Bakır ve kobalt içeren bazı metal komplekslerinin optik özellikleri
Optical properties of some metal complexes including the Cu and Co
Yazar: CİHAT ÖZAYDIN
Danışman: YRD. DOÇ. DR. EROL EROĞLU
Harran Üniversitesi / Fen Bilimleri Enstitüsü / Fizik Ana Bilim Dalı
Derece: Yüksek Lisans, 2007
Konu: Fizik ve Fizik Mühendisliği = Physics and Physics Engineering
Dizin: Metal kompleksleri = Metal complexes ; Yarı iletkenler = Semiconductors

Özet:
Yarı iletkenler, elektronik devre teknolojisinin temelini olusturdugu için yarıiletken teknolojisinde,temel elektronik yapı elemanlarının fiziksel ve elektronik özelliklerini arastırmak önem tasımaktadır.Yarıiletkenlerin özellikle optik özelliklerini incelemek için onları katı ince film haline getirmekönemli hale gelmistir. Bu çalısmada, yeni sentezlenen N-N' -Bis(3,5-di-t-bütilsalisilaldimin)-1,4-bis-(m-aminolenoksi)bütan Ligandının(L3H2) Cu(II) ile Kompleksi (CuL3) ve N-N' -Bis(3,5-di-tbütilsalisilaldimin)-1,4-bis-(p-aminofenoksi)bütan Ligandnın(L4H2) Co(II) ileKompleksi(CoL4)'nin optik özellikleri incelendi. Numuneler spin coating yöntemi ile ince filmhaline getirildi. Numunelerin oda sıcaklıgında ki sogurma spektrumu alınarak malzemelerin yasakenerji aralıkları belirlendi. Filmlerin band aralıkları (CuL3) numunesi için (C1-C4) 2.5?2.6 eVaralıgında, (CoL4) numunesi için (C5-C8) 3?3.2 eV aralıgında elde edilmistir. Elipsometre cihazıkullanılarak numunenin kırılma indisi, dielekrik sabiti gibi sabitleri belirlendi. nce film halinegetirilen komplekslerin film kalınlıkları ve optik sabitlerinin(n, k, 1, 2) dalga boyuna göre degisimi380?900 nm aralıgında spektrometrik elipsometre kullanılarak ölçüldü. Buna göre C1 filmi için filmkalınlıgı 128.17 ± 1.743 nm, C2 filmi için 79.18 ± 4.471 nm, C3 filmi için 48.79 ± 1.256 nm, C4filmi için 101 ± 0.943 nm, C5 filmi için 139.91 ± 1.725 nm, C6 filmi için 128.1 ± 8.752 nm, C7 filmiiçin 86.17 ± 9.697 nm ve C8 filmi için 40.48 ± 3.86 nm olarak elde edildi.ANAHTAR KELMELER: Metal kompleks, Yasak enerji aralıgı, Yarıiletken, Spin Kaplama,

Abstract:
Since semiconductors constitute the foundation of the electronic circuit technology, it is essential toexamine the physical and electronic properties of the basic construction elements of electronics. It hasbeen important to transform the semiconductors into solid thin films in order to be able to examineespecially their optical properties. In this study, the electrical and optic properties of the newlysynthesized complex of the ligand(L3H2) of N-N? ? Bis (3,5-di-t-butylsalycylatimin)-1,4-bis-(maminolenoxy)butane with Cu(II) (CuL3), and the complex(CoL4) of the ligand of N-N?-Bis (3,5-di-tbutylsalycylatimin)-1,4-bis-(p-aminophenoxy)butane (L4H2) with Co(II) were examined. The sampleswere shaped into thin film by using spin coating technique. The energy band gaps of the materialswere obtained from the absorption spectra of the samples at room temperature. The band gaps of thefilms were found in the range of 2.5-2.6 eV (C1-C4) for the sample CuL3, and as 3-3.2 eV (C5-C8) forthe sample CoL4. The refraction index and dielectric coefficient of the samples were determined byusing the ellipsometer. Thickness and optical coefficients ( n, k, 1 and 2 ) of the filmed complexeswere measured by using a spectroscopic ellipsometer in the 380-900 nm wavelength range. Accordingto that, the film thickness was 128.17+-1.743 nm for the film C1; 79.18 ± 4.471 nm for C2;48.89 ± 1.256 nm for C3; 101 ± 0.943 nm for C4; 139.91 ± 1.725 nm for C5; 128.1 ± 8.752 nm forC6; 86.17 ± 9.697 nm for C7; and 40.48 ± 3.86 nm for C8.KEY WORDS : Metal Complex, Energy gap , Semiconductor, Ellipsometer, Spin Coating