geopti/opus-en-el-eval-mixture huggingface dataset:
English: magnetic disk drives and heads, equipment for the manufacture of disposables, valves for faucets, acoustic diaphragms for speakers, engine parts for automobiles, cutting tools, punching-pressing dies, office automation equipment, microphones or medical devices or moulds, for casting or moulding of plastics, manufactured from alloys containing less than 5 % beryllium.
Greek: οδηγοί και κεφαλές μαγνητικών δίσκων, εξοπλισμός για την κατασκευή ειδών μιας χρήσης, εξοπλισμός αρτοποιίας, βαλβίδες στροφίγγων, ακουστικά διαφράγματα μεγαφώνων, εξαρτήματα κινητήρων αυτοκινήτων, κοπτικά εργαλεία, διατμητικές και κοιλαντικές μήτρες, εξοπλισμός πληρογραφικής, μικρόφωνα ή ιατροτεχνολογικά βοηθήματα, ή καλούπια, για τη χύτευση ή το καλούπωμα πλαστικών, κατασκευασμένα από κράματα με περιεκτικότητα σε βερύλλιο κάτω του 5 %.
English: 'Silicon carbide' does not include cutting and forming tool materials.
Greek: Το "καρβίδιο του πυριτίου" δεν περιλαμβάνει τα υλικά κοπτικών εργαλείων και εργαλείων μορφοποίησης.
English: Ceramic substrates, as used in this entry, does not include ceramic materials containing 5 % by weight, or greater, clay or cement content, either as separate constituents or in combination.
Greek: Ο όρος "κεραμικά υποστρώματα", όπως χρησιμοποιείται στο σημείο αυτό, δεν περιλαμβάνει τα κεραμικά υλικά με περιεκτικότητα τουλάχιστον 5 % σε άργιλο ή τσιμέντο, είτε χωριστά είτε σε συνδυασμό.
English: Processes specified in Column 1 of the Table are defined as follows:
Greek: Οι ορισμοί των μεθόδων που καθορίζονται στη στήλη 1 του πίνακα είναι οι εξής:
English: Chemical Vapour Deposition (CVD) is an overlay coating or surface modification coating process wherein a metal, alloy, "composite", dielectric or ceramic is deposited upon a heated substrate.
Greek: Εναπόθεση ατμού με χημικές μεθόδους (CVD) είναι τεχνική επίχρισης με επίστρωση ή με μετατροπή επιφανειών, κατά την οποία ένα μέταλλο, κράμα, "σύνθετο υλικό", διηλεκτρικό υλικό ή κεραμικό υλικό εναποτίθεται σε θερμαινόμενο υπόστρωμα.
English: Gaseous reactants are decomposed or combined in the vicinity of a substrate resulting in the deposition of the desired elemental, alloy or compound material on the substrate.
Greek: Τα αέρια αντιδρώντα στρώματα διασπώνται ή ενώνονται κοντά στο υπόστρωμα, με αποτέλεσμα την εναπόθεση σ’ αυτό του επιθυμητού υλικού — χημικού στοιχείου, κράματος ή ένωσης.
English: Energy for this decomposition or chemical reaction process may be provided by the heat of the substrate, a glow discharge plasma, or "laser" irradiation.
Greek: Η απαιτούμενη ενέργεια για την παραπάνω διεργασία διάσπασης ή χημικής αντίδρασης παρέχεται από τη θερμότητα του υποστρώματος, από πλάσμα εκκένωσης αίγλης ή με ακτινοβόληση με "λέιζερ".
English: 1 CVD includes the following processes: directed gas flow out-of-pack deposition, pulsating CVD, controlled nucleation thermal deposition (CNTD), plasma enhanced or plasma assisted CVD processes.
Greek: Σημ. 1: Στην τεχνική CVD περιλαμβάνονται οι ακόλουθες μέθοδοι: εναπόθεση εκτός στήλης με κατευθυνόμενη ροή αερίου, παλμική CVD, θερμική εναπόθεση με ελεγχόμενο πυρήνα αντιδράσεως (CNTD), CVD βελτιωμένη ή υποβοηθούμενη από πλάσμα.
English: 2 Pack denotes a substrate immersed in a powder mixture.
Greek: Σημ. 2: Ο όρος "στήλη" σημαίνει ότι το υπόστρωμα είναι βυθισμένο σε μίγμα κόνεων.
English: 3 The gaseous reactants used in the out-of-pack process are produced using the same basic reactions and parameters as the pack cementation process, except that the substrate to be coated is not in contact with the powder mixture.
Greek: Σημ. 3: Τα αέρια αντιδρώντα σώματα που χρησιμοποιούνται στην τεχνική εκτός στήλης σχηματίζονται με τις ίδιες βασικές αντιδράσεις και παραμέτρους όπως και στην τεχνική επιστοιχείωσης (ενανθράκωσης) σε στήλη, εκτός από το ότι το προς επίχριση υπόστρωμα δεν έρχεται σε επαφή με το μίγμα κόνεων.
English: Thermal Evaporation-Physical Vapour Deposition (TE-PVD) is an overlay coating process conducted in a vacuum with a pressure less than 0,1 Pa wherein a source of thermal energy is used to vaporize the coating material.
Greek: Εναπόθεση ατμών με φυσικές μεθόδους θερμικής εξάτμισης (ΤΕ-PVD) είναι τεχνική επίχρισης με επίστρωση, η οποία πραγματοποιείται σε θάλαμο κενού με πίεση μικρότερη από 0,1 Pa και κατά την οποία χρησιμοποιείται πηγή θερμικής ενέργειας για την εξάτμιση του επιχριστικού υλικού.
English: This process results in the condensation, or deposition, of the evaporated species onto appropriately positioned substrates.
Greek: Η διεργασία αυτή έχει ως αποτέλεσμα τη συμπύκνωση ή την εναπόθεση των εξατμισμένων σωματιδίων σε καταλλήλως τοποθετημένα υποστρώματα.
English: The addition of gases to the vacuum chamber during the coating process to synthesize compound coatings is an ordinary modification of the process.
Greek: Η προσθήκη αερίων στο θάλαμο κενού κατά τη διάρκεια της επίχρισης για τη δημιουργία σύνθετων επιχρισμάτων αποτελεί συνήθη παραλλαγή της μεθόδου.
English: The use of ion or electron beams, or plasma, to activate or assist the coating's deposition is also a common modification in this technique.
Greek: Συνήθης επίσης τροποποίηση αυτής της τεχνικής είναι η χρήση δέσμης ιόντων ή ηλεκτρονίων, ή και πλάσματος, για την ενεργοποίηση ή τη διευκόλυνση της εναπόθεσης του επιχρίσματος.
English: The use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thickness of coatings can be a feature of these processes.
Greek: Ένα επιπλέον γνώρισμα αυτών των διεργασιών μπορεί να είναι η χρήση συσκευών παρακολούθησης (monitor) για την κατά τη διεργασία μέτρηση των οπτικών χαρακτηριστικών και του πάχους του επιχρίσματος.
English: Specific TE-PVD processes are as follows:
Greek: Ειδικότερα, οι μέθοδοι TE-PVD είναι οι εξής:
English: Electron Beam PVD uses an electron beam to heat and evaporate the material which forms the coating;
Greek: Στην PVD δέσμης ηλεκτρονίων χρησιμοποιείται δέσμη ηλεκτρονίων για τη θέρμανση και την εξάτμιση του υλικού που σχηματίζει το επίχρισμα,
English: Ion Assisted Resistive Heating PVD employs electrically resistive heating sources in combination with impinging ion beam(s) to produce a controlled and uniform flux of evaporated coating species;
Greek: Στην υποβοηθούμενη από ιόντα PVD θέρμανση με ηλεκτρική αντίσταση χρησιμοποιούνται πηγές θερμότητας με ηλεκτρική αντίσταση, σε συνδυασμό με μία ή περισσότερες προσπίπτουσες δέσμες ιόντων, ικανές να δημιουργούν ελεγχόμενο και ομοιόμορφο ρεύμα εξατμισμένων επιχριστικών σωματιδίων,
English: "Laser" Vaporization uses either pulsed or continuous wave "laser" beams to vaporize the material which forms the coating;
Greek: Στην εξάτμιση με "λέιζερ" χρησιμοποιούνται δέσμες "λέιζερ" παλμικού ή συνεχούς κύματος για την εξάτμιση του υλικού που σχηματίζει το επίχρισμα,
English: Cathodic Arc Deposition employs a consumable cathode of the material which forms the coating and has an arc discharge established on the surface by a momentary contact of a ground trigger.
Greek: Στην εναπόθεση καθοδικής εκκένωσης τόξου χρησιμοποιείται αναλώσιμη κάθοδος από το υλικό που σχηματίζει το επίχρισμα, στης οποίας την επιφάνεια προκαλείται μονίμως εκκένωση τόξου με τη στιγμιαία επαφή πολυδονητή (κύκλωμα σκανδάλης).
English: Controlled motion of arcing erodes the cathode surface creating a highly ionized plasma.
Greek: Η ελεγχόμενη κίνηση του σχηματισμού του τόξου διαβρώνει την επιφάνεια της καθόδου δημιουργώντας εξαιρετικά ιονισμένο πλάσμα.
English: The anode can be either a cone attached to the periphery of the cathode, through an insulator, or the chamber.
Greek: Ως άνοδος χρησιμοποιείται είτε ένας κώνος, συνδεδεμένος με την περιφέρεια της καθόδου μέσω μονωτικού υλικού, είτε ο θάλαμος.
English: Substrate biasing is used for non line-of-sight deposition.
Greek: Για εναπόθεση χωρίς σκοπευτικό άξονα χρησιμοποιείται πόλωση του υποστρώματος.
English: This definition does not include random cathodic arc deposition with non-biased substrates.
Greek: Σημ.: Ο ορισμός αυτός δεν περιλαμβάνει την τυχαία εναπόθεση καθοδικής εκκένωσης τόξου με μη πολωμένα υποστρώματα.
English: Ion Plating is a special modification of a general TE-PVD process in which a plasma or an ion source is used to ionize the species to be deposited, and a negative bias is applied to the substrate in order to facilitate the extraction of the species from the plasma.
Greek: Η ιοντική επιμετάλλωση αποτελεί ειδική τροποποίηση της γενικής τεχνικής ΤΕ-PVD, κατά την οποία χρησιμοποιείται πηγή πλάσματος ή ιόντων για τον ιονισμό των προς εναπόθεση σωματιδίων ενώ στο υπόστρωμα εφαρμόζεται αρνητικό δυναμικό πολώσεως για να διευκολυνθεί η έξοδος των σωματιδίων από το πλάσμα.
English: The introduction of reactive species, evaporation of solids within the process chamber, and the use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thicknesses of coatings are ordinary modifications of the process.
Greek: Η εισαγωγή δραστικών σωματιδίων, η εξάτμιση στερεών μέσα στο θάλαμο εργασίας καθώς και η χρήση συσκευών παρακολούθησης (monitor) για την κατά τη διεργασία μέτρηση των οπτικών χαρακτηριστικών και του πάχους των επιχρισμάτων, αποτελούν συνήθεις παραλλαγές της τεχνικής.
English: Pack Cementation is a surface modification coating or overlay coating process wherein a substrate is immersed in a powder mixture (a pack), that consists of:
Greek: Επιστοιχείωση (ενανθράκωση) σε στήλη είναι μέθοδος επίχρισης με μετατροπή επιφανειών ή με επίστρωση, κατά την οποία το υπόστρωμα βυθίζεται σε μίγμα κόνεων (στήλη) αποτελούμενο από:
English: The metallic powders that are to be deposited (usually aluminium, chromium, silicon or combinations thereof);
Greek: τις κόνεις των μετάλλων που πρόκειται να εναποτεθούν (συνήθως αργίλιο, χρώμιο, πυρίτιο ή συνδυασμοί αυτών),
English: An activator (normally a halide salt); and
Greek: έναν ενεργοποιητή (συνήθως αλογονούχο άλας), και
English: The substrate and powder mixture is contained within a retort which is heated to between 1030 K (757 °C) and 1375 K (1,102 °C) for sufficient time to deposit the coating.
Greek: Το μίγμα υποστρώματος και κόνεων περιέχεται σε κάμινο κέρατος, που θερμαίνεται σε θερμοκρασία μεταξύ 1030 Κ (757 °C) και 1375 (1102 °C) για όσο χρόνο απαιτεί η εναπόθεση του επιχρίσματος.
English: Plasma Spraying is an overlay coating process wherein a gun (spray torch) which produces and controls a plasma accepts powder or wire coating materials, melts them and propels them towards a substrate, whereon an integrally bonded coating is formed.
Greek: Ψεκασμός πλάσματος είναι τεχνική επίχρισης με επίστρωση, κατά την οποία τα επιχριστικά υλικά, σε μορφή κόνεως ή σύρματος, εισάγονται σε πιστόλι (δαυλό ψεκασμού) που παράγει πλάσμα και το ελέγχει, τήκονται και εκσφενδονίζονται από αυτό προς το υπόστρωμα, όπου σχηματίζουν άρρηκτα συνδεδεμένο επίχρισμα.
English: Plasma spraying constitutes either low pressure plasma spraying or high velocity plasma spraying.
Greek: Πρόκειται για ψεκασμό πλάσματος είτε χαμηλής πιέσεως είτε υψηλής ταχύτητας.
English: 1 Low pressure means less than ambient atmospheric pressure.
Greek: Σημ. 1: Χαμηλή πίεση σημαίνει χαμηλότερη από την ατμοσφαιρική πίεση περιβάλλοντος.
English: 2 High velocity refers to nozzle-exit gas velocity exceeding 750 m/s calculated at 293 K (20 °C) at 0,1 MPa.
Greek: Σημ. 2: Η υψηλή ταχύτητα αναφέρεται σε ταχύτητες αερίου στην έξοδο του ακροφυσίου υψηλότερες από 750 m/s υπολογιζόμενες σε θερμοκρασία 293 Κ (20 °C) και πίεση 0,1 MPa.
English: Slurry Deposition is a surface modification coating or overlay coating process wherein a metallic or ceramic powder with an organic binder is suspended in a liquid and is applied to a substrate by either spraying, dipping or painting, subsequent air or oven drying, and heat treatment to obtain the desired coating.
Greek: Εναπόθεση πολτού είναι τεχνική επίχρισης με μετατροπή επιφανειών ή με επίστρωση, κατά την οποία σχηματίζεται εναιώρημα μεταλλικής ή κεραμικής κόνεως με οργανικό συνδετικό υλικό σε υγρό, το εναιώρημα αυτό εφαρμόζεται στο υπόστρωμα με ψεκασμό, εμβάπτιση ή βαφή και ακολουθεί ξήρανση στον αέρα ή σε κλίβανο και θερμική κατεργασία για την επίτευξη του επιθυμητού επιχρίσματος. στ.
English: Sputter Deposition is an overlay coating process based on a momentum transfer phenomenon, wherein positive ions are accelerated by an electric field towards the surface of a target (coating material).
Greek: Εναπόθεση καθοδικής διασκόρπισης είναι τεχνική επίχρισης με επίστρωση, που βασίζεται σε ένα φαινόμενο μεταφοράς ορμής και κατά την οποία θετικά ιόντα επιταχύνονται από ηλεκτρικό πεδίο προς την επιφάνεια του στόχου (επιχριστικό υλικό).
English: The kinetic energy of the impacting ions is sufficient to cause target surface atoms to be released and deposited on an appropriately positioned substrate.
Greek: Η κινητική ενέργεια των προσπιπτόντων ιόντων αρκεί για να προκαλέσει την ελευθέρωση των ατόμων της επιφάνειας του στόχου και την εναπόθεσή τους σε καταλλήλως τοποθετημένο υπόστρωμα.
English: 1 The Table refers only to triode, magnetron or reactive sputter deposition which is used to increase adhesion of the coating and rate of deposition and to radio frequency (RF) augmented sputter deposition used to permit vaporisation of non-metallic coating materials.
Greek: Σημ. 1: Ο πίνακας αναφέρεται μόνο στην εναπόθεση καθοδικής διασκόρπισης τριόδου, μαγνήτρου ή χημικής αντίδρασης, που χρησιμοποιείται για την αύξηση της πρόσφυσης του επιχρίσματος και της ταχύτητας εναπόθεσης, και στην εναπόθεση καθοδικής διασκόρπισης ενισχυμένης με ραδιοσυχνότητες (RF), που χρησιμοποιείται για να επιτρέπει την εξάτμιση μη μεταλλικών επιχριστικών υλικών.
English: 2 Low-energy ion beams (less than 5 keV) can be used to activate the deposition.
Greek: Σημ. 2: Για την ενεργοποίηση της εναπόθεσης είναι δυνατόν να χρησιμοποιούνται δέσμες ιόντων χαμηλής ενέργειας (κάτω των 5 keV)
English: Ion Implantation is a surface modification coating process in which the element to be alloyed is ionized, accelerated through a potential gradient and implanted into the surface region of the substrate.
Greek: Εμφύτευση ιόντων είναι τεχνική επίχρισης με μετατροπή επιφανειών, κατά την οποία το προς κραματοποίηση στοιχείο ιονίζεται, επιταχύνεται μέσω διαβαθμιζόμενου δυναμικού και εμφυτεύεται στην επιφάνεια του υποστρώματος.
English: This includes processes in which ion implantation is performed simultaneously with electron beam physical vapour deposition or sputter deposition.
Greek: Ο ορισμός αυτός περιλαμβάνει τις μεθόδους, στις οποίες η εμφύτευση ιόντων πραγματοποιείται ταυτόχρονα με εναπόθεση ατμού με φυσική μέθοδο δέσμης ηλεκτρονίων ή εναπόθεση καθοδικής διασκόρπισης.
English: Note 1: The control status of equipment and components described in 3A001 or 3A002, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10. or 3A001.a.12., which are specially designed for or which have the same functional characteristics as other equipment is determined by the control status of the other equipment.
Greek: Σημείωση 1: Η διαβάθμιση ελέγχου του εξοπλισμού και των δομικών στοιχείων που περιγράφονται στο σημείο 3Α001 ή 3Α002, εκτός από όσα περιγράφονται στα εδάφια 3Α001.a.10. ή 3Α001.a.12., που έχουν σχεδιασθεί ειδικά, ή έχουν τα ίδια λειτουργικά χαρακτηριστικά όπως ο υπόλοιπος εξοπλισμός, καθορίζεται από τη διαβάθμιση ελέγχου του υπόλοιπου εξοπλισμού.
English: Note 2: The control status of integrated circuits described in 3A001.a.3. to 3A001.a.9. or 3A001.a.12. which are unalterably programmed or designed for a specific function for another equipment is determined by the control status of the other equipment.
Greek: Σημείωση 2: Η διαβάθμιση ελέγχου των ολοκληρωμένων κυκλωμάτων που περιγράφονται στα σημεία 3Α001.a.3. έως 3Α001.a.9. ή 3Α001.a.12., τα οποία έχουν προγραμματισθεί χωρίς δυνατότητα αλλαγής, ή έχουν σχεδιασθεί για μία επί μέρους λειτουργία άλλου εξοπλισμού, καθορίζεται από τη διαβάθμιση ελέγχου του υπόλοιπου εξοπλισμού.
English: N.B.: When the manufacturer or applicant cannot determine the control status of the other equipment, the control status of the integrated circuits is determined in 3A001.a.3. to 3A001.a.9. and 3A001.a.12.
Greek: Υποσημείωση: Όταν ο κατασκευαστής ή αυτός που υποβάλλει την αίτηση δεν μπορεί να καθορίσει τη διαβάθμιση ελέγχου του υπόλοιπου εξοπλισμού, η διαβάθμιση ελέγχου των ολοκληρωμένων κυκλωμάτων καθορίζεται στα σημεία 3Α001.a.3. έως 3Α001.a.9. και 3Α001.a.12.
English: If the integrated circuit is a silicon-based "microcomputer microcircuit" or microcontroller microcircuit described in 3A001.a.3. having an operand (data) word length of 8 bit or less, the control status of the integrated circuit is determined in 3A001.a.3.
Greek: Εάν το ολοκληρωμένο κύκλωμα είναι τύπου "μικροκυκλώματα μικροϋπολογιστών" ή μικροκύκλωμα μικρομονάδας ελέγχου με βάση το πυρίτιο, όπως περιγράφεται στο σημείο 3Α001.a.3., με μήκος λέξεως τελεστού (δεδομένων) το πολύ 8 bit, η διαβάθμιση ελέγχου του ολοκληρωμένου κυκλώματος καθορίζεται στο 3Α001.a.3.
English: Electronic components, as follows:
Greek: Ηλεκτρονικά δομικά στοιχεία, ως εξής :
English: General purpose integrated circuits, as follows:
Greek: Ολοκληρωμένα κυκλώματα για γενικούς σκοπούς, ως εξής :
English: Note 1: The control status of wafers (finished or unfinished), in which the function has been determined, is to be evaluated against the parameters of 3A001.a.
Greek: Σημείωση 1: Η διαβάθμιση ελέγχου των πλακιδίων (που έχουν υποστεί φινίρισμα ή όχι), στα οποία έχει καθοριστεί η λειτουργία, πρέπει να ελεγχθεί με τις παραμέτρους του σημείου 3Α001.α.
English: Note 2: Integrated circuits include the following types:
Greek: Σημείωση 2: Τα ολοκληρωμένα κυκλώματα περιλαμβάνουν τους ακόλουθους τύπους:
English: "Monolithic integrated circuits";
Greek: "Μονολιθικά ολοκληρωμένα κυκλώματα",
English: "Hybrid integrated circuits";
Greek: "Υβριδικά ολοκληρωμένα κυκλώματα",
English: "Multichip integrated circuits";
Greek: "Ολοκληρωμένα κυκλώματα πολλαπλών μικροπλακετών",
English: "Film type integrated circuits", including silicon-on-sapphire integrated circuits;
Greek: "Ολοκληρωμένα κυκλώματα τύπου φιλμ", που περιλαμβάνουν ολοκληρωμένα κυκλώματα με πυρίτιο πάνω σε σάπφειρο,
English: "Optical integrated circuits".
Greek: "Οπτικά ολοκληρωμένα κυκλώματα".
English: Integrated circuits, designed or rated as radiation hardened to withstand any of the following:
Greek: Ολοκληρωμένα κυκλώματα σχεδιασμένα ή καθορισμένα ώστε να αντέχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα : α. Ακτινοβολία, συνολικής δόσης τουλάχιστον 5 × 103 Gy (πυρίτιο),
English: A total dose of 5 × 103 Gy (silicon) or higher;
Greek: Διαταραχή ρυθμού ακτινοβολίας τουλάχιστον 5 × 106 Gy (πυρίτιο)/s ή υψηλότερη, ή
English: Note: 3A001.a.1.c. does not apply to Metal Insulator Semiconductors (MIS).
Greek: Σημ: το 3A001.α.1.γ δεν έχει εφαρμογή στους μεταλλομονωτικούς ημιαγωγούς (MSI).
English: "Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits", microcontroller microcircuits, storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor, analogue-to-digital converters, digital-to-analogue converters, electro-optical or "optical integrated circuits" designed for "signal processing", field programmable logic devices, neural network integrated circuits, custom integrated circuits for which either the function is unknown or the control status of the equipment in which the integrated circuit will be used is unknown, Fast Fourier Transform (FFT) processors, electrical erasable programmable read-only memories (EEPROMs), flash memories or static random-access memories (SRAMs), having any of the following:
Greek: "Μικροκυκλώματα με μικροεπεξεργαστές", "μικροκυκλώματα μικροϋπολογιστών" και μικροκυκλώματα για μικροσυσκευές ελέγχου, ολοκληρωμένα κυκλώματα μνήμης κατασκευασμένα από σύνθετο ημιαγωγό, μετατροπείς αναλογικού σε ψηφιακό, μετατροπείς ψηφιακού σε αναλογικό, ηλεκτρο-οπτικά ή "οπτικά ολοκληρωμένα κυκλώματα" σχεδιασμένα για "επεξεργασία σημάτων", προγραμματιζόμενες λογικές διατάξεις πεδίου (field programmable logic devices), ολοκληρωμένα κυκλώματα νευρονικών δικτύων, ολοκληρωμένα κυκλώματα κατασκευασμένα κατά παραγγελία, για τα οποία είτε είναι άγνωστη η λειτουργία είτε αγνοείται η διαβάθμιση ελέγχου του εξοπλισμού, στον οποίο θα χρησιμοποιηθούν τα ολοκληρωμένα κυκλώματα, επεξεργαστές ταχείας μετατροπής Fourier (Fast Fourier Transform - FFT), ηλεκτρικά αποσβέσιμες και προγραμματιζόμενες μνήμες ανάγνωσης μόνο (EEPROM), στιγμιαίες μνήμες ή στατικές μνήμες RAM (SRAM) που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα :
English: Rated for operation at an ambient temperature above 398 K (125 °C);
Greek: Καθορισμένα να λειτουργούν σε θερμοκρασία περιβάλλοντος άνω των 398 K (125 °C),
English: Rated for operation at an ambient temperature below 218 K (– 55 °C); or
Greek: Καθορισμένα να λειτουργούν σε θερμοκρασία περιβάλλοντος κάτω των 218 K (– 55 °C), ή
English: Rated for operation over the entire ambient temperature range from 218 K (– 55 °C) et 398 K (125 °C);
Greek: Καθορισμένα να λειτουργούν στο σύνολο της περιοχής θερμοκρασιών περιβάλλοντος από 218 K (– 55 °C) έως 398 K (125 °C).
English: Note: 3A001.a.2. does not apply to integrated circuits for civil automobiles or railway train applications.
Greek: Σημείωση: Το σημείο 3Α001.α.2. δεν εφαρμόζεται στα ολοκληρωμένα κυκλώματα που προορίζονται για πολιτικά αυτοκίνητα/οχήματα ή για μηχανές σιδηροδρόμων.
English: "Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits" and microcontroller microcircuits, having any of the following characteristics:
Greek: "Μικροκυκλώματα με μικροεπεξεργαστές", "μικροκυκλώματα μικροϋπολογιστών" και μικροκυκλώματα για μικροσυσκευές ελέγχου που έχουν οιοδήποτε από τα εξής χαρακτηριστικά:
English: Note: 3A001.a.3. includes digital signal processors, digital array processors and digital coprocessors.
Greek: Σημείωση: Το σημείο 3Α001.α.3. περιλαμβάνει ψηφιακούς επεξεργαστές σημάτων, ψηφιακούς πολυεπεξεργαστές (array processors) και ψηφιακούς συνεπεξεργαστές (digital coprocessors).
English: Manufactured from a compound semiconductor and operating at a clock frequency exceeding 40 MHz; or
Greek: Κατασκευασμένα από σύνθετο ημιαγωγό και με λειτουργία σε συχνότητα χρονισμού πάνω από 40 MHz, ή
English: More than one data or instruction bus or serial communication port that provides a direct external interconnection between parallel "microprocessor microcircuits" with a transfer rate exceeding 150 Mbyte/s;
Greek: Πάνω από μια αρτηρία δεδομένων ή εντολών, ή πάνω από μια σειριακή θύρα επικοινωνιών η οποία παρέχει άμεση εξωτερική διασύνδεση μεταξύ παράλληλων "μικροκυκλωμάτων μικροεπεξεργαστών" με ρυθμό μεταδόσεως δεδομένων που ξεπερνά τα 150 Μbyte/s.
English: Storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor;
Greek: Ολοκληρωμένα κυκλώματα μνήμης κατασκευασμένα από σύνθετο ημιαγωγό.
English: Analogue-to-digital and digital-to-analogue converter integrated circuits, as follows:
Greek: Ολοκληρωμένα κυκλώματα μετατροπής αναλογικού σε ψηφιακό και ψηφιακού σε αναλογικό, ως εξής :
English: Analogue-to-digital converters having any of the following:
Greek: Μετατροπείς αναλογικού σε ψηφιακό που έχουν οιοδήποτε από τα ακόλουθα:
English: A resolution of 8 bit or more, but less than 12 bit, with a 'total conversion time' of less than 5 ns;
Greek: Διακριτική ικανότητα μεταξύ 8 και 12 bit, με "συνολικό χρόνο μετατροπής" κάτω από 5 ns,
English: A resolution of 12 bit with a 'total conversion time' of less than 20 ns;
Greek: Διακριτική ικανότητα 12 bit, με "συνολικό χρόνο μετατροπής" κάτω από 20 ns,
English: A resolution of more than 12 bit but equal to or less than 14 bit with a 'total conversion time' of less than 200 ns; or
Greek: Διακριτική ικανότητα πάνω από 12 bit και μέχρι 14 bit, με "συνολικό χρόνο μετατροπής" κάτω από 200 ns, ή
English: A resolution of more than 14 bit with a 'total conversion time' of less than 1 μs;
Greek: Διακριτική ικανότητα πάνω από 14 bit, με "συνολικό χρόνο μετατροπής" πάνω από 1 μs.
English: Digital-to-analogue converters with a resolution of 12 bit or more, and a "settling time" of less than 10 ns;
Greek: Μετατροπείς ψηφιακού σε αναλογικό με διακριτική ικανότητα 12 bit ή παραπάνω και "χρόνο αποκατάστασης" ("settling time") κάτω από 10 ns.
English: A resolution of n bit corresponds to a quantisation of 2n levels.
Greek: Διακριτική ικανότητα η bit αντιστοιχεί σε κβάντωση 2η σταθμών.