6.1.2022
6A005
PT
Jornal Oficial da União Europeia
L 3/193
c. (continuação) 2.
Comprimento de onda de saída igual ou superior a 600 nm mas não superior a 1 400 nm e qualquer das seguintes características: a.
Energia de saída superior a 1 J por impulso e "potência de pico" superior a 20 W; ou b.
Potência de saída média ou em ondas contínuas superior a 20 W; ou 3.
Comprimento de onda de saída superior a 1 400 nm e qualquer das seguintes características: a.
Energia de saída superior a 50 mJ por impulso e "potência de pico" superior a 1 W; ou b.
Potência de saída média ou em ondas contínuas superior a 1 W; d.
Outros "lasers" não especificados em 6A005.a., 6A005.b. ou 6A005.c., como se segue: 1.
"Lasers" de semicondutores, como se segue: Nota 1: 6A005.d.1. inclui os "lasers" de semicondutores com conectores de saída óticos (p. ex., espirais de fibras óticas).
Nota 2: O estatuto dos "lasers" de semicondutores especialmente concebidos para outros equipamentos é determinado pelo estatuto desses equipamentos. a.
"Lasers" singulares de semicondutores de modo transversal único com qualquer das seguintes características: 1.
Comprimento de onda igual ou inferior a 1 510 nm e potência de saída média ou em ondas contínuas superior a 1,5 W; ou 2.
Comprimento de onda superior a 1 510 nm e potência de saída média ou em ondas contínuas superior a 500 mW; b.
"Lasers" singulares de semicondutores de ‘modo transversal múltiplo’ com qualquer das seguintes características: 1.
Comprimento de onda inferior a 1 400 nm e potência de saída média ou em ondas contínuas superior a 15 W; 2.
Comprimento de onda igual ou superior a 1 400 nm mas inferior a 1 900 nm e potência de saída média ou em ondas contínuas superior a 2,5 W; ou 3.
Comprimento de onda igual ou superior a 1 900 nm e potência de saída média ou em ondas contínuas superior a 1 W; c.
‘Barras’ singulares de "lasers" de semicondutores com qualquer das seguintes características: 1.
Comprimento de onda inferior a 1 400 nm e potência de saída média ou em ondas contínuas superior a 100 W; 2.
Comprimento de onda igual ou superior a 1 400 nm mas inferior a 1 900 nm e potência de saída média ou em ondas contínuas superior a 25 W; ou 3.
Comprimento de onda igual ou superior a 1 900 nm e potência de saída média ou em ondas contínuas superior a 10 W; d.
‘Pilhas de agregados’ de "lasers" de semicondutores (agregados bidimensionais) com qualquer das seguintes características: 1.
Comprimento de onda inferior a 1 400 nm e qualquer das seguintes características: a.
Potência de saída total média ou em ondas contínuas inferior a 3 kW e ‘densidade de potência’ média de saída ou em ondas contínuas superior a 500 W/cm2;