geopti/opus-en-el-eval-mixture huggingface dataset:
English: Arrangements using single or multiple detonators designed to nearly simultaneously initiate an explosive surface over greater than 5000 mm2 from a single firing signal with an initiation timing spread over the surface of less than 2,5 µs.
Greek: Συστήματα που χρησιμοποιούν απλούς ή πολλαπλούς πυροκροτητές και έχουν σχεδιασθεί για να προκαλούν σχεδόν ταυτόχρονα την έναυση μιας εκρηκτικής επιφάνειας εμβαδού πάνω από 5000 mm2 από ένα μόνο σήμα πυροδότησης με χρόνο έναυσης όπως εκτείνεται στην επιφάνεια λιγότερο από 2,5 μικροδευτερόλεπτα.
English: Thermal ionization mass spectrometers (TIMS);
Greek: Φασματογράφοι μάζας με θερμικό ιονισμό (TIMS),
English: Electron bombardment mass spectrometers which have a source chamber constructed from, lined with or plated with materials resistant to UF6;
Greek: Φασματογράφοι μάζας με βομβαρδισμό ηλεκτρονίων που έχουν θάλαμο πηγής κατασκευασμένο ή με επίστρωση ή κάλυψη από υλικά που αντέχουν στο UF6,
English: A source chamber constructed from, lined with or plated with stainless steel or molybdenum and equipped with a cold trap capable of cooling to 193 K (–80 °C) or less; or
Greek: Θάλαμο πηγής κατασκευασμένο από, με επίστρωση ή με κάλυψη από, ανοξείδωτο χάλυβα ή μολυβδαίνιο και εξοπλισμοί με ψυχρή παγίδα που μπορεί να ψυχθεί σε θερμοκρασία 193 K (–80 °C) ή χαμηλότερη, ή
English: A source chamber constructed from, lined with or plated with materials resistant to UF6;
Greek: Θάλαμο πηγής κατασκευασμένο, με επίστρωση ή με κάλυψη από υλικά που αντέχουν στο UF6· στ.
English: Equipment for the manufacturing of semiconductor devices or materials, as follows and specially designed components and accessories therefor:
Greek: Εξοπλισμός για παραγωγή συσκευών με ημιαγωγούς, ή υλικών ημιαγωγών, ως εξής, και ειδικά σχεδιασμένα δομικά στοιχεία και εξαρτήματα για το σκοπό αυτό:
English: Equipment designed for epitaxial growth as follows:
Greek: Εξοπλισμός σχεδιασμένος για επιταξιακή ανάπτυξη, ως εξής:
English: Equipment capable of producing a layer of any material other than silicon with a thickness uniform to less than ±2,5 % across a distance of 75 mm or more;
Greek: Εξοπλισμός που μπορεί να παράγει στρώμα οποιουδήποτε άλλου υλικού πλην πυριτίου ομοιογενούς πάχους με διαφορά λιγότερη από ±2,5 % σε απόσταση 75 mm ή παραπάνω,
English: Note:3B001.a.1. includes Atomic Layer Epitaxy (ALE) equipment.
Greek: Σημείωση:Το σημείο 3B001.α.1. περιλαμβάνει εξοπλισμό επίταξης ατομικού στρώματος (Atomic Layer Epitaxy — ALE).
English: Metal Organic Chemical Vapour Deposition (MOCVD) reactors specially designed for compound semiconductor crystal growth by the chemical reaction between materials specified in 3C003 or 3C004;
Greek: Αντιδραστήρες για χημική εναπόθεση ατμών οργανικών μεταλλικών ενώσεων (ΜΟCVD), που έχουν ειδικά σχεδιασθεί για την παραγωγή κρυστάλλων από σύνθετους ημιαγωγούς μέσω της χημικής αντίδρασης μεταξύ υλικών που καθορίζονται στα σημεία 3C003 ή 3C004,
English: Equipment designed for ion implantation and having any of the following:
Greek: Εξοπλισμός σχεδιασμένος για εμφύτευση ιόντων που έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
English: A beam energy (accelerating voltage) exceeding 1MeV;
Greek: Ενέργεια δέσμης (τάση επιτάχυνσης) ανώτερη από 1 MeV,
English: Anisotropic plasma dry etching equipment as follows:
Greek: Εξοπλισμός για ξερή χάραξη μέσω ανισότροπου πλάσματος ως εξής:
English: Equipment with cassette-to-cassette operation and load-locks, and having any of the following:
Greek: Εξοπλισμός με λειτουργία από κασέτα προς κασέτα και κλείδωμα φορτίου και που έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
English: Designed or optimised to produce critical dimensions of 180 nm or less with ±5 % 3 sigma precision; or
Greek: Σχεδιασμένος ή βελτιστοποιημένος για να παράγει κρίσιμες διαστάσεις 180 nm ή μικρότερες, με ακρίβεια 3 σ ±5 % ή
English: Designed for generating less than 0,04 particles/cm2 with a measurable particle size greater than 0,1 µm in diameter;
Greek: Σχεδιασμένος για να παράγει λιγότερα από 0,04 σωματίδια/cm2 με μετρήσιμη διάμετρο σωματιδίου άνω του 0,1 μm.
English: Plasma enhanced Chemical Vapour Deposition (CVD) equipment as follows:
Greek: Εξοπλισμός για χημική εναπόθεση με εξάτμιση (CVD) και με την ενίσχυση πλάσματος, ως εξής:
English: Equipment specially designed for equipment specified in 3B001.e. and designed according to the manufacturer's specifications or optimised for use in the production of semiconductor devices with critical dimensions of 180 nm or less;
Greek: Εξοπλισμός που έχει ειδικά σχεδιασθεί για εξοπλισμό που καθορίζεται στο σημείο 3Β001.ε. και σχεδιασμένος σύμφωνα με τις προδιαγραφές του κατασκευαστή ή βελτιστοποιημένος προς χρήση στην παραγωγή συσκευών ημιαγωγών με κρίσιμες διαστάσεις έως και 180 mm.
English: Automatic loading multi-chamber central wafer handling systems having all of the following:
Greek: Κεντρικά συστήματα χειρισμού πλακιδίων (wafer), πολλαπλών θαλάμων, αυτόματης φόρτωσης, τα οποία έχουν όλα τα ακόλουθα:
English: Lithography equipment as follows:
Greek: Εξοπλισμός λιθογραφίας, ως εξής:
English: Align and expose step and repeat (direct step on wafer) or step and scan (scanner) equipment for wafer processing using photo-optical or X-ray methods and having any of the following:
Greek: Εξοπλισμός ευθυγράμμισης και έκθεσης step and repeat (με άμεσο βήμα πάνω στο πλακίδιο) ή step and scan (με σάρωση) για την επεξεργασία πλακιδίων με τη χρήση φωτο-οπτικών μεθόδων ή μεθόδων ακτίνων Χ και ο οποίος έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
English: Capable of producing a pattern with a ’minimum resolvable feature size’ of 180 nm or less;
Greek: Ικανότητα να συνθέτει σχήματα με ’ελάχιστο διαχωρίσιμο μέγεθος γνωρίσματος’ 180 nm ή μικρότερο.
English: The ’minimum resolvable feature size’ is calculated by the following formula:
Greek: Το ’ελάχιστο διαχωρίσιμο μέγεθος γνωρίσματος’ υπολογίζεται με τον εξής τύπο:
English: × K factor
Greek: × αριθμητικό διάφραγμα
English: MRF = ’minimum resolvable feature size’
Greek: MRF = ’ελάχιστο διαχωρίσιμο μέγεθος γνωρίσματος’
English: Imprint lithography equipment capable of producing features of 180 nm or less;
Greek: Εξοπλισμός εντυπωτικής λιθογραφίας ικανός να παράγει λεπτομέρειες διαστάσεων 180 nm και κάτω.
English: Micro contact printing tools
Greek: Τα εργαλεία τυπογραφίας μικροεπαφής,
English: Hot embossing tools
Greek: Τα εργαλεία θερμοεντύπωσης,
English: Nano-imprint lithography tools
Greek: Τα εργαλεία νανοεντυπωτικής λιθογραφίας,
English: Step and flash imprint lithography (S-FIL) tools
Greek: Τα εργαλεία εντυπωτικής λιθογραφίας με βήμα και λάμψη (step-and-flash)
English: Using deflected focussed electron beam, ion beam or "laser" beam; and
Greek: με τη χρήση εκτρεπόμενης εστιασμένης δέσμης ηλεκτρονίων, δέσμης ιόντων ή δέσμης «λέιζερ», και
English: A spot size smaller than 0,2 µm;
Greek: Εστιακό μέγεθος μικρότερο από 0,2 μm,
English: Being capable of producing a pattern with a feature size of less than 1 µm; or
Greek: Είναι ικανός να παράγει σχήμα με χαρακτηριστικό μέγεθος κάτω από 1 μm, ή
English: An overlay accuracy of better than ±0,20 µm (3 sigma);
Greek: Ακρίβεια επικάλυψης καλύτερη από ±0,20 μm (3 sigma).
English: Masks and reticles, designed for integrated circuits specified in 3A001;
Greek: Μάσκες ή reticles που έχουν σχεδιαστεί για ολοκληρωμένα κυκλώματα που καθορίζονται στο σημείο 3Α001.
English: Multi-layer masks with a phase shift layer;
Greek: Μάσκες με πολλαπλά στρώματα που περιλαμβάνουν στρώμα ολίσθησης φάσης.
English: Test equipment specially designed for testing finished or unfinished semiconductor devices as follows and specially designed components and accessories therefor:
Greek: Εξοπλισμός δοκιμών που έχει ειδικά σχεδιασθεί για να δοκιμάζονται τελειωμένες ή ημιτελείς συσκευές ημιαγωγών, ως εξής, και δομικά στοιχεία και εξαρτήματα που έχουν ειδικά σχεδιαστεί για τον εξοπλισμό αυτό:
English: Hetero-epitaxial materials consisting of a "substrate" having stacked epitaxially grown multiple layers of any of the following:
Greek: Ετερο-επιταξιακά υλικά, που αποτελούνται από «υπόστρωμα» πάνω στο οποίο έχουν αποτεθεί επιταξιακά ανεπτυγμένα πολλαπλά στρώματα οποιουδήποτε από τα ακόλουθα υλικά:
English: "III/V compounds" of gallium or indium.
Greek: «Σύνθετες ενώσεις» γαλλίου ή ινδίου με στοιχεία του πίνακα III/V.
English: Resist materials as follows and "substrates" coated with the following resists:
Greek: Φωτοανθεκτικά υλικά, ως εξής, καθώς και «υποστρώματα» που έχουν επίστρωση των ακόλουθων φωτοανθεκτικών ουσιών:
English: Positive resists designed for semiconductor lithography specially adjusted (optimised) for use at wavelengths below 245 nm;
Greek: Θετικά φωτοανθεκτικά υλικά για λιθογραφικές εργασίες με ημιαγωγούς, ειδικώς ρυθμισμένα (αριστοποιημένα) για χρήση σε μήκη κύματος κάτω από 245 nm,
English: All resists designed for use with electron beams or ion beams, with a sensitivity of 0,01 µcoulomb/mm2 or better;
Greek: Πάσης φύσεως φωτοανθεκτικά υλικά για χρήση με δέσμες ηλεκτρονίων ή ιόντων που έχουν ευαισθησία 0,01 µcoulomb/mm2 ή καλύτερη,
English: All resists optimised for surface imaging technologies, including ’silylated’ resists;
Greek: Πάσης φύσεως φωτοανθεκτικά υλικά αριστοποιημένα για τεχνολογίες απεικόνισης επιφανειών, συμπεριλαμβανομένων των ’πυριτικοποιημένων’ φωτοανθεκτικών υλικών.
English: ’Silylation’ techniques are defined as processes incorporating oxidation of the resist surface to enhance performance for both wet and dry developing.
Greek: Οι τεχνικές μέθοδοι ’πυριτικοποίησης’ ορίζονται ως οι διαδικασίες που περιλαμβάνουν οξείδωση της επιφάνειας του φωτοανθεκτικού υλικού ώστε να ενισχυθεί η απόδοσή του τόσο για υγρή όσο και για ξηρά εμφάνιση.
English: All resists designed or optimised for use with imprint lithography equipment specified in 3B001.f.2. that use either a thermal or photo-curable process.
Greek: Πάσης φύσεως φωτοανθεκτικά υλικά σχεδιασμένα ή αριστοποιημένα για χρήση με τον εξοπλισμό εντυπωτικής λιθογραφίας που καθορίζεται στο 3B001.στ.2. που χρησιμοποιούν είτε θερμική είτε φωτο-στυπωτική διαδικασία.
English: Organo-inorganic compounds as follows:
Greek: Ενώσεις οργανικού με ανόργανο στοιχείο ως εξής:
English: Organo-metallic compounds of aluminium, gallium or indium, having a purity (metal basis) better than 99,999 %;
Greek: Οργανομεταλλικές ενώσεις αργιλίου, γαλλίου ή ινδίου που έχουν καθαρότητα (με βάση το μέταλλο) καλύτερη από 99,999 %,
English: Organo-arsenic, organo-antimony and organo-phosphorus compounds, having a purity (inorganic element basis) better than 99,999 %.
Greek: Οργανικές ενώσεις αρσενικού, αντιμονίου και φωσφόρου που έχουν καθαρότητα (με βάση το ανόργανο στοιχείο) καλύτερη από 99,999 %.
English: Silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), aluminium nitride (AlN) or aluminium gallium nitride (AlGaN) "substrates", or ingots, boules, or other preforms of those materials, having resistivities greater than 10000 ohm-cm at 20 °C.
Greek: Καρβίδιο του πυριτίου (SiC), νιτρίδιο του γαλλίου (GaN), νιτρίδιο του αργιλίου (AlN) ή νιτρίδιο του αργιλίου-γαλλίου (AlGaN) «υποστρώματα», ή πλινθώματα, συνθετικοί κρύσταλλοι, ή άλλα προμορφώματα αυτών των υλικών, που έχουν ειδικές αντιστάσεις μεγαλύτερες από 10000 ωμ-cm στους 20 oC.
English: "Substrates" specified in 3C005 with at least one epitaxial layer of silicon carbide, gallium nitride, aluminium nitride or aluminium gallium nitride.
Greek: «Υποστρώματα» που καθορίζονται στο 3C005 με τουλάχιστον ένα επιταξιακό στρώμα καρβιδίου του πυριτίου, νιτριδίου του γαλλίου, νιτριδίου του αργιλίου ή νιτριδίου του αργιλίου-γαλλίου.
English: "Software" specially designed for the "development" or "production" of equipment specified in 3A001.b. to 3A002.g. or 3B.
Greek: «Λογισμικό» που έχει ειδικά σχεδιασθεί για την «ανάπτυξη» ή «παραγωγή» εξοπλισμού που καθορίζεται στα σημεία 3Α001.β. έως 3Α002.ζ. ή 3Β.
English: "Software" specially designed for the "use" of equipment specified in 3B001.a. to f. or 3B002.
Greek: «Λογισμικό» ειδικώς σχεδιασμένο για τη «χρήση» εξοπλισμού προδιαγραφόμενου στα σημεία 3B001.α. έως στ. ή 3B002.
English: ’Physics-based’ simulation "software" specially designed for the "development" of lithographic, etching or deposition processes for translating masking patterns into specific topographical patterns in conductors, dielectrics or semiconductor materials.
Greek: «Λογισμικό» προσομοίωσης, «‘βασισμένο στη φυσική», ειδικά σχεδιασμένο για την «ανάπτυξη» διεργασιών λιθογραφίας, χάραξης ή εναπόθεσης προκειμένου τα σχήματα μάσκας να μεταφράζονται σε επί μέρους τοπογραφικά σχήματα με αγωγούς, διηλεκτρικά ή υλικά ημιαγωγών.
English: ’Physics-based’ in 3D003 means using computations to determine a sequence of physical cause and effect events based on physical properties (e.g., temperature, pressure, diffusion constants and semiconductor materials properties).
Greek: (jj) Στο σημείο 3.D003., οι λέξεις ’βασισμένο στη φυσική’ υποδηλώνουν ότι χρησιμοποιεί υπολογισμούς για να προσδιορίσει μια ακολουθία φυσικών αιτίων/αιτιατών βασισμένων σε φυσικές ιδιότητες (πχ. θερμοκρασία, πίεση, σταθερές διάχυσης και ιδιότητες υλικών ημιαγωγών).
English: Note:Libraries, design attributes or associated data for the design of semiconductor devices or integrated circuits are considered as "technology".
Greek: Σημείωση:Οι βιβλιοθήκες, τα χαρακτηριστικά σχεδιασμού ή συναφή δεδομένα για το σχεδιασμό συσκευών ημιαγωγών ή ολοκληρωμένων κυκλωμάτων θεωρούνται σαν «τεχνολογία».
English: "Software" specially designed for the "development" of the equipment specified in 3A003.
Greek: «Λογισμικό» ειδικά σχεδιασμένο για την «ανάπτυξη» του εξοπλισμού που ορίζεται στο σημείο 3Α003.
English: "Software" specially designed or modified for the "use" of equipment specified in 3A101.b.
Greek: «Λογισμικό» που έχει ειδικά σχεδιασθεί ή τροποποιηθεί για τη «χρήση» εξοπλισμού που ορίζεται στο σημείο 3Α101.β.
English: "Technology" according to the General Technology Note for the "development" or "production" of equipment or materials specified in 3A, 3B or 3C;
Greek: «Τεχνολογία» σύμφωνα με την Γενική Τεχνολογική Σημείωση για την «ανάπτυξη» ή «παραγωγή» εξοπλισμού ή υλικών που καθορίζονται στα σημεία 3Α, 3Β ή 3C.
English: Note 1:3E001 does not control "technology" for the "production" of equipment or components controlled by 3A003.
Greek: Σημείωση 1:Στο σημείο 3Ε001 δεν ελέγχεται η «τεχνολογία» για την «παραγωγή» εξοπλισμού ή δομικών στοιχείων που ελέγχονται σύμφωνα με το σημείο 3Α003.
English: Note 2:3E001 does not control "technology" for the "development" or "production" of integrated circuits specified in 3A001.a.3. to 3A001.a.12., having all of the following:
Greek: Σημείωση 2:Στο σημείο 3Ε001 δεν ελέγχεται η«τεχνολογία»για την«ανάπτυξη»ή«παραγωγή»ολοκληρωμένων κυκλωμάτων προδιαγραφόμενων στα σημεία 3Α001.α.3. έως 3Α001.α.12., και που έχουν όλα τα ακόλουθα:
English: Using "technology" of 0,5 µm or more; and
Greek: Χρησιμοποιούν«τεχνολογία»0,5 μm ή παραπάνω, και
English: Not incorporating ’multi-layer structures’.
Greek: Δεν περιλαμβάνουν ’δομές με πολλαπλά στρώματα’.
English: ’Multi-layer structures’ do not include devices incorporating a maximum of three metal layers and three polysilicon layers.
Greek: Στις ’δομές με πολλαπλά στρώματα’ δεν περιλαμβάνονται συσκευές που περιλαμβάνουν το πολύ τρία μεταλλικά στρώματα και τρία στρώματα πολυπυριτίου.
English: "Technology" according to the General Technology Note, other than that specified in 3E001, for the "development" or "production" of a "microprocessor microcircuit", "microcomputer microcircuit" or microcontroller microcircuit core, having an arithmetic logic unit with an access width of 32 bits or more and any of the following features or characteristics:
Greek: «Τεχνολογία» σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας, άλλη από την προσδιοριζόμενη στο 3Ε001, για την «ανάπτυξη» ή «παραγωγή»«μικροκυκλωμάτων μικροεπεξεργαστών», «μικροκυκλωμάτων μικροϋπολογιστών» και πυρήνων μικροκυκλωμάτων μικροσυσκευών ελέγχου, με αριθμητική λογική μονάδα με εύρος προσπέλασης 32 bit και άνω και οποιοδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά:
English: A ’vector processor unit’ designed to perform more than two calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously;
Greek: Περιλαμβάνει ’διανυσματικό επεξεργαστή’ σχεδιασμένον ώστε να εκτελεί ταυτόχρονα περισσότερους από δύο υπολογισμούς επί διανυσμάτων κινητής υποδιαστολής (μονοδιάστατων πινάκων αριθμών 32 ή περισσότερων bit),
English: A ’vector processor unit’ is a processor element with built-in instructions that perform multiple calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously, having at least one vector arithmetic logic unit.
Greek: ’Διανυσματικός επεξεργαστής’ λέγεται ένα στοιχείο επεξεργαστή με ενσωματωμένες εντολές που εκτελεί ταυτόχρονα πολλούς υπολογισμούς επί διανυσμάτων κινητής υποδιαστολής (μονοδιάστατων πινάκων αριθμών 32 ή περισσότερων bit) και έχει τουλάχιστον μία αριθμητική λογική μονάδα.
English: Designed to perform more than two 64-bit or larger floating-point operation results per cycle; or
Greek: Είναι σχεδιασμένοι ώστε να εκτελούν περισσότερους από δύο υπολογισμούς εξαγομένων πράξεων κινητής υποδιαστολής 64 ή περισσότερων bit ανά κύκλο, ή
English: Designed to perform more than four 16-bit fixed-point multiply-accumulate results per cycle (e.g., digital manipulation of analogue information that has been previously converted into digital form, also known as digital "signal processing").
Greek: Είναι σχεδιασμένοι ώστε να εκτελούν περισσότερους από τέσσερις υπολογισμούς εξαγομένων πράξεων πολλαπλασιασμού και σωρευτικής άθροισης σταθερής υποδιαστολής 16 bit ανά κύκλο (π.χ. ψηφιακό χειρισμό αναλογικών πληροφοριών που έχουν προηγουμένως μετατραπεί σε ψηφιακή μορφή, το γνωστό και ως «ψηφιακή επεξεργασία σήματος»).
English: Note:3E002.c. does not control "technology" for multimedia extensions.
Greek: Σημείωση:Στο σημείο 3E002.γ. δεν εμπίπτει η «τεχνολογία» επεκτάσεων πολυμέσων.
English: Note 1:3E002 does not control "technology" for the "development" or "production" of micro-processor cores, having all of the following:
Greek: Σημείωση 1:Στο σημείο 3E002 δεν εμπίπτει η «τεχνολογία» για την «ανάπτυξη» ή «παραγωγή» πυρήνων μικροεπεξεργαστών με όλα τα παρακάτω χαρακτηριστικά:
English: Using "technology" at or above 0,130 µm; and
Greek: Χρησιμοποίηση«τεχνολογίας»0,130 μm και άνω, και
English: Incorporating multi-layer structures with five or fewer metal layers.
Greek: Ενσωμάτωση πολυστιβαδικών δομών με έως και πέντε μεταλλικές στιβάδες.
English: Note 2:3E002 includes "technology" for digital signal processors and digital array processors.
Greek: Σημείωση 2:Στο σημείο 3E002 εμπίπτει η «τεχνολογία» για ψηφιακούς επεξεργαστές σήματος και συστοιχίες ψηφιακών επεξεργαστών.
English: Other "technology" for the "development" or "production" of the following:
Greek: Άλλη «τεχνολογία» για την «ανάπτυξη» ή «παραγωγή» των παρακάτω:
English: Note:3E003.b. does not control "technology" for high electron mobility transistors (HEMT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz and hetero-junction bipolar transistors (HBT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz.
Greek: Σημείωση:Στο σημείο 3Ε003.β. δεν υπάγεται η «τεχνολογία» για τρανζίστορ με υψηλή κινητικότητα ηλεκτρονίων (ΗΕΜΤ) που λειτουργούν σε συχνότητες κάτω των 31,8 GHz και για ετεροδιπολικά τρανζίστορ (ΗΒΤ) που λειτουργούν σε συχνότητες κάτω των 31,8 GHz.
English: "Superconductive" electronic devices;
Greek: «Υπεραγώγιμων» ηλεκτρονικών συσκευών,
English: Substrates of films of diamond for electronic components.
Greek: Υποστρωμάτων υμενίων αδάμαντος για ηλεκτρονικά δομοστοιχεία,
English: "Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 3A001.a.1. or 2., 3A101, 3A102 or 3D101.
Greek: «Τεχνολογία» σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας για τη «χρήση» εξοπλισμού ή «λογισμικού» που καθορίζεται στα σημεία 3Α001.α.1 ή 2, 3Α101, 3Α102 ή 3D101.
English: "Technology" according to the General Technology Note for the "development" of "software" specified in 3D101.
Greek: «Τεχνολογία» σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας για την «ανάπτυξη» λογισμικού που καθορίζεται στο σημείο 3D101.
English: "Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment specified in 3A001.e.2., 3A001.e.3., 3A001.g., 3A201, 3A225 to 3A233.
Greek: «Τεχνολογία» σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας για τη «χρήση» εξοπλισμού που καθορίζεται στα σημεία 3Α001.ε.2, 3Α001.ε.3., 3Α001.ζ., 3Α201, 3Α225 έως 3Α233.
English: Note 1:Computers, related equipment and "software" performing telecommunications or "local area network" functions must also be evaluated against the performance characteristics of Category 5, Part 1 (Telecommunications).
Greek: Σημείωση 1:Ηλεκτρονικοί υπολογιστές, συναφής εξοπλισμός και «λογισμικό» το οποίο εκτελεί λειτουργίες τηλεπικοινωνιών ή «τοπικού δικτύου» (δίκτυο LAN) θα πρέπει να ελεγχθούν σύμφωνα επίσης με τα χαρακτηριστικά απόδοσης της κατηγορίας 5, Μέρος 1 (Τηλεπικοινωνίες).
English: Note 2:Control units which directly interconnect the buses or channels of central processing units, "main storage" or disk controllers are not regarded as telecommunications equipment described in Category 5, Part 1 (Telecommunications).
Greek: Σημείωση 2:Οι μονάδες ελέγχου που διασυνδέουν απ 'ευθείας τους διαδρόμους ή τους διαύλους των μονάδων κεντρικής επεξεργασίας, οι μονάδες ελέγχου της «κυρίως μνήμης» ή των δίσκων δεν θεωρούνται σαν εξοπλισμός τηλεπικοινωνιών όπως περιγράφεται στην κατηγορία 5, Μέρος 1o (Τηλεπικοινωνίες).
English: N.B.:For the control status of "software" specially designed for packet switching, see 5D001.
Greek: ΣΗΜ.:Όσον αφορά τη διαβάθμιση ελέγχου του «λογισμικού» που έχει ειδικά σχεδιασθεί για μεταγωγή πακέτων βλέπε την κατηγορία 5D001.
English: Note 3:Computers, related equipment and "software" performing cryptographic, cryptanalytic, certifiable multi-level security or certifiable user isolation functions, or which limit electromagnetic compatibility (EMC), must also be evaluated against the performance characteristics in Category 5, Part 2 ("Information Security").
Greek: Σημείωση 3:Ηλεκτρονικοί υπολογιστές, συναφής εξοπλισμός και «λογισμικό» που εκτελεί λειτουργίες κρυπτογράφησης, κρυπτανάλυσης, ασφάλειας πολλαπλών βαθμίδων που μπορεί να επιβεβαιωθεί, ή απομόνωσης χρηστών που επίσης μπορεί να βεβαιωθεί, ή που περιορίζουν την ηλεκτρομαγνητική συμβατότητα, πρέπει επίσης να ελεγχθούν σύμφωνα με τα χαρακτηριστικά απόδοσης της κατηγορίας 5, Μέρος 2 («Ασφάλεια πληροφοριών»).
English: Electronic computers and related equipment, having any of the following and "electronic assemblies" and specially designed components therefor:
Greek: Ηλεκτρονικοί υπολογιστές και συναφής εξοπλισμός, που έχουν οποιαδήποτε από τα κατωτέρω καθώς και «ηλεκτρονικά συγκροτήματα» και ειδικά σχεδιασμένα δομικά στοιχεία για τα συστήματα αυτά:
English: Specially designed to have any of the following:
Greek: Που έχουν ειδικά σχεδιασθεί ώστε να έχουν οποιοδήποτε από τα παρακάτω:
English: Rated for operation at an ambient temperature below 228 K (–45 °C) or above 358 K (85 °C); or
Greek: Ονομαστική λειτουργία σε θερμοκρασία περιβάλλοντος κάτω από 228 Κ (–45° C) ή πάνω από 358 Κ (–85 °C), ή
English: Single Event Upset 1 × 10-7 Error/bit/day;
Greek: Απότομη αλλαγή από ένα και μόνο γεγονός 1 × 10–7 Λάθη/bit/ημέρα.
English: Having characteristics or performing functions exceeding the limits in Category 5, Part 2 ("Information Security").
Greek: Που έχουν χαρακτηριστικά ή εκτελούν λειτουργίες πάνω από τα όρια της κατηγορίας 5, Μέρος 2 («Ασφάλεια πληροφοριών»).
English: Note:4A001.b. does not control electronic computers and related equipment when accompanying their user for the user’s personal use.
Greek: Σημείωση:Στο σημείο 4A001.β. δεν υπάγονται οι ηλεκτρονικοί υπολογιστές και ο συναφής εξοπλισμός όταν συνοδεύουν το χρήστη τους για την προσωπική του χρήση.
English: "Digital computers", "electronic assemblies", and related equipment therefor, as follows and specially designed components therefor:
Greek: «Ψηφιακοί υπολογιστές», «ηλεκτρονικά συγκροτήματα» και συναφής εξοπλισμός γι’ αυτούς, ως εξής, καθώς επίσης και ειδικά σχεδιασμένα δομικά στοιχεία γι’ αυτά:
English: ’Vector processors’;
Greek: Ανυσματικούς επεξεργαστές (vector processors),