geopti/opus-en-el-eval-mixture huggingface dataset:
English: For those instruments with a parallel bus architecture, the ‘continuous throughput’ rate is the highest word rate multiplied by the number of bits in a word.
Greek: Για όργανα με αρτηρία (bus) παραλλήλου αρχιτεκτονικής, ο ρυθμός ‘συνεχούς διεκπεραίωσης’ είναι ο υψηλότερος ρυθμός λέξεων πολλαπλασιασμένος επί τον αριθμό bits σε μια λέξη.
English: ‘Continuous throughput’ is the fastest data rate the instrument can output to mass storage without the loss of any information whilst sustaining the sampling rate and analogue-to-digital conversion.
Greek: ‘Συνεχής διεκπεραίωση’ είναι ο ταχύτερος ρυθμός δεδομένων τον οποίο το όργανο μπορεί να προωθήσει στην εκροή προς τη μαζική μνήμη, χωρίς απώλεια πληροφοριών, διατηρώντας παράλληλα τον ρυθμό δειγματοληψίας και τη μετατροπή αναλογικού προς ψηφιακό.
English: Digital instrumentation data recorders using magnetic disk storage technique and having both of the following:
Greek: Καταγραφείς δεδομένων με ψηφιακά όργανα που χρησιμοποιούν τεχνικές αποθήκευσης με μαγνητικούς δίσκους και έχουν αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
English: a. Digitising rate equal to or more than 100 million samples per second and a resolution of 8 bit or more; and
Greek: α. Ρυθμό ψηφιακής μετατροπής τουλάχιστον 100 εκατ. δείγματα ανά δευτερόλεπτο και διακριτική ικανότητα τουλάχιστον 8 bit, και
English: “Signal analysers” having a 3 dB resolution bandwidth (RBW) exceeding 10 MHz anywhere within the frequency range exceeding 31,8 GHz but not exceeding 37,5 GHz;
Greek: «Συστήματα ανάλυσης σημάτων» και με διακριτική ικανότητα εύρους ζώνης (RBW) 3 dB άνω των 10 MHz οπουδήποτε εντός της ζώνης συχνοτήτων άνω των 31,8 GHz αλλά όχι άνω των 37,5 GHz,
English: “Signal analysers” having Displayed Average Noise Level (DANL) less (better) than - 150 dBm/Hz anywhere within the frequency range exceeding 43,5 GHz but not exceeding 70 GHz;
Greek: «Συστήματα ανάλυσης σημάτων» με αναγραφόμενη μέση στάθμη θορύβου (DANL) κάτω των (καλύτερη από) – 150 dBm/Hz οπουδήποτε εντός της ζώνης συχνοτήτων άνω των 43,5 GHz αλλά όχι άνω των 70 GHz,
English: “Signal analysers” having a frequency exceeding 70 GHz;
Greek: «Συστήματα ανάλυσης σημάτων» με συχνότητα άνω των 70 GHz,
English: “Dynamic signal analysers” having a “real-time bandwidth” exceeding 40 MHz;
Greek: «Συστήματα δυναμικής ανάλυσης σημάτων» με «εύρος ζώνης πραγματικού χρόνου» ανώτερο από 40 MHz,
English: c.4. does not control those “dynamic signal analysers” using only constant percentage bandwidth filters (also known as octave or fractional octave filters).
Greek: Στο σημείο 3Α002.γ.4. δεν υπάγονται τα «συστήματα δυναμικής ανάλυσης σημάτων» που χρησιμοποιούν μόνο φίλτρα σταθερού ποσοστιαίου εύρους ζώνης (γνωστά και σαν φίλτρα οκτάβας ή κλασματικής οκτάβας).
English: d. Frequency synthesised signal generators producing output frequencies, the accuracy and short term and long term stability of which are controlled, derived from or disciplined by the internal master reference oscillator, and having any of the following:
Greek: δ. Γεννήτριες σημάτων με σύνθεση συχνοτήτων που παράγουν συχνότητες εξόδου με ακρίβεια και βραχυπρόθεσμη και μακροπρόθεσμη σταθερότητα που ελέγχεται, παράγεται ή διορθώνεται από τον εσωτερικό ταλαντευτή αναφοράς και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
English: Specified to generate a ‘pulse duration’ of less than 100 ns anywhere within the synthesised frequency range exceeding 31,8 GHz but not exceeding 70 GHz;
Greek: Προδιαγεγραμμένες για την παραγωγή ‘παλμών διαρκείας’ < 100 ns οπουδήποτε εντός της ζώνης συντιθέμενων συχνοτήτων άνω των 31,8 GHz και μέχρι και 70 GHz,
English: An output power exceeding 100 mW (20 dBm) anywhere within the synthesised frequency range exceeding 43,5 GHz but not exceeding 70 GHz;
Greek: Ισχύ εξόδου άνω των 100 mW (20) dBm) οπουδήποτε εντός της ζώνης συντιθέμενων συχνοτήτων άνω των 43,5 GHz και μέχρι και 70 GHz,
English: A “frequency switching time” as specified by any of the following:
Greek: «Χρόνο μεταγωγής συχνότητας» προσδιοριζόμενο από οποιοδήποτε από τα εξής:
English: d. Less than 500 μs for any frequency change exceeding 550 MHz within the synthesised frequency range exceeding 31,8 GHz but not exceeding 43,5 GHz;
Greek: δ. κάτω των 500 μs για οποιαδήποτε αλλαγή συχνότητας άνω των 550 MHz εντός της ζώνης συντιθέμενων συχνοτήτων από 31,8 GHz μέχρι και 43,5 GHz,
English: e. Less than 1 ms for any frequency change exceeding 550 MHz within the synthesised frequency range exceeding 43,5 GHz but not exceeding 56 GHz; or
Greek: ε. κάτω του 1 ms για οποιαδήποτε αλλαγή συχνότητας άνω των 550 MHz εντός της ζώνης συντιθέμενων συχνοτήτων από 43,5 GHz μέχρι και 56 GHz, ή
English: f. Less than 1 ms for any frequency change exceeding 2,2 GHz within the synthesised frequency range exceeding 56 GHz but not exceeding 70 GHz;
Greek: στ. κάτω του 1 ms για οποιαδήποτε αλλαγή συχνότητας άνω των 2,2 GHz εντός της ζώνης συντιθέμενων συχνοτήτων από 56 GHz μέχρι και 70 GHz,
English: At synthesised frequencies exceeding 3,2 GHz but not exceeding 70 GHz, and having both of the following:
Greek: Συχνότητες που προκύπτουν από σύνθεση άνω των 3,2 GHz και μέχρι και 70 GHz, και έχουν αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
English: a. A single sideband (SSB) phase noise, in dBc/Hz, better than –(126 + 20log10F - 20log10f) for 10 Hz < F < 10 kHz; and
Greek: α. Θόρυβο φάσης απλής πλευρικής ζώνης (SSB), σε dBc/Hz, καλύτερο από –(126 + 20log10F-20log10f) για 10 Hz < F < 10 kHz· και
English: b. A single sideband (SSB) phase noise, in dBc/Hz, better than –(114 + 20log10F - 20log10f) for 10 kHz ≤ F < 500 kHz; or
Greek: β. Θόρυβο φάσης απλής πλευρικής ζώνης (SSB), σε dBc/Hz, καλύτερο από –(114 + 20log10F-20log10f) για 10 kHz < F < 500 kHz, ή
English: A maximum synthesised frequency exceeding 70 GHz;
Greek: Ανώτατη συντιθέμενη συχνότητα άνω των 70 GHz.
English: For the purpose of 3A002.d., frequency synthesised signal generators include arbitrary waveform and function generators.
Greek: Για τους σκοπούς του σημείου 3A002.δ., στις γεννήτριες σημάτων με σύνθεση συχνοτήτων περιλαμβάνονται οι γεννήτριες σημάτων τυχούσας κυματομορφής και συνάρτησης.
English: d. does not control equipment in which the output frequency is either produced by the addition or subtraction of two or more crystal oscillator frequencies, or by an addition or subtraction followed by a multiplication of the result.
Greek: Στο σημείο 3Α002.δ. δεν ελέγχεται ο εξοπλισμός στον οποίο η συχνότητα εξόδου παράγεται, είτε μέσω της πρόσθεσης ή αφαίρεσης δύο ή περισσοτέρων συχνοτήτων που παράγει κρυσταλλικός ταλαντωτής, είτε από την πρόσθεση ή αφαίρεση την οποία ακολουθεί πολλαπλασιασμός του αποτελέσματος.
English: Arbitrary waveform and function generators are normally specified by sample rate (e.g. GSample/s), which is converted to the RF domain by the Nyquist factor of two.
Greek: Οι γεννήτριες σημάτων τυχούσας κυματομορφής και συνάρτησης προσδιορίζονται συνήθως με τη συχνότητα δειγματισμού των (π.χ. σε γιγαδείγματα ανά δευτερόλεπτο), η οποία μετατρέπεται στον χώρο των ραδιοσυχνοτήτων με τον παράγοντα Nyquist 2.
English: For the purposes of 3A002.d.1., ‘pulse duration’ is defined as the time interval between the leading edge of the pulse achieving 90 % of the peak and the trailing edge of the pulse achieving 10 % of the peak.
Greek: Για το σημείο 3Α002.δ.1. ως ‘διάρκεια παλμού’ ορίζεται το χρονικό διάστημα μεταξύ του πρότερου άκρου του παλμού που αντιστοιχεί στο 90 % του μεγίστου και του ύστερου άκρου του παλμού που αντιστοιχεί στο 10 % του μεγίστου.
English: Maximum operating frequency exceeding 43,5 GHz and output power exceeding 31,62 mW (15 dBm); or
Greek: Μέγιστη λειτουργική συχνότητα άνω των 43,5 GHz και ισχύ εξόδου άνω των 31,62 mW (15 dBm), ή
English: Maximum operating frequency exceeding 70 GHz;
Greek: Μέγιστη λειτουργική συχνότητα άνω των 70 GHz. στ.
English: f. Microwave test receivers having both of the following:
Greek: Δοκιμαστικοί μικροκυματικοί δέκτες που έχουν αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
English: A maximum operating frequency exceeding 43,5 GHz; and
Greek: Μέγιστη λειτουργική συχνότητα άνω των 43,5 GHz, και
English: g. Atomic frequency standards being any of the following:
Greek: ζ. Πρότυπα ατομικής συχνότητας που έχουν ένα από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
English: “Space-qualified”;
Greek: Είναι «κατάλληλοι για διαστημική χρήση»,
English: Non-rubidium and having a long-term stability less (better) than 1 × 10–11/month; or
Greek: Δεν βασίζονται σε ρουβιδίο και έχουν μακροπρόθεσμη σταθερότητα (γήρανση) μικρότερη (καλύτερη) από 1 × 10–11/ μήνα, ή
English: Non-“space-qualified” and having all of the following:
Greek: Δεν είναι «κατάλληλα για διαστημική χρήση» και έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
English: a. Analogue-to-digital converters, usable in “missiles”, designed to meet military specifications for ruggedised equipment;
Greek: α. Μετατροπείς αναλογικού σε ψηφιακό που μπορούν να χρησιμοποιηθούν σε «βλήματα» και που έχουν σχεδιασθεί για να πληρούν στρατιωτικές προδιαγραφές για ανθεκτικό εξοπλισμό,
English: b. Accelerators capable of delivering electromagnetic radiation produced by bremsstrahlung from accelerated electrons of 2 MeV or greater, and systems containing those accelerators.
Greek: β. Επιταχυντές ικανοί να αποδώσουν ηλεκτρομαγνητική ακτινοβολία που παράγεται από ακτινοβολία επιβράδυνσης από επιταχυνόμενα ηλεκτρόνια ύψους 2 MeV ή παραπάνω, και συστήματα που περιέχουν τους επιταχυντές αυτούς.
English: b. above does not specify equipment specially designed for medical purposes.
Greek: Το παραπάνω σημείο 3Α101.β. δεν περιλαμβάνει εξοπλισμό ο οποίος έχει ειδικά σχεδιασθεί για ιατρικούς σκοπούς.
English: ‘Thermal batteries’ designed or modified for ‘missiles’.
Greek: ‘Θερμικές μπαταρίες’ σχεδιασμένες ή τροποποιημένες για ‘βλήματα’.
English: In 3A102 ‘thermal batteries’ are single use batteries that contain a solid non-conducting inorganic salt as the electrolyte.
Greek: Στο σημείο 3Α102, ως ‘θερμικές μπαταρίες’ νοούνται οι ηλεκτρικές στήλες μιας χρήσεως που χρησιμοποιούν ως ηλεκτρολύτη στερεό δυσηλεκτραγωγό ανόργανο άλας.
English: In 3A102 ‘missile’ means complete rocket systems and unmanned aerial vehicle systems capable of a range exceeding 300 km.
Greek: Στο σημείο 3A102, ως ‘βλήματα’ νοούνται τα πλήρη πυραυλικά συστήματα και τα συστήματα μη επανδρωμένων εναέριων οχημάτων με ακτίνα δράσης άνω των 300 km.
English: Electronic components, other than those specified in 3A001, as follows:
Greek: Ηλεκτρονικά δομικά στοιχεία εκτός από όσα καθορίζονται στο σημείο 3Α001, ως εξής:
English: Capable of creating magnetic fields greater than 2 T;
Greek: Ικανότητα να δημιουργούν μαγνητικά πεδία άνω των 2 T,
English: Inner diameter greater than 300 mm; and
Greek: Εσωτερική διάμετρο άνω των 300 mm, και
English: b. does not control magnets specially designed for and exported ‘as parts of’ medical nuclear magnetic resonance (NMR) imaging systems.
Greek: Το σημείο 3Α201.β. δεν θέτει υπό έλεγχο μαγνήτες που έχουν ειδικά σχεδιασθεί και εξάγονται ‘ως μέρος’ ιατρικών συστημάτων απεικόνισης που βασίζονται σε πυρηνικό μαγνητικό συντονισμό (nuclear magnetic resonance).
English: The phrase ‘as part of’ does not necessarily mean physical part in the same shipment; separate shipments from different sources are allowed, provided the related export documents clearly specify that the shipments are dispatched ‘as part of’ the imaging systems.
Greek: Η φράση ‘ως μέρος’ δεν σημαίνει κατ’ ανάγκη ότι αποτελεί υλικό τμήμα της ίδιας αποστολής. Επιτρέπονται ξεχωριστές αποστολές από διαφορετικές πηγές υπό τον όρο τα σχετικά εξαγωγικά έγγραφα να καθορίζουν σαφώς ότι οι αποστολές διακινούνται ‘ως μέρος’ των συστημάτων απεικόνισης.
English: c. Flash X-ray generators or pulsed electron accelerators having either of the following sets of characteristics:
Greek: γ. Γεννήτριες ακτίνων Χ στιγμιαίας λειτουργίας, ή παλμικοί επιταχυντές ηλεκτρονίων με ένα από τα ακόλουθα σύνολα χαρακτηριστικών:
English: a. An accelerator peak electron energy of 500 keV or greater but less than 25 MeV; and
Greek: α. Ανώτατη ενέργεια ηλεκτρονίων στον επιταχυντή 500 keV και άνω, αλλά κάτω των 25 MeV, και
English: a. An accelerator peak electron energy of 25 MeV or greater; and
Greek: α. Ανώτατη ενέργεια ηλεκτρονίων στον επιταχυντή 25 MeV και άνω, και
English: c. does not control accelerators that are component parts of devices designed for purposes other than electron beam or X-ray radiation (electron microscopy, for example) nor those designed for medical purposes:
Greek: Το σημείο 3Α201.γ. δεν καλύπτει τους επιταχυντές που αποτελούν δομικά στοιχεία συσκευών που έχουν σχεδιασθεί για σκοπούς άλλους εκτός από την ακτινοβολία με ακτίνες Χ ή με ηλεκτρονική δέσμη (για παράδειγμα ηλεκτρονικά μικροσκόπια), καθώς και συσκευών που έχουν σχεδιασθεί για ιατρικούς σκοπούς.
English: The ‘figure of merit’ K is defined as:
Greek: Ο ‘συντελεστής κέρδους’ Κ ορίζεται ως εξής:
English: Q equals the integral of i with respect to t, over the lesser of 1 μs or the time duration of the beam pulse (Q = ∫ idt), where i is beam current in amperes and t is time in seconds.
Greek: Το Q είναι ίσο με το ολοκλήρωμα του i ως προς το t επί το μικρότερο από τους δύο χρόνους, δηλαδή 1 μικροδευτερόλεπτο ή τη διάρκεια σε χρόνο της παλμικής δέσμης (Q = ∫ idt), όπου i είναι το ρεύμα της δέσμης σε αμπέρ και t είναι ο χρόνος σε δευτερόλεπτα
English: ‘Peak power’ = (peak potential in volts) × (peak beam current in amperes).
Greek: ‘Ανώτατη ισχύς’ είναι το γινόμενο του μέγιστου δυναμικού (σε βολτ) επί το μέγιστο ρεύμα δέσμης (σε αμπέρ).
English: a. Multiphase output capable of providing a power of 40 W or greater;
Greek: α. Πολυφασική έξοδο που μπορεί να αποδώσει ισχύ 40 W ή παραπάνω,
English: b. Capable of operating in the frequency range between 600 and 2000 Hz;
Greek: β. Ικανότητα λειτουργίας στο φάσμα συχνοτήτων μεταξύ 600 και 2000 Hz,
English: High-power direct current power supplies, other than those specified in 0B001.j.6., having both of the following characteristics:
Greek: Τροφοδοτικά συνεχούς ρεύματος υψηλής ισχύος, εκτός εκείνων που καθορίζονται στο σημείο 0Β001.ι.6., που έχουν αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
English: a. Capable of continuously producing, over a time period of 8 hours, 100 V or greater with current output of 500 A or greater; and
Greek: α. μπορούν να παράγουν συνεχώς, σε χρονική περίοδο 8 ωρών, 100 V ή παραπάνω, με ρεύμα εξόδου 500 Α ή παραπάνω και
English: b. Current or voltage stability better than 0,1 % over a time period of 8 hours.
Greek: β. εμφανίζουν σταθερότητα τάσης ή ρεύματος καλύτερη από 0,1 % σε χρονική περίοδο 8 ωρών.
English: High-voltage direct current power supplies, other than those specified in 0B001.j.5., having both of the following characteristics:
Greek: Τροφοδοτικά συνεχούς ρεύματος υψηλής τάσης, εκτός εκείνων που καθορίζονται στο σημείο 0Β001.ι.5., που έχουν αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
English: a. Capable of continuously producing, over a time period of 8 hours, 20 kV or greater with current output of 1 A or greater; and
Greek: α. μπορούν να παράγουν συνεχώς, σε χρονική περίοδο 8 ωρών, 20 kV ή παραπάνω, με ρεύμα εξόδου 1 Α ή παραπάνω, και
English: a. Cold-cathode tubes, whether gas filled or not, operating similarly to a spark gap, having all of the following characteristics:
Greek: α. Λυχνίες κρύας καθόδου, είτε γεμισμένες με αέριο είτε όχι, που λειτουργούν παρόμοια με διάκενο σπινθηρισμού και έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
English: 228 includes gas krytron tubes and vacuum sprytron tubes.
Greek: το σημείο 3Α228 περιλαμβάνει τις λυχνίες τύπου krytron με αέριο και sprytron με κενό.
English: b. Triggered spark-gaps having both of the following characteristics:
Greek: β. Διάκενα σπινθηρισμού με σκανδαλισμό που έχουν αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
English: c. Modules or assemblies with a fast switching function, other than those specified in 3A001.g. or 3A001.h., having all of the following characteristics:
Greek: γ. Μονάδες ή συναρμολογήσεις με ταχεία λειτουργία μεταγωγής, πλην των προσδιοριζόμενων στο σημείο 3Α001.ζ. ή 3A001.η., που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
English: Anode peak voltage rating greater than 2 kV;
Greek: Ανώτατη ονομαστική τάση ανόδου άνω των 2 kV,
English: Turn-on time of 1 μs or less.
Greek: Χρόνο ενεργοποίησης 1 μικροδευτερολέπτου ή λιγότερο.
English: See 1A007.a. for explosive detonator firing sets.
Greek: Βλέπε 1A007.a. για τις συσκευές πυροδότησης για εκρηκτικούς πυροκροτητές.
English: b. Modular electrical pulse generators (pulsers) having all of the following characteristics:
Greek: β. Βαθμιδωτές ηλεκτρικές παλμογεννήτριες (pulsers) που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
English: Having a ‘rise time’ of less than 10 μs into loads of less than 40 ohms;
Greek: Έχουν ‘χρόνο ανύψωσης’ λιγότερο από 10 μικροδευτερόλεπτα όταν συνδέονται με φορτία μικρότερα από 40 Ω,
English: High-speed pulse generators having both of the following characteristics:
Greek: Παλμογεννήτριες υψηλής ταχύτητας με αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
English: a. Output voltage greater than 6 V into a resistive load of less than 55 ohms; and
Greek: α. Τάση εξόδου ανώτερη από 6 V όταν συνδέονται με φορτίο αντίστασης μικρότερο από 55 Ω, και
English: In 3A230, ‘pulse transition time’ is defined as the time interval between 10 % and 90 % voltage amplitude.
Greek: Στο σημείο 3Α230, ο ‘χρόνος μετάβασης του παλμού’ ορίζεται σαν το χρονικό διάστημα μεταξύ του 10 % και του 90 % του εύρους της τάσης.
English: Neutron generator systems, including tubes, having both of the following characteristics:
Greek: Συστήματα παραγωγής νετρονίων, συμπεριλαμβανομένων των σωλήνων, με αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
English: See 1A007.b. for detonators.
Greek: Βλέπε 1A007.β. για τους πυροκροτητές.
English: b. Arrangements using single or multiple detonators designed to nearly simultaneously initiate an explosive surface over greater than 5000 mm2 from a single firing signal with an initiation timing spread over the surface of less than 2,5 μs.
Greek: β. Συστήματα που χρησιμοποιούν απλούς ή πολλαπλούς πυροκροτητές και έχουν σχεδιασθεί για να προκαλούν σχεδόν ταυτόχρονα την έναυση μιας εκρηκτικής επιφάνειας εμβαδού άνω των 5000 mm2 από ένα μόνο σήμα πυροδότησης με χρόνο έναυσης όπως εκτείνεται στην επιφάνεια λιγότερο από 2,5 μικροδευτερόλεπτα.
English: 232 does not control detonators using only primary explosives, such as lead azide.
Greek: Το σημείο 3Α232 δεν θέτει υπό έλεγχο πυροκροτητές που χρησιμοποιούν μόνο πρωτογενείς εκρηκτικές ύλες, όπως τον αζωτούχο μόλυβδο.
English: d. Electron bombardment mass spectrometers which have a source chamber constructed from, lined with or plated with materials resistant to UF6;
Greek: δ. Φασματογράφοι μάζας με βομβαρδισμό ηλεκτρονίων που έχουν θάλαμο πηγής κατασκευασμένο ή με επίστρωση ή κάλυψη από υλικά που αντέχουν στο UF6.
English: e. Molecular beam mass spectrometers having either of the following characteristics:
Greek: ε. Φασματογράφοι μάζας δέσμης μορίων, με ένα από τα εξής χαρακτηριστικά:
English: A source chamber constructed from, lined with or plated with materials resistant to UF6;
Greek: Θάλαμο πηγής κατασκευασμένο, με επίστρωση ή με κάλυψη από υλικά που αντέχουν στο UF6· στ.
English: Equipment for the manufacturing of semiconductor devices or materials, as follows and specially designed components and accessories therefor:
Greek: Εξοπλισμός για παραγωγή συσκευών με ημιαγωγούς, ή υλικών ημιαγωγών, ως εξής, και ειδικά σχεδιασμένα δομικά στοιχεία και εξαρτήματα για τον σκοπό αυτό:
English: b. Equipment designed for ion implantation and having any of the following:
Greek: β. Εξοπλισμός σχεδιασμένος για εμφύτευση ιόντων που έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
English: Direct write capability; or
Greek: Δυνατότητα απευθείας εγγραφής, ή
English: A beam energy of 65 keV or more and a beam current of 45 mA or more for high energy oxygen implant into a heated semiconductor material “substrate”;
Greek: Ενέργεια δέσμης 65 keV και άνω και ρεύμα δέσμης 45 mA και άνω, για εμφύτευση οξυγόνου υψηλής ενέργειας πάνω σε θερμαινόμενο «υπόστρωμα» ημιαγωγού.
English: c. Anisotropic plasma dry etching equipment having both of the following:
Greek: γ. Εξοπλισμός για ξερή χάραξη μέσω ανισότροπου πλάσματος με αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
English: Designed or optimised to produce critical dimensions of 65 nm or less; and
Greek: Σχεδιασμένος ή βελτιστοποιημένος για να παράγει κρίσιμες διαστάσεις 65 nm ή μικρότερες, ή
English: Within-wafer non-uniformity equal to or less than 10 % 3σ measured with an edge exclusion of 2 mm or less;
Greek: Με ανομοιομορφία εντός του πλακιδίου έως και 10 % 3σ, μετρούμενη με αποκλεισμό άκρων 2 mm και κάτω.
English: d. Plasma enhanced Chemical Vapour Deposition (CVD) equipment as follows:
Greek: δ. Εξοπλισμός για χημική εναπόθεση με εξάτμιση (CVD) και με την ενίσχυση πλάσματος, ως εξής:
English: Equipment with cassette-to-cassette operation and load-locks, and designed according to the manufacturer’s specifications or optimised for use in the production of semiconductor devices with critical dimensions of 65 nm or less;
Greek: Εξοπλισμός με λειτουργία από κασέτα προς κασέτα και κλείδωμα φορτίου, σχεδιασμένος σύμφωνα με τις προδιαγραφές του κατασκευαστή ή βελτιστοποιημένος προς χρήση στην παραγωγή συσκευών ημιαγωγών με κρίσιμες διαστάσεις έως και 65 nm.
English: Equipment specially designed for equipment specified in 3B001.e. and designed according to the manufacturer’s specifications or optimised for use in the production of semiconductor devices with critical dimensions of 65 nm or less;
Greek: Εξοπλισμός που έχει ειδικά σχεδιασθεί για εξοπλισμό που καθορίζεται στο σημείο 3Β001.ε. και σχεδιασμένος σύμφωνα με τις προδιαγραφές του κατασκευαστή ή βελτιστοποιημένος προς χρήση στην παραγωγή συσκευών ημιαγωγών με κρίσιμες διαστάσεις έως και 65 nm.
English: e. Automatic loading multi-chamber central wafer handling systems having both of the following:
Greek: ε. Κεντρικά συστήματα χειρισμού πλακιδίων (wafer), πολλαπλών θαλάμων, αυτόματης φόρτωσης, τα οποία έχουν αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
English: Interfaces for wafer input and output, to which more than two functionally different ‘semiconductor process tools’ specified in 3B001.a., 3B001.b., 3B001.c. or 3B001.d. are designed to be connected; and
Greek: Διεπαφές για είσοδο και έξοδο πλακιδίων, στις οποίες μπορούν ως εκ του σχεδιασμού να συνδεθούν περισσότερα από δύο λειτουργικώς διαφορετικά ‘εργαλεία επεξεργασίας ημιαγωγών’ προσδιοριζόμενα στο 3B001.α., 3B001.β., 3B001.γ. ή 3B001.δ., και
English: Designed to form an integrated system in a vacuum environment for ‘sequential multiple wafer processing’;
Greek: Είναι σχεδιασμένα για να αποτελέσουν ένα ολοκληρωμένο σύστημα σε περιβάλλον κενού για ‘σειριακή επεξεργασία πολλαπλών πλακιδίων’.
English: e. does not control automatic robotic wafer handling systems specially designed for parallel wafer processing.
Greek: Στο σημείο 3Β001.ε. δεν υπάγονται τα αυτόματα ρομποτικά συστήματα χειρισμού πλακιδίων τα ειδικά σχεδιασμένα για την παράλληλη επεξεργασία πλακιδίων.
English: For the purpose of 3B001.e., ‘semiconductor process tools’ refers to modular tools that provide physical processes for semiconductor production that are functionally different, such as deposition, etch, implant or thermal processing.
Greek: Για τους σκοπούς του σημείου 3B001.ε., ως ‘εργαλεία επεξεργασίας ημιαγωγών’ νοούνται τα σπονδυλωτά εργαλεία που επιτελούν λειτουργικά διαφορετικές φυσικές διεργασίες, όπως π.χ. επικάθηση, χάραξη, εμφύτευση ή θερμική επεξεργασία, για την παραγωγή ημιαγωγών
English: For the purpose of 3B001.e., ‘sequential multiple wafer processing’ means the capability to process each wafer in different ‘semiconductor process tools’, such as by transferring each wafer from one tool to a second tool and on to a third tool with the automatic loading multi-chamber central wafer handling systems.
Greek: Για τους σκοπούς του σημείου 3B001.ε., ως ‘σειριακή επεξεργασία πολλαπλών πλακιδίων’ νοείται η ικανότητα επεξεργασίας κάθε πλακιδίου με διαφορετικά ‘εργαλεία επεξεργασίας ημιαγωγών’, π.χ. με τη μεταφορά κάθε πλακιδίου από ένα εργαλείο σε άλλο και από εκεί σε τρίτο με τη βοήθεια των κεντρικών συστημάτων χειρισμού πλακιδίων πολλαπλών θαλάμων και αυτόματης φόρτωσης.