445 nm AlGaN yarıiletken diyot lazerin çıkış ışını karakterizasyonu
Output beam characterization of 445 nm AlGaN semiconductor diode laser
Yazar: MUSTAFA HAJMOHAMAD
Danışman: DR. ÖĞR. ÜYESİ İBRAHİM KÜÇÜKKARA
Mersin Üniversitesi / Fen Bilimleri Enstitüsü / Fizik Ana Bilim Dalı
Derece: Yüksek Lisans, 2023
Konu: Fizik ve Fizik Mühendisliği = Physics and Physics Engineering

Özet:
Bu tez çalışması 445 nm AlGaN Yarıiletken Diyot Lazerin Çıkış Işını Karakterizasyonunun akım ve gücüye bağlı olarak belirlenmesi ile ilgilidir. Diyot lazerler, sıcaklığa ve akıma karşı çok hassas oldukları için kullanımı zordur. Akımı ve sıcaklığı stabilize ettikten sonra, frekans seçiciliğini elde etmek için kırınım ızgarası kullanılabilir. Ayarlanabilir lazer diyotları ve lenslerdir. Littrow harici kavite konfigürasyonu diğer harici kavite konfigürasyonları (Littman harici kavite konfigürasyonu gibi) ile karşılaştırıldığında, lazer ışınının emisyonu paralel olduğundan genişliği dardır. Diyot lazerin bir ucundan gelen lazer ışını ve Litro konfigürasyonunda kurulu kırınım ışını ızgaradan diyot lazere yönlendirilir, bu sayede ızgara ile lazerin diğer tarafı kırınım ızgarasını döndürerek kavite diyot lazerini ayarlamak için aralarında dalga boyu ile boşluk oluşur. Çıkış dalga boyu, çıkış hüzmesini yönlendirmek için ızgarayı döndürerek ayarlanır. Işık kırınım ızgarasından iki kez geçer ve farklı açılardan kırılarak aynaya ulaşan ışıkta kayıp olmaz, bu aynanın açısı değiştirilerek yapılır. Bu nedenle, Littrow konfigürasyonu ile karşılaştırıldığında, Littman konfigürasyonu daha düşük bir çıkış gücüne sahip olacaktır. Bu çalışmada, 445 nm dalga boylu sürekli ışın (cw),. Bu sayede holografik yansıtıcı kırınım ızgarasının Littrow konfigürasyonu kullanılarak oluşturulan düzenekte tuning sırasında oluşan ışın çıkış gücü kaybını minimuma indirerek ışın yönünde kararlı ve güvenilir bir sistem elde edilmiştir.

Abstract:
In this thesis, the power and current are defined for the laser light characteristic of an AlGaN semiconductor laser with a wavelength of 445 nano-meter.Diode lasers are difficult to use because they are very sensitive to temperature and current. After stabilizing the current and temperature, the diffraction grating can be used to achieve frequency selectivity. The laser beam from one end of the diode laser and the diffraction beam installed in the Litro configuration are directed from the grating to the diode laser, so that the grating and the other side of the laser rotate the diffraction grating, forming a gap with wavelength between them to adjust the cavity diode laser. The output wavelength is adjusted by rotating the grating to direct the output beam. The light passes through the diffraction grating twice, and there is no loss in the light reaching the mirror by refracting from different angles, this is done by changing the angle of the mirror. Therefore, compared to the Littrow configuration, the Littman configuration will have a lower output power. (cw) holographic reflection diffraction grating with a wavelength of 445 nm. In this way, a more stable and reliable system was obtained in the beam direction by minimizing the beam output power loss during tuning in the setup created by using the Littrow configuration of the holographic reflective diffraction grating.