2.3.2022
NL
Publicatieblad van de Europese Unie
2.
Speciaal ontworpen apparatuur voor het tot stand brengen van een oppervlakteruwheid van het actieve oppervlak van een bewerkte wafer met een waarde van 2 sigma van 2 micrometer of minder, totale meetklokuitslag (TIR);
Noot:X.B.I.001.b.1.k heeft geen betrekking op enkelzijdige schuur- en polijstmachines voor afwerking van het oppervlak van wafers.
l.
Apparatuur voor onderlinge koppeling, waaronder gemeenschappelijke enkelvoudige of meervoudige vacuümkamers speciaal ontworpen om de integratie van in X.B.I.001 bedoelde apparatuur in een compleet systeem mogelijk te maken;
m.
“Door een opgeslagen programma gestuurde” apparatuur die gebruikmaakt van “lasers” voor het herstellen of afbramen van “monolithische geïntegreerde schakelingen” met een van de volgende kenmerken: 1.
Instelnauwkeurigheid fijner dan ± 1 micrometer; of
2.
Brandpuntsvlak (groefbreedte) kleiner dan 3 micrometer.
Technische noot: Voor de toepassing van X.B.I.001.b.1 is “sputteren” een deklaagbekledingsprocedé waarbij positief geladen ionen worden versneld door een elektrisch veld naar het oppervlak van een trefplaat (deklaagmateriaal).
De kinetische energie van de botsende ionen is voldoende om ervoor te zorgen dat atomen aan het oppervlak van de trefplaat vrijkomen en worden afgezet op het substraat.
(Noot: Sputteren met een triode of magnetron en reactief sputteren, welke methoden worden toegepast om de hechting van de bekleding en de afzetsnelheid te vergroten, zijn gebruikelijke aanpassingen van het procedé.)
L 67/27