1968年9月17日、甲子園球場における対巨人戦で、稲尾和久の日本記録を塗りかえるシーズン354奪三振を記録。試合に先立って江夏は、日本記録更新となる354個目の奪三振を「王（貞治）さんから取る」と公言していたことが当日の新聞に載っている。そして試合では、日本記録タイとなる353奪三振を王の打席で記録したが、江夏本人はこれで日本記録を更新したものと勘違いをしており、ベンチに戻ってから捕手の辻恭彦にそれを指摘されて初めて気がついたという。そこで後続の打者は全て意図的に凡打で打ち取り、再び王の打席が回ってきた時に、記録更新となる354個目の三振を奪う離れ業を実現してのけた。江夏によると、「森（昌彦）さんと高橋（一三）さんからは三振を取らないようにするのが、むしろ大変だった。特に高橋さんを2ストライクまで追い込んだのが一番困った」という。しかもこの試合では、延長12回に自らサヨナラヒットを放って試合に勝利を収めている。この試合の様子にも表れているように、江夏は王から三振を奪うことに取り分けこだわっていた。これは村山実が節目の記録となる三振を常に長嶋茂雄から奪うようにしていたことを真似たものである（新人時代に村山がONを指さして「お前の相手はあれ〔王〕、俺はこっち〔長嶋〕や」と、王をライバルとするよう命じられたともされている）。これ以降も江夏は王との勝負に固執し、通算で57個もの三振を奪ったが、直球で勝負を挑んでいたために20本の本塁打も打たれている。王から最も多く三振を奪った投手は江夏だが、江夏から最も多く本塁打を打った打者もまた王である。そしてこのシーズン、江夏は最終的な奪三振記録を401個にまで伸ばした。これは現在でも日本プロ野球記録であり、また世界記録として認定されていないものの、MLB記録（ノーラン・ライアンの383個）をも上回っている。また江夏は、奪三振数だけでなく奪三振率も極めて高く、18年の現役期間中、奪三振数が投球回数を上回ったことが9度もある。しかもその内4度は、先発投手だった阪神時代に記録している（奪三振数が投球回数を上回ることは、佐々木主浩などの抑え投手では珍しくない。しかし先発投手では稀である。江夏のライバルであった堀内恒夫は、遂に一度も記録できなかった）。ただし、野村によると前日のスポーツ新聞に江夏のインタビューとして「日本記録はONから取りたい」、試合前のインタビューでは「王、長嶋と連続して取りたい」と自身で言っている、「王は昔、江夏のその話は眉唾だと言っていた」、「次の打者の長嶋には合わせたバッティングでショートゴロを打たれてしまっている」察するに江夏本人が美化して話してしまった事がマスコミで誇張されてしまい、何十年もたち、本人も引っ込みがつかなくなってしまいONも江夏がそうしておきたいんなら別に構わないというスタンスだったんだろうと述べていることから、長嶋から新記録を狙ったが合わせたバッティングで打たれてしまった、仕方ないから、もう一回り王に打席が来るまで、他の選手からは三振を取らないようにそこから一周回したのは事実が真相だろうと述べている。
IGBTはサイリスタと同様にP-N-P-Nの4層からなる半導体素子でありながら、サイリスタ動作をさせずにMOSゲートで電流を制御できる素子である。このIGBT動作モードは1968年に山上倖三によって特許公報昭47-21739で最初に提案された。また、1968年にはB.W. Scharf とJ.D. Plummerが4層の横型サイリスタでこのIGBT動作モードを実験的に初めて確認している。この動作モードを持つ最初の縦型素子は1982年にB. J. BaligaがIEDMで論文を発表しており、また、同様な論文が1982年にJ.P. Russel等がIEEE Electron Device Letterに投稿している。このIGBT動作をする素子はInsulated-Gate Rectifier (IGR)、 Insulated-Gate Transistor (IGT)、 Conductivity-Modulated Field-Effect Transistor (COMFET)、やBipolar-mode MOSFETなどと呼ばれた。J.D. Plummerは1978年に「4層のサイリスタでIGBTモードで動作する素子」を特許出願し、USP No.4199774が1980年に登録され、B1 Re33209が1995年に登録されている。J.D. Plummerの「4層のサイリスタでIGBTモードで動作する素子」は電流が大きくなるとラッチアップしてサイリスタ動作に移るので、ラッチアップが必然的に起きてしまう問題がある。1982年に発表されたIGRやCOMFETはスイッチングスピードが遅く、寄生のサイリスタがラッチアップしやすい欠点があった。IGBTでラッチアップが起こると電流が一点に集中して素子破壊が起こるので、寄生サイリスタのラッチアップの完全な抑制がIGBTの開発の目標となった。1983年にはBaligaやA.M. Goodman等によって電子線照射によってスイッチングスピードが改善され、また、ラッチアップ耐量向上の努力がなされた。1983年にはGEがサンプル出荷を始めたが、ラッチアップは克服されなかった。GEの素子は大電流密度でサイリスタ動作してしまい、応用は限定され、その動作はJ.D. Plummerの特許の範囲であった。Hans W. BeckeとCarl F. Wheatleyは1980年に「アノード領域を有するパワーMOSFET (power MOSFET with an anode region)」を米国特許出願している。この特許は「いかなる動作条件でもサイリスタ動作しない (no thyristor action occurs under any device operating conditions)」ことをクレイムしている。これは実質上、素子のすべての動作領域でラッチアップしないことを意味している。完全なラッチアップの抑制は1984年、中川明夫等がIEDMで論文発表したノンラッチアップIGBTの発明によって初めて実現された。このノンラッチアップIGBTの設計概念は「IGBTの飽和電流をラッチアップする電流値よりも小さく設定する」というもので、1984年に特許出願された。完全にラッチアップしないことを証明するため、1200 V の素子を 600 V のDC電源に直結して負荷なしで 25 µs の期間、素子をオンさせた。600 V の電圧が素子に直接印加され、流れるだけの短絡電流が素子に流れたが、素子は破壊せずに 25 µs 後に電流をオフできた。この素子特性は負荷短絡耐量と呼ばれるものでIGBTで初めて実現された。これによって、Hans W. BeckeとCarl F. Wheatleyによって特許提案された「素子の動作領域全体でラッチアップしないIGBT」が1984年に実現した。ラッチアップが完全に抑制されたノンラッチアップIGBTでは電流密度と電圧の積は 5×10⁵ W/cm² に達した。この値はバイポーラトラジスタの理論限界 2×10⁵ W/cm² を超えており、ノンラッチアップIGBTは破壊耐量が強く、安全動作領域が広いことが検証された。ノンラッチアップIGBTの実現によってHans W. BeckeとCarl F. Wheatleyの特許がIGBTの概念上の基本特許となり、中川等が発明したノンラッチアップIGBTの設計原理が実際にIGBTを実現する上での基本特許となった。これにより現在のIGBTが誕生した。