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AT-10 (航空機)
ビーチクラフト AT-10 ウィチタ（Beechcraft AT-10 Wichita）は第二次世界大戦中のアメリカ陸軍航空隊の高等練習機である。ビーチクラフト社とグローブ・エアクラフト社で生産された。
アメリカ陸軍航空隊の多発機のパイロットの養成のために適する双発機の要求に対して、1940年の初めにビーチクラフトはモデル25の設計を開始した。当時、アルミニウムなどの戦略物資の不足が懸念されていたので、戦略物資を使わないことが要求の中にあり、ビーチクラフトは合板を材料に機体を設計した。
モデル25はアメリカ陸軍に評価のために引き渡されたが1941年5月5日に墜落した。翌日からモデル26の製造を始め、7月19日に初飛行し、1942年2月にAT-10として採用され、ビーチクラフトの工場のある地名からウィチタという愛称がつけられた。
カーチス社のAT-9と同エンジン・同規模の機体だったが、本機の方が需要が大きく、生産数はおよそ3倍であった。
1942年の終わりまでに748機が生産され、爆撃機や輸送機のパイロットの養成に用いられた。1943年にビーチクラフトが1,771機で生産を終了し、別に下請けのグローブ・エアクラフトが1944年までに600機を生産した。
天理教の時間
「天理教の時間」（てんりきょうのじかん）は、毎週土曜日または日曜日の早朝（一部放送局を除く）に全国36局で放送されていたラジオ宗教番組。提供は天理教道友社。
1999年からは「家族円満」シリーズを放送しており、放送は2023年現在で1200回を超えている。内容は、教会長や布教師らの体験談を交えたトークや布教部講演講師の講話など。毎月1回、道友社のスタジオでの収録を行っている。ナレーションは俳優の福寿淳と村崎由佳。
かつては、スカパー!ベターライフチャンネルでも同名タイトルのテレビ番組が放送されていた（後述）。
なお、当番組は2023年3月でラジオ放送を終了し、インターネット配信に移行となった。
天理教の時間 ネット局
2021年4月現在。放送時間の早い順から記載。
天理教の時間 テレビ「天理教の時間」
2011年春までは、CS放送のスカパー!ベターライフチャンネルでテレビ放送も実施されていた。平日・土曜日は15分枠、日曜日は30分枠での放送だった（平日と土曜の放送は2009年度に終了し、2010年度は日曜のみの放送となった）。
悩み相談のコーナー「心の道しるべ」、様々な医療に関する相談をしたり天理よろづ相談所病院に関する「医療よろず相談所」やその他教祖中山みきの道をみる「おやのてびき」、「天理大学附属天理参考館」のコーナーなどがあり、その他天理教に関する様々な放送が行われていた。(なお、スカパー!e2ではこの番組を見ることはできなかった)
ホロアル・スティエルネン
ホロアル・スティエルネン（Hroar Stjernen、1961年2月11日 - ）はノルウェーの元スキージャンプ選手、指導者である。選手として1980年代に活躍し、のちにはノルウェーナショナルチーム監督も務めた。息子のアンドレアス・スティエルネンも元スキージャンパーである。
ホロアル・スティエルネン プロフィール
1984年1月21日の札幌でスキージャンプ・ワールドカップにデビュー、7位となった。
翌1984-1985シーズンのスキージャンプ週間第4戦ビショフスホーフェンでワールドカップ初勝利、
1985年ノルディックスキー世界選手権では90m級10位、70m級36位となり、ワールドカップの総合では13位となった。
1986-1987シーズンがベストシーズンで、1987年ノルディックスキー世界選手権では90m級38位、団体戦銀メダル、70m級4位、ワールドカップでは2位3回を含む15回の一桁順位入りで総合5位と安定した成績を残した。
現役引退後はナショナルチームのコーチ・監督を務めたが成績不振を極めた2002年のジャンプ週間後休養してラドヴィック・ザイチが代行、シーズン終了後、後任には、フィンランドのミカ・コヨンコスキが就いた。
その後FISの競技技術代表を務めている。
マグネ・ヨハンセン
マグネ・ヨハンセン（Magne Johansen、1965年1月18日 - ）は、ノルウェー・トロンハイム出身の元スキージャンプ選手。
マグネ・ヨハンセン プロフィール
1987年3月1日にラハティでスキージャンプ・ワールドカップにデビュー、14位となった。
1989年ノルディックスキー世界選手権団体戦でクラス・ブレーデ・ブローテン、オーレ・グンナル・フィディエステール、ヨン・インゲ・キョールムとともに銀メダルを獲得した。
1992年のアルベールビルオリンピックではノーマルヒル49位、ラージヒル18位、団体7位。スキーフライング世界選手権で13位、ワールドカップ総合では26位といずれも自己最高位を記録した。
ノルウェー選手権では2位が4度（ノーマルヒル：1988-1990年3年連続、ラージヒル：1992年）と3位が1度（ラージヒル：1990年）ある。
翌1992-1993シーズンはワールドカップポイントをあげることができず、以後は国際大会への出場も減り、1998年33歳で現役を退いた。
クラス・ブレーデ・ブローテン
クラス・ブレーデ・ブローテン（Clas Brede Bråthen、1968年11月28日 - ）はノルウェーの元スキージャンプ選手で現在はノルウェースキー連盟の役員である。
クラス・ブレーデ・ブローテン プロフィール
1986年のノルディックスキージュニア世界選手権（アメリカ合衆国、レークプラシッド）で銅メダルを獲得。1988年12月17日札幌（日本）でスキージャンプ・ワールドカップ自己最高位となる3位を記録した。
1989年ノルディックスキー世界選手権では70m級15位、90m級11位、団体戦では銀メダルを獲得した。
1994年のノルウェー選手権ノーマルヒルで優勝、1996年限りで現役を退いた。
2001年からノルウェースキー連盟のジャンプ部長を務め、また女子ジャンプの普及に努めている。
ビョルン・ミルバッケン
ビョルン・ミルバッケン（Bjørn Myrbakken、1972年8月15日 - ）は、ノルウェー、ソール・トロンデラーグ県Fannrem出身の元スキージャンプ選手。
ビョルン・ミルバッケン プロフィール
1991年3月13日のトロンハイムでスキージャンプ・ワールドカップにデビュー。67位となった。
1992-1993シーズンがベストシーズンで、12月5日のファルンで15位に入り初ポイント獲得、12月20日の札幌では自己最高位となる3位に入賞した。1993年ノルディックスキー世界選手権では団体戦で金メダルを獲得、個人ラージヒルは36位、ノーマルヒルは33位だった。1993年ノルウェー選手権ラージヒル2位。ワールドカップ総合では自己最高の10位となった。
1994年、自国開催のリレハンメルオリンピックに出場するもノーマルヒル39位に終わった。
ワールドカップ出場は1994-1995シーズンが最後で、翌1996年現役引退した。
大江千里のSUZUKI STATIONKIDS
『大江千里のSUZUKI STATION KIDS』（おおえせんりのスズキステーションキッズ）は、FM東京（TOKYO FM）制作、JFN系列全国ネットで放送されたラジオ番組である。
パーソナリティは大江千里。番組名にもあるとおりスズキの一社提供番組であった。
大江千里のSUZUKI STATIONKIDS 放送日時
1989年4月2日から1994年3月27日まで、毎週日曜16:00 - 16:55
大江千里のSUZUKI STATIONKIDS 概要
大江千里がリスナーからの葉書によるトークや、ゲストを迎えてのトーク、ショートストーリー（ミニドラマ）や洋邦問わず音楽などで綴る内容である。
タイトルは大江のファンクラブの名前と同一である。
大江千里のSUZUKI STATIONKIDS 備考
JFN系列局のうち、三重エフエム放送については自主制作番組である『Sundayときめきステーション』→『おもいっ気りサンデー』を放送していたため、17時台の番組を含め唯一未ネットであった。その後も『SUZUKI ソング・フォー・ラバーズ』→『福山雅治のSUZUKI Talking F.M.』→『ももいろクローバーZのSUZUKI ハッピー♣クローバー!』に至るまで、未ネットが続いていた。2018年9月をもって『おもいっ気りサンデー』→『radio3 SINGLE TOP 30』を引き継いで放送してきた『radio3 Best Mix Sunday』が終了し、17時台の番組ともどもネットを開始した。
ドキドキお姉さん
『ドキドキお姉さん』（ドキドキおねえさん）は、2003年7月25日（廉価版に当たるかぐやコレクションDVD版は2008年8月29日）にアトリエかぐや Berkshire Yorkshireから発売されたアダルトゲームである。
2005年9月30日には、アイチェリーからDVDPG版『ドキドキお姉さん DVDPG』が発売された。
ドキドキお姉さん あらすじ
川奈智博はマンションで一人暮らしを満喫していたが、ある日、兄嫁のみちると義姉の瞳が智博の家に転がり込んでくる。その上、体育教師の水野葉月までが住み込んできた。さらにマンション管理人の娘の三浦玲子まで加わり、智博の部屋は「お姉さんパラダイス」と化していく。
ドキドキお姉さん 登場人物
川奈 智博（かわな ともひろ）
声 - なし
主人公。京介の実弟で瞳、みちるの義兄。マンションで一人暮らしをしている。純情。
川奈 瞳（かわな ひとみ）
声 - カンザキカナリ
智博の義姉。京介の義妹。智博が小学生の頃に父親の再婚相手の連れ子として同居していた。母性本能の持ち主で世話好きだが、飲酒するとフェロモン全開で智博を誘惑するドキドキお姉さんに早変わりしてしまう。
川奈 みちる（かわな みちる）
声 - 青山ゆかり
智博、瞳の兄・京介の妻。智博の義姉を自称するが、実は義妹に当たる人物。現在は落第した智博のクラスメイトでもある。表裏のある人物で、外では可愛く振る舞っているが、家ではズボラでだらしなくなる。智博の前ではお姉さんぶる。京介とのセックスレスが長続きしたため、欲求不満状態である。
水野 葉月（みずの はづき）
声 - 草柳順子
保健体育の新任教師。住んでいたマンションを追い出され、瞳の誘いに乗って智博の部屋に同居することになる。体育教師でありながら運動音痴である。実はナイスバディの持ち主。
三浦 玲子（みうら れいこ）
声 - 北都南
マンション管理人の娘。智博の家の隣に住んでいるが、管理人の娘であるため、家賃はタダである。智博のことを「智クン」と呼び、「ウブで可愛い」と言いながら大人の色気で誘惑してくる。
川奈 京介（かわな きょうすけ）
智博の実兄で瞳の義兄。みちるの夫。
ヘルゲ・ブレンドリエン
ヘルゲ・ブレンドリエン（Helge Brendryen、1974年2月17日 - ）はノルウェーの元スキージャンプ選手。
ヘルゲ・ブレンドリエン プロフィール
1992年12月5日にファルン（スウェーデン）でスキージャンプ・ワールドカップにデビュー、1993年1月31日のフライング（バート・ミッテルンドルフ）で8位（ワールドカップでの自己最高位）となった。1993年ノルディックスキー世界選手権代表に選出されラージヒル個人5位、団体では金メダルを獲得、ノーマルヒル30位の成績を残した。
翌シーズン以降は1995年のノルウェー選手権ラージヒル2位が目立つ程度で1999年に現役を退いた。
エイヴィン・ベルク
エイヴィン・ベルク（Øyvind Berg、1971年3月10日 - ）は、ノルウェー、アーケシュフース県Løken i Høland出身の元スキージャンプ選手。
エイヴィン・ベルク プロフィール
1988年のノルディックスキージュニア世界選手権団体で銀メダルを獲得、翌1989年も団体戦銅メダルを獲得した。
スキージャンプ・ワールドカップへのデビューは1990年3月7日（スウェーデン、エルンシェルツビク）で、59位だった。
1990-1991シーズンはシーズン終盤のトロンハイム（3月13日）で自己最高位の3位入賞などワールドカップ総合23位(自己最高位）になった。
1991-1992シーズンは開幕戦で6位となったが、以後は10位台から20位台とあまり振るわず、アルベールビルオリンピックに出場したが、ノーマルヒル35位、ラージヒル34位だった。
1993年ノルディックスキー世界選手権では団体戦で金メダルを獲得、ノーマルヒルは22位だった。翌1994年、自国開催のリレハンメルオリンピックでは団体戦4位、ラージヒル17位、ノーマルヒル52位となった。
ノルウェー選手権では2位が3度（ノーマルヒル：1993、1995年、ラージヒル：1994年）と3位が1度（ラージヒル：1992年）ある。1996年限りで現役を引退した。
池上紗京
池上 紗京（いけがみ さきょう、8月15日 - ）は日本のイラストレーター。旧名、池上明子、池上沙京。
池上紗京 主な作品リスト
講談社X文庫ホワイトハート
マリアシリーズ（榛名しおり著）
王女リーズ テューダー朝の青い瞳（榛名しおり著）
ブロア物語 黄金（こがね）の海の守護天使（榛名しおり著）
アレクサンドロス伝奇シリーズ（榛名しおり著）
薫風のフィレンツェシリーズ（榛名しおり著）
ゲルマーニア伝奇シリーズ（榛名しおり著）
幻獣降臨譚シリーズ（本宮ことは著）
レディ・ジュエル物語シリーズ（入皐著）
王女ベリータ〜カスティーリアの薔薇〜（榛名しおり著）
氷闘物語 銀盤の王子（吉田周著）
女伯爵マティルダ カノッサの愛しい人（榛名しおり著）
花嫁は愛に揺れる（火崎勇著）
王の愛妾（火崎勇著）
月の砂漠の略奪花嫁（貴嶋啓著）
突然の花婿（火崎勇著）
ヴァニラ文庫
黒の王子と身代わりプリンセス～戴冠式は蜜に濡れて～（夜織もか著）
偽りのウェディング（夜織もか著）
蜜縛〜絶対君主の甘い指先〜（夜織もか著）
恋闇～淫らに触れる指先～（如月著）
この結婚、秘密にさせていただきます!?〜旦那さまはイケメン声優〜（麻生ミカリ著）
S系貴公子のお気に入り（夜織もか著）
完璧令嬢の愛され新婚生活〜貴公子は新妻を甘やかす〜（夜織もか著）
皇帝陛下と秘密の蜜月〜零落令嬢は寵愛される〜（如月著）
伊根町の地名一覧
伊根町の地名一覧（いねちょうのちめいいちらん）は、京都府与謝郡伊根町にある地名の一覧である。見出しは大字を、箇条書きは小字を示す。
辻村伊助
辻村 伊助（つじむら いすけ、1886年（明治19年）4月22日 - 1923年（大正12年）9月1日）は、日本の園芸家、登山家。
辻村伊助 人物・来歴
神奈川県小田原町（現・小田原市）に素封家の二男として生まれる。
東京府開成中学校、第一高校学校を経て、東京帝国大学理学部農芸化学科卒。1906年一高時代、日本初の登山団体「山岳会」に入会し、登山を行い日本アルプスを踏破。1906年木曽駒ヶ岳・宝剣岳でタカネスミレの新産地を発見。1913年渡欧し、
翌1914年1月、ユングフラウに登頂。さらに同年8月、近藤茂吉とグロース・シュレックホルンに登頂したが下山中に雪崩に遭い重傷を負う。入院先の看護師ローザ・カレンと結ばれ、1921年帰国、小田原高等女学校で英語を教える。箱根湯本に高山植物園を開いたが、1923年関東大震災で裏山が崩れ、夫人、3児と共に埋没死。3年後の1926年に遺骨が発見され、比叡山延暦寺に納骨された。
辻村伊助 著書
『スウイス日記』横山書店、1922年8月。 NCID BA48331656。全国書誌番号:43042985。 
『スウイス日記』梓書房、1930年9月。 NCID BA33937485。全国書誌番号:47003188。 
『スウィス日記』思索社、1936年6月。 NCID BN10570780。全国書誌番号:49006498。 
『スウィス日記』思索社、1949年8月。 NCID BN10846597。全国書誌番号:49006498。 
『スウィス日記』角川書店〈角川文庫 449〉、1952年7月。 NCID BA61710353。全国書誌番号:52007520。 
『スウィス日記』日本文芸社〈日本岳人全集〉、1968年8月。 NCID BA33069108。全国書誌番号:68012244。 
『スウィス日記』大修館書店〈覆刻日本の山岳名著〉、1975年10月。 NCID BN04131356。全国書誌番号:81017471。 
『スウィス日記』講談社〈講談社文庫〉、1977年8月。 NCID BA49376445。全国書誌番号:77013686。 
『スウィス日記』平凡社〈平凡社ライブラリー 235〉、1998年2月。 NCID BA3480289X。全国書誌番号:98082334。
辻村伊助 著書
『ハイランド』梓書房、1930年9月。 NCID BN12199286。全国書誌番号:47016167。 
『ハイランド』大修館書店〈覆刻日本の山岳名著〉、1975年10月。 NCID BN04131403。全国書誌番号:81017479。 
『ハイランド』平凡社〈平凡社ライブラリー 262〉、1998年9月。 NCID BA37713184。全国書誌番号:99039911。
西柴
西柴（にししば）は、神奈川県横浜市金沢区の町名。現行行政地名は西柴一丁目から西柴四丁目。住居表示実施済み区域。
西柴 地理
西は谷津川を挟んで能見台東・片吹、北は堀口、北東-東は長浜、南東は柴町、南は金沢町の称名寺市民の森、南西は谷津町に接する。一丁目-四丁目からなり、大部分が一戸建ての分譲住宅で占められている。京急本線能見台駅と金沢文庫駅の間にあり、近くの国道16号経由で磯子駅-追浜方面を結ぶ便や、金沢文庫駅から西柴四丁目経由で海の公園方面を結ぶ路線バスが利用できる。
面積は以下の通りである。
住宅地の地価は、2025年（令和7年）1月1日の公示地価によれば、西柴4-13-6の地点で18万1000円/m²となっている。
西柴 歴史
かつては久良岐郡金沢町の一部であったが、1936年に横浜市磯子区に編入。金沢柴町の一部となり、1939年7月1日に西柴が新設された。のどかな田園地帯であったが、1960年代には鳥浜町などの埋立用の土砂の採取場となり、跡地は西武グループによる分譲住宅地として開発された。1986年7月21日に住居表示が実施され、西柴を廃止し、西柴一丁目〜西柴四丁目が設けられた。
西柴 世帯数と人口
2025年（令和7年）6月30日現在（横浜市発表）の世帯数と人口は以下の通りである。
国勢調査による人口の推移。
国勢調査による世帯数の推移。
西柴 学区
市立小・中学校に通う場合、学区は以下の通りとなる（2024年11月時点）。
西柴 事業所
2021年（令和3年）現在の経済センサス調査による事業所数と従業員数は以下の通りである。
経済センサスによる事業所数の推移。
経済センサスによる従業員数の推移。
抗日戦争第6戦区
抗日戦争第6戦区は1944年前後の対日本軍作戦の戦争状況により中華民国国民政府が中国国内を分画した抗日戦争戦区の一つ。第6戦区の所轄範囲は最初は湖北省西部で、1945年9月13日改定の受降計画中では日本軍の降伏と武装解除のために設置された戦区の一つ。
抗日戦争第6戦区 1945年（受降区）
第6戦区　湖北省西部　　日本軍捕虜集結地　河南省郾城（現河南省漯河市郾城区）
影 (小説)
『影』（かげ）は、芥川龍之介の短編小説。1920年に書かれ、『改造』に掲載された。
影 (小説) あらすじ
横浜で働く中国人の商人が、自分も部下の女と浮気っぽい関係になっているのに、妻の不貞を疑っている。不貞を報告するような手紙が、彼の元に届いたからだ。商人は、探偵を雇って監視させている。
鎌倉の自宅の妻は、誰かに監視されているような恐怖感に囚われている。家政婦になだめられながらも、怯えている。
商人は、とうとう我慢できなくなって、今夜は帰らないと電話連絡しておいたはずの自宅に忍び寄る。もちろん、妻の不貞をつきとめるためだ。彼が、夫婦の寝室で見たのは、妻を絞殺した自分のドッペルゲンガーだった。商人を疑心暗鬼に陥れるべく、不貞報告の手紙を毎度送りつけていたのは、彼にこき使われて彼に憎悪の念を抱いていた部下の一人であった。
東京で、「影」という題の、そんな映画を見ているのだと思っていた私は、どうも夢を見ていたようだ。映画館に同行した私の妻は、たったいま上映していた映画がそんな内容ではないと告げる。しかし、その妻もかつて、そんな「影」という映画をどこかで観たことがあるらしい。「お互い、影のことなど気にせずに生きていきましょう」と妻は言う。
影 (小説) 備考
映画的技法を取り入れているため、本作をレーゼシナリオと呼ぶ人もいる。例えば、横浜、鎌倉、東京などの地名が柱書きのように見える、といった特徴が挙げられる。クインビー・メルトンは自らが編集するウェブ雑誌『SCRIPT』で、本作をレーゼシナリオに分類している。
長安街
長安街（ちょうあんがい、中国語: 长安街、満洲語: ᡝᠨᡨᡝᡥᡝᠮᡝᡝᠯᡥᡝᡤᡞᠶᠠᡞ　転写：enteheme elhe giyai）は、中華人民共和国の北京市にある片側5車線、計10車線の目抜き通り。
東単と西単からそれぞれ東西に延び、東単は建国門に、西単は復興門へとつながっている。建国門から復興門までの長さは約6.6キロ。
長安街 滑走路
戦争などの有事に備え、飛行機の滑走路としても使えるように道幅は100メートル以上のところが多い。
井川雨畑林道
井川雨畑林道（いかわあめはたりんどう）は、山梨県南巨摩郡早川町雨畑から静岡県静岡市葵区小河内までを結ぶ林道である。山梨県・峡南林務環境事務所および静岡市・商工部が管理する。
総延長約44kmであり、林道としては長大な部類に入る。山梨県側からは雨畑川を、静岡県側からは小河内川を遡るかたちで、頂上部の山伏峠で赤石山脈の白峰南嶺を越える。峠は山伏のやや西方に位置し、登山道へのアクセスも良い。
2000年代後半までは未舗装区間が多かったが、2010年現在ではほぼ全線の舗装化を終えている。しかし糸魚川静岡構造線付近のため地質が非常に脆く、峠の前後を除いた区間は比較的荒れており、たびたびがけ崩れ等によって通行止となる。高地であって冬季通行止め期間も長いことと併せ、集落より上流では通年閉鎖と大差ない状況が続いており2020年前後では峠を越えての行き来はできない（外部リンクの通行規制情報を参照）。
山梨県側は雨畑湖上流の見神の滝付近が起点（県道810号雨畑大島線に接続）となり、一部区間は稲又森林鉄道（1964年廃止）の軌道跡を転用している。静岡県側は小河内集落付近にて終点となり、市道を挟んで大井川を越えた後、県道60号南アルプス公園線に接続する。
DDR3 SDRAMにおけるコマンドとオペレーション
DDR3 SDRAMにおけるコマンドとオペレーションでは、DDR3 SDRAMの内部レジスタ及びコマンドに対するオペレーションについて記述する。
DDR3 SDRAMにおけるコマンドとオペレーション コマンドとオペレーション
ここではデバイスの制御方法とコマンドについて解説する。
まずコマンドの一覧を示す。コマンドは全てCKの上がりエッジとCK#の下がりエッジの交点を基準としたタイミングで与えられるハイ (H) またはロー (L) を意味する。ただしRESET#以外のピンのハイまたはローはVrefCAを基準とする。
表中のVまたはXはハイまたはローを意味する。Xはフローティングでもかまわない。BAはバンクアドレス (Bank Address)、RAはロウアドレス (Row Address)、CAはカラムアドレス (Column Address)、RFUは予備 (Reserve for Future Use)。
以下にDDR3 SDRAMの状態遷移図を示す。
ここではリセットピンとデバイスの電源投入時の初期化手順を説明する。
DDR3 SDRAMにおけるコマンドとオペレーション コマンドとオペレーション
リセットピンはDDR3 SDRAMで採用されたリセット用の信号入力ピンである。他の信号はVref（参照電圧）と比較してハイ/ローを決定するため振幅が小さくてもデバイスは信号として受け取るのに対してリセットピンはCMOSレールトゥレール (Rail to Rail) で動作する。レールトゥレールとはハイ/ローの電圧幅いっぱいに振る信号を意味する。DDR3 SDRAMのリセットピンは電源電圧VDDとグランド電圧VSSに対して80%でハイ、20%でローとなる。例えばVDDが1.5Vの場合は1.2Vでハイ、0.3Vでローとなる。これはリセットピンが微小な変化に対して敏感である必要はなく、むしろノイズなどの小さな電圧変化に伴う誤動作を避ける目的がある。
またリセットピンは誤動作を避けるためにローパスフィルタ（電圧変動の高周波成分を除去する装置）の内蔵が推奨されている。リセットはメモリセルアレイの内容を破壊するかもしれない。
DDR3 SDRAMでは各種modeやパラメタ設定のため4つのモードレジスタセットを用意している。各MRSにはデフォルトを設定していないので電源投入直後や、リセット・初期化時は、全てのMRSを設定しなければならない。MRSコマンドやDLLリセットはメモリセルアレイに格納されているデータへ何も影響しない。
DDR3 SDRAMにおけるコマンドとオペレーション コマンドとオペレーション
MRSコマンドの書き込みにはtMRDサイクルを必要とするため、次のMRSコマンド入力は最低tMRD空けて実行しなければならない。またDLLリセット以外のMRSコマンドは完了までにtMODサイクルを必要とするため、MRSとノーオペレーション (No Operation:NOP) やデバイスディセレクト (Device Deselect:DES) を除くコマンドの入力は最低tMODサイクル待たなければならない。DRAMがアイドル状態のときはいつでもMRSの内容を書き換えることができる。
以下ではモードレジスタMR0で設定できるモードとその説明を行う。MR0は以下のフォーマットで設定する。
BL
バースト長 (Burst Length:BL)
CL
CASレイテンシ (CAS Latency:CL)
BT
バーストタイプ (Burst Type:BT)
TM
テストモード (Test Mode:TM)
DLL
DLLリセット (DLL Reset)
WR
ライトリカバリ (Write Recovery for Auto Precharge:WR)
PPD
プリチャージパワーダウン時のDLLコントロール (DLL control for Precharge Power Down:PPD)
DDR3 SDRAMにおけるコマンドとオペレーション コマンドとオペレーション
バースト長、開始アドレス、およびバーストタイプでバースト中にアクセスするアドレス順は下表の通り。MR0:A1=0 A0=1時リード/ライトコマンド入力時のA12/BC#でBL8またはBC4 (バーストチョップ:Burst Chop) を選択できる。
バースト長にBL4固定を指定した場合、メモリデバイス内部では入出力バッファからメモリセルアレイに対する書き込み動作をBL8を指定した場合よりも2サイクル早く開始する。これはtWRとtWTRの開始位置が2サイクル短くなることを意味している。ただしBL8/BC4を動的に決定するモードを選択した場合、常にBL8と同じサイクルでライト動作を開始しなければならない。T: DQおよびDQSの出力ドライバはHi-Z。X: Don't care。
DDR3 SDRAMにおけるコマンドとオペレーション コマンドとオペレーション
リード動作やライト動作を繰り返して行う場合、CASを再びローに落とせる様になるまでのサイクル数の下限であるtCCDが4であるため、BC4であっても続くリード/ライトコマンドの入力はBL8と同じサイクル数後になる。つまりBC4を選択しても空いたサイクルに別のデータを詰めてリード/ライト動作を継続できるわけではない。このためリード/ライト動作を継続する場合はバーストチョップを使用するメリットはない。しかしリード→ライト時や、ライト→リード時、ライト→プリチャージ (Precharge) 時にバーストチョップを行うことでBL8を利用する場合に比べてサイクル数を減らせる場合がある。詳細は後述のタイミングチャートを参照。
CASレイテンシはリードコマンドが有効になってから実際にデータが出力されるまでの遅延サイクル数を指す。リードコマンドを入力してからデータが出てくるまでの遅延サイクルであるリードレイテンシ (Read Latency:RL) はアディティブレイテンシ (Additive Latency:AL) とCLの和になる。CASレイテンシはデバイススペックや実動作速度で設定できる値が異なる。詳しくは各デバイスのスペックシートを参照すること。
DDR3 SDRAMにおけるコマンドとオペレーション コマンドとオペレーション
テストモードはデバイス生産時にのみ使用されるテスト用のモードである。通常は使用してはならない。テストモードでデバイスがどのように動作するかは未定義。おそらくデバイスメーカによってテストモードの動作は異なる。
DLLリセットはデバイス内部のDLL (Delay Locked Loop) 回路のリセットを指定する。DLL回路とは時間の経過と共に環境の変化（電源電圧や温度など）や内的原因（メモリデバイス内で行う処理や内部クロック自身の持つ誤差）に起因して外部クロックと内部クロックの間に発生する誤差を補正しタイミングを一定に保つための回路。外部クロックと内部クロックの信号を継続的に比較する位相検出器で構成されている。信号間に位相差を検出した場合、調整回路(遅延回路)に制御情報をフィードバックする。DLLをリセットすることでDLL回路は外部クロックをロックすることができる。DLLリセットは外部クロックと内部クロックの同期のためにtDLLKサイクルを必要とする。tDLLKの区間、CKEはハイでなければならない。DLLを使用する場合、DLLを有効にしてからDLLをリセットする必要がある。DLLをリセットしてからtDLLK後にDLLが使用可能になる。DLLリセットはDLL回路のリセット完了後自動的に通常状態に戻るのでDLLリセット完了後に明示的にMR0:A8=0を再設定する必要はない。
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ライトリカバリサイクル数 (WR) はリカバリオートプリチャージ (Recovery Auto Precharge) 時間の計算式 (tDAL=WR+tRP/tCK) に用いられるサイクル数。tRPはプリチャージコマンドサイクル数。最小ライトリカバリサイクル数 (WRmin) はtWR/tCKで求める（小数点以下は切り上げ）。tWRはスペックシートに規定されているライトリカバリタイム、tCKは1サイクルタイム。設定するWRはWRmin以上の値を設定する。
プリチャージパワーダウン時のDLLコントロール (DLL Control for Precharge Power Down) はプリチャージパワーダウン時にDLLを保持するかどうかを指定する。スローイグジットを選択した場合、DLLはプリチャージパワーダウン突入後に電流消費量を抑えるためにDLLを解除する。そのためパワーダウンを解除してからDLLの再ロックが必要となりデバイスに対してコマンド入力が有効になるまでにtXPDLLを要する。ファストイグジットを選択した場合、DLLはプリチャージパワーダウン突入後にも維持される。そのためパワーダウンを解除してからDLLの再ロックは不要であるためtXP後にデバイスに対してコマンド入力が有効になる。
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以下ではモードレジスタMR1で設定できるモードとその説明を行う。MR1は以下のフォーマットで設定する。
DLL
DLLイネーブル (DLL enable)
DIC
出力ドライバインピーダンスコントロール (Output Driver Impedance Control)
RTT_Nom
通常時の終端抵抗 (RTT Nominal)
AL
アディティブレイテンシ (Additive Latency)
Level
ライトレベリングイネーブル (Write Leveling enable)
TDQS
ターミネーションDQSイネーブル (Termination DQS Enable:TDQS)
Qoff
出力禁止
DLLを有効にするか (Enable) 無効にするか (Disable) を指定する。DLLとはDelay Locked Loopの略で外部クロックと内部クロックのタイミング補正に使用される回路である。通常、動作時は常にDLLは有効にしておかなければならない。電源投入後の初期化時や、DLL無効後に通常動作に復帰するときにDLLイネーブルを設定する必要がある。DLLはセルフリフレッシュ開始時に自動的に無効となりセルフリフレッシュ終了時に自動的に有効になる。MR1でDLLを有効にした場合は、続いてMR0でDLLのリセットを行わなければならない。
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DLLを無効にした場合、ダイナミックODTは使用できない。DLLが無効の間はODTの入力をローにするか、またはMR1:A9,A6,A2 (RTT_Nom) を0にしなければならない。またMR2:A10,A9 (RTT_WR) =0にしてダイナミックODTも無効にしておかなければならない。
出力ドライバインピーダンスを指定する。RZQ=240Ω。データピンの出力ドライバは240Ωの抵抗をプルアップ・プルダウン用に7個ずつ持っている。この抵抗の一部あるいは全部を有効・無効にすることで出力インピーダンスを調整する。この出力抵抗回路はRTT_Nom/RTT_WRで指定する終端抵抗と共有している。
RTT_NomとRTT_WRを個別に制御できる。MR1でRTT_Nomを指定する。RZQ=240Ω。
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アディティブレイテンシを利用することでデータバスを効率的に活用できるようになる。アクティブコマンドからリード/ライトコマンドの入力が可能になるまでにtRCD時間が必要である。このtRCDのためにリード/ライトコマンドと別のバンクに対するアクティブコマンドの競合が発生することがある。この競合を避けるために別のバンクに対するアクティブコマンドの入力が1サイクル遅らせると、データを連続的にリード/ライトできないサイクルが発生する。このようなサイクルをバブル (bubble) と言う。バブルが発生するとデータバスに無駄な空きが生じ、データ転送効率が低下する。そこでDDR2 SDRAMからポステッドCAS (Posted CAS) が採用された。ポステッドCASとはtRCD期間中の任意のタイミングに次のリード/ライトコマンドを入力できるようにする機能である。入力したリード/ライトコマンドはデバイス内部で保持され一定期間後に有効となる。この一定期間をアディティブレイテンシと言う。ポステッドCASを活用することで効率的なコマンド入力が可能になりデータ転送効率が向上する。
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ライトコマンドから実際にデータの書き込まれるまでのサイクル数＝ライトレイテンシ(Write Latency:WL)はアディティブレイテンシ (AL) とCASライトレイテンシ (CAS Write Latency:CWL) の和 (WL=CWL+AL)、リードコマンドから実際にデータが読み出されるまでのサイクル数＝リードレイテンシ (Read Latency:RL) はアディティブレイテンシ (AL) とCASレイテンシ (CAS Latency:CL) の和にな る(RL=CL+AL)。
DDR2 SDRAMではAL=0～4が選択可能であったが、DDR3 SDRAMではAL=0,CL-1,CL-2が選択可能である。
ライトレベリングを設定するとデバイスはライトレベリングモードに突入する。ライトレベリングモード時、デバイスはDQSの上がりエッジでサンプリングしたクロックの値をDQピンから出力する。
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DDR3のメモリモジュールでは波形品質の向上のために、コマンドやアドレス、クロックを各デバイスを各ピン一つのラインで数珠繋ぎ（デイジーチェイン）でつなぐフライバイ構造 (Fly-by) を用いる。従来のメモリモジュールはクロックをトーナメント方式で分岐して各デバイスに同一タイミングで入力するように調整していた。このためメモリデバイス・コントローラはクロックとコマンド・アドレス・データのタイミングがずれることを考慮する必要がなかった反面、データ転送が高速化するにつれて等長配線への要求が厳しくなるとともに等長配線のための引き回しが配線長を伸張し波形品質の劣化を招いた。そこでデバイスを最短距離で数珠繋ぎに接続するフライバイ構造の提案がなされた。
フライバイ構造によって波形品質の向上とDIMM内の配線の短縮が可能になるが、反面クロックがDIMM内の各DRAMに伝播する時間に差が生じ、クロックとDQSの位相差が発生する。そこでメモリコントローラはDQS入力タイミングをクロックの伝播遅延にあわせて遅らせるという処理が必要になる。ライトレベリングはこの遅延量の決定のために必要となる機能である。
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ライトレベリングとはDDR3 SDRAMからの簡易なフィードバックによってメモリコントローラがクロックとDQSの位相補正を行う機能のことを言う。
DDR3 SDRAMはDQSの上がりエッジでクロックをサンプルした結果をDQピンからメモリコントローラに返す。このフィードバックは非同期で行われる。
メモリコントローラはDQSのタイミングを変更しながら、この値が0から1に変化するタイミングを検出する。この位相差はDQピンにも同時にフィードバックしなければならない。DQS,DQS#,DQピンは全てコントローラで終端する。x16デバイスでは上位8ビットと下位8ビットは独立しておりそれぞれ別々に制御する。
出力禁止(Qoff)を設定するとデバイスの出力ピン (DQ, DQS DQS#) は何も接続しない状態(Hi-Z)になる。
TDQS, TDQS#ピンはx8デバイスで構成されているDIMMモジュールとx4デバイスで構成されているDIMMモジュールが混在するようなシステムでx4デバイスのDQS,DQS#をx8デバイスのTDQS/TDQS#で終端し反射を抑制することで波形品質を維持するために付けられたピンである。大規模なシステムで複数の種類のモジュールの混在を許容することでシステムの柔軟性を高めるのに役立つ。
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TDQSはx8デバイスのみ有効にすることが可能で、x4/x16デバイスでは有効にすることができない。TDQS/TDQS#の終端抵抗値はDQS/DQS#と等しい。DDR2 SDRAMにおけるRDQSと近い機能でRDQSはデータ出力時にデータストローブ信号を出力するのに対して、TDQSは終端抵抗だけを提供する。
TDQSとデータマスク (Data Mask:DM) は同じピンを使うため、TDQSを使用する場合はDMは使用できない。TDQSを使用しない場合のみはDMを使用可能となる。TDQSを使用しない場合、TDQS#ピンは使われない。
PASR
パーシャルアレイセルフリフレッシュ (Partial Array Self Refresh:PASR) - オプション機能
CWL
CASライトレイテンシ (CAS Write Latency:CWL)
ASR
オートセルフリフレッシュ (Auto Self Refresh:ASR)
SRF
セルフリフレッシュテンプラチャ (Self-refresh temperature range:SRT)
RTT_WR
ライト時の終端抵抗 (RTT Write)
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オプション機能なのでデータシートを確認すること。PASRはデバイスの一部のバンクだけをセルフリフレッシュの対象にする機能。必要なバンクだけリフレッシュするため全体をリフレッシュする場合よりも消費電力を抑えられる。PASRが有効の場合、指定された領域のメモリがセルフリフレッシュの対象となる(対象外の領域のデータは失われる場合がある)
CASライトレイテンシ (CAS write latency:CWL) は内部ライトコマンドから実際にデータの書き込み準備が完了し最初のデータ書き込みが始まるまでの遅延サイクル数を表す。
DDR2 SDRAMでライトレイテンシ (Write Latency:WL) はリードレイテンシ (Read Latency:RL) で与えられる計算式WL=RL-1で自動的に決定する。ただしリードレイテンシはCASレイテンシ (CAS Latency:CL) とアディティブレイテンシ (Additive Latency:AL) の和 (RL=CL+AL)。DDR3 SDRAMではDDR2 SDRAMと異なりWLは新たに定義されたCASライトレイテンシ (CAS Write Latency:CWL) とALで与えられる計算式WL=AL+CWLで決定する。CWLはモードレジスタMR2で5～8の値を指定する。
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オプション機能なのでデータシートを確認すること。DDR3 SDRAMは動作保証温度範囲内 (TOPER:0～95℃) においてセルフリフレッシュの動作を保証しているが、より広範な温度帯域でセルフリフレッシュ動作を期待する場合がある。そのような場合、ASR機能かSRTを使用しなければならない。
動作保証温度範囲ではオートセルフリフレッシュかオートセルフのいずれかを有効にしなければならない。動作保証温度範囲を超える場合、セルフリフレッシュテンプラチャを有効にする。
RTT_WRに0以外を設定することでダイナミックODTが有効になる。データバスの波形品質を向上させるためにDDR3 SDRAMにライト時の終端抵抗値を動的に変更する機能ダイナミックODTが加えられた。ただしライトレベリング (Write Leveling) 時はRTT_Nomだけが有効。RZQ=240Ω。
ODTS
オンダイサーマルセンサ (On Die Thermal Sensor:ODTS) - オプション機能
MPR
マルチパーパスレジスタ (Multi-Purpose Register:MPR)
MPR Loc
マルチパーパスレジスタロケーション (Multi-Purpose Register location:MPR Loc)
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MPRはデータ読み出し時のタイミング補正のために用いられる。DDR3のメモリモジュールでは波形品質の向上のために、コマンドやアドレス、クロックを各デバイスを各ピン一つのラインで数珠繋ぎ（デイジーチェイン）でつなぐフライバイ (Fly-by) 構造を用いる。フライバイ構造によって波形品質の向上とDIMM内の配線の短縮が可能になるが、反面クロックがDIMM内の各DRAMに伝播する時間に差が生じ、データ出力タイミングが各デバイスごとに異なる。そこでメモリコントローラ内にデータを受け取るタイミング差を修正する遅延回路を設けて対応する。このとき各デバイスの遅延時間を見積もる操作をリードレベリング (Read Leveling) と呼ぶ。
MPRを有効にした後、リードコマンド (RDまたはRDA) を入力するとリードコマンドはメモリセルアレイではなくMPRに入力される。メモリセルアレイのデータの読み出しはMPRを無効にするまでできない。またMPRが有効であるとき、MRSコマンド、リードコマンド、リセット入力以外は無効である。
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MPR読み出し動作中は1ビットの論理インタフェイスとなる。つまりDQ0 (DQU0/DQL0) はMPRからのデータを出力し、DQ0以外のピンはDQ0と同一データかもしくは0を出力する。DQS, DQS#からは通常のリードコマンド入力時と同様データストローブ信号を出力する。読み出し動作時のバースト長、バーストタイプ、リードレイテンシ(Read Latency)はMRSの設定に従い、バーストチョップ(Burst Chop:BC)はリードコマンド入力時のA12/BCに従う。リードコマンド入力時、A0～A1は0でなければならない。A12はバーストチョップの判断に用いられる。その他のアドレス入力は無視する。MR3:A1=0, A0=0のとき、MPRから常に0,1,0,1というデータが読み出される。
アクティブコマンドはこれからアクセスするバンクアドレスをBA0-BA2、ロウアドレスをA0-A15で指定し開く（有効にする）。このロウアドレスはプリチャージコマンド (precharge) の入力でそのバンクがアイドルになるまで有効となる。他のロウアドレスを指定する場合、プリチャージコマンドを入力する必要がある。
DDR3 SDRAMにおけるコマンドとオペレーション コマンドとオペレーション
プリチャージコマンドはアクティブコマンドで開いたバンク/ローアドレスを閉じる（ロウアドレスを無効にして保存する）。オートプリチャージを使っている場合を除き、プリチャージコマンドからtRP時間経過しなければ同一バンクをActiveすることができない。プリチャージコマンドを入力すると当該バンクはアイドル状態に復帰する。プリチャージコマンドはアクティブしていないバンクに対しても有効。
プリチャージコマンドは単一バンクを対象とするプリチャージコマンド (PRE) と全バンクを対象とするプリチャージオールコマンド (PREA) がある。プリチャージコマンドはA10をローにし、BA0-BA2で対象バンクを指定する。プリチャージオールコマンドはA10をハイにし、BA0-BA2は0にしておく。
DDR3 SDRAMにおけるコマンドとオペレーション コマンドとオペレーション
リードコマンドはデータを読み出すコマンド。メモリデバイスはアクティブコマンドで指定したバンクおよびロウアドレス、リードコマンドで指定したカラムアドレスからバースト長分だけデータを連続で出力する。データはリードコマンドからアディティブレーテンシ (AL) とCASレーテンシ (CL) の和 (AL+CL) のサイクル数分送れて出力される。データと同期してデータストローブ信号 (DQS) も出力する。DQSはデータの出始め前にtRPRE期間プリアンブル (Preamble)、データ終了時にtRPST期間のポストアンブル (Postamble) を出力する。
リード/ライトコマンドの入力時にA12/BC#で動的にバーストチョップ (Burst Chop:BC) の有無 (BC4/BL8) を切り替えることができる。リード作時のタイミングパラメタを以下に示す。
ただしtLZ/tHZおよびtRPREの起点/TRPSTの終点はは下図で示すように計算する。
以下にリードコマンドと他のコマンドを組合せたときのタイミングチャートを示す。
ただしBL=8、AL=0、CL=5、Dout nはCol nに対応して読み出されたデータである。
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DDR3 SDRAMではCAS#から次のCAS#までのタイミング制限tCCDは4サイクルである。そのためリードコマンドは4サイクルごとにしか入力できない。データの読み出しが連続する場合、1つ目のリードコマンドに対するポストアンブル (Postamble)、2つ目のリードコマンドに対するプリアンブル (Preamble) は消失し連続した読み出しの先頭にプリアンブル、最後にポストアンブルが現われる。
ただしBC4、CL=5、AL=5、Dout nはCol nに対応して読み出されたデータである。
バーストチョップ (Burst Chop:BC4) を用いてリードデータを途中で停止しても続くリードコマンドをtCCDより短いタイミングで入力することはできない。そのため2つ目のリードコマンドに対応する読み出しは1つ目のリードコマンドがバーストチョップでなかった場合と等しい。
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ただしBL8、CL=5、CL=0、CWL=5、Dout nはCol nに対応して読み出されたデータ、Din bはCol bに対応して書き込まれるデータである。
バーストチョップしないリードコマンドからライトコマンドには期間が必要になる。ただしRLはリードレイテンシ (Read Latency)、WLはライトレイテンシ (Write Latency)、tCCDはCAS#から次のCAS#までのタイミング制限、tCKは1サイクルの時間。図の例ではリードからライトの切り替わりに2サイクル () の空き時間が発生する。
ただしBC4、CL=5、AL=0、CWL=5、Dout nはCol nに対応して読み出されたデータ、Din bはCol bに対応して書き込まれるデータである。
バーストチョップしたリードコマンドからライトコマンドまでの期間はに短縮される。このためtCCD/2サイクル早くライトコマンドを入力できる。
ただしCL=5、AL=0、Dout nはCol nに対応して読み出されたデータである。
DDR3 SDRAMにおけるコマンドとオペレーション コマンドとオペレーション
ただしCL=5、AL=0、Dout nはCol nに対応して読み出されたデータである。
先に読み出すデータに対してバーストチョップを行ってもtCCDは変わらない。そのため1つ目のリードコマンドに対応するデータの読み出しと2つ目のリードコマンドに対応するデータの読み出しの間に2サイクルデータの出力されない区間が発生する。このような場合、それぞれのデータの読み出し始めと終わりにプリアンブル・ポストアンブルが挿入される。
ただしCL=5、AL=0、CWL=5、Dout nはCol nに対応して読み出されたデータ、Din bはCol bに対応して書き込まれるデータである。
バーストチョップしたリードコマンドからライトコマンドまでの期間はライトコマンドがバーストチョップかどうかに関係なくに短縮される。このためtCCD/2サイクル早くライトコマンドを入力できる。
ただしCL=5、AL=0、CWL=5、Dout nはCol nに対応して読み出されたデータ、Din bはCol bに対応して書き込まれるデータである。
リードコマンドからライトコマンドまでの期間はである。これはライトコマンドがバーストチョップしていてもリードコマンドがバーストチョップされていなければ短縮されない。
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ライトコマンドはデータを書き込むコマンド。メモリデバイスはアクティブコマンドで指定したバンクおよびロウアドレス、ライトコマンドで指定したカラムアドレスに対してバースト長分だけデータを連続で書き込む。データはライトコマンドからアディティブレーテンシ (AL) とCASライトレーテンシ (CWL) の和 (AL+CWL) のサイクル数分送れて書き込み可能になる。データの中央を打ち抜くタイミングでデータストローブ信号 (DQS) も入力しなければならない。DQSはデータの出始め前にtWPRE期間プリアンブル (Preamble)、データ終了時にtWPST期間のポストアンブル (Postamble) を入力しなければならない。
リード/ライトコマンドの入力時にA12/BC#で動的にバーストチョップ (Burst Chop:BC) の有無 (BC4/BL8) を切り替えることができる。リード作時のタイミングパラメタを以下に示す。
ライト動作時のタイミングパラメタを以下に示す。
以下にライトコマンドと他のコマンドを組合せたときのタイミングチャートを示す。
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ただしCWL=5、AL=0、Din nはCol nに対応して書き込まれるデータである。
ライトからプリチャージコマンド入力可能になるまでのライトリカバリタイム (tWR) は書き込み終了を起点とするためバーストチョップ使用時はプリチャージコマンドを2サイクル早く入力することができる。
ただしBL8、CWL=5、AL=0、Din nはCol nに対応して書き込まれるデータである。
リードコマンド同様ライトコマンドも4サイクルごとにしか入力できない。データの書き込みが連続する場合、1つ目のライトコマンドに対するポストアンブル (Postamble)、2つ目のライトコマンドに対するプリアンブル (Preamble) は不要で連続した読み出しの先頭にプリアンブル、最後にポストアンブルを入力する。
ただしBC4、CWL=5、AL=0、Din nはCol nに対応して書き込まれるデータである。
リードコマンド同様ライトコマンドもバーストチョップを入れても二つのコマンドの間隔を縮めることは出来ない。データが連続しない場合、一つ目のデータと二つ目のデータのそれぞれの先頭にプリアンブル、末尾にポストアンブルを入れなければならない。
DDR3 SDRAMにおけるコマンドとオペレーション コマンドとオペレーション
ただしCWL=5、AL=0、Din nはCol nに対応して書き込まれるデータ、Dout bはCol bに対応して読み出されるデータである。
ライトコマンドに対応するデータ入力の終了からtWR後にリードコマンドを入力することができる。
ただしCWL=5、AL=0、Din nはCol nに対応して書き込まれるデータ、Dout bはCol bに対応して読み出されるデータである。
tWRの起点はバーストチョップしてもバーストチョップしなかったときと同一である。そのためライト動作でバーストチョップしてもリードサイクルは早まらない。
ただしCWL=5、AL=0、Din nはCol nに対応して書き込まれるデータである。
ただしCWL=5、AL=0、Din nはCol nに対応して書き込まれるデータである。
先に書き込まれるデータに対してバーストチョップを行ってもtCCDは変わらない。そのため1つ目のライトコマンドに対応するデータの書き込みと2つ目のライトコマンドに対応するデータの書き込みの間に2サイクルデータの書き込めない区間が発生する。このような場合、それぞれのデータの書き込み始めと終わりにプリアンブル・ポストアンブルを挿入しなければならない。
次にライトコマンドとデータマスク (Data Mask:DM) との関係を示す。
DDR3 SDRAMにおけるコマンドとオペレーション コマンドとオペレーション
DMはライト動作時にデータを書き込むか否かを示すマスクとして利用する。DMがローのときのデータのみデバイスに書き込まれ、ハイのときのデータはデバイスに書き込まれない。DMは書き込みデータとタイミングを同期させて入力する。DMはライト動作時にのみ有効でリード動作を含むほかの動作時にはどんな値も無効な入力になる。
DDR3 SDRAMでは省電力モード時などでもデバイスのデータの内容を保持するためにセルフリフレッシュモードを使える。セルフリフレッシュモードに入った場合、デバイスは外部クロックの入力無しでメモリデータの保持動作を行える。SREコマンドの入力でデバイスはセルフリフレッシュモードに入る。
SREコマンドはアイドル状態でなければ受け付けない。SREコマンド前にバンクプリチャージを行い、かつtRPが経過していなければならない。またODTをオフにしておかなければならない。ODTをオフにするはODTピンをローにするかMR1でODT無効にする。セルフリフレッシュ中はCKEはローに保たなければならない。セルフリフレッシュ開始時にDLLは一旦オフにされ、セルフリフレッシュ終了時にDLLは再度有効になる。