6.1.2022
6A005
ES
Diario Oficial de la Unión Europea
L 3/193
c. (continuación) 2.
Longitud de onda de salida igual o superior a 600 nm, pero no superior a 1 400 nm, y cualquiera de las características siguientes: a.
Energía de salida superior a 1 J por impulso y "potencia de pico" superior a 20 W, o b.
Potencia de salida, media o en onda continua, superior a 20 W, o 3.
Longitud de onda de salida superior a 1 400 nm y cualquiera de las características siguientes: a.
Energía de salida superior a 50 mJ por impulso y "potencia de pico" superior a 1 W, o b.
Potencia de salida, media o en onda continua, superior a 1 W d.
Otros "láseres", no especificados en los subartículos 6A005.a, 6A005.b o 6A005.c, según se indica: 1.
"Láseres" de semiconductores, según se indica: Nota 1: El subartículo 6A005.d.1 incluye los "láseres" de semiconductores que tienen conectores ópticos de salida (por ejemplo, latiguillos de fibra óptica).
Nota 2: El régimen de control de los "láseres" de semiconductores diseñados especialmente para otros equipos está determinado por el régimen de control de los otros equipos. a.
"Láseres" de semiconductores monomodo transversal individuales que posean cualquiera de las características siguientes: 1.
Longitud de onda igual o inferior a 1 510 nm y potencia de salida, media o en onda continua, superior a 1,5 W, o 2.
Longitud de onda superior a 1 510 nm y una potencia de salida, media o en onda continua, superior a 500 mW b.
"Láseres" de semiconductores multimodo transversal individuales que posean cualquiera de las características siguientes: 1.
Longitud de onda inferior a 1 400 nm y potencia de salida, media o en onda continua, superior a 15 W 2.
Longitud de onda igual o superior a 1 400 nm e inferior a 1 900 nm y potencia de salida, media o en onda continua, superior a 2,5 W, o 3.
Longitud de onda igual o superior a 1 900 nm y potencia de salida, media o en onda continua, superior a 1 W c.
‘Barras’ "láser" de semiconductores individuales que posean cualquiera de las características siguien­ tes: 1.
Longitud de onda inferior a 1 400 nm y potencia de salida, media o en onda continua, superior a 100 W 2.
Longitud de onda igual o superior a 1 400 nm e inferior a 1 900 nm y potencia de salida, media o en onda continua, superior a 25 W, o 3.
Longitud de onda igual o superior a 1 900 nm y potencia de salida, media o en onda continua, superior a 10 W d.
‘Conjuntos apilados’ de "láseres" de semiconductores (conjuntos bidimensionales) que posean cual­ quiera de las características siguientes: 1.
Longitud de onda inferior a 1 400 nm y con cualquiera de las características siguientes: a.
Potencia total de salida, media o en onda continua, inferior a 3 kW, y con una ‘densidad de potencia’ de salida, media o en onda continua, superior a 500 W/cm2