Uydu haberleşme sistemlerinin alıcı modülleri için çift-bandlı yüksek performanslı düşük gürültülü yükselticilerin (dgy) düzlemsel yapılar kullanılarak tasarımı: Uhf ve s bandı uygulamaları
Design of dual-band high performance low noise amplifier (lna) for receiver modules of satellite communication systems by using planar structures: Uhf and s band applications
Yazar: BARIŞ UYSAL
Danışman: PROF. DR. CEYHUN KARPUZ
Pamukkale Üniversitesi / Fen Bilimleri Enstitüsü / Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
Derece: Yüksek Lisans, 2016
Konu: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği = Electrical and Electronics Engineering

Özet:
Bu tezde yeni olarak iki farklı tek bandlı yükseltici tasarlanacaktır. Smith abağı kullanılarak tasarlanan yükselticiler üzerinde indüktif yüklemenin etkisi incelenecektir. Tasarlanan iki farklı tek bandlı yükselti devreleri birleştirilerek, nihai iki bandlı yükseltici yapısına ulaşılmıştır. Tasarlanan yükselticilerin saçılma parametrelerini (iletim(S21) ve yansıma(S11)) elde edebilmek için ABCD matrisinden yararlanılmıştır. Bu matematiksel ifadeler bilgisayar destekli matematik programında yazılıp grafik çıktıları elde edilmiştir ve bu grafik çıktıları simülasyon sonuçlarıyla karşılaştırılmıştır. Bu karşılaştırma sonucunda simülasyon sonuçları ile teorik sonuçların büyük ölçüde tutarlı olduğu görülmektedir. Tasarlanan tüm yapılarda taban malzeme olarak bağıl dielektrik geçirgenliği 10.2, kalınlığı 1.27mm ve kayıp tanjantı (tan𝛿) 0.0023 olan RT/Duroid kullanılmaktadır. Giriş çıkış portları 50Ω' dur. Tasarlanan çift bandlı yükseltici RT/Duroid taban malzeme kullanılarak gerçekleştirilmektedir. Deney sonuçları ile simülasyon sonuçlarının iyi bir uyum içinde olduğu görülmektedir. Ülkemiz savunma sanayisinin de ihtiyaçları göz önünde bulundurularak tasarlanıcak ve imal edilicek devrelerin ulusal anlamda da büyük bir öneme sahip olabileceği düşünülmektedir. Bu doğrultuda,  önerilen tezin başarıyla sonuçlanması hem uluslararası mikrodalga literatüründe, hem de ulusal savunma sanayisinde önemli bir yere sahip olacağı açıktır.

Abstract:
It is designed as two new single-band amplifier in this thesis. Smith chart on using inductive amplifier designed, will examined the effect of inductive loading. Designed by combining two different single band amplifier circuits, reached the final two-band amplifier structure. Designed amplifier's scattering parameters (transmission (S21) and reflection (S11)) were used to obtain the ABCD matrix. The mathematical expressions are written in computer-based mathematics program graphical output were obtained and compared with the graphical output of the simulation results. Comparision of theoretical results with the simulation results shows that there is substantially consistent. relative dielectric permittivity of the substrate in the entire structure, designed as 2.10, the thickness of 1.27mm and loss tangent (tanδ) is 0.0023 RT / Duroid is used. 50Ω input and output ports, respectively. Designed dual-band amplifier RT / Duroid is carried out using the base material. The simulation results with experimental results appear to be in good agreement. The defense industry of our country also needs considering the circuit is considered to be altered and manufactured may also have a great importance in the national sense. In this respect, the successful conclusion of the proposed thesis in the microwave and international literature, and will have an important place in the national defense industry.