L 3/24
PL
Dziennik Urzędowy Unii Europejskiej
6.1.2022
„Statek suborbitalny” (9) oznacza statek posiadający wyposażenie przeznaczone do transportu osób lub ładunku, zapro­ jektowany do: a. działania ponad stratosferą; b. lotu po trajektorii nieorbitalnej oraz c. lądowania powrotnego na Ziemi w sposób bezpieczny dla ludzi i ładunku.
„Podłoże” (3) oznacza płytkę materiału głównego z naniesionymi połączeniami lub bez nich, na której lub wewnątrz której można umieszczać ‘elementy dyskretne’ lub układy scalone.
N.B.1.
‘Element dyskretny’: oddzielnie obudowany ‘element obwodu’ z własnymi końcówkami wyjściowymi.
N.B.2.
‘Element obwodu’: pojedyncza czynna lub bierna funkcjonalna część układu elektronicznego, np. jedna dioda, jeden tranzystor, jeden rezystor, jeden kondensator itp.
„Półprodukt podłoży” (3, 6) oznacza materiał monolityczny o wymiarach umożliwiających wytworzenie z niego elementów optycznych, takich jak zwierciadła lub okienka optyczne.
„Podjednostka toksyny” (1) oznacza strukturalnie i funkcjonalnie oddzielny składnik „toksyny”.
„Nadstopy” (2, 9) oznaczają stopy na osnowie niklu, kobaltu lub żelaza, których trwałość w próbie pełzania do zerwania przekracza 1 000 godzin przy naprężeniu 400 MPa, a wytrzymałość na rozciąganie przekracza 850 MPa, w temperaturze 922 K (649 °C) lub wyższej.
„Nadprzewodniki” (1, 3, 5, 6, 8) oznaczają materiały, tj. metale, stopy lub związki, które mogą całkowicie stracić swoją oporność, tj. które mogą uzyskać nieskończoną przewodność elektryczną i przewodzić prąd elektryczny o bardzo wyso­ kich natężeniach bez wytwarzania ciepła Joule’a.
N.B. „Nadprzewodzący” stan materiału jest indywidualnie scharakteryzowany „temperaturą krytyczną”, krytycznym polem magnetycz­ nym, będącym funkcją temperatury, oraz krytyczną gęstością prądu, która jest funkcją zarówno pola magnetycznego, jak i temperatury.
„Laser o super wysokiej mocy” („SHPL”) (6) oznacza „laser”, który może dostarczyć energię wyjściową (całkowitą lub częściową) powyżej 1 kJ w ciągu 50 ms, lub taki, którego moc przeciętna lub moc w przypadku fali ciągłej wynosi powyżej 20 kW.
„Formowanie w stanie nadplastycznym” (1, 2) oznacza technikę odkształcania termicznego metali, których wydłużenie całkowite do zerwania, mierzone w temperaturze pokojowej tradycyjnymi technikami badania wytrzymałości na rozcią­ ganie, w normalnych warunkach, jest bardzo małe (poniżej 20 %); jej celem jest co najmniej dwukrotne powiększenie tych wartości podczas obróbki.
„Algorytm symetryczny” (5) oznacza algorytm kryptograficzny, w którym stosuje się identyczne klucze do szyfrowania i deszyfrowania.
N.B. Powszechnym zastosowaniem „algorytmu symetrycznego” jest utajnianie danych.
„Taśma” (1) oznacza materiał zbudowany z przeplatanych lub jednakowo ukierunkowanych „włókien elementarnych”, ‘skrętek’, „rowingów”, „kabli” lub „przędz” itp., zazwyczaj impregnowany żywicą.
N.B. ‘Skrętka’ oznacza wiązkę „włókien elementarnych” (zazwyczaj ponad 200) uporządkowanych w przybliżeniu równolegle.
„Technologia” (wszystkie UOdT UdTJ) oznacza specyficzny rodzaj informacji, niezbędny do „rozwoju”, „produkcji” lub „użytkowania” danego wyrobu.
Informacja ta ma postać ‘danych technologicznych’ lub ‘pomocy technicznej’.
N.B.1.
‘Pomoc techniczna’ może przybierać takie formy, jak: przekazanie instrukcji, umiejętności, szkolenie, przekazanie wiedzy na temat eksploatacji oraz usługi konsultacyjne i może obejmować transfer ‘danych technologicznych’.
N.B.2.
‘Dane technologiczne’ mogą mieć formę odbitek, planów, wykresów, modeli, wzorów, tabel, projektów technicznych i opisów, podręczników i instrukcji w formie pisemnej lub zarejestrowanej na innych nośnikach lub urządzeniach, takich jak dyski, taśmy, pamięci wyłącznie do odczytu.