İletken polimer (PNpCIPhPy) arayüzey tabakasının Au/n-tipi InP Schottky diyot parametreleri üzerine etkileri
Effects of conducting polymer (PNpClPhPy) interface layer on Au/n-type lnP Schottky diode parameters
Yazar: ÖMER FARUK GÜNDOĞDU
Danışman: DOÇ. DR. AHMET FARUK ÖZDEMİR
Süleyman Demirel Üniversitesi / Fen Bilimleri Enstitüsü / Fizik Ana Bilim Dalı
Derece: Yüksek Lisans, 2012
Konu: Fizik ve Fizik Mühendisliği = Physics and Physics Engineering

Özet:
ÖZETYüksek Lisans TeziİLETKEN POLİMER (PNpCIPhPy) ARAYÜZEY TABAKASININAu/n-tipi InP SCHOTTKY DİYOT PARAMETRELERİÜZERİNE ETKİLERİÖmer Faruk GÜNDOĞDUSüleyman Demirel ÜniversitesiFen Bilimleri EnstitüsüFizik Anabilim DalıDanışman: Doç. Dr. Ahmet Faruk ÖZDEMİRBu çalışmada iletken polimer olan PNpCIPhPy yapısının diyot parametreleri üzerindeki etkileri araştırıldı. Diyot yapım aşamaları gerçekleştirilmesi ile arayüzey tabakalı Au/PNpCIPhPy/n-InP/In yapısı elde edildi. Bu yapının akım-gerilim (I-V) ve kapasite-gerilim (C-V) değerleri oda sıcaklığında ve karanlıkta elde edildi.Diyot parametreleri elde edilirken I-V eğrilerinde Geleneksel yöntem, Cheung fonksiyonları ve Norde fonksiyonları kullanıldı. Bu fonksiyonlar ile diyodun idealite faktörü n, seri direnci R_s ve engel yüksekliği ?_b değerleri hesaplandı. Bu farklı yöntemlerle elde edilen parametreler bir biri ile karşılaştırıldı. C-V değerleri ile kontağın difüzyon potansiyeli V_d, verici konsantrasyonu N_d, Fermi enerjisi E_F, arayüzey hal yoğunluğu N_ss ve engel yüksekliği ?_b gibi parametreler hesaplandı.Akım?gerilim eğrilerinden elde edilen parametreler ile arayüzey tabakasının diyodu idealden uzaklaştırdığı gözlemlendi. Bununla birlikte kontakta meydana gelen seri direnç birinci Cheung fonksiyonuyla R_s=2378 ? ikinci Cheung fonksiyonuyla R_s=2364 ? olarak ve Norde fonksiyonları ile ortalama R_s=3545 ? civarında hesaplandı. Engel yüksekliği değerleri ise Cheung fonksiyonları ile ?_b=0,74 eV Norde fonksiyonları ile ?_b=0,84 eV civarında elde edildi. C-V hesaplamalarından elde edilen 0,36 eV engel yüksekliği değerinin ise I-V hesaplamalarından elde edilen değerden oldukça düşük çıktığı gözlemlendi.Anahtar kelimeler:Schottky diyotları, polimer arayüzey tabaka, arayüzey hal yoğunluğu, engel yüksekliği2012, 59 sayfa

Abstract:
ABSTRACTM. Sc. ThesisEFFECTS OF CONDUCTING POLYMER (PNpCIPhPy) INTERFACE LAYER ON AU/N-TYPE INP SCHOTTKY DIODE PARAMETERSÖmer Faruk GÜNDOĞDUSüleyman Demirel UniversityGraduate School of Applied and Natural SciencesPhysics DepartmentSupervisor: Assoc. Prof. Dr. Ahmet Faruk ÖZDEMİRIn this study, it is investigated the effects of the structure of PNpCIPhPy which is a conductive polymer on the diode parameters. By means of carrying out the processes of diode producing, the structure of Au/PNpCIPhPy/n-InP/In that has an interfacial layer is obtained. The current-voltage (I-V) and the capacitance-voltage (C-V) values of this structure are found out in dark and at room temperature.While obtaining the diode parameters, the Conventional method, Cheung and Norde functions are used on the I-V curves. By means of these functions, the values of the ideality factor of diode (n), series resistance ? (R ? _s) and barrier height (?_b) are respectively calculated. The parameters that obtained from the different methods are compared with each other. By using the C-V values, the parameters such as diffusion potential of the contact ? (V ? _d), donor concentration ? (N ? _d), Fermi energy ? (E ? _F), interface state density (N_ss) and barrier height (?_b) were calculated.It is observed that values of the parameters that are obtained from the current?voltage curves and the diode of the interfacial layer are going to move from ideal value. However, the series resistance that occurs at the ignition are calculated as R_s=2378 ? with the first Cheung function, as R_s=2364 ? with the second Cheung function and as averagely R_s=3545 ? with the Norde functions. Also, the values of the barrier height are respectively obtained as ?_b=0.74 eV with the Cheung functions and ?_b=0.84 eV with the Norde functions. It is observed that the value of the barrier height, 0.36 eV that is obtained from C-V calculations is quite lower than the value of the barrier height that is obtained from I-V calculations.Key words: Schottky diodes, polymer interfacial layer, density of interface states, barrier height.2012, 59 pages