CdZnSSe yarıiletken filmlerinin bazı elektriksel ve optik özellikleri
Some of the electrical and optical properties of CdZnSSe compound semiconductors
Yazar: YASEMİN ÇAĞLAR
Danışman: PROF.DR. MUHSİN ZOR
Anadolu Üniversitesi / Fen Bilimleri Enstitüsü / Fizik Ana Bilim Dalı
Derece: Doktora, 2001
Konu: Fizik ve Fizik Mühendisliği = Physics and Physics Engineering
Dizin: CdZnSSe = CdZnSSe ; Elektriksel özellikler = Electrical properties ; Optik özellikler = Optical properties ; Yarı iletken filmler = Semiconductor films

Özet:
ÖZET Doktora Tezi CdZnSSe YARIİLETKEN FİLMLERİNİN BAZI ELEKTRİKSEL VE OPTİK ÖZELLİKLERİ YASEMİN ÇAĞLAR Anadolu Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Fizik Anabilim Dalı Danışman: Prof. Dr. Muhsin ZOR Haziran-2001 Bu çalışmada, CdZnSSe yarıiletken filmlerinin bazı elektriksel ve optik özellikleri incelenmiştir. Filmler, spray-pyrolysis yöntemi ile cam tabanlar üzerinde elde edilmişlerdir. X-ışını kırınım desenleri oluşan filmlerin hekzagonal yapıda ve polikristal olduklarını göstermektedir. Filmlerin yasak enerji aralığının direkt bant geçişli olduğu ve değerlerinin 2.38-2.97eV arasmda değiştiği belirlenmiştir. Bütün filmlerin n-tipi özellik gösterdikleri belirlenmiş ve I-V karakteristiklerinden ohmik ve space- charge-limited iletim mekanizmaları gözlenmiştir. Hesaplanan serbest taşıyıcı yoğunluklarının ve iletkenlik değerlerinin sırasıyla 1.2xl08-3xl013cm 3 ve 1.9xlO~11-4.4xlO^(ncm)~1arasmda değiştikleri bulunmuştur. Akım-sıcaklık karakteristiklerinden hesaplanan aktivasyon enerji değerleri iki farklı bölge için değerlendirilmiştir. Düşük sıcaklıklarda bulunan aktivasyon enerji değerleri (0.05-0.1 leV) donörlerin iyonlaşma enerjileri, yüksek sıcaklıklarda bulunan aktivasyon enerji değerleri ise (0.11-0.77eV) donör tipi tuzakların enerji seviyeleri olarak değerlendirilmiştir. Anahtar Kelimeler: Bileşik Yarıiletkenler, Spray-Pyrolysis, Ohmik İletim, Space-Charge-Limited İletim, Donör Tipi Tuzaklar

Abstract:
ABSTRACT Ph. D. Thesis SOME OF THE ELECTRICAL AND OPTICAL PROPERTIES OF CdZnSSe COMPOUND SEMICONDUCTORS YASEMİN ÇA?LAR Anadolu University Graduate School of Natural and Applied Sciences Physics Program Supervisor: Prof. Dr. Muhsin ZOR June-2001 In this study, some of the electrical and optical properties of CdZnSSe compound semiconductors have been investigated. The materials have been produced on to the glass substrates by means of the spray-pyrolysis method. The x-rays diffraction spectra of the films have shown that the films so formed are polycrystalline and hexagonal in structure. The material have exhibited direct band gap characteristics with the band gap values lying in the range between 2.38-2.97eV. n-type conduction have been observed in all of the films and their I-V characteristics have shown two different conduction regimes that ohmic and space charged limited. The calculated values of the free carrier concentration and the conductivities varied between 1.2xl08-3xl013cm"3 and l^xlO^-^xKr^Qcm)1, respectively. The calculated values of the activation energies from the Arrhenius plots have been gathered into two groups. The first one, having smaller values ( 0.05-0.1 leV ), is attributed to the ionization energies of donor like states. Whereas the second one, having larger values ( 0.11-0.77eV ), is attributed to the ionization energies arising from the donor-like traps. Keywords: Compound Semiconductors, Spray Pyrolysis, Ohmic Conduction, Space-Charge-Limited Conduction, Donor-Like Traps