2.3.2022 г.
BG
Официален вестник на Европейския съюз
2.
Специално проектирано оборудване за постигане на грапавост на активната повърхност на обработена полупроводникова пластина с 2-пъти средноквадратично отклонение от 2 микрометра или по-малко, максимално показание на индикатора (TIR);
Забележка:
l.
X.B.I.001.b.1.k не контролира оборудване за едностранно притриване и полиране на повърхността на полупроводникови пластини.
Свързващо оборудване, което включва обикновени единични или множество вакуумни камери, специално проектирани да позволяват интегрирането на контролирано от X.B.I.001 оборудване в цялостна система;
m.
„Контролирано от записана програма“ оборудване, използващо „лазери“ за поправка или зачистване на „монолитни интегрални схеми“, имащо някоя от следните характеристики: 1.
Точност на позициониране под ± 1 микрометър; или
2.
Размер на светлинното петно (широчина на прореза) под 3 микрометра.
Техническа бележка: За целите на X.B.I.001.b.1 ‘разпрашване’ е процес на нанасяне на покрития чрез наслояване от парова фаза, при който положително заредените йони се ускоряват от електрическо поле към повърхността на мишена (материала за нанасяне на покритие).
Кинетичната енергия на попадащите йони е достатъчна, за да доведе до освобождаване на атоми и отлагането им върху подложката.
(Бележка: Триодното, магнетронното или радиочестотното разпрашване за подобряване на адхезията на покритието и скоростта на отлагане са обикновени видоизменения на процеса.).
L 67/27