geopti/opus-en-el-eval-mixture huggingface dataset:
English: g. Ion Implantation is a surface modification coating process in which the element to be alloyed is ionised, accelerated through a potential gradient and implanted into the surface region of the substrate.
Greek: ζ. Εμφύτευση ιόντων είναι τεχνική επίχρισης με μετατροπή επιφανειών, κατά την οποία το προς κραματοποίηση στοιχείο ιονίζεται, επιταχύνεται μέσω διαβαθμιζόμενου δυναμικού και εμφυτεύεται στην επιφάνεια του υποστρώματος.
English: The control status of equipment and components described in 3A001 or 3A002, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10. or 3A001.a.12., which are specially designed for or which have the same functional characteristics as other equipment is determined by the control status of the other equipment.
Greek: Η διαβάθμιση ελέγχου του εξοπλισμού και των δομικών στοιχείων που περιγράφονται στο σημείο 3Α001 ή 3Α002, εκτός από όσα περιγράφονται στα εδάφια3A001.α.3. έως 3Α001.a.10. ή 3Α001.a.12., που έχουν σχεδιασθεί ειδικά, ή έχουν τα ίδια λειτουργικά χαρακτηριστικά όπως ο υπόλοιπος εξοπλισμός, καθορίζεται από τη διαβάθμιση ελέγχου του υπόλοιπου εξοπλισμού.
English: The control status of integrated circuits described in 3A001.a.3. to 3A001.a.9. or 3A001.a.12. which are unalterably programmed or designed for a specific function for another equipment is determined by the control status of the other equipment.
Greek: Η διαβάθμιση ελέγχου των ολοκληρωμένων κυκλωμάτων που περιγράφονται στα σημεία 3Α001.a.3. έως 3Α001.a.9. ή 3Α001.a.12., τα οποία έχουν προγραμματισθεί χωρίς δυνατότητα αλλαγής, ή έχουν σχεδιασθεί για μία επιμέρους λειτουργία άλλου εξοπλισμού, καθορίζεται από τη διαβάθμιση ελέγχου του υπόλοιπου εξοπλισμού.
English: When the manufacturer or applicant cannot determine the control status of the other equipment, the control status of the integrated circuits is determined in 3A001.a.3. to 3A001.a.9. and 3A001.a.12.
Greek: Όταν ο κατασκευαστής ή αυτός που υποβάλλει την αίτηση δεν μπορεί να καθορίσει τη διαβάθμιση ελέγχου του υπόλοιπου εξοπλισμού, η διαβάθμιση ελέγχου των ολοκληρωμένων κυκλωμάτων καθορίζεται στα σημεία 3Α001.a.3. έως 3Α001.a.9. και 3Α001.a.12.
English: The control status of wafers (finished or unfinished), in which the function has been determined, is to be evaluated against the parameters of 3A001.a.
Greek: Η διαβάθμιση ελέγχου των πλακιδίων (που έχουν υποστεί φινίρισμα ή όχι), στα οποία έχει καθοριστεί η λειτουργία, πρέπει να ελεγχθεί με τις παραμέτρους του σημείου 3Α001.α.
English: Integrated circuits include the following types:
Greek: Τα ολοκληρωμένα κυκλώματα περιλαμβάνουν τους ακόλουθους τύπους:
English: “Monolithic integrated circuits”;
Greek: «Μονολιθικά ολοκληρωμένα κυκλώματα»,
English: “Hybrid integrated circuits”;
Greek: «Υβριδικά ολοκληρωμένα κυκλώματα»,
English: “Multichip integrated circuits”;
Greek: «Ολοκληρωμένα κυκλώματα πολλαπλών μικροπλακετών»,
English: “Film type integrated circuits”, including silicon-on-sapphire integrated circuits;
Greek: «Ολοκληρωμένα κυκλώματα τύπου φιλμ», που περιλαμβάνουν ολοκληρωμένα κυκλώματα με πυρίτιο πάνω σε σάπφειρο,
English: “Optical integrated circuits”.
Greek: «Οπτικά ολοκληρωμένα κυκλώματα».
English: b. A dose rate upset of 5 × 106 Gy (silicon)/s or higher; or
Greek: β. Διαταραχή ρυθμού ακτινοβολίας τουλάχιστον 5 × 106 Gy (πυρίτιο)/s ή υψηλότερη, ή
English: c. A fluence (integrated flux) of neutrons (1 MeV equivalent) of 5 × 1013 n/cm2 or higher on silicon, or its equivalent for other materials;
Greek: γ. Ολοκληρωμένη ροή νετρονίων (ισοδύναμο 1 MeV) τουλάχιστον 5 × 1013 n/cm2 σε πυρίτιο, και το αντίστοιχο σε άλλα υλικά,
English: “Microprocessor microcircuits”, “microcomputer microcircuits”, microcontroller microcircuits, storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor, analogue-to-digital converters, digital-to-analogue converters, electro-optical or “optical integrated circuits” designed for “signal processing”, field programmable logic devices, custom integrated circuits for which either the function is unknown or the control status of the equipment in which the integrated circuit will be used is unknown, Fast Fourier Transform (FFT) processors, electrical erasable programmable read-only memories (EEPROMs), flash memories or static random-access memories (SRAMs), having any of the following:
Greek: «Μικροκυκλώματα με μικροεπεξεργαστές», «μικροκυκλώματα μικροϋπολογιστών» και μικροκυκλώματα για μικροσυσκευές ελέγχου, ολοκληρωμένα κυκλώματα μνήμης κατασκευασμένα από σύνθετο ημιαγωγό, μετατροπείς αναλογικού σε ψηφιακό, μετατροπείς ψηφιακού σε αναλογικό, ηλεκτρο-οπτικά ή «οπτικά ολοκληρωμένα κυκλώματα» σχεδιασμένα για «επεξεργασία σημάτων», προγραμματιζόμενες λογικές διατάξεις πεδίου (field programmable logic devices), ολοκληρωμένα κυκλώματα κατασκευασμένα κατά παραγγελία, για τα οποία είτε είναι άγνωστη η λειτουργία είτε αγνοείται η διαβάθμιση ελέγχου του εξοπλισμού, στον οποίον θα χρησιμοποιηθούν τα ολοκληρωμένα κυκλώματα, επεξεργαστές ταχέος μετασχηματισμού Fourier (FFT), ηλεκτρικά αποσβέσιμες και προγραμματιζόμενες μνήμες ανάγνωσης μόνο (EEPROM), στιγμιαίες μνήμες ή στατικές μνήμες RAM (SRAM) που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
English: a. Rated for operation at an ambient temperature above 398 K (125 °C);
Greek: α. Καθορισμένα να λειτουργούν σε θερμοκρασία περιβάλλοντος άνω των 398 K (125 °C),
English: b. Rated for operation at an ambient temperature below 218 K (– 55 °C); or
Greek: β. Καθορισμένα να λειτουργούν σε θερμοκρασία περιβάλλοντος κάτω των 218 K (– 55 °C), ή
English: c. Rated for operation over the entire ambient temperature range from 218 K (– 55 °C) to 398 K (125 °C);
Greek: γ. Καθορισμένα να λειτουργούν στο σύνολο της περιοχής θερμοκρασιών περιβάλλοντος από 218 K (– 55 °C) έως 398 K (125 °C).
English: a.2. does not apply to integrated circuits for civil automobiles or railway train applications.
Greek: Το σημείο 3Α001.α.2. δεν εφαρμόζεται στα ολοκληρωμένα κυκλώματα που προορίζονται για πολιτικά αυτοκίνητα ή για σιδηροδρόμους.
English: “Microprocessor microcircuits”, “microcomputer microcircuits” and microcontroller microcircuits, manufactured from a compound semiconductor and operating at a clock frequency exceeding 40 MHz;
Greek: «Μικροκυκλώματα με μικροεπεξεργαστές», «μικροκυκλώματα μικροϋπολογιστών» και μικροκυκλώματα για μικροσυσκευές ελέγχου, που κατασκευάζονται από σύνθετο ημιαγωγό και με λειτουργία σε συχνότητα χρονισμού άνω των 40 MHz.
English: a.3. includes digital signal processors, digital array processors and digital coprocessors.
Greek: Το σημείο 3Α001.α.3. περιλαμβάνει ψηφιακούς επεξεργαστές σημάτων, ψηφιακούς πολυεπεξεργαστές (array processors) και ψηφιακούς συνεπεξεργαστές (digital coprocessors).
English: Analogue-to-Digital Converter (ADC) and Digital-to-Analogue Converter (DAC) integrated circuits, as follows:
Greek: Ολοκληρωμένα κυκλώματα μετατροπής αναλογικού σε ψηφιακό και ψηφιακού σε αναλογικό, ως εξής:
English: SEE ALSO 3A101
Greek: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 3Α101.
English: A resolution of 8 bit or more, but less than 10 bit, with an output rate greater than 500 million words per second;
Greek: Διακριτική ικανότητα τουλάχιστον 8 bit αλλά μικρότερη των 10 bit, με ρυθμό εξόδου ανώτερο των 500 εκατ. λέξεων ανά δευτερόλεπτο,
English: A resolution of 10 bit or more, but less than 12 bit, with an output rate greater than 300 million words per second;
Greek: Διακριτική ικανότητα τουλάχιστον 10 bit αλλά μικρότερη των 12 bit, με ρυθμό εξόδου ανώτερο των 300 εκατ. λέξεων ανά δευτερόλεπτο,
English: A resolution of 12 bit with an output rate greater than 200 million words per second;
Greek: Διακριτική ικανότητα 12 bit, με ρυθμό εξόδου ανώτερο των 200 εκατ. λέξεων ανά δευτερόλεπτο,
English: A resolution of more than 12 bit, but equal to or less than 14 bit, with an output rate greater than 125 million words per second; or
Greek: Διακριτική ικανότητα άνω των 12 bit αλλά το πολύ 14 bit, με ρυθμό εξόδου ανώτερο των 125 εκατ. λέξεων ανά δευτερόλεπτο, ή
English: A resolution of more than 14 bit with an output rate greater than 20 million words per second;
Greek: Διακριτική ικανότητα άνω των 14 bit, με ρυθμό εξόδου ανώτερο των 20 εκατ. λέξεων ανά δευτερόλεπτο,
English: The number of bits in the output word is equal to the resolution of the ADC.
Greek: Ο αριθμός bit στη λέξη εξόδου ισούται προς τη διακριτική ικανότητα του μετατροπέα ψηφιακού σε αναλογικό.
English: For ‘multiple channel ADCs’, the outputs are not aggregated and the output rate is the maximum output rate of any single channel.
Greek: Για τους ‘ADC πολλαπλών διαύλων’, τα εξερχόμενα σήματα δεν αθροίζονται, ως ρυθμός δε εξόδου λαμβάνεται ο μεγαλύτερος ρυθμός εξόδου των επιμέρους διαύλων.
English: For ‘interleaved ADCs’ or for ‘multiple channel ADCs’ that are specified to have an interleaved mode of operation, the outputs are aggregated and the output rate is the maximum combined total output rate of all of the outputs.
Greek: Για ‘αλληλένθετους ADC’ ή ‘ADC πολλαπλών διαύλων’ που προσδιορίζονται ως έχοντες αλληλένθετη λειτουργία, τα εξερχόμενα σήματα αθροίζονται, ως ρυθμός δε εξόδου λαμβάνεται ο μέγιστος συνδυασμένος συνολικός ρυθμός εξόδου όλων των εξόδων.
English: Vendors may also refer to the output rate as sampling rate, conversion rate or throughput rate.
Greek: Οι πωλητές μπορούν επίσης να αναφέρουν τον ρυθμό εξόδου ως ρυθμό δειγματοληψίας ή ως ρυθμό διεκπεραίωσης.
English: It is often specified in megahertz (MHz) or mega samples per second (MSPS).
Greek: Ο ρυθμός αυτός εκφράζεται συχνά ως megahertz (MHz) ή ως μεγαδείγματα ανά δευτερόλεπτο (MSPS).
English: For the purpose of measuring output rate, one output word per second is equivalent to one Hertz or one sample per second.
Greek: Για τη μέτρηση του ρυθμού εξόδου, μια λέξη εξόδου ανά δευτερόλεπτο ισοδυναμεί προς ένα Hertz ή προς ένα δείγμα ανά δευτερόλεπτο.
English: ‘Multiple channel ADCs’ are defined as devices which integrate more than one ADC, designed so that each ADC has a separate analogue input.
Greek: Ως ‘ADC πολλαπλών διαύλων’ ορίζονται οι συσκευές όπου συνενώνονται δύο ή περισσότεροι ADC, σχεδιασμένες κατά τρόπον ώστε κάθε ADC να έχει ξεχωριστή αναλογική είσοδο.
English: ‘Interleaved ADCs’ are defined as devices which have multiple ADC units that sample the same analogue input at different times such that when the outputs are aggregated, the analogue input has been effectively sampled and converted at a higher sampling rate.
Greek: Ως ‘αλληλένθετοι ADC’ ορίζονται οι συσκευές με πολλαπλές μονάδες ADC που παίρνουν δείγματα από ένα και το αυτό αναλογικό σήμα εισόδου σε διαφορετικές στιγμές, ούτως ώστε η συνομαδοποίηση των εξόδων να οδηγεί στην πράξη σε δειγματοληψία και μετατροπή του σήματος εισόδου με μεγαλύτερο ρυθμό δειγματοληψίας.
English: b. Digital-to-Analogue Converters (DAC) having any of the following:
Greek: β. Μετατροπείς ψηφιακού προς αναλογικό (DAC) με οιοδήποτε από τα εξής:
English: A resolution of 10 bit or more with an ‘adjusted update rate’ of 3500 MSPS or greater; or
Greek: Διακριτική ικανότητα 10 bit και άνω με ‘προσαρμοσμένο ρυθμό ενημέρωσης’3500 MSPS και άνω,
English: A resolution of 12 bit or more with an ‘adjusted update rate’ of equal to or greater than 1250 MSPS and having any of the following:
Greek: Διακριτική ικανότητα 12 bit και άνω με ‘προσαρμοσμένο ρυθμό ενημέρωσης’1250 MSPS και άνω και οποιοδήποτε από τα εξής:
English: a. A settling time less than 9 ns to 0,024 % of full scale from a full scale step; or
Greek: α. Χρόνο επανόδου από βήμα πλήρους κλίμακας στο 0,024 % της πλήρους κλίμακας κάτω των 9 ns, ή
English: b. A ‘Spurious Free Dynamic Range’ (SFDR) greater than 68 dBc (carrier) when synthesising a full scale analogue signal of 100 MHz or the highest full scale analogue signal frequency specified below 100 MHz.
Greek: β. ‘Ψευδοελεύθερο δυναμικό εύρος’ (SFDR) άνω των 68 dBc (φέροντος) κατά τη σύνθεση αναλογικού σήματος πλήρους κλίμακας 100 MHz ή της μαγαλύτερης προσδιορισμένης συχνότητας κάτω των 100 MHz.
English: ‘Spurious Free Dynamic Range’ (SFDR) is defined as the ratio of the RMS value of the carrier frequency (maximum signal component) at the input of the DAC to the RMS value of the next largest noise or harmonic distortion component at its output.
Greek: Ως ‘Ψευδοελεύθερο δυναμικό εύρος’ (SFDR) ορίζεται ο λόγος της τετραγωνικής μέσης τιμής της συχνότητας του φέροντος (μέγιστη συνιστώσα σήματος) στην είσοδο του DAC προς την τετραγωνική μέση τιμή της αμέσως μεγαλύτερης συνιστώσας θορύβου ή αρμονικής παραμόρφωσης στην έξοδο.
English: SFDR is determined directly from the specification table or from the characterisation plots of SFDR versus frequency.
Greek: Το SFDR προσδιορίζεται απευθείας από τον πίνακα προδιαγραφών ή από τα γραφήματα χαρακτηρισμού SFDR/συχνότητας.
English: A signal is defined to be full scale when its amplitude is greater than – 3 dBfs (full scale).
Greek: Ως σήμα πλήρους κλίμακας ορίζεται το σήμα που έχει πλάτος άνω των – 3 dBfs (fs = full scale = πλήρης κλίμακα).
English: ‘Adjusted update rate’ for DACs:
Greek: Ως ‘προσαρμοσμένος ρυθμός ενημέρωσης’ για τους DAC ορίζεται:
English: For conventional (non-interpolating) DACs, the ‘adjusted update rate’ is the rate at which the digital signal is converted to an analogue signal and the output analogue values are changed by the DAC.
Greek: Για μεν τους συμβατικούς (μη παρεμβάλλοντες) DAC, η ταχύτητα με την οποία μετατρέπεται σε αναλογικό το ψηφιακό σήμα και μεταβάλλονται από τον DAC οι αναλογικές τιμές εξόδου.
English: For DACs where the interpolation mode may be bypassed (interpolation factor of one), the DAC should be considered as a conventional (non-interpolating) DAC.
Greek: Οι DAC που επιτρέπουν παράκαμψη της λειτουργίας παρεμβολής (παράγοντας παρεμβολής 1) θεωρούνται συμβατικοί (μη παρεμβάλλοντες) DAC.
English: For interpolating DACs (oversampling DACs), the ‘adjusted update rate’ is defined as the DAC update rate divided by the smallest interpolating factor.
Greek: Για δε τους παρεμβάλλοντες (υπερδειγματοληπτικούς) DAC, ο λόγος του ρυθμού ενημέρωσης του DAC προς το μικρότερο παράγοντα παρεμβολής.
English: For interpolating DACs, the ‘adjusted update rate’ may be referred to by different terms including:
Greek: Ο ‘προσαρμοσμένος ρυθμός ενημέρωσης’ των παρεμβαλλόντων DAC μπορεί να αναφέρεται και με άλλες ονομασίες, όπως μεταξύ άλλων:
English: Electro-optical and “optical integrated circuits”, designed for “signal processing” and having all of the following:
Greek: Ηλεκτρο-οπτικά ή «οπτικά ολοκληρωμένα κυκλώματα» για «επεξεργασία σημάτων» που έχουν όλα τα ακόλουθα:
English: b. One or more than one internal light detecting element; and
Greek: β. Ένα ή περισσότερα εσωτερικά δομικά στοιχεία για την ανίχνευση φωτός, και
English: ‘Field programmable logic devices’ having either of the following:
Greek: ‘Προγραμματιζόμενες λογικές διατάξεις πεδίου’ (field programmable logic devices) που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
English: ‘Field programmable logic devices’ are also known as field programmable gate or field programmable logic arrays.
Greek: Ο τρίτος και τέταρτος όρος είναι άλλες ονομασίες των ‘προγραμματιζόμενων λογικών διατάξεων πεδίου’.
English: Custom integrated circuits for which the function is unknown, or the control status of the equipment in which the integrated circuits will be used is unknown to the manufacturer, having any of the following:
Greek: Ολοκληρωμένα κυκλώματα κατασκευασμένα κατά παραγγελία, για τα οποία είτε είναι άγνωστη η λειτουργία είτε ο κατασκευαστής αγνοεί τη διαβάθμιση ελέγχου του εξοπλισμού στον οποίον θα χρησιμοποιηθούν τα ολοκληρωμένα κυκλώματα και τα οποία έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
English: b. A typical “basic gate propagation delay time” of less than 0,02 ns; or
Greek: β. Χαρακτηριστικό «βασικό χρόνο διαβάσεως πύλης» χαμηλότερο από 0,02 ns, ή
English: Digital integrated circuits, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10. and 3A001.a.12., based upon any compound semiconductor and having either of the following:
Greek: Ψηφιακά ολοκληρωμένα κυκλώματα, εκτός αυτών που περιγράφονται στα σημεία 3Α001.α.3. έως 3Α001.α.10. και 3Α001.α.12., που έχουν κατασκευασθεί από οποιονδήποτε μεικτό ημιαγωγό και παρουσιάζουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
English: a. An equivalent gate count of more than 3000 (2 input gates); or
Greek: α. Ισοδύναμο χρησιμοποιήσιμο αριθμό θυρών μεγαλύτερο από 3000 (για 2 θύρες εισόδου), ή
English: Fast Fourier Transform (FFT) processors having a rated execution time for an N-point complex FFT of less than (N log2 N) /20480 ms, where N is the number of points;
Greek: Επεξεργαστές ταχέος μετασχηματισμού Fourier (Fast Fourier Transform — FFT) με ονομαστικό χρόνο εκτέλεσης για σύνθετη FFT Ν σημείων, κάτω του (N log2N)/20480 ms, όπου N είναι ο αριθμός των σημείων.
English: When N is equal to 1024 points, the formula in 3A001.a.12. gives an execution time of 500 μs.
Greek: Όταν Ν = 1024 σημεία, ο τύπος του σημείου 3Α001.α.12. δίνει χρόνο εκτέλεσης 500 μs.
English: b.1. does not control tubes designed or rated for operation in any frequency band and having both of the following:
Greek: Στο σημείο 3Α001.β.1. δεν υπάγονται οι λυχνίες που έχουν σχεδιασθεί ή καθορίζονται για λειτουργία σε ζώνες συχνοτήτων και έχουν αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
English: Is “allocated by the ITU” for radio-communications services, but not for radio-determination.
Greek: Έχουν «διατεθεί από την ITU» για υπηρεσίες ραδιοεπικοινωνιών αλλά όχι για ραδιοεντοπισμό.
English: b.1. does not control non-“space-qualified” tubes having all of the following:
Greek: Στο σημείο 3Α001.β.1., δεν υπάγονται οι «ακατάλληλες για διαστημική χρήση» λυχνίες που έχουν όλα τα παρακάτω:
English: Tubes operating at frequencies exceeding 31,8 GHz;
Greek: Λυχνίες που λειτουργούν σε συχνότητες άνω των 31,8 GHz.
English: Coupled cavity tubes, or derivatives thereof, with a “fractional bandwidth” of more than 7 % or a peak power exceeding 2,5 kW;
Greek: Συζευγμένες λυχνίες cavity ή παράγωγά τους, με «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 7 % ή ισχύ αιχμής άνω των 2,5 kW.
English: a. An “instantaneous bandwidth” of more than one octave, and average power (expressed in kW) times frequency (expressed in GHz) of more than 0,5;
Greek: α. «Στιγμιαίο εύρος ζώνης» άνω της μιας οκτάβας και γινόμενο μεταξύ της μέσης ισχύος (εκφρασμένης σε kw) και της συχνότητας (εκφρασμένης σε GHz) ανώτερο από 0,5,
English: b. An “instantaneous bandwidth” of one octave or less, and average power (expressed in kW) times frequency (expressed in GHz) of more than 1; or
Greek: β. «Στιγμιαίο εύρος ζώνης» το πολύ μια οκτάβα, και γινόμενο της μέσης ισχύος (εκφρασμένης σε kW) και συχνότητας (εκφρασμένης σε GHz) πάνω από 1, ή
English: b. Crossed-field amplifier tubes with a gain of more than 17 dB;
Greek: β. Ενισχυτικές λυχνίες διασταυρωμένου πεδίου με απολαβή άνω των 17 dB.
English: c. Impregnated cathodes designed for electronic tubes producing a continuous emission current density at rated operating conditions exceeding 5 A/cm2;
Greek: γ. Εμποτισμένες κάθοδοι (impregnated cathodes) για ηλεκτρονικές λυχνίες που παράγουν σταθερή πυκνότητα ροής ρεύματος σε συνθήκες προκαθορισμένης λειτουργίας η οποία ξεπερνά τα 5 A/cm2.
English: Microwave “Monolithic Integrated Circuits” (MMIC) power amplifiers having any of the following:
Greek: Ενισχυτές ισχύος με «μονολιθικά ολοκληρωμένα κυκλώματα» μικροκυμάτων, με οποιοδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά:
English: a. Rated for operation at frequencies exceeding 3,2 GHz up to and including 6,8 GHz and with an average output power greater than 4 W (36 dBm) with a “fractional bandwidth” greater than 15 %;
Greek: α. εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 3,2 GHz μέχρι και 6,8 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω των 4 W (36 dBm) και «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 15 %,
English: b. Rated for operation at frequencies exceeding 6,8 GHz up to and including 16 GHz and with an average output power greater than 1 W (30 dBm) with a “fractional bandwidth” greater than 10 %;
Greek: β. εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 6,8 GHz μέχρι και 16 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω του 1 W (30 dBm) και «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 10 %,
English: c. Rated for operation at frequencies exceeding 16 GHz up to and including 31,8 GHz and with an average output power greater than 0,8 W (29 dBm) with a “fractional bandwidth” greater than 10 %;
Greek: γ. εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 16 GHz μέχρι και 31,8 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω των 0,8 W (29 dBm) και «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 10 %,
English: d. Rated for operation at frequencies exceeding 31,8 GHz up to and including 37,5 GHz and with an average output power greater than 0,1 nW;
Greek: δ. εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 31,8 GHz μέχρι και 37,5 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω των 0,1 nW,
English: e. Rated for operation at frequencies exceeding 37,5 GHz up to and including 43,5 GHz and with an average output power greater than 0,25 W (24 dBm) with a “fractional bandwidth” greater than 10 %; or
Greek: ε. εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 37,5 GHz μέχρι και 43,5 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω των 0,25 W (24 dBm) και «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 10 %, ή
English: f. Rated for operation at frequencies exceeding 43,5 GHz and with an average output power greater than 0,1 nW;
Greek: στ. εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 43,5 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω των 0,1 nW.
English: The control status of the MMIC whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.2.a. to 3A001.b.2.f., is determined by the lowest average output power control threshold.
Greek: Το καθεστώς ελέγχου των μονολιθικών ολοκληρωμένων κυκλωμάτων μικροκυμάτων, οι ονομαστικές συχνότητες λειτουργίας των οποίων περιλαμβάνουν συχνότητες περιεχόμενες σε περισσότερες από μία ζώνες συχνοτήτων, κατά τα οριζόμενα στα σημεία 3A001.β.2.α. έως 3Α001.β.2.στ., καθορίζεται βάσει του χαμηλότερου από τα όρια μέσης ισχύος εξόδου που αντιστοιχούν στις οικείες ζώνες.
English: Notes 1 and 2 in 3A mean that 3A001.b.2. does not control MMICs if they are specially designed for other applications, e.g. telecommunications, radar, automobiles.
Greek: Οι σημειώσεις 1 και 2 στο κεφάλαιο 3A σημαίνουν ότι με το σημείο 3A001.β.2. δεν τίθενται υπό έλεγχο τα μονολιθικά ολοκληρωμένα κυκλώματα μικροκυμάτων όταν είναι ειδικά σχεδιασμένα για άλλες εφαρμογές, όπως π.χ. τηλεπικοινωνίες, ραντάρ, αυτοκίνητα.
English: a. Rated for operation at frequencies exceeding 3,2 GHz up to and including 6,8 GHz and having an average output power greater than 60 W (47,8 dBm);
Greek: α. εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 3,2 GHz μέχρι και 6,8 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω των 60 W (47,8 dBm),
English: b. Rated for operation at frequencies exceeding 6,8 GHz up to and including 31,8 GHz and having an average output power greater than 20 W (43 dBm);
Greek: β. εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 6,8 GHz μέχρι και 31,8 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω των 20 W (43 dBm),
English: c. Rated for operation at frequencies exceeding 31,8 GHz up to and including 37,5 GHz and having an average output power greater than 0,5 W (27 dBm);
Greek: γ. εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 31,8 GHz μέχρι και 37,5 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω των 0,5 W (27 dBm),
English: d. Rated for operation at frequencies exceeding 37,5 GHz up to and including 43,5 GHz and having an average output power greater than 1 W (30 dBm); or
Greek: δ. εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 37,5 GHz μέχρι και 43,5 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω του 1 W (30 dBm), ή
English: e. Rated for operation at frequencies exceeding 43,5 GHz and having an average output power greater than 0,1 nW;
Greek: ε. εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 43,5 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω των 0,1 nW.
English: The control status of a transistor whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.3.a. to 3A001.b.3.e., is determined by the lowest average output power control threshold.
Greek: Το καθεστώς ελέγχου των τρανζίστορ οι ονομαστικές συχνότητες λειτουργίας των οποίων περιλαμβάνουν συχνότητες περιεχόμενες σε περισσότερες από μία ζώνες συχνοτήτων, κατά τα οριζόμενα στα σημεία 3A001.β.3.α., έως 3Α001β.3.ε., καθορίζεται βάσει του χαμηλότερου από τα όρια μέσης ισχύος εξόδου που αντιστοιχούν στις οικείες ζώνες.