geopti/opus-en-el-eval-mixture huggingface dataset:
English: Note 2: For exports to "States Party to the Chemical Weapons Convention", 1C450 does not control "chemical mixtures" containing one or more of the chemicals specified in entries 1C450.b.1., .b.2., .b.3., .b.4., .b.5. and .b.6. in which no individually specified chemical constitutes more than 30 % by the weight of the mixture.
Greek: Σημείωση 2: Για τις εξαγωγές στα "Κράτη που είναι συμβαλλόμενα μέρη της Σύμβασης για τα Χημικά Όπλα", στο σημείο IC450 δεν υπάγονται τα "χημικά μείγματα" που περιέχουν μια ή περισσότερες από τις χημικές ενώσεις των σημείων IC450.b.1, .b.2, .b.3, .b.4, .b.5 και b.6 στα οποία καμία από τις επιμέρους οριζόμενες ουσίες δεν υπερβαίνει το 30 % κατά βάρος του μείγματος.
English: Note 3: 1C450 does not control "chemical mixtures" containing one or more of the chemicals specified in entry 1C450.b.8. in which no individually specified chemical constitutes more than 30 % by the weight of the mixture.
Greek: Σημείωση 3: Στο σημείο 1C450 δεν υπάγονται "χημικά μείγματα" που περιέχουν μία ή περισσότερες από τις χημικές ουσίες που ορίζονται στο σημείο 1C450 b.8 στις οποίες καμιά από τις οριζόμενες χημικές ουσίες δεν συνιστά άνω του 30 % κατά βάρος του μείγματος.
English: Note: 1C450 does not control products identified as consumer goods packaged for retail sale for personal use or packaged for individual use.
Greek: Σημ.: Στο σημείο IC450 δεν υπάγονται προϊόντα που ορίζονται ως καταναλωτικά προϊόντα, συσκευασμένα για το λιανικό εμπόριο για προσωπική χρήση ή συσκευασμένα για προσωπική χρήση.
English: "Technology" according to the General Technology Note for the "development" of "software" specified in 1D001, 1D101 or 1D103.
Greek: "Τεχνολογία" σύμφωνα με τις γενικές παρατηρήσεις τεχνολογίας για την "ανάπτυξη" ή το λογισμικό που περιγράφονται στα σημεία 1D001, 1D101 ή 1D103.
English: "Technology" according to the General Technology Note for the "use" of goods specified in 1A002, 1A202, 1A225 to 1A227, 1B201, 1B225 to 1B233, 1C002.b.3. or b. 4., 1C010.b., 1C202, 1C210, 1C216, 1C225 to 1C240 or 1D201.
Greek: "Τεχνολογία" σύμφωνα με τις γενικές παρατηρήσεις τεχνολογίας για τη [Ν] "χρήση" προϊόντων που καθορίζονται στα σημεία 1Α002, 1Α202, 1Α225 ως 1Α227, 1Β201, 1Β225 ως 1Β233, 1C002.β3. ή β4., 1C010.β., 1C202, 1C210, 1C216, 1C225 ως 1C240 ή 1D201.
English: A rotary axis can be driven by a linear device (e.g., a screw or a rack-and-pinion).
Greek: Ο άξονας περιστροφής μπορεί να κατευθύνεται από γραμμική διάταξη, (π.χ., από κοχλία ή οδοντωτό τροχοκανόνα).
English: For the purposes of 2B, the number of axes which can be co-ordinated simultaneously for "contouring control" is the number of axes along or around which, during processing of the workpiece, simultaneous and interrelated motions are performed between the workpiece and a tool.
Greek: Για τους σκοπούς του σημείου 2Β, ο αριθμός αξόνων που μπορούν να συντονίζονται ταυτόχρονα για "έλεγχο διαμόρφωσης περιγράμματος" είναι ο αριθμός των αξόνων κατά μήκος των οποίων ή γύρω από τους οποίους, κατά την επεξεργασία του υπό επεξεργασία αντικειμένου, πραγματοποιούνται ταυτόχρονες και αλληλοσυσχετιζόμενες κινήσεις μεταξύ του υπό επεξεργασία αντικειμένου και ενός εργαλείου.
English: This does not include any additional axes along or around which other relative movement within the machine are performed such as:
Greek: Δεν συναριθμούνται οι τυχόν επιπλέον άξονες κατά μήκος των οποίων ή γύρω από τους οποίους πραγματοποιούνται άλλες σχετικά κινήσεις της μηχανής, όπως :
English: Crankshafts or camshafts;
Greek: Στροφαλοφόρων ή εκκεντροφόρων αξόνων,
English: Note 3: A machine tool having at least two of the three turning, milling or grinding capabilities (e.g., a turning machine with milling capability), must be evaluated against each applicable entry 2B001.a., b. or c.
Greek: Σημείωση 3: Οι εργαλειομηχανές που έχουν δύο τουλάχιστον από τις παρακάτω αναφερόμενες ικανότητες: τόρνευση, φρεζάρισμα, τρόχισμα (π.χ., τορνευτικές εργαλειομηχανές με ικανότητα φρεζαρίσματος), πρέπει να αξιολογούνται με βάση όλα τα αντίστοιχα υποσημεία α., β. ή/και γ. του σημείου 2Β001.
English: A positioning accuracy for jig boring machines, with all "compensations available", equal to or less (better) than 4 μm according to ISO 230/2 (1988) [1] Manufacturers calculating positioning accuracy in accordance with ISO 230/2 (1997) should consult the competent authorities of the Member State in which they are established.
Greek: Ακρίβεια τοποθέτησης για τις μηχανές διάτρησης με πρότυπο-οδηγό, με "διαθέσιμες όλες τις αντισταθμίσεις" μικρότερη (καλύτερη) από ή ίση με 4 μm σύμφωνα με το πρότυπο ISO 230/2 (1988) [1] Οι κατασκευαστές που υπολογίζουν την ακρίβεια τοποθέτησης σύμφωνα με το έγγραφο ISO 230/2 (1997) οφείλουν να συμβουλευθούν τις αρμόδιες αρχές του κράτους μέλους όπου είναι εγκατεστημένοι.
English: Numerically controlled machine tools using a magnetorheological finishing (MRF) process equipped to produce non-spherical surfaces and having any of the following characteristics:
Greek: Εργαλειομηχανές με "ψηφιακό έλεγχο" που χρησιμοποιούν μαγνητοροολογική διεργασία φινιρίσματος (MRF) εξοπλισμένες για την παραγωγή μη σφαιρικών επιφανειών και με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
English: Finishing the form to less (better) than 1.0 μm; or
Greek: Φινίρισμα του προϊόντος σε λιγότερο (καλύτερο) από 1,0 μm, ή
English: Finishing to a roughness less (better) than 100 nm rms.
Greek: Φινίρισμα με τραχύτητα μικρότερη (καλύτερη) από 100 nm rms.
English: Ion implantation production equipment having beam currents of 5 mA or more;
Greek: Εξοπλισμός παραγωγής για εμφύτευση ιόντων, με ένταση ρεύματος δέσμης 5 mA ή μεγαλύτερη.
English: Electron beam physical vapour deposition (EB-PVD) production equipment incorporating power systems rated for over 80 kW, having any of the following:
Greek: Εξοπλισμός παραγωγής για εναπόθεση ατμού με φυσική μέθοδο δέσμης ηλεκτρονίων (EB-PVD), ο οποίος φέρει ενσωματωμένα συστήματα τροφοδότησης ισχύος σχεδιασμένα για ισχύ μεγαλύτερη από 80 kW και έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
English: Plasma spraying production equipment having any of the following characteristics:
Greek: Εξοπλισμός παραγωγής για ψεκασμό πλάσματος, ο οποίος έχει ένα από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
English: Sputter deposition production equipment capable of current densities of 0,1 mA/mm2 or higher at a deposition rate of 15 μm/h or more;
Greek: Εξοπλισμός παραγωγής για εναπόθεση με καθοδική διασκόρπιση, ικανός να επιτυγχάνει πυκνότητα ρεύματος 0,1 mA/mm2 ή υψηλότερη, με ταχύτητα εναπόθεσης 15 μικρόμετρα/ώρα ή υψηλότερη, στ.
English: Cathodic arc deposition production equipment incorporating a grid of electromagnets for steering control of the arc spot on the cathode;
Greek: Εξοπλισμός παραγωγής για εναπόθεση καθοδικής εκκένωσης τόξου, ο οποίος φέρει ενσωματωμένο πλέγμα ηλεκτρομαγνητών για την καθοδήγηση της εστίασης του τόξου στην κάθοδο,
English: A "measurement uncertainty" equal to or less (better) than (0,2 + L/2000) μm (L is the measured length in mm);
Greek: "Αβεβαιότητα μέτρησης" ίση ή μικρότερη (καλύτερη επίδοση) από (0,2 + L/2000) μm (όπου L είναι το μετρούμενο μήκος, σε mm).
English: Chemical vapour deposition (CVD) furnaces, other than those specified in 2B005.a., designed or modified for the densification of carbon-carbon composites.
Greek: Κάμινοι (CΝD) χημικής εναπόθεσης ατμού, εκτός των προσδιοριζομένων στο 2Β005.α, που έχουν σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για την πύκνωση συνθέτων υλικών άνθρακα-άνθρακα.
English: Note: 2B109 does not control machines that are not usable in the production of propulsion components and equipment (e.g. motor cases) for systems specified in 9A005, 9A007.a. or 9A105.a.
Greek: Σημείωση: Στο σημείο 2Β109 δεν υπάγονται μηχανές που δεν χρησιμοποιούνται στην παραγωγή κατασκευαστικών μερών και εξοπλισμού προώθησης (π.χ. περιβλήματα κινητήρων) για συστήματα που καθορίζονται στα σημεία 9Α005, 9Α007.α. ή 9Α105.α.
English: Vibration test systems, equipment and components therefor, as follows:
Greek: Συστήματα δονητικών δοκιμών, εξοπλισμός και σχετικά κατασκευαστικά μέρη, ως εξής:
English: Vibration test systems employing feedback or closed loop techniques and incorporating a digital controller, capable of vibrating a system at an acceleration equal to or greater than 10 g rms between 20 Hz and 2 kHz and imparting forces equal to or greater than 50 kN, measured 'bare table';
Greek: Συστήματα δονητικών δοκιμών με τεχνικές ανάδρασης ή κλειστού βρόχου, που περιέχουν μονάδα ψηφιακού ελέγχου ικανά να δονούν συστήματα με επιτάχυνση τουλάχιστον 10 g RMS σε συχνότητα μεταξύ 20 Hz και 2 kHz και να ασκούν δυνάμεις τουλάχιστον 50 kN, μετρούμενες επί ελευθέρου πάγκου,
English: Note: 2B201.b. does not control the following grinding machines:
Greek: Σημείωση: Στο σημείο 2Β201.β. δεν υπάγονται οι ακόλουθες μηχανές για τρόχισμα:
English: Systems for simultaneous linear-angular inspection of hemishells, having both of the following characteristics:
Greek: Συστήματα για τον ταυτόχρονο γραμμικό και γωνιακό έλεγχο ημισφαιρικών δομών με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
English: i. Multiple-seal, and seal-less pumps, with manufacturer's specified maximum flow-rate greater than 0,6 m3/hour, or vacuum pumps with manufacturer's specified maximum flow-rate greater than 5 m3/hour (under standard temperature (273 K (0 °C)) and pressure (101,3 kPa) conditions); and casings (pump bodies), preformed casing liners, impellers, rotors or jet pump nozzles designed for such pumps, in which all surfaces that come in direct contact with the chemical(s) being processed are made from any of the following materials:
Greek: Αντλίες πολλαπλής στεγανότητας και χωρίς σφραγίδες στεγανότητας, των οποίων ο μέγιστος ρυθμός ροής βάσει προδιαγραφών του κατασκευαστή είναι τουλάχιστον 0,6 m3/h ή αντλίες κενού, των οποίων ο μέγιστος ρυθμός ροής βάσει προδιαγραφών του κατασκευαστή είναι τουλάχιστον 5 m3/h (υπό κανονικές συνθήκες θερμοκρασίας [273 K (0° C)] και πίεσης (101,3 kPa)· και περιβλήματα (σώματα αντλιών), προσχηματισμένα χιτώνια περιβλημάτων, πτερωτές, ρότορες ή ακροφύσια αντλιών δι’ εκτοξεύσεως προς χρήση στις αντλίες αυτές, των οποίων όλες οι επιφάνειες που έρχονται σε άμεση επαφή με την(τις) υπό επεξεργασία ή περιεχόμενη(ες) χημική(ες) ουσία(ες) είναι κατασκευασμένες από οποιοδήποτε από τα ακόλουθα υλικά:
English: Physical Vapour Deposition (PVD): "Laser" Vaporisation
Greek: Εναπόθεση ατμού με φυσικές μεθόδους (PVD): εξάτμιση με "λέιζερ"
English: Abradable materials containing Ni-Cr-Al
Greek: Λειάνσιμα υλικά
English: Aluminium alloys (6)
Greek: Κράματα αργιλίου (6)
English: Table — Deposition techniques — Notes
Greek: Πίνακας — τεχνικές εναπόθεσης — σημειώσεις
English: 'Cemented tungsten carbide' does not include cutting and forming tool materials consisting of tungsten carbide/(cobalt, nickel), titanium carbide/(cobalt, nickel), chromium carbide/nickel-chromium and chromium carbide/nickel.
Greek: Στα "επιστοιχειωμένα καρβίδια του βολφραμίου" δεν περιλαμβάνονται τα υλικά κοπτικών εργαλείων και εργαλείων μορφοποίησης από καρβίδιο του βολφραμίου/(κοβάλτιο, νικέλιο), καρβίδιο του τιτανίου/(κοβάλτιο, νικέλιο), καρβίδιο του χρωμίου/νικελιο-χρώμιο και καρβίδιο του χρωμίου/νικέλιο.
English: Ion Implantation is a surface modification coating process in which the element to be alloyed is ionised, accelerated through a potential gradient and implanted into the surface region of the substrate.
Greek: Εμφύτευση ιόντων είναι τεχνική επίχρισης με μετατροπή επιφανειών, κατά την οποία το προς κραματοποίηση στοιχείο ιονίζεται, επιταχύνεται μέσω διαβαθμιζόμενου δυναμικού και εμφυτεύεται στην επιφάνεια του υποστρώματος.
English: Electronic components, as follows:
Greek: Ηλεκτρονικά δομικά στοιχεία, ως εξής:
English: General purpose integrated circuits, as follows:
Greek: Ολοκληρωμένα κυκλώματα για γενικούς σκοπούς, ως εξής:
English: Integrated circuits, designed or rated as radiation hardened to withstand any of the following:
Greek: Ολοκληρωμένα κυκλώματα σχεδιασμένα ή καθορισμένα ώστε να αντέχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
English: A total dose of 5 × 103 Gy (silicon) or higher;
Greek: Ακτινοβολία, συνολικής δόσης τουλάχιστον 5 × 103 Gy (πυρίτιο),
English: A dose rate upset of 5 × 106 Gy (silicon)/s or higher; or
Greek: Διαταραχή ρυθμού ακτινοβολίας τουλάχιστον 5 × 106 Gy (πυρίτιο)/s ή υψηλότερη, ή
English: A fluence (integrated flux) of neutrons (1 MeV equivalent) of 5 × 1013 n/cm2 or higher on silicon, or its equivalent for other materials;
Greek: Ολοκληρωμένη ροή νετρονίων (ισοδύναμο 1 MeV) τουλάχιστον 5 × 1013 n/cm2 σε πυρίτιο, και το αντίστοιχο σε άλλα υλικά,
English: "Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits", microcontroller microcircuits, storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor, analogue-to-digital converters, digital-to-analogue converters, electro-optical or "optical integrated circuits" designed for "signal processing", field programmable logic devices, neural network integrated circuits, custom integrated circuits for which either the function is unknown or the control status of the equipment in which the integrated circuit will be used is unknown, Fast Fourier Transform (FFT) processors, electrical erasable programmable read-only memories (EEPROMs), flash memories or static random-access memories (SRAMs), having any of the following:
Greek: "Μικροκυκλώματα με μικροεπεξεργαστές", "μικροκυκλώματα μικροϋπολογιστών" και μικροκυκλώματα για μικροσυσκευές ελέγχου, ολοκληρωμένα κυκλώματα μνήμης κατασκευασμένα από σύνθετο ημιαγωγό, μετατροπείς αναλογικού σε ψηφιακό, μετατροπείς ψηφιακού σε αναλογικό, ηλεκτρο-οπτικά ή "οπτικά ολοκληρωμένα κυκλώματα" σχεδιασμένα για "επεξεργασία σημάτων", προγραμματιζόμενες λογικές διατάξεις πεδίου (field programmable logic devices), ολοκληρωμένα κυκλώματα νευρονικών δικτύων, ολοκληρωμένα κυκλώματα κατασκευασμένα κατά παραγγελία, για τα οποία είτε είναι άγνωστη η λειτουργία είτε αγνοείται η διαβάθμιση ελέγχου του εξοπλισμού, στον οποίον θα χρησιμοποιηθούν τα ολοκληρωμένα κυκλώματα, επεξεργαστές ταχείας μετατροπής Fourier (Fast Fourier Transform — FFT), ηλεκτρικά αποσβέσιμες και προγραμματιζόμενες μνήμες ανάγνωσης μόνο (EEPROM), στιγμιαίες μνήμες ή στατικές μνήμες RAM (SRAM) που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα :
English: "Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits" and microcontroller microcircuits, manufactured from a compound semiconductor and operating at a clock frequency exceeding 40 MHz;
Greek: "Μικροκυκλώματα με μικροεπεξεργαστές", "μικροκυκλώματα μικροϋπολογιστών" και μικροκυκλώματα για μικροσυσκευές ελέγχου, που κατασκευάζονται από σύνθετο ημιαγωγό και με λειτουργία σε συχνότητα χρονισμού πάνω από 40 MHz.
English: A resolution of 8 bit or more, but less than 10 bit, with an output rate greater than 500 million words per second;
Greek: Διακριτική ικανότητα τουλάχιστον 8 bit αλλά μικρότερη των 10 bit, με ρυθμό εξόδου ανώτερο των 500 εκατομμυρίων λέξεων ανά δευτερόλεπτο,
English: A resolution of 10 bit or more, but less than 12 bit, with an output rate greater than 200 million words per second;
Greek: Διακριτική ικανότητα τουλάχιστον 10 bit αλλά μικρότερη των 12 bit, με ρυθμό εξόδου ανώτερο των 200 εκατομμυρίων λέξεων ανά δευτερόλεπτο,
English: A resolution of 12 bit with an output rate greater than 50 million words per second;
Greek: Διακριτική ικανότητα 12 bit, με ρυθμό εξόδου ανώτερο των 50 εκατομμυρίων λέξεων ανά δευτερόλεπτο,
English: A resolution of more than 12 bit, but equal to or less than 14 bit, with an output rate greater than 5 million words per second; or;
Greek: Διακριτική ικανότητα άνω των 12 bit αλλά το πολύ 14 bit, με ρυθμό εξόδου ανώτερο των 5 εκατομμυρίων λέξεων ανά δευτερόλεπτο, ή
English: A resolution of more than 14 bit with an output rate greater than 1 million words per second;
Greek: Διακριτική ικανότητα άνω των 14 bit, με ρυθμό εξόδου ανώτερο του 1 εκατομμυρίου, λέξεων ανά δευτερόλεπτο
English: Digital-to-analogue converters with a resolution of 12 bit or more, and a "settling time" of less than 10 ns;
Greek: Μετατροπείς ψηφιακού σε αναλογικό με διακριτική ικανότητα τουλάχιστον 12 bit και "χρόνο αποκατάστασης" ("settling time") κάτω των 10 ns.
English: A resolution of n bit corresponds to a quantisation of 2n levels.
Greek: Διακριτική ικανότητα n bit αντιστοιχεί σε κβάντωση 2η σταθμών.
English: The output rate is the maximum output rate of the converter, regardless of the architecture or oversampling.
Greek: Ο ρυθμός εξόδου είναι ο μέγιστος ρυθμός εξόδου του μετατροπέα, ανεξαρτήτως αρχιτεκτονικής ή υπερδειγματοληψίας.
English: Vendors may also refer to the output rate as sampling rate, conversion rate or throughput rate.
Greek: Οι πωλητές μπορούν επίσης να αναφέρουν το ρυθμό εξόδου ως ρυθμό δειγματοληψίας ή ως ρυθμό διεκπεραίωσης.
English: For the purpose of measuring output rate, one output word per second is equivalent to one Hertz or one sample per second.
Greek: Για τη μέτρηση του ρυθμού διεκπεραίωσης, μια λέξη εξόδου ανά δευτερόλεπτο ισοδυναμεί προς ένα Hertz ή προς ένα δείγμα ανά δευτερόλεπτο.
English: Note: 3A001.a.7. includes:
Greek: Σημείωση: Το 3Α001.α.7 περιλαμβάνει:
English: Note 1: 3A001.b.1. does not control tubes designed or rated for operation in any frequency band which meets all of the following characteristics:
Greek: Σημείωση 1: Στο σημείο 3Α001.β.1. δεν υπάγονται οι λυχνίες που έχουν σχεδιασθεί ή καθορίζονται για λειτουργία σε ζώνες συχνοτήτων που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
English: Note 2: 3A001.b.1. does not control non- "space-qualified" tubes which meet all of the following characteristics:
Greek: Σημείωση 2: Στο σημείο 3Α001.β.1., δεν υπάγονται οι "ακατάλληλες για διαστημική χρήση" λυχνίες που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
English: Coupled cavity tubes, or derivatives thereof, with a "fractional bandwidth" of more than 7 % or a peak power exceeding 2,5 kW;
Greek: Συζευγμένες λυχνίες cavity ή παράγωγά τους, με "κλασματικό εύρος ζώνης" άνω του 7 % ή ισχύ αιχμής άνω των 2,5 kW.
English: An "instantaneous bandwidth" of more than one octave, and average power (expressed in kW) times frequency (expressed in GHz) of more than 0,5;
Greek: "Στιγμιαίο εύρος ζώνης" άνω της μιας οκτάβας και γινόμενο μεταξύ της μέσης ισχύος (εκφρασμένης σε kw) και της συχνότητας (εκφρασμένης σε GHz) ανώτερο από 0,5,
English: An "instantaneous bandwidth" of one octave or less, and average power (expressed in kW) times frequency (expressed in GHz) of more than 1; or
Greek: "Στιγμιαίο εύρος ζώνης" το πολύ μια οκτάβα, και γινόμενο της μέσης ισχύος (εκφρασμένης σε kw) και συχνότητας (εκφρασμένης σε GHz) πάνω από 1, ή
English: Being "space qualified";
Greek: Είναι "κατάλληλες για διαστημική χρήση".
English: Crossed-field amplifier tubes with a gain of more than 17 dB;
Greek: Ενισχυτικές λυχνίες διασταυρωμένου πεδίου με απολαβή άνω των 17 dB.
English: Impregnated cathodes designed for electronic tubes producing a continuous emission current density at rated operating conditions exceeding 5 A/cm2;
Greek: Εμποτισμένες κάθοδοι (impregnated cathodes) για ηλεκτρονικές λυχνίες που παράγουν σταθερή πυκνότητα ροής ρεύματος σε συνθήκες προκαθορισμένης λειτουργίας η οποία ξεπερνά τα 5 A/cm2.
English: Microwave monolithic integrated circuits (MMIC) power amplifiers having any of the following:
Greek: Ενισχυτές ισχύος με μονολιθικά ολοκληρωμένα κυκλώματα μικροκυμάτων, με οποιοδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά:
English: Rated for operation at frequencies exceeding 3,2 GHz up to and including 6 GHz and with an average output power greater than 4W (36 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 15 %;
Greek: εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 3,2 GHz μέχρι και 6.6 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω των 4 W (36 dBm) και "κλασματικό εύρος ζώνης" άνω του 15 %,
English: Rated for operation at frequencies exceeding 6 GHz up to and including 16 GHz and with an average output power greater than 1W (30 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %;
Greek: εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 6 GHz μέχρι και 16 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω του 1 W (30 dBm) και "κλασματικό εύρος ζώνης" άνω του 10 %,
English: Note 2: The control status of the MMIC whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.2.a. to 3A001.b.2.f., is determined by the lowest average output power control threshold.
Greek: Σημείωση 2: Το καθεστώς ελέγχου των μονολιθικών ολοκληρωμένων κυκλωμάτων μικροκυμάτων, οι ονομαστικές συχνότητες λειτουργίας των οποίων περιλαμβάνουν συχνότητες περιεχόμενες σε περισσότερες από μία ζώνες συχνοτήτων, κατά τα οριζόμενα στα σημεία 3A001.β.2.α έως 3Α001.β.2.στ., καθορίζεται βάσει του χαμηλότερου από τα όρια μέσης ισχύος εξόδου που αντιστοιχούν στις οικείες ζώνες.
English: Discrete microwave transistors having any of the following:
Greek: Χωριστά τρανζίστορ μικροκυμάτων με οποιοδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά:
English: Note: The control status of a transistor whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.3.a. to 3A001b.3.e., is determined by the lowest average output power control threshold.
Greek: Σημείωση: Το καθεστώς ελέγχου των τρανζίστορ οι ονομαστικές συχνότητες λειτουργίας των οποίων περιλαμβάνουν συχνότητες περιεχόμενες σε περισσότερες από μία ζώνες συχνοτήτων, κατά τα οριζόμενα στα σημεία 3A001.β.3α, έως 3Α001β.3.ε., καθορίζεται βάσει του χαμηλότερου από τα όρια μέσης ισχύος εξόδου που αντιστοιχούν στις οικείες ζώνες.
English: Rated for operation at frequencies above 3.2 GHz and having all of the following:
Greek: στ. εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 3 GHz και με όλα τα παρακάτω χαρακτηριστικά:
English: GHz should be used as the lowest operating frequency (fGHz) in the formula in 3A001.b.4.f.3., for amplifiers that have a rated operating range extending downward to 3.2 GHz and below [d≤ 15 cm*GHz/3.2 GHz].
Greek: Η συχνότητα 3,2 GHz θα πρέπει να χρησιμοποιείται ως η κατώτατη συχνότητα λειτουργίας (fGHz) στον τύπο του σημείου 3Α001.β.4.στ.3., για τους ενισχυτές με ονομαστικό φάσμα λειτουργίας που εκτίνεται προς τα κάτω μέχρι τα 3,2 GHz και κατωτέρω [d<15cm*GHz/3,2GHz].
English: Note 2: The control status of an item whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.4.a. to 3A001.b.4.e., is determined by the lowest average output power control threshold.
Greek: Σημείωση 2: Το καθεστώς ελέγχου των μονολιθικών ολοκληρωμένων κυκλωμάτων μικροκυμάτων, οι ονομαστικές συχνότητες λειτουργίας των οποίων περιλαμβάνουν συχνότητες περιεχόμενες σε περισσότερες από μία ζώνες συχνοτήτων κατά τα οριζόμενα στα σημεία 3A001.β.4.α. έως 3Α001.β.4.ε., καθορίζεται βάσει του χαμηλότερου από τα όρια μέσης ισχύος εξόδου που αντιστοιχούν στις οικείες ζώνες.
English: Note: 3A001.e.1. does not control batteries with volumes equal to or less than 27 cm3 (e.g., standard C-cells or R14 batteries).
Greek: Σημείωση: Στο σημείο 3Α001.ε.1. δεν υπάγονται οι μπαταρίες που έχουν όγκο ίσο ή μικρότερο από 27 cm3 (δηλαδή τα τυποποιημένα στοιχεία C ή τις μπαταρίες τύπου R14).
English: "Superconductive" electromagnets and solenoids specially designed to be fully charged or discharged in less than one second, having all of the following:
Greek: "Υπεραγώγιμοι" ηλεκτρομαγνήτες ή σωληνοειδή τα οποία έχουν σχεδιασθεί ειδικά ώστε να φορτίζονται πλήρως, ή να εκφορτίζονται, σε λιγότερο από ένα δευτερόλεπτο και που έχουν όλα τα ακόλουθα:
English: Note: 3A001.e.3. does not control "superconductive" electromagnets or solenoids specially designed for Magnetic Resonance Imaging (MRI) medical equipment.
Greek: Σημείωση: Στο σημείο 3Α001.ε.3 δεν υπάγονται "υπεραγώγιμοι" ηλεκτρομαγνήτες ή σωληνοειδή τα οποία έχουν κατασκευασθεί ειδικά για ιατρικό εξοπλισμό απεικόνισης με τη βοήθεια Μαγνητικού Συντονισμού (Magnetic Resonance Imaging).