geopti/opus-en-el-eval-mixture huggingface dataset:
English: "Technology" for the "development" of integration "software" for incorporation of expert systems for advanced decision support of shop floor operations into "numerical control" units;
Greek: «Τεχνολογία» για την «ανάπτυξη»«λογισμικού» ολοκλήρωσης με σκοπό την ενσωμάτωση στις μονάδες «ψηφιακού ελέγχου» έμπειρων συστημάτων που εξασφαλίζουν προηγμένη υποστήριξη αποφάσεων για τις εργασίες της αίθουσας παραγωγής. στ.
English: "Technology" for the application of inorganic overlay coatings or inorganic surface modification coatings (specified in column 3 of the following table) to non-electronic substrates (specified in column 2 of the following table), by processes specified in column 1 of the following table and defined in the Technical Note.
Greek: «Τεχνολογία» για την εφαρμογή των ανοργάνων επιχρισμάτων επίστρωσης ή ανοργάνων επιχρισμάτων μετατροπής επιφανειών που προσδιορίζονται στην τρίτη στήλη του παρακάτω πίνακα· στα μη ηλεκτρονικά υποστρώματα που προσδιορίζονται στη δεύτερη στήλη του παρακάτω πίνακα· με τις τεχνικές που αναφέρονται στην πρώτη στήλη του παρακάτω πίνακα και ορίζονται στην Τεχνική Σημείωση.
English: Note:The table and Technical Note appear after entry 2E301.
Greek: Σημείωση:Ο πίνακας και η Τεχνική Σημείωση εμφανίζονται μετά το σημείο 2E301.
English: "Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 2B004, 2B009, 2B104, 2B109, 2B116, 2B119 to 2B122 or 2D101.
Greek: «Τεχνολογία», κατά την έννοια της Γενικής Σημείωσης περί Τεχνολογίας, για τη «χρήση» του εξοπλισμού ή του «λογισμικού» που προσδιορίζεται στις παραγράφους 2Β004, 2Β009, 2Β104, 2Β109, 2Β116, 2Β119 έως 2Β122 ή 2D101.
English: "Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 2A225, 2A226, 2B001, 2B006, 2B007.b., 2B007.c., 2B008, 2B009, 2B201, 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B225 to 2B232, 2D201 or 2D202.
Greek: «Τεχνολογία», κατά την έννοια της Γενικής Σημείωσης περί Τεχνολογίας, για τη «χρήση» του εξοπλισμού ή «λογισμικού» που προσδιορίζεται στις παραγράφους ή στα εδάφια 2Α225, 2Α226, 2Β001, 2Β006, 2Β007.β., 2Β007.γ., 2Β008, 2Β009, 2Β201, 2Β204, 2Β206, 2Β207, 2Β209, 2Β225 έως 2Β232, 2D201 ή 2D202.
English: "Technology" according to the General Technology Note for the "use" of goods specified in 2B350 to 2B352.
Greek: «Τεχνολογία», κατά την έννοια της Γενικής Σημείωσης περί Τεχνολογίας, για τη «χρήση» των προϊόντων που προσδιορίζονται στις παραγράφους 2Β350 έως 2Β352.
English: Ceramics (19) and Low- expansion glasses (14)
Greek: Κεραμικά υλικά (19) και γυαλί μικρής διαστολής (14)
English: Carbon-carbon, Ceramic and Metal "matrix""composites"
Greek: «Σύνθετα υλικά» με «βάση» άνθρακα-άνθρακα, κεραμικό υλικό και μέταλλο
English: Alloyed aluminides (2)
Greek: Πυριτίδια αργιλίδια (2)
English: Sensor window materials (9)
Greek: Υλικά παραθύρων αισθητήρων (9)
English: Physical Vapour Deposition (PVD): "Laser" Vaporization
Greek: Εναπόθεση ατμού με φυσικές μεθόδους (PVD): εξάτμιση με «λέιζερ»
English: Polymers (11) and
Greek: Πολυμερή (11) και «σύνθετα υλικά» οργανικής «βάσης»
English: Organic "matrix""composites" Carbon-carbon, Ceramic and Metal "matrix""composites"
Greek: «Σύνθετα υλικά» με «βάση» άνθρακα-άνθρακα, κεραμικό υλικό και μέταλλο
English: Abradable Nickel-Graphite Abradable materials
Greek: Λειάνσιμος νικελιο-γραφίτης
English: Abradable Al-Si-Polyester Alloyed aluminides (2)
Greek: Λειάνσιμος Al-Si-πολυεστέρας Κραματοποημένα αργιλίδια (2)
English: Fused aluminides except for resistance heating elements
Greek: Συντηγμένα πυριτίδια εκτός από τα στοιχεία θερμαντικών ηλεκτρικών αντιστάσεων
English: Ceramics and Low- expansion glasses (14)
Greek: Κεραμικά υλικά και γυαλί μικρής διαστολής (14)
English: Additions of Chromium Tantalum orNiobium (Columbium)
Greek: Προσθήκες χρωμίου, τανταλίου ή νιοβίου (κολομβίου)
English: Table — Deposition techniques — Notes
Greek: Πινακας — Τεχνικες εναποθεσης — Σημειωσεις
English: The term ’coating process’ includes coating repair and refurbishing as well as original coating.
Greek: Η έννοια του όρου «μέθοδος επίχρισης» περιλαμβάνει τόσο την αρχική επίχριση όσο και την επιδιόρθωση και την ανανέωση των επιχρισμάτων.
English: The term ’alloyed aluminide coating’ includes single or multiple-step coatings in which an element or elements are deposited prior to or during application of the aluminide coating, even if these elements are deposited by another coating process.
Greek: Η έννοια του όρου ’επίχρισμα κραματοποιημένου αργιλιδίου’ περιλαμβάνει τις απλές ή πολλαπλές επιχρίσεις, κατά τις οποίες ένα ή περισσότερα χημικά στοιχεία εναποτίθενται πριν από την εφαρμογή του επιχρίσματος αργιλιδίου ή κατά τη διάρκειά της, έστω και αν για την εναπόθεση των στοιχείων αυτών χρησιμοποιείται άλλη μέθοδος επίχρισης.
English: The term ’noble metal modified aluminide’ coating includes multiple-step coatings in which the noble metal or noble metals are laid down by some other coating process prior to application of the aluminide coating.
Greek: Η έννοια του όρου ’επίχριση αργιλιδίου τροποποιημένου με ευγενή μέταλλα’ περιλαμβάνει τις πολλαπλές επιχρίσεις, κατά τις οποίες το ή τα ευγενή μέταλλα εναποτίθενται με άλλη μέθοδο επίχρισης πριν από την εφαρμογή του επιχρίσματος αργιλιδίου.
English: The term ’mixtures thereof’ includes infiltrated material, graded compositions, co-deposits and multilayer deposits and are obtained by one or more of the coating processes specified in the Table.
Greek: Η έννοια του όρου ’μίγματα αυτών’ περιλαμβάνει διείσδυση υλικών, κλιμακωτές συνθέσεις, συνεναποθέσεις και πολυστρωματικές εναποθέσεις και λαμβάνονται με μία ή περισσότερες από τις μεθόδους επίχρισης που περιλαμβάνονται στον πίνακα.
English: ’MCrAlX’ refers to a coating alloy where M equals cobalt, iron, nickel or combinations thereof and X equals hafnium, yttrium, silicon, tantalum in any amount or other intentional additions over 0,01 % by weight in various proportions and combinations, except:
Greek: Ο τύπος «ΜcrΑlX» αναφέρεται σε κράματα επίχρισης, όπου Μ είναι κοβάλτιο, σίδηρος, νικέλιο ή συνδυασμός αυτών των μετάλλων και X είναι άφνιο, ύττριο, πυρίτιο, ταντάλιο σε οποιαδήποτε ποσότητα ή άλλες σκόπιμες προσθήκες σε ποσοστό μεγαλύτερο από 0,01 % κατά βάρος σε ποικίλες αναλογίες και ποικίλους συνδυασμούς, εκτός από:
English: CoCrAlY coatings which contain 22 to 24 % by weight of chromium, 10 to 12 % by weight of aluminium and 0,5 to 0,7 % by weight of yttrium; or
Greek: τα επιχρίσματα CoCrAlY με κατά βάρος περιεκτικότητα σε χρώμιο 22-24 %, σε αργίλιο 10-12 % και σε ύττριο 0,5-0,7 %, ή
English: The term ’aluminium alloys’ refers to alloys having an ultimate tensile strength of 190 MPa or more measured at 293 K (20 °C).
Greek: Ο όρος ’κράματα αργιλίου’ αναφέρεται σε κράματα με αντοχή στον εφελκυσμό 190 ΜΡa ή μεγαλύτερη, μετρώμενη στους 293 Κ (20 °C).
English: The term ’corrosion resistant steel’ refers to AISI (American Iron and Steel Institute) 300 series or equivalent national standard steels.
Greek: Ο όρος ’χάλυβας ανθεκτικός στη διάβρωση’ αναφέρεται σε χάλυβες που ανταποκρίνονται στο πρότυπο AISI (American Iron and Steel Institute/Αμερικανικό Ίδρυμα Σιδήρου και χάλυβα) σειρά 300 ή σε ισότιμο εθνικό πρότυπο.
English: ’Refractory metals and alloys’ include the following metals and their alloys: niobium (columbium), molybdenum, tungsten and tantalum.
Greek: Ο όρος ’πυρίμαχα μέταλλα και κράματα’ περιλαμβάνει τα ακόλουθα μέταλλα και τα κράματά τους: νιόβιο (κολόμβιο), μολυβδαίνιο, βολφράμιο και ταντάλιο.
English: ’Sensor window materials’, as follows: alumina, silicon, germanium, zinc sulphide, zinc selenide, gallium arsenide, diamond, gallium phosphide, sapphire and the following metal halides: sensor window materials of more than 40 mm diameter for zirconium fluoride and hafnium fluoride.
Greek: ’Υλικά παραθύρων αισθητήρων’, ως εξής: αλουμίνα, πυρίτιο, γερμάνιο, θειούχος ψευδάργυρος, σεληνίδιο του ψευδαργύρου, αρσενίδιο του γαλλίου, αδάμας, φωσφίδιο γαλλίου, σάπφειρος και τα ακόλουθα αλογονίδια μετάλλων: υλικά παραθύρων αισθητήρων διαμέτρου άνω των 40 mm, προκειμένου για βρωμιούχο ζιρκόνιο και φθοριούχο άφνιο.
English: "Technology" for single-step pack cementation of solid airfoils is not controlled by Category 2.
Greek: Η «τεχνολογία» για την απλή επιστοιχείωση (ενανθράκωση) σε στήλη συμπαγών αεροτομών δεν περιλαμβάνεται στην κατηγορία 2.
English: ’Polymers’, as follows: polyimide, polyester, polysulphide, polycarbonates and polyurethanes.
Greek: ’Πολυμερή’ ως εξής: πολυϊμίδια, πολυεστέρες, πολυσουλφίδια, πολυανθρακικά πολυμερή και πολυουρεθάνες.
English: ’Modified zirconia’ refers to additions of other metal oxides (e.g., calcia, magnesia, yttria, hafnia, rare earth oxides) to zirconia in order to stabilise certain crystallographic phases and phase compositions.
Greek: Η ’τροποποιημένη ζιρκονία’ αναφέρεται στο προϊόν προσθήκης στη ζιρκονία άλλων οξειδίων μετάλλων, (π.χ. ασβέστου, μαγνησίας, υττρίας, αφνίας, οξειδίων των σπανίων γαιών κ.λπ.), για τη σταθεροποίηση ορισμένων κρυσταλλογραφικών φάσεων και συνθέσεων φάσεων.
English: ’Titanium alloys’ refers only to aerospace alloys having an ultimate tensile strength of 900 MPa or more measured at 293 K (20 °C).
Greek: Τα ’κράματα τιτανίου’ αναφέρονται μόνον στα κράματα της αεροδιαστημικής τεχνολογίας με αντοχή στον εφελκυσμό 900 MPa ή μεγαλύτερη, μετρώμενη στους 293 Κ (20 °C).
English: ’Low-expansion glasses’ refers to glasses which have a coefficient of thermal expansion of 1 × 10–7 K–1 or less measured at 293 K (20 °C).
Greek: Το ’γυαλί μικρής διαστολής’ αναφέρεται σε γυαλί με συντελεστή θερμικής διαστολής 1 × 10–7 K–1 ή μικρότερο, μετρώμενο στους 293 Κ (20 °C).
English: ’Dielectric layers’ are coatings constructed of multi-layers of insulator materials in which the interference properties of a design composed of materials of various refractive indices are used to reflect, transmit or absorb various wavelength bands.
Greek: Τα ’διηλεκτρικά στρώματα’ είναι επιχρίσματα που συγκροτούνται από πολλαπλές επιστρώσεις μονωτικών υλικών και στα οποία οι ιδιότητες συμβολής μιας διάταξης υλικών με διάφορους δείκτες διαθλάσεως, χρησιμοποιούνται για την ανάκλαση, τη μετάδοση ή την απορρόφηση διαφόρων ζωνών μήκους κύματος.
English: Dielectric layers refers to more than four dielectric layers or dielectric/metal "composite" layers.
Greek: Τα διηλεκτρικά στρώματα αναφέρονται σε περισσότερες από τέσσερις διηλεκτρικές επιστρώσεις ή «σύνθετες» επιστρώσεις διηλεκτρικού υλικού/μετάλλου.
English: ’Cemented tungsten carbide’ does not include cutting and forming tool materials consisting of tungsten carbide/(cobalt, nickel), titanium carbide/(cobalt, nickel), chromium carbide/nickel-chromium and chromium carbide/nickel.
Greek: Στα ’επιστοιχειωμένα καρβίδια του βολφραμίου’ δεν περιλαμβάνονται τα υλικά κοπτικών εργαλείων και εργαλείων μορφοποίησης από καρβίδιο του βολφραμίου/(κοβάλτιο, νικέλιο), καρβίδιο του τιτανίου/(κοβάλτιο, νικέλιο), καρβίδιο του χρωμίου/νικελιο-χρώμιο και καρβίδιο του χρωμίου/νικέλιο.
English: "Technology" specially designed to deposit diamond-like carbon on any of the following is not controlled:
Greek: Δεν ελέγχεται η «τεχνολογία» που έχει ειδικά σχεδιαστεί για την εναπόθεση αδαμαντοειδούς άνθρακα στα ακόλουθα:
English: ’Silicon carbide’ does not include cutting and forming tool materials.
Greek: Το ’καρβίδιο του πυριτίου’ δεν περιλαμβάνει τα υλικά κοπτικών εργαλείων και εργαλείων μορφοποίησης.
English: Ceramic substrates, as used in this entry, does not include ceramic materials containing 5 % by weight, or greater, clay or cement content, either as separate constituents or in combination.
Greek: Ο όρος «κεραμικά υποστρώματα», όπως χρησιμοποιείται στο σημείο αυτό, δεν περιλαμβάνει τα κεραμικά υλικά με περιεκτικότητα τουλάχιστον 5 % σε άργιλο ή τσιμέντο, είτε χωριστά είτε σε συνδυασμό.
English: Table — Deposition techniques — Technical note
Greek: Πνακας — Τεχνικες εναποθεσης — Τεχνικη παρατηρηση
English: Chemical Vapour Deposition (CVD) is an overlay coating or surface modification coating process wherein a metal, alloy, "composite", dielectric or ceramic is deposited upon a heated substrate.
Greek: Εναπόθεση ατμού με χημικές μεθόδους (CVD) είναι τεχνική επίχρισης με επίστρωση ή με μετατροπή επιφανειών, κατά την οποία ένα μέταλλο, κράμα, «σύνθετο υλικό», διηλεκτρικό υλικό ή κεραμικό υλικό εναποτίθεται σε θερμαινόμενο υπόστρωμα.
English: Energy for this decomposition or chemical reaction process may be provided by the heat of the substrate, a glow discharge plasma, or "laser" irradiation.
Greek: Η απαιτούμενη ενέργεια για την παραπάνω διεργασία διάσπασης ή χημικής αντίδρασης παρέχεται από τη θερμότητα του υποστρώματος, από πλάσμα εκκένωσης αίγλης ή με ακτινοβόληση με «λέιζερ».
English: includes the following processes: directed gas flow out-of-pack deposition, pulsating CVD, controlled nucleation thermal deposition (CNTD), plasma enhanced or plasma assisted CVD processes.
Greek: ΣΗΜ. 1:Στην τεχνική CVD περιλαμβάνονται οι ακόλουθες μέθοδοι: εναπόθεση εκτός στήλης με κατευθυνόμενη ροή αερίου, παλμική CVD, θερμική εναπόθεση με ελεγχόμενο πυρήνα αντιδράσεως (CNTD), CVD βελτιωμένη ή υποβοηθούμενη από πλάσμα.
English: gaseous reactants used in the out-of-pack process are produced using the same basic reactions and parameters as the pack cementation process, except that the substrate to be coated is not in contact with the powder mixture.
Greek: ΣΗΜ. 3:Τα αέρια αντιδρώντα σώματα που χρησιμοποιούνται στην τεχνική εκτός στήλης σχηματίζονται με τις ίδιες βασικές αντιδράσεις και παραμέτρους όπως και στην τεχνική επιστοιχείωσης (ενανθράκωσης) σε στήλη, εκτός από το ότι το προς επίχριση υπόστρωμα δεν έρχεται σε επαφή με το μίγμα κόνεων.
English: "Laser" Vaporization uses either pulsed or continuous wave "laser" beams to vaporize the material which forms the coating;
Greek: Στην εξάτμιση με «λέιζερ» χρησιμοποιούνται δέσμες «λέιζερ» παλμικού ή συνεχούς κύματος για την εξάτμιση του υλικού που σχηματίζει το επίχρισμα,
English: definition does not include random cathodic arc deposition with non-biased substrates.
Greek: ΣΗΜ.:Ο ορισμός αυτός δεν περιλαμβάνει την τυχαία εναπόθεση καθοδικής εκκένωσης τόξου με μη πολωμένα υποστρώματα.
English: velocity refers to nozzle-exit gas velocity exceeding 750 m/s calculated at 293 K (20 °C) at 0,1 MPa.
Greek: ΣΗΜ. 2:Η υψηλή ταχύτητα αναφέρεται σε ταχύτητες αερίου στην έξοδο του ακροφυσίου υψηλότερες από 750 m/s υπολογιζόμενες σε θερμοκρασία 293 Κ (20 °C) και πίεση 0,1 MPa.
English: Table refers only to triode, magnetron or reactive sputter deposition which is used to increase adhesion of the coating and rate of deposition and to radio frequency (RF) augmented sputter deposition used to permit vaporisation of non-metallic coating materials.
Greek: ΣΗΜ. 1:Ο πίνακας αναφέρεται μόνο στην εναπόθεση καθοδικής διασκόρπισης τριόδου, μαγνήτρου ή χημικής αντίδρασης, που χρησιμοποιείται για την αύξηση της πρόσφυσης του επιχρίσματος και της ταχύτητας εναπόθεσης, και στην εναπόθεση καθοδικής διασκόρπισης ενισχυμένης με ραδιοσυχνότητες (RF), που χρησιμοποιείται για να επιτρέπει την εξάτμιση μη μεταλλικών επιχριστικών υλικών.
English: N.B.2Low-energy ion beams (less than 5 keV) can be used to activate the deposition.
Greek: ΣΗΜ. 2:Για την ενεργοποίηση της εναπόθεσης είναι δυνατόν να χρησιμοποιούνται δέσμες ιόντων χαμηλής ενέργειας (κάτω των 5 keV).
English: Note 1:The control status of equipment and components described in 3A001 or 3A002, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10. or 3A001.a.12., which are specially designed for or which have the same functional characteristics as other equipment is determined by the control status of the other equipment.
Greek: Σημείωση 1:Η διαβάθμιση ελέγχου του εξοπλισμού και των δομικών στοιχείων που περιγράφονται στο σημείο 3Α001 ή 3Α002, εκτός από όσα περιγράφονται στα εδάφια 3Α001.a.10. ή 3Α001.a.12., που έχουν σχεδιασθεί ειδικά, ή έχουν τα ίδια λειτουργικά χαρακτηριστικά όπως ο υπόλοιπος εξοπλισμός, καθορίζεται από τη διαβάθμιση ελέγχου του υπόλοιπου εξοπλισμού.
English: Note 2:The control status of integrated circuits described in 3A001.a.3. to 3A001.a.9. or 3A001.a.12. which are unalterably programmed or designed for a specific function for another equipment is determined by the control status of the other equipment.
Greek: Σημείωση 2:Η διαβάθμιση ελέγχου των ολοκληρωμένων κυκλωμάτων που περιγράφονται στα σημεία 3Α001.a.3. έως 3Α001.a.9. ή 3Α001.a.12., τα οποία έχουν προγραμματισθεί χωρίς δυνατότητα αλλαγής, ή έχουν σχεδιασθεί για μία επί μέρους λειτουργία άλλου εξοπλισμού, καθορίζεται από τη διαβάθμιση ελέγχου του υπόλοιπου εξοπλισμού.
English: N.B.:When the manufacturer or applicant cannot determine the control status of the other equipment, the control status of the integrated circuits is determined in 3A001.a.3. to 3A001.a.9. and 3A001.a.12.
Greek: ΣΗΜ.:Όταν ο κατασκευαστής ή αυτός που υποβάλλει την αίτηση δεν μπορεί να καθορίσει τη διαβάθμιση ελέγχου του υπόλοιπου εξοπλισμού, η διαβάθμιση ελέγχου των ολοκληρωμένων κυκλωμάτων καθορίζεται στα σημεία 3Α001.a.3. έως 3Α001.a.9. και 3Α001.a.12.
English: Note 1:The control status of wafers (finished or unfinished), in which the function has been determined, is to be evaluated against the parameters of 3A001.a.
Greek: Σημείωση 1:Η διαβάθμιση ελέγχου των πλακιδίων (που έχουν υποστεί φινίρισμα ή όχι), στα οποία έχει καθοριστεί η λειτουργία, πρέπει να ελεγχθεί με τις παραμέτρους του σημείου 3Α001.α.
English: "Monolithic integrated circuits";
Greek: «Μονολιθικά ολοκληρωμένα κυκλώματα»,
English: "Hybrid integrated circuits";
Greek: «Υβριδικά ολοκληρωμένα κυκλώματα»,
English: "Multichip integrated circuits";
Greek: «Ολοκληρωμένα κυκλώματα πολλαπλών μικροπλακετών»,
English: "Film type integrated circuits", including silicon-on-sapphire integrated circuits;
Greek: «Ολοκληρωμένα κυκλώματα τύπου φιλμ», που περιλαμβάνουν ολοκληρωμένα κυκλώματα με πυρίτιο πάνω σε σάπφειρο,
English: "Optical integrated circuits".
Greek: «Οπτικά ολοκληρωμένα κυκλώματα».
English: Integrated circuits designed or rated as radiation hardened to withstand any of the following:
Greek: Ολοκληρωμένα κυκλώματα σχεδιασμένα ή καθορισμένα ώστε να αντέχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
English: "Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits", microcontroller microcircuits, storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor, analogue-to-digital converters, digital-to-analogue converters, electro-optical or "optical integrated circuits" designed for "signal processing", field programmable logic devices, custom integrated circuits for which either the function is unknown or the control status of the equipment in which the integrated circuit will be used is unknown, Fast Fourier Transform (FFT) processors, electrical erasable programmable read-only memories (EEPROMs), flash memories or static random-access memories (SRAMs), having any of the following:
Greek: «Μικροκυκλώματα με μικροεπεξεργαστές», «μικροκυκλώματα μικροϋπολογιστών» και μικροκυκλώματα για μικροσυσκευές ελέγχου, ολοκληρωμένα κυκλώματα μνήμης κατασκευασμένα από σύνθετο ημιαγωγό, μετατροπείς αναλογικού σε ψηφιακό, μετατροπείς ψηφιακού σε αναλογικό, ηλεκτρο-οπτικά ή «οπτικά ολοκληρωμένα κυκλώματα» σχεδιασμένα για «επεξεργασία σημάτων», προγραμματιζόμενες λογικές διατάξεις πεδίου (field programmable logic devices), ολοκληρωμένα κυκλώματα κατασκευασμένα κατά παραγγελία, για τα οποία είτε είναι άγνωστη η λειτουργία είτε αγνοείται η διαβάθμιση ελέγχου του εξοπλισμού, στον οποίον θα χρησιμοποιηθούν τα ολοκληρωμένα κυκλώματα, επεξεργαστές ταχείας μετατροπής Fourier (Fast Fourier Transform — FFT), ηλεκτρικά αποσβέσιμες και προγραμματιζόμενες μνήμες ανάγνωσης μόνο (EEPROM), στιγμιαίες μνήμες ή στατικές μνήμες RAM (SRAM) που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
English: Rated for operation at an ambient temperature below 218 K (–55 °C); or
Greek: Καθορισμένα να λειτουργούν σε θερμοκρασία περιβάλλοντος κάτω των 218 K (–55 °C), ή
English: Rated for operation over the entire ambient temperature range from 218 K (–55 °C) to 398 K (125 °C);
Greek: Καθορισμένα να λειτουργούν στο σύνολο της περιοχής θερμοκρασιών περιβάλλοντος από 218 K (–55 °C) έως 398 K (125 °C).
English: "Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits" and microcontroller microcircuits, manufactured from a compound semiconductor and operating at a clock frequency exceeding 40 MHz;
Greek: «Μικροκυκλώματα με μικροεπεξεργαστές», «μικροκυκλώματα μικροϋπολογιστών» και μικροκυκλώματα για μικροσυσκευές ελέγχου, που κατασκευάζονται από σύνθετο ημιαγωγό και με λειτουργία σε συχνότητα χρονισμού πάνω από 40 MHz.
English: ALSO 3A101
Greek: ΣΗΜ.:ΣΗΜΕΙΩΣΗ ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 3Α101
English: A resolution of 12 bit with an output rate greater than 105 million words per second;
Greek: Διακριτική ικανότητα 12 bit, με ρυθμό εξόδου ανώτερο των 105 εκατομμυρίων λέξεων ανά δευτερόλεπτο,
English: A resolution of more than 12 bit, but equal to or less than 14 bit, with an output rate greater than 10 million words per second; or
Greek: Διακριτική ικανότητα άνω των 12 bit αλλά το πολύ 14 bit, με ρυθμό εξόδου ανώτερο των 10 εκατομμυρίων λέξεων ανά δευτερόλεπτο, ή
English: A resolution of more than 14 bit with an output rate greater than 2,5 million words per second;
Greek: Διακριτική ικανότητα άνω των 14 bit, με ρυθμό εξόδου ανώτερο του 2,5 εκατομμυρίου, λέξεων ανά δευτερόλεπτο,
English: Digital-to-analogue converters with a resolution of 12 bit or more and a "settling time" of less than 10 ns;
Greek: Μετατροπείς ψηφιακού σε αναλογικό με διακριτική ικανότητα τουλάχιστον 12 bit και «χρόνο αποκατάστασης» (settling time) κάτω των 10 ns.
English: Electro-optical and "optical integrated circuits", designed for "signal processing" and having all of the following:
Greek: Ηλεκτρο-οπτικά ή «οπτικά ολοκληρωμένα κυκλώματα» για «επεξεργασία σημάτων» που έχουν όλα τα ακόλουθα:
English: One or more than one internal "laser" diode;
Greek: Μία ή περισσότερες εσωτερικές διόδους «λέιζερ»,
English: ’Field programmable logic devices’ having any of the following:
Greek: ’Προγραμματιζόμενες λογικές διατάξεις πεδίου’ (field programmable logic devices) που έχουν οιοδήποτε από τα ακόλουθα:
English: A maximum number of digital input/outputs greater than 200; or
Greek: Μέγιστο αριθμό ψηφιακών εισόδων/εξόδων μεγαλύτερο από 200· ή
English: A system gate count of greater than 230000;
Greek: Αριθμό θυρών συστήματος μεγαλύτερο από 230000
English: Simple Programmable Logic Devices (SPLDs)
Greek: Τις απλές προγραμματιζόμενες λογικές διατάξεις (SPLD)
English: Complex Programmable Logic Devices (CPLDs)
Greek: Τις πολύπλοκες προγραμματιζόμενες λογικές διατάξεις (CPLD)
English: Field Programmable Gate Arrays (FPGAs)
Greek: Τις προγραμματιζόμενες διατάξεις θυρών πεδίου (FPGA)
English: Field Programmable Logic Arrays (FPLAs)
Greek: Τις προγραμματιζόμενες λογικές διατάξεις θυρών πεδίου (FPLA)
English: Field Programmable Interconnects (FPICs)
Greek: Τους προγραμματιζόμενους διασυνδέσμους θυρών πεδίου (FPIC)
English: Maximum number of digital input/outputs in 3A001.a.7.a. is also referred to as the maximum user input/outputs or maximum available input/outputs, whether the integrated circuit is packaged or bare die.
Greek: Ο μέγιστος αριθμός ψηφιακών εισόδων/εξόδων στο Α001.α.7.α. αναφέρεται επίσης ως μέγιστος αριθμός εισόδων/εξόδων χρήστη ή μέγιστος αριθμός διαθέσιμων εισόδων/εξόδων, είτε το ολοκληρωμένο κύκλωμα είναι συσκευασμένο είτε σκέτη ψηφίδα (bare die).
English: More than 1500 terminals;
Greek: Πάνω από 1500 τερματικές ακίδες.
English: A typical "basic gate propagation delay time" of less than 0,02 ns; or
Greek: Χαρακτηριστικό «βασικό χρόνο διαβάσεως πύλης» χαμηλότερο από 0,02 ns, ή
English: Digital integrated circuits, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10. and 3A001.a.12., based upon any compound semiconductor and having any of the following:
Greek: Ψηφιακά ολοκληρωμένα κυκλώματα, εκτός αυτών που περιγράφονται στα σημεία 3Α001.α.3. έως 3Α001.α.10. και 3Α001.α.12., που έχουν κατασκευασθεί από οποιοδήποτε μικτό ημιαγωγό και παρουσιάζουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
English: An equivalent gate count of more than 3000 (2 input gates); or
Greek: Ισοδύναμο χρησιμοποιήσιμο αριθμό θυρών μεγαλύτερο από 3000 (για 2 θύρες εισόδου), ή