(Al-TiW+PtSi)/n-Si Sckottky diyotlarının sıcaklığa bağlı temel parametreleri
Temperature dependence of characteristic parameters of the (Al-TiW+PtSi)-n-Si Schottky diodes
Yazar: ELİF MARIL
Danışman: DOÇ. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
Gazi Üniversitesi / Fen Bilimleri Enstitüsü / Fizik Ana Bilim Dalı
Derece: Yüksek Lisans, 2005
Konu: Fizik ve Fizik Mühendisliği = Physics and Physics Engineering

Özet:
iii(Al-Ti10W90+PtSi)/n-Si SCHOTTKY DİYOTLARIN SICAKLIĞABAĞLI TEMEL PARAMETRELERİ(Yüksek Lisans Tezi)Elif MARILGAZİ ÜNİVERSİTESİFEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜAralık 2005ÖZETBu çalışmada, [111] doğrultusunda büyütülmüş ve özdirenci 0.7 â¦.cm olan n-tipi Si kristali kullanıldı. Hazırlanan (Al-TiW+PtSi)-n-Si Schottky diyotlarınakım-voltaj (I-V), kapasitans-voltaj (C-V) karakteristikleri 79-360 K sıcaklıkaralığında ölçüldü ve arayüzeyde engel yüksekliklerinin homojensizliğindendolayı bir Gaussian dağılıma sahip olduğu gözlendi. Deneysel I-V verilerindensıcaklığın artmasıyla engel yüksekliğinde (Î¦BO) artış ve idealite faktöründe (n)ise bir azalma olduğu gözlendi. Engel yüksekliğinin sıcsklığın tersi ile değişimigrafiğinden Gaussian dağılımı için ortalama engel yüksekliği ve standart sapmadeğerleri sırasıyla Î¦ bo=0.815 eV ve Ïs=0.09 V olarak elde edildi. Böylece,modife edilen Ln(I0/T 2) - q2 Ï o /2k2T 22nin (q/kT) eğrisinde ortalama engelyüksekliği ve Richardson sabitinin değeri sırasıyla 0.82 eV ve 104.85 Acm-2K-2olarak elde edildi. Deneysel sonuçlar, (Al-TiW+PtSi)-n-Si Schottky diyotlarınsıcaklığa bağlı I-V karakteristislerinden Î¦b'nin Gaussian dağılıma sahip olmasıTE mekanizmasıyla açıklandı.Bilim Kodu : 404. 05. 01Anahtar Kelimeler : Amorf metal film, I-V ölçümleri, Engel homojensizliği,TünellemeSayfa Adedi : 55Tez Yöneticisi : Doç. Dr. Şemsettin ALTINDAL

Abstract:
ivTEMPERATURE DEPENDENCE OF CHARACTERISTICPARAMETERS OF THE (Al-TiW+PtSi)-n-Si SCHOTTKY DIODES(M.Sc. Thesis)Elif MARILGAZI UNIVERSITYINSTUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGYDecember 2005ABSTRACTIn this study, we have used n-Si wafers with (111) orientation and having0.7 â¦.cm resistivity. The forward current-voltage (I-V) and reverse capacitance-voltage (C-V) characteristics of (Al-TiW+PtSi)-n-Si Schottky diodes have beenmeausered in the temperature range of 79-360 K and have been interpretedbased on of the assumption of a Gaussian distribution of barrier heights (BHs)due to BH inhomogeneities that prevail at the interface. The evaluation of theexperimental I-V data reveals an increase of zero bias barrier height (Î¦bo) and adecrease of idealty factor (n) with increasing temperature. Zero bias barrierheigth (Î¦bo) versus inverse temperature (1/T) plot was drawn to obtainedevidence of a Gaussian distribution of the BHs,and values of Î¦ bo=0.815 eV andÏs=0.09 V for the mean BH and zero-bias standard deviation have beenobtained from this plot, respectively.vThus, a modified Ln(I0/T 2) - q2 Ï o /2k2T 2 vs q/kT) plot gives Î¦ bo and A* as 0.822eV and 104.85 Acm-2K-2, respectively. It has been councluded that thetemperature dependent I-V characteristics of the devices can be succesfullyexplained on the basis of TE mechanism with Gaussian distribution of the Î¦b.Science Code : 404. 05. 01Keywords : Amorphous metal film, I-V measurements, Barrierinhomogeneities, TunnelingPage Number : 55Adviser :Associate Professor Şemsettin ALTINDAL