30.12.2022
PL
Dziennik Urzędowy Unii Europejskiej
C 498/99
Poprawka 8 Artykuł 4 ustęp 2 litera b) punkt 1 Tekst zaproponowany przez Komisję Europejską
Poprawka KR-u
1) wzmocnienie zdolności technologicznych w zakresie technologii produkcji czipów nowej generacji dzięki integracji działań w zakresie badań naukowych i innowa­ cji oraz przygotowaniu rozwoju przyszłych generacji technologii, w tym najbardziej zaawansowanych genera­ cji technologii poniżej dwóch nanometrów, technologii FD-SOI (ang. Fully Depleted Silicon on Insulator – w pełni zubożony krzem na izolatorze) na poziomie 10 nanometrów i poniżej oraz integracji systemów hetero­ genicznych 3D i zaawansowanych technologii umie­ szczania w obudowie;
1) wzmocnienie zdolności technologicznych w zakresie technologii produkcji czipów nowej generacji dzięki integracji działań w zakresie badań naukowych i innowa­ cji oraz przygotowaniu rozwoju przyszłych generacji technologii, w tym najbardziej zaawansowanych genera­ cji technologii poniżej dwóch nanometrów, technologii FD-SOI (ang. Fully Depleted Silicon on Insulator – w pełni zubożony krzem na izolatorze) na poziomie 10 nanometrów i poniżej oraz integracji systemów hetero­ genicznych 3D i zaawansowanych technologii umie­ szczania w obudowie; uwzględnia się w tym produkcję struktur o rozmiarze przekraczającym 10 nanometrów, na które jest zapotrzebowanie w unijnej branży użytkowników;
Uzasadnienie Komisja koncentruje się na strukturach o rozmiarze poniżej 10 nanometrów, co jest zbyt wąskim spojrzeniem i nie spełnia potrzeb unijnej branży użytkowników.
Poprawka 9 Artykuł 8 ustęp 2 litera d) Tekst zaproponowany przez Komisję Europejską
Poprawka KR-u
d) ułatwianie transferu wiedzy fachowej i know-how między państwami członkowskimi i regionami, przy jednoczesnym zachęcaniu do wymiany umiejętności, wiedzy i dobrych praktyk oraz organizacji wspólnych programów;
d) ułatwianie transferu wiedzy fachowej i know-how między państwami członkowskimi i regionami, przy jednoczesnym zachęcaniu do wymiany umiejętności, wiedzy i dobrych praktyk, organizacji wspólnych programów i usprawnieniu wzajemnej współpracy między uczelniami wyższymi oraz współpracy między uczelniami, przedsiębiorstwami, instytucjami edukacyj­ nymi i badawczymi, na przykład za pośrednictwem ogólnounijnego systemu wymiany naukowców i labora­ toriów, aby szkolić i zatrzymać kadrę dydaktyczną i specjalistów;
Uzasadnienie Europejska sieć centrów kompetencji w dziedzinie półprzewodników powinna również obejmować zagadnienia związane z kształceniem i przygotowaniem zawodowym.