Termiyonik vakum ark yöntemi ile katkılı çinko oksit ince film üretimi
Production of doped ZnO thin films using thermionic vacuum arc method
Yazar: SERCAN SADIK ERDEM
Danışman: DR. ÖĞR. ÜYESİ MEHMET ÖZKAN
Afyon Kocatepe Üniversitesi / Fen Bilimleri Enstitüsü / Fizik Ana Bilim Dalı
Derece: Yüksek Lisans, 2020
Konu: Fizik ve Fizik Mühendisliği = Physics and Physics Engineering
Dizin: Yarı iletken ince filmler = Semiconductor thin films

Özet:
Bu araştırmada, önemli bir yarıiletken bileşik olan ZnO ince filmlerin üç farklı Ag, Cu ve Co elementleri ile katkılanması ve farklı fiziksel özellikleri incelenmiştir. İnce filmlerin üretimi plazma destekli Termiyonik Vakum Ark (TVA) tekniği ile gerçekleşmiştir. Üretilen katkılı ZnO ince filmlerinin mikroyapısal, yüzeysel ve optiksel gibi fiziksel özellikleri sırası ile X-ışını kırınım (XRD), AFM, FESEM, UV-Vis spektrofotometre ve FL ölçüm cihazları ile incelenmiştir. Mikroyapısal ölçümünden her iki altlık üzerinde katkılan filmlerin yapısı hegzagonal olarak bulunmuştur. Cam ve Si alttaşlar üzerine üretilen Ag, Cu ve Co katkılı filmlerde ortalama tanecik büyüklükleri sırası ile 35,65, 30,53 ve 78,37, 30,22 ve 78,37, 38,09 nm olarak elde edilmiştir. Bu değerler filmlerin nano – boyutta olduğunu açıklamıştır. Üç katkılı ZnO filmlerde ise en büyük tanelere cam altlık üzerinde rastlanmıştır. AFM ve FESEM analizlerinden filmlerin yüzeylerinin homojen, çatlaksız ve boşluksuz büyümesi barizdir. AFM ölçümünden elde edilen pürüzlülük değerleri cam ve Si alttaşlar üzerine kaplanan Ag, Cu ve Co katkılı filmler için 34, 13 ve 9,35, 10,62 ve 18,3, 9,95 nm olarak belirlenmiştir. Filmlerin pürüzlülük değerlerinin artması hesaplanan tanecik büyüklükleri ile desteklemiştir. Optiksel özelliklerden, cam alttaş üzerine üretilen Ag, Cu ve Co katkılı filmlerde (330-1100 nm aralığında) elde edilen geçirgenlik değerleri 11,85, 21,78 ve 70,85% olarak bulunmuştur. Cam ve Si alttaşlar üzerinde hazırlanan Ag, Cu ve Co katkılı filmlerde ortalama kırılma indisi sırasıyla 2,013, 2,058 ve 1,630, 1,820 ve 1,669, 2,000 olarak elde edilmiştir. Filmetriks ölçümü sonucunda elde edilen kalınlık değerleri Ag, Cu ve Co katkılı ZnO ince filmlerde 73, 75 ve 84, 80 ve 88, 90 nm cam ve Si alttaşlar için bulunmuştur. Bu çalışmada kullanılan TVA tekniğinin özellikle nano-boyutta katkılı ince filmler üretilmesi için uygun ve başarılı olduğu sonucuna varılmıştır.

Abstract:
In this research, a significant semiconductor compound, ZnO doped with three different Ag, Cu and Co elements and different physical properties were investigated. All thin films were produced utilized plasma assisted Thermionic Vacuum Arc (TVA) technique. The physical properties of the produced doped ZnO thin films were evaluated in terms of X-ray diffraction (XRD), atomic force microscopy (AFM), field emission scanning electron microscopy (FESEM), Ultra violet-Visible (UV-Vis) spectrophotometer and photoluminescence (PL), respectively. On both substrates, according to the micro-structural measurement, the films structure was found to be hexagonal. The average particle size values of Ag, Cu and Co-doped films produced on glass and Si substrates were obtained as 35,65, 30,53 and 78,37, 30,22 and 78,37, 38,09 nm, respectively. These values proved that the films were nano-sized. For all doped films, the largest grains were found on a glass substrate. Regarding to the surface results, the homogeneous, crack-free and void-free growth on the surfaces of the films was obviously seen. The roughness values obtained from AFM measurement were 34, 13 and 9,35, 10,62 and 18,3, 9,95 nm for Ag, Cu and Co-doped films coated on glass and Si substrates. The increase in the roughness values of the films was fully supported by the calculated mean particle size values as well. Based on the optical properties, the transmittance values of Ag, Cu and Co-doped films (in 330-1100 nm range) were recorded as 11,85, 21,78 and 70,85% on the glass substrate. The average refractive indices of Ag, Cu and Co-doped films prepared on glass and Si substrates were 2,013, 2,058 and 1,630, 1,820 and 1,669, 2,000, respectively. The thickness values obtained by Filmetrics measurement for Ag, Cu and Co-doped ZnO thin films were 73, 75 and 84, 80 and 88, 90 nm on glass and Si substrates, respectively. It was concluded that the TVA technique used in this study was especially suitable and successful for producing nano-sized doped thin films.