30.12.2022
SV
Europeiska unionens officiella tidning
C 498/99
Ändringsrekommendation 8 Artikel 4.2 b led 1 Kommissionens textförslag
ReK:s ändringsförslag
1) stärka den tekniska kapaciteten i nästa generations teknik för chipproduktion, genom att integrera forsk­ nings- och innovationsverksamhet och förbereda ut­ vecklingen av framtida processnoder, inbegripet noder under två nanometer i teknisk framkant, FD-SOI (Fully Depleted Silicon on Insulator) vid 10 nanometer och mindre, och integrering av heterogena 3D-system och avancerad kapsling,
1) stärka den tekniska kapaciteten i nästa generations teknik för chipproduktion, genom att integrera forsk­ nings- och innovationsverksamhet och förbereda ut­ vecklingen av framtida processnoder, inbegripet noder under två nanometer i teknisk framkant, FD-SOI (Fully Depleted Silicon on Insulator) vid 10 nanometer och mindre, och integrering av heterogena 3D-system och avancerad kapsling; tillverkning av dimensioner över 10 nanometer som efterfrågas av EU:s användarindustri ska ingå i detta,
Motivering Kommissionens fokus på dimensioner under 10 nanometer är för snävt och tillgodoser inte behoven i EU:s användarindustri.
Ändringsrekommendation 9 Artikel 8.2 d Kommissionens textförslag
ReK:s ändringsförslag
d) Underlätta överföring av sakkunskap och know-how mellan medlemsstater och regioner, för att uppmuntra utbyte av kompetens, kunskap och god praxis och främja gemensamma program.
d) Underlätta överföring av sakkunskap och know-how mellan medlemsstater och regioner, för att uppmuntra utbyte av kompetens, kunskap och god praxis, främja gemensamma program samt förbättra samarbetet mellan universitet och mellan universitet, företag och utbildnings- och forskningsinrättningar, till exempel genom ett EU-omfattande utbytessystem för forskare och laboratorieplatser för att utbilda och behålla lärare och kvalificerad personal.
Motivering Det europeiska nätverket av kompetenscentrum för halvledare bör också omfatta utbildnings- och undervisningsfrågor.