رم محاسباتی
رم محاسباتی یا سی-رم یک حافظه با دسترسی تصادفی با اعضای پردازشی تعبیه شده بر روی یک تراشه است. این باعث می‌شود که بتوان از سی-رم به عنوان یک کامپیوتر اس‌آی‌ام‌دی استفاده کرد. همچنین می‌توان از آن برای استفاده بهینه تر از پهنای باند حافظه (Memory Bandwidth) در تراشه‌های رم استفاده کرد.
تاثیرگذارترین پیاده‌سازی‌های رم محاسباتی از پروژه به دست آمد. همچنین (Vector IRAM (V-IRAM، رم دینامیک DRAM را با یک پردازنده برداری روی یک تراشه به‌طور یکپارچه ترکیب می‌کند.
معماری قابل تنظیم مجدد حافظه با دسترسی تصادفی پویا (RADram) یک DRAM با عناصر منطقی محاسباتی FPGA است که روی یک تراشه تعبیه شده‌است. شبیه‌سازی‌های SimpleScalar نشان می‌دهند که RADram (در سیستمی با یک پردازنده معمولی) می‌تواند در برخی از محاسبات عملکرد به مراتب بهتری نسبت به DRAM در سیستمی با همان پردازنده ارائه دهد.
برخی از مسائل "(به انگلیسی: computational problems)" در حال حاضر توسط تنگنای وان نومان بین CPU و DRAM محدود شده‌است. برخی از پژوهشگران پیش‌بینی می‌کنند که با هزینه کل برابر، ماشینی که در آن از رم محاسباتی استفاده شده‌است، در این نوع مسائل به‌طور قابل توجهی سریعتر از کامپیوترهای معمولی با کاربری عمومی عمل می کند.
از سال ۲۰۱۱، «پردازش DRAM» (تعدادی لایه؛ بهینه‌سازی شده برای ظرفیت بالا) و «پردازش CPU» (بهینه‌سازی شده برای فرکانس بالا. معمولاً دارای دو برابر لایه‌های BEOL نسبت به DRAM. به دلیل اینکه هر لایه اضافی بازده را کاهش می‌دهد و هزینه ساخت را افزایش می‌دهد. چنین تراشه‌هایی در مقایسه با DRAM در هر میلی‌متر مربع نسبتاً گران هستند) به اندازه کافی متمایز شده‌اند که سه رویکرد متفاوت برای رم محاسباتی به وجود آمده:
برخی از CPUهایی که برای تعبیه بر روی یک فناوری پردازش DRAM طراحی شده‌اند (به جای فناوری «پردازش CPU» یا «پردازش منطقی» که به‌طور خاص برای CPUها بهینه شده‌است) شامل ، فناوری TOMI و است.
از آنجایی که ظرفیت گذرگاه حافظه خارج از تراشه چندین برابر ظرفیت گذرگاه حافظه روی تراشه است، یک سیستم با تراشه‌های DRAM و CPU جداگانه می‌تواند نسبت به یک سیستم IRAM با عملکرد یکسان جندین برابر مصرف انرژی داشته باشد.
از آنجایی که انتظار می‌رود DRAM محاسباتی داغ تر از DRAM معمولی فعالیت کند، و چون افزایش دمای تراشه منجر به نشت سریع تر جریان از سلول‌های ذخیره‌سازی DRAM می‌شود، انتظار می‌رود DRAM محاسباتی نسبت به DRAM معمولی به تازه سازی (refresh) بیشتری در واحد زمان نیاز داشته باشد.
پردازندهٔ در (نزدیک به) حافظه (PINM) "(به انگلیسی: processor-in-/near-memory)" یک پردازنده کامپیوتری (CPU) است که به‌طور تنگاتنگی به حافظه متصل است و معمولاً به همراه واحد حافظه روی یک تراشه سیلیکونی یکسان قرار دارند.
هدف اصلی از ادغام اجزای پردازش و حافظه در این روش کاهش تأخیر حافظه و افزایش پهنای باند است. از طرفی، کاهش فاصله ای که داده‌ها باید طی کنند، میزان برق مورد نیاز یک سیستم را نیز کاهش می‌دهد. بسیاری از پیچیدگی‌ها (و در نتیجه مصرف انرژی) در پردازنده‌های فعلی از استراتژی‌هایی که در راستای جلوگیری از توقف حافظه استفاده می‌شود نشأت می‌گیرد.
در دهه ۸۰ میلادی، یک CPU کوچک که FORTH را اجرا می‌کرد در یک تراشه DRAM تعبیه شد. این کار به منظور بهبود PUSH و POP انجام گرفت. FORTH یک زبان برنامه‌نویسی پشته-گرا است و این باعث بهبود کارایی آن شد.
با توجه به این که این ریز پردازنده در اوایل ۱۹۸۰ ساخته شده بود، اندازه بزرگی داشت که عملاً آن را به یک پردازشگر در مموری (Processor-in-memory) تبدیل می‌کرد.
پروژه‌های PIM قابل بیان شامل در پروژه دانشگاه کالیفرنیا، برکلی و تلاش PIM دانشگاه نوتردام است.
طراحی‌های «نزدیک حافظه» و «درون حافظه» مبتنی بر DRAM را می‌توان به چهار گروه اصلی طبقه‌بندی کرد: