geopti/opus-en-el-eval-mixture huggingface dataset:
English: an accelerator peak electron energy of 25 MeV or greater; and
Greek: Ανώτατη ενέργεια ηλεκτρονίων στον επιταχυντή 25 MeV και άνω, και
English: Note:3A201.c. does not control accelerators that are component parts of devices designed for purposes other than electron beam or X-ray radiation (electron microscopy, for example) nor those designed for medical purposes.
Greek: Σημείωση:Το σημείο 3Α201.γ. δεν καλύπτει τους επιταχυντές που αποτελούν δομικά στοιχεία συσκευών που έχουν σχεδιασθεί για σκοπούς άλλους εκτός από την ακτινοβολία με ακτίνες Χ ή με ηλεκτρονική δέσμη (για παράδειγμα ηλεκτρονικά μικροσκόπια), καθώς και συσκευών που έχουν σχεδιασθεί για ιατρικούς σκοπούς.
English: The ’figure of merit’ K is defined as:
Greek: Ο "συντελεστής κέρδους" Κ ορίζεται ως εξής:
English: ’Peak power’ = (peak potential in volts) × (peak beam current in amperes).
Greek: "Ανώτατη ισχύς" είναι το γινόμενο του μέγιστου δυναμικού (σε βολτ) επί το μέγιστο ρεύμα δέσμης (σε αμπέρ).
English: multiphase output capable of providing a power of 40 W or greater;
Greek: Πολυφασική έξοδο που μπορεί να αποδώσει ισχύ 40 W ή παραπάνω,
English: capable of operating in the frequency range between 600 and 2000 Hz;
Greek: Ικανότητα λειτουργίας στο φάσμα συχνοτήτων μεταξύ 600 και 2000 Hz,
English: total harmonic distortion better (less) than 10 %; and
Greek: Συνολική αρμονική παραμόρφωση καλύτερη (κάτω) από 10 %, και
English: current or voltage stability better than 0,1 % over a time period of 8 hours.
Greek: μπορούν να παράγουν συνεχώς, σε χρονική περίοδο 8 ωρών, 20 kV ή παραπάνω με ρεύμα εξόδου 1 Α ή παραπάνω, και β. εμφανίζουν σταθερότητα τάσης ή ρεύματος καλύτερη από 0,1 % σε χρονική περίοδο 8 ωρών.
English: capable of continuously producing, over a time period of 8 hours, 20 kV or greater with current output of 1 A or greater; and
Greek: εμφανίζουν σταθερότητα τάσης ή ρεύματος καλύτερη από 0,1 % σε χρονική περίοδο 8 ωρών. 3A227 Τροφοδοτικά συνεχούς ρεύματος υψηλής τάσης, εκτός εκείνων που καθορίζονται στο σημείο 0Β001.ι.5, που έχουν και τα δύο ακόλουθα χαρακτηριστικά:
English: cold cathode tubes, whether gas filled or not, operating similarly to a spark gap, having all of the following characteristics:
Greek: Λυχνίες κρύας καθόδου, είτε γεμισμένες με αέριο είτε όχι, που λειτουργούν παρόμοια με διάκενο σπινθηρισμού και έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
English: anode peak voltage rating of 2,5 kV or more;
Greek: Ανώτατη ονομαστική τάση ανόδου 2,5 kV ή παραπάνω,
English: anode peak current rating of 100 A or more 100 A; and
Greek: Ανώτατη ονομαστική τιμή ρεύματος ανόδου 100 Α ή παραπάνω, και
English: Note:3A228 includes gas krytron tubes and vacuum sprytron tubes.
Greek: Σημείωση:το σημείο 3Α228 περιλαμβάνει τις λυχνίες τύπου krytron με αέριο και sprytron με κενό.
English: an anode delay time of 15 μs or less; and
Greek: Χρόνο καθυστέρησης ανόδου 15 μικροδευτερόλεπτα ή λιγότερο, και
English: rated for a peak current of 500 A or more;
Greek: Ονομαστική ανώτατη τιμή ρεύματος ανόδου 500 Α ή παραπάνω.
English: modules or assemblies with a fast switching function, other than those specified in 3A001.g., having all of the following characteristics:
Greek: Μονάδες ή συναρμολογήσεις με ταχεία λειτουργία μεταγωγής, πλην των προσδιοριζόμενων στο σημείο 3Α001.ζ, που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
English: anode peak current rating of 500 A or more; and
Greek: Ανώτατη ονομαστική τιμή ρεύματος ανόδου 500 Α ή παραπάνω, και
English: N.B.:SEE ALSO MILITARY GOODS CONTROLS
Greek: ΕΠΙΣΗΣ ΕΛΕΓΧΟΥΣ ΣΤΡΑΤΙΩΤΙΚΩΝ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ
English: explosive detonator firing sets designed to drive multiple controlled detonators specified in 3A232;
Greek: Συσκευές πυροδότησης για εκρηκτικούς πυροκροτητές που έχουν σχεδιασθεί για να συνδέονται με πολλαπλούς ελεγχόμενους πυροκροτητές του σημείου 3Α232.
English: modular electrical pulse generators (pulsers) having all of the following characteristics:
Greek: Βαθμιδωτές ηλεκτρικές παλμογεννήτριες (pulsers) που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
English: capable of delivering their energy in less than 15 μs;
Greek: Μπορούν να αποδώσουν την ενέργειά τους σε λιγότερο από 15 μικροδευτερόλεπτα,
English: having a ’rise time’ of less than 10 μs into loads of less than 40 ohms;
Greek: Έχουν "χρόνο ανύψωσης" λιγότερο από 10 μικροδευτερόλεπτα όταν συνδέονται με φορτία μικρότερα από 40 Ω,
English: specified for use over an extended temperature range 223 K (–50 °C) to 373 K (100 °C) or specified as suitable for aerospace applications.
Greek: Οι προδιαγραφές τους είναι για χρήση σε εκτεταμένο φάσμα θερμοκρασιών 223 K (–50 °C) έως 373 K (100 °C) ή για αεροδιαστημικές εφαρμογές.
English: output voltage greater than 6 V into a resistive load of less than 55 ohms, and
Greek: Τάση εξόδου ανώτερη από 6 V όταν συνδέονται με φορτίο αντίστασης μικρότερο από 55 Ω, και
English: ’pulse transition time’ less than 500 ps.
Greek: "Χρόνο μετάβασης παλμού" κάτω από 500 πικο-δευτερόλεπτα.
English: In 3A230, ’pulse transition time’ is defined as the time interval between 10 % and 90 % voltage amplitude.
Greek: Στο σημείο 3Α230, "ο χρόνος μετάβασης του παλμού" ορίζεται σαν το χρονικό διάστημα μεταξύ του 10 % και του 90 % του πλάτους της τάσης.
English: designed for operation without an external vacuum system; and
Greek: Έχουν σχεδιασθεί για λειτουργία χωρίς εξωτερικό σύστημα κενού, και
English: utilising electrostatic acceleration to induce a tritium-deuterium nuclear reaction.
Greek: Χρησιμοποιούν ηλεκτροστατική επιτάχυνση ώστε να προκαλέσουν πυρηνική αντίδραση τριτίου-δευτερίου.
English: arrangements using single or multiple detonators designed to nearly simultaneously initiate an explosive surface over greater than 5000 mm2 from a single firing signal with an initiation timing spread over the surface of less than 2,5 μs.
Greek: Συστήματα που χρησιμοποιούν απλούς ή πολλαπλούς πυροκροτητές και έχουν σχεδιασθεί για να προκαλούν σχεδόν ταυτόχρονα την έναυση μιας εκρηκτικής επιφάνειας εμβαδού πάνω από 5000 mm2 από ένα μόνο σήμα πυροδότησης με χρόνο έναυσης όπως εκτείνεται στην επιφάνεια λιγότερο από 2,5 μικροδευτερόλεπτα.
English: Note:3A232 does not control detonators using only primary explosives, such as lead azide.
Greek: Σημείωση:Το σημείο 3Α232 δεν θέτει υπό έλεγχο πυροκροτητές που χρησιμοποιούν μόνο πρωτογενείς εκρηκτικές ύλες, όπως τον αζωτούχο μόλυβδο.
English: The term exploding foil detonator may refer to either an EB or a slapper-type detonator.
Greek: Ο όρος πυροκροτητής με εκρηγνυόμενο μεταλλικό φύλλο μπορεί να αναφέρεται είτε σε πυροκροτητή τύπου εκρηγνυόμενης γέφυρας είτε σε πυροκροτητή τύπου κολαφιστήρα.
English: Also, the word initiator is sometimes used in place of the word detonator.
Greek: Επίσης, η λέξη initiator χρησιμοποιείται μερικές φορές αντί της λέξεως detonator (πυροκροτητής).
English: electron bombardment mass spectrometers which have a source chamber constructed from, lined with or plated with materials resistant to UF6;
Greek: Φασματογράφοι μάζας με βομβαρδισμό ηλεκτρονίων που έχουν θάλαμο πηγής κατασκευασμένο από, με επίστρωση, ή κάλυψη από, υλικά που αντέχουν στο UF6.
English: molecular beam mass spectrometers having either of the following characteristics:
Greek: Φασματογράφοι μάζας δέσμης μορίων, με ένα από τα εξής χαρακτηριστικά:
English: a source chamber constructed from, lined with or plated with stainless steel or molybdenum and equipped with a cold trap capable of cooling to 193 K (–80 °C) or less; or
Greek: Θάλαμο πηγής κατασκευασμένο από, με επίστρωση ή με κάλυψη από, ανοξείδωτο χάλυβα ή μολυβδαίνιο και εξοπλισμοί με ψυχρή παγίδα που μπορεί να ψυχθεί σε θερμοκρασία 193 K (–80 °C) ή χαμηλότερη, ή
English: a source chamber constructed from, lined with or plated with materials resistant to UF6;
Greek: Θάλαμο πηγής κατασκευασμένο από, με επίστρωση ή με κάλυψη από υλικά που αντέχουν στο UF6. στ.
English: mass spectrometers equipped with a microfluorination ion source designed for actinides or actinide fluorides.
Greek: Φασματογράφοι μάζας εξοπλισμένοι με πηγή ιόντων μικροφθορίωσης που έχουν σχεδιασθεί για ακτινίδες ή φθοριούχες ακτινίδες.
English: equipment capable of producing a layer of any material other than silicon with a thickness uniform to less than ±2,5 % across a distance of 75 mm or more;
Greek: Εξοπλισμός που μπορεί να παράγει στρώμα οποιουδήποτε άλλου υλικού πλην πυριτίου ομοιογενούς πάχους με διαφορά λιγότερη από ±2,5 % σε απόσταση 75 mm ή παραπάνω,
English: metal organic chemical vapour deposition (MOCVD) reactors specially designed for compound semiconductor crystal growth by the chemical reaction between materials specified in 3C003 or 3C004;
Greek: Αντιδραστήρες για χημική εναπόθεση ατμών οργανικών μεταλλικών ενώσεων (ΜΟCVD), που έχουν ειδικά σχεδιασθεί για την παραγωγή κρυστάλλων από σύνθετους ημιαγωγούς μέσω της χημικής αντίδρασης μεταξύ υλικών που καθορίζονται στα σημεία 3C003 ή 3C004.
English: molecular beam epitaxial growth equipment using gas or solid sources;
Greek: Εξοπλισμός επιταξιακής ανάπτυξης μέσω μοριακής δέσμης ο οποίος χρησιμοποιεί αέριες ή στερεές πηγές.
English: equipment designed for ion implantation, having any of the following:
Greek: Εξοπλισμός σχεδιασμένος για εμφύτευση ιόντων και έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
English: being specially designed and optimised to operate at a beam energy (accelerating voltage) of less than 2 keV;
Greek: Ειδικό σχεδιασμό και βελτιστοποίηση για να λειτουργεί με ενέργεια δέσμης (τάση επιτάχυνσης) λιγότερη από 2 keV,
English: a beam energy of 65 keV or more and a beam current of 45 mA or more for high energy oxygen implant into a heated semiconductor material "substrate";
Greek: Ενέργεια δέσμης 65 keV και άνω και ρεύμα δέσμης 45 mA και άνω, για εμφύτευση οξυγόνου υψηλής ενέργειας πάνω σε θερμαινόμενο "υπόστρωμα" ημιαγωγού.
English: equipment with cassette-to-cassette operation and load-locks, and having any of the following:
Greek: Εξοπλισμός με λειτουργία από κασέτα προς κασέτα και κλείδωμα φορτίου, και που έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
English: designed or optimised to produce critical dimensions of 180 nm or less with ±5 % 3 sigma precision; or
Greek: Σχεδιασμένος ή βελτιστοποιημένος για να παράγει κρίσιμες διαστάσεις 180 nm ή μικρότερες, με ακρίβεια 3 σ ±5 % ή
English: designed for generating less than 0,04 particles/cm2 with a measurable particle size greater than 0,1 μm in diameter;
Greek: Σχεδιασμένος για να παράγει λιγότερα από 0,04 σωματίδια/cm2 με μετρήσιμη διάμετρο σωματιδίου άνω του 0,1 μm.
English: equipment specially designed for equipment specified in 3B001.e. and having any of the following:
Greek: Εξοπλισμός που έχει ειδικά σχεδιασθεί για εξοπλισμό που καθορίζεται στο σημείο 3Β001.ε. και έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
English: designed for generating less than 0,04 particles/cm2 with a measurable particle size greater than 0,12 μm in diameter;
Greek: Σχεδιασμένος για να παράγει λιγότερα από 0,04 σωματίδια/cm2 με μετρήσιμη διάμετρο σωματιδίου άνω του 0,12 μm.
English: equipment with cassette-to-cassette operation and load-locks, and designed according to the manufacturer's specifications or optimised for use in the production of semiconductor devices with critical dimensions of 180 nm or less;
Greek: Εξοπλισμός με λειτουργία από κασέτα προς κασέτα και κλείδωμα φορτίου, σχεδιασμένος σύμφωνα με τις προδιαγραφές του κατασκευαστή ή βελτιστοποιημένος προς χρήση στην παραγωγή συσκευών ημιαγωγών με κρίσιμες διαστάσεις έως και 180 mm.
English: equipment specially designed for equipment controlled by 3B001.e. and designed according to the manufacturer's specifications or optimised for use in the production of semiconductor devices with critical dimensions of 180 nm or less;
Greek: Εξοπλισμός που έχει ειδικά σχεδιασθεί για εξοπλισμό που καθορίζεται στο σημείο 3Β001.ε. και σχεδιασμένος σύμφωνα με τις προδιαγραφές του κατασκευαστή ή βελτιστοποιημένος προς χρήση στην παραγωγή συσκευών ημιαγωγών με κρίσιμες διαστάσεις έως και 180 mm.
English: automatic loading multi-chamber central wafer handling systems, having all of the following:
Greek: "Κεντρικά συστήματα χειρισμού πλακιδίων (wafer)", πολλαπλών θαλάμων, αυτόματης φόρτωσης, τα οποία έχουν όλα τα ακόλουθα:
English: interfaces for wafer input and output, to which more than two pieces of semiconductor processing equipment are to be connected; and
Greek: Διεπαφές για είσοδο και έξοδο πλακιδίων, στις οποίες μπορούν να συνδεθούν περισσότερα από δύο τμήματα εξοπλισμού επεξεργασίας ημιαγωγών, και
English: designed to form an integrated system in a vacuum environment for sequential multiple wafer processing;
Greek: Είναι σχεδιασμένα για να αποτελέσουν ένα ολοκληρωμένο σύστημα σε περιβάλλον κενού για σειριακή επεξεργασία πολλαπλών πλακιδίων.
English: Note:3B001.e. does not control automatic robotic wafer handling systems not designed to operate in a vacuum environment.
Greek: Σημείωση:Στο σημείο 3Β001.ε. δεν υπάγονται τα αυτόματα ρομποτικά συστήματα χειρισμού πλακιδίων τα οποία δεν έχουν σχεδιασθεί για να λειτουργούν σε περιβάλλον κενού.
English: align and expose step and repeat (direct step on wafer) or step and scan (scanner) equipment for wafer processing using photo-optical or X-ray methods, having any of the following:
Greek: Εξοπλισμός ευθυγράμμισης και έκθεσης step and repeat (με άμεσο βήμα πάνω στο πλακίδιο) ή step and scan (με σάρωση) για την επεξεργασία πλακιδίων με τη χρήση φωτο-οπτικών μεθόδων ή μεθόδων ακτίνων Χ, ο οποίος έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
English: a light source wavelength shorter than 245 nm; or
Greek: Μήκος κύματος φωτεινής πηγής βραχύτερο από 245 nm, ή
English: capable of producing a pattern with a ’minimum resolvable feature’ size of 180 nm or less;
Greek: Ικανότητα να συνθέτει σχήματα με ελάχιστο διαχωρίσιμο μέγεθος γνωρίσματος 180 nm ή μικρότερο.
English: The ’minimum resolvable feature’ size is calculated by the following formula:
Greek: Το "ελάχιστο διαχωρίσιμο μέγεθος γνωρίσματος" υπολογίζεται με τον εξής τύπο:
English: MRF = an exposure light source wavelength in nm
Greek: MRF = μήκος κύματος της φωτεινής πηγής έκθεσης σε nm
English: × K factor
Greek: × συντελεστής Κ
English: imprint lithography equipment capable of producing features of 180 nm or less;
Greek: Εξοπλισμός εντυπωτικής λιθογραφίας ικανός να παράγει λεπτομέρειες διαστάσεων 180 nm και κάτω.
English: Note:3B001.f.2. includes:
Greek: Σημείωση:Στο σημείο 3Β001.στ.2. περιλαμβάνονται τα εργαλεία:
English: equipment specially designed for mask making or semiconductor device processing using deflected focussed electron beam, ion beam or "laser" beam, having any of the following:
Greek: Εξοπλισμός που έχει ειδικά σχεδιασθεί για την παραγωγή μασκών ή για επεξεργασία συσκευών ημιαγωγών με τη χρήση εκτρεπόμενης εστιασμένης δέσμης ηλεκτρονίων, δέσμης ιόντων ή δέσμης "λέιζερ", που έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
English: being capable of producing a pattern with a feature size of less than 1 μm; or
Greek: Είναι ικανός να παράγει σχήμα με χαρακτηριστικό μέγεθος κάτω από 1 μm, ή
English: an overlay accuracy of better than ±0,20 μm (3 sigma);
Greek: Ακρίβεια επικάλυψης καλύτερη από ±0,20 μm (3 sigma).
English: masks and reticles designed for integrated circuits specified in 3A001;
Greek: Μάσκες ή reticles που έχουν σχεδιαστεί για ολοκληρωμένα κυκλώματα που καθορίζονται στο σημείο 3Α001.
English: Note:3B001.h. does not control multi-layer masks with a phase shift layer designed for the fabrication of memory devices not controlled by 3A001.
Greek: Σημείωση:Στο σημείο 3Β001.η. δεν υπάγονται οι μάσκες με πολλαπλά στρώματα που περιλαμβάνουν στρώμα ολίσθησης φάσης οι σχεδιασμένες για την κατασκευή συσκευών μνήμης που δεν υπάγονται στο σημείο 3Α001.
English: i. Imprint lithography templates designed for integrated circuits specified in 3A001.
Greek: Μακέτες εντυπωτικής λιθογραφίας σχεδιασμένες για τα ηλεκτρονικά κυκλώματα που προσδιορίζονται στο 3Α001.
English: for testing S-parameters of transistor devices at frequencies exceeding 31,8 GHz;
Greek: Για να δοκιμάζονται οι παράμετροι S συσκευών τρανζίστορ σε συχνότητες πάνω από 31,8 GHz,
English: III/V compounds of gallium or indium.
Greek: Σύνθετες ενώσεις γαλλίου ή ινδίου με στοιχεία του πίνακα III/V.
English: positive resists designed for semiconductor lithography specially adjusted (optimised) for use at wavelengths below 245 nm;
Greek: Θετικά φωτοανθεκτικά υλικά για λιθογραφικές εργασίες με ημιαγωγούς, ειδικώς ρυθμισμένα (αριστοποιημένα) για χρήση σε μήκη κύματος κάτω από 245 nm,
English: all resists designed for use with electron beams or ion beams, with a sensitivity of 0,01 μcoulomb/mm2 or better;
Greek: Πάσης φύσεως φωτοανθεκτικά υλικά για χρήση με δέσμες ηλεκτρονίων ή ιόντων που έχουν ευαισθησία 0,01 μcoulomb/mm2 ή καλύτερη,
English: all resists designed for use with X-rays, with a sensitivity of 2,5 mJ/mm2 or better;
Greek: Πάσης φύσεως φωτοανθεκτικά υλικά για χρήση με ακτίνες Χ, με ευαισθησία 2,5 mJ/mm2 ή καλύτερη,
English: all resists optimised for surface imaging technologies, including ’silylated’ resists.
Greek: Πάσης φύσεως φωτοανθεκτικά υλικά αριστοποιημένα για τεχνολογίες απεικόνισης επιφανειών, συμπεριλαμβανομένων των πυριτικοποιημένων φωτοανθεκτικών υλικών.
English: ’Silylation’ techniques are defined as processes incorporating oxidation of the resist surface to enhance performance for both wet and dry developing.
Greek: Οι τεχνικές μέθοδοι πυριτικοποίησης ορίζονται ως οι διαδικασίες που περιλαμβάνουν οξείδωση της επιφάνειας του φωτοανθεκτικού υλικού ώστε να ενισχυθεί η απόδοσή του τόσο για υγρή όσο και για ξηρά εμφάνιση.
English: organo-metallic compounds of aluminium, gallium or indium having a purity (metal basis) better than 99,999 %;
Greek: Οργανομεταλλικές ενώσεις αργιλίου, γαλλίου ή ινδίου που έχουν καθαρότητα (με βάση το μέταλλο) καλύτερη από 99,999 %,
English: organo-arsenic, organo-antimony and organo-phosphorus compounds having a purity (inorganic element basis) better than 99,999 %.
Greek: Οργανικές ενώσεις αρσενικού, αντιμονίου και φωσφόρου που έχουν καθαρότητα (με βάση το ανόργανο στοιχείο) καλύτερη από 99,999 %.
English: Note:3C003 only controls compounds whose metallic, partly metallic or non-metallic element is directly linked to carbon in the organic part of the molecule.
Greek: Σημείωση:Στο σημείο 3C003 υπάγονται μόνο οι ενώσεις των οποίων το μεταλλικό, μερικώς μεταλλικό ή μη μεταλλικό στοιχείο συνδέεται άμεσα με άνθρακα στο οργανικό τμήμα του μορίου.
English: Note:3C004 does not control hydrides containing 20 % molar or more of inert gases or hydrogen.
Greek: Σημείωση:Στο σημείο 3C004 δεν υπάγονται υδρίδια που περιέχουν γραμμομοριακό ποσοστό 20 % και άνω αδρανή αέρια ή υδρογόνο.
English: Silicon carbide (SiC) wafers having a resistivity of more than 10000 ohm-cm.
Greek: Δισκία από καρβίδιο του πυριτίου (SiC) με ειδική αντίσταση άνω των 10000 Ω. cm.
English: ’Physics-based’ simulation "software" specially designed for the "development" of lithographic, etching or deposition processes for translating masking patterns into specific topographical patterns in conductors, dielectrics or semiconductor materials.
Greek: "Λογισμικό" προσομοίωσης, βασισμένο στη φυσική, ειδικά σχεδιασμένο για την "ανάπτυξη" διεργασιών λιθογραφίας, χάραξης ή εναπόθεσης προκειμένου τα σχήματα μάσκας να μεταφράζονται σε επί μέρους τοπογραφικά σχήματα με αγωγούς, διηλεκτρικά ή υλικά ημιαγωγών.
English: ’Physics-based’ in 3D003 means using computations to determine a sequence of physical cause and effect events based on physical properties (e.g., temperature, pressure, diffusion constants and semiconductor materials properties).
Greek: Στο σημείο 3.D003., οι λέξεις "βασισμένο στη φυσική" υποδηλώνουν ότι χρησιμοποιεί υπολογισμούς για να προσδιορίσει μια ακολουθία φυσικών αιτίων/αιτιατών βασισμένων σε φυσικές ιδιότητες (πχ. θερμοκρασία, πίεση, σταθερές διάχυσης και ιδιότητες υλικών ημιαγωγών).
English: Note:Libraries, design attributes or associated data for the design of semiconductor devices or integrated circuits are considered as "technology".
Greek: Σημεiωση:Οι βιβλιοθήκες, τα χαρακτηριστικά σχεδιασμού ή συναφή δεδομένα για το σχεδιασμό συσκευών ημιαγωγών ή ολοκληρωμένων κυκλωμάτων θεωρούνται σαν "τεχνολογία".
English: Note 1:3E001 does not control "technology" for the "production" of equipment or components controlled by 3A003.
Greek: Σημείωση 1:Στο σημείο 3Ε001 δεν ελέγχεται η "τεχνολογία" για την "παραγωγή" εξοπλισμού ή δομικών στοιχείων που ελέγχονται σύμφωνα με το σημείο 3Α003.
English: Note 2:3E001 does not control "technology" for the "development" or "production" of integrated circuits specified in 3A001.a.3. to 3A001.a.12., having all of the following:
Greek: Σημείωση 2:Στο σημείο 3Ε001 δεν ελέγχεται η "τεχνολογία" για την "ανάπτυξη" ή "παραγωγή" ολοκληρωμένων κυκλωμάτων προδιαγραφόμενων στα σημεία 3Α001.α.3. έως 3Α001.α.12., και που έχουν όλα τα ακόλουθα:
English: The term ’multi-layer structures’ does not include devices incorporating a maximum of three metal layers and three polysilicon layers.
Greek: Ο όρος "δομές με πολλαπλά στρώματα" δεν περιλαμβάνει συσκευές που περιλαμβάνουν το πολύ τρία μεταλλικά στρώματα και τρία στρώματα πολυπυριτίου.
English: "Technology" according to the General Technology Note, other than that specified in 3E001, for the "development" or "production" of a "microprocessor microcircuit", or "microcomputer microcircuit" and microcontroller microcircuit core having an arithmetic logic unit with an access width of 32 bits or more and any of the following features or characteristics:
Greek: "Τεχνολογία" σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας, άλλη από την προσδιοριζόμενη στο 3Ε001, για την "ανάπτυξη" ή "παραγωγή""μικροκυκλωμάτων μικροεπεξεργαστών", "μικροκυκλωμάτων μικροϋπολογιστών" και πυρήνων μικροκυκλωμάτων μικροσυσκευών ελέγχου, με αριθμητική λογική μονάδα με εύρος προσπέλασης 32 bit και άνω και οποιοδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά:
English: a vector processor unit designed to perform more than two calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously;
Greek: Περιλαμβάνει διανυσματικό επεξεργαστή σχεδιασμένον ώστε να εκτελεί ταυτόχρονα περισσότερους από δύο υπολογισμούς επί διανυσμάτων κινητής υποδιαστολής (μονοδιάστατων πινάκων αριθμών 32 ή περισσότερων bit),
English: A vector processing unit is a processor element with built-in instructions that perform multiple calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously, having at least one vector arithmetic logic unit.
Greek: Διανυσματικός επεξεργαστής λέγεται ένα στοιχείο επεξεργαστή με ενσωματωμένες εντολές που εκτελεί ταυτόχρονα πολλούς υπολογισμούς επί διανυσμάτων κινητής υποδιαστολής (μονοδιάστατων πινάκων αριθμών 32 ή περισσότερων bit) και έχει τουλάχιστον μία αριθμητική λογική μονάδα.
English: designed to perform more than two 64-bit or larger floating-point operation results per cycle; or
Greek: Είναι σχεδιασμένοι ώστε να εκτελούν περισσότερους από δύο υπολογισμούς εξαγομένων πράξεων κινητής υποδιαστολής 64 ή περισσότερων bit ανά κύκλο, ή
English: designed to perform more than four 16-bit fixed-point multiply-accumulate results per cycle (e.g. digital manipulation of analogue information that has been previously converted into digital form, also known as digital signal processing).
Greek: Είναι σχεδιασμένοι ώστε να εκτελούν περισσότερους από τέσσερις υπολογισμούς εξαγομένων πράξεων πολλαπλασιασμού και σωρευτικής άθροισης σταθερής υποδιαστολής 16 bit ανά κύκλο (π.χ. ψηφιακό χειρισμό αναλογικών πληροφοριών που έχουν προηγουμένως μετατραπεί σε ψηφιακή μορφή, το γνωστό και ως ψηφιακή επεξεργασία σήματος).
English: Note:3E002.c. does not control technology for multimedia extensions.
Greek: Σημείωση:Στο σημείο 3E002.γ. δεν εμπίπτει η τεχνολογία επεκτάσεων πολυμέσων.
English: Note 1:3E002 does not control "technology" for the "development" or "production" of micro-processor cores, having all of the following:
Greek: Σημείωση 1:Στο σημείο 3E002 δεν εμπίπτει η "τεχνολογία" για την "ανάπτυξη" ή "παραγωγή" πυρήνων μικροεπεξεργαστών με όλα τα παρακάτω χαρακτηριστικά:
English: incorporating multi-layer structures with five or fewer metal layers.
Greek: Ενσωμάτωση πολυστιβαδικών δομών με έως και πέντε μεταλλικές στιβάδες.