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CMOS 역사
1948년에 바딘과 브래튼은 MOSFET의 전신인 역전층을 가진 절연 게이트 FET(IGFET)의 특허를 받았다. 바딘의 특허와 역전층의 개념은 오늘날 CMOS 기술의 기반을 이룬다. PMOS와 NMOS 공정을 모두 결합한 새로운 유형의 MOSFET 논리가 페어차일드의 지탕 샤와 프랭크 완라스에 의해 개발되었는데, 이를 상보형 MOS(CMOS)라고 불렀다. 1963년 2월, 그들은 이 발명을 연구 논문으로 발표했다. 연구 논문과 완라스가 출원한 특허 모두에서 CMOS 소자의 제조는 드레인 접촉부와 소스 접촉부 사이에 이산화 규소 층을 생성하기 위한 실리콘 기판의 열산화를 기반으로 개요되었다.
CMOS는 1960년대 후반 RCA (기업)에 의해 상용화되었다. RCA는 집적 회로 (IC) 설계를 위해 CMOS를 채택하여 1965년 미국 공군 컴퓨터용 CMOS 회로를 개발하고 1968년에는 288비트 CMOS SRAM 메모리 칩을 개발했다. RCA는 1968년에 4000 시리즈 집적회로에도 CMOS를 사용했으며, 20 μm 반도체 제조 공정으로 시작하여 다음 몇 년 동안 점차 10 µm 공정으로 확장했다.
CMOS 역사
CMOS 기술은 처음에는 당시 더 강력했던 NMOS에 비해 미국 반도체 산업에서 간과되었다. 그러나 CMOS는 낮은 전력 소비로 인해 일본 반도체 제조업체에 의해 빠르게 채택되고 더욱 발전되어 일본 반도체 산업의 성장을 이끌었다. 도시바는 1969년 일반 CMOS보다 낮은 전력 소비와 빠른 동작 속도를 가진 회로 기술인 C2MOS (클록 CMOS)를 개발했다. 도시바는 C2MOS 기술을 사용하여 1971년에 개발되고 1972년에 출시된 샤프 (기업)의 엘시 미니 발광 다이오드 포켓 계산기용 LSI 칩을 개발했다. 스와 세이코샤 (현재 세이코홀딩스)는 1969년 세이코 쿼츠 시계용 CMOS IC 칩 개발을 시작했으며, 1971년 세이코 아날로그 쿼츠 38SQW 시계를 출시하며 양산에 들어갔다. 최초의 양산 CMOS 소비자 전자 제품은 1970년에 출시된 해밀턴 펄사 "손목 컴퓨터" 디지털 시계였다. 낮은 전력 소비로 인해 CMOS 논리는 1970년대부터 계산기와 시계에 널리 사용되었다.
CMOS 역사
초기 마이크로프로세서는 1970년대 초 PMOS 프로세서였으며, 초기 마이크로프로세서 산업을 지배했다. 1970년대 후반까지 NMOS 마이크로프로세서가 PMOS 프로세서를 추월했다. CMOS 마이크로프로세서는 1975년 인터실 6100과 RCA CDP 1801과 함께 도입되었다. 그러나 CMOS 프로세서는 1980년대까지 지배적이지 않았다.
CMOS 역사
CMOS는 초기에는 NMOS 논리보다 느렸기 때문에 1970년대에는 NMOS가 컴퓨터에 더 널리 사용되었다. 인텔 5101 (1kb SRAM) CMOS 메모리 칩 (1974)의 액세스 타임은 800ns이었고, 당시 가장 빠른 NMOS 칩인 인텔 2147 (4kb SRAM) HMOS 메모리 칩 (1976)의 액세스 타임은 55/70ns이었다. 1978년, 도시히로 마수하라가 이끄는 히타치 제작소 연구팀은 3 µm 공정으로 제조된 HM6147 (4kb SRAM) 메모리 칩과 함께 트윈웰 Hi-CMOS 공정을 도입했다. 히타치 HM6147 칩은 인텔 2147 HMOS 칩과 동일한 성능 (55/70ns 액세스)을 달성할 수 있었고, HM6147은 2147 (110mA)보다 훨씬 적은 전력 (15mA)을 소비했다. 비슷한 성능과 훨씬 적은 전력 소비로 인해 트윈웰 CMOS 공정은 1980년대 컴퓨터의 가장 일반적인 반도체 제조 공정으로 NMOS를 결국 추월했다.
CMOS 역사
1980년대에 CMOS 마이크로프로세서가 NMOS 마이크로프로세서를 추월했다. 1989년 목성 궤도에 진입한 NASA의 갈릴레오 우주선은 낮은 전력 소비로 인해 RCA 1802 CMOS 마이크로프로세서를 사용했다.
인텔은 1983년에 CMOS 반도체 제조를 위한 1.5 µm 공정을 도입했다. 1980년대 중반, IBM의 비잔 다바리는 고성능, 저전압, 딥 서브마이크론 CMOS 기술을 개발하여 더 빠른 컴퓨터뿐만 아니라 휴대용 컴퓨터 및 배터리 구동 핸드헬드 전자 기기의 개발을 가능하게 했다. 1988년 다바리는 고성능 250 나노미터 CMOS 공정을 시연하는 IBM 팀을 이끌었다.
후지쯔는 1987년에 700nm CMOS 공정을 상용화했고, 히타치 제작소, 미쓰비시 전기, NEC, 도시바는 1989년에 500nm CMOS를 상용화했다. 1993년에는 소니그룹이 350nm CMOS 공정을 상용화했고, 히타치와 NEC는 250nm CMOS를 상용화했다. 히타치는 1995년에 160nm CMOS 공정을 도입했고, 미쓰비시는 1996년에 150nm CMOS를, 그리고 삼성전자는 1999년에 140nm CMOS를 도입했다.
2000년, 구르테즈 싱 산두와 마이크론 테크놀로지의 트룽 T. 도안은 원자층 증착 고유전율 유전체 박막을 발명하여 비용 효율적인 90 나노미터 CMOS 공정 개발로 이어졌다. 도시바와 소니는 2002년에 65 nm CMOS 공정을 개발했고, TSMC는 2004년에 45 nm CMOS 로직 개발을 시작했다. 마이크론 테크놀로지의 구르테즈 싱 산두가 피치 더블 패터닝을 개발하면서 2000년대에 30nm급 CMOS가 개발되었다.
CMOS는 대부분의 현대 LSI 및 VLSI 장치에 사용된다. 2010년 현재, 매년 최고의 전성비를 가진 CPU는 1976년부터 CMOS 정적 논리였다. 2019년 현재 평면 CMOS 기술은 여전히 가장 일반적인 형태의 반도체 소자 제조이지만, 20nm 미만의 반도체 노드를 제조할 수 있는 비평면 핀펫 기술로 점차 대체되고 있다.
CMOS 기술적 세부 사항
"CMOS"는 특정 스타일의 디지털 회로 설계와 해당 회로를 집적 회로(칩)에 구현하는 데 사용되는 프로세스 패밀리를 모두 지칭한다. CMOS 회로는 저항 부하가 있는 논리 계열보다 적은 전력을 소모한다. 이러한 장점이 증가하고 중요해지면서 CMOS 공정과 변형이 지배적이 되었으므로, 대부분의 현대 집적 회로 제조는 CMOS 공정에서 이루어진다. CMOS 논리는 NMOS 논리 전력의 약 7분의 1, 바이폴라 트랜지스터-트랜지스터 논리 (TTL) 전력의 약 천만 분의 1을 소비한다.
CMOS 회로는 p형 및 n형 금속 산화물 반도체 전계효과 트랜지스터 (MOSFET)의 조합을 사용하여 논리 회로 및 기타 디지털 회로를 구현한다. CMOS 논리는 시연을 위해 개별 소자로 구현될 수 있지만, 상업용 CMOS 제품은 직경 10mm에서 400mm2 사이의 직사각형 규소 조각 위에 수십억 개의 양극성 트랜지스터로 구성된 집적 회로이다.
CMOS는 항상 모든 강화 모드 MOSFET을 사용한다 (즉, 게이트-소스 전압이 0이면 트랜지스터가 꺼진다).
CMOS 반전
CMOS 회로는 모든 p형 금속 산화물 반도체 (PMOS) 트랜지스터가 전압 소스 또는 다른 PMOS 트랜지스터로부터 입력을 받도록 구성된다. 마찬가지로 모든 NMOS 트랜지스터는 접지 또는 다른 NMOS 트랜지스터로부터 입력을 받도록 구성된다. PMOS 트랜지스터의 구성은 낮은 게이트 전압이 인가될 때 소스와 드레인 접촉부 사이에 낮은 저항을 생성하고, 높은 게이트 전압이 인가될 때 높은 저항을 생성한다. 반면에 NMOS 트랜지스터의 구성은 낮은 게이트 전압이 인가될 때 소스와 드레인 사이에 높은 저항을 생성하고, 높은 게이트 전압이 인가될 때 낮은 저항을 생성한다. CMOS는 모든 nMOSFET을 pMOSFET으로 보완하고 두 게이트와 두 드레인을 함께 연결함으로써 전류 감소를 달성한다. 게이트에 높은 전압이 가해지면 nMOSFET이 전도하고 pMOSFET은 전도하지 않으며, 게이트에 낮은 전압이 가해지면 그 반대가 된다. 이러한 배열은 전력 소비와 발열을 크게 줄인다. 그러나 스위칭 시간 동안 게이트 전압이 한 상태에서 다른 상태로 전환될 때 pMOS 및 nMOS MOSFET이 모두 잠시 전도한다. 이는 전력 소비에 짧은 스파이크를 유도하며 고주파수에서 심각한 문제가 된다.
CMOS 반전
인접한 이미지는 입력이 PMOS 트랜지스터(다이어그램 위쪽)와 NMOS 트랜지스터(다이어그램 아래쪽)에 모두 연결되었을 때 발생하는 일을 보여준다. Vdd는 전원 공급 장치에 연결된 양의 전압이고 Vss는 접지이다. A는 입력이고 Q는 출력이다.
A의 전압이 낮을 때 (즉, Vss에 가까울 때), NMOS 트랜지스터의 채널은 고저항 상태에 있어 Vss를 Q에서 분리한다. PMOS 트랜지스터의 채널은 저저항 상태에 있어 Vdd를 Q에 연결한다. 따라서 Q는 Vdd를 기록한다.
반면에 A의 전압이 높을 때 (즉, Vdd에 가까울 때), PMOS 트랜지스터는 고저항 상태에 있어 Vdd를 Q에서 분리한다. NMOS 트랜지스터는 저저항 상태에 있어 Vss를 Q에 연결한다. 이제 Q는 Vss를 기록한다.
요약하자면, PMOS 및 NMOS 트랜지스터의 출력은 상보적이어서 입력이 낮으면 출력이 높고, 입력이 높으면 출력이 낮다. 입력이 무엇이든 출력은 절대 플로팅 상태로 남지 않는다 (배선 커패시턴스 및 전기적 드레인/접지 부족으로 인해 전하가 저장되지 않는다). 이러한 입력 및 출력 동작으로 인해 CMOS 회로의 출력은 입력의 반전이다.
CMOS 반전
트랜지스터의 저항은 절대 정확히 0 또는 무한대가 아니므로 Q는 절대 정확히 Vss 또는 Vdd와 같지 않지만, Q는 항상 A가 Vdd에 가까웠던 것보다 Vss에 더 가깝다 (또는 A가 Vss에 가까웠다면 그 반대). 이러한 증폭이 없으면 직렬로 연결할 수 있는 논리 게이트 수에 매우 낮은 한계가 있을 것이고, 수십억 개의 트랜지스터가 있는 CMOS 논리는 불가능할 것이다.
CMOS의 전원 공급 핀은 제조업체에 따라 VDD 및 VSS 또는 VCC 및 접지(GND)라고 불린다. VDD 및 VSS는 기존 MOS 회로에서 유래한 것으로, 드레인 및 소스 전원을 나타낸다. 이들은 CMOS에 직접 적용되지 않는데, 실제로는 두 전원 모두 소스 전원이기 때문이다. VCC 및 접지는 TTL 논리에서 유래한 것이며, 54C/74C 계열의 CMOS 도입과 함께 해당 명칭이 유지되었다.
CMOS 반전
CMOS 회로의 중요한 특성은 PMOS 트랜지스터와 NMOS 트랜지스터 사이에 존재하는 이중성이다. CMOS 회로는 항상 출력에서 전원 또는 접지로 경로가 존재하도록 만들어진다. 이를 달성하기 위해 전압 소스로 가는 모든 경로의 집합은 접지로 가는 모든 경로의 집합의 보수여야 한다. 이는 다른 하나를 NOT으로 정의함으로써 쉽게 달성할 수 있다. 드 모르간의 법칙에 기반한 논리 때문에 병렬의 PMOS 트랜지스터는 직렬의 해당 NMOS 트랜지스터를 가지며, 직렬의 PMOS 트랜지스터는 병렬의 해당 NMOS 트랜지스터를 갖는다.
AND 및 OR 게이트를 포함하는 것과 같은 더 복잡한 논리 함수는 논리를 나타내기 위해 게이트 간의 경로를 조작해야 한다. 경로가 직렬로 연결된 두 개의 트랜지스터로 구성된 경우, 두 트랜지스터 모두 해당 공급 전압에 대해 낮은 저항을 가져야 하며, 이는 AND를 모델링한다. 경로가 병렬로 연결된 두 개의 트랜지스터로 구성된 경우, 두 트랜지스터 중 하나 또는 둘 다 공급 전압을 출력에 연결하기 위해 낮은 저항을 가져야 하며, 이는 OR을 모델링한다.
CMOS 반전
오른쪽에는 CMOS 논리의 NAND 게이트 회로도가 나와 있다. A와 B 입력이 모두 높으면, 두 NMOS 트랜지스터(다이어그램의 아래쪽 절반)가 모두 전도하고, PMOS 트랜지스터(위쪽 절반)는 전도하지 않으며, 출력과 Vss(접지) 사이에 전도성 경로가 형성되어 출력이 낮아진다. A와 B 입력이 모두 낮으면, NMOS 트랜지스터는 전도하지 않지만, 두 PMOS 트랜지스터는 전도하여 출력과 Vdd(전압 소스) 사이에 전도성 경로가 형성되어 출력이 높아진다. A 또는 B 입력 중 하나라도 낮으면, 하나의 NMOS 트랜지스터는 전도하지 않고, 하나의 PMOS 트랜지스터는 전도하며, 출력과 Vdd(전압 소스) 사이에 전도성 경로가 형성되어 출력이 높아진다. 두 입력 모두 높을 때만 출력이 낮은 결과가 나오므로, 이 회로는 NAND (NOT AND) 논리 게이트를 구현한다.
CMOS 반전
NMOS 논리에 비해 CMOS의 장점은 (PMOS) 풀업 트랜지스터가 켜졌을 때 낮은 저항을 가지므로, NMOS 논리의 부하 저항과 달리 낮음-높음 및 높음-낮음 출력 전환이 빠르다는 것이다. 또한 출력 신호는 낮음 및 높음 레일 사이의 전체 전압으로 스윙한다. 이러한 강력하고 더 대칭적인 응답은 CMOS를 노이즈에 더 강하게 만든다.
CMOS 회로의 지연 계산 방법에 대해서는 논리적 노력을 참조한다.
이 예시는 제조될 때의 물리적 표현으로 그려진 NAND 논리 소자를 보여준다. 물리적 배치 관점은 여러 층의 스택을 "조감도"로 본 것이다. 회로는 p형 기판 위에 구성된다. 폴리실리콘, 확산 및 n-웰은 "기저층"이라고 불리며, 실제로는 p형 기판의 트렌치에 삽입된다. (아래 오른쪽 공정 다이어그램의 1단계부터 6단계 참조) 접촉부는 기저층과 첫 번째 금속층(metal1) 사이의 절연층을 관통하여 연결을 만든다.
NAND의 입력(녹색)은 폴리실리콘으로 되어 있다. 트랜지스터(소자)는 폴리실리콘과 확산의 교차점에 의해 형성된다. N 소자는 N 확산으로, P 소자는 P 확산으로 형성된다(각각 연어색과 노란색으로 표시). 출력("out")은 금속(청록색으로 표시)으로 함께 연결된다. 금속과 폴리실리콘 또는 확산 사이의 연결은 접촉부(검은색 사각형으로 표시)를 통해 이루어진다. 물리적 배치 예시는 이전 예시에서 주어진 NAND 논리 회로와 일치한다.
N형 소자는 p형 기판 위에 제조되는 반면, P형 소자는 n형 웰(n-웰)에 제조된다. p형 기판 "탭"은 VSS에 연결되고 n형 n-웰 탭은 VDD에 연결되어 래치업을 방지한다.
CMOS 전력: 스위칭 및 누설
CMOS 논리는 스위칭할 때만 전력을 소모하므로("동적 전력"), NMOS 논리 회로보다 적은 전력을 소모한다. 현대 90 나노미터 공정의 일반적인 ASIC에서 출력 스위칭은 120피코초가 걸릴 수 있으며, 10나노초마다 한 번씩 발생한다. NMOS 논리는 트랜지스터가 켜져 있는 동안 항상 전력을 소모하는데, 부하 저항과 n형 네트워크를 통해 Vdd에서 Vss로 전류 경로가 있기 때문이다.
정적 CMOS 게이트는 유휴 상태일 때 거의 0의 전력을 소모하므로 매우 전력 효율적이다. 이전에는 CMOS 장치의 전력 소비가 칩 설계에서 주요 관심사가 아니었다. 속도 및 면적과 같은 요소가 설계 매개변수를 지배했다. CMOS 기술이 서브마이크론 수준 이하로 내려가면서 칩 단위 면적당 전력 소비가 엄청나게 증가했다.
크게 분류하면 CMOS 회로의 전력 소모는 정적 및 동적 두 가지 구성 요소로 인해 발생한다.
CMOS 전력: 스위칭 및 누설
NMOS 및 PMOS 트랜지스터 모두 게이트-소스 문턱 전압 (Vth)을 가지며, 이 전압 미만에서는 장치를 통과하는 전류(서브 스레스홀드 전류라고 함)가 지수적으로 감소한다. 역사적으로 CMOS 회로는 문턱 전압보다 훨씬 큰 공급 전압에서 작동했다 (Vdd는 5V일 수 있었고, NMOS 및 PMOS 모두의 Vth는 700mV일 수 있었다). 일부 CMOS 회로에 사용되는 특수 유형의 트랜지스터는 문턱 전압이 거의 0인 네이티브 트랜지스터이다.
SiO2는 좋은 절연체이지만, 매우 작은 두께 수준에서는 전자가 매우 얇은 절연층을 터널링할 수 있다. 이 확률은 산화물 두께에 따라 지수적으로 감소한다. 터널링 전류는 게이트 산화막이 20Å 이하인 130nm 기술 미만의 트랜지스터에서 매우 중요해진다.
역방향 누설 전류는 확산 영역과 웰(예: p형 확산 대 n-웰), 웰과 기판(예: n-웰 대 p-기판) 사이에 역바이어스가 형성되어 발생한다. 현대 공정에서는 다이오드 누설 전류가 서브스레스홀드 전류 및 터널링 전류에 비해 매우 작으므로 전력 계산 시 무시할 수 있다.
CMOS 전력: 스위칭 및 누설
비율이 일치하지 않으면 PMOS와 NMOS의 전류가 다를 수 있으며, 이는 불균형을 초래하고 부적절한 전류로 인해 CMOS가 불필요하게 가열되고 전력을 소모하게 된다. 또한 최근 연구에 따르면 누설 전력은 장치의 속도가 느려지는 대신 노화 효과로 인해 감소하는 것으로 나타났다.
CMOS 전력: 스위칭 및 누설
설계 속도를 높이기 위해 제조업체들은 더 낮은 전압 문턱값을 가진 구조로 전환했지만, 이로 인해 Vth가 200mV인 최신 NMOS 트랜지스터는 상당한 서브스레스홀드 누설 전류를 갖는다. 활발하게 스위칭하지 않는 방대한 수의 회로를 포함하는 설계(예: 데스크톱 프로세서)는 이 누설 전류 때문에 여전히 전력을 소비한다. 누설 전력은 이러한 설계에서 소비되는 총 전력의 상당 부분을 차지한다. 현재 파운드리에서 제공되는 다중 문턱 CMOS (MTCMOS)는 누설 전력을 관리하는 한 가지 접근 방식이다. MTCMOS를 사용하면 스위칭 속도가 중요하지 않을 때에는 높은 Vth 트랜지스터가 사용되고, 속도에 민감한 경로에는 낮은 Vth 트랜지스터가 사용된다. 기존 게이트 유전체인 이산화 규소 대신 더 얇은 게이트 유전체를 사용하는 추가적인 기술 발전은 극도로 얇은 게이트 유전체를 통한 전류 터널링으로 인해 추가적인 누설 성분을 갖는다. 고유전율 유전체를 사용하는 것은 기존 게이트 유전체인 이산화 규소 대신 더 두꺼운 게이트 절연체로 유사한 장치 성능을 허용하므로 이 전류를 피할 수 있다. 새로운 재료 및 시스템 설계를 사용한 누설 전력 감소는 CMOS 확장을 유지하는 데 매우 중요하다.
CMOS 전력: 스위칭 및 누설
CMOS 회로는 스위칭될 때마다 다양한 부하 커패시턴스(주로 게이트 및 와이어 커패시턴스, 또한 드레인 및 일부 소스 커패시턴스)를 충전함으로써 전력을 소모한다. CMOS 논리의 한 완전한 사이클에서 전류는 VDD에서 부하 커패시턴스로 흘러 이를 충전하고, 그 다음 충전된 부하 커패시턴스(CL)에서 방전하는 동안 접지로 흐른다. 따라서 한 완전한 충전/방전 사이클에서 총 Q=CLVDD가 VDD에서 접지로 전달된다. 이를 부하 커패시턴스의 스위칭 주파수로 곱하여 사용되는 전류를 얻고, 평균 전압으로 다시 곱하여 CMOS 장치에서 소모되는 특성 스위칭 전력을 얻는다: .
대부분의 게이트는 모든 클럭 주기마다 작동/스위칭하지 않으므로, 활동 계수(activity factor) 가 함께 사용되는 경우가 많다. 이제 동적 전력 소모는 로 다시 쓸 수 있다.
시스템의 클럭은 매 주기마다 상승하고 하강하므로 활동 계수 α=1이다. 대부분의 데이터는 활동 계수가 0.1이다. 노드의 정확한 부하 커패시턴스와 활동 계수가 추정되면 해당 노드의 동적 전력 소모를 효과적으로 계산할 수 있다.
pMOS와 nMOS 모두에 대해 유한한 상승/하강 시간이 존재하므로, 예를 들어 오프에서 온으로 전환하는 동안 두 트랜지스터 모두 짧은 시간 동안 켜져 있어 전류가 VDD에서 접지로 직접 경로를 찾게 되며, 이로 인해 단락 전류가 발생한다. 이 전류는 때때로 크로우바 전류라고 불린다. 단락 전력 소모는 트랜지스터의 상승 및 하강 시간에 따라 증가한다.
이러한 형태의 전력 소비는 칩의 전선이 좁아지고 긴 전선이 더 저항성을 띠게 되면서 1990년대에 중요해졌다. 이러한 저항성 전선의 끝에 있는 CMOS 게이트는 느린 입력 전환을 경험한다. 약하게 구동되는 길고 얇은 전선을 피하는 세심한 설계는 이러한 효과를 줄이지만, 크로우바 전력은 동적 CMOS 전력의 상당 부분을 차지할 수 있다.
CMOS 입력 보호
CMOS 구조에 내재된 기생 트랜지스터는 정상 작동 범위를 벗어나는 입력 신호, 예를 들어 정전기 방전이나 선 반사에 의해 켜질 수 있다. 그 결과 발생하는 래치업은 CMOS 장치를 손상시키거나 파괴할 수 있다. 이러한 신호를 처리하기 위해 CMOS 회로에는 클램프 다이오드가 포함되어 있다. 제조업체의 데이터 시트는 다이오드를 통해 흐를 수 있는 최대 허용 전류를 지정한다.
CMOS 아날로그 CMOS
디지털 응용 분야 외에도 CMOS 기술은 아날로그 응용 분야에도 사용된다. 예를 들어, 시장에는 CMOS 연산 증폭기 IC가 있다. 전송 게이트는 신호 릴레이 대신 아날로그 멀티플렉서로 사용될 수 있다. CMOS 기술은 혼합 신호 (아날로그 + 디지털) 응용 분야에서 RF 회로에 이르기까지 마이크로파 주파수까지 널리 사용된다.
RF CMOS는 혼합 신호 CMOS 집적 회로 기술을 기반으로 하는 RF 회로 (무선 주파수 회로)를 의미한다. 이들은 무선 통신 기술에 널리 사용된다. RF CMOS는 1980년대 후반 UCLA에서 근무하던 아사드 아비디가 개발했다. 이는 RF 회로 설계 방식을 변화시켜 무선 송수신기에서 개별 바이폴라 트랜지스터를 CMOS 집적 회로로 대체하게 만들었다. 이로 인해 정교하고 저렴하며 휴대 가능한 최종 사용자 단말기가 가능해졌고, 광범위한 무선 통신 시스템을 위한 작고 저렴하며 저전력의 휴대 가능한 장치들이 탄생했다. 이는 "언제 어디서나" 통신을 가능하게 하고 무선 혁명을 가져오는 데 기여하여 무선 산업의 급속한 성장을 이끌었다.
CMOS 아날로그 CMOS
모든 현대 무선 네트워크 장치 및 휴대 전화의 베이스밴드 프로세서 및 무선 송수신기는 RF CMOS 장치를 사용하여 대량 생산된다. RF CMOS 회로는 인공위성 기술(예: GPS), 블루투스, 와이파이, 근거리 무선 통신 (NFC), 모바일 네트워크 (예: 3세대 이동 통신 및 4세대 이동 통신), 지상파 방송, 자동차 레이더 응용 분야 등 다양한 응용 분야에서 무선 신호를 송수신하는 데 널리 사용된다.
상업용 RF CMOS 칩의 예로는 인텔의 DECT 무선 전화기와 아테로스 및 기타 회사들이 제작한 802.11 (와이파이) 칩이 있다. 상업용 RF CMOS 제품은 블루투스 및 무선랜 (WLAN) 네트워크에도 사용된다. RF CMOS는 GSM, 와이파이, 블루투스와 같은 무선 표준의 무선 송수신기, 3G와 같은 모바일 네트워크의 송수신기, 무선 센서 네트워크 (WSN)의 원격 장치에도 사용된다.
RF CMOS 기술은 무선 네트워크 및 이동 통신 장치를 포함한 현대 무선 통신에 필수적이다. RF CMOS 기술을 상용화한 회사 중 하나는 인피니언이다. 이 회사의 벌크 CMOS RF 스위치는 매년 10억 개 이상 판매되며, 2018년 기준 누적 50억 개에 달했다.
CMOS 온도 범위
일반적인 CMOS 장치는 -55°C에서 +125°C 범위에서 작동한다.
2008년 8월 초에 규소 CMOS가 -233°C (40 K)까지 작동할 것이라는 이론적 지표가 있었다. 40K 근처의 작동 온도는 이후 액체 질소와 액체 헬륨 냉각의 조합으로 오버클럭된 AMD 페넘 II 프로세서를 사용하여 달성되었다.
탄화 규소 CMOS 장치는 500°C에서 1년 동안 테스트되었다.
CMOS 단일 전자 MOS 트랜지스터
초소형 (L = 20nm, W = 20nm) MOSFET은 -269°C (4 K)에서 약 -258°C (15 K) 범위의 극저온에서 작동할 때 단일 전자 한계에 도달한다. 트랜지스터는 전자가 하나씩 점진적으로 충전됨에 따라 쿨롱 블로케이드를 나타낸다. 채널에 갇힌 전자의 수는 게이트 전압에 의해 구동되며, 0개의 전자 점유로 시작하여 1개 또는 여러 개로 설정할 수 있다.
CMOS 더 읽어보기
Bader, S.J.; Lee, H.; Chaudhuri, R.; Huang, S.; Hickman, A.; Molnar, A.; Xing, H.G.; Jena, D.; W. Then, H.; Chowdhury, N.; Palacios, T. (October 2020). 《Prospects for Wide Bandgap and Ultrawide Bandgap CMOS Devices》 (PDF). 《IEEE Transactions on Electron Devices》 67. 4010–20쪽. Bibcode:2020ITED...67.4010B. doi:10.1109/TED.2020.3010471. S2CID 221913316.
김인태 (1904년)
김인태(金仁泰, 1904년 - 1960년)는 대한민국의 정치인이다. 농업고등학교를 졸업하고 화성군청 산업과장, 군수, 제2대 국회의원을 역임하였다.
1960년 6월 12일, 대한민국 제5대 국회의원 선거를 준비하던 도중, 수원에서 서울로 이동하기 위해 탔던 지프차가 다른 차량을 피하려다가 낭떠러지에 굴러떨어졌다. 큰 부상을 입었고, 얼마 후 사망했다.
하원
하원(下院, 영어: Lower House)는 상원과 함께 양원제를 구성하는 국회 중 하나이다.
일반적으로 하원은 국민의 평등선거에 의해 선출되며, 상원과는 임기, 선출 방식 중 어느 하나에서는 차등을 둔다. 제도에 따라서 하원이 상원에 비해 더 우월한 권리를 갖는 경우가 있고, 하원과 상원의 역할이 거의 비슷한 경우도 있다.
하원 세계의 하원
하원의원은 435명으로 구성된다. 각 주에서 선출하는 하원의원의 수는 인구비례에 따라 정해진다. 캘리포니아주처럼 인구가 많은 주에서는 의원을 52명이나 선출하는 반면, 사우스다코타주, 버몬트주, 알래스카주와 같이 인구가 적은 주는 각각 한 명의 하원의원을 뽑는다. 하원의 고유 권한에는 연방 고위 공무원에 대한 탄핵권과 세법 상정권이 있다.
상원
상원(上院, 영어: Upper House, Senate)는 양원제 입법부의 두 원 중 하나이며, 대조되는 원은 하원이다. 공식적으로 상원으로 지정된 원은 일반적으로 하원보다 규모가 작고 권한이 더 제한적인 경우가 많다. 단 하나의 원으로 구성된(따라서 상원도 하원도 없는) 입법부는 단원제로 설명된다.
상원 역사
기원전 755년 로마 원로원이 왕에게 조언하는 최초의 귀족 회의였지만, 양원제 입법부의 최초 상원은 1341년경 에드워드 3세 재위 기간 동안 의회가 명확히 두 개의 별개의 원인 지역 및 자치구 대표로 구성된 잉글랜드 하원과 대주교, 주교, 수도원장 및 귀족으로 구성된 영국 상원으로 분리되면서 등장한 중세 영국 상원이었다.
1808년 스페인은 조제프 보나파르트를 스페인 국왕으로 정당화하기 위해 바이욘 헌법을 채택했다. 이 헌법은 완전히 시행되지는 않았지만, 스페인에서는 자유주의 개혁이 이루어졌다. 나폴레옹 침공에 대한 저항 과정에서 스페인은 1812년 자유주의 헌법을 채택했다. 1834년 마리아 크리스티나 디 보르보네두에시칠리에 왕녀는 스페인 하원과 함께 동료 의회 (스페인)를 설립했다. 1837년 헌법에 따라 이 기관은 스페인 상원으로 명명되었다. 의원은 왕자, 세습 귀족 및 성직자, 그리고 인구 8만 5천 명당 한 명의 임명된 의원으로 구성되었다. 스페인 상원은 1923년에 폐지되었고, 1977년에는 대신 선출된 지역 의회가 설립되었다.
상원 역사
스페인의 사례를 따라, 자유주의적 사고를 가진 빈티스타들은 포르투갈을 통치하고 1822년 헌법을 채택할 수 있었다. 이후 자유주의 전쟁 동안 가장 가치 있는 동료 의회가 1826년에 코르테스 제네랄레스의 상원으로 설립되었다. 90명의 의원은 포르투갈 국왕에 의해 지명되었다. 9월 혁명은 1838년부터 1842년까지 상원을 폐지하고 선출된 상원을 선호했으며, 1826년 헌법이 복원되었다. 1911년 상원은 폐지되었고, 양원제 의회인 의회가 설립되었으며, 다시 상원이 지역 대표성을 가졌다.
1831년, 네덜란드로부터 독립한 후 벨기에는 헌법을 채택했는데, 이 헌법에 따라 상원 의원은 일부는 국왕이 임명하고 일부는 지방 당국이 선출했다.
프로이센 주의회는 1850년부터 프로이센 하원 외에 프로이센 귀족원을 가졌다. 제국의회 (오스트리아)는 1861년부터 하원 (오스트리아) 외에 귀족원 (오스트리아)을 가졌다.
1889년 일본 제국은 최초의 근대 일본 제국 헌법에 따라 귀족원 (일본)을 프로이센 귀족원을 본떠 만들었다. 1947년 헌법에 따라 상원은 미국 상원을 본뜬 참의원 (일본)으로 대체되었다.
상원 확실한 특정 특성
상원은 일반적으로 하원과 다음 중 적어도 한 가지 면에서 다르다(관할권/권한에 따라 다르지만):
권한:
의원내각제에서는 하원보다 권한이 훨씬 적은 경우가 많다. 따라서 특정 국가의 상원은:
헌법 개정과 같은 제한된 입법 사항에 대해서만 투표한다.
대부분의 법안, 특히 공급/예산, 재정 정책과 관련된 법안을 발의할 수 없다.
불신임 결의를 정부에 대해 투표할 수 없거나(또는 그러한 행위가 훨씬 드물다), 하원은 항상 가능하다.
대통령제에서는:
하원과 동등하거나 거의 동등한 권한을 가질 수 있다.
하원에게 부여되지 않은 특정 권한을 가질 수 있다. 예를 들어:
일부 행정 결정(예: 내각 장관, 판사 또는 대사 임명)에 대해 조언과 동의를 제공할 수 있다.
하원에서 통과된 권한 부여 결의에 따라 행정부 또는 심지어 사법부 공무원에 대한 탄핵 사건을 심리할(반드시 시작할 필요는 없는) 단독 권한을 가질 수 있다.
조약을 비준할 단독 권한을 가질 수 있다.
상원 확실한 특정 특성
이원집정부제에서는:
하원보다 권한이 적을 수 있다.
이원집정부제 프랑스에서는 정부가 Sénat의 동의 없이 일반법을 입법할 수 있지만(헌법 제45조),
헌법이나 지방 자치 단체와 관련하여 하원과 동등한 권한을 가질 수 있다.
정부에 대한 불신임 결의를 투표할 수는 없지만, 국가 사건을 조사할 수 있다.
하원의 심의를 위해 법안을 만들고 제안할 수 있다.
지위:
상원 권한
의원내각제에서 상원은 자주 자문 또는 "심의원"으로 여겨진다. 이러한 이유로 직접적인 행동 권한이 어떤 식으로든 축소되는 경우가 많다. 상원에 다음과 같은 제한이 자주 부과된다.
의원내각제 민주주의 국가 및 유럽 상원 중 이탈리아 상원은 이러한 일반적인 규칙에 대한 주목할 만한 예외인데, 이는 하원과 동일한 권한을 가지기 때문이다. 어떤 법률이든 양원에서 발의될 수 있으며, 양원에서 동일한 형태로 승인되어야 한다. 또한, 정부는 직무를 유지하기 위해 양원의 동의를 받아야 하는데, 이러한 위치를 "완전한 양원제" 또는 "동등한 양원제"라고 한다.
수정원으로서의 역할은 하원에서 성급하게 초안될 수 있는 법안을 심사하고, 하원이 원한다면 거부할 수 있는 수정안을 제안하는 것이다. 한 예로 영국의 영국 상원이 있다. 1911년과 1949년 의회법에 따라 상원은 더 이상 대부분의 법안 통과를 막을 수 없지만, 토론하고 수정안을 제안할 기회를 부여받아야 하며, 이로써 동의하지 않는 법안의 통과를 지연시킬 수 있다. 법안은 하원이 의회법을 사용할 수 있을 때까지 최대 1년 동안 지연될 수 있지만, 경제 법안은 한 달 동안만 지연될 수 있다.
상원 권한
영국 상원은 때때로 영국의 성문되지 않은 헌법과 중요한 시민 자유를 성급한 변경으로부터 보호하는 특별한 역할을 하는 것으로 여겨진다.
상원에는 법안을 저지하고 거부할 여러 가지 방법이 있지만, 하원은 결국 의회법을 사용하여 강제로 통과시킬 수 있다. 하원은 상원에서 통과된 수정안을 자주 수용하지만, 때로는 두 원이 헌법적 대치 상황에 도달하기도 한다. 예를 들어, 1999년 노동당 정부가 모든 세습 귀족을 상원에서 추방하려고 했을 때, 상원은 정부의 전체 입법 의제를 망가뜨리고 상원으로 보내지는 모든 법안을 저지하겠다고 위협했다. 이러한 대치는 당시 원내대표 대행이었던 크랜본 자작과 노동당 정부 간의 협상으로 이어졌고, 그 결과 1999년 상원법에 웨더릴 수정안이 추가되어 92명의 세습 귀족이 상원에 남게 되었다. 두 원 간의 타협과 협상은 의회법을 매우 드물게 사용되는 비상 계획으로 만들었다.
상원 권한
거부권이 없더라도 상원은 법안을 부결시킬 수 있다. 상원의 반대는 하원에 논란이 많은 조치를 재고하거나 심지어 포기할 기회를 줄 수 있다. 또한 법안을 지연시켜 입법 일정에 맞지 않거나, 총선거로 인해 법안을 진행하기를 원치 않는 새로운 하원이 구성될 때까지 지연시킬 수도 있다.
그럼에도 불구하고 일부 국가는 강력한 상원을 오랫동안 유지해 왔다. 예를 들어, 법안에 대한 상원의 동의가 필요할 수 있다(단, 위에서 언급했듯이 예산 조치에는 거의 해당되지 않는다). 강력한 상원을 가진 국가의 헌법적 체계는 일반적으로 두 원이 서로 불화할 때 상황을 해결할 수 있는 수단을 포함한다.
최근에는 의원내각제가 하원에 비해 상원의 권한을 약화시키는 경향을 보였다. 일부 상원은 완전히 폐지되었고, 다른 상원은 헌법적 또는 입법적 개정을 통해 권한이 축소되었다. 또한, 상원이 사소하거나 단순히 당파적인 이유로 정부 업무를 방해해서는 안 된다는 관행이 자주 존재한다. 이러한 관행은 시간이 지남에 따라 굳어지는 경향을 보였다.
일반적으로 주요 입법 제정 측면에서 하원에 헌법적으로 종속되지만, 의원내각제의 상원은 부수 입법 통과에 대해 더 큰 권한을 가질 수 있다. 예를 들어, 독일 연방상원과 영국 상원 모두 위임 입법을 완전히 거부할 수 있는 능력을 가지고 있다.
대통령제에서 상원은 자주 그 제한을 보상하기 위해 다른 권한을 부여받는다.
상원 기관 구조
상원 의원들이 구성되는 방식은 직접 또는 간접 선거, 임명 또는 이러한 방식들의 혼합 등 다양하다. 많은 상원은 직접 선출되지 않고 임명된다. 국가 원수, 정부 수반 또는 다른 방식으로 임명된다. 이는 일반적으로 선거에서 반드시 당선되지 않을 수도 있는 전문가 또는 기타 저명한 시민으로 구성된 원을 만들려는 의도이다. 예를 들어, 캐나다 상원 의원들은 총리의 조언에 따라 총독이 임명한다.
과거에는 영국 상원이 1999년까지, 일본 귀족원이 1947년에 폐지될 때까지 완전히 세습되는 의석을 가지고 있었다.
상원이 주 정부나 지방 공무원이 선출한 대표로 구성되는 것도 일반적이다. 인도의 라지야 사바 의원들은 다양한 주와 연방 직할지에 의해 지명되며, 이들 중 12명은 인도 대통령에 의해 지명된다. 마찬가지로 주 수준에서는 주 입법회(비단 파리샤드) 의원 중 3분의 1은 지방 정부에 의해 지명되고, 3분의 1은 현직 입법자들에 의해, 나머지는 선출된 유권자들에 의해 선출된다. 미국 상원은 1913년 미국 수정 헌법 제17조가 통과될 때까지 주 의회에 의해 선출되었다.
상원 기관 구조
상원은 직접 선출될 수 있지만 하원과는 다른 비율로 선출된다. 예를 들어, 오스트레일리아, 브라질, 미국의 상원은 인구와 상관없이 각 주에서 정해진 수의 선출된 의원을 가진다.
상원 폐지
많은 관할 구역은 한때 상원을 가지고 있었지만 단원제를 채택하기 위해 상원을 폐지했다. 여기에는 크로아티아, 덴마크, 에스토니아, 헝가리, 아이슬란드, 이란, 모리타니, 뉴질랜드, 페루, 스웨덴, 튀르키예, 베네수엘라, 많은 인도의 주, 브라질의 주, 캐나다의 주, 퀸즐랜드주와 같은 지방 자치 단체 및 일부 다른 관할 구역이 포함된다. 뉴펀들랜드는 캐나다에 합류하기 전까지 입법회를 가졌으며, 어퍼캐나다였던 온타리오주와 1791년(현재 로어캐나다로 알려진)부터 1968년까지 퀘벡주도 마찬가지였다.
네브래스카주는 하원을 1934년에 폐지하여 단원제 입법부를 가진 유일한 미국 주이며, 1934년 이전의 상원이었던 네브래스카 주의회는 계속해서 회의를 개최하고 있다.
퀸즐랜드주도 한때 임명된 입법회를 가지고 있었지만 1922년에 폐지했다. 다른 모든 오스트레일리아 주들은 계속해서 양원제를 유지하고 있지만, 모든 의원들은 현재 직접 선출된다 (두 자치 지역은 2016년까지 노퍽섬과 함께 항상 단원제였다).
상원 폐지
퀸즐랜드처럼, 독일의 바이에른주는 1946년부터 1999년까지 임명된 제2원인 바이에른 상원을 가지고 있었다.
필리핀 상원은 두 번 폐지되었다가 복원되었다. 1935년부터 1945년까지 단원제 국회가 소집되었을 때, 그리고 1972년부터 1987년까지 의회가 폐쇄되고 이후 단원제 의회를 수립하는 새로운 헌법이 승인되었을 때였다. 상원은 1941년 헌법 개정을 통해 양원제 의회 복원과 1987년 새 헌법 채택을 통해 다시 설립되었다.
이전 아일랜드 정부(제31대 다일)는 제24대 사너드 회기 동안 상원인 사너드 에런의 폐지에 대한 2013년 헌법 제32차 개정안 국민투표를 약속했다. 아일랜드 국민은 근소한 차이로 상원 유지를 찬성했다. 보수 성향의 피너 게일과 좌파 성향의 신 페인은 모두 폐지를 지지했지만, 중도 성향의 피어너 팔만이 주요 정당 중 유일하게 사너드 유지를 지지했다.
상원 각국의 상원
상원의원 100명으로 구성된다. 각 주의 크기나 인구에 관계없이 상원의원 두 명을 선출하는데 임기는 6년이다. 부통령이 상원을 관장한다. 상원은 몇 가지 고유한 권한을 가진다. 첫째, 하원이 연방 고위 공무원을 탄핵하고자 할 때 탄핵재판을 열 수 있는 권한이 있다. 둘째, 대통령이 지명하는 연방 고위 공무원에 대한 승인권을 가진다. 셋째, 미국이 체결하는 조약에 대한 승인권이 있다.
김의준
김의준(金意俊, 1909년 4월 28일 ~ 1985년 2월 14일)은 대한민국의 정치인이었다.
일본 메이지 대학 법과를 졸업하고, 판사, 검사, 변호사를 지냈다. 법사위원장, 고등고시위원, UN총회한국대표, 자유당 중앙당 선전부장과 제2대, 제3대, 제4대 민의원의원을 역임하였다. 1985년 미국 워싱턴주에서 별세하였다.
민의원
민의원(民議院)은 1952년부터 1961년까지 대한민국 국회의 하원이었던 기관이다.
민의원은 1952년 7월의 발췌개헌 당시 헌법 제31조제2항에 상원인 참의원과 함께 규정되었으나, 제1공화국에서는 참의원의 선거가 이루어지지 않아 실제로는 단원제로 운영되었다. 대한민국에서 양원제가 운영된 것은 제2공화국 뿐으로, 대한민국 국회는 1963년 12월부터 시행된 제3공화국 헌법 이후 단원제로 운영되고 있다.
참의원 (대한민국)
참의원(參議院, House of Councillors)은 대한민국 제2공화국에서 설치해 5·16 군사 정변 전까지 약 9개월 간 유지되었던 당시 국회의 상원이다. 대한민국 제2공화국은 국회를 하원인 민의원과 상원인 참의원으로 구성하는 양원제를 채택하고 있었다.
참의원은 이미 1952년 개정된 제1차 개정 헌법에서부터 규정되어 있었으나, 제1공화국에서는 민의원만 구성하고 참의원의원 선거는 실시하지 않았다.
참의원 (대한민국) 역사
1952년의 제1차 개정 헌법에서는 민의원과 참의원의 양원제를 규정하고, 헌법 제36조제2항에 부통령이 참의원의 의장을 겸하도록 정하였다. 그러나, 야당 인사인 장면이 부통령에 당선되자 당시 이승만 정부의 집권당인 자유당은 참의원 구성을 위한 국회법 개정과 참의원의원선거법 제정 요구를 묵살하였다.
1958년 1월 25일 참의원의원선거법이 제정되었으나, 자유당의 반대로 같은 해 5월의 대한민국 제4대 국회의원 선거에서도 참의원 의원 선거는 이루어지지 않았다.
1960년 4·19 혁명으로 이승만 정부가 붕괴된 후, 개정된 대한민국 제2공화국 헌법에서는 의원내각제와 양원제를 채택하였다. 같은 해 7월 29일 실시된 제5대 총선거에서 참의원 의원 58명이 선출되었고, 8월 8일부터 임기가 시작되었다.
참의원 (대한민국) 역사
당시 국회의사당으로 쓰던 현재의 서울특별시의회 건물은 민의원과 참의원이 함께 쓰기에는 협소하여, 참의원은 도로 반대편에 있던 대한공론사(현재 서울신문사 자리)를 의사당으로 썼다. 그러나, 출범한 지 불과 9개월 만인 1961년 5·16 군사 정변이 일어나 박정희 군사정부에 의해 해산되었다.
1962년 12월 박정희 군사정부가 국민투표로 개정해 공포한 제3공화국 헌법에서는 단원제를 채택하였는데, 이 헌법 시행(1963년 12월 27일) 이후에 현재까지 단원제가 유지되고 있다.
참의원 (대한민국) 특징
1960년 선거 당시 참의원의 정원은 58명으로, 민의원 정원(233명)의 4분의 1에 조금 못 미쳤는데, 이는 당시 헌법에서 '참의원 의원 정수는 민의원의 4분의 1을 초과하지 못한다'고 규정했기 때문이다.
민의원 의원 선거는 한 선거구에서 1명을 선출하는 소선거구제로 실시하였으나, 참의원 의원 선거는 서울특별시와 각 도를 1개 선거구로 하는 대선거구제로 실시되었다. 참의원의 선거구별 의원 정수는 전라남도, 경상남도, 경상북도가 각 8명, 서울특별시, 경기도, 충청남도, 전라북도가 각 6명, 강원도, 충청북도가 각 4명이었고, 제주도는 2명이었다.
참의원 의원 투표는 하나의 투표용지에 1명에게만 기표하는 단기명 투표가 아니라, 선거구별 당선 정원의 2분의 1까지에 기표할 수 있는 제한 연기명 투표 방식으로 실시되었다. 이는 예를 들어 한 선거구에서 6명의 참의원 의원이 선출될 경우, 그 선거구의 유권자는 투표용지에 기재된 후보자 중 3명까지에 기표할 수 있는 제도였다.
그 밖에 제2공화국 헌법 규정상 민의원과 구분되는 참의원의 특징은 다음과 같다.
참의원 (대한민국) 참의원 목록
대한민국의 참의원은 제5대 국회에서만 구성되었다.
미국 정부의 저작물
미국 정부의 저작물(a work of the United States government)이란 미국의 연방정부에 고용되어 있는 공무원이 그 직무상 작성한 저작물을 말한다. 이런 저작물은 작성되는 즉시 퍼블릭 도메인인 상태, 즉 저작재산권이 사실상 존재하지 않는 것으로 본다.
미국 정부의 저작물 근거 조문
미국 법전 제17편 "저작권"의 제105조(17 U.S. Code § 105)에 관련 내용이 있다.
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§ 105 · 저작권의 보호대상: 미 연방정부의 작품
미국 정부의 모든 저작물은 이 편에서 정하는 저작권의 보호를 받지 아니한다. 단 양도, 유증 또는 그 밖의 방법으로 이전된 저작권을 양수하고 보유하는 데에는 그러하지 아니하다.
미국 정부의 저작물 대상물
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즉, 주나 지방 자치체에 고용되어 있는 공무원이 직무상 직성한 저작물은 당연히 퍼블릭 도메인의 상태에 있지 않다. 또 연방정부 공무원이 작성한 것이라도 직무 밖에서 작성한 것은 어디까지나 직원에게 저작권이 있으며, 퍼블릭 도메인이 아니다.
또한, 연방정부 공무원이 아닌 사람의 저작물을 연방정부가 이용하는 경우, 그 저작물의 저작권은 소멸하지는 않고 연방정부가 저작권을 주장할 수 있다. 따라서 미국 정부에서 출판한 모든 저작물이 퍼블릭 도메인의 상태에 있다고는 할 수는 없다 (예컨대, 민간 언론사 사진이라든지, 민간 연구원의 연구저작물과 같은 외부 위탁으로 작성된 것이면 저작권이 존재한다.)
양원제
양원제(兩院制, 영어: Bicameralism)는 입법부에서 독립적인 활동을 하는 두 부서 의회로 구성되어 있다.
이원제(二院制)라고도 부르며, 이와 반대로는 단원제(單院制)가 있다.
대한민국의 경우, 제2공화국(1960~1961년) 당시 민의원(하원)하고 참의원(상원)을 두어 양원제를 실시했었는데, 실효성이 떨어지는 바람에 단원제로 변경되었다.
양원제 양원제의 특성
양원은 일반적으로 간선으로 구성되는 상원과 직선으로 구성되는 하원으로 이루어져 있으며 각 나라마다 양원제의 특성이 조금씩 다르긴 하지만, 미국처럼 인구가 많은 나라에서 시행한다. 현대에는 양원이 서로 견제하여 권한을 조절함으로써 독단과 부패를 막는 효과가 있다.
예전의 영국과 같은 군주제 국가에서의 양원제는 군주국가의 구조적 특수성에 기인하였다. 군주국가와 같이 사회구조가 귀족과 평민이라는 이원적 구조에 입각하고 있는 경우에는 상원은 귀족으로, 하원은 평민으로 구성함으로써 이 두 정치 세력 간에 균형과 이익의 조화를 꾀하고, 때로는 양원의 상호간 견제를 통해 군주의 정치적 권익을 수호하려는 데에 양원제의 존재 이유가 있었다.
미국과 같은 연방제 국가의 상원은 연방을 구성하는 각 주를 대표하고(각 주에 2명), 하원은 국민 전체를 대표하는 것으로 간주된다. 단일제 국가에서의 양원제 채택은 단원제 의회의 경솔, 전제, 부패 등을 양원 상호간의 견제를 통해 방지하려는 데 이유가 있다. 양원제의 특성은 상원의 역할과 기능에 따라 분류되기도 한다.
양원제 양원제의 특성
단일의회인 단원제와는 달리 양원제에서는 2개의 의회가 최종적으로 표결을 붙이기 전까지는 법이 적용되지 않으며 하원 한 곳에서만 통과했어도 상원의 표결이 남아있는 경우 법 제정이나 법 개정이 즉시 효력이 발동되지 않으며 상원에서 최종적으로 표결을 마무리 지어지게 될 때 법 제정이나 법 개정 등이 즉시 적용되어 효력이 생기게 된다.
양원제 대한민국에서의 역사
본래 헌법 초안은 양원제를 목적으로 하였으나 대통령중심제 하의 제헌국회(1948~50) 당시에는 사실상 구성되지 않았고, 제2공화국 당시 민의원(하원)하고 참의원(상원)으로 구성된 양원제가 잠시 이라고 명시되어 있었으나 이승만 정부(1948~60) 당시 대통령중심제 하에 상원 구성은 되지 않아 사실상 단원제였음.
제2공화국(1960~61) : 4·19 혁명 이후 양원제가 운영되어 장면 내각이 구성되었지만 곧 쿠데타로 해산되었다.
노무현 정부(2003~8) : 2004년 탄핵 전후로 잠시 동안 ‘상원 부활’ 여부가 논의되었으나, 정치적으로는 노무현 대통령의 탄핵 소추 문제와 엇갈려 논의는 진전되지 않았다. 이후 2007년 개헌 논의 당시도 양원제에 대한 상호적인 논의는 없었다.
이명박 정부(2008~13) : 2009년 헌법연구자문위원회에 의해 양원제 헌법 개정안이 제시되었으나 논의는 진전되지 않았다.
법률
법률(法律, 독일어: Gesetz)은 주로 입법부의 심의와 의결을 거치고, 국가 원수가 서명·공포하여 효력이 발생하는 법의 한 형식이다. 일반적으로 헌법의 효력 아래에 위치한다.
법률은 헌법보다는 구체적이지만, 원칙적으로 일반적이고 추상적이어야 한다. 일반적이라는 의미는 불특정 다수인, 즉 적용 대상이 모든 사람임을 말한다. 또한 추상적이라는 의미는 법률이 모든 사건에 적용되어야 한다는 것을 뜻한다. 그러나 모든 법률이 일반적이고 추상적일 수는 없으며, 사회국가적이나 행정국가적 요청을 실현하기 위하여 개별적이고 구체적인 사항을 규율하는 법률도 있으며 이러한 법률을 처분적 법률 또는 ‘처분법률’(독일어: Maßnahmegesetz)이라고 한다.
일반적으로 법률은 규칙이나 명령보다는 상위에 있으므로, 법률은 규칙이나 명령의 기준이 된다. 그러나 법률은 헌법의 하위에 위치하므로, 헌법에 위배되는 법률은 무효이다. 따라서 법률이 헌법에 위배되는지를 심판하는 헌법재판이 있는 나라는 그 역할을 맡는 기관을 두고 있으며, 대법원이나 별도의 헌법재판소가 그 역할을 담당한다.
법률
헌법에서 반드시 법률로 정하도록 규정한 사항을 법률사항 또는 입법사항이라고 한다. 일반적으로 ‘법률이 정하는 바에 따라’라거나 ‘법률에 의하지 않고는’이라는 표현과 같이 규정된다. 대한민국 헌법 제12조 1항에서 “누구든지 법률에 의하지 아니하고는 체포·구속·압수·수색 또는 심문을 받지 아니하며”라고 규정되어 있는데, 여기서 체포·구속·압수·수색 또는 심문이 입법사항에 해당한다. 따라서 해당 사항을 법률이 아닌 명령이나 규칙으로 규율한다면 이는 헌법에 합치하지 않는 것이다.
법률은 국가가 국가의 권력에 복종하는 인민으로서의 국민을 규율하는 이른바 공법(헌법·형법·소송법·세법 등)과 평등(平等) 및 대등(對等)의 입장에서 국민을 규율하는 사법(私法)으로 구별된다.
Co-NP-완전
계산 복잡도 이론에서 복잡도 종류 co-NP-완전(co-NP-complete)이란 co-NP에서 가장 어려운 문제의 집합을 말한다. 여기서 어렵다는 것은, P에 들어갈 가능성이 낮다는 뜻이다. 한 co-NP-완전 문제를 빠르게 푸는 방법을 찾아낸다면, 그 방법을 써서 모든 co-NP-완전 문제를 빠르게 풀 수 있게 된다.
더 공식적인 정의: 결정 문제 C가 co-NP이고 모든 co-NP 문제가 이 문제로 다항 시간 환산 가능하면, C는 co-NP-완전이다. 이것은 모든 co-NP 문제 L에 대해서, L에 대한 어떤 예제든지 C에 대한 예제로 바꿀 수 있는 다항 시간 알고리즘이 있다는 뜻이다. 그러므로 C를 풀 수 있는 다항 시간 알고리즘이 있다면, 모든 co-NP 문제를 다항 시간에 풀 수 있게 된다.
Co-NP-완전
대표적인 co-NP-완전 문제로 항진명제가 있다. 주어진 논리식이 항상 참인 명제인지 판정하는 문제이다. 다시 말해서, 식에서 변수마다 참/거짓 값을 넣을 때, 어떻게 넣어도 논리식 전체는 참이 되는 것이다. 이 문제는 충족 가능성 문제와 깊게 관련되어 있다. 불 만족 문제는 모든 변수값 할당에 대해 논리식이 참이 되는지를 판정하는 항진명제 문제와 달리, 논리식이 참이 되는 변수값 할당이 적어도 하나 있는지를 묻는 문제이다.
co-NP-완전 문제 각각은 NP-완전 문제의 보완 문제가 된다. co-NP-완전과 NP-완전은 같은 집합이거나, 전혀 겹치지 않는 집합이다. 뒤쪽이라는 설이 유력한데 아직 확실하지는 않다. 더 자세한 논의는 co-NP와 NP-완전을 참고하라.