InGaAs/GaAs süperörgü yapılarının moleküler demet epitaksi (MBE) tekniğiyle büyütülmesi ve karakterizasyonu
Growth and characterization of InGaAs / GaAs super lattice structures grown via molecular beam epitaxy (MBE)
Yazar: HALİL İBRAHİM EFKERE
Danışman: YRD. DOÇ. DR. TUNCAY KARAASLAN ; PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK
Erciyes Üniversitesi / Fen Bilimleri Enstitüsü / Fizik Bölümü / Fizik Ana Bilim Dalı / Katıhal Fiziği Bilim Dalı
Derece: Yüksek Lisans, 2013
Konu: Fizik ve Fizik Mühendisliği = Physics and Physics Engineering

Özet:
Yarıiletken malzemeler 1940'lardan beri araştırılmakta ve bu araştırmalar sonucunda geliştirilen elektronik araçlar günlük hayatımızda, askeri ve uzay teknolojisinde kullanılmaktadır. Elektronik ürünlerinde kullanılan transistörler, doğrultucu diyotlar gibi güneş pilleri de, yarıiletken malzemelerden yapılırlar.
Doğada saf olarak bulunmayan yarıiletken ince filmler yapay tekniklerle üretilebilmektedir. Bu tekniklerin günümüzde yaygın olarak kullanılanları; Buhar Faz Epitaksi (VPE), Kimyasal Buhar Birikimi (CVD) ve Moleküler Demet Epitaksi (MBE) şeklinde sıralanabilir.

Tez çalışmamızda Gazi Üniversitesi Fotonik Uygulama ve Araştırma Merkezi (Gazi FOTONİK) bünyesinde bulunan Türkiye'nin en gelişmiş ve en donanımlı sistemi olan Moleküler Demet Epitaksi-VG80H kullanılmıştır. Bu yöntemi diğer büyütme yöntemlerinden üstün kılan özellikler katkı konsantrasyonunun belirlenmesi, büyütme sırasında yüzeyin kontrol edilmesi, çevreye zararlı maddelerin yayılmaması ve kalınlık hassasiyetinin ayarlanmasının oldukça ileri düzeyde oluşturulabilmesidir. 
Tez çalışmamızda elektronik ve optoelektronik cihazların yapımında kullanılabilecek olan III-V yarıiletkeninden GaAs ve üçlü yarıiletkenden InGaAs çoklu kuantum yapısı MBE tekniği kullanılarak büyütüldü. Büyütülen bu malzemenin X ışını kırınımı (HR-XRD), elipsometre, fotolüminesans (PL) teknikleri kullanılarak yapısal ve optiksel özellikleri incelendi.

Anahtar Kelimeler: MBE,HR-XRD, Elipsometri, Fotolüminesans, InGaAs, GaAs, Gazi FOTONİK

Abstract:
Semiconductor materials developed since the 1940s as a result of this research study, and electronic gadgets in our daily lives, are used in military and space technology. Transistors used in electronic products, such as rectifier diodes in solar cells, made from semiconductor materials.
 Not found in nature as a pure semiconductor thin films can be produced artificially techniques. These techniques are widely used today; Vapor Phase Epitaxy (VPE), Chemical Vapour Deposition (CVD) and Molecular Beam Epitaxy (MBE) are listed in the form.
The thesis study, Gazi University Photonics Research Center (Gazi FOTONİK) equipped with an on-site system is the most developed and the most used in the Molecular Beam Epitaxy-VG80H. Contribute to the characteristics that make this method superior to other methods of determining the concentration of enlargement, enlargement of the surface during the control and the spread of harmful substances in the environment and adjusting the sensitivity of thickness to form a fairly advanced level.
In our thesis, which can be used in making electronic and optoelectronic devices, semiconductors GaAs and InGaAs multiple quantum structure grown using the MBE technique. Magnified this material, X-ray diffraction (HR-XRD), elipsometer, photoluminescence (PL) techniques were evaluated for the structural and optical properties.

Keywords: MBE, HR-XRD, Elipsometry, Photoluminescence, InGaAs, GaAs, Gazi FOTONİK