GaN/AlGaN kuantum kuyularının elektronik özellikleri
The electronic properties of GaN/AlGaN quantum well
Yazar: İBRAHİM GÜNERİ
Danışman: DOÇ. DR. FİGEN KARACA BOZ
Trakya Üniversitesi / Fen Bilimleri Enstitüsü / Fizik Bölümü / Fizik Ana Bilim Dalı
Derece: Yüksek Lisans, 2013
Konu: Fizik ve Fizik Mühendisliği = Physics and Physics Engineering

Özet:
Bu tezde, zinc-blende GaN/AlXGa 1-XN kuantum kuyusunun elektrik , manyetik, lazer
alanlar ve hidrostatik basınç altında elektronik özellikleri incelenir. Zinc-blende
GaN/AlXGa1-XN kuantum kuyusundaki bir elektronun enerjisi dıs alanların etkisi altında sonlu
farklar metoduyla bulunur. Bu kuantum kuyusuna yabancı atom katıldıgında yabancı atomun
enerjisi varyasyon metoduyla bulunur.
Zinc-blende GaN/AlXGa1-XN kuantum kuyusuna dısarıdan hiçbir etki yokken yabancı
atomun konumunun z yönünde degisimiyle ve kuyunun genisliginin artmasıyla baglanma
enerjisinde azalma gösterir. Bu kuyuya ?z yönünde elektrik alan uygulandıgında z yönünde
yabancı atomun konumunun degismesiyle baglanma enerjisi artıs gösterir.
Zinc-blende GaN/AlXGa1-XN kuantum kuyusuna merkezinde yer alan yabancı atom
için z yönünde uygulanan manyetik alanın artımıyla baglanma enerjisi artar. Farklı yabancı
atom konumları için ise manyetik alanın artımıyla baglanma enerjisi azalır.
Zinc-blende GaN/AlXGa1-XN kuantum kuyusuna lazer alan uygulandıgında kuyu
genisliginin yarısından küçük olan lazer giydirme parametrelerinde baglanma enerjisi azalır.
Bu kuantum kuyularına hidrostatik basıncın artmasıyla kuyu genisligine göre baglanma
enerjileri tüm yabancı atom konumları için artıs gösterir.
Bu tezde dısarıdan uygulanan elektrik, manyetik, lazer alanların ve hidrostatik basınç
etkileri kadar kuantum kuyusunda yabancı atomun konumunun da önemli oldugu gözlenir.

Abstract:
In this thesis, the electronic properties of zinc-blende GaN/Al XGa1-XN quantum
well under the electric, the magnetic, the laser fields and the hydrostatic pressure are
examined. The energy of an electron in the zinc-blende GaN/Al XGa1-XN quantum well is
found with the method of finite differences under the influence of external fields. When the
impurity is joined to this quantum well, the energy of the impurity is found with the variation
method.
While there was no effect to zinc-blende GaN/Al XGa1-XN quantum well from
outside, the binding energy decreases with the increase of the width of well and the location
of the impurity changes in the z direction. When the electric field applied to the well in the -z
direction, the binding energy increases with change of the position of impurity in the z
direction.
The binding energy increases with the increase of magnetic field applied in the z
direction to the impurity center located in zinc-blende GaN/AlXGa1-XN quantum well. The
binding energy decreases with the increase of the magnetic field for different impurity
location
When the laser field is applied the zinc-blende GaN/Al XGa1-XN quantum wells, the
binding energy is reduced for the laser driven parameter that are smaller than values half of
the well width.With the increase of hydrostatic pressure, the binding energy increases for all
the impurity location.
In this thesis, it is observed that the location of impurity is as important as the size of
effect from outside applied the electric, magnetic , laser fields and hydrostatic pressure .