Yeni geçiş iletkenliği yapıları ve süzgeç uygulamaları
New trasconductance structures and filter applications
Yazar: ARSEN A. M. SHAKİR
Danışman: DOÇ. DR. FIRAT KAÇAR
İstanbul Üniversitesi / Fen Bilimleri Enstitüsü / Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
Derece: Yüksek Lisans, 2011
Konu: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği = Electrical and Electronics Engineering
Dizin: Analog tasarım = Analog design ; Filtre tasarımı = Filter design

Özet:
Yaşadığımız dünyada bütün olaylar zaman içinde gerçekleşmektedir. Elektronik sistemleri analog devrelerinin önemli bir yeri durumundadır. Bu çalışmada ? Yeni Geçiş iletkenliği Yapıları ve Süzgeç Uygulamaları? üzerine çalışılmaktadır. Geçiş iletkenlikler (Gm); geniş bandlı olmaları, eğimlerinin kutuplama akımı ile kontrol edilebilmesi, yapılarının tümleştirmeye uygun ve basit olması gibi nadenlerden dolayı yaygın bir kullanım alanı bulunmaktadır.Bu tezin amacı analog işaret işleme uygulamaları için Gm yapıları oluşturmak ve yeni aktif süzgeç yapıları elde etmektir. CMOS teknolojisini kulanarak fanksiyon en az sayıda aktif ve pasif elemanlarla gerçekleştirebilmektir.Bu çalışmada.Gm-C tekniğinde monolitik aktif filtreleri gerçekleştirmek için geçiş iletkenliği (Gm) ve kapasitörler (C) kullanılmaktadır. Geçiş iletkeni Gm-C filtrelerinin temel yapı bloğunu oluşturur.Harhangi bir filtre ve indüktans devresini gerçekleştirirken Gm yapılarından faydalanarak direnç ve indüktör kullanmadan sedece Gm-C yapıları ile gerçekleştirmektedir.Geçiş iletkenleri ile ilgili literatürde çok sayıda devre tekniği bulunmakla birlikte, bu tekniklerin başlıca sınırlaması sınırlı giriş sinyali salınımı ve yetersiz doğrusallıktır. Ayrıca, bir çok teknik çok düşük güç beslemeli çalışma ile uyumlu değildir.Bu tezde standart CMOS teknolojisinde Gm-C filtrelerinin tasarımı için açık devre konfigürasyonunda kullanılması planlanan geçiş iletken bloğu devre seviyesindekifiltre uygulamalarıyer almaktadır. Geçiş iletken bloğuve uygulama devreleri 0.18µm TSMC CMOS teknolojisi ile LTSPICE programı ile test edilmiştir.

Abstract:
All the phenomena in our world happens within time. Electronic systems take an important place in analogous circuits. This study focuses on ?New Trasconductance Structures and Filter Applications?. Transconductance (Gm) has a wide area of use in that it is broadband, its dip could be controlled via polarization current, and its structures are basic and suitable for integration.This thesis aims to form Gm structures for analogous mark processing implementations and new active filter structures. The function could be realized through minimum active and passive elements by employing CMOS technology.This study employs transconductance (Gm) and capacitors (C) to realize monolithic active filters in Gm-C technique. Transconductor forms the basic structure block ofGm-C filters. Any filter and inductance circuit are realized only through Gm-C structures without employing resistance and inductor.While a number of circuit techniques are available in the literature concerning transconductance, the main limitation posed by those techniques is limited entry signal swing and poor linearity. In addition, most of those techniques are not harmonious with studies based on extremely low power supply operation.This thesis is based on filter implementations at transconductor block circuit level planned to be used in open circuit configuration for the design of Gm-C filters in CMOS technology. Transconductor block and implementation circuits have been tested with LTSPICE programme through 0.18µm TSMC CMOS technology.