2.3.2022
DA
Den Europæiske Unions Tidende
2.
Specielt konstrueret udstyr til at opnå en overfladeruhed på en forarbejdet wafers aktive overflade med en tosigmasværdi på højst 2 mikrometer, totalt indikatorudslag (TIR)
Note: X.B.I.001.b.1.k lægger ikke eksportkontrol på udstyr til pålægning og polering til waferes overfladefinish på én side.
l.
Forbindelsesudstyr, som omfatter fælles enkeltkamre eller flerkamre til vakuum, der er specielt konstrueret til at muliggøre integration af udstyr, der er underlagt eksportkontrol i henhold til X.B.I.001, i et komplet system
m.
Udstyr "kontrolleret ved hjælp af lagret program", der anvender "lasere" til reparation eller trimning af "monolitiske integrerede kredsløb" med en af følgende egenskaber: 1.
Positioneringsnøjagtighed på mindre end ±1 mikrometer eller
2.
Pletstørrelse (kerf-bredde) på mindre end 3 mikrometer.
Teknisk note: Med henblik på X.B.I.001.b.1. forstås ved 'sputtering' en overlay-belægningsproces, hvor positivt ladede ioner accelereres af et elektrisk felt med målets (belægningsmaterialets) overflade.
Når ionerne rammer overfladen, er den kinetiske energi tilstrækkelig til at frigøre overfladeatomer på målet og aflejre dem på substratet.
(Note: Triode-, magnetron- eller radiofrekvenssputtering for at forbedre belægningens vedhængskraft og belægningsprocessens hastighed er almindelige modifikationer af processen).
L 67/27