لایه نشانی با لیزر پالسی
رسوب لیزری پالسی یک تکنیک انباشت بخار فیزیکی است که یک تیغه لیزری، پالسی با قدرت زیاد در درون اتاق خلا روی ماده ای که رسوب کرده است، متمرکز می‌شود. این ماده از یک هدف در یک شعله پلاسمایی، که آن را به عنوان یک لایه نازک ته نشین می کند تبخیر شده است.(مثل یک ویفر سیلیکونی که به هدف می خورد) این پروسه می تواند در خلاء فوق-بالا اتفاق بیفتد یا در حضور یک گاز پس زمینه مثل اکسیژن، که معمولاً وقتی اکسید رسوبی کاملاً لایه های رسوبی را اکسیژنه می کند، استفاده می شود. درحالی که جزئیات اولیه نسبت به بسیاری دیگر از تکنیک‌های رسوب گیری ساده تر است، آثار فیزیکی برهمکنش لیزری به نسبت پیچیدگی بالاتری دارد. وقتی پالس لیزر توسط هدف جذب می‌شود ابتدا انرژی به تحریک الکترونیکی و سپس به انرژی گرمایی،شیمیایی و مکانیکی که در نتیجه تبخیر (تصاعد)، فرسایش، تبدیل پلاسمایی و حتی پوسته پوسته سازی است، تبدیل می‌شود.
انواع اهداف پرتابشونده که در خلا اطراف شکل یک شعله شامل انواع انرژی زا شامل اتم، مولکول، الکترون، یون، خوشه،ذرات و گلبول های مذاب رسوب شدن معمولاً روی لایه داغ گسترش می یابند.
مکانیزم های رسوب گذاری پالس لیزری بسیار پیچیده هستند، که شامل پروسه فرسایش ماده، هدف گذاری توسط تراش و پوسته سازی لیزر، ارتقاء شعله پلاسما با یونهای انرژی زایی بالا، الکترون ها مثل نوترون ها و کریستالی شدن غشا روی زیر لایه گرم شده می باشد. این پروسه معمولاً به چهار مرحله تقسیم می‌شود: فرسایش ماده هدف‌گذاری شده توسط پرتو افشانی لیزری و تولید پلاسما فرایندهای بسیار پیچیده‌ای هستند. جداسازی اتم ها از توده مواد، به وسیله تبخیر توده روی سطح پخش، در شرایط غیر تعادلی انجام میشود. در این حال پالس تصادفی لیزر به اندازه عمق نفوذ در سطح ماده نفوذ می‌کند. اندازه عمق نفوذ به طول موج لیزر و شاخص شکست و انحراف ماده هدف گذاری در طول موج لیزر اعمال شده، بستگی دارد و معمولاً برای بیشتر مواد در محدوده 10nm می‌باشد. میدان الکتریکی قوی‌ای که توسط نور لیزر تولید شده به اندازه کافی برای برداشتن الکترونها از توده مواد جسم، قوی می‌باشد. این فرایند در محدوده 10ps از پالس لیزر  ns اتفاق می افتد و توسط فرایندهای غیر خطی شامل یونیزاسیون فوتون چندگانه که توسط شکاف های میکروسکوپی سطحی، برون ریزی و برآمدگی ها بهسازی می شود، ناشی می‌شوند که میدان الکتریکی را افزایش می‌دهد. الکترون های آزاد در درون میدان الکترومغناطیسی نور لیزر، نوسان می‌کنند و با اتمهای توده مواد برخورد می کنند در نتیجه بخشی از انرژی شان را به شبکه مواد هدف گذاری درون محدوده سطحی منتقل می کنند. بنابراین سطح هدف گرم می شود و ماده تبخیر می شود.
در مرحله دوم ماده در یک پلاسما به موازات خط سیر معمول است، هدف به سمت زیرلایه در نتیجه دافعه کولنی، سطح هدف گسترش می‌یابد. پراکندگی فضایی شعله بستگی به فشار پس‌زمینه داخل محفظه PLD دارد. چگالی شعله با قانون formula_1 شکلی شبیه به منحنی گاوس توصیف می کند. تابع شکل شعله روی فشار در سه مرحله توصیف می‌شود:
مهم‌ترین نتیجه افزایش فشار پس زمینه کاهش گونه‌های با انرژی بالا در شعله پلاسمایی گسترده شده است. این نشان می دهد که ذرات با انرژی جنبشی حدود 50ev می‌توانند غشاء را در قبال رسوب گذاری روی زیر لایه بیرون بیندازند. این باعث نرخ رسوب گذاری کمتر می شود، همچنین می تواند باعث یک تغییر در استکیومتری غشا شود.
این مرحله برای مشخص نمودن کیفیت غشای تشکیل شده پر اهمیت می‌باشد. ذرات پرانرژی منتشر شده از هدف، سطح مورد نظر را بمباران می‌کنند. این برخورد می‌تواند منجر به ایجاد نواقصی در سطح غشا شود. گونه های پراکنده شده از بستر و ذرات ساطع شده از هدف ، منطقه‌ای با تعداد برخورد بیشتر نسبت به مناطق دیگر تشکیل می دهند، که به عنوان منبع تراکم ذرات شناخته می‌شود. زمانی که سرعت چگالش ذرات به حد مشخصی برسد، میتوان به شرایط تعادل گرمایی رسید و غشا در جریان فرسایش ذرات و تعادل گرمایی رشد خواهد کرد.
روند هسته زایی و رشد غشا به چندین پارامتر بستگی دارد که عبارتند از: