geopti/opus-en-el-eval-mixture huggingface dataset:
English: Anode peak current rating of 500 A or more; and
Greek: Ανώτατη ονομαστική τιμή ρεύματος ανόδου 500 Α ή παραπάνω, και
English: Turn on time of 1 μs or less.
Greek: Χρόνο ενεργοποίησης 1 μικροδευτερολέπτου ή λιγότερο.
English: Firing sets and equivalent high current pulse generators as follows:
Greek: Συσκευές εκπυρσοκρότησης και ισοδύναμες γεννήτριες παλμών υψηλού ρεύματος, ως εξής:
English: N.B.: SEE ALSO MILITARY GOODS CONTROLS
Greek: ΣΗΜΕΙΩΣΗ: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΕΛΕΓΧΟΥΣ ΣΤΡΑΤΙΩΤΙΚΩΝ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ.
English: Explosive detonator firing sets designed to drive multiple controlled detonators specified in 3A232;
Greek: Συσκευές πυροδότησης για εκρηκτικούς πυροκροτητές που έχουν σχεδιασθεί για να συνδέονται με πολλαπλούς ελεγχόμενους πυροκροτητές του σημείου 3Α232.
English: Modular electrical pulse generators (pulsers) having all of the following characteristics:
Greek: Βαθμιδωτές ηλεκτρικές παλμογεννήτριες (pulsers) που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
English: Designed for portable, mobile, or ruggedized-use;
Greek: Έχουν σχεδιασθεί για να είναι φορητές, κινητές ή ανθεκτικές,
English: Enclosed in a dust tight enclosure;
Greek: Είναι τοποθετημένες μέσα σε περίβλημα στο οποίο δεν μπορεί να μπει σκόνη,
English: Capable of delivering their energy in less than 15 μs;
Greek: Μπορούν να αποδώσουν την ενέργειά τους σε λιγότερο από 15 μικροδευτερόλεπτα,
English: Having an output greater than 100 A;
Greek: Έχουν ρεύμα εξόδου μεγαλύτερο από 100 Α,
English: Having a 'rise time' of less than 10 μs into loads of less than 40 ohms;
Greek: Έχουν "χρόνο ανύψωσης" λιγότερο από 10 μικροδευτερόλεπτα όταν συνδέονται με φορτία μικρότερα από 40 Ω,
English: No dimension greater than 254 mm;
Greek: Καμία από τις διαστάσεις τους δεν είναι μεγαλύτερη από 254 mm,
English: Weight less than 25 kg; and
Greek: Το βάρος τους είναι μικρότερο από 25 kg, και
English: Specified for use over an extended temperature range 223 K (– 50 °C) to 373 K (100 °C) or specified as suitable for aerospace applications.
Greek: Οι προδιαγραφές τους είναι για χρήση σε εκτεταμένο φάσμα θερμοκρασιών 223 K (– 50 °C) έως 373 K (100 °C) ή για αεροδιαστημικές εφαρμογές.
English: Note: 3A229.b. includes xenon flash lamp drivers.
Greek: Σημείωση: Το σημείο 3Α229.β. περιλαμβάνει και συσκευές με λυχνίες εκκενώσεως ξένου.
English: High-speed pulse generators having both of the following characteristics:
Greek: Παλμογεννήτριες υψηλής ταχύτητας με τα δύο ακόλουθα χαρακτηριστικά:
English: Output voltage greater than 6 V into a resistive load of less than 55 ohms, and
Greek: Τάση εξόδου ανώτερη από 6 V όταν συνδέονται με φορτίο αντίστασης μικρότερο από 55 Ω, και
English: 'Pulse transition time' less than 500 ps.
Greek: "Χρόνο μετάβασης παλμού" κάτω από 500 πικο-δευτερόλεπτα.
English: In 3A230, 'pulse transition time' is defined as the time interval between 10 % and 90 % voltage amplitude.
Greek: Στο σημείο 3Α230, "ο χρόνος μετάβασης του παλμού" ορίζεται σαν το χρονικό διάστημα μεταξύ του 10 % και του 90 % του πλάτους της τάσης.
English: Neutron generator systems, including tubes, having both of the following characteristics:
Greek: Συστήματα παραγωγής νετρονίων, συμπεριλαμβανομένων των σωλήνων, με τα δύο ακόλουθα χαρακτηριστικά:
English: Designed for operation without an external vacuum system; and
Greek: Έχουν σχεδιασθεί για λειτουργία χωρίς εξωτερικό σύστημα κενού, και
English: Utilizing electrostatic acceleration to induce a tritium-deuterium nuclear reaction.
Greek: Χρησιμοποιούν ηλεκτροστατική επιτάχυνση ώστε να προκαλέσουν πυρηνική αντίδραση τριτίου-δευτερίου.
English: Detonators and multipoint initiation systems, as follows:
Greek: Πυροκροτητές και συστήματα έναυσης πολλαπλών σημείων ως εξής:
English: Electrically driven explosive detonators, as follows:
Greek: Εκρηκτικοί πυροκροτητές που λειτουργούν ηλεκτρικά, ως εξής:
English: Exploding bridge (EB);
Greek: Εκρηγνυόμενη γέφυρα (exploding bridge – ΕΒ).
English: Exploding bridge wire (EBW);
Greek: Σύρμα εκρηγνυόμενης γέφυρας (exploding bridge wire – EBW).
English: Arrangements using single or multiple detonators designed to nearly simultaneously initiate an explosive surface over greater than 5000 mm2 from a single firing signal with an initiation timing spread over the surface of less than 2,5 μs.
Greek: Συστήματα που χρησιμοποιούν απλούς ή πολλαπλούς πυροκροτητές και έχουν σχεδιασθεί για να προκαλούν σχεδόν ταυτόχρονα την έναυση μιας εκρηκτικής επιφάνειας εμβαδού πάνω από 5000 mm2 από ένα μόνο σήμα πυροδότησης με χρόνο έναυσης όπως εκτείνεται στην επιφάνεια λιγότερο από 2,5 μικροδευτερόλεπτα.
English: Note: 3A232 does not control detonators using only primary explosives, such as lead azide.
Greek: Σημείωση: Το σημείο 3Α232 δεν θέτει υπό έλεγχο πυροκροτητές που χρησιμοποιούν μόνο πρωτογενείς εκρηκτικές ύλες, όπως τον αζωτούχο μόλυβδο.
English: In 3A232 the detonators of concern all utilise a small electrical conductor (bridge, bridge wire or foil) that explosively vapourises when a fast, high-current electrical pulse is passed through it.
Greek: Οι πυροκροτητές τους οποίους αφορά το σημείο 3Α232 χρησιμοποιούν όλοι ένα μικρό ηλεκτρικό αγωγό (γέφυρα, σύρμα γέφυρας ή μεταλλικό φύλλο) που εξατμίζεται εκρηκτικά όταν ένας ταχύς ηλεκτρικός παλμός υψηλού ρεύματος περνάει μέσα του.
English: In nonslapper types, the exploding conductor starts a chemical detonation in a contacting high-explosive material such as PETN (Pentaerythritoltetranitrate).
Greek: Στους τύπους πυροκροτητών χωρίς κολαφιστήρα ο αγωγός που εκρήγνυται αρχίζει μία χημική πυροδότηση σε ένα εξαιρετικά εκρηκτικό υλικό με το οποίο είναι σε επαφή όπως π.χ. το PETN (Pentaerythritoltetranitrate).
English: In slapper detonators, the explosive vapourisation of the electrical conductor drives a flyer or slapper across a gap and the impact of the slapper on an explosive starts a chemical detonation.
Greek: Σε πυροκροτητές τύπου κολαφιστήρα (slapper) η εκρηκτική εξάτμιση του ηλεκτρικού αγωγού σπρώχνει ένα έλασμα ή κολαφιστήρα διαμέσου ενός διάκενου και η πρόσκρουσή του πάνω σε ένα εκρηκτικό υλικό αρχίζει μία χημική πυροδότηση.
English: The slapper in some designs is driven by a magnetic force.
Greek: Σε μερικά προϊόντα ο κολαφιστήρας ωθείται από μαγνητική δύναμη.
English: The term exploding foil detonator may refer to either an EB or a slapper-type detonator.
Greek: Ο όρος πυροκροτητής με εκρηγνυόμενο μεταλλικό φύλλο μπορεί να αναφέρεται είτε σε πυροκροτητή τύπου exploding bridge είτε σε πυροκροτητή τύπου slapper.
English: Also, the word initiator is sometimes used in place of the word detonator.
Greek: Επίσης η λέξη initiator χρησιμοποιείται μερικές φορές αντί της λέξεως detonator (πυροκροτητής).
English: Mass spectrometers, other than those specified in 0B002.g., capable of measuring ions of 230 atomic mass units or greater and having a resolution of better than 2 parts in 230, as follows, and ion sources therefor:
Greek: Φασματογράφοι μάζας εκτός από αυτούς που αναφέρονται στο σημείο 0Β002.ζ., που μπορούν να μετρήσουν ιόντα μεγέθους 230 ατομικών μονάδων μάζας ή παραπάνω και οι οποίοι έχουν διακριτική ικανότητα καλύτερη από 2 μέρη στα 230, ως εξής, καθώς επίσης και πηγές ιόντων για τους φασματογράφους αυτούς:
English: Inductively coupled plasma mass spectrometers (ICP/MS);
Greek: Επαγωγικά συζευγμένοι φασματογράφοι μάζας πλάσματος (ICP/ΜS).
English: Glow discharge mass spectrometers (GDMS);
Greek: Φασματογράφοι μάζας εκκένωσης με διαύγεια (GDMS).
English: Thermal ionization mass spectrometers (TIMS);
Greek: Φασματογράφοι μάζας με θερμικό ιονισμό (TIMS).
English: Electron bombardment mass spectrometers which have a source chamber constructed from, lined with or plated with materials resistant to UF6;
Greek: Φασματογράφοι μάζας με βομβαρδισμό ηλεκτρονίων που έχουν θάλαμο πηγής κατασκευασμένο από, με επίστρωση, ή κάλυψη από, υλικά που αντέχουν στο UF6.
English: Molecular beam mass spectrometers having either of the following characteristics:
Greek: Φασματογράφοι μάζας δέσμης μορίων, με ένα από τα εξής χαρακτηριστικά:
English: A source chamber constructed from, lined with or plated with stainless steel or molybdenum and equipped with a cold trap capable of cooling to 193 K (– 80 °C) or less; or
Greek: Θάλαμο πηγής κατασκευασμένο από, με επίστρωση ή με κάλυψη από, ανοξείδωτο χάλυβα ή μολυβδαίνιο και εξοπλισμοί με ψυχρή παγίδα που μπορεί να ψυχθεί σε θερμοκρασία 193 K (– 80 °C) ή χαμηλότερη, ή
English: A source chamber constructed from, lined with or plated with materials resistant to UF6;
Greek: Θάλαμο πηγής κατασκευασμένο από, με επίστρωση ή με κάλυψη από υλικά που αντέχουν στο UF6. στ.
English: Mass spectrometers equipped with a microfluorination ion source designed for actinides or actinide fluorides.
Greek: Φασματογράφοι μάζας εξοπλισμένοι με πηγή ιόντων μικροφθορίωσης που έχουν σχεδιασθεί για ακτινίδες ή φθοριούχες ακτινίδες.
English: Equipment for the manufacturing of semiconductor devices or materials, as follows, and specially designed components and accessories therefor:
Greek: Εξοπλισμός για παραγωγή συσκευών με ημιαγωγούς, ή υλικών ημιαγωγών, ως εξής, και ειδικά σχεδιασμένα δομικά στοιχεία και εξαρτήματα για το σκοπό αυτό:
English: Equipment designed for epitaxial growth, as follows:
Greek: Εξοπλισμός σχεδιασμένος για επιταξιακή ανάπτυξη, ως εξής:
English: Equipment capable of producing any of the following:
Greek: Εξοπλισμός που μπορεί να παράγει κάτι από εξής:
English: A silicon layer with a thickness uniform to less than ± 2,5 % across a distance of 200 mm or more; or
Greek: στρώμα πυριτίου ομοιογενούς πάχους με διαφορά λιγότερη από ± 2,5 % σε απόσταση 200 mm ή παραπάνω, ή
English: A layer of any material other than silicon with a thickness uniform to less than ± 2,5 % across a distance of 75 mm or more;
Greek: στρώμα οποιουδήποτε άλλου υλικού πλην πυριτίου ομοιογενούς πάχους με διαφορά λιγότερη από ± 2,5 % σε απόσταση 75 mm ή παραπάνω.
English: Metal organic chemical vapour deposition (MOCVD) reactors specially designed for compound semiconductor crystal growth by the chemical reaction between materials specified in 3C003 or 3C004;
Greek: Αντιδραστήρες για χημική εναπόθεση ατμών οργανικών μεταλλικών ενώσεων (ΜΟCVD), που έχουν ειδικά σχεδιασθεί για την παραγωγή κρυστάλλων από σύνθετους ημιαγωγούς μέσω της χημικής αντίδρασης μεταξύ υλικών που καθορίζονται στα σημεία 3C003 ή 3C004.
English: Molecular beam epitaxial growth equipment using gas or solid sources;
Greek: Εξοπλισμός επιταξιακής ανάπτυξης μέσω μοριακής δέσμης ο οποίος χρησιμοποιεί αέριες ή στερεές πηγές.
English: Equipment designed for ion implantation, having any of the following:
Greek: β Εξοπλισμός σχεδιασμένος για εμφύτευση ιόντων και έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
English: A beam energy (accelerating voltage) exceeding 1 MeV;
Greek: Ενέργεια δέσμης (τάση επιτάχυνσης) ανώτερη από 1 MeV,
English: Being specially designed and optimised to operate at a beam energy (accelerating voltage) of less than 2 keV;
Greek: Ειδικό σχεδιασμό και βελτιστοποίηση για να λειτουργεί με ενέργεια δέσμης (τάση επιτάχυνσης) λιγότερη από 2 keV,
English: Direct write capability; or
Greek: Δυνατότητα απ’ ευθείας εγγραφής, ή
English: A beam energy of 65 keV or more and a beam current of 45 mA or more for high energy oxygen implant into a heated semiconductor material "substrate";
Greek: Ενέργεια δέσμης 65 keV και άνω και ρεύμα δέσμης 45 mA και άνω, για εμφύτευση οξυγόνου υψηλής ενέργειας πάνω σε θερμαινόμενο «υπόστρωμα» ημιαγωγού.
English: Anisotropic plasma dry etching equipment, as follows:
Greek: Εξοπλισμός για ξερή χάραξη μέσω ανισότροπου πλάσματος, ως εξής:
English: Equipment with cassette-to-cassette operation and load-locks, and having any of the following:
Greek: Εξοπλισμός με λειτουργία από κασέτα προς κασέτα και κλείδωμα φορτίου, και που έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
English: Designed or optimised to produce critical dimensions of 0,3 μm or less with ± 5 % 3 sigma precision; or
Greek: Σχεδιασμένος ή βελτιστοποιημένος για να παράγει κρίσιμες διαστάσεις 0,3 μm ή μικρότερες, με ακρίβεια 3 σ ± 5 % ή
English: Designed for generating less than 0,04 particles/cm2 with a measurable particle size greater than 0,1 μm in diameter;
Greek: Σχεδιασμένος για να παράγει λιγότερα από 0,04 σωματίδια/cm2 με μετρήσιμη διάμετρο σωματιδίου άνω του 0,1 μm.
English: Equipment specially designed for equipment specified in 3B001.e. and having any of the following:
Greek: Εξοπλισμός που έχει ειδικά σχεδιασθεί για εξοπλισμό που καθορίζεται στο σημείο 3Β001.ε. και έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
English: Designed for generating less than 0,04 particles/cm2 with a measurable particle size greater than 0,12 μm in diameter;
Greek: Σχεδιασμένος για να παράγει λιγότερα από 0,04 σωματίδια/cm2 με μετρήσιμη διάμετρο σωματιδίου άνω του 0,1 μm.
English: Plasma enhanced CVD equipment, as follows:
Greek: Εξοπλισμός για χημική εναπόθεση με εξάτμιση (CVD) και με την ενίσχυση πλάσματος, ως εξής:
English: Equipment with cassette-to-cassette operation and load-locks, and designed according to the manufacturer's specifications or optimised for use in the production of semiconductor devices with critical dimensions of 180 nm or less;
Greek: Εξοπλισμός με λειτουργία από κασέτα προς κασέτα και κλείδωμα φορτίου, σχεδιασμένος σύμφωνα με τις προδιαγραφές του κατασκευαστή ή βελτιστοποιημένος προς χρήση στην παραγωγή συσκευών ημιαγωγών με κρίσιμες διαστάσεις έως και 180 mm.
English: Equipment specially designed for equipment controlled by 3B001.e. and designed according to the manufacturer's specifications or optimised for use in the production of semiconductor devices with critical dimensions of 180 nm or less;
Greek: Εξοπλισμός που έχει ειδικά σχεδιασθεί για εξοπλισμό που καθορίζεται στο σημείο 3Β001.ε. και σχεδιασμένος σύμφωνα με τις προδιαγραφές του κατασκευαστή ή βελτιστοποιημένος προς χρήση στην παραγωγή συσκευών ημιαγωγών με κρίσιμες διαστάσεις έως και 180 mm.
English: Automatic loading multi-chamber central wafer handling systems, having all of the following:
Greek: "Κεντρικά συστήματα χειρισμού πλακιδίων (wafer)", πολλαπλών θαλάμων, αυτόματης φόρτωσης, τα οποία έχουν όλα τα ακόλουθα:
English: Interfaces for wafer input and output, to which more than two pieces of semiconductor processing equipment are to be connected; and
Greek: Διεπαφές για είσοδο και έξοδο πλακιδίων, στις οποίες μπορούν να συνδεθούν περισσότερα από δύο τμήματα εξοπλισμού επεξεργασίας ημιαγωγών, και
English: Designed to form an integrated system in a vacuum environment for sequential multiple wafer processing;
Greek: Είναι σχεδιασμένα για να αποτελέσουν ένα ολοκληρωμένο σύστημα σε περιβάλλον κενού για σειριακή επεξεργασία πολλαπλών πλακιδίων.
English: Note: 3B001.e. does not control automatic robotic wafer handling systems not designed to operate in a vacuum environment.
Greek: Σημείωση: Στο σημείο 3Β001.ε. δεν ελέγχονται τα αυτόματα ρομποτικά συστήματα χειρισμού πλακιδίων τα οποία δεν έχουν σχεδιασθεί για να λειτουργούν σε περιβάλλον κενού.
English: Lithography equipment, as follows:
Greek: Εξοπλισμός λιθογραφίας, ως εξής:
English: Align and expose step and repeat (direct step on wafer) or step and scan (scanner) equipment for wafer processing using photo-optical or X-ray methods, having any of the following:
Greek: Εξοπλισμός ευθυγράμμισης και έκθεσης step and repeat (με άμεσο βήμα πάνω στο πλακίδιο) ή step and scan (με σάρωση) για την επεξεργασία πλακιδίων με τη χρήση φωτο-οπτικών μεθόδων ή μεθόδων ακτίνων Χ, ο οποίος έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
English: A light source wavelength shorter than 350 nm; or
Greek: Μήκος κύματος φωτεινής πηγής βραχύτερο από 350 nm, ή
English: Capable of producing a pattern with a'minimum resolvable feature' size of 0,35 μm or less;
Greek: Ικανότητα να συνθέτει σχήματα με ελάχιστο διαχωρίσιμο μέγεθος γνωρίσματος 0,35 μm ή μικρότερο.
English: The "minimum resolvable feature" size is calculated by the following formula:
Greek: Το "ελάχιστο διαχωρίσιμο μέγεθος γνωρίσματος" υπολογίζεται με τον εξής τύπο:
English: MRF = minimum resolvable feature size
Greek: MRF = ελάχιστο διαχωρίσιμο μέγεθος γνωρίσματος
English: Equipment specially designed for mask making or semiconductor device processing using deflected focussed electron beam, ion beam or "laser" beam, having any of the following:
Greek: Εξοπλισμός που έχει ειδικά σχεδιασθεί για την παραγωγή μασκών ή για επεξεργασία συσκευών ημιαγωγών με τη χρήση εκτρεπόμενης εστιασμένης δέσμης ηλεκτρονίων, δέσμης ιόντων ή δέσμης "λέιζερ", που έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
English: A spot size smaller than 0,2 μm;
Greek: Εστιακό μέγεθος μικρότερο από 0,2 μm,
English: Being capable of producing a pattern with a feature size of less than 1 μm; or
Greek: Είναι ικανός να παράγει σχήμα με χαρακτηριστικό μέγεθος κάτω από 1 μm, ή
English: An overlay accuracy of better than ± 0,20 μm (3 sigma);
Greek: Ακρίβεια επικάλυψης καλύτερη από ± 0,20 μm (3 sigma).
English: Masks and reticles designed for integrated circuits specified in 3A001;
Greek: Μάσκες ή reticles που έχουν σχεδιαστεί για ολοκληρωμένα κυκλώματα που καθορίζονται στο σημείο 3Α001.
English: Multi-layer masks with a phase shift layer.
Greek: Μάσκες με πολλαπλά στρώματα που περιλαμβάνουν στρώμα ολίσθησης φάσης.
English: Note: 3B001.h. does not control multi-layer masks with a phase shift layer designed for the fabrication of memory devices not controlled by 3A001.
Greek: Σημείωση: Στο σημείο 3Β001.η. δεν ελέγχονται οι μάσκες με πολλαπλά στρώματα που περιλαμβάνουν στρώμα ολίσθησης φάσης οι σχεδιασμένες για την κατασκευή συσκευών μνήμης που δεν ελέγχονται στο σημείο 3Α001.
English: "Stored programme controlled" test equipment, specially designed for testing finished or unfinished semiconductor devices, as follows, and specially designed components and accessories therefor:
Greek: "Εξοπλισμός δοκιμών ελεγχόμενος με ενταμιευμένο πρόγραμμα", που έχει ειδικά σχεδιασθεί για να δοκιμάζονται τελειωμένες ή ημιτελείς συσκευές ημιαγωγών, ως εξής, και δομικά στοιχεία και εξαρτήματα που έχουν ειδικά σχεδιαστεί για τον εξοπλισμό αυτό:
English: For testing S-parameters of transistor devices at frequencies exceeding 31,8 GHz;
Greek: Για να δοκιμάζονται οι παράμετροι S συσκευών τρανζίστορ σε συχνότητες πάνω από 31,8 GHz
English: For testing integrated circuits capable of performing functional (truth table) testing at a 'pattern rate' of more than 667 MHz;
Greek: Για να δοκιμάζονται ολοκληρωμένα κυκλώματα ικανά να εκτελούν λειτουργικές δοκιμές (πίνακας αλήθειας) με "ρυθμό σχημάτων" πάνω από 667 MHz.
English: Note: 3B002.b. does not control test equipment specially designed for testing:
Greek: Σημείωση: Στο σημείο 3Β002.β. δεν ελέγχεται ο εξοπλισμός δοκιμών που έχει ειδικά σχεδιασθεί για να δοκιμάζονται:
English: "Electronic assemblies" or a class of "electronic assemblies" for home or entertainment applications;
Greek: "Ηλεκτρονικά συγκροτήματα" ή μία τάξη "ηλεκτρονικών συγκροτημάτων" για ιδιωτικές ή ψυχαγωγικές εφαρμογές,
English: Uncontrolled electronic components, "electronic assemblies" or integrated circuits;
Greek: Μη ελεγμένα ηλεκτρονικά δομικά στοιχεία, "ηλεκτρονικά συγκροτήματα" ή ολοκληρωμένα κυκλώματα,
English: For the purpose of this entry,' pattern rate' is defined as the maximum frequency of digital operation of a tester.
Greek: Για τους σκοπούς αυτού του σημείου, ο "ρυθμός σχημάτων" ορίζεται ως η ανώτατη συχνότητα ψηφιακής λειτουργίας του δοκιμαστήρα.
English: It is therefore equivalent to the highest data rate that a tester can provide in non-multiplexed mode.
Greek: Ισοδυναμεί επομένως με το μέγιστο ρυθμό δεδομένων που μπορεί να παρέχει ο δοκιμαστήρας όταν λειτουργεί χωρίς πολυπλεξία.
English: It is also referred to as test speed, maximum digital frequency or maximum digital speed.
Greek: Αναφέρεται και ως ταχύτητα δοκιμής, με ανώτατη ψηφιακή συχνότητα ή μέγιστη ψηφιακή ταχύτητα.
English: For testing microwave integrated circuits specified in 3A001.b.2.
Greek: Για την δοκιμή ολοκληρωμένων κυκλωμάτων μικροκυμάτων προσδιοριζόμενων στο 3Α001.β.2.
English: Hetero-epitaxial materials consisting of a "substrate" having stacked epitaxially grown multiple layers of any of the following:
Greek: Ετερο-επιταξιακά υλικά, που αποτελούνται από "υπόστρωμα" πάνω στο οποίο έχουν αποτεθεί επιταξιακά ανεπτυγμένα πολλαπλά στρώματα οποιουδήποτε από τα ακόλουθα υλικά:
English: III/V compounds are polycrystalline or binary or complex monocrystalline products consisting of elements of groups IIIA and VA of Mendeleyev's periodic classification table (e.g., gallium arsenide, gallium-aluminium arsenide, indium phosphide).
Greek: Οι σύνθετες ενώσεις του πίνακα III/V είναι πολυκρυσταλλικά ή δυαδικά ή σύνθετα μονοκρυσταλλικά προϊόντα που περιλαμβάνουν στοιχεία των ομάδων ΙΙΙΑ και VΑ του περιοδικού πίνακα του Μεντελέγιεφ (π.χ. αρσενικούχο γάλλιο, αρσενικούχο γάλλιο-αργίλιο, φωσφορούχο ίνδιο).
English: Resist materials, as follows, and "substrates" coated with controlled resists:
Greek: Φωτοανθεκτικά υλικά, ως εξής, καθώς και "υποστρώματα" που έχουν επίστρωση ελεγμένων φωτοανθεκτικών ουσιών:
English: Positive resists designed for semiconductor lithography specially adjusted (optimised) for use at wavelengths below 350 nm;
Greek: Θετικά φωτοανθεκτικά υλικά για λιθογραφικές εργασίες με ημιαγωγούς, ειδικώς ρυθμισμένα (αριστοποιημένα) για χρήση σε μήκη κύματος κάτω από 350 nm,
English: All resists designed for use with electron beams or ion beams, with a sensitivity of 0,01 μcoulomb/mm2 or better;
Greek: Πάσης φύσεως φωτοανθεκτικά υλικά για χρήση με δέσμες ηλεκτρονίων ή ιόντων που έχουν ευαισθησία 0,01 μcoulomb/mm2 ή καλύτερη,
English: All resists designed for use with X-rays, with a sensitivity of 2,5 mJ/mm2 or better;
Greek: Πάσης φύσεως φωτοανθεκτικά υλικά για χρήση με ακτίνες Χ, με ευαισθησία 2,5 mJ/mm2 ή καλύτερη,
English: All resists optimised for surface imaging technologies, including 'silylated' resists.
Greek: Πάσης φύσεως φωτοανθεκτικά υλικά αριστοποιημένα για τεχνολογίες απεικόνισης επιφανειών, συμπεριλαμβανομένων των πυριτικοποιημένων φωτοανθεκτικών υλικών.
English: 'Silylation' techniques are defined as processes incorporating oxidation of the resist surface to enhance performance for both wet and dry developing.
Greek: Οι τεχνικές μέθοδοι πυριτικοποίησης ορίζονται ως οι διαδικασίες που περιλαμβάνουν οξείδωση της επιφάνειας του φωτοανθεκτικού υλικού ώστε να ενισχυθεί η απόδοσή του τόσο για υγρή όσο και για ξηρά εμφάνιση.
English: Organo-inorganic compounds, as follows:
Greek: Ενώσεις οργανικού με ανόργανο στοιχείο ως εξής:
English: Organo-metallic compounds of aluminium, gallium or indium having a purity (metal basis) better than 99,999 %;
Greek: Οργανομεταλλικές ενώσεις αργιλίου, γαλλίου ή ινδίου που έχουν καθαρότητα (με βάση το μέταλλο) καλύτερη από 99,999 %,
English: Organo-arsenic, organo-antimony and organo-phosphorus compounds having a purity (inorganic element basis) better than 99,999 %.
Greek: Οργανικές ενώσεις αρσενικού, αντιμονίου και φωσφόρου που έχουν καθαρότητα (με βάση το ανόργανο στοιχείο) καλύτερη από 99,999 %.
English: Note: 3C003 only controls compounds whose metallic, partly metallic or non-metallic element is directly linked to carbon in the organic part of the molecule.
Greek: Σημείωση: Στο σημείο 3C003 ελέγχονται μόνο οι ενώσεις των οποίων το μεταλλικό, μερικώς μεταλλικό ή μη μεταλλικό στοιχείο συνδέεται άμεσα με άνθρακα στο οργανικό τμήμα του μορίου.
English: Hydrides of phosphorus, arsenic or antimony, having a purity better than 99,999 %, even diluted in inert gases or hydrogen.
Greek: Υδρίδια φωσφόρου, αρσενικού ή αντιμονίου που έχουν καθαρότητα καλύτερη από 99,999 %, ακόμη και αν έχουν διαλυθεί σε αδρανή αέρια ή υδρογόνο.
English: Note: 3C004 does not control hydrides containing 20 % molar or more of inert gases or hydrogen.
Greek: Σημείωση: Στο σημείο 3C004 δεν ελέγχονται υδρίδια που περιέχουν γραμμομοριακό ποσοστό 20 % και άνω αδρανή αέρια ή υδρογόνο.
English: "Software" specially designed for the "development" or "production" of equipment specified in 3A001.b. to 3A002.g. or 3B.
Greek: "Λογισμικό" που έχει ειδικά σχεδιασθεί για την "ανάπτυξη" ή "παραγωγή" εξοπλισμού που καθορίζεται στα σημεία 3Α001.β. έως 3Α002.ζ. ή 3Β.
English: "Software" specially designed for the "use" of any of the following:
Greek: "Λογισμικό" που έχει ειδικά σχεδιασθεί για τη "χρήση" εξοπλισμού που προσδιορίζεται