3町合併協議会解散後、能登川町と安土町との2町合併案も挙がったが、能登川町の委員が「安土市」を支持したことに対して同町住民からの苦情が殺到し、最終的には能登川町も合併協議会を脱退することになった。五個荘町は2005年2月11日に八日市市、神崎郡永源寺町、愛知郡愛東町、湖東町と合併して東近江市となり、能登川町も2006年1月1日、蒲生郡蒲生町とともに東近江市に編入合併した。一方、安土町は隣の近江八幡市と法定合併協議会を設置し、新市名を「安土八幡市」としたが、この名称案に近江八幡市側が猛反対し、安土町でも2005年3月に行われた住民アンケートの結果、合併反対が多数となり、結局この合併も白紙撤回となり安土町は孤立することとなった。その後、「近江八幡市・安土町まちづくり研究会」が発足、2009年5月22日には合併協議会の委員投票で新市名を「近江八幡市」に決定し、同年5月31日に両市町長が合併協定に調印し、2010年3月21日に新・近江八幡市が発足した。旧・安土町には安土町地域自治区が設けられている。
3町は2002年1月4日に法定合併協議会を設置し、住民からの新市名の公募を行ったところ、3,698点の名称案があり、その内「安土市」「きぬがさ市」「近江安土市」「東近江市」の4案に絞られた。そして9月27日に合併協議会の委員33人（1人欠席）による無記名投票の結果、「安土市」が19票、「きぬがさ市」が14票となり、「安土市」に内定した。ところが五個荘町の委員から「現在の町名（能登川・安土・五個荘）を選べば、吸収合併を想起させる」「生まれ育った町の名は愛着があるが、後々しこりを残さないよう新しい名前の方がよい」として既存の名称を使うことに反対の意見が挙がった。能登川町の住民からも「人口、経済ともに（3町の中で）最大規模の能登川が、なぜ経済的・人口共に小さい安土の名称を使わなければならないのか」「新市役所は能登川の町役場を使用すると決めたのに、なぜ名称が安土なのか」「対等合併なのだから既存の名称を使わず、別の名称にするべきだ」と反対の声が上がり、両町の住民から「きぬがさ市」（「きぬがさ」は3町にまたがる繖山（きぬがさやま、観音寺山）の名前に由来）に変更するように働きかけがあった。しかし五個荘町以外の合併協議会委員は「協議結果を尊重する」として、住民の新市名変更の要望を拒否し、新市名は「安土市」に決定した。この決定に五個荘町が反発、2002年12月15日に合併協議会からの脱退を宣言し、同月30日の会合を最後に協議会は解散となった。この3町の合併協議会は、住民の意向を尊重して慎重に合併協議を進めていた。新市名さえ決定すれば合併を待つだけという段階にまで至ったにもかかわらず、最後にそれまでの努力を全てを水の泡にする決定を行った合併協議会に対する疑問の声も上がった。
EUVLは液浸リソグラフィが直面しているものと類似した特有の欠陥問題に直面している。液浸特有の欠陥は水とフォトレジスト間との最適化されていない接触によるが、EUVに関係のある欠陥は本質的にEUV放射のイオン化エネルギーに起因する。第一の問題は正帯電である。EUV放射によってレジストの表面から解放された、光電子の放出のためである。これは静電放電、あるいは、上でも言及した装置損害と同様に粒子汚染ももたらしうる。第二の問題は、周囲の、あるいはアウトガスによる炭化水素によるレジスト上の汚染物堆積である。それはEUVまたは電子で引き起こされる反応に起因する。第3の問題は、EUV放射またはEUVで生成された電子によって解離された酸素、アルゴン、または他の雰囲気ガスによる腐食である。リソグラフィチャンバー内の雰囲気ガスはガスパージや汚染削減のために使用される。これらのガスはEUV放射によりイオン化され、露出表面の近傍にプラズマ発生をもたらし、多層光学素子の障害や試料への不用意な暴露に至る。当然ながらマスク欠陥もまたEUVLの欠陥の既知な原因である。極端紫外線マスクにおける欠陥の低減は、現在EUVリソグラフィの商業化のために取り組まれる、最も重大な案件のうちの1つである。欠陥中核（すなわち空孔か粒子）は、基板上で、多層膜堆積物中に、あるいは多層膜積層の上に生じる場合がある。最終欠陥の印刷適性は、既定の位置で光の相変化および振幅変化に依存するだろう。正味の相変化および/または振幅変化は、中核欠陥の固有の効果と、欠陥の間の多層膜スタックの成長への影響をもたらす。埋没欠陥は特に油断がならず、10 nmの欠陥ですら危険であると考えられる。検知されない3 nmのマスク基板平坦度変化によって引き起こされた位相シフトは、印刷可能な欠陥を生むのに十分である。この背景にある原理は、平面からの1/4波長の偏差が、反射の後に1/2波長光路長差を生じるというものである。平面から反射される光は、1/4波長の偏差した光とで180度位相がずれる平面からの1nmの偏差さえ、画像強度の実質的減少（~20 %）に結びつくであろうことが示された。実際、100 nmの半値全幅をもつ原子スケール（0.3 - 0.5 nm）の高さの欠陥は、10 %のCDインパクトを示すことにより依然印刷可能になりえる。レンズのように、実質的に位相シフトを生じるどんな欠陥も、欠陥領域の外側へ光を散乱させる。散乱された光の量は計算可能である。更に、平坦からのその偏差が表面に関して84度の発生率のターゲット角からの偏差により、3度を超過すれば、位相欠陥の端はさらに反射率を10 %以上縮小するだろう。くわえて、位相欠陥の端部は、もしその逸脱が平面度から3度を超過する場合、表面に対して84度の目標入射角からの偏差のため、反射率を10 %以上低下させることになる。欠陥高さが浅くても、端部は依然として積層する多層膜を変形させ、多層膜が傾斜する伸長領域を生じる。変形が急峻であるほど、欠陥端部の伸長領域は狭くなり、反射率への損失が大きくなる。