geopti/opus-en-el-eval-mixture huggingface dataset:
English: Fast Fourier Transform (FFT) processors having a rated execution time for an N-point complex FFT of less than (N log2 N) /20480 ms, where N is the number of points;
Greek: Επεξεργαστές ταχέος μετασχηματισμού Fourier (Fast Fourier Transform — FFT) με ονομαστικό χρόνο εκτέλεσης για σύνθετη FFT Ν σημείων, κάτω του (N log2 N)/20480 ms, όπου N είναι ο αριθμός των σημείων.
English: When N is equal to 1024 points, the formula in 3A001.a.12. gives an execution time of 500 µs.
Greek: Όταν Ν = 1024 σημεία, ο τύπος του σημείου 3Α001.α.12 δίνει χρόνο εκτέλεσης 500 μs.
English: Note 1:3A001.b.1. does not control tubes designed or rated for operation in any frequency band and having all of the following:
Greek: Σημείωση 1:Στο σημείο 3Α001.β.1. δεν υπάγονται οι λυχνίες που έχουν σχεδιασθεί ή καθορίζονται για λειτουργία σε ζώνες συχνοτήτων και έχουν όλα τα παρακάτω:
English: Is "allocated by the ITU" for radio-communications services, but not for radio-determination.
Greek: Έχουν «διατεθεί από την ITU» για υπηρεσίες ραδιοεπικοινωνιών αλλά όχι για ραδιοεντοπισμό.
English: Note 2:3A001.b.1. does not control non-"space-qualified" tubes having all of the following:
Greek: Σημείωση 2:Στο σημείο 3Α001.β.1., δεν υπάγονται οι «ακατάλληλες για διαστημική χρήση» λυχνίες που έχουν όλα τα παρακάτω:
English: Designed or rated for operation in any frequency band and having all of the following:
Greek: Σχεδιασμένες ή καθορισμένες για λειτουργία σε οποιαδήποτε ζώνη συχνοτήτων που έχει όλα τα παρακάτω:
English: Tubes operating at frequencies exceeding 31,8 GHz;
Greek: Λυχνίες που λειτουργούν σε συχνότητες πάνω από 31,8 GHz.
English: Tubes having a cathode heater element with a turn on time to rated RF power of less than 3 seconds;
Greek: Λυχνίες που έχουν στοιχείο θέρμανσης καθόδου με χρόνο ανύψωσης ισχύος μέχρι την καθορισμένη ισχύ ραδιοσυχνότητας ο οποίος είναι μικρότερος από 3 δευτερόλεπτα.
English: Coupled cavity tubes, or derivatives thereof, with a "fractional bandwidth" of more than 7 % or a peak power exceeding 2,5 kW;
Greek: Συζευγμένες λυχνίες cavity ή παράγωγά τους, με «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 7 % ή ισχύ αιχμής άνω των 2,5 kW.
English: Helix tubes, or derivatives thereof, having any of the following:
Greek: Ελικοειδείς λυχνίες ή παράγωγά τους με οποιοδήποτε από τα παρακάτω:
English: An "instantaneous bandwidth" of more than one octave, and average power (expressed in kW) times frequency (expressed in GHz) of more than 0,5;
Greek: «Στιγμιαίο εύρος ζώνης» άνω της μιας οκτάβας και γινόμενο μεταξύ της μέσης ισχύος (εκφρασμένης σε kw) και της συχνότητας (εκφρασμένης σε GHz) ανώτερο από 0,5,
English: An "instantaneous bandwidth" of one octave or less, and average power (expressed in kW) times frequency (expressed in GHz) of more than 1; or
Greek: «Στιγμιαίο εύρος ζώνης» το πολύ μια οκτάβα, και γινόμενο της μέσης ισχύος (εκφρασμένης σε kw) και συχνότητας (εκφρασμένης σε GHz) πάνω από 1, ή
English: Being "space-qualified";
Greek: Είναι «κατάλληλα για διαστημική χρήση».
English: Microwave "Monolithic Integrated Circuits" (MMIC) power amplifiers having any of the following:
Greek: Ενισχυτές ισχύος με «μονολιθικά ολοκληρωμένα κυκλώματα» μικροκυμάτων, με οποιοδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά:
English: Rated for operation at frequencies exceeding 3,2 GHz up to and including 6 GHz and with an average output power greater than 4W (36 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 15 %;
Greek: εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 3,2 GHz μέχρι και 6.6 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω των 4 W (36 dBm) και «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 15 %,
English: Rated for operation at frequencies exceeding 6 GHz up to and including 16 GHz and with an average output power greater than 1W (30 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %;
Greek: εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 6 GHz μέχρι και 16 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω του 1 W (30 dBm) και «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 10 %,
English: Rated for operation at frequencies exceeding 16 GHz up to and including 31,8 GHz and with an average output power greater than 0,8W (29 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %;
Greek: εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 16 GHz μέχρι και 31,8 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω των 0,8 W (29 dBm) και «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 10 %,
English: Rated for operation at frequencies exceeding 37,5 GHz up to and including 43,5 GHz and with an average output power greater than 0,25W (24 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %; or
Greek: εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 37,5 GHz μέχρι και 43,5 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω των 0,25 W (24 dBm) και «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 10 %, ή
English: Note 2:The control status of the MMIC whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.2.a. to 3A001.b.2.f., is determined by the lowest average output power control threshold.
Greek: Σημείωση 2:Το καθεστώς ελέγχου των μονολιθικών ολοκληρωμένων κυκλωμάτων μικροκυμάτων, οι ονομαστικές συχνότητες λειτουργίας των οποίων περιλαμβάνουν συχνότητες περιεχόμενες σε περισσότερες από μία ζώνες συχνοτήτων, κατά τα οριζόμενα στα σημεία 3A001.β.2.α έως 3Α001.β.2.στ., καθορίζεται βάσει του χαμηλότερου από τα όρια μέσης ισχύος εξόδου που αντιστοιχούν στις οικείες ζώνες.
English: Rated for operation at frequencies exceeding 37,5 GHz up to and including 43,5 GHz and having an average output power greater than 1W (30 dBm); or
Greek: εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 37,5 GHz μέχρι και 6,6 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω των 60 W (30 dBm), ή
English: Note:The control status of a transistor whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.3.a. to 3A001.b.3.e., is determined by the lowest average output power control threshold.
Greek: Σημείωση:Το καθεστώς ελέγχου των τρανζίστορ οι ονομαστικές συχνότητες λειτουργίας των οποίων περιλαμβάνουν συχνότητες περιεχόμενες σε περισσότερες από μία ζώνες συχνοτήτων, κατά τα οριζόμενα στα σημεία 3A001.β.3α, έως 3Α001β.3.ε., καθορίζεται βάσει του χαμηλότερου από τα όρια μέσης ισχύος εξόδου που αντιστοιχούν στις οικείες ζώνες.
English: Microwave solid state amplifiers and microwave assemblies/modules containing microwave solid state amplifiers, having any of the following:
Greek: Ενισχυτές μικροκυμάτων στερεάς κατάστασης και μικροκυματικά συναρμολογήματα ή δομοστοιχεία που περιέχουν ενισχυτές μικροκυμάτων στερεάς κατάστασης με οποιοδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά:
English: Rated for operation at frequencies exceeding 3,2 GHz up to and including 6 GHz and with an average output power greater than 60W (47,8 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 15 %;
Greek: εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 3,2 GHz μέχρι και 6 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω των 60 W (47,8 dBm) και «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 15 %,
English: Rated for operation at frequencies exceeding 6 GHz up to and including 31,8 GHz and with an average output power greater than 15W (42 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %;
Greek: εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 6 GHz μέχρι και 31,8 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω των 15 W (42 dBm) και «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 10 %,
English: Rated for operation at frequencies exceeding 37,5 GHz up to and including 43,5 GHz and with an average output power greater than 1W (30 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %;
Greek: εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 37,5 GHz μέχρι και 43,5 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω του 1 W (30 dBm) και «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 10 %,
English: Rated for operation at frequencies above 3,2 GHz and having all of the following:
Greek: στ. εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 3 GHz και με όλα τα παρακάτω χαρακτηριστικά:
English: A "fractional bandwidth" of 5 % or greater; and
Greek: «Κλασματικό εύρος ζώνης» τουλάχιστον 5 %, και
English: Any two sides perpendicular to one another with length d (in cm) equal to or less than 15 divided by the lowest operating frequency in GHz [d ≤ 15cm × GHz/fGHz];
Greek: δύο κάθετες πλευρές μήκους d (σε cm) το πολύ ίσου προς 15 διά την κατώτατη συχνότητα λειτουργίας σε GHz [d≤ 15 cm × GHz/fGHz],
English: 3,2 GHz should be used as the lowest operating frequency (fGHz) in the formula in 3A001.b.4.f.3., for amplifiers that have a rated operating range extending downward to 3.2 GHz and below [d≤ 15cm × GHz/3.2 GHz].
Greek: Η συχνότητα 3,2 GHz θα πρέπει να χρησιμοποιείται ως η κατώτατη συχνότητα λειτουργίας (fGHz) στον τύπο του σημείου 3Α001.β.4.στ.3., για τους ενισχυτές με ονομαστικό φάσμα λειτουργίας που εκτείνεται προς τα κάτω μέχρι τα 3,2 GHz και κατωτέρω [d ≤ 15cm × GHz/3,2GHz].
English: N.B.:MMIC power amplifiers should be evaluated against the criteria in 3A001.b.2.
Greek: ΣΗΜ.:Οι ενισχυτές ισχύος με μονολιθικά ολοκληρωμένα κυκλώματα μικροκυμάτων πρέπει να αξιολογούνται βάσει των κριτηρίων του σημείου 3A001.β.2
English: Note 1:3A001.b.4. does not control broadcast satellite equipment designed or rated to operate in the frequency range of 40,5 to 42,5 GHz.
Greek: Σημ. 1:Στο σημείο 3A001.β.4 δεν ελέγχεται ο εξοπλισμός δορυφορικών ραδιοτηλεοπτικών μεταδόσεων που έχει σχεδιαστεί ή εγκριθεί για να λειτουργεί στη ζώνη συχνοτήτων 40,5 έως 42,5 GHz.
English: Note 2:The control status of an item whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.4.a. to 3A001.b.4.e., is determined by the lowest average output power control threshold.
Greek: Σημ. 2:Το καθεστώς ελέγχου των μονολιθικών ολοκληρωμένων κυκλωμάτων μικροκυμάτων, οι ονομαστικές συχνότητες λειτουργίας των οποίων περιλαμβάνουν συχνότητες περιεχόμενες σε περισσότερες από μία ζώνες συχνοτήτων κατά τα οριζόμενα στα σημεία 3A001.β.4.α. έως 3Α001.β.4.ε., καθορίζεται βάσει του χαμηλότερου από τα όρια μέσης ισχύος εξόδου που αντιστοιχούν στις οικείες ζώνες.
English: Electronically or magnetically tunable band-pass or band-stop filters, having more than 5 tunable resonators capable of tuning across a 1.5:1 frequency band (fmax/fmin) in less than 10 µs and having any of the following:
Greek: Ζωνοπερατά ή ζωνοαπέρατα φίλτρα που μπορούν να συντονισθούν ηλεκτρονικά ή μαγνητικά, που έχουν πάνω από 5 ρυθμιζόμενους συντονιστές και μπορούν να συντονισθούν μέσα σε μία ζώνη συχνοτήτων με λόγο 1,5:1 (fmax/fmin) σε χρόνο λιγότερο από 10 μs και που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
English: Converters and harmonic mixers, designed to extend the frequency range of equipment described in 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e. or 3A002.f. beyond the limits stated therein;
Greek: Μετατροπείς και αρμονικοί μίκτες σχεδιασμένοι για την επέκταση του φάσματος συχνοτήτων του εξοπλισμού που περιγράφεται στα σημεία 3Α002.γ., 3Α002.ε. ή 3Α002.στ. πέραν των εκεί αναφερομένων ορίων.
English: Microwave power amplifiers containing tubes specified in 3A001.b.1. and having all of the following:
Greek: Μικροκυματικοί ενισχυτές ισχύος που περιλαμβάνουν λυχνίες που καθορίζονται στο σημείο 3Α001.β.1. και έχουν όλα τα ακόλουθα:
English: An average output power density to mass ratio exceeding 80 W/kg; and
Greek: Λόγος μέσης πυκνότητας ισχύος εξόδου προς μάζα άνω των 80 W/kg, και
English: Note:3A001.b.8. does not control equipment designed or rated for operation in any frequency band which is "allocated by the ITU" for radio-communications services, but not for radio-determination.
Greek: Σημείωση:Στο σημείο 3Α001.β.8. δεν ελέγχεται ο εξοπλισμός που έχει σχεδιασθεί για, ή καθορίζεται να λειτουργεί σε ζώνες συχνοτήτων που έχουν «διατεθεί από την ITU» για υπηρεσίες ραδιοεπικοινωνιών αλλά όχι για ραδιοεντοπισμό.
English: Microwave power modules (MPM) consisting of, at least, a travelling wave tube, a microwave "monolithic integrated circuit" and an integrated electronic power conditioner and having all of the following:
Greek: Μικροκυματικές μονάδες ισχύος (MPM), αποτελούμενες τουλάχιστον από μία λυχνία οδεύοντος κύματος, ένα μικροκυματικό «μονολιθικό ολοκληρωμένο κύκλωμα», και έναν ολοκληρωμένο ηλεκτρονικό εξομαλυντήρα τάσης, με όλα τα παρακάτω:
English: A ’turn-on time’ from off to fully operational in less than 10 seconds;
Greek: Χρόνο ενεργοποίησης από σβηστό σε πλήρη λειτουργία κάτω των 10 δευτερολέπτων,
English: A volume less than the maximum rated power in Watts multiplied by 10 cm3/W; and
Greek: Όγκο μικρότερο από το γινόμενο της μέγιστης ονομαστικής ισχύος σε W επί 10 cm3/W, και
English: An "instantaneous bandwidth" greater than 1 octave (fmax.
Greek: «Στιγμιαίο εύρος ζώνης» άνω της μιας οκτάβας (fmax.
English: > 2fmin.) and having any of the following:
Greek: > 2fmin.) και με οποιόδήποτε από τα παρακάτω:
English: For frequencies equal to or less than 18 GHz, an RF output power greater than 100 W; or
Greek: Για συχνότητες μέχρι και 18 GHz, ισχύ εξόδου ραδιοσυχνότητας άνω των 100 W, ή
English: A frequency greater than 18 GHz;
Greek: Συχνότητα άνω των 18 GHz.
English: To calculate the volume in 3A001.b.9.b., the following example is provided: for a maximum rated power of 20 W, the volume would be: 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3.
Greek: Ιδού ένα παράδειγμα υπολογισμού του όγκου στο σημείο 3A00.β.9.β: αν η μέγιστη ονομαστική ισχύς είναι 20 W, ο όγκος πρέπει να είναι μέχρι 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3.
English: The’turn-on time’ in 3A001.b.9.a. refers to the time from fully-off to fully operational, i.e., it includes the warm-up time of the MPM.
Greek: Στο σημείο 3A00.β.9.α, ο χρόνος ενεργοποίησης σημαίνει το διάστημα που χρειάζεται η μονάδα από τελείως σβηστή να τεθεί σε πλήρη λειτουργία, περιλαμβάνει δηλαδή και το χρόνο προθέρμανσης.
English: Oscillators or oscillator assemblies, designed to operate with all of the following:
Greek: Ταλαντωτές ή συγκροτήματα ταλαντωτών, σχεδιασμένοι να λειτουργούν με όλα τα ακόλουθα:
English: A single sideband (SSB) phase noise, in dBc/Hz, better than -(126+20log10F-20log10f) for 10 Hz < F < 10 kHz; and
Greek: Θόρυβο φάσης απλής πλευρικής ζώνης (SSB), σε dBc/Hz, καλύτερο από -(126+20log10F-20log10f) για 10 Hz < F < 10 kHz· και
English: A single sideband (SSB) phase noise, in dBc/Hz, better than -(114+20log10F-20log10f) for 10 kHz ≤ F < 500 kHz;
Greek: Θόρυβο φάσης απλής πλευρικής ζώνης (SSB), σε dBc/Hz, καλύτερο από -(114+20log10F-20log10f) για 10 kHz ≤ F < 500 kHz·
English: In 3A001.b.10., F is the offset from the operating frequency in Hz and f is the operating frequency in MHz.
Greek: Στο 3Α001.β.10., F είναι η απόκλιση από τη συχνότητα λειτουργίας σε Hz και f είναι η συχνότητα λειτουργίας σε MHz.
English: Acoustic wave devices as follows and specially designed components therefor:
Greek: Συσκευές ακουστικών κυμάτων, και ειδικά σχεδιασμένα δομικά στοιχεία για τις συσκευές αυτές ως εξής:
English: Surface acoustic wave and surface skimming (shallow bulk) acoustic wave devices, having any of the following:
Greek: Συσκευές επιφανειακών ακουστικών κυμάτων και συσκευές surface skimming (shallow bulk) ακουστικών κυμάτων και οι οποίες έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
English: A carrier frequency exceeding 6 GHz;
Greek: Φέρουσα συχνότητα πάνω από 6 GHz,
English: A carrier frequency exceeding 1 GHz, but not exceeding 6 GHz and having any of the following:
Greek: Φέρουσα συχνότητα πάνω από 1 GHz αλλά όχι πάνω από 6 GHz και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
English: A ’frequency side-lobe rejection’ exceeding 65 dB;
Greek: ’Απόρριψη πλευρικών λοβών συχνότητας’ που ξεπερνάει τα 65 dB,
English: A product of the maximum delay time and the bandwidth (time in µs and bandwidth in MHz) of more than 100;
Greek: Το γινόμενο του μέγιστου χρόνου καθυστέρησης και του εύρους ζώνης (ο χρόνος σε μs και το εύρος ζώνης σε ΜΗz) το οποίο είναι ανώτερο του 100,
English: A dispersive delay of more than 10 µs; or
Greek: Καθυστέρηση με διασπορά (dispersive delay) περισσότερη από 10 μs, ή
English: A carrier frequency of 1 GHz or less and having any of the following:
Greek: Συχνότητα φέροντος 1 GHz ή λιγότερο, και που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
English: A ’frequency side-lobe rejection’ exceeding 65 dB and a bandwidth greater than 100 MHz;
Greek: ’Απόρριψη πλευρικών λοβών συχνότητας’ που ξεπερνάει τα 65 dB και εύρος ζώνης μεγαλύτερο από 100 MHz.
English: Technical Note:’Frequency side-lobe rejection’ is the maximum rejection value specified in data sheet.
Greek: Τεχνική παρατήρηση:Η ’απόρριψη πλευρικών λοβών συχνότητας’ είναι η μέγιστη τιμή απόρριψης που προσδιορίζεται στα δελτία δεδομένων.
English: Bulk (volume) acoustic wave devices which permit the direct processing of signals at frequencies exceeding 6 GHz;
Greek: Συσκευές ακουστικών κυμάτων όγκου που επιτρέπουν την κατ’ ευθείαν επεξεργασία σημάτων σε συχνότητες πάνω από 6 GHz.
English: Acoustic-optic "signal processing" devices employing interaction between acoustic waves (bulk wave or surface wave) and light waves which permit the direct processing of signals or images, including spectral analysis, correlation or convolution;
Greek: Ακουστικο-οπτικές συσκευές «επεξεργασίας σημάτων» που βασίζονται στην αλληλεπίδραση μεταξύ ακουστικών κυμάτων (κυμάτων όγκου ή κυμάτων επιφανείας) και κυμάτων φωτός και οι οποίες επιτρέπουν την άμεση επεξεργασία σημάτων ή εικόνων. Περιλαμβάνουν φασματική ανάλυση, συσχέτιση ή συνέλιξη.
English: Note:3A001.c. does not control acoustic wave devices that are limited to a single band pass, low pass, high pass or notch filtering, or resonating function.
Greek: Σημείωση:Στο σημείο 3Α001.γ. δεν υπάγονται οι συσκευές ακουστικών κυμάτων που περιορίζονται σε μονοπερατό, χαμηλοπερατό, υψηλοπερατό ή στενό ζωνοφρακτικό φίλτρο, ή λειτουργία συντονισμού.
English: Electronic devices and circuits containing components, manufactured from "superconductive" materials, specially designed for operation at temperatures below the "critical temperature" of at least one of the "superconductive" constituents and having any of the following:
Greek: Ηλεκτρονικές συσκευές και κυκλώματα που περιέχουν δομικά στοιχεία κατασκευασμένα από «υπεραγώγιμα» υλικά και ειδικά σχεδιασμένα για λειτουργία σε θερμοκρασίες κάτω από την «κρίσιμη θερμοκρασία» τουλάχιστον ενός από τα «υπεραγώγιμα» συστατικά υλικά και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
English: Current switching for digital circuits using "superconductive" gates with a product of delay time per gate (in seconds) and power dissipation per gate (in watts) of less than 10-14 J; or
Greek: Μεταγωγή ρεύματος για ψηφιακά κυκλώματα όπου χρησιμοποιούνται «υπεραγώγιμες» πύλες με γινόμενο μεταξύ του χρόνου καθυστέρησης ανά πύλη (που εκφράζεται σε δευτερόλεπτα) και της κατανάλωσης ισχύος ανά πύλη (που εκφράζεται σε W) και το οποίο είναι λιγότερο από 10–14 J, ή
English: High energy devices as follows:
Greek: Συσκευές υψηλής ενέργειας, ως εξής:
English: ’Cells’ as follows:
Greek: ’Ηλεκτρικά στοιχεία’ ως εξής:
English: ’Primary cells’ having an ’energy density’ exceeding 550 Wh/kg at 20 oC;
Greek: ’Πρωτογενή στοιχεία’ με ’ενεργειακή πυκνότητα’ άνω των 550 Wh/kg στους 20 °C,
English: ’Secondary cells’ having an ’energy density’ exceeding 250 Wh/kg
Greek: ’Δευτερογενή στοιχεία’ με ’ενεργειακή πυκνότητα’ άνω των 250 Wh/kg.
English: For the purpose of 3A001.e.1.,’energy density’ (Wh/kg) is calculated from the nominal voltage multiplied by the nominal capacity in ampere-hours (Ah) divided by the mass in kilograms.
Greek: Για τους σκοπούς του σημείου 3A001.ε.1, η ’ενεργειακή πυκνότητα’ υπολογίζεται ως το γινόμενο της ονομαστικής τάσης σε βολτ επί την ονομαστική χωρητικότητα σε αμπερώρια (Ah) διά τη μάζα σε χιλιόγραμμα.
English: For the purpose of 3A001.e.1., a ’cell’ is defined as an electrochemical device, which has positive and negative electrodes, an electrolyte, and is a source of electrical energy.
Greek: Για τους σκοπούς του σημείου 3A001.ε.1, ως ’ηλεκτρικό στοιχείο’ νοείται κάθε ηλεκτροχημική διάταξη που διαθέτει θετικό και αρνητικό ηλεκτρόδιο και ηλεκτρολύτη και αποτελεί πηγή ηλεκτρικής ενέργειας.
English: For the purpose of 3A001.e.1.a., a ’primary cell’ is a ’cell’ that is not designed to be charged by any other source.
Greek: Για τους σκοπούς του σημείου 3A001.ε.1.α, ως ’πρωτογενές ηλεκτρικό στοιχείο’ νοείται κάθε ’ηλεκτρικό στοιχείο’ που δεν είναι σχεδιασμένο για να φορτίζεται από άλλη πηγή.
English: For the purpose of 3A001.e.1.b., a ’secondary cell’ is a ’cell’ that is designed to be charged by an external electrical source.
Greek: Για τους σκοπούς του σημείου 3A001.ε.1.β, ως ’δευτερογενές ηλεκτρικό στοιχείο’ νοείται κάθε ’ηλεκτρικό στοιχείο’ σχεδιαζόμενο ώστε να φορτίζεται από εξωτερική πηγή ηλεκτρισμού.
English: High energy storage capacitors as follows:
Greek: Πυκνωτές με υψηλή ενεργειακή χωρητικότητα ως εξής:
English: Capacitors with a repetition rate of less than 10 Hz (single shot capacitors) and having all of the following:
Greek: Πυκνωτές με ρυθμό επανάληψης κάτω από 10 Hz (πυκνωτές μιας κρούσης) και που έχουν όλα τα ακόλουθα:
English: A voltage rating equal to or more than 5 kV;
Greek: Ονομαστική τάση ίση ή ανώτερη από 5 kV,
English: An energy density equal to or more than 250 J/kg; and
Greek: Ενεργειακή πυκνότητα ίση ή ανώτερη από 250 J/kg. και
English: Capacitors with a repetition rate of 10 Hz or more (repetition rated capacitors) and having all of the following:
Greek: Πυκνωτές με ρυθμό επανάληψης 10 Hz ή παραπάνω (επαναληπτικοί πυκνωτές) και που έχουν όλα τα ακόλουθα:
English: A total energy equal to or more than 100 J; and
Greek: Συνολική ενέργεια ίση ή ανώτερη από 100 kJ, και
English: "Superconductive" electromagnets and solenoids, specially designed to be fully charged or discharged in less than one second and having all of the following:
Greek: «Υπεραγώγιμοι» ηλεκτρομαγνήτες ή σωληνοειδή τα οποία έχουν σχεδιασθεί ειδικά ώστε να φορτίζονται πλήρως, ή να εκφορτίζονται, σε λιγότερο από ένα δευτερόλεπτο και που έχουν όλα τα ακόλουθα:
English: Note:3A001.e.3. does not control "superconductive" electromagnets or solenoids specially designed for Magnetic Resonance Imaging (MRI) medical equipment.
Greek: Σημείωση:Στο σημείο 3Α001.ε.3 δεν υπάγονται «υπεραγώγιμοι» ηλεκτρομαγνήτες ή σωληνοειδή τα οποία έχουν κατασκευασθεί ειδικά για ιατρικό εξοπλισμό απεικόνισης με τη βοήθεια Μαγνητικού Συντονισμού (Magnetic Resonance Imaging).
English: Rated for a magnetic induction of more than 8 T or "overall current density" in the winding of more than 300 A/mm2;
Greek: Ονομαστική μαγνητική επαγωγή πάνω από 8 Τ ή «συνολική πυκνότητα ρεύματος» στις περιελίξεις που είναι ανώτερη από 300 A/mm2.
English: Solar cells, cell-interconnect-coverglass (CIC) assemblies, solar panels, and solar arrays, which are "space-qualified", having a minimum average efficiency exceeding 20 % at an operating temperature of 301 K (28 °C) under simulated ’AM0’ illumination with an irradiance of 1,367 watts per square metre (W/m2);
Greek: Φωτοβολταϊκά στοιχεία, συναρμολογήματα υαλοκαλυπτρών διασυνδεδεμένων στοιχείων (CIC), φωτοβολταϊκοί επίπεδοι συλλέκτες και φωτοβολταϊκές συστοιχίες, «κατάλληλα για διαστημική χρήση», με ελάχιστη μέση απόδοση άνω του 20 % σε θερμοκρασία λειτουργίας 301 K (28 °C) υπό προσομοιωμένο φωτισμό «μηδενικής μάζας αέρα»’AM0’, με πυκνότητα ακτινοβολίας 1,367 (W/m2).
English: ’AM0’, or ’Air Mass Zero’, refers to the spectral irradiance of sun light in the earth's outer atmosphere when the distance between the earth and sun is one astronomical unit (AU).
Greek: Ο όρος «μηδενικής μάζας αέρα» (AM0) αναφέρεται στη φασματική πυκνότητα ακτινοβολίας του ηλιακού φωτός στην εξώτερη ατμόσφαιρα της γης, όταν η απόσταση γης-ηλίου είναι μία αστρονομική μονάδα. στ.
English: Rotary input type absolute position encoders having an accuracy equal to or less (better) than ±1,0 second of arc;
Greek: Rotary input type absolute position encoders που έχουν ακρίβεια ίση ή μικρότερη (καλύτερη) από 1,1 δευτερόλεπτα τόξου.
English: Solid-state pulsed power switching thyristor devices and ’thyristor modules’, using either electrically, optically, or electron radiation controlled switch methods and having any of the following:
Greek: Συσκευές και «μονάδες» στερεάς καταστάσεως με θυρίστορες για την παλμική μεταγωγή ηλεκτρισμού, που χρησιμοποιούν μεθόδους μεταγωγής ελεγχόμενες είτε ηλεκτρικώς, είτε οπτικώς, είτε με ακτινοβολία ηλεκτρονίων και έχουν οποιοδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά: