2.3.2022
DE
Amtsblatt der Europäischen Union
2.
Besonders konstruierte Ausrüstung zur Erreichung einer Oberflächenrauheit der aktiven Oberfläche eines bearbeiteten Wafers mit einem 2-Sigma-Wert kleiner/gleich 2 Mikrometer, Gesamtmessuhrausschlag (Total indicated reading – TIR),
Anmerkung: Unternummer X.B.I.001b1k erfasst nicht einseitige Läpp- und Polierausrüstung für die Wafer-Oberflächenbearbeitung.
l.
Ausrüstung zur internen Vernetzung, darunter gemeinsame einfache oder mehrere besonders konstruierte Vakuumkammern zur Integration der von Nummer X.B.I.001 erfassten Ausrüstung in ein vollständiges System,
m.
,speicherprogrammierbare‘ Ausrüstung unter Einsatz von ,Lasern‘ für die Reparatur oder das Beschneiden ,monolithisch integrierter Schaltungen‘ mit einer der folgenden Eigenschaften: 1.
Positioniergenauigkeit feiner als ± 1 Mikrometer oder
2.
Fokusgröße (Schnittfugenbreite) kleiner als 3 Mikrometer.
Technische Anmerkung: Im Sinne von Unternummer X.B.I.001b1 bezeichnet ,Kathodenzerstäubungsbeschichtung‘ (Sputtern/Aufstäuben) (sputtering) ein Verfahren zur Herstellung von Auflageschichten.
Dabei werden positiv geladene Ionen mithilfe eines elektrischen Feldes auf die Oberfläche eines Targets (Beschichtungsmaterial) geschossen.
Die Bewegungsenergie der auftreffenden Ionen reicht aus, um Atome aus der Oberfläche des Targets herauszulösen, die sich auf dem Substrat niederschlagen.
(Anmerkung: Sputtern mittels Trioden-, oder Magnetronanlagen oder mittels HF-Spannung zur Erhöhung der Haftfestigkeit der Schicht und der Beschichtungsrate sind übliche Varianten dieses Verfahrens.)
L 67/27