2.3.2022.
LV
Eiropas Savienības Oficiālais Vēstnesi
2.
speciāli konstruētas iekārtas, kas paredzētas, lai panāktu, ka apstrādātas pusvadītāju plāksnītes aktīvās virsmas nelīdzenums nepārsniedz 2 mikrometrus (novirzes vērtība 2 sigmas) ar kopējo indikatoru rādījumu (TIR);
Piezīme: X.B.I.001.b.1.k pozīcijā paredzētā kontrole neattiecas uz vienpusējas lepēšanas un pulēšanas iekārtām pusvadītāju plākšņu virsmas apdarei.
l.
starpsavienojumu iekārtas, kurās ietilpst kopējas viennodalījuma vai daudznodalījumu vakuumkameras, kas speciāli konstruētas tā, lai visas iekārtas, uz kurām attiecas X.B.I.001. pozīcijā minētā kontrole, varētu integrēt pilnā sistēmā;
m.
“ierakstītas programmas vadītas” iekārtas, kurās izmanto “lāzerus” “monolītu integrālshēmu” remontam vai apgriešanai, kam piemīt kāda no šīm īpašībām: 1.
pozicionēšanas precizitāte ir mazāka par ± 1 mikrometru; vai
2.
stara diametrs (griezuma platums) ir mazāks par 3 mikrometriem.
Tehniska piezīme: X.B.I.001.b.1. pozīcijas nolūkā “uzputināšana” ir virsmas pārklāšanas process, kura gaitā pozitīvi lādētu jonu kustība elektriskajā laukā paātrinās virzienā uz mērķvirsmu (pārklājamo materiālu).
Jonu triecienu kinētiskā enerģija ir pietiekama, lai atbrīvotu atomus uz mērķvirsmas un ar tiem pārklātu substrātu.
(Piezīme: Bieži vien procesā izmanto triodes, magnetronus vai radiofrekvences, lai palielinātu pārklājuma adhēziju un pārklāšanas ātrumu.)
L 67/27