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劇場版 とある魔術の禁書目録 -エンデュミオンの奇蹟- 登場人物
自身が建設したエンデュミオンとオリオン号事件で偶然にも生まれた「副産物」であるアリサ、そして観客達を利用して、学園都市を含む北半球を自身ごと破壊させようと目論むが、観客達はアリサ、アリサは上条、エンデュミオンと学園都市は美琴、ステイル、一方通行達によって守られ、術式はインデックスに解体されて、自殺計画は失敗に終わる。なお、術式を解析したインデックスによると、ここまでの事をしても死ぬ事はできなかったという。事件解決後はアレイスターの研究材料として回収された。
特典アニメでは声優繋がりで美琴達に建物にまつわる小噺を披露している。
新約9巻では、オティヌスの作り出した「幸せな世界」の学園都市に似た街でただのちびッ子社長として歩いていた模様。
ジェーン＝エルブス (Jane Elves)
声 - 種田梨沙
イギリス清教「必要悪の教会」に属する魔術師の少女。ステイルの弟子。風のエレメントを操る魔術を得意とする。
マリーベート＝ブラックボール (Mallybath Blackball)
声 - 潘めぐみ
イギリス清教「必要悪の教会」に属する魔術師の少女。ステイルの弟子。土のエレメントを操る魔術を得意とする。
メアリエ＝スピアヘッド (Marie Spearhead)
声 - 瀬戸麻沙美
イギリス清教「必要悪の教会」に属する魔術師の少女。ステイルの弟子。水のエレメントを操る魔術を得意とする。
ディダロス＝セクウェンツィア
声 - 斧アツシ
シャットアウラの亡父。スペースプレーン「オリオン号」の機長。3年前の事故当時、最後まで乗客乗員の生還を諦めずにコックピットに残り続けていた。「88の奇蹟」で唯一の死者となったが、89人目の存在によって死亡が確認される前に88人全員が生還したと報道されてしまい、死亡の事実は隠蔽された。
クロウ7、クロウ4
声 - 島﨑信長、村田太志
「黒鴉部隊」の隊員。シャットアウラに篤い忠誠心を抱く。
劇場版 とある魔術の禁書目録 -エンデュミオンの奇蹟- 用語
エンデュミオン
オービット・ポータル社が建設した、世界初の宇宙エレベーター。3年前のオリオン号の事故でスペースプレーン計画が凍結された事で、建設が本格的に始まった。
安価、確実、迅速、大量に資材を宇宙に送れるというメリットを持つ事から、次期主力宇宙輸送機関として期待されている。赤道直下に作るの比べて何十倍もの困難と苦労があったとされ、大々的に発表されたのはつい最近で、どう妨害を受けても止める事ができない段階に達するまでは極秘で進められていた。一方、大量の爆発物を安易に宇宙へ運べるので、衛星軌道上から全世界へ簡単に空爆ができるようになり、敵のミサイルを撃ち落とすための高密度の弾幕や機雷原の敷設も可能となる、というように軌道上兵器としての軍事的価値も極めて高い。外周部にはアンチデブリミサイルが装備され、外部から接近する物体を迎撃できるようになっている。
劇場版 とある魔術の禁書目録 -エンデュミオンの奇蹟- 用語
作業用初期型ワイヤーを敷設してスペースポートとアースポートを結び付け、1つ1つに無人で動くロボットとしての機能を付加した数十億ものブロック状の建材を利用し、宇宙側と地球側の双方から組み上げるという手法を取っているため、足場もクレーンの敷設も安全性の確認も必要とせず、圧倒的な速度で一気に建造する事が可能となっている。その建築スピードは学園都市でなければ絶対不可能とされ、通常なら100年以上かかるはずの工程を、ものの数日まで短縮させた。最終的には鋼鉄よりも硬く熱にも強いカーボンナノチューブのベルトを内部に並べ、1つ1つのブロックの継ぎ目には状況に合わせて「しなる」効果も持つように関節が存在する。倒壊対策としてパージシステムが備わっており、3箇所の爆砕ボルトに点火する事で実行される。
その実態はシュメールのジグラットやバベルの塔、万里の長城、ギゼーのピラミッドと同様の魔術的な塔で、レディリーが大魔術を行使するための超大規模魔術装置。生と死、有限と無限の全てが交差し、地上とは別の法則が働く宇宙空間で、「聖人」とされるアリサを組み込み、人々の熱狂と血を神々の宴に捧げる供物として、地球そのものを術式の一部に取り込んだ大魔術を起動し、北半球を丸ごと破壊する程の威力を以って自殺を成功させる事が目的である。
劇場版 とある魔術の禁書目録 -エンデュミオンの奇蹟- 用語
時系列上では本作より過去に位置するテレビアニメ『とある科学の超電磁砲S』にも、建設途中の姿で背景に登場している。
オービット・ポータル社
宇宙エレベーター「エンデュミオン」を建設した会社。社長はレディリー＝タングルロード。私設治安維持部隊「黒鴉部隊」を率いている。
3年前にオリオン号の事故を起こした会社でもあり、社運をかけたスペースプレーンが落ちた事で倒産状態になったが、直後にレディリーによって買収されて奇跡の復活を遂げ、エンデュミオンを実現に導いた。地に落ちるはずだった社の命脈を保ったのが「88の奇蹟」であり、ある意味では「奇蹟」を最大の売り物をしている。
バリスティック・スライダー
次期主力宇宙輸送機関のコンペでエンデュミオンに敗れた、新型シャトルシステム。エンデュミオンの中継ステーションへ直接アプローチする手段として土御門が手配し、上条、インデックス、神裂を宇宙まで運んだ。
劇場版 とある魔術の禁書目録 -エンデュミオンの奇蹟- 主題歌・挿入歌
「FIXED STAR」
川田まみによるエンディングテーマ。作詞は川田まみ、作曲は中沢伴行、編曲は中沢と尾崎武士。
「telepath〜光の塔〜」
三澤紗千香による劇中歌。作詞は川田まみ、作曲・編曲は井内舞子。
「アタリマエの距離」
三澤紗千香による劇中歌。作詞・作曲・編曲はfu_mou。
「Brand New Bright Step」
三澤紗千香による劇中歌。作詞・作曲・編曲はfu_mou。
「グローリア」
三澤紗千香による劇中歌。作詞・作曲・編曲は井内舞子。
「明日、晴れるかな」
三澤紗千香による劇中歌。作詞はIKU、作曲・編曲は中沢伴行。
「OVER」
三澤紗千香と日笠陽子による劇中歌。作詞は六ツ見純代、作曲は井内舞子、編曲は井内啓二。
「Shining Star-☆-LOVE Letter」
井口裕香によるイメージソング。作詞はKOTOKO、作曲・編曲は八木沼悟志。
劇場版 とある魔術の禁書目録 -エンデュミオンの奇蹟- 評価
角川シネマ新宿、シネリーブル池袋他全国30スクリーンという小規模公開ながら、2月23日・24日の初日2日間で興収1億75万7700円、動員6万9117人を記録して映画週末興行成績で初登場第3位となり、3月22日時点で興収3億円を突破している。最終興行収入は5.0億円。
DVD&BDの初週売上は以下の表の通り。また、BDの特装版は9月9日付のオリコン週間BD総合チャートにて初登場1位を獲得した。
劇場版 とある魔術の禁書目録 -エンデュミオンの奇蹟- Webラジオ
映画の公開にあわせ、 2012年10月31日から2013年3月27日まで『劇場版 とあるラジオの禁書目録』が配信された。パーソナリティは、『とある“ラジオ”の禁書目録II』に引き続き、インデックス役の井口裕香と御坂美琴役の佐藤利奈が担当した。
劇場版 とある魔術の禁書目録 -エンデュミオンの奇蹟- 特別番組
2013年8月、AT-Xほかにて本編冒頭の約22分とダイジェスト映像の『劇場版 とある魔術の禁書目録 -エンデュミオンの奇蹟- 特別版』が放送された。なお、下記の放送日時は各放送局における『とある科学の超電磁砲S』第17話と第18話の間となっている。
JAPANESE POP (安藤裕子のアルバム)
『JAPANESE POP』（ジャパニーズ・ポップ）は、2010年9月8日に発売された安藤裕子の5枚目のオリジナルアルバム。発売元はcutting edge。
JAPANESE POP (安藤裕子のアルバム) 解説
2008年に発表された『chronicle.』以来、2年4か月振りとなる5枚目（ミニアルバム、ベストアルバムを含めると8枚目）のオリジナルアルバム。「Paxmaveiti ラフマベティ -君が僕にくれたもの-」「問うてる」「歩く」のそれぞれ形態の異なるシングル曲3曲の他、宮川弾やベニー・シングスをアレンジャーとして迎えた全13曲収録。ジャケットと写真はレスリー・キーが担当。なお、本アルバム発表時のアーティスト写真をそのままジャケット写真にしている。
初回限定特典などが存在しないオリジナルアルバムは、2ndアルバムの『Merry Andrew』以来である。
ミュージック・マガジンベストアルバムJ-POP部門年間1位に選ばれた。
常楽寺 (加古川市上荘町)
常楽寺（じょうらくじ）とは、高野山真言宗の寺院である。山号は日光山である。播磨八薬師霊場の2番札所である。わがまち加古川60選（No.39）に選ばれている。病苦を除き、健康と心の安らぎのご利益があることから「日光山のお薬師さん」として親しまれている。
天正年間、豊臣秀吉の三木攻めの時、堂塔伽藍すべてを焼失し、1678年（延宝6年）に再建された。境内には、鎌倉時代に造られた花崗岩の十三重塔、凝灰岩の三重塔、室町時代に造られたと思われる凝灰岩の五輪塔などの石造遺品がある。
春には、みやまつつじがきれいに咲く。
ニコラ・サーラ
ニコラ・サーラ（Nicola Sala, 1713年4月7日 - 1801年8月31日）は、イタリアの作曲家、音楽理論家。
ニコラ・サーラ 生涯
サーラはトッコ・カウディオに生まれた。彼は1732年から1740年にかけて、ナポリのピエタ・デイ・トゥルキーニ音楽院において、ニコラ・ファーゴとレオナルド・レーオの下で研鑽を積んだ。彼の最初の作品と目されるのがオペラ「Vologeses」であり、1737年にローマで初演された。1745年にはレーオの跡を継いでロイヤル・チャペルの楽長職に就いた。サン・カルロ劇場で上演された彼の作品の中でも、「Zenobia」は好評を博した。彼は他にもオペラ、オラトリオ、ミサ曲、カンタータなどを作曲している。
サーラはナポリの重要な音楽指導者の1人であった。彼は母校の音楽院で47年間教鞭を執ったが、1787年には副学長に就任、さらに1793年から1799年には学長を務めた。彼の門下には多くの作曲家がおり、フェルディナンド・オルランディやアンブロジオ・ミノーヤなどがその一例である。彼は学術論文の執筆もいくつか行っており、「対位法実践の規則 Regole del contrappunto pratico」は1794年にナポリで出版された。また、彼は職務の傍ら、献身的に良質の出版譜の収集に努めた。彼はナポリで没している。
近年、彼の作品がベネヴェントの音楽院で発見された。ナポリ、ローマ、パリの大学の古文書解読者とラテン語学者の協力により、毎年彼のオペラやオラトリオが上演されている。
滝大作
滝 大作（たき だいさく、1933年7月22日 - 2024年10月31日）は、日本のコメディー作家・演出家。
かつてはNHK芸能局の職員として多くの演芸番組の制作を担当した。
滝大作 経歴・人物
1933年、東京都芝に生まれる。早稲田大学文学部演劇科中退。
1959年、NHK入局。芸能局ディレクターとして「お笑いオンステージ」等の演芸番組を担当。コント55号の仕掛け人として知られる。
1977年、赤塚不二夫、高平哲郎、タモリと「面白グループ」を結成。4人の共著『SONO SONO（ソノソノ）』は、当時の女子大生ブームの引き金となったベストセラー『ANO ANO』（JICC出版局）のパロディでありながらヒットした。
立川談志とも親交が深い。郵政委員時代の談志がNHKを訪問し、車から入り口まで赤絨毯を敷かせ、坂本朝一会長に出迎えをさせた。談志は坂本に「滝大作くんをここに呼びなさい」と言い、呼ばれた滝に「滝くん、給料はいくらもらってるの？」と、坂本に当てつけるように聞いたという。その後も長く談志と滝の交流は続き、落語会の折に痛飲したり、「老人の初心者」ぶりを嘆きあうハガキを交換するなどした。
滝大作 経歴・人物
1984年、NHK退職。民放各局のバラエティー番組の構成をはじめ、舞台の脚本・演出などで活躍。
1987年、400字詰め原稿用紙にして3万枚に及ぶ古川ロッパの日記を全4巻の『古川ロッパ昭和日記』に編集して刊行。
1995年より、「コメディーお江戸でござる」の脚本。途中より脚色も担当する。
明治期に活躍した建築家の瀧大吉の直系子孫にあたる。
2024年10月31日、急性心不全のため群馬県高崎市の高齢者施設で死去。91歳没。
トガクシソウ
トガクシソウ（戸隠草、学名：Ranzania japonica ）は、メギ科トガクシソウ属の多年草。別名、トガクシショウマ（戸隠升麻）。日本特産の1属1種。
トガクシソウ 特徴
地下に節の多い地下茎が横にはい、多くのひげ根がある。地下茎の先端から茎を伸ばして直立し、高さは30-50cmになる。茎の基部には鱗片があり、根出葉はない。茎の先に2対の茎葉が対生し、茎葉は長い葉柄をもった3出複葉になる。小葉は円形、円心形または卵円形で、長さと幅はともに8-12cmになり、縁は欠刻状に浅-中裂し、掌状になる葉脈がある。小葉の先端はとがり、基部は心状に湾入し、小葉柄も長い。葉や茎には毛がない。
花期は5月下旬-6月上旬。2個の茎葉の間から散形状の花序を出し、淡紫色の径約2.5cmになる花が3-5個つく。花柄は長さ4-8cmになり、やや下向きに咲く。萼片は9個あり、うち3個は外側にあり、小型で花時には落ち、内側の6個は花弁状になり、卵状披針形で、先端は鋭形になり、縁はやや波状になる。内萼片の内側に内萼片よりはるかに小さい花弁があり、6個が集まり鐘状になる。雄蕊は6個あり、昆虫などに触れると内側に曲がる。雌蕊には子房が1個ある。花後には花柄が伸び、10cmを超える。果実は液果で長さ18mmの楕円形で、白色になる。
トガクシソウ 分布と生育環境
日本固有種。本州の中部、北部に分布し、多雪地帯の、落葉広葉樹林の林床にまれに生育する。
トガクシソウ 和名、学名の由来
長野県の戸隠山で最初に採集されたので、トガクシソウ（戸隠草）の名がある。また、日本人によって初めて学名がつけられた植物である。属名 Ranzania は、「日本のリンネ」とも称される江戸時代の本草学者である小野蘭山に献名されたものだが、本来はこの植物と彼は何らの関連はない。
トガクシソウ 学名と「破門草事件」
伊藤篤太郎（1865-1941）は、本草学者で、東京大学教授の伊藤圭介（1803-1901）の孫であり、当時、東京大学植物学教室に出入りを許された在野の植物学者であった。伊藤篤太郎は、自分の叔父の伊藤謙（1851-1879）が1875年（明治8年）に戸隠山で採集し、小石川植物園に植栽した本種の標本を、1883年（明治16年）にロシアの植物学者マキシモヴィッチに送り、マキシモヴィッチは1886年にロシアの学術誌「サンクト・ペテルブルク帝国科学院生物学会雑誌」にPodophyllum japonicum T.Itô ex Maxim. として、メギ科ミヤオソウ属の一種として発表した。
トガクシソウ 学名と「破門草事件」
東京大学植物学教室の矢田部良吉（1851-1899）教授も1884年（明治17年）に戸隠山で本種を採集し、小石川植物園に植栽した。2年後の1886年（明治19年）に開花し、1887年（明治20年）にマキシモヴィッチに標本を送り、鑑定を仰いだところ、翌1888年（明治21年）3月、マキシモヴィッチは「本種はメギ科の新属であると考えられ、Yatabea japonica Maxim. の学名をつけたいが、正式な発表前に花の標本を送ってほしい」と回答した。伊藤篤太郎はこの矢田部教授の動きを聞き、既に自分が発表したPodophyllum japonicum がミヤオソウ属の一種ではなく新属であることを知り、また、新属名が Yatabea と矢田部教授に献名される予定であることを知った。伊藤篤太郎は、叔父の伊藤謙が採集し、自分が最初に学名をつけた植物の学名が矢田部教授に献名されることにあせり、1888年（明治21年）10月に、イギリスの植物学雑誌 Journal of Botany, British and Foreign 誌に、新属 Ranzania T.Itô を提唱し、Podophyllum japonicum T.Itô ex Maxim. (1887) をこの属に移し、新組み合わせ名 Ranzania japonica (T.Itô ex Maxim.) T.Itô (1888) として発表した。マキシモヴィッチによる Yatabea japonica Maxim.は、伊藤による発表の後であるため、この学名は無効となり公にならなかった。矢田部教授はこのことを知って怒り、伊藤篤太郎を植物学教室の出入り禁止処分にした。トガクシソウは俗に「破門草」という隠れた名前がある。
ともあれこの件により、伊藤篤太郎とトガクシソウは「日本で初めて学名をつけた人物」「日本人により学名を付けられた最初の植物」とされている。
トガクシソウ 保全状況評価
準絶滅危惧（NT）（環境省レッドリスト）
2007年8月レッドリストから。2000年の環境省レッドデータブックでは絶滅危惧II類(VU)。
トガクシソウ トガクシソウ属
トガクシソウ属（トガクシソウぞく、学名：Ranzania T.Itô、和名漢字表記：戸隠草属）はキンポウゲ目メギ科の属の一つ。花弁の基部に2個の蜜腺があり、葉は複葉で、果実は液果となる。日本特産の固有属で、本属にはトガクシソウ1種のみが知られている。
とある魔術の禁書目録 (アニメ)
『とある魔術の禁書目録』（とあるまじゅつのインデックス）は、鎌池和馬による同名のライトノベルを原作としたアニメ作品。アニメーション制作はJ.C.STAFFが担当している。
第1期『とある魔術の禁書目録』は、2008年10月から2009年3月までAT-Xほかにて放送された。第2期『とある魔術の禁書目録II』は、2010年10月から2011年4月までAT-Xほかにて放送された。第3期『とある魔術の禁書目録III』は、2018年10月から2019年4月までAT-Xほかにて放送された。
第3期は2017年10月に開催された「電撃文庫 秋の祭典2017」内で制作が発表され、翌2018年始動の『とある』プロジェクト第1弾とされた。
とある魔術の禁書目録 (アニメ) 制作
主な舞台となる学園都市は、原作では東京西部に位置する設定になっているが、テレビアニメ版では立川駅や多摩センター駅の周辺地域がデザインモデルとなっており、地域と連携した企画も行われている。
とある魔術の禁書目録 (アニメ) 主題歌・挿入歌
第1期
オープニングテーマ
「PSI-missing」（第1話 - 第14話）
作詞・歌 - 川田まみ / 作曲 - 中沢伴行 / 編曲 - 中沢伴行、尾崎武士
TV版では第16話まで。
「masterpiece」（第15話 - 第24話）
作詞・歌 - 川田まみ / 作曲・編曲 - 井内舞子
TV版では第17話から。

エンディングテーマ
「Rimless〜フチナシノセカイ〜」（第1話 - 第19話）
作詞・歌 - IKU / 作曲 - 高瀬一矢、IKU / 編曲 - 高瀬一矢
「誓い言〜スコシだけもう一度〜」（第20話 - 第24話）
作詞・作曲・歌 - IKU / 編曲 - 高瀬一矢

挿入歌
「雨」（第12話）
作詞・歌 - 川田まみ / 作曲 - 中沢伴行 / 編曲 - 中沢伴行、尾崎武士
「jellyfish」（第23話）
作詞・歌 - 川田まみ / 作曲 - 中沢伴行 / 編曲 - 中沢伴行、尾崎武士
第2期
とある魔術の禁書目録 (アニメ) 主題歌・挿入歌
オープニングテーマ
「No buts!」（第1話 - 第16話）
作詞・歌 - 川田まみ / 作曲 - 中沢伴行 / 編曲 - 中沢伴行、尾崎武士
TV版第16話では不使用。
「See visionS」（第17話 - 第24話）
作詞・歌 - 川田まみ / 作曲・編曲 - 井内舞子
TV版第24話では不使用。

エンディングテーマ
「Magic∞world」（第1話 - 第13話）
作詞・歌 - 黒崎真音 / 作曲・編曲 - 井内舞子
「メモリーズ・ラスト」（第14話 - 第24話）
作詞・歌 - 黒崎真音 / 作曲 - 中沢伴行 / 編曲 - 中沢伴行、尾崎武士

挿入歌
「Pray〜祈り〜」（第23話）
作詞・歌 - IKU / 作曲・編曲 - Barbarian On The Groove
第3期
オープニングテーマ
「Gravitation」（第1話 - 第5話、第7話、第8話、第10話 - 第13話、第15話）
作詞 - 川田まみ / 作曲 - 中沢伴行 / 編曲 - 中沢伴行、尾崎武士 / 歌 - 黒崎真音
「ROAR」（第18話 - 第20話、第22話、第23話、第25話）
作詞・歌 - 黒崎真音 / 作曲 - 中沢伴行 / 編曲 - 中沢伴行、尾崎武士

エンディングテーマ
「革命前夜」（第1話 - 第5話、第7話、第8話、第10話 - 第15話）
作詞 - zopp / 作曲 - 高橋克行、伽羅奢 / 編曲 - 佐々木裕 / 歌 - 井口裕香
「終わらない歌」（第16話、第18話 - 第20話、第22話、第23話）
作詞 - zopp / 作曲 - 佐藤厚仁 / 編曲 - 華原大輔 / 歌 - 井口裕香
とある魔術の禁書目録 (アニメ) 評価
「ニュータイプアニメアワード2011」では男性キャラクター賞で上条当麻が4位を獲得している。「ニュータイプアニメアワード2018-2019」では作品賞（TV放送＆配信作品）で7位を獲得している。
「2008年度読者が選ぶアニメキャラ大賞」では新人賞でインデックスが7位を獲得している。「2010アニメキャラアワード」では御坂美琴が2部門でトップ5入り（「強かったで賞」4位、「かわいかったで賞」4位）、「ワガママだったで賞」でインデックスが5位を獲得している。アニメディア創刊記念号特別企画「これが私の神アニメだ！ IN SUMMER」（2010年）では男性キャラクター部門で上条当麻が9位を獲得している。アニメディア創刊記念号特別企画「みんなの推しキャラ THE☆BEST」（2011年）では歴代人気アニメで9位、男性キャラクター部門で上条当麻が2位を獲得している。
とある魔術の禁書目録 (アニメ) BD / DVD
パッケージイラストは、原作イラスト担当のはいむらきよたか描き下ろしイラストとなっている。オーディオコメンタリーのほか、作品解説ブックレット、書き下ろし小説『とある科学の超電磁砲SS』、WEBラジオ『とあるラジオの禁書目録』収録CD-ROM、サウンドトラックCDなどを収録（一部、初回限定盤のみ）。
『とある魔術の禁書目録 PLEASURE DISC』
第1期のBD / DVD第1巻初回盤の予約（購入者）先着特典。おまけアニメ『とある魔術の禁書目録たん』をはじめ、店頭ナビゲーション番組『とある魔術の禁書目録Blu-ray & DVD 予約しちゃうとイイコトいっぱいだよスペシャル!』、阿部敦、井口裕香、佐藤利奈による撮り下ろし座談会『とある魔術の座談会』、広告用映像『先行プロモーション映像 RONDO ROBE 2008 Ver.』が収録されている。全63分。
『とある魔術の禁書目録 PLEASURE DISC 2』
第1期のBD / DVD第5巻初回盤の予約（購入者）先着特典。第1巻に続き、おまけアニメ『とある魔術の禁書目録たん2』をはじめ、出演声優陣（阿部敦、井口裕香、佐藤利奈）とグレート・プロデューサー (GP) による撮り下ろし座談会『とある魔術の座談会2』、広告用映像『プロモーション映像 コミックマーケット75 Ver.』が収録されている。全42分。
とある魔術の禁書目録 (アニメ) BD / DVD
『とある魔術の禁書目録II PLEASURE DISC』
第2期のBD / DVD第1巻初回盤の予約（購入者）先着特典。おまけアニメ『とある魔術の禁書目録たん3』をはじめ、出演声優陣（阿部敦、井口裕香、佐藤利奈）による特別企画『とあるメンツの未来予報』、広告用映像『先行プロモーション映像 コミックマーケット78 Ver.』が収録されている。全64分。
『とある魔術の禁書目録II PLEASURE DISC 2』
第2期のBD / DVD第5巻初回盤の予約（購入者）先着特典。おまけアニメ『とある魔術の禁書目録たん4』をはじめ、出演声優陣（阿部敦、井口裕香、佐藤利奈、岡本信彦、日高里菜）による特別企画『とある試験の模範解答』、おまけ映像『とある放課後の座談会』、『プロモーション映像 コミックマーケット79 Ver.』が収録されている。全68分。
とある魔術の禁書目録 (アニメ) Webラジオ
アニメ第1期に合わせ『とある“ラジオ”の禁書目録』が2008年9月19日から2009年5月1日まで配信された。
第2期に合わせ『とある“ラジオ”の禁書目録II』が2010年9月24日から2011年5月6日まで配信された。
第3期に合わせ『とあるラジオの禁書目録III』が2018年12月14日に配信された。以降はBlu-ray&DVDに付属する特典CDにて収録された。
パーソナリティは、インデックス役の井口裕香と御坂美琴役の佐藤利奈。
とある魔術の禁書目録 (アニメ) コラボレーション
同じ電撃文庫作品であり、テレビアニメ第2期と同時期に放送されたアニメ『俺の妹がこんなに可愛いわけがない』とCMやポスターなどでコラボレーション企画が行われた。
極端紫外線リソグラフィ
極端紫外線リソグラフィ (きょくたんしがいせんリソグラフィ、英語: Extreme ultraviolet lithography、略称：EUVリソグラフィ または EUVL) は、極端紫外線、波長13.5 nmにて露光する次世代露光技術である。
極端紫外線リソグラフィ 概要
EUVLは、2018年から実用化されている露光技術であり、7 nmノード以下の露光に使用するために導入されている。2022年（令和4年）時点では、TSMC、サムスン電子、Intelなどの世界半導体大手が先端半導体製造に使っている。
ASML社は極端紫外線の露光装置を作っている唯一のメーカーである。極端紫外線で 5 nmノードを製造するには、現在液浸20 nmノード向けよりも高い開口率のレンズや、高度なマルチパターニングが必要になると推測していた。
1990年代から次世代リソグラフィの本命と目されていたものの、量産ラインでの実用化は2018年以降に実現できた。
"深紫外線"という名称は過去にX線リソグラフィの補助金をアメリカの業界団体が連邦政府から得ていたため、深紫外線の波長は軟X線の一部であるが、新たに研究補助を申請する際に「X線」という名称が使えなかったので改めて「EUV」の名称で研究開発資金の援助を申請したので、呼称が「EUV」に変更されたとされる
極端紫外線リソグラフィ EUVL 光源
中性の原子や凝縮物質はEUV放射を発生することができない。物質がそれを放射するためにはイオン化をまず第一に起こさなければならない。EUV光は多価正イオンによって結合される電子でのみ発生することができる。例えば、+3の炭素イオン（3個の電子がすでに除かれている）から1つの電子を引き抜くには約65 eVを必要とする。そのような電子は典型的な価電子より強固に拘束される。多価の正イオンが存在できるのは、高温高密度プラズマの中においてのみ可能であり、それ自身EUVを強く吸収する。EUVリソグラフィ用のキセノンやスズのプラズマ源は、放電生成かレーザー生成による。十分な処理能力を得るためには100 Wを超過する出力が必要である。最先端技術の193 nmのArFエキシマレーザーは200 W/cm2の強度を提供しているが、EUVを生成するプラズマを生産するためのレーザーははるかに強力な、約1011W/cm2の強度である必要がある。（レーザー出力が100 Wに達する）193 nmの光から 、（10 kWを超過するレーザーまたは等価なエネルギー源の出力を必要とする）EUV光を発生させるために、巨大なエネルギー負荷を課せられていることをこれは示している。EUV光源は20 kWのCO2レーザーによって駆動され、それは電力変換効率は~ 10 %で、消費電力は~200 kWである。参考だが、すでに実用化されている100 WのArF液浸レーザー（UV光源）は~1 %の電力変換効率であり、消費電力は~ 10 kWである。
極端紫外線リソグラフィ EUVL 光源
開発中のプラズマベースのEUV光源の追加特性は、それらが部分的にさえコヒーレントでないということである。これは従来の光リソグラフィーに使用されるKrFとArFのエキシマレーザーと異なっている。（多くの独立した波長のあらゆる方向に放射する）非コヒーレント光源を（波長の狭い帯域内の方向に制限のある範囲の中で放射する）部分的なコヒーレント光に変換するために、（望まない波長および方向に対する）フィルタをかけることが、電力損失（エネルギーロス）を一層低減させるために期待されている。
極端紫外線リソグラフィ EUVL 光源
2008年現在では開発ツールは120 Wの光源で1時間当たりウェハー4枚の処理能力を持っていた。100ウェハー毎時の要求に対しては、それゆえ3 kWの光源が必要となるのだが、見通せる範囲では利用は出来ていない。しかしながら、EUVの光子計数は、フォトダイオードによって集められる1つの光子当たり生成された電子の数によって決定される。これは本質的に初期光電子のかなりばらつきのある二次電子放出比であるので、線量測定は大きいばらつきに左右されうる。実際、Gulliksonほかのデータは光電流感度の自然変動が~10 %であることを示している。より最近のシリコンフォトダイオードのデータは依然この評価と一致している。EUV線量計の校正は重要な未解決の問題である。2次電子のばらつきはアヴァランシェ・フォトダイオードのノイズでよく知られた根本原因である。
なお高度に相対論的な真空管の自由電子レーザーとシンクロトロン放射源は、物質源よりもよい光源品質が得られるものの、高い強度を得るためには開発課題が多かった。いくつかの専用の工業用シンクロトロン光設備が建造され、それらの利用は半導体デバイスの製造も包括している。 自由電子レーザーは、単色でコヒーレントな、また広がり角の狭い光を提供する。双方ともまた、X線波長域へのシームレスな進展を与え、利用可能な波長の連続領域を提供する。
極端紫外線リソグラフィ EUVL光学
EUVリソグラフィは今日利用されている深紫外線リソグラフィと比べ、著しく異なっている。EUVは波長13.5 nmという軟X線に近い領域のため、すべての物質において、EUVを吸収する。したがって、EUVリソグラフィは真空中で発生させる必要がある。すべての光学要素は、フォトマスクを含め、中間層干渉による光を反射するよう作用する、無欠陥のMo/Si多層膜を利用しなければならない。これらの鏡は入射光線の約30%を吸収する。この制約はマスクがない干渉リソグラフィシステム（Interference lithography）で回避することができる。しかし、後者のツールは周期的なパターンのみを製造するのに限定される。
現在まで構築された試作EUVLシステムは少なくとも2つの集光多層膜鏡、6つの投影多層膜鏡、また多層膜(マスク)で構成されている。光学系が利用可能なEUV光の96%を既に吸収するので、理想的なEUV光源は十分に明るい必要がある。EUV光源開発はレーザーまたは放電パルスによって生成されたプラズマに焦点が置かれている。集光鏡はプラズマに直接露出され、したがって高エネルギーのイオンから、および他の残骸(デブリ)からのダメージに脆弱である。EUVを発生する高エネルギープロセスに付随したこのダメージは、EUVリソグラフィ技術の実用的なEUV光源の実施成功を妨げている。
極端紫外線リソグラフィ EUVL光学
EUV露光装置のウエハー処理能力は、生産能力の指標の一つである。EUVが高真空を要求する技術であるとすれば、処理能力は（光源出力はさておき）ツールチャンバー出し入れするウエハーの移動によって、時間当たりの少ないウエハー数で制限される。
試作用EUV露光装置の別の特徴は、多層膜マスクへの（6度の角度の）斜入射照明である。回折像中にもたらされる非対称性は、パターン忠実度を下げる陰影効果を引き起こす。
EUVの短い波長はレンズフレアも引き起こし、画質の完全性を損ない、線幅粗さを増大させることが知られている。
主要体積当たり（例えば20 nmの立方体）の加熱は、フォトレジストにおける高い吸収のため、DUV光子に比較して、EUVの光子あたりより高くなる。加えて、EUVリソグラフィは真空環境のため、液浸リソグラフィの水冷環境にくらべてより加熱される。
加熱は多層膜鏡を使用する場合に特に深刻な問題となる。なぜなら、EUVは表面から薄い距離で吸収されるので、加熱密度が高くなるためである。結果、高い加熱負荷で水冷方式が使用されると予想される。しかしながら、結果として生じる振動は微細加工における懸案事項である。
極端紫外線リソグラフィ EUVL光学
NISTとラトガース大学による最近の研究で、光電子生成および二次電子収率に影響を及ぼすEUV鏡の共鳴構造によって、多層膜光学系の汚染に多大な影響を受けることが判明した。
EUVはすべての物質に大きく吸収されるので、リソグラフィ装置内部のEUV光学要素でさえ、主に明白なアブレーションとして現れる。それらのアブレーションはEUVリソグラフィに特有の新たな懸念である。従来の光学リソグラフィシステムは主に透過部品を使用しており、電子ビーム露光装置は電子の経路に部品を置かない。しかし、これらの電子は最後には露光したサンプル基板にエネルギーを注入する。
極端紫外線リソグラフィ EUVに特有のオーバーレイ問題
EUVが真空中で操作され、反射光学系を要求するので、ASMLに加えて、IMECによって最近研究された、EUVリソグラフィ装置には特別のオーバーレイの懸念がある。従来の真空チャックの代わりに静電チャックが使用されなければならない。したがって、静電チャックにおけるウェハークランプ変動は適切に対処する必要がある。200 nmの窒化ケイ素（それは背面冷却および放熱を可能にするために後で除去する必要がある）の背面コーティングは、有益であると判明した。この追加手順(それは既にパターンの施されたデバイス層を最初に保護することが必要な)の他に、ゾーン整列(標準部分的なものではなくウエハーを横断した線列マークをすべて使用した)もまた、一層の改良をもたらした。EUVが要求する真空環境は、多くを放熱しないウエハーを加熱することになる。牲の最初のウエハーはチャック温度を安定させるのに必要と判明した。さらに、露光加熱によるローカルのオーバーレイ修正は第二のウエハーが必要となる。したがって、1ロット当たりの余分なウエハーはEUVリソグラフィのオーバーレイ安定化に必要である。反射の使用はレチクルの平坦度およびレチクル固定にとって、ウエハー露光位置を非常に敏感にさせる。したがって、レチクル固定清浄度を維持することが必要である。
極端紫外線リソグラフィ フォトレジストのEUV露光
EUV光子が吸収される場合、ちょうどX線または電子線が物体に吸収される場合に生じることのように、光電子(photoelectron)と二次電子(secondary electron)がイオン化によって生成される。生成量は明確ではないが、平均で約4個の二次電子がEUV光子毎にで生成されると推測された。これらの二次電子は、数から十数eVのエネルギーを持っており、目的の化学反応を始める前にフォトレジスト(下記参照)内部の十数ナノメーターを移動する。これは、ハロゲン化銀写真フィルム中の潜像形成のための光電子泳動に非常に似ている。このやや大きな距離の要因は、ポリマーに排除体積相互作用(excluded volume interaction)があるという事実である。最近の実際のEUV印刷テストでは、たとえ光学解像度およびフォトレジスト構成が制限因子でなかったとしても、30 nmの空間を解像出来なかったと判明した。
具体的に、より高い処理能力を得るため化学増幅を利用するフォトレジスト(化学増幅型レジスト)において：
e- + 酸発生剤(acid generator) → アニオン → 解離アニオン生成
極端紫外線リソグラフィ フォトレジストのEUV露光
この反応は、「電子付着(electron attachment)」や「解離性電子付着(dissociative electron attachment)」としても知られ、その時点での捕捉が最も容易であるため、基本的に電子が停止するまで減速した後生じる可能性が最も高い。電子付着の断面積は高エネルギーの電子エネルギーに反比例するが、0のエネルギーにおいて最大の制限値に接近する。他方では、最低のエネルギー(数 eVかそこら、あるいは解離性付着が支配的な領域)の平均自由行程が、10 nmをはるかに上回ことは既に知られており、それゆえこのスケールにおいて分解能が確実に達成される能力を制限している。 さらに、20 eV未満のエネルギーを持った電子は、レジストからの水素とフッ素の陰イオンの脱着が可能であり、それはEUV光学系への潜在的な損害につながる
EUVフォトレジストイメージはピッチとおよそ等しい厚さのレジストを必要とすることがよくある。これはEUV吸収によりレジストの底のほうまでに少ない光しか届かなくなることによるだけでなく、二次電子からの前方散乱にもよる（低エネルギー電子線リソグラフィに似る）。反対に、薄いレジストは下層のフィルムへの損傷をもたらす入射光の多くの部分を伝達するが、にもかかわらず同じレベルの吸収を満たすためにより多くの照射を必要とする。
極端紫外線リソグラフィ フォトレジストのEUV露光
光子の吸収深度は電子の脱出深さを超過するので、電子の放出は結局遅くなり、それらのもつエネルギーは最終的に熱として消散される。
1 mJ/cm2のEUV照射は10.9 μC/cm2当量の光電子線量を生じる。
現状の実証では10 mJ/cm2の照射を越える。109 μC/cm2の光電子線量当量である。
より小さな形状を作るためにより高線量および（または）レジストの薄膜化を採用することは、単にフォトレジストの底面層の照射増加をもたらすのみである。これは、実質的にイメージコントラストを低下せしめる光電子と二次電子の別の重要な供給源が加えられる。さらに、下層への電離放射線障害の可能性を増加させる。
分解能を不鮮明にする二次電子および光電子の範囲は、線量、表面汚染、温度などのような要因に依存する。
極端紫外線リソグラフィ EUVL 欠陥
EUVLは液浸リソグラフィが直面しているものと類似した特有の欠陥問題に直面している。液浸特有の欠陥は水とフォトレジスト間との最適化されていない接触によるが、EUVに関係のある欠陥は本質的にEUV放射のイオン化エネルギーに起因する。第一の問題は正帯電である。EUV放射によってレジストの表面から解放された、光電子の放出のためである。これは静電放電、あるいは、上でも言及した装置損害と同様に粒子汚染ももたらしうる。第二の問題は、周囲の、あるいはアウトガスによる炭化水素によるレジスト上の汚染物堆積である。それはEUVまたは電子で引き起こされる反応に起因する。第3の問題は、EUV放射またはEUVで生成された電子によって解離された酸素、アルゴン、または他の雰囲気ガスによる腐食である。リソグラフィチャンバー内の雰囲気ガスはガスパージや汚染削減のために使用される。これらのガスはEUV放射によりイオン化され、露出表面の近傍にプラズマ発生をもたらし、多層光学素子の障害や試料への不用意な暴露に至る。
極端紫外線リソグラフィ EUVL 欠陥
当然ながらマスク欠陥もまたEUVLの欠陥の既知な原因である。極端紫外線マスクにおける欠陥の低減は、現在EUVリソグラフィの商業化のために取り組まれる、最も重大な案件のうちの1つである。欠陥中核（すなわち空孔か粒子）は、基板上で、多層膜堆積物中に、あるいは多層膜積層の上に生じる場合がある。最終欠陥の印刷適性は、既定の位置で光の相変化および振幅変化に依存するだろう。正味の相変化および/または振幅変化は、中核欠陥の固有の効果と、欠陥の間の多層膜スタックの成長への影響をもたらす。埋没欠陥は特に油断がならず、10 nmの欠陥ですら危険であると考えられる。検知されない3 nmのマスク基板平坦度変化によって引き起こされた位相シフトは、印刷可能な欠陥を生むのに十分である。この背景にある原理は、平面からの1/4波長の偏差が、反射の後に1/2波長光路長差を生じるというものである。平面から反射される光は、1/4波長の偏差した光とで180度位相がずれる平面からの1nmの偏差さえ、画像強度の実質的減少（~20 %）に結びつくであろうことが示された。実際、100 nmの半値全幅をもつ原子スケール（0.3 - 0.5 nm）の高さの欠陥は、10 %のCDインパクトを示すことにより依然印刷可能になりえる。レンズのように、実質的に位相シフトを生じるどんな欠陥も、欠陥領域の外側へ光を散乱させる。散乱された光の量は計算可能である。更に、平坦からのその偏差が表面に関して84度の発生率のターゲット角からの偏差により、3度を超過すれば、位相欠陥の端はさらに反射率を10 %以上縮小するだろう。くわえて、位相欠陥の端部は、もしその逸脱が平面度から3度を超過する場合、表面に対して84度の目標入射角からの偏差のため、反射率を10 %以上低下させることになる。欠陥高さが浅くても、端部は依然として積層する多層膜を変形させ、多層膜が傾斜する伸長領域を生じる。変形が急峻であるほど、欠陥端部の伸長領域は狭くなり、反射率への損失が大きくなる。
極端紫外線リソグラフィ 想定外の解像度限界
現在のリソグラフィ光波長と比較して、EUVが波長を著しく縮小するのなら、それが著しくよりよい解決になると期待するだろう。しかし、解像度は結局、像の記録媒質(つまりフォトレジスト)中の相互作用量によって決定づけられる。上に言及されたように、EUVによって放出された低エネルギー電子はオリジナルのEUVイメージを不鮮明にするかもしれない。さらに、とりわけ1,500平方ナノメーター未満の特定エリアにおいては、統計的な効果がある。
ポリマーのようなレジストは80 nmのサイズで凝集することがよく知られている。高解像度レジストのHSQ（水素シルセスキオキサン）ですら15 - 20 nmにしか凝集体サイズを縮小しない。凝集体サイズより大きいラインの粗さは、凝集体サイズによって緩やかに影響される一方、凝集体サイズが線幅が明らかに下回ることは深刻な影響を受ける。
極端紫外線リソグラフィ 想定外の解像度限界
5 mJ/cm2の線量感度は、およそ数千程度のEUV光子だけがそのような小さな領域で蓄積することを示唆している。光子のランダムな到着時による自然なポアソン分布で、約40nm未満の形状にとって露出プロセスを基本的に制御しがたくする、少なくとも数パーセント3シグマの期待された自然な線量変化がある。線量を増加させることはショット雑音を縮小するが、一方でさらにフレア線量を増加させ、より多くの自由電子を生成するだろう。自由電子は減速し停止するまで拡散するだろう。自由電子密度が初期光子密度より低いので、ショット雑音はEUV線量を単に考慮することから想定されるよりも常に実質的に大きい。
2008年にインテルは10億の30 nm接点を印刷するために、±16 %の線量エラー(@10 mJ/cm2)がEUVショット雑音から期待されると推定した。厳しい集計では、変動は±20 %まで増加する。この問題は22 nmパターン統合に影響を与えるだろう。1nmのピクセル内を検討した場合、ショット雑音が一層明白になり(>100% on 10 nm scale @10 mJ/cm2)、EUVリソグラフィにおける線端粗さ(line edge roughness:LER)の由来問題がより明確になる。
極端紫外線リソグラフィ 想定外の解像度限界
電荷捕捉のための2次元絶縁を伴う浮遊ゲートフラッシュメモリパターン同様に、DRAMと論理マイクロプロセッサ(11nmノードでの複合パターンカットを含む)でしばしばみられる2次元パターンは、線種形状よりショット雑音の影響をより受けやすい。それは、2次元パターン(理想的な長方形)が、あるしきい線量の近辺で露光した限定領域における光子の数として定義されているからである。
5 %線量誤差は~ 1 nmのCDエラーに帰着すると判明した。100万接点の母集団における5 %線量誤差を避けるための最小線量はすべての世代で2倍となっているが、産業における目標線量は追いついていない。少なくとも最小線量を達成するために、処理能力は同じ比率で低減されるだろう。1ppmの母集団は平均線量から5の標準偏差である。
参考に、Nvidiaは2011年に次のように報告した。
ビア欠陥レベルは10億分の１である必要があり、その結果上記の最小線量はより厳密になる必要があるだろう。
参照: SPIE Proc. 8326-96, 8683-36, 8679-50 (2013)
極端紫外線リソグラフィ 想定外の解像度限界
部分的なコヒーレント光源は、数百から数千の点のそれぞれ独立した光子源の集合としてしばしば表現される。更に、一方の光源による異なる入射角に対しての多層膜反射率の非対称な変化は、他方によるものより実質的に明るい 。10光子/nm2の線量における100万個の光子は(例えば100光源 x 10000光子/点)、100,000 nm2の領域（~ 300 nm x 300 nm)をカバーし、はるかに理論分解能を超過する。
極端紫外線リソグラフィ 想定外の解像度限界
ショット雑音は、前にも述べたEUV光源出力の問題に強い影響がある。10 mJ/cm2では、中間焦点における出力は180 Wでなければならないが、現状高負荷サイクルにおいてそれはおよそ20 Wである。しかし、有意なショット雑音は最小線量が20 nm形状サイズで少なくとも47 mJ/cm2（例えば20nmを20nmの半ピッチ線で切る）10 nm形状サイズでは187 mJ/cm2（例えば10 nm接点を14 nmの半ピッチ線で切る）でなければならず、それゆえEUV光源出力はかつてないほど達成困難になりつつある目標であることを示している。さらに、もし線量が少なくとも3倍増加するならば、レジストポリマーの架橋結合はより重大になる。後述するように、高い吸光度のため、加熱することはより深刻である。化学増幅型レジストにとって、酸発生分解（acid generator decomposition）のため線量露光が強いと線端粗さが増大する。ショット雑音は、ネガ型の金属酸化膜レジストをもつ、コンタクトホール・パターンに使用される明視野露光をいくらか緩和するかもしれない。フレアは線量が高い明視野露光においてより深刻な影響（像のコントラストを失わせる）を持っている 。HSQレジストの軟Ｘ線露光は、100 mJ/cm2レンジにおける線量増加のため露光限界を越える増加反応に関係した50 - 70 nmの線幅増大を示している。
極端紫外線リソグラフィ 想定外の解像度限界
ショット雑音問題はEUVで使用された、20 nm以下のマスク上に描画された形状に適用できる。(ウェーハ上に20nmをプリントするため）マスク上の80 nmコンタクトホールパターンに使用される12 uC/cm2の吸光線量では、そのようなコンタクトホールが10億を越える線量レベルにおいては、必然的に10 %のショット雑音に遭遇する。
EUVの空間像計測システム(Aerial Image Metrology System:AIMS)メーカーであるカール・ツァイスは、18 nmピクセルあたり15,000光子(68 mJ/cm2に相当する)が十分なCD忠実度のために必要であると近年結論を出している。
PMMAのような絶縁材料においては、低エネルギー電子がはるか遠くへ移動しうる(数ナノメートルでありうる)ことが認識されてきている。例えば、10nm未満の厚さのSiO2において、ごくわずかな電子散乱が予想されている。これは、イオン化ポテンシャル以下に、唯一のエネルギー損メカニズムが主としてフォノンとポーラロンによってあるという事実による。ポーラロン効果が高分子と共有結合物質よりもイオン結晶の中においてより強く現れることに注意しなければならない 実際のところ、
ポーラロン跳躍は20nm以上離れて拡大する。
極端紫外線リソグラフィ 想定外の解像度限界
~20nmのワーストケースの拡散を~10nmの期待されるEUVツールの解像度に加えれば、現実的に有効な解像度がよくても~30 nmであることが予想され、それは現行のダブルパターニングリソグラフィを使用した最先端の液浸リソグラフィに匹敵する。20nmの電子範囲がばらつきに応じた10%のみの限界寸法であることを可能にすることは、そのまま200nmを下回るリソグラフィへの挑戦となる。
(*) 平均では,10eVのエネルギーを持つ電子はエネルギーを失う前に物質内のこの距離を移動する。
IBMのFederほかによる古典的な実験において、PMMAレジスト上のエルビウム層はX線に晒される。エルビウム層はX線を強く吸光し、低エネルギーの二次電子を生成する。吸光されないX線はPMMAを貫通し続け、そこでごく軽く吸光される。溶剤中のエルビウム層および後のPMMA現像の除去に際して、レジスト除去速度は、膜の残りの部分では一層緩やかである一方で、PMMA膜の表面から40nmにおいて促進されることが判明した。促進率は二次電子の照射によるものであり、一方で抑制率はX線の吸光によるものである。この事例においては40nmの最大二次電子照射範囲であるとわかった。
村田はまた、X線照射の間Si基板からPMMAの層に放出された92eVのオージェ電子の影響を計算した。PMMAの照射範囲は50nmであった。
極端紫外線リソグラフィ 想定外の解像度限界
MITとウィスコンシン大学のCarterらがより最近行った実験においては、電子を発生するX線吸収体はPMMAレジストの表面でなくむしろ直下であった。この場合、PMMAの分解促進は基板上からおよそ50nmで開始される。
この二次電子範囲の意味は50nmオーダー以下の距離における「近接効果」の出現である。形状がこの範囲以下に減少するとともに、これは照射許容値を劇的に縮小する。たとえ形状が今までどおりこの範囲以下に印刷することができても、解像度はエネルギー分布の不確定性によって影響を受ける。上記の実験的に決定された範囲の差(40nm対50nm)は、この根本的なばらつきの表れである。二次電子照射を不鮮明効果と見なすことができる。不鮮明は一般的に、光学的のみのイメージ・シミュレーションに含まれていない。
近接効果はまた、レジストの上面から去り、およそ数十ナノメーター離れた距離に戻る光電子と二次電子によって明らかである。これは（真空中で）水平方向には拡散しているが垂直方向において正に帯電した表面に引きつけられる、表面上の空間電荷雲を形成する放射電子の観点から理解される
極端紫外線リソグラフィ 想定外の解像度限界
二次電子近接効果は、40-60eVのエネルギー範囲にある放射電子を持つ走査プローブ端を使うことで、スタンフォード大学によって最近実証された。線量感度は照射中心から25nmより遠いところで実証された。50nm範囲の照射幅以下では、低エネルギーの(EUVにより生じた)電子分布は線幅分布に影響することが示されている。これは従来の光学リソグラフィには見られない新しい効果である。
減衰長が1.18nmの平均の長さであるにもかかわらず、~1.35eVまでの低エネルギー電子がSio2内部で~15nmまで移動することを示すため、光電子放出顕微鏡(Photoelectron emission microscopy:PEEM)のデータが用いられた。
小寺ほかはEUV光電子軌道シミュレーションを行い、それらの範囲が30nmになることを示した。これらの電子によるエネルギー付与の広がりは観測される線端粗さから説明できる。表面から放射された電子が戻ることはないので、最上層の照射は事実上少ない。
Ritucciほかは、DUV波長に比べてEUV波長にとって効率的な改良した熱剥離を報告している。EUVはすべての物質のバンドギャップを超過するので長い波長のものよりもより吸収され易く、そして同じ線量の入射エネルギーでは結果的により加熱される。~100mJ/cm2でさえ剥離をもたらすのに足りるほど熱いであろう。光増幅フォトレジストの解像度は熱で駆動される酸拡散で決定される。たとえ剥離線量が100 mJ/cm2であっても、1nm画素にわたるショット雑音が依然重大であり(3σ/avg = 36%)、画素が少なくとも5%すなわち20nm以下であるような限界寸法(critical dimension:CD)に深刻な効果となりうる。
古澤ほかは基本的な酸発生予測とシミュレーション適合を用いEUV化学増幅型レジストの点拡がり関数(point spread function)を求めた。吸収点から~20nm広がった酸発生の範囲は~40nmの解像限界を伴っている。
フォトレジストが容易に酸分子を拡散するならば、EUVや他の電離放射線によって生成した小さく軽い電子が速やかに広く拡散し、期待された光学解像度を無効にする驚くべきことではない。
2008年末の印刷結果に基づいたレジストの不鮮明さは10-16nmの範囲である。ハーフピッチの解像度は依然30nm以下で苦労しており、先端粗さは依然大きな問題となっている。
22nmと24nmのハーフピッチに焦点を当てた2011年の研究は照射後加熱工程での温度非依存不鮮明が80度において~5nmから110度において~10nmまでの範囲であることを示唆した。二次電子不鮮明はこの範囲では観測されなかったと報告された。空間像は推定フレア（すべての長距離二次電子不鮮明を含む）を補正された。
二次電子生成が運動量移動で非弾性散乱を伴うとともに、関連する位置不確実性がある。低エネルギー電子がより少ない運動量移動をするのに応じて、二次電子発生プロセスの非局在化はより高い傾向にあり、LERにはより直接的な影響を及ぼす。
極端紫外線リソグラフィ EUVL実証
ポール・シェーラー研究所の干渉リソグラフィは10nm以下の線間形状を実証するために使用された。この光源で試験されたレジスト性能は、投影装置のコントラスト制限のためEUV投影装置用に期待された性能を反映しなかった。
1996年、サンディア国立研究所、カリフォルニア大学バークレー校およびルーセント・テクノロジーの共同作業において、75nmから180nmまでのゲート長のnMOSトランジスターを生産した。ゲート長はEUVリソグラフィによって決定された。130nmゲート長におけるデバイスの飽和電流は~0.2 mA/uであった。100nmのゲートデバイスは、90mV/decadeの閾値下の振れ(subthreshold swing)と、250 mS/mmの飽和トランスコンダクタンスを示した。当時の最先端DUVリソグラフィでパターニングされた同じデザインルールでの商用のNMOSは、0.94mA/umの飽和電流と860mS/mmの飽和トランスコンダクタンスを示した。この事例での閾値下の振れは90mV/decade以下であった。
極端紫外線リソグラフィ EUVL実証
2008年2月に、ニューヨーク州立大学オールバニ校のCollege of Nanoscale Science and Engineering (CNSE)を拠点とした、IBMとAMDを含む共同作業では、45nmのノード・テスト・チップの最初の金属層中に90nmの溝をパターニングするためにEUVリソグラフィを使用した。デバイス性能についての個別の詳細は提示されなかった。しかしながら、リソグラフィの性能詳細はそれでもなお要望されるものの多くを示した。
同じEUV露光は理論的に100nmより大きいマスク欠陥由来のプリント欠陥が30nm以下となることをもたらす一方で、AMDの45nmノードmetal-1デザインルールは90nmであったように、高い欠陥レベルは予想外ではないかもしれない。その自然解像限界を凌駕する光リソグラフィーはこの点に関して重要な利点を持つ。
おそらく、CNSEのEUV装置は既知の16%フレア問題を被った。フレア効果は上で述べられた二次電子効果から切り離すのは困難かもしれない。
2008年7月に、IMECは導入したEUVツールを使用して~60nmコンタクトをプリントした
12~18mJ/cm2の線量が使用された。