Dna arayüzeyli heteroeklem aygıt üretimi ve karakterizasyonu: Haplophyllum armenum uygulaması
Dna interlayered heterojunction device fabrication and characterization: Application of haplophyllum armenum
Yazar: ENVER SAKA
Danışman: PROF. DR. MURAT YILDIRIM
Selçuk Üniversitesi / Fen Bilimleri Enstitüsü / Biyoteknoloji Ana Bilim Dalı
Derece: Yüksek Lisans, 2023
Konu: Biyoteknoloji = Biotechnology

Özet:
Biyoteknoloji ve nanoteknoloji, son yüzyılın en umut verici disiplinler arası bilimleri olarak bilim ve teknoloji dünyasında önemli bir yere sahiptir. 1953 yılında Watson ve Crick tarafından DNA molekülünün keşfedilmesiyle birlikte, bilim camiası DNA molekülüne büyük bir ilgi göstermeye başlamıştır. Bilim camiası son zamanlarda DNA tabanlı biyoelektronik cihazların araştırılmasına büyük ilgi duymaktadır. Organik bileşikler, kararlılık özellikleri nedeniyle elektronik devre elemanlarının yapımında yaygın olarak kullanılmaktadır. Organik yarı iletkenler ve iletkenler çok sayıda ilginç elektriksel, optik ve manyetik özelliğe sahiptir ve moleküler elektrik bileşenleri oluşturmak için kullanılabilir. DNA molekülünün bir yarı iletken olması onu biyofizik, nanobiyoteknoloji ve fizik gibi birçok bilim dalıyla yakından ilişkili kılmaktadır. Bu alandaki çalışma konularından biri de DNA tabanlı diyot yapılarıdır. Çalışma kapsamında Haplophyllum armenum türünden izole edilen DNA molekülü ile oluşturulacak DNA tabanlı Schottky diyotların üretilmesi ve Akım-Voltaj (I-V) parametrelerinin yorumlanması yöntemleri kullanıldı. Burada termiyonik emisyon, Norde ve Cheung yaklaşımlarını kullandık. Doygunluk akımı 3,32×10-5 A olarak hesaplanmıştır. İdealite faktörü değerleri termiyonik emisyon ve Cheung yöntemleri ile hesaplanmış ve sırasıyla 6.13 ve 6.14 olarak bulunmuştur. Bariyer yüksekliği değerleri termiyonik emisyon, Cheung ve Norde yöntemleriyle sırasıyla 0.560, 0.531 ve 0.570 eV olarak hesaplanmıştır. dV/(d(lnI))- I and H(I)- I grafikleri kullanılarak seri direnç değerleri sırasıyla 0,531 ve 0,487 k olarak bulunmuştur.

Abstract:
Biotechnology and nanotechnology have important place in the world of science and technology as the most promising interdisciplinary sciences of the last century. In 1953, with the discovery of the DNA molecule by Watson and Crick, the scientific community began to focus a lot of attention on the DNA molecule. The scientific community is currently very interested in researching DNA-based bioelectronic devices. Organic compounds are widely used in the construction of electronic circuit elements due to their stability properties. Organic semiconductors and conductors have numerous interesting electrical, optical and magnetic properties and can be used to create molecular electrical components. The fact that the DNA molecule is a semiconductor makes it closely related to many branches of science such as biophysics, nanobiotechnology and physics. One of the study subjects in this field is DNA-based diode structures. Within the scope of the study, the methods of producing DNA-based Schottky diodes to be formed by DNA molecule isolated from Haplophyllum armenum species and interpretation of Current-Voltage (I-V) parameters were used. Here we used the thermionic emission, Norde and Cheung approaches. Saturation current was calculated as 3.32×10-5 A. The values of ideality factors, 6.13 and 6.14, were determined by the use of Cheung and thermionic emission techniques. The values of barrier height were determined using the thermionic emission, Cheung, and Norde techniques, yielding values of 0.560, 0.531, and 0.570 eV, respectively. Using dV/(d(lnI))- I and H(I)- I graphics, series resistance values were found as 0.531 and 0.487 k, respectively. Our study aims to contribute to future studies.