Ag katkılı ZnSe ince filmlerin üretimi ve karakterizasyonu
Production and characterization of Ag doped ZnSe thin films
Yazar: BUĞRA DORUM
Danışman: PROF. DR. KORAY YILMAZ
Pamukkale Üniversitesi / Fen Bilimleri Enstitüsü / Fizik Ana Bilim Dalı / Fizik Bilim Dalı
Derece: Yüksek Lisans, 2023
Konu: Fizik ve Fizik Mühendisliği = Physics and Physics Engineering

Özet:
Bu çalışmada; Ag katkılı ZnSe ince filmlerinin, tavlanmamış ve 500°C
sıcaklıkta tavlanmış numunelerinin yapısal, elektriksel ve optik özellikleri,
sıcaklığa bağlı Hall Etkisi, XRD, SEM-EDS, AFM ve optik soğurma ölçümleri ile
araştırılmıştır.
İlk aşamada sinterleme yöntemi ile % 1 Ag katkılanan Zn ve Se
elementlerinden, külçe halde ZnSe:Ag polikristal numunesi elde edilmiş ve termal
buharlaştırma (PVD) yöntemi ile cam alttaşlar üzerine büyütülmüştür. Elde edilen
ince filmlerden bir tanesi 500°C'de tavlanmıştır. PVD yöntemi ile büyütülen ince
filmler üzerinde yapılan yapısal analizler sonucunda filmlerin kübik yapıda olduğu
ve tavlama sonrasında daha düzenli bir kristal yapıya geçtikleri gözlenmiştir.
Numunelerin elektriksel özelliklerinin tespiti için, sıcaklığa bağlı elektriksel
iletkenlik ve Hall etkisi ölçümleri yapılmıştır. Tavlanmamış numunenin yüksek
direnç göstermesinden dolayı sadece 500°C'de tavlanmış numune için elektriksel
iletkenlik ve Hall ölçümleri yapılabilmiştir. Filmlerin sıcaklıkla elektriksel
iletkenliklerinin üstel artış gösterdiği gözlemlenmiştir. Filmlerin akım-voltaj
ölçümlerinden farklı sıcaklık aralıklarında iki farklı aktivasyon enerjisi hesaplanmış
ve bu değerler 200-325 K aralığında 21,03 meV, 325-375 K aralığında 86,27 meV
olarak hesaplanmıştır. Hall ölçümleri sonucunda oda sıcaklığında, özdirenç değeri
1,23 × 10^4 (Ω.cm) olarak, Hall mobilitesi 5,19 × 10^1 (cm^2 V^-1 s^-1), taşıyıcı yoğunluğu
4,22 × 10^12 (cm^-3) olarak bulunmuştur. Hall ölçümlerinde taşıyıcı yoğunluğunun
sıcaklıkla arttığı tespit edilmiş ve numunenin p-tipi yarıiletken olduğu saptanmıştır.
AFM analizleri sonucunda, tavlanmamış numunedeki yüzey pürüzlülüğü,
tavlandıktan sonra azalmıştır. Yasak enerji bant aralıkları, UV/VIS
spektrofotometresinde 190-1100 nm aralığında incelenmiş ve tavlamaya bağlı
olarak bant aralıklarının 2,83 eV 'tan 2,78 eV'a düştüğü tespit edilmiştir.

Abstract:
In this study; structural, electrical and optical properties of Ag-doped ZnSe thin films, unannealed and annealed at 500°C, were investigated by temperature-dependent Hall Effect, XRD, SEM-EDS, AFM and optical absorption measurements.
 In the first stage, ZnSe:Ag polycrystalline sample in ingot form was obtained from Zn and Se elements doped with 1% Ag by sinterization and grown on glass substrates by thermal evaporation (PVD) method. One of the thin films obtained was annealed at 500°C. As a result of the structural analyzes performed on the thin films grown by the PVD method, it was observed that the films were in cubic structure and changed to a more crystalline structure after annealing. Temperature-dependent electrical conductivity and Hall Effect measurements were made to determine the electrical properties of the samples. Due to the high resistance of the unannealed sample, electrical conductivity and Hall measurements could only be carried out for the annealed sample at 500°C. It was observed that the electrical conductivity of the films increased exponentially with increasing temperature. Two different activation energies were found from the current-voltage measurements of the films at different temperature ranges and these values were calculated as 21.03 meV in the 200-325 K range and 86.27 meV in the 325-375 K range. As a result of Hall measurements, the resistivity value was found as 1.23 × 10^4 (Ω.cm), Hall mobility as 5.19 × 10^1 (cm^2 V^-1 s^-1), carrier density as 4.22 × 10^12 (cm^-3) at room temperature. Hall measurements revealed that the carrier density increased with increasing temperature and it was determined that the sample was a p-type semiconductor. As a result of AFM analysis, the surface roughness of the unannealed sample decreased after annealing. The band gaps of the forbidden energy were examined in the range of 190-1100 nm with the UV/VIS spectrophotometer and it was determined that the band gaps decreased from 2.83 eV to 2.78 eV depending on the annealing.