판매된 적이 있다.
논란과는 별개로 타미야의 모형차 아반떼와도 이름이 동일한데, 이름의 유사성을 이용해 타미야와 직접 콜라보하기도 하였다. 뒷문 유리창에 태극기와 아반떼 차명 레터링이 들어간다.
현대 아반떼 결함과 논란
아반떼MD
MDPS(속도감응형 전동식 파워스티어링) 결함
GDI엔진 결함
대부분 팔렸던 현대 감마엔진 1.6 GDI엔진이 10만키로가 지난 시점부터 시동 꺼짐, 노킹,엔진오일 감소 등 엔진결함이 심각하다. GDI엔진은 실린더에 연료를 직접 분사하는 방식으로 고효율, 높은 연비를 얻는 장점이 있지만 연료를 분사하는 과정에서 매우 높은 온도로 폭발하기 때문에 그 온도를 버틸 수 있게 개발해야 했는데 내구성이 약해 높은 온도를 버티지 못하고 실린더에 변형이 와 다양한 엔진 결함을 일으킨다. MD 초기모델에 결함이 가장많아서 각 동호회에 관련 글들이 많다. 국토교통부에서 '감마 1.6 GDI 엔진' 결함을 조사했으나, 리콜이 아닌 무상수리 조치로 마무리 됐다. 엔진 교체를 받으려면 사업소에서 점검받아야 하는데 생각보다 까다롭다.
전기 기관차
전기 기관차(電氣機關車, Electric locomotive)는 전기 모터로 구동되며 기관차 외부의 전선 또는 내부의 배터리에서 전기를 공급받는 기관차이다. 가스 터빈이나 디젤 터빈 등을 장착한 기관차는 전기 발전으로 구동되지만, 발전기와 전기 모터가 동력 전달부의 일부로 존재하기 때문에 전기 기관차로 분류하지 않는다.
전기 기관차 역사
최초의 전기 기관차는 1837년, 스코틀랜드인 로버트 데이비슨에 의해서 만들어졌다. 이 전기 기관차는 갈바니전지로 움직였고, 나중에 크기가 더 큰 전기 기관차를 만든 데이비슨은 1841년에 왕립 스코틀랜드 기술 협회의 전시에 출품하면서 '갈바니'라고 불렀다. 하지만, 갈바니전지에서 공급되는 전기는 일반 철도에서 기관차를 움직이기에는 적당하지 못했다.
최초의 전기철도 노선은 1895년, 볼티모어&오하이오 철도의 볼티모어 벨트 선으로 전체 길이는 4마일이었다. 당시 세 대의 Bo'Bo' 기관차가 도입되었으며, 전철화 구간의 남쪽 끝에서는 다른 열차에 전기기관차와 객차를 모두 붙여서 운행하였다.
전기 기관차 역사
일제 강점기에 금강산선에서의 운행을 위해 데로형 전기 기관차를 일본제국에서 도입한 적이 있으나, 분단과 한국전쟁으로 금강산선에 접근할 수 없어진 관계로 철도청 소유의 차량은 모두 폐차처리하였다. 다시 한국에 전기 기관차가 들어온 것은, 1970년대에 산업 간선으로 불리는 중앙선, 태백선, 영동선의 전철화가 완료되면서 본격적으로 전기철도의 시대가 열리면서 부터다. 1970년대 태백선 전철화로 인하여 대량의 석탄 수송을 위한 목표로 50 C/S Group에서 개발하고 프랑스의 알스톰사가 제작하여 들어온 것이다.
개통 당시에는 영서, 영동지역 일대의 무연탄과 시멘트를 효율적으로 수송하기 위해서 견인력이 좋은 8000호대를 도입하였다. 1990년대에 들어서면서 충북선, 경부선, 호남선 등의 전철화가 차례로 이루어졌다. 또한 본격적인 여객 열차의 전철화를 위해 8100호대, 8200호대, 8500호대를 도입하였다. 1998년부터 8100호대가 2003년부터 8200호대가 2012년부터 8500호대가 2012년에 각각 도입되었다. 전기철도 운행구간은 2,727.1km이다.
2025년 기준으로 총 170대 한국철도공사 소속 전기 기관차가 운행되고 있다.
반공법
반공법(反共法)은 국가보안법의 반국가 행위 중에서 공산계열의 활동과 관련된 내용을 규제할 목적으로 1961년에 제정된 대한민국의 법이다. 이때 반공법에 포함되어 있던 찬양·고무 등, 회합·통신 등. 탈출·잠입, 편의제공 등 주요 범죄는 1980년 12월 31일 반공법의 주요 내용이 국가보안법에 통합되어 반공법이 폐지되면서 적용법률이 변경되었다.
사이고 다카모리
사이고 다카모리(일본어: 西 (さい)郷 (ごう) 隆 (たか)盛 (もり), 1828년 1월 23일 ~ 1877년 9월 24일)는 일본(사쓰마)의 번사, 군인, 정치인이다. 메이지 유신의 주역이였으며, 세이난 전쟁에서 패배한 후 할복하였다. 별명은 대 사이고(大西郷)이다.
사이고 다카모리 생애
사쓰마번의 하급 번사였던 사이고 기치베 다카모리(西郷吉兵衛隆盛)의 장남으로 태어났다.
어릴적 이름은 고키치(小吉)이며, 통칭은 기치노스케(吉之介), 젠베에(善兵衛), 기치노스케(吉之助) 순으로 바뀌었다. 호는 난슈(南洲)이다. 원래 이름은 다카나가(隆永)였으나, 나중에 다케오(武雄), 다카모리로 바꾸었다. 다카모리라는 이름은 아버지의 이름과 같은데, 이는 왕정복고의 식전에서 위계를 수여받을 때, 친구인 요시이 도모자네가 실수로 아버지의 이름을 올렸기 때문에, 이후 아버지의 이름을 자신의 이름으로 쓰게 되었다.
사이고 다카모리 메이지 유신
40세가 되기 전, 사이고는 제국의 수도 교토에 주둔했던 사쓰마번 봉건군의 사령관으로 명성을 얻었다. 자신의 봉건군 안의 결정자 중의 하나로서, 전국적으로 천황당원과 넓게 연락을 하면서 쇼군 정부를 무너뜨리기로 하였다. 그는 1866년 사쓰마번과 조슈번의 연합을 협상하기도 하였다. 1867년 11월 8일 쇼군을 무력으로 사임시켰다.
사이고는 이 사건으로 국민적 영웅으로 부상했다. 사이고는 오쿠보 도시미치, 기도 다카요시와 함께 유신을 일으켰다. 1868년 1월 3일 새벽이 다가오기 전 그가 지휘하는 부대는 왕궁의 문을 지켰다. 명사 회의는 어린 메이지 천황에게 일본의 새 시대를 여는 포고령을 읽게 하였다.
사쓰마 번과 조슈번의 스폰을 받은 천황의 군대가 남은 막부군과 전면전을 벌였다 5월 사이고는 참모 총장으로서 에도의 항복을 성공적으로 준비하였다. 그는 11월까지 막부군에 대항하였다.
임무를 마친 사이고는 새 행정을 결성하는 데 어려운 문제에 참여하는 대신에 사츠마로 들어가 퇴직 생활을 하게 된다. 1869년 천황이 천황의 복위에 힘쓴 이들에게 명예를 수여할 때에 사이고의 군대는 가장 높이 수여되었지만, 사이고는 새 정부에 들어가는 것을 아직도 거부하였다.
사이고 다카모리 메이지 유신
1871년 사이고는 결국 정부에 설득되어 1만 명의 군인을 포함한 신 정부군의 사령관으로 임명되었다. 여러 번에서 봉건제를 폐지했다. 사이고는 다조칸(국가 회의)에 임명되어 키도 타카요시와 함께 새로운 프로그램을 세우는 책임을 함께 맡았다.
이 시기 동안 징병제의 도입에 관한 의문점이 대두하였다. 유럽의 군대 단체에 관한 공부에 영향을 받은 정부 인사는 만국적 군사 훈련이 필요하다고 주장하였다. 다른 인사는 고대의 독점을 가진 무사 계급을 전쟁에서 배제하는 것이 지혜롭지 못하다고 보았다. 토론이 과열되었으나, 사이고는 자신이 널리 알려지는 것을 거부하였다.
일본이 사무라이 정신을 잃을 불안감을 느껴 1873년 조선 정벌론, 즉 정한론을 주장하였다. 그는 조선이 일본을 모욕했으므로 징벌해야 한다고 갈파하였다. 이 주장을 실현하기 위하여 국가 회의와 싸우며, 자신이 조선에 특별 교섭으로 가 명시적으로 뛰어난 논쟁을 펼치겠다고 피력하였다.
사이고 다카모리 메이지 유신
사이고는 자신의 국가에 자신의 인생을 바치는 것이 그의 가장 친애적인 욕망이라는 이론에 답변을 하였다. 계속되는 간청 후, 정부 인사들이 서양을 여행하고 돌아오기 전인 8월 18일에 천황이 그의 계획을 수용하였다. 그러나 외국 모험에 국내적 발전이 먼저임을 논의한 인사에 의하여 그의 계획이 취소되었다.
취소에 격렬한 사이고는 국가 의회원과 정부군의 사령관직을 사임하고 가고시마에 있는 고향으로 돌아왔다. 몇몇 다른 높은 계급의 공무원들과 100명 이상의 정부군 사관도 잇따라 사임을 하였다.
사이고 다카모리 가고시마로 귀향
가고시마로 돌아온 지 몇 달 후, 사이고는 군사학을 가르치는 개인 학교를 열었다. 전국에서 몰려든 무사가 그의 아래에서 공부하였으며, 1877년에 학생수는 20,000명으로 늘었다. 사이고는 이곳을 공직에서 일할 청년을 훈련하는 학교라고 여겼으나, 도쿄에 있는 정부에게는 근심이 되고 말았다. 모든 번의 행정이 지사의 통치로부터 사이고 세력의 손으로 들어갈 위협 때문이었다.
1876년 일본의 다른 지역에서 사무라이의 반란이 시작되었을 때, 가고시마는 그 논란의 중심지였다.
사이고 다카모리 사츠마의 반란
1877년 1월 29일 사이고의 제자 중 한 계파가 가고시마의 군수 공장과 해군 기지를 공격하였다. 산에서 사냥을 즐기던 사이고는 망설이며 돌아왔다. 그가 가고시마에 도착했을 때, 그의 후원자들이 군수 공장에서 추가적 군사 행위를 위한 군수물자를 준비하기 위해 작전을 짜고 있었다. 사이고는 반란의 지도자로 추대 되었다.
정부를 비판하며 도쿄로 행진하는 계획과 더불어 2월 15일에 사이고 군은 전쟁을 시작하였다. 정부군은 구마모토번에서 사이고 행진을 가로막았고, 그 후 6개월 간 전면전이 일어난다. 사이고의 옛 친구 야마가타 아리토모는 당시 전쟁부 장관이자 사이고 군대에 맞서는 야전군 사령관이었다.
사이고 다카모리 사츠마의 반란
5월부터 수세였던 사이고는 여름에 패전을 거듭하였고, 9월에는 패색이 짙어졌다. 그는 몇 백의 부하를 이끌고 다시 가고시마로 돌아와 마지막으로 도시 전경이 보이는 언덕에 진지를 구축하였다. 9월 24일에 정부군이 최후 공격을 가하였으며, 부상을 당한 사이고는 자결하였다. 일설에 그의 부하가 목을 베었다고 한다. 무사와 정부군 양쪽에서 12,000명 사상자와 20,000명 부상자를 내었다.
도쿄 우에노 공원에 그의 동상이 세워져 있다. 좌우명은 "경천애인(敬天愛人)"이었다.
사이고 다카모리 가계
(증조모)마치다 고에몬(町田此右衛門)의 딸
(조부)사이고 다쓰에몬 다카미쓰(西郷龍右衞門隆充, 생년 미상 - 1852년 9월 1일）
(조모)요쓰모토 요시테루(四本義照)의 여동생(생년 미상 - 1862년 5월 29일)
(부)사이고 기치베(西郷吉兵衞, 1806년 - 1852년 9월 27일)
(모)시하라 마사(椎原政佐, 생년 미상 - 1853년 음력 11월 29일）
(아내)스가(須賀, 생몰년 미상, 이주인 가네요시(伊集院兼善)의 딸)
(아내)이토코(糸子, 1843년 - 1922년 6월 11일, 이와야마 하치로타 나오하루(岩山八郎太直温)의 차녀)
(장자)사이고 도라타로(西郷寅太郎 , 1866년 음력 7월 12일 - 1919년 1월 1일)
(자부)노부코(信子, 소노다 사네노리(園田実徳)의 장녀)
(손자)사이고 다카유키(西郷隆幸)
(손자)사이고 다카테루(西郷隆輝, 1900년 - 1920년 11월)
(손자)사이고 기치노스케(西郷吉之助, 1906년 7월 20일 - 1997년 10월 12일)
(증손)사이고 기치타로(西郷吉太郎)
(손자)사이고 다카아키(西郷隆明, 1911년 - 1992년)
(증손)사이고 다카미쓰(西郷隆晄, 스타라이트 공업 사장)
(증손)사이고 다카히로(西郷隆廣)
사이고 다카모리 가계
(아들)사이고 우마지로(西郷午次郎, 1871년 - 몰년 미상)
(아들)사이고 도리조(西郷酉三, 1873년 ~ 몰년 미상)
(첩)아이카나(愛加那, 1837년 - 1902년 음력 8월 27일）
(서자)사이고 기쿠지로(西郷菊次郎, 1861년 음력 1월 2일 - 1928년 11월 27일)
(서손)사이고 다카히데(西郷隆秀, 1907년 - 1985년)
(서손)사이고 다카야스(西郷隆泰)
(서증손)사이고 다카후미(西郷隆文, 1947년 ~ )
(서손)사이고 히토시(西郷準, 1916년 - 1945년 5월 28일)
(남동생)사이고 다카히로(西郷隆広, 1833년 - 1868년 9월 29일)
(조카)사이고 류준(西郷隆準)
(남동생)사이고 주도(西郷従道, 1843년 6월 1일 - 1902년 7월 18일)
(제수)기요코(清子, 도쿠노 요스케(得能良介)의 장녀)
(조카)가미무라 쓰구요시 혹은 가미무라 주기(上村従義, 1881년 1월 - 1937년 3월 23일, 가미무라 히코노조(上村 彦之丞)의 양자로 입적)
(조카)사이고 주토쿠(西郷従徳, 1878년 10월 21일 - 1946년 2월 6일)
(조카)고마쓰 주시(小松従志)
(조카)사쿠라코(桜子, 이와쿠라 도모하루(岩倉具張)의 부인)
사이고 다카모리 가계
(남동생)사이고 다카카쓰(西郷隆雄, 1847년 11월 18일 - 1877년 2월 27일)
(여동생)고토(琴, 1832년 - 1913년, 이치기 마사노조(市来正之丞)의 부인)
(여동생)다카(鷹, 생년 미상 - 1862년)
(사촌)오야마 이와오(大山巌, 1842년 10월 10일 ~ 1916년 12월 10일)
박철웅
박철웅(朴哲雄, 1912년 ~ 1999년 1월 8일)은 대한민국의 교육인 출신 정치인이다. 제2대 국회의원을 지냈으며 독립운동가이다.
전라남도 고흥군에서 태어났다. 1946년 전라남도지사 서민호와 함께 조선대학교 설립을 주도하였다. 박철웅은 조선대학교 1, 4, 7대 총장을 역임하면서 점차 독단적으로 대학을 운영하여 마찰을 빚었는데 이러한 약점을 기화로 1980년 8월 신군부의 국가보위상임위원회 시절 광주보안대에 부인 정애리시와 함께 끌려가  학교운영권을 박탈당하게 된다. 1982년 11월에야 조선대 이사장 복귀가 허락되었으나 1987년 6월 민주화운동으로  많은 사립대학들이 시위사태에 휘말릴때 조선대학도 NL(민족해방)계열의 운동권학생들이 박철웅총장및 이사진의 퇴진을 요구하며 장기농성에 들어갔다.  결국  1987년 12월 박철웅은 총장직에서 물러났다. 1999년 1월 8일 자택인 서울특별시 종로구 필운동에서 노환으로 사망했다.
박팔봉
박팔봉(朴八峰, 1901년 ~ 1980년 1월 21일)은 대한민국의 정치인이다. 제2대 국회의원을 지냈다.
대구사범학교
대구사범학교의 다른 뜻은 다음과 같다.
대구사범학교 (1923년)(1929년 - 1946년)는 일제 강점기의 중등교원 양성(본과) 및 중·고등학생 교육(심상과)을 목적으로 한 학교였다. 1923년 설립된 경북사범학교를 1929년 대구사범학교로 개칭한 것이고, 1946년 대구사범대학으로 국립 승격하였다. 현재는 경북대학교 사범대학 및 경북대학교 사범대학 부설고등학교·부설중학교로 이어진다.
방만수
방만수(方萬洙, 1919년 10월 12일 ~ 2005년 1월 26일)는 대한민국의 정치인이다. 제2대 국회의원을 지냈다. 호는 이곡(夷谷), 본관은 온양이며, 경상북도 경산 출생이다.
배상연
배상연(裵相淵, 1890년 4월 22일 ~ 1970년 5월 14일)은 대한민국의 바둑 기사 출신 정치인이다. 제2대 국회의원을 지냈다.
장단군의 국회의원
제2대 총선 이후에는 조선민주주의인민공화국으로 넘어간 장단군의 영역을 제외한, 대한민국에 남은 장단군의 영역은 파주군과 연천군으로 편입되면서 군 자체가 폐지되어 국회의원이 없다. 장단군의 잔여지역은 1963년 이후 파주군과 1954년 이후 연천군에 각각 편입되어 국회의원을 선출하고 있다.
백상규
백상규(白象圭, 1880년 10월 4일~1957년 12월 26일)는 일제강점기의 교육인이자 대한민국의 정치인, 국회의원이었다.
백상규 생애
동양척식주식회사 위원을 지낸 친일파 금융인이자 기업인인 백완혁(白完爀)의 아들이다. 순종 때 내부비서관과 내부대신 비서관을 지냈다. 미국 브라운 대학교를 졸업한 후 보성전문학교 교수를 지냈다.
1945년 9월 8일 새벽, 조한용, 여운홍과 함께, 인천으로 상륙한 미 24군단 사령관 존 하지에게 면담을 요청하였으나 거절당하였다. 백상규는 유창한 영어로 자신이 브라운 대학교를 장학생으로 졸업했다는 것을 포함하여 자기 일행이 온 목적을 설명했다. 명문 브라운 대의 장학생이라는 것은 미군에게 놀라운 일이었다. 미군 장교 가운데 브라운 대학교 출신이 있어 확인 작업에 들어갔다. 학교의 건물 모양에서부터 교수 이름에 이르기까지 몇 차례 질문이 오고갔다. 장교는 "적어도 한때 브라운대 학생이었던 것만은 분명한 사실"이라는 보증을 섰다. 그러나 하지는 면담을 거절하였다.
제2대 국회의원으로 있다가 한국전쟁 때 납북되었다.
백상규 가족관계
부 : 백완혁(白完爀, 1856년 ~ 1938년) 친일파 금융인, 기업인
형 : 백상길(白象吉)
조카 : 백창덕(白昌德)
부인 : 한기주(韓錡柱, 1901년 ~ ? )
아들 : 백남진(白南鎭)
아들 : 백유진(白有鎭)
딸 : 백은진(白恩鎭, 1933년 ~ ) 예일대 물리학박사
사위 : 조지 진넬만(1921년 ~ ) 미국인, 브린만대학 물리학과 교수
주소창
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변광호
변광호(邊光鎬, 1890년 ~ 1958년 5월 13일)는 대한민국의 정치인이다. 제2대 국회의원을 지냈다.
온누리교회
온누리교회(온누리敎會, Onnuri Community Church)는 서울 용산구 이촌로 347-11(서빙고동 241-96)와 서울특별시 서초구 바우뫼로31길 70에 소재한 대한예수교장로회(통합) 평양노회 소속의 교회이다. 사도행전을 계속 써 나가는 'Acts 29'비전을 가지고 있다. 노숙인 사역을 하는 감리교 소속의 산마루교회를 지원한다. 교회 차원에서 동성애 차별금지법을 반대하는 서명을 독려하고 있다.
온누리교회 북한 인공기 송출 사고
2025년 6월 18일 온누리교회의 새벽기도회 유튜브 영상을 송출 중, 조선민주주의인민공화국 인공기 화면과 함께 조선민주주의인민공화국 국가가 22초 동안 송출되는 사고가 발생했다. 교회측은 사고의 원인을 해킹으로 보고 긴급조사에 들어갔고 교회 측은 이에 대해 홈페이지를 통해 사과문을 올렸다.
상피 세포 나트륨 통로
상피 세포 나트륨 통로는 콩팥이나 대장의 상피세포의 꼭지면 세포막 (apical membrane)에 발현한 이온 채널로서 주로 나트륨을 통과시킨다. 우리몸에서 나트륨의 흡수 또는 재흡수를 담당함으로써 체액의 양을 조절한다. 이 이온 채널의 활성이 심하면 고혈압이 발생할 수 있다. 혀에서 짠 맛을 느끼는 데도 관여한다. 아밀로라이드에 의해 억제된다. 이온 채널중 이온 선택성이 가장 크다.
저그 (컵)
저그(영어: Jug)는 액체를 담는 그릇의 한 종류이며, 흔히 일본식 영어인 조끼(일본어: ジョッキ)로 알려져 있다.
저그에는 내용물을 마시거나 따르기에 좋도록 개두부와 손잡이가 달려 있다.
맥주를 마실 때 사용하는 큰 컵을 맥주 저그라고 부르며, 대한민국의 맥주 저그는 따르기 좋도록 튀어나온 개두부가 없기 때문에, 형태가 머그잔에 더 가깝다.
띠구조
응집물질물리학에서 띠구조(-構造, band structure)는 결정 속 전자의 분산 관계이다. 파수-에너지 공간에서 여러 개의 곡선으로 이루어지며, 각 곡선을 결정의 에너지 띠(energy band)라고 한다. 띠구조를 다루는 이론을 띠 이론(band theory)이라고 한다.
띠구조 정의
결정 속에는 이온 껍질에 의한 주기적인 전기장이 존재하며, 이에 따라 결정 속에 전자가 가질 수 있는 에너지가 제한된다. 결정 속 전자가 존재할 수 있는 에너지 영역을 에너지 띠라고 부르고, 전자가 취할 수 없는 에너지 영역을 띠틈이라고 부른다. 에너지 띠에 어떻게 전자가 배치되어 있느냐에 따라서 그 고체의 전기전도성이나 광학적 특성이 결정된다.
띠구조 정의
블로흐 정리에 따라서, 결정 속 전자의 파동 함수(전자 상태)는 그 파수 에 의하여 결정된다. 이것이 에너지와 파수의 관계식을 원리적으로 기술할 수 있는 것을 보장하고 있다. 여기서 말하는 파수는 결정구조의 병진 대칭성때문에 나타나는 양자수이며 실재 입자의 운동량으로 해석할 수 없다. 결정 구조 속의 전자 상태 함수를 기술하기 위해 주기적 경계 조건을 사용하면 이 파수 벡터들은 소위 브릴루앙 영역 안에 모두 들어옴을 보일 수 있다. 따라서 브릴루앙 영역의 파수들에 대응하여 에너지 준위들을 그릴 수 있는데 이를 전자의 띠구조라고 한다.  일반적으론 브릴루앙 영역에서, 대칭성이 좋은 특정한 파수들을 잇는 선을 따라 에너지 띠를 그린다. 각 파수마다 전자가 있을 수 있는 특정 에너지들이 있는데, 이것들이 연결되어 곡선을 이룬다.
띠구조를 보는 것으로 띠틈이 비어있는지 아닌지 (즉 대응하는 계가 금속인가 아닌가), 띠분산이 강한가 약한가처럼 밤전자상태의 차이 (분산이 약하면, 즉 띠의 폭이 좁으면 그 띠의 전자는 보다 속박된 상태가 된다. 강하면 반대임), 다른 계끼리의 띠구조를 비교하여 계의 안정성을 논의할 수 있다. (다만, 띠구조만으로 판단할 수 없는 경우도 있다.)
그리고 결정 구조에 대한 병진 대칭성의 영향으로부터 띠틈이 생기는 경우도 있다.
띠구조 도체·절연체·반도체의 띠구조
금속과 다른 도체에서는 적어도 하나의 에너지 띠가 페르미면을 횡단한다.
대부분의 반도체나 절연체의 띠구조는 파수 공간을 무시하고 띠틈 주변만 고려하여 근사할 수 있다. 절연체와 반도체에서 에너지 띠는 원자가띠와 전도띠로 나뉘어 페르미 준위는 띠틈 속에 존재한다.
다만, 띠 이론은 근본적으로는 일체문제에 의한 접근법이므로, 전자 사이의 상호작용이 약한 물질에서 잘 맞는다. 따라서 띠 이론은 전자들 사이의 강한 상호작용에 의한 절연 상태인 모트 절연체(Mott insulator)를 금속으로 잘못 예측하는 경우가 있다. 따라서 뭇입자계를 다루는 강상관 전자계(strongly correlated electron system)로 불리는 분야가 별도로 존재한다.
띠구조 계산
띠구조를 이론적으로 계산하려면 여러 방법이 있다. 이들은 경험적인 것부터 비경험적(제일원리적)인 것까지 다양하다. 이들은 보통 결정과 같은 고체를 다루지만, 표면계나 액체를 다루는 계산법도 있다.
대표적인 수법으로 유사퍼텐셜 + 평면파 기저에 의하여 APW, KKR와 같은 전전자 수법, 제일원리 분자역동학법, 밀접 결합 근사법 등이 있다. 제일원리 분자역동학 수법에서 전자 상태와 함께 대상이 되는 계의 구조 최적화, 즉 안정 구조를 요구할 수 있다.
띠 계산은 원래 결정같은 주기적 경계조건이 존재하는 계가 계산 대상이었지만 그 후에 표면계나 불규칙 이원합금같은 비주기계에 대해서도 계산이 이루어지게 되었다. 표면계에 관해서는 슬래브 근사(영어: slab approxmation)를 이용해 계산하는 것이 가장 표준적이다. 불원칙 이원합금같은, 퍼텐셜이 무작위한 계에는 간접성 퍼텐셜 근사(coherent potential approximation)가 이용되는 것이 많다. 또한 실공간법과 같은, 경계 조건에 묶이지 않는 계산 방법도 출현하고 있다.
마이크 코플란
마이크 코플란(Mike Coughlan, 1959년 2월 17일 ~ )은 맥클라렌 레이싱의 수석 디자이너이다. 그러나, 맥클라렌과 페라리 팀에 관련된 스파이 사건에 연루되어 현재는 정직 상태에 놓여 있다.
1981년 런던 브루넬 대학교에서 기계 공학 학위를 받았다. 모터스포츠 계에서 마이크의 첫 번째 일자리는 레이싱 카 제조사인 티가였다. 5년 뒤에 그는 로터스로 자리를 옮겼으며, 타입 95는 그가 처음으로 관여한 차량이었다.
1990년 마이크는 설계실장으로 임명되면서 베네통 포뮬러 1 팀에 합류하였다. 1년 뒤에, 마이크는 티렐에서 일을 시작했으며 레이스 엔지니어 임무를 맡았다. 그의 다음 자리는 영국 서레이에 있는 페라리 설계 및 개발(FDD)에 합류하는 것이었다. 1998년에 마이크는 애로우즈 포뮬러 1 팀으로 옮겨졌다. 그의 첫 임무는 수석 디자이너였고 2000년에 마이크는 기술 감독으로 승진했다.
마이크 코플란
2002년 8월에, 마이크는 맥클라렌 레이싱의 수석 디자이너로 합류했으며, 설계 팀의 운영을 책임지고 있다.
2007년 6월에 마이크는 페라리 팀의 전 미케닉인 나이젤 스텝니로부터 780 페이지 분량의 페라리 기밀 문서를 제공 받아 가지고 있었다는 혐의로 페라리에 고소 당했으며, 맥클라렌 팀은 이 사실을 확인하고 마이크를 정직 처분했다. 이 사건이 발단이 되어, 맥클라렌은 2007년 포뮬러 1 컨스트럭터 챔피언십 포인트를 몰수 당하고 모터스포츠 역사상 최고 액수인 1억 달러 벌금 처분도 함께 받았다.
노르베르트 하우크
노르베르트 하우크 (Norbert Haug, 1952년 11월 24일 ~ )는 독일의 저널리스트이다. 포르츠하임에 있는 그의 고향의 일간지에서 도제로 경력을 시작했다. 휠과 엔진에 관한, 특히 경주용 차량에 대한 노르베르트 하우크의 열렬함은 그의 프로페셔널한 관심과 함께 하는 스포츠에 대한 사랑과 결합되어 그를 슈투트가르트의 출판사인 모토르 프레세 베를라크에 발탁되게 했다.
1990년 10월부터 하우크는 메르세데스-벤츠 모터 스포츠 활동의 모든 것을 책임지게 되었다. 이 시기는 메르세데스-벤츠가 그들이 참여한 모든 모터 스포츠 범주에서 챔피언십 타이틀을 쓸어 담던 시기였다. 미카 하키넨은 1998년과 1999년 포뮬러 1 드라이버 월드 챔피언십에서 우승했으며 1998년에 매클래런 메르세데스는 컨스트럭터 월드 챔피언십을 거머쥐었다.
노르베르트 하우크
또한 1990년대를 걸쳐서 메르세데스-벤츠는 1992, 1994, 그리고 1995년 독일 투어링카 (DTM) 챔피언이었으며, 1995년 국제 투어링 카 (ITC) 챔피언이었다. 1997년에 메르세데스-벤츠는 미국의 CART 챔피언십에서 제조사 순위 정상이었다. 1997년과 1998년에 AMG 메르세데스는 FIA GT 챔피언십에서 드라이버와 팀 타이틀 모두를 차지했다. 2000년에 다시 출전하면서, 메르세데스-벤츠는 DTM에서 일곱 차례 타이틀 중 다섯 번을 차지했으며 베른트 슈나이더가 2000, 2001, 2003, 2006년에, 개리 파펫이 2005년에 우승했다.
2010년 창설된 메르세데스 GP F-1 팀의 수장이다.
결정
결정(結晶, 영어: crystal, crystalline solid)은 원자의 배열이 공간적으로 반복된 패턴을 가지는 물질이다. 액체를 냉각시키면 분자들의 운동이 느려지다가 마침내 어떤 온도 이하에서는 분자들이 일정한 배열을 이루게 되고 자유로이 돌아다닐 수 없게 된다. 이런 분자(또는 원자)들의 규칙적인 배열의 결과로 평면들로 둘러싸인 모양을 가지게 된 균일한 물질을 결정이라고 한다.
보다 엄밀하게 말해서 결정은 이산적인 공간 병진 대칭성을 가지는 이상적인 물질이다. 현실의 물질의 크기는 유한하기 때문에 이러한 이상적인 물질은 존재할 수 없지만 물질을 구성하는 반복요소 (결정구조)의 수가 충분히 크면 (아보가드로 수 정도가 되면) 결정이라고 볼 수 있다. 수학적인 고차원 결정의 공간에 투영으로 사용되는 기술로 준결정도 있다.
결정
결정에 대하여 이것을 형성하는 결합은 한가지 종류만이라고 할 수 없기 때문에 복수의 결합이 혼재 (공유성과 이온성 양쪽 모두를 나타내는 경우가 자주있음)하는 경우가 있다. 예시로 2001년에 39 K의 초전도를 나타내서 유명하게 된 MgB2 (이붕화 마그네슘)가 있다. MgB2는 금속 (금속간 화합물)이면서 원자간 결합이 공유결합에 의한 부분 (B층과 B원자간)과 주로 이온결합에 의한 부분 (Mg층과 B층간)으로 된다. (전자상태는 금속이므로 금속 결합적인 부분도 있음) 결정성이 전혀없는 물질을 아모퍼스 (비정질)라고 하며, 결정의 반대말이 된다.
결정 결정의 구조
결정이 규칙적인 모양을 하고 있는 것은 그것을 이루고 있는 입자(원자-분자-이온)가 규칙적으로 배열되어 있기 때문이다. 금속의 결정 중에서 금·은·구리·알루미늄 등은 입방 밀집 구조를 취하고, 마그네슘·아연 등은 육방 밀집 구조를 취하고 있다. 나트륨이나 칼륨은 정육면체의 8개의 모서리와 중심에 구체가 있는 체심 입방 구조를 취하고 있는데, 이것은 입방 밀집 구조에 비해서 틈이 좀더 벌어져 있다. 입방 밀집 구조를 비스듬히 옆으로 누이면 정육면체의 각면의 중심에 구체가 하나씩 들어간 면심 입방 구조가 된다.
구체가 일정한 규칙에 따라 입체적으로 배열된 것을 공간 구조라고 한다. 공간 구조의 종류는 14종인데, 등축 정계에는 단순 입방 구조, 면심 입방 구조, 체심 입방 구조의 3종류, 육방 정계에는 육방 밀집 구조가 있다. 이 밖에 정방 정계에는 체심 정방 구조 외에 1종, 사방 정계에는 면심 사방 구조 외에 3종, 단사 정계에는 2종, 삼사 정계·마름모 정계에 각각 1종의 구조가 존재한다.
병력수송장갑차
병력수송장갑차(兵力輸送裝甲車 영어: Armored personnel carrier, APC 러시아어: Бронетранспортёр, БТР)는 전장으로 보병을 수송하기 위해 개발된 기갑 전투 차량이다. APC는 무반동총, 대전차유도미사일, 박격포와 같은 다양한 화기를 탑재할 수 있지만, 대개 기관총만 무장하는 경우가 많다. APC는 실제 전투에 직접 가담하기 위한 목적으로 개발된 것은 아니며, 포탄 파편이나 매복에 대비하여 병력을 안전하게 전장으로 수송하기 위해 개발되었다. 차체는 소총탄이나 기관총탄, 포탄 파편을 막을 수 있는 정도의 장갑을 둘렀으며, 바퀴 또는 궤도를 가진다. 미합중국의 M113 장갑차, 영국의 FV432 장갑차는 궤도식이며, 프랑스의 VAB 장갑차, 독일과 네덜란드가 공동으로 개발한 박서 다용도장갑차, 구 소련의 BTR 시리즈는 바퀴식이다.
병력수송장갑차 역사
제2차 세계 대전 중, 전차가 발전할 때 영국의 마크V 전차가 병력 수송을 위해 소규모 승객 탑승구역을 갖도록 설계되었다. 이것을 최초의 병력수송장갑차로 간주하는 경우도 있다. 최초로 특화된 APC는 1918년의 마크IX 전차였다.
제2차 세계 대전 중, 미국의 M3 반궤도 장갑차나 독일의 SdKfz 251같은 반궤도 장갑차가 병력수송장갑차와 유사한 역할을 수행했다. 이 시기에 다른 APC의 선구자는 유니버설 캐리어(Universal Carrier)였다. 때로는 APC는 간단하게 병력을 수송할 수 있는 능력을 갖춘 장갑차였지만, 제2차 세계 대전 이후 기동전술의 수요를 충족시켜주기 위해 특별한 목적을 갖고 개발되었다.
병력수송장갑차 역사
1944년, 캐나다 2 군단 군단장 가이 시몬즈 장군은 72대의 미국제 M7 프리스트 자주포를 병력수송장갑차로 개조하라고 명령했다. M7 자주포는 영국제 오드넌스 QF 25파운드 포로 교체되는 중이었고, 어떻게 할 것인지 향후 계획은 없었다. M7 자주포에서 포는 제거되었고, 그 결과 생긴 빈 구멍은 강철로 막았다. 개조작업을 수행한 정비창은 캥거루라는 암호명을 붙였고, 이 차량은 캥거루라는 이름을 갖게 되었다. 전쟁 후반기에는 캐나다가 개발한 램 전차가 이런 개조 작업의 대부분을 차지했다.
전쟁 이후, 다른 특화된 APC가 개발되었다. 미국은 일련의 궤도 차량을 개발했다. 8만 대가량 만들어진 M113 장갑차가 그것이다. 소비에트 연방은 8륜 장갑차인 BTR-40을 개발했다. 1980년대 후반, 이스라엘은 제2차 세계 대전 당시 캐나다가 그랬던 것처럼 아랍국가들로부터 노획한 T-55를 시가지용 APC로 개조했다. 숱한 시가전의 전훈을 살려 보병을 최대한 안전하게 시가지 전투에서 보호할 수 있도록 개발된 이 APC는 아크자리트라 불리며 세계에서 가장 방어력이 튼튼한 APC가 되었다.
보병 전투차(Infantry Fighting Vehicle, IFV)는 병력수송장갑차의 개념을 발전시킨 것이다.
병력수송장갑차 기술
BTR-80A
대부분의 APC는 디젤 엔진을 사용한다. 이 디젤 엔진은 보통 대형 트럭이나 도시형 버스에 사용되는 것에 비교된다. APC가 "전장 택시" 또는 "전장 버스"로 병사들에게는 알려져 있곤 하다. 예를 들어 M113의 경우는 제네럴 모터스의 표준 도시형 버스와 똑같은 엔진을 사용했다. 최고 속도로 달리는 M113 한 대가 제네럴 모터스의 도시형 버스가 최고 속도로 달릴때와 비슷한 소음을 발생시킨다. 그렇지만 버스가 30명에서 50명까지 좌석에 앉은 승객을 나를 수 있는 반면, 전형적인 APC는 6명에서 10명까지의 보병을 수송할 수 있다.
병력수송장갑차 기술
대부분의 APC는 수륙양용이다. 궤도식 APC는 물에서 궤도를 이용하며, 바퀴식 장갑차는 별도의 프로펠러나 워터 제트를 사용한다. 수상 속도는 대개 3 ~ 6 km/h이다.
APC의 장갑은 강철이나 알루미늄으로 만들어져 소화기탄이나 대부분의 포탄 파편에 충분한 방호력을 제공한다. 그러나 모든 대전차 무기는 APC의 장갑을 관통할 수 있다.
APC용 무장은 12.7mm 또는 14.5mm 기관총을 사용한다. 차체 상부에 장착되며, 기관총 주변은 소형 포탑이나 방패를 두르는 것이 보통이다. 때로는 자동화된 유탄발사기를 대신 사용하기도 한다.
리처드 기어
리처드 티퍼니 기어(영어: Richard Tiffany Gere, 1949년 8월 31일 ~ )는 미국의 배우이다.
1978년작 《천국의 나날들》에서 첫 주연을 맡았다. 이후 1980년 《아메리칸 지골로》에서 상업적 성공을 거뒀고, 1982년 《사관과 신사》, 1990년 《귀여운 여인》, 1999년 《런어웨이 브라이드》 등 꾸준히 대표작을 만들며 배우로서의 입지를 굳혔다. 부드럽고 자상한 역할로 널리 알려져 있으나 《프라이멀 피어》와 같은 스릴러 영화나 《자칼》과 같은 액션영화에서도 나쁘지 않은 흥행 성적을 거두었다.
MOSFET
금속 산화막 반도체 장효과 트랜지스터(영어: metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)는 디지털 회로와 아날로그 회로에서 가장 일반적인 장효과 트랜지스터 (FET)이다. 줄여서 MOSFET(한국어: 모스펫)이라고도 한다. 모스펫은 N형 반도체나 P형 반도체 재료 (반도체소자 참조)의 채널로 구성되어 있고, 이 재료에 따라서 크게 엔모스펫 (NMOSFET)나 피모스펫 (PMOSFET), 두 가지를 모두 가진 소자를 씨모스펫(cMOSFET, complementary MOSFET)으로 분류한다. (또한 일반적으로 nMOSFET, pMOSFET, NMOS FET, PMOS FET, nMOS FET, p-MOS FET. etc..라고도 함)
MOSFET
금속 산화막이란 이름이 붙은 것은 초기에 게이트로 금속을 이용하였기 때문이나, 현재는 폴리실리콘 게이트를 사용하여 금속이란 이름은 그저 관습적인 표현이 되었다. 저항층 게이트 장효과 트랜지스터(insulated-gate field-effect transistor, IGFET)는 모스펫과 거의 동의어이며 산화되지 않은 게이트 저항층을 갖는 장효과 트랜지스터를 가리킨다. 폴리실리콘 게이트를 갖는 소자를 가리킬 때 "IGFET"의 사용을 선호하지만, 아직도 대부분은 모스펫이라고 부른다.
일반적으로 사용된 반도체는 실리콘이지만 잘 알려진 IBM같은 어떤 칩 제조사는 모스펫 채널에 실리콘과 게르마늄 (SiGe)의 혼합을 사용하기 시작했다. 불행하게도 갈륨비소같이 실리콘보다 전기적 특성이 좋은 대다수의 반도체는 좋은 게이트 산화물을 형성하지 않고 이것은 모스펫에 적합하지 않다.
게이트 터미널은 채널에 위치한 폴리실리콘 (다결정 실리콘; 게이트에 폴리실리콘이 쓰이는 이유는 아래의 게이트 항목을 참조할 것)의 레이어이지만 전통적인 이산화 실리콘의 저항층 박막에 의하여 채널로부터 분리되었고 더 진보된 기술은 산소질화 실리콘을 사용하였다. 전압이 게이트와 소스 터미널 사이에 인가됐을 때 생성된 전계는 산화층을 관통하고 채널 아래에 소위 "역채널"을 생성한다. 역채널은 소스와 드레인처럼 P형이나 N형 동일한 형태여서 전류가 통과할 수 있는 전선관을 제공한다. 게이트와 바디사이의 전압을 다양하게 변화하는 것은 이 레이어의 전도를 조절하고 드레인과 소스 사이의 전류 흐름을 제어할 수 있게 한다.
MOSFET 회로 기호
다양한 기호가 모스펫에 사용된다. 기초적인 모양은 일반적으로 직각으로 남겨져서 채널과 같은 방향으로 구부러진 소스와 드레인을 갖는 채널을 나타내는 선이다. 가끔 끊어진 선은 증가형과 공핍형을 위한 고체에 사용되지만 그림의 끊어진 선의 어색함은 이 구분이 종종 무시된다는 것을 의미한다. 다른 선은 게이트로 채널에 평행하게 그려진다.
보이는 대로 벌크 연결은 피모스나 엔모스를 나타내는 화살표를 갖는 채널의 뒤에 연결되어 보인다. 화살표는 항상 P에서 N으로 가리켜서 엔모스 (P우물이나 P기판에 N채널)는 안쪽을 가리키는 화살이 있다. 만약 벌크가 (일반적으로 부품소자의 경우처럼) 소스에 연결되어 있으면 트랜지스터를 떠나는 소스를 마주치기 위해 기울어진다. 만약 벌크가 (일반적으로 벌크가 공통인 IC 설계의 경우처럼) 보이지 않으면 역기호는 피모스를 가리키는 데 사용되기도 한다.
MOSFET 회로 기호
제이펫(JFET) 기호와 확장형과 공핍형 기호의 비교:
기호에서 벌크, 몸체, 터미널이 보인다. 여기서 내부적으로 소스에 연결되어 보인다. 이것은 일반적인 구성이며 아무의미없지만 중요한 구성이다. 일반적으로 모스펫은 4개의 단자 소자이고 집적회로에서 대부분의 모스펫은 몸체 연결을 공유하며 모든 트랜지스터의 소스단자에 연결할 필요가 없다.
MOSFET 모스펫 동작
금속 산화막 반도체 (MOS)의 구조는 반도체 기판위에 이산화 규소 (SiO2)로 된 공핍층과 금속층 (실제로 금속대신에 폴리실리콘이 사용됨)을 쌓아서 얻어진다. 이산화 규소가 유전체(誘電體, dielectric) 물질이므로 평행판 축전기의 두 금속 전극 중에서 하나를 반도체로 대체한 것과 같은 구조이다.
전압이 모스 구조에 인가됐을 때, 반도체에 있는 전하의 분포를 변경한다. ( 양공 밀도를 갖는) P형 반도체를 고려하면 양의  (그림 참조)는 양공의 농도를 감소시키고 전자의 농도를 증가시키는 경향이 있다. 만약 가 충분히 크다면 게이트에 가까운 곳에서는 음전하 운반자의 농도는 양전하 운반자의 농도보다 높아지는데 반전층(inversion layer)이라고 한다.
P형 몸체를 갖는 이 구조는 N형 모스펫의 바탕이 되고 여기에 N형 소스와 드레인 부분을 추가하여야 한다.
MOSFET 모스펫 동작
금속 산화막 반도체 장효과 트랜지스터 (MOSFET)는 모스 축전기에 의한 전하농도의 변화에 기초를 두고 있다. 두개의 단자(소스와 드레인)는 각각 분리되어 고농도로 도핑된 영역에 연결되어 있다. 이런 영역은 P형이나 N형이 될 수 있지만 두개는 반드시 동일한 형태이어야 한다. 고농도 도핑 영역은 일반적으로 도핑 형태에 따라서 '+'로 (오른쪽에 있는 그림을 참조) 표시된다. 이 두 영역은 이와 반대 형(type)으로 도핑된, 몸체라고 알려진, 영역에 의하여 분리되어있다. 이 영역은 고농도 도핑이 아니며 '+' 기호가 없다. 활성 영역은 모스 축전기를 구성하며 세 번째 전극, 즉 게이트가 되어 몸체 위에 있으며 산화층에 의해 다른 모든영역과 절연되어 있다.
MOSFET 모스펫 동작
만약 모스펫이 N채널 즉 엔모스펫이면 소스와 드레인은 'N+' 영역이고 몸체는 'P' 영역이다. 양의 게이트-소스 전압이 걸리면(게이트에 양 전압, 소스에 음 전압) P반도체의 몸체와 N+도핑된 접합부의 공핍층이 좁아지고 산화층 아래에 있는 P 영역의 표면에 전자가 축적되어 반전층(inversion layer) 즉,"N채널"을 형성한다. 이 채널은 소스와 드레인사이에 걸쳐있지만 게이트 전압이 소스에서 채널로 전자를 끌어당기기에 충분히 클때만 그곳을 통하여 전류가 흐른다. 게이트와 소스사이에 영 또는 음의 전압이 걸리면 채널은 사라지고 소스와 드레인 사이에 전류가 흐르지 않는다.
MOSFET 모스펫 동작
만약 모스펫이 P채널 즉 피모스펫이면 소스와 드레인은 'P+' 영역이고 몸체는 'N' 영역이다. 음의 게이트-소스 (게이트에 음 전압, 소스에 양 전압) 전압이 걸리면 N반도체 내에 P+도핑된 접합부의 공핍층이 좁아져 산화층 아래에 있는 N 영역의 표면에 정공이 축적되 반전층이 생겨 P채널을 형성한다. 이 채널은 소스와 드레인사이에 걸쳐있지만 게이트 전압이 소스에서 채널로 양공을 끌어당기기에 충분히 작을때만 전류가 흐른다. 영 근처 또는 양의 전압이 게이트와 몸체사이에 걸리면 채널은 사라지고 소스와 드레인 사이 전류가 흐르지 않는다.
소스는 채널을 통하여 흐를 전하 운반자 (N채널에서는 전자, P채널에서는 양공)가 샘솟는(source) 곳이기 때문에 붙여진 명칭이다; 마찬가지로 드레인 (drain)은 전하 운반자가 채널을 빠져 나가는 곳이다.
모스펫의 동작은 단자들에 걸리는 전압에 따라서 3개의 다른 영역으로 구분할 수 있다. 확장형 N채널 모스펫에서 동작 종류:
차단이나 역문턱 상태
일 때 여기서 는 소자의 문턱 전압(threshold voltage)이다.
MOSFET 모스펫 동작
기본적인 문턱모형에 따르면 트랜지스터는 차단되고 드레인과 소스사이의 전도는 없다. 사실은 전자 에너지의 볼츠만 분포로 인해, 소스에 있는 전자들중에서 에너지가 높은 일부분의 전자들이 채널로 들어가서 드래인으로 흐르는 것이 가능한데, 이것이 게이트-소스 전압의 지수 함수인 문턱아래 전류가 된다. 트랜지스터가 차단 스위치로 사용될 때 이상적으로는 드레인과 소스사이의 전류가 없어야 하지만, 미약한 역전류(inversion current)가 있어서 가끔 문턱아래 누설(subthreshold leakage)이라고 부른다.
선형 영역
와  인 경우.
트랜지스터가 켜지고, 채널이 형성되어 드레인과 소스사이에 전류가 흐르는 것을 허용한다. 모스펫은 소스와 드레인 전압과 관련된 게이트 전압에 의하여 제어되는 저항처럼 동작한다. 드레인에서 소스로의 전류는 아래와 같은 형태이다:
위의 는 전하 운반자의 유효이동도이며, 는 게이트 폭, 은 게이트 길이이고 는 단위면적당 게이트 산화층의 정전용량이다. 지수적인 역문턱 영역에서 선형 영역까지의 변화는 방정식의 제안처럼 예민하지 않다.
포화 영역
와  인 경우.
스위치가 켜지고, 채널이 형성되어 드레인과 소스사이에 전류가 흐르는 것을 허용한다. 드레인 전압이 게이트 전압보다 높아서 채널중의 일부분이 없어진다. 이 영역이 발생하는 것은 핀치오프라고도 알려져 있다. 드레인 전류는 이제 (일차 근사에서) 드레인 전압에 의존되지 않고 전류는 게이트-소스 전압에 의해서만 제어되며, 다음과 같은 형태이다:
채널 길이 변화 (얼리 효과)를 고려하기 위해 이 방정식에다 을 곱할 수 있다.
채널 길이가 아주 짧아지면, 전하 운반자의 이동은 유사-탄도성 전달(quasi ballistic transport)을 한다. 짧은 채널 효과가 크면, I-V 특성을 위의 방정식으로 근사시킬 수 없다. 차라리 포화 드레인 전류는 의 이차 함수가 아니라 거의 일차 함수에 가깝다.
몸체 효과는 소스-벌크 전압의 변화에 의한 문턱 전압의 변화를 기술하며, 아래의 수식으로 근사된다:
,
위에서 는 영 기판 바이어스, 는 몸체 효과 변수, 는 표면 전압 변수이다.
몸체는 또다른 하나의 게이트처럼 동작할 수 있고 가끔 “뒷문(back gate)" 라고 불린다; 몸체 효과는 가끔 뒷문 효과라고도 불린다. (https://web.archive.org/web/20141110225738/http://equars.com/~marco/poli/phd/node20.html)
MOSFET 모스펫의 우수성
1960년에 벨 연구소의 강대원(姜大元, Dawon David Khang)과 마틴 아탈라(Martin Atalla)는 금속 산화막 반도체 장효과 트랜지스터 (MOSFET)를 발명했다. 이론상으로 쇼클리의 트랜지스터와 달리 모스펫은 반도체 표면 위에 절연층을 얻은 다음 그 위에 금속 게이트 전극을 설치한다. 모스펫은 반도체로는 결정 실리콘을 사용하였고 절연층으로는 열로 산화된 이산화규소를 사용하였다. 뿐만 아니라 그것은 저렴한 생산비와 집적하기 쉬운 기술적 이점을 지녔으며, 실리콘 모스펫은 실리콘과 그것의 산화층 사이의 경계영역에 국부적인 전자 트랩 (경계 상태)을 생성하지 않고, 이전 트랜지스터의 성능을 떨어뜨리던 특성을 제거하였다. 이런 행운으로 떠오른 모스펫은 전자공학에서 주도적인 역할을 차지하게 되었다. 이것은 오늘날 정보 사회의 뿌리인 대규모 집적회로를 떠받치는 뜻밖의 발견이었다.
MOSFET 모스펫의 우수성
모스펫은 모든 실리콘 집적 회로의 기본요소가 되었다. 기본소자는 1920년대에 릴리언필드 (Lilienfeld)에 의하여 창안됐지만 그는 소자를 만들기 위한 어떠한 기반도 없었다. 실리콘 평판 공정은 1950년대 후반에 맥칼딘 (McCaldin)과 호어니 (Hoerni)에 의하여 창안하고 킬비 (Kilby)와 노이스 (Noyce)에 의하여 창안된 집적회로는 릴리언필드의 소자가 현대시대에서 구현하는 것이 가능하게한 필요하는 기반이었다. 아탈라 (Atalla)와 강 은 1950년대 후반에 현대의 모스펫을 설명하였고 홉스테인 (Hofstein)과 헤이만 (Heiman)은 1963년에 실리콘 평판 공정 플랫폼에서 모스펫의 구조에 대하여 설명하였다. 그러나 이 평판 모스펫은 쇼클리, 바딘, 브래튼에 의하여 개발된 접합형 트랜지스터 (BJT)에 비교해서 큰 의미를 가지지 못했다. 이 초기의 모스펫은 집적회로 설계에 사용하는게 매우 어려웠다. 왜냐하면 소스와 드레인을 고려한 게이트 배치의 불확실성과 게이트의 크기에 관련되어 느려지기 때문이다. 바우어 (Bower)는 마스크나 템플릿으로 게이트와 연관된 소스와 드레인의 배치를 정의하는 게이트 구조를 이용하여 이런 문제들을 해결하였다. 이 간단한 단계는 게이트 배치의 불확실성을 제거하여 집적회로 설계문제를 해결하고 소자의 구성에서 사용되는 이론적으로 가장 작은 게이트를 제공하여 속도문제도 해결한다. 바우어와 딜 (Dill) 은 금속이나 다결정(polycrystal) 실리콘으로 만든 스스로 정렬된 게이트 모스펫 (Self-Aligned-Gate MOSFET, SAGFET)을 설명하였다. 파긴 (Faggin)과 클라인 (Klein)은 1968년에 패어차일드에서 활동 실리콘 게이트 공정을 개발하였다. 실리콘 게이트 SAGFET는 1970년대에 모든 현대의 집적회로에 의하여 선택하여 사용된 소자가 되어 BJT를 능가하였다. 삭펫 (SAGFET)은 인류 역사에서 인간이 만든 무기물 구조에서 가장 많이 생산하게 되었다.
MOSFET 모스펫의 우수성
마이크로프로세서같은 디지털 기술의 성장으로 모스펫 기술은 다른 실리콘기반 트랜지스터보다 빠르게 발전하게 되었다. 모스펫 성공의 주요 요인은 p-채널과 n-채널 모스펫을 기본소자로 사용한 디지털 시모스 논리회로의 개발이었다. 시모스 논리회로의 가장 큰 장점은 전류가 흐르지 않으므로(이상적으로) 논리 게이트에 대한 입력이 스위칭될 때를 제외하고는 전력 손실이 없다는 것이다. 시모스는 각 p모스펫을 n모스펫으로 보완하고 두개의 게이트와 두개의 드레인을 서로 연결하여 이것을 성취하였다. 게이트 전압이 높으면 n모스펫은 도전성을 띠고 p모스펫이 도전성을 띠지 않으며, 게이트 전압이 낮으면 이와 반대현상이 일어난다. 스위칭이 일어나는 시간 동안 전압은 상태가 바뀌며 짧은 순간 양쪽 모두 도전상태가 된다. 이와 같은 배치로 전력 손실과 발열이 현저히 감소한다. 집적회로에서는 더 많은 트랜지스터를 더 작은 칩으로 집적하기 때문에 과열은 중요한 해결과제였다.
MOSFET 모스펫의 우수성
디지털 스위치에서 모스펫의 또다른 이점은 게이트를 통하여 흐르는 DC전압을 방지하는 게이트와 채널사이의 산화층으로 더욱 전력소비를 감소시키고 입력 임피던스를 크게한다는 것이다. 게이트와 채널사이의 산화 절연층은 논리회로에서 한 단계의 모스펫을 선행단계 및 후행단계로부터 효과적으로 절연함으로써 하나의 모스펫 출력으로 다수의 모스펫 입력에 가할 수 있다. (TTL 같은) 접합형 트랜지스터를 기반으로 하는 논리회로는 이와 같은 높은 팬아웃 능력을 갖지 못한다. 이와 같은 절연에 의해 설계자는 독립적인 논리 단계사이의 부하 효과를 어느 범위까지 무시할 수 있다. 그 범위는 동작 주파수에 의하여 정해진다: 주파수가 증가할 때, 모스펫의 입력 임피던스는 감소한다.