ZnO ince filmlerinin kimyasal püskürtme tekniği ile üretilmesi ve optik özelliklerinin incelenmesi
Production of ZnO thin films by chemical spray pyrolysis technique and the investigation of their optical properties
Yazar: ÖZGE ŞENDİL
Danışman: YRD. DOÇ. DR. SENEM AYDOĞU
Dumlupınar Üniversitesi / Fen Bilimleri Enstitüsü / Fizik Ana Bilim Dalı
Derece: Yüksek Lisans, 2010
Konu: Fizik ve Fizik Mühendisliği = Physics and Physics Engineering

Özet:
Bu çalışmada Kimyasal Püskürtme ( Chemical Spray Pyrolysis) Yöntemi ile 350 50C taban sıcaklığında cam tabanlar üzerine ZnO ince filmi elde edilmiş ve elde edilen bu ince filmin yapısal ve optik özellikleri incelenmiştir. Tartı yöntemi kullanılarak 0,357µm kalınlığında olduğu hesaplanmıştır. Optik metod kullanılarak elde edilen ZnO ince filminin yasak enerji aralığı 2,9 eV olarak hesaplanmıştır. X- ışını toz kırınım deseninden, elde edilen ZnO ince filminin kristal yapısın hekzagonal ve wurtzite yapıda olduğu belirlenmiştir.Absorbans spektrumlarından faydalanılarak elde edilen ZnO ince filminin geçirgenlik, sönüm katsayısı, yansıma ve dielektrik sabitlerinin dalga boyuna karşılık grafikleri çizilerek optik özellikleri incelenmiştir.ZnO ince filminin kristal yapısı x- ışınları kırınımı tekniği ile 20o?2 ? 70o aralığında incelenmiştir. Görülen en keskin pikin (101) piki olduğu görülmüş ve ZnO ince filminin kristal yapısının hekzagonal ve wurtzite yapıda olduğu belirlenmiştir. ZnO ince filminin x ? ışını kırınım deseninden yararlanılarak a örgü sabiti 3,2475 Ao, c örgü sabiti 5,1734 Ao, tanecik büyüklüğü 17,834 nm, dislokasyon yoğunluğu 3,14x10-3 nm-2 olarak hesaplanmıştır. Ayrıca hesaplanan a, b ve c örgü sabitlerinin ASTM standartlarındaki değerlere yakın olduğu görülmüştür.Anahtar Kelimeler: Yarıiletken ince film, Kimyasal püskürtme tekniği, Yapısal ve optik özellikler, Yarıiletkenler, ZnO.

Abstract:
Zinc oxide ( ZnO) film has been produced at the subsrate temperature of 350 5 0C by Chemical Spray Pyrolysis method and the optical and structural propeties of this thin film has been investigated. The thickness of the thin film that was produced has been obtained 3,57 µm with weighing method.The forbidden energy gap of ZnO thin film has been found 2,9 eV by using the optical method. The crystal structure of produced ZnO thin film has been determined as hexagonal wurtzite by means of, X-ray spectra.Absorbance spectra of ZnO thin films that were obtained by uitilizing permeable, damping coefficient, reflection and dielectric constans graphics plotted aganist the wavelength of the optical properties were investigated.The crystal structure of ZnO thin films in the range of 20o?2 ? 70o has been examined with X- ray refrection techniques . It has been shown that the crystal structure of ZnO thin film has the hexagonal wurtzite structure from the sharpest peak(101). ZnO thin film x- ray diffraction patterns by uitilizing , a lattice constan 3,2475 Ao, c lattice constant 5,1734 Ao, particles size 17,834 nm, dislocation density 3,14x10-2 nm-2 were calculed. Besides, a, b and c lattices that has been calculated are close to values observed in the ASTM standarts.Keywords: Semiconductor thin film, Chemical spray technique, Structural and optical properties, Semiconductors, ZnO.