geopti/opus-en-el-eval-mixture huggingface dataset:
English: electronic devices and circuits containing components, manufactured from "superconductive" materials specially designed for operation at temperatures below the "critical temperature" of at least one of the "superconductive" constituents having any of the following:
Greek: Ηλεκτρονικές συσκευές και κυκλώματα που περιέχουν δομικά στοιχεία κατασκευασμένα από "υπεραγώγιμα" υλικά και ειδικά σχεδιασμένα για λειτουργία σε θερμοκρασίες κάτω από την "κρίσιμη θερμοκρασία" τουλάχιστον ενός από τα "υπεραγώγιμα" συστατικά υλικά και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
English: "cells", as follows:
Greek: ’Ηλεκτρικά στοιχεία’ ως εξής:
English: "primary cells" having an ’energy density’ exceeding 550 Wh/kg at 20 °C;
Greek: ’Πρωτογενή στοιχεία’ με ’ενεργειακή πυκνότητα’ άνω των 550 Wh/kg στους 20 °C,
English: "secondary cells" having 250 Wh/kg;
Greek: ’Δευτερογενή στοιχεία’ με ’ενεργειακή πυκνότητα’ άνω των 250 Wh/kg.
English: For the purpose of 3A001.e.1., "energy density" (Wh/kg) is calculated from the nominal voltage multiplied by the nominal capacity in ampere hours (Ah) divided by the mass in kilograms.
Greek: Για τους σκοπούς του σημείου 3A001.ε.1, η ’ενεργειακή πυκνότητα’ υπολογίζεται ως το γινόμενο της ονομαστικής τάσης σε βολτ επί την ονομαστική χωρητικότητα σε αμπερώρια (Ah) διά τη μάζα σε χιλιόγραμμα.
English: If the nominal capacity is not stated, energy density is calculated from the nominal voltage squared then multiplied by the discharge duration in hours divided by the discharge load in ohms and the mass in kilograms.
Greek: Αν δεν δηλώνεται η ονομαστική χωρητικότητα, η ενεργειακή πυκνότητα υπολογίζεται ως το γινόμενο του τετραγώνου της ονομαστικής τάσης σε βολτ επί τη διάρκεια εκφόρτισης σε ώρες διαιρούμενο με το φορτίο εκφόρτισης σε ωμ και με τη μάζα σε χιλιόγραμμα.
English: for the purpose of 3A001.e.1., a "cell" is defined as an electrochemical device, which has positive and negative electrodes, an electrolyte, and is a source of electrical energy.
Greek: Για τους σκοπούς του σημείου 3A001.ε.1, ως ’ηλεκτρικό στοιχείο’ νοείται κάθε ηλεκτροχημική διάταξη που διαθέτει θετικό και αρνητικό ηλεκτρόδιο και ηλεκτρολύτη και αποτελεί πηγή ηλεκτρικής ενέργειας.
English: for the purpose of 3A001.e.1.a., a "primary cell" is a "cell" that is not designed to be charged by any other source.
Greek: Για τους σκοπούς του σημείου 3A001.ε.1.α, ως ’πρωτογενές ηλεκτρικό στοιχείο’ νοείται κάθε ’ηλεκτρικό στοιχείο’ που δεν είναι σχεδιασμένο για να φορτίζεται από άλλη πηγή.
English: for the purpose of 3A001.e.1.b., a "secondary cell" is a "cell" that is designed to be charged by an external electrical source.
Greek: Για τους σκοπούς του σημείου 3A001.ε.1.β, ως ’δευτερογενές ηλεκτρικό στοιχείο’ νοείται κάθε ’ηλεκτρικό στοιχείο’ σχεδιαζόμενο ώστε να φορτίζεται από εξωτερική πηγή ηλεκτρισμού.
English: Note:3A001.e.1. does not control batteries, including single-cell batteries.
Greek: Σημείωση:Στο σημείο 3Α001.ε.1. εμπίπτουν οι μπαταρίες, έστω και αν αποτελούνται από ένα μόνο ηλεκτρικό στοιχείο.
English: N.B.:SEE ALSO 3A201.a.
Greek: ΣΗΜ.:ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΟ 3Α201.α.
English: capacitors with a repetition rate of less than 10 Hz (single shot capacitors) and having all of the following:
Greek: Πυκνωτές με ρυθμό επανάληψης κάτω από 10 Hz (πυκνωτές μιας κρούσης) και που έχουν όλα τα ακόλουθα:
English: a voltage rating equal to or more than 5 kV;
Greek: Ονομαστική τάση ίση ή ανώτερη από 5 kV,
English: capacitors with a repetition rate of 10 Hz or more (repetition rated capacitors) and having all of the following:
Greek: Πυκνωτές με ρυθμό επανάληψης 10 Hz ή παραπάνω (επαναληπτικοί πυκνωτές) και που έχουν όλα τα ακόλουθα:
English: an energy density equal to or more than 50 J/kg;
Greek: Ενεργειακή πυκνότητα ίση ή ανώτερη από 50 J/kg,
English: a total energy equal to or more than 100 J; and
Greek: Συνολική ενέργεια ίση ή ανώτερη από 100 kJ, και
English: "Superconductive" electromagnets and solenoids specially designed to be fully charged or discharged in less than one second andhaving all of the following:
Greek: "Υπεραγώγιμοι" ηλεκτρομαγνήτες ή σωληνοειδή τα οποία έχουν σχεδιασθεί ειδικά ώστε να φορτίζονται πλήρως, ή να εκφορτίζονται, σε λιγότερο από ένα δευτερόλεπτο και που έχουν όλα τα ακόλουθα:
English: N.B.:SEE ALSO 3A201.b.
Greek: ΣΗΜ.:ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΟ 3Α201.β.
English: solar cells, cell-interconnect-coverglass (CIC) assemblies, solar panels, and solar arrays, which are "space qualified", having a minimum average efficiency exceeding 20 % at an operating temperature of 301 K (28 °C) under simulated ’AM0’ illumination with an irradiance of 1367 watts per square metre (W/m2).
Greek: Φωτοβολταϊκά στοιχεία, συναρμολογήματα υαλοκαλυπτρών διασυνδεδεμένων στοιχείων (CIC), φωτοβολταϊκοί επίπεδοι συλλέκτες και φωτοβολταϊκές συστοιχίες, "κατάλληλα για διαστημική χρήση", με ελάχιστη μέση απόδοση άνω του 20 % σε θερμοκρασία λειτουργίας 301 K (28 °C) υπό προσομοιωμένο φωτισμό "μηδενικής μάζας αέρα" (AM0), με πυκνότητα ακτινοβολίας 1367 W/m2.
English: "AM0", or "Air Mass Zero", refers to the spectral irradiance of sun light in the earth's outer atmosphere when the distance between the earth and sun is one astronomical unit (AU).
Greek: Ο όρος "μηδενικής μάζας αέρα" (AM0) αναφέρεται στη φασματική πυκνότητα ακτινοβολίας του ηλιακού φωτός στην εξώτερη ατμόσφαιρα της γης, όταν η απόσταση γης-ηλίου είναι μία αστρονομική μονάδα. στ.
English: solid-state pulsed power switching thyristor devices and "thyristor modules" using either electrically, optically, or electron radiation controlled switch methods and having any of the following:
Greek: Συσκευές και "μονάδες" στερεάς καταστάσεως με θυρίστορες για την παλμική μεταγωγή ηλεκτρισμού, που χρησιμοποιούν μεθόδους μεταγωγής ελεγχόμενες είτε ηλεκτρικώς, είτε οπτικώς, είτε με ακτινοβολία ηλεκτρονίων και έχουν οποιοδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά:
English: a maximum turn-on current rate of rise (di/dt) greater than 2000 A/μs and having all of the following:
Greek: Ανώτατη ταχύτητα αύξησης του ρεύματος (di/dt) κατά το άναμμα άνω των 2000 A/μs και όλα τα παρακάτω:
English: Note 1:3A001.g. includes:
Greek: Σημείωση 1:Στο σημείο 3A001.ζ περιλαμβάνονται:
English: Note 2:3A001.g. does not control thyristor devices and "thyristor modules" incorporated into equipment designed for civil railway or "civil aircraft" applications.
Greek: Σημείωση 2:Στο σημείο 3A001.ζ δεν εμπίπτουν οι συσκευές και ’μονάδες με θυρίστορες’ οι ενσωματωμένες σε εξοπλισμό προοριζόμενο για εφαρμογές σε πολιτικούς σιδηροδρόμους και "πολιτικά αεροσκάφη".
English: For the purposes of 3A001.g., a "thyristor module" contains one or more thyristor devices.
Greek: Για τους σκοπούς του σημείου 3A001.ζ, οι ’μονάδες με θυρίστορες’ περιέχουν μία ή περισσότερες συσκευές με θυρίστορες.
English: General purpose electronic equipment and accessories therefor, as follows:
Greek: Ηλεκτρονικός εξοπλισμός γενικής χρήσεως και εξαρτήματα γι’ αυτόν, ως εξής:
English: analogue instrumentation magnetic tape recorders, including those permitting the recording of digital signals (e.g. using a high density digital recording (HDDR) module), having any of the following:
Greek: Μαγνητόφωνα με αναλογικά όργανα, που περιλαμβάνουν μαγνητόφωνα που επιτρέπουν την καταγραφή ψηφιακών σημάτων (για παράδειγμα χρησιμοποιώντας μονάδα για ψηφιακή εγγραφή), με τα παρακάτω:
English: digital instrumentation magnetic tape data recorders employing helical scan techniques or fixed head techniques and having any of the following:
Greek: Μαγνητόφωνα δεδομένων με ψηφιακά όργανα τα οποία χρησιμοποιούν ελικοειδείς τεχνικές σάρωσης ή τεχνικές σταθερής κεφαλής και τα οποία έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
English: equipment, having a maximum digital interface transfer rate exceeding 175 Mbits/s and designed to convert digital video magnetic tape recorders for use as digital instrumentation data recorders;
Greek: Εξοπλισμός με μέγιστο ρυθμό μετάδοσης ψηφιακής διασύνδεσης πάνω από 175 Mbit/s που έχει σχεδιασθεί για να μετατρέπει ψηφιακά μαγνητοσκόπια ώστε να μπορούν να χρησιμοποιηθούν σαν ψηφιακά όργανα καταγραφής δεδομένων.
English: For those instruments with a parallel bus architecture, the "continuous throughput" rate is the highest word rate multiplied by the number of bits in a word.
Greek: Για όργανα με αρτηρία (bus) παραλλήλου αρχιτεκτονικής, ο ρυθμός ’συνεχούς διεκπεραίωσης’ είναι ο υψηλότερος ρυθμός λέξεων πολλαπλασιασμένος επί τον αριθμό bits σε μια λέξη.
English: "Continuous throughput" is the fastest data rate the instrument can output to mass storage without the loss of any information whilst sustaining the sampling rate and analogue-to-digital conversion.
Greek: ’Συνεχής διεκπεραίωση’ είναι ο ταχύτερος ρυθμός δεδομένων τον οποίο το όργανο μπορεί να προωθήσει στην εκροή προς τη μαζική μνήμη, χωρίς απώλεια πληροφοριών, διατηρώντας παράλληλα το ρυθμό δειγματοληψίας και τη μετατροπή αναλογικού προς ψηφιακό.
English: digital instrumentation data recorders, using magnetic disk storage technique and having all of the following:
Greek: Καταγραφείς δεδομένων με ψηφιακά όργανα που χρησιμοποιούν τεχνικές αποθήκευσης με μαγνητικούς δίσκους και έχουν όλα τα ακόλουθα:
English: Note:the control status of "signal analysers", signal generators, network analysers and microwave test receivers as stand-alone instruments is determined by 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e., and 3A002.f., respectively.
Greek: Σημείωση:Το κατά πόσον υπόκεινται σε έλεγχο του συστήματος ανάλυσης σημάτων, οι γεννήτριες σήματος, οι αναλυτές δικτύου και οι δοκιμαστικοί μικροκυματικοί δέκτες ως αυτοτελή όργανα καθορίζεται αντιστοίχως στα σημεία 3A002.γ., 3A002.δ., 3A002.ε. και 3A002.στ.
English: less than 500 µs for any frequency change exceeding 550 MHz within the synthesised frequency range exceeding 31,8 GHz but not exceeding 43,5 GHz; or
Greek: κάτω των 500 μs για οποιαδήποτε αλλαγή συχνότητας άνω των 550 MHz εντός του φάσματος συντιθέμενων συχνοτήτων από 31,8 GHz μέχρι και 43,5 GHz, ή
English: less than 1 ms within the synthesised frequency range exceeding 43,5 GHz; or
Greek: κάτω του 1 ms εντός του φάσματος συντιθέμενων συχνοτήτων άνω των 43,5 GHz, ή
English: Note 1:for the purpose of 3A002.d., frequency synthesised signal generators include arbitrary waveform and function generators.
Greek: Σημείωση 1:Για τους σκοπούς του σημείου 3A002.δ., στις γεννήτριες σημάτων με σύνθεση συχνοτήτων περιλαμβάνονται οι γεννήτριες σημάτων τυχούσας κυματομορφής και συνάρτησης.
English: Note 2:3A002.d. does not control equipment in which the output frequency is either produced by the addition or subtraction of two or more crystal oscillator frequencies, or by an addition or subtraction followed by a multiplication of the result.
Greek: Σημείωση 2:Στο σημείο 3Α002.δ. δεν ελέγχεται ο εξοπλισμός στον οποίο η συχνότητα εξόδου παράγεται, είτε μέσω της πρόσθεσης ή αφαίρεσης δύο ή περισσοτέρων συχνοτήτων που παράγει κρυσταλλικός ταλαντωτής, είτε από την πρόσθεση ή αφαίρεση την οποία ακολουθεί πολλαπλασιασμός του αποτελέσματος.
English: "space qualified";
Greek: Είναι "κατάλληλα για διαστημική χρήση",
English: non-rubidium and having a long-term stability less (better) than 1 × 10–11/month; or
Greek: Δεν βασίζονται σε ρουβιδίο και έχουν μακροπρόθεσμη σταθερότητα (γήρανση) μικρότερη (καλύτερη) από 1 × 10–11/μήνα, ή
English: long-term stability less (better) than 1 × 10–11/month; and
Greek: Μακροπρόθεσμη σταθερότητα μικρότερη (καλύτερη) από 1 × 10–11/μήνα, και
English: "Thermal batteries" designed or modified for "missiles".
Greek: ’Θερμικές μπαταρίες’ σχεδιασμένες ή τροποποιημένες για ’βλήματα’.
English: In 3A102 "thermal batteries" are single use batteries that contain a solid non-conducting inorganic salt as the electrolyte.
Greek: Στο σημείο 3Α102, ως ’θερμικές μπαταρίες’ νοούνται οι ηλεκτρικές στήλες μιας χρήσεως που χρησιμοποιούν ως ηλεκτρολύτη στερεό δυσηλεκτραγωγό ανόργανο άλας.
English: These batteries incorporate a pyrolytic material that, when ignited, melts the electrolyte and activates the battery.
Greek: Οι μπαταρίες αυτές περιέχουν και κάποιο πυρολυτικό υλικό το οποίο, αναφλεγόμενο, λιώνει τον ηλεκτρολύτη και θέτει σε λειτουργία την ηλεκτρική στήλη.
English: In 3A102 "missile" means complete rocket systems and unmanned aerial vehicle systems capable of a range exceeding 300 km.
Greek: Στο σημείο 3Α102, ως ’βλήματα’ νοούνται τα πλήρη πυραυλικά συστήματα και τα συστήματα μη επανδρωμένων εναέριων οχημάτων με ακτίνα δράσης άνω των 300 km.
English: Note:3A201.b. does not control magnets specially designed for and exported "as parts of" medical nuclear magnetic resonance (NMR) imaging systems.
Greek: Σημείωση:Το σημείο 3Α201.β. δεν θέτει υπό έλεγχο μαγνήτες που έχουν ειδικά σχεδιασθεί και εξάγονται ’ως μέρος’ ιατρικών συστημάτων απεικόνισης που βασίζονται σε πυρηνικό μαγνητικό συντονισμό (nuclear magnetic resonance).
English: The phrase "as part of" does not necessarily mean physical part in the same shipment; separate shipments from different sources are allowed, provided the related export documents clearly specify that the shipments are dispatched "as part of" the imaging systems.
Greek: Η φράση ’ως μέρος’ δεν σημαίνει κατ’ ανάγκη ότι αποτελεί υλικό τμήμα της ίδιας αποστολής. Επιτρέπονται ξεχωριστές αποστολές από διαφορετικές πηγές υπό τον όρο τα σχετικά εξαγωγικά έγγραφα να καθορίζουν σαφώς ότι οι αποστολές διακινούνται ’ως μέρος’ των συστημάτων απεικόνισης.
English: with a "figure of merit" (K) of 0,25 or greater; or
Greek: ’Συντελεστή κέρδους’ (Κ) 0,25 ή παραπάνω, ή
English: The "figure of merit" K is defined as:
Greek: Ο ’συντελεστής κέρδους’ Κ ορίζεται ως εξής:
English: "Peak power" = (peak potential in volts) × (peak beam current in amperes).
Greek: ’Ανώτατη ισχύς’ είναι το γινόμενο του μέγιστου δυναμικού (σε βολτ) επί το μέγιστο ρεύμα δέσμης (σε αμπέρ).
English: capable of continuously producing, over a time period of 8 hours, 100 V or greater with current output of 500 A or greater; and
Greek: μπορούν να παράγουν συνεχώς, σε χρονική περίοδο 8 ωρών, 100 V ή παραπάνω, με ρεύμα εξόδου 500 Α ή παραπάνω, και
English: current or voltage stability better than 0,1 % over a time period of 8 hours.
Greek: εμφανίζουν σταθερότητα τάσης ή ρεύματος καλύτερη από 0,1 % σε χρονική περίοδο 8 ωρών.
English: capable of continuously producing, over a time period of 8 hours, 20 kV or greater with current output of 1 A or greater; and
Greek: μπορούν να παράγουν συνεχώς, σε χρονική περίοδο 8 ωρών, 20 V ή παραπάνω, με ρεύμα εξόδου 1 Α ή παραπάνω, και
English: High-current pulse generators as follows:
Greek: Γεννήτριες παλμών υψηλού ρεύματος, ως εξής:
English: N.B.:See 1A007.a. for explosive detonator firing sets.
Greek: ΣΗΜ.:Βλέπε 1A007.α. για τις συσκευές πυροδότησης για εκρηκτικούς πυροκροτητές.
English: having a "rise time" of less than 10 μs into loads of less than 40 ohms;
Greek: Έχουν "χρόνο ανύψωσης" λιγότερο από 10 μικροδευτερόλεπτα όταν συνδέονται με φορτία μικρότερα από 40 Ω,
English: "pulse transition time" less than 500 ps.
Greek: ’Χρόνο μετάβασης παλμού’ κάτω από 500 πικο-δευτερόλεπτα.
English: In 3A230, "pulse transition time" is defined as the time interval between 10 % and 90 % voltage amplitude.
Greek: Στο σημείο 3Α230, "ο χρόνος μετάβασης του παλμού" ορίζεται σαν το χρονικό διάστημα μεταξύ του 10 % και του 90 % του πλάτους της τάσης.
English: Multipoint initiation systems, other than those specified in 1A007, as follows:
Greek: Συστήματα έναυσης πολλαπλών σημείων, διαφορετικά από τα προδιαγραφόμενα στο σημείο 1A007, ως εξής:
English: N.B.:See 1A007.b. for detonators.
Greek: ΣΗΜ:Βλέπε 1A007.β. για τους πυροκροτητές.
English: electron bombardment mass spectrometers which have a source chamber constructed from, lined with or plated with materials resistant to UF6;
Greek: Φασματογράφοι μάζας με βομβαρδισμό ηλεκτρονίων που έχουν θάλαμο πηγής κατασκευασμένο ή με επίστρωση, ή κάλυψη από, υλικά που αντέχουν στο UF6,
English: a source chamber constructed from, lined with or plated with materials resistant to UF6;
Greek: Θάλαμο πηγής κατασκευασμένο, με επίστρωση ή με κάλυψη από υλικά που αντέχουν στο UF6· στ.
English: equipment designed for ion implantation and having any of the following:
Greek: Εξοπλισμός σχεδιασμένος για εμφύτευση ιόντων που έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
English: equipment with cassette-to-cassette operation and load-locks, and having any of the following:
Greek: Εξοπλισμός με λειτουργία από κασέτα προς κασέτα και κλείδωμα φορτίου και που έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
English: plasma enhanced chemical vapour deposition (CVD) equipment as follows:
Greek: Εξοπλισμός για χημική εναπόθεση με εξάτμιση (CVD) και με την ενίσχυση πλάσματος, ως εξής:
English: equipment specially designed for equipment specified in 3B001.e. and designed according to the manufacturer's specifications or optimised for use in the production of semiconductor devices with critical dimensions of 180 nm or less;
Greek: Εξοπλισμός που έχει ειδικά σχεδιασθεί για εξοπλισμό που καθορίζεται στο σημείο 3Β001.ε. και σχεδιασμένος σύμφωνα με τις προδιαγραφές του κατασκευαστή ή βελτιστοποιημένος προς χρήση στην παραγωγή συσκευών ημιαγωγών με κρίσιμες διαστάσεις έως και 180 mm.
English: automatic loading multi-chamber central wafer handling systems, having all of the following:
Greek: Κεντρικά συστήματα χειρισμού πλακιδίων (wafer), πολλαπλών θαλάμων, αυτόματης φόρτωσης, τα οποία έχουν όλα τα ακόλουθα:
English: align and expose step and repeat (direct step on wafer) or step and scan (scanner) equipment for wafer processing using photo-optical or X-ray methods and having any of the following:
Greek: Εξοπλισμός ευθυγράμμισης και έκθεσης step and repeat (με άμεσο βήμα πάνω στο πλακίδιο) ή step and scan (με σάρωση) για την επεξεργασία πλακιδίων με τη χρήση φωτο-οπτικών μεθόδων ή μεθόδων ακτίνων Χ και ο οποίος έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
English: capable of producing a pattern with a "minimum resolvable feature size" of 180 nm or less;
Greek: Ικανότητα να συνθέτει σχήματα με ’ελάχιστο διαχωρίσιμο μέγεθος γνωρίσματος’ 180 nm ή μικρότερο.
English: The "minimum resolvable feature size" is calculated by the following formula:
Greek: Το ’ελάχιστο διαχωρίσιμο μέγεθος γνωρίσματος’ υπολογίζεται με τον εξής τύπο:
English: MRF = "minimum resolvable feature size"
Greek: MRF = ’ελάχιστο διαχωρίσιμο μέγεθος γνωρίσματος’
English: Note:3B001.f.2. includes:
Greek: Σημείωση:Στο σημείο 3Β001.στ.2. περιλαμβάνονται:
English: Equipment specially designed for mask making or semiconductor device processing using direct writing methods, having all of the following:
Greek: Εξοπλισμός που έχει ειδικά σχεδιασθεί για την παραγωγή μασκών ή για επεξεργασία συσκευών ημιαγωγών με τη χρήση μεθόδων άμεσης εγγραφής και έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
English: using deflected focussed electron beam, ion beam or "laser" beam; and
Greek: με τη χρήση εκτρεπόμενης εστιασμένης δέσμης ηλεκτρονίων, δέσμης ιόντων ή δέσμης "λέιζερ", και
English: being capable of producing a pattern with a feature size of less than 1 µm; or
Greek: Είναι ικανός να παράγει σχήμα με χαρακτηριστικό μέγεθος κάτω από 1 μm, ή
English: an overlay accuracy of better than ±0,20 µm (3 sigma);
Greek: Ακρίβεια επικάλυψης καλύτερη από ±0,20 μm (3 sigma).
English: Silicon carbide (SiC); or
Greek: Καρβίδιο του πυριτίου (SiC), ή
English: "III/V compounds" of gallium or indium.
Greek: "Σύνθετες ενώσεις" γαλλίου ή ινδίου με στοιχεία του πίνακα III/V.
English: Resist materials as follows and "substrates" coated with the following resists:
Greek: Φωτοανθεκτικά υλικά, ως εξής, καθώς και "υποστρώματα" που έχουν επίστρωση των ακόλουθων φωτοανθεκτικών ουσιών:
English: all resists optimised for surface imaging technologies, including "silylated" resists.
Greek: Πάσης φύσεως φωτοανθεκτικά υλικά αριστοποιημένα για τεχνολογίες απεικόνισης επιφανειών, συμπεριλαμβανομένων των ’πυριτικοποιημένων’ φωτοανθεκτικών υλικών.
English: "Silylation" techniques are defined as processes incorporating oxidation of the resist surface to enhance performance for both wet and dry developing.
Greek: Οι τεχνικές μέθοδοι ’πυριτικοποίησης’ ορίζονται ως οι διαδικασίες που περιλαμβάνουν οξείδωση της επιφάνειας του φωτοανθεκτικού υλικού ώστε να ενισχυθεί η απόδοσή του τόσο για υγρή όσο και για ξηρά εμφάνιση.
English: All resists designed or optimised for use with imprint lithography equipment specified by 3B001.f.2. that use either a thermal or photo-curable process.
Greek: Πάσης φύσεως φωτοανθεκτικά υλικά σχεδιασμένα ή αριστοποιημένα για χρήση με τον εξοπλισμό εντυπωτικής λιθογραφίας που καθορίζεται στο 3B001.στ.2. που χρησιμοποιούν είτε θερμική είτε φωτο-στυπωτική διαδικασία.
English: Silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), aluminium nitride (AlN) or aluminium gallium nitride (AlGaN) "substrates", or ingots, boules, or other preforms of those materials, having resistivities greater than 10000 ohm-cm at 20 °C.
Greek: Καρβίδιο του πυριτίου (SiC), νιτρίδιο του γαλλίου (GaN), νιτρίδιο του αργιλίου (AlN) ή νιτρίδιο του αργιλίου-γαλλίου (AlGaN) "υποστρώματα", ή πλινθώματα, συνθετικοί κρύσταλλοι, ή άλλα προμορφώματα αυτών των υλικών, που έχουν ειδικές αντιστάσεις μεγαλύτερες από 10000 Ω-cm στους 20 °C.
English: "Substrates" specified in 3C005 with at least one epitaxial layer of silicon carbide, gallium nitride, aluminium nitride or aluminium gallium nitride.
Greek: "Υποστρώματα" που καθορίζονται στο 3C005 με τουλάχιστον ένα επιταξιακό στρώμα καρβιδίου του πυριτίου, νιτριδίου του γαλλίου, νιτριδίου του αργιλίου ή νιτριδίου του αργιλίου-γαλλίου.
English: "Software" specially designed for the "use" of equipment specified in 3B001.a. to f. or 3B002.
Greek: "Λογισμικό" ειδικώς σχεδιασμένο για τη "χρήση" εξοπλισμού προδιαγραφόμενου στα σημεία 3B001.α. έως στ. ή 3B002.
English: "Physics-based" simulation "software" specially designed for the "development" of lithographic, etching or deposition processes for translating masking patterns into specific topographical patterns in conductors, dielectrics or semiconductor materials.
Greek: "Λογισμικό" προσομοίωσης, ’βασισμένο στη φυσική’, ειδικά σχεδιασμένο για την "ανάπτυξη" διεργασιών λιθογραφίας, χάραξης ή εναπόθεσης προκειμένου τα σχήματα μάσκας να μεταφράζονται σε επί μέρους τοπογραφικά σχήματα με αγωγούς, διηλεκτρικά ή υλικά ημιαγωγών.
English: "Physics-based" in 3D003 means using computations to determine a sequence of physical cause and effect events based on physical properties (e.g., temperature, pressure, diffusion constants and semiconductor materials properties).
Greek: Στο σημείο 3.D003., οι λέξεις ’βασισμένο στη φυσική’ υποδηλώνουν ότι χρησιμοποιεί υπολογισμούς για να προσδιορίσει μια ακολουθία φυσικών αιτίων/αιτιατών βασισμένων σε φυσικές ιδιότητες (πχ. θερμοκρασία, πίεση, σταθερές διάχυσης και ιδιότητες υλικών ημιαγωγών).
English: Note:Libraries, design attributes or associated data for the design of semiconductor devices or integrated circuits are considered as "technology".
Greek: Σημείωση:Οι βιβλιοθήκες, τα χαρακτηριστικά σχεδιασμού ή συναφή δεδομένα για το σχεδιασμό συσκευών ημιαγωγών ή ολοκληρωμένων κυκλωμάτων θεωρούνται σαν "τεχνολογία".
English: "Multi-layer structures" do not include devices incorporating a maximum of three metal layers and three polysilicon layers.
Greek: Στις ’δομές με πολλαπλά στρώματα’ δεν περιλαμβάνονται συσκευές που περιλαμβάνουν το πολύ τρία μεταλλικά στρώματα και τρία στρώματα πολυπυριτίου.
English: a "vector processor unit" designed to perform more than two calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously;
Greek: Περιλαμβάνει ’διανυσματικό επεξεργαστή’ σχεδιασμένον ώστε να εκτελεί ταυτόχρονα περισσότερους από δύο υπολογισμούς επί διανυσμάτων κινητής υποδιαστολής (μονοδιάστατων πινάκων αριθμών 32 ή περισσότερων bit),
English: A "vector processing unit" is a processor element with built-in instructions that perform multiple calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously, having at least one vector arithmetic logic unit.
Greek: ’Διανυσματικός επεξεργαστής’ λέγεται ένα στοιχείο επεξεργαστή με ενσωματωμένες εντολές που εκτελεί ταυτόχρονα πολλούς υπολογισμούς επί διανυσμάτων κινητής υποδιαστολής (μονοδιάστατων πινάκων αριθμών 32 ή περισσότερων bit) και έχει τουλάχιστον μία αριθμητική λογική μονάδα.