III-N tipi yarıiletkenlerin örgü dinamiğinin adyabatik bağ yükü modeli ile incelenmesi
An Investigation of III-N type semiconductors' lattice dynamics using the adiabatic bond charge model
Yazar: SITKI DUMAN
Danışman: YRD. DOÇ. DR. İBRAHİM OKUR
Sakarya Üniversitesi / Fen Bilimleri Enstitüsü / Fizik Ana Bilim Dalı
Derece: Yüksek Lisans, 2002
Konu: Fizik ve Fizik Mühendisliği = Physics and Physics Engineering
Dizin: Adyabatik bağ yükü modeli = Adiabatic bond charge model ; Yarı iletkenler = Semiconductors ; Örgü dinamiği = Lattice dynamics

Özet:
ÖZET Anahtar kelimeler: III-N grubu yarıiletkenler, bağ yükü (BC), örgü dinamiği, kısa menzil etkileşmeleri, Coulomb etkileşmeleri III-N grubu yarıiletkenler diğer bileşikler yanında optoelektronik ve ısısal özellikleri yönüyle özel bir yer tutarlar. Bu yarıiletkenler çinko-sülfur (zinc-blende) ve hegzagonal wurtzide yapıda bulunabilirler. Yarıiletkenlerin ısısal ve elektronik özelliklerinin anlaşılması için öncelikle ele alman materyalin örgü dinamiğinin hesaplanması gerekmektedir. Bu çalışmada III-N tipi yarıiletkenler olan InN, BN, A1N, GaN bileşiklerinin örgü dinamiği adyabatik bağ yükü modeli ile incelendi. Bu inceleme sonuçlan verilmeden önce örgü dinamiği hesaplamalarında kullanılan diğer modeller olan Born-Von Karman modeli, değerlik kuvvet modeli, kabuk modeli ve rijit iyon modeli tanıtıldı. Adyabatik bağ yükü modeli ilk olarak Phillips ve Martin tarafından ortaya atıldı. Bu modele göre elektronların yoğunlaşma noktalan olarak alman bağ yükleri iyonlar yanında kütlesiz kabul edildi. Bağ yükleri homopolar yaniletkenlerde bağın tam ortasında, heteropolar yaniletkenlerde ise elektronegatifliği yüksek olan iyona yakın olacak şekilde konumlanırlar. III-N tipi yarıiletkenler için yapılan bu çalışmada üç temel etkileşim göz önüne alındı. Bunlar; Coulomb etkileşmeleri (iyon-iyon, iyon-bağ yükü, bağ yükü bağ yükü), kısa menzil etkileşmeleri (iyon-iyon, iyon-bağ yükü, bağ yükü-bağ yükü) ve merkezi olmayan (bağ bükülmesi) etkileşmeleridir. Bu etkileşmelerin hesaplanması sonucu bulunan fonon dispersiyonu, durum yoğunluğu eğrileri ile titreşim vektörleri verilmiştir. vıı

Abstract:
SUMMARY An Investigation of III-N Type Semiconductors' Lattice Dynamics Adiabatic Bond Charge Model Keywords: III-N nitrides, bond charge, lattice dynamics, short range interactions, coulomb interaction, bond charge model Group-Ill nitrides hold a special place among materials, mainly due to their desirable optoelectronic and thermal properties. These materials crystalline in cubic zinc-blende as well as hexagonal wurtzide phases. A thorough understanding of lattice dynamics of both phases is of importance both at the fundamental level as well as in determining thermal and electronic properties of these materials. In this work, we have studied the lattice dynamics of zinc-blende phases of GaN, A1N, BN and InN using the adiabatic bond charge model. The theories of the Born- Von Karman model, the valance force model, the shell model and rigit ion model are explained. We then study lattice dynamics of group III nitrides using the adiabatic bond-charge model. The adiabatic bond charge model is mainly based on the bond- charge model of Phillips an Martin. According to this model the BCs are allowed to move adiabatically, whereas in the bond-charge in the model of Phillips and Martin they always located midway between the two ions for homopolar semiconductors. In zincblende material groups the BC is shifted towards the more electronegative species. The adiabatic bond charge model proposed by Weber [17] is considered to be physically appealing that computationally much less demanding. In this study, for the the lattice dynamics of group-Ill nitrides three types of interactions are considered; Coulomb interaction between particles (ion-ion, ion-bc and bc-bc), short-range interactions (ion-ion, ion-bc, bc-bc) and non-central (or bond bending) interaction of Keating type between bond charges, as well as between ions and bond charges. In the last chapters the phonon spectra, density of states and vibrational vector for nitrides have been given.