بنتيوم 4 الميزات المعمارية
حوالي نهاية عام 2004 - أوائل عام 2005، تم التخطيط لاستبدال معالجات بنتيوم 4 القائمة على نواة بريسكوت بنواة الحليب. كان من الممكن تصنيع معالجات Milk-core باستخدام تقنية 90 نانومتر، مع ميزات مصممة: كانت سرعة ساعتها تصل إلى 4.4 جيجاهرتز، وسرعات ناقل النظام تبلغ 1066 ميجاهرتز، وحجم ذاكرة التخزين المؤقت L1 من 24 كيلوبايت، ودعم تقنية خيوط المعالجة الفائقة المحسن. ومن المقرر أنه بحلول نهاية عام 2005، سيتم تغيير تقنية التصنيع إلى 65 نانومتر وستصل سرعة المعالجات إلى 9.2 جيجا هرتز بحلول هذا الوقت. تم تأجيل تاريخ التقديم بشكل دائم لأن نوى بريسكوت لم تستطع الوصول إلى الساعة 4 جيجا هرتز أيضًا، ويرجع ذلك أساسًا إلى توليد الحرارة المرتفعة. أخيرًا، في 7 مايو 2004، أعلنت إنتل أنها ستتوقف عن العمل في Milk Seed، بالإضافة إلى المزيد من تطوير تقنية نت برست.
تم تصميم معالجات بنتيوم 4 إكستريم إيديشن لدائرة أضيق من المستخدمين - اللاعبين والمشجعين - أعلنت الشركة في منتدى مطوري إنتل في سبتمبر 2003، حيث وعدت بإصدارها في غضون 30-60 يومًا: وقدمتها بالفعل في 3 نوفمبر .. النسخ الأولى منها. يتمثل الاختلاف الرئيسي بين إكستريم إيديشن ومعالجات بنتيوم 4 «المتوسطة» في ذاكرة التخزين المؤقت من المستوى الثالث (ذاكرة التخزين المؤقت L3) وسرعة أعلى على مدار الساعة.
جاء هذا الإعلان قبل أسبوع واحد فقط من إطلاق معالجات أي إم دي أثلون 64 وأثلون 64 FX. كان سعر المعالجات رائعًا جدًا (999 دولارًا عند بدء التشغيل)، ولهذا السبب أشار النقاد إلى الإصدار على أنه "إصدار باهظ الثمن" أو "باهظ الثمن" وآخرون باسم "إصدار طارئ" - "إصدار طارئ". " كانت التكهنات أن معالجات بريسكوت كور بنتوم 4 قد تأخرت وتهدف إلى تقليل وزن إعلان أي إم دي. تم بناء نواة المعالج على نواة جالاتين، المستخدمة أيضًا في معالجات خادم زيون Xeon، وهو نواة نورثوود منقحة M0 مع ذاكرة تخزين مؤقت من المستوى الثالث 2 ميغابايت (ذاكرة تخزين مؤقت L3) على شريحة سيليكون 237 مم². تعمل معالجات جالاتين كور P4EE بسرعة 3.2-3.466 جيجاهرتز، وكان تردد ناقل النظام 1066 ميجاهرتز للطرازات 3.466 جيجاهرتز، و 800 ميجاهرتز لنماذج الساعة السفلية (3.2 و 3.4 جيجاهرتز). كان الجهد الأساسي 1.4 - بين 1.55 فولت، كان الحد الأقصى لإخراج الحرارة على مدار الساعة 3.466 جيجاهرتز 125.59 وات. جاءت هذه المعالجات في البداية مع حاوية FC-mPGA2 يمكن إدخالها في مقبس Socket 478، ثم تحولت لاحقًا إلى حاوية FC-LGA4 (مقبس LGA775). تفتقر معالجات جالاتين كور إلى الدعم لمجموعة تعليمات 64 بت.
في 21 فبراير 2005، قدمت إنتل عضوًا آخر في إكستريم إيديشن، وهو معالج بريسكوت 2M-كور بسرعات أعلى على مدار الساعة. جاء هذا المعالج في حاوية FC-LGA4 ، وكان متوافقًا مع اللوحات الأم بمقبس LGA775، بسرعة 3.733 جيجاهرتز، تردد ناقل النظام 1066 ميجاهرتز، جهد التشغيل 1.4 فولت، والحد الأقصى لتبديد الحرارة 148.16 وات.
كان المعلم التالي في إكستريم إيديشن هو معالج بنتيوم XE ثنائي النواة.
مع هذا، أسست إنتل خط إنتاج جديد، رغم أنه ليس بأرقام مبيعات عالية، فقد ظل في السوق مستهدفًا قاعدة المعجبين حيث قدمت إنتل منتجات عالية الجودة بأعلى المواصفات وأعطت العنان لكسر السرعة. يستمر تكتيك السوق هذا مع بنتيوم D وكور 2 إكستريم ومؤخراً كور أي7.
تم تصميم معالجات بنتيوم 4 المحمولة للأجهزة المحمولة. تم تصميم بنتيوم 4s على نواة نورثوود، وتتمثل ميزاتها الرئيسية في الطاقة المنخفضة وتوليد الحرارة المنخفضة، بالإضافة إلى دعم تقنية إنتل سبيد ستيب الموفرة للطاقة. تم رفع درجة الحرارة القصوى المسموح بها لجسم المعالج إلى 100 درجة مئوية لهذه الأنواع، مقارنة بـ 68-75 درجة مئوية لوحدات المعالجة المركزية لسطح المكتب من نورثوود، وظروف التشغيل في الأجهزة المحمولة، ومعظمها من أجهزة الكمبيوتر المحمولة، محدودة. أحواض الحرارة وتدفق الهواء الضعيف). تعمل معالجات بنتيوم 4-M (معالج موبايل إنتل بنتيوم 4 -M في الوثائق) مع ناقل نظام 400 ميجاهرتز، والجهد الأساسي للمعالج هو 1.3 فولت، والحد الأقصى لإخراج الحرارة هو 48.78 واط عند 2.666 جيجاهرتز، القيمة النموذجية 35 واط، 13.69واط في وضع الطاقة المنخفضة. يمكن أن تتراوح سرعة معالجات بنتيوم 4-M من 1.4 إلى 2.666 جيجاهرتز. معالجات موبايل بنتيوم 4 (معالج موبايل إنتل بنتيوم 4 في التوثيق) هي في الأساس معالجات نورثوود أو بريسكوت كور بنتيوم 4s؛ تعمل على ساعات أعلى من معالجات بنتيوم 4-M: يمكن أن تتراوح ساعاتها من 2.4 إلى 3.466 جيجا هرتز. تدعم بعض هذه الإصدارات أيضًا تقنية خيوط المعالجة الفائقة. تدعم جميع معالجات موبايل بنتيوم 4 حافلات النظام 533 ميجاهرتز. الجهد الأساسي هو 1.325-1.55 فولت، والحد الأقصى للحرارة الناتج هو 112 واط عند 3.466 جيجا هرتز، والقيمة النموذجية بين 59.8 و 88 واط، وفي وضع الطاقة المنخفضة يكون بين 34.06 و 53.68 واط.
في الأصل، كان الخلف المعين لمعالجات بنتيوم 4 هو المعالج الذي يحمل الاسم الرمزي Tejas، والذي كان من المقرر إصداره في النصف الأول من عام 2005. ومع ذلك، توقف تطويره بعد بضعة أشهر من ظهور نواة بريسكوت،  ويرجع ذلك أساسًا إلى TDP المرتفع للغاية (كان ناتج حرارة الحليب عند 2.8 جيجا هرتز 150 واط، مقارنةً بـ 80 واط في نورثوود وبريسكوت 100 واط). مع نفس خرج الساعة). ومع ذلك، تم أيضًا إيقاف تطوير بنية نت برست،  مع استثناءات قليلة مثل ثنائي النواة بنتيوم D وبنتيوم إكستريم إيديشن وبنتيوم 4 HT القائم على سيدار مِيل.
ابتداءً من مايو 2005، بدأت إنتل في إطلاق معالجات بنتيوم 4 ثنائية النواة تحت اسم بنتيوم D وبنتيوم إكستريم إيديشن. يشير هذا إلى أن إنتل تتجه نحو التوازي والمعالجات متعددة النواة. تم تصنيع إصدارات المعالجات باستخدام تقنية 90 نانومتر و65 نانومتر باسم سميثفيلد Smithfield وبريسلر Presler.
خلفاء بنتيوم 4 الحقيقيون أخيرًا كانوا معالجات كونرو كور إنتل كور 2 القائمة على الهندسة المعمارية المصغرة الأساسية، والتي تم إصدارها في 27 يوليو 2006. جاءت معالجات إنتل كور 2 في عمليات نشر أحادية وثنائية ورباعية النواة. كانت المعالجات أحادية النواة مخصصة أساسًا لسوق OEM، بينما تم أيضًا بيع الإصدارات ثنائية ورباعية النواة بالجملة ولمصنعي المعدات الأصلية.