Al/P2ClAn(C2H5COOH)/p-Si/Al yapılarda elektriksel parametrelerin sıcaklığa bağlılığı
The temparature dependence of electrical parameters for Al/P2ClAn(C2H5COOH)/p-Si/Al structure
Yazar: ZEYNEP KOTAN
Danışman: YRD. DOÇ. DR. AHMET FARUK ÖZDEMİR
Süleyman Demirel Üniversitesi / Fen Bilimleri Enstitüsü / Fizik Ana Bilim Dalı
Derece: Yüksek Lisans, 2008
Konu: Fizik ve Fizik Mühendisliği = Physics and Physics Engineering

Özet:
Metal-organik bileşik iletken polimer-yarıiletken (Al/P2ClAn(C2H5COOH) yapısının akım-voltaj (I-V) ve kapasite-voltaj (C-V) karakteristikleri 80-340K sıcaklık aralığında ölçülmüştür.. P2ClAn poly(2-chloroaniline). P2ClAn emeraldine tuzu propionic (C2H5COOH) asit kullanılarak kimyasal olarak sentezlenmiştir.Termoiyonik-emisyon mekanizmasına dayalı I-V analizleri düşük sıcaklıklarda idealite faktörünün arttığını, sıfır belsem engel yüksekliğinin azaldığını göstermiştir. Engel yüksekliğinin sıcaklık bağlılığı, C-V karakteristiğinden hesaplanan engel yüksekliğinin sıcaklık bağlılığı ile görünür uyumsuzluk göstermiştir. Bu davranış arayüzeyde engel yüksekliklerinin bir Gaussian dağılımı varsayımıyla Schottky engelin inhomojenitesine atfedilmiştir. 'a karşı 1/T grafiği engel yüksekliğinin bir Gaussian dağılım gösterdiğini elde etmek için çizilmiştir ve bu grafikten ortalama engel yüksekliği =0.87eV ve sıfır belsem standart sapma değeri =0.092V olarak elde edilmiştir. Böylece modifiye edilmiş 'ye karşı 1/T grafiği ve A* değerlerini sırasıyla 0.84eV ve 54.02AK2cm2 olarak vermiştir. Dahası engel yüksekliğinin sıcaklık katsayısı Al/P2ClAn(C2H5COOH)/p-Si için -2.9x10-4eV/K olarak bulunmuştur.Sonuçta görüldü ki, Al/P2ClAn(C2H5COOH)/p-Si yapısının sıcaklığa bağlılığı engel yüksekliğinin Gaussian dağılımı ile termoiyonik-emisyon mekanizması temelinde başarılı bir şekilde açıklanmıştır.

Abstract:
The current-voltage(I-V) and capacitance-voltage(C-V) characteristics of metal-organic compound conductive polymer-semiconductor (Al/P2ClAn(C2H5COOH) structures were measured in the temparature range 80-340K. P2ClAn: the poly(2-chloroaniline). The P2ClAn emeraldine salt was synthesized chemically by using propionic (C2H5COOH) acid.The analysis of I-V characteristics based on the thermoionic emission (TE) mechanism has revealed a decrease of zero-bias barrier height and a increase of the ideality factor at lower temperatures. Temperature dependence of the barrier height has shown an obvious disagrement with those calculated from C-V characteristics. This behaviour is attributed to Schottky barrier inhomogeneties by assuming a Gaussian distribution of barrier heights (BHs) at interface. ? b0 versus 1/T plot was drawn to obtain an evidence of a Gaussian distrubition of the BHs and values of =0.87 eV and ? 0=0.092 V for the mean BH and zero bias standart deviation have been obtained from this plot. Thus, a modified versus 1/T plot has given ve A* values as 0.84 eV and 54.02 A/K2cm2, respectively. Morever, the temperature coefficient of BH is found to be -2.9x10-4 eV/K for Al/P2ClAn(C2H5COOH)/p-Si.It can be concluded that the temperature dependence of the Al/P2ClAn(C2H5COOH)/p-Si structure succesfully has been explained on the basis of TE mechanism with Gaussian distribution of the barrier heights.