TlSe malzemesinin elektriksel özellikleri
Electrical properties of TlSe material
Yazar: BİNNUR KARABAK
Danışman: DOÇ. DR. DENİZ ULUTAŞ
İstanbul Üniversitesi / Fen Bilimleri Enstitüsü / Fizik Ana Bilim Dalı / Genel Fizik Bilim Dalı
Derece: Yüksek Lisans, 2013
Konu: Fizik ve Fizik Mühendisliği = Physics and Physics Engineering
Dizin: Yarı iletken ince filmler = Semiconductor thin films

Özet:
Bu çalışmada, 300 Å -3200 Å kalınlık bölgesinde, hazırlanan TlSe ince filmlerinin 10 Hz- 20 MHz frekans ve 173 K- 433 K sıcaklık aralığında sıcaklığa, frekansa ve film kalınlığına bağlı olarak değişken dış elektrik alana verdiği yanıtlar incelenip, mümkün polarizasyon mekanizmaları belirlendi. Ayrıca incelenen yapıdaki alternatif iletkenlik mekanizmasının,  n<1 olmak üzere ?^n davranışına uyduğu gözlendi.
Stockbarger-Bridgman yöntemiyle hazırlanmış TlSe kristallerinin 10-4 Torr  vakum ortamında termal buharlaştırılmasıyla cam taşıyıcılar üzerine farklı kalınlıklarda TlSe ince filmleri oluşturuldu. Filmlerin alt ve üst elektrotları alüminyum ile hazırlandı. Elektrot olarak kullanılacak alüminyum telleri buharlaştırmak için tungsten flamanlar; külçe halinde bulunan TlSe ' ni buharlaştırmak için de molibden potalar kullanıldı.
Hazırlanan Al/ TlSe/ Al formatındaki örnekler, sıcaklık kontrol ünitesi yardımıyla farklı sıcaklıklarda tutuldu. Bu örneklerin değişken dış alana verdiği yanıtlar kullanılarak kapasite (C) ve kayıp (tan Ø) değerleri bilgisayar kontrollü dielektrik spektroskopi cihazı kullanılarak elde edildi.
Yapılan bu ölçümler sonrası ulaşılan verilerden dielektrik katsayısı, dielektrik kayıp ve alternatik iletkenlik türetilerek, TlSe' nin dielekrik  özelliklerinin sıcaklığa, frekansa ve film kalınlığına bağlı davranışları belirlendi. Böylece incelenen malzemedeki mümkün polarizasyon, enerji kayıp mekanizmaları ve iletkenlik belirlendi. Elde edilen sonuçlar  literatürdeki benzer diğer malzemelerle karşılaştırıldı.

Abstract:
In this work, we searched in which frequency interval the electric conductivity is due to which type of charge carriered by examining the responses of  TlSe  thin films to the external alternating electric fields in a  frequency region, 10Hz-20MHz,  and in thickness region, such as 300 Å - 3200 Å within 173 K- 433 K temperature region. Moreover, it was observed that the relation between alternative conductivity obeys  ?(?) ? ?^n equation where n<1. 
TlSe thin films were going to be prepared on glass surfaces between metal electrodes using suitable masks which were cleaned by mechanical, ultrasonical and chemical methods upon different thicknesses by thermal evaporation method at the 10-4 Torr vacuum. Tungsten filaments were going to be used to evaporate Aluminum   wires which were used as electrodes and molibdenum boots were going to be used to evaporate TlSe samples. 
The samples were going to be hold at different temperatures using temperature control unity. Capacity and dissipation values were going to be measured under alternative electric field by using computer controlled empedance analizer. Other parameters such as dielectric constant, dielectric loss and alternative conductivity were going to be derived from obtained capacity and dissipation datas.
By evaluating the obtained and derived results the electrical behaviour of TlSe samples were going to be realized in case of investigated temperature and frequency interval. After these evaluations TlSe's dialectic features were going to be determined which is Based on temprature,frequency And film's thickness by derivatized from dialectic parameter,dialectic lost And alternatic conductivity.  So, possible polarization, lost energy mechanisms And conductivity were going to be determined in the inspected stuff. The results that optained were going to be compared with the other materials in the litterateure.