TCVN11166-7:2015

Tiêu chuẩn quốc gia TCVN 11166-7:2015 (ISO/IEC 7811-7:2015) về Thẻ định danh - Kĩ thuật ghi - Phần 7: Sọc từ - Kháng từ cao, mật độ cao TIÊU CHUẨN QUỐC GIA TCVN 11166-7:2015 ISO/IEC 7811-7:2014 THẺ ĐỊNH DANH - KỸ THUẬT GHI - PHẦN 7: SỌC TỪ - KHÁNG TỪ CAO, MẬT ĐỘ CAO Identi f ication cards - Recording technique - Part 7: Magnetic stripe - High coercivity, high density Lời nói đầu TCVN 11166-7:2015 (ISO/IEC 7811-7:2014) hoàn toàn tương đ ương với ISO/IEC 7811-7:2014. TCVN 11166-7:2015 (ISO/IEC 7811-7:2014) do Ban kỹ thuật tiêu chu ẩ n quốc gia TCVN/JTC 1 "C ô ng nghệ thông tin" biên soạn, Tổng cục Tiêu chu ẩ n Đo lường Chất lượng đề nghị, Bộ Khoa học và Công nghệ công bố. Hiện nay, bộ TCVN 11166 (ISO/IEC 7811) về Thẻ định danh - Kỹ thuật ghi gồm các tiêu chu ẩ n: - Ph ầ n 1: Rập nổi; - Phần 2: Sọc từ - Kháng từ thấp; - Phần 6: Sọc từ - Kháng từ cao; - Phần 7: Sọc từ - Kháng từ cao, mật độ cao; - Phần 8: Sọc từ - Kháng từ 51,7 kA/m (650 Oe); - Phần 9: Đánh d ấ u định danh xúc giác; THẺ ĐỊNH DANH - KỸ THUẬT GHI - PHẦN 7: SỌC TỪ - KHÁNG TỪ CA O , MẬT ĐỘ CAO Identi f ication cards - Recording technique - Part 7: Magnetic stripe - High coercivity, high density 1 Phạm vi áp dụng Tiêu chuẩn này qui định các đặc tính cho th ẻ định danh được định nghĩa trong Điều 4 và việc sử dụng các thẻ này trong trao đổi quốc tế. Tiêu chu ẩ n này qui định các yêu cầu đối với sọc từ kháng từ cao (bao gồm mọi lớp phủ bảo vệ) trên một thẻ định danh, kỹ thuật mã hóa và bộ ký tự mã hóa. Ti ê u chu ẩ n này xem xét cả khía cạnh con người và máy móc và nêu rõ các yêu cầu tối thiểu. Kháng từ ảnh hưởng đến nhiều đại lượng được qui định trong tiêu chu ẩ n, nhưng tiêu chuẩn này không qui định cho kháng từ. Đặc tính chính của sọc từ có kháng từ cao là khả n ă ng chống xóa được cải thiện. Điều n à y đạt được nhờ giảm thiểu khả năng xảy ra hư hại đối với các sọc từ khác bởi tiếp xúc trong khi vẫn duy tr ì khả năng tương thích đọc với các sọc từ được qui định trong TCVN 11166-2 (ISO/IEC 7811-2). Tiêu chuẩn này qui định dung lượng th ẻ xấp x ỉ khoảng 10 lần s ố thẻ phù hợp với TCVN 11166-6 (ISO/IEC 7811-6). S ố lượng các rãnh t ă ng lên 6, mỗi rãnh xấp x ỉ bằng nửa chiều rộng c ủ a các rãnh phù hợp với TCVN 11166-6 (ISO/IEC 7811-6), được đặt để người dọc thiết kế việc đọc cho các rãnh mật độ cao cũng có thể đọc th ẻ phù hợp với TCVN 11166-2 (ISO/IEC 7811-2) và TCVN 11166-6 (ISO/IEC 7811-6). Dữ liệu được mã hóa trong các byte 8 bit sử d ụng Kỹ thuật mã h ó a MFM. Khung dữ liệu được sử dụng để hạn chế việc truyền lỗi và kỹ thuật sửa lỗi có độ tin cậy cao hơn trong việc đọc. Tiêu chu ẩ n này đưa ra các tiêu chí để thẻ hoạt động, không xem xét về lượng sử dụng, nếu có thì cần xem xét lượng thẻ trước khi thử nghiệm. Nếu không phù hợp với các tiêu chí qui định, th ì các bên liên quan nên thương lượng với nhau. ISO/IEC 10373-2 qui định các thủ tục thử nghiệm để kiểm tra thẻ so với các thông số được qui định trong tiêu chuẩn này. CH Ú TH Í CH : Các giá trị số theo hệ đo lường SI và/hoặc h ệ đo lường Anh t rong tiêu chu ẩ n này có thể được làm tròn, do đó giá trị là phù hợp nhưng không ch í nh xác bằng nhau. Có thể sử dụng hệ đo lường khác nhưng không nên dùng lẫn hoặc chuyển đ ổ i lẫn nhau. Thiết kế ban đầu sử dụng hệ thống đ o lường Anh. 2 Sự phù hợp Điều kiện tiên quyết để phù hợp với tiêu chu ẩ n này là phù hợp với TCVN 11165 (ISO/IEC 7810). Một thẻ định danh phù hợp với tiêu chuẩn này nếu đáp ứng t ấ t cả các yêu cầu bắt buộc được qui định trong tiêu chuẩn. Á p dụng các giá trị mặc định nếu không qui định giá trị khác. 3 Tài liệu viện dẫn Các tài liệu tham khảo dưới đây không thể thiếu đối với việc áp dụng tài liệu này. Đối với các tham khảo ghi năm, ch ỉ áp d ụng bản được nêu. Đối với các tham khảo không ghi năm, áp dụng bản tài liệu tham khảo mới nhất (bao g ồ m cả sửa đổi). TCVN 11165 (ISO/IEC 7810), Thẻ định danh - Đặc tính vật lý ; ISO 4287, Geometrical Product Speci fi cations (GPS) - Sur f ace texture: Pro fi le method - Terms, definitions and sur f ace texture parameters (Đặc tả sản phẩm hình học (GPS) - Kết cấu bề mặt: Phương pháp mặt nghiêng - Thuật ngữ, định nghĩa và thông số kết cấu bề mặt) : ISO/IEC 10373-1, Identi f ication cards - Test methods - Part 1: General characteristics tests (Thẻ định danh - Phương pháp thử nghiệm - Phần 1: Đặc tính chung) ; ISO/IEC 10373-2, Identification cards - Test methods - Part 2: Cards with magnetic stripes ( Thẻ định danh - Ph ươn g pháp thử nghiệm - Phần 2: Thẻ có sọc từ). 4 Thuật ngữ và định nghĩa Tiêu chuẩn này áp dụng các thuật ngữ và định nghĩa trong TCVN 11165 (ISO/IEC 7810) và dưới đây. 4.1 Tiêu chu ẩ n chính (primary s tandard) Tập các thẻ tham chiếu được thiết lập b ở i Physikalisch-Technische Bundesanstalt (PTB) và được duy tr ì b ở i ban thư kí PTB, Q-Card và WG1 để thể hiện các giá trị của U R và I R được chỉ rõ RM7811-x26. 4.2 Tiêu chuẩn phụ (secondary s tandard) Thẻ tham chiếu được ch ỉ rõ RM7811-6 liên quan đến tiêu chuẩn chính như đã nêu trong giấy chứng nhận hiệu chuẩn cung cấp cho từng thẻ. CHÚ THÍCH : Các tiêu chu ẩ n phụ có thể được đặt hàng từ Q-Card, 301 Reagan Street, Sunbury, PA 17801, USA. Nguồn tiêu chu ẩ n phụ được duy trì ít nh ấ t đến năm 2018. 4.3 Th ẻ không m ã chưa sử dụng (unuse d un-encoded card) Thẻ gồm tất cả các cấu kiện cần thiết cho mục đích sử dụng, không bị lệ thuộc vào b ấ t k ì thao tác cá nhân hay thử nghiệm nào và được lưu giữ trong môi trường sạch không quá 48 giờ phơi dưới ánh sáng ban ngày ở nhiệt độ từ 5°C đến 30°C và độ ẩm từ 10% đến 90%, không qua sốc nhiệt. 4.4 Th ẻ mã chưa sử dụng (unused encoded card) Th ẻ theo 4.3 chỉ được mã hóa mọi dữ liệu được yêu cầu cho mục đích sử dụng (ví dụ mã hóa từ, dập nổi, mã hóa điện tử). 4.5 Th ẻ trả lại (returned card) Thẻ theo 4.4 sau khi được cấp cho ch ủ thẻ và được trả lại đ ể th ử nghiệm. 4.6 Chuy ể n tiếp dòng (flux transition) Vị trí mà tại đó tốc độ thay đ ổ i lớn nhất về khoảng cách của việc từ hóa. 4.7 Dòng điện chu ẩ n (re f erence current) I R Biên độ dò ng điện được ghi nhỏ nhất dưới các điều kiện thử nghiệm đã cho, trên thẻ tham chiếu, là biên độ tín hiệu đọc ngược bằng 80% biên độ tín hiệu chu ẩ n, U R , với mật độ bằng 8 chuyển tiếp dòng/mm (200 chuy ể n tiếp dòng/inch) như chỉ ra trong Hình 6. 4.8 Mức dòng chuẩn (re f erence flux level) F R Mức dòng trong đầu thử tương ứng với dòng điện chuẩn I R . 4.9 Dòng điện ghi thử nghiệm (test recording currents) Có hai dòng điện ghi được xác định b ở i: - I min = dòng điện ghi tương ứng với 2,8 F R - I max = dòng điện ghi tương ứng với 3,5 F R 4.10 Biên độ tín hiệu riêng (individual signal amplitude) U i Biên độ cơ s ở -đến-đ ỉ nh của một tín hiệu điện áp đọc ngược đơn. 4.11 Biên độ tín hiệu trung bình (average signal amplitude) U A Tổng giá trị tuyệt đối biên độ của từng đ ỉ nh tín hiệu ( U i ) chia cho số đỉnh tín hiệu ( n ) đối với một rãnh cho trước trên chiều dài c ủ a vùng sọc từ. 4.12 Biên độ tín hiệu chu ẩ n (re f erence signal amplitude) U R Giá trị biên độ tín hiệu trung bình lớn nhất của một thẻ tham chiếu được hiệu chỉnh đối với tiêu chu ẩ n chính. 4.13 Mật độ ghi v ậ t lý (physical recording density) Số các chuy ể n tiếp dòng trên mỗi chiều dài đơn vị được ghi trên một r ã nh. 4.14 Mật độ bit (b i t density) Số các bit dữ liệu được lưu trữ trên mỗi đ ơn vị chiều dài (bits/mm hoặc bpi) 4.15 Ô bit (bit cell) Kho ả ng cách đối với một bit dữ liệu trên danh định đối ứng với mật độ bit (xem Hình 8). 4.16 Ô bit trung bình (average bit cell) B a Tích của chiều dài ô bit và tổng các khoảng cách thực tế c ủ a tất cả các khoảng thời gian chuyển tiếp dòng trên một rãnh chia cho tổng các khoảng cách d anh định của tất cả các khoảng thời gian chuyển tiếp dòng tr ê n rãnh đó. 4.17 Ô bit trung b ì nh cục bộ (local average bit cell) B a6 Chuẩn so sánh cho một khoảng thời gian chuyển tiếp dòng đã cho bằng khoảng cách danh định L1 nhân với tổng các khoảng cách thực tế của 6 khoảng thời gian chuy ể n tiếp dòng trước đó chia cho tổng các khoảng cách danh định của 6 khoảng thời gian chuyển tiếp dòng trước đó: L1 x (∑ thực tế)/(∑ danh định). 4.18 Dòng điện khử từ (demagnetization current) I d Giá trị dòng điện một chiều để giảm biên độ tín hiệu trung bình xuống 80 % biên độ tín hiệu tham chiếu ( U R ) trên một thẻ tham chiếu phụ được mã hóa với mật độ là 40 ft/mm (1016 ftpi) tại dòng điện I min . 4.19 L 1 Khoảng cách ngắn giữa các chuyển tiếp dòng liền kề về danh định bằng 1 lần ô bit. 4.20 L 2 Khoảng cách trung bình giữa các chuyển tiếp dòng liền kề về danh định bằng 1,5 lần ô bit. 4.21 L 3 Khoảng cách dài giữa các chuyển tiếp dòng liền kề về danh định bằng 2 lần ô bit. 4.22 FSC Ký tự đồng bộ khung. 4.23 CRC Kiểm tra dư thừa vòng. 4.24 CP Cột chẵn lẻ. 4.25 U F Độ lớn của phần tử riêng tại 20 chuyển tiếp dòng trên mỗi mm tần số trải phổ Fourier đối với rãnh cho trước trên chiều dài vùng sọc từ. 5 Đặc tính vật lý của thẻ định danh Thẻ định danh phải phù hợp với đặc tả trong TCVN 11165 (ISO/IEC 7810). CẢNH BÁO - Việc lưu tâm của bên phát hành thẻ dẫn đến thực tế là thông tin chứa trên sọc từ có thể bị vô hiệu thông qua sự nhiễm bẩn do tiếp xúc với bụi bẩn các hóa chất thường sử dụng gồm các chất làm dẻo. Nên chú ý là bất kỳ việc in hoặc kiểm tra trên đỉnh sọc từ không được làm hằn vết chức năng của sọc từ đó. 5.1 Độ vênh vùng sọc từ Đặt một tải 2,2 N (0.5 lbf) phân bố đều trên mặt trước đối diện với sọc từ phải bao gồm toàn bộ sọc từ trong 0,08 mm (0.003 in) của tấm cứng. 5.2 Biến dạng bề mặt Không được có biến dạng bề mặt, không cân hay các vùng nổi trên c ả mặt trước và sau của thẻ trong vùng được chỉ ra trong Hình 1 có thể làm cản trở tiếp xúc giữa đầu từ và sọc từ. Kích thước theo mi-li-mét (in-sơ) Hình 1 - Vùng biến dạng tùy ý trên thẻ có sọc từ Nếu vùng ô chữ ký nổi được đặt ở mặt trước hoặc mặt sau của thẻ, thì vùng này không được gần với mép trên của thẻ dưới 19,05 mm (0.750 in). CHÚ THÍCH: Các vùng nổi và biến dạng trên các vùng khác của thẻ có thể gây ra những vấn đề truyền tải thẻ với thiết bị xử lý sọc từ gây ra các lỗi ghi hoặc đọc. 6 Đặc tính vật lý của sọc từ 6.1 Chiều cao và đường dốc bề mặt vùng sọc từ Vùng sọc từ được đặt ở sau thẻ giống như Hình 2. Hình 2 - Vị trí của vật liệu từ cho thẻ kiểu ID-1 6.1.1 Đường dốc bề mặt của vùng sọc từ Độ l ệ ch theo chiều dọc ( a ) lớn nhất của đường dốc bề mặt ngang của vùng sọc từ được chỉ ra dưới đây. Xem Hình 3, 4 và 5. Độ dốc của đường cong đường dốc bề mặt trong giới hạn: -4a/W < độ="" dốc="" (slope)=""><> Khi giá trị về tính khó uốn (xem TCVN 11165 (ISO/IEC 7810)) của thẻ là 20 mm hoặc lớn hơn thì giới hạn đường dốc bề mặt là: Chiều rộng sọc từ nhỏ nhất Theo Hình 3A Theo Hình 3B W = 6,35 mm (0,25 in) a ≤ 9,5 m m (375 m in) a ≤ 5,8 m m (225 m in) W = 10,28 mm (0 . 405 in) a ≤ 15,4 m m ( 607 m in) a ≤ 9,3 m m (365 m in) Khi giá trị về tính khó uốn (xem TCVN 11165 (ISO/IEC 7810)) của thẻ nhỏ hơn 20 mm thì giới hạn đường dốc bề mặt là: Chiều rộng sọc từ nhỏ nhất Theo Hình 3A Theo Hình 3B W = 6,35 mm (0,25 in) a ≤ 7 , 3 m m ( 288 m in) a ≤ 4 , 5 m m ( 175 m in) W = 10,28 mm (0 . 405 in) a ≤ 1 1 , 7 m m ( 466 m in) a ≤ 7 ,3 m m ( 284 m in) Hình 3 - Đường dốc bề mặt Hình 4 - Ví dụ đường dốc bề mặt Các đường dốc không cân trên hình có thể dẫn đến mã hóa chất lượng kém Hình 5 - Ví dụ đường dốc bề mặt không cân 6.1.2 Chiều cao vùng sọc từ Độ lệch theo chiều dọc ( h ) của vùng sọc từ liên quan đến bề mặt tiếp giáp của thẻ là: -0,005 mm (- 200 m in) ≤ □ h ≤ □ 0, 0 38 mm (1500 m in) Phần nhọn trong đường dốc do vật liệu "phun ra" khi in dấu nóng lên không phải là một phần của sọc từ. Không được mở rộng bên trên vùng sọc từ có chiều cao (h) như đã qui định ở trên. 6.2 Tính thô ráp bề mặt Độ thô ráp bề mặt trung bình ( R a ) của vùng sọc từ không vượt quá 0,40 m m (15.9 m in) theo cả chiều dọc và ngang khi được đo theo ISO 4287. 6.3 Tính bám dính của sọc từ với thẻ Các sọc từ không được tách rời khỏi thẻ khi sử dụng bình thường. 6.4 Tính mài mòn sọc từ khi cắm/rút khỏi đầu đọc/ghi Biên độ tín hiệu trung bình ( U A ) và biên độ tín hiệu riêng ( U i ) được đo trước và sau 2000 chu kỳ mài mòn và kết quả: U A sau ≥ 0,60 U A trước và U i sau ≥ 0,80 U A sau 6. 5 Tính kháng hóa chất Biên độ tín hiệu trung bình ( U A ) và biên độ tín hiệu riêng ( U i ) được đo trước và sau khi tiếp xúc với điều kiện môi trường trong thời gian ngắn như qui định trong ISO/IEC 10373-1 và kết quả: U A sau ≥ 0,90 U A trước và U i sau ≥ 0,90 U A sau Biên độ tín hiệu trung bình ( U A ) và biên độ tín hiệu riêng ( U i ) được đo trước và sau khi tiếp xúc với điều kiện môi trường trong thời gian dài (24 giờ) với mồ hôi nhân tạo có a-xít và kiềm, như xác định trong ISO/IEC 10373-1. U A sau ≥ 0,90 U A trước và U i sau ≥ 0,90 U A sau 7 Đặc tính hiệu năng đối với vật liệu từ Mục đích của Điều này là đảm bảo khả năng đổi lẫn từ giữa thẻ và các hệ thống xử lý. Không qui định kháng từ của các phương tiện truyền thông. Tiêu chí hiệu năng của các phương tiện truyền thông không phụ thuộc kháng từ được qui định trong 7.3. 7.1 Yêu cầu chung Phương pháp này sử dụng một thẻ tham chiếu mà vật liệu có thể được truy nguyên đối với các tiêu chuẩn chính (Xem Điều 4). Tất cả các biên độ tín hiệu từ việc sử dụng thẻ tham chiếu phụ phải được hiệu chỉnh bởi các y ế u tố được hỗ trợ cùng thẻ tham chiếu phụ đó. 7.2 Môi trường hoạt động và thử nghiệm Môi trường thử nghiệm để đo biên độ tín hiệu là nhiệt độ 23°C ± 3°C (73°F ± 5°F) và độ ẩm tương đối từ 40% đến 60%. Mặt khác khi thử nghiệm trong cùng các điều kiện giống nhau, biên độ tín hiệu trung bình đo được tại 8ft/mm (200 ftpi) không được lệch trên 15% so với giá trị của nó trong môi trường thử nghiệm sau 5 min tiếp xúc với điều kiện môi trường trong môi trường hoạt động sau: Nhiệt độ -35°C đến 50°C (-31°F đến 122°F) Độ ẩm tương đối 5% đến 95% 7.3 Yêu cầu biên độ tín hiệu cho các phương tiện truyền thông từ tính Yêu cầu đối với các đặc tính ghi của thẻ được chỉ ra trong Bảng 1 và Hình 6. Các yêu cầu hiệu năng của phương tiện truyền thông được qui định trong 7.3 phải phù hợp để đạt được việc cản trở cải thiện để xóa bỏ và cho phép sự trao đổi từ giữa thẻ và các hệ thống xử lý. Các thuộc tính trong Phụ lục C là hướng dẫn cho các vật liệu từ. Phụ lục C là tham khảo và không phải sử dụng như các tiêu chí hiệu năng cho thẻ. Bảng 1 - Yêu cầu biên độ tín hiệu cho các thẻ không mã chưa sử dụng Mô tả Mật độ ft/mm (ftpi) Dòng ghi thử nghiệm Kết quả biên độ tín hiệu Yêu cầu Biên độ tín hiệu 20 (508) I min U A1 0,8 U R ≤ U A1 ≤ 1,2 U R Biên độ tín hiệu 20 (508) I min U i 1 U i1 ≤ 1, 26 U R Biên độ tín hiệu 20 (508) I max U A 2 U A2 ≥ 0 , 8 U R Biên độ tín hiệu 40 (1016) I max U i2 U i2 ≥ 0,65 U R Độ phân giải 40 (1016) I max U A 3 U A 3 ≥ 0 , 8 U A2 Xóa bỏ 0 I min , DC U A 4 U A 4 ≤ 0 , 03 U R Xung bổ trợ 0 I min , DC U i4 U i4 ≤ 0,05 U R Khử từ 0 I d , DC U A 5 U A 5 ≥ 0,64 U R Khử từ 0 I d , DC U i5 U i5 ≥ 0,54 U R Ghi đè 20 (508) 40 (1016) I max I min U F6 U F7 U F7 ≤ 0 , 03 U F6 Độ dốc c ủ a đường cong b ã o hòa không bao gi ờ dương g iữa I mi n và I max Không được phép k ế t hợp toán học các yêu c ầ u ở trên. CH Ú THÍCH 1 : Mật độ 20 f tpmm chuyển l ê n 508 ftpi trong tiêu chu ẩ n này và l ê n 500 ftpi trong TCVN 11166-2 (ISO/IEC 7811-2) và TCVN 11166-6 (ISO/IEC 7811-6). Hai tiêu chuẩn này không khác nhau về nguy ê n tắc. Đ ể đảm b ả o khả năng tương t hích với mậ t độ ghi cao hơn các chuyển đ ổ i ch í nh x á c được s ử dụng trong t iêu chu ẩ n này. CHÚ THÍCH 2 : Quan sát cho thấy độ phân gi ả i th ấ p được đo trong Bảng 1 có thể tương ứng với bi ế n đổi cách khoảng chuy ể n tiế p dòng cao được đo t rong Bảng 2. Hình 6 - V í dụ đường cong bão hòa ch ỉ ra vùng dung sai tại 8 ft/mm (200 ftpi) CHÚ THÍCH : Các đường cong xác định đáp ứng t iêu chu ẩ n ch í nh (trên thẻ). Các thông số cửa sổ xác định một th ẻ có chức n ă ng t rong m ô i trường máy có th ể đọc. Hình 7 - Ví dụ dạng sóng 8 Kỹ thuật mã hóa Kỹ thuật mã hóa đối với mỗi rãnh phải là phương pháp ghi Điều chế tần số sửa đổi (MFM) theo các điều kiện: - Chuyển tiếp dòng ph ả i được ghi tại trung tâm mỗi ô bit chứa số 1. - Chuyển tiếp dòng phải được ghi tại mỗi ranh giới ô nằm giữa các ô b i t liền kề chứa các số 0. Xem Hình 8. Trong đó t chỉ các ranh giới ô bit Hình 8 - Các ví dụ về mã hóa MFM Dữ liệu phải được ghi như một chuỗi đồng bộ các ký tự không có khoảng trống xen vào. CHÚ TH Í CH 1 : Việc ghi với một dòng viết í t hơn I min có thể cho Kết quả ghi với ch ấ t lượng kém. CHÚ THÍCH 2 : MFM gi ồ ng kỹ thuật FM đ ược m ô tả trong TCVN 11166-6 (ISO/IEC 7811-6) ngoại tr ừ các chuy ể n tiếp d ò ng đ ồng bộ các bit 1 bị g ỡ b ỏ . Điều này dẫn đến việc m ấ t đi một số t í nh năng tự đồng bộ với việc m ã hóa FM và đò i hỏi độ chính xác hơn đối với các khoảng t h ờ i gian chuyển t iếp dòng. Với Kỹ thuật này có thể không có chuyển tiếp dòng tại ranh giới ô bit. 9 Đặc tả mã hóa 9.1 Góc ghi Góc ghi thông thường đối với cạnh gần nhất của thẻ song song với sọc từ có dung sai ± 20 min. Góc ghi ( a ) được xác định bằng việc đo góc của khe trống đầu ghi khi các biên độ đọc lớn nhất (xem Hình 9). Hình 9 - Góc ghi 9.2 Mật độ bit danh định Mật độ bit danh định cho mỗi rãnh phải là 40 bits/mm (1016 bpi). 9.3 Biến đổi cách khoảng chuyển tiếp dòng Các biến đổi cách khoảng chuyển tiếp dòng cho tất cả các rãnh được đưa ra trong Bảng 2. Bảng 2 - Biến đổi cách khoảng chuyển tiếp dòng Số hạng Mô tả Yêu cầu Biến đổi B a Ô bit trung bình 23 µm (906 µin) ≤ B a ≤ 25,3 µm (994 µin) -8 % đến +1 % B a6 Ô bit trung bình cục bộ 0,92 B a ≤ B a6 ≤ 1,08 B a ±8 % của B a L 1 Khoảng thời gian ngắn 0,80 B a6 ≤ L 1 ≤ 1,20 B a6 ±20 % của B a6 L 2 Khoảng thời gian trung bình 1,30 B a6 ≤ L 2 ≤ 1,70 B a6 ±13,3% của 1,5 B a6 L 3 Khoảng thời gian dài 1,80 B a6 ≤ L 3 ≤ 2,25 B a6 ±10 % của 2 B a6 CHÚ THÍCH: Quan sát cho thấy độ phân giải thấp được đo trong Bảng 1 có thể tương ứng với biến đổi cách khoảng chuyển tiếp dòng cao được đo trong Bảng 2. 9.4 Yêu cầu biên độ tín hiệu Yêu cầu cho biên độ tín hiệu trên tất cả các rãnh như sau: - Thẻ mã chưa sử dụng: 0,64 U R ≤ U i ≤ 1,36 U R - Thẻ trả lại: 0,52 U R ≤ U i ≤ 1,36 U R CHÚ THÍCH : Các yêu cầu trên qui định các giới hạn biên độ tín hiệu trao đổi cho mỗi vị trí rãnh mã hoá tại các mật độ bit được qui định. Các yêu cầu biên độ tín hiệu qui định trong Bảng 1 thể hiện giới hạn phương tiện truyền thông từ trường tại tần số ghi qui định và các dòng điện thử nghiệm ghi được qui định. 9.5 Cấu hình bit Dữ liệu phải được ghi với bit ít nghĩa nhất (2 0 ) đầu tiên. 9.6 Hướng ghi Việc mã hóa phải bắt đầu từ phía bên phải nhìn từ phía sọc từ trên cùng. 9.7 Các số 0 ở đầu và đuôi Đầu vào đến FSC đầu tiên phải được ghi với các số 1 và khoảng trống sau FSC cuối cùng cũng phải được ghi với các số 1. Các số 1 cách mép thẻ 3,30 mm (0.130 in) và không cần đáp ứng các đặc tả qui định ở đây. 10 Cấu trúc dữ liệu Dữ liệu người dùng viết trên thẻ được phân chia giữa các rãnh sử dụng. Mỗi rãnh sử dụng phải có chiều dài cố định tùy thuộc vào kiểu thẻ sử dụng, đòi hỏi dữ liệu người dùng được đệm bằng các byte nhị phân 0 nếu không điền đầy vào các khoảng trống có sẵn trên (các) rãnh sử dụng. Cấu trúc dữ liệu trên mỗi rãnh là độc lập với các rãnh khác. Quá trình chung để lập cấu trúc dữ liệu được chỉ ra ở Bảng 3, xem hình 11. Bảng 3 - Các bước quá trình lập cấu trúc dữ liệu Bước Quá trình 1 Xác định số rãnh cần thiết dựa trên dung lượng dữ liệu cho thẻ sử dụng 2 Phân chia dữ liệu thành dữ liệu cho mỗi rãnh và đệm cuối của dữ liệu thẻ với các byte 0 nếu cần, vì vậy, tất cả các khung trên mỗi rãnh sử dụng được lấp đầy. Việc đệm có thể hoàn thành trước hoặc sau khi chia thành các rãnh. Đạt được sửa lỗi nhiều hơn nếu dữ liệu được chia đều vào các rãnh sử dụng và sau đó mỗi rãnh được đệm thêm. 3 Tạo CRC cho dữ liệu rãnh và nối thêm vào cuối dữ liệu rãnh. 4 Phân chia dữ liệu rãnh vào các khung. 5 Tạo cột chẵn lẻ reed-solomon. 6 Thêm số ID khung. 7 Tạo CRC cho từng rãnh. 8 Sắp xếp để ghi lên thẻ: thêm các chuyển tiếp đồng bộ đầu tiên/cuối cùng, chuyển đổi ID khung từ chuỗi 8 bit thành 5 bit và thêm vào FSC. CHÚ THÍCH : Không có bộ ký tự mã hóa qui định theo tiêu chuẩn này. Hầu hết, việc sử dụng cho các định dạng mật độ cao là các ứng dụng không dành cho văn bản. 10.1 Định dạng rãnh 10.1.1 Sắp đặt rãnh Mỗi rãnh phải chứa những chuyển tiếp đồng bộ đầu tiên, một FSC, các khung dữ liệu phân bởi một FSC, một FSC và các chuyển tiếp đồng bộ cuối cùng như sau. Các chuyển tiếp đồng bộ đầu tiên FSC Định danh khung 1 Dữ liệu Khung CRC FSC Định danh khung 2 Dữ liệu Khung CRC FSC Định danh khung 3 Dữ liệu Khung CRC FSC : : : FSC Định danh khung 18 Dữ liệu Khung CRC FSC Các chuy ể n ti ế p đồng bộ cuối cùng 10.1.2 FSC FSC sử dụng để xác định hướng và định danh mép khung dữ liệu. FSC phải xuất hiện trước và sau mỗi khung dữ liệu nhưng chỉ một FSC xuất hiện giữa các khung dữ liệu liền kề. FSC được thể hiện như trong Hình 10. Hình 10 - Biểu thị FSC CHÚ THÍCH: FSC chiếm 7,5 bit và một chuỗi các khoảng thời gian chuyển tiếp dòng nơi các mép như các bit 1 (chuyển tiếp giữa ranh giới bit). Không phải một chuỗi các bit 1 và 0 do mẫu các khoảng thời gian chuyển tiếp dòng là duy nhất và không bao giờ xảy ra với các qui tắc mã hóa MFM. Do đó, FSC được tìm thấy ngay cả khi m ấ t đồng bộ hóa ký tự trong khung dữ liệu và bắt đầu đồng bộ hóa với khung dữ liệu tiếp theo. 10.1.3 Khung dữ liệu Các khung dữ liệu phải chứa một số hiệu khung, dữ liệu và một ký tự CRC của khung . Số các khung trên mỗi rãnh phải là 18. 10.1.3.1 Định danh khung Mỗi khung dữ liệu phải được định danh với 5 bit ký tự thể hiện một số. Các khung phải được đánh số liên tiếp bắt đầu với 1 cho khung gần điểm bắt đầu mã hóa nhất và kết thúc với 18 cho khung gần điểm kết thúc mã hóa nhất. Khi thực hiện các hoạt động dữ liệu trước khi ghi trên thẻ hoặc trong khi xử lý mã hóa sau khi đọc, định danh khung phải thể hiện bằng một chuỗi 8 bit. 10.1.3.2 Dữ liệu Dữ liệu phải biểu thị bằng các byte 8 bit và phải là dữ liệu người dùng, cột chẵn lẻ, hoặc rãnh thông tin CRC. Dung lượng và số byte trên mỗi khung phụ thuộc vào cỡ thẻ và phải được chỉ ra trong Bảng 4 Đối với mỗi cỡ thẻ tất cả số liệu được cố định (không có chiều dài biến thiên). Bảng 4 - Dung lượng rãnh Kiểu thẻ ID-1 ID-2 ID-3 Dung lượng khung dữ liệu (byte trên mỗi khung) 17 22 28 Cỡ khung (bit trên mỗi khung) 156,5 196,5 244,5 Dung lượng rãnh dữ liệu (byte trên mỗi rãnh) 306 396 504 Cỡ rãnh (bit trên mỗi rãnh) 2824,5 3544,5 4408,5 Cột chẵn lẻ (byte) 68 88 112 Rãnh CRC (byte) 4 4 4 Dung lượng người dùng dữ liệu (byte) 234 304 388 CHÚ THÍCH: Dung lượng người dùng dữ liệu được ch ỉ ra trong Bảng trên số lượng sửa lỗi đã sử dụng. Cỡ khung bằng FSC + ID khung + (byte trên mỗi khung * 8) + CRC. Cỡ rãnh bằng (b i t trên mỗi khung * 18) + FSC. 10.1.3.3 Khung ký tự CRC Mỗi khung phải gồm 1 ký tự CRC 8 bit. 10.2 Mã hóa việc phát hiện và sửa lỗi Rãnh dữ liệu phải được đặt trong khung như Hình 11 khi N bằng 2 cộng với số byte trên mỗi rãnh như qui định trong Bảng 4. Khi đọc thẻ, byte 1 của khung 1 là gần nhất với chỗ bắt đầu mã hóa và byte N cung khung 18 gần nhất với kết thúc mã hóa (trái sang phải, trên xuống dưới). Byte 1 2 3 4 N-5 N-4 N-3 N-2 N-1 N ID của khung Vùng dữ liệu CRC 1 CP CP CP CP CP CP CP CP CRC 1 2 CP CP CP CP CP CP CP CP CRC 2 3 CP CP CP CP CP CP CP CP CRC 3 4 CP CP CP CP CP CP CP CP CRC 4 5 Data Data Data Data Data Data Data Data CRC 5 6 Data Data Data Data Data Data Data Data CRC 6 7 Data Data Data Data Data Data Data Data CRC 7 8 Data Data Data Data Data Data Data Data CRC 8 9 Data Data Data Data Data Data Data Data CRC 9 10 Data Data Data Data Data Data Data Data CRC 10 11 Data Data Data Data Data Data Data Data CRC 11 12 Data Data Data Data Data Data Data Data CRC 12 13 Data Data Data Data Data Data Data Data CRC 13 14 Data Data Data Data Data Data Data Data CRC 14 15 Data Data Data Data Data Data Data Data CRC 15 16 Data Data Data Data Data Data Data Data CRC 16 17 Data Data Data Data Data Data Data Data CRC 17 18 Data Data Data Data Data Data Data Data CRC 18 Hình 11 - Cấu trúc rãnh dữ liệu CHÚ THÍCH: Khung ký lự CRC được dung để phát hiện lỗi và cột chẵn lẻ được dung để sửa lỗi. 10.2.1 Rãnh CRC Rãnh phải chứa một CRC gồm 4 byte 8 bit được tạo ra như sau và thêm vào cuối rãnh dữ liệu. Giới hạn thứ tự cao nhất cho rãnh CRC phải là (N-4) byte khung 18. CRC = [x 4 M(x)] mod g(x) over GF(2 8 ) Trong đó: M(x) = tất cả dữ liệu người dùng cho rãnh dưới dạng đa thức (chiều dài phụ thuộc vào kiểu thẻ sử dụng). Giới hạn thứ tự cao nhất là 2 byte khung 5 và giới hạn thứ tự thấp nhất là N-5 byte khung 18. Xem Hình 11. g(x) = (x-α)(x-α 2 )(x-α 3 )(x-α 4 ) = bộ tạo đa thức cho rãnh CRC GF(2 8 ) = một trường Galois hữu hạn của 256 ký tự 8 bit nhị phân được tạo bởi một đa thức nguyên thủy p(x) = 1 + x 2 + x 3 + x 4 + x 8 x i = bit tại vị trí i CHÚ THÍCH 1: Rãnh CRC cho phép phát hiện l ên tới 4 lỗi với xác xuất là 1. Trên 4 lỗi xác xuất phát hiện bằng 1-1/(256)4. CHÚ THÍCH 2: Rãnh CRC là phần còn lại của x4M(x) chia cho g(x) bằng cách sử dụng các hoạt động modulo. Đối với dữ liệu có hơn 251 byte, CRC là Kỹ thuật không phải là một kiểm định chu kì, nó là kiểm định dự phòng đơn giản mặc dù nó được tạo ra theo cùng cách tương tự. CHÚ THÍCH 3: Các bảng đã công bố chỉ ra việc biểu thị bit cho số mũ tương ứng α cho số mũ GF của alpha tương ứng với số alpha lên đến giới hạn để số mũ là mẫu bit duy nhất (chuỗi 8 bit nhị phân). Mỗi byte dữ liệu người dùng cần được chuyển từ 8 bit nhị phân thành số mũ tương ứng α trước khi thực hiện hoạt động modulo. Giới hạn x được sử d ụng để giải mã vị trí của bit trong chuỗi ví dụ như, x2 trong rãnh dữ liệu phải là byte thứ tự thấp thứ 3. 10.2.2 Cột chẵn lẻ Cột chẵn lẻ phải tạo ra cho mỗi cột byte thông tin trên tất cả các khung dữ liệu người dung trên rãnh sử dụng một mã Reed-Solomon ngắn RS(255-237,251-237), còn được gọi là RS(18,14). Giới hạn thứ tự cao nhất cho rãnh CP phải trong khung 4 và giới hạn thứ tự thấp nhất phải trong khung 1. CP = [x 4 M(x)] mod g(x) trên GF(2 8 ) Trong đó: M(x) = dữ liệu người dùng cho một cột từ khung 5 đến khung 18 dưới dạng đa thức (chiều dài cố định tại 14). Giới hạn thứ tự cao nhất ở khung 18 giới hạn thứ tự thấp nhất ở khung 5. Xem Hình 11. g(x) = (x-α)(x-α 2 )(x-α 3 )(x-α 4 ) = bộ tạo đa thức cho Reed-Solomon CP GF(2 8 ) = một trường Galois hữu hạn của 256 ký tự 8 bit nhị phân được tạo bởi một đa thức nguyên thủy p(x) = 1 + x 2 + x 3 + x 4 + x 8 x i = bit tại vị trí i CHÚ THÍCH 1: CP cho phép sửa lên đến 4 “xóa bỏ” với xác xuất là 1. Hơn 4 “xóa bỏ” trên một rãnh không thẻ chỉnh sửa. Thuật ngữ “xóa bỏ” được dùng trong các mã RS và chỉ một vùng không thể đọc được, quá trình giải mã sau đó xử lý các thành tố như “đã xóa” hoặc không có ở đó. CHÚ THÍCH 2: CP là phần còn lại của x4M(x) chia cho g(x) bằng cách sử dụng các hoạ t động modulo. Thuật ngữ "co ngắn" trước Reed-Solomon có nghĩa có các giới hạn thứ tự cao nhất với giá trị là 0 (237 trong trường hợp này) mà không cần quan tâm đến các hoạt động modulo. CHÚ THÍCH 3: Mã này cho kết quả trong 100 % * 4/18 = 22.2 % sửa lỗi ở trên. 10.2.3 Khung CRC Khung chứa một CRC gồm một byte 8 bit tạo ra như sau và thêm vào cuối khung dữ liệu. CRC = [xM(x)] mod g(x) over GF(2 8 ) Trong đó: M(x) = tất cả dữ liệu người dùng cho khung và số ID khung từ 1 byte đến N-1 byte dưới dạng đa thức (chiều dài phụ thuộc vào kiểu thẻ sử dụng). Giới hạn thứ tự cao nhất ở 1 byte và giới hạn thứ tự thấp nhất ở N-1 byte. Xem Hình 11. Tất cả dữ liệu người dùng cho rãnh dưới dạng đa thức (chiều dài phụ thuộc vào kiểu thẻ sử dụng). Giới hạn thứ tự cao nhất là 2 byte khung 5 và giới hạn thứ tự thấp nhất là N-5 byte khung 18. Xem Hình 11. g(x) = (x-α) = bộ tạo đa thức cho khung CRC GF(2 8 ) = một trường Galois hữu hạn của 256 ký tự 8 bit nhị phân được tạo bởi một đa thức nguyên thủy p(x) = 1 + x 2 + x 3 + x 4 + x 8 x i = bit tại vị trí i CHÚ THÍCH 1: Khung CRC cho phép phát hiện lên đến 1 lỗi với xác xuất là 1. Hơn 1 lỗi xác xuất của phát hiện lỗi bằng 1-1/256. CHÚ THÍCH 2: CRC là phần còn lại của xM(x) chia cho g(x) bằng cách sử dụng các hoạt động modulo. CHÚ THÍCH 3: Số khung ID là một byte 8 bit cho tất cả các tính toán nhưng được viết trên thẻ như một dãy liên tục 6 bit. 11 Giải mã Các bước chung cho phép giải mã dữ liệu cho t ừ ng rãnh sau khi đọc được chỉ ra trong Bảng 5. Việc thực hiện cụ thể dành cho ng ườ i dùng. Bảng 5 - Quá trình giải mã hóa Bước Quá trình 1 Đọc dữ liệu rãnh từ thẻ. 2 Mở rộng ID khung cỡ 8 bit. 3 Tạo cấu trúc dữ liệu như Hình 11. 4 Kiểm định rãnh CRC [kết quả của [x 4 M(x) + CRC) mod g(x) over GF(2 8 )], (kết quả 0 = không lỗi) Nếu một rãnh CRC có lỗi xuất hiện, bắt đầu sửa lỗi. 5 Kiểm định CRC ở mỗi k hung. Các lỗi khung chỉ ra một v ị trí lỗi cho tất cả các cột tại vị trí byte đó. 6 Nếu số lượng các lỗi khung vượt quá khả năng bộ giải mã, gửi một lỗi truyền thông (Media Error) và thoát khỏi. Nếu không, tiếp tục các bước tiếp theo. 7 Điền vào các khung tại các vị trí được chỉ định bằng các lỗi khung CRC với hệ thập lục phân số 0 (00) byte (xóa bỏ dữ liệu được giả định). 8 Cột chẵn lẻ sau đó được sử dụng cùng với các vị trí lỗi khung CRC để tái tạo lại các giá trị byte dữ liệu [Reed-Solomon mã RS (18,14) được sử dụng]. Các giá trị byte này được chèn tại các vị trí cột được chỉ định bằng các lỗi khung tương ứng. 9 Kiểm định rãnh CRC [kết quả của (x 4 M(x) + CRC) mod g(x) over GF(2 8 ) phải là tất cả 0 byte cho không lỗi] 10 Xử lý dữ liệu đã sửa chữa cho đầu ra. 11 Xử lý tất cả các rãnh theo cách thức tương tự nhau. CH Ú TH Í CH : Quá t r ì nh giải m ã đơn giản nh ấ t giả định “ xóa b ỏ dữ liệu ” , tuy nhiên các quá tr ì nh mở rộng khác có kh ả n ă ng xảy ra . Nhi ề u tham chiếu có sẵn m ô t ả vi ệ c thực hiện gi ả i m ã cụ thể. Xem Phụ lục D 12 Vị trí các rãnh mã hóa Mỗi rãnh mã hóa phải nằm giữa hai dòng như trong H ì nh 12. Sự bắt đ ầ u mã hóa được đ ặt tại đường chính giữa c ủ a chuyển tiếp đầu tiên c ủ a FSC đầu tiên. Sự kết thúc mã hóa được đặt tại đường chính giữa của chuyển tiếp cuối cùng của FSC cuối cùng. Rãnh Kích thước Rãnh H1 a b 5 , 75 (0,226) 6 , 75 (0,266) lớn nh ấ t nh ỏ nh ấ t Rãnh H2 a b 7,45 (0,293) 8,45 (0,333) lớn nhất nh ỏ nhất Rãnh H3 a b 9,15 (0,360) 10,15 (0,400) lớn nhất nhỏ nh ấ t Rãnh H4 a b 10,85 (0,427) 11,85 (0,467) lớn nh ấ t n h ỏ nhất Rãnh H5 a b 12,55 (0,494) 13,55 (0 , 534) lớn nhất nh ỏ nhất Rãnh H6 a b 14,25 (0,561) 15,25 (0,601) lớn nhất nhỏ nhất Hình 12 - Vị trí các rãnh mã hóa Phụ lục A (tham kh ả o) Khả năng tương tích về đọc của sọc từ ((TCVN 11166-6 (ISO/IEC 7811-6) và tiêu chuẩn này) Mục đích của phụ lục này là giải thích cho người sử dụng những hạn chế c ủ a thuật ngữ “khả năng tương tích đọc" như đã đề cập trong phạm vi áp dụng của tiêu chu ẩn và được áp dụng cho cho TCVN 11166-6 (ISO/IEC 7811-6) và tiêu chuẩn này. Các rãnh mật độ cao qui định trong tiêu chu ẩ n này được sắp xếp như một đầu đọc được thiết kế để đọc các r ã nh cũng có thể đ ọ c các rãnh thông thường qui định trong TCVN 11166-6 (ISO/IEC 7811-6). Điều này cho phép kết hợp các rãnh thông thường và các rãnh mật độ cao tr ê n cùng một sọc từ , ví dụ các rãnh thông thường 1 và 2 với các rãnh mật độ cao H5 và H6. Không thể đổi lẫn đầu ghi theo cách như đối với đầu đọc. Mật độ tăng cường qui định trong tiêu chuẩn này phải dẫn đến biên độ tín hiệu thấp h ơ n so với trong TCVN 11166-6 (ISO/IEC 7811-6): xấp x ỉ 40 % $ phụ thuộc vào thử nghiệm PTB. Tỉ lệ chính xác giữa hai giá trị biên độ tín hiệu phụ thuộc vào kiểu sọc từ sử dụng. Dưới đây là tổng quan về các khác biệt ch í nh giữa tiêu chuẩn này và TCVN 11166-2 (ISO/IEC 7811-2) và TCVN 11166-6 (ISO/IEC 7811-6). a) Mật độ bit tăng từ 8,27 bits/mm (Rãnh 1,3) v à 2,95 bits/mm (Rãnh 2) lên 40 bits/mm cho tất cả các rãnh cho kết quả trong 234 byte của dữ liệu người dùng trên mỗi rãnh của thẻ kích cỡ ID-1. b) Kỹ thuật mã hóa là MFM được sử dụng thay cho kỹ thuật F2F. Điều này tăng gấp đôi mật độ lưu giữ dữ liệu đối với cùng cách khoảng chuyển tiếp nh ỏ nh ấ t cùng chỉ với việc giảm một chút khả năng tự đồng bộ. c) 3 rãnh được thay bằng 6 r ã nh với xấp x ỉ b ằ ng một nửa chiều rộng chiếm dụng cùng khoảng trống trên thẻ. Các rãnh này được đặt sao cho đầu đọc được thiết kế để đọc các rãnh mật độ cao cũng có thể đọc các thẻ phù hợp với TCVN 11166-2 (ISO/IEC 7811-2) và TCVN 11166-6 (ISO/IEC 7811-6). d) Dữ liệu được phân phối trong các khung với các ký tự đồng bộ hóa để hỗ trợ khôi phục lỗi và có một CRC cho từng khung và một rãnh CRC. Dữ liệu được ghi trên mỗi rãnh phụ thuộc vào các rãnh khác (phát hiện lỗi và chỉnh sửa ở mỗi rãnh trên cùng một r ã nh), thậm chí có thể chỉ là một phần thông điệp trên th ẻ . e) Phát hiện lỗi và chỉnh sửa lỗi g ồ m việc sử dụng một mã Reed-Solomon rút gọn. Lượng chỉnh sửa lỗi là cố định cho tất cả các kích cỡ th ẻ . f) Vùng sọc từ được m ở rộng hoàn toàn sang mép trái và phải của thẻ. g) Trong Bảng 1, giá trị mật độ th ử nghiệm được thay đổi, yêu cầu độ phân giải thay đ ổ i từ 0,7 đến 0,8, th ử nghiệm dạng sóng được xóa bỏ việc ghi đè được thêm vào các yêu cầu. h) Kháng từ lớn nh ấ t trong Bảng D.1 c ủ a Phụ lục tham khảo C được thay đổi từ 335 k A/m (4200 Oe) đ ế n 250 k A/m (3125 Oe). Phụ lục B (tham khảo) Mài mòn sọc từ Mục đích của phụ lục này là để giải thích nguyên nhân các thuộc tính mài mòn sọc từ khi liên quan đến tuổi thọ của đầu đọc không nằm trong số các đặc tính vật lý được qui định b ở i tiêu chuẩn này. Việc không có đặc tả đối với các thuộc tính mài mòn phản ánh sự khó khăn trong việc xác định các thông số về m à i mòn vật liệu và việc đưa ra thử nghiệm có thể lặp lại, chính xác để đo đặc tính mài mòn. Mặc dù không có các phương pháp thử nghiệm lặp lại, nhưng vẫn có các công nghệ đã biết có thể kéo đài tuổi thọ của đầu đọc như vật liệu đầu đọc tăng cường, các chất bổ sung hình thành sọc từ, hoặc các lớp ph ủ trên sọc từ. Tính mài mòn s ọ c từ được định lượng là một điều kiện tiên quyết cho mọi cố gắng để dự đoán tuổi thọ c ủ a đầu từ. Tuy nhiên, có sự biến đổi đáng kể về bản chất mài mòn c ủ a các sọc từ tính khác nhau, có môi trường đọc/ghi sọc từ. Sự đa dạng của việc kết hợp các ảnh hư ở ng và t í nh phức tạp c ủ a dạng thức ảnh hưởng đến tính mài mòn gây khó khăn trong việc dự đoán tuổi thọ của đầu từ ngay cả khi các điều kiện môi trường, máy móc và sọc từ được qui định. Việc thử nghiệm t í nh mài mòn thiết bị cụ thể hiện thời được thực hiện trên cơ sở so sánh thuần t ú y. Đó là thời gian tiêu thụ và chi phí số lượng th ẻ được sử dụng. Các kết quả thử nghiệm như vậy ch ỉ đơn giản là các xếp hạng phân cấp để chỉ ra một sọc từ bị mài mòn ở mức độ nhiều hay ít hơn những sọc từ khác tùy theo các điều kiện cụ thể c ủ a thử nghiệm. Không có các giá trị tuyệt đối ch í nh xác và các xếp hạng phân cấp có thể thay đổi từ một tập hợp các điều kiện khác. Thực hiện thành công thao tác đọc hoặc ghi trên một sọc từ đòi h ỏ i sọc từ v à đầu từ phải tiếp xúc với toàn bộ thao tác. Chuyển động tương đối giữa đầu từ và sọc từ tạo ra sự chịu mòn của cả hai. Tính mài m ò n ban đầu của sọc từ giảm nhanh với số đầu rãnh cán, v ì vậy, tính m à i mòn c ủ a sọc từ mới chưa sử dụng có thể lớn hơn nhiều so với sọc từ ghi một l ầ n, trừ khi số đầu rãnh c ầ n tăng tốc độ thay đổi của việc giảm tính mài mòn. Những ảnh hư ở ng tác động đến tính m à i mòn sọc từ được biết bao gồm nhiệt độ, độ ẩm, vật liệu đầu từ (và trạng thái chịu mòn và kết thúc), áp lực đầu đọc, tốc độ thẻ, các đặc tính vật lý cụ th ể của bề mặt sọc từ tiếp xúc với đầu đọc, tính thô ráp và sự nhiễm bẩn trên sọc từ. Dưới điều kiện bụi bẩn và d ầu mỡ từ môi trường , đọng lại trên các giao d iện đầu đọc/ sọc từ thường tạo ra những khác biệt lớn giữa khả năng chịu mòn được đo trong điều kiện phòng thí nghiệm và thực tế đạt được. Do đó, c ó thể thấy rõ rằng không ch ỉ có những khó khăn I trong việc đạt được một mức không đ ả m b ả o đo có thể ch ấ p nhận đối với thử nghiệm tính mài mòn mà còn có những nghi ngờ đáng kể về khả năng ứng dụng các kết quả của các thử nghiệm tính mài mòn trên th ẻ trong điều kiện phòng thí nghiệm để d ự đoán về hiệu năng trong thực tế. Không thể có đặc tả kỹ thuật tiêu chu ẩ n và thử nghiệm tr ừ khi những vấn đề này được giải quyết. Phụ lục C (tham khảo) Đặc tính từ tĩnh C.1 Giới thiệu Phụ lục này đưa ra các định nghĩa và giá trị về đặc tính từ tĩnh c ủ a các sọc từ kháng từ cao. Các thông s ố này hữu ích trong sản xu ấ t vật liệu từ và không trực tiếp liên quan đến các đặc tính hiệu năng từ trong Bảng 1 đối với thẻ. Không đ ả m bảo rằng các sọc từ c ó giá trị được đưa ra trong Phụ lục này là phù hợp v ớ i các yêu cầu bắt buộc đưa ra trong Bảng 1. Tuy nhiên, các sọc từ không tuân thủ các giá trị từ tĩnh được đề xuất có khả năng không được phù hợp với các đặc tính trong Bảng 1. C.2 Thuật ngữ và định nghĩa C .2.1 Trường lớn nhất (maximum fi eld) H max Cường độ từ trường tuyệt đối lớn nhất áp dụng như miêu t ả b ở i phương pháp th ử nghiệm. C .2.2 Vòng lặ p tĩnh M(H) (static M(H) loop) Vòng lặp trễ thông thường mà cường độ từ trường có chu kỳ giữa - H max đến + H max tại tốc độ thay đổi th ấ p để vòng lặp này không bị ảnh hư ở ng bởi tốc độ thay đổi đó. C .2.3 Kháng từ (Coercivity) H ’ c M = H ' cJ Từ t r ường áp dụng liên tục giảm từ tính xuống 0 từ một trạng thái từ t í nh lớn nh ấ t trước đó theo hướng ngược lại, đại lượng này được đo song song với trục dài của sọc từ. C .2.4 Cảm ứng từ dư (remanence) M r Giá trị của từ t í nh ( M ) theo một hướng đã cho tại từ trường bằng 0 ( H =0) sau khi đặt và gỡ b ỏ trường lớn nhất ( H max) theo hướng tương tự. C .2.5 Kháng từ cảm ứng từ dư (remanence coercivity) H r từ trường áp dụng mà khi g ỡ bỏ quay vật liệu tr ở lại có trạng thái từ tính 0 từ trạng thái từ tính lớn nhất trước đó theo hướng ngược lại, đại lượng này được đo song song với trục dài c ủ a sọc từ. C .2.6 Oxtet (Oersted) O e Đơn vị Gao-xơ cgs của cường độ từ trường sử dụng phổ bi ế n trong công nghiệp ghi từ bằng xấp x ỉ 79,578 A/m. C .2.7 Khử từ tĩnh (static demagnetisation) S 160 Giảm từ tính cảm ứng dư từ dưới ảnh hư ở ng của từ trường đối ngược; đặc trưng b ở i [ M r - M + ( -160)]/M r . C .2.8 Vuông góc dọc (longitudinal squareness) SQ = M r / M at (H max ) T ỉ lệ của giá trị c ả m ứng dư từ (M r ) sau khi áp dụng và từ bỏ trường mạnh nhất ( H max ) đối với từ tính ( M ) tại trường lớn nhất được áp dụng ( H max ) được đo dọc theo trục dọc của sọc từ. C .2.9 T ỉ lệ cảm ứng dư từ (remanence ratio) R M = ( M rP / M rL ) T ỉ lệ c ủ a cảm ứng dư từ vuông góc được đo vuông góc với bề mặt của sọc từ ( M r P ) đối với cảm ứng dư từ dọc được đo theo hướng dọc của sọc từ ( M rL ) . C .2.10 Trường chuyển đổi b ở i độ dốc (s w itching fìeld by slope) SF S (/ H 2 /-/ H 1 /)/ H ’ cM khi M (-/ H 1 /) = 0,5 M r and M (- / H 2 / ) = -0,5 M r ; sự khác nhau giữa các giá trị trường tại phân đoạn vòng lặp từ tính tĩnh M ( H ) với M ( H ) = 0,5 M r and M ( H ) = -0,5 M r , được chia bởi kháng từ. C .2.11 Trường chuyển đổi b ở i đạo hàm (switching field by derivative) SF D Chiều rộng tại một nửa chiều cao của đường cong từ tính tĩnh khác biệt M ( H ) được chia bởi giá trị kháng từ trên đường cong tương tự CHÚ THÍCH : Các định ngh ĩ a đ ặc tính t ừ tí nh tĩnh có nguồn gốc từ IEC 50-221 (được thay thế b ằ ng IEC 600050-221) và ISO 31-5:1992 (được t hay thế bằng IEC 80000-6). C.3 Đặc tính khuyến nghị Các đặc tính tĩnh được khuyến nghị c ủ a sọc từ kháng từ cao được ch ỉ ra trong b ả ng C.1. B ả ng C.1 - Đặc tính tĩnh c ủ a vật liệu từ kháng từ cao TT Thông số Ký hiệu Giá trị 1 Kháng từ H ' cM 335 kA/m (420 0 Oe) lớn nhất 200 kA/m (250 0 Oe) nh ỏ nhất 2 Khử từ tĩnh S 160 0,20 lớn nh ấ t 3 Vuông g ó c dọc SQ 0,80 nh ỏ nhất 4 T ỉ lệ cảm ứng dư từ R M 0,35 lớn nhất 5 Chuyển đổi trường bằng độ dốc SF S 0,30 lớn nhất 6 Chuyển đổi trường bằng đạo hàm SF D 0,50 lớn nhất CH Ú TH Í CH : B ả ng C.1 trùng với b ả ng đưa ra trong TCVN 11166-2 (ISO/IEC 7811-2) và TCVN 11166-6 (ISO/IEC 7811-6) ngoài kháng từ đề nghị lớn nhất. Phụ lục D (tham khảo) Tham khảo mã Reed-Solomon Berlekamp, E. R., “ Nonbinary BCH decoding", International Symposium on lnformation Theory . San Remo, Italy, 1967. Berlekamp, E. R., Algebraic Coding Theory , McGraw-Hill: New York, 1968. Blahut, R. E. Theory and Practice of Error Control Code ., Reading, Massachusetts, Addison W esely, 1984. Chien, R. T ., “Cyclic decoding procedure for Bose-Chaudhuri-Hocquenghem co d es”, IEEE Transactions on In f o r mation Theory. Vol. IT-10, October 1964. Consultive Committee for Space Data Systems, “ Telemetry Channel Coding", CCSD 101.0-B-4 Blue Book . Washington D. C . , May 1999. Forney, G. D., “On decoding BCH codes”, IEEE Transactions on In f ormation Theory. Vol. IT-11, October 1965. Gorenstein and Zierler, “A class of error correcting codes in 7811-1_ed1fig12.EPSsymbols”, Journal of the Society of Industrial and Applied Mathematics. Vol. 9, June 1961. Lin and Costello, Error Control Coding: F undamentals and Applications . Engalwood Cliffs New Jersey, Prentice-Hall, 1983. Perman and Lee, “Reed-Solomon encoders - conventional vs. Berlekamp's architecture”, NASA JPL Publication. No. 82-71, November 1982. Peterson and W eldon, Error-Correcting Codes. Cambridge Massachusetts, MIT Press, 1996. Peterson, W. W., “Encoding and error-correction procedures for Bose-Chaudhuri Codes ” , IEEE Transactions on In f ormation Theory. Vol. IT-6, September, 1960. Reed, Deutsch, Hsu, Truong, Wang, and Yeh, “The VLSI implementation of a Reed-Solomon encoder using Berlekamp’s bit-serial multiplier algorithm”, IEEE Transactions on Computers . Vol. C-33, No. 10, October 1984. Reed, I. S . and Solomon, G, “A decoding procedure for polynomial codes", M I T Lincoln Laboratory Group Report. No.47.24, 6 March 1959. Reed, I. S . and Solomon, G., “Polynomial codes over certain f inite f ields", MIT Lincoln Laboratory Group Repor t . No.47.23, 31 December 1958. Reed, I. S . and Solomon, G., “Polynomial codes over certain f inite fi elds”, SIAM Journal of Applied Mathematics . Vol. 8. Truong, Eastman, Reed, and Hsu, “Simpli f ied procedure for correcting both errors and erasures Reed- Solomon code using Euclidean algorithm”, IEEE Proceedings. Vol. 135, Pt. E, No. 6, November 1988. Welch and Berlekamp, "Error Correction for Algebraic Block Codes”, U. S. Patent No. 4,633,470, issued December 30,1986. Wel d on, E. J., Error-Correcting Codes with Application to Data Storage and Communication Systems. Department of Electrical Engineering. University of Hawaii, 2001. W icker and Bhargava, Reed-Solomon Codes And Their Applications. New York, IEEE Press, 1994. W icker, S tephen B ., Error Control Systems for Digital Communication and S torage . Upper Saddle River New Jersey, Prentice-Hall, 1995. MỤC LỤC Lời nói đầu 1 Phạm vi áp dụng 2 Sự phù hợp 3 Tài liệu viện dẫn 4 Thuật ngữ và định nghĩa 5 Đặc tính vật lý c ủ a thẻ định danh 5.1 Độ vênh vùng sọc từ 5.2 Biến dạng bề mặt 6 Đặc tính vật lý của sọc từ 6.1 Chiều cao và đường dốc bề mặt vùng sọc từ 6.2 Tính thô ráp bề mặt 6.3 Tính bám dính của sọc từ với th ẻ 6.4 Tính mài mòn sọc từ khi cắm/rút kh ỏ i đầu đọc/ghi 6.5 Tính kháng hóa chất 7 Đặc tính hiệu năng đối với vật liệu từ 7.1 Yêu cầu chung 7.2 Môi trường hoạt động và thử nghiệm 7.3 Yêu cầu biên độ tín hiệu cho các phương tiện truyền th ô ng từ tính 8 Kỹ thuật mã hóa 9 Đặc tả mã hóa 9.1 Góc ghi 9.2 Mật độ bit danh định 9.3 Biến đổi cách khoảng chuyển tiếp dòng 9.4 Yêu cầu biên độ tín hiệu 9.5 Cấu h ì nh bit 9.6 Hướng ghi 9.7 Các số 0 ở đầu và đuôi 10 Cấ u trúc dữ liệu 10.1 Định dạng r ã nh 10.2 Mã hóa việc phát hiện và sửa lỗi 11 Giải mã 12 Vị trí các rãnh mã hóa Phụ lục A (tham khảo) Khả năng tương tích về đọc của sọc từ Phụ lục B (tham khảo) Mài mòn sọc từ Phụ lục C (tham khảo) Đặc tính từ tĩnh C.1 Giới thiệu C.2 Thuật ngữ và định nghĩa C.3 Đặc tính khuyến nghị Phụ lục D (tham kh ả o) Tham kh ả o mã Reed-Solomon