Yüksek hızlı ölçümler için yarı iletken gaz boşalma aralık yapısının karakteristikleri
Characteristic features of a semiconductor discharge gap structure for high speed measurements
Yazar: HATİCE HİLAL YÜCEL
Danışman: DOÇ. DR. BAHTİYAR SALAMOV
Gazi Üniversitesi / Fen Bilimleri Enstitüsü / Fizik Ana Bilim Dalı
Derece: Yüksek Lisans, 1999
Konu: Fizik ve Fizik Mühendisliği = Physics and Physics Engineering
Dizin: Filament = Filament ; Gaz boşalmaları = Gas discharges ; Kızılötesi spektroskopi = Infrared spectroscopy ; Lazerler = Lasers ; Radyasyon = Radiation ; Yarı iletkenler = Semiconductors

Özet:
YÜKSEK HIZLI ÖLÇÜMLER İÇİN YARIİLETKEN GAZ BOŞALMA ARALIK YAPISININ KARAKTERİSTİKLERİ (Yüksek Lisans Tezi) Hatice Hilal YÜCEL GAZİ ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ ARALIK 1999 ÖZET Bu çalışmada pulslu bir lazerden radyasyon kaydetmek için bir İR görüntü çevirici sistemin uygulanabilirliğini inceliyoruz. Yarıiletken katot Cr- katkılanmış GaAs dır. Pulslu İR lazer çeviricinin fotoduyar yarıiletken katodunu uyarır. Böylelikle gaz boşalma tabakasından yayınlanan görünür ışık ve akım yoğunluğu kontrol edilir. Bu sistem pulslu Al203:Nd+3 lazer (X=l,06pm) in spektral bölgesinde hız süreçlerinin slave modundaki fotoğraflama uygulamaları için garanti verir. Dahası, bir GaAs yarıiletken fotodedektörlü İR görüntü çeviricideki akım yoğunluğunun uzaysal dağılım desenleri incelenmiştir. Uzaysal akım dağılımının homojensizlikleri yarıiletken ve bir gaz boşalma aralığının oluşturduğu sistemden bir akün geçtiği zaman gaz tarafından salınan radyasyonun fotometrik analizleri ile belirlenmiştir. Bu metot 10 mm"1 lik uzaysal çözünürlük sağladı ve 102 'den büyük ya da buna eşit akım yoğunluğundaki bir düşüşü içeren bu dağılımı nicel olarak tanımlamayı mümkün kılmıştır. Bilim kodu Anahtar Kelimeler Sayfa Adedi Tez yöneticisi 404.05.01. GaAs dedektör, Lazer pulsu, Filament, Boşalma ışıması 75 Doç.Dr.Bahtiyar SALAMOV

Abstract:
CHARACTERISTIC FEATURES OF A SEMICONDUCTOR DISCHARGE GAP STRUCTURE FOR HIGH-SPEED MEASUREMENTS (M.Sc Thesis) Hatice Hilal YÜCEL GAZİ UNTVERSITIY INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY December 1999 ABSTRACT In this study we investigate the applicability of an IR image converter system with a semiconductor photodedector for recording radiation from a pulsed laser. The semiconductor cathode is Cr-doped GaAs. The IR pulsed laser excites the photosensitive semiconductor photodedector of the converter thus controlling the current densitiy and the visible light emission from the gas discharge layer. This device is promising for applications in slave mode photography of rapid processes in the spectral region of the pulsed AI2O3 : N/3 laser (k = 1.06pm). Moreover, visualization of spatial distributions pattern of the current density in an IR image converter with a gallium arsenide semiconductor photodedector are studied. The spatial distribution of the current in the filaments were determined by photometric analysis of the radiation emitted by a gas when a current passed through a sistem formed by a semiconductor and a gas discharge gap. This method ensured spatial resolution of ~10 mm"1 and made h possible to describe quantitatively the distribution involving a drop in the current density of > 102. Science Code Key Words Page Number Adviser 404.05.01. GaAs dedector, Laser pulse, Filament, Discharge emission 75 Doç.Dr.Bahtiyar SALAMOV