Cu/n-InP/In Schottky Diyotların Sıcaklığa Bağlı Akım-Voltaj ve Kapasite-Voltaj Ölçümlerinden Elde Edilen Karakteristik Parametrelerinin İncelenmesi
Investigation of Characreristics Parameters Obtained fromCurrent-Voltage and Capacity- Voltage Measurements of Cu/n-InP/In Schottky Barrier Diodes
Yazar: Cimilli Çatır, Fulya Esra
Dergi: Erzincan Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi, Vol. 11 No. 3, 2018
Anahtar kelimeler: Engineering ; Mühendislik ; Double Gaussian Model,Ideality Factor,Inhomogeneous Barrier Height,Schottky Diode,Series Resistance ; Çift Gaussian Modeli,İdealite Faktörü,İnhomojen Engel Yüksekliği,Schottky Diyot,Seri Direnç

Schottkyengel diyotları n-tipi InP (100) yarıiletkeni kullanılarak elde edildi. Ohmikkontaklar In metali buharlaştırıldıktan sonra 320oC’de ve N2ortamında tavlanarak yapıldı. Schottky kontakları 0,5 mm çapında veyarıiletkenin ön yüzünde imal edildi. I–V karakteristikleri 20K ve 300Ksıcaklık aralığında sıcaklığın bir fonksiyonu olarak ölçüldü. Deneysel I–Vkarakteristiklerinin Cu/n-tipi Inp Schottky diyotları için gelenekselTermiyonik Emisyon (TE) teorisi ile uyum içerisinde olduğu gözlemlendi.Cu/n-tipi InP Schottky diyotlarının kapasite-gerilim (C-V) ölçümleri 300-10 Ksıcaklık aralığında ve 10K adımlarla 1 MHz frekansta alındı. Numune sıcaklığınabağlı olarak diyotlarımızın elektriksel karakterizasyonunda değişikliklerinolduğu tespit edildi. Cu/n-InP/In Schottky kontakların sıcaklığa bağlı engelkarakteristiklerinin “engel inhomojenliği modeline” uyduğu belirlendi. 20-150 Kve 150-300 K sıcaklık aralığında Schottky diyotlara iki farklı ortalama engelyüksekliğinin eşlik etmesi engel yüksekliğinin çift Gaussian modeli ile uyumiçerisindedir. Ayrıca sıcaklığa bağlı I-V ve C-V karakteristiklerinden seridirenç, taşıyıcı konsantrasyonu, difüzyon potansiyeli ve Fermi enerjisi gibiparametreleri de hesaplandı.﻿﻿

TheSchottky barrier diodes were prepared using n-type InP (100) wafer. The ohmiccontact was made by evaporating In and annealing at 320oC under N2atmosphere. The Schottky contacts with 0,5 mm diameter were formed on the frontface of sample. The I–V characteristics of the devices were measured in thetemperature range of 20K and 300K. The I–V characteristics of Cu/n-type InPSchottky diodes were obtained as a function of temperature. The experimentalI–V characteristics of the Cu/n-type InP Schottky diodes are in a goodagreement with the traditional thermionic emission (TE) theory. Thecapacitance-voltage (C-V) characteristics of the Cu/n-type InP Schottky diodeshave been measured between 300-10 K with 10K steps at 1 MHz frequency.Depending on sample temperature, the change of the electrical characterizationof the device has been examined. The temperature dependent barriercharacteristics of Cu/n-Type InP Schottky diodes are in a good agreement with“barrier inhomogeneous model” of Schottky contacts. In temperatures between20-150 K and 150-300 K, show a double slope structure in a harmony of “Thedouble Gaussian model” of Schottky contacts. In addition, the characteristicparameters as series resistance, carrier concentration, diffusion potential andFermi energy values are calculated from temperature dependent I-V and C-Vcharacteristics.