2.3.2022
SV
Europeiska unionens officiella tidnin
2.
Särskilt konstruerad utrustning för att uppnå en ytjämnhet hos den aktiva ytan av en behandlad wafer med ett tvåsigmavärde på högst 2 mikrometer, totalt indikatorutslag (TIR).
Anmärkning: Avsnitt X.B.I.001.b.1.k omfattar inte utrustning för läppning och polering i samband med ytbehandling av wafers.
l.
Sammankopplingsutrustning som omfattar en eller flera gemensamma vakuumkammare särskilt konstruerade för att möjliggöra integrering av all utrustning som omfattas av avsnitt X.B.I.001 i ett komplett system.
m.
”Datorstyrd” utrustning som använder ”lasrar” för reparation eller putsning av ”monolitiska integrerade kretsar” med någon av följande egenskaper: 1.
Positioneringsnoggrannhet som är mindre än ± 1 mikrometer.
2.
Punktstorlek (spotsize) (skårbredd (kerf width)) som är mindre än 3 mikrometer.
Teknisk anmärkning: I avsnitt X.B.I.001.b.1 avses med ”sputtering” en överlagringsbeläggningsprocess där positivt laddade joner accelereras av ett elektriskt fält mot ytan av ett mål (beläggningsmaterialet).
Den kinetiska energin hos de laddade jonerna är tillräcklig för att atomer från ytan ska frigöras och beläggas på substratet.
(Anmärkning: Triod-, magnetron- och radiofrekvenssputtering för att öka vidhäftningen av beläggningen samt beläggningstakten är vanliga modifieringar av denna process.)
L 67/27