BOD-Z-EN organik arayüzey tabakalı Schottky diyotların üretimi ve kapasite-iletkenlik-voltaj karakteristiklerinin incelenmesi
Production of Au/BOD-Z-EN/n-Si/In Schottky diode and investigation of capacity-conductivity- voltage characteristics
Yazar: ESRA AKKÖSE
Danışman: DOÇ. DR. SERKAN EYMUR
Giresun Üniversitesi / Fen Bilimleri Enstitüsü / Enerji Sistemleri Mühendisliği Ana Bilim Dalı
Derece: Yüksek Lisans, 2021
Konu: Enerji = Energy

Özet:
Bu tez çalışmasında BOD-Z-EN organik bileşiği uygun yöntemlerle sentezlenmiş ve BOD-Z-EN arayüzey tabakalı Au/BOD-Z-EN/n-Si/In schottky diyotu elde edilmiştir. Au/BOD-Z-EN/n-Si/In Schottky diyotunun frekansa bağlı kapasitans-frekans (C-f), kondüktans-frekans (G-f) ölçümleri yapılmıştır. Bu ölçümleri sonucunda; voltaj değeri arttıkça kapasite (C) ve kondüktans (G) değerinin de arttığı, artan frekans değeriyle birlikte ise kapasite değerinin azaldığı ve kondüktans değerinin arttığı belirlenmiştir. Frekans değerinin artmasıyla seri direnç (Rs) değerinin azaldığı hesaplanmış; düzeltilmiş kapasite ve kondüktans değerlerinin ise seri dirençten önemli ölçüde etkilendiği alınan ölçüm sonuçları karşılaştırılarak belirlenmiştir.
Au/BOD-Z-EN/n-Si/In Schottky diyotunun arayüzey durumlarının varlığı kapasitans spestroskopisi yöntemiyle belirlenmiştir. Empedans spektroskopisi yöntemiyle elde edilen sonuçlara göre ise frekans değeri arttıkça empedans değerlerinin azaldığı görülmüştür. Dielektrik hesaplamalarda elde edilen sonuçlarda frekans değerinin artmasıyla ɛ' ɛ'' ve tan δ değerlerinin azaldığı belirlenmiştir.
Tüm bu sonuçlar Au/BOD-Z-EN/n-Si/In Schottky diyotunun bir MOS tipi kapasitör gibi davrandığını ve enerji depolayabilen bir aygıt olabileceğini göstermektedir. BOD-Z-EN gibi BODIPY tabanlı bileşiklerin elektronik ve optoelektronik gibi aygıt uygulamalarında arayüzey tabakası olarak kullanılabileceği bu tez çalışmasında gösterilmiştir.

Abstract:
In this thesis study, the BOD-Z-EN organic compound was synthesized with appropriate methods and the BOD-Z-EN interface layer Au/BOD-Z-EN/n-Si/In schottky diode was obtained. Au/BOD-Z-EN/n-Si/In Schottky diode frequency-dependent capacitance-frequency (C-f), conductance-frequency (G-f) measurements were made. As a result of these measurements, capacity (C) and conductance(G) value increased as the voltage value increased, and with the increased frequency value, the capacity value decreased and the conductance value increased. It was calculated that the serial resistance (Rs) value decreased with the increase in frequency value; corrected capacity and conductance values were significantly affected by serial resistance.
The presence of interface states of Au/BOD-Z-EN/n-Si/In Schottky diode is determined by capacitance spectroscopy. According to the results obtained by impedance spectroscopy method, it was observed that the impedance values decreased as the frequency value increased. In the results obtained in dielectric calculations, it was determined that the ɛ' ɛ' and δ values decreased with the increase in frequency value.
All these results indicate that the Au/BOD-Z-EN/n-Si/In Schottky diode acts as an MOS capacitor and can be an energy-storing device. It is shown in this thesis study that BODIPY-based compounds such as BOD-Z-EN can be used as interface layers in device applications such as electronics and optoelectronics.