接触抵抗に関係するRC時定数は、デバイスの周波数応答を制限する。リード抵抗のchargingとdischargingは高クロックレートデジタルエレクトロニクスでの電力損失の主な原因である。接触抵抗は、低周波数やあまり一般的でない半導体から作られたアナログ回路（たとえば太陽電池）においてジュール熱によって電力損失を引き起こす。コンタクト作製手法の確立は、新しい半導体の技術発展の重要な部分である。コンタクトでのエレクトロマイグレーションや層間剥離も電子デバイスの寿命の制限である。
オーミック接触の製造は、材料工学のかなり研究された部分であるが、それでもなお現在も先端技術である。再現性があり信頼性のある接触の製造は、半導体表面の清浄度に頼っている。たとえばシリコン表面で自然酸化膜がただちに形成するため、接触の性能は作製の詳細に敏感に依存する。欲しい接触のタイプを得るために、接触領域は高濃度にドープされることがある。半導体が接合の近くで高濃度にドープされているとき、半導体上のオーミック接触は形成しやすくなる。高濃度ドープすることで界面での空乏層は狭くなり、トンネル効果によって電子はどちらの方向にも流れる。接触作製の基本的なステップは、半導体表面の洗浄、接触金属の堆積、パターニング、アニーリングである。表面洗浄はスパッタエッチング、化学エッチング、反応性ガスエッチング、イオンミリングで行われる。たとえばシリコンの自然酸化膜はフッ化水素酸への浸漬で除去される。一方でGaAsは一般的に臭素-メタノールに浸漬することで洗浄される。洗浄後はスパッタ堆積、蒸着、化学気相成長によって金属が堆積される。スパッタリングは蒸着よりも速く簡便に金属を堆積できるが、プラズマからのイオン衝撃が表面状態を誘起したり、表面での電荷キャリアのタイプを反転させたりしてしまう。このため、より穏やか速いCVDが好まれている。接触のパターニングは、リフトオフなどの標準的なフォトリソグラフィでできる。接触金属は後に溶解されるフォトレジスト層の穴を通じて堆積される。堆積後のアニーリングは、応力を取り除くだけでなく、金属と半導体との間の望ましい反応を誘起するためにも有用である。接触抵抗の測定は四端子測定法が最も単純に行われ、より正確な測定では伝送線測定が一般的である。
オーミック接触とは、オームの法則に従って線型の電流-電圧 (I-V) 曲線を持つ2つの導体の間の電気的接合で、整流作用の無い接合である。抵抗の小さいオーミック接触は、電荷が2つの導体間のどちらの方向へも流れやすくし、整流による遮断や電圧しきい値による余剰電力損失を無くすために用いられる。一方で線形のI-V曲線を示さない接合や接触は、非オーミックであると言う。非オーミック接触は、pn接合、ショットキー障壁、整流作用のあるヘテロ接合、降伏接合など多くの形で見られる。一般的に「オーミック接触」という言葉は、オーミックな振る舞いの達成に技術を要する半導体と金属のオーミック接触を暗に指している。金属-金属オーミック接触は、金属間に絶縁する不純物や酸化が無く直接接触するによって、比較的単純に作ることができる。はんだ付け、溶接、圧着、蒸着、電気めっきなど様々な技術がオーミック金属-金属接合を作るために用いられる。この記事では、金属-半導体オーミック接触に焦点を当てる。抵抗が小さくて安定な半導体へのオーミック接触は半導体デバイスの性能と信頼性において重要であり、回路作製ではその作製とキャラクタリゼーションに力が注がれる。半導体への接合が不十分だと、接合近くで空乏層ができることで整流作用を示してしまう。その結果デバイスと外部回路との間の電荷の流れをブロックし、デバイスを役に立たなくする。一般的に半導体へのオーミック接触は、注意して選ばれた組成の金属薄膜を堆積することにより構成され、その後半導体-金属結合の形成のためアニーリングをする。
ロケット・ロビンフッド（Rocket Robin Hood）は、カナダ製作のアニメ、ロビン・フッドを主人公にした作品。アメリカ合衆国では1967年から1970年まで番組販売で放送された、ラルフ・バクシ(クランツ映画)が製作。
ハインリッヒ・ロムバッハ（Heinrich Rombach, 1923年6月10日 - 2004年2月5日）は、ドイツの哲学者。フライブルクに生まれ、当初は科学技術や自然科学に関心を抱き、土木や建設といった分野を専攻して大学を卒業した。後に軍に入ったが、けがで従軍困難になり、1943年に地元のフライブルクで物理学・数学・化学などの勉強を始めた。副専攻としてマルティン・ハイデッガーの哲学の講義を聴講したが、後にはハイデッガーと個人的に交際を持った。他の教員としてはマックス・ミューラー、オイゲン・フィンク、ヴィルヘルム・スツィラジがいた。1949年、ロムバッハは哲学の勉強を終え学位論文「問いの起源と本性について」(Über Ursprung und Wesen der Frage) を提出した。1955年には10年越に「実体・体系・構造」の名のもとに改訂・拡充させた論文を提出して教授資格を得た。1964年から1990年まではヴュルツブルク大学第一哲学部で哲学の正教授として講義を行った。ロムバッハによる構造存在論では、すべての存在は構造であると前提されている。彼は他に『構造存在論』（Strukturontologie, 1971年）、『現在意識の現象学』（Phänomenologie des gegenwärtigen Bewusstseins, 1980年）を書いている。彼は構造の深層現象学を発展させたが、これは日本や韓国といった東アジアで受容され、現代の哲学的研究の文化的・思想史的な問題に生産的な影響を与えている。ロムバッハはまた、哲学的研究の3つの取り組み方を発展させ、構造存在論、表象哲学、および歴史現象学や、ヘルメス智、理解できない物に対する理解としての世界理論を主張した。1970年から1995年まで、哲学年鑑の編集者を務めた。ヴュルツブルクにて没。