Politiyofen(P3DMTPT) arayüzeyli Al/p-Si Schottky diyotun akım-voltaj ve kapasite-voltaj karakteristikleri
The study electronics properties of P3DMTPT/Al/p-type Si structures
Yazar: AYŞE GÖKCE
Danışman: DOÇ. DR. AHMET FARUK ÖZDEMİR
Süleyman Demirel Üniversitesi / Fen Bilimleri Enstitüsü / Fizik Ana Bilim Dalı
Derece: Yüksek Lisans, 2015
Konu: Fizik ve Fizik Mühendisliği = Physics and Physics Engineering

Özet:
Bu çalışmada ,  polimer  Politiyofen (P3DMTPT) arayüzeyli/Al/p - Si Schottky kontağın  elektriksel özellikleri çalışılmıştır. Schottky diyotun üretiminde  ( 100 ) yönelimli ,  390   m ve 1 - 10 Ω cm özdirence sahip olan p - Si kullanılmıştır. Akım - gerilim  ve k apasite - gerilim  ölçümleri yardımıyla diyotun karakteristik parametreleri elde edilmiştir. Tüm  ölçümler oda sıcaklığında ve karanlıkta gerçekleştirilmiştir. Schottky diyotun idealite faktörü ve engel yüksekliği değeri  akım - gerilim  karakteristiğinden 1,41 ve 0,87 eV elde edilmiştir. Seri direnç değeri Norde ve Cheung  fonksiyonları yardımıyla bulunmuştur. Norde fonksiyonları ile elde edilen kontak  par ametreleri ile Cheung fonksiyonl arı ile elde edilen kontak parametreleri  karşılaştırı lmıştır. Cheung fonksiyonları kullanılarak idealite faktörü 4,48, engel  yüksekliği 0,63 eV ve seri direnç 42 Ω bulunmuştur. Taşıyıcı yoğunluğu ve en gel yüksekliği değerleri, C - 2 - V grafiğinin ters besleme  kısmı  kullanılarak bulunmuştur. Taşıyıcı yoğunluğu 1,31 ⨯ 10 15 cm - 3 ve engel yüksekliği  0,8 5 6 eV olarak bulunmuştur. Politiyofen (P3DMTPT) arayüzeyli/Al/p - Si Schottky diyodun bulunan karakteristik 

Anahtar Kelimeler: Schottky diyotları, seri direnç, polimer arayüzey tabaka,  arayüzey hal yoğunluğu .

Abstract:
In this study, the electrical properties of Al/p - Si Schottky contact with polymer  Politiyofen (P3DMTPT) interfacial layer has been studied.  For fabrication of Schottky  diode, p - Si crystal with 100 orienta tion,  390   m thickness a nd 1 - 10 Ω cm resistivity  was used. The characteristic parameters of the diode have been obtained by using the  capacitance - voltage and the current - voltage measurements. All the measurements  were performed at room temperature and in dark. Ideality factor and barrier height value s of Schottky diode have been determined from  the current - volta ge characteristic as 1.40 and 0. 87 eV respectively . Series resistance  value were c alculated from Norde's function and Cheung 's function. The contact  parameters obtained from Norde's function were compared with those from Cheung  functions.  Using the  Cheung functions, the values of ideality factor, barrier height and  series resistance  were  calculated as 4. 48, barrier height of 0 . 63 eV and 42 Ω respectively . The carrier concentration and barrier height values for diode were extracted from its  reverse bias C - 2 - V charecteristic. The carrier concentration value of 1 . 31 ⨯ 10 15 cm - 3 and barrier height value of 0 . 856 eV were determined from the reverse bias C - 2 - V  char a cteristic s . According to presented characteristic properties of  P3DMTPT Al/p - Si diode, it can be  said that the diode obeys the metal - insulator - semiconductor (MIS) structure.

Key words: Schottky diode, series resistance, polymer interfacial layer, density of  interface states