Mn/P-Si schottky diyotunun hidrostatik basınç altında I-V karakterizasyonu
I-V characterization of Mn/P-Si schottky diode under hydrostatic pressure
Yazar: SONGÜL FİAT
Danışman: Y.DOÇ.DR. GÜVEN ÇANKAYA
Gaziosmanpaşa Üniversitesi / Fen Bilimleri Enstitüsü / Fizik Ana Bilim Dalı
Derece: Yüksek Lisans, 2006
Konu: Fizik ve Fizik Mühendisliği = Physics and Physics Engineering

Özet:
Schottky kontakların elektronik endüstride önemli rolleri bulunmaktadır ve metal-yarıiletken kontaklar hakkında bildiğimiz birçok şey Schottky engel kontakların elektrikselkarakterizasyonundan elde edilmiştir. Bu yapılar pratikteki cihaz uygulamaları ve değişikkalitede malzeme yapımı açısından önem arzeden araştırma cihazlarıdır. İdealite faktörü,seri direnç, ve Schottky engel yüksekliği (SBH) Î¦b gibi Schottky diyot parametreleriAkım-Voltaj (I-V) karakteristiği ve Cheung fonksiyonları ile hidrostatik basıncın birfonksiyonu olarak elde edilmektedir.Schottky diyotlar üzerine geniş bir platformda gerçekleştirilen çalışmaların çoğu buyapılardaki iletim mekanizmasının anlaşılması üzerine olmuştur. Bir Schottky engelindekiiletim mekanizması ise Schottky diyot parametrelerinin hesaplanması ve yapıda gözlenenetki ve davranışlarının izahı için yeterli olabilmektedir. Schottky diyotlarda gözlenen idealolmayan davranışlar ise metal kontak ile yarıiletken ara yüzeyinde bulunan ara yüzeytabakası ve ara yüzey hallerinin etkisine atfedilmiştir. Daha kaliteli Schottky diyot yapımıve engel yüksekliğinin istenilen değere ayarlanmasındaki en büyük problem, ara yüzeyhallerinden dolayı Fermi seviyesinin mıhlanmasıdır (FSM). Bununla alakalı olarak diyotunperformans ve güvenirliliği de ara yüzey hallerine bağlı olarak değişmektedir. Bu yüzdenbizde bu çalışmamızda elektronik sanayide daha yüksek kalitede cihaz elde etmek ve FSMolayının önemini izah etmek için bu yapıların doğasını araştırmak istedik.Anahtar Kelimeler: Metal-Yarıiletken Kontaklar, Schottky Engeli, Elektriksel Özellikler

Abstract:
Schottky contacts have an important role in electronic industry and much of ourunderstanding of metal-semiconductor (MS) contacts is derived from the electricalcharacterization of Schottky barrier (SB) contacts. These structures are important researchtools for the application in practical devices and construction of materials with variousqualities. Schottky diode parameters such as the ideality factor, the series resistance andthe Schottky barrier height (SBH) Î¦b have been obtained as a function of hydrostaticpressure using the current-voltage data and Cheung functions.Many of the studies which are made in a wide platform about Schottky diodes have beenmade to understand the conduction mechanism across such these devices. Knowledge ofthe conduction mechanism across a Schottky barrier is essential in order to calculateSchottky barrier parameters and explain the observed effects and behaviors. The non-idealbehavior observed in Schottky barrier diodes (SBDs) has generally been attributed to theeffect of interface states and interfacial layer, which are present between metal contact andsemiconductor interface. The biggest problem in formation Schottky barrier diodes withhigh quality and regulating the changing of the barrier height is Fermi level pinningbecause of the interface states. Due to this, the performance and reliability of a Schottkydiode change according to the interface states. So, we wanted to search the nature of thesedevices to explain the importance of pinning the Fermi level to fabricate devices withhigher quality in electronic industry.Keywords: Metal-Semiconductor Contacts, Schottky Barrier, Electrical properties