geopti/opus-en-el-eval-mixture huggingface dataset:
English: Align and expose step and repeat (direct step on wafer) or step and scan (scanner) equipment for wafer processing using photo-optical or X-ray methods and having either of the following:
Greek: Εξοπλισμός ευθυγράμμισης και έκθεσης step and repeat (με άμεσο βήμα πάνω στο πλακίδιο) ή step and scan (με σάρωση) για την επεξεργασία πλακιδίων με τη χρήση φωτο-οπτικών μεθόδων ή μεθόδων ακτίνων Χ και ο οποίος έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
English: b. Capable of producing a pattern with a ‘Minimum Resolvable Feature size’ (MRF) of 95 nm or less;
Greek: β. Ικανότητα να συνθέτει σχήματα με ‘ελάχιστο διαχωρίσιμο μέγεθος γνωρίσματος’ (MRF) 95 nm ή μικρότερο.
English: The ‘Minimum Resolvable Feature size’ (MRF) is calculated by the following formula:
Greek: Το ‘ελάχιστο διαχωρίσιμο μέγεθος γνωρίσματος’ (MRF) υπολογίζεται με τον εξής τύπο:
English: MRF =an exposure light source wavelength in nm
Greek: MRF =μήκος κύματος φωτεινής πηγής έκθεσης σε nm
English: Imprint lithography equipment capable of producing features of 95 nm or less;
Greek: Εξοπλισμός εντυπωτικής λιθογραφίας ικανός να παράγει λεπτομέρειες διαστάσεων 95 nm και κάτω.
English: a. Using deflected focussed electron beam, ion beam or “laser” beam; and
Greek: α. με τη χρήση εκτρεπόμενης εστιασμένης δέσμης ηλεκτρονίων, δέσμης ιόντων ή δέσμης «λέιζερ», και
English: g. Masks and reticles, designed for integrated circuits specified in 3A001;
Greek: ζ. Μάσκες ή πλεγματίδια που έχουν σχεδιαστεί για ολοκληρωμένα κυκλώματα που καθορίζονται στο σημείο 3Α001.
English: h. does not control multi-layer masks with a phase shift layer designed for the fabrication of memory devices not controlled by 3A001.
Greek: Στο σημείο 3Β001.η. δεν υπάγονται οι μάσκες με πολλαπλά στρώματα που περιλαμβάνουν στρώμα ολίσθησης φάσης οι σχεδιασμένες για την κατασκευή συσκευών μνήμης που δεν υπάγονται στο σημείο 3Α001.
English: i. Imprint lithography templates designed for integrated circuits specified in 3A001.
Greek: θ. Μακέτες εντυπωτικής λιθογραφίας σχεδιασμένες για τα ηλεκτρονικά κυκλώματα που προσδιορίζονται στο 3Α001.
English: a. For testing S-parameters of transistor devices at frequencies exceeding 31,8 GHz;
Greek: α. Για να δοκιμάζονται οι παράμετροι S συσκευών τρανζίστορ σε συχνότητες άνω των 31,8 GHz.
English: Hetero-epitaxial materials consisting of a “substrate” having stacked epitaxially grown multiple layers of any of the following:
Greek: Ετερο-επιταξιακά υλικά, που αποτελούνται από «υπόστρωμα» πάνω στο οποίο έχουν αποτεθεί επιταξιακά ανεπτυγμένα πολλαπλά στρώματα οποιουδήποτε από τα ακόλουθα υλικά:
English: Resist materials as follows and “substrates” coated with the following resists:
Greek: Φωτοανθεκτικά υλικά, ως εξής, καθώς και «υποστρώματα» που έχουν επίστρωση των ακόλουθων φωτοανθεκτικών ουσιών:
English: a. Positive resists designed for semiconductor lithography specially adjusted (optimised) for use at wavelengths below 245 nm;
Greek: α. Θετικά φωτοανθεκτικά υλικά για λιθογραφικές εργασίες με ημιαγωγούς, ειδικώς ρυθμισμένα (αριστοποιημένα) για χρήση σε μήκη κύματος κάτω από 245 nm,
English: b. All resists designed for use with electron beams or ion beams, with a sensitivity of 0,01 μcoulomb/mm2 or better;
Greek: β. Πάσης φύσεως φωτοανθεκτικά υλικά για χρήση με δέσμες ηλεκτρονίων ή ιόντων που έχουν ευαισθησία 0,01 μcoulomb/mm2 ή καλύτερη,
English: c. All resists designed for use with X-rays, with a sensitivity of 2,5 mJ/mm2 or better;
Greek: γ. Πάσης φύσεως φωτοανθεκτικά υλικά για χρήση με ακτίνες Χ, με ευαισθησία 2,5 mJ/mm2 ή καλύτερη,
English: d. All resists optimised for surface imaging technologies, including ‘silylated’ resists;
Greek: δ. Πάσης φύσεως φωτοανθεκτικά υλικά αριστοποιημένα για τεχνολογίες απεικόνισης επιφανειών, συμπεριλαμβανομένων των ‘πυριτικοποιημένων’ φωτοανθεκτικών υλικών.
English: ‘Silylation’ techniques are defined as processes incorporating oxidation of the resist surface to enhance performance for both wet and dry developing.
Greek: Οι τεχνικές μέθοδοι ‘πυριτικοποίησης’ ορίζονται ως οι διαδικασίες που περιλαμβάνουν οξείδωση της επιφάνειας του φωτοανθεκτικού υλικού ώστε να ενισχυθεί η απόδοσή του τόσο για υγρή όσο και για ξηρά εμφάνιση.
English: e. All resists designed or optimised for use with imprint lithography equipment specified in 3B001.f.2. that use either a thermal or photo-curable process.
Greek: ε. Πάσης φύσεως φωτοανθεκτικά υλικά σχεδιασμένα ή αριστοποιημένα για χρήση με τον εξοπλισμό εντυπωτικής λιθογραφίας που καθορίζεται στο 3B001.στ.2. που χρησιμοποιούν είτε θερμική είτε φωτο-στυπωτική διαδικασία.
English: a. Organo-metallic compounds of aluminium, gallium or indium, having a purity (metal basis) better than 99,999 %;
Greek: α. Οργανομεταλλικές ενώσεις αργιλίου, γαλλίου ή ινδίου που έχουν καθαρότητα (με βάση το μέταλλο) καλύτερη από 99,999 %,
English: b. Organo-arsenic, organo-antimony and organo-phosphorus compounds, having a purity (inorganic element basis) better than 99,999 %.
Greek: β. Οργανικές ενώσεις αρσενικού, αντιμονίου και φωσφόρου που έχουν καθαρότητα (με βάση το ανόργανο στοιχείο) καλύτερη από 99,999 %.
English: 003 only controls compounds whose metallic, partly metallic or non-metallic element is directly linked to carbon in the organic part of the molecule.
Greek: Στο σημείο 3C003 υπάγονται μόνο οι ενώσεις των οποίων το μεταλλικό, μερικώς μεταλλικό ή μη μεταλλικό στοιχείο συνδέεται άμεσα με άνθρακα στο οργανικό τμήμα του μορίου.
English: 004 does not control hydrides containing 20 % molar or more of inert gases or hydrogen.
Greek: Στο σημείο 3C004 δεν υπάγονται υδρίδια που περιέχουν γραμμομοριακό ποσοστό 20 % και άνω αδρανή αέρια ή υδρογόνο.
English: Silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), aluminium nitride (AlN) or aluminium gallium nitride (AlGaN) “substrates”, or ingots, boules, or other preforms of those materials, having resistivities greater than 10000 ohm-cm at 20 °C.
Greek: Καρβίδιο του πυριτίου (SiC), νιτρίδιο του γαλλίου (GaN), νιτρίδιο του αργιλίου (AlN) ή νιτρίδιο του αργιλίου-γαλλίου (AlGaN) «υποστρώματα», ή πλινθώματα, συνθετικοί κρύσταλλοι, ή άλλα προμορφώματα αυτών των υλικών, που έχουν ειδικές αντιστάσεις μεγαλύτερες από 10000 ωμ-cm στους 20 °C.
English: “Substrates” specified in 3C005 with at least one epitaxial layer of silicon carbide, gallium nitride, aluminium nitride or aluminium gallium nitride.
Greek: «Υποστρώματα» που καθορίζονται στο 3C005 με τουλάχιστον ένα επιταξιακό στρώμα καρβιδίου του πυριτίου, νιτριδίου του γαλλίου, νιτριδίου του αργιλίου ή νιτριδίου του αργιλίου-γαλλίου.
English: “Software” specially designed for the “development” or “production” of equipment specified in 3A001.b. to 3A002.g. or 3B.
Greek: «Λογισμικό» που έχει ειδικά σχεδιασθεί για την «ανάπτυξη» ή «παραγωγή» εξοπλισμού που καθορίζεται στα σημεία 3Α001.β. έως 3Α002.ζ. ή 3Β.
English: “Software” specially designed for the “use” of equipment specified in 3B001.a. to f. or 3B002.
Greek: «Λογισμικό» ειδικώς σχεδιασμένο για τη «χρήση» εξοπλισμού προδιαγραφόμενου στα σημεία 3B001.α. έως στ. ή 3B002.
English: ‘Physics-based’ simulation “software” specially designed for the “development” of lithographic, etching or deposition processes for translating masking patterns into specific topographical patterns in conductors, dielectrics or semiconductor materials.
Greek: «Λογισμικό» προσομοίωσης, «βασισμένο στη φυσική», ειδικά σχεδιασμένο για την «ανάπτυξη» διεργασιών λιθογραφίας, χάραξης ή εναπόθεσης προκειμένου τα σχήματα μάσκας να μεταφράζονται σε επιμέρους τοπογραφικά σχήματα με αγωγούς, διηλεκτρικά ή υλικά ημιαγωγών.
English: ‘Physics-based’ in 3D003 means using computations to determine a sequence of physical cause and effect events based on physical properties (e.g. temperature, pressure, diffusion constants and semiconductor materials properties).
Greek: Στο σημείο 3.D003., οι λέξεις ‘βασισμένο στη φυσική’ υποδηλώνουν ότι χρησιμοποιεί υπολογισμούς για να προσδιορίσει μια ακολουθία φυσικών αιτίων/αιτιατών βασισμένων σε φυσικές ιδιότητες (π.χ. θερμοκρασία, πίεση, σταθερές διάχυσης και ιδιότητες υλικών ημιαγωγών).
English: Libraries, design attributes or associated data for the design of semiconductor devices or integrated circuits are considered as “technology”.
Greek: Οι βιβλιοθήκες, τα χαρακτηριστικά σχεδιασμού ή συναφή δεδομένα για τον σχεδιασμό συσκευών ημιαγωγών ή ολοκληρωμένων κυκλωμάτων θεωρούνται «τεχνολογία».
English: “Software” specially designed for the “development” of the equipment specified in 3A003.
Greek: «Λογισμικό» ειδικά σχεδιασμένο για την «ανάπτυξη» του εξοπλισμού που ορίζεται στο σημείο 3Α003.
English: “Software” specially designed or modified for the “use” of equipment specified in 3A101.b.
Greek: «Λογισμικό» που έχει ειδικά σχεδιασθεί ή τροποποιηθεί για τη «χρήση» εξοπλισμού που ορίζεται στο σημείο 3Α101.β.
English: “Technology” according to the General Technology Note for the “development” or “production” of equipment or materials specified in 3A, 3B or 3C;
Greek: «Τεχνολογία» σύμφωνα με την Γενική Τεχνολογική Σημείωση για την «ανάπτυξη» ή «παραγωγή» εξοπλισμού ή υλικών που καθορίζονται στα σημεία 3Α, 3Β ή 3C.
English: 001 does not control “technology” for the “production” of equipment or components controlled by 3A003.
Greek: Στο σημείο 3Ε001 δεν ελέγχεται η «τεχνολογία» για την «παραγωγή» εξοπλισμού ή δομικών στοιχείων που ελέγχονται σύμφωνα με το σημείο 3Α003.
English: 001 does not control “technology” for the “development” or “production” of integrated circuits specified in 3A001.a.3. to 3A001.a.12., having all of the following:
Greek: Στο σημείο 3Ε001 δεν ελέγχεται η «τεχνολογία» για την «ανάπτυξη» ή «παραγωγή» ολοκληρωμένων κυκλωμάτων προδιαγραφόμενων στα σημεία 3Α001.α.3. έως 3Α001.α.12., και που έχουν όλα τα ακόλουθα:
English: Using “technology” at or above 0,130 μm; and
Greek: Χρησιμοποίηση «τεχνολογίας» 0,130 μm και άνω, και
English: Incorporating multi-layer structures with three or fewer metal layers.
Greek: Περιλαμβάνουν δομές με πολλαπλά μεν στρώματα, αλλά με τρία το πολύ μεταλλικά στρώματα.
English: “Technology” according to the General Technology Note, other than that specified in 3E001, for the “development” or “production” of a “microprocessor microcircuit”, “microcomputer microcircuit” or microcontroller microcircuit core, having an arithmetic logic unit with an access width of 32 bits or more and any of the following features or characteristics:
Greek: «Τεχνολογία» σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας, άλλη από την προσδιοριζόμενη στο 3Ε001, για την «ανάπτυξη» ή «παραγωγή»«μικροκυκλωμάτων μικροεπεξεργαστών», «μικροκυκλωμάτων μικροϋπολογιστών» και πυρήνων μικροκυκλωμάτων μικροσυσκευών ελέγχου, με αριθμητική λογική μονάδα με εύρος προσπέλασης 32 bit και άνω και οποιοδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά:
English: a. A ‘vector processor unit’ designed to perform more than two calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously;
Greek: α. Περιλαμβάνει ‘διανυσματικό επεξεργαστή’ σχεδιασμένον ώστε να εκτελεί ταυτόχρονα περισσότερους από δύο υπολογισμούς επί διανυσμάτων κινητής υποδιαστολής (μονοδιάστατων πινάκων αριθμών 32 ή περισσότερων bit),
English: A ‘vector processor unit’ is a processor element with built-in instructions that perform multiple calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously, having at least one vector arithmetic logic unit.
Greek: ‘Διανυσματικός επεξεργαστής’ λέγεται ένα στοιχείο επεξεργαστή με ενσωματωμένες εντολές που εκτελεί ταυτόχρονα πολλούς υπολογισμούς επί διανυσμάτων κινητής υποδιαστολής (μονοδιάστατων πινάκων αριθμών 32 ή περισσότερων bit) και έχει τουλάχιστον μία αριθμητική λογική μονάδα.
English: b. Designed to perform more than two 64-bit or larger floating-point operation results per cycle; or
Greek: β. Είναι σχεδιασμένοι ώστε να εκτελούν περισσότερους από δύο υπολογισμούς εξαγομένων πράξεων κινητής υποδιαστολής 64 ή περισσότερων bit ανά κύκλο, ή
English: c. Designed to perform more than four 16-bit fixed-point multiply-accumulate results per cycle (e.g. digital manipulation of analogue information that has been previously converted into digital form, also known as digital “signal processing”).
Greek: γ. Είναι σχεδιασμένοι ώστε να εκτελούν περισσότερους από τέσσερις υπολογισμούς εξαγομένων πράξεων πολλαπλασιασμού και σωρευτικής άθροισης σταθερής υποδιαστολής 16 bit ανά κύκλο (π.χ. ψηφιακό χειρισμό αναλογικών πληροφοριών που έχουν προηγουμένως μετατραπεί σε ψηφιακή μορφή, το γνωστό και ως «ψηφιακή επεξεργασία σήματος»).
English: 002 does not control “technology” for the “development” or “production” of micro-processor cores, having all of the following:
Greek: Στο σημείο 3E002 δεν εμπίπτει η «τεχνολογία» για την «ανάπτυξη» ή «παραγωγή» πυρήνων μικροεπεξεργαστών με όλα τα παρακάτω χαρακτηριστικά:
English: 002 includes “technology” for digital signal processors and digital array processors.
Greek: Στο σημείο 3E002 εμπίπτει η «τεχνολογία» για ψηφιακούς επεξεργαστές σήματος και συστοιχίες ψηφιακών επεξεργαστών.
English: Other “technology” for the “development” or “production” of the following:
Greek: Άλλη «τεχνολογία» για την «ανάπτυξη» ή «παραγωγή» των παρακάτω:
English: b. Hetero-structure semiconductor devices such as high electron mobility transistors (HEMT), hetero-bipolar transistors (HBT), quantum well and super lattice devices;
Greek: β. Ετερο-δομικών συσκευών ημιαγωγών, όπως τρανζίστορ με υψηλή κινητικότητα ηλεκτρονίων (ΗΕΜΤ), ετεροδιπολικών τρανζίστορ (ΗΒΤ), συσκευών κβαντικού πηγαδιού και υπέρ πλέγματος (super lattice devices).
English: b. does not control “technology” for high electron mobility transistors (HEMT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz and hetero-junction bipolar transistors (HBT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz.
Greek: Στο σημείο 3Ε003.β. δεν υπάγεται η «τεχνολογία» για τρανζίστορ με υψηλή κινητικότητα ηλεκτρονίων (ΗΕΜΤ) που λειτουργούν σε συχνότητες κάτω των 31,8 GHz και για ετεροδιπολικά τρανζίστορ (ΗΒΤ) που λειτουργούν σε συχνότητες κάτω των 31,8 GHz.
English: e. Substrates of silicon-on-insulator (SOI) for integrated circuits in which the insulator is silicon dioxide;
Greek: ε. Υποστρωμάτων πυριτίου επί μονωτικού (SOI) για ολοκληρωμένα κυκλώματα, όπου το μονωτικό υλικό είναι διοξείδιο του πυριτίου, στ.
English: “Technology” according to the General Technology Note for the “use” of equipment or “software” specified in 3A001.a.1. or 2., 3A101, 3A102 or 3D101.
Greek: «Τεχνολογία» σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας για τη «χρήση» εξοπλισμού ή «λογισμικού» που καθορίζεται στα σημεία 3Α001.α.1. ή 2, 3Α101, 3Α102 ή 3D101.
English: “Technology” according to the General Technology Note for the “development” of “software” specified in 3D101.
Greek: «Τεχνολογία» σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας για την «ανάπτυξη» λογισμικού που καθορίζεται στο σημείο 3D101.
English: “Technology” according to the General Technology Note for the “use” of equipment specified in 3A001.e.2., 3A001.e.3., 3A001.g., 3A201, 3A225 to 3A233.
Greek: «Τεχνολογία» σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας για τη «χρήση» εξοπλισμού που καθορίζεται στα σημεία 3Α001.ε.2., 3Α001.ε.3., 3Α001.ζ., 3Α201, 3Α225 έως 3Α233.
English: Computers, related equipment and “software” performing telecommunications or “local area network” functions must also be evaluated against the performance characteristics of Category 5, Part 1 (Telecommunications).
Greek: Ηλεκτρονικοί υπολογιστές, συναφής εξοπλισμός και «λογισμικό» το οποίο εκτελεί λειτουργίες τηλεπικοινωνιών ή «τοπικού δικτύου» (δίκτυο LAN) θα πρέπει να ελεγχθούν σύμφωνα επίσης με τα χαρακτηριστικά απόδοσης της κατηγορίας 5, Μέρος 1 (Τηλεπικοινωνίες).
English: Control units which directly interconnect the buses or channels of central processing units, “main storage” or disk controllers are not regarded as telecommunications equipment described in Category 5, Part 1 (Telecommunications).
Greek: Οι μονάδες ελέγχου που διασυνδέουν απ ‘ευθείας τους διαδρόμους ή τους διαύλους των μονάδων κεντρικής επεξεργασίας, οι μονάδες ελέγχου της «κυρίως μνήμης» ή των δίσκων δεν θεωρούνται σαν εξοπλισμός τηλεπικοινωνιών όπως περιγράφεται στην κατηγορία 5, Μέρος 1o (Τηλεπικοινωνίες).
English: For the control status of “software” specially designed for packet switching, see 5D001.
Greek: Όσον αφορά τη διαβάθμιση ελέγχου του «λογισμικού» που έχει ειδικά σχεδιασθεί για μεταγωγή πακέτων βλέπε την κατηγορία 5D001.
English: Computers, related equipment and “software” performing cryptographic, cryptanalytic, certifiable multi-level security or certifiable user isolation functions, or which limit electromagnetic compatibility (EMC), must also be evaluated against the performance characteristics in Category 5, Part 2 (“Information Security”).
Greek: Ηλεκτρονικοί υπολογιστές, συναφής εξοπλισμός και «λογισμικό» που εκτελεί λειτουργίες κρυπτογράφησης, κρυπτανάλυσης, ασφάλειας πολλαπλών βαθμίδων που μπορεί να επιβεβαιωθεί, ή απομόνωσης χρηστών που επίσης μπορεί να βεβαιωθεί, ή που περιορίζουν την ηλεκτρομαγνητική συμβατότητα, πρέπει επίσης να ελεγχθούν σύμφωνα με τα χαρακτηριστικά απόδοσης της κατηγορίας 5, Μέρος 2 («Ασφάλεια πληροφοριών»).
English: Electronic computers and related equipment, having any of the following and “electronic assemblies” and specially designed components therefor:
Greek: Ηλεκτρονικοί υπολογιστές και συναφής εξοπλισμός, που έχουν οποιαδήποτε από τα κατωτέρω καθώς και «ηλεκτρονικά συγκροτήματα» και ειδικά σχεδιασμένα δομικά στοιχεία για τα συστήματα αυτά:
English: SEE ALSO 4A101.
Greek: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΟ 4Α101.
English: a. Specially designed to have any of the following:
Greek: α. Που έχουν ειδικά σχεδιασθεί ώστε να έχουν οποιοδήποτε από τα παρακάτω:
English: Rated for operation at an ambient temperature below 228 K (– 45 °C) or above 358 K (85 °C); or
Greek: Ονομαστική λειτουργία σε θερμοκρασία περιβάλλοντος κάτω από 228 Κ (– 45 °C) ή άνω των 358 Κ (85 °C), ή
English: a.1. does not control computers specially designed for civil automobile, railway train or “civil aircraft” applications.
Greek: Το σημείο 4Α001.α.1. δεν ελέγχει τους υπολογιστές που έχουν ειδικά σχεδιασθεί για εφαρμογές πολιτικών αυτοκινήτων ή σιδηροδρομικών συρμών ή «πολιτικών αεροσκαφών».
English: Dose Rate Upset 5 × 106 Gy (silicon)/s; or
Greek: Απότομη αλλαγή τουρυθμού ακτινοβολίας 5 ×106 Gy (πυρίτιο)/s· ή
English: Single Event Upset 1 × 10–8 Error/bit/day;
Greek: Απότομη αλλαγή από ένα και μόνο γεγονός 1 × 10–8 Λάθη/bit/ημέρα.
English: a.2. does not control computers specially designed for “civil aircraft” applications.
Greek: Το σημείο 4Α001.α.2. δεν ελέγχει τους υπολογιστές που έχουν ειδικά σχεδιασθεί για εφαρμογές «πολιτικών αεροσκαφών».
English: “Digital computers”, “electronic assemblies”, and related equipment therefor, as follows and specially designed components therefor:
Greek: «Ψηφιακοί υπολογιστές», «ηλεκτρονικά συγκροτήματα» και συναφής εξοπλισμός γι’ αυτούς, ως εξής, καθώς επίσης και ειδικά σχεδιασμένα δομικά στοιχεία γι’ αυτά:
English: 003 includes the following:
Greek: Το σημείο 4Α003 περιλαμβάνει τα ακόλουθα:
English: ‘Vector processors’;
Greek: Ανυσματικούς επεξεργαστές (vector processors),
English: Equipment designed for “image enhancement”;
Greek: Εξοπλισμό σχεδιασμένο για «βελτίωση εικόνων»,
English: Equipment designed for “signal processing”.
Greek: Εξοπλισμό σχεδιασμένο για «επεξεργασία σημάτων».
English: The control status of the “digital computers” and related equipment described in 4A003 is determined by the control status of other equipment or systems provided:
Greek: Η διαβάθμιση ελέγχου των «ψηφιακών υπολογιστών» και του συναφούς εξοπλισμού που περιγράφεται στο σημείο 4Α003 καθορίζεται από τη διαβάθμιση ελέγχου άλλου εξοπλισμού συστημάτων υπό τον όρο ότι:
English: The “digital computers” or related equipment are essential for the operation of the other equipment or systems;
Greek: Οι «ψηφιακοί υπολογιστές» ή ο συναφής εξοπλισμός είναι απολύτως απαραίτητοι για τη λειτουργία του λοιπού εξοπλισμού ή των λοιπών συστημάτων,
English: The “digital computers” or related equipment are not a “principal element” of the other equipment or systems; and
Greek: Οι «ψηφιακοί υπολογιστές» ή ο συναφής εξοπλισμός δεν αποτελούν «βασικό στοιχείο» του έτερου εξοπλισμού ή συστημάτων, και
English: The control status of “signal processing” or “image enhancement” equipment specially designed for other equipment with functions limited to those required for the other equipment is determined by the control status of the other equipment even if it exceeds the “principal element” criterion.
Greek: Η διαβάθμιση ελέγχου εξοπλισμού για «επεξεργασία σημάτων» ή «βελτίωση εικόνων» ειδικά σχεδιασμένου για άλλο εξοπλισμό με λειτουργίες που περιορίζονται σε αυτές που απαιτούνται για τον άλλο εξοπλισμό, καθορίζεται από τη διαβάθμιση ελέγχου του έτερου εξοπλισμού ακόμη κι αν υπερβαίνει το κριτήριο του «βασικού στοιχείου».
English: For the control status of “digital computers” or related equipment for telecommunications equipment, see Category 5, Part 1 (Telecommunications).
Greek: Για διαβάθμιση ελέγχου των «ψηφιακών υπολογιστών» ή συναφούς εξοπλισμού για εξοπλισμό τηλεπικοινωνιών βλέπε την κατηγορία 5, Μέρος 1 (Τηλεπικοινωνίες).
English: The “technology” for the “digital computers” and related equipment is determined by 4E.
Greek: Η «τεχνολογία» για τους «ψηφιακούς υπολογιστές» και το συναφή εξοπλισμό καθορίζεται στο σημείο 4Ε.
English: For the purposes of 4A003.a., “digital computers” and related equipment are not considered to be designed or modified for “fault tolerance” if they utilise any of the following:
Greek: Για τους σκοπούς του σημείου 4Α003.α., «οι ψηφιακοί υπολογιστές» και ο συναφής εξοπλισμός δεν θεωρούνται ότι έχουν σχεδιασθεί ή τροποποιηθεί για να παρέχουν «ανοχή λαθών» αν χρησιμοποιούν οιοδήποτε από τα ακόλουθα:
English: Error detection or correction algorithms in “main storage”;
Greek: Αλγόριθμους αναγνώρισης ή διόρθωσης λαθών που λειτουργούν στην «κύρια μνήμη».
English: The interconnection of two “digital computers” so that, if the active central processing unit fails, an idling but mirroring central processing unit can continue the system's functioning;
Greek: Τη διασύνδεση δύο «ψηφιακών υπολογιστών» έτσι ώστε, εάν σημειωθεί βλάβη στην ενεργό κεντρική μονάδα επεξεργασίας, να μπορεί να συνεχισθεί η λειτουργία του συστήματος από μία δεύτερη κεντρική μονάδα επεξεργασίας που παρακολουθεί τις λειτουργίες της πρώτης αλλά δεν είναι ενεργά συνδεδεμένη.
English: The synchronisation of two central processing units by “software” so that one central processing unit recognises when the other central processing unit fails and recovers tasks from the failing unit.
Greek: Το συγχρονισμό δύο κεντρικών μονάδων επεξεργασίας μέσω «λογισμικού» έτσι ώστε η μία κεντρική μονάδα επεξεργασίας να αναγνωρίζει πότε στην άλλη κεντρική μονάδα σημειώνεται βλάβη και να αναλαμβάνει τις λειτουργίες της μονάδας που έχει σταματήσει να λειτουργεί.
English: b. “Digital computers” having an “Adjusted Peak Performance” (“APP”) exceeding 1,5 Weighted TeraFLOPS (WT);
Greek: β. «Ψηφιακοί υπολογιστές» που έχουν «Προσαρμοσμένη Κορυφαία Απόδοση» («APP») άνω των 1,5 σταθμισμένων TeraFLOPS (WT),
English: c. “Electronic assemblies” specially designed or modified for enhancing performance by aggregation of processors so that the “APP” of the aggregation exceeds the limit specified in 4A003.b.;
Greek: γ. «Ηλεκτρονικά συγκροτήματα» που έχουν ειδικά σχεδιασθεί ή τροποποιηθεί ώστε να ενισχύουν την απόδοση με τη συγκέντρωση επεξεργαστών ούτως ώστε η «APP» του συγκροτήματος να υπερβαίνει το όριο που καθορίζεται στο σημείο 4Α003.β.,
English: c. controls only “electronic assemblies” and programmable interconnections not exceeding the limit specified in 4A003.b. when shipped as unintegrated “electronic assemblies”.
Greek: Το σημείο 4Α003.γ., ελέγχει μόνον «ηλεκτρονικά συγκροτήματα» και προγραμματιζόμενες διασυνδέσεις που δεν υπερβαίνουν το όριο που καθορίζεται στο σημείο 4Α003.β., όταν αποστέλλονται σαν μη ενσωματωμένα «ηλεκτρονικά συγκροτήματα».
English: It does not control “electronic assemblies” inherently limited by nature of their design for use as related equipment specified in 4A003.e.
Greek: Το σημείο αυτό δεν ελέγχει τα «ηλεκτρονικά συγκροτήματα» που περιορίζονται εγγενώς ως εκ της φύσεως της σχεδίασης τους να χρησιμοποιούνται σαν συναφής εξοπλισμός όπως αναφέρεται στο σημείο 4Α003.ε.