Tekrarlayan implantasyon başarısızlığı olan hastalarda endometriumda oluşturulan lokal hasarlanma etkilerinin ışık ve elektron mikroskobik incelenmesi
Tekrarlayan i̇mplantasyon başarisizliği olan hastalarda endometriumda oluşturulan lokal hasarlanma etkilerinin işik ve elektron mikroskobik i̇ncelenmesi
Yazar: AYSEL AKYÜZ CİVAN
Danışman: PROF. DR. SİBEL KÖKTÜRK
İstanbul Üniversitesi / Sağlık Bilimleri Enstitüsü / Histoloji ve Embriyoloji Ana Bilim Dalı / Histoloji ve Embriyoloji Bilim Dalı
Derece: Yüksek Lisans, 2019
Konu: Histoloji ve Embriyoloji = Histology and Embryology

Özet:
Tüp bebek tedavisinde iyi kalitede embriyo transferine rağmen gebe kalmadaki
başarısızlık önemli bir sorundur. Endometriumda oluşturulan lokal hasarlanma ile
implantasyon başarısı ve canlı gebelik oranlarının arttığı saptanmıştır. Literatürde lokal
hasarlanma üzerine birçok çalışma yapılmış olmasına karşın işlemin implantasyon
oranını artırma sürecindeki mekanizmalar henüz tam olarak ortaya konamamıştır.
Bu bilgiler ışığında planladığımız tez çalışmamızda tekrarlayan implantasyon
başarısızlığı olan 25-35 yaş arası 8 kadının endometriumuna menstrual siklusun 21.
günlerinde lokal hasarlanma uygulanarak biyopsi örnekleri alındı. Bir sonraki menstrual
siklusun aynı gününde alınan biyopsi örneklerinde lokal hasarın etkileri değerlendirildi.
Endometrium biyopsileri ışık mikroskobik takip sonrası parafin ve elektron
mikroskobik takip sonrası Epon'a gömüldü. Parafin kesitlerde hematoksilen eozin
boyasıyla genel morfolojik değişiklikler ve Masson trikrom boyasıyla bağ dokusu
elemanlarındaki değişiklikler incelendi. İmplantasyon belirteci olan lösemi inhibitör
faktör (LIF) ve lösemi inhibitor faktör-Reseptörü (LIF-R)'nin endometrium yüzey ve
bez epitelindeki lokalizasyonu ve immünoreaktivite şiddeti immünohistokimyasal
olarak değerlendirildi. Epon bloklardan alınan ince kesitlerde endometrium yüzey ve
bez epiteli elektron mikroskobik olarak değerlendirildi.
Çalışmamızda hastalarda oluşturulan lokal hasarlanma sonrası endometrium
yüzey ve bez epitelinde LIF ve LIF-R immünoreaktivitesinin arttığı ve ultrastrüktürel
farklar olduğu saptanmıştır. Bu sonuçlar tekrarlayan implantasyon başarısızlığı olan
hastalar için, lokal hasarlanmanın endometrium yüzey ve bez epiteli üzerindeki olumlu
etkileri olduğunu göstermektedir.

Abstract:
In spite of good quality embryo transfer, the failure in successful conception in
IVF treatment remains a major problem, whilst it is reported that local injury to the
endometrium increases the implantation rate and viable pregnancy. Although a number
of clinical studies have been carried out on the outcomes of endometrial local injury, the
mechanisms that are involved in increasing implantation rate have not been elucidated.
In this study, endometrial biopsies of local injury are performed on 8 women aged 25 to
35 years old with recurrent implantation failure who have undergone 21. day of their
endometrial cycle. On the same day of the next menstrual cycle, the effects of local injury in the
biopsy samples are assessed. The endometrial biopsies are embedded in paraffin for light
microscopy and in Epon for electron microscopy once the processing is done. In paraffin
sections, alterations in endometrial morphology are evaluated by hematoxylin and eosin staining
while alterations in connective tissue components are determined by Masson trichrome staining.
The localization and immunoreactivity of implantation markers LIF and LIF-R on the
endometrial surface and in the endometrial glands are evaluated by immunochemistry. Thin
sections from Epon blocks are assessed with the electron microscope in order to reveal cellular
alterations in the ultrastructure of the endometrium.
In our study, we observe an increase in LIF and LIF-R immunoreactivity of
endometrial surface and gland epithelium. At the same time, ultrastructural differences
are found after local injury in patients. These results indicate that local injury has
positive effects on endometrial surface and gland epithelium for patients with recurrent
implantation failure.