hotchpotch/wikipedia-multilingual-ir-pairs huggingface dataset:
レアリア 登場人物
レナート
40歳未満（金糸雀37年時点）。帝都出身。隻眼、左足は義足。
グランゼリア戦で右腕を失ったものの、部隊唯一の生き残りとなった。傭兵になる以前の何十年を帝都で過ごしていた。
ならず者が多い帝国傭兵では珍しく読み書きが堪能。王朝語も解する。
剣客商売（タロー）
元王朝兵。朱鞘の刀を愛用している。帝国の捕虜になった時にミレディアが自分の解放金を出したことを知り、ツギハギ部隊に入った。グランゼリア城包囲戦時はレナートと共に最後の日まで生き残っていた。
アリルがネネにとらわれ過去をさまよった時に会った姿は、草でできた風変わりな履物と異国の衣裳を着けた若い男。
錠破り（ブレイク）
錠破りの技の秘密は仲間にも明かさなかったが、ミレディアには伝授した。ミレディアは牢屋やギィの金庫も開けられるようになった。
グランゼリア城包囲戦の9日目まで生存していた。ミレディアの帰還を待たずに死亡した。
鳥目（バード）
索敵担当。
鍛冶屋（ハンマー）
アリルがネネにとらわれ過去をさまよった時に会った姿は、ハンマーを担いだ不愛想な壮年の男。
軽業師（モモンガ）
ミレディアとギィがグランゼリア城を脱出した時、“鍛冶屋（ハンマー）”と共に王朝の最後の陣を抜ける際先陣を切った。
情報屋（ブンヤ）
アリル
レアリア 登場人物
アリル・シャルムラグリア。金糸雀24年冬至（12月23日）生まれ。12歳（金糸雀37年時点、同年12月に13歳）。
黒髪、藍色の目。左利き。レナートは「ルー殿下」と呼んでいる。
身に着けている「銀の腕輪」の魔法で通常は見えない小径や扉、忍び錠、抜け道、隠し部屋を把握できる。また、人の姿や会話を感知できる。拘束魔術により帝都から出ると“道化師”に変貌してしまう。皇帝との契約により、皇帝選までの9カ月は拘束魔術が緩められている。
体内時計で精確に時間を把握できる。
セシル
セシル・ラ＝ラ・ゼノン。宰相。内務卿を兼任。
帝位継承権を持つ。
レアリア 登場人物
ユーディアス
ディー。還暦過ぎ（金糸雀37年時点）。
淡い金髪、青色の目。元々は神官候補生。
ヴァルデミアス帝急死の後、王朝皇帝アリュージャが帝都に襲来したのを押し返したことから皇帝位に就いた。
怠惰で無気力とも評されるが、宰相セシルでも決裁に4日かかる書類を短時間で処理できる、非凡な頭脳を持つ。
帝国皇帝（シャルムラグリア）として、道化師（ラ・ピエロット）と銀の腕輪の主人であり、古の宝具〈光の槍（フラガッハ）〉の所有者である。
カイ
カイ・ヴェンディゲイド・シャルムラグリア。40-50代（金糸雀37年時点）。
濃い金髪、青い目。
ユーディアスの弟。ラグリア兄王家当主。軍務卿。帝国中央で軍務と法務を司る。黒蹄騎士団長。
ミルゼリスの友人。魔女を嫌っている。
エリファズ
金糸雀24年の失踪時20歳そこそこ。金髪、碧眼。
第一皇子。ユーディアスの第1子。
金糸雀24年の皇帝選開催決定時には従軍経験もなく、継承権を持つ将軍オレンディアと比べて不利な状況だった。継承権所有者が次々と怪死する中、帝都から逃亡し“魔王の森”へ行き行方不明になった。
ジリアン
皇女。エリファズの妹。
金糸雀24年の皇族怪死事件で死亡。
ロナ
皇女。
生後3カ月の時、金糸雀24年の皇族怪死事件で死亡。
ラムザ
ラムザ・エウリアス・レーンヘルシャ・エリヤ＝シャルムラグリア。
レアリア 登場人物
金糸雀24年12月生まれ（日付は不明）。12歳（金糸雀37年時点、同年12月に13歳）。
ユーディアスとネネの子。ユーディアスの最後の皇子。
ネネ
ネフィルネーネ。王妃。「白の妃（きさき）」。黒髪。エリヤ弟王家出身。天に愛された歌声を持つ。
エリカ
ネネの侍従。宰相会議出席のため帝都に入ったミレディアを襲った法皇家の刺客と同一人物。
ヴァルデミアス
“恐怖帝”。黒髪、黒い目。フロレンス、ユーディアス、カイの父。13歳で即位した。
帝位継承権を持つ。本来は武門の家。「謀将はジュレミヤ、勇将はエリヤに求めよ」。
エセルバート
エセル。エリヤ弟王家当主。ネネの兄。腰まで伸びた黒い巻き毛。
兄妹ともに優れた美貌と歌声で名高い。オレンディアが帝国軍総帥を解任された後、総帥に就任した。
グランゼリア戦の後、ゾハル監獄に収監された。宰相会議の終わり間際に暗殺の報が届いた。
落馬して馬に蹴り殺されかけた時、エセルバートの剣をぶんどったミレディア（12歳ごろ）が馬を刺し殺して命拾いしたことがある。
“鳩とオリーブ”の紋章を使う。帝位継承権は持たない。政教分離を謳うため法皇家からじかに皇帝候補を出すことはできない。
レアリア 登場人物
フロレンス
法皇家当主。ユーディアス、カイの異母兄。開戦派。ユーディアスより血の濃い皇子だった。
ロジェ
ロジェ・エリス。
金髪、碧眼。ミレディアはアキと呼んでいる。
枢機卿。“法皇の代理人”。
中位神官だったころに祭祀庁からエセルバートの元に軍師として派遣される。グランゼリア戦後、12人の枢機卿の一人に昇格。アイゼンによると、一時王朝にいたことがある。
ユーディアスとカイの会話で「13年前に檻にいた名無しの道化師」「13年前に“魔王の森”で死ぬはずだった帝国皇子」だったことに言及されている。
皇帝候補披露目の日の夜、“山の長老”がネネの死を利用した魔術でロジェを道連れにできるか試していた。アキを捜していたミレディアは死にかけているのを見つけ、ネネが用意したと思しき緑の小瓶の薬を飲ませたことで解呪された。
我が輩
正式名は未登場。神官。魔女家を後見とする皇子の継承権が認められた後、フロレンスの指示によりミレディアらの監視の役目を負う。
法皇家の暗殺者集団。狂信を意味する時計草の刺青をしている。最精鋭の枢機卿位（クラス）、司教位（クラス）などがある。標的以外は殺さないのが掟。金糸雀24年の皇族怪死事件の混乱の際、“山の長老”の処刑命令対象の“道化師”に枢機卿位十数人がことごとく返り討ちに遭った。
レアリア 登場人物
山の長老
皇帝ユーディアスに絶対の忠誠を誓う。徹底報復が教是。
歌う小鳥（ハミングバード）
カイによると“山の長老”の影の枢機卿位（クラス）の力を持つ。司教位以上で唯一の生き残り。
メデイア
尼僧院長。聖界領邦リリドの選帝侯。
ムムトラ
聖僧。
入学、卒業に年齢制限はない。第4学年の学期末試験に受かると「卒了」。最終学年の第5学年を終えると正式な卒業となる。
ゼノン
学長。ギィの義父。
ペトラルカ
名誉学長。
作者によると、モデルは尾崎翠の短編小説『地下室アントンの一夜』の登場人物。
ロッド
アリャンロッド・コーザ。23歳（金糸雀37年時点）。
レティの弟。コーザ伯領出身の下級貴族。
ラムザ、アリルの専属講師として学院に雇われる。同時期にミレディアも雑用係として雇われた。
金糸雀33年、学院を首席で卒業した。グランゼリア戦時は18歳で前線コーザ伯領の陥落を阻止した。王朝将軍エンリを退かせた。
医者
教授。宰相会議の後に倒れたミレディアを診た際にアリルに藪医者呼ばわりされた。
リチェ
公女。ロッドの同期の友人。エリウ選帝侯から皇帝選の投票権を預かっている。
レアリア 登場人物
ジア
行商人。〈雑貨屋（スタッフズ）〉の店主。
ガネシャ
帝都の城下の最下層“ゴミ溜め街”にある店の主人。帝都一のインチキ呪殺士として悪名高いとされるが、腕は本物。妹がいる。
ニーニャ
ミレディアより二つ年上。弟は船大工の徒弟。お屋敷町の臨時メイドなどで稼いでいる。週1回、ミレディアの家の洗濯、買い物の手伝いに来る。
サカナ
ニーニャの弟の舟に住み着いた浮浪者。
アリュージャ
リュージャ。王朝皇帝。還暦過ぎ。ユーディアスとは同い年。
黒炭の髪、漆黒の目。
少年期に10年間行方不明になった。オレンディア、ユーディアスと共に“巻き貝城（リガ・ストラディカ）”の“鳥かご”にいた。
レアリア 登場人物
レキセイ
酈（れき）世（せい）。グランゼリア戦時に28歳。
第一皇子。軍旗は〈重ネ扇〉。
十七、八歳の初陣の狗（く）山（ざん）の戦の時にオレンディアに会った。
グランゼリア戦出陣前に身体に異変が生じていたことをアリュージャに見抜かれていた。グランゼリア城包囲戦でオレンディアと一騎討ちになる。刀の刃が折れたオレンディアに剣を向けたところをミレディアに刀で脇腹を刺され致命傷を負う。撤退の途中でアイゼンの手でとどめを刺された。
レイハ
伶（れい）芭（は）。第二皇子。軍旗は〈揚羽ノ蝶〉。
皇子の中でもずば抜けて優秀で次期皇帝に一番近いといわれていた。
ジャラク
蛇（じゃ）絡（らく）。第三皇子。軍旗は〈一本杉〉。
グランゼリア戦で王朝の総大将を務めた。元王朝兵の“剣客商売（タロー）”の評では「小悪党程度の器量」。
ヨミ
夜（よ）見（み）。第四皇子。軍旗は〈違イ鷹ノ羽〉。
皇子の中でも一、ニを争う勇将。帝国の〈剣鬼将軍〉に憧れている。
第五皇子
グランゼリア戦時、帝国のカイゼル・ジュレミヤらを討ち取った。
第六皇子
グランゼリア戦時、帝国の十三翼将〈鉄拳バルガス〉と〈弓のリゼル〉の首級をあげた。
第七皇子
《夜（へ）刀（び）》を率いる。
第八皇子
グランゼリア戦に出陣。
アイゼン
愛（あい）染（ぜん）、アイゼン・アリュージャ。秋生まれ。17-18歳（金糸雀37年時点）。
第十三皇子。
アリュージャから下賜された耳環を身に着けている。大ぶりの金の輪に瑠璃（ラピス）、柘榴石（ガーネット）、翡翠の三つの色石が通されているもの。
帝国勢に捕まったのをミレディアに助けられた際に片方を渡した。
グランゼリア戦に出陣した10人の皇子の中でただ一人生き残った。
メイフェ
公主。アイゼンの姉。
リエン
12歳（金糸雀37年時点）。公主メイフェの息子。父親は不明とされる。
シン・ラクシエ
丞相。辺境出身で身分もなかったがアリュージャに取り立てられた。
グランゼリア戦時、ロジェと帝国の聖僧42人の命に関する取引をした。ロジェに頼まれ“七（なの）日（か）暗（くら）夜（よ）”を渡した。
リリ
李（り）璃（り）。軍師。アイゼンの後見。
漆黒の髪、黒炭の目。
清廉潔白、戦嫌い。武芸、乗馬は不得手。
一目惚れした大金持ちの娘が押しかけてきて結婚し、貧乏暮らしを支えた。
アイゼン捜索のため帝国陣地に入った際、負傷して片目を失った。
アリュージャのために何度もオレンディアを迎えにきたが、オレンディアは受け入れなかった。
リサシャ
李（り）左（さ）車（しゃ）。アイゼンより二つ年上。
エンリ
燕（えん）里（り）。将軍。グランゼリア戦時、帝国のコーザ伯領でロッドと戦った。
ワイゼルバイジャン
第四皇子麾下。ノルド谷でナキを死闘の末討ち取り、ヨルド河でレティと対峙したところで帝国の援軍が到着し撤退。最後は“剣客商売（タロー）”に首を落とされたことに言及されている。
キレキ
グランゼリア城包囲戦でユーディアスがグランゼリアに来臨した後、自軍を撤退させた将の一人。
簫（しょう）じぃ
レキセイの目付け役。
ユンシア
前王朝皇帝。
王朝の刺客一団。帝国と王朝を広範囲に暗躍する。
笛吹き（パイドパイパー）
正体不明の頭目。
二枚目シド
ソラの兄。
三白眼の踊り子レミ
太って踊れなくなり退団した。
狂四郎ソラ
シドの弟。“笛吹き一座”の四番手。ナイフ投げ。
大帝バルヴァロッサ
“最後の大魔女”と戦い打ち従え、“魔女の大地”を帝国版図に組み込んだ。
レア・シルウィア
“最後の大魔女”。大帝バルヴァロッサと戦った。
トーマス
「ヘボ詩人」。450年前に異界に迷い込んだきり帰ってきていない。
魔女
月から墜落した女神が記憶と自分の心をなくし神としては不完全になり、人々から魔女と呼ばれるようになった。失った自分の心をさがして時々旅に出る。
大地女神（レアリア）と名付けられた。
〈春〉〈夏〉〈秋〉
魔女（レアリア）が生んだ子である三つの季節。
〈冬〉
父である太陽神から直接分かたれた。漆黒の髪、夜明け前の暗闇の目。太陽神の力が弱まる季節の代行者。
冬の王（シャルムラグリア）
東の風王と戦って敗れ、魔女のいる地まで敗走した。冬の王を見つけた魔女は介抱し、代わりに東の風王と戦った。
東の風王
冬の王と戦った。
第1巻p.16で子どものころのアリュージャが自分たちの先祖という発言をしている。
エリヤ
冬の王の弟、魔術師。兄弟王家を興した。
冬の王の息子たち
“鍬の息子（ババリア）”、“法の息子（デア・ハーグ）”、“弓の息子（イエーガー）”、“盾の息子（エリウ）”、“鍛冶屋の息子（クレモナ）”は帝国南方の五大領邦の地名と選帝侯の家名となった。
鍬の息子（ババリア）
貧しい土地を耕して畑をつくった。
法の息子（デア・ハーグ）
規律を作った。
弓の息子（イエーガー）
遠方の敵を討った。
盾の息子（エリウ）
敵を阻んだ。
鍛冶屋の息子（クレモナ）
武器や鋤（すき）鍬（くわ）をこしらえた。
剣の息子（シャルムラグリア）
6番目の息子。王の名を継ぐ。
レアリア 世界観
領邦制。各地域の領政は諸侯が大きな裁量権を持つ。皇帝や皇子もシャルムラグリアと呼ばれる。
帝国議会
法皇家、選帝侯、諸侯らが議事を掌握する。
帝国語
アイゼンは帝国語が理解できる。
通貨
帝国金貨（デナリウス）、帝国銀貨（シリウス）、帝国銅貨（ガウス）などがある。
レアリア 世界観
帝都ストラディカ
“冬の王の首”に当たるとされる。大帝バルヴァロッサに征服されるまでは魔女家の島だった。
巻き貝城（リガ・ストラディカ）
帝都にある皇帝の居城。7層構造。
魔女屋敷
ミルゼリスが主人。
ミレディアの家
セシルに頼み、長年使われていなかった古ぼけた城の離れを1カ月につき家賃銅貨（ガウス）1枚で借り受けた。
無縁墓地
“冬の王の首”の縁（へり）、黒い林が広がる海岸沿いの一帯。レア・シルウィア時代の古き魔術が色濃く漂っており、呪殺士、修行僧程度では透視できない。アリルの銀の腕輪でも感知できない。
グランゼリア戦で犠牲になった42人の高僧の墓がある。
ミレディアが週2日、墓守の仕事に通う。
ゾハル
監獄島。
聖都シャルム

聖地リリド
聖界領邦。メデイアが領主。
ロクサ島
帝国自由都市。海運で名高い。ストラディカの周囲にある島の中で最も栄えている。皇帝直轄領として皇帝個人に税を納める代わりに帝国行政府の支配を免れ、商人ギルドによる自治が許可されている。
グランゼリア
帝国の最も東にある前線都市。「魔女の不落城」。オレンディアの下で30年以上一度も破られていない。
ヨルド河
王朝名・卯（う）江（こう）。グランゼリアの北側を流れ、グランゼリア城内へ通じている要衝。
シドン
国境の帝国自由都市。傭兵水軍を擁し、グランゼリア戦時にヨルド河の戦に援軍を派遣した。
トムロム
レアリア 世界観
国境の帝国自由都市。
アクラ―ド
南の聖界領邦。オレンディアが帝国軍総帥を解任された後、左遷された。
南の五大領邦
ババリア、デア・ハーグ、イエーガー、エリウ、クレモナ。
魔王の森
大森林地帯。樹海、湿原、風穴地帯が入り混じる。帝国で一、ニを争う難所。方位磁石が使えない。
冬の王が最初に魔女を刺した場所が変化したといわれる。“刺された魔女の呪う森”。
人肉食の巨鳥などが生息する。
ウィザレシア
魔女の大地（ウィザレシア）。古名・奥（おく）津（つ）城（き）。
ザーリアー領
魔女の左足（ザーリアー）。ミルゼリスの館がある。
ナナリム
魔女の右足（ナナリム）。
第3巻から登場する。帝都や“魔王の森”、魔女領の奥は異界への入り口に近い。帝都には異界の扉があちこちに隠れている。
客、客人
異界の扉から出てきたものたち。
異界の客人の落とし物
帝都の店で取引されている。
絶対君主制。帝国の東方にある。第3巻後篇収録の「碧落」で王朝の一部の人物の漢字名が明かされる。
王朝語
王朝は識字率が高い。ミレディア、レナートは王朝語を解する。
王朝将棋
帝国将棋より駒が多い。ミレディアたちは王朝将棋を好んで指している。
金の輪を着けた猿
オレンディアはギィの頭に金の環（わ）の拘束系呪術をかけた際、王朝にも似たような猿の話があると言っている。
サカナもギィの頭の輪を見て「王朝の暴れ猿みたいだ」と評した。
フェイツィ
王都。「翡翠の都」。
レアリア 用語
魔女家
魔女六支族から成る。大地女神（レアリア）を助け仕えた人間が祖とされる。
魔女六支族
第3巻までに登場しているのは、ジュレミヤ、ザーリアー、ナナリム。
皇帝選
皇帝と“道化師”は同票の単独3票を持つ。
兄弟王家、魔女家、帝国宰相、6選帝侯が単独1票を持つ。
小領主や帝国自治都市、僧院は寄り集まって帝国法の規定数を満たして1票となる。
政教分離を謳うため法皇と枢機卿には投票権はない。
帝位継承権
ラグリア兄王家、エリヤ弟王家、ジュレミヤ家が有する。
“道化師（ラ・ピエロット）”
宰相会議で6番目の席を持つ。皇帝選では皇帝と同票の投票権を持つ。
ユーディアスによるとアリルの二つ前の道化師は皇帝になったという。
帝都には、“道化師”に物を盗まれたと思ったときは盗難届を出してはいけないという習わしがある。
戯れ歌で皇帝の命ずるままに裏切者にも殺し屋にもなると歌われている。
魔術師
現代では名残として聖僧や呪殺士が存在するが本物の魔術は散逸しているとされる。魔術師エリヤの負の遺産を受け継ぐ本物の魔術師は兄弟王家に残っている。エリヤの遺産は皇帝だけが受け継ぐことができる。
レアリア 用語
聖僧
魔術師がいなくなった現在、帝国で最も位が高い。探究と苦行により不思議な術を身に付けている。
呪殺士
オレンディアによると「呪術はしょせん魔術のまがいもの」。多くは暗示や洗脳という。
黒鷲部隊
通称『始末屋』。戦場で生存者の選別、運び出し、救出、遺体や遺品の回収をする。
ヴェリエリ商会
帝国随一の大富豪ヴェリエリ家が経営する。
十二ヶ月の暦物語
1月、太陽の王は再生する。
4月、記憶をなくした月の妃は少年の太陽王と出会う。
6月、月の妃は求愛を受け入れる。11月、月の妃は日ごと若返りひきかえに太陽王の記憶をなくしていく。
12月、月の妃は幼女になり太陽王と出会ったことも忘れる。冬至に太陽王は息絶える。
光の槍（フラガッハ）
帝国皇帝が所有。
邪眼（バロル）の盾
法皇家所蔵。一つ目の怪異が封印されている。
鳥かご
皇帝玩具。
運命の石（リア・ファール）
“巻き貝城”の天空玉座にある。真の帝国皇帝が触れると帝都中に鳴り響くといわれる。古（いにしえ）の法では“運命の石”を鳴らした者に即日禅譲されることになっているが、法に則り帝位が即日禅譲されたことはない。
皇子のころのユーディアスやオレンディアは一度、運命の石の音色を聞いたことがある。
レアリア 用語
ゾハルワカメ
稀少な薬効を持つ。
死者除けの草（デゴースト・ハーブ）
魔除け。
木蔦の印
異界の客人向けの魔除け。
灰の灯心草
小さな白い花の咲く霊草。燃やした灯りは死者へ道を照らす送り火、あるいは迎え火となる。薬効を高める条件は、花鋏を3晩続けて月の映る水に浸すこと、素手で摘むこと、誰にも見られず一人で摘むこと。
七（なの）日（か）暗（くら）夜（よ）
〈王朝の高貴な毒目薬〉。後宮で皇帝の寵愛を競るために作られた。塗布後7日までに解毒剤を塗らないと完全に失明するといわれる。帝国勢に囚われたアイゼン、ネネの元に赴いたアリル、エリカによってラムザに使われた。
ミレディアはアイゼン救難の折に“剣客商売（タロー）”と“情報屋（ブンヤ）”が用意した王朝毒薬事典と自分の記憶を駆使し、解毒薬の作り方をマスターした。
レアリア 作中年表
グランゼリア戦
法皇家は戦時規則確認のため42人の僧を王朝に派遣したが全員首だけが送り返された。
レアリア 書誌情報
新潮文庫nex（新潮社）既刊3巻（2017年12月現在）
レアリア Ⅰ （2014年8月28日発売）ISBN 978-4-10-180001-1
レアリア Ⅱ 仮面の皇子（2015年8月28日発売）ISBN 978-4-10-180042-4
レアリア Ⅲ 運命の石（2017年12月25日発売）前篇 ISBN 978-4-10-180113-1 後篇 ISBN 978-4-10-180114-8
「in a blue MOON ――レアリア――」（単行本未収録）
出っ歯 (YouTuber)
出っ歯（でっぱ、1993年12月13日 - ）は、日本のYouTuber、アパレルオーナー。
出っ歯 (YouTuber) 来歴
1993年12月13日生まれ。岡崎城西高等学校を卒業した。
2021年、自身のアパレルブランド「JAN DARA RIN」を創設した。ブランド名は三河弁の代表的な語尾「じゃん・だら・りん」に由来する。
東海オンエアのメンバー6名中5名とは高校の同級生であり、大学在学中から友人として同グループの動画に度々出演していた。
2019年に会社を退職し、同年7月8日に自身のYouTubeチャンネル「出っ歯【激渋シャバ太郎】」を開設した。
ちょうこくぐ座デルタ星
ちょうこくぐ座δ星（ちょうこくぐざデルタせい、δ Caeli、δ Cae）は、ちょうこくぐ座の恒星である。見かけの等級は5.07と、暗いが肉眼でみえる明るさである。年周視差に基づいて太陽からの距離を計算すると、およそ680光年となる。
ちょうこくぐ座デルタ星 特徴
ちょうこくぐ座δ星は、青白く輝くB型星で、スペクトル型はB2 IV-Vと分類され、準巨星と主系列星の中間的な性質を示す。質量は太陽の約7.6倍、半径は太陽のおよそ5.8倍と見積もられる。年齢は大体1000万年くらいで、光度は太陽のおよそ3700倍、表面の有効温度は20000 K前後である。
流通業務の総合化及び効率化の促進に関する法律
流通業務の総合化及び効率化の促進に関する法律（りゅうつうぎょうむのそうごうかおよびこうりつかのそくしんにかんするほうりつ、平成17年法律第85号）は、物流に関する法律である。略称は物流総合効率化法。
流通業務の効率化を図る事業に対する計画（総合効率化計画）の認定や支援措置等について定める。主務大臣は国土交通大臣、経済産業大臣、農林水産大臣。総合効率化計画の認定は事業者からの申請により行われる。支援措置としては
ラポ・ナヴァ
ラポ・フランチェスコ・マリア・ナヴァ（Lapo Francesco Maria Nava, 2004年1月22日 - ）は、イタリア・ミラノ出身のサッカー選手。USクレモネーゼ所属。ポジションはGK。
ラポ・ナヴァ 経歴
ナヴァはACミランのユースセクター出身。2021-22シーズンにはミランU-18チームの第一選択GKとなり、2022-23シーズンにはプリマヴェーラチームに昇格し、そこでも第一選択GKとなった。彼は、ACミランU19チームの2022-23シーズンUEFAユースリーグ準決勝進出で重要な役割を果たし、トーナメント期間中全試合に出場し、3回のクリーンシートを達成した。
2022年1月6日、トップチームの第2GKチプリアン・タタルシャヌが新型コロナウイルスに感染し、第3GK候補だったアレッサンドロ・プリッツァーリは膝の手術による長期欠場のため、17歳のナヴァはセリエA第20節ローマ戦の試合当日メンバーに代役として指名されベンチ入りを果たす。彼は3日後の第21節ヴェネツィア戦でもベンチ入りしたが、両試合には出場しなかった。
2022-23シーズン中、ナヴァはトップチームに7回ベンチ入りした。その中にはUEFAチャンピオンズリーグの4試合も含まれる。
ラポ・ナヴァ 経歴
2023-24シーズンの初めに、ナヴァはプレシーズントレーニングのためにトップチームに合流、彼はノヴァーラとのプレシーズンマッチ中に途中出場した。2023年8月19日、ナヴァは正式にトップチームへ昇格を果たした。2023年10月23日にセリエA第9節ユヴェントス戦においてマイク・メニャンとマルコ・スポルティエッロが欠場したため、プリマヴェーラのGK、アンドレア・バルトッチオーニと共に招集された。先発出場のベテランアントニオ・ミランテのバックアップオプションとしてベンチ入りしたが、プレーしなかった。2024年1月3日、ACミランはナヴァとの契約を2027年6月30日まで更新した事を発表した。2024年5月25日、セリエA第38節USサレルニターナ戦にて後半88分、アントニオ・ミランテと交代して途中出場、トップチームデビューとプロデビューを同時に果たす。
2024-25シーズンは新設したリザーブチーム、ミラン・フトゥーロに籍を置くことになった。
2025年7月17日、USクレモネーゼへ完全移籍した。
ラポ・ナヴァ 私生活
ナヴァは元サッカー選手ステファーノ・ナヴァの息子である。ステファーノはACミランでもプレーし、引退後はクラブのユース部門でコーチを務めた。
堀正工業
堀正工業（ほりまさこうぎょう）は、日本の金属部品を中心に取り扱う商社。2023年（令和5年）に粉飾決算が表面化して事実上倒産した。2023年6月時点の資本金は2000万円、本社は東京都品川区西五反田1-23-9。
堀正工業 概要
1933年（昭和8年）に創業。1950年（昭和25年）より東洋ベアリング（現、NTN）の代理店として事業を拡大。半導体メーカー、自動車メーカー向けにベアリングやコンプレッサーなど各種機械を扱い、2022年9月期は過去最高となる売上高68億600万円を計上した。
堀正工業 経営破綻
2023年（令和5年）5月、取引先の銀行ごとに異なった決算書を見せて多額の融資を受けていたことが発覚。取引先の銀行は数十にも及んでいた。
同年6月8日までに債務整理を弁護士に一任、法的整理に向けた作業を始め同年7月24日に東京地方裁判所から破産開始決定を受けた。
破産手続開始申立書などによると、税務申告書や金融機関へ提出する決算報告書は黒字決算が続いているように改ざんされていたが、実際には遅くとも前代表就任の1993年(平成5年)時点ではすでに、損益計算書は赤字で貸借対照表も債務超過というのが常態だったようである。その一方で、破産手続開始申立書に添付された堀正工業の「貸付金リスト」には、取引金融機関から騙し取った融資金のうち、元社長個人への還流は33億7800万円にも及ぶことが記されている。
堀正工業 経営破綻
2024年6月18日、実際は赤字なのに経営が好調であるように装った虚偽の決算報告書を示して三菱UFJ銀行から融資金計5億円をだまし取ったとして、元社長の堀雅晴、同社元総務部長の大熊重康、税理士の山口賢一ら3人が詐欺容疑で警視庁に逮捕された。さらに同年7月26日には、同様の手口でみずほ銀行からも融資金計6億円をだまし取ったとして、元社長の堀雅晴ら3人が警視庁に再逮捕されている。
警視庁捜査2課によると、堀正工業はメガバンクや地方銀行など少なくとも計46行から総額250億円の融資を受けていた。堀容疑者ら3人は他行からの借り入れ状況を隠すため、銀行ごとに決算書類を粉飾。水増しした資産は数十億円に上るという。
戸狩荒神塚古墳
戸狩荒神塚古墳（とがりこうじんづかこふん）は、岐阜県瑞浪市明世町戸狩にある古墳。形状は円墳。岐阜県指定史跡に指定されている。
戸狩荒神塚古墳 概要
岐阜県東部、土岐川北岸に突き出す丘陵の突端部に築造された古墳である。現在までに墳丘は良好に遺存するが、発掘調査は実施されていない。
墳形は円形で、直径約45メートル（または約60メートル）・高さ約8メートルを測る。墳丘は2段築成。墳丘外表では川原石による葺石や埴輪が認められる。未調査のため埋葬施設は明らかでない。
築造時期は、古墳時代中期の5世紀代と推定される。瑞浪市内では最大規模、岐阜県内でも有数の規模の古墳であるとともに、東濃地方では埴輪を有する唯一の古墳であり、被葬者は旧土岐郡一帯を治めた豪族と推測される。なお古墳時代後期には、本古墳の東側丘陵斜面に戸狩横穴群（岐阜県指定史跡）が営造されている。
古墳域は1960年（昭和35年）に岐阜県指定史跡に指定されている。
ウィレム・ファン・デル・フリート
ウィレム・ウイレムスゾーン・ファン・デル・フリート（Willem Willemsz. van der Vliet、 1584年ころ - 1642年12月6日）はオランダの画家、版画家である。主に肖像画を描いた。
ウィレム・ファン・デル・フリート 略歴
デルフトで生まれた。18世紀の初めにオランダの画家たちの伝記を著わしたヤコブ・カンポ・ワイエルマン(Jacob Campo Weyerman: 1677-1747)によれば 、ファン・デル・フリートは「heren van der Woert」という貴族の後裔であった。オラニエ公、フレデリック・ヘンドリックの宮廷画家となったミヒール・ファン・ミーレフェルトから学んだと考えられていて、ファン・ミーレフェルトに次いで、デルフトの重要な肖像画家の一人になった。1815年にデルフトの聖ルカ組合のメンバーになり、1633年に組合の役員(hoofdman)になった。
1618年と1638年の2度結婚しているが、子供についての記録はない。裕福な生涯を送り相続人に多くの遺産を残したとされる。
1624年から1640年の間に活躍したことが知られ、40点ほどの肖像画が知られている。肖像画の他に寓意画も残されている。
主に建築画を描いた甥のヘンドリク・コルネルスゾーン・ファン・フリート(c.1611-1675)はしばらくウィレム・ファン・デル・フリートに学んだ後、ミヒール・ファン・ミーレフェルトに学んだ。
皇道
皇道（こうどう、英: Imperial Way）とは、天皇が親政を行う日本の政治体制。
炭焼古墳
炭焼古墳（すみやきこふん）は、岐阜県土岐市泉町定林寺にある古墳。形状は円墳。岐阜県指定史跡に指定されている。
炭焼古墳 概要
岐阜県東部、土岐川北岸の山地南斜面に築造された古墳である。これまでに発掘調査は実施されていない。
墳形は円形で、直径16.0メートル・高さ2.15メートルを測る。埋葬施設は、後室・前室・羨道からなる複室構造の横穴式石室であり、南方向に開口する。石室内の副葬品は詳らかでない。築造時期は古墳時代終末期の7世紀代と推定される。
古墳域は1956年（昭和31年）に岐阜県指定史跡に指定されている。
炭焼古墳 埋葬施設
埋葬施設としては横穴式石室が構築されており、南方向に開口する。後室・前室・羨道からなる複室構造の石室である。石室の規模は次の通り。
石室の石材は花崗岩。後室は、奥壁が一枚石、両側壁が3枚の石材によって構築され、天井石には一枚石を使用する。前室は、側壁に多数の石を積むが、天井石は一枚石である。羨道の側壁は2段積みであるが、天井石は失われている。後室・前室を区切る玄門、前室・羨道を区切る前門には、方形の立柱石を置いて袖構造を形成する。
多結晶シリコン
多結晶シリコン（たけっしょうシリコン、Polycrystalline silicon/multicrystalline silicon）は、ポリシリコン（polysilicon）、poly-Si あるいは mc-Si とも呼ばれ、高純度なシリコンの多結晶であり、太陽光発電と電子産業において原材料として使われる。
多結晶シリコン
多結晶シリコンは、冶金グレードシリコン（MG-Si : metallurgical-grade silicon。純度が低いシリコン）からシーメンス法と呼ばれる化学的な精製処理によって製造される。その処理は、揮発性シリコン化合物の蒸留と高温でのシリコンへの化学分解を含んでいる。新しい方法として、流動層反応器を使う改良された方法がある。太陽光発電産業は、化学的な精製処理の代わりに冶金を使って純度を上げた改良型冶金グレードシリコン（UMG-Si : upgraded metallurgical-grade silicon）も生産する。電子産業のために生産されるポリシリコンは、1 ppb未満の不純物を含んでいるが、ソーラーグレードシリコン（SoG-Si : solar grade silicon）は、一般的にそれよりも純度が低くなる。GCL-Poly、Wacker Chemie、トクヤマ、OCI、そしてHemlock Semiconductorのような中国、ドイツ、日本、韓国、そしてアメリカ合衆国の企業およびREC（ノルウェー発祥）は、2013年に全世界で23万トンの生産量を計上した。
多結晶シリコン
原材料としてのポリシリコン（大きな棒状であり、大抵は特定の大きさのチャンクに砕かれる。そして、出荷前にクリーンルームの中で梱包される）は、直接多結晶インゴットへ形成される、あるいは、単結晶ブールに成長させるために再結晶化プロセスに送られる。
そして、ブールは、薄いシリコンウェハーにスライスされ、太陽電池、集積回路、そしてその他の半導体デバイスに使われる。
ポリシリコンは、小さな結晶（晶子としても知られる）の集まりであり、それらの結晶は結晶粒界をもたらす。結晶粒界によって、金属フレーク効果（metal flake effect）が発生し、ポリシリコンの中に金属の断片が散りばめられたように見える。
ポリシリコン（Polysilicon）とマルチシリコン（multisilicon）は、類義語としてよく使われる。その一方で multicrystalline（多結晶の意）は、1ミリメートルより大きい結晶に対してよく使われる。
多結晶シリコン太陽電池は、急速に成長する太陽光発電市場における最も一般的な種類の太陽電池であり、全世界で生産されるポリシリコンの大半を消費する。
従来の1メガワットの太陽電池モジュールを製造するために約5トンのポリシリコンを必要とする。
ポリシリコンは、単結晶シリコンやアモルファスシリコンと明確に異なったものである。
多結晶シリコン 多結晶シリコン 対 単結晶シリコン
単結晶シリコン（single-crystal silicon / monocrystalline silicon）において、結晶構造は均一であり、見た目の色が均一であることによって区別できる。
その結晶構造は、結晶粒界がないので、全体が単結晶であり、結晶が連続しており、結晶が壊れていない。
大きな単結晶は自然において極めて珍しく、研究所で作ることも難しい（en:Recrystallization (chemistry)も参照）。
それと対照的にアモルファス構造において、原子配置の秩序は短い範囲に制限される。
多結晶とパラクリスタル（準結晶）の相は、多くの小さな結晶あるいは晶子から構成される。
多結晶シリコン（半結晶シリコン、ポリシリコン、ポリSi、あるいは単純に「ポリ」）は、複数の小さなシリコン結晶から成る物質である。
多結晶セルは、「金属フレーク効果」と呼ばれる目に見える大きさの粒によって識別できる。
半導体グレード（あるいはソーラーグレード）多結晶シリコンは、単結晶シリコンへ変換される。つまり、ランダムに結合した多結晶シリコンのシリコン晶子は、大きな単結晶へ変換されるということである。
単結晶シリコンは、シリコンでできたマイクロエレクトロニクス素子のほとんどを製造するのに使われる。
多結晶シリコン 多結晶シリコン 対 単結晶シリコン
超高純度ポリシリコン（純度99.999999999%）は、半導体産業で使われ、長さ2mから3mのポリシリコンのロッドから製造される。
マイクロエレクトロニクス産業（半導体産業）において、ポリシリコンはマクロスケールとマイクロスケール（成分）の両方の段階で使用される。
単結晶はチョクラルスキー法、ゾーンメルト法そしてブリッジマン・ストックバッカー法を使って成長される。
多結晶シリコン 部品として使われる多結晶シリコン
部品レベルで考えると、ポリシリコンはMOSFETやCMOSの製造工程において伝導性のあるゲート物質として長らく使われてきた。
これらの技術のために低圧化学気相成長（LPCVD : low-pressure chemical-vapour deposition）反応器を使ってポリシリコンを成長させる。成長されるポリシリコンは、大抵高濃度にドープされたn型半導体やp型半導体である。
近年、そのままのポリシリコンとドープされたポリシリコンが薄膜におけるアクティブ層やドープされた層として大面積エレクトロニクスで使われている。
ポリシリコンは低圧化学気相成長（LPCVD）によって成長させることができるが、プラズマ化学気相成長法（PECVD : plasma-enhanced chemical vapour deposition）あるいは特定の処理方法においてアモルファスシリコンの固相結晶化を使うこともできる。これらの工程は少なくとも摂氏300度の高温を必要とする。
これらの温度においてガラス基板上でポリシリコンを堆積することが可能であるが、プラスチック基板上で成長させることはできない。
多結晶シリコン 部品として使われる多結晶シリコン
プラスチック基板上の多結晶シリコンの成長は、フレキシブルスクリーン（曲げられる画面）のデジタル表示装置を製造できるということで期待されている。
それゆえにプラスチックを溶かしたり損傷しないようにプラスチック基板上で前駆体アモルファスシリコン（a-Si）を結晶化するためにレーザー結晶化という比較的新しい技術が考案された。
短周期かつ高密度の極端紫外線レーザーパルスは、基板全体を溶かさないように成長させたa-Siを溶かしたい部分だけ加熱するために使われる。
溶かされたシリコンは、冷えるに従って結晶化する。
温度勾配を精密に制御することによって、非常に大きな粒に成長させることができる。極端な場合、数百マイクロメートルまで成長できるが、10ナノメートルから1マイクロメートル程度の大きさが一般的である。
しかしながら、広い面積に渡ってポリシリコン上にデバイスを作るために、デバイスの形状よりも結晶の粒が小さいことがデバイスの均一性のために必要とされる。
低温でポリシリコンを生成するもう一つの方法は、金属誘起結晶化（metal-induced crystallization）である。
その方法において、アルミニウム、金、あるいは銀のような他の金属膜と接触させながら焼き入れるとアモルファスシリコンの薄膜を摂氏150度程度の低温で結晶化させることができる。
多結晶シリコン 部品として使われる多結晶シリコン
ポリシリコンは、VLSIの製造において多くの用途がある。
主な用途の一つは、MOSデバイスのためのゲート電極物質としてである。
ポリシリコンのゲートの電気伝導率は、ゲート上に金属（タングステンのようなもの）あるいは金属シリサイド（タングステンシリサイドのようなもの）を堆積することによって増大する可能性がある。
ポリシリコンは、抵抗器、導電体、あるいはシャロージャンクションとして使用される可能性もある。シャロージャンクションにおいて、ポリシリコン物質にドーピングを行うことによって得られた期待された電気伝導率を利用する。
ポリシリコンとアモルファスシリコン（a-Si）の主な違いは、ポリシリコンの電荷担体の移動度が10のべき乗倍大きく電界と光によるストレスにおいてより高い安定性を示すことである。
このことは、より複雑でより高速な電子回路をアモルファスシリコンと一緒にガラス基板上に作成することを可能にする。
ポリシリコンとアモルファスシリコンが同じ製造過程で使われるとき、ハイブリッドプロセッシングと呼ばれる。
小さな画素の大きさが必要とされるいくつかの事例（例えば、液晶プロジェクタ）で完全なポリシリコン活性層プロセス（complete polysilicon active layer process）も使用される。
多結晶シリコン 部品として使われる多結晶シリコン
多結晶シリコンは、太陽光発電産業おける結晶シリコンの重要な原材料であり、従来型の太陽電池の製造に使われる。
2006年代の初め頃、ポリシリコンの世界供給量の半分以上は、太陽電池製造企業によって消費されていた。
太陽電池はポリシリコン原材料の供給不足によって厳しく制限され、2007年において太陽電池セルとモジュールの製造能力の約1/4を稼働しないように強制された。
2008年において、12の工場だけがソーラーグレードシリコンを製造していた。しかしながら、2013年までに製造企業の数は100以上に増加した。
単結晶シリコンはチョクラルスキー法によって再結晶化されているので、ポリシリコンよりも高価でより効率の良い半導体である。
多結晶シリコン 堆積法（Deposition methods）
ポリシリコン堆積、あるいは半導体ウェハー上に多結晶シリコンの層を堆積する工程は、摂氏580度から650度までの高温におけるシラン (SiH4) の化学分解によって実現されている。
この熱分解処理は、シリコンから水素を放出する。摂氏500度から800度の化学気相成長によって行われる。
SiH4(g) → Si(s) + 2 H2(g)
多結晶シリコン 堆積法（Deposition methods）
ポリシリコンの層は、25–130 Pa (0.19–0.98 Torr)の圧力において100%のシランを使って堆積させることができる。あるいは、同一の圧力下で窒素で薄めた20%から30%のシランを使うこともできる。
これらのプロセスは両方とも一度に10枚から200枚のウェハー上にポリシリコンを堆積することができる。1分間に10nmから20nmの堆積を行うことができ、厚みは±5%の範囲で均一になる。
ポリシリコン堆積におけるこのプロセスの重要な変数は、温度、圧力、シラン濃度、そして不純物濃度である。
ウェハーの間隔と大きさは、堆積プロセスにおいてわずかな影響しか及ぼさない。
ポリシリコンの堆積速度は、温度を上げると大きくなる。それはアレニウスの式に従うので、堆積速度＝ A·exp(–qEa/kT)である。ここでqは電荷であり、kはボルツマン定数である。
ポリシリコン堆積のための活性化エネルギー（Ea）は、約1.7 eVである。
この数式に基づくと、ポリシリコン堆積速度は、堆積温度の上昇とともに増加する。
しかしながら、未反応のシランが表面に到達する速度よりも堆積速度が速くなる最低温度が存在する。
この温度を超えると、ポリシリコンを生成するシランの不足によって堆積速度はもはや温度とともに上昇できない。
多結晶シリコン 堆積法（Deposition methods）
そのような反応は、物質転送制限（mass-transport-limited）と言われている。
ポリシリコンの堆積プロセスが物質転送制限になったとき、反応速度（reaction rate）は主に反応物質濃度、反応器形状、そしてガスの流量に主に依存するようになる。
ポリシリコンの堆積が生じる速度が未反応のシランがウェハー表面に到達する速度よりも遅いとき、それは表面反応制限（surface-reaction-limited）と呼ばれる。
表面反応制限になっている堆積プロセスは、主に反応物質濃度と反応温度に依存する。
堆積プロセスは、表面反応制限にしないといけない。なぜなら、良好な厚みの均一性とステップカバレッジ（step coverage）を実現できるからである。
表面反応制限領域における絶対温度の逆数に対して堆積速度を対数で描画すると直線になる。その傾きは–qEa/kに等しい。
多結晶シリコン 堆積法（Deposition methods）
VLSI製造のための低い圧力レベルにおいて、摂氏575度未満のポリシリコン堆積速度は、実用にするには遅すぎる。
摂氏650度を超えると、望ましくない気相反応とシランの枯渇が原因で堆積の均一性は悪化し、非常に荒い堆積になる。
低圧力の反応器の内部における圧力を変更することができる。ポンプの速度を変えるか、反応器の入口のガスの流量を変えるかのどちらかよって圧力を変更できる。
もしも入口のガスがシランと窒素から構成されるならば、入口のガス流量、従って反応器の圧力を変更できる可能性がある。一定のシラン流量における窒素流量の変更をするか、あるいはガス比率を一定に保ちつつ合計のガス流量を変更するために窒素とシランの両方の流量を変更するかのどちらかによって変更できる。
最近の調査によると、電子ビーム蒸着と統計的工程管理（SPC）は、ソーラーグレードのポリシリコン薄膜を製造するために費用対効果が高く、迅速な代替手法になることが示されている（SPCは必要な時のみ）。
そのような方法で製造された太陽電池モジュールは、6%以下の変換効率であることが示されている。
ポリシリコンのドーピングが必要であれば、堆積プロセスの間に行う。大抵、ホスフィン、アルシン、あるいはジボランを添加する。
ホスフィンあるいはアルシンを添加すると堆積が遅くなり、ジボランを添加すると堆積速度が速くなる。
ドーパントが堆積中に添加されると、堆積の厚みの均一性は通常悪化する。
シーメンス法は、ポリシリコンの製造で最も一般的に使われる方法である。特に電子産業において、2005年現在世界生産の75%近くがこの方法を使っている。
この方法はMG SiをSiHCl3へ変換し、反応器の中でポリシリコンになる。このように遷移金属とドーパントのような不純物を除去する。
このプロセスは、比較的高価で時間がかかる。
多結晶シリコン 改良型冶金グレードシリコン（Upgraded metallurgical-grade silicon）
改良型冶金グレード（UMG : Upgraded metallurgical-grade）シリコン（UMG-Siとしても知られる）の太陽電池は、シーメンス法によって作られるポリシリコンに対する安価な代替品として製造されている。
UMG-Siは、シーメンス法よりも少ない装置と少ないエネルギーしか必要としない様々な方法で不純物を大幅に削減している。
UMG-Siの純度はソーラーグレードシリコンと同程度である。それはポリシリコンと比べて3桁以上少ない低い純度であり、ポリシリコンよりも10倍以上安い（2005年から2008年までUMG-Siは、1kg当たり$1.70から$3.20である。ポリシリコンは、1kg当たり$40から$400である）。
UMG-Siは、従来の太陽電池と同程度の性能のものを効率的に供給できる潜在力を持つ。ポリシリコンの太陽電池と比べて、UMG-Siのための設備投資は1/5、必要なエネルギーは半分、そして1kg当たり$15未満の価格で供給できる。
多結晶シリコン 改良型冶金グレードシリコン（Upgraded metallurgical-grade silicon）
2008年において、いくつかの企業がUMG-Siの潜在力を喧伝していた。しかし、2010年に金融危機がポリシリコンの価格を大幅に下げたので、いくつかのUMG-Si製造者はその計画を保留した。
シーメンス法は、より効率的にシーメンス法を実現することによって来たるべき数年間の生産における支配的な手法であり続けるだろう。
GT Solar社は、新しいシーメンス法が1kg当たり$27で製造を可能にし、5年以内に1kg当たり$20に到達すると主張している。
GCL-Poly社は、生産コストが2011年の終わりに1kg当たり$20になると予想している。
Elkem Solar社は、UMG-Siのコストが1kg当たり$25になり、2010年の終わりに6,000トンの製造能力を有すると見積もっている。
Calisolar社は、ホウ素が0.3 ppm、リンが0.6 ppm含まれているUMG-Siの製造技術が5年以内に1kg当たり$12になると予想している。
1kg当たり$50かつ出力1W当たり7.5 gの太陽電池モジュールの製造者は、ポリシリコンのために出力1W当たり$0.37を費やしている。
多結晶シリコン 改良型冶金グレードシリコン（Upgraded metallurgical-grade silicon）
比較として、テルル化カドミウム（CdTe）製造者は、テルルのためにスポット価格（2010年4月に1kg当たり$420）で支払いを行なっており、厚さ3マイクロメートルのテルル化カドミウムはポリシリコンの10倍以上安い出力1W当たり$0.037に過ぎない。
銀を出力1W当たり0.1 g使用し、銀1オンス当たり$31の場合、ポリシリコン製造者は、銀のために出力1W当たり$0.10を費やしている。
Q-Cells社、Canadian SolarそしてCalisolar社は、Timminco社のUMG技術を使ってきた。
Timmincoは、0.5 ppmのホウ素を含んだUMG-Siを1kg当たり$21で製造することができる。しかし、株主は1kg当たり$10を期待していたので、株主はTimmincoを相手に訴訟を起こした。
RSI (Rainbow Solar Inc.)とDow Corningも、UMG-Si技術に関する件で訴訟中である。
多結晶シリコン 多結晶シリコンの用途の潜在性
現在、ポリシリコンは一般的にMOSFETのような半導体デバイスの導電ゲート金属として使われている。しかしながら、大型の太陽電池デバイスのための潜在力を有している。
シリコンの豊富さ、安定性、そして低い毒性が、ポリシリコンの単結晶シリコンよりも低コストであることと相まって、ポリシリコンが太陽電池生産にとって魅力的なものになる。
粒子の大きさは、ポリシリコン太陽電池の効率に影響することが示されている。
太陽電池セルの効率は、粒子が大きいほど増大する。
粒子が大きいと太陽電池セルの中のキャリアの再結合を減らすことができるからである。
キャリアの再結合（太陽電池の中の電流を制限する要因である）は、粒界でより多く発生する。
単結晶シリコンの抵抗力、移動度、そして自由キャリア密度は、単結晶シリコンのドーピング濃度とともに変化する。
多結晶シリコンのドーピングは、抵抗力、移動度、そして自由キャリア密度において影響を及ぼすが、これらの特性は多結晶シリコンの粒子の大きさに強く依存し、材料科学者は粒子の大きさという物理パラメーターを操ることができる。
多結晶シリコンを形成する結晶化方法を通じて、技術者は多結晶シリコンの粒子の大きさを制御できる。粒子の大きさは、材料の物理特性を変化させる。
多結晶シリコン 多結晶シリコンのための斬新なアイデア
太陽電池の製造に多結晶シリコンを使うと、必要な材料が少なくて済む。そのため、高い利益を得ることができ、製造スループットを向上できる。
太陽電池を形成するために多結晶シリコンをシリコンウェハーの上に堆積する必要はなく、むしろ他の安い物質に堆積させることもできるので、コストを削減できる。
シリコンウェハーを必要としないことでマイクロエレクトロニクス産業がたまに直面するシリコン不足を軽減できる。
シリコンウェハーを使わない例として、ガラス上の結晶化シリコン（CSG : crystalline silicon on glass）が挙げられる。
多結晶シリコン 多結晶シリコンのための斬新なアイデア
太陽電池産業における一番の関心事はセルの効率である。
しかしながら、セルの製造において十分なコスト削減をすることは、屋外での効率低下と相殺できる。より大きな太陽電池セルの配列を使うことはより小型で効率の良い設計と同等になる。
CSGのような設計は魅力的である。効率が落ちても低コストで生産できるからである。
より効率の良いデバイスは、占有する設置場所を減らし、より小型のモジュールを生み出す。しかしながら、一般的なCSGデバイスの5%から10%の効率は、発電所のような大規模な中央サービスステーションに設置する場合に未だに魅力的である。
効率とコストの対立の問題は、エネルギー密度の高い太陽電池セルを必要とするか、あるいはより安価な代替物の設置を可能とする十分な場所があるかの価値観の決断である。
例えば、遠隔地の発電に使われる太陽電池セルは、低電力用途で使われるもの（太陽電池アクセント照明、ポケット電卓、あるいは確立された送電網の近くで使う太陽電池）よりもさらに効率の高い太陽電池セルを必要とする。
多結晶シリコン ポリシリコン製造企業
2013年の国毎のポリシリコン生産量（企業の本社がある国が基準、工場のある場所ではない）。全世界で227,000トンである。
ポリシリコン製造市場は、急速に成長している。
2011年7月のDigiTimesによると、2010年の総ポリシリコン生産量は、209,000トンであった。
最大の供給企業は、市場の64%を占めており、その一方で中国を拠点とするポリシリコン企業は市場シェアの30%を占めている。
総生産は2011年の終わりまでに37.4%増えて281,000トンになると思われる。
EE Timesアジアは、2012年に196,000トンしか需要がないのに328,000トンが生産され、スポット価格は56%へ下落すると予想している。
再生可能エネルギーの展望として良いことであり、価格の連続する下落は、製造企業にとって厳しいことである。
2012年終盤現在、SolarIndustryMagは、2012年末までに生産量が385,000トンに達すると報告している。
多結晶シリコン ポリシリコン製造企業
しかし、確立した製造企業（後述）がその生産能力を拡大していると同時に新規参入企業（多くはアジア企業）が、市場に入ってくる。
ポリシリコン市場の老舗企業ですら最近は製造プラントを拡大するのは難しい。
ここ数ヶ月のスポット価格の急激な下落の後でどの企業が利益を十分に出しながら低コストで製造をすることができるのかは未だに不透明である。
ワッカー・ケミーは、総合的な超高純度ポリシリコン生産能力を2014年までに67,000トンに増やすことを計画してきた。クリーブランド (テネシー州)に建設された新しいポリシリコン製造工場は、一年間に15,000トンの生産能力を有している。
その他の製造企業
多結晶シリコン ポリシリコン製造企業
ポリシリコンの価格は、よく2つのカテゴリーに分けられる。契約価格とスポット価格である。純度が高いほど高価になる。
太陽電池の設置が盛んになると、ポリシリコンの価格競争が起きる。
市場においてスポット価格が契約価格を超えるのはもちろんだが、それでもポリシリコンを十分に獲得するのは困難である。
バイヤーは、十分な量のポリシリコンを獲得するために頭金と長期契約を受け入れることになる。
逆に太陽電池の設置が下火になれば、スポット価格は契約価格を下回る。
2010年の終わり頃に太陽電池の設置が盛んになったので、ポリシリコンのスポット価格は上昇した。
2011年前半において、イタリアのFIT（固定価格買取制度）のおかげでポリシリコンの価格は強く維持された。
太陽電池価格の調査と市場調査の企業であるPVinsightsは、ポリシリコンの価格は2011年の後半に太陽電池の設置不足によって引きずり落とされるだろうと報告していた。
2008年の価格は、1kg当たり$200の水準から1kg当たり$400を超えた。その一方で2013年に1kg当たり$15まで下落した。
中国政府は、アメリカ合衆国と韓国の製造企業を略奪的価格設定もしくは不当廉売で告訴した。
その結果として、製品が原価以下で売られることを阻止するために2013年にこれらの2つの国から出荷されるポリシリコンに最大57%の関税を課した。
中国における製造業の急激な成長と行政による監視不足が原因で余った四塩化ケイ素の廃棄が報告されている。
通常、余った四塩化ケイ素は再利用されるが、摂氏980度に加熱する必要があるので、製造企業の負担を増やすことになる。
落石防護柵
落石防護柵（らくせきぼうごさく）とは落石を待ち受けて停止させるために斜面に設けられた柵（防護柵）のことである。
落石防護柵 概要
落石を停止させるために斜面の途中に設置されるもので、金網・ロープ・支柱などの軽量部材から構成される。落石防護柵は落石対策としては構造物が比較的小さくなる傾向になり、施工には大掛かりな重機が必要なく設置が容易な傾向にある。長大斜面の場合には落石のエネルギーを抑えるべく多段式にして設置することがある。
落石防護柵 構造
落石防護柵は「阻止面」「支持部材」「基礎」の3つの要素から形成される。なお、どれか1つでも部材が損傷すると落石防護柵は全体の機能を失う特性を有する。
たわみ性の網状部材およびワイヤロープ類によって構成される。
網状部材には金網が用いられ、この金網には菱形金網（列線の交差部を1回撚ったもの）と亀甲金網（列線の交差部を2回撚ったもの）がある。菱形金網は運搬時の巻き取りが容易で、簡単につなぎ合わせることができる長所を有するが、列線のどこか1か所でも切断すると広い範囲で強度を低下する短所がある。日本や北アメリカでは菱形金網が主流である一方で、ヨーロッパなどでは亀甲金網が主流である。
ワイヤロープははじめは腐食を考慮してガードケーブルに見られる径の大きな素線を撚ったものがほとんどであったが、溶融亜鉛めっきのみならず亜鉛アルミ合金も厚めにめっきしたワイヤロープも用いられるようになった。
エネルギー吸収装置や高強度・高たわみ性のネットを用いて落石が持つエネルギーをより吸収できるようにした落石防護柵を用いる場合、落石発生時に阻止面が大きく道路側に突出する可能性があり、道路の安全性を損なわないよう留意する必要がある。