Değişik yöntemlerle elde edilen CdS'ün optik ve elektriksel özelliklerinin karşılaştırılması
Comparison of optical and electrical properties of CdS obtained with different methods
Yazar: HALİL HARUN SÜVÜT
Danışman: DOÇ.DR. M. CELALETTİN BAYKUL
Eskişehir Osmangazi Üniversitesi / Fen Bilimleri Enstitüsü / Fizik Ana Bilim Dalı
Derece: Yüksek Lisans, 2005
Konu: Fizik ve Fizik Mühendisliği = Physics and Physics Engineering

Özet:
Yarıiletken ince film üretim tekniklerinden kimyasal püskürtme (SP),Magnetron sökme biriktirme (MS), Vakum altında buharlaştırma (VE), Metal organikkimyasal buhar çöktürme (MOCVD) ve Moleküler demet epitaksi (MBE) teknikleri,çalışma prensipleri, üretim süreçleri ve bu süreçlerin üretilen ince filmlerin fizikselözellikleri üzerine etkileri incelenmiştir.Yarıiletken ince filmlerin fiziksel özelliklerini oluşturan kristal yapı, filmkalınlığı, optik ve elektriksel özellikler elektronik ve optoelektronik cihazlarıngeliştirilmesinde ve kullanım alanlarının artmasında oldukça önemli bir yere sahiplerdir.Bu çalışmada beş farklı teknikle üretilmiş II-VI yarıiletken bileşiklerinin kristal yapı,iletkenlik tipi, mobilite, elektriksel özdirenç, ve yasak enerji aralık değerlerini gösterentablolar oluşturulmuştur. Bu tekniklerle üretilen ince filmlerin optik ve elektrikselözellikleri ile üretim teknikleri arasındaki ilişki incelenmiştir.Kimyasal püskürtme (SP), Magnetron sökme biriktirme (MS), Vakum altındabuharlaştırma (VE), Metal organik kimyasal buhar çöktürme (MOCVD) ve Molekülerdemet epitaksi (MBE) teknikleriyle üretilen II-VI yarıiletken bileşiklerinden CdSyarıiletken ince filmlerinin optik ve elektriksel özellikleri karşılaştırılarakyorumlanmıştır. Günümüz teknolojisinde oldukça önemli bir yeri olan yarıiletken incefilmlerin optik ve elektriksel özelliklerinin ince film üretim tekniklerine kuvvetli birşekilde bağlı olduğu belirlenmiştir.

Abstract:
The semiconductor thin film production techniques such as spray pyrolysis (SP),magnetron sputtering (MS), metalorganic chemical vapour depositon (MOCVD),vacuum evaporation (VE) and molecular beam epitaxy (MBE) and their principles,processes and the effect on the physical properties of produced thin films are examinedin this research.The physical properties of semiconductor thin films such as crystal structure, thethickness of the thin film and electrical and optical properties, have a significant role onthe development of the electronic and opto-electronic devices and their usage. Thetables showing the crystal structures, semiconductor types, mobilities, electricalresistivity, and band gaps of the II-VI compounds which are produced by five differenttechniques are provided in this research. The relationships between optical andelectrical properties of thin films and techniques for productions have been studied.The electrical and optical properties of different techniques such as CdSsemiconductor thin films which were produced by Spray Pyrolysis (SP), MagnetronSputtering (MS), Metalorganic Chemical Vapour Depositon (MOCVD), VacuumEvaporation (VE) and Molecular Beam Epitaxy (MBE) have been compared andinterpreted. It has been determined that the electrical and optical properties ofsemiconductor thin films highly depend on the production methods of thin films.