Termoelektrik SnTe bileşiğinin elektrokimyasal sentezi
Electrochemical synthesis of thermoelectric SnTe compound
Yazar: HASAN ÖZ
Danışman: YRD. DOÇ. DR. İLKAY ŞİŞMAN
Sakarya Üniversitesi / Fen Bilimleri Enstitüsü / Kimya Ana Bilim Dalı / Analitik Kimya Bilim Dalı
Derece: Yüksek Lisans, 2011
Konu: Kimya = Chemistry
Dizin: Dönüşümlü voltametri = Cyclic voltammetry ; Elektrodepozisyon = Electrodeposition ; Elektrokimya = Electrochemistry ; Potansiyometri = Potentiometry ; Potansiyometrik sıyırma analizi = Potentiometric stripping analysis ; Termoelektrik = Thermoelectric ; Yarı iletken ince filmler = Semiconductor thin films ; Yarı iletkenler = Semiconductors ; İnce filmler = Thin films

Özet:
Termoelektrik materyaller ısıyı elektrik enerjisine direkt çevirebilen özel bir yarıiletken türüdür. Kalay tellür orta-IR fotodedektörler ve termoelektrik ısı dönüştürücülerde kullanılmaktadır.Yüksek kaliteli termoelektrik aygıtların hazırlanmasında birçok ince film oluşturma metodu kullanılmaktadır. Bu çalışmada, bu metotlardan biri olan ve aynı çözeltideki türlerin eşzamanlı olarak depozit edilebildiği kodepozisyon tekniği üzerine çalışılmıştır.Kalay tellür (SnTe) ince filmler; oda sıcaklığında (25 oC), SnCI2, TeO2 ve C6H5Na3 içeren sulu çözeltiden, Au(111) substratları üzerinde elektrokimyasal yolla ilk kez sentezlenmiştir. Sn ve Te'ün aşırı potansiyel depozisyon(opd) potansiyelleri dönüşümlü voltametri çalışmalarıyla belirlenmiştir. Bu filmler Ag/AgCl (3 M NaCl) referans elektrotuna karşı, -0,50 V potansiyelde, 0,2 M HNO3 içinde çözünmüş, 25 mM SnCl2.2H2O,1 mM TeO2 , 27 mM C6H5Na3.2H2O elektrolitlerinin eşit hacimde karıştırılmasıyla elde edilen sistemden büyütülmüştür.İnce filmlerin karakterizasyonu için x-ışını kırınımı (XRD), taramalı elektron mikroskobu (SEM) ve enerji dağılım spektroskopisi (EDS) kullanılmıştır. Bu şekilde depozit edilen ince filmler (220) düzleminde kristallenmektedir. SEM incelemeleri ince filmlerin şeklinin depozisyon patansiyelinin artmasıyla küresel partikülden dentrik kristale değiştiği göstermektedir. Optiksel absorpsiyon çalışmaları depozisyon zamanı azaldıkça SnTe ince filmlerinin band enerjisinin azaldığını göstermektedir.

Abstract:
Thermoelectric materials are special types of semiconductors that can directly convert heat to electrical energy. SnTe is used in mid-IR photodectectors and thermoelectric heat converters.A few numbers of thin film preparing methods are used in the constructions of high quality thermoelectrical devices. In this study, co-deposition technique was applied to opd potentials, which can deposite species from same solution simultaneously.Tin telluride (SnTe) thin films were synthesized onto Au(111) substrates from an aqueous solution containing SnCl2, TeO2, and C6H5Na3 at room temperature (25oC) for the first time via electrochemical route. The overpotential deposition (opd) potentials of Sn and Te have been determined by the cyclic voltammetric studies. The films were grown from a system that obtained from mixing equal volumes of 25 mM SnCl2.2H2O,1 mM TeO2 , 27 mM C6H5Na3.2H2O electrolytes in 0,2 M HNO3 at a potential of -0,50 V vs Ag|AgCl (3 M NaCl).X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM), and energy dispersive spectroscopy (EDS) were applied to characterize the thin films. The as-deposited thin films were crystallized in the preferential orientation along the (220) plane. SEM investigations indicated that the shape of thin films could be altered from a spherical particle to a dendritic crystal by increasing the deposition potential. The optical absorption studies as a function of deposition time indicated that the band gap of the SnTe thin film increases as the deposition time decreases.