geopti/opus-en-el-eval-mixture huggingface dataset:
English: a. Rated for operation at frequencies exceeding 3,2 GHz up to and including 6,8 GHz and with an average output power greater than 60 W (47,8 dBm) with a “fractional bandwidth” greater than 15 %;
Greek: α. εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 3,2 GHz μέχρι και 6,8 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω των 60 W (47,8 dBm) και «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 15 %,
English: b. Rated for operation at frequencies exceeding 6,8 GHz up to and including 31,8 GHz and with an average output power greater than 15 W (42 dBm) with a “fractional bandwidth” greater than 10 %;
Greek: β. εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 6,8 GHz μέχρι και 31,8 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω των 15 W (42 dBm) και «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 10 %,
English: c. Rated for operation at frequencies exceeding 31,8 GHz up to and including 37,5 GHz and with an average output power greater than 0,1 nW;
Greek: γ. εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 31,8 GHz μέχρι και 37,5 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω των 0,1 nW,
English: d. Rated for operation at frequencies exceeding 37,5 GHz up to and including 43,5 GHz and with an average output power greater than 1 W (30 dBm) with a “fractional bandwidth” greater than 10 %;
Greek: δ. εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 37,5 GHz μέχρι και 43,5 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω του 1 W (30 dBm) και «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 10 %,
English: e. Rated for operation at frequencies exceeding 43,5 GHz and with an average output power greater than 0,1 nW; or
Greek: ε. εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 43,5 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω των 0,1 nW, ή
English: f. Rated for operation at frequencies above 3,2 GHz and having all of the following:
Greek: στ. εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 3,2 GHz και με όλα τα παρακάτω χαρακτηριστικά:
English: An average output power (in watts), P, greater than 150 divided by the maximum operating frequency (in GHz) squared [P > 150 W*GHz2/fGHz2];
Greek: μέση ισχύ εξόδου P, σε βαττ, μεγαλύτερη από 150 διά το τετράγωνο της ανώτατης συχνότητας λειτουργίας σε GHz [P > 150 W*GHz2/fGHz2],
English: A “fractional bandwidth” of 5 % or greater; and
Greek: «Κλασματικό εύρος ζώνης» τουλάχιστον 5 %, και
English: Any two sides perpendicular to one another with length d (in cm) equal to or less than 15 divided by the lowest operating frequency in GHz [d ≤ 15 cm*GHz/ fGHz];
Greek: δύο κάθετες πλευρές μήκους d (σε cm) το πολύ ίσου προς 15 διά την κατώτατη συχνότητα λειτουργίας σε GHz [d ≤ 15 cm*GHz/fGHz],
English: MMIC power amplifiers should be evaluated against the criteria in 3A001.b.2.
Greek: Οι ενισχυτές ισχύος με μονολιθικά ολοκληρωμένα κυκλώματα μικροκυμάτων πρέπει να αξιολογούνται βάσει των κριτηρίων του σημείου 3A001.β.2.
English: The control status of an item whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.4.a. to 3A001.b.4.e., is determined by the lowest average output power control threshold.
Greek: Το καθεστώς ελέγχου των μονολιθικών ολοκληρωμένων κυκλωμάτων μικροκυμάτων, οι ονομαστικές συχνότητες λειτουργίας των οποίων περιλαμβάνουν συχνότητες περιεχόμενες σε περισσότερες από μία ζώνες συχνοτήτων κατά τα οριζόμενα στα σημεία 3A001.β.4.α. έως 3Α001.β.4.ε., καθορίζεται βάσει του χαμηλότερου από τα όρια μέσης ισχύος εξόδου που αντιστοιχούν στις οικείες ζώνες.
English: Electronically or magnetically tunable band-pass or band-stop filters, having more than 5 tunable resonators capable of tuning across a 1,5:1 frequency band (fmax/fmin) in less than 10 μs and having either of the following:
Greek: Ζωνοπερατά ή ζωνοαπέρατα φίλτρα που μπορούν να συντονισθούν ηλεκτρονικά ή μαγνητικά, που έχουν πάνω από 5 ρυθμιζόμενους συντονιστές και μπορούν να συντονισθούν μέσα σε μία ζώνη συχνοτήτων με λόγο 1,5:1 (fmax/fmin) σε χρόνο λιγότερο από 10 μs και που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
English: a. A band-pass bandwidth of more than 0,5 % of centre frequency; or
Greek: α. Εύρος ζώνης ζωνοπερατού φίλτρου πάνω από 0,5 % της κεντρικής συχνότητας, ή
English: b. A band-stop bandwidth of less than 0,5 % of centre frequency;
Greek: β. Εύρος ζώνης ζωνοαπέρατου φίλτρου λιγότερο από 0,5 % της κεντρικής συχνότητας.
English: Converters and harmonic mixers, designed to extend the frequency range of equipment described in 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e. or 3A002.f. beyond the limits stated therein;
Greek: Μετατροπείς και αρμονικοί μίκτες σχεδιασμένοι για την επέκταση του φάσματος συχνοτήτων του εξοπλισμού που περιγράφεται στα σημεία 3Α002.γ., 3Α002.δ., 3Α002.ε. ή 3Α002.στ. πέραν των εκεί αναφερομένων ορίων.
English: Microwave power amplifiers containing tubes specified in 3A001.b.1. and having all of the following:
Greek: Μικροκυματικοί ενισχυτές ισχύος που περιλαμβάνουν λυχνίες που καθορίζονταιστο σημείο 3Α001.β.1. και έχουν όλα τα ακόλουθα:
English: b. An average output power to mass ratio exceeding 80 W/kg; and
Greek: β. Λόγος μέσης ισχύος εξόδου προς μάζα άνω των 80 W/kg, και
English: b.8. does not control equipment designed or rated for operation in any frequency band which is “allocated by the ITU” for radio-communications services, but not for radio-determination.
Greek: Στο σημείο 3Α001.β.8. δεν ελέγχεται ο εξοπλισμός που έχει σχεδιασθεί για, ή καθορίζεται να λειτουργεί σε ζώνες συχνοτήτων που έχουν «διατεθεί από την ITU» για υπηρεσίες ραδιοεπικοινωνιών αλλά όχι για ραδιοεντοπισμό.
English: Microwave power modules (MPM) consisting of, at least, a travelling wave tube, a microwave “monolithic integrated circuit” and an integrated electronic power conditioner and having all of the following:
Greek: Μικροκυματικές μονάδες ισχύος (MPM), αποτελούμενες τουλάχιστον από μία λυχνία οδεύοντος κύματος, ένα μικροκυματικό «μονολιθικό ολοκληρωμένο κύκλωμα», και έναν ολοκληρωμένο ηλεκτρονικό εξομαλυντήρα τάσης, με όλα τα παρακάτω:
English: a. A ‘turn-on time’ from off to fully operational in less than 10 seconds;
Greek: α. Χρόνο ενεργοποίησης από σβηστό σε πλήρη λειτουργία κάτω των 10 δευτερολέπτων,
English: b. A volume less than the maximum rated power in Watts multiplied by 10 cm3/W; and
Greek: β. Όγκο μικρότερο από το γινόμενο της μέγιστης ονομαστικής ισχύος σε W επί 10 cm3/W, και
English: c. An “instantaneous bandwidth” greater than 1 octave (fmax. > 2fmin.) and having either of the following:
Greek: γ. «Στιγμιαίο εύρος ζώνης» άνω της μιας οκτάβας (fmax. > 2fmin.) και με οποιοδήποτε από τα παρακάτω:
English: To calculate the volume in 3A001.b.9.b., the following example is provided: for a maximum rated power of 20 W, the volume would be: 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3.
Greek: Ιδού ένα παράδειγμα υπολογισμού του όγκου στο σημείο 3A001.β.9.β.: αν η μέγιστη ονομαστική ισχύς είναι 20 W, ο όγκος πρέπει να είναι μέχρι 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3.
English: The ‘turn-on time’ in 3A001.b.9.a. refers to the time from fully-off to fully operational, i.e. it includes the warm-up time of the MPM.
Greek: Στο σημείο 3A001.β.9.α., ο χρόνος ενεργοποίησης σημαίνει το διάστημα που χρειάζεται η μονάδα από τελείως σβηστή να τεθεί σε πλήρη λειτουργία, περιλαμβάνει δηλαδή και το χρόνο προθέρμανσης.
English: a. A single sideband (SSB) phase noise, in dBc/Hz, better than –(126 + 20log10F-20log10f) for 10 Hz < F < 10 kHz; and
Greek: α. Θόρυβο φάσης απλής πλευρικής ζώνης (SSB), σε dBc/Hz, καλύτερο από –(126 + 20log10F-20log10f) για 10 Hz < F < 10 kHz· και
English: b. A single sideband (SSB) phase noise, in dBc/Hz, better than –(114 + 20log10F-20log10f) for 10 kHz ≤ F < 500 kHz;
Greek: β. Θόρυβο φάσης απλής πλευρικής ζώνης (SSB), σε dBc/Hz, καλύτερο από –(114 + 20log10F-20log10f) για 10 kHz ≤ F < 500 kHz·
English: “Frequency synthesiser” “electronic assemblies” having a “frequency switching time” as specified by any of the following:
Greek: «Ηλεκτρονικές συναρμολογήσεις» για «γεννήτριες σύνθεσης συχνοτήτων» που έχουν «χρόνο μεταγωγής συχνότητας» ως εξής (διαζευκτικά):
English: b. Less than 100 μs for any frequency change exceeding 1,6 GHz within the synthesised frequency range exceeding 3,2 GHz but not exceeding 10,6 GHz;
Greek: β. κάτω των 100 μs για οποιαδήποτε αλλαγή συχνότητας άνω των 1,6 GHz εντός της ζώνης συντιθέμενων συχνοτήτων από 3,2 GHz μέχρι και 10,6 GHz,
English: c. Less than 250 μs for any frequency change exceeding 550 MHz within the synthesised frequency range exceeding 10,6 GHz but not exceeding 31,8 GHz;
Greek: γ. κάτω των 250 μs για οποιαδήποτε αλλαγή συχνότητας άνω των 550 MHz εντός της ζώνης συντιθέμενων συχνοτήτων από 10,6 GHz μέχρι και 31,8 GHz,
English: d. Less than 500 μs for any frequency change exceeding 550 MHz within the synthesised frequency range exceeding 31,8 GHz but not exceeding 43,5 GHz; or
Greek: δ. κατώτερο από 500 μs για οποιαδήποτε αλλαγή συχνότητας άνω των 550 MHz εντός του φάσματος συνθετόμενων συχνοτήτων από 31,8 GHz έως και 43,5 GHz, ή
English: e. Less than 1 ms within the synthesised frequency range exceeding 43,5 GHz.
Greek: ε. κατώτερο από 1 ms εντός του φάσματος συνθετόμενων συχνοτήτων άνω των 43,5 GHz.
English: For general purpose “signal analysers”, signal generators, network analysers and microwave test receivers, see 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e. and 3A002.f., respectively.
Greek: Για γενικής χρήσης «αναλυτές σήματος», γεννήτριες σήματος, αναλυτές δικτύου και δοκιμαστικούς μικροκυματικούς δέκτες βλέπε αντιστοίχως σημεία 3A002.γ., 3A002.δ., 3A002.ε. και 3A002.στ.
English: c. Acoustic wave devices as follows and specially designed components therefor:
Greek: γ. Συσκευές ακουστικών κυμάτων, και ειδικά σχεδιασμένα δομικά στοιχεία για τιςσυσκευές αυτές ως εξής:
English: b. A carrier frequency exceeding 1 GHz, but not exceeding 6 GHz and having any of the following:
Greek: β. Φέρουσα συχνότητα άνω των 1 GHz αλλά όχι άνω των 6 GHz και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
English: A ‘frequency side-lobe rejection’ exceeding 65 dB;
Greek: ‘Απόρριψη πλευρικών λοβών συχνότητας’ που ξεπερνάει τα 65 dB,
English: c. A carrier frequency of 1 GHz or less and having any of the following:
Greek: γ. Συχνότητα φέροντος 1 GHz ή λιγότερο, και που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
English: A ‘frequency side-lobe rejection’ exceeding 65 dB and a bandwidth greater than 100 MHz;
Greek: ‘Απόρριψη πλευρικών λοβών συχνότητας’ που ξεπερνάει τα 65 dB και εύρος ζώνης μεγαλύτερο από 100 MHz.
English: ‘Frequency side-lobe rejection’ is the maximum rejection value specified in data sheet.
Greek: Η ‘απόρριψη πλευρικών λοβών συχνότητας’ είναι η μέγιστη τιμή απόρριψης που προσδιορίζεται στα δελτία δεδομένων.
English: Bulk (volume) acoustic wave devices which permit the direct processing of signals at frequencies exceeding 6 GHz;
Greek: Συσκευές ακουστικών κυμάτων όγκου που επιτρέπουν την κατευθείαν επεξεργασία σημάτων σε συχνότητες άνω των 6 GHz.
English: Acoustic-optic “signal processing” devices employing interaction between acoustic waves (bulk wave or surface wave) and light waves which permit the direct processing of signals or images, including spectral analysis, correlation or convolution;
Greek: Ακουστικο-οπτικές συσκευές «επεξεργασίας σημάτων» που βασίζονται στην αλληλεπίδραση μεταξύ ακουστικών κυμάτων (κυμάτων όγκου ή κυμάτων επιφανείας) και κυμάτων φωτός και οι οποίες επιτρέπουν την άμεση επεξεργασία σημάτων ή εικόνων. Περιλαμβάνουν φασματική ανάλυση, συσχέτιση ή συνέλιξη.
English: c. does not control acoustic wave devices that are limited to a single band pass, low pass, high pass or notch filtering, or resonating function.
Greek: Στο σημείο 3Α001.γ. δεν υπάγονται οι συσκευές ακουστικών κυμάτων που περιορίζονται σε μονοπερατό, χαμηλοπερατό, υψηλοπερατό ή στενό ζωνοφρακτικό φίλτρο, ή λειτουργία συντονισμού.
English: d. Electronic devices and circuits containing components, manufactured from “superconductive” materials, specially designed for operation at temperatures below the “critical temperature” of at least one of the “superconductive” constituents and having either of the following:
Greek: δ. Ηλεκτρονικές συσκευές και κυκλώματα που περιέχουν δομικά στοιχεία κατασκευασμένα από «υπεραγώγιμα» υλικά και ειδικά σχεδιασμένα για λειτουργία σε θερμοκρασίες κάτω από την «κρίσιμη θερμοκρασία» τουλάχιστον ενός από τα «υπεραγώγιμα» συστατικά υλικά και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
English: Current switching for digital circuits using “superconductive” gates with a product of delay time per gate (in seconds) and power dissipation per gate (in watts) of less than 10–14 J; or
Greek: Μεταγωγή ρεύματος για ψηφιακά κυκλώματα όπου χρησιμοποιούνται «υπεραγώγιμες» πύλες με γινόμενο μεταξύ του χρόνου καθυστέρησης ανά πύλη (που εκφράζεται σε δευτερόλεπτα) και της κατανάλωσης ισχύος ανά πύλη (που εκφράζεται σε W) και το οποίο είναι λιγότερο από 10–14 J, ή
English: Frequency selection at all frequencies using resonant circuits with Q-values exceeding 10000;
Greek: Επιλογή συχνοτήτων σε όλες τις συχνότητες με τη χρήση συντονισμένων κυκλωμάτων με τιμές Q άνω των 10000.
English: ‘Cells’ as follows:
Greek: ‘Ηλεκτρικά στοιχεία’ ως εξής:
English: a. ‘Primary cells’ having an ‘energy density’ exceeding 550 Wh/kg at 20 °C;
Greek: α. ‘Πρωτογενή στοιχεία’ με ‘ενεργειακή πυκνότητα’ άνω των 550 Wh/kg στους 20 °C,
English: b. ‘Secondary cells’ having an ‘energy density’ exceeding 250 Wh/kg at 20 °C;
Greek: β. ‘Δευτερογενή στοιχεία’ με ‘ενεργειακή πυκνότητα’ άνω των 250 Wh/kg στους 20 °C.
English: For the purpose of 3A001.e.1.,‘energy density’ (Wh/kg) is calculated from the nominal voltage multiplied by the nominal capacity in ampere-hours (Ah) divided by the mass in kilograms.
Greek: Για τους σκοπούς του σημείου 3A001.ε.1., η ‘ενεργειακή πυκνότητα’ (Wh/kg) υπολογίζεται ως το γινόμενο της ονομαστικής τάσης σε βολτ επί την ονομαστική χωρητικότητα σε αμπερώρια (Ah) διά τη μάζα σε χιλιόγραμμα.
English: For the purpose of 3A001.e.1., a ‘cell’ is defined as an electrochemical device, which has positive and negative electrodes, an electrolyte, and is a source of electrical energy.
Greek: Για τους σκοπούς του σημείου 3A001.ε.1., ως ‘ηλεκτρικό στοιχείο’ νοείται κάθε ηλεκτροχημική διάταξη που διαθέτει θετικό και αρνητικό ηλεκτρόδιο και ηλεκτρολύτη και αποτελεί πηγή ηλεκτρικής ενέργειας.
English: For the purpose of 3A001.e.1.a., a ‘primary cell’ is a ‘cell’ that is not designed to be charged by any other source.
Greek: Για τους σκοπούς του σημείου 3A001.ε.1.α., ως ‘πρωτογενές ηλεκτρικό στοιχείο’ νοείται κάθε ‘ηλεκτρικό στοιχείο’ που δεν είναι σχεδιασμένο για να φορτίζεται από άλλη πηγή.
English: For the purpose of 3A001.e.1.b., a ‘secondary cell’ is a ‘cell’ that is designed to be charged by an external electrical source.
Greek: Για τους σκοπούς του σημείου 3A001.ε.1.β., ως ‘δευτερογενές ηλεκτρικό στοιχείο’ νοείται κάθε ‘ηλεκτρικό στοιχείο’ σχεδιαζόμενο ώστε να φορτίζεται από εξωτερική πηγή ηλεκτρισμού.
English: SEE ALSO 3A201.a.
Greek: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΟ 3Α201.α.
English: a. Capacitors with a repetition rate of less than 10 Hz (single shot capacitors) and having all of the following:
Greek: α. Πυκνωτές με ρυθμό επανάληψης κάτω από 10 Hz (πυκνωτές μιας κρούσης) και που έχουν όλα τα ακόλουθα:
English: b. Capacitors with a repetition rate of 10 Hz or more (repetition rated capacitors) and having all of the following:
Greek: β. Πυκνωτές με ρυθμό επανάληψης 10 Hz ή παραπάνω (επαναληπτικοί πυκνωτές) και που έχουν όλα τα ακόλουθα:
English: “Superconductive” electromagnets and solenoids, specially designed to be fully charged or discharged in less than one second and having all of the following:
Greek: «Υπεραγώγιμοι» ηλεκτρομαγνήτες ή σωληνοειδή τα οποία έχουν σχεδιασθεί ειδικά ώστε να φορτίζονται πλήρως, ή να εκφορτίζονται, σε λιγότερο από ένα δευτερόλεπτο και που έχουν όλα τα ακόλουθα:
English: SEE ALSO 3A201.b.
Greek: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΟ 3Α201.β.
English: e.3. does not control “superconductive” electromagnets or solenoids specially designed for Magnetic Resonance Imaging (MRI) medical equipment.
Greek: Στο σημείο 3Α001.ε.3. δεν υπάγονται «υπεραγώγιμοι» ηλεκτρομαγνήτες ή σωληνοειδή τα οποία έχουν κατασκευασθεί ειδικά για ιατρικό εξοπλισμό απεικόνισης με τη βοήθεια Μαγνητικού Συντονισμού (Magnetic Resonance Imaging).
English: a. Energy delivered during the discharge exceeding 10 kJ in the first second;
Greek: α. Ενέργεια που αποδίδεται κατά τη διάρκεια της εκφόρτισης η οποία υπερβαίνει τα 10 kJ το πρώτο δευτερόλεπτο,
English: b. Inner diameter of the current carrying windings of more than 250 mm; and
Greek: β. Εσωτερική διάμετρο των ρευματοφόρων περιελίξεων ανώτερη από 250 mm, και
English: c. Rated for a magnetic induction of more than 8 T or “overall current density” in the winding of more than 300 A/mm2;
Greek: γ. Ονομαστική μαγνητική επαγωγή άνω των 8 Τ ή «συνολική πυκνότητα ρεύματος» στις περιελίξεις που είναι ανώτερη από 300 A/mm2.
English: Solar cells, cell-interconnect-coverglass (CIC) assemblies, solar panels, and solar arrays, which are “space-qualified”, having a minimum average efficiency exceeding 20 % at an operating temperature of 301 K (28 °C) under simulated ‘AM0’ illumination with an irradiance of 1367 watts per square metre (W/m2);
Greek: Φωτοβολταϊκά στοιχεία, συναρμολογήματα υαλοκαλυπτρών διασυνδεδεμένων στοιχείων (CIC), φωτοβολταϊκοί επίπεδοι συλλέκτες και φωτοβολταϊκές συστοιχίες, «κατάλληλα για διαστημική χρήση», με ελάχιστη μέση απόδοση άνω του 20 % σε θερμοκρασία λειτουργίας 301 K (28 °C) υπό προσομοιωμένο φωτισμό «μηδενικής μάζας αέρα»‘AM0’, με πυκνότητα ακτινοβολίας 1367 (W/m2).
English: ’, or ‘Air Mass Zero’, refers to the spectral irradiance of sun light in the earth’s outer atmosphere when the distance between the earth and sun is one astronomical unit (AU).
Greek: Ο όρος «μηδενικής μάζας αέρα» (AM0) αναφέρεται στη φασματική πυκνότητα ακτινοβολίας του ηλιακού φωτός στην εξώτερη ατμόσφαιρα της γης, όταν η απόσταση γης-ηλίου είναι μία αστρονομική μονάδα (ΑU). στ.
English: f. Rotary input type absolute position encoders having an accuracy equal to or less (better) than ± 1,0 second of arc;
Greek: Rotary input type absolute position encoders που έχουν ακρίβεια ίση ή μικρότερη (καλύτερη) από ± 1,0 δευτερόλεπτα τόξου.
English: g. Solid-state pulsed power switching thyristor devices and ‘thyristor modules’, using either electrically, optically, or electron radiation controlled switch methods and having any of the following:
Greek: ζ. Συσκευές και «μονάδες» στερεάς καταστάσεως με θυρίστορες για την παλμική μεταγωγή ηλεκτρισμού, που χρησιμοποιούν μεθόδους μεταγωγής ελεγχόμενες είτε ηλεκτρικώς, είτε οπτικώς, είτε με ακτινοβολία ηλεκτρονίων και έχουν οποιοδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά:
English: A maximum turn-on current rate of rise (di/dt) greater than 2000 A/μs and having both of the following:
Greek: Ανώτατη ταχύτητα αύξησης του ρεύματος (di/dt) κατά το άναμμα άνω των 2000 A/μs και έχουν αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
English: g. does not control thyristor devices and ‘thyristor modules’ incorporated into equipment designed for civil railway or “civil aircraft” applications.
Greek: Στο σημείο 3A001.ζ. δεν εμπίπτουν οι συσκευές και ‘μονάδες με θυρίστορες’ οι ενσωματωμένες σε εξοπλισμό προοριζόμενο για εφαρμογές σε πολιτικούς σιδηροδρόμους και «πολιτικά αεροσκάφη».
English: For the purposes of 3A001.g., a ‘thyristor module’ contains one or more thyristor devices.
Greek: Για τους σκοπούς του σημείου 3A001.ζ., οι ‘μονάδες με θυρίστορες’ περιέχουν μία ή περισσότερες συσκευές με θυρίστορες.
English: h. Solid-state power semiconductor switches, diodes, or ‘modules’, having all of the following:
Greek: η. Διακόπτες, δίοδοι ή ‘μονάδες’ ημιαγωγών ισχύος στερεάς κατάστασης, που έχουν όλα τα ακόλουθα:
English: Repetitive peak off-state voltage in 3A001.h. includes drain to source voltage, collector to emitter voltage, repetitive peak reverse voltage and peak repetitive off-state blocking voltage.
Greek: Η επαναληπτική ανώτατη τάση σε κατάσταση σβηστή στο 3Α001.η. περιλαμβάνει τάση από drain προς πηγή, τάση από συλλέκτη προς εκπομπό, επαναληπτική ανώτατη αντίστροφη τάση και ανώτατη επαναληπτική τάση εμπλοκής σε κατάσταση σβηστή.
English: h. does not control switches, diodes, or ‘modules’ incorporated into equipment designed for civil automobile, civil railway or “civil aircraft” applications.
Greek: Στο σημείο 3A001.η. δεν υπάγονται διακόπτες, δίοδοι ή «μονάδες» που ενσωματώνονται σε εξοπλισμό προοριζόμενο για εφαρμογές σε πολιτικούς σιδηροδρόμους και «πολιτικά αεροσκάφη».
English: For the purposes of 3A001.h., ‘modules’ contain one or more solid-state power semiconductor switches or diodes.
Greek: Για τους σκοπούς του σημείου Α001.η., οι ‘μονάδες’ περιέχουν έναν ή περισσότερους διακόπτες ή διόδους ημιαγωγών ισχύος στερεάς κατάστασης.
English: a. Recording equipment as follows and specially designed test tape therefor:
Greek: α. Εξοπλισμός καταγραφής ως εξής και ειδικά σχεδιασμένες μαγνητικές ταινίες δοκιμής γι’ αυτόν:
English: a. A bandwidth exceeding 4 MHz per electronic channel or track;
Greek: α. Εύρος ζώνης άνω των 4 MHz ανά ηλεκτρονικό κανάλι ή ζώνη (track).
English: b. A bandwidth exceeding 2 MHz per electronic channel or track and having more than 42 tracks; or
Greek: β. Εύρος ζώνης άνω των 2 MHz ανά ηλεκτρονικό κανάλι ή ζώνη και τα οποία έχουν πάνω από 42 ζώνες, ή
English: c. A time displacement (base) error, measured in accordance with applicable IRIG or EIA documents, of less than ± 0,1 μs;
Greek: γ. Χρονικό σφάλμα βάσης χρόνου (time displacement error) το οποίο μετριέται σύμφωνα με τα ισχύοντα έγγραφα κανονισμών IRIG (Inter Range Instrumentation Group) ή ΕΙΑ (Electronic Industries Association), το οποίο είναι μικρότερο από ± 0,1 μs.
English: Analogue magnetic tape recorders specially designed for civilian video purposes are not considered to be instrumentation tape recorders.
Greek: Τα αναλογικά μαγνητόφωνα που είναι ειδικά σχεδιασμένα για μη στρατιωτική χρήση βίντεο δεν θεωρούνται ως μαγνητόφωνα με αναλογικά όργανα.
English: Digital video magnetic tape recorders having a maximum digital interface transfer rate exceeding 360 Mbit/s;
Greek: Ψηφιακά μαγνητοσκόπια που έχουν μέγιστο ρυθμό μετάδοσης ψηφιακής διασύνδεσης άνω των 360 Mbit/s,
English: a.2. does not control digital video magnetic tape recorders specially designed for television recording using a signal format, which may include a compressed signal format, standardised or recommended by the ITU, the IEC, the SMPTE, the EBU, the ETSI or the IEEE for civil television applications.
Greek: Στο σημείο 3Α002.α.2. δεν υπάγονται τα ψηφιακά μαγνητοσκόπια που έχουν ειδικά σχεδιασθεί για τηλεοπτικές μαγνητοσκοπήσεις και χρησιμοποιούν μορφές σήματος, ενδεχομένως συμπιεσμένες, που έχουν τυποποιηθεί ή συνιστώνται από τους οργανισμούς ITU, IEC, SMPTE, EBU, ETSI ή IEEE για εφαρμογές πολιτικής τηλεόρασης.
English: Digital instrumentation magnetic tape data recorders employing helical scan techniques or fixed head techniques and having either of the following:
Greek: Μαγνητόφωνα δεδομένων με ψηφιακά όργανα τα οποία χρησιμοποιούν ελικοειδείς τεχνικές σάρωσης ή τεχνικές σταθερής κεφαλής και έχουν αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
English: a. A maximum digital interface transfer rate exceeding 175 Mbit/s; or
Greek: α. Μέγιστο ρυθμό μετάδοσης ψηφιακής διασύνδεσης άνω των 175 Mbit/s, ή
English: a.3. does not control analogue magnetic tape recorders equipped with HDDR conversion electronics and configured to record only digital data.
Greek: Στο σημείο 3Α002.α.3. δεν υπάγονται αναλογικά μαγνητόφωνα εξοπλισμένα με ηλεκτρονικό εξοπλισμό μετατροπής ΗDDR τα οποία έχουν σχεδιασθεί για να καταγράφουν μόνο ψηφιακά δεδομένα.
English: Equipment having a maximum digital interface transfer rate exceeding 175 Mbit/s and designed to convert digital video magnetic tape recorders for use as digital instrumentation data recorders;
Greek: Εξοπλισμός με μέγιστο ρυθμό μετάδοσης ψηφιακής διασύνδεσης άνω των 175 Mbit/s που έχει σχεδιασθεί για να μετατρέπει ψηφιακά μαγνητοσκόπια ώστε να μπορούν να χρησιμοποιηθούν σαν ψηφιακά όργανα καταγραφής δεδομένων.
English: Waveform digitisers and transient recorders, having both of the following:
Greek: Μετατροπείς κυματομορφών σε ψηφιακή μορφή και καταγραφείς μεταβατικών φαινομένων, που έχουν αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
English: a. Digitising rate equal to or more than 200 million samples per second and a resolution of 10 bit or more; and
Greek: α. Ρυθμό ψηφιακής μετατροπής τουλάχιστον 200 εκατ. δείγματα ανά δευτερόλεπτο και διακριτική ικανότητα τουλάχιστον 10 bit, και