Spray pyrolysis yöntemi ile elde edilen In katkılı CdZnS filmlerinin özellikleri
The Proporties of In doped CdZnS films produced by the spray pyrolysis method
Yazar: SALİHA ILICAN
Danışman: PROF.DR. MUHSİN ZOR
Anadolu Üniversitesi / Fen Bilimleri Enstitüsü / Fizik Ana Bilim Dalı
Derece: Doktora, 2001
Konu: Fizik ve Fizik Mühendisliği = Physics and Physics Engineering
Dizin: Aktivasyon enerjisi = Activation energy ; Sprey piroliz yöntemi = Spray pyrolysis method ; Yarı iletkenler = Semiconductors ; İnce filmler = Thin films

Özet:
ÖZET Doktora Tezi SPRAY PYROLYSIS YÖNTEMİ İLE ELDE EDİLEN in KATKILI CdZnS FİLMLERİNİN ÖZELLİKLERİ SALİHA ILICAN Anadolu Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Fizik Anabilim Dalı Danışman: Prof. Dr. Muhsin ZOR 2001 Spray-pyrolysis yöntemi ile 250, 275 ve 300°C taban sıcaklıklarında elde edilen in katkılı CdZnS filmlerinin elektriksel ve optiksel özellikleri incelenmiştir. X-ışını kırınım desenlerinden, elde edilen filmlerin hegzagonal Cdo.22Zno.78S yapıda oldukları saptanmıştır, in katkısı arttıkça, piklerin küçük açılara kaydığı görülmüştür. Absorpsiyon spektrumu ölçümlerinden filmlerin direkt bant geçişli olduğu ve yasak enerji aralıklarının 2.72eV ile 3.04eV arasında değiştiği belirlenmiştir. Bütün filmler n-tipi iletkenlik göstermektedir. Oda sıcaklığındaki I- V ölçümleri iki farklı space-charge-limited iletim mekanizması göstermektedir. Bunlar ohmik bölgenin V2 bölgesi tarafından ya da trap-filled-limited (TFL) bölgesi tarafından takip edilmesidir. İlki sığ tuzaklı durumu, ikincisi in katkısının artmasının sebep olduğu derin tuzaklı durumu göstermektedir. Filmlerin elektriksel iletkenlikleri (o) SxlO'^xlO'^ohmcm)"1 arasında, serbest taşıyıcı yoğunluğu (no) 2.5xl09-4.4xl011cm"3 arasındadır. Akım-sıcaklık karakteristiğinden 181-247K, 247-3 00K ve 300-320K sıcaklık bölgelerinde aktivasyon enerjileri sırası ile 0.017-0.059eV, 0.237-0.296eV ve 0.558-0.591eV olarak hesaplanmıştır. Anahtar Kelimeler: Bileşik Yarıiletkenler, Spray-Pyrolysis, Space-Charge- Limited İletim, Sığ ve Derin Tuzaklar, Aktivasyon Enerjisi

Abstract:
ABSTRACT Ph.D. Thesis THE PROPERTIES OF In DOPED CdZnS FILMS PRODUCED BY THE SPRAY-PYROLYSIS METHOD SALİHA DLICAN Anadolu University Graduate School of Natural and Applied Sciences Physics Program Supervisor: Prof. Dr. Muhsin ZOR 2001 In doped CdZnS films have been produced by the spray-pyrolysis method at 250, 275, and 300°C substrate temperatures, and their electrical and optical properties have been investigated. X-ray diffraction spectra of the films showed that they are hexagonal and formed as Cdo.22Zno.78S. The reflection peaks in the spectra shifted towards the smaller angles with the increase of the In concentration. The absorption spectra of the films showed that this compound is a direct band gap material whose band gap values varied between 2.72-3.04eV. All the films showed n-type conductivities. The I-V measurements at room temperature indicate that the conduction mechanism carried out by the space- charge-limited characteristics with two different properties. These are that the ohmic region is either followed by the V2 region or by the trap-filled-limited (TFL) region. The former indicates the presence of the shallow traps, whereas the other indicates the presence of the deep traps which is attributed to the rather high In contents in the materials. The conductivity values (a) varied between 3x1 0"9- 7xl0"7(ohmcm)"1 with the free carrier densities (no) between 2.5xl09- 4.4x10 ^m"3. The activation energies from the Arrhenius plots have been calculated to have values 0.017-0.059eV, 0.237-0.296eV, and 0.558-0.591eV in the temperature regions of 181-247K, 247-300K, and 300-320K, respectively. Key Words: Compound Semiconductors, Spray-Pyrolysis, Space-Charge- Limited Conduction, Shallow and Deep Traps, Activation Energy